TWI422632B - 封裝材料之製造方法 - Google Patents

封裝材料之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI422632B
TWI422632B TW098133548A TW98133548A TWI422632B TW I422632 B TWI422632 B TW I422632B TW 098133548 A TW098133548 A TW 098133548A TW 98133548 A TW98133548 A TW 98133548A TW I422632 B TWI422632 B TW I422632B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
material according
carbon atoms
manufacturing
package material
material composition
Prior art date
Application number
TW098133548A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201024362A (en
Inventor
Lung Chang Liu
Ming Hua Chung
Tsung Ju Hsu
Chih Fen Chang
Jen Hao Chen
Original Assignee
Ind Tech Res Inst
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ind Tech Res Inst filed Critical Ind Tech Res Inst
Publication of TW201024362A publication Critical patent/TW201024362A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI422632B publication Critical patent/TWI422632B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00—Processes of polymerisation
    • C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L43/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing boron, silicon, phosphorus, selenium, tellurium or a metal; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L43/04—Homopolymers or copolymers of monomers containing silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

封裝材料之製造方法
本發明係有關於一種封裝材料組成物，特別是有關於一種用於製備具有高透光率封裝材料之封裝材料組成物以及封裝材料之製造方法，其適用於固態發光元件的封裝以提高透光效率。
近年來，隨著光電產業的發展，如有機發光二極體、發光二極體以及太陽能電池等光電裝置也相繼問世。然而，此些光電裝置內之電子元件極易受到空氣中之水氣與氧氣的影響而縮短了其使用壽命。因此，此些光電裝置需經過適當封裝以阻絕其內之電子元件接觸到外界之水氣與氧氣，以提升其使用壽命。
習知封裝材料係採用熱製程而製備完成，其係先將樹脂單體合成為樹脂之後，然後再加入填充料與硬化劑與之混合而得到。如此之熱製程極為耗時，通常需耗數個小時甚至十數個小時以完成樹脂之合成。此外，由於上述熱製程中採用了溶劑，故需精準地控制樹脂合成之反應條件以及製程之安全性。因此，恐不亦降低封裝材料之製作成本製造時間。
如此，便需要新穎之封裝材料的製造方法以及封裝材料組成物，其可以應用於較為快速且安全地製備出封裝材料，以改善習知採用熱製程製備之封裝材料之製備之耗時、高製造成本以及危險性等缺點。
有鑑於此，本發明提供一種封裝材料組成物以及封裝材料之製造方法，其具有低製造成本、高安全性以及快速製作等優點。
依據一實施例，本發明之封裝材料組成物，包括：至少一樹脂單體，其中該樹脂單體係擇自由壓克力樹脂單體、環氧樹脂單體及矽氧樹脂單體所組成之族群；一填充料，其中該填充料為0.1~15重量份，以該封裝材料組成物為100重量份；以及一起始劑。
依據另一實施例，本發明之封裝材料之製造方法，包括：提供一封裝材料組成物，包括至少一樹脂單體、一填充料與一起始劑，其中該樹脂單體係擇自由壓克力樹脂單體、環氧樹脂單體及矽氧樹脂單體所組成之族群，且該填充料為0.1~15重量份，以該封裝材料組成物為100重量份；以及以一微波源實施一加熱製程，以聚合該封裝材料組成物。
在傳統加熱製程中，熱能是藉由傳導及對流的方式加以傳遞，例如，一容器中的溶液藉由加熱容器以熱傳導的方式加熱。然而，在微波加熱製程中，熱能係藉由輻射的方式加以傳遞，例如，一反應物藉由微波輻射的方式直接加熱，具有較佳加熱效率。
與傳統加熱製程相較，微波加熱製程可降低熱能損失及在一變動的微波場下藉由分子偶極矩轉動可增加反應速率(有效碰撞機率)。此外，微波加熱製程亦不須使用有機溶劑。
為讓本發明之上述目的、特徵及優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
本發明提供封裝材料組成物以及封裝材料之製造方法，以於較低製造成本、較高安全性以及較為快速之條件下製備出所需之封裝材料。本發明所製備出之封裝材料亦具有優異之阻水、阻氣及透光率等表現，因而適用於封裝如發光二極體等發光元件之封裝材料的製備。
在一實施例中，本發明所提供之封裝材料組成物主要成分為一樹脂單體、一填充料與一起始劑，可依照不同比例調配而製成具有高透光率且無色之透明封裝材料。於本發明所提供之封裝材料組成物中，樹脂單體佔100重量份，而填充料與起始劑則分別約佔0.1~15重量份以及約佔0.1~1重量份，其係以樹脂單體所佔之100重量份為基準，其中填充料約佔封裝材料組成物0.1~15wt%，較佳約佔封裝材料組成物5~15wt%。
在一實施例中，本發明所提供之封裝材料組成物包括至少一種樹脂單體，例如為壓克力樹脂單體、環氧樹脂單體、矽氧樹脂單體及上述單體之組合。
在一實施例中，所使用之壓克力樹脂單體具有以下化學式：
R1 及R2 可為碳數1~12之烷基、第三丁基、碳數1~12之醚基、碳數1~12之烷醇基或碳數1~12之環烷氧基。
