JP7329080B2 - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7329080B2
JP7329080B2 JP2021573645A JP2021573645A JP7329080B2 JP 7329080 B2 JP7329080 B2 JP 7329080B2 JP 2021573645 A JP2021573645 A JP 2021573645A JP 2021573645 A JP2021573645 A JP 2021573645A JP 7329080 B2 JP7329080 B2 JP 7329080B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
pixel
color
sub
input signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021573645A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2021152672A1 (ja
JPWO2021152672A5 (ja
Inventor
雅史 上野
直樹 塩原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of JPWO2021152672A1 publication Critical patent/JPWO2021152672A1/ja
Publication of JPWO2021152672A5 publication Critical patent/JPWO2021152672A5/ja
Priority to JP2023127424A priority Critical patent/JP7482299B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7329080B2 publication Critical patent/JP7329080B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3258—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the voltage across the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2003—Display of colours
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0452—Details of colour pixel setup, e.g. pixel composed of a red, a blue and two green components
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0271—Adjustment of the gradation levels within the range of the gradation scale, e.g. by redistribution or clipping
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/06—Adjustment of display parameters
    • G09G2320/0666—Adjustment of display parameters for control of colour parameters, e.g. colour temperature
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/06—Adjustment of display parameters
    • G09G2320/0673—Adjustment of display parameters for control of gamma adjustment, e.g. selecting another gamma curve
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2340/00—Aspects of display data processing
    • G09G2340/06—Colour space transformation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Description

本発明は、表示装置に関する。
特許文献１には、アノードおよびカソード間に、有機発光層および量子ドット発光層を積層させてなる発光素子が開示されている。
日本国公開特許公報「特開２０１５－２１６０５９」
特許文献１の構成では、量子ドット発光層上に有機発光層が形成されているため、量子ドット発光層から上方に出射する光は有機発光層を通り、有機発光層から下方に出射する光は量子ドット層を通ることになり、量子ドット発光層および有機発光層それぞれの光取出し効率が低下するという問題がある。
本発明の一態様にかかる表示装置は、第１トランジスタと電気的に接続する第１画素電極と、第２トランジスタと電気的に接続する第２画素電極と、前記第１画素電極よりも上層に形成され、前記第１画素電極と重畳する第１発光層と、前記第２画素電極よりも上層に形成され、前記第２画素電極と重畳する第２発光層と、を備え、前記第１発光層は第１色を発光する量子ドット発光層を含み、前記第２発光層は第1色と異なる第２色を発光する有機発光層を含む。
本発明の一態様によれば、量子ドット発光層および有機発光層それぞれの光取出し効率を高めた画素構造を実現することが可能となる。
図１（ａ）は、本実施形態の表示装置の構成を示す模式的平面図であり、図１（ｂ）は、表示装置の構成を示す断面図である。 画素回路の一例を示す回路図である。 図３（ａ）は実施形態１の画素の構成を示す平面図であり、図３（ｂ）は実施形態１の構成を示すブロック図である。 図４（ａ）は、図３（ａ）のＡ－Ａ断面図であり、図４（ｂ）は、図３（ａ）のＢ－Ｂ断面図である。 図５（ａ）は、赤に関する階調輝度特性であり、図５（ｂ）は、赤に関する電圧－輝度曲線であり、図５（ｃ）は、青に関する階調輝度特性であり、図５（ｄ）は、青に関する電圧－輝度曲線であり、図５（ｅ）は、緑に関する階調輝度特性であり、図５（ｆ）は、緑に関する電圧－輝度曲線である。 図６（ａ）は、第１制御方法における、赤の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図６（ｂ）は、第１制御方法における、青の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図６（ｃ）は、第１制御方法における、緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。 第１制御方法における、赤の入力信号の別の処理方法を示す模式図である。 第１制御方法における、青の入力信号の別の処理方法を示す模式図である。 第１制御方法における、緑の入力信号の別の処理方法を示す模式図である。 図１０（ａ）は、第２制御方法における、赤の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図１０（ｂ）は、第２制御方法における、青の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図１０（ｃ）は、第２制御方法における、緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。 図１１（ａ）は有機発光層をもつ発光素子（ＯＬＥＤ）の色域と、量子ドット発光層をもつ発光素子（ＱＬＥＤ）の色域とを示すグラフであり、図１１（ｂ）は、第３制御方法における、赤の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図１１（ｃ）は、第３制御方法における、青の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図１１（ｄ）は、第３制御方法における、緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。 図１２（ａ）は、第４制御方法における、赤の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図１２（ｂ）は、第４制御方法における、青の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図１２（ｃ）は、第４制御方法における、緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。 図１３（ａ）は、第５制御方法における、赤の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図１３（ｂ）は、第５制御方法における、青の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図１３（ｃ）は、第５制御方法における、緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。 図１４（ａ）は実施形態２の画素の構成を示す平面図であり、図１４（ｂ）は実施形態２の表示装置の構成を示すブロック図である。 図１５（ａ）は、赤に関する階調輝度特性であり、図１５（ｂ）は、赤に関する電圧－輝度曲線であり、図１５（ｃ）は、青に関する階調輝度特性であり、図１５（ｄ）は、青に関する電圧－輝度曲線であり、図１５（ｅ）は、緑に関する階調輝度特性であり、図１５（ｆ）は、緑に関する電圧－輝度曲線である。 第６制御方法における、赤・青・緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。 第６制御方法における、赤・青・緑の入力信号の別の処理方法を示す模式図である。 図１８（ａ）は、白色に関する階調輝度特性であり、図１８（ｂ）は、第７制御方法における、赤・青・緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。 第８制御方法における、赤・青・緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。 第９制御方法における、赤・青・緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。 図２１（ａ）は実施形態３の画素の構成を示す平面図であり、図２１（ｂ）は実施形態３の表示装置の構成を示すブロック図である。 第１０制御方法における、赤・青・緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。 図２３（ａ）は実施形態４の画素の構成を示す平面図であり、図２３（ｂ）は実施形態４の表示装置の構成を示すブロック図である。 図２４（ａ）は実施形態５の画素の構成を示す平面図であり、図２４（ｂ）は実施形態５の表示装置の構成を示すブロック図である。
