TWI413243B - 固體攝像元件、固體攝像裝置及其製造方法 - Google Patents

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Description

固體攝像元件、固體攝像裝置及其製造方法
本發明係關於固體攝像元件、固體攝像裝置及其製造方法，尤其係關於CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)固體攝像元件、CCD固體攝像裝置及其製造方法。
以往用在攝影機(video camera)等的固體攝像元件中，係將光檢測元件排列成矩陣狀，且在光檢測元件行之間具有用以讀出在該光檢測元件行所產生之訊號電荷的垂直電荷耦合元件(垂直CCD：Charge Coupled Device)。
接著，揭示上述習知之固體攝像元件的構造(參照例如專利文獻1)。第1圖係顯示習知之固體攝像元件之單位像素的剖視圖。光電二極體(PD，photo diode)係由形成在形成於n型基板11上的p型阱區域12內且具有作為電荷蓄積層之功能的n型光電轉換區域13、以及形成在n型光電轉換區域13上之p＋型區域14所構成。
此外，n型CCD通道區域16係作為n型雜質添加區域而形成在p型阱區域12內。在n型CCD通道區域16與將訊號電荷讀出於該n型CCD通道區域16之側的光電二極體之間係設有由p型雜質添加區域所形成的讀出通道。接著，在光電二極體產生的訊號電荷係在暫時蓄積於n型光電轉換區域13之後，經由讀出通道而予以讀出。
另一方面，在n型CCD通道區域16與其他光電二極體之間係設有p＋型元件分離區域15。藉由該p＋型元件分 離區域15，以使光電二極體與n型CCD通道區域16作電性分離，並且使n型CCD通道區域16彼此亦以不相互接觸的方式予以分離。
在半導體基板的表面係隔介Si氧化膜17而形成有以通過光電二極體間的方式朝水平方向延伸的傳送電極18。其中，傳送電極18之中，經由位於讀出訊號係施加其上之電極下方的讀出通道，由光電二極體產生的訊號電荷係讀出至n型CCD通道區域16。
形成有傳送電極18之半導體基板的表面係形成有金屬遮蔽膜20。金屬遮蔽膜20係按各光電二極體具有金屬遮蔽膜開口部24作為使在屬於受光部之p＋型區域14所接受的光透射的光透射部。
專利文獻1：日本特開2000－101056號公報
如上所述，在習知之固體攝像元件中，光電二極體(PD)、讀出通道、n型CCD通道區域、p＋型元件分離區域係形成為平面，在受光部(光電二極體)之表面積相對於一像素之面積的比例加大時會有極限。因此，本發明之目的在提供一種減少讀出通道的面積，且受光部(光電二極體)之表面積相對於一像素之面積的比例較大的CCD固體攝像元件。
本發明之第1態樣係提供一種固體攝像元件，係具 備：第1導電型半導體層；形成在第1導電型半導體層上的第1導電型柱狀半導體層；形成在第1導電型柱狀半導體層的上部，且電荷量係依受光情形而改變的第2導電型光電轉換區域；以及與第1導電型柱狀半導體層的上端隔著預定間隔而形成在第2導電型光電轉換區域之表面的第1導電型高濃度雜質區域，而在第1導電型柱狀半導體層的側面係隔介閘極絕緣膜而形成有傳送電極，在傳送電極的下方形成有第2導電型CCD通道區域，在第2導電型光電轉換區域與第2導電型CCD通道區域所夾介的區域形成有讀出通道。
本發明之第2態樣係提供一種固體攝像裝置，係以行列狀排列有固體攝像元件：該固體攝像元件之特徵係具備第1導電型半導體層；形成在第1導電型半導體層上的第1導電型柱狀半導體層；形成－在第1導電型柱狀半導體層的上部，且電荷量係依受光情形而改變的第2導電型光電轉換區域；以及與第1導電型柱狀半導體層的上端隔著預定間隔而形成在第2導電型光電轉換區域之表面的第1導電型高濃度雜質區域，而在第1導電型柱狀半導體層的側面係隔介閘極絕緣膜而形成有傳送電極，在傳送電極的下方形成有第2導電型CCD通道區域，在第2導電型光電轉換區域與第2導電型CCD通道區域所夾介的區域形成有讀出通道。
較佳係第2導電型CCD通道區域係至少在相鄰之前述第1導電型柱狀半導體層行之間的各行間以朝行方向延伸 的第2導電型雜質區域所構成，且以使第2導電型CCD通道區域不會相互接觸的方式設置由第1導電型高濃度雜質構成的元件分離區域。
更佳為包含在第1導電型柱狀半導體層的側面隔介閘極絕緣膜而形成的傳送電極的複數個傳送電極係在相鄰第1導電型柱狀半導體層列之間的各列間朝列方向延伸，且以沿著第2導電型CCD通道區域傳送固體攝像元件所產生的訊號電荷的方式分開預定間隔而排列。
本發明之第3態樣係提供一種固體攝像裝置，係使固體攝像元件以第1間隔朝第1方向排列有複數個第1固體攝像元件行、與以第1間隔朝第1方向排列有複數個固體攝像元件而且相對於第1固體攝像元件行朝第1方向挪移預定量予以配置的第2固體攝像元件行，隔著第2間隔排列的元件行的組，朝第1方向挪移預定量且隔著第2間隔排列複數組者，而該固體攝像元件係以具備：第1導電型半導體層；形成在第1導電型半導體層上的第1導電型柱狀半導體層；形成在第1導電型柱狀半導體層的上部，且電荷量係依受光情形而改變的第2導電型光電轉換區域；以及與第1導電型柱狀半導體層的上端隔著預定間隔而形成在第2導電型光電轉換區域之表面的第1導電型高濃度雜質區域，而在第1導電型柱狀半導體層的側面係隔介閘極絕緣膜而形成有傳送電極，在傳送電極的下方形成有第2導電型CCD通道區域，在第2導電型光電轉換區域與第2導電型CCD通道區域所夾介的區域形成有讀出通道 為特徵。
較佳為第2導電型CCD通道區域係至少在相鄰柱狀半導體層行之間的各行間，由通過該相鄰第1導電型柱狀半導體層行之各柱狀半導體層之間而朝行方向延伸的第2導電型雜質區域所構成，且以使第2導電型CCD通道區域不會相互接觸的方式設置由第1導電型高濃度雜質所構成的元件分離區域。
更佳為傳送電極係在相鄰柱狀半導體層列之間的各列間，以通過相鄰柱狀半導體層列之各柱狀半導體層之間而朝列方向延伸，以沿著第2導電型CCD通道區域傳送在固體攝像元件所產生的訊號電荷的方式分離預定間隔而予以排列。
