TWI416446B - 顯示裝置和電子裝置 - Google Patents

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TWI416446B
TWI416446B TW095134046A TW95134046A TWI416446B TW I416446 B TWI416446 B TW I416446B TW 095134046 A TW095134046 A TW 095134046A TW 95134046 A TW95134046 A TW 95134046A TW I416446 B TWI416446 B TW I416446B
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Hajime Kimura
Atsushi Miyaguchi
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Semiconductor Energy Lab
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Description

顯示裝置和電子裝置
本發明係關於一種顯示裝置,其中在一像素中具有發光元件或電光學元件。本發明特別關於一種顯示裝置,其中發光元件具有包含有機材料、熒光材料、磷光材料的層。
已展開了對使用發光元件的顯示裝置的開發,該發光元件在一對電極之間具有包含有機材料的層並藉由使電流流過該電極之間來發光。這種顯示裝置有利於薄型化且輕量化,並且因為是自發光,而可見度高,並回應速度也高。此外,由於潛在地可能將耗電量減少到非常低,所以積極展開作為下一世代的顯示裝置的開發,並且其一部分還已經被實用化了。
在使用了上述結構的發光元件的顯示裝置中,被要求高影像品質及廣色域化的推進。被強烈要求在如下情況下能夠進行準確的顏色的再生及顯示的顯示裝置的開發:在印刷操作中,進行編輯;視聽藝術或電影等的作品;在遠端醫學中,準確掌握實物顏色;等等。因此,進行了使結構最佳化的研究如色純度的提高及廣色域化的推進等,以改善人眼所確認的色域(例如參照專利文件1)。
專利文件1:PCT國際申請案第2001-039554號
然而,人眼所確認的色域還有剩餘,並且在現狀的顯示裝置中的顏色再生範圍還是不充分的。圖39是國際照明委員會(CIE)所制定的CIE-XY色度圖,該國際照明委員會在國際上管理與顏色有關的標準。在圖中的外側周邊,最右端附近為紅色單色光的發射光譜700nm;最上端附近為綠色單色光的發射光譜546.1nm;和最下端附近為藍色單色光的發射光譜435.8nm。在該色度圖中,圖(可視區域)的外側周邊相當於在發射光譜上的單色光,而其內側相當於組合了單色光的混合色,因此,當看到內側時,越內鮮明度(彩度)越低。在藉由加色混合表現顏色的情況下,多個標準顏色只可以再生由表示為CIE-XY色度圖的點構成的多角形所包圍的部分的顏色。
當以CIE-XY色度圖表示紅(R)時,人眼能夠感到在色度圖的右側附近的區域(在圖39中,被色度圖的周圍和點線3901包圍的區域)中具有座標的顏色作為紅色。此外,當以CIE-XY色度圖表示綠(G)時,人眼能夠感到在色度圖的上側附近的區域(在圖39中,被色度圖的周圍和點線3902包圍的區域)中具有座標的顏色作為綠色。當以CIE-XY色度圖表示藍(B)時,人眼能夠感到在色度圖的下側附近的區域(在圖39中,被色度圖的周圍和點線3903及3904包圍的區域)中具有座標的顏色作為藍色。作為具體例子,可以舉出R(x=0.67,y=0.33)、G(x=0.21,y=0.71)、B(x=0.14,y=0.08)(在圖39中的三角形3905)作為Hi-Vision(高清晰度電視廣播;HDTV)規格的色度座標。
根據專利文件1所記載的方法,可以藉由提高色純度來沿著圖39的箭頭方向擴大顏色再生範圍,因而,人眼所辨認的顏色的鮮明度提高了。然而,人眼能夠辨認的色域還有剩餘,因此,使它充足而擴大顏色的再生範圍是一個課題。
因此,本發明是在具有發光元件的顯示裝置中解決上述課題的,並且,本發明改善顏色再生範圍並擴大人眼所確認的色域。
本發明的顯示裝置之一包括具有多個影像元件的顯示區域,其中各個影像元件包括:具有如下發光元件的第一像素及第二像素,當該發光元件表示為CIE-XY色度圖時,在CIE-XY色度圖的x座標為0.50或更大;具有如下發光元件的第三像素及第四像素,該發光元件在CIE-XY色度圖的y座標為0.55或更大;以及,具有如下發光元件的第五像素及第六像素,該發光元件在CIE-XY色度圖的x座標為0.20或更小且y座標為0.25或更小,其中提供在第一像素中的發光元件和提供在第二像素中的發光元件具有互不相同的發射光譜,其中提供在第三像素中的發光元件和提供在第四像素中的發光元件具有互不相同的發射光譜,其中提供在第五像素中的發光元件和提供在第六像素中的發光元件具有互不相同的發射光譜。
此外,本發明的顯示裝置的另一觀點包括具有多個影像元件的顯示區域,其中各個影像元件包括:具有如下發光元件的第一像素及第二像素,當該發光元件表示為CIE-XY色度圖時,在CIE-XY色度圖的x座標為0.50或更大;具有如下發光元件的第三像素及第四像素,該發光元件在色度圖的y座標為0.55或更大;以及,具有如下發光元件的第五像素及第六像素,該發光元件在色度圖的x座標為0.20或更小且y座標為0.25或更小,其中提供在第一像素中的發光元件和提供在第二像素中的發光元件以在CIE-XY色度圖中座標互不相同的顏色發光,其中提供在第三像素中的發光元件和提供在第四像素中的發光元件以在CIE-XY色度圖中座標互不相同的顏色發光,其中提供在第五像素中的發光元件和提供在第六像素中的發光元件以在CIE-XY色度圖中座標互不相同的顏色發光。
此外,本發明的顯示裝置的另一觀點包括具有多個影像元件的顯示區域,其中各個影像元件包括:具有如下發光元件的第一像素及第二像素,當該發光元件表示為CIE-XY色度圖時,在色度圖的x座標為0.50或更大;具有如下發光元件的第三像素及第四像素,該發光元件在色度圖的y座標為0.55或更大;以及,具有如下發光元件的第五像素及第六像素,該發光元件在色度圖的x座標為0.20或更小且y座標為0.25或更小,其中提供在第一像素中的發光元件和提供在第二像素中的發光元件由不相同的材料構成並具有互不相同的發射光譜,其中提供在第三像素中的發光元件和提供在第四像素中的發光元件由不相同的材料構成並具有互不相同的發射光譜,其中提供在第五像素中的發光元件和提供在第六像素中的發光元件由不相同的材料構成並具有互不相同的發射光譜。
此外,本發明的顯示裝置的另一觀點包括具有多個影像元件的顯示區域,其中各個影像元件包括:具有如下發光元件的第一像素及第二像素,當該發光元件表示為CIE-XY色度圖時,在色度圖的x座標為0.50或更大;具有如下發光元件的第三像素及第四像素,該發光元件在色度圖的y座標為0.55或更大;以及,具有如下發光元件的第五像素及第六像素,該發光元件在色度圖的x座標為0.20或更小且y座標為0.25或更小,其中提供在第一像素中的發光元件和提供在第二像素中的發光元件具有互不相同的厚度並具有互不相同的發射光譜,其中提供在第三像素中的發光元件和提供在第四像素中的發光元件具有互不相同的厚度並具有互不相同的發射光譜,其中提供在第五像素中的發光元件和提供在第六像素中的發光元件具有互不相同的厚度並具有互不相同的發射光譜。
此外,本發明的顯示裝置的另一觀點包括具有多個影像元件的顯示區域,其中各個影像元件包括:具有如下發光元件的第一像素及第二像素,當該發光元件表示為CIE-XY色度圖時,在色度圖的x座標為0.50或更大;具有如下發光元件的第三像素及第四像素,該發光元件在色度圖的y座標為0.55或更大;以及,具有如下發光元件的第五像素及第六像素,該發光元件在色度圖的x座標為0.20或更小且y座標為0.25或更小,其中第一像素和第二像素具有透射特性互不相同的濾色器,因此經過每個濾色器的光具有互不相同的發射光譜,其中第三像素和第四像素具有透射特性互不相同的濾色器,因此經過每個濾色器的光具有互不相同的發射光譜,其中第五像素和第六像素具有透射特性互不相同的濾色器,因此經過每個濾色器的光具有互不相同的發射光譜。
此外,本發明的顯示裝置的另一觀點包括具有多個影像元件的顯示區域,其中各個影像元件包括:具有如下發光元件的第一像素及第二像素,當該發光元件表示為CIE-XY色度圖時,在色度圖的x座標為0.50或更大;具有如下發光元件的第三像素及第四像素,該發光元件在色度圖的y座標為0.55或更大;以及,具有如下發光元件的第五像素及第六像素,該發光元件在色度圖的x座標為0.20或更小且y座標為0.25或更小,其中提供在第一像素中的發光元件和提供在第二像素中的發光元件由不相同的材料構成,並以在CIE-XY色度圖中座標互不相同的顏色發光,其中提供在第三像素中的發光元件和提供在第四像素中的發光元件由不相同的材料構成,並以在CIE-XY色度圖中座標互不相同的顏色發光,其中提供在第五像素中的發光元件和提供在第六像素中的發光元件由不相同的材料構成,並以在CIE-XY色度圖中座標互不相同的顏色發光。
此外,本發明的顯示裝置的另一觀點包括具有多個影像元件的顯示區域,其中各個影像元件包括:具有如下發光元件的第一像素及第二像素,當該發光元件表示為CIE-XY色度圖時,在色度圖的x座標為0.50或更大;具有如下發光元件的第三像素及第四像素,該發光元件在色度圖的y座標為0.55或更大;以及,具有如下發光元件的第五像素及第六像素,該發光元件在色度圖的x座標為0.20或更小且y座標為0.25或更小,其中提供在第一像素中的發光元件和提供在第二像素中的發光元件具有互不相同的厚度,並以在CIE-XY色度圖中座標互不相同的顏色發光,其中提供在第三像素中的發光元件和提供在第四像素中的發光元件具有互不相同的厚度,並以在CIE-XY色度圖中座標互不相同的顏色發光,其中提供在第五像素中的發光元件和提供在第六像素中的發光元件具有互不相同的厚度,並以在CIE-XY色度圖中座標互不相同的顏色發光。
此外,本發明的顯示裝置的另一觀點包括具有多個影像元件的顯示區域,其中各個影像元件包括:具有如下發光元件的第一像素及第二像素,當該發光元件表示為CIE-XY色度圖時,在色度圖的x座標為0.50或更大;具有如下發光元件的第三像素及第四像素,該發光元件在色度圖的y座標為0.55或更大;以及,具有如下發光元件的第五像素及第六像素,該發光元件在色度圖的x座標為0.20或更小且y座標為0.25或更小,其中第一像素和第二像素具有透射特性互不相同的濾色器,並且透過該濾色器的光為在CIE-XY色度圖中座標互不相同的顏色,其中第三像素和第四像素具有透射特性互不相同的濾色器,並且透過該濾色器的光為在CIE-XY色度圖中座標互不相同的顏色,其中第五像素和第六像素具有透射特性互不相同的濾色器,並且透過該濾色器的光為在CIE-XY色度圖中座標互不相同的顏色。
此外,也可以採用如下結構:當第一像素所具有的發光元件和第二像素所具有的發光元件中的任何一個表示為CIE-XY色度圖時,在色度圖的x座標為0.6或更大且y座標為0.35或更小;當第三像素所具有的發光元件和第四像素所具有的發光元件中的任何一個表示為CIE-XY色度圖時,在色度圖的x座標為0.3或更小且y座標為0.6或更大;當第五像素所具有的發光元件和第六像素所具有的發光元件中的任何一個表示為CIE-XY色度圖時,在色度圖的x座標為0.15或更小且y座標為0.2或更小。
此外,像素也可以具有發白色光的發光元件。
此外,第一像素及第二像素、第三像素及第四像素、第五像素及第六像素也可以具有面積互不相同的發光區域。
此外,作為發光元件,可以使用電致發光(EL)元件(有機EL元件、無機EL元件或包含有機物及無機物的EL元件)。
在本說明書中,在CIE-XY色度圖上的區域是指如下區域:在CIE-XY色度圖上,表示人眼能夠辨認的可見光的區域。
作為本說明書所示的開關,可以使用各種形式的開關,即,可以舉出電開關或機械開關等作為一個例子。換言之,只要是能夠控制電流流動的開關即可,不局限於特定的而可以使用各種各樣的開關。例如,可以使用電晶體、二極體(例如,PN二極體、PIN二極體、肖特基二極體、以及二極體連接的電晶體等),或者可以使用閘流電晶體,或者可以使用組合了這些的邏輯電路。因此,在電晶體當成開關的情況下,由於該電晶體只作為開關操作,所以對電晶體的極性(導電型)沒有特別的限制。注意,在截止電流較佳為低的情況下,較佳的使用具有較小截止電流的極性的電晶體。作為低截止電流的電晶體,可以舉出提供有LDD區域的或採用了多閘極結構的電晶體等。此外,當在當成開關的電晶體的源極端的電位接近於低電位側電源(Vss、GND、0V等)的狀態下操作時,較佳的採用N通道型,相反,當在源極端的電位接近於高電位側電源(Vdd等)的狀態下操作時,較佳的採用P通道型。這是因為由於可以增加閘極-源極間電壓的絕對值,所以可以作為開關容易地操作的緣故。
可以藉由使用N通道型和P通道型兩者來形成CMOS型開關。藉由採用CMOS型開關,如果P通道型開關和N通道型開關中的任何一個導通,就可以使電流流過,因此可以容易當成開關。例如,即使向開關的輸入訊號的電壓為高或為低,也可以適當的輸出電壓。此外,由於可以將用於導通(on)及截止(off)開關的訊號的電壓振幅值設定為小,所以也可以減少耗電量。
在將電晶體當成開關的情況下,具有輸入端(源極端和汲極端中的一側)、輸出端(源極端和汲極端中的另一側)、以及控制導通的端(閘極端)。另一方面,在將二極體當成開關的情況下,可能會不具有控制導通的端。因此,可以減少用於控制端的佈線。
在本說明書中,“連接”包括電連接、功能上連接、以及直接連接。因此,在本說明書所公開的結構中,包括除了預定的連接關係之外的。例如,一個或更多的可以實現電連接的元件(例如,開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、或二極體等)可以配置在某個部分和某個部分之間。此外,也可以在中間配置有一個或更多的可以實現功能上連接的元件(例如,邏輯電路(反相器、NAND電路、或NOR電路等)、訊號轉換電路(DA轉換電路、AD轉換電路、或伽瑪校正電路等)、電位位準轉換電路(升壓電路或降壓電路等電源電路、或改變H訊號或L訊號的電位位準的位準移位電路等)、電壓源、電流源、切換電路、放大電路(運算放大器、差分放大電路、源極跟隨電路、緩衝電路等可以增加訊號振幅或電流量等的電路等)、訊號產生電路、儲存電路、控制電路等)。或者,可以中間不夾有其他元件或其他電路地配置為直接連接的形式。
只包括“中間不夾有元件或電路地連接”的情況被記為“直接連接”。此外,當記為“電連接”時,包括電連接(即,中間夾有其他元件的連接)、功能上連接(即,中間夾有其他電路的連接)、以及直接連接(即,中間不夾有其他元件或其他電路的連接)。
在本說明書中,作為電晶體,可以適當的使用各種方式的電晶體。因此,對可以適用於本發明的電晶體的種類沒有限制。即,例如可以適當的使用具有以非晶矽或多晶矽為代表的非單晶半導體膜的薄膜電晶體(TFT)等。因此,即使製造溫度不高也可以製造、可以以低成本製造、可以在大型基板上製造、可以在透明基板上製造、可以以電晶體透光。此外,可以使用半導體基板或SOI基板等來形成。此外,可以適當的使用MOS型電晶體、接合型電晶體、雙極電晶體等。因此,可以製造不均勻性為低的電晶體、可以製造電流供給能力為高的電晶體、可以製造小尺寸的電晶體、可以構成耗電量為低的電路。此外,可以適當的使用具有ZnO、a-InGaZnO、SiGe、GaAs等化合物半導體的電晶體、使這些薄膜化的薄膜電晶體等。因此,即使製造溫度不高也可以製造、可以以室溫製造、可以將電晶體直接形成在低耐熱性基板如塑膠基板或膜基板上。此外,可以適當的使用藉由噴墨或印刷法而製成的電晶體等。因此,可以以室溫製造、可以在真空度為低的狀態下製造、可以以大型基板製造。此外,由於可以不使用掩模(光罩(Reticle))的製造,所以可以容易改變電晶體的佈局。此外,可以適當的使用具有有機半導體或碳奈米管的電晶體、其他電晶體。因此,可以在能夠彎曲的基板上形成電晶體。此外,非單晶半導體膜也可以包含氫或鹵素。形成有電晶體的基板的種類不局限於特定的,而可以使用各種各樣的基板。因此,電晶體可以形成在例如單晶基板、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑膠基板、紙基板、玻璃紙基板、石材基板、不銹鋼基板、具有不銹鋼箔的基板等。此外,也可以在一個基板上形成電晶體,然後將電晶體移動到另一基板上,以將電晶體配置在另一基板上。作為配置有電晶體的另一基板,可以使用單晶基板、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑膠基板、紙基板、玻璃紙基板、石材基板、不銹鋼基板、具有不銹鋼箔的基板等。藉由使用這些基板,可以形成良好特性的電晶體、可以形成低耗電量的電晶體、可以形成為不容易出毛病的裝置、可以形成為具有耐熱性的形式。
作為電晶體的結構,可以採用各種方式而不局限於特定的結構。例如,也可以採用具有兩個或更多的閘極電極的多閘極結構。如果採用多閘極結構,就成為通道區域串聯連接的結構,因此,成為多個電晶體串聯連接的結構。藉由採用多閘極結構,可以降低截止電流、可以改善電晶體的耐壓來提高可靠性、可以獲得平坦特性,即,當在飽和區域操作時,即使汲極-源極間電壓變化,汲極-源極間電流的變化也不太大。此外,也可以採用通道上下配置有閘極電極的結構。藉由採用通道上下配置有閘極電極的結構,可以增加通道區域,因此,可以增加電流值、因容易產生耗盡層而可以改善S值。如果閘極電極配置為通道上下,就成為多個電晶體並聯連接的結構。
此外,也可以採用如下結構:閘極電極配置在通道上;閘極電極配置在通道下;正交錯;反交錯;通道區域被分成多個區域;被分成多個區域的通道區域並聯連接或者串聯連接。此外,通道(或其一部分)也可以與源極電極或汲極電極重疊。藉由採用通道(或其一部分)與源極電極或汲極電極重疊的結構,可以防止因電荷集合在通道的一部分而使操作不穩定。此外,也可以提供LDD(輕摻雜汲極)區域。藉由提供LDD區域,可以降低截止電流、可以改善電晶體的耐壓來提高可靠性、可以獲得平坦特性,即,當在飽和區域操作時,即使汲極-源極間電壓變化,汲極-源極間電流的變化也不太大。
在本說明書中,作為電晶體,可以採用各種各樣的類型,並可以形成在各種基板上。因此,所有電路都可以形成在玻璃基板上、塑膠基板上、單晶基板上、或SOI基板上,即,可以形成在任何基板上。藉由將所有電路部形成在同一基板上,可以減少構件個數來降低成本、可以減少與電路構件之間的連接個數來提高可靠性。或者,電路的一部分也可以形成在一個基板上,而電路的另一部分形成在另一基板上。換言之,所有電路也可以不形成在同一基板上。例如,電路的一部分也可以使用電晶體而形成在玻璃基板上,而電路的另一部分形成在單晶基板上,並藉由COG(玻璃上晶片)連接其IC晶片而配置在玻璃基板上。或者,也可以藉由TAB(卷帶式自動結合)或印刷佈線板使其IC晶片和玻璃基板連接。像這樣,藉由將電路的一部分形成在同一基板上,可以減少構件個數來降低成本、可以減少與電路構件之間的連接個數來提高可靠性。此外,在高驅動電壓的部分或高驅動頻率的部分,耗電量為高,因此,如果將該部分不形成在同一基板上,就可以防止耗電量的增加。
電晶體是具有包括閘極、汲極、源極的至少三個端的元件。在汲極區域和源極區域之間提供有通道區域,並可以藉由汲極區域、通道區域、以及源極區域使電流流過。這裏,源極和汲極根據電晶體的結構或操作條件等改變,因此不容易說哪個是源極或汲極。因此,在本發明中,有一種情況就是將當成源極及汲極的區域不稱為源極或汲極。在這種情況下,作為一個例子,可能會分別記為第一端和第二端。
此外,電晶體也可以是具有包括基極、射極、集極的至少三個端的元件。在這種情況下,射極和集極也可能會分別記為第一端和第二端。
閘極是指包括閘極電極和閘極佈線(也稱為閘極線或閘極訊號線等)的整體,或者是指這些中的一部分。閘極電極是指與形成通道區域或LDD區域等的半導體中間夾有閘極絕緣膜的重疊的部分的導電膜。閘極佈線是指用於連接各像素的閘極電極之間或者連接閘極電極和其他佈線的佈線。
注意,也存在著當成閘極電極並當成閘極佈線的部分。這種部分可以稱為閘極電極或閘極佈線。換言之,也存在著不可明確區別閘極電極和閘極佈線的區域。例如,在通道區域與延伸而配置的閘極佈線重疊的情況下,其區域不僅當成閘極佈線,而且還當成閘極電極。因此,這種區域可以稱為閘極電極或閘極佈線。
此外,由與閘極電極相同的材料構成並與閘極電極連接的區域也可以稱為閘極電極。如上所述那樣,由與閘極佈線相同的材料構成並與閘極佈線連接的區域也可以稱為閘極佈線。嚴密地說,這種區域可能會與通道區域不重疊,或者,不具有與其他閘極電極之間實現連接的功能。但是,因為製造邊際等,具有由與閘極電極或閘極佈線相同的材料構成並與閘極電極或閘極佈線連接的區域。因此,這種區域也可以稱為閘極電極或閘極佈線。
此外,例如,在多閘極電晶體中,一個電晶體的閘極電極,在大多情況下,藉由由與閘極電極相同的材料構成的導電膜,與其他電晶體的閘極電極連接。這種區域是用於連接閘極電極和閘極電極的區域,因此可以稱為閘極佈線,但是,由於也可以將多閘極電晶體看作一個電晶體,所以也可以稱為閘極電極。換言之,由與閘極電極或閘極佈線相同的材料構成並與它們連接而配置的也可以稱為閘極電極或閘極佈線。
例如,連接有閘極電極和閘極佈線的部分的導電膜也可以稱為閘極電極或閘極佈線。
閘極端是指閘極電極的區域或與閘極電極電連接的區域中的一部分。
此外,源極是指包括源極區域、源極電極、源極佈線(也稱為源極線或源極訊號線等)的整體,或者是指這些中的一部分。源極區域是指包含很多P型雜質(硼或鎵等)或N型雜質(磷或砷等)的半導體區域。因此,稍微包含P型雜質或N型雜質的區域,即,所謂的LDD區域,不包括在源極區域。源極電極是指由與源極區域不相同的材料構成並與源極區域電連接而配置的部分的導電層。注意,源極電極可能會包括源極區域地稱為源極電極。源極佈線是指用於連接各像素的源極電極之間或者連接源極電極和其他佈線的佈線。
但是,也存在著當成源極電極並當成源極佈線的部分。這種部分可以稱為源極電極或源極佈線。換言之,也存在著不可明確區別源極電極和源極佈線的區域。例如,在源極區域與延伸而配置的源極佈線重疊的情況下,其區域不僅當成源極佈線,而且還當成源極電極。因此,這種區域可以稱為源極電極或源極佈線。
此外,由與源極電極相同的材料構成並與源極電極連接的區域、或連接源極電極和源極電極的部分也可以稱為源極電極。此外,與源極區域重疊的部分也可以稱為源極電極。如上所述,由與源極佈線相同的材料構成並與源極佈線連接的區域也可以稱為源極佈線。嚴格的說,這種區域可能會不具有與其他源極電極之間實現連接的功能。但是,因為製造邊際等,具有由與源極電極或源極佈線相同的材料構成並與源極電極或源極佈線連接的區域。因此,這種區域也可以稱為源極電極或源極佈線。
例如,連接有源極電極和源極佈線的部分的導電膜也可以稱為源極電極或源極佈線。
源極端是指源極區域的區域、源極電極、與源極電極電連接的區域中的一部分。
汲極的情況與源極相同。
在本說明書中,半導體裝置是指具有包括半導體元件(電晶體或二極體等)的電路的裝置。此外,也可以是藉由利用半導體特性來起作用的所有裝置。
此外,顯示裝置是指具有顯示元件(液晶元件或發光元件等)的裝置。也可以是顯示面板主體,其中包括液晶元件或EL元件等顯示元件的多個像素、驅動該像素的週邊驅動電路形成在同一基板上。此外,也可以包括藉由引線接合或凸塊等配置在基板上的週邊驅動電路,即,所謂的玻璃上晶片(COG)。再者,也可以包括裝有撓性印刷電路(FPC)或印刷佈線板(PWB)的(IC、電阻元件、電容元件、電感器、電晶體等)。再者,也可以包括偏振板或相位差板等光學片。再者,也可以包括背光單元(也可以包括導光板、棱鏡片、擴散板、反射片、光源(LED或冷陰極燈等))。此外,發光裝置特別是指具有EL元件或用於FED的元件等自發光型顯示元件的顯示裝置。液晶顯示裝置是指具有液晶元件的顯示裝置。
作為顯示元件、顯示裝置、發光元件、或發光裝置,可以採用各種方式,或者,可以具有各種元件。作為顯示元件、顯示裝置、發光元件、或發光裝置,可以適當的使用例如EL元件(有機EL元件、無機EL元件或包含有機物及無機物的EL元件)、電子發射元件、液晶元件、電子墨水、光柵閥(GLV)、電漿顯示器(PDP)、數位微鏡裝置(DMD)、壓電陶瓷顯示器、碳奈米管等因電磁作用而改變對比度的顯示媒體。作為使用EL元件的顯示裝置,可以舉出EL顯示器,另外,作為使用電子發射元件的顯示裝置,可以舉出場致發光顯示器(FED)或SED方式平面型顯示器(SED:表面傳導電子發射顯示器)等。作為使用液晶元件的顯示裝置,可以舉出液晶顯示器、透射型液晶顯示器、半透射型液晶顯示器、反射型液晶顯示器,另外,作為使用電子墨水的顯示裝置,可以舉出電子紙。
在本說明書中,“在~之上”或“在~上”如“形成在某個物體之上”或“形成在~上”的記載不局限於直接接觸某個物體之上的情況。還包括不直接接觸的情況,即,中間夾有其他物體的情況。因此,例如,“B層形成在A層之上(或A層上)包括如下兩種情況:B層直接接觸地形成在A層之上;以及,其他層(例如C層或D層等)直接接觸地形成在A層之上,並且B層直接接觸地形成在該其他層上。此外,如上所述,“~之上方”的記載也不局限於直接接觸某個物體之上的情況,而還包括中間夾有其他物體的情況。因此,例如,“B層形成在A層之上方包括如下兩種情況:B層直接接觸地形成在A層之上;以及,其他層(例如C層或D層等)直接接觸地形成在A層之上,並且B層直接接觸地形成在該其他層上。此外,如上所述,“~之下”或“~之下方”的記載也包括直接接觸的情況和不接觸的情況。
藉由使用本發明,可以提供使用了發光元件的顯示裝置,其中在CIE-XY色度圖上的顏色再生範圍被改善。換言之,可以提供能夠表現鮮明的色彩的顯示裝置。
下面,將參照附圖說明本發明的實施例模式及實施例。注意,本發明可以藉由多種不同的方式來實施,本領域人員可以很容易地理解一個事實就是其方式和詳細內容可以被變換為各種各樣的形式,而不脫離本發明的宗旨及其範圍。因此,本發明不應該被解釋為僅限定在實施例模式所記載的內容中。此外,在以下所示的附圖中,使用同一參考數字來表示同一部分或具有相同功能的部分,並省略其重復的說明。
[實施例模式1] [本實施例模式的顯示裝置的結構]
圖1是表示本發明的顯示裝置的結構例的方塊圖。參考數字100表示像素部,其中多個像素101配置為矩陣狀。本結構被稱為主動矩陣方式。此外,參考數字102表示訊號線驅動電路,而參考數字103表示掃描線驅動電路。
在圖1中,訊號線驅動電路102和掃描線驅動電路103與像素部100一起形成在同一基板上,但是本發明不局限於這種結構。訊號線驅動電路102和掃描線驅動電路103也可以不與像素部100一起形成在同一基板上,並藉由FPC(撓性印刷佈線板)等連接器連接於像素部100。作為安裝FPC的方法,可以採用使用各向異性導電材料或金屬凸塊的連接方法或引線接合方式。此外,在圖1中提供有一個訊號線驅動電路102和一個掃描線驅動電路103,但是本發明不局限於這種結構。設計者可以任意設定訊號線驅動電路102和掃描線驅動電路103的個數。
在本說明書中,像素意即具有構成一個影像的顏色因素,並且它包括發光元件及驅動發光元件的元件(例如由電晶體構成的電路)。在本說明書中,像素具有構成用於顯示一個最小影像的顏色因素的像素。因此,在採用由R(紅)G(綠)B(藍)的顏色因素構成的全色顯示裝置的情況下,像素由包含R的顏色因素、G的顏色因素、B的顏色因素的像素構成。此外,在具有多個像素的像素中,順序稱為第一像素、第二像素。此外,各像素的面積也可以互不相同。
在本說明書中,如果沒有特別的記載,連接就意味著電連接。相反的,斷開意味著電分離而不連接的狀態。
此外,在圖1中,像素部100提供有訊號線S1至Sn、電源線V1至Vn、掃描線G1至Gm。訊號線和電源線的數目不一定是相同的。此外,也可以不具有所有這些佈線,或者,也可以提供有除了這些佈線之外的其他不同佈線。
訊號線驅動電路102只要是能夠將被輸入的視頻訊號供給給各訊號線S1至Sn的電路即可。具體地說,在本實施例模式中,作為一個例子,訊號線驅動電路102具有移位暫存器102a、第一鎖存電路102b、以及第二鎖存電路102c。此外,本發明的顯示裝置的訊號線驅動電路102不局限於上述結構,也可以是對應數位的視頻訊號(也被稱為數位視頻訊號、視頻訊號)的訊號線驅動電路,或者,也可以是使用D/A(數位-類比)轉換電路輸出類比的視頻訊號(類比視頻訊號)的訊號線驅動電路。此外,根據顯示裝置的結構,也可以採用具有位準移位電路、緩衝電路等的結構。
掃描線驅動電路103只要是能夠將訊號輸入到各掃描線G1至Gm的電路以選擇在像素部中的像素即可。具體地說,在本實施例模式中,掃描線驅動電路103具有移位暫存器電路。此外,根據顯示裝置的結構,也可以採用具有緩衝電路、位準移位電路的結構。此外,也可以由移位暫存器和取樣開關構成,而不設有鎖存電路。
此外,如下訊號輸入到訊號線驅動電路102中:時鐘訊號(S_CLK)、時鐘反相訊號(S_CLKB)、啟始脈衝訊號(S_SP)、數位視頻訊號、鎖存訊號等。並且,根據這些訊號,向各訊號線S1至Sn輸出分別相應各行像素的視頻訊號。此外,也可以輸入有類比視頻訊號。
此外,如下訊號輸入到掃描線驅動電路103中:時鐘訊號(G_CLK)、時鐘反相訊號(G_CLKB)、啟始脈衝訊號(G_SP)等。並且,根據這些訊號,向要選擇的像素行的掃描線Gi(第一掃描線G1至Gm中的任何一個)輸出選擇像素的訊號。
因此,輸入到訊號線S1至Sn中的視頻訊號寫入到由如下訊號選擇的列的各行的像素101中,該訊號是從掃描線驅動電路103輸入到掃描線Gi(掃描線G1至Gm中的任何一個)中的訊號。接著,由各掃描線G1至Gm選擇各像素行,並且對應於各像素的視頻訊號寫入到所有像素中。接著,各像素將被寫入了的視頻訊號保持了一定時間。藉由將視頻訊號保持了一定時間,各像素可以維持點亮等的狀態。
