TWI395783B - 糊組成物、介電組成物、電容器及糊組成物之製法 - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種糊組成物、介電組成物、及使用其等所形成的透明電容器，該糊組成物及介電組成物，能夠在平面面板顯示器、軟性顯示器、電子紙、攜帶式資訊端末設備的顯示器、觸控面板等資訊顯示組件之必須具有透明性的區域，形成透明的高介電常數層，藉由作為層間絕緣膜的方式與透明電極等組合，能夠形成透明的電容器等。
製造安裝在封裝基板上之電容器用層層間絕緣膜的方法，已知有一種方法(參照特開2005-38821號公報、特開2004-285015號公報)，係將在樹脂中分散高介電常數無機粒子而成的糊組成物進行塗布，使其乾燥、硬化而成。但是此等方法所製成的層間絕緣膜，因為所使用的粒子之粒徑大、或因為膜厚度厚而不透明，難以使用作為透明介電膜。
另一方面，亦已知有一種技術(參照特開平4-70818號公報)，係在液晶配向膜樹脂中使高介電常數無機粒子分散，將相對電容率提高至6~7之技術。該技術雖然夠將相對電容率提高至樹脂單體之2~2.5倍，但是相對電容率值為6~7時並不足夠，將該膜作為層間絕緣膜時電容器的靜電容器小，並不實用。
將無機粒子分散在樹脂材料中，能夠藉由以下方式，首先係製造將無機粒子良好地分散在有機溶劑中而成的分散液，隨後，藉由使分散液與樹脂混合而達成。市售之平均粒徑為奈米~數十奈米等級之無機粒子，多半是使各個粒子(1次粒子)適當地凝聚，以平均粒徑為數十微米的粉體狀粒子(2次粒子)之方式提供。因此，為了製造平均粒徑為0.06微米以下之無機粒子的分散液，必須藉由在分散介質中使此等2次粒子的凝聚解開，來製造1次粒子安定地分散之分散液。但是，因為無機粒子的粒徑變為更小時，因為用以對凝聚無機粒子施加剪切應力之機構無法跟隨粒子大小，非常不容易藉由在分散介質中使無機粒子分散。又，因為相對於粒子重量，表面積的比例增高，進行分散時分散液的黏度增加，進一步分散變為困難。
另一方面，將無機粒子以1次粒子狀態分散的方法，已知有使用均化器或珠磨機、超音波分散機等分散裝置之方法。特別是將無機粒子分散成平均粒徑為0.06微米以下的微小粒子時，以使用藉由微小珠粒的摩擦所產生的剪切力來促進行分散之珠磨機為佳。
例如，有將粒徑70奈米以下的二氧化矽粒子加入有機溶劑中，使用珠磨機將其分散(參照特開2004－346288號公報)。但是特開2004－346288號公報之方法係針對二氧化矽之極性較高、比較容易分散在有機溶劑中的無機粒子之方法，對於其他的無機粒子係無效的。而且即使對於容易分散的二氧化矽粒子，使用於分散介質之有機溶劑限定為醇系，使用珠磨機分散後，使用離心分離機來降低其粒徑。又，在特開2004－346288號公報，雖然揭示有關氧化鋁等比二氧化矽粒子之極性更小的粒子之分散例子，但是除了二氧化矽粒子以外並未揭示具體的粒子分布，認為不容易達成1次粒子的分散。極性小的粒子可舉出的有鈦酸鋇等，其等係具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子。
又，亦有提案(參照特開2005－1983號公報)揭示使用珠磨機來進行分散奈米等級的碳粒子。但是特開2005－1983號公報之方法，係使用極性高的水作為分散介質，比通常的有機溶劑更容易分散。因此，對於通常的有機溶劑，特開2005－1983號公報之方法係無效的。
此等以往的分散方法，多半依照無機粒子的種類或大小、分散劑的種類而左右分散程度，特別是應用在具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子的分散時，非常不容易實現安定的分散性。
鑒於如此狀況，本發明提供一種糊組成物及介電組成物、以及使用其等所形成的透明電容器，該糊組成物及介電組成物，能夠在必須具有透明性的區域，形成透明的高介電常數層，藉由作為層間絕緣膜的方式與透明電極等組合，能夠形成透明的電容器或能夠控制帶電量之透明介電層。
亦即，本發明係提供一種糊組成物、及其製造方法，該糊組成物含有(a)樹脂、(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子、及(c)有機溶劑之糊組成物，其中(b)高介電常數無機粒子之平均粒徑為0.002微米以上0.06微米以下，總有機溶劑量係糊組成物總量的35重量%以上85重量%以下。