本發明之第4態樣係提供一種固體攝像元件之製造方法，係包含：形成第1導電型半導體層、第1導電型半導體層上的第1導電型柱狀半導體層、第1導電型柱狀半導體層上部的第2導電型光電轉換區域及與第1導電型柱狀半導體層的上端隔著預定間隔的第2導電型光電轉換區域表面的第1導電型高濃度雜質區域的步驟；在第1導電型半導體層表面形成第2導電型CCD通道區域的步驟；在第1導電型柱狀半導體層的側面形成閘極絕緣膜的步驟；以及在第2導電型CCD通道區域的上方，在第1導電型柱狀半導體層的側面隔介前述閘極絕緣膜而形成傳送電極的步驟。
較佳為復包含：形成第1導電型半導體層、第1導電 型半導體層上的第1導電型柱狀半導體層、第1導電型柱狀半導體層上部的第2導電型光電轉換區域及與第1導電型柱狀半導體層的上端隔著預定間隔的該第2導電型光電轉換區域表面的第1導電型高濃度雜質區域的步驟；形成比第1導電型半導體層厚的第1導電型的半導體層的步驟；在比第1導電型半導體層厚的第1導電型的半導體層上形成第2導電型的半導體層的步驟；在第2導電型的半導體層上形成第1導電型的高濃度雜質半導體層的步驟；對於比第1導電型半導體層厚的第1導電型的半導體層、第2導電型的半導體層及第1導電型的高濃度雜質半導體層進行選擇性蝕刻，而形成第1導電型半導體層、第1導電型半導體層上的第1導電型柱狀半導體層、第1導電型柱狀半導體層上部的第2導電型光電轉換區域及第2導電型光電轉換區域上面的第1導電型高濃度雜質區域的步驟；在第1導電型半導體層的表面、第2導電型光電轉換區域的側面以及第1導電型柱狀半導體層的側面形成氧化膜的步驟；將藉由離子植入而在第2導電型光電轉換區域的側面表面製作第1導電型高濃度雜質區域時的遮罩材沈積在第1導電型柱狀半導體層的側面的步驟；以及藉由離子植入而在第2導電型光電轉換區域的側面表面製作第1導電型高濃度雜質區域的步驟。
本發明之第5態樣係提供一種固體攝像裝置之製造方法，係包含：形成第1導電型半導體層、第1導電型半導體層上的複數個第1導電型柱狀半導體層、複數個第1導 電型柱狀半導體層上部的第2導電型光電轉換區域及與第1導電型柱狀半導體層的上端隔著預定間隔的第2導電型光電轉換區域表面的第1導電型高濃度雜質區域的步驟；在第1導電型半導體層表面形成第2導電型CCD通道區域的步驟；在複數個第1導電型柱狀半導體層的側面形成閘極絕緣膜的步驟；以及在第2導電型CCD通道區域的上方，至少在複數個第1導電型柱狀半導體層的側面隔介前述閘極絕緣膜而形成傳送電極的步驟。
較佳為復包含：形成第1導電型半導體層、第1導電型半導體層上的複數個第1導電型柱狀半導體層、複數個第1導電型柱狀半導體層上部的第2導電型光電轉換區域及與第1導電型柱狀半導體層的上端隔著預定間隔的該第2導電型光電轉換區域表面的第1導電型高濃度雜質區域的步驟；形成比第1導電型半導體層厚的第1導電型的半導體層的步驟；在比第1導電型半導體層厚的第1導電型的半導體層上形成第2導電型的半導體層的步驟；在第2導電型的半導體層上形成第1導電型的高濃度雜質半導體層的步驟；對於比第1導電型半導體層厚的第1導電型的半導體層、第2導電型的半導體層及第1導電型的高濃度雜質半導體層進行選擇性蝕刻，形成第1導電型半導體層、第1導電型半導體層上的複數個第1導電型柱狀半導體層、複數個第1導電型柱狀半導體層上部的第2導電型光電轉換區域及第2導電型光電轉換區域上面的第1導電型高濃度雜質區域的步驟；在第1導電型半導體層的表 面、第2導電型光電轉換區域的側面以及第1導電型柱狀半導體層的側面形成氧化膜的步驟；將藉由離子植入而在第2導電型光電轉換區域的側面表面製作第1導電型高濃度雜質區域時的遮罩材沈積在複數個第1導電型柱狀半導體層之間的步驟；以及藉由離子植入而在第2導電型光電轉換區域的側面表面製作第1導電型高濃度雜質區域的步驟。
較佳為在第1導電型半導體層表面形成第2導電型CCD通道區域的步驟係在複數個第1導電型柱狀半導體層間之第1導電型半導體層表面形成第2導電型雜質區域，且在第2導電型雜質區域形成由第1導電型高濃度雜質所構成的元件分離區域，且至少在相鄰之前述第1導電型柱狀半導體層行之間的各行間中形成朝行方向延伸且彼此分離的第2導電型CCD通道區域的步驟。
較佳為在第1導電型半導體層表面形成第2導電型CCD通道區域的步驟係復包含：在複數個第1導電型柱狀半導體層的側面及第2導電型光電轉換區域的側面形成氮化膜的步驟；在複數個第1導電型柱狀半導體層間的前述第1導電型半導體層表面形成第2導電型雜質區域的步驟；將用以形成由第1導電型高濃度雜質所構成的元件分離區域的遮罩材沈積在前述第2導電型雜質區域上的步驟；以及藉由離子植入而將由第1導電型高濃度雜質所構成的元件分離區域形成在第2導電型雜質區域的步驟，因而至少在相鄰之第1導電型柱狀半導體層行之間的各行間 形成朝行方向延伸且彼此分離的第2導電型CCD通道區域。
更佳為在複數個第1導電型柱狀半導體層的側面及第2導電型光電轉換區域的側面形成氮化膜的步驟係在藉由該步驟之前的步驟所形成的構造的表面形成氮化膜，且藉由進行深蝕刻(etch back)，在複數個第1導電型柱狀半導體層的側面、第2導電型光電轉換區域的側面及第2導電型光電轉換區域表面的第1導電型高濃度雜質區域的側面，使氮化膜殘留成側壁間隔件狀。
在習知的CCD固體攝像元件中，光電二極體(PD)、讀出通道、n型CCD通道區域、p＋型元件分離區域係形成為平面，在受光部(光電二極體)之表面積相對於一像素之面積的比例加大時會有極限，但是若根據本發明，藉由將讀出通道配置成非水平，可提供一種大幅減少讀出通道的佔有面積，且受光部(光電二極體)之表面積相對於一像素之面積的比例較大的CCD固體攝像元件。
以下參照所附圖示，詳細說明本發明之實施形態。
將本發明第1實施形態之一個CCD固體攝像元件的鳥瞰圖及俯視圖分別顯示於第2圖及第3圖。此外，第4圖係第3圖之X1 －X1 ’剖視圖，第5圖係第3圖之Y1 －Y1 ’剖視圖。
