TWI434365B - 基板處理裝置 - Google Patents

Description

基板處理裝置

本發明係關於一種用以對半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板等基板進行處理之基板處理裝置。

半導體裝置或液晶顯示裝置之製造步驟中，進行對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板使用處理液或處理氣體之處理。例如，逐片地對基板進行處理之逐片式基板處理裝置中，處理腔室內收納有：使基板保持為水平並旋轉之旋轉夾頭；對由旋轉夾頭所保持之基板表面供給處理液之噴嘴；及收納旋轉夾頭且有底筒狀之處理杯。

對基板進行處理時，有可能會因基板及旋轉夾頭之旋轉而導致旋轉夾頭周邊產生上升氣流之虞。若因上升氣流而飛揚之處理液薄霧擴散至處理腔室內，則處理腔室之內壁或處理腔室內之構件會受到處理液之薄霧之污染。此薄霧於處理腔室內乾燥時，則成為微粒而浮游在環境氣體中，有可能會對其後處理之基板造成污染。由此，於處理腔室之頂面中央部設置FFU(Fan Filter Unit，風扇過濾單元)，自該FFU之供氣口朝下方供給潔淨空氣，並且自形成於處理杯底面之排氣口進行排氣，從而於處理杯內形成下降氣流。

又，為了抑制處理杯外之處理腔室內空間中之處理液薄霧等飛揚而採用如下構成：藉由自形成於處理腔室底面之排氣口，將處理腔室內之環境氣體進行排氣，而形成朝排氣口之下降氣流來促進處理腔室內之環境氣體之置換。

於處理腔室內，收納有例如與由旋轉夾頭所保持之基板表面(上面)呈對向，而用以自周圍遮蔽基板表面上之空間之遮蔽構件。遮蔽構件形成為圓板狀，且配置於旋轉夾頭上方(例如，參照日本專利特開2006-202983號公報)。

然而，若FFU之供氣口形成於遮蔽構件上方，則遮蔽構件會阻礙潔淨空氣流而使得處理腔室內之氣流紊亂，例如於處理腔室內產生環境氣體之對流。特別於旋轉夾頭之旋轉中，存在因上述之上升氣流而擾亂處理腔室內之氣流之傾向。該等成為主要原因而使得處理杯外之處理腔室內空間中欲形成穩定之下降氣流並不容易。

為了使處理腔室內之氣流穩定化以促進其內部環境氣體之置換，自處理腔室底部之排氣口之排氣需要較大之排氣能力。然而，因設置基板處理裝置之工廠中可準備之排氣效用之限制，亦有時難以確保氣流穩定化所必要之排氣能力。

由此，本發明之目的在於提供一種自排氣口之排氣無需較大之排氣能力便可良好地置換處理腔室內之環境氣體之基板處理裝置。

本發明之基板處理裝置包括：處理腔室，其用以在內部對基板進行處理；基板保持單元，其用以在上述處理腔室之內部保持基板；遮蔽構件，其具有與上述基板保持單元呈對向之對向面，且配置於上述基板保持單元之上方；及供氣部，其具有於俯視形成為包圍上述遮蔽構件周圍之環狀而朝下之供氣口，且配置於上述處理腔室之上部，用以將氣體供給至上述處理腔室內。

根據該構成，供氣口於俯視形成為包圍遮蔽構件周圍之環狀。自該供氣口向處理腔室內供給朝下之氣體，因此於處理腔室內形成有包圍遮蔽構件周圍之筒狀下降氣流。因此，下降氣流與遮蔽構件幾乎不會發生干擾。因此，可抑制處理腔室內之環境氣體之對流，從而可使氣流穩定化。藉此，可有效率地置換處理腔室內之環境氣體。

又，當上述處理腔室由以預定鉛直軸線為中心之圓筒面所形成之圓筒間隔壁包圍時，上述供氣口亦可形成為圓環狀。

又，本發明之基板處理裝置進而具有升降單元，係在上述對向面與基板表面隔開微小間隔而對向之處理位置、和自上述基板表面(朝上方)離開之離開位置之間，使上述遮蔽構件升降，上述供氣口亦可與處於上述離開位置之上述遮蔽構件之上述對向面形成在同一面上。

根據該構成，當對基板表面實施使用遮蔽構件之處理時，可使遮蔽構件配置於處理位置，又，於基板表面未實施使用遮蔽構件之處理時，可使遮蔽構件配置於離開位置。於遮蔽構件處於離開位置之狀態下，由於供氣口係與遮蔽構件之對向面處於同一面上，因而自供氣口朝處理腔室內供氣之氣體與遮蔽構件不發生干擾。因此，於對基板未實施使用遮蔽構件之處理時，可使處理腔室內之氣流特別穩定。

