TWI417979B

TWI417979B - 用於處理及分析基板之平台，裝置，系統及方法

Info

Publication number: TWI417979B
Application number: TW096107062A
Authority: TW
Inventors: Torbjorn Sandstrom; Jarek Luberek; Lars Stiblert; Tomas Lock
Original assignee: Micronic Mydata AB
Priority date: 2005-10-26
Filing date: 2007-03-01
Publication date: 2013-12-01
Also published as: WO2007098935A3; TW200746343A; JP2009528561A; KR20080106261A; WO2007098935A2; KR101415313B1

Description

用於處理及分析基板之平台，裝置，系統及方法

本發明係關於用於處理及分析基板之平台，裝置，系統及方法。

習知平板電視(TV)正替代習知陰極射線管電視(CRTTV)。習知製造方法利用約2×2.5公尺之較大玻璃大小。較大大小之玻璃可允許以有限的面積損失更自由地置放不同大小之螢幕於母玻璃上。按照慣例，製造之螢幕大小愈大，螢幕之置放愈加困難且面積損失愈大。習知生產技術限於約2.5乘3公尺。若玻璃再大，則設備必然非常大、非常重且難以輸送。

基於圓柱形工件固持器之習知影像記錄器用於圖形工業中。圖1A及圖1B展示實例習知滾筒式掃描器。在此實例中，工件可為諸如塑膠薄膜或紙之可撓性薄片。在圖1B中，基板為薄玻璃片，其意欲用於藉由熱轉移而製造顯示器件，詳言之用於濾色器之生產。

用於製造顯示螢幕及太陽電池板的相關技術之較大級別機器具有兩種類型之問題：機器大小及機械附加項。設備之較大大小使得其非常重、昂貴且難以輸送。為了滿足較高輸送量要求，機械速度必須較高。較大質量及較高速度之組合由於加速及減速時間而增加機械附加項。

本發明之實例實施例係關於平板顯示器及製造該等平板顯示器之方法。舉例而言，本發明之至少一實例實施例提供製造使用較薄基板之顯示器之方法。該等顯示器之實例可為薄膜電晶體－液晶顯示器(TFT－LCD)、有機發光二極體(OLED)及表面傳導型電子發射顯示器(SED)；然而，使用至少一較薄基板之其他顯示技術亦可利用本發明之實例實施例。在本文中關於薄片材料而描述實例實施例。然而，實例實施例可同等地應用於連續及/或卷軸式處理。

本發明之實例實施例提供用於使用較大玻璃大小之器件及方法。在至少一實例實施例中，可將玻璃卷為圓柱體，藉此在一維度上將實體大小減小為三分之一。本發明之實例實施例可具有圓柱形狀，此可允許玻璃之較為穩固及/或緊密之移動，減小機器重量。本發明之實例實施例利用相對較薄之玻璃(例如，約0.7 mm、0.62 mm及/或0.5 mm厚)。較薄玻璃可具有較大可撓性，且可卷於具有約1公尺直徑之圓柱體上。

至少一實例實施例提供模組化平台及工具列。模組化平台可基於用於固持及移動工件之台架，且工具列可經組態以承載且移動工具以對基板執行處理及/或分析操作。台架、工具列及工具可經組態從而以不同組合而使用且可具有標準化機械、氣動、液壓、電氣、電子、伺服及資訊通信界面中之至少一者。

至少一實例實施例提供一器具平台以用於執行對較大基板之品質分析及其他評估。

至少一其他實例實施例提供處理平台以用於顯示器件、太陽電池板、LED、電致發光及其他固態發光面板之製造。

至少一實例實施例可用於對大於或等於約5 m² 之工件的相對較高準確度之量測及/或處理。該等工件可為玻璃、塑膠或金屬，且可小於或等於約1 mm厚。

本發明之實例實施例可用於(例如)清潔、沈積、退火、蝕刻、塗佈、顯影、剝離、摩擦、檢驗、修復、圖案化、單一化、切割、隔離等等，且亦可用於分析、量測、檢查、檢驗、修復。在許多情況中，可使用此等操作在工件上形成半導體器件。舉例而言，在LCD－TFT螢幕之電晶體陣列中、在OLED及其他顯示器類型之電晶體底板、OLED結構自身中，及在太陽電池板之光伏打器件中，及在用於固態發光的LED及電致發光面板中。

本發明之實例實施例提供用於處理較大基板之平台。根據本發明之至少一實例實施例，一平台可具有較低質量、較小機械附加項及/或較易於與多種處理工具進行整合。

圖2A說明根據一實例實施例之平台。圖2A之平台可包括框架202。框架202可包括上部支撐結構213U及下部支撐結構213L以及末端支撐結構214L及214R。支撐結構213U、213L、214L及214R可(例如)由一連續段的金屬材料(例如，金屬薄片)形成，且可包括形成於其中用於溫度控制之管207。可藉由使流體(例如，空氣、液體、氣體等等)在方向217上流過管207來控制支撐結構213U、213L、214L及214R之溫度。或者，可以逐段方式形成支撐結構213U、213L、214L及214R，其中個別地形成支撐結構213U、213L、214L及214R中之每一者且隨後對其進行組裝。

每一末端支撐結構214L及214R可包括複數個安裝表面211，在其上可配置、安裝或固定複數個工具列210。可在框架202內配置圓柱體或圓柱形台架201。圓柱體201可具有約1 m之直徑及約2 m之長度。可使用軸承216將圓柱體201安裝於旋轉軸212上。可將諸如馬達之驅動器件203附著至圓柱體軸212之一末端。驅動器件203可驅動旋轉軸212，使得圓柱體201在方向218上旋轉。圓柱體201可為(例如)約500 kg且軸承216可為(例如)靜壓流體軸承；然而，可使用任何合適之軸承。流體可為(例如)空氣、液體、氣體等等。靜壓流體軸承在此項技術中為吾人所熟知，且因此，為了簡潔起見將省略詳細論述。

在至少一實例中，可(例如)藉由靜壓軸承支撐直徑為約1 m且約2.5 m長之圓柱體。軸可為轉子之延伸或可加以固定。

圖3A至圖3D展示根據實例實施例之配置靜壓軸承之複數個不同方式。圖3A至圖3C展示針對水平圓柱體之軸承配置，且圖3D展示針對垂直圓柱體之軸承配置。藉由圖3A至圖3D中之粗黑線表示軸承表面。

圖3E展示軸承之一配置，其可移除圓柱體上之彎曲力，且可抑制歸因於旋轉時之離心效應的彎曲。在水平方向上，該配置在一末端具有靜壓軸承，且可藉由彈簧力而被推至抵靠該靜壓軸承。若軸承使用壓力以及真空，則可由軸承自身產生彈簧力。以此方式，軸承中之間隙可能不視軸或圓柱體之溫度膨脹而形成。

再次參看圖2A，可藉由強制冷卻而控制框架202及圓柱體201之溫度。可藉由使流體(例如，液體、空氣、氣體等等)在方向206上流過旋轉軸212而完成強制冷卻。可將框架202及圓柱體201之溫度控制為約攝氏0度與約攝氏0.01度之間(包括0度及0.01度)的一溫度。舉例而言，可將圓柱體溫度控制為約攝氏0.05度或約攝氏0.01度。

仍參看圖2A，處理平台亦可包括傳送器208以將工件輸送至圓柱體201。將相對於圖18A及圖18B更詳細地論述將工件裝載至圓柱體201及自圓柱體201卸載工件。

可將根據至少一些實例實施例之處理平台建置為模組化系統，其中圓柱形台架可配備有一或若干個工具列。每一工具列可具有一或多個工具。因此，可僅使用單一工具以普通或習知之處理速度來實施單一功能。實例實施例亦可使用單一工具列上之多個工具、多個工具列上之多個工具等等而具有較高能力。可將多個功能建置於同一系統中。根據至少一實例實施例，處理工具可具有多個功能，諸如處理功能及用於工件之對準及用於處理結果之分析的計量。

具有標準界面之模組化平台設計可增加可撓性。標準界面包括(例如)機械界面、電氣界面、通信界面、座標系統、診斷常式、使用者界面表示等等。可將不同工具安裝於圓柱體台架上，但亦可使用配合至模組化系統中之平板台架上的相同工具，此進一步提高整個模組化系統之靈活性。模組化系統可允許不同顯示器製造者無需勉強接受不同螢幕大小且因此無需經常勉強接受不同基板大小(即使在同一代)。根據至少一些實例實施例，具有可再用界面及組件之模組化方法可減少與客製化相關聯之成本。

圖2B說明根據一實例實施例之模組化系統。如圖所示，模組化系統可包括台架、工具列及/或工具。界面之至少一部分由模組之間的線指示。

可對一些界面進行標準化，從而可交換模組。此包括(例如)諸如用於工具列及工具之標準動態安裝台的機械座架或軟體。標準軟體界面可允許由模組執行相同操作及對模組執行相同操作。

另外，模組中之至少一些可具有共同座標系統，使得(例如)撿驗攝影機及修復工具可對於同一缺陷使用相同座標。在一實例中，該共同座標系統可參照工件上之座標，該工件詳言之為處於標準狀態，特定彎曲、應力及溫度狀態(例如，在完成處理之後處於約22.00℃之溫度，不受應力，正面平坦)之工件。共同座標系統可以同一方式進行定向且具有在同一位置之原點，但在一些實例中，座標系統需在不同工具及工具列之間精確地精確對準(直至奈米級)。

藉由共同座標系統，可抽象化許多硬體及校準。舉例而言，在共同座標系統中僅需對於處於標準狀態之工件給出轉移操作，且台架上之工件的變形、溫度及/或對準、工具之對準及座標轉換可藉由下部抽象層(例如，機器、工件控制及/或校準系統)而校正。

返回參看圖2B，台架模組可包括圓柱形台架8301、平板台架8302及"無台架"台架("stage－less" stage)，其中處理及/或計量發生於傳送器8303上。該等台架具有與台架控制器8306及與一或多種工具列(例如，具有工具移動件之工具列8305或不具有工具移動件之工具列8304)的標準界面。可將較大數目的工具類型8307、8308、8309及/或8310安裝於工具列中之一或多者上，且工具列可與含有工具控制硬體及軟體、校準軟體、診斷程式等等之資料系統8311形成界面。模組化系統可同時對同一系統執行多個操作。

返回參看圖2A，可將至少一工具列210配置或安裝於安裝表面211上。然而，根據本發明之實例實施例，平台可包括任何數目之工具列，工具列包括任何數目及任何類型之工具。

圖4說明根據另一實例實施例之平台。如圖所示，圖4之平台可類似於或大體上類似於圖2A之平台，除了圖4之平台可包括額外工具列302，其包括安裝於其上之工具301。驅動器件203可將台架201旋轉至任一角度且工具301可沿工具列302滑動，使得工具301可接取裝載於圓柱體201上之工件之表面上的任一點。

仍參看圖4，工具列302可包括至少一計量器件301以在工件上建立更加精確之座標系統。可藉由對玻璃之彎曲的校正來計算座標系統(例如)以在工件(例如，玻璃片)隨後處於平坦狀態時提供真實座標。下文將更詳細地描述平坦座標系統之計算。

在至少一實例實施例中，計量器件301可包括用於讀取玻璃及/或工件上先前形成及/或圖案化之層的特徵之表面上之基準點之光學器件(圖4中未展示)。計量器件301之光學器件可經固定或沿工具列302滑動以接取工件上之任一點。來自計量器件301之資料可用於多種操作及/或功能。舉例而言，來自計量器件301之資料可用於取得用於評估因高溫處理及/或塗佈/蝕刻而產生之變形的量測值。計量器件亦可用於相對於成形圖案對準分析、檢驗、圖案化及/或處理工具、在操作中產生變形映射以用於當前操作(例如，圖案化)與先前圖案之間的更精確的重疊及/或監視座標系統或支撐結構中之變形及/或漂移。

僅包括一具有一計量器件之工具列的處理平台之實例實施例可稱作基板計量系統。基板計量系統可具有數十奈米之精確度。

工具可沿工具列滑動且停止於一或多個位置以進行分析。舉例而言，諸如顯微鏡之工具可在工具停止時自動聚焦於工件上且向操作者發送視訊影像。因為可藉由操作者或藉由影像辨識而完成精細定位，所以工具定位特定位置所需用之準確度僅需適度地精確。可將其他分析器具整合至同一平台中以產生多用途分析平台。其他分析器具之實例為光學器具，諸如橢偏儀、反射計、散射計、傅立葉變換紅外光譜儀(FTIR)及各種攝影機；掃描探測器具，諸如掃描隧道顯微鏡(STM)、原子力顯微鏡(AFM)、近場光學探針、掃描磁探針、克耳文探針(Kelvin probe)及表面輪廓儀；使用光子、電子、離子、原子或x射線之表面分析工具；化學或物理探針，諸如接觸角探針、溫度探針、聲學顯微鏡等等；及電測試器具，諸如四點探針以及其他器具。

圖4所示之平台具有用於工具列之複數個(例如，四個)額外空閒位置且可固持複數個(例如，五個)單獨的器具，每一器具掃描台架之整個寬度。根據本發明之實例實施例之平台可包括任何數目之工具列，且每一工具列上可安裝多個工具。

工件可為用於製造薄膜電晶體(TFT)螢幕及/或類似類型之顯示器件的半導體(例如，矽)基板或玻璃。可用玻璃大小可視圓柱體之大小而定。表1展示針對不同圓柱體之可用玻璃大小。如所示，L表示圓柱形台架之長度且D表示圓柱形台架之直徑。

雖然在表1中將G9(2400×2800 mm)展示為針對具有3000 mm之長度及1000 mm之直徑之平台的最大標準大小之玻璃，但平台可藉由較大圓柱體而處理更大玻璃片(包括約4 m×約6 m)。

TFT顯示器可包括兩個玻璃片，一者用於電晶體陣列且一者用於濾色器。可藉由使用類似或大體上類似之處理(例如，薄膜之毯覆式沈積、藉由光微影之圖案化)來製造兩個玻璃片且對其進行蝕刻。兩個玻璃片中之每一者可具有約0.5 mm至約0.7 mm(包括0.5 mm及0.7 mm)之厚度，且可具有約2 m乘以約3 m之尺寸。然而，玻璃之厚度及/或大小可變化。

圖5展示根據本發明之另一實例實施例的平台之一實例實施例。圖5之平台可類似於或大體上類似於圖2A所示之平台，除了圖5之平台可包括計量工具列402及檢驗工具列404。檢驗工具列404可包括複數個(例如，四個)光學檢驗頭406。光學檢驗頭406可彼此相同或不同。

參看圖5，如箭頭所示，圓柱體201可旋轉且光學頭406可沿工具列404滑動以覆蓋裝載於圓柱體上之工件的整個寬度。每一光學頭406可藉由攝影機讀取工件之一條帶且將該經讀取之條帶與已知參考圖案進行比較。該參考圖案可為同一條帶之延時部分、來自同一或另一工具列上之另一工具的圖案或自資料庫獲得之參考圖案。將經讀取之條帶與同一條帶之延時部分或來自另一工具之圖案進行比較可稱作晶粒－晶粒檢驗，而將經讀取之條帶與自資料庫獲得之參考圖案進行比較稱作晶粒－資料庫檢驗。實例實施例可各別地或彼此組合地使用每一方法。

舉例而言，晶粒－晶粒檢驗可用於圖案之具有突出週期性的部分，而晶粒－資料庫檢驗可用於圖案之非週期性的部分。具有多個工具可致能晶粒－資料庫檢驗在較多情況下之使用。光學檢驗頭406可為(例如)攝影機，諸如延時積分(TDI)攝影機。TDI攝影機可提供移動物件之較清晰影像。

圖6展示根據本發明之另一實例實施例之平台。圖6所示之平台可類似於或大體上類似於圖2A所示之平台，(例如)除了圖6之平台可包括複數個(例如，兩個)圖案化工具列502及504。圖案化工具列502及504中之每一者可包括至少一噴墨寫入頭506。出於實例之目的，圖6中之工具列502及504包括兩個噴墨寫入頭。每一噴墨寫入頭506可在圓柱體201旋轉時寫入或填充條帶狀區域。條帶可具有一傾斜角，此歸因於在噴墨寫入頭在軸向方向上沿工具列502及504滑動之同時經由圓柱體201之旋轉而同時掃描。噴墨寫入頭506可寫入重疊條帶，且圖案化、寫入或印刷操作可涉及一次以上的通過。換言之，噴墨寫入頭506可通過工件之同一或大體上同一部分一次以上。

工件可為(例如)用於濾色器生產之基板且噴墨寫入頭506可印刷濾色點及/或黑矩陣圖案。噴墨寫入頭亦可印刷間隔劑、LCD液體自身、抗蝕劑、聚醯亞胺、有機及/或無機介電質、鈍化及/或保護薄膜、用於有機LED之活性層、金屬之前驅體及無機層等等。

圖7說明根據本發明之一實例實施例之包括一平台之光學寫入器。如圖所示，圖7之光學寫入器可包括(例如)圖2A之處理平台，及至少一額外工具列602。工具列602可為包括至少一工具604之單一圖案化工具列。在此實例實施例中，工具列602可包括單一工具604，且工具604可為包括雷射掃描器之光學寫入頭。雷射掃描器可為多邊形雷射掃描器或任何其他合適之雷射掃描器；然而，出於實例之目的，圖7將相對於一多邊形雷射掃描器加以論述。固定至工具列602之雷射器608可向雷射掃描器提供雷射束606。雷射器608可為(例如)脈衝準分子雷射器、連續雷射器、調變連續雷射器等等。然而，出於實例之目的，圖7將相對於一具有約100 ns之週期的脈衝雷射器加以論述。在一實例中，雷射器608之波長可為約1.06微米，且脈衝充滿速率(pulse repletion rate)可為約50 kHz。脈衝能量可為約10 mJ且總能量可為約500 W。來自雷射器608之雷射脈衝可由一電子電路(未圖示)觸發。電子電路可計算下一脈衝之時間位置以基於(例如)諸如圓柱體掃描、工具掃描及輔助掃描(例如，相對於工具位置之掃描)之掃描移動而照射工件上之規定或特定位置。

圖7所示之光學寫入器可適於不使用抗蝕劑而形成圖案(此稱作直接結構化)，例如不使用抗蝕劑而直接在基板上形成半導體器件。直接結構化之實例包括雷射切除、熱轉移微影等等。視直接結構化處理而定，波長可為不同的。舉例而言，雷射束606之波長可處於約1.06 nm與約0.193 nm之範圍(包括1.06 nm及0.193 nm)中。另外或替代地，視直接結構化處理而定，脈衝能量可為更高或更低，脈衝充滿頻率(pulse repletion frequency)可為更高或更低及/或可使用具有一或若干掃描器工具之多個工具列。

工具604中之雷射掃描器可視特定應用而以多種方式建構。舉例而言，雷射掃描器可為電流計、多邊形掃描器、全息元件或微機械元件、聲光或電光元件或圓柱體及/或工具之機械掃描。另外或替代地，掃描光束之實例方法為聲光、電光、旋轉或振盪機械或者微機械及全息掃描、藉由圓柱體及/或工具之掃描。

根據至少此實例實施例，光學寫入器可用以藉由使用光子能及/或熱而產生潛在及/或直接圖案。可將潛在及/或直接圖案寫入於(例如)光阻劑、乳液、金屬或金屬合金薄膜、有機薄膜或其他感光性材料中。在另一實例實施例中，可藉由切除而移除材料，或者圖案之形成可視雷射誘發之化學反應、雷射誘發的表面能之改變或者材料自供體薄膜或工件之化學及/或雷射輔助轉移而定。在又一實例實施例中，光學寫入器可使用帶電粒子束或原子束來對工件進行圖案化。

當使用光學寫入頭時，可藉由一或若干掃描雷射束、規劃一或多個一維或二維空間光調變器或使用來自微透鏡陣列的一或多個個別經調變之光點而形成圖案。雷射束之波長可選自(例如)遠紫外(EUV)、過真空紫外、深紫外、中紫外、近紫外、可見光、近紅外至遠紅外或一個以上範圍之組合。美國專利第7,098,993號中已描述使用氮化鎵之帶隙來產生具有一波長之輻射的藉由雷射之照射。或者，雷射束之波長可自約1 nm至約100微米之間(包括1 nm及100微米)選擇。雷射器608可為連續、半連續、直接調變或脈衝的。雷射寫入設備之許多實例實施例藉由資料路徑將向量或演算格式(例如，GDSII、Gerber或OASIS格式)之輸入圖案規格轉換為用於光學寫入硬體之調變信號。

圖8說明根據本發明之另一實例實施例之光學寫入器。圖8之光學寫入器在一定程度上類似於圖7之光學寫入器，除了圖8之光學寫入器包括一包括複數個連續二極體雷射通道的光學寫入頭702。在至少此實例實施例中，雷射二極體可產生具有(例如)約406 nm之波長的雷射束。每一雷射二極體可朝向工件上之給定點發出雷射束。光學寫入頭702可包括複數個雷射二極體(例如，約12,000個)。可對該等雷射二極體進行配置使得在圓柱體旋轉時寫於工件上之平行線的數目等於或大體上等於雷射二極體之數目。

藉由約10 m/s之旋轉速度，可在約一分鐘內藉由約1平方微米之像素寫滿或覆蓋約6 m² 之工件區域。可以約10 MHz之開關速率對雷射二極體進行直接調變。

仍參看圖8，光學寫入頭702可進一步包括投影光學器件(未圖示)。圖9A說明光學寫入頭702中所包括之實例投影光學器件。

圖9A及圖9B說明堆疊於圖8中之寫入頭中的光學通道之實例實施例。

參看圖9A，光學通道800A可包括用於對自雷射二極體802A輸出之雷射束之品質進行修整及/或清理的空間濾波器806A。圖9A展示一較簡單配置，其中光源802A(例如，雷射二極體)可經調變(例如，藉由對至雷射二極體之電流的調變)。藉由透鏡808A將光束聚焦於工件上。實境(real－world)雷射二極體的雷射束品質可能不足以用於較高品質之微影，且圖9A展示由空間濾波器804A及806A進行濾波之光束。在另一實例實施例中，光源可不經調變，但可使用外部調變器。

