JP2004179188A - 外部電極形成体および外部電極構造 - Google Patents
外部電極形成体および外部電極構造 Download PDFInfo
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Abstract
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極形成対象に外部電極を形成するための外部電極形成体、および外部電極形成体を用いて形成される外部電極構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
電気機器、たとえば携帯電話および携帯情報機器などの小形化および軽量化にともなって、半導体装置が小形化および軽量化されている。小形化および軽量化された半導体装置として、ベアチップ半導体装置およびチップサイズパッケージ(Chip Size Package:略称CSP)構造の半導体装置がある。これら半導体装置の実装の高密度化のために、半導体装置と回路基板とを電気的および機械的に接続するための外部電極が、半導体装置に形成される。
【0003】
図8は、従来の技術の外部電極構造1を示す断面図である。図9は、従来の技術の半導体装置3と回路基板5との実装構造6を示す断面図である。外部電極2は、半導体装置3のランド4に形成される。外部電極2は、全体が同一の金属材料から成る。半導体装置3は、外部電極2が加熱されることによって流動化され、回路基板5のランド7に機械的および電気的に接続される。
【0004】
図10は、従来の技術の半導体装置3の実装構造6を亀裂9が生じた状態で示す断面図である。半導体装置を実装するにあたって、外部電極2が加熱されるので、外部電極2と半導体装置3および回路基板5との熱膨張係数の違いによって、外部電極2の半導体装置3および回路基板5との接続部8に、熱応力に起因するひずみが発生する。このひずみによって外部電極2に金属疲労が生じ、外部電極2に亀裂9が発生する。亀裂9は時間の経過とともに進展し、やがて破断に至り、半導体装置3と回路基板5との接続不良が発生するおそれがある。
【0005】
図11は、他の従来の技術の半導体装置3と回路基板5との実装構造12を示す断面図である。図10に示すような課題を解決するために、接合材10と内包部材11とから成る外部電極13があり、この外部電極13の内包部材11は、弾性を有する球形状の部材であって、接合材10は内包部材11を覆って設けられる。接合材11ははんだから成り、内包部材10は、合成樹脂から成る。この内包部材10によって、熱応力を緩和している(たとえば、特許文献1参照)。
【0006】
【特許文献1】
特開平8−213400号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
図12は、図11の半導体装置3に外部電極13において、接合材11が少ない場合の外部電極13を示す断面図である。半導体装置3を回路基板に実装した場合に、半導体装置3と回路基板との間隔は、実装後の外部電極13の高さに基づいて決まるので、前記間隔を大きくするためには、外部電極13を構成する内包部材10を大きくしなければならない。外部電極構造14において、内包部材10を大きくすると内包部材10の体積に対して、外部電極13を構成する接合材11の体積が小さくなりやすく、この場合、外部電極13が形成されるランド4の近傍において、外部電極13にくびれが生じるおそれがある。くびれが生じると、くびれの部分に応力が集中し、亀裂15が発生するおそれがあり、外部電極13の強度が低下する。
【0008】
したがって本発明の目的は、外部電極の強度の低下を防ぐことができる外部電極形成体および外部電極構造を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は、電極形成対象に設けられる円形状の被電極形成部に電気的および機械的に接合することによって、電極形成対象に外部電極を形成するための外部電極形成体であって、
略球形状の内包部材と、
内包部材を覆って設けられ、導電性を有するとともに、内包部材の融点および熱分解温度よりも低い融点を有する材料から成り、被電極形成部に電気的および機械的に接合される接合材とを含み、