在n型基板111上形成有p型阱區域112，在p型阱 區域112上復形成有p型的柱狀半導體層131。在p型柱狀半導體層131的上部係形成有電荷量依受光情形而改變的n型光電轉換區域113，此外，在該n型光電轉換區域113的表面係與p型柱狀半導體層131的上端隔著預定間隔而形成有p＋型區域114。由p＋型區域114及n型光電轉換區域113形成受光部(光電二極體)130。此外，在p型柱狀半導體層131的側面係隔介閘極絕緣膜133而形成有傳送電極118、119。在傳送電極118、119的下方係形成有n型CCD通道區域116。在p型柱狀半導體層之上部的n型光電轉換區域113及n型CCD通道區域116所夾介的區域係形成有讀出通道132。此外，以將元件分離的方式，在傳送電極118、119的下方係形成有p＋型元件分離區域115。在p＋型區域114係連接有金屬遮蔽膜120。形成氧化膜121作為層間絕緣膜。
當對傳送電極118或119施加讀出訊號時，透過讀出通道132將蓄積在光電二極體130的訊號電荷讀出在n型CCD通道區域116。此外，所讀出的訊號電荷係藉由傳送電極118、119而朝垂直(Y1 －Y1 ’)方向予以傳送。
接著，將本發明第2實施形態之以行列狀配置有複數個第1實施形態之CCD固體攝像元件之固體攝像裝置的一部分的鳥瞰圖及俯視圖分別顯示於第6圖及第7圖。
在第6圖及第7圖中，以預定間隔(垂直像素間距VP)將具備具有p＋型區域153、155、157之光電二極體(PD)147、149、151的固體攝像元件朝垂直(Y2 －Y2 ’)方向(行 方向)排列在半導體基板上(第1固體攝像元件行)。使與第1固體攝像元件行之固體攝像元件之各元件垂直方向的位置相同而相鄰接，以與第1固體攝像元件行相同的預定間隔(垂直像素間距VP)朝垂直方向排列具備具有p＋型區域154、156、158之光電二極體(PD)148、150、152的固體攝像元件(第2固體攝像元件行)。第1固體攝像元件行及第2固體攝像元件行係以與垂直像素間距相同的間隔(水平像素間距HP)予以配置。如上所示，具有光電二極體147、149、151、148、150、152的固體攝像元件係以所謂的行列狀予以排列。
在相鄰接排列之第1固體攝像元件行的p型柱狀半導體層與第2固體攝像元件行的p型柱狀半導體層之間係設有用以讀出在光電二極體147、149、151所產生的訊號電荷且朝垂直方向傳送的n型CCD通道區域160。同樣地，為了讀出在其他光電二極體所產生的訊號電荷且朝垂直方向傳送，而設有n型CCD通道區域159、161。n型CCD通道區域係在以行列狀排列的p型柱狀半導體層之間朝垂直方向延伸。接著，以使n型CCD通道區域彼此相互分離而不相接觸的方式設置p＋型元件分離區域162、163。在本實施形態中，p＋型元件分離區域162、163係沿著第1及第2固體攝像元件行的軸以及p型柱狀半導體層的外緣而設，但是p＋型元件分離區域只要能以使相鄰接的n型CCD通道區域不相互接觸的方式而設即可，例如，亦可由第7圖的配置朝X2 方向挪移而配置p＋型元件分離區域 162、163。
在朝水平(X2 －X2 ’)方向(列方向)排列具有光電二極體151、152之固體攝像元件的第1固體攝像元件列的p型柱狀半導體層、與朝水平方向排列具有光電二極體149、150之固體攝像元件的第2固體攝像元件列的p型柱狀半導體層之間，係設有朝垂直方向傳送由光電二極體讀出至n型CCD通道區域159、160、161之訊號電荷的傳送電極146、145、144。此外，在朝水平方向排列具有光電二極體149、150之固體攝像元件的第2固體攝像元件列的p型柱狀半導體層、與朝水平方向排列具有光電二極體147、148之固體攝像元件的第3固體攝像元件列的p型柱狀半導體層之間係設有傳送電極143、142、141。當對傳送電極143施加讀出訊號時，透過讀出通道，將蓄積在光電二極體149、150的訊號電荷讀出於n型CCD通道區域160、161。傳送電極係在以行列狀排列之p型柱狀半導體層之間朝水平方向延伸。
其中，光電二極體147係由p＋型區域153及n型光電轉換區域166所構成，而且，光電二極體148係由p＋型區域154及n型光電轉換區域167所構成。
第8圖係第7圖之X2 －X2 ’剖視圖，第9圖係第7圖之Y2 －Y2 ’剖視圖。
以下就第7圖中第二列第一行的固體攝像元件加以說明。在n型基板164上係形成有p型阱區域165，在p型阱區域165上係復形成有p型柱狀半導體層181。在p型 柱狀半導體層181的上部係形成有電荷量依受光情形而改變的n型光電轉換區域168，此外，在該n型光電轉換區域168的表面係與p型柱狀半導體層181的上端隔著預定間隔而形成有p＋型區域155。在p＋型區域155及n型光電轉換區域168係形成有光電二極體149。此外，在p型柱狀半導體層的側面係隔介閘極絕緣膜185而形成有傳送電極143、144。在傳送電極143、144的下方係形成有n型CCD通道區域160。在p型柱狀半導體層181之上部的n型光電轉換區域168及n型CCD通道區域160所夾介的區域係形成有讀出通道182。
接著，就第7圖中第二列第二行的固體攝像元件加以說明。在n型基板164上係形成有p型阱區域165，在p型阱區域165上係復形成有p型柱狀半導體層183。在p型柱狀半導體層183的上部係形成有電荷量依受光情形而改變的n型光電轉換區域169，此外，在該n型光電轉換區域169的表面係與p型柱狀半導體層183的上端隔著預定間隔而形成有p＋型區域156。在p＋型區域156及n型光電轉換區域169係形成有受光部(光電二極體)150。此外，在p型柱狀半導體層183的側面係隔介閘極絕緣膜186而形成有傳送電極143、144。在傳送電極143、144的下方係形成有n型CCD通道區域161。在p型柱狀半導體層183上部的n型光電轉換區域169及n型CCD通道區域161所夾介的區域係形成有讀出通道184。
在p＋型區域155、156、153、157係連接有金屬遮蔽 膜170。在各元件間係形成有氧化膜180作為層間絕緣膜。接著，以使n型CCD通道區域彼此相互分離而不會接觸的方式設置p＋型元件分離區域162、163。在本實施形態中，p＋型元件分離區域162、163係沿著第1及第2固體攝像元件行的軸以及p型柱狀半導體層的外緣而設，但是p＋型元件分離區域只要能以使相鄰接的n型CCD通道區域不相互接觸的方式而設即可，例如，亦可由第7圖的配置朝X2 方向挪移而配置p＋型元件分離區域162、163。其中，光電二極體151係由p＋型區域157及n型光電轉換區域172所構成。