圖9B說明根據一實例實施例之另一光學通道。圖9B中之光學通道可包括多個個別經調變之光束。

參看圖9B，可藉由光束分光器或扇出元件(例如，扇出繞射光學元件DOE)對來自雷射源802B之雷射束進行分光，可對多個雷射束進行個別調變(例如，使用展示為透射器件之電光或微機械調變器，但一實例實施例亦可能可應用於反射調變器、聲光調變器或其他合適類型)且將其投影至工件上。在此實例中，單一雷射源802b可提供複數個(例如，32個)經調變雷射束，且每一雷射束之成本可得以減少。在至少一實例實施例中，上文所述之12,000個雷射束可由12,000/32或375個光學通道產生，每一光學通道產生32個雷射束。

圖9C說明類似於圖9B中之實例實施例的實例實施例，但進一步包括所添加之透鏡陣列810C。透鏡陣列可允許其餘光學器件以相對較低之數值孔徑(NA，例如，相對較弱之透鏡)建置，且因此得以簡化。系統之解析度由透鏡陣列之NA判定，且此可顯著較高(例如，NA＝0.25)。透鏡陣列元件亦可較小，具有較短焦距且可僅在軸上使用。較小透鏡可比相對較大之透鏡更易於製造為規定前導波品質，且雖然圖9B中之透鏡808B可需要約6至10個光學元件，但透鏡陣列元件中之每一者可為單一的可能為球體的折射表面。圖9C之變形由陣列之製造容差，而非如圖9B中由808B中之透鏡元件的對準來控制。

如上文所論述，圖9C之光學通道可類似於或大體上類似於圖9B之光學通道；然而，圖9C之光學通道可進一步包括微透鏡陣列808C。微透鏡陣列808C可放寬透鏡之所需展度(etendue)(例如，NA與域之乘積)，因為每一微透鏡僅使軸上之單一點成像。微透鏡陣列可對於每一光束具有單一的可能為球體之表面。對於軸上使用之較小或相對較小的透鏡，單一表面之光學品質可為充足的。可藉由安裝或蝕刻折射表面或藉由使用繞射透鏡元件而產生微透鏡陣列808C。使用將每一雷射束分光為複數個雷射束的微透鏡陣列可比如圖9A中每一通道具有一雷射器更具成本效益。

圖9D說明806C中之二維扇出圖案，其具有可組織為表面填充圖案之138個細光束。用於產生此扇出圖案之微透鏡陣列可與亦展示於圖9E中之微透鏡陣列808C相同或大體上相同，除了在此實例中微透鏡陣列可旋轉約180度以解決投影系統之影像反轉。本文論述之實例實施例具有六邊形圖案以堆疊小透鏡，可經旋轉及/或截平使得工具可在工件上繪出138個等間隔或大體上等間隔之平行線。若工具持續且與圓柱體同時移動，則光束圖案可被旋轉至一組合掃描角。光束圖案之斜方包絡可提供向下一條帶之較平穩轉移，此係因為(例如)逐漸地，自左側條帶提供愈來愈少之光束，而由右側條帶提供愈來愈多之光束。或者，線條可在接近條帶邊界處寫入兩次，在左側一次且在右側一次，但可減小所使用之功率以使得總曝光劑量在重疊區域中與在非重疊區域中相同或大體上相同。

圖9F、圖9G及圖9H說明可用於圖9B及/或圖9C中之調變器元件。圖9F展示對應於806B或806C之調變器元件之稀疏陣列。調變器元件之稀疏陣列可為基於光柵光閥之調變器小塊(modulator patch)之陣列。圖9G更詳細地展示一該小塊。可將反射鏡面條帶設定為反射狀態(其中所有反射表面區域處於同相)或非反射狀態(其中已將條帶中之一些以靜電拉至其產生相消干擾之位置，因此產生非反射狀態)。在圖9H中，展示不同微機械反射調變器小塊。在此實例中，傾斜鏡面可藉由在另一方向上鏡面地(例如，數字微鏡面器件(DMD)型鏡面)發送雷射束或藉由繞射(例如，繞射微鏡面)(此兩者中之每一者在此項技術中均為吾人所熟知)來消除反射。至少一實例實施例使用電光調變器之陣列及/或液晶光閥。

圖52展示根據一實例實施例的同時印刷之像素之實例空間配置。圖52中之箭頭表示掃描方向。

參看圖52，5000A至5000C為像素(例如，矩形空間光調變器之影像)之稠密矩陣，其中陣列之列及行與矩形之邊對準。5000A說明一空間光調變器(SLM)，其中像素柵格與寫入方向平行或大體上平行。換言之，在5000A中與掃描之方向對準，5000B旋轉45度且5000C旋轉至一不同角度。5000D、5000E及5000F為稠密矩陣之影像，其中陣列相對於SLM之邊旋轉(例如)45度且旋轉0、45及第三角度。5000G為歪斜或經旋轉使得列在掃描期間位於不同位置之稀疏矩陣。以此實例之方式，可在一或若干次掃描中填滿區域。5000H為像素之稀疏列且可能需要多次通過以填滿區域(若該區域填充為所要的)。5000I為稠密列(例如，一維SLM之一影像)，且5000J及5000K為單一列，其中在掃描方向上移置像素。

圖10A及圖10C說明根據本發明之實例實施例的光學寫入頭。根據至少一些實例實施例，圖10A及/或圖10C之至少一光學寫入頭可包括於光學寫入器之工具列中。

圖10A展示基於一維空間光調變器3902(例如，光柵光閥(GLV))之寫入頭。一列調變器元件3903可藉由許多光源3907(例如，具有或不具有波長轉換之LED、雷射二極體、光纖耦合雷射二極體、氣體雷射器、準分子雷射器、固態雷射器或其類似物)進行照射。照射光學器件可具有合成光學器件3908，其可將來自一光源之光散佈於調變器元件之一或多者(例如，許多或所有)上，而所有或大體上所有光於沿調變器元件之列的方向上成一線而經收集。一維SLM之每一元件可由一或多個光源照射及/或可以角、極化度及/或波長而分離以不在SLM上產生干擾圖案。可使用聚焦透鏡系統而在工件3901上形成影像3904，且光學頭與工件之間的相對運動可產生條帶3905。

SLM線之影像可或可不平行於工件之軸。

圖10B展示圖案3911、3917、3918、3915、3916及3914可藉由SLM 3912、3913等之連續影像寫入的方式。如下文將更詳細論述的，SLM影像之間的角度可減少莫耳(moir)效應或所謂"莫拉(mura)"之發生率。圖10C說明根據一實例實施例的基於二維SLM之寫入頭。一或多個光源可照射寫入頭之照射路徑中之一視場光闌(field stop)。透鏡3908可使光聚焦於照射孔3907上，該照射孔3907可判定照射於SLM 3902之有效區域3903之光的角含量。SLM可具有複數個二維微機械鏡面(例如，繞射鏡面或傾斜鏡面)或者電光或液晶空間光調變器。如在圖10A中，影像3904可形成於工件3901上且多個影像可組織至一起從而形成條帶3905。

圖10C中之寫入頭可提供x－y對稱之影像，而圖10A可能不能提供。圖10D說明提供x－y對稱影像之兩個一維(1－D)SLM之配置。兩個1－D SLM 1001及1004可相對於移動方向1002及1005而傾斜正及負約45度。可存在兩個單獨的SLM或一個以連續方式使用之SLM。該等SLM可寫入條帶1003及1006。在兩個條帶重疊處1007，影像為x－y對稱的。此展示於圖10E中。如圖所示，x及y為工件之座標。移動之方向可平行於y。在垂直於SLM之方向(η)上，成像可實質上為不連貫的，而在平行於SLM之方向(ξ)上，影像可為部分連貫的。如圖10E中所指示，在重疊區域1007(其可覆蓋工件之所有或大體上所有部分)中，影像可為第一與第二曝光之和，其中ξ與η在曝光1與曝光2之間互換。

參看圖10F，若移動方向自y改變為x，則系統可使用正/負約45度之旋轉而以實質上相同之性質寫入。視兩個SLM之置放而定，重疊可藉由兩個SLM發生於單次通過中(1007)，或發生於當前寫入1010、1011與先前條帶1012及1013中之寫入之間。以相對於彼此約90度而配置兩個SLM，且將其自如圖10D及圖10F所示之SLM之角度移動約45度可提供寫入稀疏圖案之更高程度的靈活性。可水平或垂直地掃描台架，任一者均較為有效地覆蓋待寫入之區域。

圖10G展示實例圖案。基板1020可具有八個顯示器1021。每一顯示器可具有中央規則陣列區域及較不規則之周邊區域。可使用不同方法來使兩個區域曝光，例如可使用較小光罩之重複來使規則區域曝光，且可使用無光罩曝光來使周邊區域曝光。可單獨掃描周邊區域。舉例而言，可首先掃描垂直周邊區域，且接著掃描水平區域，或者首先掃描水平區域，且接著掃描垂直周邊區域。如圖10E中所示，可將方法一般化且亦在工件之座標方向偏移以減少莫耳及"莫拉"效應時使用。雖然已相對於一維SLM而描述了實例實施例，但實例實施例可同等地應用於其他寫入機制，例如藉由沿一線掃描之一或多個雷射束而寫入。雷射掃描器具有與上文所述相同之x－y對稱性，且因此，實例實施例可就條帶之方向而增加靈活性。

圖10H說明實例雷射掃描器。如圖所示，至少一光源4702(例如，雷射二極體、氣體雷射器、固態雷射器、LED、連續或脈衝的、直接或經由扇出元件的等等)可在工件4704上成像為光點4703。可藉由光學掃描器4702(例如，雖然展示多邊形掃描器，但可使用諸如電光、微機械、諧振、電流計、稜鏡、全息之其他掃描器或其類似物)而在工件上掃描光點。光學器件與工件之間的相對運動產生條帶4705。

光學寫入頭可進一步包括用於對準及/或聚焦之攝影機及/或感應器。可藉由前饋式聚焦系統使用可在掃描之前或掃描期間產生之高度映射而執行聚焦。可使用高度映射用於前饋聚焦校正。

與純反饋式聚焦系統相比，前饋式聚焦系統可抑制雜訊及/或增強動態性。反饋系統可使用即時感應資訊來校正聚焦。因此，在量測之後應用校正，此亦稱作伺服滯後。為了減小伺服滯後，可提高整個伺服迴路之速度；然而，較快迴路可能導致增加之雜訊。在前饋系統中，可對量測值進行收集、過濾及儲存以用於稍後之應用(例如，應用於下一次掃描)。在此實例中，可在無滯後之情況下應用校正，且因此，伺服之頻寬僅需足以適應聚焦中之所需回轉速率，且可獨立於伺服滯後。聚焦系統中之動態性可提供實質上改良之動態性。

用於對準及/或聚焦之攝影機可拾取基準點之影像及/或已存在於工件上之圖案，且控制器可(例如，即時地)計算工件之變形。攝影機可在圓柱體靜止時取得影像，可藉由脈衝照射而凍結移動及/或使用TDI感應器用於在高速掃描之同時捕捉高品質影像。

圖10B說明使用圖10A或圖10C之光學寫入頭而寫入之實例圖案。

參看圖10B，一維SLM(或等效雷射掃描器)之影像可相對於資料之軸而旋轉。資料可在資料之座標系統中經光柵化3914且再映射至寫入硬體之柵格3919。在至少一實例實施例中，可在經旋轉之硬體的柵格中(例如，立刻)完成光柵化。舉例而言，可將由硬體寫入之每一資料元素指定至幾何圖形(例如，基本像素)。基本像素可在不重疊之情況下共同填充區域。光柵化硬體可計算每一像素與圖案中之寫入特徵(或替代地且等效地，未寫入特徵)的重疊面積。

在實例實施例中，對每一像素之面積指定加權函數，以使得像素映射變為加權重疊。另外，用於加權重疊計算之像素可部分重疊，例如，像素之加權函數可具有基本區域以外之支援。若寫入多次曝光通過，則其可以不同柵格偏移而經光柵化及/或寫入以使得像素映射在至少兩次通過之間為不同的。

圖11說明根據本發明之一實例實施例之裝於外殼中之處理平台。根據本發明之實例實施例，包括於外殼102中之處理平台可為任何處理平台。外殼102亦可收納用於振動隔離、溫度控制、污染控制之其他組件及用於操作臺架之控制器件。圖11之外殼亦可具有用於裝載及卸載工件(未圖示)之機構。

根據本發明之至少一些實例實施例，圓柱形台架可以多種方式進行定向，及/或可具有在一個以上方向上裝載及/或卸載工件之能力。因為可在一個以上方向上裝載及/或卸載圓柱形台架，所以可省略用於控制及/或改變處理軌道中之材料流的機器人機械手(robotic handler)。

圖12A說明根據一實例實施例之具有複數個輸入端及輸出端之圓柱體配置。

圖12B展示可如何在處理軌道內配置圓柱形台架以使得可捕捉工件或允許其通過。如圖所示，承載於處理軌道1102上之一或多個工件1100可視工件之所要順序而通過圓柱形台架1104或由圓柱形台架1104取得。舉例而言，若工件1100需要被延遲，則可由圓柱形台架1104將工件1100自處理軌道1102取開。同時，在圓柱形台架1104上，其他工件可通過圓柱形台架1104且在工件1100之前得以處理。另一方面，若無需延遲，則工件1100可通過圓柱形台架1104且在處理軌道1102上繼續。此配置可用於分析器具，諸如用於取樣品質控制之分析器具。

圓柱形台架亦可用以捕捉工件、固持工件及在改變工件於軌道上之順序的一段時間之後釋放工件。如此項技術中所熟知的，改變一序列中的兩個元件之順序為致能任意排序之較基本操作，且捕捉及/或固持工件之能力允許對工件之排序。

圖12C說明連續排列之複數個圓柱形台架。雖然圖12C僅說明三個圓柱形台架，但類似配置可包括任何數目之圓柱形台架。圖12C中之每一圓柱形台架可與圖12B所示之圓柱形台架相同或大體上相同，且可具有使工件通過或捕捉工件之能力。使用圖12C所示之配置，總輸送量可與級聯之圓柱形台架的數目相關。舉例而言，圓柱形台架愈多，總輸送量愈高。可將任一工件發送至機器中之任一者、對其進行處理且將其發送回至處理軌道上之材料流中。此可提供利用三部分設備之組合能力之改良之靈活性。圓柱形台架亦可為三個不同類型之設備，或可用於排序或改變工件之間的順序。

因為可使用圓柱形台架而對工件進行處理及/或改變工件之工作流程，所以可實現諸如圖13所示之處理單元之較為緊密的處理單元。

圖13展示根據本發明之一實例實施例之處理單元。圖13所示之處理單元可用於微影及/或蝕刻。參看圖13，工件可自左側進入(例如，自堆料機提供)。工件可藉由光阻劑加以塗佈且可在塗佈台800處加以烘焙。在經塗佈及烘焙之後，工件可在曝光台802處曝光且在顯影器804處顯影。在顯影之後，可藉由檢驗台808對工件上之所得光阻圖案進行檢驗。若光阻圖案未通過檢驗，則在剝離台810處對工件進行剝離，且使其返回至塗佈台800。

仍參看圖13，若光阻圖案通過檢驗，則可在蝕刻台806處對工件進行蝕刻，且再次於檢驗台812處對其進行檢驗。若工件通過檢驗或具有可修復之缺陷，則可將工件相應地輸出至堆料機或修復台。若工件未通過檢驗(例如，工件不可修復)，則可將工件輸出以廢棄且丟棄。

藉由在檢驗台808處檢驗工件且在必要的情況下使工件重製(re－spin)，可將光阻影像中之缺陷自對產量之判定移除。雖然可使用習知平板式機器執行類似處理，但由平板式機器及機器人機械手完成之相同或大體上相同之處理可能佔據比本發明之實例實施例所需的面積大若干倍的面積(例如，佔據面積)。

建置較緊密之檢驗－重製及檢驗－修復迴路的能力對於產業而言可為有價值的，因為TV大小之顯示器件可能難以在無歸因於缺陷之產量損失之情況下製造。每一器件之較大面積及每一母玻璃之較少器件可能增加單一缺陷之經濟影響。在器件完成之後可能無法修復缺陷，因為缺陷既而已嵌入於薄膜堆疊中。用於除去缺陷之方法包括在缺陷產生之後立即檢驗並重製或修復缺陷。以此方式，可更有效地將缺陷自產量損失中移除。在生產成本中，約70%為材料，10%為薪金且20%為設備之折舊。因此，產量增加可相對較大地影響生產經濟性且對設備之額外投入可藉由較少的浪費材料及/或較高生產率而得以迅速地回收。

圖13之處理單元可以複數種方式進行定向，例如，分別如圖14A及圖14B所示之水平地或垂直地。

圖14A及圖14B說明圖13之處理單元之實例定向。如圖14A所示，處理單元以水平配置而配置，而在圖14B中，處理單元垂直配置。

圖15A及圖15B展示單一習知平板式機器(圖15A)與根據至少一些實例實施例之圓柱形機器(圖15B)所需之占地面積的比較。如圖所示，使用嵌入於軌道中之圓柱體台架的單件設備與定位於軌道旁且具有一機器人之習知平板式設備相比可小若干倍。圖15A及圖15B亦說明建置具有基於圓柱形台架之設備及在操作者頭頂上方通過之軌道的工廠可提供設備之增加的可接取性及/或可服務性。由於空氣在工廠內自天花板流向地面，因此處理軌道及/或承載於其上之工件更加受到保護免受上升之污染物的影響。另外，根據本發明之至少一些實例實施例，使用圓柱形台架可使主要污染源(例如，人)能夠處於處理區域以下。

圖16展示圓柱體之一實例實施例之橫截面圖。該圓柱體可相對較硬且相對為輕型。如圖16所示，圓柱體可包括向外延伸至軸承之中心管1412。管1412可用作一軸，圓柱體可圍繞其旋轉。管1412可包含(例如)鋁、鋼、複合合金或其類似物。圓柱體可為以軸1406為中心之較大管，且可由內壁1418之網錨定。內壁1418可包含鋁，例如鋁撐桿。內壁1418可形成隔間，可將空氣吹至其中以控制圓柱體之溫度。

第二管1416可配置於管之外部且可形成圓柱體之表面。第二管1416可包含(例如)鋁、鈦、鋼、複合合金材料或其類似物且可為約10 mm厚。可將表面層1410與第二管1416之間的空間劃分為隔間且用於施加一真空以將工件夾緊至圓柱體。表面層1410可為約4 mm厚。可對表面層穿孔以產生真空之路徑。

可能需要針對不同操作而不同地調節圓柱體之表面。舉例而言，塗佈有鐵氟龍之台架在此項技術中熟知為惰性、較易於清潔且無刮痕。對於光學寫入或光學讀取而言，來自圓柱體表面、透明工件之背面之反射及其之間的干擾效應可為有害的(尤其當使用雷射光時)。不細心之設計可能引起可在製成產品中可見的牛頓環(Newton ring)。非反射圓柱體(例如，由對於雷射波長具有較低反射率的陽極化鈦產生的圓柱體)可除去此等牛頓環。

或者，圓柱體表面可具有表面粗糙度或輪廓，使得相位自一點至下一點迅速變化。圓柱體可僅在一些點處接觸基板且此等點可相對較小及/或隨機分佈。

在另一實例實施例中，圓柱體可由具有"濕潤"外觀之表面(例如，液體或黏彈性或膠黏聚合物)覆蓋。上文所述之變化的反射率起源於圓柱體外表面中之反射，且若圓柱體外表面光滑且接近於工件，則該情形由牛頓環而變得更為惡劣。在至少此實例實施例中，工件與空氣之間及空氣與圓柱體之間的單獨表面不存在。實情為，僅存在直接自工件至圓柱體之單一界面。為了避免在工件與圓柱體之間截留空氣，圓柱體表面材料必須至少有一定彈性，諸如薄黏彈性層或膠黏軟質聚合物之層。

由於將工件卷至圓柱體上，因此可在接觸之前將空氣擠出且可達成無氣泡之連續光接觸。同樣地，當卸載基板時可更乾淨地將基板自膠黏表面剝離。圓柱體之表面可能會拾取粒子，但如此項技術中已知，可藉由抵靠(例如)更為膠黏、乾淨之表面滾動或擊打而週期性地清潔污染物及粒子。

圖16所示之圓柱體可為約2 m長，且在彎曲模式下可具有約500赫茲之共振頻率。共振頻率可用以量測圓柱體之剛性。對於高速操作(例如，以高速旋轉)，可調平衡砝碼可用以補償不同玻璃厚度之間的重量差異。

圖17說明根據一實例實施例之包括可調平衡砝碼之圓柱體。如圖所示，圓柱體1500可包括複數個可調及/或固定砝碼1502、1504及1506。雖然圖17出於實例目的僅說明三個可調砝碼，但可使用任何數目之可調砝碼。可固定砝碼1502且可使用致動器將砝碼1504及1506移動或調整為較接近或較遠離圓柱體1500之中心。可調砝碼1504及1506可用於靜態及動態平衡。藉由調整砝碼1504及1506，圓柱體1500在橫截面上之重心可落在旋轉軸1508上。若(例如)在每一末端及一中間位置配置砝碼，則圓柱體可得以對於第一彎曲模式而靜態及/或動態地平衡。如旋轉式機器(例如，發電機)之技術中所熟知，動態平衡可在電腦控制下完成，該控制係基於在旋轉時所量測得的作用於軸承及/或使圓柱體彎曲之力或加速度。