被電極形成部の半径P、内包部材の半径R、および外部電極形成体を被電極形成部に接合したときの被電極形成部とは反対側部分における接合材の厚み寸法Zを用いて、内包部材の半径Rおよび厚み寸法Zの合計を半径とする仮想球体と被電極形成部との関係を表す角度θが、
【0010】
【数4】
と表されるとき、
【0011】
内包部材を覆って設けられる接合材の体積Vが、
【数5】
と表される最小体積Vmin以上であることを特徴とする外部電極形成体である。
【0012】
本発明に従えば、電極形成対象の被電極形成部に外部電極を形成するための外部電極形成体は、内包部材と接合材とを含んで構成される。被電極形成部は円形状であって、外部電極形成体は被電極形成部に電気的および機械的に接合され、外部電極が形成される。内包部材は、略球形状であり、接合材は、内包部材を覆って設けられる。接合材は、導電性を有するとともに、内包部材の融点および熱分解温度よりも低い融点を有する材料から成り、被電極形成部に電気的および機械的に接合される。したがって、接合材だけを溶融させて、外部電極を形成することができ、内包部材の形状は一定に保つことができる。これによって外部電極の突起高さを、内包部材の直径よりも高く形成することができるので、電極形成対象と、外部電極を介して電極形成対象に機械的および電気的に接合される電気部品との距離を、外部電極によって保つことができる。
【0013】
また形成される外部電極の形状が、内包部材の半径Rおよび被電極形成部とは反対側部分における接合材の厚み寸法Zの合計を半径とする仮想球体を、被電極形成部の中心に載置し、被電極形成部の周縁から延びて仮想球体に外接する仮想円錐台を想定し、仮想球体と仮想円錐台とに囲まれた形状であるときの接合材の体積を最小体積Vminとする。厚み寸法Zは、外部電極が形成される温度にて流動化された接合材が、接合材の内包部材に対する付着特性に基づいて決定される。厚み寸法Zに応じて、外部電極形成体の接合材の厚み寸法を変更することによって、接合材の体積Vが、前記最小体積Vminの関係式である最小体積関係式によって求まる最小体積Vmin以上にすることができる。したがって外部電極に応力が集中する部分が生じにくくなり、接合材の体積Vに起因する外部電極の強度の低下を防ぐことができる。
【0014】
また本発明は、接合材の体積Vが、
【数6】
と表される最大体積Vmax以下であることを特徴とする。
【0015】
本発明に従えば、接合材の体積Vは、外部電極が被電極形成部の周縁から延びる仮想球欠であるときの、接合材の体積を求める式である最大体積関係式によって求められる最大体積Vmax以下である。したがって接合材の体積Vの体積増加率に対して、大きい外部電極の突出高さの高さ増加率を得ることができる。
【0016】
また本発明は、内包部材の表面は、銅、ニッケル、金および銀のうち、少なくとも1つ以上と不可避的不純物とを含む金属から成ることを特徴とする。
【0017】
本発明に従えば、内包部材の表面は、銅、ニッケル、金および銀のうち、少なくとも1つ以上と不可避的不純物とを含む金属から成るので、接合材の内包部材に対する濡れ性が向上する。したがって接合材が、内包部材の表面の全面にわたって付着するように構成することができ、外部電極の表面を滑らかな曲面状に形成することができる。
【0018】
また本発明は、内包部材は、半径方向に少なくとも2層以上の層構成を有し、最外層が金属から成り、最内層が非金属から成ることを特徴とする。
【0019】
本発明に従えば、内包部材は、半径方向に少なくとも2層以上の層構成を有し、最外層が金属から成り、最内層が非金属から成るので、非金属の物性を外部電極形成体に反映させることができる。また最外層が金属から成るので、接合材の内包部材に対する濡れ性が向上する。したがって接合材が、内包部材の表面の全面にわたって付着するように構成することができ、外部電極の表面を滑らかな曲面状に形成することができる。
【0020】
また本発明は、最内層は、合成樹脂から成ることを特徴とする。
本発明に従えば、最内層は、合成樹脂から成るので、合成樹脂の物性を外部電極形成体に反映させることができる。したがって外部電極に生じる応力を、合成樹脂の有する弾性によって緩和することがき、外部電極の強度を向上することができる。
【0021】
