TWI418277B - 電路基板之製造方法 - Google Patents

Description

電路基板之製造方法

本發明係關於電路基板之製造方法。

近年來，作為形成電子電路之手段，廣泛採用在塑膠基板、陶瓷基板或塗覆有塑膠等而成之絕緣性基板上設置電路圖型，於其上焊錫接合IC元件、半導體晶片、電阻或電容等電子零件之方法。

其中，將電子零件之導線端子接合於電路圖型之特定部分之方法一般係依序進行下列步驟而進行：在基板上之導電性電路電極表面預先形成焊錫薄層之步驟；在焊錫薄層上印刷焊錫膏或助焊劑之步驟；將特定電子零件定位載置之步驟；使焊錫薄層或焊錫薄層及焊錫膏回焊使焊錫熔融、凝固之步驟。

又，最近隨著電子製品或電路基板之小型化，而要求電子零件之微間距化(Fine pitch)。至於該等電子零件已知有例如0.3mm間距之QFP(Quad Flat Package，四周平面封裝)、CSP(Chip Size Package，晶片尺寸封裝)、0.15mm間距之FC(Flip Chip，覆晶)、BGA構造之LSI晶片等。又，將電子零件搭載於電路基板上之方法已知有將形成於電子零件上之焊錫凸塊與形成於電路基板上之焊錫凸塊重疊並回焊之方法。該方法中，要求可對應於電子零件微細間距之精細圖型形狀之焊錫凸塊。

又，於電路基板上形成焊錫凸塊之方法已知有電鍍法、無電解電鍍法、印刷焊錫粉末之糊膏並經回焊之方法等。然而，藉由無電解電鍍法之焊錫凸塊之製造方法難以使焊錫層變厚，又，藉由電鍍法之焊錫凸塊之製造方法難以於複雜的電路上流過電鍍用之電流。又，藉印刷焊錫膏之方法難以對應於微細間距圖型。基於該等情況，作為形成具有一定且一致高度之焊錫凸塊之方法，已使用有在電路上附著焊錫球之方法。

至於將焊錫球附著於電路上之方法已知有使賦予黏著性之化合物反應而在電路基板之導電性電路電極表面上賦予黏著性，同時將焊錫粉末附著在該黏著部之方法。隨後，藉由加熱電路基板，形成焊錫凸塊(專利文獻1)。再者，作為應用該方法者，亦開發出在必要部分僅附著一個焊錫粉末粒子之技術(參照專利文獻2)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]特開平7-7244號公報

[專利文獻2]特開2008-41803號公報

然而，於如BGA構造之焊錫凸塊之高度高之情況，藉由回焊使晶片與電路基板連接時，容易使熔融之焊錫凸塊崩塌。且，晶片不均勻地沉入，而有以傾斜狀態接合之問題。

相對於此目前係使用使高熔點之焊錫球一旦在高溫下熔融而形成焊錫凸塊後，利用比其熔點低之焊錫連接之方法。其他，亦已知有使用銲錫電鍍銅等金屬之球(銅核焊錫球)之方法。藉由配置銅核焊錫球一旦熔融時形成焊錫凸塊，搭載電子零件後藉由回焊，使核體成為隔離件，可使電子零件與電路基板間保持一定距離。

然而高熔點焊錫，其材料受到限制，目前使用含高濃度鉛之組成者。又，至於高熔點焊錫目前實用化者為含如95%或80%鉛之鉛濃度高者，而有由鉛之同位素釋出之α射線造成LSI等之誤動作之原因之嚴重問題。因此，要求完全無鉛之高熔點焊錫。

又，使用銅核焊錫球之方法在使焊錫均勻附著在銅核之球上有技術上之困難，且有製造成本顯著較高之問題。因此，無法達到廣泛使用。

本發明係鑑於上述問題而完成者，其目的係提供一種可不傾斜地使電子零件接合且可簡化步驟之電路基板之製造方法。

本發明者為解決上述課題而積極努力檢討之結果，因而完成本發明。亦即本發明為下述者。

[1]一種電路基板之製造方法，其特徵為具備於電路基板上之端子部表面上塗佈第一賦予黏著性之化合物而形成第一黏著層之步驟，使核體附著於前述端子部之前述第一黏著層上之步驟，於前述核體表面上塗佈第二賦予黏著性之化合物而形成第二黏著層之步驟，使第一焊錫粒子附著於前述核體表面之前述第二黏著層上之步驟，及使前述第一焊錫粒子熔融，於前述核體表面上形成焊錫層之步驟。

[2]如[1]所述之電路基板之製造方法，其具備下列步驟而成：於前述端子部之表面上塗佈前述第一賦予黏著性之化合物而形成前述第一黏著層之步驟，透過前述第二黏著層，使表面上附著有前述第一焊錫粒子而成之附著第一焊錫粒子之核體附著於前述第一黏著層上之步驟，及使前述第一焊錫粒子熔融，於前述核體表面上形成前述焊錫層之步驟。

[3]如[1]所述之電路基板之製造方法，其中於使前述第一焊錫粒子附著於前述第二黏著層上之步驟之後，具有透過前述第一黏著層使前述第二焊錫粒子附著於前述端子部表面上之步驟，且形成前述焊錫層之步驟之際，前述第一焊錫粒子與前述第二焊錫粒子同時熔融。

[4]如[1]所述之電路基板之製造方法，其中在將前述核體附著於前述第一黏著層上之步驟與形成前述第二黏著層之步驟之間，具有透過前述第一黏著層使前述第二焊錫粒子附著於前述端子部表面上之步驟，且形成前述焊錫層之步驟之際，使前述第一焊錫粒子與前述第二焊錫粒子同時熔融。

[5]如[1]所述之電路基板之製造方法，其中形成前述第一黏著層之步驟之前，具有使前述第二焊錫粒子附著於前述端子部表面上之步驟，且形成前述焊錫層之步驟之際，使前述第一焊錫粒子與前述第二焊錫粒子同時熔融。

[6]如[1]所述之電路基板之製造方法，其中具備下列步驟：使前述第二焊錫粒子附著於前述端子部表面上之步驟，使前述第二焊錫粒子熔解，於前述端子部表面上形成焊錫被膜之步驟，及透過前述焊錫被膜於前述端子部表面上塗佈第一賦予黏著性之化合物而形成第一黏著層之步驟，且，形成前述焊錫層之步驟之際，使前述第一焊錫粒子與前述焊錫被膜同時熔融。

[7]如[1]所述之電路基板之製造方法，其中具備下列步驟：利用電鍍法於前述端子部表面上形成焊錫被膜之步驟，及透過前述焊錫被膜於前述端子部表面上塗佈第一賦予黏著性之化合物而形成第一黏著層之步驟，且，形成前述焊錫層之步驟之際，使前述第一焊錫粒子與前述焊錫被膜同時熔融。