圖18A展示根據一實例實施例之圓柱形台架之水平定向。圖18B展示根據一實例實施例之圓柱形台架之垂直定向。當如圖18A中水平地裝載圓柱體時，可自輸送帶取得工件。當如圖18B中垂直地裝載圓柱體時，可自導軌系統裝載圓柱體。當水平裝載時，可藉由重力將工件保持於適當位置。除了重力之外，可藉由推動器將水平裝載之圓柱體固持於適當位置以迫使工件之邊緣降於圓柱體上從而將工件鎖於適當位置。可藉由真空將工件固持於適當位置以確保表面緊密地遵循圓柱體之表面。在工件之末端處，工件之彈簧力可為主要的力。因此需將其工件之末端更加緊固地固定至圓柱體。可使用可加以控制以捕捉或釋放工件之邊緣的閂鎖。當釋放邊緣以卸載時，推動器接收該力且跟隨工件之末端(在其被展開時)。推動器可為接觸型或非接觸型。

圖19展示根據本發明之一實例實施例之具有面向工件之多孔氣墊的非接觸型推動器。如圖所示，非接觸型推動器1702可配置於工件裝載至圓柱體1700上之位置處，且另一非接觸型推動器1704可配置於工件自圓柱體1700卸載之位置處。

實例實施例提供用於建置較之於習知設備更小、更輕及/或更準確的用於製造顯示器及/或太陽電池板之設備之方法及裝置。使用圓柱體台架之實例實施例之可應用性及/或有用性可視玻璃是否可卷於遠小於玻璃之大小的圓柱體上而定。實例實施例可使用具有約1 m之直徑的圓柱體。玻璃之體積強度可由於(例如)玻璃之表面中的可在受應力狀態下在玻璃上擴張之無規微裂痕而降級。若微裂痕使玻璃之強度降級，則玻璃之容許應力可為玻璃之面積之一函數。愈仔細地對玻璃進行處理，則玻璃具有破壞性裂痕之機率愈小。損壞之機率亦可視玻璃之性質而定，例如擴張裂痕所需之能量。已開發用於顯示器製造之玻璃，其考慮到了此性質且可比標準玻璃堅固。亦可藉由對玻璃進行塗佈而減小損壞之機率。塗層可橋接微裂痕。玻璃片破損之至少一部分開始於玻璃片之邊緣處。邊緣在處理玻璃期間及/或切割玻璃時可能最易損壞。可對玻璃片劃線且將其切割為適當大小。在一實例劃線處理中，滾輪在劃線處產生細裂痕。當稍後將玻璃在劃線上時，玻璃可能破裂。然而，藉由滾輪進行之劃線可能在切割邊緣處留下較小裂痕。此等裂痕可能在玻璃受到應力時擴張至玻璃內且可能在與表面損壞相比之較低應力水準下造成損壞。可使用(例如)金剛石或雷射器執行劃線。雷射劃線在此項技術中係熟知的且產生可實質上無裂痕之邊緣。因為雷射劃線在此項技術中係熟知的，所以為了簡潔起見將省略詳細論述。

圖20為圓柱體直徑與玻璃厚度之曲線圖，其展示單軸彎曲玻璃之表面中的應力、玻璃厚度與圓柱體之直徑之間的關係。玻璃可具有約0.5 mm與約0.7 mm之間(包括0.5 mm及0.7 mm)的厚度(例如，約0.5 mm、約0.62 mm或約0.7 mm)。圖20中之虛線標記0.5 mm、0.62 mm及0.7 mm之玻璃厚度。如圖20所示，具有1 m直徑之圓柱體對於0.7 mm厚之玻璃提供50 MPa且對於0.5 mm厚之玻璃提供約37 MPa。玻璃可高達約3095 mm長(例如，需要直徑為約1.0 m之圓柱體)。在本發明之實例實施例中，在彎至約1 m直徑時的玻璃破損之機率須為每一裝載操作約1/100,000。為了確保此機率，可在裝載之前對玻璃片預加略微較高應力之應力。具有破壞性微裂痕之玻璃片可能在預應力期間破裂且被移除。在無損壞之情況下通過預應力測試之玻璃可較不可能在處理期間破裂。

圖21A及圖21B說明根據實例實施例之預應力器件。參看圖21A，使用滾輪對脆性工件(例如，玻璃片)預加應力。舉例而言，可如圖21A所示經由滾輪饋入工件且可迫使工件以受控方式彎曲。圖21B展示一類似器件，其中以非接觸型氣墊替代滾輪。雖然圖21A及圖21B展示向兩側的大致對稱之彎曲，但藉由改變滾輪(替代地，或空氣墊)之間的距離，應力可為不對稱的。

為了保護邊緣在處理玻璃時不受損壞，可如圖22B至圖22D所示對邊緣進行塗佈，且可將處理玻璃片之機器人設計為不接觸最外邊緣及距離邊緣少許毫米內之帶。如圖22A所示，玻璃片上之處理帶可為(例如)20 mm寬，且可將實際邊緣排除於處理區域之外。可如圖22B所示在處理區域之外對邊緣進行塗佈、如圖22C所示包括處理區域而對邊緣進行塗佈，或者可如圖22D所示對整個表面進行塗佈。

圖23A至圖23D展示根據本發明之一實例實施例之用於避免使邊緣受到與玻璃之內部部分相同程度之應力的方法。當玻璃彎曲時，外表面可經擴張且經受張應力，同時內表面可經壓縮且經受複合應力。裂痕可能由於張應力而擴張。玻璃片內部係應力不歸因於彎曲而改變之位置。此稱作中性層。若玻璃邊緣經修改使得中性層較為接近於外表面，則可減小接近邊緣之張應力的量。在圖23A中，可以一角度切割玻璃，使得在應力由壓縮產生時產生相對較銳利之角且在應力為張應力時產生鈍角。鈍角邊緣較不可能破裂且玻璃片之容許應力可增加。可使邊緣成形(例如，研磨及/或磨光)以使得切邊與外表面之間的拐角可連同由玻璃切割而產生之任何裂痕一起被移除。如圖23C所示，可使用(例如)熱、雷射或藉由在玻璃上形成使邊緣彎曲之應力層而使邊緣向內彎曲。最後，如圖23D所示，可藉由夾緊力(例如，內部之真空或外部之機械壓力)而迫使玻璃向內。

圖24A及圖24B展示根據本發明之一實例實施例之用於切割玻璃邊緣之方法。可以任何習知方式對玻璃劃線，但在使切口破裂時可施加剪切力。彎曲與剪切之組合提供傾斜的切割面。

在處理步驟期間，當玻璃上存在脆性薄膜時，確保脆性薄膜不由於彎曲而破裂可能愈加重要。圖25A至圖25C展示裂痕如何在脆性薄膜中形成。如圖25A所示，玻璃可在頂部及底部均具有一薄膜，且中性層可形成於中部。在彎曲(例如，應變)之特定程度，裂痕可能如圖25B所示開始自薄膜中之缺陷擴張。當玻璃彎曲時，更多裂痕可沿平行線擴張且薄膜可破裂。此通常在如氧化銦錫(ITO)、矽、二氧化矽等等之薄膜中應變超過1%時發生。較短裂痕之開始可能更加難以量化且視薄膜之性質、薄膜與玻璃之楊式模數(Young's modulus)之間的匹配及薄膜之黏著力、薄膜中缺陷之分佈等等而定。然而，可藉由比較玻璃未彎曲時薄膜中之內建應力與玻璃彎曲時薄膜中之應力而估計應力之安全水準。內建應力通常對應於百分之數十之應變，而玻璃之彎曲通常起約0.08%之作用。因此，由彎曲引起之應變可能不會顯著影響薄膜中裂痕之形成。在此實例中，來自彎曲之額外應力可在玻璃經壓平及/或壓縮時發生。圖25C展示在壓縮應力下的玻璃壓曲損壞之實例。

圖26(取自第46屆Annual Technical Conference Proceedings(2003)ISSN 0737－5921的Y.Leterrier等人之"Mechanical properties of transparent functional thin films for flexible displays")展示阻力如何隨ITO薄膜中之應變而增加。急劇上升指示較長平行裂痕之產生，且急彎拐點之前的較緩慢上升為缺陷周圍的較短裂痕之形成。該曲線圖應用於塑膠基板(具有形成於其上之脆性ITO薄膜)，且僅可理解為對玻璃上之ITO薄膜可如何行動之指示。

基板可為玻璃、塑膠、鋼、紙或任何其他薄片材料。舉例而言，若基板為顯示器級玻璃，則基板可具有約4 ppm/K之熱膨脹。諸如ITO之脆性薄膜可具有較高膨脹係數。若在高溫下沈積薄膜，則失配可能使薄膜在冷卻後產生張應力。圓柱體外部之工件的彎曲可能在處於彎曲狀態時添加張應力。台架可受到溫度控制從而以較高準確度控制台架之形狀及/或大小。當將玻璃捲至圓柱體上或置於平板上且將其夾緊時，玻璃可適應於台架之溫度且視裝載玻璃之前的溫度而收縮或膨脹。此收縮或膨脹可能造成問題，諸如台架與工件之間的比例及潛變之改變以釋放溫度變化所引起之應力。

在至少一實例實施例中，可在工件之表面上的一陣列點中量測溫度，可計算工件之溫度變形且可校正座標系統。此實例實施例可適於"較低佔據面積"之台架(例如，如圖61、圖61A及/或圖61B所示)，其中工件相對較快地通過。

在另一實例實施例中，在將基板裝載並夾緊至系統之台架之前可對其進行強制回火。用於對工件進行回火之系統可具有經過濾之回火氣流，其確保基板不接觸任何固體結構。藉由強烈氣流，可在數秒內對基板進行回火，此係歸因於熱在通常可小於或等於約0.7 mm厚的基板中之較短擴散時間。

圖27說明根據一實例實施例之用於控制工件(例如，玻璃)在裝載至圓柱體上之前之溫度的該系統。工件2518可在輸送帶2520上移動且在溫度穩定化器件2500下通過，該溫度穩定化器件2500具有給定或所要溫度之強制經過濾之空氣。

參看圖27，風扇或吹風機2502、2504可產生相較較大之氣流，其可分別由粒子過濾器2508及熱交換器2506進行過濾及/或回火。器件2500可不與工件2518接觸，但空氣可被引至器件中且可造成所有或大體上所有時間中，空氣在器件2500與工件2518之間的間隙2514中之積極流出。若工件2518具有比圓柱體2516高之溫度，則熱交換器2506可降低工件2518之溫度。

如上文所述，設備之不同元件可能需要具有共同座標系統作為對板上之位置的參考。根據至少一些實例實施例，當使用平台時(例如，在計量及/或圖案化中)，可能需要較高準確度之座標系統，例如具有大於或等於約3微米之總精確度及/或大於或等於約1微米之多個工具之間的差異精確度。

在至少一實例實施例中，多個工具之間的差異精確度可大於或等於約100奈米。此水準之精確度為審慎的精確度架構之結果。共同標準座標系統之產生可具有若干要素：台架座標系統之產生、工具與台架座標系統之對準、台架上之工件的對準、對夾緊誘發之變形的校正、對溫度之校正及/或對處理變形之校正。

圖28A及圖28B展示一實例習知圓柱形座標系統。然而，座標系統所需之準確度為玻璃在平坦狀態之準確度以確保與產生於平板式系統中之其他層及電晶體陣列與濾色器之間的較小重疊誤差。按照慣例，座標系統以平坦狀態而界定，但藉由彎曲而變形。

圖29展示根據一實例實施例之圓柱形座標系統。如圖所示，可相對於圓柱體台架之方向而界定並命名座標軸。舉例而言，軸向方向可稱作工具軸，因為此為工具在工具列上滑動所沿之軸。切向軸可稱作鼓軸(drum axis)，且徑向軸可稱作聚焦軸。

圖30展示根據一實例實施例之用於在圓柱體上建立座標系統之裝置。如圖所示，角度編碼盤2802可隨圓柱體2804而旋轉，且線性編碼器2806可沿工具軸而配置。工具列2808參考角度編碼盤2802且提供工具(此是否為線性編碼器2806？)所使用之標度。角度編碼器2802可能經受誤差，諸如(例如，如圖31A所示)旋轉軸之位置的不確定性、角度碼之非線性及/或雜訊。

圖31B展示根據一實例實施例之用於改良編碼盤之角度量測的裝置。每一編碼盤可使用一個以上讀出頭，且角度可自讀數之和及讀數之間的差異而計算。此係如圖31B所示或對於鐘點位置3、4、6及9中之讀出頭而言。若旋轉軸不以編碼器之軸為中心，則誤差可能為符號狀誤差(sign－shaped error)。三點鐘方向與九點鐘方向之間的差異識別軸向上及向下之移動。當三點鐘方向與九點鐘方向之平均值與六點鐘方向比較時，正弦狀誤差分量可提供軸在水平方向上之移動。當已判定軸之離中時，三點鐘方向與四點鐘方向之間的差異可用作對較短週期非線性誤差之指示。最後，無規雜訊狀誤差可藉由平均而減小，且系統誤差可藉由識別隨圓柱體之角度在讀出頭之間移動之相同誤差而減少。使用上文所述之方法，商用角度編碼器可用以建立較為可靠之角度標度，其在圓柱體之表面上具有(例如)數十奈米之誤差。

圖32展示根據一實例實施例之用於執行軸向量測之裝置。裝置3000可包括(例如)干涉計3002。干涉計3004可執行工具3002與編碼盤3006之間的差異量測。

圖33展示根據一實例實施例之用於執行軸向量測之另一裝置。參看圖33，可藉由圓柱體3100上之慣性感應器3104及固定結構3106上之慣性感應器3102來量測角度。可對加速度之差異求積分兩次以提供感應器3104與感應器3102之相對位置。視圓柱體之旋轉速度而定，圖32或圖33之裝置可提供較佳之精確度。

圖34說明根據一實例實施例之用於執行軸向量測之另一裝置。如圖所示，圖34之裝置可包括在工具列3202上之至少一線性編碼器3200，其與圓柱體3206之每一周邊處的至少一線性編碼器3204組合。使用圖34之裝置，由圓柱體3206之非圓性及中心而產生之特定誤差可得到校正及/或自量測中移除。

圖35說明根據一實例實施例之用於產生並使用共同座標系統之裝置。如圖所示，可將標尺(例如，基準標尺)3306附著至圓柱體3308，使得當基準點通過每一工具列3302時，標尺3306之位置可由攝影機(例如，TDI攝影機)3304拾取。基準點可具有二維標記(例如人字形標記)，且攝影機3304可提供x及y位置兩者。在已對每一工具列3302執行同一程序之後，工具列3302中之每一者參考工件上之座標系統。

當工件彎曲時，外表面可擴張且內表面可收縮。中性層可包含可保持不變的固體材料之均勻層板。將此中性層定位於層板之中央且表面處之收縮及擴張可具有相等量值，但不同正負號。

圖36A及圖36B展示根據一實例實施例之用於使用在將工件捲繞或彎曲於圓柱體上時取得的量測值而計算平坦工件上之座標系統之方法。在至少一實例實施例中，圓柱體角度可轉變為一沿中性平面之位置。以此方式，可使用軸之已知位置及工件之內表面及外表面之徑向位置來計算自角度分解器(例如，編碼器)之軸的距離。中性層之局部曲度半徑可得自待計算之點附近的外表面及內表面之量測。中性層之局部曲度半徑可用以計算表面之擴張。

圖36A展示理想狀況，且圖36B展示較為真實之狀況，其具有玻璃厚度之變化、非圓形的圓柱體及逐點變化之曲度中心。誤差展示於垂直於圓柱體軸之橫截面中，但圓柱體之曲度及工件之厚度變化為導致表面處之擴張張量的二維性質。可對此擴張張量進行求積分以得到玻璃在捲繞於圓柱體上時的變形域。

圖36C展示根據一實例實施例之用於量測玻璃之內表面及外表面之位置的器件。圖36C之器件可參考圓柱體之軸。在使用經薄膜塗佈之工件的實例中，薄膜中之應力將以自由狀態使工件彎曲。當夾緊於圓柱體上時，曲度可由圓柱體及工件厚度判定，但薄膜應力可能在工件中產生應力，此使中性層移置且造成橫向變形。可包括於中性層之計算中的薄膜中之應力可補償平坦座標系統之計算。

圖36D更詳細地說明如何將移動至標準工件座標x及y的指令轉換為台架及工具移動至特定工具及台架座標之指令。標準(或抽象化)工件座標為當(例如)稍後工件處於所要的或預定狀態(例如，處於約22.00℃之均勻溫度，不受應力，具有平坦正面)時工件上之座標。此外，標準狀態可處於特定時間(例如，在基板已經處理(具有可能變形、翹曲及收縮)之後)且將與另一面板(例如，濾色器之電晶體陣列)匹配。即使處於不同時間之工件可能並非不受應力、平坦或在規定溫度下處於製成狀態，在工件之表面上之點與標準狀態下的工件上之點之間仍可能存在一一對應之關係。

為了繪製將出現於製成、經回火、平坦且不受應力之工件上的特定x,y座標處之十字，在每一時刻存在應繪製十字之點。可藉由工具及台架座標來控制用於繪製十字之機器。圖36D展示可如何定位針對抽象化座標之台架及工具座標。

參看圖36D，在於S3600D處將工具移動至標準工件x,y座標點之後，可在S3602D處針對標度誤差且針對由當前時刻與標準狀態之間的溫度差異引起之標度誤差而校正標準座標。在S3604D處，可對任何已知系統變形(諸如歸因於高溫退火之收縮)進行校正。在S3606D處，可進一步校正夾緊及彎曲變形。舉例而言，在此環境中，彎曲可為外表面歸因於彎曲之擴張，且夾緊為其他已知變形(例如，歸因於固持力之壓縮)。在至少一實例實施例中，可能相對較難以適當(例如，完全)對準而將較薄工件附著至台架。因此，可能較易於將工件附著至台架且接著量測與台架之錯位。在此實例中，系統可具有對準感應器，其量測工件在機器座標中之位置。可在軟體中將所量測之錯位應用於工件之座標系統。

仍參看圖36D，在S3608D處，可針對與台架之錯位對經校正之座標進一步進行校正。此時，可於S3610D處將工件座標轉換為台架及工具之座標或控制參數。在圓柱體台架及角度編碼器位於軸上之實例中，S3610D處之轉換可包括將沿圓柱體之軸的角度及工具距離轉換為圓柱座標。若工具具有如調處器、攝影機或SLM之內部座標，則亦可計算此等內部座標。

在S3612D處，可將工具偏移應用於座標。若使用一個以上工具或一個以上工具列，則可量測每一工具之工具偏移且將其儲存以用於此校正。在至少一實例實施例中，可相對於一適於工具之性質的共同參考而量測每一工具之偏移。若工具為(例如)攝影機或偵測器，則共同參考可為共同基準點。若工具為具有光束之曝光工具，則共同參考可為(例如)攝影機、偵測器或其類似物。對於參考不易於輕易取得或不實用之一些類型之工具(例如，微施配器)，可使用輔助對準系統(例如，輔助偵測器、攝影機、光源等等)。接著可於S3614D處根據經轉換且經校正之台架及工具座標而移動工具及台架。

圖36E展示用於將工具及台架座標轉換為標準工件座標之方法。換言之，圖36E所示之方法為圖36D所示之方法的反轉。如圖所示，(例如)可記錄特定組之台架及工具座標且可將其轉換為抽象工件座標。雖然圖36D及圖36E中之每一者所示之方法係相對於特定順序而展示，但此僅出於實例目的。可反轉此等圖式中所示之方法之步驟之間的序列，可跳過一或多個步驟及/或可將兩個或兩個以上步驟組合為一操作。

參看圖36E，在S3614E處可輸入台架及工具座標，且在S3612E處可對工具偏移進行校正。可於S3610E處將工具及台架座標轉換為標準工件座標。在S3608E處，可針對與台架之錯位對經校正之座標進一步進行校正。在S3606E處，可進一步校正夾緊及彎曲變形。舉例而言，在此環境中，彎曲可為外表面歸因於彎曲之擴張，且夾緊為其他已知變形(例如，歸因於固持力之壓縮)。在至少一實例實施例中，可能相對較難以適當(例如，完全)對準而將較薄工件附著至台架。因此，可能較易於將工件附著至台架且接著量測與台架之錯位。在此實例中，系統可具有對準感應器，其量測工件在機器座標中之位置。可在軟體中將所量測之錯位應用於工件之座標系統。

在S3604E處，可對任何已知系統變形(諸如歸因於高溫退火之收縮)進行校正。在S3602E處可針對標度誤差且針對由當前時刻與標準狀態之間的溫度差異引起之標度誤差而校正標準座標。在S3600E處可輸出標準工件x,y座標點。

圖37A及圖37B說明根據實例實施例之光罩對準器。圖38A至圖38D展示根據其他實例實施例之光罩對準器。可將工件夾緊至高速台架；在至少一實例實施例中，台架可為圓柱體。與本文所述之其他系統相比，工具列可更加複雜且更龐大。沿工具列滑動之工具可為自光罩之部分投影影像之光學投影系統。在投影工具進行掃描之同時，光罩可相對於工具而掃描以使得可在工件上產生靜止影像。

圖37A將投影光學器件展示為具有自光罩至工件之放大率的黑箱。放大率可在2至5倍之範圍內，例如為3倍，且光罩之面積可比工件小(例如)九倍。在至少一實例實施例中，光罩可含有整個工件之圖案的影像，因此若工件為(例如)2.4×2.8 m，則光罩為0.8×0.93 m。可使用其他放大率。例如2倍或2.5倍之較小放大率可放鬆對光罩之要求，但可能使得曝光設備中之光罩之處理及/或掃描較為困難及/或昂貴。相反地，例如4倍或5倍之較高放大率可使得投影系統之機械設計較為簡單且光罩基底較小，但同時投影系統之光學複雜性及光罩上之圖案化要求可能較為困難。