又，上述遮蔽構件亦可由設置於上述處理腔室之外側區域之遮蔽構件支持構件所支持。處理腔室中，供氣口於俯視形成為包圍遮蔽構件周圍之環狀，換言之，於處理腔室中之遮蔽構件上方之區域未配置有供氣口。因此，可利用處理腔室之遮蔽構件上方之區域，藉此，可由設置於處理腔室之外側區域之遮蔽構件支持構件來支持遮蔽構件。此時，亦可將用以驅動遮蔽構件之構成及/或用以支持遮蔽構件之構成，配置於處理腔室外。藉此，可實現處理腔室之小型化。

又，上述處理腔室內亦可形成有排氣口，該排氣口係形成為包圍上述基板保持單元周圍，並將上述處理腔室內之環境氣體導引至連接於上述處理腔室之排氣管。

根據該構成，排氣口形成為包圍基板保持單元之周圍。又，供氣口於俯視形成為包圍遮蔽構件周圍之環狀。遮蔽構件對向於基板保持構件而配置，由此於俯視供氣口與排氣口重合。因此，處理腔室內形成有穩定之筒狀之下降氣流。藉此，可確實地抑制下降氣流與遮蔽構件發生干擾。

上述排氣口亦可形成為包圍上述基板保持單元周圍之環狀，又亦可於包圍上述基板保持單元周圍之環狀區域中隔開間隔而形成有複數個。

進而，亦可進而包括包圍上述基板保持單元周圍、且收納該基板保持單元之筒狀處理杯。

根據該構成，處理杯外之處理腔室空間內形成有包圍遮蔽構件周圍之筒狀之下降氣流。因此，下降氣流與遮蔽構件幾乎不會發生干擾。因此，可抑制處理杯外之處理腔室空間內之環境氣體之對流，從而可使該空間之氣流穩定化。

本發明之上述或進而其他目的、特徵及效果，藉由參照附圖所敍述之以下實施形態之說明而變得明確。

圖1係表示本發明之一實施形態之基板處理裝置1所包含之處理單元2之構成之立體圖。

基板處理裝置1係設置於無塵室內，用以對基板W實施處理液之處理之逐片式裝置。該基板處理裝置1具有處理單元2。處理單元2具有：板狀之基座3；固定地設置於基座3上之處理腔室4；沿著鉛直方向固定地立設於基座3上之支柱(遮蔽構件支持構件)5；於處理腔室4之上方在大致水平方向延伸，且相對於支柱5可升降地設置之升降臂(升降單元)6；及安裝於處理腔室4上部之供氣單元(供氣部)7。處理腔室4具有：劃分用以對基板W實施處理之處理區8(參照圖2及圖3)之圓筒狀之圓筒間隔壁9；及劃分用以收納上面噴嘴18(參照圖2及圖3)之噴嘴收納區10(參照圖2及圖3)之俯視L字狀之箱體11。

升降臂6具有由支柱5支持之鉛直部12，及自鉛直部12之上端緣朝水平方向延伸之水平部13。收納於處理腔室4內之遮蔽板(遮蔽構件)14(參照圖2及圖3)，經由固持器15(參照圖2及圖3)而安裝於水平部13之前端部。處理腔室4之頂棚壁16形成水平圓環狀。固持器15於插入頂棚壁16內側之狀態下，支持配置於處理腔室4內之遮蔽板14。再者，圖1中表示處理腔室4之間隔壁之一部分(圖1所示之近前側之面)呈開放之狀態。

圖2及圖3係表示處理腔室4內之構成之縱剖面圖。圖4係自圖2所示之切剖面線IV-IV觀察之縱剖面圖。圖5係自圖4所示之箭頭V觀察之橫剖面圖。

處理腔室4內收納有：使基板W保持為水平並旋轉之旋轉夾頭17(基板保持單元)；用以對旋轉夾頭17所保持之基板W上面供給處理液之上面噴嘴18；用以對旋轉夾頭17所保持之基板W下面供給處理液之下面噴嘴19；收納旋轉夾頭17之有底筒狀之處理杯20；及配置於旋轉夾頭17上方之圓板狀之遮蔽板(遮蔽構件)14。

圓筒間隔壁9具有以旋轉夾頭17使晶圓W旋轉之旋轉軸線(鉛直軸線)C為中心軸線之圓筒面所形成之內面。該圓筒間隔壁9經由供氣單元7而結合於在水平方向延伸之頂棚壁16。圓筒間隔壁9之下端緣結合於與頂棚壁16呈對向之底壁30。處理區8係藉由圓筒間隔壁9、供氣單元7之外表面、頂棚壁16及底壁30而劃分，且形成為大致圓柱形狀之空間。旋轉夾頭17及處理杯20配置於該處理區8。又，處理腔室4內之處理杯20之周圍，配置有將處理腔室4(處理區8)內之處理杯20外之空間區隔為上下部分之區隔板31。

