JP6224486B2 - 多層フィルム、電子デバイス - Google Patents
多層フィルム、電子デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP6224486B2 JP6224486B2 JP2014038899A JP2014038899A JP6224486B2 JP 6224486 B2 JP6224486 B2 JP 6224486B2 JP 2014038899 A JP2014038899 A JP 2014038899A JP 2014038899 A JP2014038899 A JP 2014038899A JP 6224486 B2 JP6224486 B2 JP 6224486B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inorganic
- layer
- organic
- multilayer film
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 113
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 83
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 417
- 239000010408 film Substances 0.000 description 349
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 103
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 103
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 101
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 67
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 64
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 52
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 description 41
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 40
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 13
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 11
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 10
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 10
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 9
- 238000011161 development Methods 0.000 description 9
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 8
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 8
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 6
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 4
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 238000000369 bright-field scanning transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0393—Flexible materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
- H05B33/24—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers of metallic reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133308—Support structures for LCD panels, e.g. frames or bezels
- G02F1/133311—Environmental protection, e.g. against dust or humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0179—Thin film deposited insulating layer, e.g. inorganic layer for printed capacitor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24752—Laterally noncoextensive components
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Description
無機膜のほうが低い水蒸気透過率を示す理由は、無機膜は、有機膜よりも緻密で隙間がない膜を形成できるために、ガス分子(水蒸気の場合は、水分子)が透過しにくいためである。
フレキシブル電子デバイスの利点である、曲げられる特性を最大限に活かして工業的に応用するためには、ガスバリア層のガスバリア性と曲げ耐性の両立が必要である。
本発明の一態様に係る多層フィルムは、可撓性を有する板状の基材と、前記基材の主面と平行な方向に互いに離間して前記基材上に配置された複数の板状の第1無機部材と、前記複数の第1無機部材のそれぞれを囲むように前記複数の第1無機部材間における前記基材上に立設された第1有機部材と、前記第1有機部材の上面および側面を覆う第2無機部材と、前記第1無機部材の上方であって前記第2無機部材により囲まれた空間を満たす第2有機部材と、を有する多層フィルムである。そして、前記第2無機部材のうち、前記第1有機部材の側面を覆う側面部分の厚みは、前記第1有機部材の上面を覆う上面部分の厚みおよび前記第1無機部材の厚みよりも薄いことを特徴とする。
第1無機部材と第1有機部材とが接合しておらず、双方の間に隙間が存在するため、多層フィルムが曲げられた際に、隙間により曲げ応力を吸収することができ、良好な曲げ耐性を実現することができる。
第1無機部材と第1有機部材とが接合していないため、多層フィルムが曲げられた際に、隙間により曲げ応力を吸収することができ、良好な曲げ耐性を実現することができる。加えて、第1無機部材と第1有機部材とが接しているため、第1無機部材と第1有機部材との間の隙間が非常に小さい。従って、当該隙間を通って水分が侵入しにくく、良好なガスバリア性を実現することができる。
これにより、第1無機部材と第2無機部材とが接している部分の微小な隙間を通って侵入した水分は、そのまままっすぐ最短経路で上方へは進めず、第2有機部材を迂回する必要がある。その分、水分の侵入経路が長くなるため、多層フィルムの上方に電子デバイス層等が配置されている場合、水分が電子デバイス層に到達するまでにより長い時間を要することとなる。その結果、良好なガスバリア性を実現して、電子デバイスの長寿命化に資することができる。
第1有機部材が上記のような形状を有しているため、第1有機部材の上面を覆う上面部分は、第1有機部材の基底部分よりも基材の主面に平行な方向における長さが長くなる。従って、上面部分は、第1無機部材間の間隔よりも上記長さが長くなり、第1無機部材と第1有機部材との間の隙間から侵入した水分は、そのまままっすぐ最短経路で上方へは進めず、第2有機部材を迂回する必要がある。その分、水分の侵入経路が長くなるため、多層フィルムの上方に電子デバイス層等が配置されている場合、水分が電子デバイス層に到達するまでにより長い時間を要することとなる。その結果、良好なガスバリア性を実現して、電子デバイスの長寿命化に資することができる。