圖38A至圖38C展示根據一實例實施例之投影系統的較詳細之圖。工件上之所繪條帶可為約140 mm寬，且沿工具軸之掃描速度可為約1 m/s。在條帶之間存在約20 mm之重疊。因此，輸送量為0.1平方米/秒或60秒6 m² 。可使曝光圖案變形以匹配工件上先前產生之圖案的已知變形，或者匹配預期可能發生或稍後存在於處理中(歸因於圖案化、應力、高溫處理或與變形元件之匹配)之變形。可使用光罩之掃描速度相對於投影系統之速度的微小改變而產生沿工具軸之有意變形。舉例而言，在切向方向上，可藉由圓柱體之小角度移動、藉由投影系統中之組件中之一者的機械偏移或傾斜及/或藉由光罩在垂直於掃描方向之方向上的較小移動而產生微小變形。

光罩可為平坦的，但圓柱體上之光場可為彎曲的。可在適合之環場系統中對彎曲場進行校正。

圖38B展示具有一場之環場系統(奧夫納(Offner)型)，其最佳光學性能形成扁平環。然而，圓柱體上之場可能彎離條帶之頂部及底部處之鏡面數毫米。

圖38C展示根據一實例實施例之用於補償圓柱體上之場之彎曲的方法。在此實例實施例中，圓柱體之表面可相對於光學器件之軸而傾斜。傾斜環場可以第一及第二順序與圓柱體之表面配合。藉由使場傾斜，可能發生焦闌性或"著陸角"誤差。可藉由孔徑位置之移位而補償焦闌性誤差。

在圖38B中，將此展示為在奧夫納系統中用作系統孔徑的中央平面鏡之移位。將具有垂直於圓柱體之光軸的組態以實線展示為陰影線且傾斜之組態。光學器件(主要為較大或主要的鏡面)之軸與圓柱體之間的角視圓柱體及主要鏡面之半徑而定且可由光線追蹤而判定從而以最佳方式給出跟隨圓柱體之表面的聚焦表面。偏移孔徑及傾斜之焦平面可能引起增加之像差，其可藉由額外表面及/或偏心或藉由使一些表面非球面而得以校正。

根據實例實施例，具有含有整個玻璃圖案之光罩之放大率且與圓柱體台架一同建置的投影系統可具有益處，諸如：圓柱體台架可允許使用比平板式台架可能使用之玻璃大的玻璃、可基於即時量測而補償圖案內之變形及/或玻璃之布局可不受重複光罩圖案之限制。在相關技術中，(例如)如圖38E所示，將單一光罩之在規模上一一對應的四或六個影像印刷於玻璃上。在未組織之情況下，不可將顯示器製作為大於光罩之大小(通常為玻璃之四分之一)。由於產量問題及/或輸送量之損失，因此組織(例如，得自光罩中之較小區域的較大連續圖案之組合)為不合需要之處理。關於實例實施例，如圖38F所示，可更加自由地使用玻璃上之區域。可藉由最佳化輸出值及玻璃片之使用的方式混合較小顯示器。以此方式，實例實施例可致能較大LCD螢幕及/或藉由其他顯示器技術製造之較大螢幕的生產。

圖37C至圖37E說明根據另一實例實施例之光罩對準器。光罩對準器可包括反射性光罩。光罩可用於在一表面上具有光學性能的玻璃或其他材料中。基板可為玻璃、陶瓷或複合材料，且可為混合物(例如，與碳纖維剛性板熔合之較薄玻璃層板)。

使用實例實施例，碳纖維板及特定陶瓷之熱膨脹可較接近於零。碳具有相對較低之質量及相對較高之比剛性，此可減小施加於光罩及/或光罩處理系統上之重力及慣性力。使用透射光罩，貫穿材料之厚度的光學性能可相對較重要且相對較大的光罩可能變得愈加昂貴，因為其含有較大體積之光學性能材料(例如，熔融矽石)。

圖37C說明一反射光罩，在圖37D中，與平板台架(自邊緣觀察)一起使用反射光罩，且在圖37E中使用圓柱體台架。反射光罩可為非反射的且在反射薄膜中具有一圖案。或者，反射光罩可相對地高度反射且具有吸收或抗反射薄膜之圖案。光罩亦可為相對地高度反射且具有藉由光之繞射而產生光亮、黑暗及視情況之光亮相移區域之深度結構。

圖38D說明放大光罩對準器連同一圓柱形台架。圖38D中之掃描係在垂直於圖38A中之掃描方向的方向上。圓柱體以實質上恆定之速度旋轉且光罩藉由以小M倍之速度而進行之垂直線性運動對其追蹤，其中M為自光罩至工件之放大率。此實例實施例可比圖38A所示之實例實施例簡單，因為該場可為平坦的且光學器件可較為緩慢地移動。但另一方面，可能存在較大機械附加項，因為光罩在光罩每次投影至圓柱體上之間必須執行回描衝程。在一實例實施例中，圓柱體可比工件所需的更大且工件可在圓柱體上具有一間隙(光罩在其期間回描)。在另一實例實施例中，光罩在圓柱體進行空轉的同時回描。換言之，舉例而言，曝光發生於圓柱體之每一第二轉動期間且光罩在每一曝光轉動之間回描。亦有可能允許圓柱體進行交互旋轉移動，但此可能導致較高慣性力、較大馬達及/或較高能量消耗。

顯示器之至少一些生產處理可藉由滾動印刷(類似於書本或報紙之印刷)而進行。顯示器上之所有層可能並非對於大小及/或對準誤差同等地敏感。根據本發明之實例實施例，圓柱形台架適合於各種形式之滾筒印刷。實例實施例提供確保較高尺寸精確度之方法，例如，座標系統之較為精確的產生及/或工件與印刷器之內部座標系統之較為精確的對準。

圖39展示用以自(例如)全場式母體3702(例如，膠印母體或使用矽橡膠之圖案來以墨水產生圖案之所謂無水母體)印刷之實例滾筒印刷器。在一實例中，可直接或可使用轉移滾筒3704而將母體3702壓抵具有工件3710之圓柱體3708。圖39亦展示具有藉由噴墨頭3714沈積之墨水圖案的轉移滾筒3716。噴墨頭3712可替代地直接在工件3710上印刷。

在半導體微影中，壓印("奈米壓印")技術最近已變得較為風行。可將模板機械地壓入基板上之聚合物薄膜中且可達成相對較高(例如，極高)、實質上分子級的解析度。該圖案可服務於器件中之一功能或可在後續處理中形成半導體及其他器件時用作光罩(例如，蝕刻光罩、植入光罩或用於濾除)。壓印處理可提供用於顯示器製造之相對較高之解析度及/或改良之缺陷性質。圖39亦展示用於在工件上壓印之壓印模板3706。可藉由聚合物之熱壓製、熱硬化、光硬化等等而完成壓印圖案之形成。

再次參看圖39，可藉由允許圖案在工件3710之表面上之較精確定位的準確驅動及控制系統來驅動母體3702及轉移滾筒3704、3716。

根據實例實施例，使用圓柱體，可同時在一或多個工件上執行多個操作。較之於在平板式系統上，不同操作可更易於自彼此屏蔽且工件可自不同側同時接取。

圖40展示多操作系統之一實例實施例。參看圖40，展示使用空間光調變器(SLM)3804之熱轉移器件3802。雷射器(例如，脈衝雷射器)3806照射SLM(例如，DMD器件或SLM)3804且可在供體薄膜3808上產生圖案化光點。圖案化光點可為藉由資料路徑3810載入SLM 3804中之資料的影像。熱能可使得轉移材料(例如，轉移整個OLED堆疊，藉此在工件上形成半導體器件)離開供體薄膜3808且黏附至工件3800。

仍參看圖40，多操作系統可進一步包括使用透射光罩之另一熱轉移工具3812。所描述之工具3802及3812皆可用以產生圖案，但每一者亦可能在供體薄膜移除後留下碎片及/或粒子。多操作系統亦可包括用於清潔工件3800之表面以移除游離粒子之濕式洗滌器3814。圖40之多操作系統中亦可包括氣刀或空氣障壁3816。空氣障壁3816為不與工件3800之表面接觸之實體障壁，但替代地向工件3800之表面吹出一平坦薄片狀加壓空氣以使得水滴被排斥且可能通不過。空氣障壁3816保護多操作系統中之其他工具不受碎片(諸如來自洗滌器3814之濺沫)之影響。

仍參看圖40，多操作系統亦可包括熱風乾燥器3818及用於清潔工件3800之表面以移除游離粒子之CO₂ 噴雪機3820。

圖41展示根據一實例實施例之熱轉移器件(例如，圖40之熱轉移器件3802)之一部分。如圖所示，可將供體薄膜3902壓抵工件3904。如圖41所示，可藉由使薄膜在圓柱體之彎曲表面上拉伸而將其按壓為與工件緊密接觸。其他實例實施例可藉由加壓氣體、機械滾筒或其類似物而推動薄膜處於接觸狀態。供體薄膜3902可為(例如)透明載體薄膜，其中轉移材料面向工件3904。可在轉移材料與載體薄膜之間形成一或多個中間層，其可增加對雷射能量之吸收。脈衝雷射束3906穿過供體薄膜3902且加熱轉移材料。在至少一些實例實施例中，轉移材料可熔融且黏著至工件3904。然而，在其他實例實施例中，一中間層可能歸因於所吸收之能量而破裂，推動轉移材料與工件3904接觸。當供體薄膜3902與工件3904分離時，已經轉移之區域(諸如，區域3908)可黏附至工件3904，而未經轉移之區域(諸如，3910)可保留於供體薄膜3902上。另一實例實施例使用反向轉移，其中待經圖案化之薄膜已處於工件上。在轉移材料待經移除之區域中，其可經熔接、熔合或藉由光子束而光化學地結合至載體薄膜，且在將薄膜自工件剝離時，薄膜之待經圖案化的部分離開工件且跟隨載體薄膜。

圖42A展示在已寫入濾色器中之一色彩之後的實例供體薄膜。圖42B展示已再用三次以有效利用轉移材料之實例供體薄膜。對於每次使用供體薄膜，移置供體薄膜以使得可使用未經使用之區域。濾色器可為易於完成此之簡單規則圖案，且所使用之顏料相對較昂貴。相同方法可用於以不同色彩將LED堆疊之小塊沈積於LED顯示面板上。

根據實例實施例，玻璃面板必須經受住向圓柱體上之彎曲。一旦此得以完成，可使用圓柱體執行許多不同類型之處理設備。如本申請案中所述，整個工廠可基於圓柱形機器及/或處理。可將工件捲繞於圓柱體上且將其固定。在圓柱體及工件(例如)相對較慢地旋轉時，可對工件執行化學或物理處理且可在表面上形成半導體器件。可安裝監視器具，使得可即時監視處理。在卸載工件之前可對其進行沖洗及乾燥。化學處理可為(例如)蝕刻處理，且物理處理可為(例如)以溶解於溶劑中之聚合物進行之塗佈。

圖43說明根據一實例實施例之顯影或處理系統。圖43之顯影系統可為(例如)濕式處理系統。

參看圖43，複數個(例如，兩個)液體施配器4102可藉由複數個空氣障壁4104及一熱風乾燥部分4106隔離。圖43之顯影系統亦可包括兩個積體器具4108及4110。器具4110可為包括線寬量測器具之顯微鏡，其在處理之後或處理期間形成圖案之實像。器具4108可為形成自表面繞射之光之一影像的散射計。在一實例實施例中，可將兩個器具4108及4110整合至同一處理器上；然而，替代地，可將每一器具4108及4110整合於單獨的處理器上。

圖44展示根據一實例實施例之用於使用圓柱體台架形成半導體及其他器件之若干實例真空或封閉環境處理。可將圓柱體5101封閉於密封容器5102中。可使用(例如)經由接取點5105引入之真空而密封容器5102。或者，可使用接取點5105以控制密封容器5102之氣氛。可差速地抽汲預載真空室5103以使得將工件5104裝載入腔室中，同時維持真空。在已裝載機器之後，可關閉預載真空室5103。

仍參看圖44，在密封容器5102內，圓柱形台架可用於濺鍍處理5100A、電漿蝕刻處理5100B、電感性電漿蝕刻或沈積5100C、光子、電子或粒子束摩擦5100D及/或雷射退火/再結晶5100E中。此等處理中之每一者在此項技術中為熟知的，且因此，為了簡潔起見將省略其詳細論述。另外，雖然本文僅論述處理5100A至5100E，但可使用類似或大體上類似之系統來實施比所示處理多得多的處理。根據至少一些實例實施例，圓柱體或圓柱形台架亦可用作用於檢驗及/或修復之基礎架構。

圖45說明根據一實例實施例之包括複數個檢驗及/或修復工具之實例系統。如本文所論述，單一機器可具有一或多個工具，(例如)僅用於檢驗、僅用於缺陷檢查、僅用於修復或用於此等或其他功能之任何組合。標準界面及模組化單元可提供針對任務之不同組合而組態系統之更大自由。如圖45所示，出於實例目的，工具為：組合之缺陷檢查及導引顯微鏡4302、用於藉由材料之移除而進行之暗修復的雷射蝶器(laser zapper)4306、用於移除外來材料之微機械刀4304、用於填充缺失材料之噴墨頭4308(例如，在濾色器中)、用於添加材料之微吸管4310、用於添加材料之雷射輔助沈積工具4312(例如，用以閉合金屬開口缺陷且填充黑矩陣中之孔洞)、用於將圖案與其經位移之後的自身或資料庫表示進行比較之光學檢驗頭4314、在傅立葉空間中形成影像之光學檢驗工具4316(用於光譜分析)、具有電子及/或離子束之微真空單元4318(均用於分析、分段及缺陷之修復)、用於金屬或半導體圖案之電測試之電容探針4320、用於感應表面之電位的克耳文探針(Kelvin probe)4322及用於以電壓激發工件且感應阻抗之接觸探針4324。未圖示的係用於磨蝕性地磨低突起之微研磨機。除上文所述之彼等工具之外，圖43所示之基礎架構中可包括任何合適工具。

圖46A及圖46B展示根據一實例實施例之用於形成黑矩陣之方法。黑矩陣為LCD－TFT顯示器中之濾色器之部分。顯示器包括兩個玻璃面板，在其之間為液晶材料。一面板可包括電晶體陣列，其與液晶一同形成光閥。濾色器可為具有允許顯示器產生強烈飽和色彩之色彩小塊的另一玻璃面板。圍繞透明色彩小塊為黑矩陣，其藉由減少濾色器小塊周圍之漏光及保護電晶體陣列之電晶體的功能免受來自背光單元之光之干擾而改良飽和度。黑矩陣可為金屬網或替代地為在黑顏料樹脂中形成之網。

參看圖46A，可藉由噴墨頭而沈積粗糙黑色聚合物圖案，其(例如)覆蓋表面之至少一部分(例如，部分或完全覆蓋)，該部分將包括製成之黑矩陣。因為噴墨頭可能不夠精確且黑矩陣可為幾何學上要求高的，所以可以圍繞邊緣之安全裕度而印刷最終黑矩陣之區域。

如圖46B所示，可對黑矩陣進行清潔且可使用(例如)雷射切除而將孔洞之大小調整為最終尺寸。可使用多次通過及條帶之間的重疊來減少可見人工痕跡(所謂莫拉(mura))。如圖46B中所示，可使用兩次通過操作，其中域(例如，條帶、光罩影像或類似域)之間的邊緣在兩次通過中偏移。圖46B展示兩個實例狀況。在實例1(隔行掃描)中，每一孔洞僅曝光一次，但需要多次(例如，兩次)通過以形成所有孔洞。條帶或域邊界在該等通過之間移置，使得邊界之可見度減小。

在實例2(多次曝光)中，每一孔洞在多次(例如，兩次)通過中曝光，且如實例1中，域或條帶邊界在該等通過之間移置。再一次，域邊界之可見度得以減小。字母A及B說明哪些孔洞在通過A或B，及在域1或2中曝光。在實例1及2中，結果均為兩次通過之有效摻合，此減小最終黑光罩中域之可見度。可將實例實施例一般化為N次通過，N為大於1之任何數目。然而，實例實施例不限於黑矩陣圖案，而是可應用於對域邊界視覺敏感的任何類似圖案。

圖47展示另一實例狀況，其類似於圖46B，但在域之間具有傾斜邊界，其可進一步減小製成顯示器中域的可見度。圖47類似於上文所述之實例1及2，除了域或條帶邊界以不同角度傾斜。傾斜且不同之邊界可能使得更加難以用眼睛發現域之間的邊界，此部分係因為眼睛沿水平或垂直軸較為敏感，及/或部分係因為域邊界將以更易混淆之方式使TFT面板(或其他器件)交叉。

圖48展示根據一實例實施例之圓柱體之由包括於一處理平台中之工具覆蓋之區域。如圖所示，可將工件捲繞於圓柱體4606上。展示由工具列上之工具4604掃描之區域4602。當圓柱體旋轉時，可接取工件之每一部分，且在一圈之後再次到達同一點。如在圖48之右側部分中，可藉由經壓平之玻璃對此進行說明，藉由工件之單獨影像來表示每次轉動。左側工件上之一點由右側的兩個單獨點(如同若圖式繼續則許多點)表示。右側之圖式可用以直觀化一或多個工具跨越圓柱體上之間隙的移動。在右側圖中的最短距離為圓柱體上之最短距離。

圖49A說明根據一實例實施例之用於執行工具之連續隨機接取移動之方法。工具可移動最短距離至下一點，即使單一工具可能需要跨越工件之邊緣亦如此。可彼此獨立地控制工具與圓柱體以進行隨機接取。

在圖49B中，可獨立控制兩個工具以在每一時間單位隨機接取兩倍之多的點。兩個工具可同時以同一切向座標接取點且若點對稱地或重複地沿工具軸而定位，則工具可執行同一移動或工具可執行另一者之移動的鏡像(如圖所示)。

圖49C展示較快掃描模式，其中圓柱體以恆定速度旋轉且工具垂直於旋轉移動之方向而掃描表面或表面之部分。

在圖49D中，圓柱體緩慢旋轉且該或該等工具快速地經掃描。如圖所示，兩個工具與圓柱體之緩慢步進運動同步地經掃描且接著圓柱體旋轉至下一區域。

圖49A至圖49D所示之所有掃描模式均具有用途。另外，亦可使用此等模式之混合。為了支援圖49A至圖49D所示之掃描模式，例如，圓柱體及工具可具有DC馬達、線性馬達或可在靜止或移動時受到位置控制之類似驅動系統。具有該運動系統可在至少一些實例實施例中對(例如)器具平台、缺陷檢查及修復台等等提供靈活性及/或速度。

圖50A至圖50C展示由在工具及圓柱體控制系統中引入位置誤差而產生的有意變形如何可匹配已存在於工件上或經預測將在處理之後發生的變形。

圖50A說明形成於工件上之理想圖案。圖50B展示與圖50A中相同、但在藉由高溫步驟而變形之後的圖案。圖50C展示在第一層上形成且經圖案化、但經變形以匹配第一層之變形的第二層。即時量測且校正變形之能力可致能較小電晶體及較小黑矩陣容差之使用。此可導致具有較高透射率之較快顯示。

舉例而言，在圖50A至圖50C中處理玻璃時之一替代方案可為預期將發生翹曲而使第一層中之圖案變形。此可向製成產品提供較小幾何容差。根據實例實施例，可使用翹曲發生之前的預變形及圖案化之層中的其餘或非系統翹曲之後變形。此可向產品提供較佳幾何精確度及/或內部重疊。

圖51為根據一實例實施例之說明用於校正系統累積變形及諸層之間的其餘非系統重疊誤差之方法的流程圖。

在圖53中，可同時印刷多個域以提高輸送量。

光學寫入圖案及噴墨印刷圖案之共同問題為"莫拉"之形成。莫拉之形成係指可見帶或圖案歸因於域或條帶之可見性及/或歸因於圖案與寫入機構之間的莫耳效應之形成。

至少一些實例實施例提供用於藉由沿x及y軸之重複而將光場組合為顯示圖案之方法。該等場可為SLM場、步進場，其用於製造顯示器或雷射掃描工具中之掃描刷。若一組織人為痕跡處於域之間，則該組織人為痕跡可落在貫穿顯示器之同一列或行上且可能影響線寬或雜散電容。組織人為痕跡可導致製成顯示器中之可見人為痕跡。

圖54A至圖54D展示用於抑制莫拉之發生及/或減弱莫耳效應之方法。如圖所示，在實例實施例中，圖案可相對於寫入機構之軸而旋轉。

參看圖54A，箭頭1250指示工件相對於戳記1260之旋轉方向。在圖54A中，旋轉方向可與SLM晶片之側邊中之一者平行或大體上平行。在圖54B中，工件可被包繞於工件固持器上，且可不與工件固持器之中心軸平行。可將SLM配置於轉子掃描器中，其中其外部側邊中之一者與旋轉方向平行或大體上平行。

在圖54C中，將SLM配置於轉子掃描器中，其中其外部側邊均不與旋轉方向平行。可將工件配置為其對稱軸中之一者平行於工件固持器之中心軸。在圖54D中，工件之側邊均不與旋轉方向或SLM之側邊平行。

圖55說明一實例實施例，其中工件5500旋轉、寫入頭旋轉且引入有意變形。圖56及圖57展示根據實例實施例之用於旋轉工件圖案之兩個實例方法。

在圖56中，整個工件5600可旋轉，而在圖57中，工件5700可直線地安裝，且工件上之圖案5702可旋轉。在圖56及圖57所展示之實例方法中之每一者中，寫入頭所掃描之區域之部分可能歸因於旋轉之圖案而損失。