圖1所示的使用了發光元件的顯示裝置雖然說明了採用主動矩陣方式的驅動方式,但是,本發明不局限於此。在本發明中,也可以採用簡單矩陣(被動)方式。在圖1所示的主動矩陣方式中,各像素設有具有幾個開關用薄膜電晶體的控制電路,並由各像素的控制電路控制各像素是否發光。另一方面,在簡單矩陣方式的顯示裝置中,多個行訊號線和多個列訊號線配置為相互交叉的形式,並在其交叉部夾有發光元件。因此,在被選擇了的列訊號線和正在進行輸出的行訊號線所夾的區域產生電位差,如果電流流過,發光元件就發光。
圖46表示被動方式的顯示裝置的結構。圖46設有行訊號線驅動電路4601、列訊號線驅動電路4602、像素部4603。在像素部4603提供有行訊號線S1至Sn、列訊號線V1至Vn,並在行訊號線和列訊號線之間具有多個發光元件4604。在採用被動方式的情況下,與採用主動矩陣方式的情況相比,可以使本發明的結構簡略化,因為這一點,被動方式是很合適的。
本發明可以採用如上所述的顯示裝置的結構。
[本實施例模式的像素結構]
圖2表示圖1所示的本發明的像素部的結構的詳細結構。在圖2中,第一像素201、第二像素202、第三像素203、第四像素204、第五像素205、第六像素206分別相當於在圖1中的像素101。此外,總合第一像素至第六像素作為表示一個最小影像的像素200。第一像素201、第二像素202、第三像素203、第四像素204、第五像素205、第六像素206分別提供有發光元件,第一像素與發光元件R1連接,第二像素與發光元件R2連接,第三像素與發光元件G1連接,第四像素與發光元件G2連接,第五像素與發光元件B1連接,第六像素與發光元件B2連接。
這裏,在本說明書中,當表示為CIE-XY色度圖時,第一像素的發光元件R1及第二像素的發光元件R2在色度圖的x座標為0.50或更大。此外,當表示為CIE-XY色度圖時,第三像素的發光元件G1及第四像素的發光元件G2在色度圖的y座標為0.55或更大。此外,當表示為CIE-XY色度圖時,第五像素的發光元件B1及第六像素的發光元件B2在色度圖的x座標為0.20或更小且y座標為0.35或更小。更佳地,當表示為CIE-XY色度圖時,第一像素的發光元件R1和第二像素的發光元件R2中的任何一個在色度圖的x座標為0.6或更大且y座標為0.35或更小。更佳地,當表示為CIE-XY色度圖時,第三像素的發光元件G1和第四像素的發光元件G2中的任何一個在色度圖的x座標為0.3或更小且y座標為0.6或更大。更佳地,當表示為CIE-XY色度圖時,第五像素的發光元件B1和第六像素的發光元件B2中的任何一個在色度圖的x座標為0.15或更小且y座標為0.2或更小。
在本發明中,較佳地,在發光元件G1和發光元件G2之間的CIE-XY色度圖座標的差異(x、y座標的距離)的絕對值G1 2 大於在發光元件R1和發光元件R2之間的CIE-XY色度圖座標的差異的絕對值R1 2 或在發光元件B1和發光元件B2之間的CIE-XY色度圖座標的差異的絕對值B1 2 。藉由滿足G1 2 >R1 2 、G1 2 >B1 2 ,可以改善顏色再生範圍並擴大人眼所確認的色域,因此是很合適的。
在本說明書中,在CIE-XY色度圖上的區域是指如下區域:在CIE-XY色度圖上,表示人眼能夠辨認的可見光的區域。換言之,相當於被圖39所示的CIE-XY色度圖中的粗線包圍的內側區域。
此外,圖3表示圖2所示的本發明的影像元件200的電路結構。圖2所示的第一像素201、第二像素202、第三像素203、第四像素204、第五像素205、第六像素206具有訊號線Si(S1至Sn中的一個)、掃描線Gi(G1至Gm中的一個)、以及電源線Vi(V1至Vn中的一個)。此外,第一像素201、第二像素202、第三像素203、第四像素204、第五像素205、第六像素206分別具有控制視頻訊號的輸入的開關用第一電晶體301、根據視頻訊號決定發光元件是否發光的驅動用第二電晶體302、發光元件303及保持電容器304。為了更準確地保持第二電晶體302的閘極-源極間電壓(閘極電壓)而提供保持電容器304,但是,不需要一定提供保持電容器304。在本說明書中,如果沒有特別的記載,“電壓”意味著與地之間的電位差。此外,發光元件303相當於圖2中的發光元件R1、R2、G1、G2、B1、B2,並分別與驅動它的電路連接。在圖3所示的結構中,可以採用如下結構:可以使用同一電源線Vi來共同使用將電流供給給發光元件R1及R2、發光元件G1及G2、或發光元件B1及B2的電源線。在發光元件R1和R2之間、發光元件G1和G2之間、或發光元件B1和B2之間色調大致相同,因此,如上所述,可以共同使用電源線。結果,可以減少配置在顯示裝置中的電源線的數目,因此是根合適的。在圖3中,分別連接於發光元件R1及R2、發光元件G1及G2、或發光元件B1及B2的電源線雖然記為互不相同的電源線,但是,該電源線也可以是從同一佈線分開而形成的。
圖52表示與圖3所示的構成不相同的構成。在圖52中,使用相同的參考數字表示具有與圖3相同的功能的結構。如圖52所示,發光元件R1及R2、發光元件G1及G2、或發光元件B1及B2也可以連接於互不相同的第二電源線Vi2 。藉由發光元件R1及R2、發光元件G1及G2、或發光元件B1及B2分別使用互不相同的供給電流的電源線,可以控制施加到每個發光元件的電壓並可以任意改變亮度,因此是很合適的。
這裏,在圖4中,將說明當在圖3中的發光元件303發光時的驅動方法。在圖4中,連接於發光元件404的電路由控制視頻訊號的輸入的開關用第一電晶體401、根據視頻訊號決定該發光元件的發光強度的驅動用第二電晶體402、訊號線405、電源線406、以及掃描線407構成。第一電晶體401的閘極連接於掃描線407。第一電晶體401的第一端和第二端(一側為源極,另一側為汲極)中的一方連接於訊號線405,而另一方連接於第二電晶體402的閘極。此外,第二電晶體402的第一端和第二端中的一方連接於電源線406,而另一方連接於發光元件404所具有的像素電極。發光元件404具有陽極和陰極,在本說明書中,在陽極當成像素電極的情況下,稱陰極為相對電極,而在陰極當成像素電極的情況下,稱陽極為相對電極。在大多情況下,相對電極的電壓保持為一定的高低。此外,第一電晶體401和第二電晶體402可以是N通道型電晶體或P通道型電晶體。在陽極當成像素電極且陰極當成相對電極的情況下,第二電晶體402理想地是P通道型電晶體。相反的,在陽極當成相對電極且陰極當成像素電極的情況下,第二電晶體402理想地是N通道型電晶體。
保持電容器403所具有的兩個電極之一連接於第二電晶體的閘極,而保持電容器403所具有的兩個電極之另一連接於電源線406。但是,本發明不局限於此,也可以連接於其他佈線。為了更準確地保持第二電晶體402的在閘極-源極間電壓(閘極電壓)而提供保持電容器403,但是,藉由使用第二電晶體402的閘極電容作為代替,不需要一定提供保持電容器403。
在圖4中,藉由掃描線407在寫入週期被選擇,其閘極連接於掃描線407的第一電晶體401導通。接著,輸入到訊號線405的視頻訊號藉由第一電晶體401輸入到第二電晶體402的閘極,使得電流從電源線406流過發光元件404,因此發光元件發光。
此外,像素結構不局限於此。可以適當的採用校正電晶體的臨界值電壓的偏差的方式、或將訊號電流輸入到像素中的方式等各種像素結構。
本發明可以採用如上所述的像素結構。
[本實施例模式的操作方法]
將參照圖5說明當在圖4所示的電路結構中進行顯示時的操作時序。在顯示裝置中,在顯示週期中反復進行影像的重寫和顯示。一般說,藉由在1秒內重寫了大約60次,可以避免看見者感覺到閃爍。這裏,進行一次的影像重寫及顯示的一連串操作的週期,即,在圖5中表示為參考數字501的週期,被記為1框週期501。在本實施例模式中,舉出採用數位時間灰度級方式並使用3位元數位視頻訊號的情況作為例子來進行說明。在採用數位時間灰度級方式的情況下,1框週期501還分割為多個子框週期。由於這裏具有3位元,所以分割為三個子框週期,並在各週期進行在各發光顏色中的寫入及顯示。
各子框週期具有位址(寫入)週期Ta#(#為自然數)和維持(發光)週期Ts#。在圖5中,將維持(發光)週期的長短設定為Ts1:Ts2:Ts3=4:2:1,並且,在各維持(發光)週期中控制是否發光來表現23 =8灰度級。換言之,將維持(發光)週期的長短設定為2的乘方的比,如Ts1:Ts2:Ts3=2( n 1 ) :2( n 2 ) :.........:21 :20 。例如,如果只有Ts3發光而在Ts1和Ts2中不發光就意味著只有在所有維持(發光)週期中的大約14%的週期發光。換言之,可以表現大約14%的亮度。如果只有Ts1和Ts2發光而在Ts3中不發光就意味著只有在所有維持(發光)週期中的大約86%的週期發光。換言之,可以表現大約86%的亮度。
藉由這種操作分別驅動作為圖3所示的發光元件303的R1、R2、G1、G2、B1、B2。如上所述,提供在圖3所示的像素200的各像素中的發光元件被與各發光元件連接的電路獨立地控制其發光時間,因此可以獲得所希望的顯示顏色。這裏,顯示顏色是作為如下顏色能夠視覺確認的顏色:該顏色是從包括在一個像素內的發光顏色為互不相同的多個發光元件中可以獲得的發光組合而混合了的顏色。
此外,驅動方法不局限於此。類比訊號也可以輸入到第一電晶體的閘極,並相應該輸入而以類比方式改變發光元件404的亮度。
本發明可以採用如上所述的操作方法。
[本發明的發光元件的結構]
其次,圖6A和6B表示可以適用於本發明的顯示裝置中的發光元件的例子。
圖6A的發光元件具有如下元件結構:在基板601上層疊了陽極602、由電洞注入材料構成的電洞注入層603、並在其上層疊了由電洞傳輸材料構成的電洞傳輸層604、發光層605、由電子傳輸材料構成的電子傳輸層606、由電子注入材料構成的電子注入層607、陰極608。這裏,可能會僅僅使用一種發光材料形成發光層605,但是也可以使用兩種或更多的材料形成發光層605。此外,本發明的發光元件的結構不局限於這種結構。當然,也可以在基板601和陽極602之間提供有由電晶體構成的用於驅動發光元件的電路或佈線。
除了圖6A所示的層疊了各功能層的疊層結構以外,還可以變換為各種各樣的方式如使用了高分子化合物的元件、將以三重態激發狀態發光的三重態發光材料用於發光層的高效元件等。發光元件也可以應用於白色發光元件等,該白色發光元件可以是藉由使用電洞阻擋層控制載子的再結合區域,並將發光區域分為兩個區域來獲得的。
作為圖6A所示的本發明的元件製造方法,首先,在具有陽極602(ITO:銦錫氧化物)的基板601上順序蒸發沈積電洞注入材料、電洞傳輸材料、發光材料。其次,蒸發沈積電子傳輸材料和電子注入材料,最後,藉由蒸發沈積形成陰極608。
此外,也可以提供電洞發生層代替電洞注入層。電洞發生層是發生電洞的層,並且,可以是藉由選自電洞傳輸性物質中的至少一個和對電洞傳輸性物質呈現電子接收性的物質混合在一起而形成的。這裏,作為電洞傳輸性物質,可以使用與可以用於形成電洞傳輸層的物質相同的物質。此外,作為呈現電子接收性的物質,可以使用鉬氧化物、釩氧化物、釕氧化物、錸氧化物等的金屬氧化物。
其次,以下舉出對電洞注入材料、電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子注入材料、發光材料的材料很合適的材料。
作為電洞注入材料,可以舉出酞菁(簡稱:H2 Pc)或銅酞菁(簡稱:CuPc)等酞菁類化合物,或者,可以舉出聚(乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)水溶液(PEDOT/PSS)等的高分子等。可以藉由從具有電洞傳輸性的物質中選擇如下物質來形成電洞注入層:與電洞注入層中的與當成陽極的電極相反一側接觸而形成的功能層的離子電位相比,當成電洞注入層的材料的離子電位相對地為小。
作為最廣泛地當成電洞傳輸材料的材料,可以舉出4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯氨基]聯苯(簡稱:NPB)、4,4’-雙[N-(3-甲基苯)-N-苯氨基]聯苯(簡稱:TPD)、4,4’,4”-三(N,N-二苯氨基)三苯胺(簡稱:TDATA)、4,4’,4”-三[N-(3-甲基苯)-N-苯氨基]三苯胺(簡稱:MTDATA)、4,4’-雙{N-[4-(N,N-二-m-甲苯氨基)苯基]-N-苯氨基}聯苯(簡稱:DNTPD)、1,3,5-三[N,N-二(m-甲苯基)氨基]苯(簡稱:m-MTDAB)、4,4’,4”-三(N-哢唑基)三苯胺(簡稱:TCTA)、酞菁(簡稱:H2 Pc)、銅酞菁(簡稱:CuPc)、釩酞菁(簡稱:VOPc)等。此外,電洞傳輸層可以是多層結構的層,其中組合了兩個或更多的由上述物質構成的層。
作為電子傳輸材料,可以舉出三(8-羥基喹啉)鋁(簡稱:Alq3 )、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(簡稱:Almq3 )、雙(10-羥基苯並[h]-喹啉)鈹(簡稱:BeBq2 )、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚(phenylphenolato)-鋁(簡稱:BAlq)、雙[2-(2-羥基苯基)苯並噁唑(benzoxazolato)]鋅(簡稱:Zn(BOX)2 )、雙[2-(2-羥基苯基)苯並噻唑(benzothiazolato)]鋅(簡稱:Zn(BTZ)2 )等。除了上述以外,還可以舉出2-(4-聯苯基)-5-(4-tert-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(簡稱:PBD)、1,3-雙[5-(4-tert-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(簡稱:OXD-7)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-tert-丁基苯基)-1,2,4-三唑(簡稱:TAZ)、3-(4-聯苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-tert-丁基苯基)-1,2,4-三唑(簡稱:p-EtTAZ)、紅菲繞啉(簡稱BPhen)、浴銅靈(bathocuproin)(簡稱BCP)、2,2’,2”-(1,3,5-三苯代甲基苯(benzenetriyl))-三(1-苯基-1H-苯並咪唑)(簡稱:TPBI)、4,4-雙(5-甲基苯並惡唑基(methyIbenzoxazol)-2-基)二苯乙烯(簡稱:BzOs)等。此外,電子傳輸層可以是多層結構的層,其中組合了兩個或更多的由上述物質構成的層。
作為電子注入材料,可以舉出鹼金屬或鹼土金屬、鹼金屬的氟化物、鹼土金屬的氟化物、鹼金屬的氧化物、鹼土金屬的氧化物等的無機物。除了無機物以外,BPhen、BCP、p-EtTAZ、TAZ、BzOs等當形成電子傳輸層時可以使用的物質,藉由從這些物質中選出電子親和力比用於形成電子傳輸層的物質為大的物質,也可以當成形成電子注入層的物質。換言之,也可以藉由從具有電子傳輸性的物質中選擇如下物質來形成電子注入層:與在電子傳輸層中的電子親和力相比,在電子注入層中的電子親和力相對地為大。
至於作為包含發光材料的層的發光層,對發光物質沒有特別的限制,只要選出具有良好發光效率並能夠進行所希望的發光波長的發光的物質,即可。例如,如果要獲得紅色類發光,就可以使用如下物質:4-二氰基亞甲基-2-異丙基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定(tetramethyljulolidin)-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(簡稱:DCJTI)、4-二氰基亞甲基-2-甲基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(簡稱:DCJT)、4-二氰基亞甲基-2-tert-丁基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(簡稱:DCJTB)或periflanthene、2,5-二氰基-1,4-雙[2-(10-甲氧基-1,1,7,7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基]苯等呈現在600至680nm具有發射光譜峰值的發光的物質。此外,如果要獲得綠色類發光,就可以使用如下物質:N,N’-二甲基喹吖啶酮(簡稱:DMQd)、香豆素6、香豆素545T、三(8-羥基喹啉)鋁(簡稱:Alq3 )等呈現在500至550nm具有發射光譜峰值的發光的物質。此外,如果要獲得藍色類發光,就可以使用如下物質:9,10-雙(2-萘基)-tert-丁基蒽(簡稱:t-BuDNA)、9,9’-bianthryl、9,10-二苯基蒽(簡稱:DPA)或9,10-雙(2-萘基)蒽(簡稱:DNA)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚-鎵(簡稱:BGaq)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚-鋁(簡稱:BAlq)等呈現在420至500nm具有發射光譜峰值的發光的物質。此外,除了如上所述的發熒光的物質之外,還可以使用三(2-苯基吡啶)銥等發磷光的物質。
對用於使發光物質成為分散狀態的物質(也稱為主體材料)沒有特別的限制,不僅可以舉出具有芳基胺骨架的化合物如4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯氨基]聯苯(簡稱:α-NPD),而且還可以舉出4,4’-雙(N-哢唑基)聯苯(簡稱:CBP)、4,4”4”-三(N-哢唑基)三苯胺(簡稱:TCTA)等的哢唑衍生物、雙[2-(2-羥基苯基)-pyridinato]鋅(簡稱:Znpp2 )、雙[2-(2-羥基苯基)苯並噁唑]鋅(簡稱:Zn(BOX)2 )、三(8-羥基喹啉)鋁(簡稱:Alq3 )等的金屬複合物等。
此外,圖6B所示那樣,可以使用以與圖6A相反的順序形成了層的發光元件。換言之,就是如下元件結構:在基板601上層疊了陰極608、由電子注入材料構成的電子注入層607、並在其上層疊了由電子傳輸材料構成的電子傳輸層606、發光層605、由電洞傳輸材料構成的電洞傳輸層604、由電洞注入材料構成的電洞注入層603、以及陽極602。
此外,在發光元件中,只要使陽極和陰極中的至少一個透明以取出發光即可。並且,存在著如下結構的發光元件:在基板上形成TFT及發光元件,並從與基板相反一側的面取出發光的上面射出結構;從基板一側的面取出發光的下面射出結構;從基板一側的面及與基板相反一側的面取出發光的雙面射出結構。本發明的像素結構可以適用於任何射出結構的發光元件。
可以組合如上所述的具有各功能的各材料來製造本發明的發光元件。
[在本實施例模式的顯示裝置中的射出構造的結構]
其次,至於可以適用於本發明的顯示裝置的發光元件,圖7A至7C表示上面射出結構、下面射出結構、雙面射出結構的例子。
將參照圖7A說明上面射出結構的發光元件。
在基板700上形成有驅動用TFT701、與驅動用TFT701的源極電極接觸的第一電極702,並在其上形成有發光層703和第二電極704。
此外,第一電極702是發光元件的陽極,而第二電極704是發光元件的陰極。換言之,發光層703被第一電極702和第二電極704夾了的部分就是發光元件。
這裏,作為用於當成陽極的第一電極702的材料,理想地使用高功函數的材料。例如,可以不僅使用氮化鈦膜、鉻膜、鎢膜、Zn膜、Pt膜等的單層膜,而且還可以使用氮化鈦膜和以鋁為主要成分的膜的疊層、氮化鈦膜和以鋁為主要成分的膜和氮化鈦膜的三層結構等。如果採用疊層結構,作為佈線的電阻也就變低,並可以實現良好歐姆接觸,再者可以當成陽極。藉由使用反射光的金屬膜,可以形成不透過光的陽極。
此外,作為用於當成陰極的第二電極704的材料,較佳使用由低功函數的材料(Al、Ag、Li、Ca、或這些材料的合金MgAg、MgIn、AlLi、CaF2 、或氮化鈣)構成的金屬薄膜和透明導電膜(ITO(銦錫氧化物)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)等)的疊層。像這樣,藉由使用很薄的金屬薄膜和具有透明性的透明導電膜,可以形成能夠透過光的陰極。
像這樣,如在圖7A中的箭頭所示那樣,可以從上面取出來自發光元件的發光。
將參照圖7B說明下面射出結構的發光元件。除了射出結構以外,該發光元件採用了與圖7A相同的結構,因此,使用相同參考數字進行說明。
這裏,作為用於當成陽極的第一電極702的材料,理想地使用高功函數的材料。例如,可以使用ITO(銦錫氧化物)膜、銦鋅氧化物(IZO)膜等的透明導電膜。藉由使用具有透明性的透明導電膜,可以形成能夠透過光的陽極。
此外,作為用於當成陰極的第二電極704的材料,可以使用由低功函數的材料(Al、Ag、Li、Ca、或這些的合金MgAg、MgIn、AlLi、CaF2 、或氮化鈣)構成的金屬膜。像這樣,藉由使用反射光的金屬膜,可以形成不透過光的陰極。
像這樣,如在圖7B中的箭頭所示那樣,可以從下面取出來自發光元件的發光。
將參照圖7C說明雙面射出結構的發光元件。除了射出結構以外,該發光元件採用了與圖7A相同的結構,因此,使用相同參考數字進行說明。
這裏,作為用於當成陽極的第一電極702的材料,理想地使用高功函數的材料。例如,可以使用ITO(銦錫氧化物)膜、銦鋅氧化物(IZO)膜等的透明導電膜。藉由使用具有透明性的透明導電膜,可以形成能夠透過光的陽極。
此外,作為用於當成陰極的第二電極704的材料,較佳使用由低功函數的材料(Al、Ag、Li、Ca、或這些的合金MgAg、MgIn、AlLi、CaF2 、或氮化鈣)構成的金屬薄膜和透明導電膜(ITO(銦錫氧化物)、氧化銦氧化鋅合金(In2 O3 -ZnO)、氧化鋅(ZnO)等)的疊層。像這樣,藉由使用很薄的金屬薄膜和具有透明性的透明導電膜,可以形成能夠透過光的陰極。
像這樣,如在圖7C中的箭頭所示那樣,可以從雙面取出來自發光元件的發光。
本發明的顯示裝置可以採用如上所述的射出結構。
此外,也可以採用在圖7A至7C所示的射出結構中增加了中間層膜的其他結構。
圖51表示具有上面射出結構的發光元件的結構作為例子。作為與圖7A不同的點,在圖51中,採用提供了一個中間層絕緣膜5101並提供了用於連接到第一電極的佈線5102的結構。藉由採用具有平整性的膜作為中間層絕緣膜5101,在提供於中間層絕緣膜5101上的第一電極等中可以抑制由中間層膜的凹凸導致的佈線斷開等,因此是很合適的。
此外,較佳的採用如下結構:在發光元件的下部,提供了由與閘極電極相同的材料構成的第一反射電極5103、由與源/汲極電極相同的材料構成的第二反射電極5104。在上面射出結構中,射出到發光元件下部的光不射出到看見者一側,即,光的取出效率為低。但是,藉由採用提供了該第一反射電極5103、該第二反射電極5104的結構,可以將光進一步射出到發光元件上面,因此是很合適的。
本發明的顯示裝置可以採用如上所述的射出結構。
[在本實施例模式的顯示裝置中的發光元件材料的結構]
下面,將說明適用於如下發光元件的發光元件材料的具體例子,該發光元件可以適用於本發明的顯示裝置。
如圖2所示,在本發明的像素部的結構中,本發明的影像元件具有第一像素、第二像素、第三像素、第四像素、第五像素、第六像素。此外,第一至第六像素分別提供有發光元件,並且第一像素與發光元件R1連接,第二像素與發光元件R2連接,第三像素與發光元件G1連接,第四像素與發光元件G2連接,第五像素與發光元件B1連接,第六像素與發光元件B2連接。
在本說明書中,當表示為CIE-XY色度圖時,本發明的第一像素的發光元件R1及第二像素的發光元件R2在色度圖的x座標為0.50或更大。此外,當表示為CIE-XY色度圖時,本發明的第三像素的發光元件G1及第四像素的發光元件G2在色度圖的y座標為0.55或更大。此外,當表示為CIE-XY色度圖時,本發明的第五像素的發光元件B1及第六像素的發光元件B2在色度圖的x座標為0.15或更小且y座標為0.2或更小。
更佳的採用滿足如下條件的結構:當表示為CIE-XY色度圖時,該第一像素具有的發光元件和該第二像素具有的發光元件中的任何一個在色度圖的x座標為0.6或更大且y座標為0.35或更小;當表示為CIE-XY色度圖時,該第三像素具有的發光元件和該第四像素具有的發光元件中的任何一個在色度圖的x座標為0.3或更小且y座標為0.6或更大;當表示為CIE-XY色度圖時,該第五像素具有的發光元件和該第六像素具有的發光元件中的任何一個在色度圖的x座標為0.15或更小且y座標為0.2或更小。至於提供在第一像素的發光元件及提供在第二像素的發光元件、提供在第三像素的發光元件及提供在第四像素的發光元件、提供在第五像素的發光元件及提供在第六像素的發光元件,當表示為CIE-XY色度圖時,將其顏色座標配置在不相同的區域,來獲得在CIE-XY色度圖上的顏色再生範圍進一步提高了的顯示裝置。
以下將說明用於本發明的第一像素及第二像素的發光元件R1及發光元件R2的具體例子。
將說明提供在第一像素中的發光元件R1的具體元件結構。首先,在ITO(110nm)上形成20nm的CuPc作為電洞注入層,接著形成30nm的NPB作為電洞傳輸層,接著形成30nm的層作為發光層,該層是共蒸發沈積了作為主體材料的2,3-雙(4-二苯氨基苯基)喹喔啉(簡稱:TPAQn)和(乙醯丙酮)雙[2-(2’-苯並噻吩基)pyridinato-N,C3’]銥(簡稱Ir(btp)2(acac))的層,接著形成10nm的BAlq作為電子傳輸層,再者形成20nm的Alq,接著形成2nm的氟化鈣作為電子注入層,最後形成150nm的Al作為陰極,以製造元件。此外,將在發光層中的TPAQn和Ir(btp)2(acac)的比率調整為Ir(btp)2(acac)為8wt%。
此外,將說明提供在第二像素中的發光元件R2的具體元件結構。首先,在ITO(110nm)上形成20nm的CuPc作為電洞注入層,接著形成30nm的NPB作為電洞傳輸層,接著形成30nm的共蒸發沈積了作為主體材料的TPAQn和紅熒烯的層作為發光層,接著作為電子傳輸層形成10nm的BAlq,再者形成20nm的Alq,接著形成2nm的氟化鈣作為電子注入層,最後形成150nm的Al作為陰極,以製造元件。此外,將在發光層中的TPAQn和紅熒烯的比率調整為紅熒烯為10wt%。
圖8表示上述被製造了的發光元件R1的發射光譜801、發光元件R2的發射光譜802。圖8所示的發射光譜是當以25mA/cm2 的電流密度使電流流過發光元件時的發射光譜。在圖8中,R2的發射光譜802位於偏移到比R1的發射光譜801的波長更短一側的位置。此時,發光元件R1的在CIE-XY色度圖中的色度座標為(x,y)=(0.68,0.32),而發光元件R2的在CIE-XY色度圖中的色度座標為(x,y)=(0.47,0.52)。
以下將說明用於本發明的第三像素及第四像素的發光元件G1及發光元件G2的具體例子。
將說明提供在第三像素中的發光元件G1的具體元件結構。在ITO(110nm)上形成50nm的DNTPD作為電洞注入層,接著形成10nm的NPB作為電洞傳輸層,接著形成37.5nm的共蒸發沈積了作為主體材料的Alq和香豆素6的層作為發光層,接著形成37.5nm的Alq作為電子傳輸層,接著形成2nm的氟化鈣作為電子注入層,最後形成150nm的Al作為陰極,以製造元件。此外,將在發光層中的Alq和香豆素6的比率調整為香豆素6為0.3wt%。
此外,將說明提供在第四像素中的發光元件G2的具體元件結構。在ITO(110nm)上形成50nm的DNTPD作為電洞注入層,接著形成10nm的NPB作為電洞傳輸層,接著形成37.5nm的共蒸發沈積了作為主體材料的Alq和DMQd的層作為發光層,接著形成37.5nm的Alq作為電子傳輸層,接著形成2nm的氟化鈣作為電子注入層,最後形成150nm的Al作為陰極,以製造元件。此外,將在發光層中的Alq和DMQd的比率調整為DMQd為0.3wt%。
圖9表示上述被製造了的發光元件G1的發射光譜901、發光元件G2的發射光譜902。圖9所示的發射光譜是當以25mA/cm2 的電流密度使電流流過發光元件時的發射光譜。在圖9中,G2的發射光譜902位於偏移到比G1的發射光譜901的波長更長一側的位置。此時,發光元件G1的在CIE-XY色度圖中的色度座標為(x,y)=(0.28,0.63),而發光元件G2的在CIE-XY色度圖中的色度座標為(x,y)=(0.43,0.56)。
以下將說明用於本發明的第五像素及第六像素的發光元件B1及發光元件B2的具體例子。
將說明提供在第五像素中的發光元件B1的具體元件結構。在ITO(110nm)上形成30nm的DNTPD作為電洞注入層,接著形成30nm的NPB作為電洞傳輸層,接著形成40nm的t-BuDNA作為發光層,接著形成20nm的Alq作為電子傳輸層,接著形成2nm的氟化鈣作為電子注入層,最後形成150nm的Al作為陰極,以製造元件。
此外,將說明提供在第六像素中的發光元件B2的具體元件結構。在ITO(110nm)上形成30nm的DNTPD作為電洞注入層,接著形成30nm的NPB作為電洞傳輸層,接著形成40nm的共蒸發沈積了t-BuDNA和TPAQn的層作為發光層,接著形成20nm的Alq作為電子傳輸層,接著形成2nm的氟化鈣作為電子注入層,最後形成150nm的Al作為陰極,以製造元件。此外,將在發光層中的t-BuDNA和TPAQn的比率調整為TPAQn為5wt%。
圖10表示上述被製造了的發光元件B1的發射光譜1001、發光元件B2的發射光譜1002。圖10所示的發射光譜是當以25mA/cm2 的電流密度使電流流過發光元件時的發射光譜。在圖10中,B2的發射光譜1002在於偏移到比B1的發射光譜1001的波長更長一側的位置。此時,發光元件B1的在CIE-XY色度圖中的色度座標為(x,y)=(0.15,0.11),而發光元件B2的在CIE-XY色度圖中的色度座標為(x,y)=(0.18,0.32)。