[8]如[3]所述之電路基板之製造方法，其中前述第二焊錫粒子之平均粒徑為1μm以上且為前述第一焊錫粒子之平均粒徑之0.4倍以下。

[9]如[4]或[5]所述之電路基板之製造方法，其中前述第二焊錫粒子之平均粒徑為1μm以上且為前述核體之平均粒徑之0.5倍以下，且比前述第一焊錫粒子小。

[10]如[9]所述之電路基板之製造方法，其中前述第二焊錫粒子之平均粒徑為5~10μm。

[11]如[6]所述之電路基板之製造方法，其中前述第二焊錫粒子之平均粒徑為1μm以上且為前述端子部之直徑之1/3以下。

[12]如[7]所述之電路基板之製造方法，其中以3μm左右之厚度形成前述之焊錫被膜。

[13]如[1]、[3]至[12]之任一項所述之電路基板之製造方法，其係將具有前述第一黏著層之前述電路基板浸漬於包含前述核體之分散液中，使前述核體附著於前述第一黏著層上。

[14]如[2]所述之電路基板之製造方法，其係將具有前述第一黏著層之前述電路基板浸漬於包含前述附著第一焊錫粒子之核體之分散液中，使前述附著第一焊錫粒子之核體附著於前述第一黏著層上。

[15]如[1]、[3]至[13]之任一項所述之電路基板之製造方法，其係將附著有具有前述第二黏著層之前述核體之前述電路基板浸漬於包含前述第一焊錫粒子之前述分散液中，使前述第一焊錫粒子附著於前述核體表面上。

[16]如[2]或[14]所述之電路基板之製造方法，其係將具有前述第二黏著層之前述核體浸漬於包含前述第一焊錫粒子之分散液中，使前述第一焊錫粒子附著於前述第二黏著層上，形成前述附著第一焊錫粒子之核體。

[17]如[1]至[16]中任一項所述之電路基板之製造方法，其係使用金屬球作為前述核體。

[18]如[1]至[17]中任一項所述之電路基板之製造方法，其中前述核體係由銅所構成。

[19]如[1]至[18]所述之電路基板之製造方法，其中形成前述第一黏著層之步驟中，在前述電路基板上形成具有使前述端子部露出之開口部之絕緣層之後，形成前述第一黏著層。

依據本發明之製造方法，由於係將核體附著於端子部之後，透過第二黏著層使第一焊錫粒子附著於核體上，進而使第一焊錫粒子加熱熔融而於核體表面上形成焊錫層，因此相較於利用以電鍍等於表面上形成焊錫層之附著焊錫之核體之情況，可大幅簡化步驟。又，由於安裝電子零件等時核體成為隔離件，故可不使電子零件姿勢傾斜之下進行安裝。

又，依據本發明之製造方法，由於係使附著第一焊錫之核體附著於端子部之後，使第一焊錫粒子加熱熔融而在核體表面上形成焊錫層，故與利用以電鍍等在表面形成焊錫層之附著焊錫之核體之情況相較，可大幅簡化步驟。且，由於安裝電子零件等時核體成為隔離件，故可不使電子零件姿勢傾斜之下進行安裝。

由上述，依據本發明，可提供一種可在不傾斜之下接合搭載零件且可簡化步驟之電路基板之製造方法。

(第一實施形態)

以下針對本發明之第一實施形態之電路基板之製造方法，參考圖式加以說明。圖1及圖2為說明本實施形態之電路基板之製造方法之步驟圖。

本實施形態之電路基板之製造方法係由下列步驟概略構成：於電路基板1之端子部2上形成第一黏著層5之步驟，使核體11附著於第一黏著層5上之步驟，使第一焊錫粒子14附著於核體11表面上之步驟，及使第一焊錫粒子14熔融而形成焊錫層15之步驟。

以下針對各步驟之較佳形態詳細敘述。

作為本發明對象之電路基板1可例示為在塑膠基板、塑膠膜基板、玻璃布基板、紙基質環氧樹脂基板、陶瓷基板等之上層合金屬板而成之基板，或者於金屬基材上被覆塑膠或陶瓷等而成之絕緣基板上使用金屬等導電性物質形成電路圖型而成之單面電路基板、兩面電路基板、多層電路基板或撓性電路基板等。其他，亦可適用IC基板、電容、電阻、線圈、可變電阻、對偶管、晶圓等。

圖1(a)為顯示本實施形態中所用之電路基板1之剖面圖。電路基板1可例示為例如陶瓷基板。

電路基板1之一面1a上形成有例如由銅或銅合金所構成之電路圖型(端子部2)。以下針對於端子部2之表面4上形成第一黏著層5之步驟加以說明。

首先，如圖1(b)所示，預先以抗蝕劑(絕緣層)3圍繞端子部2之周圍，形成開口部6。具體而言係在電路基板1上之上面1a之整面上形成抗蝕層3，經曝光、顯像，藉此使抗蝕層3硬化，形成開口部6。開口部6成為使端子部2露出之構成。又，開口部6之直徑F係配合核體11之粒徑D適宜設定。

抗蝕層3可使用電路基板之製造中一般使用之絕緣性抗蝕劑。抗蝕層3若為在後述賦予第一黏著層5之步驟中具有不賦予黏著性之性質者，則其材料並無限制。

又，端子部2之材料可使用銅或銅合金，但本發明並不限於此，若為於後述步驟中藉由賦予黏著性之物質獲得黏著性之導電性物質即可，使用其他者亦無妨。該等物質可例示為例如含有閃蒸(Flash)金、Ni、Sn、Ni-Au、Pd、Ag、焊錫合金等之物質。

又，開口部6之深度H(端子部2之表面4與抗蝕層3上面之段差)係配合核體11之粒徑D適當設定。該段差H較好小於核體11之粒徑D。段差H大於粒徑D時，由於無法正常形成凸塊16故較不佳。段差H若為於後述步驟中藉由黏著力保持核體不脫落，則就電極表面比抗蝕層表面高之H為負的範圍亦可。然而，若考慮步驟之作業性及核體之機能，則較好為1μm以上、粒徑D之二分之一以下之範圍。藉由使段差H落在該範圍內，於後述步驟中，可安定地防止核體11脫落，同時可形成充分高之焊錫凸塊16。開口部6較好為圓形，但亦可取代為橢圓形、四角形。

接著，如圖1(c)所示，形成第一黏著層5。首先，將以下所示之第一賦予黏著性之化合物中之至少一種或兩種以上溶解於水或酸性水中，且較好調整成pH3~4左右之微酸性。藉此形成黏著性溶液。接著，將電路基板1浸漬於黏著性溶液中，或者將黏著性溶液塗佈於電路基板1上，藉此於端子部2之表面4上形成第一黏著層5。

此處，第一賦予黏著性之化合物可使用萘并三唑系衍生物、苯并三唑系衍生物、咪唑系衍生物、苯并咪唑系衍生物、巰基苯并噻唑系衍生物及苯并噻唑硫基脂肪酸等。該等賦予黏著性之化合物對於銅之作用效果尤其強，但亦可賦予其他導電性物質黏著性。