また、本発明の一態様に係る多層フィルムの特定の局面では、前記第1無機部材の前記第1有機部材に最も近接した端縁部分と、前記第2無機部材の前記側面部分とは連結していることを特徴とする。
これにより、複数の第1無機部材を同じ製法で形成することができる。また、複数の第1無機部材それぞれのガスバリア性を揃えて、全体としてのガスバリア性の均一化を図ることができる。さらに、複数の第1無機部材の厚みが揃っていない場合と比較して、第1層上面を平坦化しやすいため、その上に形成される層の凹凸を軽減することができる。
これにより、複数の第1無機部材を同一平面上に一度に形成することができ、製造が容易である。
また、本発明の一態様に係る多層フィルムの特定の局面では、前記複数の第1無機部材は、平面視において、規則的なパターンで配置されていることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る多層フィルムの特定の局面では、前記複数の第1無機部材は、平面視において、形状およびサイズがそれぞれ同じであることを特徴とする。
これにより、複数の第1無機部材の形成が、形状およびサイズがバラバラである場合と比較して、製造が容易である。
これにより、第1無機部材間の領域を通過した水分は、必ず第2無機部により侵入が阻害されるため、良好なガスバリア性を得ることができる。
また、本発明の一態様に係る多層フィルムの特定の局面では、前記第2層において、前記第2無機部は、前記積層方向と直交する方向に互いに離間して配置された複数の第2無機部材から成るか、または、前記積層方向と直交する方向に沿って網目状に形成されており、前記複数の第2無機部材間の領域または前記網目の穴部分には、有機材料が配されていることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る多層フィルムの特定の局面では、前記第2無機部は、前記複数の第2無機部材から成り、有機材料を含む中間層を介して前記第2層上に積層され、前記積層方向と直交する方向に互いに離間して配置された複数の第3無機部材から成る第3無機部を含む第3層をさらに有し、前記第1無機部材および前記第2無機部材は、同一の形状およびサイズを有し、それぞれ前記積層方向と直交する方向に沿って平面視において同一の規則的なパターンで配置されており、前記第1無機部材および前記第2無機部材は、平面視において前記パターンが互いにずれた状態で形成されており、前記第3無機部は、前記ずれにより、前記複数の第1無機部材と前記複数の第2無機部材とが重なり合わない部分の上方に前記複数の第3無機部材の何れかを有することを特徴とする。
これにより、第3層においても、第1層と同様に、曲げられた際に第3層の中での応力は、小さな弾性率(優れた曲げ耐性)を有する有機材料よって吸収される。そのため、第3層内での応力伝達が抑制され、割れに対する耐性を高めることができる。
これにより、第1無機部材、第2無機部材、第3無機部材を同一のマスクを用いて形成することができる。
これにより、中間無機部材によって積層方向と直交する方向の水分の移動を阻害することができ、より良好なガスバリア性を得ることができる。
これにより、良好なガスバリア性と曲げ耐性を兼ね備えた電子デバイスを得ることができる。
また、本発明の別の一態様に係る電子デバイスの特定の局面では、前記多層フィルムと前記デバイス層との間に平坦化層を有し、前記平坦化層の表面の凹凸は、100nm以下であることを特徴とする。
また、本発明の別の一態様に係る電子デバイスの特定の局面では、前記デバイス層は、有機EL素子、液晶素子、光電変換素子、およびRFID素子のうちの何れかを有することを特徴とする。
これにより、フレキシブルで良好な品質安定性を備えた有機ELデバイス、液晶デバイス、光電変換デバイス、RFIDの何れかを実現することができる。
画質劣化はユーザの目に留まりやすいため、画像表示領域において良好な品質を維持することが重要である。上記構成により、表示領域における品質劣化を抑制することができる。
また、本発明のさらに別の一態様に係る多層フィルムの製造方法の特定の局面では、前記第1無機部材および前記第2無機部材の形成後、前記第2有機層の形成に先立って、前記第1無機部材および前記第2無機部材の表面に対して、プラズマ処理、光照射、自己整合単分子膜の形成のうちのいずれかにより表面処理を施すことを特徴とする。
本発明のさらに別の一態様に係る電子デバイスの製造方法は、上記何れかの多層フィルムの製造方法により製造される多層フィルムの上方にデバイス層を形成することを特徴とする。
本発明のさらに別の一態様に係る多層フィルムの製造方法は、可撓性を有する基材を準備する基材準備工程と、前記基材の上方に第1無機材料層を成膜する第1無機材料層形成工程と、成膜された前記第1無機材料層を島化して、層方向に互いに離間した複数の板状の第1無機部材から成る第1無機部を形成する第1無機部形成工程と、前記複数の第1無機部材の上方および前記複数の第1無機部材間の領域に有機材料を含む第1有機層を形成する第1有機層形成工程と、前記第1有機層の上方に第2無機材料層を成膜する第2無機材料層形成工程と、成膜された前記第2無機材料層を島化して、層方向に互いに離間した複数の第2無機部材から成る第2無機部を、前記複数の第1無機部材間の領域の少なくとも一部の上方に形成する第2無機部形成工程と、を有することを特徴とする。
これにより、第1無機部と第1有機層との間の密着性を高め、第1無機部と第1有機層との界面からの水分の侵入を抑制することができる。
これにより、第2無機部と第2有機層との間の密着性を高め、第2無機部と第2有機層との界面からの水分の侵入を抑制することができる。
なお、以下の説明で用いる実施形態は、本発明の一態様に係る構成および作用・効果を分かりやすく説明するために用いる例示であって、本発明は、その本質的部分以外に何ら以下の形態に限定を受けるものではない。
≪実施形態1≫
本発明の構造を、図面を用いてより詳細に説明する。
図1は、実施形態1に係る多層フィルムにおける1つの層内の無機部材の態様を示す平面図である。図1に示すように、実施形態1に係る多層フィルムにおける1つの層内の無機部材は、島化された(積層方向と直交する方向に互いに離間した)複数の板状の無機部材から成り、複数の無機部材は規則的な繰り返しパターンで配置されている。ここで、積層方向とは、言い換えれば、層の厚み方向であり、積層方向と直交する方向とは、基材2(図3各図参照)の主面に平行な方向である。図1は、繰り返しパターンの一例であり、無機部材の一部分のみを示している。斜線部分が無機部材であり、白抜きの部分は、隣り合う無機部材間の領域部分である。1つの島としての無機部材は、図1に示すように、平面視において略正方形の形状を有している。本実施形態においては、正方形の一辺の長さは、例えば、40μmであり、隣り合う無機部材間の隙間の大きさは、例えば、2μmであるが、これらに限られない。
なお、上記アラインメントのずれは、本実施形態においては、例えば、以下の通りである。図2において、第2無機部7における第2無機部材7sのパターンは、第1無機部3における第1無機部材3sのパターンに対して紙面下方向に20μm、右方向に10μmずらした状態で形成されている。第3無機部10における第3無機部材10sのパターンは、第1無機部3における第1無機部材3sのパターンに対して紙面上方向に10μm、左方向に5μmずらした状態で形成されている。
上記樹脂材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリビニレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリエチレンスルホン酸、シリコーン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド、ポリイミド、アラミド樹脂などが挙げられる。これらのうち2種類以上の材料が混合されていてもよく、また、これらの材料は化学的に修飾されていてもよい。本実施形態においては、基材2は、例えば、ポリイミドから成る。
基材2の膜厚としては、必要な機械的強度と、曲げ性を確保するために、1μm〜1000μmの範囲が好ましい。
図2および図3に示すように、第1無機部3は、積層方向(層の厚み方向)と直交する方向(以下、単に「層方向」という。)に互いに離間して配置された複数の無機部材3sから成る。第2無機部7は、層方向に互いに離間して配置された複数の無機部材7sから成る。第3無機部10は、層方向に互いに離間して配置された複数の無機部材10sから成る。