又，本發明之另一態樣係提供一種介電組成物、及使用該介電組成物作為絕緣膜之電容器，該介電組成物含有(a)樹脂、(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子之介電組成物，其中(b)高介電常數無機粒子之平均粒徑為0.002微米以上0.06微米以下。
依據本發明，能夠得到一種相對電容率高、在波長400~700奈米的全區域，光線穿透率高之介電組成物、及用以得到該介電組成物之作為原料的糊組成物。本發明的組成物，即使是1微米之薄膜，其漏泄電流小、高電壓保持率大。又，此等介電組成物能夠提供一種電容器用層間絕緣膜，該電容器用層間絕緣膜係使用在顯示器組件等要求高可見光穿透率的用途。
本發明之糊組成物係含有(a)樹脂、(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子、及(c)有機溶劑之糊組成物，其中(b)高介電常數無機粒子之平均粒徑為0.002微米以上0.06微米以下，總有機溶劑量係糊組成物總量的35重量%以上85重量%以下。
本發明所使用之(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子的平均粒徑係0.002微米以上0.06微米以下，以0.002微米以上0.04微米以下為佳，以0.002微米以上0.03微米以下為更佳。(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子的平均粒徑若在0.06微米以下時，使糊組成物硬化而得到的介電組成物的表面較容易平滑，因此在表面的光散射變小，結果能夠大幅度地提升光線穿透率。因為傳播光線所受到瑞利(Rayleigh)散射的強度，係與光線通過介質中存在粒子之粒徑成三次方之正的相互關係，所以介電組成物中的(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子的粒徑越小，(b)高介電常數無機粒子所造成對光線阻礙之瑞利散射越小。(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子的平均粒徑若在0.04微米以下時，使光線穿透介電組成物(使糊組成物硬化而得到)時，能夠顯著地具有抑制(b)高介電常數無機粒子造成瑞利散射之效果，容易提高光線穿透率。(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子的平均粒徑若在0.03微米以下時，在糊料中的(b)高介電常數無機粒子不容易產生沈澱。(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子的平均粒徑若在0.002微米以上時，因為高介電常數無機粒子的結晶性變佳，能夠大幅度地提高(b)高介電常數無機粒子的介電常數，容易提高介電組成物的介電常數。
本發明之糊組成物中的總有機溶劑量，係相對於糊組成物總量之35重量%以上85重量%以下，而且，以45重量%以上75重量%以下為佳。有機溶劑量係糊料組成物總量之85重量%以下時，因為糊料中的固體成分量變多，即使所形成的塗膜之膜厚度較薄時，亦能夠容易地得到連續膜。有機溶劑量係糊料組成物總量之75重量%以下時，能夠抑制乾燥時有機溶劑揮發所產生的空隙。因此，能夠提高介電組成物的介電率，且能夠抑制空隙所造成的瑞利散射而提高光線穿透率，又，因為會成為吸濕原因之空隙量減小，能夠減少濕度、水分對物性變化的影響。有機溶劑量係糊料組成物總量之35重量%以上時，在分散處理前的階段因為能夠防止高介電常數無機粒子過度凝聚，能夠降低黏度，在分散處理開始之時點，若黏度非常高時，會有無法開始分散處理之情形，藉由珠磨機等分散裝置可使分散處理容易進行。有機溶劑量係糊料組成物總量之45重量%以上時，因為亦能夠使均勻分散高介電常數無機粒子後之糊料的黏度降低，能夠容易地形成膜厚度勻性高的塗布膜。
糊組成物可藉由例如將高介電常數層無機粒子添加在液狀樹脂或樹脂溶液中來混合分散之方法、預先製造將高介電常數層無機粒子分散在有機溶劑而成的分散液，然後混合該分散液及液狀樹脂或樹脂溶液之減少法等來製造。使高介電常數層無機粒子分散在樹脂或有機溶劑中之方法沒有特別限定，例如可使用超音波分散機、球磨機、輥磨機、高速攪拌器、均化器、珠磨機、介質分散機等方法，特別是從能夠達成高分散性而言，以使用球磨機、均化器、珠磨機為佳。