如上所述，在相鄰固體攝像元件列之p型柱狀半導體層之間係設有以通過相鄰固體攝像元件列之p型柱狀半導體層之間的方式朝列方向延伸的傳送電極141、142、143、144、145、146，該等電極係分離預定間隔而配置。與p型柱狀半導體層相鄰接的傳送電極141、143、144、146係隔介閘極氧化膜而形成在p型柱狀半導體層的側面。傳送電極141、142、143、144、145、146係與n型CCD通道區域一起構成用以將在光電二極體產生的訊號電荷朝垂直方向傳送的垂直電荷傳送裝置(VCCD)。VCCD係形成為3相驅動(φ1至φ3)，藉由對於各光電二極體以不同相位驅動的三個驅動電極，將在光電二極體產生的訊號電荷朝垂直方向傳送。在本實施形態中，VCCD雖係3相驅動，但是由熟習該項技術者可知亦可將VCCD形成為由適當的任意數目的相進行驅動的結構。
在第2實施形態中，顯示以行列狀排列好CCD固體攝像元件的固體攝像裝置，但如第10圖、第11圖、第12圖、第13圖所示，亦可將CCD固體攝像元件配置成蜂巢狀。因此，以本發明之第3實施形態而言，就將第1實施形態的CCD固體攝像元件配置成蜂巢狀的固體攝像裝置加以說明。將CCD固體攝像元件配置成蜂巢狀的固體攝像裝置之一部分的鳥瞰圖及俯視圖分別顯示於第10圖及第11圖。
在第10圖及第11圖中，將具備具有p＋型區域228、223之光電二極體(PD)236、231的固體攝像元件以預定間隔(垂直像素間距VP)朝垂直(Y3 －Y3 ’)方向(行方向)排列在半導體基板上(第1固體攝像元件行)。與第1固體攝像元件行隔著與垂直像素間距相同間隔(水平像素間距HP)的1/2，以與第1固體攝像元件行相同的預定間隔朝垂直方向排列具備具有p＋型區域226、221之光電二極體234、239的固體攝像元件，而且相對於第1固體攝像元件行朝垂直方向相對於垂直像素間距VP挪移1/2予以配置(第2固體攝像元件行)。此外，與第2固體攝像元件行隔著與垂直像素間距相同間隔(水平像素間距HP)的1/2，以與第1固體攝像元件行相同的預定間隔朝垂直方向排列具備具有p＋型區域229、224之光電二極體237、232的固體攝像元件，而且相對於第2固體攝像元件行朝垂直方向相對於垂直像素間距VP挪移1/2予以配置(第3固體攝像元件行)。同樣地，與第3固體攝像元件行隔著與垂直像素間距 相同間隔(水平像素間距HP)的1/2，以與第1固體攝像元件行相同的間隔朝垂直方向排列具備具有p＋型區域227、222之光電二極體235、240的固體攝像元件，而且相對於第3固體攝像元件行朝垂直方向相對於垂直像素間距VP挪移1/2予以配置(第4固體攝像元件行)，而且與第4固體攝像元件行隔著與垂直像素間距相同間隔(水平像素間距HP)的1/2，以與第1固體攝像元件行相同的間隔朝垂直方向排列具備具有p＋型區域230、225之光電二極體238、233的固體攝像元件，而且相對於第4固體攝像元件行朝垂直方向相對於垂直像素間距VP挪移1/2予以配置(第5固體攝像元件行)。亦即，具有光電二極體236、231、234、239、237、232、235、240、238、233的固體攝像元件係排列成所謂的蜂巢狀。
在相鄰接排列之第1固體攝像元件行的p型柱狀半導體層與第2固體攝像元件行的p型柱狀半導體層之間，係設有用以讀出在光電二極體236、231所產生的訊號電荷且朝垂直方向傳送的n型CCD通道區域207。同樣地，在第2固體攝像元件行的p型柱狀半導體層與第3固體攝像元件行的p型柱狀半導體層之間、在第3固體攝像元件行的p型柱狀半導體層與第4固體攝像元件行的p型柱狀半導體層之間、以及在第4固體攝像元件行的p型柱狀半導體層與第5固體攝像元件行的p型柱狀半導體層之間係分別設有：用以讀出在光電二極體234、239所產生的訊號電荷且朝垂直方向傳送的n型CCD通道區域208；用以讀出在 光電二極體237、232所產生的訊號電荷且朝垂直方向傳送的n型CCD通道區域209；以及用以讀出在光電二極體235、240所產生的訊號電荷且朝垂直方向傳送的n型CCD通道區域210。該等n型CCD通道區域係一面在排列成蜂巢狀的p型柱狀半導體層之間蛇行，一面朝垂直方向延伸。此外，以使n型CCD通道區域彼此相互分離而不會接觸的方式設置p＋型元件分離區域213、214、215、216。在本實施形態中，p＋型元件分離區域213、214、215、216雖係沿著第1至5之固體攝像元件行之軸及沿著p型柱狀半導體層的外緣而設，但是p＋型元件分離區域只要能以使相鄰接的n型CCD通道區域不會相互接觸的方式設置即可，例如可將p＋型元件分離區域213、214、215、216由第11圖的配置朝X3 方向挪移而配置。
在將具有光電二極體236、237、238的固體攝像元件朝水平(X3 －X3 ’)方向(列方向)排列的第1固體攝像元件列的p型柱狀半導體層、與將具有光電二極體234、235的固體攝像元件朝水平方向排列的第2固體攝像元件列的p型柱狀半導體層之間係設有傳送電極206、205。同樣地，在將具有光電二極體234、235的固體攝像元件朝水平方向排列的第2固體攝像元件列的p型柱狀半導體層、與將具有光電二極體231、232、233的固體攝像元件朝水平方向排列的第3固體攝像元件列的p型柱狀半導體層之間、以及在將具有光電二極體231、232、233的固體攝像元件朝水平方向排列的第3固體攝像元件列的p型柱狀半導體層、 與具有光電二極體239、240的固體攝像元件朝水平方向排列的第4固體攝像元件列的p型柱狀半導體層之間係分別設有傳送電極204、203及傳送電極202、201。該等傳送電極係一面在以蜂巢狀排列的p型柱狀半導體層之間蛇行一面朝水平方向延伸。
其中，光電二極體239係由p＋型區域221及n型光電轉換區域217所構成，而且光電二極體240係由p＋型區域222及n型光電轉換區域218所構成。
第12圖係第11圖之X3 －X3 ’剖視圖，第13圖係第11圖之Y3 －Y3 ’剖視圖。
