TWI413440B - 水氣反應性組成物及包含此組成物之有機電致發光元件 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種透明、撓性水氣反應性組成物及一種該組成物作為一水氣捕集劑排佈於其中之有機致電發光(EL)元件。
有機EL元件係利用有機材料之電致發光性且可藉由層壓位於一陰極與一陽極之間的有機電荷轉移層及有機發光層形成。由於藉由低壓直流驅動即可以其達成高強度發光,故很多注意力集中在有機EL元件上。此外,有機EL元件可由能夠使其用於撓性顯示器之固體製作而成。
在經長時段驅動後有機EL元件之發光性質(諸如發光亮度、發光效率及發光均勻性)常會退化。引起此種退化之原因包括:因氧氣滲入至有機EL元件中而造成的電極氧化;因元件驅動期間產生之熱量造成的有機材料氧化分解;及因滲入至元件的空氣中水氣造成的電極氧化及有機材料改質。發光性質亦會因有機EL元件一介面處之脫落而退化。氧氣及水氣或熱量(該熱量會因元件組件熱膨脹係數間存在差異而產生應力)皆會造成脫落。
為減少發光性質之退化,曾研究過諸多旨在防止元件與氧氣及水氣接觸的用於密封有機EL元件之技術。例如,未經審驗的日本專利公開案(Kokai)第9-148066號揭示一方法,該方法包括遮蔽一藉由排佈一如圖1所示之有機EL元件形成的像素區域。該元件包括位於基板1之上的透明電極3、有機功能性層4、金屬陽極電極5,其中密封帽2具有一固定於其內壁上之吸水劑6。該元件內部充有氮氣,並用黏合劑7將密封帽2固定於基板1上。在另一實例中,未經審驗的日本專利公開案(Kokai)第7-169567號揭示一包括用一氧氣吸收劑代替吸水劑之方法。
曾檢查過各種可作為吸水劑之物質。具體而言,曾廣泛研究過鹼土金屬氧化物(諸如氧化鋇(BaO)及氧化鈣(CaO)),此乃因該等氧化物不同於如矽膠及沸石等物理吸水之吸水劑(因為該等氧化物確實會藉由化學反應捕集水分子)且因該等氧化物不會在高溫下釋放水分子。然而,此等氧化物係呈須固定於有機EL元件中一凹槽內的顆粒形式,此會不利地增加該元件之厚度。鹼土金屬氧化物可應用於一所謂底部發射型顯示器上(自該顯示器顯示光係自基板1側發出)。然而,鹼土金屬氧化物不適用於所謂頂部發射型顯示器(自該顯示器顯示光係自與基板1相對之密封帽2側發出)。此乃因鹼土金屬氧化物不透明從而會阻礙顯示光發射之故。若欲使用氧化物,則其須經排佈以不致於遮蔽像素區域,且必須提供一新的排佈位置。
曾提出過若干旨在將吸水劑應用於頂部發射型顯示器中之方案。例如,可使用透明之吸水聚合物(諸如聚(乙烯醇)及耐綸),雖此等聚合物係物理吸水,如上文所闡釋此點並不合乎要求。未經審驗的日本專利公開案(Kokai)第2001-357973號闡述一具有一頂部發射結構及一微粒吸水劑之排佈(排佈達如此程度使得光透射不會受到阻礙)的有機EL元件。未經審驗的日本專利公開案(Kokai)第2002-56970號闡述一塑性基板之應用,其中吸水劑之粒徑小於有機EL元件之發光波長。然而,因為上述二參考文獻皆採用無機顆粒作為吸水劑,故吸水劑很難排佈,且其原始顆粒亦很難分散。因此,光會經散射,其會不利地降低光透射。
未經審驗的日本專利公開案(Kokai)第2003-142256號揭示一幾乎不會吸收可見光並可藉由用一溶劑塗佈一特定金屬化合物而形成之水捕集膜的應用。然而,當該水捕集膜應用於一撓性基板時則會產生問題,因該薄膜係由低分子量化合物製作而成所以不具撓性。此外,為防止元件免受水氣及氧氣損害,須使用相對應之捕集劑。因此,就會產生此等作用劑之排佈位置更為有限之問題。