為了減少莫拉或莫耳效應，圖案中之不同軸可相對於彼此而旋轉。舉例而言，其上駐存有圖案(例如，若圖案為顯示器或類似器件則為像素之列及行)之軸、寫入器中之像素之軸、寫入機構之條帶軸及/或組織域之充滿的方向可相對於彼此而旋轉。將此等軸轉動為不彼此對準可減少莫拉效應。莫拉之一來源為寫入硬體中之像素列及/或像素行之間的行為差異。若圖案經對準，則顯示器件之一行中的每一像素可能在左側邊緣印刷有非典型硬體行。同樣地，若域沿圖案軸重複，則域邊界可對稱地落於跨越整個顯示器之像素列的邊緣上。將此等軸自彼此旋轉一相對較小之角度可確保許多不同硬體像素列貢獻於單一顯示像素列。同樣地，域邊界可(在一位置)落於顯示像素邊緣上，但在下一域中可落於別處。

減小莫拉效應之角度可為約0.01至約0.05弧度(包括0.01及0.05弧度)或更大，且特定角度可視寫入機構、圖案之規模及類型而定。角度可自一寫入任務至下一寫入任務加以調整或者可為固定的且經建置於寫入硬體中。

如上文所述，存在與台架移動、光學寫入頭及圖案結合之許多軸。其愈少者對準或接近於對準則愈佳。2D SLM之兩個軸或雷射寫入器中之條帶及掃描之軸無需彼此垂直。寫入通道之域中、圖案中及台架行進(或域充滿)中存在座標軸之許多可能組態。在一實例中，域可沿與圖案之軸不相同之兩個軸而重複。在另一實例中，SLM場內之像素矩陣之軸與圖案之軸形成一角。在另一實例中，2D SLM之軸與用於場之重複的軸形成一角。在此實例中，可將雷射掃描器之條帶及掃描軸視作等效於2D SLM之軸。

圖64A至圖64E說明根據一實例實施例之用於使用x及y方向上之連續掃描而填充區域之方法。

圖64A展示在沿工具軸之x方向上的像素之一陣列。該陣列可以恆定速度移動且在圓柱體旋轉一圈之後，該陣列組織為印刷圖案。若該陣列不夠稠密，則掃描速度可減小至(例如)一半以使得需要兩圈來移動陣列之寬度。掃描速度亦可視陣列之密度而減小較多或較少。陣列可與工具軸平行或不平行。

圖64B展示根據一實例實施例之用於圖案化之另一方法，其中陣列與工具軸不平行。在圖64C中，使用平行於y軸之陣列以藉由x及y方向上之連續掃描來填充表面。

圖64D展示一實例實施例，其中一陣列較之圖64A至圖64C中所說明之陣列較為不稠密。在此實例中，需要第二陣列以填充較不稠密之陣列中的空隙。第二陣列可為如圖65D所示之實體陣列或可為稍後通過中的同一陣列。

圖64E展示在彼此之上的兩次通過。兩次通過中之第一者向右側掃描，且兩次通過中之第二者向左側掃描。x與y之同時掃描可提供傾斜角且兩次通過可能具有對角。此可減小所得條帶之可見度。兩次通過可藉由同一像素陣列或藉由在相反之x方向上(例如，同時)移動的兩個像素陣列而依次寫入。兩個像素陣列可為配置於兩個不同工具列上之兩個實體寫入頭。可使用(例如)圖58中所示之具有x上之連續掃描及y上之往復掃描的系統來在單一操作中寫入兩次通過。

圖58至圖63及圖71A至圖71C以及圖72A至圖72C說明根據其他實例實施例的圖2B之模組化系統中之台架。每一實例實施例可致能以增加之處理(例如，詳言之寫入)速度及/或較高準確度而進行的對相對較大基板之圖案化。藉由使用與圓柱體台架相同之組件以及通信及控制界面，許多性質為類似的。可基於諸如準確度、處理速度、基板之占地面積、大小、可撓性等等之細節而作出選擇。

圖58說明根據一實例實施例之平板式平台。圖58所示之平台可為輕型框架，出於實例之目的而將其展示為一構架。然而，實例實施例可藉由薄壁管而建置，該等管可藉由在管內流動之流體(例如，空氣、水及/或氣體)而受到溫度控制。框架可為支撐工件5803之靜止台架頂部5802提供較為剛性之支撐。至少一工具列可延伸跨越台架，多個工具列為可能的且標準支座、固定物及連接器加上用於產生共同座標系統之基礎架構使得易於組態在一或許多工具列上具有一或許多工具的台架。圖式展示為具有四個列5804之實例。工具列中之每一者可具有一或多個工具5805。可以與上文相對於圓柱體台架描述之方式類似或大體上類似的方式來安裝或配置工具。可根據應用及/或對於能力之需要而組態工具列及附著至每一工具列之工具的數目。

圖58展示工具列如何可移動且可接取工件上之任一點，及如何可將工具列移開(虛線)5806以裝載及卸載。圖58展示驅動工具列總成之線性馬達5807，且線性馬達的定子附著至在分離地豎立於地面上之兩個支撐件5709、5710之間移動之桿5708。在另一實例實施例中，可將自由移動之配衡質量(未圖示)連接至定子以使得線性馬達之部分均不連接至地面。線性馬達可藉由在工具列總成與配衡質量之間施加力而使其移動，同時保持共同、靜止之重心。包括在地面與配衡質量之間施加較弱力之馬達(未圖示)的單獨系統可將配衡質量保持為在移動之一範圍內居中。

圖59展示根據另一實例實施例之平板式平台。其類似於圖58中之實施例，但具有靜止工具列5901及梭之形式之可移動台架頂部5902。梭為輕型設計，且在一實例實施例中其由碳纖維製成。藉由真空固持工件5903且梭浮動於氣墊上。線性馬達將梭自台架之一端推至另一端且工具列對工件進行其處理。

圖60中為實例形式之"低佔據面積"平板式台架，其中僅工件6001之正經處理之部分6002處於台架上且末端停置於傳送器6003上。在一實例實施例中，工件可浮動於氣墊6004上，最適當地浮動於在此項技術中已知、具有吸力及壓力且將固持工件於自空氣墊之表面一界定距離(例如，30微米)內的氣墊上。必須適當地控制工件之輸送且圖60展示用以驅動工件且監視其移動之輪6005。

圖61及圖61A展示圖60之"低佔據面積台架"之更詳細的俯視圖，其中對xy計量進行特定參考。基板6101在傳送器6102或工廠中所使用之類似輸送系統上向前移動至系統。藉由滾輪6106及6107而導引且監視通過系統之輸送。滾輪使移動足夠穩定，以使得基準點不落於攝影機之捕捉域之外且在基準點之間提供近似座標系統。基板具有需進行量測之基準點陣列6103。將許多攝影機6104定位於一或多個標尺6105上，以使得攝影機6104將在基板通過系統時觀察到基準點。操作之基本模式為：基板持續移動且攝影機在基板移動之同時獲得影像。此可藉由TDI(延時積分)攝影機或藉由使用藉由短脈衝之照射(其凍結影像)而完成。如莫耳差拍之其他機制對於特定基準點為可能的。攝影機有一定冗餘，基準點中之至少一者且可能許多者被捕捉於一個以上攝影機上。攝影機具有如藉由量測已知"金"樣本基板而校準的精確已知之位置。冗餘量測允許精確判定測試基板上之基準點的位置。圖61A中之系統給出基準點在基板已通過其之後的精確變形映射。

圖61B說明用於精確座標系統之計量及建立的改良光學系統。沿基板6110之側邊印刷一或多個連續或半連續帶6111(例如，連同第一圖案層)。一單獨組之特殊攝影機6112量測帶連同基板之移動。應注意，帶之精確度並非量測之精確度之部分。自特殊攝影機之相對置放精確度建立精確度。可將特殊攝影機配置為三個位於基板之一側且一個位於另一側(圖中展示為兩個加兩個)。可使用圖61B之計量機制用於計量，但亦可用於在曝光圖案時建立座標系統。

圖62展示根據一實例實施例之用於工件之較高速圖案化的平板式平台之實例操作。出於實例目的，將相對於圖59來描述此實例操作；然而，根據實例實施例，其他平板式平台可以類似或大體上類似之方式操作。平台可具有相同或大體上相同類型之輕型板框架及後文中稱為"梭"之浮動輕型台架。

參看圖62，在實例寫入操作中，梭6201可在每一衝程結束時在擋板6202與6203之間反彈。配衡質量6204、6205可與擋板相關聯且可經由滑桿6206、6207而自由移動，但可能受到線性馬達6208、6209之力的影響。當台架抵靠配衡質量而反彈時，台架可能損失至少一部分動能。可藉由在衝擊期間壓縮之彈簧6210、6211的彈簧常數來控制衝擊期間之力。台架在衝程之兩端均反彈且可存在至少兩個由線性馬達獨立控制之配衡質量，或藉由固定桿接合至擋板的至少一配衡質量。另一線性馬達6212可定位於台架下且可在台架移動開始時使台架加速朝向第一次衝擊。線性馬達亦可用以使台架移動及停止於任一位置及/或在掃描期間維持恆定或大體上恆定之速度。台架可以恆定速度操作，移動至左側或右側或可用於反彈。可選擇彈簧之剛性，使得最大加速度在台架之操作反彈中，其不使工件在台架上滑動且不在台架中產生過度振動。操作之序列可如下：梭自靜止於台架之中央而開始。線性馬達以一已知不使基板在梭上滑動之加速度將梭投向右側。同時右側之線性馬達已使右側配衡質量(反彈重量)朝向左側加速使得其以某一速度與梭相遇。在衝擊時，來自配衡質量之衝力轉移至梭且梭射向左側。控制系統(未圖示)連同線性馬達6212將梭保持為以預定速度移動。同時，在衝擊之後向右移動之右側配衡質量經制動且速度反轉以便於梭返回時再次與其碰撞。當梭已沿台架向左側移動時，其與向右移動之左側配衡質量相遇，再次衝擊且射向右側。左側配衡質量在衝擊後向左移動，緩慢地轉變方向以返回且在梭下一次到達左側時與其碰撞。梭非常類似兩個球拍之間的網球而移動。可設計系統使得梭在大部分時間以高速移動，花費於衝擊之時間受到限制且衝擊期間之力亦受到限制。在反彈期間，大部分動能得以保持，所損失之動能藉由配衡重量(反彈質量)之移動且藉由線性馬達6212而補償。

為了減小台架之重量，台架可包含(例如)一板片彈簧，其具有浮動於支撐結構上之襯墊及固持工件之其他襯墊。或者，可藉由支撐表面之形狀來判定台架之形狀。

圖63展示台架及配衡質量在掃描期間之位置之圖。圖63亦展示以恆定速度在垂直於紙之方向上掃描的工具之位置。當台架向右掃描時，一斜線由工具跨越工件且在反彈之後而描繪，且其他斜線以不同角度而描繪。在具有工具寬度、台架速度與工具速度之間的合適關係之情況下，兩次鄰近之通過可於彼此之上而經寫入。如圖所示，兩次通過均可具有向台架之掃描軸傾斜之條帶，此可減少圖案中之週期性缺陷。

若工件為約2.8 m長、反彈期間之加速度為約10 g且恆定速度為約6 m/s，則包括反彈時間之平均掃描速度為約5 m/s。動量可在配衡質量與台架之間轉移，其均不連接至支撐結構或地面。在反彈之後，配衡質量以顯著小於台架之速度退回，線性馬達可減小該速度且反轉配衡質量之速度直至與同一配衡質量之下一次反彈。若兩個配衡質量藉由桿而連接，或替代地若使用配置於台架之中央的單一配衡質量，則可減少對線性馬達之需求。在此實例中，每一末端處之反彈反轉一或多個配衡質量之速度，且配衡質量之移動可與台架之移動類似或大體上類似，除了較為緩慢且具有較小之範圍。

在至少一些實例實施例中，轉子掃描器可為環之形式。在此實例中，可配置且組態複數個光學寫入單元中之每一者從而以至少一雷射束之形式來發出電磁輻射。可在至少兩個方向上發出雷射束。在至少一些實例實施例中，可在至少兩個平行方向上發射雷射束。在至少一些實例實施例中，可在向內朝向配置於圓柱形固持器上之工件的徑向方向上發射雷射束，該圓柱形固持器定位於環狀轉子掃描器之內部。

在至少一些實例實施例中，轉子掃描器可為盤之形式。在此實例中，可配置且組態複數個光學寫入單元中之每一者從而在向外朝向至少一經配置的工件之徑向方向上以至少一雷射束之形式發出電磁輻射，以至少部分封閉盤狀轉子掃描器。或者，盤狀轉子掃描器可為環狀。

為了簡潔起見，包括經配置及組態從而在向外的徑向方向上以至少一雷射束之形式發出電磁輻射的光學寫入單元之轉子掃描器在後文中將稱作盤狀轉子掃描器，而包括經配置及組態從而在向內的徑向方向上以至少一雷射束之形式發出電磁輻射的光學寫入單元之轉子掃描器在本文中將稱作環狀轉子掃描器。經組態以在軸向上以至少一雷射束之形式發出電磁輻射之轉子掃描器在本文中將稱作軸向轉子掃描器。後文中，當論述可應用於盤狀轉子掃描器及環狀轉子掃描器之實例實施例的態樣時，盤狀掃描器與環狀掃描器將統稱為轉子掃描器。

工件可為可撓性的(例如，可撓性很強)且可能需要圓柱形支撐件以具有並維持所要的半徑。工件之內部部分可較易於呈現圓柱形狀；然而，在平行於圓柱體軸之邊緣處，可引入彎曲力矩從而開始以適當彎曲半徑來彎曲工件。此彎曲力矩可為約若干kg * cm，且可由縱向夾具引入。此夾具亦可在將工件裝載至機器中時支撐工件。

工件可具有約＋/－70 μm之厚度容差及對於約150 mm之長度小於約20 μm的變化。此變化可能干擾焦點位置且可在焦點及/或工件之形狀中得以校正。舉例而言，可量測得自轉子掃描器之形狀，且可校正工件之形狀。可僅在寫入區內校正有效工件形狀。在此實例中，校正器硬體可跟隨轉子掃描器總成，此可減少致動器之數目。校正器之使用可使用具有較短場深之光學器件。

可藉由可控制旋轉軸之位置及/或轉子掃描器之縱向位置的軸承墊(例如，空氣軸承墊)來支撐轉子掃描器。在旋轉方向上之定位可由對圖案化之定時而調整。軸縱向方向上之動態定位可能(視設計而定)需要主動組件來移動成像平面。

根據實例實施例，可藉由若干不同方法來判定轉子掃描器之位置。舉例而言，在環狀轉子掃描器中，可(例如)光學地偵測周邊上之標記，且可將轉子掃描器之位置內插於此等標記或位置之間。可減小空氣摩擦(例如，減小為約0.1 N)，且可提高速度。標號器之間的時間可較短及/或歸因於殘餘力之可能偏差可隨經平方之此"標號器之間的時間"而減小。在具有垂直軸之實例實施例中，可使用轉子掃描器中之內部加速度計以達成較精確之反饋信號。反饋信號可用於速度控制。在具有水平軸之實例實施例中，亦可使用加速度計；然而，在此情況中，加速度計可能需要經平衡以使得重力方向不可見。雖然本文中未描述，但亦可使用干涉量度法或任何其他合適方法。

可藉由(例如)內部旋轉加速度計來量測掃描器轉子之速度差異且可改良旋轉精確度。可使用轉子掃描器之外部邊緣周圍的複數個標號器(例如，光學標號器)來量測轉子掃描器之角位。控制系統可使用標號器作為對轉子位置之絕對量測，且可藉由定時而內插"中間位置"。可藉由使用內部旋轉加速度計來提高內插法之精確度。

可使用距離感應器、來自軸承墊之壓力信號或任何其他合適量測器件來使轉子平衡。在實例實施例中，可藉由軸承、空氣軸承、空氣軸承墊等等來支撐轉子掃描器。

在至少一些實例中，可藉由再現圖案使得其以極小調整而流至轉子來使資料之轉移簡單化。在此實例中，可以預變形方式來再現資料且將其儲存，使得每一弧由記憶體中之一行資料表示。在工件經寫入時，可在記憶體矩陣中自左向右(例如，連續地)讀取行，且可發送資料直至轉子掃描器。

圖65A展示根據一實例實施例之具有單點光學寫入單元之單一環的轉子掃描器。圖65B展示單環、單點掃描器之簡圖及每一寫入單元所需之調整，該掃描器自工件之邊緣至工件之邊緣依次寫入線。圖65C展示使用SLM以自SLM場("戳記")產生影像之轉子掃描器及每一寫入單元所需之調整之實例實施例。

參看圖65A，圖案產生裝置可包括轉子掃描器1。轉子掃描器1可為盤狀且可包括至少一(例如，複數個)寫入頭10。寫入頭10中之每一者可在徑向方向上發光。工件20可部分封閉轉子掃描器1。轉子掃描器1可為可旋轉的且以恆定或大體上恆定之速度旋轉。可將動力滑環置放於中央。滑環可為石墨/銅質滑環、高頻(HF)變壓器無接觸式滑環、無摩擦滑環或任何其他合適之滑環。在實例實施例中，HF滑環可減少(例如，消除)對於普通滑環為常見之灰塵。

仍參看圖65A，可彎曲工件使得工件之曲度具有大於(例如，稍稍大於)盤狀轉子掃描器之半徑的半徑及/或使得光學系統之焦點可得以匹配。或者，在環狀轉子掃描器之實例實施例中，可彎曲工件使得工件之曲度具有小於環狀轉子掃描器之半徑的半徑及/或使得光學系統之焦點可得以匹配。在將工件彎曲或弄彎之實例實施例中，工件可為(例如)能夠彎曲至所要曲度之工件，諸如玻璃工件、塑膠工件等等。

在工件彎曲(例如，包繞)至跨越約180°之曲度的實例實施例中，盤狀轉子掃描器可具有(例如)約1.4公尺(m)之直徑。在將工件圍繞盤狀寫入頭包繞約180度時可使用約1.3 m之較小彎曲半徑(例如，最小彎曲半徑)。包繞約180度之玻璃的圓柱形支撐件可具有在約1與約2公尺之間(包括1公尺及2公尺)的半徑。

在每次寫入一工件之系統中，可將工件彎曲至約或接近360°。工件(例如，玻璃、塑膠、金屬、陶瓷等等)可在約2公尺與約3公尺之間(包括2公尺及3公尺)，或高達約6公尺，且單一玻璃之相應圓柱體可具有約0.35至約0.6公尺(包括0.35公尺及0.6公尺)及高達約1公尺之半徑。以約1.3公尺之半徑彎曲玻璃工件可產生每mm工件厚度31 MPa左右的應力。對於約0.7 mm之工件厚度，應力可為約22 MPa，且僅為安全應力之較小部分。

在另一實例中，若工件經包繞至跨越約120°之曲度，則盤狀轉子掃描器可具有約2.1 m之直徑。在此情況中，使用具有約2至約3 m(包括2 m及3 m)之半徑的圓柱形支撐件可為合適的。在此等實例中，圖案產生器之總寬度可小於習知圖案產生器及/或寫入裝置之總寬度(例如，約2 m寬)。工件可分段(例如，切割為薄片)或採取連續形式(例如)用於顯示器及/或太陽電池板之卷軸式處理。

返回參看圖65A，轉子掃描器可以逆時針方向旋轉；然而，替代地，轉子掃描器可以順時針方向旋轉。如圖65A所示，在旋轉時，可在向上垂直掃描方向50上移動轉子掃描器1；然而，應瞭解，轉子掃描器可在向下方向或水平方向(例如，向右或向左)上移動。可藉由對寫入頭10之調變而判定待印刷於工件20上之圖案。在操作(例如，圖案化或寫入)期間，來自寫入頭10之電磁輻射可在工件20上形成螺旋狀圖案30。

可藉由移動工件20及/或轉子掃描器1而完成對工件20之縱向掃描。因為轉子掃描器1可薄於或大體上薄於工件20及/或工件固持器(未圖示)，所以可在不需要額外長度之情況下移動轉子掃描器1且寫入工件20。轉子掃描器1之非旋轉部分或軸承墊可執行軸向掃描及/或執行其他(例如，所有其他)功能。

可藉由軸承墊(例如，空氣軸承墊)支撐轉子掃描器1。在此實例中，環狀設計可具有用於在內環半徑上的軸承墊的額外空間。

轉子掃描器1可得以平衡(例如，非常精確地平衡)。可(例如)藉由軸承壓力墊(例如，空氣軸承壓力墊)中之反壓變化或藉由其他位置感應器而更容易地偵測到任何其餘失衡。亦可使用可持續平衡轉子掃描器之自動平衡系統。對轉子掃描器1之干擾可能為轉子掃描器及/或轉子掃描器遮罩之間的氣流之結果。若(例如)藉由選擇合適的較小間隙(例如，在5 m/s下若干mm)而迫使轉子掃描器與轉子掃描器遮罩之間的氣流分層，則操作條件之穩定性可得以增加。層流可能引入力，例如靜止力。在實例實施例中，可減少歸因於摩擦之功率損失(例如，減少至數瓦特)，且可藉由任何合適馬達來驅動轉子掃描器。舉例而言，在5 m/s下對於1 mm之間隙的摩擦可具有每m² 0.5 W之損失。軸承墊可具有較小間隙及/或較大阻力，其可藉由較小面積而抵銷。馬達可具有在轉動時具有均勻或大體上均勻之扭力的驅動系統。

包括於盤狀轉子掃描器1中之光學寫入單元的數目可基於寫入速度。在至少一實例實施例中，可以較高(例如，非常高)資料速率(例如，約200、400、500千兆位元/秒或500千兆位元/秒以上)自資料通道對寫入單元饋入資料。因為機器可用於生產，所以圖案可一直相同或大體上相同。若圖案局部地儲存於轉子掃描器內部，則在轉子掃描器靜止時可以較低速度(例如，經由習知高速鏈路)載入圖案。圖案接著可駐存(例如，永久駐存)於記憶體中。此可避免旋轉資料接合。