圖11表示CIE-XY色度圖,其中顯示上述被製造了的發光元件R1、發光元件R2、發光元件G1、發光元件G2、發光元件B1、發光元件B2的各色度座標。在圖11中,用線連接發光元件R1、發光元件G1、發光元件B1的色度座標而形成的區域為RGB1,而用線連接發光元件R2、發光元件G2、發光元件B2的色度座標而形成的區域為RGB2。關於作為顏色的三原色的RGB,藉由具有色調不相同的發光元件,可以表現被圖11所示的RGB6包圍的區域的各顏色的色調,並可以提供在CIE-XY色度圖上的顏色再生範圍被改善了的顯示裝置。
此外,在各發光元件中,可以採用所謂的微諧振器結構(微腔結構)以提高色純度,其中如果以發光元件的發光區域和反射電極(反射光的電極)之間的光學距離為L並以目標波長為λ,就滿足L=(2m-1)λ/4(注意,m為1或更大的自然數)。光學距離是以“實際距離×在波長λ中的折射率”而算出的。
此外,發光元件R2、發光元件G2、發光元件B2中的任何一個色度座標只要位於用線連接了發光元件R1、發光元件G1、發光元件B1的色度座標而形成的區域之外的地方即可。這是因為如果發光元件R2、發光元件G2、發光元件B2都位於用線連接了發光元件R1、發光元件G1、發光元件B1的色度座標而形成的區域中,在圖11中的RGB1和RGB2的顏色再生範圍就重復了的緣故。
如上所述,本發明的顯示裝置在各像素中可以採用上述發光元件的材料。並且,以上舉出的發光元件的材料只是一部分,只要是可以呈現與本發明相同的色度座標的發光元件,什麽都可以採用。
本實施例模式可以與在本說明書中的實施例或實施例模式的任何記載自由地組合而實施。
[實施例模式2]
本實施例模式將說明與上述實施例模式不相同的在本發明的顯示裝置中的發光元件的結構。
如圖2所示,在本發明的像素部的結構中,本發明的影像元件具有第一像素、第二像素、第三像素、第四像素、第五像素、第六像素。此外,第一至第六像素分別提供有發光元件,並且第一像素與發光元件R1連接,第二像素與發光元件R2連接,第三像素與發光元件G1連接,第四像素與發光元件G2連接,第五像素與發光元件B1連接,第六像素與發光元件B2連接。
在本說明書中,當表示為CIE-XY色度圖時,本發明的第一像素的發光元件R1及第二像素的發光元件R2在色度圖的x座標為0.50或更大。此外,當表示為CIE-XY色度圖時,本發明的第三像素的發光元件G1及第四像素的發光元件G2在色度圖的y座標為0.55或更大。此外,當表示為CIE-XY色度圖時,本發明的第五像素的發光元件B1及第六像素的發光元件B2在色度圖的x座標為0.15或更小且y座標為0.2或更小。
在本實施例模式中,在提供在第一像素及第二像素中的發光元件R1及R2、提供在第三像素及第四像素中的發光元件G1及G2、提供在第五像素及第六像素中的發光元件B1及B2中,藉由使各發光元件的厚度不相同來使發射光譜不相同。結果,當表示為CIE-XY色度圖時,色度圖的座標在提供於第一像素及第二像素的發光元件R1及R2、提供於第三像素及第四像素的發光元件G1及G2、提供於第五像素及第六像素的發光元件B1及B2之間不相同。以下將說明具體例。
在本實施例模式中,將說明當用於第三像素及第四像素的發光元件G1及發光元件G2表示為CIE-XY色度圖時使色度圖的座標不相同的具體例。
將說明提供在第三像素中的發光元件G1的具體結構。首先,在ITO(110nm)上形成20nm的CuPc作為電洞注入層,接著形成40nm的NPB作為電洞傳輸層,接著形成40nm的共蒸發沈積了作為主體材料的Alq和作為綠色發光材料的香豆素6的層作為發光層,接著形成30nm的共蒸發沈積了Alq和Li的層作為電子注入層,最後形成150nm的Al作為陰極,以製造元件。此外,將在發光層中的Alq和香豆素6的比率調整為香豆素6為0.3wt%。此外,將在電子注入層中的Alq和Li的比率調整為Li為1wt%。
圖12A顯示提供在第三像素中的發光元件G1的疊層結構。該元件的結構是如下:在基板1211上中間夾著電晶體1212的層疊有陽極1213、由電洞注入材料構成的電洞注入層1201A,並在其上層疊有由電洞傳輸材料構成的電洞傳輸層1202A、發光層1203A、由電子傳輸材料構成的電子傳輸層1204A、由電子注入材料構成的電子注入層1205A、以及陰極1214。在圖12A的右圖中的疊層結構是擴大在圖12A中的發光元件部的截面圖。
此外,將說明提供在第四像素中的發光元件G2的具體元件結構。首先,在ITO(110nm)上形成20nm的CuPc作為電洞注入層,接著形成40nm的NPB作為電洞傳輸層,接著形成40nm的共蒸發沈積了作為主體材料的Alq和作為綠色發光材料的香豆素6的層作為發光層,接著形成30nm的共蒸發沈積了Alq和Li的層作為電子注入層,接著形成180nm的NPB和鉬氧化物(VI)的共蒸發沈積層,最後形成150nm的Al作為陰極,以製造元件。此外,將在發光層中的Alq和香豆素6的比率調整為香豆素6為0.3wt%。此外,將在電子注入層中的Alq和Li的比率調整為Li為1wt%。此外,將NPB和鉬氧化物(VI)的比率調整為鉬氧化物為20wt%。
圖12B表示提供在第四像素中的發光元件G2的疊層結構。該元件的結構是如下:在基板1211上中間夾著電晶體1212的層疊有陽極1213、由電洞注入材料構成的電洞注入層1201B,並在其上層疊有由電洞傳輸材料構成的電洞傳輸層1202B、發光層1203B、由電子傳輸材料構成的電子傳輸層1204B、由電子注入材料構成的電子注入層1205B、NPB和鉬氧化物(VI)的共蒸發沈積層1206、以及陰極1214。在圖12B的右圖中的疊層結構是擴大在圖12B中的發光元件部的截面圖。
圖13表示如圖12A所示層疊而成的發光元件G1的發射光譜1301、如圖12B所示層疊而成的發光元件G2的發射光譜1302。圖13所示的發射光譜是當以25mA/cm2 的電流密度使電流流過發光元件時的發射光譜。在圖13中,G2的發射光譜1302位於偏移到比G1的發射光譜1301的波長更短一側的位置。此時,發光元件G1的在CIE-XY色度圖中的色度座標為(x,y)=(0.30,0.64),而發光元件G2的在CIE-XY色度圖中的色度座標為(x,y)=(0.21,0.69)。
此外,像這樣,對於提供在第一像素中的發光元件R1和提供在第二像素中的發光元件R2、提供在第五像素中的發光元件B1和提供在第六像素中的發光元件B2,藉由具有厚度互不相同的發光元件,可以獲得具有不同的發射光譜的發光元件。換言之,在提供於第一像素中的發光元件R1和提供於第二像素中的發光元件R2、提供於第五像素中的發光元件B1和提供於第六像素中的發光元件B2中,可以獲得在CIE-XY色度圖中具有不同的色度座標的發光元件。
如本實施例模式所示,藉由將發光元件的厚度在發光元件R1和發光元件R2、發光元件G1和發光元件G2、發光元件B1和發光元件B2之間不相同,可以獲得在CIE-XY色度圖中具有不同的色度座標的發光元件。當然,也可以藉由使用不相同的發光元件的材料並改變發光元件的厚度來獲得在CIE-XY色度圖中具有不同的色度座標的發光元件。
此外,藉由使發光元件的厚度不相同(厚度化)來使發射光譜不相同是不特別局限於藉由形成共蒸發沈積層來實現的。例如,如圖45A至45C和圖54A和54B所示,可以是藉由將電洞注入層1201、電洞傳輸層1202、發光層1203、電子傳輸層1204、或電子注入層1205厚度化來實現的。例如,如圖45A所示,也可以將電洞注入層1201厚度化來使厚度在發光元件R1和發光元件R2、發光元件G1和發光元件G2、發光元件B1和發光元件B2之間不相同。此外,如圖45B所示,也可以將電洞傳輸層1202厚度化來使厚度在發光元件R1和發光元件R2、發光元件G1和發光元件G2、發光元件B1和發光元件B2之間不相同。此外,如圖45C所示,也可以將發光層1203厚度化來使厚度在發光元件R1和發光元件R2、發光元件G1和發光元件G2、發光元件B1和發光元件B2之間不相同。此外,如圖54A所示,也可以將電子傳輸層1204厚度化來使厚度在發光元件R1和發光元件R2、發光元件G1和發光元件G2、發光元件B1和發光元件B2之間不相同。此外,如圖54B所示,也可以將電子注入層厚度化而使厚度在發光元件R1和發光元件R2、發光元件G1和發光元件G2、發光元件B1和發光元件B2之間不相同。當然,也可以將在電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、或電子注入層中的任何多個層厚度化來使發射光譜不相同,因而獲得在CIE-XY色度圖中具有不同的色度座標的發光元件。
此外,在本實施例模式中,使用包含金屬氧化物的共蒸發沈積層以實現厚度化。藉由將金屬氧化物用於共蒸發沈積層,可以防止由厚度化導致的驅動電壓的上升,因此是很合適的。
此外,在本發明中的本實施例模式與所謂的微諧振器結構(微腔結構)不同,在該微諧振器結構中,如果以發光元件的發光區域和反射電極(反射光的電極)之間的光學距離為L並以目標波長為λ,就滿足L=(2m-1)λ/4(注意,m為1或更大的自然數)。此外,光學距離是以“實際距離×在波長λ中的折射率”而算出的。在本發明的本實施例模式中,只要發射光譜在發光元件R1和發光元件R2、發光元件G1和發光元件G2、發光元件B1和發光元件B2之間不相同,就可以任意設計發光元件的光學距離。例如,可以設計並使發光元件的厚度以發光元件R1、發光元件R2、發光元件G1、發光元件G2、發光元件B1、發光元件B2的順序為薄,或者,也可以設定並使發光元件的厚度以發光元件R1和發光元件R2、發光元件G1和發光元件G2、發光元件B1和發光元件B2的順序為薄。
此外,在本實施例模式中,藉由進行發光元件的厚度化,發光元件的第一電極(陽極)和發光元件的第二電極(陰極)之間的距離D在發光元件R1和發光元件R2、發光元件G1和發光元件G2、發光元件B1和發光元件B2之間不相同。在本說明書中,發光元件的第一電極(陽極)和發光元件的第二電極(陰極)之間的距離D是指在各個電極中的發光層一側的端面(在本實施例模式中,在第一電極一側為與電洞注入層之間的邊界,而在第二電極一側為與電子注入層之間的邊界)之間的距離。
如上所述那樣,本發明的顯示裝置在各像素中可以採用上述發光元件的材料。並且,以上舉出的發光元件的材料只是一部分,只要是可以呈現與本發明相同的色度座標的發光元件,什麽都可以採用。
本實施例模式可以與在本說明書中的實施例或實施例模式的任何記載自由地組合而實施。
[實施例模式3]
本實施例模式將說明與上述實施例模式不相同的在本發明的顯示裝置中的發光元件的結構。
如圖2所示,在本發明的像素部的結構中,本發明的影像元件具有第一像素、第二像素、第三像素、第四像素、第五像素、第六像素。此外,在第一至第六像素中分別提供有發光元件,並且第一像素與發光元件R1連接,第二像素與發光元件R2連接,第三像素與發光元件G1連接,第四像素與發光元件G2連接,第五像素與發光元件B1連接第六像素與發光元件B2連接。
在本說明書中,當表示為CIE-XY色度圖時,本發明的第一像素的發光元件R1及第二像素的發光元件R2在色度圖的x座標為0.50或更大。此外,當表示為CIE-XY色度圖時,本發明的第三像素的發光元件G1及第四像素的發光元件G2在色度圖的y座標為0.55或更大。此外,當表示為CIE-XY色度圖時,本發明的第五像素的發光元件B1及第六像素的發光元件B2在色度圖的x座標為0.15或更小且y座標為0.2或更小。
在本實施例模式中,在提供於第一像素及第二像素的發光元件R1及R2、提供於第三像素及第四像素的發光元件G1及G2、提供於第五像素及第六像素的發光元件B1及B2中,藉由使發射光譜在R1和R2、G1和G2、B1和B2之間大約相同,並採用將濾色器提供在來自各發光元件的光的透射部的結構,來使發射光譜不相同。結果,當表示為CIE-XY色度圖時,色度圖的座標在提供於第一像素及第二像素的發光元件R1及R2、提供於第三像素及第四像素的發光元件G1及G2、提供於第五像素及第六像素的發光元件B1及B2之間不相同。下面將說明具體例子。
在本實施例模式中,將參照像素部的截面結構來說明顯示裝置的結構。
圖14A和14B是在本實施例模式中的顯示裝置的像素的截面圖的一部分。圖14A所示的本發明的顯示裝置包括如下結構:基板1400、底絕緣膜1401、半導體層1402、閘極絕緣膜1403、閘極電極1404、中間層絕緣膜1405、連接部1406、發光元件的第一電極1407、隔離壁1408、發光層1409、發光元件的第二電極1410、濾色器(R1)1411、濾色器(R2)1412、濾色器(G1)1413、濾色器(G2)1414、濾色器(B1)1415、濾色器(B2)1416、相對基板1417。
發光元件形成在發光元件的第一電極1407和第二電極1410夾有發光層1409的部分。發光元件藉由與第一電極1407電接觸的連接部1406連接於由半導體層1402、閘極絕緣膜1403、閘極電極1404構成的薄膜電晶體,並且被控制發光。此外,在本實施例模式中,採用了如下結構:將第一電極1407當成使用高反射率的材料而形成的反射電極,而將第二電極1410當成使用具有透光性的導電材料而形成的透明電極,並從第二電極1410的方向射出光。
此外,在圖14A中的薄膜電晶體從左邊依此順序驅動發光元件R1、發光元件G1、發光元件B1、發光元件R2、發光元件G2、發光元件B2。此外,在不提供濾色器的情況下的各像素的發光元件的發射光譜在R1和R2、G1和G2、B1和B2之間大致相同。此外,在圖14所示的箭頭從左邊示意地表示來自發光元件R1、發光元件G1、發光元件B1、發光元件R2、發光元件G2、發光元件B2的經由濾色器的發光。
在本實施例模式中,在提供於第一像素及第二像素的發光元件R1及R2、提供於第三像素及第四像素的發光元件G1及G2、提供於第五像素及第六像素的發光元件B1及B2中,在射出光的一側分別提供有濾色器(R1)1411、濾色器(R2)1412、濾色器(G1)1413、濾色器(G2)1414、濾色器(B1)1415、濾色器(B2)1416。在本實施例模式中,藉由使光的透射特性在濾色器(R1)1411和濾色器(R2)1412、濾色器(G1)1413和濾色器(G2)1414、濾色器(B1)1415和濾色器(B2)1416之間不相同,並使被射出的光的發射光譜在發光元件R1和R2、發光元件G1和G2、發光元件B1和B2之間不相同,以獲得在CIE-XY色度圖中具有不同的色度座標的發光元件。
此外,可以藉由顏料分散法、印刷法、電沈積法、染色法中的任一方法而製造濾色器。此外,提供於第一像素及第二像素的發光元件R1及R2、提供於第三像素及第四像素的發光元件G1及G2、提供於第五像素及第六像素的發光元件B1及B2中的每一個可以是具有相同發射光譜的發光元件,例如,也可以是具有射出白色光的發射光譜的發光元件。藉由具有同一的發光元件,可以使發光元件的製造技術簡化,因此是很合適的。
圖14B是在本實施例模式中的顯示裝置的像素的截面圖的一部分。此外,圖14B所示的本發明的顯示裝置的各結構是按照圖14A而形成的。
與圖14A的不同點就是從發光元件R1、發光元件G1、發光元件B1中射出的光不經由濾色器。此時,在不提供濾色器的情況下的各像素的發光元件的發射光譜在R1和R2、G1和G2、B1和B2之間大致相同。在圖14B中,藉由利用濾色器(R2)1412、濾色器(G2)1414、濾色器(B2)1416的透射特性,來使從發光元件R2、發光元件G2、發光元件B2中射出的光的發射光譜不相同。結果,使被射出的光的發射光譜在發光元件R1和發光元件R2、發光元件G1和發光元件G2、發光元件B1和發光元件B2之間不相同,以獲得在CIE-XY色度圖中具有不同的色度座標的發光元件。
此外,將同一顏色的發光元件配置在整個表面,並藉由透射特性互不相同的濾色器使被射出的光的發射光譜在發光元件R1和發光元件R2、發光元件G1和發光元件G2、發光元件B1和發光元件B2之間不相同,以實現獲得在CIE-XY色度圖中具有不同的色度座標的發光元件。例如,只要配置白色的發光元件作為同一顏色的發光元件,並且,如圖14A所示,在第一像素至第六像素的上部配置濾色器,即可。
此外,圖15A是表示具有與圖14A不相同的結構的本發明的顯示裝置的圖。此外,圖15A所示的本發明的顯示裝置的各結構是按照圖14A而形成的。圖15A顯示底部發光型顯示裝置的例子,其中採用了發光元件將光射出到發光元件的第一電極1407一側的結構。在15B中,從第一電極1407一側取出發光,因此,使用具有透光性的導電材料形成第一電極1407,並使用高反射率的導電材料製造第二電極1410作為反射電極。
在本實施例模式中,在提供於第一像素及第二像素的發光元件R1及R2、提供於第三像素及第四像素的發光元件G1及G2、提供於第五像素及第六像素的發光元件B1及B2中,在射出光的一側分別提供有濾色器(R1)1411、濾色器(R2)1412、濾色器(G1)1413、濾色器(G2)1414、濾色器(B1)1415、濾色器(B2)1416。在本實施例模式中,藉由使光的透射特性在濾色器(R1)1411和濾色器(R2)1412、濾色器(G1)1413和濾色器(G2)1414、濾色器(B1)1415和濾色器(B2)1416之間不相同,並使被射出的光的發射光譜在發光元件R1和R2、發光元件G1和G2、發光元件B1和B2之間不相同,以獲得在CIE-XY色度圖中具有不同的色度座標的發光元件。
此外,可以藉由顏料分散法、印刷法、電沈積法、染色法中的任一方法而製造濾色器。此外,提供於第一像素及第二像素的發光元件R1及R2、提供於第三像素及第四像素的發光元件G1及G2、提供於第五像素及第六像素的發光元件B1及B2的每一個可以是具有相同發射光譜的發光元件,例如,也可以是具有射出白色光的發射光譜的發光元件。藉由具有同一的發光元件,可以使發光元件的製造技術簡化,因此是很合適的。
圖15B是在本實施例模式中的顯示裝置的像素的截面圖的一部分。此外,圖15B所示的本發明的顯示裝置的各結構是按照圖15A而形成的。
與圖15A之間的不同點就是從發光元件R1、發光元件G1、發光元件B1中射出的光不經由濾色器。此時,在不提供濾色器的情況下的各像素的發光元件的發射光譜在R1和R2、G1和G2、B1和B2之間大致相同。在圖15B中,因濾色器(R2)1412、濾色器(G2)1414、濾色器(B2)1416的透射特性而使從發光元件R2、發光元件G2、發光元件B2中射出的光的發射光譜不相同。結果,使被射出的光的發射光譜在發光元件R1和發光元件R2、發光元件G1和發光元件G2、發光元件B1和發光元件B2之間不相同,以獲得在CIE-XY色度圖中具有不同的色度座標的發光元件。
此外,將同一顏色的發光元件配置在整個表面,將透射特性互不相同的濾色器重疊而提供在該發光元件,並使藉由該濾色器而射出的發光元件R1和發光元件R2、發光元件G1和發光元件G2、發光元件B1和發光元件B2的發射光譜不相同,以實現獲得在CIE-XY色度圖中具有不同的色度座標的發光元件。例如,只要配置白色的發光元件作為同一顏色的發光元件,並且,如圖15A所示,在第一像素至第六像素的上部配置濾色器即可。
圖15C是在本實施例模式中的顯示裝置的像素的截面圖的一部分。此外,圖15C所示的本發明的顯示裝置的各結構是按照圖15A和15B而形成的。
圖15C和圖15A及15B之間的不同點就是配置濾色器(R1)1411、濾色器(R2)1412、濾色器(G1)1413、濾色器(G2)1414、濾色器(B1)1415、濾色器(B2)1416並使它們位於配置在發光元件和電晶體之間的第一電極1407之下。步驟變簡便並容易。結果,使被射出的光的發射光譜在發光元件R1和發光元件R2、發光元件G1和發光元件G2、發光元件B1和發光元件B2之間不相同,以獲得在CIE-XY色度圖中具有不同的色度座標的發光元件。
此外,藉由配置短波長的單色光的發光元件,並藉由色彩轉換層轉換為需要的顏色的方法來使被射出的光的發射光譜在發光元件R1和發光元件R2、發光元件G1和發光元件G2、發光元件B1和發光元件B2之間不相同,以實現獲得在CIE-XY色度圖中具有不同的色度座標的發光元件。圖40A所示的本發明的顯示裝置包括如下結構:基板4000、底絕緣膜4001、半導體層4002、閘極絕緣膜4003、閘極電極4004、中間層絕緣膜4005、連接部4006、發光元件的第一電極4007、隔離壁4008、發光層4009A及發光層4009B、發光元件的第二電極4010、色彩轉換層(R1)4011、色彩轉換層(G2)4012、色彩轉換層(R2)4013、色彩轉換層(G2)4014、相對基板4015。
例如,配置發射光譜不相同的藍色的發光元件B1及B2作為短波長的單色光的發光層4009A及發光層4009B,並且,在圖40A所示那樣採用了上面發光(頂部發光)的情況下,在第一像素、第二像素、第四像素、第五像素的上部配置色彩轉換層即可。此外,在採用底部發光的情況下,配置發射光譜不相同的藍色的發光元件B1及B2作為短波長的單色光的發光層4009A及發光層4009B,並且,如圖40B所示那樣,在第一像素、第二像素、第四像素、第五像素的下部配置色彩轉換層即可。
此外,當配置發射光譜不相同的藍色的發光元件B1及B2作為短波長的單色光的發光元件時,像圖41A和41B所示的發光層4109A及發光層4109B那樣,也可以使藍色的發光元件B1及B2的厚度不相同,並使發射光譜不相同。例如,如圖41A所示那樣,在採用上面發光(頂部發光)的情況下,配置發射光譜不相同的藍色的發光層4109A及發光層4109B作為短波長的單色光的發光元件,並在第一像素、第二像素、第四像素、第五像素的上部配置色彩轉換層即可。此外,在採用底部發光的情況下,如41B所示那樣,如藍色的發光元件的發光層4109A及發光層4109B那樣配置,並在第一像素、第二像素、第四像素、第五像素的下部配置色彩轉換層即可。此外,圖41A和41B所示的本發明的顯示裝置的各結構是按照圖40A和40B而形成的。
藉由色彩轉換層轉換為需要的顏色的色彩轉換法具有一個很大的優點就是不需要分別塗抹發光層,因為從發光元件中發出的發光顏色為一個顏色。此外,色彩轉換法是比濾色器法合適的,因為色彩轉換法藉由色彩轉換層利用光的吸收、激發、發光的過程來獲得所希望的發光。
本實施例模式可以與在本說明書中的實施例或實施例模式的任何記載自由地組合而實施。
[實施例模式4]
在本實施例模式中,將說明與圖2所示的結構不相同的上述實施例模式所述的一個像素內的像素配置。
此外,如圖2所示,在本發明的像素部的結構中,本發明的影像元件具有第一像素、第二像素、第三像素、第四像素、第五像素、第六像素。此外,在第一至第六像素中分別提供有發光元件,並且第一像素與發光元件R1連接,第二像素與發光元件R2連接,第三像素與發光元件G1連接,第四像素與發光元件G2連接,第五像素與發光元件B1連接,第六像素與發光元件B2連接。
在本實施例模式中的顯示裝置的像素配置為如下:如圖16所示,在影像元件1600中配置有第一像素1601、第二像素1602、第三像素1603、第四像素1604、第五像素1605、第六像素1606,其中各像素配置為條狀。
在圖16中,配置各第一像素1601至第六像素1606並使它們沿著行方向排列,但是,配置的形式沒有特別的限制。例如,可以配置為沿著列方向排列的形式,或者,例如,也可以在具有發光元件R1的第一像素1601的旁邊配置具有發光元件G2的第五像素1605。此外,各像素的形狀也不局限於圖16所示的矩形,還可以採用例如正方形、其他多邊形或具有曲率的形狀。
此外,關於第一像素1601至第六像素1606之間的寬度,可以以相同間隔配置,或者,也可以以不同間隔配置。
此外,在圖53A中,也可以將第一像素1601、第二像素1602、以及第三像素1603安排在第一列,並且,將第四像素1604、第五像素1605、以及第六像素1606排在下一列,並且,配置第一像素1601、第二像素1602、以及第三像素1603的列和配置第四像素1604、第五像素1605、以及第六像素1606的列錯開一個像素。在本實施例模式中,配置為沿列方向錯開一個像素的位置的形式,但是並不特別局限於一個像素。例如,如53B所示,也可以配置為錯開半個像素的位置的形式。像這樣,藉由採用對於每個列錯開位置地配置像素的結構,特別是,在自然的動態影像的顯示中可以進行平滑的顯示。
此外,在發光元件R1、發光元件R2、發光元件G1、發光元件G2、發光元件B1、以及發光元件B2中,各發光效率在呈現各發光顏色的發光元件之間不相同。因此,低發光效率的發光元件為了獲得所希望的亮度的發光而需要相對的為高的電流。再者,人眼的靈敏度根據發光波長不同,對綠的發光波長的靈敏度一般比紅或藍的發光波長為高。因此,需要使藍或紅的亮度比綠的亮度相對地為高,以使藍或紅發光並使它們對人眼成為與綠相同的靈敏度。但是,為了使發光元件的亮度高,會使多電流流過發光元件導致發光元件的劣化增加,並導致顯示裝置的耗電量的增加。此外,如果由發光元件的劣化引起發光波長的偏移,顯示裝置的顏色再生性就會降低,並且影像品質就會降低。
因此,也可以採用如下結構:預先使發光元件的面積在發光元件R1、發光元件R2、發光元件G1、發光元件G2、發光元件B1、發光元件B2之間不相同。例如,可以採用如下結構:將發光元件R1、發光元件R2、發光元件B1、發光元件B2的面積增加了一倍,而不改變發光元件G1和發光元件G2的面積。藉由採用如上所述的結構,也可以使在發光元件之間的劣化的不均勻性平均化,因此是很合適的。
此外,不像圖16所示的結構那樣,圖17所示的顯示裝置的像素的配置為如下:在影像元件1700中,具有第一像素1701、第二像素1702、第三像素1703、第四像素1704、第五像素1705、第六像素1706,其中第一像素、第二像素、以及第三像素和第四像素、第五像素、以及第六像素分別配置為三角形。
圖17顯示如下結構:使面積在第一像素1701和第四像素1704之間、在第二像素1702和第五像素1705之間、在第三像素1703和第六像素1706之間不相同。但是不局限於此。可以使面積在第一像素1701和第四像素1704之間、在第二像素1702和第五像素1705之間、在第三像素1703和第六像素1706之間相同,或者可以採用面積在第一像素1701至第六像素1706之間都不相同的結構。此外,對像素的設計也沒有特別的限制,也可以採用使用像素1710形成影像的結構。
此外,例如,也可以在具有發光元件R1的第一像素1701的旁邊配置具有發光元件B1的第三像素1703。此外,各像素的形狀也不局限於圖17所示的矩形,還可以採用例如正方形、其他多邊形或具有曲率的形狀。此外,至於第一像素1701至第六像素1706之間的寬度,可以以相同間隔配置,或者,也可以以不同間隔配置。
此外,在本發明的顯示裝置中,不局限於第一像素至第六像素,也可以採用如下結構:如圖18所示那樣,具有第一像素1801、第二像素1802、第三像素1803、第四像素1804、第五像素1805、第六像素1806、第七像素1807、第八像素1808、第九像素1809。此外,第七像素1807具有發光元件R3,第八像素1808具有發光元件G3、第九像素1809具有發光元件B3。
圖18顯示如下結構:使面積在第一像素1801和第四像素1804和第七像素1807之間、在第二像素1802和第五像素1805和第八像素1808之間、在第三像素1803和第六像素1806和第九像素1809之間不相同。但是不局限於此。可以使面積在第一像素1801和第四像素1804和第七像素1807之間、在第二像素1802和第五像素1805和第八像素1808之間、在第三像素1803和第六像素1806和第九像素1809之間相同,或者可以採用面積在第一像素1801至第九像素1809之間都不相同的結構。
此外,在本發明的顯示裝置中,不局限於第一像素至第六像素,也可以採用如下結構:如圖19A所示,排列第一像素1901、第二像素1902、第三像素1903,並具有第四像素1904、第五像素1905、第六像素1906、第七像素1907。此外,採用第七像素具有白色的發光元件W的結構。
此外,當表示CIE-XY色度圖時,第七像素的發光元件W在色度圖的x座標為0.30或更大且為0.40或更小、y座標為0.30或更大且為0.40或更小。此外,更佳的,當表示為CIE-XY色度圖時,第七像素的發光元件W在色度圖的x座標為0.30或更大且為0.35或更小、y座標為0.30或更大且為0.35或更小。
圖19A顯示如下結構:使面積在第一像素1901和第四像素1904之間、在第二像素1902和第五像素1905之間、在第三像素1903和第六像素1906之間相同。但是不局限於此。可以使使面積在第一像素1901和第四像素1904之間、在第二像素1902和第五像素1905之間、在第三像素1903和第六像素1906之間不相同,或者可以採用面積在第一像素1901至第六像素1906之間都不相同的結構。
此外,圖19B表示與圖19A不相同的結構。圖19B和圖19A之間的不同點就是配置第一像素1901、第二像素1902、第三像素1903、第四像素1904、第五像素1905、第六像素1906、第七像素1907的方式。當然,各像素的配置也不特別局限於此。此外,各像素的形狀也不局限於圖19A和圖19B所示的矩形,還可以採用例如正方形、其他多邊形或具有曲率的形狀。
與使用發光元件R1、發光元件R2、發光元件G1、發光元件G2、發光元件B1、發光元件B2的混色表示白色的情況相比,藉由第七像素具有發白色光的發光元件W,可以只有發光元件W發光來進行顯示,因此可以降低耗電量。因此是很合適的。此外,當顯示中間色時,藉由加上白色進行加法混色,來可以期待耗電量的進一步減少,因此是很合適的。
此外,在本發明的顯示裝置中,也可以採用如下結構:在像素中,第七像素具有發白色光的發光元件W1,而第八像素具有發白色光的發光元件W2。像上述發光元件R1和發光元件R2、發光元件G1和發光元件G2、發光元件B1和發光元件B2那樣,使發射光譜在發光元件W1和發光元件W2之間不相同。結果,可以提供顯示更鮮明的色彩並降低了耗電量的顯示裝置。