分散高介電常數層無機粒子時，為了提高分散性，亦可對高介電常數無機粒子進行表面處理、對組成物進行添加分散劑、添加界面活性劑、添加溶劑等。
高介電常數無機粒子之表面處理除了使用矽烷系、鈦系、鋁系等各種偶合劑、脂肪酸、磷酸化合物等進行處理以外，可舉出的有松香處理、酸性處理、鹼性處理等。在此，高介電常數無機粒子之表面處理，亦可在製造組成物之前，對高介電常數無機粒子施加表面處理、或是在組成物中添加上述處理劑，結果在高介電常數無機粒子的表面上黏附有上述處理劑之態樣，任一者都可以。
添加在組成物中的分散劑之例子可舉出的有磷酸、羧酸、脂肪酸、及其等的酯類等具有酸基之物。使鈦酸鋇等表面係鹼性的高介電常數無機粒子分散時，因為能夠利用酸－鹼相互作用來使分散劑與高介電常數無機粒子表面相互作用，使用具有酸基之分散劑係有效的，特別是使用具有磷酸酯骨架之化合物為佳。具有磷酸酯骨架之化合物所包含的分散劑有BYK Chemie Japan(股)製：商品名“Dysperbyk－111”、同“BYK－W9010”等。其他如磷酸三甲酯、磷酸三乙酯、磷酸三丁酯等磷酸烷酯或磷酸丙烯酸酯等有時候亦有效。又，添加在組成物中的分散劑亦可使用作為高介電常數無機粒子之表面處理劑。
相對於高介電常數無機粒子，分散劑的添加量以2重量%以上25重量%以下為佳。分散劑的量為2重量%以上時，高介電常數無機粒子容易達成良好的分散。分散劑係藉由分散處理而覆蓋在凝聚被解開的粒子表面，具有阻礙粒子再凝聚、維持分散的效果。相對於高介電常數無機粒子，分散劑的量為2重量%以上時，能夠顯現前述效果。相對於高介電常數無機粒子，分散劑的量為5重量%以上時為更佳，即使高介電常數無機粒子的粒徑為0.02微米以下時亦能夠顯現前述的效果，能夠得到良好的分散性，容易提高介電組成物的光線穿透率。相對於高介電常數無機粒子，分散劑的量為25重量%以下時，容易提高介電常數。
此外，使分散性良好的方法可舉出的有添加非離子性、陽離子性、陰離子性的界面活性劑、多元羧酸等濕潤劑、兩親和性物質、具有高立體阻礙的取代基之樹脂等。此等添加劑亦使用作為高介電常數無機粒子的表面處理劑。又，藉由添加有機溶劑，能夠控制分散時或分散後之系統的極性。有機溶劑係溶解樹脂之物、且適當地選擇與分散劑具有相溶性之物為佳。可使用例如乙醇、異丙醇、正丁醇、苄醇、異丁醇、甲氧基甲基丁醇等醇類、氯苯、苯、甲苯、二甲苯、等芳香族烴類、甲基賽路蘇、乙基賽路蘇、丁基賽路蘇等賽路蘇類、甲基賽路蘇乙酸酯、乙基賽路蘇乙酸酯、丁基賽路蘇乙酸酯等賽路蘇酯類、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯等丙二醇酯類、1,2-二甲氧基乙烷、1,2-二乙氧基乙烷、四氫呋喃、茴香醚等醚類、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、甲基正戊基酮、環己酮、γ-丁內酯、γ-丁內醯胺、二烷、丙酮、環己酮、環戊酮等酮類、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、二甲基亞碸、環丁碸、四氫呋喃、異佛爾酮、三氯乙烯、乳酸乙酯、乙酸丁酯、丙二醇單甲基醚等，此等之中，可使用含有1種以上的混合物作為有機溶劑。
又，本發明所使用的有機溶劑之沸點以160℃以上為佳。有機溶劑之沸點在160℃以上時，能夠控制在介電組成物內產生空隙，容易提高介電組成物的相對電容率。沸點低於160℃時，因為有機溶劑的揮發速度快，熱處理時物質移動所產生的細緻化跟不上，空隙部增加、介電組成物的介電常數降低的情形會增多。以180℃以上為較佳，以200℃以上為更佳。又，本發明所使用的有機溶劑，沸點以300℃以下為佳，以280℃以下為更佳。沸點高於280℃時，為了脫溶劑必須高溫處理，高溫處理會造成樹脂分解、介電特性變差、機械性強度降低等。又，高於300℃時，會造成樹脂分解更加激烈、機械性強度降低。本發明的糊組成物所使用的有機溶劑，亦可只有使用1種沸點160℃以上的有機溶劑，含有沸點160℃以上的有機溶劑時，即使更含有其他的溶劑亦能夠容易地得到抑制產生空隙的效果。又，亦可按照必要，使糊組成物含有安定劑、分散劑、防沈澱劑、可塑劑、抗氧化劑、交聯劑、交聯促進劑、溶解調整劑、界面活性劑、消泡劑等添加劑。