図１（ａ）は、本実施形態の表示装置の構成を示す模式的平面図であり、図１（ｂ）は、表示装置の構成を示す断面図である。
図１に示すように、表示装置２では、基板１２上に、バリア層３、薄膜トランジスタ層４、トップエミッション（上層側へ発光する）タイプの発光素子層５、および封止層６がこの順に形成され、表示領域ＤＡに、それぞれが自発光タイプの発光素子を含む複数のサブ画素ＳＰが形成される。表示領域ＤＡを取り囲む額縁領域ＮＡには端子部ＴＡが設けられる。
基板１２は、ガラス基板、あるいは、ポリイミド等の樹脂を主成分とする可撓性基材であり、例えば、２層のポリイミド膜およびこれらに挟まれた無機膜によって基板１２を構成することもできる。バリア層（アンダーコート層）３は、水、酸素等の異物の侵入を防ぐ無機絶縁層であり、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン等を用いて構成することができる。
図１（ｂ）に示すように、薄膜トランジスタ層４は、バリア層３よりも上層の半導体層ＰＳと、半導体層ＰＳよりも上層のゲート絶縁膜１６と、ゲート絶縁膜１６よりも上層の第１金属層（ゲート電極ＧＥを含む）と、第１金属層よりも上層の第１層間絶縁膜１８と、第１層間絶縁膜１８よりも上層の第２金属層（初期化配線ＩＬ含む）と、第２金属層よりも上層の第２層間絶縁膜２０と、第２層間絶縁膜２０よりも上層の第３金属層（データ信号線ＤＬを含む）と、第３金属層よりも上層の平坦化膜２１とを含む。
半導体層ＰＳは、例えば低温形成のポリシリコン（ＬＴＰＳ）であり、ゲート電極ＧＥおよび半導体層ＰＳを含むようにトランジスタＴＲが構成される。
第１金属層、第２金属層、および第３金属層は、例えば、アルミニウム、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、チタン、および銅の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは複層膜によって構成される。
ゲート絶縁膜１６、第１層間絶縁膜１８、および第２層間絶縁膜２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。
発光素子層５は、平坦化膜２１よりも上層の画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥのエッジを覆う絶縁性のエッジカバー膜２３と、エッジカバー膜２３よりも上層のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層の上部電極ＵＥとを含む。エッジカバー膜２３は、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂等の有機材料を塗布した後にフォトリソグラフィよってパターニングすることで形成される。
図１に示すように、発光素子層５には、例えば、異なる色を発する複数の発光素子が形成され、各発光素子が、島状の画素電極ＰＥ、ＥＬ層２４（発光層を含む）、および上部電極ＵＥを含む。上部電極ＵＥは、複数の発光素子で共通する、ベタ状の共通電極である。
ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法、フォトリソグラフィ法によって、エッジカバー膜２３の開口（サブ画素ごと）に、島状に形成される。他の層は、島状あるいはベタ状（共通層）に形成する。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうち１以上の層を形成しない構成とすることもできる。
画素電極ＰＥ（例えば、アノード）は、例えば、ＩＴＯ（Indiuｍ Tin Oxide）とＡｇ（銀）あるいはＡｇを含む合金との積層によって構成される、光反射電極である。上部電極ＵＥ（例えば、カソード）は、例えばマグネシウム銀合金等の金属薄膜で構成され、光透過性を有する。
発光素子層５には、原色（例えば、赤、青、緑）の光を発する量子ドットを含む量子ドット発光層と、原色（例えば、赤、青、緑）の光を発する有機化合物を含む有機発光層とが含まれる。量子ドットは、例えば、数ｎｍ～数十ｎｍの粒径を有する無機半導体であり、電流等によって発光する。
有機発光層については、画素電極ＰＥおよび上部電極ＵＥ間の駆動電流によって正孔と電子が有機発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光が放出される。量子ドット発光層については、画素電極ＰＥおよび上部電極ＵＥ間の駆動電流によって正孔と電子が量子ドット発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、量子ドットの伝導帯準位（conduction band）から価電子帯準位（valence band）に遷移する過程で光が放出される。
図１（ｂ）において、発光素子層５を覆う封止層６は、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防ぐ層であり、例えば、２層の無機封止膜２６・２８とこれら間に形成される有機膜２７とで構成することができる。
図２は画素回路の一例を示す回路図である。図１の表示領域ＤＡには、サブ画素ごとに、発光素子およびこれを制御する画素回路ＰＫが設けられ、薄膜トランジスタ層４には、この画素回路およびこれに接続する配線が形成される。
図２の画素回路ＰＫは、容量素子Ｃｐと、ゲート端子が前段（ｎ－１段）の走査信号線Ｇｎ－１に接続される第１初期化トランジスタＴＲ１と、ゲート端子が自段（ｎ段）の走査信号線Ｇｎ（第１走査信号線）に接続される閾値制御トランジスタＴＲ２と、ゲート端子が自段（ｎ段）の走査信号線Ｇｎに接続される書き込み制御トランジスタＴＲ３と、発光素子Ｘの電流を制御する駆動トランジスタＴＲ４と、ゲート端子が発光制御線ＥＭ（ｎ段）に接続される電源供給トランジスタＴＲ５と、ゲート端子が発光制御線ＥＭ（ｎ段）に接続される発光制御トランジスタＴＲ６と、を含む。
駆動トランジスタＴＲ４のゲート端子は、容量素子Ｃｐを介して高電圧側電源線ＰＬに接続されるとともに、第１初期化トランジスタＴＲ１を介して初期化電源線ＩＬに接続される。駆動トランジスタＴＲ４のソース端子は、書き込み制御トランジスタＴＲ３を介してデータ信号線ＤＬに接続されるとともに、電源供給トランジスタＴＲ５を介して高電圧側電源線ＰＬに接続される。駆動トランジスタＴＲ４のドレイン端子は、発光制御トランジスタＴＲ６を介して発光素子Ｘのアノードに接続されるとともに、閾値制御トランジスタＴＲ２を介して駆動トランジスタＴＲ４のゲート端子に接続される。
〔実施形態１〕
図３（ａ）は実施形態１の画素の構成を示す平面図であり、図３（ｂ）は実施形態１の構成を示すブロック図である。図４（ａ）は、図３（ａ）のＡ－Ａ断面図であり、図４（ｂ）は、図３（ａ）のＢ－Ｂ断面図である。
図３・４に示すように、実施形態１の画素は、第１トランジスタＴＲａと電気的に接続する第１画素電極Ｅ１と、第２トランジスタＴＲｂと電気的に接続する第２画素電極Ｅ２と、第３トランジスタＴＲｃと電気的に接続する第３画素電極Ｅ３と、第４トランジスタＴＲｄと電気的に接続する第４画素電極Ｅ４と、第５トランジスタＴＲｅと電気的に接続する第５画素電極Ｅ５と、第６トランジスタＴＲｆと電気的に接続する第６画素電極Ｅ６と、第１画素電極Ｅ１よりも上層に形成され、第１画素電極Ｅ１と重畳する第１発光層Ｑ１と、第２画素電極Ｅ２よりも上層に形成され、第２画素電極Ｅ２と重畳する第２発光層Ｊ２と、第３画素電極Ｅ３よりも上層に形成され、第３画素電極Ｅ３と重畳する第３発光層Ｑ３と、第４画素電極Ｅ４よりも上層に形成され、第４画素電極Ｅ４と重畳する第４発光層Ｑ４と、第５画素電極Ｅ５よりも上層に形成され、第５画素電極Ｅ５と重畳する第５発光層Ｊ５と、第６画素電極Ｅ６よりも上層に形成され、第６画素電極Ｅ６と重畳する第６発光層Ｊ６とを備える。第１画素電極Ｅ１～第６画素電極Ｅ６は、同層に、それぞれが島状に形成される。なお、上層とは、比較となる層よりも後の工程で形成されていることを意味し、同層とは、同一工程にて同材料で形成されていることを意味する。
第１発光層Ｑ１は、赤（例えば、第１色）の光を発する量子ドット発光層であり、第２発光層Ｊ２は、青（例えば、第２色）の光を発する有機発光層であり、第３発光層Ｑ３は、緑（例えば、第３色）の光を発する量子ドット発光層であり、第４発光層Ｑ４は、青の光を発する量子ドット発光層であり、第５発光層Ｊ５は、赤の光を発する有機発光層であり、第６発光層Ｊ６は、緑の光を発する有機発光層である。すなわち、赤、青、緑それぞれの光が、量子ドット発光層および有機発光層から出射される。
第１サブ画素ＳＰ１は、第１画素電極Ｅ１および第１発光層Ｑ１を含み、第２サブ画素ＳＰ２は、第２画素電極Ｅ２および第２発光層Ｊ２を含み、第３サブ画素ＳＰ３は、第３画素電極Ｅ３および第３発光層Ｑ３を含み、第４サブ画素ＳＰ４は、第４画素電極Ｅ４および第４発光層Ｑ４を含み、第５サブ画素ＳＰ５は、第５画素電極Ｅ５および第５発光層Ｊ５を含み、第６サブ画素ＳＰ６は、第６画素電極Ｅ６および第６発光層Ｊ６を含む。
画素ＰＸは、行方向（例えば、走査信号線Ｇｎの延伸方向）に並ぶ、第１サブ画素ＳＰ１、第３サブ画素ＳＰ３、および第４サブ画素ＳＰ４と、第１サブ画素ＳＰ１と列方向（例えば、データ信号線ＤＬの延伸方向）に隣接する第６サブ画素ＳＰ６と、第３サブ画素ＳＰ３と列方向に隣接する第５サブ画素ＳＰ５と、第４サブ画素ＳＰ４と列方向に隣接する第２サブ画素ＳＰ２とで構成される。
図４は、実施形態１の表示装置の構成を示すブロック図である。図４に示すように、表示装置２は、入力信号を処理する信号処理回路と、画素ＰＸを駆動するドライバとを含む。
信号処理回路は、各画素に対応する色ごとの入力信号（階調データ）を受けて、各サブ画素に対応する信号（階調データ）を生成する。具体的には、１画素に対応する、赤の入力信号Ｒｘ、青の入力信号Ｂｘ、および緑の入力信号Ｇｘを受けて、第１サブ画素ＳＰ１に対応する第１信号Ｒｑ、第２サブ画素ＳＰ２に対応する第２信号Ｂｊ、第３サブ画素ＳＰ３に対応する第３信号Ｇｑ、第４サブ画素ＳＰ４に対応する第４信号Ｂｑ、第５サブ画素ＳＰ５に対応する第５信号Ｇｊ、および第６サブ画素ＳＰ６に対応する第６信号Ｒｊを生成する。以下では、各色２５６階調（階調値：０～２５５）の場合を説明する。
ドライバは、第１信号Ｒｑ（デジタル信号）に基づいて第１サブ画素ＳＰ１に電圧信号Ａ１を出力し、第２信号Ｂｊ（デジタル信号）に基づいて第２サブ画素ＳＰ２に電圧信号Ａ２を出力し、第３信号Ｇｑ（デジタル信号）に基づいて第３サブ画素ＳＰ３に電圧信号Ａ３を出力し、第４信号Ｂｑ（デジタル信号）に基づいて第４サブ画素ＳＰ４に電圧信号Ａ４を出力し、第５信号Ｇｊ（デジタル信号）に基づいて第５サブ画素ＳＰ５に電圧信号Ａ５を出力し、第６信号Ｒｊ（デジタル信号）に基づいて第６サブ画素ＳＰ６に電圧信号Ａ６を出力する。
図５（ａ）は、赤に関する階調輝度特性であり、図５（ｂ）は、赤に関する電圧－輝度曲線であり、図５（ｃ）は、青に関する階調輝度特性であり、図５（ｄ）は、青に関する電圧－輝度曲線であり、図５（ｅ）は、緑に関する階調輝度特性であり、図５（ｆ）は、緑に関する電圧－輝度曲線である。