以下說明第11圖中之第二列第一行的固體攝像元件。在n型基板211上係形成有p型阱區域212，在p型阱區域212上復形成有p型柱狀半導體層251。在p型柱狀半導體層251的上部係形成有電荷量依受光情形而改變的n型光電轉換區域242，此外，在該n型光電轉換區域242的表面係由p型柱狀半導體層251的上端隔著預定間隔而形成有p＋型區域226。此外，在p型柱狀半導體層251的側面係隔介閘極絕緣膜255而形成有傳送電極204、205。在傳送電極204、205的下方係形成有n型CCD通道區域208。在p型柱狀半導體層251上部的n型光電轉換區域242與n型CCD通道區域208所夾介的區域係形成有讀出通道252。
接著說明第11圖中之第二列第四行的固體攝像元件。在n型基板211上係形成有p型阱區域212，在p型 阱區域212上係復形成有p型柱狀半導體層253。在p型柱狀半導體層253的上部係形成有電荷量依受光情形而改變的n型光電轉換區域243，此外，在該n型光電轉換區域243的表面係由p型柱狀半導體層的上端隔著預定間隔而形成有p＋型區域227。此外，在p型柱狀半導體層253的側面係隔介閘極絕緣膜256而形成有傳送電極204、205。在傳送電極204、205的下方係形成有n型CCD通道區域210。在p型柱狀半導體層253上部的n型光電轉換區域243與n型CCD通道區域210所夾介的區域係形成有讀出通道254。
接著，以使n型CCD通道區域彼此分離而不相接觸的方式設置p＋型元件分離區域213、214、215、216。在本實施形態中，p＋型元件分離區域213、214、215、216係沿著第1至5固體攝像元件行的軸以及p型柱狀半導體層的外緣而設，p＋型元件分離區域係只要能使相鄰接的n型CCD通道區域不會相互接觸的方式設置即可，例如亦可將p＋型元件分離區域213、214、215、216由第11圖的配置朝X3 方向挪移而配置。
如上所述，在相鄰固體攝像元件列的p型柱狀半導體層之間係設有以通過相鄰固體攝像元件列的p型柱狀半導體層之間的方式朝列方向延伸的傳送電極201、202、203、204、205、206。傳送電極201、202、203、204、205、206係隔介閘極氧化膜而形成在p型柱狀半導體層的側面且分離預定間隔而配置。傳送電極201、202、203、204、205、 206係與n型CCD通道區域一起構成將在光電二極體產生的訊號電荷朝垂直方向傳送的垂直電荷傳送裝置(VCCD)。VCCD係形成為4相驅動(ψ 1至ψ 4)，藉由對於各光電二極體以不同的相位予以驅動的4個傳送電極，將在光電二極體產生的訊號電荷朝垂直方向傳送。在本實施形態中，VCCD雖係4相驅動，但是由熟習該項技術者可知亦可將VCCD構成為由適當的任意數的相進行驅動的結構。
傳送電極201、202、203、204、205、206的表面係藉由氧化膜(平坦化膜)250予以覆蓋，且在該氧化膜上形成有金屬遮蔽膜241。金屬遮蔽膜241係於每一光電二極體具有圓形開口部，以作為使在屬於受光部的p＋型區域所接受的光透射的光透射部。
其中，雖省略圖示，但與一般的CCD影像感測器一樣，在上述金屬遮蔽膜上係隔介保護膜或平坦化膜而形成有彩色濾光片(color filter)、微透鏡(micro lens)等。
接著，參照第14圖至第30圖，說明用以形成本發明之實施形態之固體攝像元件、固體攝像裝置之製造步驟之一例。
第14圖至第30圖之(a)、(b)係分別與第7圖的X2 －X2 ’、Y2 －Y2 ’剖面相對應。
在矽n型基板164上形成p型阱區域165，在其上部形成n型區域301，且形成p＋型區域302(第14(a)圖、第14(b)圖)。
接著，沈積氧化膜，且進行蝕刻，而形成氧化膜遮罩303、304、305、306(第15(a)圖、第15(b)圖)。
將矽進行蝕刻而形成柱狀半導體181、183、307、308(第16(a)圖、第16(b)圖)。
為了防止離子植入時的離子穿隧(ion channeling)，而形成氧化膜309(第17(a)圖、第17(b)圖)。
為了形成離子植入時的遮罩，乃沈積多晶矽310，且予以平坦化並進行深蝕刻(第18(a)圖、第18(b)圖)。以遮罩材而言，亦可使用阻劑等其他材料。
進行離子植入，以形成p＋型區域155、156、153、157(第19(a)圖、第19(b)圖)。
將多晶矽進行蝕刻而予以去除(第20(a)圖、第20(b)圖)。
為了形成離子植入時的遮罩，乃沈積氮化膜，且進行深蝕刻(etch back)，並以側壁間隔件311、312、313、314狀殘留在柱狀半導體側壁(第21(a)圖、第21(b)圖)。
之後形成作為n型CCD通道區域的n型區域315(第22(a)圖、第22(b)圖)。
形成屬於用以形成p＋型元件分離區域之遮罩材的阻劑316、317、318(第23(a)圖、第23(b)圖)。
進行離子植入，以形成p＋型元件分離區域162、163(第24(a)圖、第24(b)圖)。
將阻劑剝離，將氮化膜剝離，將氧化膜剝離(第25(a)圖、第25(b)圖)。
進行閘極氧化，形成閘極氧化膜319，沈積多晶矽320，且予以平坦化，並進行深蝕刻(第26(a)圖、第26(b)圖)。
形成用以形成傳送電極的阻劑321、322、323、324、325、326(第27(a)圖、第27(b)圖)。
將多晶矽進行蝕刻，形成傳送電極141、142、143、144、145、146(第28(a)圖、第28(b)圖)。
將阻劑剝離，沈積氧化膜180，且予以平坦化，並進行深蝕刻(第29(a)圖、第29(b)圖)。
沈積金屬遮蔽膜170，且予以平坦化，並進行深蝕刻(第30(a)圖、第30(b)圖)。
在上述實施形態中，係藉由將半導體層進行蝕刻而形成柱狀半導體層，但是亦可利用其他方法，例如藉磊晶成長來形成柱狀半導體層。
在以上實施形態中，固體攝像元件及固體攝像裝置之柱狀半導體層雖形成於在n型基板上所形成的p型阱區域上，但並非侷限於此，例如亦可設為形成於在基板上所形成的絕緣膜上的矽層上(例如SOI基板上)者。
此外，在以上實施形態中，形成在p型柱狀半導體層之上部的n型光電轉換區域係為與p型柱狀半導體層相同直徑的柱狀，但亦可形成為除此以外之適當的任意形狀。