沸點160℃以上的有機溶劑有、丙酮基丙酮、甲基環己酮、二異丁基酮、甲基苯基酮、二甲基亞碸、γ－丁內酯、異佛爾酮、二甲基甲醯胺、N,N－二甲基乙醯胺、N－甲基吡咯啶酮、γ－丁內醯胺、乙二醇單乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、3－甲氧基3－甲基丁醇及其乙酸酯、3－甲氧基丁基乙酸酯、2－乙基己基乙酸酯、草酸酯、丙二酸二乙酯、順丁烯二酯、碳酸丙烯酯、丁基賽路蘇、乙基苄必醇等。
在本發明所稱的沸點，係在1氣壓、即1.01325×105
N/m2
的壓力下之沸點。測定沸點可使用眾所周知的技術，沒有特別限定，例如可使用Swietoslawski的沸點計來測定。
又，隨著高介電常數無機粒子的填充率增加，上述有機溶劑量所產生的影響變大，除去含有在糊組成物中的有機溶劑後之成分總重量，高介電常數無機粒子為80重量%以上時，本發明的效果特別大。
接著，將糊組成物塗布在基板等被黏著體之方法沒有特別限定，可舉出的有例如使用網版印刷機、刮片塗布器、旋轉塗布器、棒塗布器之塗布方法。接著對塗布後的膜，使用熱壓板、烘箱等加熱裝置，來進行脫有機溶劑或熱硬化。
塗布糊組成物之被黏著體(例如基板)，可選自例如有機系基板、無機系基板、及在此等基板配置電路構成材料而成之物。有機系基板的例子可舉出的有樹脂基板、紙－苯酚覆銅箔積層板、紙－環氧覆銅箔積層板、紙－聚酯覆銅箔積層板等紙基材覆銅箔積層板、玻璃布－環氧覆銅箔積層板、玻璃布－聚醯亞胺覆銅箔積層板、玻璃布－特夫綸(註冊商標)覆銅箔積層板、玻璃布－環氧覆銅箔積層板等玻璃基材覆銅箔積層板、紙－玻璃布－環氧覆銅箔積層板、玻璃不織布－環氧覆銅箔積層板等複合覆銅箔積層板、聚醚醯亞胺基板、聚醚酮基板、聚亞碸系樹脂基板、聚碳酸酯基板、聚醯亞胺基板、聚酯等樹脂基板、聚酯薄膜、聚酯覆銅箔基板、聚醯亞胺薄膜、阿拉米德(Aramid)薄膜、聚醯亞胺覆銅箔薄膜基板、各種聚合物薄膜等軟性基板。
又，無機系基板的例子有氧化鋁基板、氮化鋁基板、碳化矽基板等陶瓷基板、鋁基底基板、鐵基底基板等金屬系基板、此外可舉出的玻璃基板、矽基板、石英基板等。
電路的構成材料之例子可舉出的有導體其含有銀、金、銅、鉻、鎳、鈦或其等的合金等金屬、銦－錫氧化物(ITO)、銦－鋅氧化物、氧化錫、氧化銦、氧化鋅、或在此等中摻雜其他元素而成之導體、含有無機系氧化物之電阻等、含有玻璃系材料及/或樹脂之低介電體等、含有樹脂或高介電常數無機粒子之高介電體等、含有玻璃系材料之絕緣體等。
本發明之介電組成物係含有(a)樹脂、(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子之介電組成物，其中(b)高介電常數無機粒子之平均粒徑為0.002微米以上0.06微米以下。本發明之介電組成物在波長400~700奈米的全區域之光線穿透率以50%以上100%以下為佳，以70%以上100%以下為較佳，以90%以上100%以下為更佳。在波長400~700奈米的全區域之介電組成物的光線穿透率為50%以上時，能夠滿足藉由穿透該介電組成物的光線來進行資訊顯示之透明性能的功能。在波長400~700奈米的全區域之介電組成物的光線穿透率為70%以上時，能夠容易地藉由穿透該介電組成物的光線在單色器進行資訊顯示。在波長400~700奈米的全區域之介電組成物的光線穿透率為90%以上時，能夠容易地藉由穿透該介電組成物的光線而以彩色的方式進行資訊顯示。在此，在波長400~700奈米的全區域之光線穿透率為50%以上100%以下，係指光線穿透率有波長依賴性時，與介電組成物在波長400~700奈米的穿透光光譜時，光線穿透率的最小值為50%以上相同意思，此等光線穿透率係取決於樹脂中所存在的(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子具有良好的分散性，這能夠藉由前述的分散技術來達成。
在波長400~700奈米的全區域之光線穿透率能夠使用可見分光光度計來測定。介電組成物係膜狀時，可使用在玻璃、石英等在波長400~700奈米的全區域未具有吸收的材料之基板上形成有介電組成物膜而成之物作為光線穿透率測定用試料。