また本発明は、接合材は、錫および鉛を含む合金から成ることを特徴とする。本発明に従えば、接合材は、錫および鉛を含む合金から成るので、接合材をより低い融点を有する材料にすることができる。したがって、より少ない熱量によって、外部電極を形成することができるので、外部電極を容易に形成することができる。また接合材の融点が低くなることによって、内包部材は、融点および熱分解温度がより低い材料を用いることができ、内包部材の材料を容易に選択することができる。
【0022】
また本発明は、接合材は、鉛を除く残余の材料であって、錫、銀および銅のうち少なくとも1つ以上を含む金属から成ることを特徴とする。
【0023】
本発明に従えば、接合材は、鉛を除く残余の材料であって、錫、銀および銅のうち少なくとも1つ以上を含む金属から成るので、鉛による環境への影響を排除することができる。
【0024】
また本発明は、前記外部電極形成体が、電極形成対象の被電極形成部に電気的および機械的に接合されて構成される外部電極構造である。
【0025】
本発明に従えば、外部電極構造は、前記外部電極形成体が、電極形成対象の被電極形成部に電気的および機械的に接合されて構成される。したがって、くびれを生じない外部電極を実現し、外部電極の強度を向上することができる外部電極構造を実現することができる。
【0026】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の実施の一形態である外部電極形成体20を用いて形成した外部電極構造21を示す断面図である。図2は、外部電極形成体20を示す断面図である。外部電極形成体20は、略球形状に形成され、内包部材22と接合材23とを含んで構成される。接合材23は、内包部材22を覆って設けられ、導電性を有するとともに、内包部材22の融点および熱分解温度よりも低い融点を有する材料から成る。接合材23は、鉛(Pb)を除く残余の材料であって、錫(Sn)、銀(Ag)および銅(Cu)のうち少なくとも1つ以上を含む金属から成り、具体的には、たとえばSn−3.5AgおよびSn−3.0Ag−0.5Cuなどから成る。これらの材料の融点は摂氏220〜230度である。内包部材22は、略球形状である。
【0027】
外部電極構造21は、外部電極形成体20が電極形成対象である電子部品24の被電極形成部であるランド25に電気的および機械的に接合されて構成される。電子部品24は、たとえばベアチップ半導体装置、CSP型半導体装置およびウェハプロセスCSP型半導体装置などである。ランド25は、電子部品24に設けられ、円形状に形成され、ランド25は、たとえば銅、ニッケル(Ni)および金(Au)のうち少なくとも1つ以上を含む金属から成る。
【0028】
外部電極構造21を構成する外部電極26の形状が、内包部材22の半径Rおよび接合材23の厚み寸法Zの合計を半径とする仮想球体をランド25の中心に載置し、ランド25の周縁から延びて仮想球体に外接する仮想円錐台を想定し、仮想球体と仮想円錐台とに囲まれた形状であるときの接合材23の体積を、最小体積Vminとする。
【0029】
ランド25の周縁から延びて仮想球体に接する位置と仮想球体の中心とを結ぶ仮想直線と、ランド25の中心と仮想球体の中心とを結ぶ仮想直線とが成す角度を角度θとする。ランド25の半径P、内包部材22の半径R、および外部電極形成体20をランド25に接合したときのランド25とは反対側部分における接合材23の厚み寸法Zを用いて、角度θが表せる。角度θは、半径Pを、半径Rと厚み寸法Zとの和で除した値の逆正接関数を求め、求めた値を2倍した値で表される。したがって角度θは、次式(1)で表される。tan−1は、逆正接関数を示す。厚み寸法Zは、接合材23の内包部材22に対する付着特性に基づいて決まる値である。
【0030】
【数7】
【0031】
半径Rおよび厚み寸法Zの合計を半径とする仮想球体の体積から、内包部材22の体積を除いた仮想中空球体の体積を体積V1とする。体積V1は、半径Rおよび厚み寸法Zの合計の3乗から半径Rの3乗を減じ、減じた値に円周率πを乗じて4倍して3で除した値である。したがって体積V1は、次式(2)によって表される。
【0032】
【数8】
【0033】