此外,當表示CIE-XY色度圖時,第七像素的發光元件W1及第八像素的發光元件W2在色度圖的x座標為0.30或更大且為0.40或更小、y座標為0.30或更大且為0.40或更小。此外,更佳的,當表示為CIE-XY色度圖時,第七像素的發光元件W1及第八像素的發光元件W2在色度圖的x座標為0.30或更大且為0.35或更小、y座標為0.30或更大且為0.35或更小。
此外,本實施例模式可以與在本說明書中的實施例或實施例模式的任何記載自由地組合而實施。
[實施例模式5]
在本實施例模式中,將說明具有與圖4及圖5不相同的結構的上述實施例模式所示的像素結構和操作方法。
根據圖4及圖5所示的像素結構和操作方法,就有一個優點就是位址(寫入)週期和維持(發光)週期完全分離,因此可以任意設定維持(發光)週期的長短。但是,在位址(寫入)週期,當在某個列中進行寫入時,在其他列中不進行寫入或發光。換言之,在整體上,占空比降低了。
這裏,將說明位址(寫入)週期和維持(發光)週期不分離的操作。
圖20表示為了實現上述操作而形成的像素結構。圖20所示的像素結構具有控制視頻訊號的輸入的開關用第一電晶體2001(也被稱為開關電晶體)、根據視頻訊號決定發光元件是否發光的驅動用第二電晶體2002(也被稱為驅動電晶體)、用於抹除第二電晶體的閘極-源極間電壓的第三電晶體2003(也被稱為抹除電晶體)、發光元件2004、保持電容器2005、訊號線2006、第一掃描線2007、第二掃描線2008、電源線2009、以及相對電極2010。為了更準確地保持第一電晶體2001及第二電晶體2002的閘極-源極間電壓(閘極電壓)而提供保持電容器2005,但是,不需要一定提供保持電容器2005。在本說明書中,如果沒有特別的記載,“電壓”意味著與地之間的電位差。此外,發光元件2004相當於圖2中的發光元件R1、R2、G1、G2、B1、B2。
使用第一掃描線2007控制第一電晶體2001。如果第一電晶體2001導通,視頻訊號從訊號線2006輸入到保持電容器2005。結果,第二電晶體2002相應視頻訊號導通或截止,並且電流從電源線2009經由發光元件2004流過相對電極2010。
在想要抹除訊號的情況下,選擇第二掃描線2008來使第三電晶體2003成為導通狀態,而使第二電晶體2002成為截止狀態。因此,沒有電流從電源線2009經由發光元件2004流過相對電極2010。結果,可以確保非發光週期,並可以任意控制發光週期的長短。
圖21表示當進行抹除像素訊號的操作時的時序圖。在本實施例模式中,舉出如圖5所示那樣採用數位時間灰度級方式並使用3位元數位視頻訊號的情況作為例子來進行說明。在採用數位時間灰度級方式的情況下,1框週期2101還分割為多個子框週期。由於這裏具有3位元,所以分割為三個子框週期,並在各子框週期進行在各發光顏色中的寫入及顯示。
在圖21中,各子框週期具有位址(寫入)週期Ta#(#為自然數)和維持(發光)週期Ts#。從圖21中可以看到,在1框週期2101被分割而成的子框週期中,位址(寫入)週期和維持(發光)週期不分離。換言之,在第i列的寫入進行完之後,在第i列立即開始發光。然後,當在第i+1列進行寫入時,第i列已經進入了維持(發光)週期。藉由採用這種時序,可以增加占空比。
注意,在採用如圖21所示的時序的情況下,如果維持(發光)週期比位址(寫入)週期為短,就產生在某個子框週期中的位址(寫入)週期和在下一次子框週期中的位址(寫入)週期重復了的週期。因此,如圖20所示那樣,使用第三電晶體在從維持(發光)週期結束的時候起到開始下一次位址(寫入)週期的週期有強制性地提供抹除週期Tr3。這種抹除週期可以避免在不同的子框週期中的位址(寫入)週期互相重復。具體地說,使用用於控制第三電晶體的第二掃描線驅動電路輸出用於抹除的選擇脈衝,來從第一列開始順序以所希望的時序導通第三電晶體。只要該第二掃描線驅動電路具有與進行通常寫入的第一掃描線驅動電路相同結構即可。因此,寫入抹除用訊號的週期(以下稱為重置週期)Te3的長短與位址(寫入)週期相同。
此外,這裏,以灰度級顯示位元數和子框個數相同的情況作為例子,但是,也可以分割為更多個週期。此外,即使不一定將維持(發光)週期的長短的比設定為2的乘方,也可以表現灰度級。如上所述,藉由採用如圖20所示的像素結構,可以在各列中容易控制發光週期的長短。
藉由採用如圖20所示的像素結構,即使訊號的寫入操作為慢,也可以在1框內配置很多子框。此外,在進行抹除操作的情況下,由於不需要像視頻訊號那樣獲得抹除用資料,所以也可以減少源極驅動器的驅動頻率。
此外,在圖4及圖20的像素結構中,也可以採用場循序方式。圖22A表示如下情況:在圖4所示的像素結構中,參考數字2201所示的1框週期分割為參考數字2202至2207所示的六個週期,並且在各週期進行在各發光顏色中的寫入、顯示。圖22B表示如下情況:在圖20所示的像素結構中,參考數字2201所示的1框週期分割為參考數字2202至2207所示的六個週期,並且在各週期進行在各發光顏色中的寫入和顯示。
此外,在圖22A和圖22B中,舉出使用3位元數位視頻訊號的情況作為例子來進行說明。在採用數位時間灰度級方式的情況下,框週期2201還分割為多個子框週期。這裏,由於為3位元,所以分割為三個子框週期。
此外,在圖22A和圖22B中,將說明如下六個週期中的一個週期,例如第一週期2202的週期:該六個週期表示為對應於發光元件R1、R2、G1、G2、B1、B2的第一週期2202、第二週期2203、第三週期2204、第四週期2205、第五週期2206、第六週期2207。
此外,在第一週期2202中,各子框週期具有位址(寫入)週期Ta1# (#為自然數)和維持(發光)週期Ts1# 。此外,在第二週期中,具有位址(寫入)週期Ta2# (#為自然數)和維持(發光)週期Ts2# ,第三至第六週期也是如上所述那樣的。
在圖22A中,將維持(發光)週期的長短設定為Ts11 :Ts12 :Ts13 =4:2:1,並在各維持(發光)週期控制是否發光來表現23 =8灰度級。換言之,將維持(發光)週期的長短設定為2的乘方的比如Ts11 :Ts12 :Ts13 =2( n 1 ) :2( n 2 ) :.........:21 :20 。例如,如果只有Ts13 發光而在Ts11 和Ts12 中不發光就意味著只有在所有維持(發光)週期中的大約14%的週期發光。換言之,可以表現大約14%的亮度。如果只有Ts11 和Ts12 發光而在Ts13 中不發光就意味著只有在所有維持(發光)週期中的大約86%的週期發光。換言之,可以表現大約86%的亮度。
如圖21所示,藉由反復進行表示第一至第六像素的發光顏色,即,在圖2所示的發光元件R1、發光元件R2、發光元件G1、發光元件G2、發光元件B1、發光元件B2的發光顏色,看見者可藉由殘像效果而看見多色顯示。
雖然第三電晶體2003被用於圖20中,但也可以使用其他的方法。這是因為由於只要有強制性地提供非發光週期即可,所以只要不將電流供給給發光元件2004即可。因此,藉由在電流從電源線2009經由發光元件2004流過相對電極2010的路徑內的某處配置開關,並控制該開關的導通或截止,以提供非發光週期。或者,可以控制第二電晶體2002的閘極-源極間電壓,來有強制性地截止第二電晶體。
圖23顯示在第二電晶體被有強制性地截止的情況下的像素結構的例子。圖23和圖20之間的不同點就是抹除二極體2301連接於第二電晶體2002的閘極和第二掃描線2008之間。
在想要抹除訊號的情況下,第二掃描線2008被選擇(這裏,設定為高電位)而抹除二極體2301導通,電流從而從第二掃描線2008流過第二電晶體2002的閘極。結果,第二電晶體2002成為截止狀態。於是,沒有電流從第一電源線2009經由發光元件2004流過相對電極2010。結果,可以提供非發光週期,並可以任意控制發光週期的長短。
在想要保持訊號的情況下,第二掃描線2008不被選擇(這裏,設定為低電位)。抹除二極體2301於是被截止,因此第二電晶體2002的閘極電位被保持。
抹除二極體2301可以是任何元件,只要該抹除二極體具有整流性即可。該抹除二極體可以是PN二極體、PIN二極體、肖特基型二極體、或齊納型二極體。
此外,也可以使用電晶體進行二極體連接(連接閘極和汲極)。圖24顯示在此情況下的電路圖。二極體連接的電晶體2401被當成抹除二極體2301。這裏,雖然使用N通道型電晶體,但本發明不局限於此,也可以使用P通道型電晶體。
本實施例模式所示的時序圖、像素結構、以及驅動方法都是例子,本發明不局限於此。本發明可以被應用於各種時序圖、像素結構、以及驅動方法。
下文將說明在採用數位灰度級方法的情況下的驅動電晶體的操作區域。圖25表示電晶體的操作的特性圖,其中以施加到電晶體的閘極-汲極間的電壓為橫軸,而以流過電晶體的源極及汲極的電流為縱軸。
例如,在驅動電晶體在飽和區域中操作的情況下,有如下優點:即使發光元件的電壓電流特性產生劣化,其中流過的電流值也不改變。因此,顯示裝置不容易受到鬼影的影響。但是,當驅動電晶體的電流特性不均勻時,其中流過的電流也就變不均勻了。在這種情況下,可能發生顯示不均勻。
相反,在驅動電晶體在線性區域中操作的情況下,即使驅動電晶體的電流特性不均勻,也幾乎不影響其中流過的電流值。因此,不容易發生顯示不均勻。此外,因為可以防止驅動電晶體的閘極-源極間電壓(的絕對值)增加太多,所以也可以降低耗電量。
再者,當增加驅動電晶體的閘極-源極間電壓(的絕對值)時,即使驅動電晶體的電流特性不均勻,也幾乎不影響其中流過的電流值。但是,當發光元件的電壓電流特性產生劣化時,其中流過的電流值可能變化。因此,顯示裝置容易受到鬼影的影響。
像這樣,當驅動電晶體在飽和區域中操作時,即使發光元件的特性變化,電流值也不改變。因此,在這種情況下,驅動電晶體可以視為電流源在操作。由此,這種驅動稱為恒定電流驅動。
此外,當驅動電晶體在線性區域中操作時,即使驅動電晶體的電流特性不均勻,電流值也不改變。因此,在這種情況下,驅動電晶體可以視為開關在操作。因此,可以認為電源線的電壓直接施加到發光元件。由此,這種驅動稱為恒定電壓驅動。
本發明可以採用恒定電流驅動和恒定電壓驅動中的任何一個。因此,只要考慮到發光元件和電晶體的不均勻性適當的採用恒定電流驅動或恒定電壓驅動。
本實施例模式可以與在本說明書中的實施例或實施例模式的任何記載自由地組合而實施。
[實施例模式6]
在本實施例模式中,將說明在本發明中的各像素和各佈線的佈局的其他結構。
圖26表示圖4所示的電路圖的佈局圖。此外,電路圖或佈局圖不局限於圖4或圖26。
開關電晶體2601A及2601B、驅動電晶體2602A及2602B、發光元件R1及R2的電極被配置。開關電晶體2601A及2601B的源極和汲極分別連接於訊號線2604、以及驅動電晶體2602A或2602B的閘極。開關電晶體2601A的閘極連接於掃描線2605A,而開關電晶體2601B的閘極連接於掃描線2605B。驅動電晶體2602A及2602B的源極和汲極分別連接於電源線2606、以及發光元件R1及R2的電極。保持電容器(未圖示)連接於驅動電晶體2602A或2602B的閘極和電源線2606之間,但是不需要一定提供保持電容器。
此外,也可以採用對應驅動電晶體2602A或2602B提供多個訊號線2604的結構。
以第二佈線形成訊號線2604和電源線2606,而以第一佈線形成掃描線2605A和2605B。
圖27表示對應圖26的像素結構的俯視圖。圖27的各結構的參考數字是按照圖26提供。
在圖27中,在採用了頂閘極結構的情況下,以基板膜、半導體層、閘極絕緣膜、第一佈線、中間層絕緣膜、第二佈線的順序構成。在採用了底閘極結構的情況下,以基板膜、第一佈線、閘極絕緣膜半導體層、中間層絕緣膜、第二佈線的順序構成。此外,在圖27中,保持電容器2701A和2701B被提供在電源線和第一佈線之間。
此外,雖然說明了開關電晶體2601A及2601B分別形成有兩個通道形成區域的雙閘極結構,但是也可以採用形成有一個通道形成區域的單閘極結構或形成有三個通道形成區域的三閘極結構。或者,可以採用在通道形成區域的上下中間夾著閘極絕緣膜形成有兩個閘極電極的雙閘極構造或其他結構。
在圖27中,以在同一像素中的發光元件R1和發光元件R2的距離為D1,而以發光元件R1和在其他列的像素中發光元件R2的距離為D2。根據在本實施例模式中的圖27的方式,採用了D1<D2的結構,並可以使在同一像素中的發光元件R1和發光元件R2的距離為近。在本發明中,藉由採用如圖27所示那樣沿行方向(在圖26中的縱方向)排列並在發光元件R1和發光元件R2之間不提供掃描線的結構,來進一步容易視覺確認發光元件R1和發光元件R2的顏色的混色,因此是合適的。當然,至於發光元件G1及發光元件G2、發光元件B1及發光元件B2,也藉由採用了相同的結構,來容易視覺確認顏色的混色,因此是更合適的。此外,在沿列方向(在圖26中的橫方向)排列而配置發光元件R1和發光元件R2的情況下,藉由在發光元件R1和發光元件R2之間不配置電源線,發光元件R1和發光元件R2配置在更旁邊的位置,因此是合適的。
在圖26的像素中,可以使用其他列的像素的掃描線2605A代替掃描線2605B。換言之,在這種情況下,可以省略圖26所示的顯示裝置的掃描線2605B。圖28表示當省略圖26所示的像素的掃描線2605B並使用旁邊的列的像素的掃描線2605A代替掃描線2605B時的結構作為一個例子。
圖26和圖28所示的顯示裝置的結構只是一個例子,本發明不局限於此。例如,也可以不與訊號線平行地配置電源線,可以與掃描線平行地配置電源線,或者,電源線分別可以配置為柵狀。換言之,如圖29所示那樣,可以與掃描線平行地配置在圖26的像素中的電源線。
如上所述,在本發明的顯示裝置的像素周邊的佈線結構變換為各種各樣的方式,並不特別局限於在本書明書中舉出的結構。
此外,本實施例模式可以與在本說明書中的其他實施例模式或實施例的任何記載自由地組合而實施。
[實施例模式7]
在本實施例模式中,參照圖30A和30B對具有上述實施例模式所示的像素結構的顯示面板的結構進行說明。
圖30A是表示顯示面板的俯視圖,圖30B是沿圖30A的線A-A’切割的截面圖。該顯示面板包括用點線表示的訊號線驅動電路3001、像素部3002、第一掃描線驅動電路3003、第二掃描線驅動電路3006。此外,還包括密封基板3004以及密封劑3005。由密封劑3005環繞的內側是空間3007。
此外,佈線3008傳送輸入到第一掃描線驅動電路3003、第二掃描線驅動電路3006、以及訊號線驅動電路3001的訊號,並從作為外部輸入端的FPC 3009(撓性印刷電路)接收視頻訊號、時鐘訊號、啟始訊號等。在FPC 3009和顯示面板之間的連接部上,藉由COG(玻璃上晶片)等安裝有IC晶片3019(形成有儲存電路、緩衝電路等的半導體晶片)。這裏,儘管僅圖示了FPC,但是該FPC可以裝有印刷佈線板(PWB)。在本說明書中的顯示裝置不僅包括顯示面板主體,而且還包括它裝有FPC或PWB的狀態。此外,還包括它安裝有IC晶片等的狀態。
其次,參照圖30B對截面結構進行說明。儘管像素部3002以及其週邊驅動電路(第一掃描線驅動電路3003、第二掃描線驅動電路3006、以及訊號線驅動電路3001)形成在基板3010上,這裏,只示出訊號線驅動電路3001和像素部3002。
此外,訊號線驅動電路3001由單導電型的電晶體如N通道型TFT3020或N通道型TFT3021構成。此外,在由單導電型的電晶體構成像素作為像素結構的情況下,如果週邊驅動電路只由N通道型電晶體構成,就可以製造單導電型顯示面板。當然,不僅使用單導電型的電晶體,而且還可以使用P通道型電晶體,來形成CMOS電路。此外,在本實施例模式中,儘管示出的是在同一基板上形成了像素部和週邊驅動電路的顯示面板,但並不限於此,還可以所有週邊驅動電路或部分週邊驅動電路形成在IC晶片等上,並以COG等安裝。在這種情況下,不要求驅動電路是使用單導電型的電晶體而形成的,可以組合P通道型電晶體使用。
像素部3002具有TFT 3011和TFT 3012。TFT 3012的源極電極與第一電極3013(像素電極)連接。此外,形成覆蓋第一電極3013的端部的絕緣體3014。這裏,使用正性光敏丙烯酸樹脂膜。
此外,為了好的覆蓋,在絕緣體3014的上端部或下端部形成具有曲率的曲面。例如,在使用正性光敏丙烯酸作為絕緣體3014的材料的情況下,較佳的只有絕緣體3014的上端部形成為具有曲率半徑(0.2至3μm)的曲面。此外,作為絕緣體3014,也可以採用經由光而不溶於蝕刻劑的負性光微影抗蝕劑或經由光而溶於蝕刻劑的正性光微影抗蝕劑。
在第一電極3013上分別形成有發光層3016和第二電極3017(相對電極)。這裏,作為用於當成陽極的第一電極3013的材料,理想地使用高功函數的材料。例如,可以使用ITO(銦錫氧化物)膜、銦鋅氧化物(IZO)膜、氮化鈦膜、鉻膜、鎢膜、Zn膜、Pt膜等的單層膜。除了上述以外,還可以使用氮化鈦膜和以鋁為主要成分的膜的疊層,或者,氮化鈦膜、以鋁為主要成分的膜以及氮化鈦膜的三層結構等。此外,在採用疊層結構的情況下,作為佈線的電阻低,並且得到良好的歐姆接觸,另外,還可以當成陽極。
此外,藉由使用蒸發沈積掩模的蒸發沈積法或噴墨法形成發光層3016。對於發光層3016,元素周期表第4族的金屬複合物可以當成其一部分,並且可以組合的材料是低分子類材料或高分子類材料。此外,作為用於發光層的材料,一般說,在大多情況下以單層或疊層使用有機化合物。但是,本實施例模式還包括如下結構:將無機化合物用於由有機化合物構成的膜的一部分。此外,可以使用已知的三重態材料。
再者,作為對形成在發光層3016上的第二電極3017使用的材料,可以使用低功函數的材料(Al、Ag、Li、Ca或這些的合金MgAg、MgIn、AlLi、CaF2 、或氮化鈣)。此外,當使在發光層3016中生成的光透過第二電極3017時,作為第二電極3017(陰極),可以使用具有薄厚度的金屬薄膜以及透明導電膜(ITO(氧化銦氧化錫合金)、氧化銦氧化鋅合金(In2 O3 -ZnO)、氧化鋅(ZnO)等)的疊層。
再者,使用密封劑3005貼合密封基板3004和基板3010,形成在由基板3010、密封基板3004和密封劑3005所圍成的空間3007中設置發光元件3018的結構。此外,還包括惰性氣體(氮或氮等)填充空間3007的情況,以及用密封劑3005填充的結構。
此外,環氧類樹脂較佳的當成密封劑3005。此外,這些材料理想地是盡可能不透水或氧的材料。另外,作為當成密封基板3004的材料,可以使用玻璃基板、石英基板、由FRP(玻璃鋼)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯薄膜、聚酯或丙烯酸等構成的塑膠基板。
如上所述,可以得到具有本發明像素結構的顯示面板。此外,上述結構只是一個例子,本發明的顯示面板的結構不局限於此。
如圖30A和30B所示,將訊號線驅動電路3001、像素部3002、第一掃描線驅動電路3003以及第二掃描線驅動電路3006形成在同一基板上,以可以謀求顯示裝置的低成本化。此外,在這種情況下,當成訊號線驅動電路3001、像素部3002、第一掃描線驅動電路3003以及第二掃描線驅動電路3006的電晶體是單導電型的電晶體,來可以簡化製造步驟,因此可以進一步謀求低成本化。
此外,顯示面板的結構不局限於如圖30A所示的結構,即,將訊號線驅動電路3001、像素部3002、第一掃描線驅動電路3003以及第二掃描線驅動電路3006形成在同一基板上的結構。作為顯示面板的結構,還可以使用相當於訊號線驅動電路3001的如圖31A和31B所示的訊號線驅動電路3101形成在IC晶片上,並藉由COG等安裝在顯示面板的結構。此外,圖31A中的基板3100、像素部3102、第一掃描線驅動電路3103、第二掃描線驅動電路3104、FPC3105、IC晶片3106、IC晶片3107、密封基板3108以及密封劑3109分別相當於圖30A中的基板3010、像素部3002、第一掃描線驅動電路3003、第二掃描線驅動電路3006、FPC 3009、IC晶片3019、密封基板3004以及密封劑3005。
也就是說,使用CMOS等僅將被要求高速操作的訊號線驅動電路形成在IC晶片,由此謀求降低耗電量。此外,IC晶片是矽晶片等的半導體晶片,來進一步謀求高速操作,並且降低耗電量。
另外,將第一掃描線驅動電路3103或第二掃描線驅動電路3104形成在與像素部3102同一基板上,來可以謀求低成本化。此外,該第一掃描線驅動電路3103、第二掃描線驅動電路3104以及像素部3102由單導電型的電晶體構成,以進一步謀求低成本化。對於像素部3102所具有的像素的結構,可以適當的使用實施例模式1、2、3、及4中所述的像素。
以這種方式,可以謀求具有高清晰度的顯示裝置的低成本化。此外,在FPC 3105利基板3100的連接部分安裝形成有功能電路(記憶體或緩衝器)的IC晶片,來可以有效地利用基板面積。
此外,可以是如下結構:分別相當於圖30A中的訊號線驅動電路3001、第一掃描線驅動電路3003以及第二掃描線驅動電路3006的圖31B中的訊號線驅動電路3111、第一掃描線驅動電路3114以及第二掃描線驅動電路3113形成在IC晶片上,並藉由COG等安裝在顯示面板。在這種情況下,可以進一步降低具有高清晰度的顯示裝置的耗電量。因此,為了形成耗電量更低的顯示裝置,理想的是將多晶矽用於在像素部中使用的電晶體的半導體層。此外,圖31B中的基板3110、像素部3112、FPC 3115、IC晶片3116、IC晶片3117、密封基板3118以及密封劑3119分別相當於圖30A中的基板3010、像素部3002、FPC 3009、IC晶片3019、密封基板3004以及密封劑3005。
此外,當將非晶矽當成像素部3112的電晶體的半導體層時,可以謀求低成本化。另外,也可以製造大型顯示面板。
此外,第二掃描線驅動電路、第一掃描線驅動電路及訊號線驅動電路可以不設置在像素的列方向及行方向。例如,如圖32A所示那樣,形成在IC晶片上的週邊驅動電路3201可以具有如圖31B所示的第一掃描線驅動電路3114、第二掃描線驅動電路3113以及訊號線驅動電路3111的功能。此外,圖32A中的基板3200、像素部3202、FPC 3204、IC晶片3205、IC晶片3206、密封基板3207以及密封劑3208分別相當於圖30A中的基板3010、像素部3002、FPC 3009、IC晶片3019、密封基板3004以及密封劑3005。
此外,圖32B顯示說明圖32A的顯示裝置的佈線連接的示意圖。顯示裝置具有基板3210、週邊驅動電路3211、像素部3212、FPC 3213以及FPC 3214。從FPC 3213向週邊驅動電路3211輸入來自外部的訊號及電源電位。另外,將來自週邊驅動電路3211的輸出輸入到與像素部3212所具有的像素連接的列方向及行方向的佈線中。
如上所述那樣,在本發明的顯示裝置中的顯示面板的結構變換為各種各樣的方式,並不特別局限於在本書明書中舉出的結構。
此外,本實施例模式可以與在本說明書中的其他實施例模式、實施例的任何記載自由地組合而實施。
[實施例模式8]
在本實施例模式中,將說明在本發明中的各像素及電晶體的截面結構的其他結構。
圖44A至44C表示在本實施例模式中的電路圖的一個例子。此外,電路圖不局限於圖44A至44C。在圖44A至44C中舉出的電路圖是只由N型電晶體構成的電路圖。藉由構成像素的電路只由N型電晶體構成,可以提供技術簡單且可以對應於大面積基板的顯示裝置。下面將說明其具體例子。
圖44A表示電路的結構。在像素中配置有第一電晶體4401、第二電晶體4402、發光元件4406。視頻訊號被輸入的訊號線4403和第二電晶體4402的閘極經由第一電晶體4401連接。掃描線4407連接於第一電晶體4401的閘極。在第一電源供給線4404和第二電源供給線4405之間連接有第二電晶體4402和發光元件4406。此外,電流從第一電源供給線4404向第二電源供給線4405流動。發光元件4406根據其中流過的電流的高低發光。
此外,也可以配置保持電容器以保持輸入到第二電晶體4402的閘極的視頻訊號。在這種情況下,可以在第二電晶體4402的閘極和第二電晶體4402的汲極之間配置保持電容器,或者,可以在第二電晶體4402的閘極和第二電晶體4402的源極之間配置保持電容器。或者,也可以在第二電晶體4402的閘極和其他佈線(專用佈線或前列的像素的掃描線等)之間配置保持電容器。或者,因為第二電晶體4402的閘極電容,可以不配置保持電容器。此外,第二電晶體4402或第一電晶體4401為N通道型電晶體。
此外,圖44B表示本實施例模式的其他電路的結構。在像素中配置有第一電晶體6001、第二電晶體6002、第三電晶體6009(也記為保持電晶體)、保持電容器6010、發光元件6006。視頻訊號被輸入的訊號線6003和第二電晶體6002的源極經由第一電晶體6001連接。掃描線6007連接於第一電晶體6001的閘極。在第一電源供給線6004和第二電源供給線6005之間連接有第二電晶體6002和發光元件6006。此外,電流從第一電源供給線6004向第二電源供給線6005流動。發光元件6006根據其中流過的電流的高低發光。在第二電晶體6002的閘極-源極間配置有保持電容器6010,而在第二電晶體6002的閘極-汲極間連接有第三電晶體6009。掃描線6007連接於第三電晶體6009的閘極。
在訊號線驅動電路中配置有電流源電路6008。電流源電路6008將相應視頻訊號的高低的電流供給給像素。而且,掃描線6007被選擇,並且供給給源極訊號線6003的視頻訊號輸入到第二電晶體6002。此時,由於改變了第一電源供給線6004的電位,所以,因為在第一電源供給線6004和第二電源供給線6005之間的電位關係,電流不流過發光元件6006。並且,相應於視頻訊號的大小,需要的大小的第二電晶體6002的閘極-源極間電壓被保持在保持電容器6010中。然後,掃描線6007成為非選擇狀態,並且儲存在保持電容器6010中的電荷被保持。因此,即使第二電晶體6002的汲極電位或源極電位變化,第二電晶體6002的閘極-源極間電壓也不變化。而且,第一電源供給線6004的電位還原,相應視頻訊號的高低的電流流過第二電晶體6002並流過發光元件6006。
此外,圖44C表示本實施例模式的其他電路的結構。在像素中配置有第一電晶體7001、第二電晶體7002、第三電晶體7009、保持電容器7010、發光元件7006。視頻訊號被輸入的訊號線7003和第二電晶體7002的閘極經由第一電晶體7001連接。第一掃描線7007連接於第一電晶體7001的閘極。在第一電源供給線7004和第二電源供給線7005之間連接有第二電晶體7002和發光元件7006。並且,電流從第一電源供給線7004向第二電源供給線7005流動。發光元件7006根據其中流過的電流的高低發光。在第二電晶體7002的閘極-源極間配置有保持電容器7010,而在第二電晶體7002的閘極-汲極間連接有第三電晶體7009。第二掃描線7016連接於第三電晶體7009的閘極。
在圖44C所示的電路結構中,相應從第二掃描線7016被輸入的訊號導通第三電晶體7009。而且,相當於第二電晶體7002的臨界值電壓的第二電晶體7002閘極-源極間電壓保持在保持電容器7010中。因此,可以預先校正各驅動電壓的臨界值電壓的不均勻性。此外,也可以藉由對於第二電源供給線7005一瞬間增加電位來預先將高於臨界值電壓的電壓保持在保持電容器7010中。
另外,供給給訊號線7003的視頻訊號輸入到第二電晶體7002的閘極。而且,相應於視頻訊號的大小,電流流過第二電晶體7002並流過發光元件7006。
此外,在圖44A至44C中,第二電晶體可以只在飽和區域操作,或者,可以在飽和區域和線性區域操作,或者,可以只在線性區域操作。
當只在線性區域操作時,第二電晶體大致作為開關操作。因此,開關操作不容易受到由第二電晶體的劣化或溫度等導致的特性的變動的影響。當只在線性區域操作時,在大多情況下,以數位方式控制電流是否流過發光元件7006。在這種情況下,只要組合時間灰度級方式或面積灰度級方式等以謀求多灰度級化即可。
其次,將說明如下情況:將非晶矽(a-Si:H)膜用於在圖44A至44C所示的電路結構中的電晶體的半導體層。圖42A和42B表示頂閘極電晶體的清況,圖43A和43B及圖49A和49B表示底閘極電晶體的情況。
圖42A顯示具有正交錯結構的電晶體的截面,它對其半導體層使用非晶矽。如圖42A所示那樣,在基板7601上形成有底膜7602。此外,在底膜7602上形成有像素電極7603。另外,在與像素電極7603同一層中形成有由相同材料構成的第一電極7604。
作為基板,可以使用玻璃基板、石英基板、陶瓷基板、塑膠基板等。此外,作為底膜7602,可以使用氮化鋁(AlN)或氧化矽(SiO2 )、氧氮化矽(SiOx Ny )等的單層或這些的疊層。
在底膜7602上形成有佈線7605和7606,並且用由佈線7605覆蓋像素電極7603的端部。在佈線7605和7606的上部分別形成有具有N型的導電型的N型半導體層7607和7608。另外,在佈線7605和7606之間,且在底膜7602上形成有半導體層7609。半導體層7609的一部分延長到N型半導體層7607和7608上。此外,該半導體層7609是用非晶矽(a-Si:H)或微晶半導體(μ-Si:H)等的具有非晶性的半導體膜來形成的。此外,在半導體層7609上形成有閘極絕緣膜7610。此外,是與閘極絕緣膜7610同一層且由相同材料構成的絕緣膜7611也形成在第一電極7604上。此外,作為閘極絕緣膜7610,可以使用氧化矽膜或氮化矽膜等。
在閘極絕緣膜7610上形成有閘極電極7612。另外,在與閘極電極7612同一層中形成有由相同材料構成的第二電極7613,該第二電極7613中間夾著絕緣膜7611地形成在第一電極7604上。保持電容器7619是藉由使用第一電極7604和第二電極7613夾了絕緣膜7611而形成的。此外,形成中間層絕緣膜7614,該中間層絕緣膜7614覆蓋像素電極7603的端部、驅動電晶體7618和保持電容器7619。
在中間層絕緣膜7614上且位於其開口部的像素電極7603上形成有發光層7615及相對電極7616。並且,在由像素電極7603和相對電極7616夾了發光層7615的區域形成有發光元件7617。