実施形態1に係る多層フィルム100においては、個々の第1無機部材3s、第2無機部材7s、第3無機部材10sは、平面視において全て略同一の形状(正方形)およびサイズである。
第1有機層6は、第1無機部3上を覆い、さらに隣り合う第1無機部材3s間の隙間を埋めるように形成されている。即ち、第1有機層6は、隣り合う第1無機部材3s間の領域に形成された第1有機部材(有機材料)6aと、第1無機部材3s上に連続した層として形成された第1連続有機層部6bとから成る。同様に、第2有機層9は、隣り合う第2無機部材7s間の領域に形成された第2有機部材(有機材料)9aと、第2無機部材7s上に連続した層として形成された第2連続有機層部9bとから成る。また、第3有機層12は、隣り合う第3無機部材10s間の領域に形成された第3有機部材(有機材料)12aと、第3無機部材10s上に連続した層として形成された第3連続有機層部12bとから成る。第1有機層6、第2有機層9、および第3有機層12が形成される有機材料としては、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート、ポリキシレン、ポリイミド、ポリアミド、アラミド樹脂などを好適に用いることができる。また、有機材料を主成分として含んでいれば、必ずしも有機材料のみから構成されていなくてもよく、主成分以外の無機材料を含有していても何ら問題はない。第1有機層6、第2有機層9、および第3有機層12は、曲げに対する可撓性(柔軟性)を有していることが必要である。別の言い方をすると、曲げたときに伸縮しやすく、応力を緩和できることが必要であり、弾性率が小さいこととほぼ一致する。ただし、弾性率が小さい材料であっても、クラックが入りやすい材料は本発明の有機材料としては適性が低い。
上記説明したように、本実施形態に係る多層フィルム100においては、無機材料を主成分とする複数の無機部材が有機材料を主成分とする有機部材を間に挟んで間欠的に位置している。これにより、多層フィルム100が曲げられた場合に、無機部材ではなく有機部材が主に伸縮して、曲げによって発生する応力を吸収することができ、割れやクラックの発生を防止することができる。
実施形態1に係る多層フィルム100の構成は、以下のように捉えることもできる。第1無機部3および第1有機部材6aを第1層20とし、第1連続有機層部6bを第1中間層30とする。第2無機部7および第2有機部材9aを第2層40とし、第2連続有機層部9bを第2中間層50とする。第3無機部10および第3有機部材12aを第3層60とし、第3連続有機層部12bを上部層70とする。この場合、多層フィルム100は、基材2上に、第1層20、第1中間層30、第2層40、第2中間層50、第3層60、上部層70が、この順に積層された構成と捉えることができる。
図3(a)〜図3(d)において、矢印P1〜P4は、外部からの水分の侵入経路を示し、破線の矢印Pdは、水分の侵入を阻害するものが何も無いと想定した場合の水分の最短侵入経路を示す。
図3(a)において矢印P1で示すように、基材2を通って外部から侵入した水分は、水分透過性の低い第1無機部材3sにより上方への移動を阻害される。そして、水分は、第1無機部材3sを迂回するように第1無機部材3sの下面に沿って層方向(図3においては、紙面横方向)に移動した後、隣り合う第1無機部材3s間の領域に形成された第1有機部材6aに到達する。ここで、第1有機部材6aは、第1無機部材3sよりも水分透過性が高いため、水分は第1有機部材6aを通ってさらに上方へと侵入し、第2無機部材7sに到達する。そこで、水分透過性の低い第2無機部材7sにより上方への移動を阻害され、第2無機部材7sを迂回するように第2無機部材7sの下面に沿って層方向(図3においては、横方向)に移動する。そして、隣り合う第2無機部材7s間の領域に形成された第2有機部材9aに到達する。ここで、第2有機部材9aは、第2無機部材7sよりも水分透過性が高いため、水分は第2有機部材9aを通ってさらに上方へと侵入し、第3無機部材10sに到達する。そこで、水分透過性の低い第3無機部材10sにより上方への移動を阻害され、第3無機部材10sを迂回するように第3無機部材10sの下面に沿って層方向(図3においては、横方向)に移動する。そして、隣り合う第3無機部材10s間の領域に形成された第3有機部材12aを通って、第3連続有機層部12bに侵入する。そしてやがて、第3連続有機層部12bの上方に形成されたデバイス層90(図17参照)に達する。
図3(b)に示す多層フィルム100の断面は、第1無機部3が存在していない部分の断面であり、第2無機部7および第3無機部10のみが重なり合っている。当該部分において、図3(b)に示すように、矢印P3で示す水分の侵入経路は、第2無機部材7sおよび第3無機部材10sに当たって、これらを迂回する経路となっている。また、矢印P4で示す水分の侵入経路は、隣り合う第2無機部材7s間を通って第3無機部材10sに当たり、これを迂回する経路となっている。
多層フィルム100は、上面視したときに、第1層20のうち第1無機部材3sの間に位置する第1有機部材6aの全面が、第2層40の第2無機部材7sおよび第3層60の第3無機部材10sのうち少なくとも一方が重畳していることが望ましい。これにより、水分の進入経路を考えた際に、膜厚方向に最短距離で進入することができず、迂回することが必要であるため、ガスバリア性を高めることが出来る。
図4〜図10は、実施形態1に係る多層フィルム100の製造方法を模式的に示す部分断面図である。図11は、多層フィルム100の製造過程を示す模式工程図である。
以下、多層フィルム100の製造方法について、図4〜図11に基づいて説明する。
まず、図4(a)に示すように、ガラス基板1上に、有機材料から成る基材2を形成する(図11のステップS1)。具体的には、ここでは例えば、ポリイミド前駆体をダイコーターにより膜状に形成し、そして形成された膜を400℃でベークすることによりポリイミド前駆体をポリイミドに化学変換して、ポリイミドから成る基材2を形成する。また、ここでは、ガラス基板1として、例えば、100mm角のガラス基板を用いる。基材2の膜厚は、ここでは、例えば、25μmである。
そして、図4(c)に示すように、第1無機材料層3’上に、感光性レジスト層4’を形成する(図11のステップS3)。感光性レジスト層4’は、ここでは、例えば、ノボラック系のポジ型感光性レジスト材料を用いて2μmの厚みとなるように成膜した後、100℃60秒ホットプレート上でプリベークして形成する。
図5(c)に示すように、レジスト4を剥離した後(図11のステップS6)、図5(d)に示すように、第1有機層6を形成する(図11のステップS7)。第1有機層6は、ここでは例えば、アクリル系樹脂層を2μmの膜厚で形成した後、180℃にて3時間ベークして形成する。
続いて、図6(b)に示すように、第2無機材料層7’上に、感光性レジスト層8’を形成する(図11のステップS9)。感光性レジスト層8’は、ここでは例えば、ノボラック系のポジ型感光性レジスト材料を2μmの厚みとなるように形成する。
マスク5を剥離した後、図7(b)に示すように、レジスト8を用いて、第2無機材料層7’をパターニングして複数の第2無機部材7sを形成することにより、第2無機部7を形成する(図11のステップS11)。ここでは例えば、第2無機材料層7’のパターニングは、テトラフルオロカーボンガスによる240秒のドライエッチによって行う。
そして、図8(a)に示すように、第2有機層9上に第3無機材料層10’を形成する(図11のステップS14)。第3無機材料層10’としては、ここでは例えば、膜厚334nmの窒化シリコン膜をプラズマCVDにて形成する。
そして、図10(b)に示すように、ガラス基板1側からエキシマレーザを基材2全面に照射する(図11のステップS20)。これにより、基材2とガラス基板1の界面の密着力を低下させて、ガラス基板1を剥離し(図11のステップS21)、図10(c)に示すように、実施形態1に係る多層フィルム100を得る。
[5.実施形態1のまとめ]