ランド25の周縁から延びて仮想球体に外接する仮想円錐台を想定したとき、仮想円錐台の軸線方向一方の端面の半径は、ランド25の半径Pであり、軸線方向他方の端面の半径Lは、仮想球体の半径と角度θとの関係から求まる。半径Lは、半径Rおよび厚み寸法Zの合計に、正弦関数に角度θを代入した値を乗じた値である。したがって半径Lは、次式(3)によって表される。sinは、正弦関数を示す。
L=(R+Z)×sinθ …(3)
【0034】
仮想円錐台の両端面間の距離である高さHは、仮想球体の半径と角度θとの関係から求まる。高さHは、1から余弦関数にθを代入した値を減じ、減じた値に半径Rおよび厚み寸法Zの合計を乗じた値である。したがって高さHは、次式(4)によって表される。cosは、余弦関数を示す。
H=(R+Z)×(1−cosθ) …(4)
【0035】
仮想円錐台の体積を体積V2とする。仮想円錐台の体積V2は、半径Lと半径Pと高さHとの関係から求まる。体積V2は、半径Lの2乗と半径Pの2乗と半径Lおよび半径Pの積との合計に、高さHと円周率πとを乗じて、3で除して求められる。したがって体積V2は、次式(5)によって表される。
【0036】
【数9】
【0037】
式(5)に式(3)および式(4)を代入すると、仮想円錐台の体積V2は次式(6)によって表される。
【0038】
【数10】
【0039】
仮想球体と仮想円錐台とが重複する領域である第1仮想球欠の体積を、体積V3とする。体積V3は、第1仮想球欠の軸線方向の距離である高さHと、第1仮想球欠の半径と関係から求まる。体積V3は、第1仮想球欠の半径である半径Rおよび厚み寸法Zの合計の3倍から、高さHを減じた値に、高さHの2乗した値と円周率πとを乗じて、3で除して求められる。したがって体積V3は、次式(7)によって表される。
【0040】
【数11】
【0041】
式(7)に式(4)を代入して整理すると、第1仮想球欠の体積V3は次式(8)によって表される。
【0042】
【数12】
【0043】
外部電極26のおける、接合材23の最小体積Vminは、仮想球体の体積V1、仮想円錐台の体積V2および第1仮想球欠の体積V3の関係から求まる。最小体積Vmin、体積V1および体積V2の合計から体積V3を減じて求められる。したがって体積Vminは、次式(9)によって表される。
Vmin=V1+V2−V3 …(9)
【0044】
式(9)に、式(2)、式(6)および式(8)を代入すると、体積Vminは次式(10)によって表される。
【0045】
【数13】
【0046】
外部電極26の形状が、内包部材22の半径Rおよび厚み寸法Zの合計を半径とする仮想球体をランド25の中心に載置し、ランド25の周縁から延びて、仮想球体に外接する第2仮想球欠であるときの接合材23の体積Vmaxとする。体積Vmaxは、第2仮想球欠の体積から内包部材22の体積を減じて求められる。第2仮想球欠の体積を、体積V4とする。体積V4は、第2仮想球欠の軸線方向の高さDと、第2仮想球欠の端面の半径であるランド25の半径Pとによって求められる。体積V4は、半径Pを2乗して3倍した値および高さDを2乗した値の合計に、高さDと円周率πとを乗じて、6で除して求められる。したがって体積V4は次式(11)によって表される。
【0047】
【数14】
【0048】
第2仮想球欠の高さDと仮想球体の直径は等しいので、式(11)の高さDに、半径Rおよび厚み寸法Zの合計の2倍の値を代入すると、体積V4は次式(12)によって表される。
【0049】
【数15】
【0050】
体積Vmaxは、第2仮想球欠の体積から内包部材22の体積を減じて求められるので、体積Vmaxは次式(13)によって表される。
【0051】
【数16】
【0052】
本実施の形態の外部電極形成体20の接合材23の体積Vは、式(10)である最小体積関係式によって表される体積Vmin以上かつ、式(13)である最大体積関係式によって表される体積Vmax以下となるように外部電極形成体20は構成される。本実施の形態の外部電極形成体20は、ランド25の半径Pより内包部材22の半径Rの方が大きくなるように形成される。
【0053】
図3は、外部電極形成体20の内包部材22を示す断面図である。内包部材22は、略球形状であって、半径方向に少なくとも2層以上の層構成を有し、最外層が金属から成り、最内層が非金属から成り、本実施の形態の内包部材22は、2層の層構成を有する。内包部材22の最内層27は、たとえば接合材23の融点よりも高い熱分解温度を有する合成樹脂から成り、具体的には、エポキシ樹脂、ポリカーボネートおよびポリテレフタレートなどの有機重合体および有機共重合体などから成る。内包部材22の表面である最外層28は、銅、ニッケル、金および銀のうち、少なくとも1つ以上と不可避的不純物とを含む金属から成る。