此外,也可以如圖42B所示那樣使用第一電極7620形成圖42A所示的第一電極7604。以與佈線7605和7606同一層且相同材料形成第一電極7620。
圖43A和43B顯示顯示面板的局部截面,其中使用將非晶矽用於半導體層的底閘極結構的電晶體。
在基板7701上形成有底膜7702。再者,在底膜7702上形成有閘極電極7703。此外,在與閘極電極7703同一層中形成有由相同材料構成的第一電極7704。作為閘極電極7703的材料,可以使用添加了磷的多晶矽。除了多晶矽之外,可以使當成為金屬和矽的化合物的矽化物。
此外,覆蓋閘極電極7703和第一電極7704地形成有閘極絕緣膜7705。作為閘極絕緣膜7705,可以使用氧化矽膜、氮化矽膜等。
在閘極絕緣膜7705上形成有半導體層7706。另外,在與半導體層7706同一層中形成有相同材料構成的半導體層7707。
作為基板,可以使用玻璃基板、石英基板、陶瓷基板、塑膠基板等。此外,作為底膜7702,可以使用氮化鋁(AlN)、氧化矽(SiO2 )、氧氮化矽(SiOx Ny )等的單層或這些的疊層。
在半導體層7706上形成有具有N型導電型的N型半導體層7708和7709,並且在半導體層7707上形成有N型半導體層7710。
在N型半導體層7708、7709、以及7710上分別形成有佈線7711、7712、7713,並且在N型半導體層7710上形成有是與佈線7711及7712同一層且由相同材料構成的導電層7713。
第二電極由半導體層7707、N型半導體層7710及導電層7713構成。此外,形成有具有如下結構的保持電容器7720,而由該第二電極和第一電極7704夾住了閘極絕緣膜7705。
佈線7711中的一方端部延伸而存在,並且接觸該延伸而存在的佈線7711上部地形成有像素電極7714。
另外,形成有絕緣體7715,該絕緣體7715覆蓋像素電極7714的端部、驅動電晶體7719和保持電容器7720。
在像素電極7714和絕緣體7715上形成有發光層7716和相對電極7717。在由像素電極7714和相對電極771夾了發光層7716的區域形成有發光元件7718。
作為保持電容器的第二電極的一部分的半導體層7707和N型半導體層7710不是必需的。換言之,第二電極可以是導電層7713,可以是具有由第一電極7704和導電層7713夾了閘極絕緣膜的結構的保持電容器。
此外,在圖43A中形成佈線7711之前形成像素電極7714,來可以形成如圖43B所示的保持電容器7720,該保持電容器7720具有是與像素電極7714同一層且由相同材料構成的第二電極7721和第一電極7704夾了閘極絕緣膜7705的結構。
儘管圖43A和43B顯示反交錯型的通道蝕刻結構的電晶體,但可以使用通道保護結構的電晶體。將參照圖49A和49B說明通道保護結構的電晶體的情況。
圖49A中示出的通道保護結構的電晶體不同於圖43A中示出的通道蝕刻結構的驅動電晶體7719,不同之處在於當成蝕刻掩模的絕緣體7801提供在半導體層7706的通道被形成的區域上。除該點之外的共同部分由相同的參考數字來表示。
類似地,圖49B所示的通道保護型結構的電晶體不同於圖43B所示的通道蝕刻結構的驅動電晶體7719,不同之處在於當成蝕刻掩模的絕緣體7802提供在半導體層7706的通道被形成的區域上。除該點之外的共同部分由相同的參考數字來表示。
藉由將非晶半導體膜用於構成本發明的像素的電晶體的半導體層(通道形成區、源極區域、汲極區域等),可以降低製造成本。例如,藉由使用圖44A至44C所示的像素結構,可以適當的使用非晶半導體膜。
此外,本實施例模式可以與在本說明書中的其他實施例模式或實施例的任何記載自由地組合而實施。
[實施例模式9]
本實施例模式將說明可適用於本發明的被動型顯示面板的結構。
圖47A是表示密封之前的像素部的俯視圖,而圖47B是沿圖47A中的鏈條線A-A’切割的截面圖,而圖47C是沿鏈條線B-B’切割的截面圖。
在基板2110上,多個第一電極2113以相同間配置為條狀。此外,在第一電極2113上設有具有對應於各像素的開口部的隔離壁2114,具有開口部的隔離壁2114由具有遮光性的材料(分散黑色顏料或碳黑而形成的光敏或非光敏有機材料(聚醯亞胺、丙烯酸、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、抗蝕劑、或苯並環丁烯)、或SOG膜(例如包含烷基的SiOx 膜)構成。例如,作為具有開口部的隔離壁2114,使用諸如FujiFilm Olin公司所製造的COLOR MOSAIC CK(商品名)之類的材料。具有開口部的隔離壁2114當成黑矩陣(BM)。此外,對應於各像素的開口部成為發光區域2121。
互相平行的多個反錐形的隔離壁2122提供在具有開口部的隔離壁2114上,該隔離壁2122與第一電極2113交叉。按照光微影法,利用未被曝光的部分殘留作為圖形的正性光敏樹脂,並調整曝光量或顯影時間來使圖形下部更多地被蝕刻,來形成反錐形的隔離壁2122。此外,還可以謀求對比度的提高。
此外,圖48顯示剛形成平行的多個反錐形的隔離壁2122之後的透視圖。此外,使用相同參考數字表示與圖47A至47C相同的部分。
反錐形的隔離壁2122的高度設定為比包含有機化合物的膜及導電膜的厚度更大。對於具有圖48所示的結構的第一基板層疊形成包含有機化合物的膜和導電膜,由此如圖47所示分離為電獨立的多個區域,並形成發光層和第二電極2116。第二電極2116是沿與第一電極2113交叉的方向伸展的互相平行的條狀的電極。此外,包含有機化合物的膜及導電膜還被形成在反錐形的隔離壁2122上,但它們被分隔於發光層2115R、2115G、2115B以及第二電極2116。
此外,在本實施例模式中,本發明中的第一發光元件R1相當於發光層2115R,本發明中的第三發光元件G1相當於發光層2115G,本發明中的第五發光元件B1相當於發光層2115B。此外,在本實施例模式中,本發明中的第二發光元件R2相當於圖47A中的發光層2115R的下面的區域,本發明中的第四發光元件G2相當於圖47A中的發光層2115G的下面的區域,本發明中的第六發光元件B2相當於圖47A中的發光層2115B的下面的區域。為了使發光元件R1和發光元件R2、發光元件G1和發光元件G2、發光元件B1和發光元件B2的發射光譜不相同,可以使發光元件的材料不相同來形成,也可以使厚度不相同來形成,或者,使用透射特性不同的濾色器或色彩轉換層,即可。在本實施例模式中,對說明發光層2115R、2115G、2115B進行說明,而省略關於所有像素的說明。
這裏,顯示如下例子:選擇性地形成發光層2115R、2115G、2115B,並形成能夠獲得三種光(R、G、B)的能夠進行全色顯示的發光裝置。發光層2115R、2115G、2115B分別形成為互相平行的條狀圖形。
此外,使用密封劑貼合第二基板,來密封發光元件。如果有需要,可以形成覆蓋第二電極2116的保護膜。作為第二基板,對水分呈現高遮蔽性的基板是較佳的。而且,如果有需要,將乾燥劑配置在由密封劑環繞的區域。
圖50表示在進行密封之後安裝了FPC等的發光模組的俯視圖。
此外,本說明書中的發光裝置是指影像顯示裝置、發光裝置、或光源(包括照明裝置)。發光裝置還包括如下所有模組:將連接器例如FPC(撓性印刷電路)、TAB(卷帶式自動結合)帶、或TCP(帶載封裝)裝在發光裝置的模組;印刷佈線板被提供到TAB帶或TCP的端部的模組;或者,IC(積體電路)藉由COG(玻璃上晶片)方式直接安裝在發光元件的模組。
以密封劑5011貼緊為第一基板5001和第二基板5010彼此面對的形式。只要使用光固化樹脂作為密封劑5011即可,較佳的是脫氣少且吸濕性低的材料。而且,密封劑5011可以是添加了填料(棒狀或纖維狀間隔物)或球形間隔物而形成的,以維持基板間隔一定。作為第二基板5010,較佳的是熱膨脹係數與第一基板5001相同的材料,可以使用玻璃(包括石英玻璃)或塑膠。
至於如圖50所示進行影像顯示的像素部,行訊號線群和列訊號群交叉為彼此垂直的形式。
在圖47A至47C中的第一電極2113相當於圖50中的行訊號線5002,在圖47A至47C中的第二電極2116相當於列訊號線5003,而在圖47A至47C中的反錐形的隔離壁2122相當於隔離壁5004。發光層被夾在行訊號線5002與列訊號線5003之間,交叉部5005相當於一個像素。
此外,列訊號線5003在佈線端與連接佈線5008電連接,且連接佈線5008藉由輸入端5007被連接到FPC 5009b。行訊號線5002藉由輸入端5006被連接到FPC 5009a。
如果有需要,可以在射出面適當的提供偏振板、或圓偏振板(包括橢圓偏振板)、相位差板(λ/4板,λ/2板)、濾色器等的光學膜。此外,也可以將抗反射膜提供在偏振板或圓偏振板。例如,可以執行可以由表面的凹凸擴散反射光,並改善映入的抗眩光處理。或者,也可以執行對偏振板或圓偏振板執行加熱處理的抗反射處理。然後,較佳的還執行硬塗層處理,以免受外部衝擊。注意,如果使用偏振板或圓偏振板,由偏振板或圓偏振板導致光的取出效率的降低。另外,偏振板或圓偏振板本身昂貴並容易劣化。
在本實施例模式中,當成黑矩陣(BM)的黑色隔離壁(也被稱為堤壩或壁壘)被提供在提供有發光元件的基板一側的像素之間,吸收或遮擋來自發光元件的雜散光,以提高顯示的對比度。
本實施例模式可以與在本說明書中的其他實施例模式或實施例的任何記載自由地組合而實施。
[實施例模式10]
本實施例模式將說明本發明的發光元件的其他結構。
上述實施例模式主要說明作為有機電致發光(EL)元件的發光元件。但是本發明不局限於此。
例如,可以是DMD(數位微鏡裝置)、PDP(電漿顯示器)、FED(場致發光顯示器)、作為FED的一種的SED(表面傳導電子發射顯示器)、電泳顯示裝置(電子紙)、或壓電陶瓷顯示器。
在以上舉出的發光元件中,可以透過光來辨認顏色的元件,如實施例模式3所述那樣,只要藉由濾色器進行顯示即可。另外,使發射光譜在第一像素的發光元件R1和第二像素的發光元件R2、第三像素的發光元件G1和第四像素的發光元件G2、第五像素的發光元件B1和第六像素的發光元件B2之間不相同。結果,當表示為CIE-XY色度圖時,只要使色度圖的座標在提供在第一像素及第二像素的發光元件R1及R2、提供在第三像素及第四像素的發光元件G1及G2、提供在第五像素及第六像素的發光元件B1及B2中不相同即可。
此外,在以上舉出的發光元件中,自發光型元件,只要藉由熒光體等進行色彩轉換來顯示即可。另外,使發射光譜在第一像素的發光元件R1和第二像素的發光元件R2、第三像素的發光元件G1和第四像素的發光元件G2、第五像素的發光元件B1和第六像素的發光元件B2之間不相同。結果,當表示為CIE-XY色度圖時,只要使色度圖的座標在提供在第一像素及第二像素的發光元件R1及R2、提供在第三像素及第四像素的發光元件G1及G2、提供在第五像素及第六像素的發光元件B1及B2中不相同即可。
此外,本實施例模式可以與在本說明書中的其他實施例模式或實施例的任何記載自由地組合而實施。
[實施例1]
本發明的顯示裝置可以適用於各種各樣的電子裝置。具體地說,可以適用於電子裝置的顯示部。這些電子裝置包括:視頻相機,數位相機,護目鏡型顯示器,導航系統,音頻再生裝置(汽車音響,音響元件等),電腦,遊戲機,攜帶型資訊終端(行動電腦,行動電話,攜帶型遊戲機或者電子書等),設有記錄媒體的影像再生裝置(具體地說,再生數位通用光碟(DVD)等的記錄媒體,並且設有能夠顯示其影像的顯示器的裝置)等。
圖38A表示顯示器,包括框體38101,支撐座38102以及顯示部38103等。將具有本發明的像素結構的顯示裝置可以用於顯示部38103。此外,顯示器包括:用於個人電腦,用於電視廣播接收以及用於廣告顯示等的所有用於資訊顯示的顯示裝置。將本發明的顯示裝置用於顯示部38103的顯示器能夠表現鮮明的色彩。
近年來,對顯示器的高附加價值化的需求很高。因此,課題是如何謀求降低製造成本,並且可表現鮮明的色彩。
例如,藉由將圖2等的像素結構用於顯示面板的像素部,可以提供能夠表現鮮明的色彩的顯示面板。
此外,如圖30A所示,藉由將像素部和週邊的驅動電路形成在同一基板上,可以形成降低了製造成本的顯示面板。
此外,藉由將非晶半導體(例如非晶矽(a-Si:H))用於構成像素部的電路的電晶體的半導體層,可以使步驟簡化,並且可以進一步謀求降低成本。在這種情況下,較佳的是如圖31B或圖32A所示那樣,將像素部的週邊的驅動電路形成在IC晶片上,並藉由COG等安裝到顯示面板。像這樣,藉由使用非晶半導體,可以容易實現顯示器的大型化。
圖38B表示相機,包括:主體38201,顯示部38202,影像接收部38203,操作鍵38204,外部連接埠38205,快門38206等。
近年來,隨著數位相機等的高性能化,激化生產競爭。由此,重要的是如何以低價格提供高性能的產品。將本發明的顯示裝置用於顯示部38202的數位相機能夠表現鮮明的色彩。
例如,如圖31A表示,高操作速度的訊號線驅動電路形成在IC晶片上,而使用由單導電型的電晶體構成的電路將操作速度較低的掃描線驅動電路形成在與像素部同一基板上,以實現高性能化並且可以謀求低成本化。此外,藉由將非晶半導體,例如非晶矽應用於像素部以及用於與像素部整體形成的掃描線驅動電路的電晶體的半導體層,可以進一步謀求成本降低。
圖38C表示電腦,包括:主體38301,框體38302,顯示部38303,鍵盤38304,外部連接埠38305,定點裝置38306等。將本發明的顯示裝置用於顯示部38303的電腦能夠表現鮮明的色彩。
圖38D表示行動電腦,包括:主體38401,顯示部38402,開關38403,操作鍵38404,紅外線埠38405等。將本發明的顯示裝置用於顯示部38402的行動電腦能夠表現鮮明的色彩。
圖38E表示設有記錄媒體的攜帶型影像再生裝置(具體地說,DVD再生裝置),包括:主體38501,框體38502,顯示部A38503,顯示部B38504,記錄媒體(DVD等)讀取部38505,操作鍵38506,揚聲器部38507等。顯示部A38503主要顯示影像資訊,並且顯示部B38504主要顯示文字資訊。將本發明的顯示裝置用於顯示部A38503或者顯示部B38504的影像再生裝置能夠表現鮮明的色彩。
圖38F表示護目鏡型顯示器,包括:主體38601,顯示部38602,耳機38603,支撐部38604等。將本發明的顯示裝置用於顯示部38602的護目鏡型顯示器能夠表現鮮明的色彩。
圖38G表示攜帶型遊玩機,包括:框體38701,顯示部38702,揚聲器部38703,操作鍵38704,記錄媒體插入部38705等。將本發明的顯示裝置用於顯示部38702的攜帶型遊玩機能夠表現鮮明的色彩。
圖38H表示具有電視影像接受功能的數位相機,包括:主體38801,顯示部38802,操作鍵38803,揚聲器38804,快門38805,影像接受部38806,天線38807等。將本發明的顯示裝置用於顯示部38802的具有電視影像接受功能的數位相機能夠表現鮮明的色彩。
這樣多功能化了的具有電視影像接受功能的數位相機對電視視聽等的使用頻度越高,並且被要求充電一次能使用很長時間。
例如,如圖31B或者圖32A所示那樣,將週邊驅動電路形成在IC晶片上,並使用CMOS等,以謀求降低耗電量。
這樣,本發明可以適用於所有的電子裝置。
此外,本實施例可以與在本說明書中的其他的實施例模式,實施例的任何記載自由地組合而實施。
[實施例2]
本實施例參照圖37說明在顯示部具有使用了本發明的像素結構的顯示裝置的行動電話的結構例子。
顯示面板3701自由裝卸地裝入到外殼3730中。根據顯示面板3701的尺寸,外殼3730適當的改變其形狀或尺寸。固定了顯示面板3701的外殼3730嵌入到印刷佈線板3731並被組成作為模組。
顯示面板3701經由FPC3713連接於印刷佈線板3731。在印刷佈線板3731上形成有訊號處理電路3735,該訊號處理電路包括:揚聲器3732,微音器3733,發送/接收電路3734,CPU以及控制器等。這種模組與輸入機構3736、電池3737組合地收納到框體3739。顯示面板3701的像素部配置為從形成在框體3739中的開口窗可以視覺確認的形式。
顯示面板3701可以使用TFT將像素部和週邊驅動電路的一部分(在多個驅動電路中,操作頻率為低的驅動電路)整體形成在基板上,而將週邊驅動電路的一部分(在多個驅動電路中,操作頻率為高的驅動電路)形成在IC晶片上,並且將該IC晶片藉由COG(玻璃上晶片)安裝到顯示面板3701。或者,也可以使用TAB(卷帶式自動結合)或者印刷佈線板連接該IC晶片和玻璃基板。藉由採用這種結構,可以謀求降低顯示裝置的耗電量,並且可以使行動電話的充電一次能使用的時間為長。此外,也可以謀求行動電話的低成本化。
此外,在像素部中,可以適當的使用將上述實施例所示的顯示裝置。
例如,為了謀求降低耗電量,圖31B或者圖32A所示那樣,可以在基板上使用TFT形成像素部,將所有的週邊驅動電路形成在IC晶片上,並藉由COG(玻璃上晶片)等將該IC晶片安裝到顯示面板。
此外,本實施例所示的結構是行動電話的一個例子,本發明的顯示裝置不局限於這種結構的行動電話,而可以適用於各種各樣的結構的行動電話。並且藉由具有本發明的顯示裝置,可以表現鮮明的色彩。
[實施例3]
在本實施例中,對在顯示部具有使用了本發明的像素結構的顯示裝置的電子裝置,尤其是具有EL模組的電視影像接收機的結構例子進行說明。
圖33表示組合顯示面板3301和電路板3311而成的EL模組。顯示面板3301包括像素部3302、掃描線驅動電路3303以及訊號線驅動電路3304。例如,在電路板3311上形成有控制電路3312或訊號分割電路3313等。由連接佈線3314連接顯示面板3301和電路板3311。可以將FPC等用於連接佈線。
顯示面板3301較佳使用TFT將週邊驅動電路的一部分(在多個驅動電路中,操作頻率為低的驅動電路)形成在與像素部同一基板上,而將週邊驅動電路的一部分(在多個驅動電路中,操作頻率為高的驅動電路)形成在IC晶片上,並且將該IC晶片藉由COG(玻璃上晶片)等安裝到顯示面板3301。或者,也可以使用TAB(卷帶式自動結合)或者印刷佈線板將該IC晶片安裝到顯示面板3301。此外,將週邊驅動電路的一部分與像素部整體形成在基板上,並且藉由COG等安裝形成有其他週邊驅動電路的IC晶片的結構示在圖30A作為一個例子。
此外,可以將上述實施例模式所示的顯示裝置適當的適用於像素部。
例如,為了謀求降低耗電量,也可以在玻璃基板上使用TFT形成像素部,將所有的週邊驅動電路形成在IC晶片上,並藉由COG(玻璃上晶片)等將該IC晶片安裝到顯示面板。
可以使用上述EL模組來完成EL電視影像接收機。圖34是表示EL電視影像接收機的主要結構的方塊圖。調諧器3401接收視頻訊號和音頻訊號。視頻訊號被如下電路處理:視頻訊號放大電路3402,視頻訊號處理電路3403,控制電路3412。其中視頻訊號處理電路3403將從該視頻訊號放大電路3402輸出的訊號轉換為對應於紅,綠,藍的各顏色的顏色訊號,而控制電路3412用於轉換其視頻訊號並使它符合驅動電路的輸入格式。控制電路3412,將訊號分別輸出到掃描線驅動電路3410一側和訊號線驅動電路3404一側。在進行數位驅動的情況下,也可以採用如下結構:將訊號分割電路3413提供在控制電路3412和訊號線驅動電路3404之間,將輸入數位訊號分割為m個來供給給訊號線驅動電路3404並輸出到顯示面板3411。
由調諧器3401接收的訊號中,音頻訊號送到音頻訊號放大電路3405,其輸出經過音頻訊號處理電路3406供給給揚聲器3407。控制電路3408從輸入部3409收到接收站(接收頻率)或音量的控制資訊,並向調諧器3401或音頻訊號處理電路3406送出訊號。
此外,圖35A表示裝入與圖34不相同的方式的EL模組而形成的電視影像接收機。在圖35A中,使用EL模組形成顯示螢幕3502。此外,框體3501適當的具有揚聲器3503、操作開關3504等。
此外,圖35B表示只有顯示器可以無線攜帶的電視影像接收機。框體3512內置有電池以及訊號接收器,並由該電池驅動顯示部3513或揚聲器部3517。該電池可以用充電器3510重復充電。此外,充電器3510可以發送/接收視頻訊號,並且可以將該視頻訊號發送到顯示器的訊號接收器。由操作鍵3516控制框體3512。此外,圖35B所示的裝置還可以藉由運用操作鍵3516來將訊號從框體3512送到充電器3510,因此也可以被稱為視頻/音頻雙向通信裝置。此外,藉由運用操作鍵3516來將訊號從框體3512送到充電器3510,再者,藉由使其他電子裝置接收充電器3510可以發送的訊號,可以進行其他電子裝置的通信控制,因此也可以被稱為通用遙控裝置。本發明可以適用於顯示部3513。
圖36A表示組合顯示面板3601和印刷佈線板3602而成的模組。顯示面板3601包括:提供有多個的像素的像素部3603,第一的掃描線驅動電路3604,第二的掃描線驅動電路3605,將視頻訊號供給給被選擇了的像素中的訊號線驅動電路3606。
印刷佈線板3602具有控制器3607、中央處理裝置3608(CPU)、記憶體3609、電源電路3610、聲音處理電路3611以及發送/接收電路3612等。印刷佈線板3602與顯示面板3601藉由撓性佈線板3613(FPC)連接。撓性佈線板3613可以提供有有保持電容器,緩衝電路等,以避免在電源電壓或訊號中發生噪音或訊號上升遲鈍。此外,控制器3607、聲音處理電路3611、記憶體3609、CPU3608、電源電路3610等也可以藉由COG(玻璃上晶片)方式安裝到顯示面板3601。藉由採用COG方法,可以縮小印刷佈線板3602的尺寸。
各個控制訊號的輸入/輸出是經由印刷佈線板3602所設有的I/F部3614(介面)被進行的。此外,印刷佈線板3602提供有天線用埠3615,該天線用埠3615用於進行發送/接收與天線之間的訊號。
圖36B表示如圖36A所示的模組的方塊圖。作為記憶體3609,該模組包括:VRAM3616,DRAM3617,快閃記憶體3618等。VRAM3616儲存顯示在面板上的影像的資料,DRAM3617儲存影像資料或聲音資料,快閃記憶體3618儲存各種程式。
電源電路3610供給使顯示面板3601、控制器3607、CPU3608、聲音處理電路3611、記憶體3609、發送/接收電路3612操作的電源。此外,根據面板的格式,也有電源電路3610設有電流源的情況。
CPU3608包括:控制訊號產生電路3620,解碼器3621,暫存器3622,計算電路3623,RAM3624,用於CPU3608的介面3619等。藉由介面3619輸入到CPU3608中的各種訊號首先保持在暫存器3622中,再輸入到計算電路3623,解碼器3621等。在計算電路3623中,根據被輸入了的訊號進行計算,並指定送各種命令的地方。另外,輸入到解碼器3621中的訊號被解碼,並輸入到控制訊號產生電路3620。控制訊號產生電路3620根據被輸入了的訊號產生含有各種命令的訊號,並將該訊號送到在計算電路3623中被指定了的地方,具體地說,送到記憶體3609,發送/接收電路3612,聲音處理電路3611,控制器3607等。
記憶體3609,發送/接收電路3612,聲音處理電路3611,控制器3607的每一個按照受到的命令來操作。下面對該操作進行簡單說明。
從輸入機構3625輸入了的訊號藉由I/F部3614送到安裝在印刷佈線板3602中的CPU3608。控制訊號產生電路3620按照從定點裝置或鍵盤等的輸入機構3625被送到了的訊號,將在VRAM3616中容納了的影像資料轉換為預定的形式,並將它送向控制器3607。
控制器3607根據面板的格式對從CPU3608送來的含有影像資料的訊號執行資料處理,將它供給給顯示面板3601。此外,控制器3607基於從電源電路3610被輸入了的電源電壓或者從CPU3608被輸入了的各種訊號來產生Hsync訊號、Vsync訊號、時鐘訊號CLK、交流電壓(AC Cont)、轉換訊號L/R,將它們供給給顯示面板3601。
在發送/接收電路3612中,在天線3628中作為電波被發送/接收的訊號被處理,具體地說,包括隔離器、帶通濾波器、VCO(電壓控制振蕩器)、LPF(低通濾波器)、耦合器、平衡不平衡轉換器等的高頻電路。在發送/接收電路3612中被發送/接收的訊號中,含有聲音資訊的訊號按照由CPU3608送出的命令被送到聲音處理電路3611。
按照CPU3608的命令被送來了的含有聲音資訊的訊號在聲音處理電路3611中被解調為音頻訊號,並送到揚聲器3627。此外,從微音器3626送來的音頻訊號在聲音處理電路3611中被調制,並按照由CPU3608送出的命令被送到發送/接收電路3612。
可以安裝控制器3607、CPU3608、電源電路3610、聲音處理電路3611、記憶體3609作為本實施例的組合件。
當然,本發明不局限於電視影像接收機,還可以適用於各種各樣的用途:除了個人電腦的監視器以外,尤其是,作為大面積的顯示介質如在火車站或機場等的資訊顯示牌或在街頭的廣告顯示牌等。而且,藉由具有本發明的顯示裝置,可以表現鮮明的色彩。
此外,本實施例可以與在本說明書中的其他實施例模式或實施例的任何記載自由地組合而實施。
[實施例4]
在本實施例中,將圖示應用方式說明使用了將本發明的顯示裝置用於顯示部的顯示面板的應用例子。將本發明的顯示裝置用於顯示部的顯示面板可以採用與移動體或建築物等被整體提供了的結構。
圖55A和55B表示在顯示部具有本發明的顯示裝置的顯示面板的例子,並將安裝有顯示裝置的移動體作為其一個例子。作為安裝有顯示裝置的移動體的例子,圖55A表示將顯示面板9702用於在電車車輛主體9701的車門中的玻璃門的玻璃的例子。在圖55A所示的在顯示部具有本發明的顯示裝置的顯示面板9702中,被來自外部的訊號顯示在顯示部的影像容易轉換。因此,依照電車乘客的年齡和性別改變,就週期性的替換顯示面板的影像,可以期待更有效的廣告效果。
此外,在顯示部具有本發明的顯示裝置的顯示面板不局限於只有圖55A所示的電車車輛主體的車門中的玻璃可以適當的使用該顯示面板,藉由改變其形狀,可以適用於各種各樣的地方。圖55B說明其一個例子。
圖55B表示電車車輛主體的車內的情況。在圖55B中,除了圖55A所示的車門中的玻璃門的顯示面板9702以外,還表示提供在玻璃窗的顯示面板9703,以及從天花板吊下來的顯示面板9704。由於在顯示部具有本發明的顯示裝置的顯示面板9703具有自發光型的顯示元件,所以藉由擁擠時顯示廣告用影像,而除了擁擠時以外不顯示,可以從電車看到景觀。此外,在顯示部具有本發明的顯示裝置的顯示面板9704將有機電晶體等的開關元件提供在膜狀的基板上,來可以使顯示面板本身彎曲,驅動自發光型的顯示元件,並進行顯示。
此外,將參照圖56說明使用了在顯示部具有本發明的顯示裝置的顯示面板的安裝有顯示裝置的移動體的應用例子的其他應用方式。
圖56表示在顯示部具有本發明的顯示裝置的顯示面板的例子,並將安裝有顯示裝置的移動體作為其一個例子。作為安裝有顯示裝置的移動體的例子,圖56表示整體裝在汽車車身9902的顯示面板9901的例子。圖56所示的在顯示部具有本發明的顯示裝置的的顯示面板9901整體裝在汽車車身,而且它將車身的操作或從車身內外輸入的資訊根據需要來顯示,並具有用於到達汽車的目的地的導航功能。
此外,在顯示部具有本發明的顯示裝置的顯示面板不局限於只有圖56所示的車身的前面部分可以適當的使用該顯示面板,藉由改變其形狀,可以適用於各種各樣的地方如玻璃窗或車門等。
此外,將參照圖57A和57B說明使用了在顯示部具有本發明的顯示裝置的顯示面板的安裝有顯示裝置的移動體的應用例子的其他應用方式。
圖57A和57B表示在顯示部具有本發明的顯示裝置的顯示面板的例子,並將安裝有顯示裝置的移動體作為一個例子。作為安裝有顯示裝置的移動體的例子,圖57A表示顯示面板10102整體裝在飛機機體10101內的客席的天花板部分的例子。圖57A所示的在顯示部具有本發明的顯示裝置的顯示面板10102藉由鉸鏈部10103整體裝在飛機機體10101上,並且,藉由鉸鏈部10103伸縮,乘客可以視聽顯示面板10102。顯示面板10102具有可以經由乘客操作來顯示資訊,或者,可以當成廣告或娛樂的功能。此外,如圖57B所示那樣,藉由彎曲鉸鏈部10103來容納在飛機機體10101中,可以有助於起飛和降落時的安全。此外,在緊急的情況下,藉由使顯示面板的顯示元件發光,可以利當成為飛機機體10101的緊急照明。
此外,在顯示部具有本發明的顯示裝置的顯示面板不局限於只用圖57A和57B所示的飛機機體10101的天花板部分可以適當的使用該顯示面板,藉由改變其形狀,可以各種各樣的地方如座位或閘等。例如顯示板也可以設置在座位背側,因此後座的乘客可操作何觀看顯示板。
此外,在本實施例中,例示了電車車輛主體、汽車車身、飛機機體作為移動體。但是移動體不局限於此,還包括如下各種移動體:自動二輪車,自動四輪車(包括汽車、公共汽車等),電車(包括單軌、火車等),船舶等。藉由適當的使用具有本發明的顯示裝置的顯示面板,可以實現顯示面板的小型化和低耗電量,並且可以提供具有操作良好的顯示媒體的移動體。此外,尤其是,容易由來自外部的訊號一齊轉換在移動體內的多個顯示面板的顯示,因此,作為將非特定多數的顧客作為物件的廣告顯示牌,或者作為緊急災害時的資訊顯示板也極有用。
此外,將參照圖58說明使用在顯示部具有本發明的顯示裝置的顯示面板的應用例子,尤其是,用於建築物的應用方式。
在圖58中,作為在顯示部具有本發明的顯示裝置的顯示面板,將有機電晶體等的開關元件提供在膜狀的基板上,驅動自發光型的顯示元件,來形成可以使顯示面板本身彎曲地進行顯示的顯示面板,並說明其應用例子。圖58表示如下結構:作為建築物的提供在屋外的柱狀體如電線桿等的曲面上具有顯示面板,這裏表示作為柱狀體的電線桿9801具有顯示面板9802。
圖58所示的顯示面板9802位於電線桿的高度的中間附近,並將它提供在高於人的視線的位置。藉由從移動體9803中視覺確認顯示面板,可以辨認顯示面板9802上的影像。在提供在重復林立的電線桿如屋外電線上的顯示面板9802上顯示同樣的影像,看見者由此可以視覺確認資訊顯示或廣告顯示。在圖58中,提供在電線桿9801上的顯示面板9802容易使用來自外部的訊號顯示同樣的影像,因此可以期待極為有效的資訊顯示以及廣告效果。此外,在本發明的顯示面板中提供有自發光型的顯示元件作為顯示元件,因此,即使在夜間,也作為高可見度的顯示媒體用。