図５（ａ）（ｂ）について、赤の階調輝度特性ＴＬＲから得られる、赤の入力信号Ｒｘに対応する輝度Ｌ（Ｒｘ）は、赤の階調輝度特性ＴＬＲから得られる、第１信号Ｒｑに対応する輝度Ｌ１および第６信号Ｒｊに対応する輝度Ｌ５の和に等しい。第１サブ画素の階調輝度特性および第６サブ画素の階調輝度特性それぞれは、赤の階調輝度特性ＴＬＲとなるように設定しておく。こうすれば、第１サブ画素または第６サブ画素のみの発光で赤の階調輝度特性ＴＬＲを再現することができる。輝度Ｌ１は、第１サブ画素の電圧輝度曲線ＶＬＲｑにおけるＡ１に対応する値であり、輝度Ｌ６は、第６サブ画素の電圧輝度曲線ＶＬＲｊにおけるＡ６に対応する値である。
図５（ｃ）（ｄ）について、青の階調輝度特性ＴＬＢから得られる、青の入力信号Ｂｘに対応する輝度Ｌ（Ｂｘ）は、青の階調輝度特性ＴＬＢから得られる、第４信号Ｂｑに対応する輝度Ｌ４および第２信号Ｂｊに対応する輝度Ｌ２の和に等しい。第２サブ画素の階調輝度特性および第４サブ画素の階調輝度特性それぞれは、青の階調輝度特性ＴＬＢとなるように設定しておく。こうすれば、第２サブ画素または第４サブ画素のみの発光で青の階調輝度特性ＴＬＢを再現することができる。輝度Ｌ４は、第４サブ画素の電圧輝度曲線ＶＬＢｑにおけるＡ４に対応する値であり、輝度Ｌ２は、第２サブ画素の電圧輝度曲線ＶＬＢｊにおけるＡ２に対応する値である。
図５（ｅ）（ｆ）について、緑の階調輝度特性ＴＬＧから得られる、緑の入力信号Ｇｘに対応する輝度Ｌ（Ｇｘ）は、緑の階調輝度特性ＴＬＧから得られる、第３信号Ｇｑに対応する輝度Ｌ３および第５信号Ｇｊに対応する輝度Ｌ５の和に等しい。第３サブ画素の階調輝度特性および第５サブ画素の階調輝度特性それぞれは、緑の階調輝度特性ＴＬＧとなるように設定しておく。こうすれば、第３サブ画素または第５サブ画素のみの発光で緑の階調輝度特性ＴＬＧを再現することができる。輝度Ｌ３は、第３サブ画素の電圧輝度曲線ＶＬＧｑにおけるＡ３に対応する値であり、輝度Ｌ５は、第５サブ画素の電圧輝度曲線ＶＬＧｊにおけるＡ５に対応する値である。
赤の階調輝度特性ＴＬＲを用いて、赤の入力信号（Ｒｘ）に対応する輝度Ｌ（Ｒｘ）を算出することができ、逆関数を用いて、輝度Ｌ（Ｒｘ）に対応する赤の入力信号Ｒｘを算出することができる。さらに、例えば、第６信号Ｒｊと赤の階調輝度特性ＴＬＲからＬ６が決まれば、輝度Ｌ（Ｒｘ）－Ｌ６＝Ｌ１であるから、逆関数を用いて第１信号Ｒｑを算出することができる。これらの算出には、ルックアップテーブルを用いてもよい。
同様に、青の階調輝度特性ＴＬＢを用いて、青の入力信号（Ｂｘ）に対応する輝度Ｌ（Ｂｘ）を算出することができ、逆関数を用いて、輝度Ｌ（Ｂｘ）に対応する青の入力信号Ｂｘを算出することができる。さらに、例えば、第２信号Ｂｊと青の階調輝度特性ＴＬＢからＬ２が決まれば、輝度Ｌ（Ｂｘ）－Ｌ２＝Ｌ４であるから、逆関数を用いて第４信号Ｂｑを算出することができる。また、緑の階調輝度特性ＴＬＧを用いて、緑の入力信号（Ｇｘ）に対応する輝度Ｌ（Ｇｘ）を算出することができ、逆関数を用いて、輝度Ｌ（Ｇｘ）に対応する緑の入力信号Ｇｘを算出することができる。さらに、例えば、第５信号Ｇｊと緑の階調輝度特性ＴＬＧからＬ５が決まれば、輝度Ｌ（Ｇｘ）－Ｌ５＝Ｌ３であるから、逆関数を用いて第３信号Ｇｑを算出することができる。
＜第１制御方法＞
第１制御方法は、有機発光層の劣化抑制を目的の１つとし、画素間での入力信号の階調差に基づいて、量子ドット発光層および有機発光層の発光量を制御する。図６（ａ）は、第１制御方法における、赤の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図６（ｂ）は、第１制御方法における、青の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図６（ｃ）は、第１制御方法における、緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。
図６（ａ）では、画素ＰＸの赤色の入力信号Ｒｘが、画素ＰＸを含む３×３画素の画像領域の赤色階調値平均よりも大きい場合に、第６信号Ｒｊを赤色階調値平均と等しくし、画素ＰＸの赤色の入力信号Ｒｘが赤色階調値平均よりも小さい場合に、第６信号Ｒｊを赤色の入力信号Ｒｘと等しくする。例えば、Ｒｘ＝２００、階調値平均＝６０であれば、第６信号Ｒｊ＝６０とし、Ｒｘ＝２０、階調値平均＝３０であれば、第６信号Ｒｊ＝２０とする。第１信号Ｒｑについては、赤の階調輝度特性ＴＬＲを用いて求めることができる。
図６（ｂ）では、画素ＰＸの青色の入力信号Ｂｘが、画素ＰＸを含む３×３画素の画像領域の青色階調値平均よりも大きい場合に、第２信号Ｂｊを青色階調値平均と等しくし、画素ＰＸの青色の入力信号Ｂｘが青色階調値平均よりも小さい場合に、第２信号Ｒｊを青色の入力信号Ｂｘと等しくする。 例えば、Ｂｘ＝１５０、階調値平均＝１００であれば、第２信号Ｂｊ＝１００とし、Ｂｘ＝３０、階調値平均＝４０であれば、第２信号Ｂｊ＝３０とする。第４信号Ｂｑについては、青の階調輝度特性ＴＬＢを用いて求めることができる。
図６（ｃ）では、画素ＰＸの緑色の入力信号Ｇｘが、画素ＰＸを含む３×３画素の画像領域の緑色階調値平均よりも大きい場合に、第５信号Ｇｊを緑色階調値平均と等しくし、画素ＰＸの緑色の入力信号Ｇｘが緑色階調値平均よりも小さい場合に、第５信号Ｇｊを緑色の入力信号Ｇｘと等しくする。例えば、Ｇｘ＝２１０、階調値平均＝７０であれば、第５信号Ｇｊ＝７０とし、Ｇｘ＝４０、階調値平均＝６０であれば、第５信号Ｇｊ＝４０とする。第３信号Ｇｑについては、緑の階調輝度特性ＴＬＧを用いて求めることができる。
図７は、第１制御方法における、赤の入力信号の別の処理方法を示す模式図である。図７では、画素ＰＸを含む画像領域に対して、赤の入力信号についてのフィルタ処理（例えば、２次元ローパスフィルタＬＰＦの適用）を行い、画素ＰＸの赤の入力信号Ｒｘが、画素ＰＸの赤のフィルタ処理値よりも大きい場合に、第６信号Ｒｊを、赤のフィルタ処理値と等しくし、画素ＰＸの赤の入力信号が、画素ＰＸの赤のフィルタ処理値以下である場合には、第６信号Ｒｊを赤の入力信号Ｒｘと等しくする（第１信号Ｒｑの階調値を０にする）。例えば、Ｒｘ＝２００、フィルタ処理値＝７０であれば、第６信号Ｒｊ＝７０とし、Ｒｘ＝１０、フィルタ処理値＝２２であれば、第６信号Ｒｊ＝１０（Ｒｑ＝０）とする。第１信号Ｒｑについては、赤の階調輝度特性ＴＬＲを用いて求めることができる。
図８は、第１制御方法における、青の入力信号の別の処理方法を示す模式図である。図８では、画素ＰＸを含む画像領域に対して、青の入力信号についてのフィルタ処理（例えば、２次元ローパスフィルタＬＰＦの適用）を行い、画素ＰＸの青の入力信号Ｂｘが、画素ＰＸの青のフィルタ処理値よりも大きい場合に、第２信号Ｂｊを、青のフィルタ処理値と等しくし、画素ＰＸの赤の入力信号が、画素ＰＸの赤のフィルタ処理値以下である場合には、第２信号Ｂｊを青の入力信号Ｂｘと等しくする（第４信号Ｂｑの階調値を０にする）。例えば、Ｂｘ＝２００、フィルタ処理値＝７０であれば、第２信号Ｂｊ＝７０とし、Ｂｘ＝１０、フィルタ処理値＝２２であれば、第２信号Ｂｊ＝１０（Ｂｑ＝０）とする。第４信号Ｂｑについては、青の階調輝度特性ＴＬＢを用いて求めることができる。
図９は、第１制御方法における、緑の入力信号の別の処理方法を示す模式図である。図９では、画素ＰＸを含む画像領域に対して、緑の入力信号についてのフィルタ処理（例えば、２次元ローパスフィルタＬＰＦの適用）を行い、画素ＰＸの緑の入力信号Ｇｘが、画素ＰＸの緑のフィルタ処理値よりも大きい場合に、第５信号Ｇｊを、緑のフィルタ処理値と等しくし、画素ＰＸの緑の入力信号が、画素ＰＸの緑のフィルタ処理値以下である場合には、第５信号Ｇｊを緑の入力信号Ｇｘと等しくする（第３信号Ｇｑの階調値を０にする）。例えば、Ｇｘ＝２００、フィルタ処理値＝７０であれば、第５信号Ｇｊ＝７０とし、Ｇｘ＝１０、フィルタ処理値＝２２であれば、第５信号Ｇｊ＝１０（Ｇｑ＝０）とする。第３信号Ｇｑについては、緑の階調輝度特性ＴＬＧを用いて求めることができる。
なお、ハイパスフィルタを用いてフィルタ処理することもできる。この場合は、例えば、フィルタ処理値と入力信号の差に基づいて、第１信号Ｒｑ、第４信号Ｂｑ、および第３信号Ｇｑを算出することができる。
第１制御方法によれば、３色の有機発光層（J２・Ｊ５・Ｊ６）の劣化が抑制され、画素間の劣化ばらつきに起因する焼き付き現象を低減させることができる。また、量子ドット発光層および有機発光層それぞれの光取出し効率が高められる。
なお、図６では、画素領域（ブロック）のサイズを３画素×３画素としているが、１０画素×１０画素等、任意に設定可能である。また、図７～図９のＬＰＦのタップ数も一例に過ぎず、任意に設定することができる。
＜第２制御方法＞
第２制御方法は、低階調域の表示品位向上を目的の１つとし、低階調領域では量子ドット発光層の発光を優先させ、高階調領域では有機発光層の発光を優先させる。図１０（ａ）は、第２制御方法における、赤の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図１０（ｂ）は、第２制御方法における、青の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図１０（ｃ）は、第２制御方法における、緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。
図１０（ａ）では、画素ＰＸについて、赤の入力信号Ｒｘの階調値が赤用閾値Ｒｔより低い場合に、第１信号Ｒｑの階調値を第６信号Ｇｊの階調値よりも高くする一方、赤の入力信号Ｒｘが赤用閾値Ｒｔより高い場合に、第１信号の階調値Ｒｑを第５信号の階調値Ｒｊよりも低くする。例えば、赤用閾値Ｒｔ＞Ｒｘ＝２０の場合は、第１信号Ｒｑ＝２０、第６信号Ｇｊ＝０とする一方、赤用閾値Ｒｔ＜Ｒｘ＝２００の場合は、第６信号Ｒｊ＞第１信号Ｒｑとする。
図１０（ｂ）では、画素ＰＸについて、青の入力信号Ｂｘの階調値が青用閾値Ｂｔより低い場合に、第４信号Ｂｑの階調値を第２信号Ｂｊの階調値よりも高くする一方、青の入力信号Ｂｘが青用閾値Ｂｔより高い場合に、第４信号の階調値Ｂｑを第２信号の階調値Ｂｊよりも低くする。例えば、青用閾値Ｂｔ＞Ｂｘ＝３０の場合は、第４信号Ｂｑ＝３０、第２信号Ｂｊ＝０とする一方、青用閾値Ｂｔ＜Ｂｘ＝２３０の場合は、第２信号Ｂｊ＞第４信号Ｂｑとする。
図１０（ｃ）では、画素ＰＸについて、緑の入力信号Ｇｘの階調値が緑用閾値Ｇｔより低い場合に、第３信号Ｇｑの階調値を第５信号Ｇｊの階調値よりも高くする一方、緑の入力信号Ｇｘが緑用閾値Ｇｔより高い場合に、第３信号の階調値Ｇｑを第６信号の階調値Ｇｊよりも低くする。例えば、緑用閾値Ｇｔ＞Ｇｘ＝３０の場合は、第３信号Ｇｑ＝３０、第５信号Ｇｊ＝０とする一方、緑用閾値Ｇｔ＜Ｇｘ＝２３０の場合は、第５信号Ｇｊ＞第３信号Ｇｑとする。
第２制御方法によれば、３色の有機発光層（Ｊ２・Ｊ５・Ｊ６）では階調制御し難い低階調領域を量子ドット発光層（Ｑ１・Ｑ３・Ｑ４）で表示し、高階調領域は発光効率の高い有機発光層（Ｊ２・Ｊ５・Ｊ６）を優先的に発光させることができ、低階調領域の表示品位を向上と高階調領域の消費電力の抑制を図ることができる。