本發明的介電組成物之相對電容率以10以上300以下為佳。相對電容率以20以上80以下為較佳，相對電容率以30以上50以下為更佳。使用介電組成物作為層間絕緣膜時，相對電容率在10以上時，容易形成具有大容量的電容器。又，相對電容率為20以上時，因為形成具有大容量的電容器時不必使層間絕緣膜非常薄，不容易發生會成為在層間絕緣膜發生漏泄電流的原因之針孔。相對電容率為30以上時，因為即使形成容量大的電容器時，亦能夠以比較厚的方式形成層間絕緣膜，容易提高絕緣耐在。具有多量鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子的相對電容率係與粒徑大小成正的相互關係。本介電組成物之相對電容率為300以下時，因為具有鈣鈦礦系結晶結構的高介電常數無機粒子，不必使用具有非常大的相對電容率之物，能夠使用粒徑較小之具有鈣鈦礦系結晶結構的高介電常數無機粒子，容易提高在波長400~700奈米的光線穿透率。使本介電組成物之相對電容率比80大時，有許多情況必須使粒子填充率為使用單一粒徑時之最密填充以上。因此，本介電組成物的相對電容率在80以下時，接近只由單一粒徑所構成時，能夠使用粒子分布非常尖銳的高介電常數無機粒子。本介電組成物的相對電容率在50以下時，因為不必使用具有非常大的電容率之(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子，高介電常數無機粒子之材料選擇幅度變為廣闊。
本發明所使用之(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子，其平均粒徑係0.002微米以上0.06微米以下，以0.002微米以上0.04微米以下為佳。(b)具有鈣鈦礦系結
晶結構之高介電常數無機粒子以0.005微米以上0.03微米以下為更佳。平均粒徑為0.002微米以上時，容易提高(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子的相對電容率。平均粒徑為0.005微米以上時，(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子變為不容易凝聚，容易均勻地分散在樹脂中。平均粒徑為0.04微米以下時，使光線穿透介電組成物時，因為能夠控制在(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子所產生的瑞利散射，容易提高光線穿透率。平均粒徑為0.03微米以下時，抑制瑞利散射的效果更大，不僅是容易提高介電組成物的光線穿透率，而且在製造介電組成物時，不容易產生沈澱，該沈澱會成為(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子分布差的原因。
本發明之介電組成物的製造方法，係在液狀或溶液狀之未硬化樹脂中，使分散(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子而成的糊料等具有流動性狀態之物，藉由加熱等使其固化而成。此時，通常因為(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子的比重比樹脂的比重大，在具有流動性的狀態，藉由重力粒子容易沈降至分散體的下部而產生沈澱。但是，粒徑小時，一顆顆的粒子之重量變小，受到布朗運動的影響增加，粒子變為不容易沈澱。
因為在介電組成物內行進之光線的瑞利散射大小，係與光線通過介質中存在粒子之粒徑成三次方之正的相互關係，即使高介電常數無機粒子的平均粒徑相等時，粒徑分布越狹窄、或大粒子的存在量越少，越容易提高介電組成物的光線穿透率。
又，本發明之(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子的平均粒徑測定，能夠藉由對介電組成物之硬化薄膜的超薄切片進行XMA測定、及穿透型電子顯微鏡(TEM)觀察來進行。該超薄切片係使用對介電組成物之硬化薄膜在膜厚度方向切取剖面而成之物。因為(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子與(a)樹脂對電子射線之光線穿透率不同，能夠在TEM觀察像中辨別(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子與(a)樹脂的不同。使用具有複數種(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子時，各高介電常數無機粒子的鑑定能夠藉由基於進行XMA測定、及藉由觀察電子射線繞射像來進行。從TEM觀察像之影像解析，能夠求得(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子及(a)樹脂之積分布，從(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子像的剖面之圓形近似面積，能夠算出粒徑。該粒徑的評價可對倍率5000倍及40000倍的TEM影像來進行。藉由在倍率5000倍的TEM影像之刻度0.1微米的直立圖、在倍率40000倍的TEM影像之刻度0.01微米的直立圖來表示所算出的粒徑分布。對所得到的直立圖之各圖，求得其中心值與度數的乘積。接著將該等乘積的和除以度數的總和作為平均粒徑。又，粒徑分布的評價亦能夠藉由使用掃描型電子顯微鏡(SEM)來代替TEM，進行與上述相的解析。
通常，(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子產生粒成長、燒結等一次粒子形狀變化之溫度，因為幾乎都遠高於(a)樹脂的硬化溫度，此時，可在將(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子分散在(a)樹脂之前的原料階段，對(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子評價其粒徑。此時，可與前述同樣地使用TEM或SEM直接觀察(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子，從藉此所得到的觀察像的影像解析來求得。
又，除了上述以外，亦可藉由動態光散射法(係測定(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子評價高介電常數無機粒子在液體中之布朗運動所引起散射光的搖擺)、電泳動光散射法(係測定使(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子進行電泳動時之散射光的多普勒效應(Doppler effect))、超音波衰減分光法(係從照射的超音波求出衰減狀態)來測定平均粒徑。雷射繞射式、雷射散射式的粒度分布測定裝置有堀場製作所製LA-920、島津製作所製SALD-1100、日機裝(股)製MICROTRAC-UPA150或SYSMEX(股)製ZETASAIZANANO ZS等。
相對介電組成物整體，本發明的介電組成物之(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子含量，以30重量%以上99重量%以下為佳。(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子含量為30重量%以上時，容易提高介電組成物的相對電容率，使用作為電容器的層間絕緣材料時，容易實現大靜電容量的電容器。相對介電組成物整體，(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子含量，為99重量%以下時，因為樹脂的含量足夠多，容易提高膜的強度。
本發明所使用的(a)樹脂可選自熱塑性、塑固性樹脂中任一者，為了使在波長400~700奈米的全區域之介電組成物的光線穿透率為50%以上，(a)樹脂以使用光線穿透率為50%以上之物為佳。為了提高介電組成物的光線穿透率，(a)樹脂的光線穿透率以較大為佳。
本發明所使用的熱塑性樹脂，例如可使用聚苯醚、聚苯硫、聚醚碸、聚醚醯亞胺、液晶聚合物、聚苯乙烯、聚乙烯、氟樹脂等。
又，本發明所使用的熱固性樹脂，例如可使用環氧樹脂、酚樹脂、矽氧烷樹脂、聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、異氰酸酯樹脂、苯并環丁烯樹脂等。從耐熱性高等而言，以使用熱固性樹脂為佳，從(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子分散性而言，以使用環氧樹脂為佳。
在此，環氧樹脂係指樹脂其含有在分子結構中含有2個以上環氧基(環氧乙烷環)的預聚物。又，本發明的糊組成物亦可含有硬化劑，硬化劑可添加通常在環氧樹脂所使用的硬化劑。此種硬化劑可例示的有胺系硬化劑、酸酐硬化劑、苯酚系硬化劑等。又，此等硬化劑亦可互相並用。硬化促進劑亦可未隨同硬化劑而單獨添加。此等硬化促進劑可舉出的有2－甲基咪唑、2－乙基－4－甲基咪唑、1－氰基乙基－2－苯基咪唑、1－氰基乙基－2－苯基咪唑鎓偏苯三酸、三苯基膦、參(2,4－戊二酮)鈷錯合物等金屬鉗合劑等。