此外,參照圖59說明使用在顯示部具有本發明的顯示裝置的顯示面板的應用例子,該應用例子為與圖58不同的建築物的應用方式。
圖59表示在顯示部具有本發明的顯示裝置的顯示面板的應用例子。作為顯示裝置一體型的例子,圖59表示整體裝在組合浴缸10002內的側壁上的顯示面板10001的例子。圖59所示的在顯示部具有本發明的顯示裝置的顯示面板10001整體裝在組合浴缸10002,洗澡人可以觀看顯示面板10001。顯示面板10001藉由洗澡人的操作顯示資訊,並具有可以當成廣告或娛樂的功能。
此外,在顯示部具有本發明的顯示裝置的顯示面板不局限於只有圖59所示的組合浴缸10002的側壁適當的使用該顯示面板,藉由改變其形狀,可以適用於各種各樣的地方,即,可以提供在鏡面的一部分或者整體提供在浴缸本身等。
此外,圖60表示在建築物內提供了具有大型顯示部的電視裝置的例子。圖60包括:框體8010,顯示部8011,作為操作部的遙控裝置8012,揚聲器部8013等。在顯示部具有本發明的顯示裝置的顯示面板適用於顯示部8011的製造。圖60的電視裝置,作為掛壁式電視裝置整體裝在建築物,因此可以設置電視裝置而不需要寬敞的設置空間。
此外,本實施例例示了電線桿、組合浴缸、建築物內部等作為建築物,本實施例不局限於此,只要是可以設有顯示面板的建築物,什麽都可以。藉由將本發明的顯示裝置設在顯示面板,可以提供具有可以表現鮮明的色彩的顯示媒體的建築物。
此外,本實施例可以與在本說明書中的其他實施例模式以及實施例的任何記載自由組合而實施。此外,可以與本實施例中的任何記載自由組合而實施。
100...像素部
101...像素
102...訊號線驅動電路
103...掃描線驅動電路
102a...移位暫存器
102b...第一鎖存電路
102c...第二鎖存電路
200...影像元件
201...第一像素
202...第二像素
203...第三像素
204...第四像素
205...第五像素
206...第六像素
301...第一電晶體
302...第二電晶體
303...發光元件
304...儲存電容器
401...第一電晶體
402...第二電晶體
403...儲存電容器
404...發光元件
405...訊號線
406...電源線
407...掃描線
501...1框週期
601...基板
602...陽極
603...電洞注入層
604...電洞傳輸層
605...發光層
606...電子傳輸層
607...電子注入層
608...陰極
700...基板
701...驅動TFT
702...第一電極
703...發光層
704...第二電極
801、802...發射光譜
901、902...發射光譜
1001、1002...發射光譜
1201...電洞注入層
1202...電洞傳輸層
1203...發光層
1204...電子傳輸層
1205...電子注入層
1201A...電洞注入層
1202A...電洞傳輸層
1203A...發光層
1204A...電子傳輸層
1205A...電子注入層
1201B...電洞注入層
1202B...電洞傳輸層
1203B...發光層
1204B...電子傳輸層
1205B...電子注入層
1211...基板
1212...電晶體
1213...陽極
1214...陰極
1301...發射光譜
1400...基板
1401...底絕緣膜
1402...半導體層
1403...閘極絕緣膜
1404...閘極電極
1405...中間層絕緣膜
1406...連接部
1407...第一電極
1408...隔離壁
1409...發光層
1410...第二電極
1411...濾色器(R1)
1412...濾色器(R2)
1413...濾色器(G1)
1414...濾色器(G2)
1415...濾色器(B1)
1416...濾色器(B2)
1417...相對基板
1600...影像元件
1601...第一像素
1602...第二像素
1603...第三像素
1604...第四像素
1605...第五像素
1606...第六像素
1701...第一像素
1702...第二像素
1703...第三像素
1704...第四像素
1705...第五像素
1706...第六像素
1710...影像元件
1801...第一像素
1802...第二像素
1803...第三像素
1804...第四像素
1805...第五像素
1806...第六像素
1807...第七像素
1808...第八像素
1809...第九像素
1901...第一像素
1902...第二像素
1903...第三像素
1904...第四像素
1905...第五像素
1906...第六像素
1907...第七像素
2001...第一電晶體
2002...第二電晶體
2003...第三電晶體
2004...發光元件
2005...儲存電容器
2006...訊號線
2007...第一掃描線
2008...第二掃描線
2009...電源線
2010...相對基板
2101...1框週期
2110...基板
2112...發光區
2113...第一電極
2114...隔離壁
2115R、2115G、2115B...發光層
2116...第二電極
2122...隔離壁
2202...第一週期
2203...第二週期
2204...第三週期
2205...第四週期
2206...第五週期
2207...第六週期
2301...抹除二極體
2401...二極體連接的電晶體
2601A、2601B...開關電晶體
2602A、2602B...驅動電晶體
2604...訊號線
2605A、2605B...掃描線
2606...電源線
2701A、2701B...儲存電容器
3001...訊號線驅動電路
3002...像素部
3003...第一掃描線驅動電路
3004...密封基板
3005...密封劑
3006...第二掃描線驅動電路
3007...空間
3008...佈線
3009...FPC(撓性印刷電路)
3010...基板
3011...TFT
3012...TFT
3013...第一電極
3014...絕緣體
3016...發光層
3017...第二電極
3018...發光元件
3019...IC晶片
3020...n通道TFT
3021...n通道TFT
3100...基板
3101...訊號線驅動電路
3102...像素部
3103...第一掃描線驅動電路
3104...第二掃描線驅動電路
3105...FPC
3106...IC晶片
3107...IC晶片
3108...密封基板
3109...密封劑
3110...基板
3111...訊號線驅動電路
3112...像素部
3113...第二掃描線驅動電路
3114...第一掃描線驅動電路
3115...FPC
3116...IC晶片
3117...IC晶片
3118...密封基板
3119...密封劑
3200...基板
3202...像素部
3204...FPC
3205...IC晶片
3206...IC晶片
3207...密封基板
3208...密封劑
3210...基板
3211...週邊驅動電路
3212...像素部
3213...FPC
3214...FPC
3301...顯示面板
3302...像素部
3303...掃描線驅動電路
3304...訊號線驅動電路
3311...電路板
3312...控制電路
3313...訊號分割電路
3314...連接佈線
3401...調諧器
3402...視頻訊號放大電路
3403...視頻訊號處理電路
3404...訊號線驅動電路
3405...音頻訊號放大電路
3406...音頻訊號處理電路
3408...控制電路
3409...輸入部
3410...掃描線驅動電路
3411...顯示面板
3412...控制電路
3413...訊號分割電路
3501...框體
3502...顯示螢幕
3503...揚聲器
3504...操作開關
3510...充電器
3512...框體
3513...顯示部
3516...操作鍵
3517...揚聲器部
3601...顯示面板
3602...印刷佈線板
3603...像素部
3604...第一掃描線驅動電路
3605...第二掃描線驅動電路
3606...訊號線驅動電路
3607...控制器
3608...CPU
3609...記憶體
3610...電源電路
3611...音頻處理電路
3612...發送/接收電路
3613...FPC
3614...I/F部
3615...天線用埠
3616...VRAM
3617...DRAM
3618...快閃記憶體
3619...介面
3620...控制訊號產生電路
3621...解碼器
3622...暫存器
3623...計算電路
3624...RAM
3625...輸入機構
3626...微音器
3627...揚聲器
3628...天線
3701...顯示面板
3710...顯示面板
3713...FPC
3730...框體
3731...印刷佈線板
3732...揚聲器
3733...微音器
3734...發送/接收電路
3735...訊號處理電路
3736...輸入機構
3737...電池
3739...框體
3901、3902、3903、3904...點線
4000...基板
4001...絕緣膜
4002...半導體層
4003...閘極絕緣膜
4004...閘極電極
4005...中間層絕緣膜
4006...連接部
4007...第一電極
4008...隔離壁
4009A、4009B...發光層
4010...第二電極
4011...濾色器(R1)
4012...濾色器(G1)
4013...濾色器(R2)
4014...濾色器(G2)
4015...相對基板
4109A、4109B...發光層
4401...第一電晶體
4402...第二電晶體
4403...訊號線
4404...第一電源線
4405...第二電源線
4406...發光元件
4407...掃描線
4601...行訊號線驅動電路
4602...列訊號線驅動電路
4603...像素部
4604...發光元件
5001...第一基板
5002...行訊號線
5003...列訊號線
5004...隔離壁
5005...交叉部
5006、5007...輸入端
5008...連接佈線
5009a、5009b...FPC
5010...第二基板
5011...密封劑
5101...中間層絕緣膜
5102...佈線
5103...第一反射電極
5104...第二反射電極
6001...第一電晶體
6002...第二電晶體
6003...訊號線
6004...第一電源線
6005...第二電源線
6006...發光元件
6007...掃描線
6008...電流源電路
6009...第三電晶體
6010...儲存電容器
7001...第一電晶體
7002...第二電晶體
7003...訊號線
7004...第一電源線
7005...第二電源線
7006...發光元件
7007...第一掃描線
7009...第三電晶體
7010...儲存電容器
7016...第二掃描線
7601...基板
7602...底膜
7603...像素電極
7604...第一電極
7605、7606...佈線
7607、7608...n型半導體層
7609...半導體層
7610...閘極絕緣膜
7611...絕緣膜
7612...閘極電極
7613...第二電極
7614...中間層絕緣膜
7615...發光層
7616...相對電極
7617...發光元件
7618...驅動電晶體
7619...儲存電容器
7620...第一電極
7701...基板
7702...底膜
7703...閘極電極
7704...第一電極
7705...閘極絕緣膜
7706、7707...半導體層
7708、7709、7710...n型半導體層
7711、7712、7713...佈線
7714...像素電極
7715...絕緣體
7716...發光層
7717...相對電極
7718...發光元件
7719...驅動電晶體
7720...儲存電容器
7721...第二電極
7801、7802...絕緣體
8010...框體
8011...顯示部
8012...遙控裝置
8013...揚聲器部
9701...電車車輛主體
9702、9703、9704、9901...顯示面板
9801...電線桿
9802...顯示面板
9803...移動體
9902...汽車車身
10001...顯示面板
10002...組合浴缸
10101...飛機機體
10102...顯示面板
10103...鉸鏈部
38101...框體
38102...支撐座
38103...顯示部
38201...主體
38202...顯示部
38203...影像接收部
38204...操作鍵
38205...外部連接埠
38206...快門
38301...主體
38302...框體
38303...顯示部
38304...鍵盤
38305...外部連接埠
38306...定點裝置
38401...主體
38402...顯示部
38403...開關
38404...操作鍵
38405...紅外線埠
38501...主體
38502...框體
38503...顯示部A
38504...顯示部B
38505...記錄媒體讀取部
38506...操作鍵
38507...揚聲器部
38601...主體
38602...顯示部
38603...耳機
38604...支撐部
38701...框體
38702...顯示部
38703...揚聲器部
38704...操作鍵
38705...記錄媒體插入部
38801...主體
38802...顯示部
38803...操作鍵
38804...揚聲器
38805...快門
38806...影像接受部
38807...天線
R1、R2、G1、G2、B1、B2...發光元件
S1-Sn...訊號線
V1-Vn...電源線
G1-Gn...掃描線
圖1是本發明的顯示裝置的示意圖;圖2是本發明的顯示裝置的像素的示意圖;圖3是本發明的顯示裝置的像素的電路圖;圖4是本發明的顯示裝置的像素的電路圖;圖5是本發明的顯示裝置的時序圖;圖6A和6B是本發明的顯示裝置的發光元件的截面圖;圖7A至7C是本發明的顯示裝置的截面圖;圖8是發光元件的發射光譜圖;圖9是發光元件的發射光譜圖;圖10是發光元件的發射光譜圖;圖11是本發明的發光元件的CIE-XY色度圖;圖12A和12B是本發明的顯示裝置的發光元件的截面圖;圖13是發光元件的發射光譜圖;圖14A和14B是本發明的顯示裝置的截面圖;圖15A至15C是本發明的顯示裝置的截面圖;圖16是本發明的顯示裝置的像素的示意圖;圖17是本發明的顯示裝置的像素的示意圖;圖18是本發明的顯示裝置的像素的示意圖;圖19A和19B是本發明的顯示裝置的像素的示意圖;圖20是本發明的顯示裝置的像素的電路圖;圖21是本發明的顯示裝置的時序圖;圖22A和22B是本發明的顯示裝置的時序圖;圖23是本發明的顯示裝置的像素的電路圖;圖24是本發明的顯示裝置的像素的電路圖;圖25是說明在本發明的顯示裝置中的電晶體的操作圖;圖26是本發明的顯示裝置的像素的電路圖;圖27是本發明的顯示裝置的像素的俯視圖;圖28是本發明的顯示裝置的像素的電路圖;圖29是本發明的顯示裝置的像素的電路圖;圖30A和30B是表示本發明的顯示裝置的一種模式的圖;圖31A和31B是表示本發明的顯示裝置的一種模式的圖;圖32A和32B是表示本發明的顯示裝置的一種模式的圖;圖33是說明可以適當的使用本發明的顯示裝置的電子裝置的圖;圖34是說明可以適當的使用本發明的顯示裝置的電子裝置的圖;圖35A和35B是說明可以適當的使用本發明的顯示裝置的電子裝置的圖;圖36A和36B是說明可以適當的使用本發明的顯示裝置的電子裝置的圖;圖37是說明可以適當的使用本發明的顯示裝置的電子裝置的圖;圖38A至38H是說明可以適當的使用本發明的顯示裝置的電子裝置的圖;圖39是用於說明現有例的CIE-XY色度圖;圖40A和40B是本發明的顯示裝置的截面圖;圖41A和41B是本發明的顯示裝置的截面圖;圖42A和42B是本發明的顯示裝置的截面圖;圖43A和43B是本發明的顯示裝置的截面圖;圖44A至44C是本發明的顯示裝置的像素的電路圖;圖45A至45C是本發明的顯示裝置的發光元件的截面圖;圖46是本發明的顯示裝置的示意圖;圖47A是本發明的顯示裝置的俯視圖,而圖47B及47C是本發明的顯示裝置的截面圖;圖48是本發明的顯示裝置的截面圖;圖49A和49B是本發明的顯示裝置的截面圖;圖50是本發明的顯示裝置的示意圖;圖51是本發明的顯示裝置的截面圖;圖52是本發明的顯示裝置的像素的電路圖;圖53A和53B是本發明的顯示裝置的像素的示意圖;圖54A和54B是本發明的顯示裝置的發光元件的截面圖;圖55A和55B是表示本發明的電子裝置的應用例圖;圖56是表示本發明的電子裝置的應用例圖;圖57A和57B是表示本發明的電子裝置的應用例圖;圖58是表示本發明的電子裝置的應用例圖;圖59是表示本發明的電子裝置的應用例圖;圖60是表示本發明的電子裝置的應用例圖。
200...影像元件
201...第一像素
202...第二像素
203...第三像素
204...第四像素
205...第五像素
206...第六像素

Claims (48)

  1. 一種顯示裝置,包含:包含多個影像元件的顯示區域,其中每個該多個影像元件包含:各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第一像素及第二像素,該發光元件具有在CIE-XY色度圖中的x座標為0.50或更大的色度;各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第三像素及第四像素,該發光元件具有在該CIE-XY色度圖中的y座標為0.55或更大的色度;以及各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第五像素及第六像素,該發光元件具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.20或更小和0.25或更小的色度,其中,提供在該第一像素和該第二像素中的該發光元件具有互不相同的發射光譜,其中,提供在該第三像素和該第四像素中的該發光元件具有互不相同的發射光譜,其中,提供在該第五像素和該第六像素中的該發光元件具有互不相同的發射光譜,其中,提供在該第一像素和該第二像素中的該等第一電晶體電連接至一第一訊號線,且提供在該第一像素和該第二像素中的該等第二電晶體電連接至一第一電源線, 其中,提供在該第三像素和該第四像素中的該等第一電晶體電連接至一第二訊號線,且提供在該第三像素和該第四像素中的該等第二電晶體電連接至一第二電源線,以及其中,提供在該第五像素和該第六像素中的該等第一電晶體電連接至一第三訊號線,且提供在該第五像素和該第六像素中的該等第二電晶體電連接至一第三電源線。
  2. 一種顯示裝置,包含:包含多個影像元件的顯示區域,其中每個該多個影像元件包含:各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第一像素及第二像素,該發光元件具有在CIE-XY色度圖中的x座標為0.50或更大的色度;各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第三像素及第四像素,該發光元件具有在該CIE-XY色度圖中的y座標為0.55或更大的色度;以及各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第五像素及第六像素,該發光元件具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.20或更小和0.25或更小的色度,其中,提供在該第一像素和該第二像素中的該發光元件以在該CIE-XY色度圖中座標互不相同的顏色發光,其中,提供在該第三像素和該第四像素中的該發光元 件以在該CIE-XY色度圖中座標互不相同的顏色發光,其中,提供在該第五像素和該第六像素中的該發光元件以在該CIE-XY色度圖中座標互不相同的顏色發光,其中,提供在該第一像素和該第二像素中的該等第一電晶體電連接至一第一訊號線,且提供在該第一像素和該第二像素中的該等第二電晶體電連接至一第一電源線,其中,提供在該第三像素和該第四像素中的該等第一電晶體電連接至一第二訊號線,且提供在該第三像素和該第四像素中的該等第二電晶體電連接至一第二電源線,以及其中,提供在該第五像素和該第六像素中的該等第一電晶體電連接至一第三訊號線,且提供在該第五像素和該第六像素中的該等第二電晶體電連接至一第三電源線。
  3. 一種顯示裝置,包含:包含多個影像元件的顯示區域,其中每個該多個影像元件包含:各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第一像素及第二像素,該發光元件具有在CIE-XY色度圖中的x座標為0.50或更大的色度;各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第三像素及第四像素,該發光元件具有在該CIE-XY色度圖中的y座標為0.55或更大的色度;以及各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電 晶體之發光元件的第五像素及第六像素,該發光元件具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.20或更小和0.25或更小的色度,其中,提供在該第一像素和該第二像素中的該發光元件是使用互不相同的材料而形成的,以具有不相同的發射光譜,其中,提供在該第三像素和該第四像素中的該發光元件是使用互不相同的材料而形成的,以具有不相同的發射光譜,其中,提供在該第五像素和該第六像素中的該發光元件是使用互不相同的材料而形成的,以具有不相同的發射光譜,其中,提供在該第一像素和該第二像素中的該等第一電晶體電連接至一第一訊號線,且提供在該第一像素和該第二像素中的該等第二電晶體電連接至一第一電源線,其中,提供在該第三像素和該第四像素中的該等第一電晶體電連接至一第二訊號線,且提供在該第三像素和該第四像素中的該等第二電晶體電連接至一第二電源線,以及其中,提供在該第五像素和該第六像素中的該等第一電晶體電連接至一第三訊號線,且提供在該第五像素和該第六像素中的該等第二電晶體電連接至一第三電源線。
  4. 一種顯示裝置,包含:包含多個影像元件的顯示區域,其中每個該多個影像 元件包含:各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第一像素及第二像素,該發光元件具有在CIE-XY色度圖中的x座標為0.50或更大的色度;各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第三像素及第四像素,該發光元件具有在該CIE-XY色度圖中的y座標為0.55或更大的色度;以及各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第五像素及第六像素,該發光元件具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.20或更小和0.25或更小的色度,其中,提供在該第一像素和該第二像素中的該發光元件形成為互不相同的厚度,以具有不相同的發射光譜,其中,提供在該第三像素和該第四像素中的該發光元件形成為互不相同的厚度,以具有不相同的發射光譜,其中,提供在該第五像素和該第六像素中的該發光元件形成為互不相同的厚度,以具有不相同的發射光譜,其中,提供在該第一像素和該第二像素中的該等第一電晶體電連接至一第一訊號線,且提供在該第一像素和該第二像素中的該等第二電晶體電連接至一第一電源線,其中,提供在該第三像素和該第四像素中的該等第一電晶體電連接至一第二訊號線,且提供在該第三像素和該第四像素中的該等第二電晶體電連接至一第二電源線,以 及其中,提供在該第五像素和該第六像素中的該等第一電晶體電連接至一第三訊號線,且提供在該第五像素和該第六像素中的該等第二電晶體電連接至一第三電源線。
  5. 一種顯示裝置,包含:包含多個影像元件的顯示區域,其中每個該多個影像元件包含:各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第一像素及第二像素,該發光元件具有在CIE-XY色度圖中的x座標為0.50或更大的色度;各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第三像素及第四像素,該發光元件具有在該CIE-XY色度圖中的y座標為0.55或更大的色度;以及各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第五像素及第六像素,該發光元件具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.20或更小和0.25或更小的色度,其中,該第一像素和該第二像素具有透射特性互不相同的濾色器,並透過不同發射光譜的光,其中,該第三像素和該第四像素具有透射特性互不相同的濾色器,並透過不同發射光譜的光,其中,該第五像素和該第六像素具有透射特性互不相同的濾色器,並透過不同發射光譜的光, 其中,提供在該第一像素和該第二像素中的該等第一電晶體電連接至一第一訊號線,且提供在該第一像素和該第二像素中的該等第二電晶體電連接至一第一電源線,其中,提供在該第三像素和該第四像素中的該等第一電晶體電連接至一第二訊號線,且提供在該第三像素和該第四像素中的該等第二電晶體電連接至一第二電源線,以及其中,提供在該第五像素和該第六像素中的該等第一電晶體電連接至一第三訊號線,且提供在該第五像素和該第六像素中的該等第二電晶體電連接至一第三電源線。
  6. 一種顯示裝置,包含:包含多個影像元件的顯示區域,其中每個該多個影像元件包含:各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第一像素及第二像素,該發光元件具有在CIE-XY色度圖中的x座標為0.50或更大的色度;各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第三像素及第四像素,該發光元件具有在該CIE-XY色度圖中的y座標為0.55或更大的色度;以及各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第五像素及第六像素,該發光元件具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.20或更小和0.25或更小的色度, 其中,提供在該第一像素和該第二像素中的該發光元件是使用互不相同的材料而形成的,並以在該CIE-XY色度圖中座標不相同的顏色發光,其中,提供在該第三像素和該第四像素中的該發光元件是使用互不相同的材料而形成的,並以在該CIE-XY色度圖中座標不相同的顏色發光,其中,提供在該第五像素和該第六像素中的該發光元件是使用互不相同的材料而形成的,並以在該CIE-XY色度圖中座標不相同的顏色發光,其中,提供在該第一像素和該第二像素中的該等第一電晶體電連接至一第一訊號線,且提供在該第一像素和該第二像素中的該等第二電晶體電連接至一第一電源線,其中,提供在該第三像素和該第四像素中的該等第一電晶體電連接至一第二訊號線,且提供在該第三像素和該第四像素中的該等第二電晶體電連接至一第二電源線,以及其中,提供在該第五像素和該第六像素中的該等第一電晶體電連接至一第三訊號線,且提供在該第五像素和該第六像素中的該等第二電晶體電連接至一第三電源線。
  7. 一種顯示裝置,包含:包含多個影像元件的顯示區域,其中每個該多個影像元件包含:各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第一像素及第二像素,該發光元件具有 在CIE-XY色度圖中的x座標為0.50或更大的色度;各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第三像素及第四像素,該發光元件具有在該CIE-XY色度圖中的y座標為0.55或更大的色度;以及各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第五像素及第六像素,該發光元件具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.20或更小和0.25或更小的色度,其中,提供在該第一像素和該第二像素中的該發光元件形成為互不相同的厚度,並以在該CIE-XY色度圖中座標不相同的顏色發光,其中,提供在該第三像素和該第四像素中的該發光元件形成為互不相同的厚度,並以在該CIE-XY色度圖中座標不相同的顏色發光,其中,提供在該第五像素和該第六像素中的該發光元件形成為互不相同的厚度,並以在形成為CIE-XY色度圖中座標不相同的顏色發光,其中,提供在該第一像素和該第二像素中的該等第一電晶體電連接至一第一訊號線,且提供在該第一像素和該第二像素中的該等第二電晶體電連接至一第一電源線,其中,提供在該第三像素和該第四像素中的該等第一電晶體電連接至一第二訊號線,且提供在該第三像素和該第四像素中的該等第二電晶體電連接至一第二電源線,以 及其中,提供在該第五像素和該第六像素中的該等第一電晶體電連接至一第三訊號線,且提供在該第五像素和該第六像素中的該等第二電晶體電連接至一第三電源線。