＜第３制御方法＞
第３制御方法は、色再現範囲の拡大を目的の１つとし、表示装置の表示色域モードに応じて、量子ドット発光層および有機発光層の発光量を制御する。図１１（ａ）は有機発光層をもつ発光素子（ＯＬＥＤ）の色域と、量子ドット発光層をもつ発光素子（ＱＬＥＤ）の色域とを示すグラフであり、図１１（ｂ）は、第３制御方法における、赤の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図１１（ｃ）は、第３制御方法における、青の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図１１（ｄ）は、第３制御方法における、緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。
図１１（ａ）に示すように、表示装置２では、有機発光層をもつ発光素子（ＯＬＥＤ）による色域と、量子ドット発光層をもつ発光素子（ＱＬＥＤ）による色域とを利用することができる。
図１１（ｂ）では、表示色域モードに応じて、赤色の入力信号Ｒｘに対する第１信号Ｒｑおよび第６信号Ｒｊの階調値を設定する。例えば、Ｒｘ＝２５５、Ｂｘ＝０、Ｇｘ＝０として、表示装置２が第１表示色域モードであれば、第１信号Ｒｑ＝２５５、第６信号Ｒｊ＝０とし、表示装置２が第２表示色域モードであれば、第１信号Ｒｑ＝０、第６信号Ｒｊ＝２５５とする。
図１１（ｃ）では、表示色域モードに応じて、青色の入力信号Ｂｘに対する第４信号Ｂｑおよび第２信号Ｂｊの階調値を設定する。例えば、Ｒｘ＝０、Ｂｘ＝２５５、Ｇｘ＝０として、表示装置２が第１表示色域モードであれば、第４信号Ｂｑ＝２５５、第２信号Ｂｊ＝０とし、表示装置２が第２表示色域モードであれば、第４信号Ｂｑ＝０、第２信号Ｂｊ＝２５５とする。
図１１（ｄ）では、表示色域モードに応じて、緑色の入力信号Ｇｘに対する第３信号Ｇｑおよび第５信号Ｇｊの階調値を設定する。例えば、Ｒｘ＝０、Ｂｘ＝０、Ｇｘ＝２５５として、表示装置２が第１表示色域モードであれば、第３信号Ｇｑ＝２５５、第５信号Ｇｊ＝０とし、表示装置２が第２表示色域モードであれば、第３信号Ｇｑ＝０、第５信号Ｇｊ＝２５５とする。
第３制御方法によれば、表示色域モードに応じて、量子ドット発光層（Ｑ１・Ｑ４・Ｑ３）の発光と、有機発光層（Ｊ２・Ｊ５・Ｊ６）の発光とを切り替えることにより、色再現範囲を調整することが可能となる。
＜第４制御方法＞
第４制御方法は、有機発光層の劣化抑制を目的の１つとし、ピーク輝度での有機発光層の発光量を抑制する。図１２（ａ）は、第４制御方法における、赤の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図１２（ｂ）は、第４制御方法における、青の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図１２（ｃ）は、第４制御方法における、緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。
図１２（ａ）では、画素ＰＸを含む画像領域に対して、赤の入力信号についてのフィルタ処理（例えば、２次元ローパスフィルタＬＰＦの適用）を行い、画素ＰＸの赤の入力信号Ｒｘが、画素ＰＸの赤のフィルタ処理値よりも大きい場合に、第６信号Ｒｊを、赤のフィルタ処理値と等しくする。例えば、Ｒｘ＝２５０、フィルタ処理値＝２１０であれば、第６信号Ｒｊ＝２１０とする。第１信号Ｒｑについては、赤の階調輝度特性ＴＬＲを用いて求めることができる。
図１２（ｂ）では、画素ＰＸを含む画像領域に対して、青の入力信号についてのフィルタ処理（例えば、２次元ローパスフィルタＬＰＦの適用）を行い、画素ＰＸの青の入力信号Ｂｘが、画素ＰＸの青のフィルタ処理値よりも大きい場合に、第２信号Ｂｊを、青のフィルタ処理値と等しくする。例えば、Ｂｘ＝２５０、フィルタ処理値＝２１０であれば、第２信号Ｂｊ＝２１０とする。第４信号Ｂｑについては、青の階調輝度特性ＴＬＢを用いて求めることができる。
図１２（ｃ）では、画素ＰＸを含む画像領域に対して、緑の入力信号についてのフィルタ処理（例えば、２次元ローパスフィルタＬＰＦの適用）を行い、画素ＰＸの緑の入力信号Ｇｘが、画素ＰＸの緑のフィルタ処理値よりも大きい場合に、第５信号Ｇｊを、緑のフィルタ処理値と等しくする。例えば、Ｇｘ＝２５０、フィルタ処理値＝２１０であれば、第５信号Ｇｊ＝２１０とする。第３信号Ｇｑについては、緑の階調輝度特性ＴＬＧを用いて求めることができる。
第４制御方法によれば、ピーク輝度表示時の有機発光層の劣化抑制に加え、量子ドット発光層を点灯させることによる色再現性の向上を図ることができる。
＜第５制御方法＞
図１３（ａ）は、第５制御方法における、赤の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図１３（ｂ）は、第５制御方法における、青の入力信号の処理方法を示す模式図であり、図１３（ｃ）は、第５制御方法における、緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。
第５制御方法は、動画表示品位の向上を目的の１つとし、有機発光層のホールド型発光と量子ドット発光層のインパルス型発光を組み合わせる。
図１３（ａ）では、ドライバが、画素ＰＸについて、第１信号Ｒｑに基づく、第１サブ画素ＳＰ１のインパルス制御と、第６信号Ｇｊに基づく、第６サブ画素ＳＰ６のホールド制御とを行う。例えば、Ｒｘ＝２０である（Ｒｘが低階調領域である）場合は、第１信号Ｒｑ＝６０、第６信号Ｇｊ＝０として、第１サブ画素ＳＰ１を１フレーム期間の１／３だけ点灯させる（インパルス制御）。また、Ｒｘ＝１２０である（Ｒｘが低階調領域でない）場合は、例えば、第１信号Ｒｑ＝１８０、第６信号Ｒｊ＝５０として、第１サブ画素ＳＰ１を１フレーム期間の１／３だけ点灯させ（インパルス制御）、第６サブ画素ＳＰ６を１フレーム期間中点灯させる（ホールド制御）。この場合、階調輝度特性ＴＬＲのＲｘに対応する輝度＝（階調輝度特性ＴＬＲのＲｑに対応する輝度）×１／３＋階調輝度特性ＴＬＲのＲｊに対応する輝度の関係となる。
図１３（ｂ）では、ドライバが、画素ＰＸについて、第４信号Ｂｑに基づく、第４サブ画素ＳＰ４のインパルス制御と、第２信号Ｂｊに基づく、第２サブ画素ＳＰ２のホールド制御とを行う。例えば、Ｂｘ＝２０である（Ｂｘが低階調領域である）場合は、第４信号Ｂｑ＝６０、第２信号Ｂｊ＝０として、第４サブ画素ＳＰ４を１フレーム期間の１／３だけ点灯させる（インパルス制御）。また、Ｂｘ＝１２０である（Ｂｘが低階調領域でない）場合は、例えば、第４信号Ｂｑ＝１８０、第２信号Ｂｊ＝５０として、第４サブ画素ＳＰ４を１フレーム期間の１／３だけ点灯させ（インパルス制御）、第２サブ画素ＳＰ２を１フレーム期間中点灯させる（ホールド制御）。この場合、階調輝度特性ＴＬＢのＢｘに対応する輝度＝（階調輝度特性ＴＬＢのＢｑに対応する輝度）×１／３＋階調輝度特性ＴＬＢのＢｊに対応する輝度の関係となる。
図１３（ｃ）では、ドライバが、画素ＰＸについて、第３信号Ｇｑに基づく、第３サブ画素ＳＰ３のインパルス制御と、第５信号Ｇｊに基づく、第５サブ画素ＳＰ５のホールド制御とを行う。例えば、Ｇｘ＝２０である（Ｇｘが低階調領域である）場合は、第３信号Ｇｑ＝６０、第５信号Ｇｊ＝０として、第３サブ画素ＳＰ３を１フレーム期間の１／３だけ点灯させる（インパルス制御）。また、Ｇｘ＝１２０である（Ｇｘが低階調領域でない）場合は、例えば、第３信号Ｇｑ＝１８０、第５信号Ｇｊ＝５０として、第３サブ画素ＳＰ３を１フレーム期間の１／３だけ点灯させ（インパルス制御）、第５サブ画素ＳＰ５を１フレーム期間中点灯させる（ホールド制御）。この場合、階調輝度特性ＴＬＧのＧｘに対応する輝度＝（階調輝度特性ＴＬＧのＧｑに対応する輝度）×１／３＋階調輝度特性ＴＬＧのＧｊに対応する輝度の関係となる。
第５制御方法によれば、３色の入力信号の階調値に応じて、量子ドット発光層（Ｑ１・Ｑ４・Ｑ３）のインパルス制御、および有機発光層（Ｊ２・Ｊ６・Ｊ５）のホールド制御を行うことにより、動画の表示品位を向上に加え、低階調領域の表示再現性の向上、および有機発光層の劣化抑制を図ることができる。
〔実施形態２〕
図１４（ａ）は実施形態２の画素の構成を示す平面図であり、図１４（ｂ）は実施形態２の表示装置の構成を示すブロック図である。図１４に示すように、第１発光層Ｑ１は、赤の光を発する量子ドット発光層を含み、第３発光層Ｑ３は、緑の光を発する量子ドット発光層を含み、第４発光層Ｑ４は、青の光を発する量子ドット発光層を含み、第２発光層Ｊ２は、青の光を発する有機発光層を含み、第５発光層Ｊ５は、緑の光を発する有機発光層を含み、第６発光層Ｊ６は、赤の光を発する有機発光層を含む。
第１サブ画素ＳＰ１は、第１画素電極Ｅ１および第１発光層Ｑ１を含み、第３サブ画素ＳＰ３は、第３画素電極Ｅ３および第３発光層Ｑ３を含み、第４サブ画素ＳＰ４は、第４画素電極Ｅ４および第４発光層Ｑ４を含み、第７サブ画素ＳＰ７は、第２画素電極Ｅ２および第２発光層Ｊ２を含む。第２発光層Ｊ２は、第２画素電極Ｅ２よりも上層に形成される白色発光層であり、第２画素電極Ｅ２と重畳する。
第２色発光層Ｊ２は、例えば、赤の光を発する有機発光層、青の光を発する有機発光層および緑の光を発する有機発光層が積層されてなる白色発光層でもよいし、赤の光を発する有機発光物質、青の光を発する有機発光物質および緑の光を発する有機発光物質が混合されてなる、白色発光層でもよい。
画素ＰＸは、行方向に並ぶ、第１サブ画素ＳＰ１、第３サブ画素ＳＰ３、第４サブ画素ＳＰ４、および第７サブ画素ＳＰ７で構成される。
信号処理回路は、赤の入力信号Ｒｘ、青の入力信号Ｂｘ、および緑の入力信号Ｇｘを受けて、第１サブ画素ＳＰ１に対応する第１信号Ｒｑ、第３サブ画素ＳＰ３に対応する第３信号Ｇｑ、第４サブ画素ＳＰ４に対応する第４信号Ｂｑ、および第７サブ画素ＳＰ７に対応する第７信号Ｗｊを生成する。以下では、Ｒｘ，Ｂｘ，Ｇｘの最小値をＷｘとする。
ドライバは、第１信号Ｒｑ（デジタル信号）に基づいて第１サブ画素ＳＰ１に電圧信号Ａ１を出力し、第３信号Ｇｑ（デジタル信号）に基づいて第３サブ画素ＳＰ３に電圧信号Ａ３を出力し、第４信号Ｂｑ（デジタル信号）に基づいて第４サブ画素ＳＰ４に電圧信号Ａ４を出力し、第７信号Ｗｊ（デジタル信号）に基づいて第７サブ画素ＳＰ７に電圧信号Ａ７ｒ・Ａ７ｂ・Ａ７ｇを出力する。
図１５（ａ）は、赤に関する階調輝度特性であり、図１５（ｂ）は、赤に関する電圧－輝度曲線であり、図１５（ｃ）は、青に関する階調輝度特性であり、図１５（ｄ）は、青に関する電圧－輝度曲線であり、図１５（ｅ）は、緑に関する階調輝度特性であり、図１５（ｆ）は、緑に関する電圧－輝度曲線である。
図１５（ａ）（ｂ）について、赤の階調輝度特性ＴＬＲから得られる、赤の入力信号Ｒｘに対応する輝度Ｌ（Ｒｘ）は、赤の階調輝度特性ＴＬＲから得られる、第１信号Ｒｑに対応する輝度Ｌ１および第７信号Ｗｊに対応する輝度Ｌｒの和に等しい。輝度Ｌ１は、第１サブ画素の電圧輝度曲線ＶＬＲｑにおけるＡ１に対応する値であり、輝度Ｌｒは、赤の有機発光層の電圧輝度曲線ＶＬＲｊにおけるＡ７ｒに対応する値である。
図１５（ｃ）（ｄ）について、青の階調輝度特性ＴＬＢから得られる、青の入力信号Ｂｘに対応する輝度Ｌ（Ｂｘ）は、青の階調輝度特性ＴＬＢから得られる、第４信号Ｂｑに対応する輝度Ｌ４および第７信号Ｗｊに対応する輝度Ｌｂの和に等しい。輝度Ｌ４は、第４サブ画素の電圧輝度曲線ＶＬＢｑにおけるＡ４に対応する値であり、輝度Ｌｂは、青の有機発光層の電圧輝度曲線ＶＬＢｊにおけるＡ７ｂに対応する値である。
図１５（ｅ）（ｆ）について、緑の階調輝度特性ＴＬＧから得られる、緑の入力信号Ｇｘに対応する輝度Ｌ（Ｇｘ）は、緑の階調輝度特性ＴＬＧから得られる、第３信号Ｇｑに対応する輝度Ｌ３および第７信号Ｗｊに対応する輝度Ｌｇの和に等しい。輝度Ｌ３は、第３サブ画素の電圧輝度曲線ＶＬＧｑにおけるＡ３に対応する値であり、輝度Ｌｇは、緑の有機発光層の電圧輝度曲線ＶＬＧｊにおけるＡ７ｇに対応する値である。
＜第６制御方法＞
図１６は、第６制御方法における、赤・青・緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。図１６では、画素ＰＸの白色の入力信号Ｗｘが、画素ＰＸを含む画像領域の白色階調値平均よりも大きい場合に、第７信号Ｗｊを白色階調値平均と等しくする。また、画素ＰＸの白色の入力信号Ｗｘが、画素ＰＸを含む画像領域の白色階調値平均よりも小さい場合に、第７信号Ｗｊを白色の入力信号Ｗｘと等しくする。
例えば、図１６（ａ）に示すように、Ｗｘ＝１１０、階調値平均＝３０＜Ｗｘであれば、第７信号Ｗｊ＝３０とする。また、例えば、図１６（ｂ）に示すように、Ｗｘ＝４０、階調値平均＝５０＞Ｗｘであれば、第７信号Ｗｊ＝４０とする。第１信号Ｒｑ、第４信号Ｂｑ、第３信号Ｇｑについては、階調輝度特性ＴＬＲ・ＴＬＢ・ＴＬＧ（図１５参照）を用いて求めることができる。
図１７は、第６制御方法における、赤・青・緑の入力信号の別の処理方法を示す模式図である。図１７では、画素ＰＸを含む画像領域に対して、白色の入力信号Ｗｘについてのフィルタ処理を行い、画素ＰＸの白色の入力信号Ｗｘが、画素ＰＸの白色のフィルタ処理値よりも大きい場合には第７信号Ｗｊを白色のフィルタ処理値と等しくし、画素ＰＸの白色の入力信号Ｗｘが、画素ＰＸの白色のフィルタ処理値以下である場合には、第７信号Ｗｊを白色の入力信号Ｗｘと等しくする。
例えば、図１７（ａ）に示すように、Ｗｘ＝２００、フィルタ処理値＝７０＜Ｗｘであれば、第７信号Ｗｊ＝７０とする。また、例えば、図１７（ｂ）に示すように、Ｗｘ＝１０、フィルタ処理値＝２２＞Ｗｘであれば、第７信号Ｗｊ＝１０とする。第１信号Ｒｑ、第４信号Ｂｑ、第３信号Ｇｑについては、階調輝度特性ＴＬＲ・ＴＬＢ・ＴＬＧ（図１５参照）を用いて求めることができる。
第６制御方法によれば、第７サブ画素ＳＰ７の有機発光層の劣化が抑制され、画素間の劣化ばらつきに起因する焼き付き現象を低減させることができる。図１６では、画素領域（ブロック）のサイズ、ＬＰＦのタップ数を３画素×３画素としているが、１０画素×１０画素等、任意に設定可能である。
＜第７制御方法＞
図１８（ａ）は、白色に関する階調輝度特性であり、図１８（ｂ）は、第７制御方法における、赤・青・緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。
図１８（ａ）では、画素ＰＸについて、画素ＰＸの白色の入力信号Ｗｘが白色用閾値Ｗｔよりも低い場合に、第７信号Ｗｊの階調値をゼロとし、画素ＰＸの白色の入力信号Ｗｘが白色用閾値Ｗｔ以上の場合に、第７信号Ｗｊを白色の入力信号Ｗｘと等しくする。
例えば、図１８（ｂ）に示すように、白用閾値Ｗｔ＝３０、Ｗｘ＝２０（＜Ｗｔ）であれば、第７信号Ｗｊ＝０とし、Ｗｘ＝２００（＞Ｗｔ）であれば、第７信号Ｗｊ＝２００とする。第１信号Ｒｑ、第４信号Ｂｑ、第３信号Ｇｑについては、階調輝度特性ＴＬＲ・ＴＬＢ・ＴＬＧ（図１５参照）を用いて求めることができる。
第７制御方法によれば、３色の有機発光層（Ｊ２・Ｊ５・Ｊ６）では階調制御し難い低階調領域を量子ドット発光層（Ｑ１・Ｑ３・Ｑ４）で表示し、高階調領域は発光効率の高い有機発光層（Ｊ２・Ｊ５・Ｊ６）を優先的に発光させることができ、低階調領域の表示品位を向上と高階調領域の消費電力の抑制を図ることができる。
＜第８制御方法＞
図１９は、第８制御方法における、赤・青・緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。
図１９では、画素ＰＸを含む画像領域に対して、白の入力信号についてのフィルタ処理（例えば、２次元ローパスフィルタＬＰＦの適用）を行い、画素ＰＸの白の入力信号Ｗｘが、画素ＰＸの白のフィルタ処理値よりも大きい場合に、第７信号Ｗｊを、白のフィルタ処理値と等しくする。例えば、Ｗｘ＝２５０、フィルタ処理値＝２１０であれば、第７信号Ｗｊ＝２１０とする。第１信号Ｒｑ、第４信号Ｂｑ、第３信号Ｇｑについては、階調輝度特性ＴＬＲ・ＴＬＢ・ＴＬＧ（図１５参照）を用いて求めることができる。
第８制御方法によれば、ピーク輝度表示時の有機発光層の劣化抑制に加え、有機発光層を点灯させることによる消費電力の抑制、および量子ドット発光層を点灯させることによる色再現性の向上を図ることができる。
＜第９制御方法＞
図２０は、第９制御方法における、赤・青・緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。図２０では、ドライバが、画素ＰＸについて、第１信号Ｒｑ、第４信号Ｂｑおよび第３信号Ｇｑに基づくインパルス制御と、第７信号Ｗｊに基づくホールド制御とを行う。
例えば、図２０（ａ）に示すように、Ｗｘ＝２０である（Ｗｘが低階調領域である）場合は、第１信号Ｒｑ＝６０、第４信号Ｂｑ＝９０、第３信号Ｇｑ＝９０、第７信号Ｗｊ＝０として、第１サブ画素ＳＰ１、第４サブ画素ＳＰ４および第３サブ画素ＳＰ３を１フレーム期間の１／３だけ点灯させる（インパルス制御）。
また、例えば、図２０（ｂ）に示すように、Ｗｘ＝１２０である（Ｗｘが低階調領域でない）場合は、例えば、第１信号Ｒｑ＝１９０、第４信号Ｂｑ＝１９０、第３信号Ｇｑ＝１００、第７信号Ｗｊ＝９０として、第１サブ画素ＳＰ１、第４サブ画素ＳＰ４および第３サブ画素ＳＰ３を１フレーム期間の１／３だけ点灯させ（インパルス制御）、第７サブ画素ＳＰ７を１フレーム期間中点灯させる（ホールド制御）。
この場合、階調輝度特性ＴＬＲのＲｘに対応する輝度＝（階調輝度特性ＴＬＲのＲｑに対応する輝度）×１／３＋階調輝度特性ＴＬＲのＷｊに対応する輝度、階調輝度特性ＴＬＢのＢｘに対応する輝度＝（階調輝度特性ＴＬＢのＢｑに対応する輝度）×１／３＋階調輝度特性ＴＬＢのＷｊに対応する輝度、階調輝度特性ＴＬＧのＧｘに対応する輝度＝（階調輝度特性ＴＬＧのＧｑに対応する輝度）×１／３＋階調輝度特性ＴＬＧのＷｊに対応する輝度、の関係となる。
第９制御方法によれば、３色の入力信号の階調値に応じて、量子ドット発光層（Ｑ１・Ｑ４・Ｑ３）のインパルス制御、および有機発光層（Ｊ２・Ｊ６・Ｊ５）のホールド制御を行うことにより、動画の表示品位を向上に加え、低階調領域の表示再現性の向上、および有機発光層の劣化抑制を図ることができる。
〔実施形態３〕
図２１（ａ）は実施形態３の画素の構成を示す平面図であり、図２１（ｂ）は実施形態３の表示装置の構成を示すブロック図である。図２１に示すように、第１発光層Ｑ１は、赤（例えば、赤）を発光する量子ドット発光層を含み、第２発光層Ｊ２は、青（例えば、青）を発光する有機発光層を含み、第３発光層Ｑ３は、緑（例えば、緑）を発光する量子ドット発光層を含む。
第１サブ画素ＳＰ１は、第１画素電極Ｅ１および第１発光層Ｑ１を含み、第２サブ画素ＳＰ２は、第２画素電極Ｅ２および第２発光層Ｊ２を含み、第３サブ画素ＳＰ３は、第３画素電極Ｅ３および第３発光層Ｑ３を含む。
画素ＰＸは、行方向に並ぶ、第１サブ画素ＳＰ１、第３サブ画素ＳＰ３、および第２サブ画素ＳＰ２で構成される。
信号処理回路は、赤の入力信号Ｒｘ、青の入力信号Ｂｘ、および緑の入力信号Ｇｘを受けて、第１サブ画素ＳＰ１に対応する第１信号Ｒｑ、第２サブ画素ＳＰ２に対応する第２信号Ｂｊ、第３サブ画素ＳＰ３に対応する第３信号Ｇｑを生成する。
＜第１０制御方法＞
図２２は、第１０制御方法における、赤・青・緑の入力信号の処理方法を示す模式図である。図２２では、ドライバが、画素ＰＸについて、第１信号Ｒｑおよび第３信号Ｇｑに基づくインパルス制御と、第２信号Ｂｊに基づくホールド制御とを行う。
例えば、図２２（ａ）に示すように、Ｒｘ＝２０、Ｂｘ＝３０、Ｇｘ＝３０である（Ｒｘ・Ｂｘ・Ｇｘが低階調領域である）場合は、第１信号Ｒｑ＝６０、第２信号Ｂｊ＝３０、第３信号Ｇｑ＝９０として、第１サブ画素ＳＰ１および第３サブ画素ＳＰ３を１フレーム期間の１／３だけ点灯させ（インパルス制御）、第２サブ画素ＳＰ２を１フレーム期間中点灯させる（ホールド制御）。
また、例えば、図２２（ｂ）に示すように、Ｒｘ＝１００、Ｂｘ＝１６０、Ｇｘ＝１００である（Ｒｘ・Ｂｘ・Ｇｘが低階調領域でない）場合は、第１信号Ｒｑ＝２４０、第２信号Ｂｊ＝１６０、第３信号Ｇｑ＝２４０として、第１サブ画素ＳＰ１および第３サブ画素ＳＰ３を１フレーム期間の１／３だけ点灯させ（インパルス制御）、第２サブ画素ＳＰ２を１フレーム期間中点灯させる（ホールド制御）。
第１０制御方法によれば、３色の入力信号の階調値に応じて、量子ドット発光層（Ｑ１・Ｑ３）のインパルス制御、および有機発光層（Ｊ２）のホールド制御を行うことにより、動画の表示品位を向上に加え、低階調領域の表示再現性の向上、および有機発光層の劣化抑制を図ることができる。
〔実施形態４〕
図２３（ａ）は実施形態４の画素の構成を示す平面図であり、図２３（ｂ）は実施形態４の表示装置の構成を示すブロック図である。図２３に示すように、第１発光層Ｑ１は、赤の光を発する量子ドット発光層を含み、第２発光層Ｊ２は、青の光を発する有機発光層を含み、第３発光層Ｑ３は、緑の光を発する量子ドット発光層を含み、第５発光層Ｊ５は、緑の光を発する有機発光層を含む。
第１サブ画素ＳＰ１は、第１画素電極Ｅ１および第１発光層Ｑ１を含み、第２サブ画素ＳＰ２は、第２画素電極Ｅ２および第２発光層Ｊ２を含み、第３サブ画素ＳＰ３は、第３画素電極Ｅ３および第３発光層Ｑ３を含み、第５サブ画素ＳＰ５は、第５画素電極Ｅ５および第５発光層Ｊ５を含む。
画素ＰＸは、行方向に並ぶ、第１サブ画素ＳＰ１、第３サブ画素ＳＰ３、第５サブ画素ＳＰ５、および第２サブ画素ＳＰ２で構成される。
信号処理回路は、赤の入力信号Ｒｘ、青の入力信号Ｂｘ、および緑の入力信号Ｇｘを受けて、第１サブ画素ＳＰ１に対応する第１信号Ｒｑ、第２サブ画素ＳＰ２に対応する第２信号Ｂｊ、第３サブ画素ＳＰ３に対応する第３信号Ｇｑ、第５サブ画素ＳＰ５に対応する第５信号Ｇｊを生成する。
本実施形態では、実施形態１で説明した第１制御方法、第２制御方法、第３制御方法、第４制御方法および第５制御方法を行うことができる。
＜第１制御方法＞
実施形態４では、第３サブ画素ＳＰ３に対応する第３信号Ｇｑ、第５サブ画素ＳＰ５に対応する第５信号Ｇｊについて、図６（ｃ）および図９の制御方法を適用することができる。
＜第２制御方法＞
実施形態４では、第３サブ画素ＳＰ３に対応する第３信号Ｇｑ、第５サブ画素ＳＰ５に対応する第５信号Ｇｊについて、図１０（ｃ）の制御方法を適用することができる。
＜第３制御方法＞
実施形態４では、第３サブ画素ＳＰ３に対応する第３信号Ｇｑ、第５サブ画素ＳＰ５に対応する第５信号Ｇｊについて、図１１（ｄ）の制御方法を適用することができる。
＜第４制御方法＞
実施形態４では、第３サブ画素ＳＰ３に対応する第３信号Ｇｑ、第５サブ画素ＳＰ５に対応する第５信号Ｇｊについて、図１２（ｃ）の制御方法を適用することができる。
＜第５制御方法＞
実施形態４では、第３サブ画素ＳＰ３に対応する第３信号Ｇｑ、第５サブ画素ＳＰ５に対応する第５信号Ｇｊについて、図１３（ｃ）の制御方法を適用することができる。
〔実施形態５〕
図２４（ａ）は実施形態５の画素の構成を示す平面図であり、図２４（ｂ）は実施形態５の表示装置の構成を示すブロック図である。図２４に示すように、第１発光層Ｑ１は、赤の光を発する量子ドット発光層を含み、第２発光層Ｊ２は、青の光を発する有機発光層を含み、第３発光層Ｑ３は、緑の光を発する量子ドット発光層を含み、第４発光層Ｑ４は、青の光を発する量子ドット発光層を含む。
第１サブ画素ＳＰ１は、第１画素電極Ｅ１および第１発光層Ｑ１を含み、第２サブ画素ＳＰ２は、第２画素電極Ｅ２および第２発光層Ｊ２を含み、第３サブ画素ＳＰ３は、第３画素電極Ｅ３および第３発光層Ｑ３を含み、第４サブ画素ＳＰ４は、第４画素電極Ｅ４および第４発光層Ｑ４を含む。
画素ＰＸは、行方向に並ぶ、第１サブ画素ＳＰ１および第４サブ画素ＳＰ４と、第１サブ画素ＳＰ１と列方向に隣接する第２サブ画素ＳＰ２と、第４サブ画素ＳＰ４と列方向に隣接する第３サブ画素ＳＰ３とで構成される。
信号処理回路は、赤の入力信号Ｒｘ、青の入力信号Ｂｘ、および緑の入力信号Ｇｘを受けて、第１サブ画素ＳＰ１に対応する第１信号Ｒｑ、第２サブ画素ＳＰ２に対応する第２信号Ｂｊ、第３サブ画素ＳＰ３に対応する第３信号Ｇｑ、第４サブ画素ＳＰ４に対応する第４信号Ｂｑを生成する。
本実施形態では、実施形態１で説明した第１制御方法、第２制御方法、第３制御方法、第４制御方法および第５制御方法を行うことができる。
＜第１制御方法＞
実施形態５では、第２サブ画素ＳＰ２に対応する第２信号Ｂｊ、第４サブ画素ＳＰ４に対応する第４信号Ｂｑについて、図６（ｂ）および図８の制御方法を適用することができる。
＜第２制御方法＞
実施形態５では、第２サブ画素ＳＰ２に対応する第２信号Ｂｊ、第４サブ画素ＳＰ４に対応する第４信号Ｂｑについて、図１０（ｂ）の制御方法を適用することができる。
＜第３制御方法＞
実施形態５では、第２サブ画素ＳＰ２に対応する第２信号Ｂｊ、第４サブ画素ＳＰ４に対応する第４信号Ｂｑについて、図１１（ｃ）の制御方法を適用することができる。
＜第４制御方法＞
実施形態５では、第２サブ画素ＳＰ２に対応する第２信号Ｂｊ、第４サブ画素ＳＰ４に対応する第４信号Ｂｑについて、図１２（ｂ）の制御方法を適用することができる。
＜第５制御方法＞
実施形態５では、第２サブ画素ＳＰ２に対応する第２信号Ｂｊ、第４サブ画素ＳＰ４に対応する第４信号Ｂｑについて、図１３（ｂ）の制御方法を適用することができる。
上述の各実施形態は、例示および説明を目的とするものであり、限定を目的とするものではない。これら例示および説明に基づけば、多くの変形形態が可能になることが、当業者には明らかである。
２ 表示装置
４ 薄膜トランジスタ層
５ 発光素子層
６ 封止層
１２ 基板
１６ ゲート絶縁膜
１８ 第１層間絶縁膜
２０ 第２層間絶縁膜
２１ 平坦化膜
２２ 第１電極
２３ エッジカバー膜
２４ ＥＬ層
２５ 第２電極
Ｘ 発光素子
ＳＰ１～ＳＰ６ 第１～第６サブ画素
Ｅ１～Ｅ６ 第１～第６画素電極
Ｑ１・Ｑ３・Ｑ４ 量子ドット発光層
Ｊ２・Ｊ５・Ｊ６ 有機発光層

Claims (35)

  1. 第１トランジスタと電気的に接続する第１画素電極と、
    第２トランジスタと電気的に接続し、前記第１画素電極と同層に形成される第２画素電極と、
    前記第１画素電極よりも上層に形成され、前記第１画素電極と重畳する第１発光層と、
    前記第２画素電極よりも上層に形成され、前記第２画素電極と重畳する第２発光層と、を備え、
    前記第１発光層は、第１色を発光する量子ドット発光層を含み、
    前記第２発光層は、前記第１色と異なる第２色を発光する有機発光層を含み、
    前記第１画素電極を含む第１サブ画素と、
    前記第２画素電極を含む第２サブ画素と、
    前記第１色の入力信号および前記第２色の入力信号を受けて、前記第１サブ画素に対応する第１信号と前記第２サブ画素に対応する第２信号とを生成する信号処理回路と、を備え、
    前記第２信号に基づくホールド制御と、前記第１信号に基づくインパルス制御とを行うドライバを備える表示装置。
  2. 第３トランジスタと電気的に接続し、前記第１画素電極と同層に形成される第３画素電極と、
    前記第３画素電極よりも上層に形成され、前記第３画素電極と重畳する第３発光層と、を備え、
    前記第３発光層は、前記第１色および前記第２色と異なる第３色を発光する量子ドット発光層を含む請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記第３画素電極を含む第３サブ画素を備え、
    前記信号処理回路は、第３色の入力信号を受けて、前記第３サブ画素に対応する第３信号を生成する請求項２に記載の表示装置。
  4. 第４トランジスタと電気的に接続し、前記第１画素電極と同層に形成される第４画素電極と、
    前記第４画素電極よりも上層に形成され、前記第４画素電極と重畳する第４発光層と、を備え、
    前記第４発光層は、前記第２色を発光する量子ドット発光層を含む請求項１に記載の表示装置。
  5. 前記第４画素電極を含む第４サブ画素を備え、
    前記信号処理回路は、前記第４サブ画素に対応する第４信号を生成する請求項４に記載の表示装置。
  6. 前記第２サブ画素および前記第４サブ画素を含む画素について、
    前記第２色の入力信号に対応する前記第２色の輝度は、前記第２信号に対応する前記第２サブ画素の輝度と、前記第４信号に対応する前記第４サブ画素の輝度との加算に等しい、請求項５に記載の表示装置。
  7. 前記信号処理回路は、前記画素の前記第２色の入力信号が、前記画素を含む画像領域の第２色階調値平均よりも大きい場合に、前記第２信号を前記第２色階調値平均と等しくする、請求項６に記載の表示装置。
  8. 前記信号処理回路は、前記画素を含む画像領域に対して、前記第２色の入力信号についてのフィルタ処理を行い、
    前記画素の前記第２色の入力信号が、前記画素の前記第２色のフィルタ処理値よりも大きい場合に、前記第２信号を、前記第２色のフィルタ処理値と等しくし、
    前記画素の前記第２色の入力信号が、前記画素の前記第２色のフィルタ処理値以下である場合には、前記第４信号の階調値を０とする、請求項６に記載の表示装置。
  9. 前記信号処理回路は、前記画素の前記第２色の入力信号が第２色用閾値よりも低い場合に、前記第４信号を前記第２信号よりも高い階調値とする、請求項６に記載の表示装置。
  10. 前記信号処理回路は、前記画素の前記第２色の入力信号が第２色用閾値以上の場合に、前記第２信号を前記第４信号よりも高い階調値とする、請求項６に記載の表示装置。
  11. 前記信号処理回路は、表示色域モードに応じて、前記第２色の入力信号に対する前記第２信号および前記第４信号の階調値を設定する、請求項６に記載の表示装置。
  12. 前記第２信号に基づくホールド制御と、前記第４信号に基づくインパルス制御とを行うドライバを備える、請求項５から１１のいずれか１項に記載の表示装置。
  13. 第３トランジスタと電気的に接続し、前記第１画素電極と同層に形成される第３画素電極と、
    前記第３画素電極よりも上層に形成され、前記第３画素電極と重畳する第３発光層と、を備え、
    前記第３発光層は、前記第１色および前記第２色と異なる第３色を発光する量子ドット発光層を含む請求項４から１１のいずれか１項に記載の表示装置。
  14. 第５トランジスタと電気的に接続し、前記第１画素電極と同層に形成される第５画素電極と、
    前記第５画素電極よりも上層に形成され、前記第５画素電極と重畳する第５発光層と、を備え、
    前記第５発光層は、前記第３色を発光する有機発光層を含む請求項３に記載の表示装置。
  15. 前記第５画素電極を含む第５サブ画素を備え、
    前記信号処理回路は、前記第５サブ画素に対応する第５信号を生成する請求項１４に記載の表示装置。
  16. 前記信号処理回路は、表示色域モードに応じて、前記第３色の入力信号に対する前記第３信号および前記第５信号の階調値を設定する、請求項１５に記載の表示装置。
  17. 前記第５信号に基づくホールド制御と、前記第３信号に基づくインパルス制御とを行うドライバを備える、請求項１５または１６に記載の表示装置。
  18. 第４トランジスタと電気的に接続し、前記第１画素電極と同層に形成される第４画素電極と、
    第５トランジスタと電気的に接続し、前記第１画素電極と同層に形成される第５画素電極と、
    第６トランジスタと電気的に接続し、前記第１画素電極と同層に形成される第６画素電極と、
    前記第４画素電極よりも上層に形成され、前記第４画素電極と重畳する第４発光層と、を備え、
    前記第５画素電極よりも上層に形成され、前記第５画素電極と重畳する第５発光層と、
    を備え、
    前記第６画素電極よりも上層に形成され、前記第６画素電極と重畳する第６発光層と、を備え、
    前記第４発光層は、前記第２色を発光する量子ドット発光層を含み、
    前記第５発光層は、前記第３色を発光する有機発光層を含み、
    前記第６発光層は、前記第１色を発光する有機発光層を含む、請求項３に記載の表示装置。
  19. 前記第４画素電極を含む第４サブ画素と、
    前記第５画素電極を含む第５サブ画素と、
    前記第６画素電極を含む第６サブ画素と、を備え、
    前記信号処理回路は、前記第４サブ画素に対応する第４信号と、前記第５サブ画素に対応する第５信号と、前記第６サブ画素に対応する第６信号とを生成する、請求項１８に記載の表示装置。
  20. 前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第３サブ画素、前記第４サブ画素、前記第５サブ画素、および前記第６サブ画素を含む画素について、
    前記第１色の入力信号に対応する前記第１色の輝度は、前記第１信号に対応する前記第１サブ画素の輝度と、前記第６信号に対応する前記第６サブ画素の輝度との加算に等しく、
    前記第２色の入力信号に対応する前記第２色の輝度は、前記第２信号に対応する前記第２サブ画素の輝度と、前記第４信号に対応する前記第４サブ画素の輝度との加算に等しく、
    前記第３色の入力信号に対応する前記第３色の輝度は、前記第３信号に対応する前記第３サブ画素の輝度と、前記第５信号に対応する前記第５サブ画素の輝度との加算に等しい、請求項１９に記載の表示装置。
  21. 前記信号処理回路は、
    前記画素の前記第１色の入力信号が、前記画素を含む画像領域の第１色階調値平均よりも大きい場合に、前記第６信号を前記第１色階調値平均と等しくし、
    前記画素の前記第２色の入力信号が、前記画素を含む前記画像領域の第２色階調値平均よりも大きい場合に、前記第２信号を前記第２色階調値平均と等しくし、
    前記画素の前記第３色の入力信号が、前記画素を含む前記画像領域の第３色階調値平均よりも大きい場合に、前記第５信号を前記第３色階調値平均と等しくする、請求項２０に記載の表示装置。
  22. 前記信号処理回路は、前記画素を含む画像領域に対して、前記第１色の入力信号、前記第２色の入力信号、および前記第３色の入力信号それぞれについてのフィルタ処理を行い、
    前記画素の前記第１色の入力信号が、前記画素の前記第１色のフィルタ処理値よりも大きい場合に、前記第６信号を、前記第１色のフィルタ処理値と等しくする一方、前記画素の前記第１色の入力信号が、前記画素の前記第１色のフィルタ処理値以下である場合には、前記第１信号の階調値を０とし、
    前記画素の前記第２色の入力信号が、前記画素の前記第２色のフィルタ処理値よりも高い場合に、前記第２信号を、前記第２色のフィルタ処理値と等しくする一方、前記画素の前記第２色の入力信号が、前記画素の前記第２色のフィルタ処理値以下である場合には、前記第４信号の階調値を０とし、
    前記画素の前記第３色の入力信号が、前記画素の前記第３色のフィルタ処理値よりも大きい場合に、前記第５信号を、前記第３色のフィルタ処理値と等しくする一方、前記画素の前記第３色の入力信号が、前記画素の前記第３色のフィルタ処理値以下である場合には、前記第３信号の階調値を０とする、請求項２０に記載の表示装置。
  23. 前記信号処理回路は、
    前記画素の前記第１色の入力信号が第１色用閾値よりも低い場合に、前記第１信号を前記第６信号よりも高い階調値とし、
    前記画素の前記第２色の入力信号が第２色用閾値よりも低い場合に、前記第４信号を前記第２信号よりも高い階調値とし、
    前記画素の前記第３色の入力信号が第３色用閾値よりも低い場合に、前記第３信号を前記第５信号よりも高い階調値とする、請求項２０に記載の表示装置。
  24. 前記信号処理回路は、
    前記画素の前記第１色の入力信号が第１色用閾値以下の場合に、前記第６信号を前記第１信号よりも高い階調値とし、
    前記画素の前記第２色の入力信号が第２色用閾値以下の場合に、前記第２信号を前記第４信号よりも高い階調値とし、
    前記画素の前記第３色の入力信号が第３色用閾値以下の場合に、前記第５信号を前記第３信号よりも高い階調値とする、請求項２０に記載の表示装置。
  25. 表示色域モードに応じて、前記第１色の入力信号に対する前記第１信号および前記第６信号の階調値と、前記第２色の入力信号に対する前記第２信号および前記第４信号の階調値と、前記第３色の入力信号に対する前記第３信号および前記第５信号の階調値とを設定する、請求項１９に記載の表示装置。
  26. 前記第２信号、前記第５信号および前記第６信号に基づくホールド制御と、前記第１信号、前記第３信号、および前記第４信号に基づくインパルス制御とを行うドライバを備える、請求項１９～２５のいずれか１項に記載の表示装置。
  27. 第３トランジスタと電気的に接続し、前記第１画素電極と同層に形成される第３画素電極と、
    第４トランジスタと電気的に接続し、前記第１画素電極と同層に形成される第４画素電極と、
    前記第３画素電極よりも上層に形成され、前記第３画素電極と重畳する第３発光層と、
    前記第４画素電極よりも上層に形成され、前記第４画素電極と重畳する第４発光層と、を備え、
    前記第３発光層は、前記第１色および前記第２色と異なる第３色を発光する量子ドット発光層を含み、
    前記第４発光層は、前記第１色、前記第２色および前記第３色とは異なる第４色を発光する量子ドット発光層を含み、
    前記第２色は白色である、請求項１に記載の表示装置。
  28. 前記第１画素電極を含む前記第１サブ画素と、
    前記第３画素電極を含む第３サブ画素と、
    前記第４画素電極を含む第４サブ画素と、
    前記第２画素電極を含む第７サブ画素と、
    前記第１色の入力信号、前記第３色の入力信号、および前記第４色の入力信号を受けて、前記第１サブ画素に対応する前記第１信号と、前記第３サブ画素に対応する第３信号と、前記第４サブ画素に対応する第４信号と、前記第７サブ画素に対応する第７信号とを生成する前記信号処理回路と、
    を備える、請求項２７に記載の表示装置。
  29. 前記信号処理回路は、前記第１色の入力信号、前記第３色の入力信号、および前記第４色の入力信号から白色の入力信号を生成し、
    前記白色の入力信号を用いて前記第７信号を生成する前記信号処理回路と、を備える、請求項２８に記載の表示装置。
  30. 前記第１サブ画素、前記第３サブ画素、前記第４サブ画素、および前記第７サブ画素を含む画素について、
    前記第１色の入力信号に対応する前記第１色の輝度は、前記第１信号に対応する前記第１サブ画素の輝度と、前記第７信号に対応する、前記第７サブ画素の前記第１色の輝度との加算に等しく、
    前記第３色の入力信号に対応する前記第３色の輝度は、前記第３信号に対応する前記第３サブ画素の輝度と、前記第７信号に対応する、前記第７サブ画素の前記第３色の輝度との加算に等しく、
    前記第４色の入力信号に対応する前記第４色の輝度は、前記第４信号に対応する前記第４サブ画素の輝度と、前記第７信号に対応する、前記第７サブ画素の前記第４色の輝度との加算に等しい、請求項２９に記載の表示装置。
  31. 前記信号処理回路は、前記画素の前記白色の入力信号が、前記画素を含む画像領域の白色階調値平均よりも大きい場合に、前記第７信号を前記白色階調値平均と等しくする、請求項３０に記載の表示装置。
  32. 前記信号処理回路は、前記画素を含む画像領域に対して、前記白色の入力信号についてのフィルタ処理を行い、
    前記画素の前記白色の入力信号が、前記画素の前記白色のフィルタ処理値よりも大きい場合に前記第７信号を前記白色のフィルタ処理値と等しくし、
    前記画素の前記白色の入力信号が、前記画素の前記白色のフィルタ処理値以下である場合には、前記第７信号を前記白色の入力信号と等しくする、請求項３０に記載の表示装置。
  33. 前記信号処理回路は、
    前記画素の前記白色の入力信号が白色用閾値よりも低い場合に、前記第７信号の階調値をゼロとする、請求項３０に記載の表示装置。
  34. 前記信号処理回路は、
    前記画素の前記白色の入力信号が白色用閾値以上の場合に、前記第７信号を前記白色の入力信号と等しくする、請求項３０に記載の表示装置。
  35. 前記第７信号に基づくホールド制御と、前記第１信号、前記第３信号、および前記第４信号に基づくインパルス制御とを行うドライバを備える、請求項２８～３４のいずれか１項に記載の表示装置。
JP2021573645A 2020-01-27 2020-01-27 表示装置 Active JP7329080B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023127424A JP7482299B2 (ja) 2020-01-27 2023-08-04 表示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2020/002821 WO2021152672A1 (ja) 2020-01-27 2020-01-27 表示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023127424A Division JP7482299B2 (ja) 2020-01-27 2023-08-04 表示装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2021152672A1 JPWO2021152672A1 (ja) 2021-08-05
JPWO2021152672A5 JPWO2021152672A5 (ja) 2022-09-21
JP7329080B2 true JP7329080B2 (ja) 2023-08-17

Family

ID=77079582

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021573645A Active JP7329080B2 (ja) 2020-01-27 2020-01-27 表示装置
JP2023127424A Active JP7482299B2 (ja) 2020-01-27 2023-08-04 表示装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023127424A Active JP7482299B2 (ja) 2020-01-27 2023-08-04 表示装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11804182B2 (ja)
JP (2) JP7329080B2 (ja)
WO (1) WO2021152672A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024142375A1 (ja) * 2022-12-28 2024-07-04 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 制御装置、表示装置及び表示パネルの制御方法

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006215559A (ja) 2005-02-03 2006-08-17 Toppoly Optoelectronics Corp 有機発光ディスプレイ装置およびその画像を表示する方法
JP2007122033A (ja) 2005-09-30 2007-05-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び電子機器
US20090128458A1 (en) 2007-11-16 2009-05-21 Hyo-Seok Kim Organic light emitting diode display
US20090261715A1 (en) 2008-04-22 2009-10-22 Un-Cheol Sung Organic light emitting display device
US20130175514A1 (en) 2012-01-09 2013-07-11 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US20160248029A1 (en) 2014-07-09 2016-08-25 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Oled pixel structure
CN105932028A (zh) 2016-06-07 2016-09-07 深圳市华星光电技术有限公司 自发光显示装置