從對波長400~700奈米的光線之穿透性高而言，本發明之(a)樹脂以使用丙烯酸樹脂為佳。
(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子係指具有鈣鈦礦型結晶結構、或是複合鈣鈦礦型結晶結構之物。此等可舉出的有例如鈦酸鋇系、鈦酸鋯酸鋇系、鈦酸鍶系、鈦酸鈣系、鈦酸鉍系、鈦酸鎂系、鈦酸鋇釹系、鈦酸鋇錫系、鎂鈮酸鋇系、鎂鉭酸鋇系、鈦酸鉛系、鋯酸鉛系、鈦酸鋯酸鉛系、鈮酸鉛系、鎂鈮酸鉛系、鎳鈮酸鉛系、鎢酸鉛系、鎢酸鈣系、鎂鎢酸鉛系、二氧化鈦系等。鈦酸鋇系係指包含將鈦酸鋇結晶內的一部分元素使用其他元素取代、使其他元素侵入結晶結構內之以鈦酸鋇作為基料之固溶體的總稱。其他的鈦酸鋯酸鋇系、鈦酸鍶系、鈦酸鈣系、鈦酸鉍系、鈦酸鎂系、鈦酸鋇釹系、鈦酸鋇錫系、鎂鈮酸鋇系、鎂鉭酸鋇系、鈦酸鉛系、鋯酸鉛系、鈦酸鋯酸鉛系、鈮酸鉛系、鎂鈮酸鉛系、鎳鈮酸鉛系、鎢酸鉛系、鎢酸鈣系、鎂鎢酸鉛系中任一都同樣，係含有以各自作為基料之固溶體的總稱。
又，具有鈣鈦礦型結晶結構、或是複合鈣鈦礦型結晶結構之高介電常數無機粒子可單獨使用其等之中1種或混合2種以上使用。從兼具得到具有大的介電常數之介電組成物及商業上的便利性而言，主要以使用由鈦酸鋇所構成的化合物為佳，但是為了提高介電特性或溫度安定性之目的，亦可少量添加移相劑、抑制劑等。
(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子以使用相對電容率為50~30000之無機粒子為佳。使用相對電容率為50以上之高介電常數無機粒子時，容易得到相對電容率充分大的介電組成物。又，高介電常數無機粒子之相對電容率為30000以下時，容易減小介電組成物的相對電容率之溫度依賴性。在此所稱(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子的相對電容率，係指將(b)具有鈣鈦礦系
結晶結構之高介電常數無機粒子製成原料粉末，加熱、煅燒而得到燒結體的相對電容率。燒結體的相對電容率係依照以下順序測定。混合高介電常數無機粒子與如聚乙烯醇之黏合劑樹脂、有機溶劑或水，製成糊狀組成物後填充在顆粒成型器中，經乾燥而得到顆粒狀固形物。藉由例如在900~1200℃左右煅燒該顆粒狀固形物，分解、除去黏合劑樹脂，使(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子燒結，能夠得到只有由無機成分所構成的燒結體。此時，燒結體的空隙非常小，由理論密度及實測密度所計算得到的空隙率必須在1%以下。在該燒結體顆粒上形成上下電極，從測定靜電容量及尺寸的結果，計算相對電容率。
(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子之製造方法，可舉出的有固相反應法、水熱合成法、超臨界水熱合成法、溶膠凝膠法、草酸鹽法、烷氧化物法等方法。從容易製造粒徑小、大小一致之(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子的理由而言，以使用水熱合成法、超臨界水熱合成法、溶膠凝膠法中任一種為佳。
(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子的形狀可舉出的有球狀、簡略球狀、橢圓球狀、針狀、板狀、鱗片狀、棒狀、立方體(骰子)狀等，特別是球形或簡略球形為佳。球形或簡略球形之(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子因為比表面積較小，在填充時高介電常數無機粒子不容易產生凝聚或樹脂流動性下降等。此等之中，可單獨使用或混合2種以上使用。
本發明之糊組成物沒有特別限定，能夠藉由以下的方法來實施。本發明所使用之(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子因為平均粒徑小，為了解開粒子間的凝聚而達成均勻分散，在分散介質使用微小珠粒之分散方法係有效的。因為(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子係0.002微米以上0.06微米以下，分散介質之珠粒使用平均粒徑為0.02微米以上0.1微米以下之物係有效的。分散介質之珠粒的平均粒徑為0.03微米以上0.06微米以下時更為有效。珠粒的平均粒徑為0.1微米以下時，分散液通過珠粒之間時，高介電常數無機粒子與珠粒的接觸頻率高，能夠得到充分的分散效果。為了得到更高分散效果，珠粒的平均粒徑以0.06微米以下為佳。珠粒的平均粒徑為0.02微米以上時，各個珠粒所具有的運動量足夠大，能夠得到足夠的剪切力用以解開高介電常數無機粒子的凝聚。為了對高介電常數無機粒子的凝聚賦與更強的剪切力，珠粒的平均粒徑以0.03微米以上為佳。