以上説明したように、本実施形態に係る多層フィルム100の構成によると、第1無機部材3s、第2無機部材7s、第3無機部材10sが、それぞれ複数個、層方向に互いに離間して形成され、それらの間の領域には、第1有機部材6a、第2有機部材9a、第3有機部材12aがそれぞれ形成されている。これにより、多層フィルム100が曲げられた場合に第1有機部材6a、第2有機部材9a、第3有機部材12aにより曲げ応力が吸収され、第1無機部3、第2無機部7、第3無機部10に割れやクラックが発生するのを防止することができる。従って、割れやクラックを通って外部から水分が最短距離で侵入するのを防止することができる。
≪実施形態2≫
以上、本発明の一態様である実施形態1に係る多層フィルム100について説明した。しかし、例示した多層フィルム100を以下のように変形することも可能であり、本発明が上述の実施形態1で示した通りの多層フィルム100に限られないことは勿論である。
なお、説明の重複を避けるため、実施形態2の説明において、実施形態1と同じ構成要素については、同符号を付して、その説明を省略する。以下、実施形態3および各変形例においても同様である。
[1.多層フィルム200の全体構成]
図12は、実施形態2に係る多層フィルム200の構成を模式的に示す平面図である。図13は、図12のE−E直線による多層フィルム200の断面図である。なお、図12では、第2有機層205については図示を省略している。
第1有機部材203の第1有機部材部分203aよりも上方の部分(上方部分)である第1有機部材部分203bと、第2有機部材部分205a1とを中間層230とする。第2無機部204bと第2有機部材部分205a2とを第2層240とする。連続有機層部205bを上部層250とする。この場合、多層フィルム200は、基材2上に、第1層220、中間層230、第2層240、および上部層250が、この順に積層された構成を有していると捉えることができる。
[2.多層フィルム200の可撓性および曲げ耐性]
多層フィルム200の構成でも、第1層220において複数の板状の第1無機部材204asが互いに離間して形成されており、隣り合う第1無機部材204as間の領域には、第1有機部材部分203aが介在している。これにより、実施形態1に係る多層フィルム100における第1層20と同様に、第1層220の内部を層方向に伝達される曲げ応力が、第1有機部材部分203aにより吸収され、第1無機部204aに割れやクラックが発生するのを防ぐことができる。
図13において、矢印P9およびP10は、外部からの水分の侵入経路を示し、破線の矢印Pdは、水分の侵入を阻害するものが何も無いと想定した場合の水分の最短侵入経路を示す。
図13において矢印P9で示すように、基材2を通って外部から侵入した水分は、水分透過性の低い第1無機部材204asにより上方への移動が阻害され、第1無機部材204asを迂回するように第1無機部材204asの下面に沿って層方向(図13においては、横方向)に移動した後、隣り合う第1無機部材204as間の領域に形成された第1有機部材部分203aに到達する。
図13に示す侵入経路P10の場合は、基材2を通って外部から侵入した水分は、第1無機部材204asにより上方への移動を阻害されることなく、第1有機部材部分203aを通って、第1有機部材部分203bへと侵入する。そして第2無機部204bに到達すると、そこで上方への移動を阻害されて、第2無機部204bを迂回するように第2無機部204bの下面に沿って層方向(図13においては、紙面横方向)に移動した後、第2有機部材部分205a2に到達する。
このように、外部から基材2を通って侵入した水分は、第1無機部204aおよび第2無機部204bにより上方への移動が阻害されるたびに迂回しなくてはならず、最短経路Pdと比較して水分の侵入経路が長くなる。これにより、実施形態2に係る多層フィルム200の構成によっても、外部からの水分によりデバイス層が受ける悪影響を長期間にわたって防止することができる。
図14および図15は、実施形態2に係る多層フィルム200の製造方法を模式的に示す部分断面図である。図16は、多層フィルム200の製造過程を示す模式工程図である。
以下、多層フィルム200の製造方法について、図14〜図16に基づいて説明する。
次に、図14(b)に示すように、基材2上に、感光性有機材料層203’を形成する(図16のステップS32)。感光性有機材料層203’は、ここでは例えば、アクリル系のネガ型感光性有機材料を用いて厚さ3μmの層を形成した後、形成された有機膜を100℃60秒ホットプレート上でプリベークして形成する。
その後、図15(c)に示すように、ガラス基板1側からエキシマレーザを基材2全面に照射する(図16のステップS36)。これにより、基材2とガラス基板1の界面の密着力を低下させ、形成された多層フィルム200を剥離し(図16のステップS37)、図15(d)に示すように、実施形態2に係る多層フィルム200を得る。
また、図14(d)に示すような逆テーパ形状の第1有機部材203を形成する際には、一般に、ネガ型の感光性有機材料が逆テーパ形状になりやすいため、ネガ型の感光性有機材料を用いるとよい。
実施形態2に係る多層フィルム200の構成によると、第1無機部204aと第2無機部204bとが、相補的に形成されているため、2層でバリアしたい面全体を覆うことが出来、水分が最短距離で侵入するのを防止することができる。これにより、良好なガスバリア性を得ることができる。
実施形態2に係る多層フィルム200は、実施形態1に係る多層フィルム100と同様に、第1無機部204aおよび第2無機部204bが層方向において断続的に形成された構造を有している。そして、第1無機部204aの隣り合う第1無機部材204as間の隙間部分には、第1有機部材部分203aが形成されている。また、第2無機部204bの網目の穴部分には、第2有機部材部分205a2が形成されている。これにより、第1有機部材部分203aおよび第2有機部材部分205a2により曲げ応力が吸収され、第1無機部204aおよび第2無機部204bの割れやクラックの発生が抑制されて、良好な可撓性および曲げ耐性を実現することができる。
以上説明したように、実施形態1に係る多層フィルム100の構成および、実施形態2に係る多層フィルム200の構成によると、高いガスバリア性と良好な曲げ特性(可撓性および曲げ耐性)を両立することができる。
実施形態1に係る多層フィルム100および実施形態2に係る多層フィルム200のガスバリア性および曲げ耐性について、検証試験を行ってその効果を検証した。
<試験体の製造方法>
(多層フィルム100)
100mm角ガラス基板1上にポリイミド前駆体をダイコーターにより、膜厚25μmに形成し、400℃でベークすることによりポリイミドに化学変換して基材2を形成した。
露光後、感光性レジスト層4’を2.3%のテトラメチルアンモニウムハイドロオキシド水溶液によって現像し、レジスト4を得た。そして、レジスト4を、230℃で180秒間、ポストベークした。レジスト4を用いて、テトラフルオロカーボンガスによるドライエッチを240秒間行い、第1無機材料層3’をパターニングして第1無機部3を形成した。レジスト4を剥離した後、第1有機層6として厚さ2μmのアクリル系樹脂の層を形成し、180℃にて3時間ベークした。
第2有機層9の上から第3無機材料層10’として、厚さ334nmの窒化シリコン膜をプラズマCVDにて形成した。形成された第3無機材料層10’の上から、厚さ2μmのノボラック系のポジ型感光性レジスト材料の層(感光性レジスト層11’)を形成した。形成された感光性レジスト層11’を100℃60秒ホットプレート上でプリベークした後、図1に示す繰り返しパターンをマスクとして、355nmの波長の光で15mJの露光量で露光した。また、第1無機部3のパターンに対して、図2に示すように、上に10μm、左に5μmずらして重ね合わせた。露光後、2.3%のテトラメチルアンモニウムハイドロオキシド水溶液によって現像し、レジスト11を得た。
その後、ガラス基板1側からエキシマレーザを基材2全面に照射して基材2とガラス基板1との界面の密着力を低下させ、形成された多層フィルム100をガラス基板1から剥離した。
ガラス基板1上にポリイミド前駆体をダイコーターにより、膜厚25μmに形成し、400℃でベークすることによりポリイミドに化学変換して基材2を形成した。
基材2の上から、アクリル系のネガ型感光性有機材料を用いて厚さ3μmの層(感光性有機材料層203’)を形成した。形成された感光性有機材料層203’を100℃で60秒間、ホットプレート上でプリベークした後、波長355nmの光を用い、30mJの露光量で露光した。そして、PGMEAによって180秒現像して、第1有機部材203を形成した。その後、形成された第1有機部材203を180℃3時間ポストベークした。