在一實施例中，環氧樹脂單體具有以下化學式：
R1 可為碳數1~12之烷基、第三丁基、碳數1~12之醚基、碳數1~12之烷醇基或碳數1~12之環烷氧基。
在一實施例中，矽氧樹脂單體具有以下化學式：
R1 ’、R1 ’’及R1 ’’’可為相同或不同，R1 ’、R1 ’’、R1 ’’’、R2 及R3 可為碳數1~12之烷基、第三丁基、碳數1~12之醚基、碳數1~12之烷醇基或碳數1~12之環烷氧基。
在一實施例中，本發明所提供之封裝材料組成物之填充料包括例如氧化矽或氧化鋁之金屬氧化物、例如氯化鋅之金屬鹵化物、例如氮化鋁之金屬氮化物或例如碳酸鈣之其他粉體。
在一實施例中，本發明所提供之封裝材料組成物之起始劑包括例如過氧化苯之過氧化物、例如偶氮二異丁腈(azobisisobutyronitrile,AIBN)之偶氮化合物、例如1-羥基環己基苯基酮(1-Hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone)之自由基起始劑、例如4-甲基苯基碘(Iodonium 4-methylphenyl)及4-(2-甲基丙基)苯基-六氟磷酸鹽(4-(2-methylpropyl)phenyl-hexafluorophosphate)之陽離子起始劑或例如二(η-5-2,4-環戊二烯-1-基)二[2,6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)苯基]鈦(Bis(eta-5-2,4-cyclopentadien-1-yl)Bis[2,6-difluoro-3-(1H-p yrrol-1-yl)phenyl]titanium)之茂金屬錯合物(metallocene complex)。
於一實施例中，本發明所提供之封裝材料組成物主要成分包括例如甲基丙烯酸苯甲酯(BZMA)、甲基丙烯酸甲酯(MAA)及2-羥基乙基甲基丙烯酸酯(2-HEMA)之數個壓克力單體、例如二氧化矽之填充料以及例如偶氮二異丁腈(AIBN)之起始劑，藉以製備出一壓克力共聚物。於本實施例中之壓克力單體佔89重量份，而填充料與起始劑則分別約佔8~10重量份以及約佔1~3重量份，其係以壓克力單體所佔之100重量份為基準，其中填充料約佔封裝材料組成物1~40wt%，較佳約佔封裝材料組成物10~20wt%。
於另一實施例中，本發明所提供之封裝材料組成物主要成分包括聚氨酯-壓克力共單體、例如二氧化矽之填充料以及例如偶氮二異丁腈(AIBN)之起始劑，藉以製備出一聚氨酯-壓克力共聚物。於本實施例中之聚氨酯-壓克力共單體佔72重量份，而填充料與起始劑則分別約佔20~25重量份以及約佔2~5重量份，其係以聚氨酯-壓克力共單體所佔之100重量份為基準，其中填充料約佔封裝材料組成物1~40wt%，較佳約佔封裝材料組成物10~20wt%。
於又一實施例中，本發明所提供之封裝材料組成物主要成分包括矽氧-壓克力共單體、例如二氧化矽之填充料以及例如偶氮二異丁腈(AIBN)之起始劑，藉以製備出一矽氧-壓克力共聚物。於本實施例中之矽氧-壓克力共單體佔71重量份，而填充料與光起始劑則分別約佔20~25重量份以及約佔2~5重量份，其係以矽氧-壓克力共單體所佔之100重量份為基準，其中填充料約佔封裝材料組成物1~40wt%，較佳約佔封裝材料組成物10~20wt%。
於另一實施例中，本發明所提供之封裝材料組成物主要成分包括環氧樹脂單體、例如二氧化矽之填充料以及例如2-乙基-4-甲基咪唑(2-ethyl-4-methyl imidazole,EMID)之起始劑，藉以製備出一環氧樹脂聚合物。於本實施例中之環氧樹脂單體佔90重量份，而填充料與起始劑則分別約佔5~9重量份以及約佔1~5重量份，其係以環氧樹脂單體所佔之100重量份為基準，其中填充料約佔封裝材料組成物1~30wt%，較佳約佔封裝材料組成物5~15wt%。
本發明所提供之封裝材料組成物可藉由一微波源加熱聚合而形成一封裝材料，其加熱時間與微波源功率可適當調整以製備黏度介於1~100,000cps，較佳介於5,000~30,000cps，以及透光率高於85%之封裝材料，其適用於例如有機光二極體或發光二極體之發光元件以及太陽能電池等電子元件之封裝。
本發明之封裝材料組成物具有以下優點：
(1)藉由填充料的調配可調整所形成之封裝材料之透光率，進而製備出透光率高於85%，甚至是高於90%之無色透明封裝材料。
(2)黏著度極佳，可達2.1Kg/cm。
(3)所製備出之封裝材料之阻水、阻氣特性優於採用習知熱製程所製備得到之封裝材料之特性，有助於提升電子元件之使用壽命。
(4)可使用於例如發光二極體、有機發光二極體、太陽能電池等光電裝置封裝，業界可接受度高。
另外，在一實施例中，本發明提供封裝材料之製造方法，包括提供上述封裝材料組成物，以及以一微波源實施一加熱製程，以聚合封裝材料組成物。加熱製程實施之時間介於1~200分鐘，而使用之微波源功率介於1~20,000瓦特。
此外，於上述加熱製程後，所得到之封裝材料仍可能具備一定之流動性，可藉由例如旋轉塗佈方式形成於電子元件之上，藉以扮演一最終封裝膜層。在一實施例中，本發明所提供封裝材料之製造方法可更包括藉由一光源實施一照光製程，以固化封裝材料。照光製程實施之時間介於1~200分鐘，而使用之光源功率介於1~20,000瓦特。
於上述照光製程中所使用之光源可視所施行之封裝材料組成物內所使用之起始劑之種類而定，可例如為紫外光光源、可見光光源或紅外光光源。
本發明之封裝材料之製造方法具有以下優點：
(1)製程中僅需持續地攪拌封裝材料組成物而無須控制系統之反應壓力與反應溫度，因而可大幅簡化製程系統之設置情形，所應用之製程系統較習知熱製程系統來得簡化。
(2)製程中無須使用溶劑，可提高製程安全性。
(3)可於製程中完成封裝材料之合成，可大幅節省封裝材料之製造時間與製造成本。
(4)封裝材料中之填充料分散性極佳，可提升封裝材料之阻水、阻氣表現，進而改善被封裝元件之使用壽命。
(5)可藉由調整填充料之成分，而控制所形成之封裝材料的透光率，進而製備出透光率高於90%之無色透明封裝材料。
(6)可使用於例如發光二極體、有機發光二極體、太陽能電池等光電裝置封裝，業界可接受度高。
在傳統加熱製程中，熱能是藉由傳導及對流的方式加以傳遞，例如，一容器中的溶液藉由加熱容器以熱傳導的方式加熱。然而，在微波加熱製程中，熱能係藉由輻射的方式加以傳遞，例如，一反應物藉由微波輻射的方式直接加熱，具有較佳加熱效率。
與傳統加熱製程相較，微波加熱製程可降低熱能損失及在一變動的微波場下藉由分子偶極矩轉動可增加反應速率(有效碰撞機率)。此外，微波加熱製程亦不須使用有機溶劑。
以下為本發明之封裝材料組成物以及封裝材料之製造方法之各實施例之配方與製備方式，以及比較例之配方與製備。