此外，在以上實施形態中，傳送電極係可使用半導體製程或固體元件中一般使用的電極材料來構成。可列舉如：低電阻多晶矽、鎢(W)、鉬(Mo)、矽化鎢(WSi)、矽化 鉬(MoSi)、矽化鈦(TiSi)、矽化鉭(TaSi)及矽化銅(Cusi)。此外，亦可將該等電極材料在不介在絕緣膜的情形下疊層複數層而形成傳送電極。
此外，金屬遮蔽膜係可藉由例如鋁(Al)、鉻(Cr)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)等金屬膜、或由該等金屬之2種以上所構成的合金膜、或選自包含前述金屬膜及前述合金膜群的2種以上所組合的多層金屬膜等所形成。
以上，關於本發明，雖為了供例示之用而就數個實施形態加以說明，惟本發明並非限定於此，在未脫離本發明之範圍及精神的情形下，在形態及詳細內容上，可進行各種變形及修正，應可為熟習該項技術者所明白。
11、111、164、211‧‧‧n型基板
12、112、165、212‧‧‧p型阱區域
13、113、166、167、168、169、172、217、218、242、243‧‧‧n型光電轉換區域
14、114、153、154、155、156、157、158、302、221、222、223、224、225、226、227、228、229、230‧‧‧p＋型區域
15、115、162、163‧‧‧p＋型元件分離區域
16、116、159、160、161、207、208、209、210‧‧‧n型CCD通道區域
17‧‧‧Si氧化膜
18、118、119、141、142、143、144、145、146、201、202、203、204、205、206‧‧‧傳送電極
20、120、170、241‧‧‧金屬遮蔽膜
24‧‧‧金屬遮蔽膜開口部
121、180、250、309‧‧‧氧化膜
130‧‧‧受光部(光電二極體)
131、181、183、251、253‧‧‧柱狀半導體層
132、182、184、252、254‧‧‧讀出通道
133、185、186、255、256‧‧‧閘極絕緣膜
147、148、149、150、151、152、231、232、233、234、235、236、237、238、239、240‧‧‧光電二極體(PD)
213、214、215、216‧‧‧p＋型元件分離區域
301、315‧‧‧n型區域
303、304、305、306‧‧‧氧化膜遮罩
307、308‧‧‧柱狀半導體
310、320‧‧‧多晶矽
311、312、313、314‧‧‧側壁間隔件
316、317、318、321、322、323、324、325、326‧‧‧阻劑
319‧‧‧閘極氧化膜
第1圖係顯示習知固體攝像元件之單位像素的剖視圖。
第2圖係本發明之一CCD固體攝像元件的鳥瞰圖。
第3圖係本發明之一CCD固體攝像元件的俯視圖。
第4圖係第3圖之X1 －X1 ’剖視圖。
第5圖係第3圖之Y1 －Y1 ’剖視圖。
第6圖係以行列狀配置之CCD固體攝像元件的鳥瞰圖。
第7圖係以行列狀配置之CCD固體攝像元件的俯視圖。
第8圖係第7圖之X2 －X2 ’剖視圖。
第9圖係第7圖之Y2 －Y2 ’剖視圖。
第10圖係配置成蜂巢狀之CCD固體攝像元件的鳥瞰圖。
第11圖係配置成蜂巢狀之CCD固體攝像元件的俯視圖。
第12圖係第11圖之X3 －X3 ’剖視圖。
第13圖係第11圖之Y3 －Y3 ’剖視圖。
第14(a)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之X2 －X2 ’剖面步驟圖。
第14(b)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之Y2 －Y2 ’剖面步驟圖。
第15(a)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之X2 －X2 ’剖面步驟圖。
第15(b)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之Y2 －Y2 ’剖面步驟圖。
第16(a)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之X2 －X2 ’剖面步驟圖。
第16(b)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之Y2 －Y2 ’剖面步驟圖。
第17(a)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之X2 －X2 ’剖面步驟圖。
第17(b)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之Y2 －Y2 ’剖面步驟圖。
第18(a)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之X2 －X2 ’剖面步驟圖。
第18(b)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之Y2 －Y2 ’剖面步驟圖。
第19(a)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之X2 －X2 ’剖面步驟圖。
第19(b)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之Y2 －Y2 ’剖面步驟圖。
第20(a)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之X2 －X2 ’剖面步驟圖。
第20(b)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之Y2 －Y2 ’剖面步驟圖。
第21(a)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之X2 －X2 ’剖面步驟圖。
第21(b)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之Y2 －Y2 ’剖面步驟圖。
第22(a)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之X2 －X2 ’剖面步驟圖。
第22(b)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之Y2 －Y2 ’剖面步驟圖。
第23(a)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之X2 －X2 ’剖面步驟圖。
第23(b)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之Y2 －Y2 ’剖面步驟圖。
第24(a)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之X2 －X2 ’剖面步驟圖。
第24(b)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之Y2 －Y2 ’剖面步驟圖。
第25(a)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之X2 －X2 ’剖面步驟圖。
第25(b)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之Y2 －Y2 ’剖面步驟圖。
第26(a)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之X2 －X2 ’剖面步驟圖。
第26(b)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之Y2 －Y2 ’剖面步驟圖。
第27(a)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之X2 －X2 ’剖面步驟圖。
第27(b)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之Y2 －Y2 ’剖面步驟圖。
第28(a)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之X2 －X2 ’剖面步驟圖。
第28(b)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之Y2 －Y2 ’剖面步驟圖。
第29(a)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之X2 －X2 ’剖面步驟圖。
第29(b)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之Y2 －Y2 ’剖面步驟圖。
第30(a)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之X2 －X2 ’剖面步驟圖。
第30(b)圖係顯示本發明之固體攝像元件之製造例之Y2 －Y2 ’剖面步驟圖。
111‧‧‧n型基板
112‧‧‧p型阱區域
113‧‧‧n型光電轉換區域
114‧‧‧p＋型區域
115‧‧‧p＋型元件分離區域
116‧‧‧n型CCD通道區域
118‧‧‧傳送電極
120‧‧‧金屬遮蔽膜
121‧‧‧氧化膜
130‧‧‧受光部(光電二極體)
131‧‧‧柱狀半導體層
132‧‧‧讀出通道
133‧‧‧閘極絕緣膜

Claims (14)

  1. 一種固體攝像元件，係具備：第1導電型半導體層；形成在前述第1導電型半導體層上的第1導電型柱狀半導體層；形成在前述第1導電型柱狀半導體層的上部，且電荷量係依受光情形而改變的第2導電型光電轉換區域；以及與前述第1導電型柱狀半導體層的上端隔著預定間隔而形成在前述第2導電型光電轉換區域之表面的第1導電型高濃度雜質區域，而在前述第1導電型柱狀半導體層的側面係隔介閘極絕緣膜而形成有傳送電極，在前述傳送電極的下方形成有第2導電型CCD通道區域，在前述第2導電型光電轉換區域與前述第2導電型CCD(Charge Coupled Device；電荷耦合元件)通道區域所夾介的區域形成有讀出通道。
  2. 一種固體攝像裝置，係以行列狀排列有複數個如申請專利範圍第1項之固體攝像元件。
  3. 如申請專利範圍第2項之固體攝像裝置，其中，前述第2導電型CCD通道區域係至少在相鄰之前述第1導電型柱狀半導體層行之間的各行間以朝行方向延伸的第2導電型雜質區域所構成， 且以使前述第2導電型CCD通道區域不會相互接觸的方式設置由第1導電型高濃度雜質構成的元件分離區域。
  4. 如申請專利範圍第3項之固體攝像裝置，其中，包含在前述第1導電型柱狀半導體層的側面隔介閘極絕緣膜所形成的傳送電極的複數個傳送電極係在相鄰之前述第1導電型柱狀半導體層列之間的各列間朝列方向延伸，且以沿著前述第2導電型CCD通道區域傳送在前述固體攝像元件所產生的訊號電荷的方式分開預定間隔而排列。
  5. 一種固體攝像裝置，係將以第1間隔朝第1方向排列有複數個如申請專利範圍第1項之固體攝像元件的第1固體攝像元件行；及以前述第1間隔朝前述第1方向排列有複數個如申請專利範圍第1項之固體攝像元件，而且相對於前述第1固體攝像元件行朝前述第1方向挪移預定量予以配置的第2固體攝像元件行，隔著第2間隔排列的元件行的組係朝前述第1方向挪移預定量且隔著前述第2間隔排列複數組者。
  6. 如申請專利範圍第5項之固體攝像裝置，其中，前述第2導電型CCD通道區域係至少在相鄰之前述柱狀半導體層行之間的各行間，由通過該相鄰第1導電型柱狀半導體層行之各柱狀半導體層之間而朝行方向延伸的第2導電型雜質區域所構成，且以使前述第2導電型CCD通道區域不會相互接 觸的方式設置由第1導電型高濃度雜質所構成的元件分離區域。
  7. 如申請專利範圍第6項之固體攝像裝置，其中，前述傳送電極係在相鄰柱狀半導體層列之間的各列間，以通過該相鄰柱狀半導體層列之各柱狀半導體層之間而朝列方向延伸，且沿著前述第2導電型CCD通道區域傳送在前述固體攝像元件所產生的訊號電荷的方式分離預定間隔而予以排列。