【0054】
図4は、外部電極形成体20を用いて外部電極構造21が形成される過程を示す断面図である。図4(a)は、フラックスから成るフラックス体29をランド25に配置する状態を示す図である。電子部品24は、図示しないワークステージに真空吸着されて固定されている。フラックス体29は、図示しないフラックスステージによって厚み寸法約100μmに形成される。フラックスステージに形成されたフラックス体29は、フラックスピン30に押し当てられて、フラックスピン30に付着する。フラックスピン30に付着したフラックス体29は、フラックスピン30が電子部品24のランド25に対向する位置に移動し、フラックスピン30とともに、ランド25に押し当てられる。押し当てられたフラックス体29は、ランド25に付着し、フラックスピン30からは分離される。図4(b)は、マウントヘッド31に外部電極形成体20が真空吸着されている状態を示す図である。外部電極形成体20を収納している収納容器32に、気流を送り、気流によって外部電極形成体20を浮遊させる。マウントヘッド31は、その内部31aを真空状態にすることによって、吸着力が発生し、その吸着力によって、マウントヘッド31の吸着部31bに浮遊している外部電極形成体20が真空吸着される。図4(c)は、外部電極形成体20が電子部品のフラックス体29に配置される状態を示す図である。外部電極形成体20を真空吸着している状態のマウントヘッド31を、電子部品24のランド25に対向する位置に移動し、外部電極形成体20とフラックス体29とが接触する位置で、マウントヘッド31の真空状態を解除して、吸着力をなくし、マウントヘッド31から外部電極形成体20が分離される。図4(d)は、外部電極形成体20がランド25のフラックス体29に固定されている状態を示す図である。電子部品24のランド25に配置されているフラックス体29に、フラックス体29が有する粘着力によって、外部電極形成体20は固定される。外部電極形成体20が固定されている状態で、外部電極形成体20を、接合材23の融点より高くかつ内包部材22の熱分解温度より低い温度に加熱し、接合材23だけを溶融させる。図4(e)は、外部電極26がランド25に形成された状態を示す図である。外部電極形成体20の接合材23が溶融したことのよって、ランド25に外部電極26が形成される。外部電極26の突起高さは、内包部材22の形状は一定なので、内包部材22の直径よりも高くなる。
【0055】
図5は、接合材23の体積Vが、最小体積Vminより小さい場合の外部電極構造40を示す断面図である。外部電極形成体20の内包部材22の半径Rを141.5μmに形成し、内包部材22を覆う接合材23の厚み寸法を8.5μmに形成し、外部電極形成体20の直径を300μmとして、外部電極41を形成する場合、接合材23の体積Vは2.27×10−12m3である。ランド25の半径Pを140μmでとし、外部電極41のランド25とは反対側部分の厚み寸法Zは、接合材23の内包部材22に対する付着特性である濡れ性に基づいて3μmである。これらの値を最小体積関係式に代入すると、最小体積Vminは3.64×10−12m3である。したがって接合材23の体積Vは、最小体積Vminより小さい。接合材23の体積Vは、最小体積Vminより小さい場合、外部電極41にくびれが生じるので、くびれ部41aに応力が集中しやすくなり、くびれ部41aに亀裂が生じるおそれがある。
【0056】
本実施の形態である外部電極形成体20を用いて形成される外部電極構造21は、接合材23だけを溶融させて、外部電極26を形成することができ、内包部材22の形状は一定に保つことができる。したがって外部電極26の突起高さを、内包部材22の直径よりも高く形成することができるので、ランド25と、外部電極22を介してランド25に機械的および電気的に接合される回路基板との距離を、外部電極26によって保つことができる。
【0057】