如圖1A及圖1B所示，光學寫入單元可為(例如)單點雷射二極體。雷射二極體可具有任何商業可用波長，諸如藍色、紅色、紫色等等。雷射二極體之功率對於單一模式可為(例如)約5 mW至約65 mW(包括5 mW及65 mW)，且對於多模式二極體可為約5 mW至約300 mW(包括5 mW及300 mW)。雷射二極體之電光效率可為(例如)約13%。雷射二極體可(例如，同時)用作光功率源及調變器。或者，如圖65C所示，光學寫入單元可為SLM。

轉子掃描器之旋轉軸可為垂直、水平或其之間的任一角度。垂直軸配置可具有始終恆定或大體上恆定的光學寫入單元之加速度。水平軸配置可較為有效地及/或無對於抵消重力之需要而較容易地來處理工件。

圖71A至圖71C說明根據實例實施例之寫入裝置的不同建構及定向。下文相對於圖71A至圖71C論述之盤狀轉子掃描器可與圖65A之盤狀轉子掃描器1相同或大體上相同。因此，為了簡潔起見將省略詳細論述。

參看圖71A，寫入裝置700可包括固持器(例如，管狀固持器)710、盤狀轉子掃描器730及/或至少一光學寫入單元740。在至少一些實例實施例中，盤狀轉子掃描器730可包括複數個光學寫入單元740。

可將工件720配置於工件固持器710之內部。可(例如)水平地配置所形成之固持器710的中心軸。在盤狀轉子掃描器730旋轉及/或在平行於或大體上平行於中心軸之方向上移動時可將固持器710保持於固定位置。光學寫入單元740可以至少一列(但在圖71A中展示為包括兩列)而配置於盤狀轉子掃描器之外緣。光學寫入單元740可面對工件固持器710之內表面。或者，可使用單列或多於兩列之光學寫入單元740。

參看圖71B，可垂直配置工件固持器710之中心軸。可如上文相對於圖71A所論述的而將工件720配置於固持器710內部。可藉由可壓平或大體上壓平工件720之力而將工件720固定於固持器710中。或者，可藉由吸氣嘴而將工件720固定至固持器710。在此實例中，可藉由移除工件720與固持器710之間的空氣而將工件720固定於固持器710中。工件720及固持器710可經固定，而盤狀轉子掃描器730可旋轉及/或垂直(例如，向上及/或向下)移動。

參看圖71C，圖71C之寫入裝置可類似或大體上類似於上文相對於圖71B論述之寫入裝置。然而，在圖71C之寫入裝置中，工件720及/或固持器710可在盤狀轉子掃描器730在垂直方向(例如，向上及/或向下)上移動的同時旋轉。

圖66說明根據又一實例實施例之寫入裝置。如圖所示，圖66之寫入裝置可用以同時圖案化複數個工件。雖然將相對於同時圖案化三個工件222A、222B及222C來論述圖66之寫入裝置，但應瞭解，可同時圖案化任何數目之工件。圖66之轉子掃描器220可與圖65A之轉子掃描器1相同或大體上相同。

參看圖66，工件222A、222B及222C可至少部分封閉或環繞轉子掃描器220。如圖所示，可在工件222A、222B及222C中之每一者之間留有開口224、226及228。偵測器及校準感應器(未圖示，但在下文中較詳細地描述)中之至少一者可定位於工件之間的每一空間中。在至少一實例實施例中，偵測器及/或校準感應器可監視轉子掃描器220之位置、焦點及/或功率。可(例如)藉由使用輻射量(dose)、調變延遲、定時、影像變形或任何其他合適方式來補償轉子掃描器220相對於所要位置之錯位。

圖67說明分別定位於開口224、226及228中之複數個校準感應器310、320及330。如圖67所示，藉由寫入裝置而固持三個工件且使用三個校準感應器。根據實例實施例，可將校準感應器之數目校正為同時配置於寫入裝置中的工件之數目。在一些實例實施例中，校準感應器之數目可等於工件之數目。

圖68為根據一實例實施例之包括校準感應器(例如，校準眼)的圖66之寫入裝置之一部分的俯視圖。圖76為對應於圖68之俯視圖的側視圖。

參看圖68及圖76，校準感應器400可偵測位置、功率及/或可基於自轉子掃描器430之光學寫入單元(未圖示)發出之電磁輻射的特徵而使轉子掃描器430之個別光束410聚焦。在至少一些實例實施例中，校準感應器400可包括用於量測轉子掃描器430之位置(例如，若圖案產生裝置垂直定向則為轉子掃描器之垂直位置)的干涉計(未圖示)。干涉計在此項技術中係熟知的，且因此，為了簡潔起見將省略詳細論述。轉子掃描器430可與轉子掃描器1及/或220相同或大體上相同，且因此，為了簡潔起見將省略詳細論述。

若將單一工件420包繞於固持器上，則可將校準感應器400配置於工件420之邊緣之間。在實例實施例中，可將工件420包繞於固持器(例如，管狀固持器)上。轉子掃描器430可在包繞之工件420內部旋轉。至少在實例實施例中，可使用(例如)雷射干涉量度法或任何其他合適技術來量測掃描器基底440與轉子掃描器430之間的距離。

圖69為根據實例實施例之校準感應器400的示意性表示。校準感應器400可包括透鏡總成510，自轉子掃描器之光學寫入單元發出之電磁輻射可經由該透鏡總成510通過。可藉由光束分光器520而部分地反射電磁輻射。電磁輻射之第一部分可通過光束分光器520且照射一第一象限偵測器550。電磁輻射之第二部分可由光束分光器520反射、藉由圓柱形透鏡530聚焦且沖射焦點偵測器540。象限偵測器550可進一步包括複數個象限偵測器A、B、C及D，其統稱為560。焦點偵測器540可包括複數個象限偵測器E、F、G及H，其通稱為570。

在實例實施例中，象限偵測器550可使用式(A＋C)－(B＋D)來判定Y量測值，使用式(A＋B)－(C＋D)來判定轉子掃描器之定時且使用式(A＋B＋C＋D)來判定轉子掃描器之啟動。焦點偵測器540可使用式(E＋H)－(F＋G)來判定由寫入單元發出之光束的焦點。焦點偵測器540可為用於使用(例如)散光(軸上)光學系統而量測散焦的任何合通器件。可使用圓柱形透鏡540來添加散光。圓柱形透鏡540沿垂直於圓柱體之旋轉軸之軸而添加功率。圓柱體之軸可為傾斜的，使得圓柱體通過(例如)偵測器E及H之中心。

使用圓柱體透鏡，可實現具有兩個不同功率之成像系統。在一方向(D1)上，圓柱體添加其功率，而在另一方向(D2)上，其不添加功率。

當焦點位置匹配D1之功率時，產生通過偵測器E及H之中心(例如，沿圓柱體之軸)的線像。相反地，若焦點位置匹配D2之功率，則沿偵測器F及G之中心產生線像。因此，差異(E＋H)－(F＋G)與焦點之位置成比例。

圖69之校準感應器可用以校準光學寫入單元之焦點、功率及/或位置。舉例而言，圖69中之焦點偵測器540及位置偵測器550可用以校準每一光學寫入單元中之焦點及位置偵測器。下文將相對於圖70更詳細地描述焦點及位置偵測器及每一光學寫入單元。

圖70說明根據一實例實施例之光學寫入單元(例如，寫入雷射二極體)。圖70之光學寫入單元600可用作圖71A至圖71C之光學寫入單元740及/或圖72A至圖72C之光學寫入單元840。

參看圖70，光學寫入單元600可包括用於將圖案資料轉換為調變信號以用於藍光雷射二極體660的數位類比轉換器(DAC，例如高速DAC)610。可經由資料通道(未圖示)來接收圖案資料。資料通道可為(例如)通過HF變壓器之中央的光纖電纜、射頻(RF)鏈路或能夠提供較高資料速率(諸如，200千兆位元/秒、400千兆位元/秒、500千兆位元/秒等等)之任何其他合適之資料通道。

可將DAC 610產生之調變信號輸出至功率控制器620。功率控制器620可基於來自DAC 610之調變信號及由功率偵測器630輸出之功率控制信號而控制藍光雷射器660之功率。藍光雷射器660可基於自功率控制器620輸出之功率控制信號而發出用於圖案化工件665之電磁輻射(例如，藍光雷射束)。自藍光雷射器660輸出之藍光雷射可通過可使得光束焦闌之透鏡總成670。在通過透鏡總成670之後，焦闌藍光雷射可入射於光束分光器680上。光束分光器680可導引一部分(例如，相對較小之部分)朝向透鏡總成650。藍光雷射束之剩餘部分可通過光束分光器680且藉由聚焦透鏡總成690而聚焦於工件上。

藍光雷射束之重導向部分可藉由透鏡總成650而聚焦、通過紅光阻塊640且入射於功率偵測器630上。功率偵測器630可偵測入射藍色雷射光之功率，且輸出指示所偵測得之雷射功率的功率控制信號。紅光阻塊640可阻斷(例如，反射，吸收等等)入射於其上之所有或大體上所有紅色雷射光。

紅光雷射二極體655亦可發射紅光雷射束之形式的電磁輻射。紅光雷射束可用於定位、聚焦控制及/或判定工件之形狀。在至少一實例實施例中，紅光雷射束可通過焦闌透鏡總成645且入射於光束分光器615上。焦闌透鏡總成645可與上文論述之焦闌透鏡總成670相同或大體上相同。因此，為了簡潔起見，將省略詳細論述。光束分光器615可將紅光雷射束傳輸至光束分光器680，光束分光器680可將紅光雷射束導向工件665上。紅光雷射束可藉由工件665而被朝向光束分光器680反射回，光束分光器680可將紅光雷射束朝向光束分光器615轉達。光束分光器615可經由圓柱形透鏡635及/或藍光雷射阻塊625而將紅色雷射光導向焦點及位置偵測器685。藍光雷射阻塊625可阻斷(例如，反射，吸收等等)入射於其上之所有或大體上所有藍色雷射光。

焦點及位置偵測器685可向聚焦Z伺服機構675輸出定位信號。聚焦Z伺服機構675可接收來自位置偵測器685之定位信號及校準資料，且經由資料連接(例如，1 kHz頻寬之資料線)而控制透鏡總成690之位置。舉例而言，聚焦Z伺服機構675可視來自焦點及位置偵測器685之信號的形狀而在X方向、Y方向及/或Z方向上移動透鏡總成690。可藉由來自控制系統(例如，電腦或處理器，未圖示)之反饋轉發信號來補充控制迴路信號以校正諸如聚焦誤差之已知變形。

根據至少一些實例實施例，可使用具有不影響工件頂部上之電磁輻射敏感層的波長之雷射二極體來判定工件之位置及/或形狀。在至少一些實例中，藍光雷射二極體可能影響電磁輻射敏感層且紅光雷射二極體可用於工件之位置及形狀的量測。曝光工件之雷射二極體及用於量測且不影響電磁輻射敏感層之雷射二極體可配置於寫入頭(轉子)中。

圖75為對根據一實例實施例之用於聚焦及位置(或移置)判定之光學寫入單元之自動聚焦配置的更詳細說明。自雷射二極體1310發出之電磁輻射(例如，雷射束)進入透鏡總成1330，此使雷射束焦闌化。焦闌雷射束可沖射於將雷射束導向透鏡總成1350之光束分光器1340上。透鏡總成1350可使雷射束聚焦於工件1370上。可將防護玻璃罩1360配置於透鏡總成1350與工件1370之間以保護透鏡總成1350。當雷射束照射於工件1370上時，雷射束可經由透鏡總成1350反射回至光束分光器1340。光束分光器1340可將經反射之雷射束導向偵測器1320上以偵測雷射束之焦點。偵測器1320可以任何合適的熟知方式來偵測雷射束之焦點。因為用於偵測雷射器之焦點的方法在此項技術中係熟知的，所以為了簡潔起見將省略詳細論述。可基於偵測器1320之讀數而在任何方向上移動透鏡總成1350。

返回參看圖70，每一光學寫入單元600對於功率、位置及焦點參數中之每一者可具有一設定值。當光學寫入單元600通過圖69之校準感應器時，光學寫入單元600獲得關於每一設定參數值如何與校準感應器所量測之參數值(例如，功率、位置及/或焦點值)相關之資料。將儲存於光學寫入單元600中之設定值與所量測之值之間的誤差或差異發送至寫入頭以用於調整(例如，用以偏移寫入頭之內部標度)。可在(例如)每次每一寫入單元通過校準感應器時完成此調整。然而，可較為不經常地執行調整。

根據實例實施例，功率、焦點及/或位置(x,y，其中x藉由時間延遲而完成)之校準可處於不同校準感應器中，只要每一焦點、功率及位置之校準源為共同的即可。亦即，例如，可使用不同校準感應器來對功率、焦點及/或位置進行校準，只要每一寫入頭使用同一校準感應器用於焦點、同一校準感應器用於功率且同一校準感應器用於x位置且同一校準感應器用於y位置即可。可以波長依賴之方式量測功率以補償抗蝕劑之波長敏感性之變化。

圖92說明根據另一實例實施例之校準系統。如圖所示，校準系統可包括偵測器3100、控制單元3102及寫入頭3104。偵測器3100可為(例如)校準感應器(例如，如上文相對於圖69所論述)或能夠偵測(例如)一或多個光學寫入單元之焦點、功率及/或位置之任何其他光學偵測器。控制單元3102可(例如)以可執行於電腦或處理器上之軟體的形式而實施。寫入頭3104可為包括複數個光學寫入單元(其一或多者可為如上文相對於圖70描述之光學寫入單元)之寫入頭。然而，寫入頭可為能夠曝光工件及/或在工件上產生圖案之任何寫入頭。偵測器3100、控制單元3102及/或寫入頭3104中之每一者可經由資料通道而連接。資料通道可為(例如)通過HF變壓器之中央的光纖電纜、射頻(RF)鏈路或任何其他合適之資料通道。將相對於圖93描述圖92之校準系統之實例操作。

圖93說明根據一實例實施例之校準方法。如上文所論述，可(例如)藉由圖92之校準系統來執行圖93之方法。亦可藉由一或多個校準感應器(例如，圖68之400)結合一或多個寫入頭(例如，圖68之430)來執行圖93之方法。在此等實例中，控制單元3102可對應於(例如)圖70之功率控制單元620及聚焦Z伺服機構675，且偵測器3100可對應於圖69之象限偵測器550、圖69之焦點偵測器540及圖70之功率偵測器630。在圖30所示之實例實施例中，圖69之象限偵測器550、圖69之焦點偵測器540及圖70之功率偵測器630可定位於偵測器3100處，且功率控制單元620及聚焦Z伺服機構675可定位於控制單元3102處。然而，替代地，其他組態為可能的。

參看圖93，在S3110處，當寫入頭3104之光學寫入單元通過時，偵測器3100可偵測光學寫入單元之至少一特徵。舉例而言，偵測器3100可偵測諸如焦點、位置及/或自光學寫入單元發出之電磁輻射(例如，雷射束)的功率之特徵。偵測器3100可將至少一偵測得之特徵發送至控制單元3102。

在S3112處，控制單元3102判定所偵測得之特徵與相應設定參數值之間的相關。舉例而言，可將偵測得之焦點特徵與設定焦點參數值進行比較，可將偵測得之功率特徵與設定功率值進行比較及/或可將偵測得之位置特徵與設定位置值進行比較。可(例如)藉由人工操作者基於經驗資料而設定該等設定參數值。在至少一實例實施例中，與每一偵測得之特徵及相應設定參數值相關聯之相關可為設定值與量測得之特徵值之間的誤差或差異。可將設定參數值儲存於控制單元3102處之記憶體中。記憶體可為諸如快閃記憶體或其類似物之任何合適的儲存媒體。

在S3114處，控制單元3104可基於所判定之相關而調整寫入頭。舉例而言，可使用所判定之相關來偏移寫入頭3104之內部標度。

雖然圖93中僅展示此方法之單一迭代，但可在(例如)每次每一光學寫入單元通過校準感應器時完成本文描述之操作。然而，可較為不經常地執行調整。

圖72A至圖72C說明根據另一實例實施例之環型寫入裝置之不同建構及定向。

參看圖72A，寫入裝置可包括固持器(例如，圓柱形台架或管形固持器)810、轉子掃描器830及/或至少一光學寫入單元840。可將工件820配置於固持器810之外部。可使用(例如)吸氣嘴850而將工件820固定至固持器810上。轉子掃描器830可在工件固持器810外部旋轉且光學寫入單元840可在向內朝向固持器810之中心軸的徑向方向上發出輻射。在實例實施例中，光學寫入單元840可為(例如)單點雷射二極體、多點雷射二極體或空間光調變器(SLM)。雷射二極體可具有任何商業可用波長，諸如藍色、紅色、紫色等等。雷射二極體之功率對於單一模式可為(例如)約5 mW至約65 mW(包括5 mW及65 mW)，且對於多模式二極體可為約5 mW至約300 mW。雷射二極體之電光效率可為(例如)13%。雷射二極體可(例如，同時)用作光功率源及調變器。空間光調變器(SLM)840可為至少部分透射之空間光調變器，且可在工件820上產生戳記或圖案860。SLM在此項技術中為熟知的，且因此，為了簡潔起見將省略詳細論述。如圖72A所示，工件固持器810之中心軸可水平地定向。

仍參看圖72A，在操作中，環狀轉子掃描器830可圍繞固持器810之中心軸旋轉且在徑向方向上相對於固持器810且平行於固持器810之中心軸而移動。另外，固持器810可圍繞其中心軸在與環狀轉子掃描器830之旋轉方向相反的旋轉方向上旋轉。

圖72B展示包括一固持包繞之工件820的靜止圓柱形固持器810及一旋轉寫入頭830之實例實施例。參看圖72B，工件固持器包括縫隙870，其中配置有校準感應器850。校準感應器850可為可移動的或固定的。寫入頭830包括在工件820上產生圖案860之複數個光學寫入單元840。對準攝影機880可捕捉工件820上之現有圖案，使得寫入圖案可以較高精確度而對準，藉此提高重疊準確度。

圖72C展示包括一固持包繞之工件820的旋轉圓柱形固持器810及一靜止寫入頭830之實例實施例。寫入頭830可包括在工件820上產生圖案860之複數個光學寫入單元840。圖72C之光學寫入單元840可與圖72A之光學寫入單元840相同或大體上相同。如同相對於圖72B之情況，寫入頭830可包括多個寫入單元840，但為了簡潔起見，僅說明一寫入單元840。

圖73展示根據一實例實施例之圓柱形台架或固持器910的水平定向。當水平裝載時，可藉由重力而將工件920保持於適當位置。可藉由真空而將工件920固持於適當位置以確保表面緊密地遵循圓柱體910之表面。可藉由閂鎖930將工件920之末端緊固地固定至圓柱體。可控制閂鎖930以捕捉或釋放工件920之邊緣。

可將工件推或拉至圓柱形支撐表面上或其中以呈現適當形狀。在另一實例中，亦可使用真空夾具或任何其他合適夾具。沿圓柱形部分之邊緣可能局部地遠離中心或曲度而彎曲(例如，類似於彎曲一橡皮)。可藉由固定系統(例如，真空固定系統)而抑制此彎曲。

圖83展示用於將工件固持於圓柱體上之真空配置。如圖所示，可交替地配置真空與壓力器件。可使用推挽真空夾緊系統以反作用於x－y平面上之工件變形。如圖83所示，系統可具有壓力及真空孔洞，其較為緊密地彼此隔開(例如，在毫米級)。真空孔洞可固持工件且減小變形，而壓力墊可將工件保持為遠離支撐表面。工件可不接觸支撐表面，且可支撐為離開支撐表面若干μm(例如，1、2、10、20 μm等等)。此可允許工件較為自由地在工件之平面中呈現自然形狀。圖83之真空配置或與其類似或大體上類似之配置可結合本文所述之每一實例實施例而使用。

圖74說明可在至少一些實例實施例中經圖案化的平坦狀態之工件1020。

圖94A至圖94K說明寫入頭之關於轉子掃描器相對於玻璃之方向的複數個(例如，十一個)不同位置。圖94A至圖94K中之每一者中的箭頭表示掃描方向。

圖94A至圖94C展示像素(例如，矩形空間光調變器之影像)之稠密矩陣，其中陣列之列及行與矩形之邊對準。圖94A說明一SLM，其中像素柵格與寫入方向平行或大體上平行。圖94B說明相對於寫入方向傾斜之SLM像素柵格。圖94C說明相對於寫入方向傾斜之SLM像素柵格，圖94C中之傾斜較之於圖94B中之像素柵格軸的傾斜較小。

圖94D至圖94F展示稠密矩陣之影像，其中陣列相對於SLM之邊旋轉(例如)0°、45°及第三角度。第三角度可為不同於0°、45°或90°之角度。圖94D說明具有相對於寫入方向傾斜45°之像素柵格的SLM。在實例實施例中，像素柵格可能不同於圖94A至圖94C中而與SLM晶片之外緣的邊緣不平行。

在圖94E中將SLM晶片展示為傾斜，使得像素柵格中之軸中之一者可與寫入方向平行或大體上平行。

在圖94F中，SLM晶片可為傾斜的，以使得SLM晶片之外緣或像素柵格軸中之任一者均不與寫入方向平行或大體上平行。像素矩陣(例如，SLM)之側邊之軸及/或像素柵格之軸可相對於寫入期間移動之軸及/或寫入圖案之軸而旋轉，因此提供如下文將相對於圖95B至圖95D而描述之至少四組座標方向。