圓筒間隔壁9之與噴嘴收納區10鄰接之部分，形成有連通處理區8與噴嘴收納區10之連通用開口32。於進行上面噴嘴18之處理時，使上面噴嘴18之前端部自噴嘴收納區10通過連通用開口32配置於旋轉夾頭17之上方。

旋轉夾頭17具有：以水平姿勢固定於在鉛直方向延伸之旋轉軸38上端之圓盤狀的旋轉基座39；配置於旋轉基座39下方，且用以驅動旋轉軸38之旋轉馬達33；及包圍旋轉馬達33周圍之筒狀之罩構件34。旋轉基座39之外徑稍大於由旋轉夾頭17所保持之基板W外徑。複數個(例如6個。圖2及圖3中僅圖示2個)夾持構件35，在與基板W外周對應之圓周上隔開適當間隔而配置於旋轉基座39之上面周緣部。又，罩構件34固定於基座3，且其上端到達旋轉基座39之附近。旋轉夾頭17係藉由使各夾持構件35抵接於基板W之周端面，而可於旋轉基座39上方水平夾持該基板W。又，於由複數個夾持構件35夾持基板W之狀態下，使旋轉馬達33之旋轉驅動力輸入至旋轉軸，藉此可使基板W圍繞著通過基板W中心之鉛直旋轉軸線C而旋轉。

上面噴嘴18配置於由旋轉夾頭17所保持之基板W高度位置之上方。上面噴嘴18安裝於大致水平延伸之噴嘴臂36前端。噴嘴臂36由在噴嘴收納區10之側方大致鉛直延伸之臂支持軸37支持。馬達等旋轉機構44結合於臂支持軸37，藉由自該旋轉機構44輸入至臂支持軸37之旋轉驅動力而可使臂支持軸37轉動，從而可沿著基板W上面使上面噴嘴18搖動。來自處理液供給源49之處理液經由插通臂支持軸37及噴嘴臂36內部之處理液供給管45，而供給至上面噴嘴18。圖2所示之狀態(上面噴嘴18對基板W進行處理之狀態)下，自上面噴嘴18噴出之處理液滴落在旋轉夾頭17所保持之基板W上面中央部。再者，圖2中表示上面噴嘴18引出至旋轉夾頭17所保持之基板W上方之狀態，圖3中表示上面噴嘴18收納在噴嘴收納區10之狀態(圖3及圖4中未圖示上面噴嘴18)。

又，下面噴嘴19配置於由旋轉夾頭17所保持之基板W高度位置之下方。下面噴嘴19構成為噴出口與旋轉夾頭17所保持之基阪W下面中央部呈對向。下面噴嘴19連接有處理液供給管(未圖示)，來自處理液供給源(未圖示)之處理液，係經由處理液供給管(未圖示)供給至下面噴嘴19。自下面噴嘴19噴出之處理液滴落在基板W下面中央部。

處理杯20包括：收納於處理腔室4內之例如圓筒狀之排氣桶40；收納於排氣桶40內之複數個處理杯20(該實施形態中為第1杯21及第2杯22)；收納於排氣桶40內之複數個護板(該實施形態中為第1護板23、第2護板24及第3護板25)。第1～第3護板23～25分別具有筒狀之第1導引部27、第2導引部28及第3導引部29。處理杯20構成為藉由各導引部27～29而接收並捕獲飛散至基板W周圍之處理液，且可構成為廢液或回收藉由各導引部27～29而接收之處理液。

排氣桶40包圍旋轉夾頭17之周圍。排氣桶40構成為在內部貯存處理液。貯存於排氣桶40內之處理液係導引至廢液機構(未圖示)。又，排氣桶40下端部之周方向之預定部位，形成有圖2中以較粗之二點鏈線所示之第1排氣連接孔41。又，該第1排氣連接孔41連接有圖2中以較粗之二點鏈線所示之杯內排氣導管42之上游端。杯內排氣導管42之下游端連接於箱體11之側壁所形成之第2排氣連接孔43(參照圖4及圖5)。第2排氣連接孔43形成橫向較長之長方形狀。第2排氣連接孔43連接有下游端連接於工廠之排氣設備(未圖示)之排氣管46(參照圖4及圖5)的上游端。排氣桶40內之環境氣體，係通過第1排氣連接孔41、杯內排氣導管42、第2排氣連接孔43及排氣管46，並藉由排氣設備而進行排氣。

例如至少於在處理腔室4內對基板W進行處理之期間，較佳為亦包含未對基板W進行處理之期間在內經常進行處理杯20內之排氣。一般而言，工廠具有之排氣設備之排氣效用存在限制。