次に、第1有機部材203の上から、厚さ500nmの窒化シリコンの膜をプラズマCVDにて形成した。
成膜後、断面を断面SEMにより観察したところ、逆テーパ形状を有する第1有機部材203のエッジ部分で段切れが発生し、相補的な2層の無機層である第1無機部204a、204bが自己整合的に形成されていることが分かった。
その後、ガラス基板1側からエキシマレーザを基材2全面に照射して基材2とガラス基板1との界面の密着力を低下させ、形成された多層フィルム200をガラス基板1から剥離した。
100mm角のガラス基板1上にポリイミド前駆体をダイコーターにより、膜厚25μmに形成し、400℃でベークすることによりポリイミドに化学変換して基材2を形成した。基材2の上から、窒化シリコンからなる1000nmの膜(バリア層)を全面に形成した。次に、ガラス基板1側からエキシマレーザを基材2全面に照射して基材2とガラス基板1との界面の密着力を低下させ、形成された比較例のフィルムをガラス基板1から剥離した。
上記の試験体製造方法により形成された、多層フィルム100、多層フィルム200、および比較例に対して、下記の1〜5の手順をこの順番に行い、検証試験を行った。
手順1.剥離したフィルムを偏光顕微鏡観察し、膜の割れがないかを確認した。
手順2.剥離したフィルムをモコン法にて透湿度を測定した。測定条件は、温度40℃、湿度90%である。
手順4.100回曲げた後のフィルムを顕微鏡観察した。
手順5.100回曲げた後のフィルムをモコン法にて透湿度を測定した。測定条件は、温度40℃、湿度90%である。
検証試験の結果を表1に示す。
多層フィルム100では、SiN膜(第1無機部3、第2無機部7、第3無機部10)が島化されており、かつ隣り合う島間の領域に充填された有機層により曲げ応力が緩和されているために、初期反りが観察されなかった。また、初期バリア割れも発生していなかった。初期透湿度は、5x10−4〔g/m2day〕であり、高いガスバリア性を示した。また、R=5mmで100回曲げた後のガスバリア性に低下は見られず、優れた曲げ耐性と高いガスバリア性を両立していることが確認された。
≪実施形態3≫
本発明の一態様としての実施形態は、多層フィルムに限定されるものではない。例えば、本発明を、上記各実施形態に係る多層フィルムを備えた電子デバイスとして実現することも可能である。本実施形態においては、電子デバイスが実施形態1に係る多層フィルム100を備える場合について説明する。
電子デバイス1000に用いられている多層フィルム100において、第1無機部3および第2無機部7の少なくとも一方は、平面視で、表示領域Rの面積の90%以上をカバーしている。これにより、基材2を通って外部からの水分の侵入経路をより確実に阻害することができる。ガスバリア性を高めるために、無機層の面積比率は高いことが好ましい。
以上、本発明を実施形態1〜3に基づいて説明してきたが、本発明が上記各実施形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施することが出来る。
(変形例1)
図19は、変形例1に係る多層フィルム300の構成を模式的に示す平面図である。図20(a)は、図19のF−F直線による多層フィルム300の断面図である。図20(b)は、図19のG−G直線による多層フィルム300の断面図である。図19および図20各図に示すように、変形例1に係る多層フィルム300は、実施形態1に係る多層フィルム100の構成から、第3無機部10および第3有機層12を欠いた構成となっている。また、図20(a),(b)において、矢印は、外部からの水分の侵入経路を示す。図20(a)に示すように、F−F断面においては、外部から侵入した水分は、第1無機部材3sおよび/または第2無機部材7sにより上方への移動を阻害されて迂回しなければならないため、侵入経路が長くなり、良好なガスバリア性を発揮することができる。一方、G−G断面においては、一部において第1無機部3にも第2無機部7にもカバーされていない個所が存在する。このように、連続膜ではなく、同一のパターンを、アライメントをずらして重ね合わせる場合は、2層で全面積を覆うことはできない。従って、図20(b)に示すように、何れの無機部にもカバーされていない部分を通って矢印Pdのように、最短経路で水分が侵入可能となっている。しかし、第1無機部3と第2無機部7を同一形状とし、かつそれぞれの端部をそろえて配置した場合と比較して、第1無機部3にも第2無機部7にもカバーされていない面積を減少でき、ある程度のガスバリア性を実現することができる。
図21(a)は、変形例2に係る多層フィルム400の構成を模式的に示す部分断面図である。多層フィルム400は、第1有機部材403の積層方向の断面形状が、逆テーパ形状ではなく、略矩形である点を除いては、実施形態2に係る多層フィルム200と基本的な構成は同じである。また、第1無機部404aは、複数の板状の第1無機部材404asが互いに層方向に離間して配置されて成る。
図21(b)は、変形例3に係る多層フィルム500の構成を模式的に示す部分断面図である。多層フィルム500は、側面部分504cを有する点以外は、基本的な構成は、変形例2に係る多層フィルム400と同じである。第1無機部504aは、複数の板状の第1無機部材504asが互いに層方向に離間して配置されて成る。また、側面部分504cは、第1有機部材403の上面403cを覆う上面部分504b(変形例2に係る多層フィルム500における第2無機部404bに相当)の端縁から第1有機部材403の側面403dを覆って下方に延伸し、第1無機部材504asの端縁部分504as1に連結された態様で形成されている。そして、上面部分504bおよび側面部分504cから第2無機部材504dが構成されている。
図21(c)は、変形例4に係る多層フィルム600の構成を模式的に示す部分断面図である。多層フィルム600は、側面部分604cを有する点以外は、基本的な構成は、実施形態2に係る多層フィルム200と同じである。側面部分604cは、第1有機部材203の上面203cを覆う上面部分604b(実施形態2に係る多層フィルム200における第2無機部204bに相当)の端縁から第1有機部材203の側面203dを覆って下方に延伸し、第1無機部材204asの端縁部分204as1に達している。側面部分604cは第1無機部材204asとは連結されておらず、双方の間には、微小な隙間であるシームSが存在する。
なお、側面部分604cの延伸端と第1無機部材204asとの間の全体にシームSが存在していなくてもよい。即ち、側面部分604cの延伸端の一部が、第1無機部材204asと接していてもよく、連結されていてもよい。
なお、多層フィルム600においては、基材2を通って外部から侵入した水分は、シームSを通って第2有機層205内へと侵入することが可能である。しかし、シームSは、極微小な隙間であるため、水分はシームSを通って第2有機層205内へと侵入しにくい。また、第1有機部材203が逆テーパ形状を有しているため、平面視においてシームSは第2無機部材604dと重なっている、即ち、シームSよりも上面部分604bの方が外側に張り出しているため、シームSを通って侵入した水分は、まっすぐ最短経路を通って多層フィルム600の上方へと進むことができず、第2無機部材604dを迂回しなくてはならない。従って、侵入した水分が多層フィルム600を透過して多層フィルム600の上方に形成されたデバイス層90(図17参照)に到達するまでに、より長い時間を要することとなる。これにより、多層フィルム600は、良好なガスバリア性を実現し、外部からの水分によりデバイス層90(図17参照)が受ける悪影響を長期間にわたって防止することができる。
上記各実施形態および各変形例において、無機部材のパターンとして図1に示すパターンが用いられた場合を例に説明したが、これに限られない。無機部材の平面視形状は正方形に限られず、円形、楕円形、長方形、多角形等何れの形状でもよい。
図1に示すパターンにおいては、無機部材の列が、複数配列されたパターンを有している。そして、当該パターンにおいては、隣り合う無機部材の列同士は、無機部材の正方形の一辺の長さの略半分の長さ分だけ互いにずらされて配列されている。しかし、これに限られない。例えば、となり合う列同士のずれが、正方形の一辺の1/3や、1/4などの任意の長さであってもよいし、ずらされていなくてもよい。
実施形態3においては、電子デバイス1000のデバイス層90が有機EL素子を備えた場合について説明したが、これに限られない。デバイス層90が、例えば、液晶素子、光電変換素子、RFID素子等を備えた構成であってもよい。