圖94G展示歪斜或經旋轉使得列在掃描期間位於不同位置之相對較為稀疏的矩陣。在實例實施例中，可在一或若干次掃描中填滿區域。在圖94G中，來自如圖9B、圖9C中之扇出元件的複數個雷射二極體或雷射束(例如，五行及/或五列)相對於寫入方向傾斜。

圖94H展示一相對較稀疏之像素列，(例如)來自如圖9B、圖9C中之扇出元件的複數個(例如，三個)雷射二極體或雷射束可配置為與寫入方向正交。若利用圖94H所示之實例實施例，則可能需要多次通過以填滿一所要區域。

圖94I展示相對較稠密之像素列，例如一維SLM之影像，其中複數個(例如，十七個)雷射二極體或雷射束可與寫入方向正交。

圖94J及圖94K展示單一列，其中像素在掃描方向上移置。圖94J說明相對於寫入方向傾斜之在一列中的複數個(例如，十二個)雷射二極體或雷射束。圖94K說明根據一實例實施例之相對於寫入方向傾斜之一列複數個(例如，十七個)雷射二極體或雷射束。圖94A至圖94K中之像素在另一實例實施例中可為噴墨嘴。

對於光學寫入圖案及對於噴墨印刷圖案之共同問題為"莫拉"之形成。莫拉之形成係指可見帶或圖案歸因於域或條帶之可見性及/或歸因於圖案與寫入機構之間的莫耳效應之形成。"莫拉"對於成像器件(顯示器或攝影機)為一問題，但對於其他雷射寫入圖案(諸如PCB及PCB光罩)並非問題。

至少一些實例實施例提供用於藉由沿x及y軸之重複而將光場組合為顯示圖案之方法。該等場可為(例如)SLM場、SLM像素圖案或藉由諸如二極體之陣列的另一寫入機構而形成之像素之陣列。

如上文參看圖95A所論述，根據習知技術之配置用於較高準確度之圖案產生器中且可產生可接受程度之"莫拉"缺陷。然而，實例實施例提供具有比習知圖案產生器高10、100或甚至1000倍之輸送量，但具有實質上相同或大體上相同的"莫拉"減少需求之寫入系統。較高速度、較大像素、多個寫入單元及/或多個寫入頭可對寫入圖案中之較多幾何誤差有影響。如將相對於圖95B至圖95D而更詳細描述的，寫入頭之圖案及軸可相對於彼此而旋轉，使得不在鄰近像素之邊緣上重複印刷單一像素。此外，移動系統與寫入單元所產生之像素柵格之間的軸可相對於彼此而旋轉。圖案可與移動軸、像素柵格對準或不與其任一者對準。旋轉可為不同於0、45及90°之角度。

如上文相對於圖95A所論述，在習知技術中，旋轉方向平行於SLM晶片之一側邊。

圖95B至圖95E展示可抑制莫拉之發生及/或減弱圖案中之莫耳效應的實例實施例。如圖所示，在實例實施例中，圖案可相對於寫入機構及/或移動系統之軸(例如，SLM之掃描方向)而旋轉。

出於實例之目的，將相對於SLM圖案而描述圖95B至圖95E。然而，類似原則適用於其他實例實施例，諸如任何合適之寫入單元。

在圖95B中，可將工件包繞於工件固持器上，且可能不與工件固持器之中心軸平行。SLM(或更一般化，寫入單元)可配置於轉子掃描器中，其中SLM晶片之外側(或更一般化，藉由寫入單元形成於圖案中之像素之間的軸)與掃描方向平行或大體上平行。舉例而言，掃描方向與SLM場對準，同時工件相對於掃描方向及SLM圖案之側邊而旋轉。藉由工件之此旋轉，組織人為痕跡之效應不再沿器件之單一線條而累積，而是將在線條之間傳遞，將干擾擴展至許多線條。另外，實際上為圖案與寫入機構(例如，顯示像素及雷射掃描器像素)之頻率分量之間的互調變產物之莫耳圖案可再定位至在製成顯示器中較不可見的較高頻率。

在圖95C中，可將SLM晶片或由寫入單元形成之類似像素映射配置於轉子掃描器中，其中至少座標軸與旋轉方向不平行。可將工件配置為一對稱軸平行於工件固持器之中心軸。

在圖95D中，所有三個座標系統彼此不平行。與圖94A至圖94K中之任何一或多者一起，有可能界定可相對於彼此旋轉之四個座標系統。可使兩個、三個或四個座標系統相對於彼此傾斜以減少"莫拉"效應，而所有四者平行界定先前技術。

在圖95E中，旋轉工件，旋轉寫入SLM場且引入有意變形以校正在先前層中量測得之變形或在後續處理期間之預測變形。

用於減小莫拉效應的SLM圖案之側邊與工件之間的角度可大於或等於約0.01弧度(例如，在約0.01與約0.05弧度之間(包括0.01及0.05弧度))。然而，所使用之角度可視寫入機構、圖案之規模及/或類型而定。角度可自一寫入任務至下一寫入任務加以調整，或另一方面，可為固定的且建置於寫入硬體中。

圖86A至圖86E說明根據一實例實施例之用於在x及y方向上連續掃描之方法。

圖86A展示在沿工具軸之x方向上的像素之一陣列。該陣列可以恆定速度移動且在圓柱體旋轉一圈之後，該陣列組織為印刷圖案。若該陣列不夠稠密，則掃描速度可減小至(例如)一半以使得需要兩圈來移動陣列之寬度。掃描速度亦可視陣列之密度而減小較多或較少。陣列可與工具軸平行或不平行。

圖86B展示根據一實例實施例之用於圖案化之另一方法，其中陣列與工具軸不平行。

在圖86C中，陣列平行於工件之y軸且垂直於工具軸。在此實例實施例中，藉由在x及y方向上之連續掃描而圖案化工件之表面。

圖86D展示一實例實施例，其中一陣列較之於圖86A至圖86C中所說明之陣列較為不稠密。在此實例中，需要第二陣列以填充較不稠密之陣列中的空隙。第二陣列可為實體陣列或為稍後通過中之同一陣列。

圖86E展示在彼此之上的兩次通過。兩次通過中之第一者向右側掃描，且兩次通過中之第二者向左側掃描。x與y之同時掃描可提供傾斜角且兩次通過可能具有對角。此可減小所得條帶之可見度。兩次通過可藉由同一像素陣列或藉由在相反之x方向上(例如，同時)移動的兩個像素陣列而依次寫入。兩個像素陣列可為配置於兩個不同工具列上之兩個實體寫入頭。可使用(例如)圖87中所示、具有x上之連續掃描及y上之往復掃描的系統來在單一操作中寫入兩次通過。

如上文所述，傾斜寫入為可能的且對於具有圓柱形運動之寫入系統而言實際上為正常的。然而，諸如下文將更詳細描述的，傾斜寫入在平板寫入器中亦為有益的。

圖84說明根據另一實例實施例之寫入裝置。如圖所示，寫入裝置可包括用於在工件2202上產生圖案之轉子掃描器2200。圖84所示之實例實施例可類似或大體上類似於(例如)圖65、圖71A、圖71B及/或圖71C所示之實例實施例，然而，圖84所示之實例實施例可進一步包括工件形狀控制器2204。工件形狀控制器2204可在與轉子掃描器2200相同之方向上掃描。在至少一實例實施例中，工件形狀控制器可掃描工件2202，使得工件形狀控制器2204與轉子掃描器保持為恆定的水平對準。

圖77為根據另一實例實施例之寫入裝置之透視圖。可使用圖77之轉子掃描器以圖案化諸如圖74所示之工件的扁平工件。

參看圖77，轉子掃描器1520可包括配置於轉子掃描器1520之扁平部分(例如，頂表面及/或底表面)上之複數個光學寫入單元(未圖示)。可配置該複數個光學寫入單元使得其在相對於轉子掃描器1520之軸向方向上發出電磁輻射。在至少一實例實施例中，可圍繞轉子掃描器1520之底部的外緣而配置光學寫入單元。如圖所示，轉子掃描器1520可旋轉及/或沿工件1510之表面移動。轉子掃描器1520之寬度可覆蓋工件1510之寬度。在實例實施例中，轉子掃描器可在變化的方向上掃描工件，且可形成相對淺及/或以一角度延行跨越工件使得弧不與0、45或90度相切。此幾何形狀可與較厚及/或不可彎曲之光罩一同使用。

圖79為圖77所示之寫入裝置之俯視圖。參看圖79，轉子掃描器1520之直徑D比工件1710之寬度窄。在實例實施例中，轉子掃描器可在工件1710上往復地追蹤或掃描以覆蓋整個工件1710。在實例實施例中，轉子掃描器1520可無關於轉子掃描器移動之方向而持續寫入。在替代實例實施例中，轉子掃描器可在單一方向上寫入。

圖80為根據另一實例實施例之寫入裝置之一部分的俯視圖。圖80之實例實施例可類似於或大體上類似於上文相對於圖79論述之實例實施例，然而，圖80之實例實施例可包括至少兩個轉子掃描器1810及1815。在實例實施例中，轉子掃描器1810及1815可(例如，同時地)圖案化同一工件1820。

圖81A說明根據一實例實施例之轉子掃描器之側視圖，且圖81B說明圖81A所示之轉子掃描器之俯視圖。在圖81A及圖81B所示之實例實施例中，轉子掃描器1520之直徑D大於工件之寬度。圖81A及圖81B之轉子掃描器可在工件之一側平行於工件運動而追蹤雷射二極體。圖81A及圖81B中所說明之此追蹤或掃描可導致工件側面的輻射量比工件中部的輻射量高(假設雷射二極體之輻射量相同)。可藉由在圖案化工件之中央部分時增加二極體及/或像素之輻射量而對此進行補償。

圖78為根據另一實例實施例之寫入裝置之透視圖。

參看圖78，寫入裝置可包括可在其上固定工件1610之圓形台架1630。可配置寫入頭1620以跨越至少圓形台架1630之直徑。寫入頭1620可包括配置於寫入頭之表面部分上之複數個光學寫入單元(未圖示)，使得光學寫入頭髮出之電磁輻射在寫入期間沖射於工件1610上。在實例操作中，圓形台架(且因此，工件1610)可在寫入頭1620垂直於圓形台架1630之旋轉軸而移動之同時旋轉。

圖85為對圖78所示之圖案產生器之更詳細說明。

圖82說明根據一實例實施例之轉子掃描器中之一非笛卡兒座標系統(non－Cartesian coordinate system)。舉例而言，座標系統可彎曲。在此實例中，可在將笛卡兒柵格中之像素轉換為彎曲座標系統(藉由使像素相對於工件旋轉而界定)中之像素之前、期間或之後執行記憶體映射。對於寫入頭中之單一像素所產生的每一圓，可進行自笛卡兒柵格至彎曲座標系統之轉換。

圖87至圖90說明根據實例實施例之平板式平台。

圖87說明根據一實例實施例之平板式平台。圖87所示之平台可為輕型框架，出於實例之目的而將其示為一構架。然而，實例實施例可藉由薄壁管而建置，該等管可藉由在管內流動之流體(例如，空氣、水及/或氣體)而受到溫度控制。框架可對於靜止台架頂部提供較為硬質之支撐件。可將寫入頭(例如，固持寫入光學器件之機械單元)配置於接近工件之表面的機械支撐結構(本文中稱作工具列)上。至少一工具列可延伸跨越台架。工具列中之每一者可包括一或多個工具(例如，寫入頭)。可以與上文相對於圓柱形台架而描述之方式類似或大體上類似的方式來安裝或配置工具。工具列可具有固定物或(例如，可經標準化之)工具。可根據應用及/或對於能力之需要而組態工具列及附著至每一工具列之工具的數目。

圖87展示工具列2501如何接取工件2503上之任一點，及如何可將工具列移開以裝載及卸載。圖87之平台可包括用於驅動工具列總成2506之線性馬達2504。可將線性馬達附著至在分離地豎立於地面上之支撐件2508與2510之間延伸之桿2502。可使用自由移動之配衡質量(未圖示)使得線性馬達之部分均不連接至地面。線性馬達可藉由在工具列總成2506與配衡質量之間施加力而使其移動，同時保持共同、靜止之重心。

包括在地面與配衡質量之間施加較弱力之馬達的單獨系統可將配衡質量保持為在移動之一範圍內居中。

移動台架可在軸承(例如，空氣軸承)上滑動且可使用(例如)真空、靜電力或任何其他合適之夾緊機構來固持工件。移動台架可較為精確地監視及/或控制台架相對於機器之座標系統的位置。圖87之平台可適於許多處理，諸如計量、圖案化等等。

圖88說明根據另一實例實施例之平板式平台。圖88所示之實例實施例可類似或大體上類似於圖87之平板式平台；然而，圖88之平板式平台可包括安裝於固定位置的不同數目之工具列(例如，五個工具列)。在此實例實施例中，工件2601在輕型梭2602上往復穿梭。

參看圖88，台架可相對輕型，與支撐件之形狀類似或大體上類似。可藉由線性馬達驅動台架且藉由至地面之單獨連接或藉由配衡質量而將來自馬達之反作用力與台架之支撐件隔離。台架可在軸承(例如，空氣軸承)上滑動且可使用真空、靜電力或任何其他合適之夾緊機構來固持工件。

圖89說明另一實例實施例，其中工件2701通過工具列下方且可在通過時經圖案化。工件可為切片或卷軸式環形帶之形式。如上文所論述，圖案化可能涉及光阻劑之曝光、薄膜之熱敏感抗蝕劑的圖案化、表面之任何光活化、切除、熱轉移或使用對光子能及/或光束之熱量的反應之任何類似處理。根據至少一些實例實施例，光係指具有自EUV(例如，低至5 nm)至IR(例如，高達20微米)之波長的任何電磁輻射。

圖90展示根據一實例實施例之用於工件之較高速圖案化的平板式平台之實例操作。出於實例目的，將相對於圖88來描述此實例操作；然而，根據實例實施例，其他平板式平台可以類似或大體上類似之方式操作。平台可具有相同或大體上相同類型之輕型板框架及後文中稱為"梭"2804之浮動輕型台架。

參看圖90，在實例操作中，梭2804可在定位於支撐件2806之每一末端處的配衡質量2802之間振盪(例如，反彈)。配衡質量2802可經由滑座2810而在位置A與B之間自由移動，但可能受到線性馬達之力的影響。當梭2804衝擊或碰撞配衡質量2802時，梭2804損失至少一部分動能。可藉由在衝擊期間壓縮之彈簧2812的彈簧常數來控制衝擊期間之力。在每一衝程結束時，梭2804衝擊配衡質量2802。配衡質量2802可藉由固定桿2814而接合或藉由一或多個線性馬達而獨立控制。

線性馬達亦可定位於(例如)梭2804下且可在梭2804開始移動時使梭2804加速朝向第一次衝擊。線性馬達亦可用以使梭移動及停止於任一位置及/或在掃描期間維持恆定或大體上恆定之速度。梭可以恆定速度而操作，例如在圖90中向左或向右移動。可選擇彈簧2812之剛性使得最大加速度在所要的範圍內，使得工件不在台架上滑動且使得不在台架中產生過度振動。

在至少一些實例實施例中，台架可包含(例如)一板片彈簧，其具有浮動於支撐結構上之襯墊及固持工件之其他襯墊。藉由可撓性輕型梭，台架之形狀可由支撐表面之形狀判定。

圖91展示台架及配衡質量在掃描期間之位置之圖。圖91亦展示以恆定速度在垂直於紙之方向上掃描的工具之位置。當台架向右掃描時，一斜線由工具跨越工件且在反彈之後而描繪，且其他斜線以不同角度而描繪。在具有工具寬度、台架速度與工具速度之間的合適關係之情況下，兩次鄰近之通過可於彼此之上而經寫入。如圖所示，兩次通過均可具有向台架之掃描軸傾斜之條帶，此可減少圖案中之週期性缺陷。

若工件為約2.8 m長、反彈期間之加速度為約10 g且以原本約6 m/s之恆定速度移動，則包括反彈時間之平均掃描速度為約5 m/s。動量可在配衡質量2802與台架之間轉移，其均不連接至支撐結構或至地面。在反彈之後配衡質量2802以顯著小於台架之速度退回，線性馬達可減小該速度且反轉配衡質量之速度直至與同一配衡質量之下一次衝擊。

若兩個配衡質量2802藉由桿而連接，或替代地若使用配置於台架之中央的單一配衡質量，則可減少對線性馬達之需求。在此實例中，每一末端處之反彈反轉一或多個配衡質量之速度，且配衡質量之移動可與台架之移動類似或大體上類似，除了較為緩慢且具有較小之範圍。

在一或多個實例實施例中，可將圖案寫入於用於(例如)諸如LCD之電子顯示器件中的工件(例如，玻璃片、塑膠片等等)上。在此等實例實施例中，可使用大於約1500 mm之工件。可使用具有複數個寫入單元(例如，大於或等於5)之光學寫入頭(例如，轉子掃描器)。具有一資料速率(例如，大於或等於100、200、400千兆位元/秒等)之資料通道可提供資料，且工件及光學寫入頭(或轉子掃描器)可在至少一方向上相對於彼此而旋轉。工件及寫入頭亦可在一平面內相對於彼此而移動(例如，相對於旋轉平面45度與135度之間)。舉例而言，在至少一實例實施例中，旋轉平面可垂直於移動平面。

雖然已相對於多個工件描述了實例實施例，但應瞭解，多個工件可與單個工件交換地使用。另外，根據實例實施例，寫入裝置可結合習知圖案產生系統而使用。

根據至少一些實例實施例，不將寫入圖案再分為條帶。在具有非干擾像素之至少一些實例實施例(例如，圖65A及圖94G至圖94K)中，可由自工件之一側延伸至另一側之平行線建置影像。

在一些實例實施例中(例如，圖65A)，可藉由寫入單元自邊緣至邊緣且依次寫入該等線條。可藉由兩個鄰近寫入單元來寫入兩個鄰近線條，藉此減小(例如，最小化)工件及/或寫入頭由於自一線條至下一線條之漂移及/或機械移動而移動的風險。依次寫入之邊緣至邊緣圖案局部誤差可得以減小且"莫拉"效應可得以減小。

在類似於圖65A，但包括寫入單元之一個以上環(例如，圖71A)或具有寫入單元或如(例如)圖94G至圖94K中所示之非干擾像素的配置之實例實施例中，線條可不依次寫入。然而，藉由分佈於圓柱體之周邊周圍之多個寫入單元，仍可藉由在寫入頭之周邊上彼此鄰近之寫入單元(例如，距彼此90°內且在時間上相對接近)寫入兩個鄰近線條。另外，分佈於圓柱體之周邊周圍之多個寫入單元仍可限制線條之間的漂移及/或振動之自由。

在使用SLM以同時形成鄰接陣列之像素(例如，一維(1D)或二維(2D))之實例實施例中，可依次及/或在時間上接近地寫入鄰近陣列，藉此減小像素陣列(SLM戳記)之間的組織區域。無論影像為單點、非干擾像素之叢集或像素之稠密區域(SLM戳記)，以多個寫入頭進行之螺旋狀掃描連同對寫入頭相對於同一校準感應器之校準皆可減少來自寫入單元之影像之間的失配。

如圖65B所示，寫入單元所描繪之線條可相對於工件而傾斜。若工件在其支撐件上旋轉，則可對此進行校正。然而，如上文所述，可使用斜度以減小"莫拉"效應，且因此，所描繪線條之斜度之增加可為所要的。像素圖案由掃描線界定且可相對於圖案(例如，顯示器件之像素圖案)之軸而旋轉。

藉由寫入頭之移動及旋轉/穿梭移動而界定第三座標系統。若藉由工件在圓柱形支撐件上之旋轉而改變像素柵格之間的傾斜角，則所有三個座標系統相對於彼此而旋轉。在其他實例實施例中，三個座標系統中之僅兩者相對於彼此傾斜。

圖65C說明藉由SLM在掃描器件產生之影像。如圖所示，圖65C中之影像亦相對於工件而旋轉。如相對於(例如)圖94A至圖94K及/或圖95A至圖95E所論述的，在此實例實施例中，存在四個座標系統且兩個、三個或所有四個可相對於彼此旋轉以減少寫入圖案中之"莫拉"效應。可在圓柱地或在平板台架中掃描的同時使用藉由各種座標系統之旋轉的"莫拉"之減小。在圖77及/或圖78所示之圓形台架中，移動之座標系統在邊緣至邊緣之衝程期間旋轉，因此產生座標系統之間的局部但非恆定之旋轉。

可藉由旋轉工件、寫入頭或兩者而實施螺旋狀掃描，且工件可處於寫入頭之內部或外部。

可將本發明之實例實施例(例如)作為網頁瀏覽器或任何其他合適之電腦程式而在軟體中實施。舉例而言，根據本發明之一或多個實例實施例的程式可為使電腦執行本文所描述之實例方法中之一或多者的電腦程式產品。

電腦程式產品可包括電腦可讀媒體，其具有體現於其上用於使裝置之處理器能夠執行根據上文所述之實例方法中之一或多者的一或多個功能之電腦程式邏輯或程式碼部分。電腦程式邏輯可因此使處理器執行實例方法中之一或多者，或本文所述之給定方法的一或多個功能。

電腦可讀儲存媒體可為安裝於電腦主體內之內建式媒體或經配置使得其可與電腦主體分離之抽取式媒體。內建式媒體之實例包括(但不限於)諸如RAM、ROM、快閃記憶體及硬碟之可再寫非揮發性記憶體。抽取式媒體之實例可包括(但不限於)諸如CD－ROM及DVD之光學儲存媒體；諸如MO之磁光儲存媒體；諸如軟性磁碟(商標)、卡式磁帶及抽取式硬碟之磁性儲存媒體；諸如記憶卡的具有內建式可再寫非揮發性記憶體之媒體；及具有內建式ROM之媒體，諸如ROM卡匣。