首先提供以下實施例中所使用之化學品之化學式及其來源，表一所示為所應用之單體相關資訊，表二所示為所應用之起始劑之相關資訊，表三所示為所應用之光學元件材料之相關資訊。
上述單體之化學式分別如下所示：
上述起始劑之化學式如下所示：
上述光電元件材料之化學式分別如下所示：
【實施例】
【實施例1】
秤取117g之甲基丙烯酸苯甲酯(Benzyl methacrylate,BZMA)、86g之甲基丙烯酸甲酯(Methyl Methacrylate,MAA)、130g之2-羥基乙基甲基丙烯酸酯(2-hydroxyl ethyl mathacrylate,2-HEMA)、39g之二氧化矽以及4g之起始劑AIBN並將上述材料置於一容器中，於常溫常壓下利用機械攪拌器攪拌並混合上述材料而得到一封裝材料組成物。接著，以一微波源(其功率約為800W)實施一加熱製程10分鐘，以聚合此封裝材料組成物。關閉微波源，並加入6g之I-184。待機械攪拌30分鐘後，製備得一壓克力共聚物I。壓克力共聚物I係依照下述反應式(1)所示反應聚合形成。
反應式(1)
接著量測所得到之壓克力共聚物I之黏度、分子量、黏著強度、硬度、透光率以及折射率等物理性質，所得到之結果如同表五與表六所示。關於壓克力共聚物I之物理性質的量測儀器/量測方法則如以下表四所示，其中關於黏度與分子量之量測可直接量測適當量之共聚物，而關於黏著強度、硬度、透光率、折射率等性質之量測則可將所得到之壓克力共聚物塗佈於如載玻片之一基板上成為5cm見方之一試樣，並將此試樣經過深紫外光之光源照光3分鐘後使之硬化，接著以表列之量測儀器與量測方法進行後續之物理性質量測。
【實施例2】
秤取333g之聚氨酯-壓克力共單體a、39g之二氧化矽以及6g之起始劑AIBN並將上述材料置於一容器中，於常溫常壓下利用機械攪拌器攪拌並混合上述材料而得到一封裝材料組成物。接著，以一微波源(其功率約為800W)實施一加熱製程10分鐘，以聚合此封裝材料組成物。關閉微波源，並加入6g之I-184及4g之I-369。待機械攪拌30分鐘後，製備得一聚氨酯-壓克力共聚物I。聚氨酯-壓克力共聚物I係依照下述反應式(2)所示反應聚合形成。
反應式(2)
接著將實施例2所製得之聚氨酯-壓克力共聚物I同實施例1之方式進行物性量測，所得到的結果如表五與表六所示。
【實施例3】
秤取333g之聚氨酯-壓克力共單體b、39g之二氧化矽以及6g之起始劑AIBN並將上述材料置於一容器中，於常溫常壓下利用機械攪拌器攪拌並混合上述材料而得到一封裝材料組成物。接著，以一微波源(其功率約為800W)實施一加熱製程10分鐘，以聚合此封裝材料組成物。關閉微波源，並加入6g之I-184及4g之I-369。待機械攪拌30分鐘後，製備得一聚氨酯-壓克力共聚物II。聚氨酯-壓克力共聚物II係依照下述反應式(3)所示反應聚合形成。
反應式(3)
接著將實施例3所製得之聚氨酯-壓克力共聚物II同實施例1之方式進行物性量測，所得到的結果如表五與表六所示。
【實施例4】
秤取333g之聚氨酯-壓克力共單體c、39g之二氧化矽以及6g之起始劑AIBN並將上述材料置於一容器中，於常溫常壓下利用機械攪拌器攪拌並混合上述材料而得到一封裝材料組成物。接著，以一微波源(其功率約為800W)實施一加熱製程10分鐘，以聚合此封裝材料組成物。關閉微波源，並加入6g之I-184及4g之I-369。待機械攪拌30分鐘後，製備得一聚氨酯-壓克力共聚物III。聚氨酯-壓克力共聚物III係依照下述反應式(4)所示反應聚合形成。
反應式(4)
接著將實施例4所製得之聚氨酯-壓克力共聚物III同實施例1之方式進行物性量測，所得到的結果如表五與表六所示。
【實施例5】
秤取333g之矽氧樹脂單體a、39g之二氧化矽以及6g之起始劑AIBN並將上述材料置於一容器中，於常溫常壓下利用機械攪拌器攪拌並混合上述材料而得到一封裝材料組成物。接著，以一微波源(其功率約為800W)實施一加熱製程10分鐘，以聚合此封裝材料組成物。關閉微波源，並加入3g之I-184、1.5g之I-369及1.5g之I-ITX。待機械攪拌30分鐘後，製備得一矽氧樹脂-壓克力共聚物I。矽氧樹脂-壓克力共聚物I係依照下述反應式(5)所示反應聚合形成。
反應式(5)
接著將實施例5所製得之矽氧樹脂-壓克力共聚物I同實施例1之方式進行物性量測，所得到的結果如表五與表六所示。
【實施例6】
秤取166.5g之矽氧樹脂單體a、166.5g之2-羥基乙基甲基丙烯酸酯(2-HEMA)、39g之二氧化矽以及6之起始劑AIBN並將上述材料置於一容器中，於常溫常壓下利用機械攪拌器攪拌並混合上述材料而得到一封裝材料組成物。接著，以一微波源(其功率約為800W)實施一加熱製程10分鐘，以聚合此封裝材料組成物。關閉微波源，並加入3g之I-184、1.5g之I-369及1.5g之I-ITX。待機械攪拌30分鐘後，製備得一矽氧樹脂-壓克力共聚物II。矽氧樹脂-壓克力共聚物II係依照下述反應式(6)所示反應聚合形成。
反應式(6)
接著將實施例6所製得之矽氧樹脂-壓克力共聚物II同實施例1之方式進行物性量測，所得到的結果如表五與表六所示。
【實施例7】
秤取166.5g之矽氧樹脂單體a、166.5g之聚氨酯-壓克力共單體b、39g之二氧化矽以及6g之起始劑AIBN並將上述材料置於一容器中，於常溫常壓下利用機械攪拌器攪拌並混合上述材料而得到一封裝材料組成物。接著，以一微波源(其功率約為800W)實施一加熱製程10分鐘，以聚合此封裝材料組成物。關閉微波源，並加入2.7g之I-184、1.35g之I-369、1.35g之I-ITX及0.6g之I-127。待機械攪拌30分鐘後，製備得一矽氧樹脂-聚氨酯-壓克力共聚物I。矽氧樹脂-聚氨酯-壓克力共聚物I係依照下述反應式(7)所示反應聚合形成。
反應式(7)
接著將實施例7所製得之矽氧樹脂-聚氨酯-壓克力共聚物I依照實施例1之方式進行物性量測，所得到的結果如表五與表六所示。
【實施例8】
秤取333g之環氧樹脂單體a、39g之二氧化矽、6g之起始劑2-乙基-4-甲基咪唑(EMID)並將上述材料置於一容器中，於常溫常壓下利用機械攪拌器攪拌並混合上述材料而得到一封裝材料組成物。接著，以一微波源(其功率約為800W)實施一加熱製程10分鐘，以聚合此封裝材料組成物。關閉微波源，並加入6g之I-250。待機械攪拌30分鐘後，製備得一環氧樹脂聚合物I。環氧樹脂聚合物I係依照下述反應式(8)所示反應聚合形成。
反應式(8)
接著將實施例8所製得之環氧樹脂聚合物I依照實施例1之方式進行物性量測，所得到的結果如表五與表六所示。
【比較例1】