又，本發明中較好使用之苯并三唑系衍生物係以通式(1)表示。

【化1】

其中，式(1)中，R1~R4獨立為氫原子、碳數1~16(較好為5~16)之烷基、烷氧基、F、Br、Cl、I、氰基、胺基或OH基。

又，本發明中較好使用之萘并三唑系衍生物係以通式(2)表示。

【化2】

其中，式(2)中，R5~R10獨立為氫原子、碳數1~16(較好為5~16)之烷基、烷氧基、F、Br、Cl、I、氰基、胺基或OH基。

再者，本發明中較好使用之咪唑系衍生物係以通式(3)表示。

【化3】

其中，式(3)中，R11、R12獨立為氫原子、碳數1~16(較好為5~16)之烷基、烷氧基、F、Br、Cl、I、氰基、胺基或OH基。

又另外，本發明中較好使用之苯并咪唑系衍生物係以通式(4)表示。

【化4】

其中，式(4)中，R13~R17獨立為氫原子、碳數1~16(較好為5~16)之烷基、烷氧基、F、Br、Cl、I、氰基、胺基或OH基。

又，本發明中較好使用之巰基苯并噻唑系衍生物係以通式(5)表示。

【化5】

其中，式(5)中，R18~R21獨立為氫原子、碳數1~16(較好為5~16)之烷基、烷氧基、F、Br、Cl、I、氰基、胺基或OH基。

再者，本發明中較好使用之苯并噻唑硫脂肪酸系衍生物係以通式(6)表示。

【化6】

其中，式(6)中，R22~R26獨立為氫原子、碳數1~16(較好為1或2)之烷基、烷氧基、F、Br、Cl、I、氰基、胺基或OH基。

該等化合物中，以通式(1)表示之苯并三唑系衍生物中，R1~R4一般而言碳數愈多黏著性愈強。

又，以通式(3)及通式(4)表示之咪唑系衍生物及苯并咪唑系衍生物之R11~R17中，一般而言也是碳數愈多黏著性愈強。

再者，以通式(6)表示之苯并噻唑硫脂肪酸系衍生物中，R22~R26較好為碳數1或2。

又，黏著性溶液之pH調整中使用之物質可列舉為鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸等無機酸。又有機酸可使用甲酸、乳酸、乙酸、丙酸、蘋果酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、酒石酸等。

黏著性溶液中第一賦予黏著性之化合物濃度並無特別限制，但依據溶解性、使用狀況適當調整即可，最好相對於黏著性溶液整體為0.05質量%~20質量%之範圍內。藉由使第一賦予黏著性之化合物濃度落在該範圍內，可賦予端子部2充分之黏著性。另一方面，相對於黏著性溶液整體小於0.05質量%時，無法賦予充分黏著性，又，相對於黏著性溶液整體超過20質量%時，由於會消耗多量之賦予黏著性之化合物，成為無效率故不佳。

於端子部2上賦予黏著性時之處理溫度較好比室溫稍高。據此，可使第一黏著層5之形成速度、形成量成為充分者。又，最適處理溫度隨著賦予黏著性化合物濃度與端子部2之材料金屬種類等而不同，但通常處於30℃~60℃之範圍較佳。又，以使黏著性溶液之浸漬時間在5秒~5分鐘之範圍內，調整其他條件較佳。

另外，黏著性溶液中，較好共存50~1000ppm之離子銅。藉由使銅離子以該範圍之量共存，可提高第一黏著層5之形成速度、形成量等之形成效率。

本實施形態之黏著層之形成方法並非僅對電路基板之端子部，亦可有效的使用作為LSI本身連接用焊錫凸塊部份，亦即，具有BGA之LSI晶片或CSP(晶片尺寸封裝)、LSI等之凸塊形成手段。又，該等當然包含於本發明之焊錫電路基板中。

接著，如圖1(d)所示，透過第一黏著層5將核體11附著於端子部2上。對該方法說明於下。此時，使核體11附著於第一黏著層5上之方法有在空氣中或惰性氛圍中將核體11直接供給至第一黏著層5上之方法，或使核體11分散於分散液41中成為漿料狀態，將該漿料供給於第一黏著層5之方法。

首先針對在空氣中、惰性氣體氛圍中使核體11附著之方法加以說明。首先，將核體11投入充滿空氣或惰性氣體之容器內。接著，於容器內設置形成至第一黏著層5為止之電路基板1。接著，使容器傾斜或振動，使第一黏著層5與核體11接觸。藉此，使核體11附著於第一黏著層5上。

接著，說明在液體中使核體11附著之方法。首先，如圖3所示，將水等分散液41注入容器40內，進而將核體11添加於分散液41中。接著，將容器40傾斜使分散液41與核體11靠向一方，使電路基板1以不與分散液41與核體11接觸之方式設置於容器內。隨後，藉由使容器40左右晃動，使分散液41中之第一黏著層5與核體11接觸。藉此，使核體11附著於第一黏著層5上。

如此，藉由在液體中附著核體11，核體11由於靜電而附著於沒有黏著性之部分，可防止核體11因靜電而凝聚。因此，使用該方法於微細間距之電路基板或使用微粉時特別好。又，使核體11附著之方法並不限於在液體中附著之方法，依據核體11大小等條件於各步驟中獨立採用合適方法亦無妨。

又，核體11之材質最好為銅，但若是具有比第一焊錫粒子14之熔點高之熔點，且藉由第二賦予黏著性之化合物獲得黏著性之物質則使用其他者亦無妨。該等物質除銅以外，可例示為例如含有Ni、Sn、Ni-Au、Au-Sn、Au-Si之合金等之物質。

又，核體11之平均粒徑D較好依據附著之端子部2之大小適宜選擇，但最好在20μm~200μm之範圍內。

接著，如圖1(e)所示形成第二黏著層13。

第二黏著層13之形成方法可直接使用第一黏著層5之形成方法，使用與第一賦予黏著性化合物相同之化合物作為第二賦予黏著性之化合物，且，可在與第一黏著層5之形成方法相同之條件下形成。亦即將電路基板1浸漬於與第一賦予黏著性之化合物同樣調整之化合物(第二賦予黏著性之化合物)之黏著性溶液中，或者藉由塗佈，以被覆核體11表面12之方式形成第二黏著層13。

接著，如圖1(f)所示，透過第二黏著層13使第一焊錫粒子14附著於核體11之表面12上。針對該方法說明於下。

使第一焊錫粒子14附著於第二黏著層13上之方法有在空氣中或惰性氛圍中將第一焊錫粒子14直接供給於第二黏著層13上之方法，或將第一焊錫粒子14分散於分散液41中成為漿料狀態，將該漿料供給於第二黏著層13上之方法等。

首先，針對在惰性氣體氛圍中使第一焊錫粒子14附著之方法加以說明。首先，將第一焊錫粒子14倒入充滿空氣或惰性氣體之容器內。接著，於容器內設置形成至第二黏著層13為止之電路基板1。接著，將容器傾斜或振動，使第二黏著層13與第一焊錫粒子14接觸。藉此，使第一焊錫粒子14附著於第二黏著層13上。

接著，說明在液體中附著第一焊錫粒子14之方法。首先，如圖3所示，將水等分散液41注入容器40內，再將第一焊錫粒子14添加於分散液41中。接著，將容器40傾斜使分散液41與第一焊錫粒子14靠向一邊，使電路基板1以不與分散液41與第一焊錫粒子14接觸之方式設置於容器內。隨後，藉由使容器40左右晃動，使分散液41中之第二黏著層13與第一焊錫粒子14接觸。藉此，使第一焊錫粒子14附著於第二黏著層13上。