厚み寸法Zは、外部電極26が形成される温度にて流動化された接合材23が、接合材23の内包部材22に対する付着特性に基づいて決定される。厚み寸法Zを変更することによって、接合材23の体積Vが、最小体積関係式によって求まる最小体積Vmin以上にすることができる。接合材の体積Vが最小体積Vmin以上であるので、外部電極26の形状にくびれが生じないように外部電極26を形成することができる。したがって外部電極26に応力が集中する部分が生じにくくなり、接合材23の体積Vに起因する外部電極26の強度の低下を防ぐことができる。
【0058】
本実施の形態の外部電極形成体20を用いて形成される外部電極構造21は、接合材23の体積Vが、最大体積関係式によって求められる第2仮想球欠の体積である最大体積Vmax以下である。したがって接合材23の体積Vの体積増加率に対して、大きい外部電極26の突出高さの高さ増加率を得ることができる。
【0059】
また外部電極形成体20の内包部材22の表面は、銅、ニッケル、金および銀のうち、少なくとも1つ以上と不可避的不純物とを含む金属から成るので、接合材23の内包部材22に対する濡れ性が向上する。したがって接合材23が、内包部材22の表面の全面にわたって付着するように構成することができ、外部電極26の表面を滑らかな曲面状に形成することができる。
【0060】
また外部電極形成体20の内包部材22は、半径方向に少なくとも2層以上の層構成を有し、最外層28が金属から成り、最内層27が非金属から成るので、非金属の物性を外部電極形成体20に反映させることができる。また最外層28が金属から成るので、接合材23の内包部材22に対する濡れ性が向上する。したがって接合材23が、内包部材22の表面の全面にわたって付着するように構成することができ、外部電極26の表面を滑らかな曲面状に形成することができる。
【0061】
また内包部材22の最内層27は、合成樹脂から成るので、合成樹脂の物性を外部電極形成体20に反映させることができる。したがって外部電極26に生じる応力を、合成樹脂の有する弾性によって緩和することがき、外部電極26の強度を向上することができる。
【0062】
また接合材23は、錫および鉛を含む合金から成るので、接合材23をより低い融点を有する材料にすることができる。したがって、より少ない熱量によって、外部電極26を形成することができるので、外部電極26を容易に形成することができる。また接合材23の融点が低くなることによって、内包部材22は、融点および熱分解温度がより低い材料を用いることができ、内包部材22の材料を容易に選択することができる。
【0063】
図6は、本発明の実施の他の形態の外部電極形成体を用いて形成した外部電極構造51を示す断面図である。本実施の形態の外部電極構造51は前述した外部電極構造21と類似しており、対応する構成に同一の参照符を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。本実施の形態の外部電極形成体は、内包部材22の最外層28は銅から成り、接合材23は、Sn−3.5Agから成る。外部電極形成体の接合材23の厚み寸法を16μmと形成し、外部電極形成体の直径を300μmとして、外部電極52を形成する場合、接合材23の体積Vは4.06×10−12m3である。ランド25の半径Pを140μm、内包部材22の半径Rを134μmとし、外部電極52のランド25とは反対側部分の厚み寸法Zは、接合材23の内包部材22に対する付着特性である濡れ性に基づいて3μmである。これらの値を最小体積関係式に代入すると、最小体積Vminは3.57×10−12m3である。またこれらの値を最大体積関係式に代入すると、最大体積Vmaxは9.13×10−12m3である。したがって接合材23の体積Vは、最小体積Vminより大きくかつ最大体積Vmaxよりも小さい。ランド25の半径Pと内包部材22の半径Rと厚み寸法Zとの関係から、外部電極52の形状は、内包部材22の半径Rおよび厚み寸法Zの合計を半径とする仮想球体をランド25の中心に載置し、ランド25の周縁から延びて仮想球体に外接する仮想円柱を想定するとき、仮想球体と仮想円柱に囲まれる形状となる。
【0064】
本実施の形態の外部電極形成体は、外部電極52にくびれ部が生じないように外部電極構造51を構成することができる。したがって前述の実施の形態である外部電極形成体20を用いて形成される外部電極構造21と同様の効果を達成することができる。
【0065】
図7は、本発明の実施のさらに他の形態の外部電極形成体を用いて形成した外部電極構造61を示す断面図である。本実施の形態の外部電極構造61は前述した外部電極構造21,51と類似しており、対応する構成に同一の参照符を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。本実施の形態の外部電極形成体は、内包部材22の半径Rおよび厚み寸法Zの合計よりも、ランドの半径Pの方が大きくなるように形成される。接合材23の体積Vは、最小体積Vminより大きくかつ最大体積Vmaxよりも小さい値である。
【0066】
本実施の形態の外部電極形成体は、外部電極62にくびれ部が生じないように外部電極構造61を構成することができる。したがって前述の実施の形態である外部電極形成体を用いて形成される外部電極構造61と同様の効果を達成することができる。
【0067】
接合材は、鉛を除く残余の材料であって、錫、銀および銅のうち少なくとも1つ以上を含む金属から成るように構成してもよい。接合材は、たとえばSn−37Pbなどから成り、Sn−37Pbの融点は約摂氏180度である。したがって鉛による環境への影響を排除することができる。
【0068】
内包部材の最内層は、接合材よりも高い融点を有す材料である、たとえば銅、銀およびセラミックなどから成るように構成してもよい。これによって、電子部品と回路基板との間隔を内包部材によって確実に得ることができ、接続信頼性を向上することができる。
【0069】
外部電極形成体を用いて外部電極形構造を形成する過程において、マウントヘッドに真空吸着されている外部電極形成体に、フラックス体を塗布してから、外部電極形成体とフラックス体とをランドに配置してもよい。これによって外部電極形成体を、フラックス体の粘着性によってランドに固定することができる。
【0070】
外部電極形成体における接合材の厚み寸法が大きくなるにしたがって、外部電極形成体の真球度が低下するので、外部電極形成体がマウントヘッドに真空吸着されにくくなるおそれがある。したがって、接合材の体積Vが最小体積Vmin以上かつ最大体積Vmax以下であって、小さい値であった方がよい。これによって接合材の厚み寸法を小さくすることができ、マウントヘッドに真空吸着されやすい外部電極形成体を形成することができる。
【0071】
接合材が、錫および鉛を含む合金であるはんだから成る場合、フラックス体は接合材と同じはんだから成るように構成してもよい。したがって、外部電極構造の接合材の体積は、外部電極形成体の接合材の体積およびランドに配置されるフラックス体の体積の合計となる。
【0072】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、接合材の体積Vが、最小体積関係式によって求まる最小体積Vmin以上であるので、外部電極の形状にくびれが生じないように外部電極を形成することができる。したがって外部電極に応力が集中する部分が生じにくくなり、接合材の体積Vに起因する外部電極の強度の低下を防ぐことができる。これによって、回路基板に電子部品を実装する場合、外部電極に亀裂が生じにくくなる。
【0073】
また本発明によれば、接合材の体積Vは、最大体積Vmax以下である。したがって接合材の体積Vの体積増加率に対して、大きい外部電極の突出高さの高さ増加率を得ることができる。
【0074】
また本発明によれば、接合材の内包部材に対する濡れ性が向上する。したがって接合材が、内包部材の表面の全面にわたって付着するように構成することができ、外部電極の表面を滑らかな曲面状に形成することができる。
【0075】
また本発明によれば、接合部材の最内層の非金属の物性を、外部電極形成体に反映させることができる。また最外層が金属から成るので、接合材の内包部材に対する濡れ性が向上する。したがって接合材が、内包部材の表面の全面にわたって付着するように構成することができ、外部電極の表面を滑らかな曲面状に形成することができる。
【0076】
また本発明によれば、最内層を形成する合成樹脂の物性を、外部電極形成体に反映させることができる。したがって外部電極に生じる応力を、合成樹脂の有する弾性によって緩和することがき、外部電極の強度を向上することができる。
【0077】