秤取117g之甲基丙稀酸苯甲酯(Benzyl methacrylate,BZMA)、86g之甲基丙烯酸甲酯(Methyl Methacrylate,MAA)、130g之2-羥基乙基甲基丙烯酸酯(2-hydroxyl ethyl mathacrylate,2-HEMA)、39g之二氧化矽、6g之AIBN起始劑與300g丙二醇甲醚醋酸酯(Propylene glycol monomethyl ether acetate，PGMEA)之溶劑並將上述材料置於一容器中，於常溫常壓下利用機械攪拌器攪拌並混合上述材料而得到一封裝材料組成物並開始加熱至90℃後，維持此溫度6小時。關閉加熱器，並加入6g之I-184。待機械攪拌30分鐘後，製備得一壓克力共聚物I。壓克力共聚物I係依照下述反應式(9)所示反應聚合形成。
反應式(9)
接著將比較例1所製得之壓克力共聚物I依照實施例1之方式進行物性量測，所得到的結果如表五與表六所示。
【實施例9】
請參閱第1圖，將形成有ITO層102之一玻璃基板100浸泡含丙酮、甲醇及去離子之潔淨溶液後，以超音波洗淨五分鐘。之後，以氧氣電漿(O2 plasma)處理90秒。採用蒸鍍方式依序於ITO層102上形成一電子傳輸層104(採用NPB材料，厚度為50奈米)、一發光層106(採用Alq3,厚度為50奈米)、一電子注入層108(採用氟化鋰，厚度為3奈米)以及一陰極110(採用鋁，厚度為80奈米)。接著，以旋轉塗佈方式將前述實施例7所製備得到之矽氧樹脂-聚氨酯-壓克力共聚物作為封裝材料而將之塗佈(stage I:1,500rpm 20秒；stage II:3,500rpm 30秒)至陰極110上並包覆上述堆疊膜層之側壁。接著，以紫外光照射上述封裝材料10秒以固化之。因而於上述堆疊膜層之頂面及側壁表面上形成一封裝層170，並完成了有機發光二極體(OLED)裝置之封裝。在此，有機發光二極體(OLED)裝置可朝向遠離玻璃基板100之方向發出如綠光之一光線180。與傳統以加熱製程製備所得之封裝材料封裝的OLED(衰減時間為35小時)相較，以微波製程製備所得之封裝材料封裝的OLED具有一較長95小時的衰減時間，可延長元件壽命。
【實施例10】
採用如前述實施例9之製備步驟，僅將玻璃基板100替換成為PET(polyethylene terephthalate)基板200，因而完成了可撓式有機光二極體裝置之封裝。在此，於第2圖中，可撓式有機發光二極體(OLED)裝置內之構件除了PET基板200之外皆與實施例9內之相同，此些構件於第2圖內之標號係採用第1圖內之標號加上100表示，其代表了相同之構件。此外，如第2圖所示，可撓式有機發光二極體(OLED)裝置可朝向遠離PET基板200之方向發出如綠光之一光線280。與傳統以加熱製程製備所得之封裝材料封裝的OLED(衰減時間為14小時)相較，以微波製程製備所得之封裝材料封裝的OLED具有一較長40小時的衰減時間，可延長元件壽命。
【實施例11】
將螢光粉(Nichia公司產製)摻混於前述實施例7所製備得到之矽氧樹脂-聚氨酯-壓克力共聚物之封裝材料中(重量比為螢光粉：矽壓克力-聚氨酯-壓克力共聚物=16:84)。接著，將上述材料倒入裝置有藍光晶片304(厚度為460奈米,15mil square大小,ekcore Co.,Taiwan產製)的支架302之一部上，其中藍光晶片304係透過銲線306連結於支架302之另一部。然後，以UV光固化上述混合材料一分鐘。接著，將裝置有藍光晶片304與螢光粉之封裝材料放入砲彈型透光外殼300內。接著，將矽氧樹脂-聚氨酯-壓克力共聚物材質之封裝層370完全填滿砲彈型外殼300之內部並以UV光照射上述材料5分鐘以固化之，進而完成了一砲彈型發光二極體的建構，如第3圖所示。此外，如第3圖所示，砲彈型發光二極體可朝向遠離支架302之方向發出如白光之一光線380。在此，矽氧樹脂-聚氨酯-壓克力共聚物材質之封裝層370於固化仍保有85%之上之透光率，不會劣化砲彈型發光二極體之發光效率。與傳統填入加熱製程製備所得之封裝材料的砲彈型OLED(衰減時間為17,000小時)相較，以微波製程製備所得之封裝材料填入的砲彈型OLED具有一較長36,000小時的衰減時間，可延長元件壽命。
【實施例12】
將ITO玻璃400浸泡含丙酮、甲醇及去離子之潔淨溶液後，以超音波洗淨五分鐘。之後，以氧氣電漿(O2 plasma)處理90秒。採用旋轉塗佈方式依序於ITO玻璃400上形成一電洞傳輸層402(採用PEDOT材料)以及一主動層404(採用P3HT/PCBM材料，重量比為1:1)。電洞傳輸層402之旋轉塗佈條件為stage I:1,500rpm 20秒；stage II:3,500rpm 30秒。主動層404之旋轉塗佈條件為stage I:1,000rpm 20秒；stage II:2,000rpm 30秒。接著，採用蒸鍍方式依序形成一電子注入層406(採用氟化鋰)以及一陰極408(採用鋁)於主動層404上。接著，以旋轉塗佈方式將前述實施例7所製備得到之矽氧樹脂-聚氨酯-壓克力共聚物作為封裝材料而將之塗佈至陰極408上並包覆上述堆疊膜層之側壁(旋轉塗佈條件為stage I:1,500rpm 20秒；stage II:3,500rpm 30秒)。接著，以紫外光照射上述封裝材料10秒以固化之，因而於上述堆疊膜層之頂面及側壁表面上形成一封裝層470，並完成了有機太陽能電池裝置之封裝，如第4圖所示。在此，有機太陽能電池裝置可透過ITO玻璃400以接收外來之光線480。48小時後，與傳統以加熱製程製備所得之封裝材料封裝的太陽能電池(衰減率為55%)相較，以微波製程製備所得之封裝材料封裝的太陽能電池具有一較小14%的衰減率，可延長元件壽命。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．玻璃基板
102、202．．．ITO層
104、204．．．電子傳輸層
106、206．．．發光層
108、208．．．電子注入層
110、210．．．陰極
170、270、370、470．．．封裝層
180、280、380、480．．．光線
200．．．PET基板
300．．．砲彈型透光外殼
302．．．支架
304．．．藍光晶片
306．．．銲線
400．．．ITO玻璃
402．．．電洞傳輸層
404．．．主動層
406．．．電子注入層
408．．．陰極
第1圖係依據本發明之一實施例，一種有機發光二極體裝置；
第2圖係依據本發明之一實施例，一種可撓式發光二極體裝置；
第3圖係依據本發明之一實施例，一種砲彈型發光二極體裝置；以及
第4圖係依據本發明之一實施例，一種有機太陽能電池裝置。
100．．．玻璃基板
102．．．ITO層
104．．．電子傳輸層
106．．．發光層
108．．．電子注入層
110．．．陰極
170．．．封裝層
180．．．光線

Claims (18)