  8. 一種固體攝像元件之製造方法，係包含：形成：第1導電型半導體層、該第1導電型半導體層上的第1導電型柱狀半導體層、該第1導電型柱狀半導體層上部的第2導電型光電轉換區域及與該第1導電型柱狀半導體層的上端隔著預定間隔的該第2導電型光電轉換區域表面的第1導電型高濃度雜質區域的步驟；在前述第1導電型半導體層表面形成第2導電型CCD通道區域的步驟；在前述第1導電型柱狀半導體層的側面形成閘極絕緣膜的步驟；以及在前述第2導電型CCD通道區域的上方，在前述第1導電型柱狀半導體層的側面隔介前述閘極絕緣膜而形成傳送電極的步驟。
  9. 如申請專利範圍第8項之固體攝像元件之製造方法，其中，復包含：形成：前述第1導電型半導體層、該第1導電型半 導體層上的第1導電型柱狀半導體層、該第1導電型柱狀半導體層上部的第2導電型光電轉換區域及與該第1導電型柱狀半導體層的上端隔著預定間隔的該第2導電型光電轉換區域表面的第1導電型高濃度雜質區域的步驟；形成比前述第1導電型半導體層厚的第1導電型的半導體層的步驟；在比前述第1導電型半導體層厚的第1導電型的半導體層上形成第2導電型的半導體層的步驟；在前述第2導電型的半導體層上形成第1導電型的高濃度雜質半導體層的步驟；對於比前述第1導電型半導體層厚的第1導電型的半導體層、前述第2導電型的半導體層及第1導電型的高濃度雜質半導體層進行選擇性蝕刻，而形成前述第1導電型半導體層、該第1導電型半導體層上的第1導電型柱狀半導體層、該第1導電型柱狀半導體層上部的第2導電型光電轉換區域及該第2導電型光電轉換區域上面的第1導電型高濃度雜質區域的步驟；在前述第1導電型半導體層的表面、前述第2導電型光電轉換區域的側面以及前述第1導電型柱狀半導體層的側面形成氧化膜的步驟；將藉由離子植入而在前述第2導電型光電轉換區域的側面表面製作前述第1導電型高濃度雜質區域時的遮罩材沈積在前述第1導電型柱狀半導體層的側面的步 驟；以及藉由離子植入而在前述第2導電型光電轉換區域的側面表面製作前述第1導電型高濃度雜質區域的步驟。
  10. 一種固體攝像裝置之製造方法，係包含：形成：第1導電型半導體層、該第1導電型半導體層上的複數個第1導電型柱狀半導體層、該複數個第1導電型柱狀半導體層上部的第2導電型光電轉換區域及與該第1導電型柱狀半導體層的上端隔著預定間隔的該第2導電型光電轉換區域表面的第1導電型高濃度雜質區域的步驟；在前述第1導電型半導體層表面形成第2導電型CCD通道區域的步驟；在前述複數個第1導電型柱狀半導體層的側面形成閘極絕緣膜的步驟；以及在前述第2導電型CCD通道區域的上方，形成複數個包含至少在前述複數個第1導電型柱狀半導體層的側面隔介前述閘極絕緣膜而形成之傳送電極的傳送電極的步驟。
  11. 如申請專利範圍第10項之固體攝像裝置之製造方法，其中，復包含：形成：前述第1導電型半導體層、該第1導電型半導體層上的複數個第1導電型柱狀半導體層、該複數個第1導電型柱狀半導體層上部的第2導電型光電轉換區域及與該第1導電型柱狀半導體層的上端隔著預定間隔 的該第2導電型光電轉換區域表面的第1導電型高濃度雜質區域的步驟；形成比前述第1導電型半導體層厚的第1導電型的半導體層的步驟；在比前述第1導電型半導體層厚的第1導電型的半導體層上形成第2導電型的半導體層的步驟；在前述第2導電型的半導體層上形成第1導電型的高濃度雜質半導體層的步驟；對於比前述第1導電型半導體層厚的第1導電型的半導體層、前述第2導電型的半導體層及第1導電型的高濃度雜質半導體層進行選擇性蝕刻，形成前述第1導電型半導體層、該第1導電型半導體層上的複數個第1導電型柱狀半導體層、該複數個第1導電型柱狀半導體層上部的第2導電型光電轉換區域及該第2導電型光電轉換區域上面的第1導電型高濃度雜質區域的步驟；在前述第1導電型半導體層的表面、前述第2導電型光電轉換區域的側面以及前述第1導電型柱狀半導體層的側面形成氧化膜的步驟；將藉由離子植入而在前述第2導電型光電轉換區域的側面表面製作前述第1導電型高濃度雜質區域時的遮罩材沈積在前述複數個第1導電型柱狀半導體層之間的步驟；以及藉由離子植入而在前述第2導電型光電轉換區域的側面表面製作前述第1導電型高濃度雜質區域的步驟。
  12. 如申請專利範圍第10項或第11項之固體攝像裝置之製造方法，其中，在前述第1導電型半導體層表面形成第2導電型CCD通道區域的步驟係在前述複數個第1導電型柱狀半導體層間之前述第1導電型半導體層表面形成第2導電型雜質區域，且在該第2導電型雜質區域形成由第1導電型高濃度雜質所構成的元件分離區域，且至少在相鄰之前述第1導電型柱狀半導體層行之間的各行間形成朝行方向延伸且彼此分離的第2導電型CCD通道區域的步驟。
  13. 如申請專利範圍第10項或第11項之固體攝像裝置之製造方法，其中，在前述第1導電型半導體層表面形成第2導電型CCD通道區域的步驟係復包含：在前述複數個第1導電型柱狀半導體層的側面及第2導電型光電轉換區域的側面形成氮化膜的步驟；在前述複數個第1導電型柱狀半導體層間的前述第1導電型半導體層表面形成第2導電型雜質區域的步驟；將用以形成由前述第1導電型高濃度雜質所構成的元件分離區域的遮罩材沈積在前述第2導電型雜質區域上的步驟；以及藉由離子植入而將由前述第1導電型高濃度雜質所構成的元件分離區域形成在前述第2導電型雜質區域的步驟，因此至少在相鄰之前述第1導電型柱狀半導體層行 之間的各行間形成朝行方向延伸且彼此分離的第2導電型CCD通道區域。
  14. 如申請專利範圍第13項之固體攝像裝置之製造方法，其中，在前述複數個第1導電型柱狀半導體層的側面及第2導電型光電轉換區域的側面形成氮化膜的步驟係在藉由該步驟之前的步驟所形成的構造的表面形成氮化膜，且藉由進行深蝕刻，在前述複數個第1導電型柱狀半導體層的側面、前述第2導電型光電轉換區域的側面及該第2導電型光電轉換區域表面的第1導電型高濃度雜質區域的側面，使氮化膜殘留成側壁間隔件狀。
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