(変形例7)
実施形態3においては、電子デバイス1000が実施形態1に係る多層フィルム100を備えた構成について説明したが、これに限られない。実施形態2および各変形例に係る多層フィルムを備えた電子デバイスであってもよい。
実施形態1に係る多層フィルム100においては、第1無機部3、第2無機部7、第3無機部10の3層全てが島状に形成されていたが、これに限られない。第1無機部3、第2無機部7、第3無機部10の何れか1つが、一面連続した無機層として形成されていてもよい。本変形例の構成においても、島状に形成された2層には割れやクラックが発生しにくいため、3層全てが一面連続した無機層として形成されている場合と比較して、良好なガスバリア性を得ることができる。
(変形例9)
上記各実施形態および各変形例に係る多層フィルムにおいて、基材2の上方の何れかの位置に、一面連続した無機層をさらに形成してもよい。また、電子デバイスの場合は、基材2とデバイス層90との間の何れかの位置に、無機材料から成る一面に連続した薄膜をさらに形成してもよい。例えば、実施形態1に係る多層フィルム100に本変形例の構成を適用する場合は、第1無機部3、第2無機部7、第3無機部10、および一面連続無機層の合計4つの無機層を備える。実施形態2に係る多層フィルム200に本変形例の構成を適用する場合は、第1無機部204a、第2無機部204b、および一面連続無機層の合計3つの無機層を備える。
変形例3に係る多層フィルム500おいては、側面部分504cと第1無機部材504asとは連結されていたが、これに限られない。
図22(a)は、変形例10に係る多層フィルム700Aの構成を模式的に示す部分断面図である。多層フィルム700Aにおいては、第2無機部材604dの上面部分704bの端縁から下方に延伸する側面部分704cの下端が、第1無機部材204asの端縁部分204as1と連結されずに互いに微小な隙間であるシームSを介して接していてもよい。
(変形例11)
上記変形例10に係る多層フィルム700Aにおいては、側面部分704cが第1有機部材403の側面403d全体を覆い、側面部分704cと第1無機部材204asとは、第1有機部材403の最下端または当該最下端に極近接した近傍で接していた。しかし、側面部分704cと第1無機部材204asとが接する態様は、これに限られない。
(変形例12)
図22(c)は、変形例12に係る多層フィルム700Cの構成を模式的に示す部分断面図である。図22(c)に示すように、多層フィルム700Cにおいては、側面部分704cは、第1有機部材403の側面403dの最下端部まで覆っており、第1無機部材204asの端縁部分204as1は、第1有機部材403に達していない。第1無機部材204asと側面部分704cとは接しており、第1無機部材204asおよび側面部分704cが接している部分Cと、基材2の上側の主面2aとの間には、空隙Vが存在する。側面部分704cと第1無機部材204asとが接している部分Cは、平面視で第2無機部材704dと重なっている。また、側面部分704cの厚みは、上面部分704bおよび第1無機部材204asの厚みよりも小さい。
(変形例13)
図22(d)は、変形例13に係る多層フィルム700Dの構成を模式的に示す部分断面図である。図22(d)に示すように、多層フィルム700Dにおいては、側面部分704cは、第1有機部材403の側面403dの最下端部までは覆っておらず、第1無機部材204asの端縁部分204as1は、第1有機部材403に達していない。第1無機部材204asと側面部分704cとは接しており、第1無機部材204asおよび側面部分704cが接している部分Cと、第1有機部材403の下端部および基材2の上側の主面2aとの間には、空隙Vが存在する。側面部分704cと第1無機部材204asとが接している部分Cは、平面視で第2無機部材704dと重なっている。また、側面部分704cの厚みは、上面部分704bおよび第1無機部材204asの厚みよりも小さい。
(変形例14)
変形例4に係る多層フィルム600においては、第1有機部材203が逆テーパ形状を有し、側面部分604cが第1有機部材203の側面203dの下端まで覆っていた。そして、第1無機部材204asの端縁部分204as1は、第1有機部材203の下端部に達していた。しかし、これに限られない。
(変形例15)
図23(b)は、変形例15に係る多層フィルム600Bの構成を模式的に示す部分断面図である。図23(b)に示すように、多層フィルム600Bにおいては、側面部分604cは、第1有機部材203の側面203dの最下端まで覆っており、第1無機部材204asの端縁部分204as1は、第1有機部材203に達していない。第1無機部材204asと側面部分604cとは接しており、第1無機部材204asおよび側面部分604cが接している部分Cと、基材2の上面との間には、空隙Vが存在する。側面部分604cと第1無機部材204asとが接している部分Cは、平面視で第2無機部材604dと重なっている。また、側面部分604cの厚みは、上面部分704bおよび第1無機部材204asの厚みよりも小さい。
(変形例16)
図23(c)は、変形例16に係る多層フィルム600Cの構成を模式的に示す部分断面図である。図23(c)に示すように、多層フィルム600Cにおいては、側面部分604cは、第1有機部材603の側面203dの最下端までは覆っておらず、第1無機部材204asの端縁部分204as1は、第1有機部材203に達していない。第1無機部材204asと側面部分604cとは接しており、第1無機部材204asおよび側面部分604cが接している部分Cと、第1有機部材203の下端部および基材2の上面との間には、空隙Vが存在する。側面部分604cと第1無機部材204asとが接している部分Cは、平面視で第2無機部材604dと重なっている。また、側面部分604cの厚みは、上面部分704bおよび第1無機部材204asの厚みよりも小さい。
(変形例17)
変形例4,14,15,16においては、逆テーパ形状を有する第1有機部材は、単一の部材から構成されていたが、これに限られない。
図25(a)および図25(b) は、上記試験体の基材2に直交する平面による断面の電子顕微鏡写真である。図25(a)は、DF−STEMによる電子顕微鏡写真であり、図25(b)は、BF−STEMによる電子顕微鏡写真である。また、図25(c)は、図25(a),(b)の電子顕微鏡写真に示された断面の様子をわかりやすく模式的に示した図である。
変形例17においては、第1有機部材803Aが、2層から成る積層構造を有する例について説明した。しかし、これに限られない。
図24(b)は、変形例18に係る多層フィルム800Bの構成を模式的に示す部分断面図である。多層フィルム800Bにおける第1有機部材803Bは、基材2側から順に、第1段層803B1,第2段層803B2,第3段層803B3の3つの層が積層されて構成されている。
なお、上面部分804bBの厚みとは、上面部分804bBのうち最も厚い部分の厚みとする。
(変形例19)
また、第1有機部材が3層以上の層が積層されて成る場合、必ずしも最下層の長さ(基材2の主面2aに平行な方向の長さ)が最も短い場合に限られない。
なお、第1有機部材が3層以上の積層構造を有する場合に、最上位の層の長さが最も長く、上層から下層へ向かうにつれて長さが短くなるように積層されていてもよい。このようにすることで、側面部分が第1有機部材の側面に回り込んで形成されやすくなり、その結果、側面部分と第1無機部材204asとが接する面積を大きくして、空隙Vを小さくすることができる。これにより、多層フィルム800Bのガスバリア性をより高めることができる。
上記各実施形態および各変形例においては、基材は、単層構造であったが、これに限られない。基材が、複数の層から構成されていてもよい。例えば、基材が樹脂層上に絶縁層,接着層,金属薄膜等が積層されて構成されていてもよい。
≪補足≫
以上で説明した各実施形態および各変形例は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。各実施形態および各変形例で示される数値、形状、材料などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。
2a 主面
3,204a,404a,504a,504a 第1無機部
3’ 第1無機材料層