  1. 一種封裝材料之製造方法，包括：提供一封裝材料組成物，包括至少一樹脂單體、一填充料與一起始劑，其中該樹脂單體係擇自由壓克力樹脂單體、環氧樹脂單體及矽氧樹脂單體所組成之族群，且該填充料為0.1~15重量份，以該封裝材料組成物為100重量份；以及以一微波源實施一加熱製程，以聚合該封裝材料組成物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之製造方法，更包括以一光源實施一照光製程，以固化該封裝材料組成物。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之製造方法，其中實施該加熱製程之時間介於1~200分鐘。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之封裝材料之製造方法，其中實施該照光製程之時間介於1~200分鐘。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之製造方法，其中該微波源之功率介於1~20,000瓦特。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之封裝材料之製造方法，其中該光源之功率介於1~20,000瓦特。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之製造方法，其中該封裝材料組成物之黏度介於1~100,000 cps。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之製造方法，其中該封裝材料組成物之透光率高於85%。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之製造方法，其中該壓克力樹脂單體具有以下化學式： 其中R1 及R2 為碳數1~12之烷基、第三丁基、碳數1~12之醚基、碳數1~12之烷醇基或碳數1~12之環烷氧基。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之製造方法，其中該環氧樹脂單體具有以下化學式： 其中R1 為碳數1~12之烷基、第三丁基、碳數1~12之醚基、碳數1~12之烷醇基或碳數1~12之環烷氧基。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之製造方法，其中該矽氧樹脂單體具有以下化學式： 其中R1 ’、R1 ”及R1 '''為相同或不同，以及R1 ’、R1 ”、R1 '''、R2 及R3 為碳數1~12之烷基、第三丁基、碳數1~12之醚基、碳數1~12之烷醇基或碳數1~12之環烷氧基。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之製造方法，其中該填充料包括金屬氧化物、金屬鹵化物或金屬氮化物。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之製造方法，其中該起始劑包括過氧化物、偶氮化合物、自由基起始劑、陽離子起始劑或茂金屬錯合物(metallocene complex)。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之製造方法，其中該填充料為5~15重量份，以該封裝材料組成物為100重量份。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之製造方法，其中該封裝材料組成物應用於發光元件之封裝。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之封裝材料之製造方法，其中該發光元件為一有機發光二極體或一發光二極體。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之封裝材料之製造方法，其中該封裝材料組成物應用於太陽能電池之封裝。
  18. 如申請專利範圍第2項所述之封裝材料之製造方法，其中該光源為一紫外光光源、一可見光光源或一紅外光光源。
TW098133548A 2008-12-16 2009-10-02 封裝材料之製造方法 TWI422632B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0822911A GB2466251B (en) 2008-12-16 2008-12-16 Encapsulant compositions and method for fabricating encapsulant materials

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201024362A TW201024362A (en) 2010-07-01
TWI422632B true TWI422632B (zh) 2014-01-11

Family

ID=40326192

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098133548A TWI422632B (zh) 2008-12-16 2009-10-02 封裝材料之製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8367768B2 (zh)
CN (1) CN101787099B (zh)
GB (1) GB2466251B (zh)
TW (1) TWI422632B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130055541A (ko) * 2011-11-18 2013-05-28 주식회사 엘지화학 유기전자장치 봉지용 광경화형 점접착 필름, 유기전자장치 및 그의 봉지 방법
EP2788114B1 (en) * 2011-12-07 2021-03-24 Givaudan SA Process of making microcapsules
CN104471007B (zh) * 2012-08-03 2019-10-22 Lg化学株式会社 粘合膜和使用该粘合膜的有机电子装置封装产品
CN102969437A (zh) * 2012-12-06 2013-03-13 上海顿格电子贸易有限公司 Led发光元器件
KR101542623B1 (ko) * 2013-01-11 2015-08-06 제일모직주식회사 유기발광소자용 충진제 및 이를 포함하는 유기발광장치
KR101611006B1 (ko) * 2013-08-13 2016-04-08 제일모직주식회사 광경화 조성물 및 이를 사용하여 제조된 봉지화된 장치
CN103700782B (zh) * 2013-12-26 2015-12-09 合肥京东方光电科技有限公司 一种oled显示面板及其制备方法
KR20150097359A (ko) 2014-02-18 2015-08-26 주식회사 엘지화학 봉지 필름 및 이를 포함하는 유기전자장치
CN106796977B (zh) * 2014-07-23 2019-06-28 晶体公司 紫外发光器件的光子提取
DE102015222027A1 (de) * 2015-11-09 2017-05-11 Tesa Se Barriereklebemasse mit polymerem Gettermaterial

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200736327A (en) * 2006-01-10 2007-10-01 Nippon Paint Co Ltd Antiblocking photocurable resin composition, antiblocking structure comprising substrate and antiblocking photocurable resin composition applied and cured thereon, and production method thereof
JP2007324358A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 樹脂封止された半導体装置

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5755954A (en) * 1980-09-19 1982-04-03 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Composition
DE3341888A1 (de) * 1983-11-19 1985-05-30 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Anorganisch-organische fuellstoffe, verfahren zu deren herstellung sowie deren verwendung in polymerisierbaren massen
US5340420A (en) * 1993-01-28 1994-08-23 Eastman Kodak Company Method for bonding a color separation filter to an image sensor
BR9607693A (pt) * 1995-03-20 1999-11-30 Dymax Corp Fórmula, processo e aparelho para encapsulação
US6099783A (en) * 1995-06-06 2000-08-08 Board Of Trustees Operating Michigan State University Photopolymerizable compositions for encapsulating microelectronic devices
SG48462A1 (en) * 1995-10-26 1998-04-17 Ibm Lead protective coating composition process and structure thereof
JPH11135820A (ja) * 1997-08-27 1999-05-21 Canon Inc 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュール用補強部材
GB2335884A (en) * 1998-04-02 1999-10-06 Cambridge Display Tech Ltd Flexible substrates for electronic or optoelectronic devices
TW482817B (en) * 1998-06-18 2002-04-11 Jsr Corp Photosetting compositions and photoset articles
SG82001A1 (en) * 1998-07-02 2001-07-24 Nat Starch Chem Invest Method of making an electronic component using reworkable underfill encapsulants
JP3821461B2 (ja) * 1998-08-17 2006-09-13 住友ベークライト株式会社 半導体の樹脂封止方法
US6605651B1 (en) * 1998-09-09 2003-08-12 Biomat Sciences, Inc. Curing methods and material compositions having dental and other applications
JP2000119587A (ja) * 1998-10-20 2000-04-25 Clariant Polymer Kk コーティング組成物
DE19848886C2 (de) * 1998-10-23 2000-11-16 Heraeus Kulzer Gmbh & Co Kg Lichtpolymerisierbares Einkomponenten-Dentalmaterial
DE19943149A1 (de) * 1999-09-09 2001-04-05 Siemens Ag Verfahren zur Verkapselung von Bauelementen
JP2001146572A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Jsr Corp コーティング組成物およびそれより得られる硬化膜
US6368994B1 (en) * 1999-12-27 2002-04-09 Gyrorron Technology, Inc. Rapid processing of organic materials using short wavelength microwave radiation
US6703433B1 (en) * 2000-05-12 2004-03-09 Dow Corning Corporation Radiation curable compositions containing alkenyl ether functional polyisobutylenes