  8. 一種顯示裝置,包含:包含多個影像元件的顯示區域,其中每個該多個影像元件包含:各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第一像素及第二像素,該發光元件具有在CIE-XY色度圖中的x座標為0.50或更大的色度;各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第三像素及第四像素,該發光元件具有在該CIE-XY色度圖中的y座標為0.55或更大的色度;以及各包含第一電晶體、第二電晶體及電連接至該第二電晶體之發光元件的第五像素及第六像素,該發光元件具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.20或更小和0.25或更小的色度,其中,該第一像素和該第二像素具有透射特性互不相同的濾色器,且經過該等濾色器中之一者的光具有在該CIE-XY色度圖中與經過另一個濾色器的光不同座標的顏色,其中,該第三像素和該第四像素具有透射特性互不相同的濾色器,且經過該等濾色器中之一者的光具有在該 CIE-XY色度圖中與經過另一個濾色器的光不同座標的顏色,其中,該第五像素和該第六像素具有透射特性互不相同的濾色器,且經過該等濾色器中之一者的光具有在該CIE-XY色度圖中與經過另一個濾色器的光不同座標的顏色,其中,提供在該第一像素和該第二像素中的該等第一電晶體電連接至一第一訊號線,且提供在該第一像素和該第二像素中的該等第二電晶體電連接至一第一電源線,其中,提供在該第三像素和該第四像素中的該等第一電晶體電連接至一第二訊號線,且提供在該第三像素和該第四像素中的該等第二電晶體電連接至一第二電源線,以及其中,提供在該第五像素和該第六像素中的該等第一電晶體電連接至一第三訊號線,且提供在該第五像素和該第六像素中的該等第二電晶體電連接至一第三電源線。
  9. 如申請專利範圍第1項的顯示裝置,其中,提供在該第一像素中的該發光元件和提供在該第二像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.6或更大和0.35或更小的色度,其中,提供在該第三像素中的該發光元件和提供在該第四像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.3或更小和0.6或 更大的色度,以及其中,提供在該第五像素中的該發光元件和提供在該第六像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.15或更小和0.2或更小的色度。
  10. 如申請專利範圍第2項的顯示裝置,其中,提供在該第一像素中的該發光元件和提供在該第二像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.6或更大和0.35或更小的色度,其中,提供在該第三像素中的該發光元件和提供在該第四像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.3或更小和0.6或更大的色度,以及其中,提供在該第五像素中的該發光元件和提供在該第六像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.15或更小和0.2或更小的色度。
  11. 如申請專利範圍第3項的顯示裝置,其中,提供在該第一像素中的該發光元件和提供在該第二像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.6或更大和0.35或更小的色度,其中,提供在該第三像素中的該發光元件和提供在該 第四像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.3或更小和0.6或更大的色度,以及其中,提供在該第五像素中的該發光元件和提供在該第六像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.15或更小和0.2或更小的色度。
  12. 如申請專利範圍第4項的顯示裝置,其中,提供在該第一像素中的該發光元件和提供在該第二像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.6或更大和0.35或更小的色度,其中,提供在該第三像素中的該發光元件和提供在該第四像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.3或更小和0.6或更大的色度,以及其中,提供在該第五像素中的該發光元件和提供在該第六像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.15或更小和0.2或更小的色度。
  13. 如申請專利範圍第5項的顯示裝置,其中,提供在該第一像素中的該發光元件和提供在該第二像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.6或更大和0.35 或更小的色度,其中,提供在該第三像素中的該發光元件和提供在該第四像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.3或更小和0.6或更大的色度,以及其中,提供在該第五像素中的該發光元件和提供在該第六像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.15或更小和0.2或更小的色度。
  14. 如申請專利範圍第6項的顯示裝置,其中,提供在該第一像素中的該發光元件和提供在該第二像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.6或更大和0.35或更小的色度,其中,提供在該第三像素中的該發光元件和提供在該第四像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.3或更小和0.6或更大的色度,以及其中,提供在該第五像素中的該發光元件和提供在該第六像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.15或更小和0.2或更小的色度。
  15. 如申請專利範圍第7項的顯示裝置,其中,提供在該第一像素中的該發光元件和提供在該 第二像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.6或更大和0.35或更小的色度,其中,提供在該第三像素中的該發光元件和提供在該第四像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.3或更小和0.6或更大的色度,以及其中,提供在該第五像素中的該發光元件和提供在該第六像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.15或更小和0.2或更小的色度。
  16. 如申請專利範圍第8項的顯示裝置,其中,提供在該第一像素中的該發光元件和提供在該第二像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.6或更大和0.35或更小的色度,其中,提供在該第三像素中的該發光元件和提供在該第四像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.3或更小和0.6或更大的色度,以及其中,提供在該第五像素中的該發光元件和提供在該第六像素中的該發光元件中的任何一個,具有在該CIE-XY色度圖中的x座標和y座標分別為0.15或更小和0.2或更小的色度。
  17. 如申請專利範圍第1項的顯示裝置,其中該影像元件包括發白色光的發光元件。
  18. 如申請專利範圍第2項的顯示裝置,其中該影像元件包括發白色光的發光元件。
  19. 如申請專利範圍第3項的顯示裝置,其中該影像元件包括發白色光的發光元件。
  20. 如申請專利範圍第4項的顯示裝置,其中該影像元件包括發白色光的發光元件。
  21. 如申請專利範圍第5項的顯示裝置,其中該影像元件包括發白色光的發光元件。
  22. 如申請專利範圍第6項的顯示裝置,其中該影像元件包括發白色光的發光元件。
  23. 如申請專利範圍第7項的顯示裝置,其中該影像元件包括發白色光的發光元件。
  24. 如申請專利範圍第8項的顯示裝置,其中該影像元件包括發白色光的發光元件。
  25. 如申請專利範圍第1項的顯示裝置,其中,該第一像素和該第二像素具有面積互不相同的發光區域,其中,該第三像素和該第四像素具有面積互不相同的發光區域,以及其中,該第五像素和該第六像素具有面積互不相同的發光區域。
  26. 如申請專利範圍第2項的顯示裝置, 其中,該第一像素和該第二像素具有面積互不相同的發光區域,其中,該第三像素和該第四像素具有面積互不相同的發光區域,以及其中,該第五像素和該第六像素具有面積互不相同的發光區域。
  27. 如申請專利範圍第3項的顯示裝置,其中,該第一像素和該第二像素具有面積互不相同的發光區域,其中,該第三像素和該第四像素具有面積互不相同的發光區域,以及其中,該第五像素和該第六像素具有面積互不相同的發光區域。
  28. 如申請專利範圍第4項的顯示裝置,其中,該第一像素和該第二像素具有面積互不相同的發光區域,其中,該第三像素和該第四像素具有面積互不相同的發光區域,以及其中,該第五像素和該第六像素具有面積互不相同的發光區域。
  29. 如申請專利範圍第5項的顯示裝置,其中,該第一像素和該第二像素具有面積互不相同的發光區域,其中,該第三像素和該第四像素具有面積互不相同的 發光區域,以及其中,該第五像素和該第六像素具有面積互不相同的發光區域。
  30. 如申請專利範圍第6項的顯示裝置,其中,該第一像素和該第二像素具有面積互不相同的發光區域,其中,該第三像素和該第四像素具有面積互不相同的發光區域,以及其中,該第五像素和該第六像素具有面積互不相同的發光區域。
  31. 如申請專利範圍第7項的顯示裝置,其中,該第一像素和該第二像素具有面積互不相同的發光區域,其中,該第三像素和該第四像素具有面積互不相同的發光區域,以及其中,該第五像素和該第六像素具有面積互不相同的發光區域。
  32. 如申請專利範圍第8項的顯示裝置,其中,該第一像素和該第二像素具有面積互不相同的發光區域,其中,該第三像素和該第四像素具有面積互不相同的發光區域,以及其中,該第五像素和該第六像素具有面積互不相同的發光區域。
  33. 如申請專利範圍第1項的顯示裝置,其中該發光元件是電致發光元件。
  34. 如申請專利範圍第2項的顯示裝置,其中該發光元件是電致發光元件。
  35. 如申請專利範圍第3項的顯示裝置,其中該發光元件是電致發光元件。
  36. 如申請專利範圍第4項的顯示裝置,其中該發光元件是電致發光元件。
  37. 如申請專利範圍第5項的顯示裝置,其中該發光元件是電致發光元件。
  38. 如申請專利範圍第6項的顯示裝置,其中該發光元件是電致發光元件。
  39. 如申請專利範圍第7項的顯示裝置,其中該發光元件是電致發光元件。
  40. 如申請專利範圍第8項的顯示裝置,其中該發光元件是電致發光元件。
  41. 如申請專利範圍第1項的顯示裝置,其中該顯示裝置用於選自如下群組中的電子裝置,該群組包含視頻相機、數位相機、護目鏡型顯示器、導航系統、音頻再生裝置、電腦、遊戲機、行動電腦、行動電話、攜帶型遊戲機、電子書、以及數位通用光碟。
  42. 如申請專利範圍第2項的顯示裝置,其中該顯示裝置用於選自如下群組中的電子裝置,該群組包含視頻相機、數位相機、護目鏡型顯示器、導航系統、音頻再生裝 置、電腦、遊戲機、行動電腦、行動電話、攜帶型遊戲機、電子書、以及數位通用光碟。
  43. 如申請專利範圍第3項的顯示裝置,其中該顯示裝置用於選自如下群組中的電子裝置,該群組包含視頻相機、數位相機、護目鏡型顯示器、導航系統、音頻再生裝置、電腦、遊戲機、行動電腦、行動電話、攜帶型遊戲機、電子書、以及數位通用光碟。
  44. 如申請專利範圍第4項的顯示裝置,其中該顯示裝置用於選自如下群組中的電子裝置,該群組包含視頻相機、數位相機、護目鏡型顯示器、導航系統、音頻再生裝置、電腦、遊戲機、行動電腦、行動電話、攜帶型遊戲機、電子書、以及數位通用光碟。
  45. 如申請專利範圍第5項的顯示裝置,其中該顯示裝置用於選自如下群組中的電子裝置,該群組包含視頻相機、數位相機、護目鏡型顯示器、導航系統、音頻再生裝置、電腦、遊戲機、行動電腦、行動電話、攜帶型遊戲機、電子書、以及數位通用光碟。
  46. 如申請專利範圍第6項的顯示裝置,其中該顯示裝置用於選自如下群組中的電子裝置,該群組包含視頻相機、數位相機、護目鏡型顯示器、導航系統、音頻再生裝置、電腦、遊戲機、行動電腦、行動電話、攜帶型遊戲機、電子書、以及數位通用光碟。
  47. 如申請專利範圍第7項的顯示裝置,其中該顯示裝置用於選自如下群組中的電子裝置,該群組包含視頻相 機、數位相機、護目鏡型顯示器、導航系統、音頻再生裝置、電腦、遊戲機、行動電腦、行動電話、攜帶型遊戲機、電子書、以及數位通用光碟。
  48. 如申請專利範圍第8項的顯示裝置,其中該顯示裝置用於選自如下群組中的電子裝置,該群組包含視頻相機、數位相機、護目鏡型顯示器、導航系統、音頻再生裝置、電腦、遊戲機、行動電腦、行動電話、攜帶型遊戲機、電子書、以及數位通用光碟。
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Families Citing this family (123)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8269227B2 (en) * 2005-06-09 2012-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
US8729795B2 (en) 2005-06-30 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
US20070001954A1 (en) * 2005-07-04 2007-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of display device
EP1770676B1 (en) 2005-09-30 2017-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
TW200826055A (en) * 2006-12-06 2008-06-16 Gigno Technology Co Ltd Display apparatus and manufacturing method thereof
JP2009044225A (ja) * 2007-08-06 2009-02-26 Nec Saitama Ltd 携帯端末
TWI384277B (zh) * 2007-09-07 2013-02-01 Japan Display West Inc 液晶顯示裝置
KR20090046310A (ko) * 2007-11-05 2009-05-11 삼성전자주식회사 디스플레이시스템, 디스플레이장치 및 그 제어방법
JP5262217B2 (ja) * 2008-03-24 2013-08-14 セイコーエプソン株式会社 電圧選択回路、電気泳動表示装置、及び電子機器
FR2931296B1 (fr) * 2008-05-13 2013-04-26 Commissariat Energie Atomique Circuit de controle d'un pixel a coordonnees chromatiques variables
US8643266B2 (en) * 2008-09-24 2014-02-04 Luminus Devices, Inc. Light-emitting device including independently electrically addressable sections
US9385167B2 (en) * 2008-10-01 2016-07-05 Universal Display Corporation OLED display architecture
US20100225252A1 (en) 2008-10-01 2010-09-09 Universal Display Corporation Novel amoled display architecture
JP5187124B2 (ja) * 2008-10-16 2013-04-24 セイコーエプソン株式会社 液状体の吐出方法、カラーフィルタの製造方法および有機el装置の製造方法
JP2010104861A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Seiko Epson Corp 液状体の吐出方法、カラーフィルタの製造方法および有機el装置の製造方法
DE102008054435A1 (de) * 2008-12-09 2010-06-10 Universität Zu Köln Organische Leuchtdiode mit optischem Resonator nebst Herstellungsverfahren
US8461582B2 (en) 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI416530B (zh) * 2009-03-25 2013-11-21 Wintek Corp 移位暫存器
KR101127859B1 (ko) * 2009-05-27 2012-03-22 엘지디스플레이 주식회사 단색 발광 표시장치 및 이의 제조방법
US8264548B2 (en) * 2009-06-23 2012-09-11 Sony Corporation Steering mirror for TV receiving high frequency wireless video
JP2011029172A (ja) * 2009-06-30 2011-02-10 Fujifilm Corp 有機el装置及びその設計方法
KR101073544B1 (ko) * 2009-08-21 2011-10-14 삼성모바일디스플레이주식회사 마스크 및 그의 제조 방법
JP5700626B2 (ja) * 2009-09-04 2015-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 El表示装置
KR102113064B1 (ko) 2009-09-16 2020-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
CN102598280B (zh) 2009-10-21 2016-05-18 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器件及包括该液晶显示器件的电子设备
US8803417B2 (en) * 2009-12-01 2014-08-12 Ignis Innovation Inc. High resolution pixel architecture
US8330152B2 (en) * 2009-12-02 2012-12-11 Universal Display Corporation OLED display architecture with improved aperture ratio
KR20110061916A (ko) * 2009-12-02 2011-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 전면 발광형 유기 발광 소자
US8879010B2 (en) 2010-01-24 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR102008754B1 (ko) 2010-01-24 2019-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치와 이의 제조 방법
US8334545B2 (en) 2010-03-24 2012-12-18 Universal Display Corporation OLED display architecture
JP5852793B2 (ja) 2010-05-21 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP2012003925A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Sony Corp 表示装置
KR101211370B1 (ko) * 2011-01-06 2012-12-13 주식회사 토비스 곡면 디스플레이 장치
US8953120B2 (en) * 2011-01-07 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5778961B2 (ja) * 2011-03-29 2015-09-16 株式会社Joled 表示装置および電子機器
KR101933952B1 (ko) * 2011-07-01 2018-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기 및 조명 장치
US9236422B2 (en) 2011-08-03 2016-01-12 Joled Inc. Display panel and production method for same
TWI464872B (zh) * 2011-08-26 2014-12-11 Au Optronics Corp 鏡面電激發光顯示面板
TWI484626B (zh) 2012-02-21 2015-05-11 Formosa Epitaxy Inc 半導體發光元件及具有此半導體發光元件的發光裝置
JP6111455B2 (ja) * 2012-03-12 2017-04-12 株式会社Joled 表示パネル、表示装置および電子機器
TWI675222B (zh) 2012-05-09 2019-10-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 驅動半導體裝置的方法
JP2013253023A (ja) * 2012-06-05 2013-12-19 Canon Inc 新規ベンゾピレン化合物及びそれを有する有機発光素子
US20140070169A1 (en) * 2012-09-12 2014-03-13 Chongwu Zhou Separated Carbon Nanotube-Based Active Matrix Organic Light-Emitting Diode Displays
KR102012980B1 (ko) * 2012-09-13 2019-08-29 삼성디스플레이 주식회사 색상특성이 개선된 유기발광 표시장치
JP6076683B2 (ja) 2012-10-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6204012B2 (ja) 2012-10-17 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6155020B2 (ja) 2012-12-21 2017-06-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその製造方法
KR20140089879A (ko) * 2013-01-08 2014-07-16 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US10580832B2 (en) 2013-01-18 2020-03-03 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US9590017B2 (en) 2013-01-18 2017-03-07 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US10304906B2 (en) 2013-01-18 2019-05-28 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US10243023B2 (en) * 2013-01-18 2019-03-26 Universal Display Corporation Top emission AMOLED displays using two emissive layers
US10229956B2 (en) 2013-01-18 2019-03-12 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
JP6216125B2 (ja) 2013-02-12 2017-10-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6224486B2 (ja) * 2013-03-01 2017-11-01 パナソニック株式会社 多層フィルム、電子デバイス
JP6104649B2 (ja) 2013-03-08 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9083359B2 (en) * 2013-03-27 2015-07-14 Mediatek Singapore Pte. Ltd. Lock detector based on charge pump
WO2015056582A1 (ja) * 2013-10-16 2015-04-23 旭硝子株式会社 給電構造及びそれを備えた窓用樹脂製板状体、並びに給電構造を備えた窓用樹脂製板状体の製造方法
KR102211965B1 (ko) * 2013-10-18 2021-02-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
TW201517260A (zh) * 2013-10-21 2015-05-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 主動式矩陣有機發光二極體畫素結構
KR102066139B1 (ko) * 2013-11-21 2020-01-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
CN103698832B (zh) * 2013-12-17 2017-01-25 合肥京东方光电科技有限公司 一种彩色滤光片及其制作方法、显示装置
CN103715227A (zh) * 2013-12-26 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其驱动方法和显示装置
KR102145466B1 (ko) * 2013-12-30 2020-08-19 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널
KR102184677B1 (ko) * 2014-01-13 2020-12-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN103779388B (zh) * 2014-01-17 2016-04-06 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示器件、其驱动方法及显示装置
CN103887261B (zh) * 2014-03-03 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示器及其制备方法
DE112015001241T5 (de) * 2014-03-14 2016-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Analoge Rechenschaltung, Halbleitervorrichtung und elektronische Vorrichtung
US10115739B2 (en) 2014-05-07 2018-10-30 Sony Corporation Display unit and electronic apparatus
KR102349722B1 (ko) * 2014-05-27 2022-01-10 유니버셜 디스플레이 코포레이션 연장된 수명을 갖는 고 해상도 저 전력 소비 oled 디스플레이
US10700134B2 (en) 2014-05-27 2020-06-30 Universal Display Corporation Low power consumption OLED display
WO2015181678A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, and electronic device
CN106471636B (zh) * 2014-06-26 2018-09-21 Nec照明株式会社 有机el面板控制装置、光源装置、有机el面板控制方法、程序以及记录介质
TWI643004B (zh) * 2014-08-06 2018-12-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列及抬頭顯示器