また本発明によれば、接合材は、より低い融点を有する材料にすることができる。したがって、より少ない熱量によって、外部電極を形成することができるので、外部電極を容易に形成することができる。また接合材の融点が低くなることによって、内包部材は、融点および熱分解温度がより低い材料を用いることができ、内包部材の材料を容易に選択することができる。
【0078】
また本発明によれば、接合材は、鉛を除く残余の材料であって、錫、銀および銅のうち少なくとも1つ以上を含む金属から成るので、鉛による環境への影響を排除することができる。
【0079】
また本発明によれば、くびれを生じない外部電極を実現し、外部電極の強度を向上することができる外部電極構造を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態である外部電極形成体20を用いて形成した外部電極構造21を示す断面図である。
【図2】本発明の実施の一形態である外部電極形成体20を示す断面図である。
【図3】外部電極形成体20の内包部材22を示す断面図である。
【図4】外部電極形成体20を用いて外部電極形構造21が形成される過程を示す断面図である。
【図5】接合材23の体積Vが最小体積Vminより小さい場合の外部電極構造40を示す断面図である。
【図6】本発明の実施の他の形態である外部電極形成体を用いて形成した外部電極構造51を示す断面図である。
【図7】本発明の実施のさらに他の形態である外部電極形成体を用いて形成した外部電極構造61を示す断面図である。
【図8】従来の技術の外部電極構造1を示す断面図である。
【図9】従来の技術の半導体装置3と回路基板5との実装構造6を示す断面図である。
【図10】従来の技術の半導体装置3と回路基板5との実装構造6を示す断面図である。
【図11】他の従来の技術の半導体装置3と回路基板5との実装構造12を示す断面図である。
【図12】従来の技術である外部電極構造14を示す断面図である。
【符号の説明】
20 外部電極形成体
21,51,61 外部電極構造
22 内包部材
23 接合材
24 電子部品
25 ランド
26,52,62 外部電極
27 最内層
28 最外層
Claims (8)
- 電極形成対象に設けられる円形状の被電極形成部に電気的および機械的に接合することによって、電極形成対象に外部電極を形成するための外部電極形成体であって、
略球形状の内包部材と、
内包部材を覆って設けられ、導電性を有するとともに、内包部材の融点および熱分解温度よりも低い融点を有する材料から成り、被電極形成部に電気的および機械的に接合される接合材とを含み、
被電極形成部の半径P、内包部材の半径R、および外部電極形成体を被電極形成部に接合したときの被電極形成部とは反対側部分における接合材の厚み寸法Zを用いて、内包部材の半径Rおよび厚み寸法Zの合計を半径とする仮想球体と被電極形成部との関係を表す角度θが、
内包部材を覆って設けられる接合材の体積Vが、
- 内包部材の表面は、銅、ニッケル、金および銀のうち、少なくとも1つ以上と不可避的不純物とを含む金属から成ることを特徴とする請求項1または請求項2記載の外部電極形成体。
- 内包部材は、半径方向に少なくとも2層以上の層構成を有し、最外層が金属から成り、最内層が非金属から成ることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の外部電極形成体。
- 最内層は、合成樹脂から成ることを特徴とする請求項4記載の外部電極形成体。
- 接合材は、錫および鉛を含む合金から成ることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の外部電極形成体。
- 接合材は、鉛を除く残余の材料であって、錫、銀および銅のうち少なくとも1つ以上を含む金属から成ることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の外部電極形成体。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の外部電極形成体が、電極形成対象の被電極形成部に電気的および機械的に接合されて構成される外部電極構造。
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