本發明揭示一種包含一具有一主鏈及一或多個側鏈之水氣反應性聚矽氧烷的水氣反應性組成物,其中該主鏈及/或該一或多個側鏈包括一由下式代表之基團:-MXm
Yn
;且其中M係從由一多價金屬原子、B及P=O組成之群組;X係一氫原子、一經取代或未經取代之烷基、烯基或烷氧基基團;Y係一經取代或未經取代之烷氧基、甲矽烷氧基、羧基或二β-羥基酮基團;m係從1至3;且n係從0至2。
如上所述,該包含一主鏈及一或多個側鏈之水氣反應性聚矽氧烷可由下式代表:-MXm
Yn
。
M係從由一多價金屬原子、B及P=O組成之群組。M較佳係獨立選自由Al、B、Ti及Zr組成之群,且更佳係獨立選自由Al或Ti組成之群組。
X係一氫原子、一經取代或未經取代之烷基、烯基或烷氧基基團;可用烷基包括1至20個碳原子;實例包括甲基、乙基、丙基、丁基、己基及辛基。可用烷氧基包括8至1,000個碳原子;實例包括甲氧基、乙氧基、丁氧基、己氧基、環己氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、癸氧基、月桂基氧基、肉豆蔻基氧基、鯨蠟基氧基、異硬脂基氧基、異莰基氧基、膽固醇氧基、聚氧伸烷基單烷基酯基或聚氧伸烷基單烷基醚氧基。X亦可係聚氧伸乙基單月桂基酯氧基、聚氧伸乙基單甲基醚氧基、聚氧伸丙基單丁基醚氧基或聚四氫呋喃單甲基醚氧基。X亦可係一包括聚二甲基矽氧烷之烷氧基;實例包括由Chisso公司製造之FM2221、FM2241及FM2245。
Y係一經取代或未經取代之烷氧基、甲矽烷氧基、羧基或二β-羥基酮基團,且較佳係一烷基羧基,且更佳係2-乙基己基羧酸根基、異硬脂基羧酸根基、硬脂基羧酸根基、環己基羧酸根基或萘次甲基羧酸根基。Y可用於調節固化率及固化前組成物與固化後組成物間的相容性。
該包含一主鏈及一或多個側鏈之水氣反應性聚矽氧烷可由下式代表:
M、X、Y、m及n係如上所述。
R獨立係一氫原子、一具有1至20個碳原子之經取代或未經取代之直鏈或環脂族烷基或烯基、或一經取代或未經取代之具有1至10個碳原子之芳基基團。R較佳獨立係氫原子、甲基、乙基、丁基、己基、辛基、苯基或乙烯基,且更佳係甲基或苯基。
Z係二價聚矽氧烷連接基團;較佳係聚二甲基矽氧烷、聚二苯基矽氧烷、聚苯基甲基矽氧烷、或聚三氟丙基甲基矽氧烷,且更佳係聚二甲基矽氧烷或聚苯基甲基矽氧烷。實際上,Z可作為一在分子末端具有矽烷醇基之聚矽氧烷購得,例如,可自GE Toshiba Silicones公司購得之聚矽氧烷,如YF3800、YF3057、YF3897、YF3804。儘管聚矽氧烷分子量可依照組成物物理性質適當選擇,但其通常係介於200至3,000,000之間。
該水氣反應性聚矽氧烷具有一金屬部分(-MX-)及一矽烷醇基部分(-Si-O-)。該金屬部分會與水及氧氣迅速反應,且該矽烷醇基部分可調節化合物之反應性、流動性、撓性及相容性。該水氣反應性聚矽氧烷係藉由一金屬化合物或該金屬化合物一路易斯鹼(Lewis base)加成產物與具有一矽烷醇基之聚矽氧烷反應形成。該反應可藉由將兩種物質混合來達成。以此一比例將兩種物質混合以避免金屬化合物經由矽烷醇基與水氣反應之部分(即Xm
Yn
)的整體消耗。
例如,其中M係Al、X係辛基且Y不存在(即n係0)之實例於下文闡釋。該水氣反應性聚矽氧烷係藉由一具有一矽烷醇基之聚矽氧烷與三辛基鋁反應製備,如下式所示:
烷基金屬化合物MX(諸如三辛基鋁)可藉由一金屬鹵化物與一格氏試劑(Grignard reagent)反應或諸如此類程序來合成。此外,(例如)當欲合成一烷基鋁化合物時,其可藉由使三異丁基鋁與一烯烴反應來合成。市售烷基鋁化合物(來自Tosoh Finechem公司或Nippon Aluminum Alkyls公司)之實例包括:三甲基鋁、三乙基鋁、三丙基鋁、三丁基鋁、三己基鋁、三辛基鋁、二異丁基氫化鋁及二乙基乙醇鋁。
一烷氧基金屬化合物可藉由一使一金屬鹵化物與一金屬醇鹽反應之程序或一使一如上所述烷基金屬化合物與氧或醇反應之程序合成。
一具有Y之金屬化合物可藉由將一醇、一矽烷醇及一羧酸及諸如此類加至藉由上述程序得到之烷基金屬化合物或烷氧基金屬化合物中來合成。
由上述程序如此生成之水氣反應性聚矽氧烷可藉由與水氣進行化學反應來捕集水分子,如下式所示:
隨後釋放與金屬連接之基團X。因基團X(在該式中X係辛基)不活潑,故其不會腐蝕EL元件內電極等。此外,當該反應性聚矽氧烷係用於一有機EL元件時,較佳使用具有大量碳原子之基團X,此乃因與水氣反應形成一易揮發組份否則會影響該元件。
此外,當X係一烷基時,該化合物不僅會與水氣反應且亦會與氧氣反應。因此,亦可將該化合物用作一氧氣捕集劑。反應過程如下式所示:
本文所揭示之該水氣反應性組成物除含有上述矽酮化合物外亦可包含一未反應之金屬化合物。就金屬化合物與矽酮化合物之質量比而言,該比例有利地應為1,000:1或更低。當該比例大於1,000:1時,該水氣反應性組成物作為薄膜有時會強度不足,或會在吸收水氣後發生相分離,此會降低薄膜之透明度。
此外,該水氣反應性組成物除含有上述矽酮化合物外亦可包含一不含矽烷醇基之聚矽氧烷及一填充劑,以便調節經固化材料之物理性質及未經固化材料之黏度。不含矽烷醇基之聚矽氧烷可以係一具有一氫原子、一經取代或未經取代之烷基、烯丙基或芳基之聚矽氧烷;或一聚矽氧烷之共聚物。具體而言,可使用聚二甲基矽氧烷、聚二苯基矽氧烷、聚甲基苯基矽氧烷,及諸如此類。填充劑較佳係無機物且具有一能夠與上述金屬化合物反應之羥基。填充劑實例包括金屬氧化物(諸如矽石、氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁及氧化鋯)、氮化物(諸如氮化硼及氮化鋁)、黏土(諸如蒙脫石)及炭黑。
該水氣反應性組成物可包含具有任一粒徑之顆粒,只要透明性不會受損即可,且通常介於1至1,000奈米之間。
如上所述,該水氣反應性組成物可用作一供一有機EL元件之用的水氣捕集劑。具體而言,該有機EL元件可包括一包括下列之層壓板:一對彼此相對之電極;及一包含一有機材料之有機發光材料層,該有機發光材料層係佈置於該對彼此相對之電極之間;一可遮蔽該層壓板使其免於接觸外部空氣之密封結構;及一包含一透明水氣反應性材料之水氣反應性組成物,該水氣反應性組成物係佈置於該密封結構內。
該水氣反應性組成物可置於該元件內任何位置上,此乃因其係透明的從而不會遮光。圖1顯示一包括一含有透明電極3、有機功能性層4及金屬陽極電極5之層壓板的實例性有機EL元件。該層壓板係佈置於一由基板1、密封帽2及黏合劑7形成之密封結構中。該密封結構具有一面向該層壓板之水氣反應性組成物6可佈置於其上的光接收面側。或者,該水氣反應性組成物6可佈置於構成一發光面側之金屬陽極電極5外表面上。
圖2顯示一其中水氣反應性組成物6可同時固定於發光面側及光接收面側上之實例性有機EL元件。圖3顯示另一實例性有機EL元件,其中該水氣反應性組成物6完全覆蓋該層壓板。
上文所述有機EL元件可包括包含一具有一主鏈及一或多個側鏈之水氣反應性聚矽氧烷的透明水氣反應性材料,其中該主鏈及/或一或多個側鏈包括一由下式代表之基團:-MXm
Yn
;且其中:M係從由一多價金屬原子、B及P=O組成之群組;X係一氫原子、一經取代或未經取代之烷基、烯基或烷氧基基團;Y係一經取代或未經取代之烷氧基、甲矽烷氧基、羧基或二β-羥基酮基團;m係從1至3;且n係從0至2。
本文亦揭示一包含一水氣反應性材料之吸濕層積膜,該透明水氣反應性材料包含一具有一主鏈及一或多個側鏈之聚矽氧烷,其中該主鏈及/或該一或多個側鏈包括一由下式代表之基團:-MXm
Yn
:且其中:M係從由一多價金屬原子、B及P=O組成之群組;X係一氫原子、一經取代或未經取代之烷基、烯基或烷氧基基團;Y係一經取代或未經取代之烷氧基、甲矽烷氧基、羧基或二β-羥基酮基團;m係從1至3;且n係從0至2。
使用下列聚合物:聚合物1:GE Toshiba Silicones公司,YF3807,黏度為20,000平方毫米/秒,OH基末端經封閉聚合物2:GE Toshiba Silicones公司,YF3802,黏度為80,000平方毫米/秒,OH基末端經封閉聚合物3:GE Toshiba Silicones公司,YF3897,古阿膠,OH基末端經封閉聚合物4:Azmax公司,DMS-S12,黏度為30平方毫米/秒,OH基末端經封閉聚合物5:Azmax公司,DMS-S31,黏度為1,000平方毫米/秒,OH基末端經封閉聚合物6:GE Toshiba Silicones公司,TSF451 1M黏度為10,000平方毫米/秒聚合物7:GE Toshiba Silicones公司,TSF451 100M黏度為1,000,000平方毫米/秒聚合物8:GE Toshiba Silicones公司,YF3804,黏度為80平方毫米/秒,OH基末端經封閉聚合物9:Azmax公司,FMS-9921,黏度為40至150平方毫米/秒,OH基末端經封閉
使用下列化合物:化合物1:三辛基鋁,Sigma Aldrich公司化合物2:Chelope EP-12,二異丙氧基乙醯基丙酮酸鋁,Hope Chemical公司化合物3:Liquid Oliepe AOO,辛酸氧化鋁,Hope Chemical公司化合物4:AerosilRY 200,矽石填充劑,Japan Aerosil公司化合物5:三(2-辛基十二烷基氧基)鋁(合成如下所述)化合物6:三(聚二甲基矽氧烷氧基)鋁(合成如下所述)化合物7:三(聚丙二醇單丁基醚氧基)鋁(合成如下所述)化合物8:硼酸三乙酯,Sigma Aldrich公司化合物9:Orgatix TA-30,鈦酸四(2-乙基己基)酯,Matsumoto Trading公司化合物10:Orgatix ZB-320,四丁氧基硬脂酸鋯,Matsumoto Trading公司
化合物5(三(2-辛基十二烷基氧基)鋁)之合成用一注射器將一量為20克的含有25%三異丙基鋁(由Sigma Aldrich公司製造)之甲苯溶液置於一已用氮氣淨化之200毫升Schlenk管中。此外,將20.5克2-辛基十二烷基醇(Kalcol200GD,由Kao公司製造)逐漸添加至該甲苯溶液中。獲得熱量產生及丁烷起泡,並觀察到一無色透明溶液。未取出產物,且該溶液未經進一步加工即用於製備一水氣反應性組成物。
化合物6(三(聚二甲基矽氧烷氧基)鋁)之合成除使用16克25%三異丙基鋁(由Sigma Aldrich公司製造)甲苯溶液及5.0克具有一聚二甲基矽氧烷骨架之醇(Silaplaine FM0411,由Chisso公司製造)外,重複化合物5合成中所用程序以得到一無色透明溶液。
化合物7(三(丙二醇單丁基醚氧基)鋁)之合成除使用20克25%三異丙基鋁(由Sigma Aldrich公司製造)甲苯溶液及2.0克聚丙二醇單丁基醚(由Sigma Aldrich公司製造)之外,重複化合物5合成中所用程序以得到一無色透明溶液。
將一重為4.0克在兩個末端皆具有一矽烷醇基之聚二甲基矽氧烷(YT3807,由GE Toshiba Silicones公司製造)添加至一存於一20毫升羅紋管內的4.0克三辛基鋁(由Sigma Aldrich公司製造)之己烷溶液中,並劇烈攪拌內容物以得到一溶液組成物。
使用表1及表2中所示材料並以與實例1相同之方式得到溶液組成物。此外,在實例17中使用一含氟型溶劑(3MT M
NovecT M
HFE-7200,由Sumitomo 3M公司製造)。
由表1及表2中所示材料並以與實例1中相同之方式得到溶液組成物。
將量為1克(乾燥後固體)之上述溶液組成物之一置於一市售由聚丙烯製作而成之盤(100毫米(內徑)×70毫米)中,並在減壓下蒸餾出溶劑。將盤上如此得到之樣品連同該盤一起置於一容積為420毫升之玻璃瓶中,並立即用一其上安裝有一溫度/濕度計(商品名605-H1,由Testo公司製造)之金屬製帽將該瓶封好。量測直至瓶內相對濕度(RH)降低10%所需之時間及12小時後RH。室溫係25℃。表3顯示量測結果。
用分光光度計U 4000(商品名,由Hitachi公司製造)量測樣品滲透性。藉由用上述溶液組成物之一在一氮氣氣氛中用一刮刀塗佈機塗佈一市售聚(對苯二甲酸乙二酯)(PET)薄膜(LumirrorT 60,50微米厚,由Toray Industries公司製造)來製備一供該量測之用的樣品。乾燥後薄膜厚度係50微米。自如此得到之薄膜上切割下一30毫米×40毫米之樣品,並使其於空氣中在25℃及50%相對濕度下保持3天以經充分固化。在該分析中,使用該PET薄膜作為一基線。表3顯示400至800奈米波長範圍之透明度。
使上述所用之薄膜沿一鐵條(R=10毫米)彎曲並目測觀察。使每一薄膜裂開所需之彎曲次數列示於表3中。最多實施10次彎曲。
可由表3中所示結果證實下列各項。實例1至17中組成物具有足夠之水氣反應性,並可用作水氣捕集劑。此外,由此等組成物製作而成之薄膜具有足夠之撓性且在可見光範圍內具有足夠之透明度。另一方面,對照實例1及2中組成物在吸收水氣後極為易碎,且很難彎曲。此外,儘管在施用組成物後此等組成物後其即刻係透明的,但在將其放置12小時後即粉化。對照實例3及4中組成物呈現很差的透明度且呈液態,此乃因其即使在吸收水氣時亦未固化。
圖1顯示一如下製備之有機EL元件。使用一玻璃基板作為基板1,並藉由光微影蝕刻法使一具有一氧化銦錫(ITO)薄膜(由Sanyo Vacuum Industries公司製造,ITO薄膜厚度為150奈米,薄層電阻<14 ohm/sq,玻璃厚度為0.7毫米,尺寸40毫米×40毫米)之玻璃基板圖案化從而形成一ITO電極圖案以作為電極3。藉由溶劑清洗實施基板之表明清洗,並藉由真空沈積在ITO電極3上形成有機功能性層4及金屬電極層5。用一薄膜厚度傳感器(商品名IC6000,由Infinicon Systems製造)監測真空沈積率及真空沈積層厚度。真空浴之背景壓力係約1×107
托。
如下所示有機功能性層4係由三類低分子量有機材料製作而成,且薄膜總厚度係130奈米。首先,藉由蒸汽沈積在ITO電極3上形成一15奈米厚之銅酞菁(CuPc)層以作為一電洞注入層。然後藉由蒸汽沈積在CuPc層上形成一55奈米厚之雙[N-(1-萘基)-N-苯基]聯苯胺(NPD)層以作為一電洞傳輸層。然後藉由蒸汽沈積在NPD層上形成一60奈米厚之三(8-羥基喹啉根基)鋁(III)(Alq3)層以作為一電子傳輸及發射層。所有該等材料之蒸汽沈積率係約3埃/秒。所有此等有機材料皆由Nippon Steel Chemical公司製造。
藉由真空蒸汽沈積在Alq3層上形成金屬電極層5。如下文所闡釋該金屬電極層5係由兩類無機材料製作而成,且總層厚係101奈米。首先,藉由蒸汽沈積形成一1奈米厚之氟化鋰(純度99.99%,由Furuuchi Chemical公司製造)層以作為一電子注入層。然後在氟化鋰層上形成一100奈米厚之鋁(純度99.99%,由Kojundo Kasei K.K.製造)層以作為一電極金屬。氟化鋰之蒸汽沈積率係約0.3埃/秒,且鋁之蒸汽沈積率係約5埃/秒。
接下來用一含有62.5重量%之實例1組成物的溶液在一其中盡可能多地去除水氣及氧氣之氮氣惰性氣氛中塗佈密封帽2凹入部分內部(由玻璃製成,具有一40毫米×40毫米之外部尺寸及一3毫米之厚度,該凹入部分內部具有一40毫米×40毫米之尺寸及一1.5毫米之深度),並加以乾燥。如此在密封帽2內形成一約0.5毫米厚之水氣反應性組成物的透明薄膜以作為吸水劑6(作為乾燥裝置)。
於一其中盡可能多地去除水氣及氧氣之氮氣惰性氣氛中使該密封部件與有機EL元件彼此對置,並藉由施用一雙液型可固化環氧樹脂(Bond Quick 5,由Konishi公司製造)(作為黏合劑7)並加以乾燥來密封該有機EL元件。
使該有機EL元件於空氣中在25℃及一50%相對濕度下接受一儲存測試。首先,將密封後有機EL元件自惰性氣氛中取出置於空氣中。使用ITO電極3作為陰極,且使用金屬電極5作為陽極;用一連由一CCD照相機之光學顯微鏡(商品名BX60,由Olympus公司製造)觀察該有機EL元件,同時將一約9V之DC電壓施加至該等電極上,並根據所攝取之有機EL元件發光照片圖像計算起始非發光區域與發光部分之比例。在實例18之有機EL元件中未觀察到非發光部分。
接下來,將該有機EL元件於空氣中在25℃及一50%相對濕度下儲存3,600小時,並藉由與計算起始非發光區域相同之程序計算非發光區域比例。儲存3,600小時後實例18之有機EL元件的發光區域與起始發光區域相同,且非發光區域增加率係0%。該等結果表明,實例1之組成物可有效捕集原本會滲入有機EL元件之水氣及氧氣。
除不使用實例1之組成物外以與實例18相同之方式製備一有機EL元件。藉由與實例18中相同之程序量測該有機EL元件之初始發光區域。對照實例5中有機EL元件之初始非發光區域比例係3.1%。即,該有機EL元件在密封後即立刻退化。將該有機EL元件於空氣中在25℃及一50%相對濕度下儲存3,600小時,且藉由與實例18中相同之程序計算儲存後非發光部分之比例。儲存3,600小時後對照實例5之有機EL元件的非發光區域比例係91.3%。非發光區域之增加率相當高,高達295%。該等結果表明,水氣及氧氣穿過密封用黏合劑7滲入至密封帽中從而使有機EL元件退化。
除用BaO(微粒,純度99.9%,由Furuuchi Chemical公司製造)代替實例1之組成物外以與實例18相同之方式製備一有機EL元件。在一研缽中將BaO顆粒充分研磨,並用一雙面膠帶(商品名ST 415,由Sumitomo 3M公司製造)將所得顆粒固定至密封帽2凹入部分中。藉由與實例18中相同之程序量測該有機EL元件之初始發光區域。對照實例6中該有機EL元件之初始非發光區域比例係0.1%。將該有機EL元件於空氣中在25℃及一50%相對濕度下儲存3,600小時,且藉由與實例18中相同之程序計算儲存後非發光部分之比例。儲存3,600小時後對照實例6之有機EL元件的非發光區域比例係0.1%。非發光區域增加率係0%,其與實例18中之非發光區域增加率相同。
除用辛酸氧化鋁(AOO)(商品名Liquid Oliepe AOO,由Hope Chemical公司製造)代替實例1之組成物外以與實例18相同之方式製備一有機EL元件。用一含有48重量% AOO之溶液在一其中盡可能多地去除水氣及氧氣之氮氣惰性氣氛塗佈密封帽2之凹入部分內部,並加以乾燥。乾燥後該AOO薄膜係約0.5毫米厚。藉由與實例18中相同之程序量測該有機EL元件之初始發光區域。對照實例7中有機EL元件之初始非發光區域比例係0.4%。將該有機EL元件於空氣中在25℃及一50%相對濕度下儲存3,600小時,且藉由與實例18中相同之程序計算儲存後非發光部分之比例。儲存3,600小時後對照實例7之有機EL元件的非發光區域比例係6.5%。非發光區域增加率係163%,其大於實例18之非發光區域增加率。
1...基板
2...密封帽
3...透明電極
4...有機功能性層
5...金屬陽極電極
6...吸水劑
7...黏合劑
圖1係一一實例性有機EL元件之剖面示意圖。
圖2係一一實例性有機EL元件之剖面示意圖。
圖3係一一實例性有機EL元件之剖面示意圖。
1...基板
2...密封帽
3...透明電極
4...有機功能性層
5...金屬陽極電極
6...吸水劑
7...黏合劑
Claims (4)
- 一種有機電致發光(EL)元件,其包括:包括下列之積層體:對彼此相對之電極,及包含有機材料之有機發光材料層,該有機發光材料層係佈置於該對彼此相對電極之間;遮蔽該積層體使其與外部空氣隔絕之密封結構;及佈置於該密封結構內之水氣反應性組成物,該水氣反應性組成物包含具有主鏈及一或多個側鏈之水氣反應性聚矽氧烷,其中該主鏈及/或該一或多個側鏈包含由下式代表之基團:-MXm Yn ;且其中:M係選自由一多價金屬原子、B及P=O組成之群組;X係氫原子、或經取代或未經取代之烷基、烯基或烷氧基基團;Y係經取代或未經取代之烷氧基、甲矽烷氧基、羧基或二β-羥基酮基團;m係從1至3;且n係從0至2。
- 如請求項1之有機電致發光(EL)元件,其中該密封結構包括光接收面側,該光接收面側面向該積層體,其中該水氣反應性組成物係佈置於該光接收面側附近。
- 如請求項1之有機電致發光(EL)元件,其中該積層體包括 至少發光面側,其中該水氣反應性組成物係佈置於該發光面側附近。
- 一種包含透明水氣反應性組成物之吸濕層積膜,該透明水氣反應性組成物包含具有主鏈及一或多個側鏈之聚矽氧烷,其中該主鏈及/或該一或多個側鏈包括由下式代表之基團:-MXm Yn ;且其中:M係選自從由一多價金屬原子、B及P=O組成之群組;X係一氫原子、或一經取代或未經取代之烷基、烯基或烷氧基基團;Y係一經取代或未經取代之烷氧基、甲矽烷氧基、羧基或二β-羥基酮基團;m係從1至3;且n係從0至2。
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