又，附著第一焊錫粒子14之方法並不限於在液體中附著之方法，依據第一焊錫粒子14之大小、條件於各步驟中獨立採用合適方法亦無妨。

又，第一焊錫粒子14係使用粒徑比焊錫凸塊20或核體11小者。第一焊錫粒子14之粒徑E係對應於核體11之粒徑D，以一粒核體11上附著複數個第一焊錫粒子14之方式適宜設定亦可。亦即，第一焊錫粒子14之平均粒徑E較好為1μm以上且比核體11之平均粒徑D之二分之一小。藉由使第一焊錫粒子14之粒徑E落在該範圍內，可於一粒核體11上附著複數個第一焊錫粒子14。另一方面，第一焊錫粒子14之粒徑E小於1μm時，由於焊錫量不足故較不佳。又，第一焊錫粒子14之粒徑E為核體11之平均粒徑D之二分之一以上時，一粒核體11上無法附著足夠數量之第一焊錫粒子14而不佳。

又，第一焊錫粒子14之金屬組成列舉為例如Sn-Pb系、Sn-Pb-Ag系、Sn-Pb-Bi系、Sn-Pb-Bi-Ag系、Sn-Pb-Cd系。又就最近之產業廢棄物中排除Pb之觀點而言，較好為不含Pb之Sn-In系、Sn-Bi系、In-Ag系、In-Bi系、Sn-Zn系、Sn-Ag系、Sn-Cu系、Sn-Sb系、Sn-Au系、Sn-Bi-Ag-Cu系、Sn-Ge系、Sn-Bi-Cu系、Sn-Cu-Sb-Ag系、Sn-Ag-Zn系、Sn-Cu-Ag系、Sn-Bi-Sb系、Sn-Bi-Sb-Zn系、Sn-Bi-Cu-Zn系、Sn-Ag-Sb系、Sn-Ag-Sb-Zn系、Sn-Ag-Cu-Zn系、Sn-Zn-Bi系。

上述金屬組成之具體例以Sn為63質量%、Pb為37質量%之共晶焊錫(以下表示為63Sn/37Pb)為中心，列舉為62Sn/36Pb/2Ag、62.6Sn/37Pb/0.4Ag、60Sn/40Pb、50Sn/50Pb、30Sn/70Pb、25Sn/75Pb、10Sn/88Pb/2Ag、46Sn/8Bi/46Pb、57Sn/3Bi/40Pb、42Sn/42Pb/14Bi/2Ag、45Sn/40Pb/15Bi、50Sn/32Pb/18Cd、48Sn/52In、43Sn/57Bi、97In/3Ag、58Sn/42In、95In/5Bi、60Sn/40Bi、91Sn/9Zn、96.5Sn/3.5Ag、99.3Sn/0.7Cu、95Sn/5Sb、20Sn/80Au、90Sn/10Ag、90Sn/7.5Bi/2Ag/0.5Cu、97Sn/3Cu、99Sn/1Ge、92Sn/7.5Bi/0.5Cu、97Sn/2Cu/0.8Sb/0.2Ag、95.5Sn/3.5Ag/1Zn、95.5Sn/4Cu/0.5Ag、52Sn/45Bi/3Sb、51Sn/45Bi/3Sb/1Zn、85Sn/10Bi/5Sb、84Sn/10Bi/5Sb/1Zn、88.2Sn/10Bi/0.8Cu/1Zn、89Sn/4Ag/7Sb、88Sn/4Ag/7Sb/1Zn、98Sn/1Ag/1Sb、97Sn/1Ag/1Sb/1Zn、91.2Sn/2Ag/0.8Cu/6Zn、89Sn/8Zn/3Bi、86Sn/8Zn/6Bi、89.1Sn/2Ag/0.9Cu/8Zn等。又，本實施形態之第一焊錫粒子14為混合兩種類以上之不同組成之第一焊錫粒子者亦無妨。

接著，進行核體11及第一焊錫粒子14之固定附著。所謂固定附著係在端子部2與第一焊錫粒子14之間，使端子部2之構成材料擴散至第一焊錫粒子14側之反應。藉由進行該反應，使核體11及第一焊錫粒子14分別相互固定。固定附著之溫度較好在焊錫熔點之-50℃至+50℃之範圍內，更好在-30℃至+30℃之範圍內。固定附著溫度在該範圍內時，第一焊錫粒子14不熔融，或者即使假定內部熔解，因表面存在之氧化膜之效果亦不會熔融流出。因此，可直接維持第一焊錫粒子14之形狀而進行固定附著。

隨後，將水溶性助焊劑塗佈於電路基板1上。水溶性助焊劑可使用例如特開2004-282062號公報中所述之助焊劑。藉由使用水溶性助焊劑，可去除第一焊錫粒子14之表面及端子部2之表面4之氧化膜。

接著，如圖2(a)所示進行回焊步驟，形成焊錫凸塊16。針對該方法說明於下。

首先，將電路基板1乾燥後，進行回焊步驟，使第一焊錫粒子14熔融。此時之加熱溫度較好為200℃~300℃之範圍，最好為熔點加上10℃~50℃。藉由以該等溫度加熱，可使第一焊錫粒子14之熔融焊錫與端子部2之表面4或核體11之表面12充分反應，形成擴散層。

據此，第一焊錫粒子14熔融並行經核體11表面12整體上。因此，端子部2與核體11強固地連接，又所搭載之電子零件22與核體11安定地連接。該回焊步驟之後，水洗電路基板1去除殘留之助焊劑。藉此，在端子部2上形成焊錫凸塊16。

接著，如圖2(b)~圖2(d)所示，將電子零件22安裝於電路基板1上。針對其方法說明於下。

首先，如圖2(b)所示，將端子部24對準焊錫凸塊16之位置，將電子零件22配置於電路基板1。電子零件22係由電子零件本體23與端子部24概略構成。電子零件本體23之一面側上設置端子部24，且於端子部24表面形成電鍍部25。

接著，將電子零件22搭載於電路基板1上，使電鍍部25與焊錫層15接觸。該狀態示於圖2(c)。接著，如圖2(d)所示進行回焊步驟，使焊錫層15熔融，使端子部24與端子部2焊錫接合。藉此，將電子零件22安裝於電路基板1上。

依據本實施形態之電路基板1之製造方法，藉由核體11成為隔離件，可使電子零件22與電路基板1之距離保持一定。因此，可解決所搭載之電子零件22在電路基板1上不均勻沉入之問題，使相對於端子部2之高度為一定，可獲得信賴性高之電路基板1。又，由於透過第二黏著層13將第一焊錫粒子14附著於核體11上，故不使用昂貴之銅核焊錫球即可完成。因此，可實現低成本化與步驟之簡化。又，由於沒有必要使用包含高濃度鉛之高熔點焊錫，故可解決因Pb同位素發出之α射線造成之誤動作之問題。又，本實施形態之製造方法為適於細微電路基板之方法，可提供積體度高且信賴性高之電子設備。