3s,204as,404as,504as 第1無機部材
6 第1有機層
6a 第1有機部材
7,204b,404b 第2無機部
7’ 第2無機材料層
7s 第2無機部材
9,205 第2有機層
9a 第2有機部材
10 第3無機部
10s 第3無機部材
12 第3有機層
12a 第3有機部材
20,220,420,520,620 第1層
30,50,240,430,530,630 中間層
40,240,440,540,640 第2層
60 第3層
90 デバイス層 100,200,300,400,500,600,700,800 多層フィルム
203a,803A1c,803B1 基底部分(第1有機部材部分,下面,第1段層)
205a2 第2有機部材部分
203b,803A2a,803B2 上方部分(第1有機部材部分,上面,第2段層)
203c,403c,803A2a,803B2a,803B3a,803C3,903A2a 上面
203d,403d,803A2b,803B2b,803B3b,803C3b,903A1b,903A2b 側面
204as1, 504as1 端縁部分
504b,604b,704b,804bA,804bB,804bC 上面部分
504c,604c,704c,804cA,804cB,804cC 側面部分
1000 電子デバイス
R 表示領域
Claims (9)
- 可撓性を有する板状の基材 と、
前記基材の主面と平行な方向に互いに離間して前記基材上に配置された複数の板状の第1無機部材と、
前記複数の第1無機部材のそれぞれを囲むように前記複数の第1無機部材間における前記基材上に立設された第1有機部材と、
前記第1有機部材の上面および側面を覆う第2無機部材と、
前記第1無機部材の上方であって前記第2無機部材により囲まれた空間を満たす第2有機部材と、を有し、
前記第2無機部材のうち、前記第1有機部材の側面を覆う側面部分の厚みは、前記第1有機部材の上面を覆う上面部分の厚みおよび前記第1無機部材の厚みよりも薄く、
前記第1無機部材と、前記第1有機部材とは離間している
多層フィルム。 - 可撓性を有する板状の基材 と、
前記基材の主面と平行な方向に互いに離間して前記基材上に配置された複数の板状の第1無機部材と、
前記複数の第1無機部材のそれぞれを囲むように前記複数の第1無機部材間における前記基材上に立設された第1有機部材と、
前記第1有機部材の上面および側面を覆う第2無機部材と、
前記第1無機部材の上方であって前記第2無機部材により囲まれた空間を満たす第2有機部材と、を有し、
前記第2無機部材のうち、前記第1有機部材の側面を覆う側面部分の厚みは、前記第1有機部材の上面を覆う上面部分の厚みおよび前記第1無機部材の厚みよりも薄く、
前記第1無機部材と、前記第2無機部材の前記側面部分とは接している
多層フィルム。 - 前記第1無機部材の前記第2無機部材と接している部分は、平面視で前記第2無機部材と重なっている
請求項2に記載の多層フィルム。 - 可撓性を有する板状の基材 と、
前記基材の主面と平行な方向に互いに離間して前記基材上に配置された複数の板状の第1無機部材と、
前記複数の第1無機部材のそれぞれを囲むように前記複数の第1無機部材間における前記基材上に立設された第1有機部材と、
前記第1有機部材の上面および側面を覆う第2無機部材と、
前記第1無機部材の上方であって前記第2無機部材により囲まれた空間を満たす第2有機部材と、を有し、
前記第2無機部材のうち、前記第1有機部材の側面を覆う側面部分の厚みは、前記第1有機部材の上面を覆う上面部分の厚みおよび前記第1無機部材の厚みよりも薄く、
前記基材の主面と直交する断面において、前記第1有機部材のうち、前記基材と接している基底部分は、前記基底部分よりも上方の部分である上方部分よりも、前記基材の主面と平行な方向における長さが短い
多層フィルム。 - 前記第1有機部材は、前記長さの異なる少なくとも2層を含む複数の層が積層されて成り、
前記基底部分は、前記複数の層のうち前記基材上に位置する第1段層であり、
前記第1段層よりも上に積層された1または複数の層である前記上方部分は、前記第1段層よりも前記長さの長い層を含む
請求項4に記載の多層フィルム。 - 前記第1無機部材の前記第1有機部材に最も近接した端縁部分と、前記第2無機部材の前記側面部分とは連結している
請求項1に記載の多層フィルム。 - 可撓性を有する板状の基材 と、
前記基材の主面と平行な方向に互いに離間して前記基材上に配置された複数の板状の第1無機部材と、
前記複数の第1無機部材のそれぞれを囲むように前記複数の第1無機部材間における前記基材上に立設された第1有機部材と、
前記第1有機部材の上面および側面を覆う第2無機部材と、
前記第1無機部材の上方であって前記第2無機部材により囲まれた空間を満たす第2有機部材と、を有し、
前記第2無機部材のうち、前記第1有機部材の側面を覆う側面部分の厚みは、前記第1有機部材の上面を覆う上面部分の厚みおよび前記第1無機部材の厚みよりも薄い多層フィルムと、
前記多層フィルムの上方に形成されたデバイス層と、
前記多層フィルムと前記デバイス層との間に平坦化層を有し、
前記平坦化層の表面の凹凸は、100nm以下である
電子デバイス。 - 前記デバイス層は、有機EL素子、液晶素子、光電変換素子、およびRFID素子のうちの何れかを有する
ことを特徴とする請求項7に記載の電子デバイス。 - 前記デバイス層は、画像を表示する表示領域を有し、
前記第1無機部および前記第2無機部のうち少なくとも一方は、平面視において前記表示領域の面積の90%以上を占める
ことを特徴とする請求項7又は8に記載の電子デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014038899A JP6224486B2 (ja) | 2013-03-01 | 2014-02-28 | 多層フィルム、電子デバイス |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013041146 | 2013-03-01 | ||
JP2013041146 | 2013-03-01 | ||
JP2014038899A JP6224486B2 (ja) | 2013-03-01 | 2014-02-28 | 多層フィルム、電子デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014193605A JP2014193605A (ja) | 2014-10-09 |
JP6224486B2 true JP6224486B2 (ja) | 2017-11-01 |
Family
ID=51487553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014038899A Active JP6224486B2 (ja) | 2013-03-01 | 2014-02-28 | 多層フィルム、電子デバイス |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9544997B2 (ja) |
JP (1) | JP6224486B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016157321A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
CN107210384B (zh) * | 2015-12-31 | 2019-03-15 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 封装结构、柔性显示屏及封装结构制作方法 |
DE102016106846A1 (de) | 2016-04-13 | 2017-10-19 | Osram Oled Gmbh | Mehrschichtige Verkapselung, Verfahren zur Verkapselung und optoelektronisches Bauelement |
CN108428803A (zh) * | 2018-04-12 | 2018-08-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜封装结构、显示装置以及薄膜封装结构的制备方法 |
CN109920332B (zh) * | 2019-02-28 | 2020-08-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性阵列基板、其制备方法及显示面板 |