亦可以外部供應之傳播信號及/或體現於載波中之電腦資料信號(例如，無線或陸地)的形式來提供此等程式。可將體現一實例方法之一或多個指令或功能的電腦資料信號承載於載波上以用於藉由一執行實例方法之指令或功能的實體發射及/或接收。舉例而言，可藉由處理載波之一或多個碼段來實施實例實施例之功能或指令以執行如本文所述之本發明之實例實施例。

另外，該等程式在被記錄於電腦可讀儲存媒體上時可易於儲存及分配。儲存媒體在其由電腦讀取時可致能如本文所述的本發明之實例實施例之執行。

雖然如此描述本發明之實例實施例，但明顯的是，本發明之實例實施例可以許多方式而變化。舉例而言，可在硬體及/或軟體中實施根據本發明之實例實施例之方法。硬體/軟體實施例可包括一或多個處理器與一或多個製品之組合。一或多個製品可進一步包括儲存媒體及一或多個可執行電腦程式(例如，網頁瀏覽器)。

可在軟體(例如，如網頁瀏覽器)或任何其他合適之電腦程式中實施本發明之實例實施例。舉例而言，根據本發明之一或多個實例實施例的程式可為使電腦執行本文所描述之實例方法中之一或多者的電腦程式產品。

亦可以外部供應之傳播信號及/或體現於載波上之電腦資料信號(例如，無線或陸地)的形式來提供此等程式。可將體現一實例方法之一或多個指令或功能的電腦資料信號承載於載波上以用於藉由一執行實例方法之指令或功能的實體發射及/或接收。舉例而言，可藉由(例如)在電腦中處理載波之一或多個碼段來實施實例實施例之功能或指令，其中可執行指令或功能以執行如本文所述之本發明之一或多個實例實施例。

另外，該等程式在被記錄於電腦可讀儲存媒體上時可易於儲存及分配。儲存媒體在其由電腦讀取時可致能如本文所述的本發明之一或多個實例實施例的執行。

雖然如此描述本發明之實例實施例，但明顯的是，本發明之實例實施例可以許多方式而變化。舉例而言，可在硬體及/或軟體中實施根據本發明之實例實施例之方法。硬體/軟體實施例可包括一或多個處理器與一或多個製品之組合。一或多個製品可進一步包括儲存媒體及一或多個可執行電腦程式，例如，一或多個可執行電腦程式、一或多個外部供應之傳播信號之部分或包括指令以執行根據本發明之實例實施例的操作或功能之任何其他合適之電腦程式。

亦可以外部供應之傳播信號及/或體現於載波上之電腦資料信號(例如，無線或陸地)的形式來提供此等程式。可將體現一實例方法之一或多個指令或功能的電腦資料信號承載於載波上以用於藉由一執行實例方法之指令或功能的實體發射及/或接收。舉例而言，可藉由(例如)在電腦中處理載波之一或多個碼段來實施實例實施例之功能或指令，其中可執行指令或功能以用於如本文所述之一或多個實例實施例。

另外，該等程式在被記錄於電腦可讀儲存媒體上時可易於儲存及分配。儲存媒體在其由電腦讀取時可致能如本文所述的本發明之一或多個實例實施例之執行。

雖然如此描述本發明之實例實施例，但明顯的是，本發明之實例實施例可以許多方式而變化。舉例而言，可在硬體及/或軟體中實施根據本發明之實例實施例之方法。硬體/軟體實施例可包括一或多個處理器與一或多個製品之組合。該或該等製品可進一步包括儲存媒體及一或多個可執行電腦程式。

該或該等可執行電腦程式可包括用以執行所描述之操作或功能之指令。亦可將一或多個電腦可執行程式提供為一或多個外部供應之傳播信號的部分。不將該等變化視為脫離本發明之實例實施例之精神及範疇，且對於熟習此項技術者將顯而易見，所有該等修改旨在包括於以下申請專利範圍之範疇內。

1．．．域/轉子掃描器

2．．．域

3．．．鐘點位置

4．．．鐘點位置

6．．．鐘點位置

9．．．鐘點位置

10．．．寫入頭

30．．．螺旋狀圖案

50．．．向上垂直掃描方向

102．．．外殼

201．．．圓柱體/圓柱形台架

202．．．框架

203．．．驅動器件

206．．．方向

207．．．管

208．．．傳送器

210．．．工具列

211．．．安裝表面

212．．．旋轉軸/圓柱軸

213L．．．下部支撐結構

213U．．．上部支撐結構

214L．．．末端支撐結構

214R．．．末端支撐結構

216．．．軸承

217．．．方向

218．．．方向

220．．．轉子掃描器

222a．．．工件

222b．．．工件

222c．．．工件

224．．．開口

226．．．開口

301．．．工具/計量器件

302．．．工具列

310．．．校準感應器

320．．．校準感應器

330．．．校準感應器

400．．．校準感應器

402．．．計量工具列

404．．．檢驗工具列/光學頭

406．．．光學檢驗頭

410．．．光束/校準感應器

420．．．工件

430．．．轉子掃描器/寫入頭

440．．．掃描器基底

502．．．圖案化工具列

504．．．圖案化工具列

506．．．噴墨寫入頭

510．．．透鏡總成

520．．．光束分光器

530．．．圓柱形透鏡

540．．．焦點偵測器/圓柱形透鏡

550．．．象限偵測器/位置偵測器

560．．．象限偵測器

570．．．象限偵測器

600．．．光學寫入單元

602．．．工具列

604．．．工具

606．．．雷射束

608．．．雷射器

610．．．數位類比轉換器

615．．．光束分光器

620．．．功率控制器

625．．．藍光雷射阻塊

630．．．功率偵測器

635．．．圓柱透鏡

640．．．紅光阻塊

650．．．透鏡總成

655．．．紅光雷射二極體

660．．．藍光雷射二極體/藍光雷射器

665．．．工件

670．．．透鏡總成

675．．．聚焦Z伺服機構

680．．．光束分光器

685．．．焦點及位置偵測器

690．．．聚焦透鏡總成

702．．．光學寫入頭

710．．．工件固持器

720．．．工件

730．．．盤狀轉子掃描器

740．．．光學寫入單元

800．．．塗佈台

802．．．曝光台

802A．．．雷射二極體/光源

802B．．．雷射源

804．．．顯影器

804A．．．空間濾波器

806．．．蝕刻台

806A．．．空間濾波器

808．．．撿驗台

808A．．．透鏡

808B．．．透鏡

808C．．．微透鏡陣列

810．．．剝離台/固持器

810C．．．透鏡陣列

812．．．檢驗台

820．．．工件

830．．．轉子掃描器/旋轉寫入頭

840．．．光學寫入單元/空間光調變器

850．．．吸氣嘴/校準感應器

860．．．戳記/圖案

870．．．縫隙

880．．．對準攝影機

910．．．圓柱形台架/固持器/圓柱體

920．．．工件

930．．．閂鎖

1001．．．SLM

1002．．．移動方向

1003．．．條帶

1004．．．SLM

1005．．．移動方向

1006．．．條帶

1007．．．重疊區域

1012．．．條帶

1013．．．條帶

1020．．．基板/工件

1021．．．顯示器

1102．．．處理軌道

1104．．．圓柱形台架

1250．．．箭頭

1260．．．戳記

1310．．．雷射二極體

1320．．．偵測器

1340．．．光束分光器

1350．．．透鏡總成

1360．．．防護玻璃罩

1370．．．工件

1406．．．軸

1410．．．表面層

1412．．．中心管

1416．．．第二管

1418．．．內壁

1500．．．圓柱體

1502．．．砝碼

1504．．．砝碼

1506．．．砝碼

1508．．．旋轉軸

1510．．．工件

1520．．．轉子掃描器

1610．．．工件/圓形台架

1620．．．寫入頭

1630．．．圓形台架

1700．．．圓柱體

1702．．．推動器

1710．．．工件

1810．．．轉子掃描器

1815．．．轉子掃描器

1820．．．工件

2200．．．轉子掃描器

2202．．．工件

2204．．．工件形狀控制器

2500．．．溫度穩定化器件

2501．．．工具列

2502．．．風扇/吹風機/桿

2503．．．工件

2504．．．風扇/吹風機/線性馬達

2506．．．熱交換器/工具列總成

2508．．．粒子過濾器/支撐件

2510．．．支撐件

2514．．．間隙

2516．．．圓柱體

2518．．．工件

2520．．．輸送帶

2601．．．工件

2602．．．輕型梭

2701．．．工件

2802．．．角度編碼盤/配衡質量

2804．．．圓柱體/梭

2806．．．線性編碼器/支撐件

2808．．．工具列

2810．．．滑座

2812．．．彈簧

2814．．．固定桿

3000．．．裝置

3002．．．干涉計

3004．．．干涉計

3006．．．編碼盤

3100．．．圓柱體/偵測器

3102．．．慣性感應器/控制單元

3104．．．慣性感應器/寫入頭

3106．．．固定結構

3200．．．線性編碼器

3202．．．工具列

3204．．．線性編碼器

3206．．．圓柱體

3302．．．工具列

3304．．．攝影機

3306．．．標尺

3308．．．圓柱體/標尺

3702．．．全場式母體

3704．．．轉移滾筒

3706．．．壓印模板

3708．．．圓柱體

3710．．．工件

3712．．．噴墨頭

3714．．．噴墨頭

3716．．．轉移滾筒

3800．．．工件

3802．．．熱轉移器件

3804．．．空間光調變器

3806．．．雷射器

3808．．．供體薄膜

3810．．．資料路徑

3812．．．熱轉移工具

3814．．．濕式洗滌器

3816．．．氣刀/空氣障壁

3818．．．熱風乾燥器

3820．．．CO₂ 噴雪機

3901．．．工件

3902．．．一維空間光調變器/供體薄膜

3903．．．調變器元件/有效區域

3904．．．影像/工件

3905．．．條帶

3906．．．脈衝雷射束

3907．．．光源/照射孔

3908．．．合成光學器件/透鏡/區域

3910．．．區域

3911．．．圖案

3912．．．SLM

3913．．．SLM

3914．．．圖案

3915．．．圖案

3916．．．圖案

3917．．．圖案

3918．．．圖案

3919．．．柵格

4102．．．液體施配器

4104．．．空氣障壁

4106．．．熱風乾燥部分

4108．．．器具

4110．．．器具

4302．．．組合之缺陷檢查及導引顯微鏡

4304．．．微機械刀

4306．．．雷射蝶器

4308．．．噴墨頭

4310．．．微吸管

4312．．．雷射輔助沈積工具

4314．．．光學檢驗頭

4316．．．光學檢驗工具

4318．．．微真空單元

4320．．．電容探針

4322．．．克耳文探針

4324．．．接觸探針

4602．．．區域

4604．．．工具

4606．．．圓柱體

4702．．．光源/光學掃描器

4703．．．光點

4704．．．工件

4705．．．條帶

5000A．．．稠密矩陣

5000B．．．稠密矩陣

5000C．．．稠密矩陣

5000D．．．影像

5000E．．．影像

5000F．．．影像

5000G．．．稀疏矩陣

5000H．．．稀疏列

5000I．．．稠密列

5000J．．．單一列

5000K．．．單一列

5101．．．圓柱體

5102．．．密封容器

5103．．．預載真空室

5104．．．工件

5105．．．接取點

5500．．．工件

5600．．．工件

5700．．．工件

5702．．．圖案

5708．．．桿

5709．．．支撐件

5710．．．支撐件

5802．．．靜止台架頂部

5803．．．工件

5804．．．列

5805．．．工具

5806．．．工具列

5807．．．線性馬達

5901．．．靜止工具列

5902．．．台架頂部

5903．．．工件

6001．．．工件

6002．．．部分

6003．．．傳送器

6004．．．氣墊

6005．．．輪

6101．．．基板

6102．．．傳送器

6103．．．基準點陣列

6104．．．攝影機

6105．．．標尺

6106．．．滾輪

6107．．．滾輪

6110．．．基板

6111．．．帶

6112．．．特殊攝影機

6201．．．梭

6202．．．擋板

6203．．．擋板

6204．．．配衡質量

6205．．．配衡質量

6206．．．滑桿

6207．．．滑桿

6208．．．線性馬達

6209．．．線性馬達

6210．．．彈簧

6211．．．彈簧

6212．．．線性馬達

8301．．．圓柱形台架

8302．．．平板台架

8303．．．傳送器

8304．．．工具列

8305．．．工具列

8306．．．台架控制器

8307．．．工具類型

8308．．．工具類型

8309．．．工具類型

8310．．．工具類型

8311．．．資料系統

A．．．通過/象限偵測器/位置

B．．．通過/象限偵測器/位置

C．．．象限偵測器

D．．．象限偵測器/直徑

E．．．象限偵測器

F．．．象限偵測器

G．．．象限偵測器

H．．．象限偵測器

L．．．長度

P．．．壓力

V．．．真空

x．．．座標/方向

y．．．座標/方向

X．．．方向

Y．．．方向

Z．．．方向

圖1A及圖1B說明習知處理系統；圖2A說明根據本發明之一實例實施例之平台；圖2B說明根據一實例實施例之基於台架、工具列、工具及控制器之實例模組化設備系統；圖3A至圖3E說明根據本發明之實例實施例之軸承配置；圖4說明根據本發明之另一實例實施例之平台；圖5說明根據本發明之另一實例實施例之平台；圖6說明根據本發明之另一實例實施例之平台；圖7說明根據本發明之一實例實施例之包括一平台之光學寫入裝置；圖8說明根據本發明之另一實例實施例之光學寫入裝置；圖9A至圖9C說明根據本發明之一實例實施例之包括於光學寫入裝置之光學寫入頭中的光學通道；圖9D至圖9E說明根據本發明之一實例實施例之二維扇出圖案(fan－out pattern)，其可使用光學寫入裝置而製造；圖9F、圖9G及圖9H說明可使用於圖9B及/或圖9C中之調變器元件；圖10A說明根據本發明之一實例實施例之光學寫入頭；圖10B說明根據一實例實施例之用於印刷一圖案之方法；圖10C說明一根據一實例實施例之光學寫入頭；圖10D至圖10G展示使用實例實施例而產生之實例寫入；圖10H說明實例雷射掃描器；圖11說明根據本發明之一實例實施例之裝於外殼中之處理平台；圖12A展示根據一實例實施例之圓柱形台架；圖12B展示可如何在處理軌道內配置圓柱形台架以使得可捕捉工件或允許其通過；圖12C說明連續地排列之複數個圓柱形台架；圖13展示根據本發明之一實例實施例之處理單元；圖14A及圖14B展示圖13之處理單元之實例配置；圖15A及圖15B展示單一習知平板式機器(圖15A)與根據至少一些實例實施例之圓柱形機器(圖15B)所需之占地面積的比較；圖16展示圓柱體之一實例實施例之橫截面圖；圖17說明根據一實例實施例之包括可調平衡砝碼之圓柱體；圖18A展示根據一實例實施例之圓柱形台架之水平定向；圖18B展示根據一實例實施例之圓柱形台架之垂直定向；圖19展示根據本發明之實例實施例之具有面向工件之多孔氣墊的非接觸型推動器。

圖20為圓柱體直徑與玻璃厚度之曲線圖，其展示單軸彎曲玻璃之表面中的應力、玻璃厚度與圓柱體之直徑之間的關係；圖21A及圖21B說明根據實例實施例之預應力器件；圖22A至圖22D展示用於在處理期間保護工件之邊緣免受損壞之保護塗層；圖23A至圖23D展示根據本發明之一實例實施例之用於避免以與玻璃之內部部分相同之程度修整邊緣之方法；圖24A及圖24B展示根據本發明之一實例實施例之用於切割玻璃邊緣之方法；圖25A至圖25C展示裂痕如何在脆性薄膜中形成。如圖23A所示，玻璃可在頂部及底部均具有一薄膜，且中性層可形成於中部；圖26為展示阻力如何隨ITO薄膜中之應變而增加的實例曲線圖；圖27說明根據一實例實施例之用於控制工件(例如，玻璃)在裝載至圓柱體上之前之溫度的器件；圖28A及圖28B展示一實例習知圓柱形座標系統；圖29展示根據一實例實施例之圓柱形座標系統；圖30展示根據一實例實施例之用於在圓柱體上建立座標系統之裝置；圖31A展示實例誤差，諸如旋轉軸之位置的不確定性、角代碼及/或雜訊之非線性；圖31B展示根據一實例實施例之用於改良編碼盤之角度量測的裝置。

圖32展示根據一實例實施例之用於執行軸向量測之裝置；圖33展示根據一實例實施例之用於執行軸向量測之另一裝置；圖34說明根據一實例實施例之用於執行軸向量測之另一裝置；圖35說明根據一實例實施例之用於產生並使用共同座標系統之裝置；圖36A及圖36B展示根據一實例實施例之用於使用在將工件捲繞或彎曲於圓柱體上時取得的量測值而計算平坦工件上之座標系統之方法；圖36C展示根據一實例實施例之用於量測玻璃之內表面及外表面之位置的器件；圖36D及圖36E說明用於自抽象化標準座標轉換為工具及/或台架座標及自工具及/或台架座標轉換為抽象化標準座標之方法；圖37A及圖37B說明根據實例實施例之光罩對準器；圖37A至圖37E說明根據其他實例實施例之光罩對準器；圖38A展示根據一實例實施例之投影系統的較詳細視圖；圖38B至圖38C展示根據一實例實施例之用於補償圓柱體上之場之彎曲的方法；圖38D展示根據一實例實施例之另一投影對準器；圖38E展示基板上之區域之習知使用；圖38F展示藉由實例實施例而成為可能之使用；圖39展示諸如自全場式母體印刷之實例滾筒印刷器；圖40展示多操作系統之一實例實施例；圖41展示根據一實例實施例之熱轉移圖案化裝置；圖42A及圖42B展示已再用之實例供體薄膜；圖43說明根據一實例實施例之顯影系統；圖44展示根據一實例實施例之使用圓柱體台架之若干實例真空或封閉環境處理；圖45說明包括若干實例撿驗及修復工具之系統；圖46A及圖46B展示根據一實例實施例之用於形成黑矩陣之方法；圖47展示根據一實例實施例之用於形成黑矩陣之另一方法；圖48展示根據一實例實施例之圓柱體之由包括於一處理平台中之工具覆蓋之區域；圖49A至圖49D說明根據實例實施例之用於執行工具之連續隨機接取移動之方法；圖50A至圖50C展示由在工具及圓柱體控制系統中引入位置誤差而產生的有意變形如何可匹配已存在於工件上或經預測將在處理之後發生的變形；圖51為根據一實例實施例之說明用於校正系統累積變形及諸層之間的其餘非系統性重疊誤差之方法的流程圖；圖52展示根據一實例實施例的同時印刷之像素之實例空間配置；圖53說明同時印刷之多個域；圖54A至圖54D展示根據實例實施例之用於抑制此發生且減弱莫耳效應之方法；圖55說明一實例實施例，其中工件旋轉、寫入頭旋轉且引入有意變形；圖56及圖57展示根據實例實施例之用於旋轉工件圖案之兩個實例方法；圖58說明根據另一實例實施例之平台；圖59、圖60、圖61、圖61A及圖61B展示根據其他實例實施例之通用平台；圖62展示圖60之平台用於工件之較高速圖案化之實例操作；圖63展示台架及配衡質量在掃描期間之位置之圖；圖64A至圖64E說明根據一實例實施例之用於使用x及y方向上之連續掃描而填充區域之方法；圖65A說明根據一實例實施例之具有單點寫入單元之單一環的轉子掃描器；圖65B說明根據一實例實施例之單環、單點掃描器及每一寫入單元所需之調整之簡圖，該掃描器自工件之邊緣至邊緣依次寫入線；圖65C展示根據一實例實施例之使用空間光調變器(SLM)自SLM場("戳記")建立影像之轉子掃描器及每一寫入單元所需之調整之實例實施例；圖66說明根據另一實例實施例之寫入裝置；圖67說明根據一實例實施例之校準感應器於工件之間的配置；圖68為根據一實例實施例之校準感應器之側視圖；圖69為根據一實例實施例之校準感應器之示意性表示；圖70說明根據一實例實施例之組合光學寫入單元及光學量測單元；圖71A至圖71C說明根據實例實施例之盤型寫入裝置的不同建構及定向；圖72A至圖72C說明根據另一實例實施例之環型寫入裝置之不同建構及定向；圖73說明根據一實例實施例之水平定向的圓柱形台架或固持器；圖74說明根據一或多個實例實施例之扁平工件，其可藉由使用寫入裝置而被寫入；圖75說明根據一實例實施例之自動聚焦配置；圖76為根據一實例實施例之校準感應器之俯視圖；圖77為根據另一實例實施例之寫入裝置之透視圖；圖78說明根據另一實例實施例之寫入裝置；圖79為圖15所示之寫入裝置1520之俯視圖；圖80說明根據另一實例實施例之寫入裝置；圖81A為根據另一實例實施例之寫入裝置之側視圖；圖81B為圖81A所示之寫入裝置之俯視圖；圖82說明根據一實例實施例之用於笛卡兒柵格(Cartesian grid)至彎曲座標系統之轉換之方法；圖83展示用於將工件固持於圓柱體上之真空配置；圖84說明根據另一實例實施例之寫入裝置；圖85為對圖78所示之圖案產生器之更詳細說明；圖86A至圖86E說明根據一實例實施例之用於在x及y方向上連續掃描之方法；圖87至圖90說明根據實例實施例之平板式平台；及圖91展示台架及配衡質量在掃描期間之位置之圖；圖92說明根據另一實例實施例之校準系統；圖93說明根據一實例實施例之校準方法；圖94A至圖94K說明根據至少一實例實施例之寫入頭之關於轉子掃描器相對於工件之方向的複數個不同位置；及圖95A至圖95E說明相對於轉子掃描器之旋轉方向的SLM配置及工件配置。