第1杯21形成為相對旋轉夾頭17使基板W旋轉之旋轉軸線C而大致旋轉對稱之形狀。第1杯21包圍旋轉夾頭17之周圍。第1杯21藉由支持構件(未圖示)而支持於排氣桶40內之固定位置。第1杯21形成剖面U字狀，其劃分用以收集基板W之處理所使用之處理液並加以廢棄之廢液溝。

第2杯22形成為相對於旋轉夾頭17使基板W旋轉之旋轉軸線C而大致旋轉對稱之形狀。第2杯22於第1杯21之外側包圍旋轉夾頭17之周圍。第2杯22藉由支持構件(未圖示)而支持於排氣桶40內之固定位置。第2杯22形成剖面U字狀，其劃分用以收集基板W之處理所使用之處理液並加以回收之內側回收溝。內側回收溝所收集之處理液被導引至回收機構(未圖示)。

第1護板23形成為相對於旋轉夾頭17使基板W旋轉之旋轉軸線C而大致旋轉對稱之形狀。第1護板23包圍旋轉夾頭17之周圍。第1護板23具有大致筒狀之第1導引部27，及自該第1導引部27朝鉛直下方延伸、且位於內側回收溝上之圓筒狀之處理液分離壁47。

第2護板24形成為相對於旋轉夾頭17使基板W旋轉之旋轉軸線C而大致旋轉對稱之形狀。第2護板24包圍旋轉夾頭17之周圍。第2護板24具有筒狀之第2導引部28，及與第2導引部28連接且設置於該第2導引部28外側之杯部48。杯部48形成剖面U字狀，其劃分用以收集基板W之處理所使用之處理液並加以回收之外側回收溝。外側回收溝所收集之處理液導引至回收機構(未圖示)。

第3護板25形成為相對於旋轉夾頭17使基板W旋轉之旋轉軸線C而大致旋轉對稱之形狀。第3護板25包圍旋轉夾頭17之周圍。第3護板25具有筒狀之第3導引部29。

3個導引部27～29之上端部27b、28b、29b分別朝向接近基板W之旋轉軸線C之方向而朝斜上方延伸。3個導引部27～29之上端部27b、28b、29b係自下方以第1導引部27、第2導引部28、第3導引部29之順序在上下方向重合。3個護板23～25配置成3個導引部27～29成為同軸。

又，該基板處理裝置1具有：用以使第1護板23升降之第1升降機構91；用以使第2護板24升降之第2升降機構92；及用以使第3護板25升降之第3升降機構93。3個護板23～25設置為可獨立升降，可在該護板23～25所設置之導引部27～29之上端位於旋轉夾頭17所保持之基板W高度位置之上方的上位置、與該護板23～25所設置之導引部27～29之上端位於旋轉夾頭17所保持之基板W高度位置之下方的下位置之間，使對應之護板23~25升降。

排氣桶40內被排氣(即，位於減壓狀態)，所有護板23～25位於下位置時；僅第3護板25位於上位置，第1護板23及第2護板24位於下位置時；第2護板24及第3護板25位於上位置，僅第1護板23位於下位置時；及所有護板23～25位於上位置時之任一情形時，處理腔室4內之環境氣體均被取入至排氣桶40內。

區隔板31在與排氣桶40之側壁上端部相同之高度位置，以水平姿勢配置為包圍排氣桶40之周圍。具體而言，如圖4所示，區隔板31係將俯視C形之3片板狀構件50於周方向隔開預定間隙G1(參照圖4)而配置之構成。各板狀構件50之外周形成為沿著圓筒狀之圓筒間隔壁9之內壁之橫剖面(沿著水平方向之剖面)的圓弧形狀。又，各板狀構件50之內周形成為沿著處理杯20之外周面(圓筒狀之排氣桶40之外周面)之圓弧形狀。

又，各板狀構件50之外周端與圓筒間隔壁9之內壁之間設置有間隙G2(參照圖2～圖4)。各板狀構件50之內周端與處理杯20之外周面(排氣桶40之外周面)之間設置有間隙G3(參照圖2～圖4)。

區隔板31上方之空間與下方之空間(以下稱作「下方空間」)51隔著間隙G1、間隙G2及間隙G3而部分性地連接。如圖4所示，下方空間51於處理腔室4之周方向，形成於除杯內排氣導管42存在之區域以外之大致整個區域。即，下方空間51可稱作大致圓筒空間。

杯內排氣導管42之中途部形成有用以連通杯內排氣導管42與下方空間51之第1連通孔52。下方空間51係經由第1連通孔52、杯內排氣導管42及第2排氣連接孔43，而與排氣管46連通。因此，存在於下方空間51中之環境氣體，係藉由排氣設備(未圖示)之排氣效用而進行排氣。而且，處理腔室4內之環境氣體係經由間隙G1、間隙G2及間隙G3而被取入下方空間51中。即，間隙G1、間隙G2及間隙G3構成可將處理腔室4內之環境氣體導引至排氣管46之排氣口。而且，由該間隙G1、間隙G2及間隙G3所形成之排氣口之整體形狀，係作成包圍旋轉夾頭17周圍之大致圓環狀。