EP1770141A3 (en) * 2000-10-06 2008-05-07 3M Innovative Properties Company A method of making agglomerate abrasive grain
JP2004511646A (ja) * 2000-10-16 2004-04-15 スリーエム　イノベイティブ　プロパティズ　カンパニー 凝集粒子を製造する方法
US6610219B2 (en) * 2001-02-06 2003-08-26 Battelle Memorial Institute Functional materials for use in optical systems
US6605128B2 (en) * 2001-03-20 2003-08-12 3M Innovative Properties Company Abrasive article having projections attached to a major surface thereof
EP1412409A1 (en) * 2001-08-03 2004-04-28 Dsm N.V. Curable compositions for display devices
DE10144871A1 (de) * 2001-09-12 2003-03-27 Bosch Gmbh Robert Vergußmasse mit hoher thermischer Stabilität
TW200409669A (en) * 2002-04-10 2004-06-16 Dow Corning Ireland Ltd Protective coating composition
KR100472286B1 (ko) * 2002-09-13 2005-03-10 삼성전자주식회사 접착 테이프가 본딩와이어에 부착된 반도체 칩 패키지
WO2004041888A1 (ja) * 2002-11-08 2004-05-21 Mitsubishi Chemical Corporation 放射線硬化性樹脂組成物及びその硬化物
AU2003299989A1 (en) * 2002-12-27 2004-07-29 Add-Vision, Inc. Method for encapsulation of light emitting polyme devices and apparatus made by same
CN100569820C (zh) * 2003-06-30 2009-12-16 株式会社钟化 固化性组合物
EP1502922A1 (en) * 2003-07-30 2005-02-02 Loctite (R & D) Limited Curable encapsulant compositions
CN1607218A (zh) * 2003-07-30 2005-04-20 洛克泰特(R&D)有限公司 可固化密封剂组合物
WO2005054341A1 (ja) * 2003-12-03 2005-06-16 Konishi Co., Ltd. ビニル系－ウレタン系共重合体およびその製造方法
US7435525B2 (en) * 2004-05-07 2008-10-14 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic part
US7205718B2 (en) * 2004-06-24 2007-04-17 Eastman Kodak Company OLED display having thermally conductive adhesive
TW200624510A (en) * 2004-11-08 2006-07-16 Mitsubishi Chem Corp Radiative curable composition and cured product thereof, and laminate of the cured product
US7297370B2 (en) * 2004-12-22 2007-11-20 General Electric Company Curable encapsulant composition, device including same, and associated method
JP4631683B2 (ja) * 2005-01-17 2011-02-16 セイコーエプソン株式会社 発光装置、及び電子機器
US20060223978A1 (en) * 2005-04-04 2006-10-05 Shengqian Kong Radiation- or thermally-curable oxetane barrier sealants
US7781493B2 (en) * 2005-06-20 2010-08-24 Dow Global Technologies Inc. Protective coating for window glass
DE602006012593D1 (de) * 2005-08-24 2010-04-15 Nippon Catalytic Chem Ind Durch Radiation vernetzbare Zusammensetzungen und daraus hergestelte vernetzte Produkte
US20080276983A1 (en) * 2005-11-04 2008-11-13 Robert Andrew Drake Encapsulation of Photovoltaic Cells
JP2007207921A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型光半導体デバイスの製造方法
US20070295386A1 (en) * 2006-05-05 2007-12-27 Nanosolar, Inc. Individually encapsulated solar cells and solar cell strings having a hybrid organic/inorganic protective layer
US20080027154A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-31 Ecology Coatings, Inc. Uv curable compositions for use in adhesion, repair and architectural enhancement