TWI571675B (zh) * 2014-08-06 2017-02-21 友達光電股份有限公司 畫素陣列及抬頭顯示器
JP2016057616A (ja) * 2014-09-05 2016-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、入出力装置、情報処理装置
CN104377229B (zh) * 2014-09-30 2017-07-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置
US9379166B2 (en) * 2014-11-04 2016-06-28 Atom Nanoelectronics, Inc. Active matrix light emitting diodes display module with carbon nanotubes control circuits and methods of fabrication
KR102311911B1 (ko) * 2014-11-25 2021-10-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치
US9871065B2 (en) * 2014-12-22 2018-01-16 Google Inc. RGBZ pixel unit cell with first and second Z transfer gates
US9425233B2 (en) * 2014-12-22 2016-08-23 Google Inc. RGBZ pixel cell unit for an RGBZ image sensor
KR102337889B1 (ko) * 2015-02-16 2021-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107408364B (zh) * 2015-03-20 2020-06-30 索尼半导体解决方案公司 显示装置、照明装置、发光元件以及半导体装置
CN104932137B (zh) * 2015-07-03 2018-06-05 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、阵列基板、显示面板及显示装置
US10263050B2 (en) 2015-09-18 2019-04-16 Universal Display Corporation Hybrid display
US9818804B2 (en) 2015-09-18 2017-11-14 Universal Display Corporation Hybrid display
US20170139128A1 (en) * 2015-11-16 2017-05-18 Changhong Research Labs, Inc. Pixel output coupler for a laser display system
KR102596367B1 (ko) * 2015-12-14 2023-10-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20170084736A (ko) * 2016-01-12 2017-07-21 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
WO2017146477A1 (ko) * 2016-02-26 2017-08-31 서울반도체주식회사 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
JP6731748B2 (ja) * 2016-02-26 2020-07-29 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
FR3051053B1 (fr) * 2016-05-03 2018-05-25 Essilor International Matrice active transparente a reseau desordonne et composant optique integrant une telle matrice
CN106097898B (zh) * 2016-06-01 2019-12-06 京东方科技集团股份有限公司 像素阵列、显示基板和显示装置
TWI570687B (zh) * 2016-06-02 2017-02-11 友達光電股份有限公司 驅動顯示面板之方法及顯示面板
TWI724060B (zh) 2016-08-17 2021-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、電子裝置以及攜帶資訊終端
KR101857868B1 (ko) 2016-08-26 2018-06-21 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
WO2018070666A1 (ko) * 2016-10-11 2018-04-19 주식회사 루멘스 Led 디스플레이 모듈 및 그 제조방법
CN111799319B (zh) * 2016-12-05 2022-12-13 群创光电股份有限公司 显示装置
KR102666206B1 (ko) * 2016-12-22 2024-05-14 엘지디스플레이 주식회사 컬러 필터를 포함하는 디스플레이 장치
JP2018116829A (ja) * 2017-01-18 2018-07-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2018189910A1 (ja) * 2017-04-14 2018-10-18 堺ディスプレイプロダクト株式会社 日除け装置
KR102502221B1 (ko) 2017-08-08 2023-02-21 삼성디스플레이 주식회사 색 변환 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
TWI624821B (zh) * 2017-09-07 2018-05-21 錼創科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板及其驅動方法
KR102444611B1 (ko) * 2017-12-07 2022-09-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107831612B (zh) * 2017-12-15 2020-01-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置以及显示方法
CN111465974B (zh) * 2017-12-22 2021-09-17 堺显示器制品株式会社 显示装置以及显示装置的制造方法
CN111684515B (zh) * 2018-02-09 2023-01-24 株式会社半导体能源研究所 显示装置的驱动方法
CN108511488A (zh) * 2018-03-01 2018-09-07 云谷(固安)科技有限公司 显示面板和显示装置及显示面板的驱动方法
CN108649131B (zh) * 2018-05-11 2020-11-27 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置
JPWO2019220283A1 (ja) 2018-05-18 2021-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器および照明装置
US10797112B2 (en) 2018-07-25 2020-10-06 Universal Display Corporation Energy efficient OLED TV
CN109118956B (zh) * 2018-08-24 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示面板、显示装置和透明显示面板的制作方法
KR102604312B1 (ko) * 2018-09-11 2023-11-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10490164B2 (en) * 2018-10-10 2019-11-26 Intel Corporation Stretchable display with fixed pixel density
US11030940B2 (en) * 2019-05-03 2021-06-08 X Development Llc Display array with distributed audio
KR20210016222A (ko) * 2019-08-02 2021-02-15 삼성디스플레이 주식회사 광제어 필름 및 이를 포함하는 표시 장치
JP7360272B2 (ja) * 2019-08-19 2023-10-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US11100892B2 (en) * 2019-12-05 2021-08-24 Rockwell Collins, Inc. Display element, system, and method
JP7329080B2 (ja) 2020-01-27 2023-08-17 シャープ株式会社 表示装置
CN115472111A (zh) * 2021-06-10 2022-12-13 隆达电子股份有限公司 显示装置及其驱动方法
US20230011754A1 (en) * 2021-07-01 2023-01-12 Universal Display Corporation Means to Reduce OLED Transient Response
JP2023022709A (ja) * 2021-08-03 2023-02-15 キヤノン株式会社 発光装置、その制御方法、光電変換装置、電子機器、照明装置及び移動体

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001095544A2 (en) * 2000-06-07 2001-12-13 Genoa Color Technologies Ltd. Device, system and method for electronic true color display
US20030063062A1 (en) * 2001-09-28 2003-04-03 Makoto Tsumura Image display device
TW576937B (en) * 2000-09-20 2004-02-21 Hitachi Ltd Manufacturing method of liquid crystal display device
WO2005031693A1 (en) * 2003-09-30 2005-04-07 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Multiple primary color display system and method of display using multiple primary colors

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4800375A (en) 1986-10-24 1989-01-24 Honeywell Inc. Four color repetitive sequence matrix array for flat panel displays
US5168333A (en) * 1987-02-26 1992-12-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Conductivity-modulation metal oxide semiconductor field effect transistor
US5294869A (en) * 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
JPH06260287A (ja) * 1993-03-04 1994-09-16 Toshiba Lighting & Technol Corp 光色可変型照明装置
JP2797883B2 (ja) 1993-03-18 1998-09-17 株式会社日立製作所 多色発光素子とその基板
JP3276930B2 (ja) * 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
JP2000206486A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd カラ―液晶表示装置
JP3670923B2 (ja) 1999-02-26 2005-07-13 三洋電機株式会社 カラー有機el表示装置
US6366025B1 (en) 1999-02-26 2002-04-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display apparatus
US6842170B1 (en) * 1999-03-17 2005-01-11 Motorola, Inc. Display with aligned optical shutter and backlight cells applicable for use with a touchscreen
US7288420B1 (en) * 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
JP4824848B2 (ja) 2000-02-29 2011-11-30 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの特定方法
TW474114B (en) 1999-09-29 2002-01-21 Junji Kido Organic electroluminescent device, organic electroluminescent device assembly and method of controlling the emission spectrum in the device
JP2001110574A (ja) 1999-10-06 2001-04-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子用電極
JP4174989B2 (ja) 1999-11-22 2008-11-05 ソニー株式会社 表示装置
JP2001244259A (ja) 2000-02-29 2001-09-07 Seiko Epson Corp 絶縁体薄膜を製造する方法
CN1941920A (zh) 2000-06-07 2007-04-04 格诺色彩技术有限公司 用于电子真彩显示的设备、系统和方法
US6950115B2 (en) 2001-05-09 2005-09-27 Clairvoyante, Inc. Color flat panel display sub-pixel arrangements and layouts
US7274383B1 (en) 2000-07-28 2007-09-25 Clairvoyante, Inc Arrangement of color pixels for full color imaging devices with simplified addressing
JP2002299067A (ja) * 2001-04-03 2002-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd El素子及びこれを用いた照光装置
US7123277B2 (en) 2001-05-09 2006-10-17 Clairvoyante, Inc. Conversion of a sub-pixel format data to another sub-pixel data format
US7307646B2 (en) 2001-05-09 2007-12-11 Clairvoyante, Inc Color display pixel arrangements and addressing means
US7184066B2 (en) 2001-05-09 2007-02-27 Clairvoyante, Inc Methods and systems for sub-pixel rendering with adaptive filtering
JP2003077663A (ja) 2001-09-03 2003-03-14 Pioneer Electronic Corp 容量性発光素子パネル
JP2003108020A (ja) 2001-10-01 2003-04-11 Sharp Corp 画像表示装置
US6810919B2 (en) 2002-01-11 2004-11-02 Seiko Epson Corporation Manufacturing method for display device, display device, manufacturing method for electronic apparatus, and electronic apparatus
JP2003249174A (ja) 2002-02-26 2003-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイ装置
KR20030086166A (ko) * 2002-05-03 2003-11-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
US20050030268A1 (en) * 2002-08-27 2005-02-10 Weixiao Zhang Full-color electronic device with separate power supply lines
JP4164563B2 (ja) 2002-09-24 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 酸化物半導体pn接合デバイス及びその製造方法
US7067843B2 (en) * 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
US20040080479A1 (en) * 2002-10-22 2004-04-29 Credelle Thomas Lioyd Sub-pixel arrangements for striped displays and methods and systems for sub-pixel rendering same
US7230594B2 (en) 2002-12-16 2007-06-12 Eastman Kodak Company Color OLED display with improved power efficiency
CN100504966C (zh) 2002-12-27 2009-06-24 株式会社半导体能源研究所 显示装置
WO2004070696A1 (ja) * 2003-01-22 2004-08-19 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. 有機elディスプレイ及びアクティブマトリクス基板
JP2004317726A (ja) 2003-04-15 2004-11-11 Seiko Epson Corp 電気光学装置、およびそれを用いた電子機器
US7397455B2 (en) * 2003-06-06 2008-07-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display backplane layouts and addressing for non-standard subpixel arrangements
JP2005062833A (ja) 2003-07-29 2005-03-10 Seiko Epson Corp カラーフィルタ、カラー画像表示装置および電子機器
JP4538649B2 (ja) * 2003-08-28 2010-09-08 奇美電子股▲ふん▼有限公司 輝度ムラを解消した有機elディスプレイとその製造方法
US7291967B2 (en) * 2003-08-29 2007-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element including a barrier layer and a manufacturing method thereof
US20050093435A1 (en) * 2003-09-22 2005-05-05 Suh Min-Chul Full color organic light-emtting device having color modulation layer
US20050116615A1 (en) 2003-09-30 2005-06-02 Shoichiro Matsumoto Light emissive display device
TWI263184B (en) 2003-09-30 2006-10-01 Sanyo Electric Co Electroluminescence display device
JP4180018B2 (ja) 2003-11-07 2008-11-12 三洋電機株式会社 画素回路及び表示装置
KR100741961B1 (ko) 2003-11-25 2007-07-23 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 구동방법
JP2005156925A (ja) 2003-11-26 2005-06-16 Hitachi Displays Ltd 表示装置
US7439667B2 (en) 2003-12-12 2008-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device with specific four color arrangement
JP4712366B2 (ja) 2003-12-12 2011-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP4439260B2 (ja) * 2003-12-26 2010-03-24 三洋電機株式会社 表示装置の製造方法
KR101013631B1 (ko) 2003-12-30 2011-02-10 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시소자의 구동장치 및 그 구동방법
JP4712397B2 (ja) * 2004-01-14 2011-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US7453426B2 (en) 2004-01-14 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
US7446742B2 (en) * 2004-01-30 2008-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7030554B2 (en) * 2004-02-06 2006-04-18 Eastman Kodak Company Full-color organic display having improved blue emission
JP2005234037A (ja) 2004-02-17 2005-09-02 Seiko Epson Corp 電気光学装置、その駆動回路および駆動方法、ならびに電子機器
JP2005300972A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Seiko Epson Corp 表示装置の製造方法及び基板貼り合わせ装置
US8378930B2 (en) * 2004-05-28 2013-02-19 Sony Corporation Pixel circuit and display device having symmetric pixel circuits and shared voltage lines
US7515122B2 (en) * 2004-06-02 2009-04-07 Eastman Kodak Company Color display device with enhanced pixel pattern
JP4507936B2 (ja) 2005-03-24 2010-07-21 エプソンイメージングデバイス株式会社 画像表示装置および電子機器
US7944423B2 (en) 2004-07-01 2011-05-17 Sony Corporation Image processing unit with black-and-white line segment pattern detection, image processing method, image display device using such image processing unit, and electronic apparatus using such image display device
US20060170712A1 (en) * 2005-02-01 2006-08-03 Eastman Kodak Company Color display device with enhanced pixel pattern
JP4684046B2 (ja) 2005-03-30 2011-05-18 三洋電機株式会社 表示装置
EP1770676B1 (en) * 2005-09-30 2017-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
GB2437113B (en) * 2006-04-12 2008-11-26 Cambridge Display Tech Ltd Light-emissive display and method of manufacturing the same
US8466856B2 (en) * 2011-02-22 2013-06-18 Global Oled Technology Llc OLED display with reduced power consumption
CN106023818B (zh) * 2016-05-18 2019-09-17 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构、显示面板及像素结构的驱动方法
TWI724060B (zh) * 2016-08-17 2021-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、電子裝置以及攜帶資訊終端
US10797112B2 (en) * 2018-07-25 2020-10-06 Universal Display Corporation Energy efficient OLED TV

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001095544A2 (en) * 2000-06-07 2001-12-13 Genoa Color Technologies Ltd. Device, system and method for electronic true color display
TW576937B (en) * 2000-09-20 2004-02-21 Hitachi Ltd Manufacturing method of liquid crystal display device
US20030063062A1 (en) * 2001-09-28 2003-04-03 Makoto Tsumura Image display device
WO2005031693A1 (en) * 2003-09-30 2005-04-07 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Multiple primary color display system and method of display using multiple primary colors

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Publication number Publication date
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