US20220404877A1 (en) * | 2019-12-06 | 2022-12-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Foldable display |
CN111129348A (zh) | 2019-12-24 | 2020-05-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5652067A (en) * | 1992-09-10 | 1997-07-29 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
US6866901B2 (en) | 1999-10-25 | 2005-03-15 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
JP2005074987A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-24 | Toppan Printing Co Ltd | 透明ガスバリア性フィルムとその製造方法 |
JP4451213B2 (ja) * | 2004-05-21 | 2010-04-14 | 大日本印刷株式会社 | ディスプレイ用基板 |
JP4556757B2 (ja) | 2004-06-23 | 2010-10-06 | 日立電線株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
EP1770676B1 (en) * | 2005-09-30 | 2017-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
JP4736125B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2011-07-27 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法 |
EP2221899B1 (en) | 2007-12-10 | 2013-05-22 | Panasonic Corporation | Organic el device, el display panel, method for manufacturing the organic el device and method for manufacturing the el display panel |
KR101013749B1 (ko) * | 2009-02-06 | 2011-02-14 | (주)한테크 | 비젼시스템을 구비한 씨엔씨 공작기계 |
JP5209123B2 (ja) | 2009-11-04 | 2013-06-12 | パナソニック株式会社 | 表示パネル装置及びその製造方法 |
KR101661366B1 (ko) | 2010-07-05 | 2016-09-29 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 유기 el 표시 패널과 그 제조 방법 |
JP5798061B2 (ja) * | 2012-02-24 | 2015-10-21 | 積水化学工業株式会社 | バリアフィルム及びデバイス素子封止構造 |
-
2014
- 2014-02-28 JP JP2014038899A patent/JP6224486B2/ja active Active
- 2014-02-28 US US14/193,382 patent/US9544997B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140254112A1 (en) | 2014-09-11 |
US9544997B2 (en) | 2017-01-10 |
JP2014193605A (ja) | 2014-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6224486B2 (ja) | 多層フィルム、電子デバイス | |
CN106803544B (zh) | 有机发光显示装置 | |
CN109244105B (zh) | 柔性有机发光显示装置及其制造方法 | |
US10437075B2 (en) | Flexible touch screen panel and flexible touch screen display device | |
JP6571003B2 (ja) | フレキシブルディスプレイ | |
KR102516054B1 (ko) | 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조 방법 | |
US9954039B2 (en) | Organic light emitting display device | |
US10916608B2 (en) | Flexible organic light emitting display device having a block structure | |
CN108933162A (zh) | 有机发光显示设备以及制造有机发光显示设备的方法 | |
US8763243B2 (en) | Fabrication method of substrate | |
CN111540772A (zh) | 柔性显示装置 | |
KR20170059864A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
JP7176954B2 (ja) | 封入構造、表示パネル及びその作成方法 | |
CN107910350B (zh) | 一种显示基板、显示装置 | |
WO2019192450A1 (zh) | 柔性衬底基板及其制备方法、显示装置 | |
JP2022520506A (ja) | 伸縮可能な表示パネル、伸縮可能な表示装置および伸縮可能な表示パネルの製造方法 | |
KR102525343B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
TW201712919A (zh) | 可撓式有機發光二極體顯示器及其製造方法 | |
KR20140130965A (ko) | 유기발광 디스플레이 장치, 그 제조방법 및 제조에 사용되는 마스크 | |
KR102482986B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
US20150097275A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device | |
KR102295611B1 (ko) | 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 | |
JP2019067254A (ja) | タッチセンサ内蔵表示装置、及びタッチセンサ内蔵表示装置の製造方法 | |
JP2016115472A (ja) | 有機発光デバイス | |
US10033010B2 (en) | OLED substrate and preparation method thereof, OLED panel, and display apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160909 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170627 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170817 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170912 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171005 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6224486 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |