WO2020026307A1 - 表示デバイス - Google Patents

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WO2020026307A1
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成継 山中
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • Patent Document 1 discloses a display panel in which sub-pixels including OLEDs (organic light-emitting diodes) are arranged in a matrix.
  • OLEDs organic light-emitting diodes
  • a display device includes a plurality of data signal lines, a plurality of scanning signal lines, and a plurality of sub-pixels, and each sub-pixel includes a light-emitting element and one of the plurality of data signal lines.
  • a drive transistor for controlling a current of the light emitting element the display device comprising: a first data signal line; a first data signal line adjacent to the first data signal line; And a plurality of sub-pixels arranged along the first data signal line, adjacent sub-pixels emit light of different colors, and one of the conduction terminals of each writing transistor is connected to the second sub-pixel.
  • adjacent sub-pixels emit light of different colors and write
  • One conduction terminal of the look transistor is connected to the second data signal line and electrically.
  • a display quality problem caused by deterioration of a transistor connected to a specific data line can be improved.
  • FIG. 2A is a cross-sectional view illustrating a configuration of the display device in FIG. 1, and FIG. 2B is a circuit diagram of a sub-pixel.
  • FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a sub-pixel array according to the first embodiment.
  • (A) is a graph showing a relationship between a gradation and a data signal
  • (b) is a graph showing a relationship between a data signal and a drive current
  • (c) is an effective voltage of each data signal line in a reference example.
  • (D) is a table showing the effective voltage of each data signal line in the first embodiment.
  • It is a schematic diagram which shows the comparative example of a sub-pixel arrangement.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating another example of a sub-pixel array according to the first embodiment.
  • FIG. 9 is a schematic diagram illustrating a sub-pixel array according to the second embodiment. It is a schematic diagram which shows the comparative example of a sub-pixel arrangement.
  • FIG. 7A is a cross-sectional view illustrating a dot configuration according to a second embodiment
  • FIG. 7B is a circuit diagram illustrating a dot configuration.
  • FIG. 14 is a schematic diagram illustrating another example of a sub-pixel array according to the second embodiment.
  • FIG. 14 is a schematic diagram illustrating a sub-pixel array according to a third embodiment.
  • (A) is a circuit diagram showing a dot configuration of the third embodiment
  • (b) is a plan view showing a dot configuration
  • (c) is a cross-sectional view showing a dot configuration.
  • (A) is a circuit diagram showing a dot configuration of another example of Embodiment 3
  • (b) is a plan view showing a dot configuration
  • (c) is a cross-sectional view showing a dot configuration.
  • (A) and (b) are timing charts showing signal waveforms of a scanning signal line and a control line.
  • the same layer means that they are formed in the same process (film formation step), and “lower layer” means that they are formed in a process before (before) the layer to be compared. “Upper layer” means that the layer is formed in a process subsequent to the layer to be compared.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view illustrating the configuration of the display device of FIG. 1, and FIG. 1B is a circuit diagram of a sub-pixel.
  • the display device 2 includes a barrier layer 3, a TFT layer 4, a light emitting element layer 5, a sealing layer 6, and a functional layer 39, which are stacked on a base material 10.
  • the substrate 10 is preferably a glass substrate, a flexible substrate including a resin layer, or the like.
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents foreign substances such as water and oxygen from entering the TFT layer 4 and the light emitting element layer 5.
  • the TFT layer 4 includes a semiconductor film 15, an inorganic insulating film 16 (gate insulating film) above the semiconductor film 15, a gate electrode GE above the inorganic insulating film 16, and an inorganic layer above the gate electrode GE. Insulating films 18 and 20, a source wiring SH above the inorganic insulating film 20, and a planarizing film 21 above the source wiring SH are included.
  • the scanning signal line is formed in the same layer as the gate electrode GE, and the data signal line is formed in the same layer as the source wiring SH.
  • the semiconductor film 15 is made of, for example, low-temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor (eg, an In—Ga—Zn—O-based semiconductor), and a transistor (TFT) is formed to include the semiconductor film 15 and the gate electrode GE. Is done.
  • the transistor is illustrated as having a top-gate structure, but may have a bottom-gate structure.
  • the gate electrode GE and the source wiring SH are formed of, for example, a single-layer film or a stacked film of a metal containing at least one of aluminum, tungsten, molybdenum, tantalum, chromium, titanium, and copper.
  • the inorganic insulating films 16, 18, and 20 can be composed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a stacked film of these films formed by a CVD method.
  • the flattening film 21 can be made of a coatable organic material such as polyimide or acrylic.
  • the light emitting element layer 5 includes an anode (first electrode) 22 above the flattening film 21, an insulating edge cover 23 covering the edge of the anode 22, and an EL (electroluminescence) layer above the edge cover 23. 24 and a cathode (second electrode) 25 above the EL layer 24.
  • the edge cover 23 is formed, for example, by applying an organic material such as polyimide or acrylic resin and then patterning the same by photolithography.
  • a light emitting element ES (for example, OLED: organic light emitting diode, QLED: quantum dot light emitting diode) including an island-shaped anode 22, EL layer 24, and cathode 25 is formed in the light emitting element layer 5, and a control circuit of the light emitting element ES is provided.
  • a sub-pixel is formed on the TFT layer 4 and includes the light emitting element ES and its control circuit.
  • the display device 2 includes a plurality of red (R) sub-pixels, a plurality of green (G) sub-pixels, and a plurality of blue (B) sub-pixels.
  • the red sub-pixel Pr includes a writing transistor Ts, a driving transistor Td, and a red light emitting element ES, and the anode of the light emitting element ES has a high potential via the driving transistor Td.
  • Side power supply line (ELVDD line)
  • the gate terminal of the drive transistor Td is connected to the data signal line DL via the write transistor Ts
  • one conductive terminal of the write transistor Ts is connected to the data signal line DL, and the other.
  • the gate terminal of the writing transistor Ts is connected to the scanning signal line SCn.
  • the cathode of the light emitting element ES is shared between the sub-pixels.
  • the EL layer 24 is formed by, for example, stacking a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in this order from the lower layer side.
  • the light emitting layer is formed in an island shape by an evaporation method or an ink jet method so as to overlap the opening of the edge cover 23.
  • Other layers are formed in an island shape or a solid shape (common layer). Further, a configuration in which one or more of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer are not formed is also possible.
  • an FMM fine metal mask
  • the FMM is a sheet having a large number of openings (for example, made of Invar material), and an organic substance that has passed through one opening forms an island-shaped light-emitting layer.
  • the light emitting layer of the QLED can form an island-shaped light emitting layer (corresponding to one sub-pixel), for example, by inkjet coating a solvent in which quantum dots are diffused.
  • the anode (anode) 22 is made of, for example, a laminate of ITO (Indium Tin Oxide) and Ag (silver) or an alloy containing Ag, and has light reflectivity.
  • the cathode (cathode) 25 can be made of a light-transmitting conductive material such as an MgAg alloy (extremely thin film), ITO, or IZO (Indium Zinc Oxide).
  • the light emitting element ES is an OLED
  • holes and electrons are recombined in the light emitting layer due to a driving current between the anode 22 and the cathode 25, and light is emitted in a process in which the generated excitons transition to the ground state.
  • the cathode 25 is translucent and the anode 22 is light-reflective, the light emitted from the EL layer 24 goes upward, and becomes top emission.
  • the light emitting device ES is a QLED
  • holes and electrons are recombined in the light emitting layer due to the driving current between the anode 22 and the cathode 25, and the excitons generated by the recombination generate conduction band levels of the quantum dots.
  • Light (fluorescence) is emitted in the process of transitioning from to the valence band (valence band).
  • a light emitting element (such as an inorganic light emitting diode) other than the OLED and QLED may be formed in the light emitting element layer 5.
  • the sealing layer 6 is translucent, and covers an inorganic sealing film 26 covering the cathode 25, an organic buffer film 27 above the inorganic sealing film 26, and an inorganic sealing film 28 above the organic buffer film 27. And The sealing layer 6 covering the light emitting element layer 5 prevents foreign substances such as water and oxygen from penetrating into the light emitting element layer 5.
  • the functional film 39 has, for example, at least one of an optical compensation function, a touch sensor function, and a protection function.
  • FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a sub-pixel array according to the first embodiment.
  • a plurality of sub-pixels are arranged in a matrix, and for example, a plurality of sub-pixels Pr, Pg, Pb having different emission colors are connected to a scanning signal line SCn.
  • the number of light emission colors of the plurality of sub-pixels connected to each data signal line is 3, and the data signal lines are connected to four consecutive data signal lines DL1, DL2, DL3, and DL4 (first to fourth data signal lines).
  • the sub-pixel column Y1 connected to DL1, the sub-pixel column Y2 connected to the data signal line DL2, the sub-pixel column Y3 connected to the data signal line DL3, and the sub-pixel column Y4 connected to the data signal line DL4 each have a plurality of red pixels.
  • phase indicating the order of the sub-pixel colors includes a plurality of sub-pixels Pr, Pb, and Pg periodically arranged with the pixel Pg as one cycle, and the phase indicating the order of the sub-pixel colors is set to the data signal line Y1 connected to the data signal line DL1.
  • the sub-pixel column Y2 connected to DL2 is advanced by ⁇ cycle (displaced downward by one sub-pixel), and the Y3 connected to the data signal line DL3 is advanced by / cycle (down by two sub-pixels). Is shifted).
  • Y4 connected to the data signal line DL4 has the same phase as the sub-pixel column Y1 (the order of the sub-pixel colors is the same).
  • adjacent sub-pixels For a plurality of sub-pixels along the data signal line DL1 (connected to the data signal line DL1), adjacent sub-pixels emit light of different colors, and along the data signal line DL2 (connected to the data signal line DL2). For a plurality of sub-pixels, adjacent sub-pixels emit light of different colors. Two adjacent sub-pixels, one connected to the data signal line DL1 and the other connected to the data signal line DL2, emit light of different colors. Note that a wiring other than the data signal line may be provided between the adjacent data signal lines DL1 and DL2.
  • a plurality of red sub-pixels Pr, a plurality of blue sub-pixels Pb, and a plurality of green sub-pixels are connected to a sub-pixel column connected to each data signal line (DL1, DL2, DL3).
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing another example of the sub-pixel array of the first embodiment.
  • a plurality of sub-pixels are arranged in a matrix, and a sub-pixel column Y1 connected to one of two adjacent data signal lines DL1 and DL2 includes a plurality of red sub-pixels Pr and a plurality of green sub-pixels.
  • the sub-pixel column Y2 connected to the other side of the sub-pixel Pg is formed of a plurality of green sub-pixels Pg and a plurality of blue sub-pixels Pb.
  • one of two sub-pixel columns Y1 and Y2 continuously arranged in the row direction is periodically arranged with one cycle of a red sub-pixel Pr and a green sub-pixel Pg arranged continuously in the column direction.
  • two sub-pixels adjacent in the row direction have different emission colors. That is, the green sub-pixel Pg is adjacent to the red sub-pixel Pr or the blue sub-pixel Pb in the row direction.
  • the data signal lines DL1, DL2, DL3, DL4 are continuous, and the sub-pixel column Y3 connected to the data signal line DL3 has the same arrangement of sub-pixels as the sub-pixel column Y1, and the sub-pixel column connected to the data signal line DL4.
  • Column Y4 has the same sub-pixel color order as sub-pixel column Y2.
  • each sub-pixel column is composed of a plurality of sub-pixels of two colors, as shown in FIG. 6A, the data signal line DL1 (the plurality of red sub-pixels Pr and the plurality of green sub-pixels Pg are connected to each other).
  • FIG. 6A shows that the W / L ratio (the ratio of the channel width to the channel length) of the driving transistor Td is common to the sub-pixels of each color as shown in FIG.
  • the signal voltage V255 at the highest gradation and the driving voltage Vd at the highest gradation increase in the order of the sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg, and the blue sub-pixel Pb. Is assumed.
  • the signal voltage V255 at the highest gray level and The driving voltage Vd at the time of the highest gradation is common to the red sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg, and the blue sub-pixel Pb.
  • the effective voltage Ve of the data signal line DL1 (to which the plurality of red sub-pixels Pr and the plurality of green sub-pixels Pg are connected) of FIG. 5 is equal to the data signal line DL2.
  • the difference ⁇ Ve 0 V between the effective voltages of DL1 and DL2
  • Ve the effective voltage
  • the display quality caused by the deterioration of the write transistor Ts connected to DL2 can be suppressed.
  • FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a sub-pixel array according to the second embodiment.
  • a plurality of sub-pixels are arranged in a matrix, and for example, a plurality of sub-pixels Pr, Pg, and Pb having different emission colors are connected to a scanning signal line SCn.
  • the number of light emission colors of a plurality of sub-pixels connected to each data signal line is 2, and the data signal lines are connected to four consecutive data signal lines DL1, DL2, DL3, and DL4 (first to fourth data signal lines).
  • the sub-pixel column Y1 connected to DL1 is composed of a plurality of red (first color) sub-pixels Pr and a plurality of green (second color) sub-pixels Pg, and the sub-pixel column Y2 connected to the data signal line DL2 is , A plurality of red sub-pixels Pr and a plurality of blue (third color) sub-pixels Pb, and a sub-pixel column Y3 connected to the data signal line DL3 includes a plurality of green sub-pixels Pg and a plurality of blue sub-pixels.
  • the sub-pixel column Y1 is continuously arranged in the column direction, and the green sub-pixel Pg and the red sub-pixel
  • a plurality of sub-pixels Pg and Pr are periodically arranged with Pr as one cycle
  • the sub-pixel column Y2 is arranged continuously in the column direction
  • the blue sub-pixel Pb and the red sub-pixel Pr are arranged as one cycle.
  • a plurality of sub-pixels Pb and Pr are arranged in a row
  • a sub-pixel column Y3 is arranged in a row in the column direction.
  • the sub-pixel column Y4 is composed of a plurality of sub-pixels Pr and Pg, which are composed of the pixels Pb and Pg, and are arranged in the column direction continuously and arranged periodically with a red sub-pixel Pr and a green sub-pixel Pg as one cycle.
  • two adjacent sub-pixel columns Is such that two sub-pixels of the same color that are commonly included in these two sub-pixel columns are adjacent to each other, and two sub-pixels of the same color that are adjacent in the row direction are dots (red dot Dr / green dot Dg / blue dot). Dot Db).
  • a plurality of dots are periodically arranged with three consecutive dots Db, Dr, and Dg as one cycle.
  • the order of the dot colors is The phases shown are shifted by a half cycle (3 sub-pixels).
  • the center distance between the closest red dots Dr, the center distance between the closest blue dots Db, and the closest green color. are equal to the center distance between the dots Dg.
  • the sub-pixel Pr that emits red light corresponding to the data signal line DL1 and the sub-pixel Pr that emits red light that corresponds to the data signal line DL2 are adjacent, and the sub-pixel that emits green light that corresponds to the data signal line DL3.
  • the sub-pixel Pg that emits green light corresponding to the data signal line DL4 is adjacent to the sub-pixel Pb that emits blue light corresponding to the data signal line DL2 and the sub-pixel Pb that emits blue light corresponding to the data signal line DL3. Adjacent.
  • the second embodiment as compared with the reference example in which sub-pixels of the same color are arranged in an oblique direction as shown in FIG. 8, it is possible to reduce the striped display unevenness when viewed in an oblique direction.
  • an EL layer in particular, a light-emitting layer to be formed by vapor deposition
  • an anode is separated to change a vapor deposition density (an aperture density of an FMM used at the time of vapor deposition).
  • a vapor deposition density an aperture density of an FMM used at the time of vapor deposition.
  • FIG. 10 is a schematic diagram showing another example of the sub-pixel array of the second embodiment.
  • a plurality of sub-pixels are arranged in a matrix, and for example, a plurality of sub-pixels Pr and Pg having different emission colors are connected to a scanning signal line SCn.
  • the number of emission colors of the plurality of sub-pixels connected to each data signal line is 2, and for four consecutive data signal lines DL1, DL2, DL3, and DL4, the sub-pixel column Y1 connected to the data signal line DL1 is
  • the sub-pixel column Y2 connected to the data signal line DL2 includes a plurality of green sub-pixels Pg and a plurality of blue sub-pixels Pb.
  • a sub-pixel column Y3 connected to the signal line DL3 and adjacent to the sub-pixel column Y2 includes a plurality of red sub-pixels Pr and a plurality of green sub-pixels Pg, and the sub-pixel column Y4 connected to the data signal line DL4 has , A plurality of red sub-pixels Pr and a plurality of green sub-pixels Pg.
  • the number of red sub-pixels Pr: the number of green sub-pixels Pg: the number of blue sub-pixels Pb 1: 2: 1.
  • the sub-pixel column Y1 is continuously arranged in the column direction
  • the green sub-pixel Pg and the blue sub-pixel Pb is composed of a plurality of sub-pixels Pg and Pb periodically arranged with one cycle
  • the sub-pixel column Y2 is arranged continuously in the column direction
  • the green sub-pixel Pg and the blue sub-pixel Pb are arranged as one cycle.
  • the sub-pixel column Y3 is composed of a plurality of sub-pixels Pg and Pb arranged in a row, and the sub-pixel column Y3 is arranged continuously in the column direction.
  • the sub-pixel column Y4 is configured by a plurality of sub-pixels Pr and Pg, which are composed of pixels Pr and Pg.
  • the sub-pixel column Y4 is continuously arranged in the column direction, and is periodically arranged with a red sub-pixel Pr and a green sub-pixel Pg as one cycle. Is the combination of sub-pixel colors In two adjacent sub-pixel columns that are the same, sub-pixels of a color that is commonly included in these two sub-pixel columns are adjacent to each other, and two sub-pixels of the same color that are adjacent to each other in the row direction are represented by dots (red , The green dot Dg, and the blue dot Db).
  • a plurality of dots are periodically arranged with one cycle of continuous two-color dots Dg and Dr, and on the other hand, two consecutive dots Db and Dg of two colors are displayed.
  • a plurality of dots are periodically arranged as one cycle, and two dots adjacent in the column direction have different colors. Further, the center distance between the closest red dots Dr is equal to the center distance between the closest blue dots Db.
  • the sub-pixel Pb that emits blue light corresponding to the data signal line DL1 and the sub-pixel Pb that emits blue light corresponding to the data signal line DL2 are adjacent, and the sub-pixel that emits green light corresponding to the data signal line DL3.
  • the sub-pixel Pg that emits green light corresponding to the data signal line DL4 is adjacent to the sub-pixel Pg that emits green light corresponding to the data signal line DL2 and the sub-pixel Pr that emits red light corresponding to the data signal line DL3. Adjacent.
  • FIG. 12A is a circuit diagram of a dot
  • FIG. 12B is a plan view of the dot
  • FIG. It is.
  • two sub-pixels constituting each dot are connected to each other in the sub-pixel arrangement of FIG.
  • the two sub-pixels Pr constituting the same dot share the island-shaped anode 22R and the island-shaped EL layer 24R covering the anode 22R.
  • the edge cover 23 is provided with two openings K overlapping the anode 22R, and the openings K correspond to light emitting regions.
  • the current i1 of one drive transistor Td of the two sub-pixels Pr is set by the signal voltage from the data signal line DL1
  • the current i2 of the other drive transistor Td is the signal voltage from the data signal line DL1.
  • the current I2 flowing through the light-emitting element ES2 is smaller than the current i2 (the luminance of the light-emitting element ES2 is lower than it should be), so that the deterioration of the light-emitting element ES2 is suppressed. be able to.
  • the current I1 is larger than the current i1 (the luminance of the light emitting element ES1 is higher than it should be), so that the luminance as the dot Dr is maintained.
  • the current I2 flowing through the light emitting element ES2 becomes larger than the current i2 (the luminance of the light emitting element ES2 becomes higher than it should be).
  • the brightness as the dot Dr is maintained.
  • FIG. 13A and 13B are schematic diagrams illustrating another example of the sub-pixel array according to the third embodiment.
  • FIG. 13A is a circuit diagram of a dot
  • FIG. 13B is a plan view of a dot
  • each dot Dr, Dg, Db
  • two sub-pixels forming each dot are connected to each other via a connection transistor Tc.
  • the two sub-pixels Pr constituting the same are provided with electrically separated anodes 22R and 22r, and the island-shaped EL layer 24R ( (Common layer).
  • An opening K overlapping the anode 22R and an opening K overlapping the anode 22r are provided in the edge cover 23, and each opening K corresponds to a light emitting region.
  • the anodes 22R and 22r are connected via a connection transistor Tc, and the gate electrode of the connection transistor Tc is connected to a control line CLn.
  • FIGS. 14A and 14B show signal waveforms of three consecutive scanning signal lines (SCn, SCn + 1, SCn + 2), signal waveforms of three consecutive control lines (CLn, CLn + 1, CLn + 2), and data signals.
  • 6 is a timing chart showing data strings DA1 and DA2 corresponding to lines DL1 and DL2.
  • a signal for constantly turning on the transistor Tc may be supplied to the control line CLn as shown in FIG. 14A, or a selection period (writing transistor Ts) of the scanning signal line SCn as shown in FIG.
  • a signal may be supplied to turn off the connection transistor Tc only during a period during which the connection transistor is turned on, and to turn on the connection transistor Tc during other periods.
  • a display device including a drive transistor for controlling a current The plurality of data signal lines include a first data signal line and a second data signal line adjacent to the first data signal line, With respect to a plurality of sub-pixels arranged along the first data signal line, adjacent sub-pixels emit light of different colors, and one conductive terminal of each writing transistor is electrically connected to the first data signal line. And For a plurality of sub-pixels arranged along the second data signal line, adjacent sub-pixels emit light of different colors, and one conductive terminal of each writing transistor is electrically connected to the second data signal line. Display device to be.
  • the first data signal line and the second data signal line are both electrically connected to one conductive terminal of a writing transistor of each of a sub-pixel emitting blue light, a sub-pixel emitting red light, and a sub-pixel emitting green light.
  • a writing transistor of each of a sub-pixel emitting blue light, a sub-pixel emitting red light, and a sub-pixel emitting green light is both electrically connected to one conductive terminal of a writing transistor of each of a sub-pixel emitting blue light, a sub-pixel emitting red light, and a sub-pixel emitting green light.
  • the first data signal line is electrically connected to one conductive terminal of a writing transistor of each of the sub-pixel emitting red light and the sub-pixel emitting green light
  • the plurality of data signal lines further include a third data signal line adjacent to the second data signal line, and a fourth data signal line adjacent to the third data signal line, For a plurality of sub-pixels arranged along the third data signal line, adjacent sub-pixels emit light of different colors, and one conductive terminal of each writing transistor is electrically connected to the third data signal line. And For a plurality of sub-pixels arranged along the fourth data signal line, adjacent sub-pixels emit light of different colors, and one conductive terminal of each writing transistor is electrically connected to the fourth data signal line.
  • the display device according to aspect 1.
  • the first data signal line is electrically connected to one conductive terminal of a writing transistor of each of the sub-pixel emitting the first color and the sub-pixel emitting the second color;
  • the second data signal line is electrically connected to one conductive terminal of a writing transistor of each of the sub-pixel emitting the first color and the sub-pixel emitting the third color;
  • the third data signal line is electrically connected to one conductive terminal of a writing transistor of each of the sub-pixel emitting the second color and the sub-pixel emitting the third color;
  • the fourth data signal line is electrically connected to one conductive terminal of a writing transistor of each of the sub-pixel emitting the first color and the sub-pixel emitting the second color;
  • a sub-pixel connected to the first data signal line and emitting light in a first color is adjacent to a sub-pixel connected to the second data signal line and emitting light in a first color;
  • a sub-pixel connected to the third data signal line and emitting light of the second color is adjacent to a sub-pixel connected to the fourth
  • a first electrode of the light-emitting element connected to the first data signal line and included in a sub-pixel emitting light of a first color; and a sub-pixel connected to the second data signal line and emitting light of a first color
  • a first electrode of the light-emitting element connected to the first data signal line and included in a sub-pixel emitting light of a first color; and a sub-pixel connected to the second data signal line and emitting light of a first color
  • the first data signal line is electrically connected to one conductive terminal of a writing transistor of each of the sub-pixel emitting the first color and the sub-pixel emitting the second color;
  • the second data signal line is electrically connected to one conductive terminal of a writing transistor of each of the sub-pixel emitting the first color and the sub-pixel emitting the second color;
  • the third data signal line is electrically connected to one conductive terminal of a writing transistor of each of the sub-pixel emitting the second color and the sub-pixel emitting the third color;
  • the fourth data signal line is electrically connected to one conductive terminal of a writing transistor of each of the sub-pixel emitting the second color and the sub-pixel emitting the third color;
  • a sub-pixel connected to the first data signal line and emitting light in a first color is adjacent to a sub-pixel connected to the second data signal line and emitting light in a first color;
  • a sub-pixel connected to the third data signal line and emitting light of the second color is adjacent to a sub-pixel connected to the fourth
  • a plurality of sub-pixels having different emission colors are connected to each scanning signal line,
  • a display device in which a plurality of sub-pixels having different emission colors are connected to each data signal line.
  • a sub-pixel row including a plurality of sub-pixels arranged in a row direction is connected to each scanning signal line
  • a subpixel column including a plurality of subpixels arranged in a column direction is connected to each data signal line
  • a sub-pixel column including a plurality of sub-pixels of the first color and a plurality of sub-pixels of the second color is adjacent to a sub-pixel column including a plurality of sub-pixels of the second color and a plurality of sub-pixels of the third color.
  • Aspect 15 The voltage of the data signal when the maximum gradation is displayed on each sub-pixel of the third color is equal to the voltage of the data signal when the maximum gradation is displayed on each sub-pixel of the first color.
  • each sub-pixel row a plurality of dots are periodically arranged in the row direction with a continuous three-color dot as one cycle,

Abstract

各サブ画素は、発光素子、データ信号線に接続する書き込みトランジスタ、および前記発光素子の電流を制御する駆動トランジスタを含み、走査信号線に接続される表示デバイスであって、各走査信号線（ＳＣｎ）に発光色の異なる複数のサブ画素（Ｐｒ・Ｐｇ・Ｐｂ）が接続され、各データ信号線（ＤＬ１・ＤＬ２）に発光色の異なる複数のサブ画素（Ｐｒ・Ｐｇ・Ｐｂ）が接続されている。

Description

表示デバイス
　本発明は表示デバイスに関する。
　特許文献１には、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）を含むサブ画素がマトリクス状に並べられてなる表示パネルが開示されている。
日本国公開特許公報「特開２０１２－２３４２１０号公報（２０１１年１１月２９日公開）」
　特許文献１のように各データ信号線に同色の画素を接続すると、特定のデータ信号線の実効電圧が高くなり、特定のデータ線に接続するトランジスタが劣化し易くなる。
　本発明の一態様に係る表示デバイスは、複数のデータ信号線と、複数の走査信号線と、複数のサブ画素とを備え、各サブ画素は、発光素子、前記複数のデータ信号線の１つに接続する書き込みトランジスタ、および前記発光素子の電流を制御する駆動トランジスタを含む表示デバイスであって、前記複数のデータ信号線に、第１データ信号線と、前記第１データ信号線に隣接する第２データ信号線とが含まれ、前記第１データ信号線に沿って並ぶ複数のサブ画素については、隣り合うサブ画素が異なる色で発光し、かつそれぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子が前記第１データ信号線と電気的に接続し、前記第２データ信号線に沿って並ぶ複数のサブ画素については、隣り合うサブ画素が異なる色で発光し、かつそれぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子が前記第２データ信号線と電気的に接続する。
　本発明の一態様によれば、特定のデータ線に接続するトランジスタが劣化することによって生じる表示品質問題を改善することができる。
（ａ）は図１の表示デバイスの構成を示す断面図であり、（ｂ）はサブ画素の回路図である。 実施形態１のサブ画素配列を示す模式図である。 （ａ）は階調とデータ信号の関係を示すグラフであり、（ｂ）はデータ信号と駆動電流の関係を示すグラフであり、（ｃ）は、参照例での各データ信号線の実効電圧を示す表であり、（ｄ）は、実施形態１での各データ信号線の実効電圧を示す表である。 サブ画素配列の比較例を示す模式図である。 実施形態１のサブ画素配列の別例を示す模式図である。 （ａ）は、実施形態１の別例での各データ信号線の実効電圧を示す表であり、（ｂ）は、実施形態１の別例でのサブ画素特性を示す表であり、（ｃ）は、実施形態１のさらなる別例でのサブ画素特性を示す表であり、（ｄ）は、実施形態１のさらなる別例での各データ信号線の実効電圧を示す表である。 実施形態２のサブ画素配列を示す模式図である。 サブ画素配列の比較例を示す模式図である。 （ａ）は実施形態２のドット構成を示す断面図であり、（ｂ）はドット構成を示す回路図である。 実施形態２のサブ画素配列の別例を示す模式図である。 実施形態３のサブ画素配列を示す模式図である。 （ａ）は実施形態３のドット構成を示す回路図であり、（ｂ）はドット構成を示す平面図であり、（ｃ）はドット構成を示す断面図である。 （ａ）は実施形態３の別例のドット構成を示す回路図であり、（ｂ）はドット構成を示す平面図であり、（ｃ）はドット構成を示す断面図である。 （ａ）（ｂ）は、走査信号線および制御ラインの信号波形を示すタイミングチャートである。
　以下においては、「同層」とは同一のプロセス（成膜工程）にて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先の（前の）プロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
　図１（ａ）は図１の表示デバイスの構成を示す断面図であり、図１（ｂ）はサブ画素の回路図である。図１に示すように、表示デバイス２は、基材１０上に積層された、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６、および機能層３９を含む。
　基材１０には、ガラス基板、樹脂層を含む可撓性基板等が好適である。バリア層３は、水、酸素等の異物がＴＦＴ層４および発光素子層５に侵入することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層の無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、無機絶縁膜１６よりも上層の、ゲート電極ＧＥと、ゲート電極ＧＥよりも上層の無機絶縁膜１８・２０と、無機絶縁膜２０よりも上層のソース配線ＳＨと、ソース配線ＳＨよりも上層の平坦化膜２１とを含む。走査信号線はゲート電極ＧＥと同層に形成され、データ信号線はソース配線ＳＨと同層に形成される。
　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体（例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体）で構成され、半導体膜１５およびゲート電極ＧＥを含むようにトランジスタ（ＴＦＴ）が構成される。図２では、トランジスタがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい。
　ゲート電極ＧＥおよびソース配線ＳＨは、例えば、アルミニウム、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、チタン、銅の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。
　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。
　発光素子層５は、平坦化膜２１よりも上層のアノード(第１電極)２２と、アノード２２のエッジを覆う絶縁性のエッジカバー２３と、エッジカバー２３よりも上層のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層のカソード（第２電極）２５とを含む。エッジカバー２３は、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂等の有機材料を塗布した後にフォトリソグラフィよってパターニングすることで形成される。
　島状のアノード２２、ＥＬ層２４、およびカソード２５を含む発光素子ＥＳ（例えば、ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード，ＱＬＥＤ：量子ドット発光ダイオード）が発光素子層５に形成され、発光素子ＥＳの制御回路がＴＦＴ層４に形成され、発光素子ＥＳおよびその制御回路でサブ画素が構成される。表示デバイス２には、複数の赤（Ｒ）のサブ画素、複数の緑（Ｇ）のサブ画素、および複数の青（Ｂ）のサブ画素が含まれる。
　図１（ｂ）に示すように、例えば赤のサブ画素Ｐｒは、書き込みトランジスタＴｓ、駆動トランジスタＴｄ、および赤色発光の発光素子ＥＳを含み、発光素子ＥＳのアノードは駆動トランジスタＴｄを介して高電位側電源線（ＥＬＶＤＤライン）に接続され、駆動トランジスタＴｄのゲート端子が書き込みトランジスタＴｓを介してデータ信号線ＤＬに接続され、書き込みトランジスタＴｓの一方の導通端子がデータ信号線ＤＬに接続され、他方の導通端子がトランジスタＴｄのゲート端子に接続され）、書き込みトランジスタＴｓのゲート端子が走査信号線ＳＣｎに接続される。発光素子ＥＳのカソードはサブ画素間で共有されている。
　ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、エッジカバー２３の開口と重なるように島状に形成される。他の層は、島状あるいはベタ状（共通層）に形成する。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうち１以上の層を形成しない構成も可能である。
　ＯＬＥＤの発光層を蒸着形成する場合は、ＦＭＭ（ファインメタルマスク）を用いる。ＦＭＭは多数の開口を有するシート（例えば、インバー材製）であり、１つの開口を通過した有機物質によって島状の発光層が形成される。
　ＱＬＥＤの発光層は、例えば、量子ドットを拡散させた溶媒をインクジェット塗布することで、島状の発光層（１つのサブ画素に対応）を形成することができる。
　アノード（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇ（銀）あるいはＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。カソード（陰極）２５は、ＭｇＡｇ合金（極薄膜）、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium zinc Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。
　発光素子ＥＳがＯＬＥＤである場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光が放出される。カソード２５が透光性であり、アノード２２が光反射性であるため、ＥＬ層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
　発光素子ＥＳがＱＬＥＤである場合、アノード２２およびカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、量子ドットの伝導帯準位（conduction band）から価電子帯準位（valence band）に遷移する過程で光（蛍光）が放出される。
　発光素子層５には、前記のＯＬＥＤ、ＱＬＥＤ以外の発光素子（無機発光ダイオード等）を形成してもよい。
　封止層６は透光性であり、カソード２５を覆う無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層の有機バッファ膜２７と、有機バッファ膜２７よりも上層の無機封止膜２８とを含む。発光素子層５を覆う封止層６は、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。
　機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能の少なくとも１つを有する。
　〔実施形態１〕
　以下では、データ信号線の延伸方向を列方向、走査信号線の延伸方向を行方向とする。図２は、実施形態１のサブ画素配列を示す模式図である。図２では、複数のサブ画素がマトリクス状に配され、例えば走査信号線ＳＣｎに発光色の異なる複数のサブ画素Ｐｒ・Ｐｇ・Ｐｂが接続される。各データ信号線に接続する複数のサブ画素の発光色数が３であり、連続する４本のデータ信号線ＤＬ１・ＤＬ２・ＤＬ３・ＤＬ４（第１～第４データ信号線）について、データ信号線ＤＬ１に接続するサブ画素列Ｙ１、データ信号線ＤＬ２に接続するサブ画素列Ｙ２、データ信号線ＤＬ３に接続するサブ画素列Ｙ３、データ信号線ＤＬ４に接続するサブ画素列Ｙ４それぞれが、複数の赤のサブ画素Ｐｒ、複数の青のサブ画素Ｐｂ、および複数の緑のサブ画素Ｐｇからなる。
　具体的には、行方向に連続して並ぶ３つのサブ画素列Ｙ１・Ｙ２・Ｙ３・Ｙ４それぞれが、列方向に連続して並ぶ、赤のサブ画素Ｐｒ、青のサブ画素Ｐｂおよび緑のサブ画素Ｐｇを１周期として周期的に並ぶ複数のサブ画素Ｐｒ・Ｐｂ・Ｐｇを含み、サブ画素色の順序を示す位相が、データ信号線ＤＬ１に接続するサブ画素列Ｙ１に対して、データ信号線ＤＬ２に接続するサブ画素列Ｙ２では１／３周期分進み（１サブ画素分下側にずれ）、データ信号線ＤＬ３に接続するＹ３では２／３周期分進んでいる（２サブ画素分下側にずれている）。データ信号線ＤＬ４に接続するＹ４はサブ画素列Ｙ１と同位相（サブ画素色の順序が同じ）である。
　例えば、データ信号線ＤＬ１に沿う（データ信号線ＤＬ１に接続する）複数のサブ画素については、隣り合うサブ画素が異なる色で発光し、データ信号線ＤＬ２に沿う（データ信号線ＤＬ２に接続する）複数のサブ画素については、隣り合うサブ画素が異なる色で発光する。また、一方がデータ信号線ＤＬ１に接続するとともに他方がデータ信号線ＤＬ２に接続する、隣り合う２つのサブ画素は異なる色で発光する。なお、隣接するデータ信号線ＤＬ１およびデータ信号線ＤＬ２の間に、データ信号線以外の配線が設けられていてもよい。
　図３（ａ）（ｂ）に示すように、同一階調を表示する場合でも、データ電圧（データ信号線の電圧）は、赤のサブ画素、緑のサブ画素、青のサブ画素の順に高くなり、駆動トランジスタの電流（駆動電流）も大きくなる。このため、図４のように、各サブ画素列を複数の同色のサブ画素で構成すると、図３（ｃ）のように、データ信号線ＤＬ１（複数の赤のサブ画素Ｐｒが接続される）の実効電圧Ｖｅ＜データ信号線ＤＬ２（複数の緑のサブ画素Ｐｇが接続される）の実効電圧Ｖｅ＜データ信号線ＤＬ３（複数の青のサブ画素Ｐｂが接続される）の実効電圧Ｖｅとなり（ＤＬ１とＤＬ３の実効電圧の差ΔＶｅ＝０．５４３Ｖ）、データ信号線ＤＬ３に接続する書き込みトランジスタＴｓが劣化し易くなる。
　そこで、図２のように、各データ信号線（ＤＬ１・ＤＬ２・ＤＬ３）に接続するサブ画素列を、複数の赤のサブ画素Ｐｒ、複数の青のサブ画素Ｐｂ、および複数の緑のサブ画素Ｐｇで構成することで、図３（ｄ）のように、データ信号線ＤＬ１の実効電圧Ｖｅ＝データ信号線ＤＬ２の実効電圧Ｖｅ＝データ信号線ＤＬ３の実効電圧Ｖｅとすることができ（ＤＬ１とＤＬ３の実効電圧の差ΔＶｅ＝０Ｖ）、特定のデータ信号線（図４のＤＬ３）に接続する書き込みトランジスタＴｓが劣化することによって生じる表示品質問題を改善することができる。
　図５は、実施形態１のサブ画素配列の別例を示す模式図である。図５では、複数のサブ画素がマトリクス状に配され、隣り合う２本のデータ信号線ＤＬ１・ＤＬ２の一方ＤＬ１に接続するサブ画素列Ｙ１が、複数の赤のサブ画素Ｐｒおよび複数の緑のサブ画素Ｐｇからなり、他方ＤＬ２に接続するサブ画素列Ｙ２が、複数の緑のサブ画素Ｐｇおよび複数の青のサブ画素Ｐｂからなる。赤のサブ画素Ｐｒの数：緑のサブ画素Ｐｇの数：青のサブ画素Ｐｂの数＝１：２：１である。
　具体的には、行方向に連続して並ぶ２つのサブ画素列Ｙ１・Ｙ２の一方Ｙ１が、列方向に連続して並ぶ、赤のサブ画素Ｐｒおよび緑のサブ画素Ｐｇを１周期として周期的に並ぶ複数のサブ画素Ｐｒ・Ｐｇを含み、他方Ｙ２が、列方向に連続して並ぶ、緑のサブ画素Ｐｇおよび青のサブ画素Ｐｂを１周期として周期的に並ぶ複数のサブ画素Ｐｇ・Ｐｂを含み、行方向に隣り合う２つのサブ画素の発光色が異なる。すなわち、緑のサブ画素Ｐｇは、赤のサブ画素Ｐｒあるいは青のサブ画素Ｐｂと行方向に隣り合う。データ信号線ＤＬ１・ＤＬ２・ＤＬ３・ＤＬ４は連続し、データ信号線ＤＬ３に接続するサブ画素列Ｙ３は、サブ画素の並びがサブ画素列Ｙ１と同じであり、データ信号線ＤＬ４に接続するサブ画素列Ｙ４は、サブ画素色の順序がサブ画素列Ｙ２と同じである。
　このように、各サブ画素列を２色の複数のサブ画素で構成すると、図６（ａ）のように、データ信号線ＤＬ１（複数の赤のサブ画素Ｐｒおよび複数の緑のサブ画素Ｐｇが接続される）の実効電圧Ｖｅ＜データ信号線ＤＬ２（複数の緑のサブ画素Ｐｇおよび複数の青のサブ画素Ｐｂが接続される）の実効電圧Ｖｅとなるが、ＤＬ１とＤＬ２の実効電圧の差ΔＶｅ＝０．２９１Ｖ＜０．５４３Ｖ（図３（ｃ）参照）となるため、特定のデータ信号線（図４のＤＬ３）に接続する書き込みトランジスタＴｓが劣化することによって生じる表示品質問題を改善することができる。
　なお、図６（ａ）の結果は、図６（ｂ）のような、駆動トランジスタＴｄのＷ／Ｌ比（チャネル長に対するチャネル幅の比）が各色のサブ画素で共通であって、赤のサブ画素Ｐｒ、緑のサブ画素Ｐｇ、青のサブ画素Ｐｂの順に、最高階調時の信号電圧Ｖ２５５および最高階調時の駆動電圧Ｖｄ（駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧）が大きくなる場合を前提としている。
　図６（ｃ）では、駆動トランジスタＴｄのＷ／Ｌ比を、赤のサブ画素Ｐｒ、緑のサブ画素Ｐｇ、青のサブ画素Ｐｂの順に大きくすることで、最高階調時の信号電圧Ｖ２５５および最高階調時の駆動電圧Ｖｄを、赤のサブ画素Ｐｒ、緑のサブ画素Ｐｇ、青のサブ画素Ｐｂで共通としている。この図６（ｃ）の構成を前提すれば、図５のデータ信号線ＤＬ１（複数の赤のサブ画素Ｐｒおよび複数の緑のサブ画素Ｐｇが接続される）の実効電圧Ｖｅ＝データ信号線ＤＬ２（複数の緑のサブ画素Ｐｇおよび複数の青のサブ画素Ｐｂが接続される）の実効電圧Ｖｅとする（ＤＬ１とＤＬ２の実効電圧の差ΔＶｅ＝０Ｖとする）ことができるため、データ信号線ＤＬ２に接続する書き込みトランジスタＴｓの劣化することによって生じる表示品質を抑えることができる。
　〔実施形態２〕
　図７は、実施形態２のサブ画素配列を示す模式図である。図７では、複数のサブ画素がマトリクス状に配され、例えば走査信号線ＳＣｎに発光色の異なる複数のサブ画素Ｐｒ・Ｐｇ・Ｐｂが接続される。各データ信号線に接続する複数のサブ画素の発光色数が２であり、連続する４本のデータ信号線ＤＬ１・ＤＬ２・ＤＬ３・ＤＬ４（第１～第４データ信号線）について、データ信号線ＤＬ１に接続するサブ画素列Ｙ１が、複数の赤（第１色）のサブ画素Ｐｒおよび複数の緑（第２色）のサブ画素Ｐｇからなり、データ信号線ＤＬ２に接続するサブ画素列Ｙ２が、複数の赤のサブ画素Ｐｒおよび複数の青（第３色）のサブ画素Ｐｂからなり、データ信号線ＤＬ３に接続するサブ画素列Ｙ３が、複数の緑のサブ画素Ｐｇおよび複数の青のサブ画素Ｐｂからなり、データ信号線ＤＬ４に接続するサブ画素列Ｙ４が、複数の緑のサブ画素Ｐｇおよび複数の赤のサブ画素Ｐｂからなる。
　具体的には、行方向に連続して並ぶ４つのサブ画素列Ｙ１・Ｙ２・Ｙ３・Ｙ４について、サブ画素列Ｙ１が、列方向に連続して並ぶ、緑のサブ画素Ｐｇおよび赤のサブ画素Ｐｒを１周期として周期的に並ぶ複数のサブ画素Ｐｇ・Ｐｒで構成され、サブ画素列Ｙ２が、列方向に連続して並ぶ、青のサブ画素Ｐｂおよび赤のサブ画素Ｐｒを１周期として周期的に並ぶ複数のサブ画素Ｐｂ・Ｐｒで構成され、サブ画素列Ｙ３が、列方向に連続して並ぶ、青のサブ画素Ｐｂおよび緑のサブ画素Ｐｇを１周期として周期的に並ぶ複数のサブ画素Ｐｂ・Ｐｇで構成され、サブ画素列Ｙ４が、列方向に連続して並ぶ、赤のサブ画素Ｐｒおよび緑のサブ画素Ｐｇを１周期として周期的に並ぶ複数のサブ画素Ｐｒ・Ｐｇで構成され、隣り合う２つのサブ画素列では、これら２つのサブ画素列に共通して含まれる色のサブ画素同士が隣り合い、これら行方向に隣り合う２つの同色のサブ画素をドット（赤のドットＤｒ・緑のドットＤｇ・青のドットＤｂ）とみなすことができる。
　図７の各サブ画素行では、連続する３色のドットＤｂ・Ｄｒ・Ｄｇを１周期として複数のドットが周期的に並び、隣り合う２つのサブ画素行Ｘ１・Ｘ２では、ドット色の順序を示す位相が半周期分（３サブ画素分）ずれている。また、図中の３つの破線の菱形で示すように、最近接である赤のドットＤｒ同士の中心間距離と、最近接である青のドットＤｂ同士の中心間距離と、最近接である緑のドットＤｇ同士の中心間距離とが等しくなっている。
　図７では、データ信号線ＤＬ１に対応する赤色を発光するサブ画素Ｐｒとデータ信号線ＤＬ２に対応する赤色を発光するサブ画素Ｐｒは隣接し、データ信号線ＤＬ３に対応する緑色を発光するサブ画素Ｐｇとデータ信号線ＤＬ４に対応する緑色を発光するサブ画素Ｐｇは隣接し、データ信号線ＤＬ２に対応する青色を発光するサブ画素Ｐｂとデータ信号線ＤＬ３に対応する青色を発光するサブ画素Ｐｂは隣接する。
　実施形態２によれば、図８のように斜め方向に同色のサブ画素が並ぶ参考例と比較して、斜め方向から見た場合の縞状の表示ムラを低減することができる。
　また、各色のドットを構成する２つのサブ画素について、ＥＬ層（特には、蒸着形成する発光層）を共有化し、アノードを分離することで、蒸着密度（蒸着時に用いるＦＭＭの開口密度）を変えることなく、多階調表示が可能となる。例えば図７・図９では、青のドットＤｂとみなされる、隣り合う２つのサブ画素Ｐｂについて、アノード２２はエッジカバー２３で分離されているが、ＥＬ層２４Ｂは共有化されている。これら２つのサブ画素Ｐｂの一方はデータ信号線ＤＬ２に接続し、他方はデータ信号線ＤＬ３に接続する。
　図１０は、実施形態２のサブ画素配列の別例を示す模式図である。図１０では、複数のサブ画素がマトリクス状に配され、例えば走査信号線ＳＣｎに発光色の異なる複数のサブ画素Ｐｒ・Ｐｇが接続される。各データ信号線に接続する複数のサブ画素の発光色数が２であり、連続する４本のデータ信号線ＤＬ１・ＤＬ２・ＤＬ３・ＤＬ４について、データ信号線ＤＬ１に接続するサブ画素列Ｙ１が、複数の緑のサブ画素Ｐｇおよび複数の青のサブ画素Ｐｂからなり、データ信号線ＤＬ２に接続するサブ画素列Ｙ２が、複数の緑のサブ画素Ｐｇおよび複数の青のサブ画素Ｐｂからなり、データ信号線ＤＬ３に接続し、サブ画素列Ｙ２に隣接するサブ画素列Ｙ３が、複数の赤のサブ画素Ｐｒおよび複数の緑のサブ画素Ｐｇからなり、データ信号線ＤＬ４に接続するサブ画素列Ｙ４が、複数の赤のサブ画素Ｐｒおよび複数の緑のサブ画素Ｐｇからなる。赤のサブ画素Ｐｒの数：緑のサブ画素Ｐｇの数：青のサブ画素Ｐｂの数＝１：２：１である。
　具体的には、行方向に連続して並ぶ３つのサブ画素列Ｙ１・Ｙ２・Ｙ３・Ｙ４について、サブ画素列Ｙ１が、列方向に連続して並ぶ、緑のサブ画素Ｐｇおよび青のサブ画素Ｐｂを１周期として周期的に並ぶ複数のサブ画素Ｐｇ・Ｐｂで構成され、サブ画素列Ｙ２が、列方向に連続して並ぶ、緑のサブ画素Ｐｇおよび青のサブ画素Ｐｂを１周期として周期的に並ぶ複数のサブ画素Ｐｇ・Ｐｂで構成され、サブ画素列Ｙ３が、列方向に連続して並ぶ、赤のサブ画素Ｐｒおよび緑のサブ画素Ｐｇを１周期として周期的に並ぶ複数のサブ画素Ｐｒ・Ｐｇで構成され、サブ画素列Ｙ４が、列方向に連続して並ぶ、赤のサブ画素Ｐｒおよび緑のサブ画素Ｐｇを１周期として周期的に並ぶ複数のサブ画素Ｐｒ・Ｐｇで構成され、サブ画素の色の組み合わせが同じである、隣り合う２つのサブ画素列では、これら２つのサブ画素列に共通して含まれる色のサブ画素同士が隣り合い、これら行方向に隣り合う２つの同色のサブ画素をドット（赤のドットＤｒ・緑のドットＤｇ・青のドットＤｂ）とみなすことができる。
　図１０では、隣り合う２つのサブ画素行の一方では、連続する２色のドットＤｇ・Ｄｒを１周期として複数のドットが周期的に並び、他方では、連続する２色のドットＤｂ・Ｄｇを１周期として複数のドットが周期的に並び、列方向に隣り合う２つのドットの色が異なっている。また、最近接である赤のドットＤｒ同士の中心間距離と、最近接である青のドットＤｂ同士の中心間距離とが等しくなっている。
　図１０では、データ信号線ＤＬ１に対応する青色を発光するサブ画素Ｐｂとデータ信号線ＤＬ２に対応する青色を発光するサブ画素Ｐｂは隣接し、データ信号線ＤＬ３に対応する緑色を発光するサブ画素Ｐｇとデータ信号線ＤＬ４に対応する緑色を発光するサブ画素Ｐｇは隣接し、データ信号線ＤＬ２に対応する緑色を発光するサブ画素Ｐｇとデータ信号線ＤＬ３に対応する赤色を発光するサブ画素Ｐｒは隣接する。
　〔実施形態３〕
　図１１は、実施形態３のサブ画素配列を示す模式図であり、図１２（ａ）はドットの回路図、図１２（ｂ）はドットの平面図、図１２（ｃ）はドットの断面図である。
　図１１・図１２では、図７のサブ画素配列において、各ドット（Ｄｒ・Ｄｇ・Ｄｂ）を構成する２つのサブ画素同士を接続している。例えば、図１２に示す赤のドットＤｒについては、これを構成する２つのサブ画素Ｐｒで、島状のアノード２２Ｒと、これを覆う島状のＥＬ層２４Ｒとを共有する。エッジカバー２３には、アノード２２Ｒと重なる２つの開口Ｋが設けられ、開口Ｋが発光領域に対応する。
　ここで、２つのサブ画素Ｐｒの一方の駆動トランジスタＴｄの電流ｉ１は、データ信号線ＤＬ１からの信号電圧で設定され、他方の駆動トランジスタＴｄの電流ｉ２は、データ信号線ＤＬ１からの信号電圧で設定され、２つのサブ画素Ｐｒの一方の発光素子ＥＳ１の電流Ｉ１と他方の発光素子ＥＳ２の電流Ｉ２との和が、電流ｉ１と電流ｉ２との和に実質的に等しくなり、Ｉ１≒Ｉ２となる。これにより、ドット内の２つの発光素子ＥＳ１・ＥＳ２の特性ばらつきを低減することができる。
　例えば、電流ｉ２が電流ｉ１よりも極端に大きい場合、発光素子ＥＳ２を流れる電流Ｉ２は、電流ｉ２よりも小さくなる（発光素子ＥＳ２の輝度が本来よりも下がる）ため、発光素子ＥＳ２の劣化を抑えることができる。なお、電流Ｉ１は電流ｉ１よりも大きくなる（発光素子ＥＳ１の輝度が本来よりも高くなる）ため、ドットＤｒとしての輝度は維持される。
　さらに、発光素子ＥＳ１に電流が流れない欠陥（無点灯）があった場合でも、発光素子ＥＳ２を流れる電流Ｉ２が電流ｉ２よりも大きくなる（発光素子ＥＳ２の輝度が本来よりも高くなる）ため、ドットＤｒとしての輝度は維持される。
　図１３は、実施形態３のサブ画素配列の別例を示す模式図であり、図１３（ａ）はドットの回路図、図１３（ｂ）はドットの平面図、図１３（ｃ）はドットの断面図である。
　図１３では、図７のサブ画素配列において、各ドット（Ｄｒ・Ｄｇ・Ｄｂ）を構成する２つのサブ画素同士を、連結トランジスタＴｃを介して接続している。例えば、図１３に示す赤のドットＤｒについては、これを構成する２つのサブ画素Ｐｒに、電気的に分離されたアノード２２Ｒ・２２ｒを設け、アノード２２Ｒ・２２ｒを覆う島状のＥＬ層２４Ｒ（共通層）を設ける。エッジカバー２３には、アノード２２Ｒに重なる開口Ｋと、アノード２２ｒに重なる開口Ｋとが設けられ、各開口Ｋが発光領域に対応する。アノード２２Ｒ・２２ｒは、連結トランジスタＴｃを介して接続され、連結トランジスタＴｃのゲート電極は制御ラインＣＬｎに接続される。
　図１４（ａ）（ｂ）は、連続する３本の走査信号線（ＳＣｎ・ＳＣｎ＋１・ＳＣｎ＋２）の信号波形、連続する３本の制御ライン（ＣＬｎ・ＣＬｎ＋１・ＣＬｎ＋２）の信号波形、およびデータ信号線ＤＬ１・ＤＬ２に対応するデータ列ＤＡ１・ＤＡ２を示すタイミングチャートである。
　制御ラインＣＬｎには、図１４（ａ）のように、トランジスタＴｃを常時ＯＮさせる信号を供給してもよいし、図１４（ｂ）のように、走査信号線ＳＣｎの選択期間（書き込みトランジスタＴｓがＯＮする期間）のみ連結トランジスタＴｃをＯＦＦさせ、その他の期間は連結トランジスタＴｃをＯＮさせる信号を供給してもよい。
　〔まとめ〕
　〔態様１〕
　複数のデータ信号線と、複数の走査信号線と、複数のサブ画素とを備え、各サブ画素は、発光素子、前記複数のデータ信号線の１つに接続する書き込みトランジスタ、および前記発光素子の電流を制御する駆動トランジスタを含む表示デバイスであって、
　前記複数のデータ信号線に、第１データ信号線と、前記第１データ信号線に隣接する第２データ信号線とが含まれ、
　前記第１データ信号線に沿って並ぶ複数のサブ画素については、隣り合うサブ画素が異なる色で発光し、かつそれぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子が前記第１データ信号線と電気的に接続し、
　前記第２データ信号線に沿って並ぶ複数のサブ画素については、隣り合うサブ画素が異なる色で発光し、かつそれぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子が前記第２データ信号線と電気的に接続する表示デバイス。
　〔態様２〕
　前記第１データ信号線および前記第２データ信号線は共に、青を発光するサブ画素、赤を発光するサブ画素、緑を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続する例えば態様１に記載の表示デバイス。
　〔態様３〕
　前記第１データ信号線に沿うサブ画素と、前記サブ画素に隣接し、前記第２データ信号線に沿うサブ画素とが異なる色で発光する例えば態様２に記載の表示デバイス。
　〔態様４〕
　前記第１データ信号線は、赤を発光するサブ画素および緑を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続し、
　前記第２データ信号線は、青を発光するサブ画素および緑を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続する例えば態様１に記載の表示デバイス。
　〔態様５〕
　青を発光するサブ画素の駆動トランジスタのチャネル長は、赤を発光するサブ画素および緑を発光するサブ画素の駆動トランジスタのチャネル長よりも短い例えば態様４に記載の表示デバイス。
　〔態様６〕
　青を発光するサブ画素の駆動トランジスタのチャネル幅は、赤を発光するサブ画素および緑を発光するサブ画素の駆動トランジスタのチャネル幅よりも長い例えば態様４に記載の表示デバイス。
　〔態様７〕
　前記複数のデータ信号線はさらに、前記第２データ信号線と隣接する第３データ信号線と、前記第３データ信号線と隣接する第４データ信号線とを含み、
　前記第３データ信号線に沿って並ぶ複数のサブ画素については、隣り合うサブ画素が異なる色で発光し、かつそれぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子が記第３データ信号線と電気的に接続し、
　前記第４データ信号線に沿って並ぶ複数のサブ画素については、隣り合うサブ画素が異なる色で発光し、かつそれぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子が前記第４データ信号線と電気的に接続する例えば態様１に記載の表示デバイス。
　〔態様８〕
　前記第１データ信号線は、第１色を発光するサブ画素および第２色を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続し、
　前記第２データ信号線は、第１色を発光するサブ画素および第３色を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続し、
　前記第３データ信号線は、第２色を発光するサブ画素および第３色を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続し、
　前記第４データ信号線は第１色を発光するサブ画素および第２色を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続し、
　前記第１データ信号線に接続し、かつ第１色で発光するサブ画素と、前記第２データ信号線に接続し、かつ第１色で発光するサブ画素とが隣接し、
　前記第３データ信号線に接続し、かつ第２色で発光するサブ画素と、前記第４データ信号線に接続し、かつ第２色で発光するサブ画素とが隣接し、
　前記第２データ信号線に接続し、かつ第３色で発光するサブ画素と、前記第３データ信号線に接続し、かつ第３色で発光するサブ画素とが隣接する例えば態様７に記載の表示デバイス。
　〔態様９〕
　前記第１データ信号線に接続し、かつ第１色で発光するサブ画素に含まれる前記発光素子の第１電極と、前記第２データ信号線に接続し、かつ第１色で発光するサブ画素に含まれる発光素子の第１電極とが電気的に接続する例えば態様８に記載の表示デバイス。
　〔態様１０〕
　前記第１データ信号線に接続し、かつ第１色で発光するサブ画素に含まれる前記発光素子の第１電極と、前記第２データ信号線に接続し、かつ第１色で発光するサブ画素に含まれる発光素子の第１電極とが、トランジスタを介して電気的に接続する例えば態様８に記載の表示デバイス。
　〔態様１１〕
　前記第１データ信号線は、第１色を発光するサブ画素および第２色を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続し、
　前記第２データ信号線は、第１色を発光するサブ画素および第２色を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続し、
　前記第３データ信号線は、第２色を発光するサブ画素および第３色を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続し、
　前記第４データ信号線は、第２色を発光するサブ画素および第３色を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続し、
　前記第１データ信号線に接続し、かつ第１色で発光するサブ画素と、前記第２データ信号線に接続し、かつ第１色で発光するサブ画素とが隣接し、
　前記第３データ信号線に接続し、かつ第２色で発光するサブ画素と、前記第４データ信号線に接続し、かつ第２色で発光するサブ画素とが隣接し、
　前記第２データ信号線に接続し、かつ第２色で発光するサブ画素と、前記第３データ信号線に接続し、かつ第３色で発光するサブ画素とが隣接する例えば態様７に記載の表示デバイス。
　〔態様１２〕
　列方向に延びる複数のデータ信号線と、行方向に延びる複数の走査信号線と、マトリクス状に配された複数のサブ画素とを備え、各サブ画素は、発光素子、前記複数のデータ信号線の１つに接続する書き込みトランジスタ、および前記発光素子の電流を制御する駆動トランジスタを含み、前記複数の走査信号線の１つに接続される表示デバイスであって、
　各走査信号線に発光色の異なる複数のサブ画素が接続され、
　各データ信号線に発光色の異なる複数のサブ画素が接続されている表示デバイス。
　〔態様１３〕
　各データ信号線に接続する複数のサブ画素の発光色数を３とする例えば態様１２に記載の表示デバイス。
　〔態様１４〕
　各データ信号線に接続する複数のサブ画素の発光色数を２とする例えば態様１２に記載の表示デバイス。
　〔態様１５〕
　各走査信号線に、行方向に並ぶ複数のサブ画素からなるサブ画素行が接続され、
　各データ信号線に、列方向に並ぶ複数のサブ画素からなるサブ画素列が接続され、
　第１色の複数のサブ画素および第２色の複数のサブ画素からなるサブ画素列と、前記第２色の複数のサブ画素および第３色の複数のサブ画素からなるサブ画素列とが隣り合う例えば態様１４に記載の表示デバイス。
　〔態様１６〕
　前記第３色の各サブ画素に最大階調を表示する場合のデータ信号の電圧と、前記第１色の各サブ画素に最大階調を表示する場合のデータ信号の電圧とが等しい例えば態様１５に記載の表示デバイス。
　〔態様１７〕
　前記第３色の各サブ画素の駆動トランジスタは、前記第１色の各サブ画素の駆動トランジスタよりも、チャネル長に対するチャネル幅の比が大きい例えば態様１６に記載の表示デバイス。
　〔態様１８〕
　行方向に連続する複数の同色サブ画素を１ドットとみなす場合に、各サブ画素行では複数色のドットが行方向に並び、
　列方向に隣り合う２つのサブ画素の発光色が異なる例えば態様１５に記載の表示デバイス。
　〔態様１９〕
　各サブ画素行では、連続する３色のドットを１周期として複数のドットが周期的に行方向に並び、
　隣り合う２つのサブ画素行では、ドット色の順序を示す位相が半周期分ずれている例えば態様１８に記載の表示デバイス。
　〔態様２０〕
　最近接同色ドット間の重心距離が、前記第１色、前記第２色および前記第３色それぞれについて同一である例えば態様１９に記載の表示デバイス。
　〔態様２１〕
　列方向に隣り合う２つのサブ画素行の一方では、連続する前記第１色のドットおよび前記第２色のドットを１周期として複数のドットが周期的に並ぶとともに、前記２つのサブ画素行の他方では、隣り合う前記第２色のドットおよび前記第３色のドットを１周期として複数のドットが周期的に並び、
　前記第２色の各ドットは、前記第１色のドットあるいは前記第３色ドットと列方向に隣り合う例えば態様１８に記載の表示デバイス。
　〔態様２２〕
　最近接同色ドット間の重心距離が、前記第１色および前記第３色それぞれについて同一である例えば態様２１に記載の表示デバイス。
　〔態様２３〕
　前記発光素子が発光ダイオードであり、前記第１色が赤であり、前記第２色が緑であり、前記第３色が青である例えば態様１５に記載の表示デバイス。
　〔態様２４〕
　各ドットを構成する２つのサブ画素の一方に属する前記発光素子のアノードと、他方に属する前記発光素子のアノードとが接続されている例えば態様１８に記載の表示デバイス。
　〔態様２５〕
　各ドットを構成する２つのサブ画素の一方に属する前記発光素子のアノードと、他方に属する前記発光素子のアノードとが、連結トランジスタを介して接続されている例えば態様１８に記載の表示デバイス。
　２　　表示デバイス
　３　　バリア層
　４　　ＴＦＴ層
　５　　発光素子層
　６　　封止層
　１０　基材
　１６・１８・２０　無機絶縁膜
　２１　平坦化膜
　２３　エッジカバー
　２４　ＥＬ層
　Ｔｓ　書き込みトランジスタ
　Ｔｄ　駆動トランジスタ
　Ｔｃ　連結トランジスタ
　Ｐｒ・Ｐｇ・Ｐｂ　サブ画素
　Ｙ１・Ｙ２・Ｙ３・Ｙ４　サブ画素列
　Ｘ１・Ｘ２　サブ画素行
　ＤＬ１・ＤＬ２・ＤＬ３　データ信号線
　ＳＣｎ　走査信号線
　Ｄｒ・Ｄｇ・Ｄｂ　ドット

Claims (25)

  1. 　複数のデータ信号線と、複数の走査信号線と、複数のサブ画素とを備え、各サブ画素は、発光素子、前記複数のデータ信号線の１つに接続する書き込みトランジスタ、および前記発光素子の電流を制御する駆動トランジスタを含む表示デバイスであって、
    　前記複数のデータ信号線に、第１データ信号線と、前記第１データ信号線に隣接する第２データ信号線とが含まれ、
    　前記第１データ信号線に沿って並ぶ複数のサブ画素については、隣り合うサブ画素が異なる色で発光し、かつそれぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子が前記第１データ信号線と電気的に接続し、
    　前記第２データ信号線に沿って並ぶ複数のサブ画素については、隣り合うサブ画素が異なる色で発光し、かつそれぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子が前記第２データ信号線と電気的に接続する表示デバイス。
  2. 　前記第１データ信号線および前記第２データ信号線は共に、青を発光するサブ画素、赤を発光するサブ画素、緑を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続する請求項１に記載の表示デバイス。
  3. 　前記第１データ信号線に沿うサブ画素と、前記サブ画素に隣接し、前記第２データ信号線に沿うサブ画素とが異なる色で発光する請求項２に記載の表示デバイス。
  4. 　前記第１データ信号線は、赤を発光するサブ画素および緑を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続し、
    　前記第２データ信号線は、青を発光するサブ画素および緑を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続する請求項１に記載の表示デバイス。
  5. 　青を発光するサブ画素の駆動トランジスタのチャネル長は、赤を発光するサブ画素および緑を発光するサブ画素の駆動トランジスタのチャネル長よりも短い請求項４に記載の表示デバイス。
  6. 　青を発光するサブ画素の駆動トランジスタのチャネル幅は、赤を発光するサブ画素および緑を発光するサブ画素の駆動トランジスタのチャネル幅よりも長い請求項４に記載の表示デバイス。
  7. 　前記複数のデータ信号線はさらに、前記第２データ信号線と隣接する第３データ信号線と、前記第３データ信号線と隣接する第４データ信号線とを含み、
    　前記第３データ信号線に沿って並ぶ複数のサブ画素については、隣り合うサブ画素が異なる色で発光し、かつそれぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子が記第３データ信号線と電気的に接続し、
    　前記第４データ信号線に沿って並ぶ複数のサブ画素については、隣り合うサブ画素が異なる色で発光し、かつそれぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子が前記第４データ信号線と電気的に接続する請求項１に記載の表示デバイス。
  8. 　前記第１データ信号線は、第１色を発光するサブ画素および第２色を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続し、
    　前記第２データ信号線は、第１色を発光するサブ画素および第３色を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続し、
    　前記第３データ信号線は、第２色を発光するサブ画素および第３色を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続し、
    　前記第４データ信号線は第１色を発光するサブ画素および第２色を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続し、
    　前記第１データ信号線に接続し、かつ第１色で発光するサブ画素と、前記第２データ信号線に接続し、かつ第１色で発光するサブ画素とが隣接し、
    　前記第３データ信号線に接続し、かつ第２色で発光するサブ画素と、前記第４データ信号線に接続し、かつ第２色で発光するサブ画素とが隣接し、
    　前記第２データ信号線に接続し、かつ第３色で発光するサブ画素と、前記第３データ信号線に接続し、かつ第３色で発光するサブ画素とが隣接する請求項７に記載の表示デバイス。
  9. 　前記第１データ信号線に接続し、かつ第１色で発光するサブ画素に含まれる前記発光素子の第１電極と、前記第２データ信号線に接続し、かつ第１色で発光するサブ画素に含まれる発光素子の第１電極とが電気的に接続する請求項８に記載の表示デバイス。
  10. 　前記第１データ信号線に接続し、かつ第１色で発光するサブ画素に含まれる前記発光素子の第１電極と、前記第２データ信号線に接続し、かつ第１色で発光するサブ画素に含まれる発光素子の第１電極とが、トランジスタを介して電気的に接続する請求項８に記載の表示デバイス。
  11. 　前記第１データ信号線は、第１色を発光するサブ画素および第２色を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続し、
    　前記第２データ信号線は、第１色を発光するサブ画素および第２色を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続し、
    　前記第３データ信号線は、第２色を発光するサブ画素および第３色を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続し、
    　前記第４データ信号線は、第２色を発光するサブ画素および第３色を発光するサブ画素それぞれの書き込みトランジスタの一方の導通端子と電気的に接続し、
    　前記第１データ信号線に接続し、かつ第１色で発光するサブ画素と、前記第２データ信号線に接続し、かつ第１色で発光するサブ画素とが隣接し、
    　前記第３データ信号線に接続し、かつ第２色で発光するサブ画素と、前記第４データ信号線に接続し、かつ第２色で発光するサブ画素とが隣接し、
    　前記第２データ信号線に接続し、かつ第２色で発光するサブ画素と、前記第３データ信号線に接続し、かつ第３色で発光するサブ画素とが隣接する請求項７に記載の表示デバイス。
  12. 　列方向に延びる複数のデータ信号線と、行方向に延びる複数の走査信号線と、マトリクス状に配された複数のサブ画素とを備え、各サブ画素は、発光素子、前記複数のデータ信号線の１つに接続する書き込みトランジスタ、および前記発光素子の電流を制御する駆動トランジスタを含み、前記複数の走査信号線の１つに接続される表示デバイスであって、
    　各走査信号線に発光色の異なる複数のサブ画素が接続され、
    　各データ信号線に発光色の異なる複数のサブ画素が接続されている表示デバイス。
  13. 　各データ信号線に接続する複数のサブ画素の発光色数を３とする請求項１２に記載の表示デバイス。
  14. 　各データ信号線に接続する複数のサブ画素の発光色数を２とする請求項１２に記載の表示デバイス。
  15. 　各走査信号線に、行方向に並ぶ複数のサブ画素からなるサブ画素行が接続され、
    　各データ信号線に、列方向に並ぶ複数のサブ画素からなるサブ画素列が接続され、
    　第１色の複数のサブ画素および第２色の複数のサブ画素からなるサブ画素列と、前記第２色の複数のサブ画素および第３色の複数のサブ画素からなるサブ画素列とが隣り合う請求項１４に記載の表示デバイス。
  16. 　前記第３色の各サブ画素に最大階調を表示する場合のデータ信号の電圧と、前記第１色の各サブ画素に最大階調を表示する場合のデータ信号の電圧とが等しい請求項１５に記載の表示デバイス。
  17. 　前記第３色の各サブ画素の駆動トランジスタは、前記第１色の各サブ画素の駆動トランジスタよりも、チャネル長に対するチャネル幅の比が大きい請求項１６に記載の表示デバイス。
  18. 　行方向に連続する複数の同色サブ画素を１ドットとみなす場合に、各サブ画素行では複数色のドットが行方向に並び、
    　列方向に隣り合う２つのサブ画素の発光色が異なる請求項１５に記載の表示デバイス。
  19. 　各サブ画素行では、連続する３色のドットを１周期として複数のドットが周期的に行方向に並び、
    　隣り合う２つのサブ画素行では、ドット色の順序を示す位相が半周期分ずれている請求項１８に記載の表示デバイス。
  20. 　最近接同色ドット間の重心距離が、前記第１色、前記第２色および前記第３色それぞれについて同一である請求項１９に記載の表示デバイス。
  21. 　列方向に隣り合う２つのサブ画素行の一方では、連続する前記第１色のドットおよび前記第２色のドットを１周期として複数のドットが周期的に並ぶとともに、前記２つのサブ画素行の他方では、隣り合う前記第２色のドットおよび前記第３色のドットを１周期として複数のドットが周期的に並び、
    　前記第２色の各ドットは、前記第１色のドットあるいは前記第３色ドットと列方向に隣り合う請求項１８に記載の表示デバイス。
  22. 　最近接同色ドット間の重心距離が、前記第１色および前記第３色それぞれについて同一である請求項２１に記載の表示デバイス。
  23. 　前記発光素子が発光ダイオードであり、前記第１色が赤であり、前記第２色が緑であり、前記第３色が青である請求項１５に記載の表示デバイス。
  24. 　各ドットを構成する２つのサブ画素の一方に属する前記発光素子のアノードと、他方に属する前記発光素子のアノードとが接続されている請求項１８に記載の表示デバイス。
  25. 　各ドットを構成する２つのサブ画素の一方に属する前記発光素子のアノードと、他方に属する前記発光素子のアノードとが、連結トランジスタを介して接続されている請求項１８に記載の表示デバイス。
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