EP1911579A1 (en) * 2006-10-04 2008-04-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and thin semicondutor device
US20090253232A1 (en) * 2008-04-08 2009-10-08 Gary Philip Thomson Microwave Cure of Semiconductor Devices
TWI370525B (en) * 2008-04-25 2012-08-11 Ind Tech Res Inst Encapsulant composition and method for fabricating encapsulant material
US8079703B2 (en) * 2008-07-21 2011-12-20 Novartis Ag Silicone-containing polymeric materials with hydrolyzable groups

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200736327A (en) * 2006-01-10 2007-10-01 Nippon Paint Co Ltd Antiblocking photocurable resin composition, antiblocking structure comprising substrate and antiblocking photocurable resin composition applied and cured thereon, and production method thereof
JP2007324358A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 樹脂封止された半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
GB0822911D0 (en) 2009-01-21
CN101787099A (zh) 2010-07-28
US20100148666A1 (en) 2010-06-17
GB2466251B (en) 2011-03-09
TW201024362A (en) 2010-07-01
US8367768B2 (en) 2013-02-05
GB2466251A (en) 2010-06-23
CN101787099B (zh) 2014-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI422632B (zh) 封裝材料之製造方法
KR101511829B1 (ko) 구상 형광체, 파장 변환형 태양 전지 밀봉재, 태양 전지 모듈 및 이들의 제조 방법
TWI491646B (zh) A silicon-containing hardening composition, a hardened product of the silicon-containing hardening composition, and a wire frame substrate formed of the silicon-containing hardening composition
CN110894361B (zh) 光固化封装组合物、封装结构及半导体器件
WO2006055140A1 (en) Encapsulated light emitting diodes and methods of making
JP2007177243A (ja) シロキサンカプセル材料
JP5841237B2 (ja) 樹脂組成物及びその硬化物ならびにそれを用いた光半導体用反射材
US9018276B2 (en) Encapsulant composition and method for fabricating encapsulant material
Zhou et al. One-component, low-temperature, and fast cure epoxy encapsulant with high refractive index for LED applications
JPWO2017018459A1 (ja) 接着剤組成物、硬化物、半導体装置及びその製造方法
TWI506058B (zh) 可固化矽樹脂組成物
TWI363931B (zh)
TWI401305B (zh) 封裝材料組成物及封裝材料之製造方法
CN101993513B (zh) 封装材料组合物及封装材料的制造方法
CN101597475B (zh) 封装材料组成物及封装材料的制造方法
TWI603984B (zh) 光固化型組成物、包含該組成物之障壁層及包含該組成物之封裝裝置
JP6805546B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物、硬化物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、光半導体装置、並びにプリント配線板
JP2006131866A (ja) 樹脂組成物、及びそれを用いた光学部材とその製造方法
US20240168383A1 (en) Structure for optical devices, process for preparing the same, and photocurable siloxane resin composition therefor
JP2013213117A (ja) 樹脂組成物並びにそれを用いた光半導体用封止材及び光半導体用反射材
KR20220094128A (ko) 광 디바이스용 구조체, 이의 제조방법, 및 이를 위한 광경화성 실록산 수지 조성물
KR20120008445A (ko) 발광 소자 및 입자 함유층 형성용 조성물
WO2016072458A1 (ja) 樹脂組成物、樹脂フィルム、樹脂硬化物、電子部品及び電子部品の製造方法
Chang et al. 12, Patent Application Publication o Pub. No.: US 2010/0148666 A1
TW201139563A (en) Curable resin composition and light emitting device