杯內排氣導管42具有：主要於垂直方向延伸之垂直部分54(圖2中以二點鏈線圖示)；及與該垂直部分54連接，且主要於水平方向延伸之水平部分55(參照圖2及圖4。圖2中以二點鏈線圖示)。垂直部分54係構成杯內排氣導管42之上游側部分，水平部分55係構成杯內排氣導管42之下游側部分。第1連通孔52係形成於杯內排氣導管42之垂直部分54。水平部分55之中途部形成有2個將杯內排氣導管42與噴嘴收納區10連通之第2連通孔57(參照圖4)。

因此，噴嘴收納區10係經由第2連通孔57、杯內排氣導管42及第2排氣連接孔43，而與排氣管46連通。而且，噴嘴收納區10內之環境氣體，係藉由排氣設備(未圖示)之排氣效用而排氣。藉此，可將噴嘴收納區10內所收納之上面噴嘴18保持於潔淨狀態。

參照圖2及圖3對遮蔽板14進行說明。遮蔽板14形成具有與旋轉夾頭17所保持之基板W直徑大致相同之直徑的圓板狀。遮蔽板14之下面形成有與旋轉夾頭17所保持之基板W表面呈對向之基板對向面(對向面)58。於遮蔽板14之上面固定有沿著與旋轉夾頭17之旋轉軸線C共通之軸線之旋轉軸59。旋轉軸59於安裝(支持)在升降臂6前端部之外圍圓筒狀之固持器15內，經由一對軸承60而旋轉自如地被保持。固持器15插通頂棚壁16內周之內部並進入處理腔室4內。

結合於固持器15上端之遮蔽板旋轉用馬達81之旋轉驅動力輸入至旋轉軸59。旋轉軸59形成為中空，其內部插通有用以對旋轉夾頭17所保持之基板W表面供給DIW(Deionized Water，去離子水)之DIW噴嘴。DIW噴嘴具有用以朝旋轉夾頭17所保持之基板W表面之旋轉中心噴出DIW之DIW噴出口。又，旋轉軸59之內壁與DIW噴嘴之外壁之間，形成有用以朝基板W中心部供給作為惰性氣體之氮氣之氮氣流通路。氮氣流通路具有於基板對向面58開口之氮氣噴出口(惰性氣體噴出口)。

藉由升降馬達80(參照圖6A及圖6B)之旋轉驅動而使升降臂6升降，藉此可在與旋轉夾頭17所保持之基板W之表面隔開微小間隔而呈對向之處理位置(參照圖3)、與自旋轉夾頭17之表面朝上方離開之離開位置(參照圖2)之間，使遮蔽板14升降。因此，於對基板W實施使用遮蔽板14之處理時，遮蔽板14配置於處理位置，而於對基板W未實施使用遮蔽板14之處理時，遮蔽板14配置於離開位置。

固持器15之周圍由波紋管61覆蓋。波紋管61係於上下方向伸縮自如地形成。波紋管61之上端部固定連接於頂棚壁16之內周下面。波紋管61之下端部固定於固持器15之下端部所形成之凸緣部62。當遮蔽板14升降時，波紋管61會隨之伸縮。當遮蔽板14位於圖2所示之離開位置時，波紋管61處於短縮狀態。另一方面，當遮蔽板14位於圖3所示之處理位置時，波紋管61處於伸長狀態。處理腔室4之內部空間之環境氣體有時包含處理液之薄霧，但由於固持器15之周圍由波紋管61覆蓋，因此不論遮蔽板14是位於處理位置或位於離開位置，均可防止該些環境氣體對固持器15等造成不良影響。

該實施形態中，於頂棚壁16未配置用以將潔淨空氣取入處理腔室4內之供氣口。因此，亦可使固持器15插通該頂棚壁16內，藉此，亦可使遮蔽板14由設置於處理腔室4外之支柱5支持。此時，由於可將支持遮蔽板14之升降臂6配置於處理腔室4外，因此可實現處理腔室4之小型化。

供氣單元7用以將潔淨空氣取入至處理腔室4內。供氣單元7形成為包圍保持遮蔽板14之固持器15之周圍之俯視圓環狀。將供氣單元7之中心軸線切斷時之剖面作成長方形狀(參照圖2及圖3中供氣單元7之右側部分之剖面形狀)。供氣單元7之剖面形狀係於周方向之大致整個區域作成長方形狀，但升降臂6周圍之供氣單元7為了避免與升降臂6發生干擾，以上壁隨著朝直徑方向之外周而變低之方式傾斜(參照圖2及圖3中供氣單元7之左側部分之剖面形狀)。

於供氣單元7之上壁貫穿形成有複數個(例如為2個)供氣連接孔63(圖1中未圖示。參照圖5)。各供氣連接孔63連接有供給來自潔淨空氣供給源之潔淨空氣之供氣管64前端部。因此，對供氣單元7內供給潔淨空氣。

於供氣單元7之下壁形成用以將供氣單元7內之潔淨空氣供給至處理區8內之供氣口65。供氣口65為朝下之供氣口，其整體形狀如圖4中較粗之二點鏈線所示，俯視形成為包圍遮蔽板14周圍之圓環狀。

供氣口65可藉由在上下方向貫穿供氣單元7下壁之上、下面之多個貫穿孔66而構成，亦可藉由在上下方向貫穿供氣單元7下壁之上、下面且環狀延伸之多個狹縫而構成。又，亦可藉由形成於供氣單元7下壁之環狀開口而形成。此時，亦可於開口配置有過濾器。又，亦可為如下，即供氣單元7不為箱狀，供氣單元7下面之整個區域呈開放，且其下面作為供氣口65發揮功能。

該實施形態中，以藉由多個貫穿孔66形成供氣口65之情形為例進行說明。

俯視下，供氣口65之內周形成為直徑大於遮蔽板14之外徑之圓形(具體而言，供氣單元7之內壁圓筒面之內徑設定成其直徑略大於遮蔽板14之外徑相比)，供氣口65之外周形成為直徑稍小於處理腔室4之間隔壁(圓筒間隔壁9)之外徑之圓狀。因此，如圖4所示，供氣口65之內周及外周於俯視形成為圓形之圓環狀。

即，供氣口65及排氣口66之雙方形成為大致圓環狀。而且，如圖4所示，供氣口65及排氣口66於俯視重合。由此，處理腔室內形成有穩定之筒狀之下降氣流。因此，下降氣流與遮蔽板14幾乎不發生干擾。

供氣口65如圖2所示位於與處在離開位置之遮蔽板14之基板對向面58大致相同之水平面上。當對基板W之表面實施使用遮蔽板14之處理時，可使遮蔽板14配置於處理位置，又，當對基板W之表面不實施使用遮蔽板14之處理時，可使遮蔽板14配置於離開位置。於遮蔽板14位在離開位置之狀態下，遮蔽板14之基板對向面58與供氣口65為同一平面，因此自供氣口65供給至處理腔室4內之潔淨空氣與遮蔽板14不會發生干擾。

再者，如圖2及圖3所示，亦可於供氣單元7之內壁形成有橫向之供氣口82。即，亦可於供氣單元7之內壁形成多個在水平方向貫穿之多個貫穿孔83。此時，供給至供氣單元7內之潔淨空氣之一部分自供氣口82朝波紋管61噴出之後，沿著波紋管61下降，並形成沿著遮蔽板14之上面84流動之氣流。然後，該氣流與自供氣口65供給之下降氣流合流。根據該構成，可於波紋管61之周圍，即，於遮蔽板14之上面84的上方空間形成潔淨空氣之氣流，因此可抑制或防止包含處理液之薄霧之環境氣體侵入遮蔽板14之上面84的上方空間。

於處理腔室4之圓筒間隔壁9形成有用以相對於處理腔室4內搬入及搬出基板W之開口部67(參照圖4)。於處理腔室4之外側，配置有用以通過開口部67使手掌進入處理腔室4內，來搬入搬出基板W之機械手臂(未圖示)。與開口部67相關聯，係在處理腔室4之外側設置有用以開閉開口部67之擋板68。擋板68係設置為可於上下方向開閉。

圖6A係表示支柱5及升降臂6之構成之剖面圖。圖6B係自圖6A所示之切剖面線VI-VI觀察之剖面圖。

支柱5沿著鉛直方向(沿著Z方向之方向)形成為鉛直方向較長之長條板狀。又，升降臂6之鉛直部12形成為鉛直方向(沿著Z方向之方向)較長之長條板狀。鉛直部12之中央部形成有開口70。支柱5及鉛直部12係使表面相互對向而配置。再者，圖6A及圖6B中，X方向係自支柱5及鉛直部12觀察，而為處理腔室4之圓筒間隔壁9所處之水平方向。又，Y方向係與X方向正交之水平方向。

支柱5與鉛直部12之間插裝有一對線性導軌71(圖6A中未圖示。參照圖6B)。各線性導軌71具有於鉛直方向延伸之軌道72，及嵌裝於軌道72之2個導件73。各軌道72固定性地安裝於支柱5之X方向側的表面，各導件73固定性地安裝於與該支柱5之表面呈對向之X方向之相反側之面。2個軌道72分別配置於支柱5之寬度方向(沿著Y方向之方向)之兩端部。升降臂6之鉛直部12係設置為藉由該線性導軌71而可相對於支柱5於鉛直方向移動自如。一對軌道72之間設置有滾珠螺桿機構74。

滾珠螺桿機構74具有沿著鉛直方向由支柱5保持之螺桿軸75，及與螺桿軸75螺合之圓柱狀之球狀螺母76。螺桿軸75由支柱5旋轉自如地支持。於支柱5之X方向側之面，固定地安裝有用以使螺桿軸75相對於支柱5旋轉自如地受到支持之上下一對螺桿軸支持部77、78。上方之螺桿軸支持部77於限制向上方移動之狀態下，經由軸承(未圖示)旋轉自如地支持螺桿軸75之上端部。下方之螺桿軸支持部78於限制向下方移動之狀態下，經由軸承(未圖示)旋轉自如地支持螺桿軸75之下端部。

球狀螺母76結合於升降臂6之鉛直部12。當螺桿軸75旋轉時，則以藉由線性導軌71而維持鉛直姿勢之方式而受到限制之升降臂6及球狀螺母76，係以不伴隨螺桿軸75旋轉而沿著螺桿軸75之軸線方向移動。因此，藉由使螺桿軸75旋轉而可使升降臂6於鉛直方向升降。升降馬達80之旋轉驅動力經由聯軸器79輸入至螺桿軸75之下端部。作為升降馬達80，採用例如伺服馬達。升降馬達33固定地安裝於支柱5之下部。

當升降馬達80旋轉驅動時，則螺桿軸75旋轉，球狀螺母76及升降臂6升降。而且，可使遮蔽板14在與旋轉夾頭17所保持之基板W表面隔開微小間隔而呈對向之處理位置(參照圖3)、和自旋轉夾頭17之表面朝上方離開之離開位置(參照圖2)之間升降。

根據以上之該實施形態，供氣口65於俯視形成為包圍遮蔽板14周圍之圓環狀。自該供氣口65向處理腔室4內供給朝下之潔淨空氣，因此處理杯20外之處理腔室4空間內形成有包圍遮蔽板14周圍之筒狀之下降氣流。因此，下降氣流與遮蔽板14不會發生干擾。因此，可抑制處理杯20外之處理腔室4空間內之環境氣體之對流，從而可使氣流穩定化。藉此，可有效率地置換處理腔室4內之環境氣體。

尤其，於遮蔽板14處在離開位置之狀態下，遮蔽板14之基板對向面58與供氣口65位於同一面上，因此自供氣口65供給至處理腔室4內之潔淨空氣與遮蔽板14不發生干擾。因此，可使對基板W之表面未實施使用遮蔽板14之處理時之處理腔室4內的氣流穩定化。

以上，對本發明之一實施形態進行說明，但本發明亦可以進而其他形態來實施。

例如，上述實施形態中，於遮蔽板14位在離開位置之狀態下，遮蔽板14之基板對向面58與供氣口65位於同一面上，但於遮蔽板14位在離開位置之狀態下，遮蔽板14之基板對向面58亦可位於供氣口65之上方。即便為該構成，自供氣口65供給至處理腔室4內之潔淨空氣與遮蔽板14亦不會發生干擾，因此可使對基板W之表面未實施使用遮蔽板14之處理時之處理腔室4內的氣流穩定化。

又，該實施形態中，以將自供氣管64供給之潔淨空氣供給至處理腔室4內之供氣單元7為例進行說明，但亦可代替該供氣單元7而使用FFU(風扇過濾單元)。該FFU之構成為於上下層疊風扇及過濾器，以過濾器對藉由風扇而取入之無塵室內之空氣進行淨化後，將該空氣自供氣口供給至處理腔室4內。

對本發明之實施形態進行詳細說明，但該些內容只不過是為了使本發明之技術內容明確而使用之具體例，本發明不應限定於該些具體例來進行解釋，本發明之範圍僅由隨附之申請專利範圍來限定。

該申請案係對應於2009年9月30日向日本專利局申請之日本專利特願2009-226263號，該申請案之全部揭示藉由引用而組入於此。

1．．．基板處理裝置

2．．．處理單元

3．．．基座

4．．．處理腔室

5．．．支柱

6．．．升降臂

7．．．供氣單元

8．．．處理區

9．．．圓筒間隔壁

10．．．噴嘴收納區

11．．．箱體

12．．．鉛直部

13．．．水平部

14．．．遮蔽板

15．．．固持器

16．．．頂棚壁

17．．．旋轉夾頭

18．．．上面噴嘴

19．．．下面噴嘴

20．．．處理杯

21．．．第1杯

22．．．第2杯

23．．．第1護板

24．．．第2護板

25．．．第3護板

27．．．第1導引部

27b．．．上端部

28．．．第2導引部

28b．．．上端部

29．．．第3導引部

29b．．．上端部

30．．．底壁

31．．．區隔板

32．．．連通用開口

33．．．旋轉馬達

34．．．罩構件

35．．．夾持構件

36．．．噴嘴臂

37．．．臂支持軸

38．．．旋轉軸

39．．．旋轉基座

40．．．排氣桶

41．．．第1排氣連接孔

42．．．杯內排氣導管

43．．．第2排氣連接孔

44．．．旋轉機構

45．．．處理液供給管

46．．．排氣管

47．．．處理液分離壁

48．．．杯部

49．．．處理液供給源

50．．．板狀構件

51．．．下方空間

52．．．第1連通孔

54．．．垂直部分

55．．．水平部分

57．．．第2連通孔

58．．．基板對向面

59．．．旋轉軸

60．．．軸承

61．．．波紋管

62．．．凸緣部

63．．．供氣連接孔

64．．．供氣管

65．．．供氣口

66．．．貫穿孔

67．．．開口部

68．．．擋板

70．．．開口

71．．．線性導軌

72．．．軌道

73．．．導件

74．．．滾珠螺桿機構

75．．．螺桿軸

76．．．球狀螺母

77．．．螺桿軸支持部

78．．．螺桿軸支持部

79‧‧‧聯軸器

80‧‧‧升降馬達

81‧‧‧遮蔽板旋轉用馬達

82‧‧‧供氣口

83‧‧‧貫穿孔

84‧‧‧上面

91‧‧‧第1升降機構

92‧‧‧第2升降機構

93‧‧‧第3升降機構

C‧‧‧旋轉軸線

G1‧‧‧間隙

G2‧‧‧間隙

G3‧‧‧間隙

W‧‧‧基板

圖1係表示本發明之一實施形態之基板處理裝置之構成之立體圖。

圖2係表示圖1所示之處理腔室內之構成之縱剖面圖。

圖3係表示使遮蔽板配置於處理位置時之處理腔室內之構成之縱剖面圖。

圖4係自圖2所示之切剖面線IV-IV觀察之縱剖面圖。

圖5係自圖4所示之箭頭V觀察之橫剖面圖。

圖6A係表示圖1所示之支柱及升降臂之構成之剖面圖。

圖6B係自圖6A所示之切剖面線VI-VI觀察之剖面圖。

4．．．處理腔室

8．．．處理區

9．．．圓筒間隔壁

10．．．噴嘴收納區

11．．．箱體

14．．．遮蔽板

17．．．旋轉夾頭

18．．．上面噴嘴

20．．．處理杯

31．．．區隔板

35．．．夾持構件

36．．．噴嘴臂

37．．．臂支持軸

39．．．旋轉基座

40．．．排氣桶

43．．．第2排氣連接孔

46．．．排氣管

50．．．板狀構件

55(42)．．．水平部分

57．．．第2連通孔

65．．．供氣口

67．．．開口部

68．．．擋板

C．．．旋轉軸線

G1．．．間隙

G2．．．間隙

G3．．．間隙

Claims (5)

1. 一種基板處理裝置，其包括：處理腔室，其用以在內部對基板進行處理；基板保持單元，其用以在上述處理腔室之內部將上述基板以使其表面朝上之狀態保持呈水平，並使該基板繞著通過該基板中心之鉛直旋轉軸線旋轉；遮蔽構件，其配置於上述基板保持單元之上方並具有與該基板保持單元呈對向之對向面，且具有與上述基板幾乎相同之直徑；遮蔽構件升降單元，使上述遮蔽構件升降於接近於基板之處理位置與自基板朝上方遠離之離開位置之間；供氣部，其配置於上述處理腔室之上部，用以將潔淨空氣自上述處理腔室之外部取入至內部；及朝下之供氣口，其在俯視與上述旋轉軸線正交的面之狀態下，形成將上述遮蔽構件之周圍加以包圍之圓環狀；而上述供氣口之內周係形成直徑較上述遮蔽構件之外形為大之圓形，上述供氣部係藉由自上述供氣口朝上述處理腔室之內部供給朝下之潔淨空氣，於上述處理腔室之內部形成自上述處理腔室的上部朝向下部之潔淨空氣之下降氣流。
2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，當上述遮蔽構件位於上述離開位置時，上述遮蔽構件之對向面則位 於與上述供氣口為同一面上或較上述供氣口為上方之位置。
3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述遮蔽構件係藉由設置於上述處理腔室外側區域之遮蔽構件支持構件來支持。
4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，於上述處理腔室內形成有排氣口，該排氣口係形成為包圍上述基板保持單元之周圍，並將上述處理腔室內之環境氣體導引至連接於上述處理腔室之排氣管。
5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其中，其進而包括包圍上述基板保持單元周圍且收納該基板保持單元之筒狀處理杯。