CN106601923A (zh) 2016-12-19 2017-04-26 华南理工大学 一种有机、无机量子点杂化的全彩显示器件及其制备方法
CN107527942A (zh) 2017-09-05 2017-12-29 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其制备方法
CN107611274A (zh) 2017-09-05 2018-01-19 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及有机发光显示装置
US20180108872A1 (en) 2016-05-03 2018-04-19 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Self-luminous display device and manufacturing method thereof
US20180130853A1 (en) 2014-12-11 2018-05-10 Guanzhou Chinaray Optoelectronic Materials Ltd. Display component and manufacturing method therefor
US20180261783A1 (en) 2017-03-09 2018-09-13 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting display device
CN109473560A (zh) 2018-11-19 2019-03-15 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、车载显示装置
CN109616504A (zh) 2018-12-12 2019-04-12 惠科股份有限公司 显示面板

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1770676B1 (en) 2005-09-30 2017-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
TWI559525B (zh) * 2012-12-27 2016-11-21 Ｌｇ顯示器股份有限公司 有機發光二極體顯示裝置及其製造方法
JP2015216059A (ja) 2014-05-12 2015-12-03 株式会社ジャパンディスプレイ 発光素子表示装置
CN104253247A (zh) 2014-10-13 2014-12-31 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件的制备方法及其制得的oled器件
US10192932B2 (en) * 2016-02-02 2019-01-29 Apple Inc. Quantum dot LED and OLED integration for high efficiency displays
US10467952B2 (en) 2016-10-12 2019-11-05 Shaoher Pan Integrated light-emitting diode arrays for displays
GB201806530D0 (en) 2018-04-21 2018-06-06 Savvy Science Ltd Pixel arrangement comprising a perovskite light emitting diode
CN110797376A (zh) * 2019-10-10 2020-02-14 复旦大学 一种双面显示装置

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006215559A (ja) 2005-02-03 2006-08-17 Toppoly Optoelectronics Corp 有機発光ディスプレイ装置およびその画像を表示する方法
JP2007122033A (ja) 2005-09-30 2007-05-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び電子機器
US20090128458A1 (en) 2007-11-16 2009-05-21 Hyo-Seok Kim Organic light emitting diode display
US20090261715A1 (en) 2008-04-22 2009-10-22 Un-Cheol Sung Organic light emitting display device
US20130175514A1 (en) 2012-01-09 2013-07-11 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US20160248029A1 (en) 2014-07-09 2016-08-25 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Oled pixel structure
US20180130853A1 (en) 2014-12-11 2018-05-10 Guanzhou Chinaray Optoelectronic Materials Ltd. Display component and manufacturing method therefor
US20180108872A1 (en) 2016-05-03 2018-04-19 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Self-luminous display device and manufacturing method thereof
CN105932028A (zh) 2016-06-07 2016-09-07 深圳市华星光电技术有限公司 自发光显示装置
CN106601923A (zh) 2016-12-19 2017-04-26 华南理工大学 一种有机、无机量子点杂化的全彩显示器件及其制备方法
US20180261783A1 (en) 2017-03-09 2018-09-13 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting display device
CN107611274A (zh) 2017-09-05 2018-01-19 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及有机发光显示装置
CN107527942A (zh) 2017-09-05 2017-12-29 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其制备方法
CN109473560A (zh) 2018-11-19 2019-03-15 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、车载显示装置
CN109616504A (zh) 2018-12-12 2019-04-12 惠科股份有限公司 显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021152672A1 (ja) 2021-08-05
US20230419909A1 (en) 2023-12-28
US20230063949A1 (en) 2023-03-02
JP2023153948A (ja) 2023-10-18
JPWO2021152672A1 (ja) 2021-08-05
JP7482299B2 (ja) 2024-05-13
US11804182B2 (en) 2023-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10840306B2 (en) Organic light emitting diode display
US10615229B2 (en) Display device including a plurality of normal pixels and dummy pixels in the display area
JP6219656B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置
KR102546985B1 (ko) 대면적 초고해상도 평판 표시장치
TWI702452B (zh) 有機發光顯示裝置
JP7117131B2 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
CN111063711A (zh) 双面显示面板及其制备方法
KR102607376B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20160082760A (ko) 양자점을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치
KR20120134222A (ko) 백색 유기발광다이오드 표시소자
WO2016132954A1 (ja) エレクトロルミネッセンス装置
JP7482299B2 (ja) 表示装置
WO2020026307A1 (ja) 表示デバイス
JP2007059124A (ja) 表示装置
KR20200141548A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20180077834A (ko) 전계발광 표시장치
KR20160134918A (ko) 유기 발광 표시 장치
WO2020065992A1 (ja) 表示デバイス
KR20150060200A (ko) 유기발광 표시장치
JP2015069757A (ja) 有機ｅｌ表示装置
KR20150113422A (ko) 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
CN113711291B (zh) 显示装置
WO2021149237A1 (ja) ディスプレイおよびディスプレイの駆動方法
JP7312697B2 (ja) 表示装置および電子機器
KR102309842B1 (ko) 유기 발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220711

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220711

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230718

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230804

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7329080

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150