又，於電路基板1上形成具有開口部6之抗蝕層3後，由於形成黏著層5，故在端子部2以外之部分不形成第一黏著層5。藉此，可使核體11選擇性附著於端子部2上。又，由於開口部6內附著核體11，故即使在第一黏著層5之黏著力弱之情況，亦可防止核體11脫落至開口部6以外。藉此，可使核體11確實地附著於全部端子部2上。

另外，包含核體11之分散液41中，藉由使核體11附著於第一黏著層5上，可使核體11對於各端子部2之附著量均勻。藉此例如亦可對於一個端子部2確實附著一個核體11。

又，包含第一焊錫粒子14之分散液41中，藉由使第一焊錫粒子14附著於第二黏著層13上，可使第一焊錫粒子14對於各核體11之附著量均勻。

另外，藉由使用金屬球作為核體11，可確保電子零件22與端子部2之導通。尤其，核體11由銅構成時，可確保導通同時可易於形成第二黏著層13。

(第二實施形態)

以下就本發明第二實施形態之電路基板1之製造方法參照圖式加以說明。

本實施形態與第一實施形態不同點為透過第二黏著層13使第一焊錫粒子14附著於核體11表面12上之後，如圖4(g)所示，使第二焊錫粒子114附著於第一黏著層5上。以下說明其細節。

首先，如圖4(a)~(f)所示，透過第二黏著層13使第一焊錫粒子14附著於核體11之表面12上。至目前為止之步驟由於與第一實施形態相同，故省略其細節之說明。

接著，如圖4(g)所示，使第二焊錫粒子114附著於第一黏著層5上。附著之方法由於與先前所述之核體11之附著方法相同，故省略其細節之說明。此時，第二焊錫粒子114之平均粒徑宜為1μm以上且為第一焊錫粒子14之平均粒徑E之0.4倍以下。藉由使第二焊錫粒子114之粒徑落在該範圍內，可使充分量之第二焊錫粒子114進入第一焊錫粒子14與第一黏著層5之間。

另一方面，第二焊錫粒子114之粒徑若小於1μm，則隨後之回焊步驟中，熔融之焊錫無法充分行經核體11與端子部2之間。又，第二焊錫粒子114之粒徑若超過第一焊錫粒子14之平均粒徑E之0.4倍，則隨後之回焊步驟中，由於熔融之焊錫大量行經核體11與端子部2之間或第二焊錫粒子無法進入特定位置，故後述之焊錫凸塊16之大小產生不均而不佳。

接著，進行核體11、第一焊錫粒子14及第二焊錫粒子114之固定附著。隨後，藉由回焊使第一焊錫粒子14與第二焊錫粒子114同時熔融而形成焊錫層15。隨後，藉由進行與第一實施形態相同之步驟，製造本實施形態之電路基板1。

依據本實施形態之電路基板1之製造方法，透過第二黏著層13使第一焊錫粒子14附著於核體11表面12上之後，透過第一黏著層5使比第一焊錫粒子14小之第二焊錫粒子114附著於端子部2。藉此，可使第二焊錫粒子114進入核體11與端子部2間之間隙內。因此，在回焊步驟中可使核體11與端子部2確實連接。

(第三實施形態)

以下針對本發明第三實施形態之電路基板1之製造方法參照圖式加以說明。

本實施形態與第一實施形態之不同點為於透過第一黏著層5使核體11附著於端子部2上之後，如圖5(e)所示，使第二焊錫粒子114附著於第一黏著層5上。以下說明其細節。

首先，如圖5(a)~(d)所示，使核體11附著於第一黏著層5。至目前為止之步驟由於與第一實施形態相同，故省略其細節之說明。

接著，如圖5(e)所示，使第二焊錫粒子114附著於第一黏著層5。附著方法由於與先前所述之核體11之附著方法相同，故省略其細節之說明。

此時，第二焊錫粒子114之平均粒徑宜為1μm以上且為核體11之平均粒徑D之0.5倍以下，且比第一焊錫粒子14之平均粒徑E小，再者，較好在5~10μm之範圍內。藉由使第二焊錫粒子114之粒徑落在該範圍內，可使充分量之第二焊錫粒子114進入第一焊錫粒子14與第一黏著層5之間。

又，此時，不同粒徑之第二焊錫粒子114亦可對第一黏著層5以每一粒徑分開附著。據此，可以第二焊錫粒子114均勻覆蓋第一黏著層5。

另一方面，第二焊錫粒子114之粒徑小於1μm時，隨後之回焊步驟中，熔融之焊錫無法充分行經核體11與端子部2之間。又，第二焊錫粒子114之粒徑超過第一焊錫粒子14之平均粒徑E之0.5倍時，隨後之回焊步驟中，由於熔融之焊錫大量行經核體11與端子部2之間，故後述焊錫凸塊16之大小產生不均而不佳。

接著，如圖5(f)所示，以被覆核體11及第二焊錫粒子114之方式，形成第二黏著層13。此處之第二黏著層13之形成方法由於與第一實施形態之第二黏著層13之形成方法相同，故此處省略其詳細說明。

接著，如圖5(g)所示，透過第二黏著層13使第一焊錫粒子14附著於核體11之表面12上。

接著，進行核體11、第一焊錫粒子14及第二焊錫粒子114之固定附著。隨後，藉由回焊使第一焊錫粒子14與第二焊錫粒子114同時熔融而形成焊錫層15。隨後，藉由進行與第一實施形態相同之步驟，製造本實施形態之電路基板1。

依據本實施形態之電路基板1之製造方法，透過第一黏著層5使核體11附著於端子部2上之後，使比第一焊錫粒子14小之第二焊錫粒子114附著於端子部2上。據此，可使第二焊錫粒子114進入核體11與端子部2間之間隙內。又，該步驟由於於固定附著步驟使第二焊錫粒子114彼此固定附著，故可使第二焊錫粒子114全部安定地附著在端子部2上。因此，在回焊步驟中可使核體11與端子部2更確實連接。

(第四實施形態)

以下針對本發明第四實施形態之電路基板1之製造方法參照圖式加以說明。

本實施形態係如圖6(c)所示，與第一實施形態之不同點為使第二焊錫粒子114附著於端子部2之上後，依序形成第一黏著層5、核體11、第二黏著層13。以下說明其細節。

首先，如圖6(a)~(b)所示，使端子部2開口。目前為止之步驟由於與第一實施形態相同，故省略其細節之說明。接著，如圖6(c)所示，於端子部2之表面4上形成未圖示之黏著部。接著，透過黏著部以被覆端子部2的表面4之方式附著第二焊錫粒子114。

此時，第二焊錫粒子114之平均粒徑宜為1μm以上且為核體11之平均粒徑D之0.5倍以下，且比第一焊錫粒子14之平均粒徑E小，再者較好在5~10μm之範圍內。藉由使第二焊錫粒子114之粒徑落在該範圍內，可使充分量之第二焊錫粒子114進入第一焊錫粒子14與第一黏著層5之間。又，藉由使第二焊錫粒子114之粒徑落在該範圍內，可以均勻大小形成後述之焊錫凸塊16。

另一方面，第二焊錫粒子114之粒徑若小於1μm，則隨後之回焊步驟中，熔融之焊錫未充分行經核體11與端子部2之間。又，第二焊錫粒子114之粒徑超過第一焊錫粒子14之平均粒徑E之0.5倍時，隨後之回焊步驟中，由於熔融之焊錫大量行經核體11與端子部2之間，故後述焊錫凸塊16之大小產生不均而不佳。

接著，如圖6(d)所示，以被覆端子部2之表面4及第二焊錫粒子114之方式，形成第一黏著層5。第一黏著層5之形成方法由於與第一實施形態相同，故此處省略其詳細說明。

隨後，如圖6(e)所示透過第一黏著層5使核體11附著於端子部2上之後，如圖6(f)所示以被覆核體11之方式，形成第二黏著層13。隨後，如圖6(g)所示，透過第二黏著層13使第一焊錫粒子14附著於核體11之表面12。該等步驟由於與第一實施形態相同，故此處省略其細節。

接著，進行核體11、第一焊錫粒子14及第二焊錫粒子114之固定附著。隨後，藉由回焊使第一焊錫粒子14與第二焊錫粒子114同時熔融而形成焊錫層15。隨後，藉由進行與第一實施形態相同之步驟，製造本實施形態之電路基板1。

依據本實施形態之電路基板1之製造方法，由於第二焊錫粒子114上配置核體11，故以固定附著步驟可強固地固定附著第二焊錫粒子114與核體11。因此，可防止回焊時核體11之脫落。又，由於回焊時可使熔解之第二焊錫粒子114確實行經核體11與端子部2之間，故可確實地連接核體11與端子部2。

(第五實施形態)

以下針對本發明第五實施形態之電路基板1之製造方法參照圖式加以說明。

本實施形態，如圖7(c)所示，與第一實施形態之不同點為使第二焊錫粒子114附著於端子部2上之後，回焊第二焊錫粒子114而形成焊錫被膜114a，且依序形成第一黏著層5、核體11、第二黏著層13。以下說明其細節。

首先，如圖7(a)~(b)所示，使端子部2開口。目前為止之步驟由於與第一實施形態相同，故省略其細節說明。接著，於端子部2之表面4上形成未圖示之黏著部。接著，透過黏著部以被覆端子部2的表面4之方式附著第二焊錫粒子114。該狀態示於圖7(c)。

此時，第二焊錫粒子114之平均粒徑較好為1μm以上且為端子部2之直徑F之1/3以下。藉由使第二焊錫粒子114之粒徑落在該範圍內，在隨後之回焊步驟中，可形成表面充分平坦之被膜114a。

另一方面，第二焊錫粒子114之粒徑若小於1μm，則隨後之回焊步驟中，熔融之焊錫無法充分行經核體11與端子部2之間。又，第二焊錫粒子114之粒徑超過端子部2之直徑F之1/3時，隨後之回焊步驟中，形成表面成凸狀膨脹之焊錫被膜114a。因此，於隨後之步驟，難以附著核體11故不佳。

接著，如圖7(d)所示，回焊第二焊錫粒子114。據此，以被覆端子部2的表面4之方式形成焊錫被膜114a。

此時，焊錫被膜114a並不限於前述之Super Just Fit(使透過黏著部附著之焊錫粉末回焊之方法)，以電鍍法形成亦無妨。又，以電鍍法形成焊錫被膜114a時，可使焊錫被膜114a厚度成為3μm左右。為了安定地獲得本實施形態之固定附著步驟中固定附著性之改善，較好為0.5μm以上。再者，若為1μm以上，可進行更安定之固定附著故而較佳。又，厚度上限雖對於固定附著步驟中之固定附著性無直接影響，但就經濟面而言以10μm以下較佳。依據該方法，可以均勻厚度形成焊錫被膜114a，故可以均勻高度形成焊錫凸塊16。

接著，如圖7(e)所示，以被覆焊錫被膜114a之方式形成第一黏著層5，接著，透過第一黏著層5及焊錫被膜114a使核體11附著於端子部2上。第一黏著層5之形成方法由於與第一實施形態相同，故此處省略其細節。

隨後，如圖7(e)所示，透過第一黏著層5使核體11附著於端子部2上之後，如圖7(f)所示，以被覆核體11之方式，形成第二黏著層13。隨後，如圖7(g)所示，透過第二黏著層13使第一焊錫粒子14附著於核體11之表面12上。該等步驟由於與第一實施形態相同，故此處省略其細節。

接著，進行核體11、第一焊錫粒子14及第二焊錫粒子114之固定附著。隨後，藉由回焊使第一焊錫粒子14與焊錫被膜114a同時熔融而形成焊錫層15。隨後，藉由進行與第一實施形態相同之步驟，製造本實施形態之電路基板1。

依據本實施形態之電路基板1之製造方法，由於在焊錫被膜114a上配置核體11，故以固定附著步驟可強固地固定附著焊錫被膜114a與核體11。因此，可防止回焊時核體11之脫落。又，由於回焊時可使熔解之焊錫被膜114a確實行經核體11與端子部2之間，故可確實地連接核體11與端子部2。

該等製造方法均可防止核體11之脫落，同時有提高良率之效果。選擇該製造方法由於依據步驟而有電路基板承受之熱經歷不同，故較好依據使用之電路基板之種類、形狀、電極尺寸等適當選擇。

(第六實施形態)

以下針對本發明第六實施形態之電路基板1之製造方法參照圖式加以說明。本實施形態與第一實施形態不同之點為本發明步驟中，預先形成附著第一焊錫粒子之核體30後，將附著第一焊錫粒子之核體30附著於第一黏著層5上。因此，以下說明僅說明該部分，省略對全體步驟之說明。

首先，使用第二賦予黏著性之化合物對核體11的表面12賦予黏著性，形成第二黏著層13。接著，在空氣中、惰性氣體氛圍中、或者包含第一焊錫粒子14之分散液41中，使第一焊錫粒子14附著於第二黏著層13上，形成如圖8(a)所示之附著第一焊錫粒子之核體30。該附著第一焊錫粒子之核體30係由核體11的表面12上形成之第二黏著層13及透過第二黏著層13附著於核體11之表面12上之第一焊錫粒子14構成。

本實施形態中，於核體11表面12上形成第二黏著層13之步驟較好在空氣中進行，使第一焊錫粒子14附著於第二黏著層13上之步驟較好在分散液41中進行。

接著，與第一實施形態之圖1(a)~圖1(c)所示之步驟同樣，以被覆電路基板1之端子部2表面之方式形成第一黏著層5。接著，如圖8(b)所示，使預先形成之附著第一焊錫粒子之核體30附著於第一黏著層5上。該方法說明於下。

首先，針對在空氣中、惰性氣體氛圍中附著第一焊錫粒子之核體30加以說明。首先，將附著第一焊錫粒子之核體30投入充滿空氣或惰性氣體之容器內。接著，於容器內設置形成至第一黏著層5為止之電路基板1。接著，將容器傾斜或振動，使第一黏著層5與附著第一焊錫粒子之核體30接觸。藉此，使附著第一焊錫粒子之核體30附著於第一黏著層5上。

接著，說明在液體中使附著第一焊錫粒子之核體30附著之方法。首先，如圖3所示，將水等分散液41注入容器40內，再將附著第一焊錫粒子之核體30添加於分散液41中。接著，將容器40傾斜使分散液41與附著第一焊錫粒子之核體30靠向一邊，使電路基板1以不與分散液41及附著第一焊錫粒子之核體30接觸之方式設置於容器內。隨後，藉由使容器40左右晃動，使分散液41中之第一黏著層5與附著第一焊錫粒子之核體30接觸。據此，使附著第一焊錫粒子之核體30附著於第一黏著層5上。

隨後，與第一實施形態之圖2(a)~圖2(d)所示之步驟相同，使第一焊錫粒子14熔融，於核體11表面12上形成焊錫層15。隨後，將電子零件22安裝於電路基板1上。

依據本實施形態之製造方法，除與第一實施形態之情況相同之效果以外，獲得下述效果。

亦即，依據本實施形態之電路基板1之製造方法，使附著第一焊錫粒子之核體30附著於端子部2之後，使第一焊錫粒子14加熱熔融。藉此可在核體11之表面12上形成焊錫層15，相較於使用表面以焊錫電鍍之附焊錫之核體之情況，可使步驟大幅簡化。

另外，由於安裝電子零件22時核體11成為隔離件，故可在不使電子零件22之姿勢傾斜下安裝電子零件。

另外，由於在電路基板1上形成具有開口部6之抗蝕層3之後形成第一黏著層5，故端子部2以外之部分未形成第一黏著層5。據此，可使附著第一焊錫粒子之核體30選擇性附著於端子部2上。又，由於使附著第一焊錫粒子之核體30附著於開口部6內，故即使於第一黏著層5之黏著力弱之情況，仍可防止附著第一焊錫粒子之核體30脫落到開口部6之外。據此，可使附著第一焊錫粒子之核體30確實附著於全部端子部2上。

又，包含附著第一焊錫粒子之核體30之分散液41中，藉由使附著第一焊錫粒子之核體30附著於第一黏著層5上，可使附著第一焊錫粒子之核體30對各端子部2之附著量均勻。據此，亦可確實地對一個端子部2附著一個附著第一焊錫粒子之核體30。

又，包含第一焊錫粒子14之分散液41中，藉由使第一焊錫粒子14附著於第二黏著層13上，可使第一焊錫粒子14對於各核體11之附著量均勻。又，相較於核體表面上以電鍍等形成焊錫層之情況相比，可大幅簡化步驟。

[實施例]

以下利用實施例說明本發明，但本發明並不受限於該等實施例。

(實施例1)

首先，準備粒徑50μm之純Cu製球體作為核體11。接著，準備配置約1000個由直徑80μm之銅所構成之端子部2之電路基板1，使用慣用之光微影術，形成厚度20μm之絕緣性抗蝕層3。藉此，形成露出端子部2之構成之直徑80μm之圓狀開口部6。接著，準備通式(3)之R12之烷基為C₁₁ H₂₃ 、R11為氫原子之咪唑系化合物之2質量%水溶液作為包含第一賦予黏著性之化合物之黏著性溶液，以乙酸將pH調整成約4。接著將該黏著性溶液加溫至40℃，將由鹽酸水溶液前處理之電路基板1浸漬於其中3分鐘，以覆蓋端子部2之表面4之方式形成第一黏著層5。

接著，準備內部尺寸為200mm×120mm×150mm大小之粒子附著裝置。又，該粒子附著裝置中，設置具有投入口之容器40，成為可使電路基板1以水平方向投入之構成。接著，於容器40中投入水1600ml與約400g之由銅組成之平均粒徑50μm之核體11。接著，使焊錫粒子附著裝置傾斜，使水與核體11靠向容器40內之一邊後，以不接觸核體11之方式將電路基板1投入容器40內。隨後，使容器40左右30°晃動30~60秒，藉此透過第一黏著層5使核體11附著於電路基板1上。此時，晃動週期為10秒/次。

隨後，自裝置取出電路基板1，以純水輕輕洗淨後，使電路基板1乾燥。

接著，再度使用上述賦予黏著性之化合物溶液，於核體11之表面12上形成第二黏著層13。

接著，於上述焊錫粒子附著裝置中投入1600ml之水及400g之以96.5Sn/3.5Ag之組成之平均粒徑10μm之第一焊錫粒子14。接著，將焊錫粒子附著裝置傾斜，使水與第一焊錫粒子14靠向容器40內之一邊後，以不接觸到第一焊錫粒子14之方式將電路基板1投入容器內。隨後，使容器40左右30°晃動30~60秒，藉此透過第二黏著層13使第一焊錫粒子14附著於核體11上。此時，晃動週期為5秒/次。

隨後，自裝置取出電路基板1，以純水輕輕洗淨後，使電路基板1乾燥。

接著，將電路基板1置入180℃烘箱中加熱20分鐘，使核體11及第一焊錫粒子14固定附著。接著，將助焊劑噴佈塗佈於電路基板1之表面上，將電路基板1投入回焊爐中3分鐘，在240℃之氮氣氛圍氣中加熱，在端子部2上形成高約53μm之焊錫凸塊16。

結果，焊錫凸塊16之高度偏差以標準差表示為1.5μm，與核體11之粒徑偏差為相同程度。又，未發現未附著有焊錫凸塊16之端子部2。

(實施例2)

除使核體11之粒徑為50μm，使第一焊錫粒子14之粒徑為20μm以外，其餘條件與實施例1相同，進行至使第一焊錫粒子14附著於核體11之前之步驟。

隨後，藉由同樣之步驟，透過第二黏著層13使粒徑10μm之第二焊錫粒子114於水中附著於端子部2上。

隨後，與實施例1同樣進行洗淨、乾燥、回焊，製造焊錫凸塊16。

(實施例3)

與實施例1同樣使核體11之粒徑為50μm，進行至使核體11附著於第一黏著層5之前之步驟。

隨後，在大氣中使粒徑5μm之第二焊錫粒子114附著於第一黏著層5。隨後，除使第一焊錫粒子14之粒徑為20μm以外，其餘條件與實施例1相同，於水中將第一焊錫粒子14附著於核體11上。

隨後，與實施例1同樣進行洗淨、乾燥、回焊，製造焊錫凸塊16。

(實施例4)

與實施例1同樣，形成使端子部2露出之構成之抗蝕層3以及開口部6後，透過黏著部以被覆端子部2的表面4之方式，附著粒徑10μm之第二焊錫粒子114。隨後，除使核體11之粒徑為50μm，使第一焊錫粒子14之粒徑為20μm以外，其餘條件與實施例1相同，製造焊錫凸塊16。

(實施例5)

與實施例1同樣，形成使端子部2露出之構成之抗蝕層3及開口部6之後，透過黏著部以被覆端子部2的表面4之方式，附著粒徑10μm之第二焊錫粒子114。隨後，除使核體11之粒徑為50μm，使第一焊錫粒子14之粒徑為20μm以外，其餘條件與實施例1相同，製造焊錫凸塊16。

(實施例6)

與實施例1同樣，形成使端子部2露出之構成之抗蝕層3及開口部6之後，藉由無電解電鍍，以被覆端子部2之方式形成厚度3μm之錫合金鍍層。隨後，除使核體11之粒徑為50μm，使第一焊錫粒子14之粒徑為20μm以外，其餘條件與實施例1相同，製造焊錫凸塊16。

實施例2至實施例6之結果，任一焊錫凸塊16之結果，可知任一固定附著步驟、回焊步驟中之核體11均脫落，且未發現未附著有焊錫凸塊16之端子部2。

[產業上之可能利用性]

以該方法形成之焊錫凸塊可在未使用含有大量鉛之高熔點焊錫下形成，達到無鉛化，同時亦可解決因來自Pb同位素之α射線誤動作之問題。又，由於並未使用昂貴之銅核焊錫球而製作核中具有核體之焊錫凸塊，故可以低成本解決焊錫凸塊之高度不均之問題，以及搭載晶片之際之回焊時晶片下沉之問題。本方法為適合細微電路基板之方法，可提供高積體度且信賴性高之電子設備。

1．．．電路基板

1a．．．電路基板上面

2．．．端子部

3．．．抗蝕層

4．．．端子部表面

5．．．第一黏著層

6．．．開口部

11．．．核體

12．．．核體表面

13．．．第二黏著層

14．．．第一焊錫粒子

15．．．焊錫層

16、20．．．焊錫凸塊

22．．．電子零件

23．．．電子零件本體

24．．．電子零件之端子部

25．．．電鍍層

30．．．附著第一焊錫粒子之核體

40．．．容器

41．．．分散液

114．．．第二焊錫粒子

114a．．．焊錫被膜

圖1為說明本發明第一實施形態之電路基板之製造步驟之步驟圖。

圖2為說明本發明第一實施形態之電路基板之製造步驟之步驟圖。

圖3為說明附著第一焊錫粒子之步驟之模式圖。

圖4為說明本發明第二實施形態之電路基板之製造步驟之步驟圖。

圖5為說明本發明第三實施形態之電路基板之製造步驟之步驟圖。

圖6為說明本發明第四實施形態之電路基板之製造步驟之步驟圖。

圖7為說明本發明第五實施形態之電路基板之製造步驟之步驟圖。

圖8為說明本發明第六實施形態之電路基板之製造步驟之步驟圖。

1．．．電路基板

1a．．．電路基板上面

2．．．端子部

3．．．抗蝕層

4．．．端子部表面

5．．．第一黏著層

6．．．開口部

11．．．核體

12．．．核體表面

13．．．第二黏著層

14．．．第一焊錫粒子

Claims (18)

1. 一種電路基板之製造方法，其特徵為具備：於電路基板之端子部表面上塗佈第一賦予黏著性之化合物而形成第一黏著層之步驟，使核體附著於前述端子部之前述第一黏著層上之步驟，於前述核體表面上塗佈第二賦予黏著性之化合物而形成第二黏著層之步驟，使第一焊錫粒子附著於前述核體表面之前述第二黏著層上之步驟，及使前述第一焊錫粒子熔融，於前述核體表面上形成焊錫層之步驟。
2. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，其具備下列步驟而成：於前述端子部表面上塗佈前述第一賦予黏著性之化合物而形成前述第一黏著層之步驟，透過前述第二黏著層，使表面上附著有前述第一焊錫粒子而成之附著第一焊錫粒子之核體附著於前述第一黏著層上之步驟，及使前述第一焊錫粒子熔融，於前述核體表面上形成前述焊錫層之步驟。
3. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，其中於使前述第一焊錫粒子附著於前述第二黏著層上之步驟之後，具有透過前述第一黏著層使前述第二焊錫粒子附著於前述端子部表面上之步驟，且形成前述焊錫層之步驟之際，前述第一焊錫粒子與前述第二焊錫粒子同時熔融。
4. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，其中在將前述核體附著於前述第一黏著層上之步驟與形成前述第二黏著層之步驟之間，具有透過前述第一黏著層使前述第二焊錫粒子附著於前述端子部表面上之步驟，且形成前述焊錫層之步驟之際，使前述第一焊錫粒子與前述第二焊錫粒子同時熔融。
5. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，其中形成前述第一黏著層之步驟之前，具有使前述第二焊錫粒子附著於前述端子部表面上之步驟，且形成前述焊錫層之步驟之際，使前述第一焊錫粒子與前述第二焊錫粒子同時熔融。
6. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，其中具備下列步驟：使前述第二焊錫粒子附著於前述端子部表面上之步驟，使前述第二焊錫粒子熔解，於前述端子部表面上形成焊錫被膜之步驟，及透過前述焊錫被膜於前述端子部表面上塗佈第一賦予黏著性之化合物而形成第一黏著層之步驟，且，形成前述焊錫層之步驟之際，使前述第一焊錫粒子與前述焊錫被膜同時熔融。
7. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，其中具備下列步驟：利用電鍍法於前述端子部表面上形成焊錫被膜之步驟，及透過前述焊錫被膜於前述端子部表面上塗佈第一賦予黏著性之化合物而形成第一黏著層之步驟，且，形成前述焊錫層之步驟之際，使前述第一焊錫粒子與前述焊錫被膜同時熔融。
8. 如申請專利範圍第3項之電路基板之製造方法，其中前述第二焊錫粒子之平均粒徑為1μm以上且為前述第一焊錫粒子之平均粒徑之0.4倍以下。
9. 如申請專利範圍第4或5項之電路基板之製造方法，其中前述第二焊錫粒子之平均粒徑為1μm以上且為前述核體之平均粒徑之0.5倍以下，且較前述第一焊錫粒子為小。
10. 如申請專利範圍第9項之電路基板之製造方法，其中前述第二焊錫粒子之平均粒徑為5~10μm。
11. 如申請專利範圍第6項之電路基板之製造方法，其中前述第二焊錫粒子之平均粒徑為1μm以上且為前述端子部之直徑之1/3以下。
12. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，其係將具有前述第一黏著層之前述電路基板浸漬於包含前述核體之分散液中，使前述核體附著於前述第一黏著層上。
13. 如申請專利範圍第2項之電路基板之製造方法，其係將具有前述第一黏著層之前述電路基板浸漬於包含前述附著第一焊錫粒子之核體之分散液中，使前述附著第一焊錫粒子之核體附著於前述第一黏著層上。
14. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，其係將附著有具有前述第二黏著層之前述核體之前述電路基板浸漬於包含前述第一焊錫粒子之前述分散液中，使前述第一焊錫粒子附著於前述核體表面上。
15. 如申請專利範圍第2項之電路基板之製造方法，其係將具有前述第二黏著層之前述核體浸漬於包含前述第一焊錫粒子之分散液中，使前述第一焊錫粒子附著於前述第二黏著層上，形成前述附著第一焊錫粒子之核體。
16. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，其係使用金屬球作為前述核體。
17. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，其中前述核體係由銅所構成。
18. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，其中形成前述第一黏著層之步驟中，在前述電路基板上形成具有使前述端子部露出之開口部之絕緣層之後，形成前述第一黏著層。