評價珠粒的平均粒徑可使用例如以下的方法進行。能夠使用光學顯微鏡來觀察珠粒。將珠粒(試樣)放置在玻璃等透明板上，貼近來自透明板下側的光線，使透過光像通過物鏡來觀察、評價珠粒的粒徑。進行觀察任意100個珠粒，可將對各自珠粒求得粒徑的平均值，作為珠粒的平均粒徑。能夠使用各種影像處理軟體，對珠粒的觀察像進行球形近似來求得珠粒的平均粒徑。具體上，係藉由在顯微鏡上安裝CCD照相機代替接目鏡部，在電腦上處理所得到的數位影像來進行。此種CCD照相機有FLOVEL(股)製ADP－240，能夠處理此種影像之軟體有FLOVEL(股)製FlvFs等。
分散介質之珠粒可使用金屬製、陶瓷製或玻璃製之物。此等之具體上的材質可舉出的有不鏽鋼、鐵、銅、鉻、鎳、鈦、氮化矽、碳化矽、氧化鋁、氧化鋯、矽酸鋯、鈦酸鋇、矽酸玻璃、石英等。特別是使用硬度高的氧化鋯製珠粒為佳。因為強度大，氧化鋯以使用經三氧化二釔安定化過的氧化鋯為佳。本發明所使用珠粒之分散方法沒有特別限定，所使用的裝置可舉出的有球磨機、均勻器、滾柱式珠磨機等，對於分散微小粒子之特佳之物可舉出的有壽工業(股)製之“ULTRAPEXMILL”(商品名)或ASIZAWA－FINETEC(股)製之“STARMILL”(商品名)等。在此二種珠磨機，進行分散高介電常數無機粒子之被稱為容器(vessel)部位，係由形成外壁之圓筒形的定子、及在定子中心旋轉之轉子所形成。而且，將混合高介電常數無機粒子及有機溶劑而成的分散液，在定子與轉子之間進行送液。複數葉片從轉子以放射狀的方式突出。在容器內填充分散介質之珠粒，藉由使轉子旋轉，葉片攪拌珠粒，伴隨著，珠粒賦與分散液中的高介電常數無機粒子剪切力，高介電常數無機粒子分散成為微小粒子。藉由使一次通過容器之分散液循環，重複送液至容器內，分散液中的高介電常數無機粒子的凝聚慢慢地進行解開、分散。
在分散液中所含有的高介電常數無機粒子係以1次粒子或凝聚體的方式存在，在本發明，存在分散液中時之高介電常數無機粒子的大小，係將在分散液中數個高介電常數無機粒子的1次粒子凝聚而成狀態之物，藉由體積基準的方式分布時之中間徑(50%粒徑)。測定在分散液中高介電常數無機粒子的平均粒徑之方法，可舉出的有藉由雷射之光散射方式或動態的光散射方式，高精確度評價平均粒徑為20奈米以下的粒徑時，以使用動態的光散射方式為佳。使用此方式之粒徑測定裝置可舉出的有日機裝(股)製之“NANOTRACK”U4A－EX150(商品名)。
在珠磨的容器內之珠粒填充量以容器容積之20容積%以上85容量%以下為佳。珠粒填充量為容器容積之20容積%以上時，因為鄰接珠粒之間隙狹窄，分散液中的高介電常數無機粒子接觸珠粒的頻率增加，能夠在短時間有效率地進行分散。而且，為了提高該效果，珠粒填充量以容器容積之50容積%以上為更佳。另一方面，珠粒填充量為容器容積之85容積%以下時，因為鄰接珠粒之間存在有足夠的間隙，能夠以不會在容器內阻礙的方式對分散液進行送液。又，珠粒填充量為容器容積之85容積%以下時，在珠粒之間、或在珠粒與容器的定子或轉子之間，因摩擦所產生的熱量較小，分散劑等構成分散液的材料不容易變質。又，在藉由離心力過濾珠粒的方式之珠磨機，若珠粒的填充量增多時，過濾功能無法充分作用，珠粒從容器混入回收之分散液中的可能性變大，但是珠粒的填充量在85容積%以下時，珠粒不會混入、或非常少量。而且，為了提高該效果，珠粒的填充量以75容積%以下為更佳。
珠磨機的轉子旋轉周速以8m/s以上15m/s以下為佳。在本發明之旋轉周速係指從轉子突出之葉片的前端在旋轉時之速度。旋轉周速為8m/s以上時，能夠得到足夠的剪切力用以將高介電常數無機粒子分散成平均粒徑0.02微米以下。又，旋轉周速為8m/s以上時，在藉由離心力過濾珠粒的方式之珠磨機，珠粒不會混入回收之分散液中。另一方面，旋轉周速為15m/s以下時，因為在珠粒之間、或在珠粒與容器的定子或轉子之間，摩擦所產生的熱量較小，分散液不容易變質。
分散處理時之分散液的溫度以10℃以上40℃以下為佳。在此，分散處理時的分散液溫度係剛從容器送出後之分散液的溫度。分散液的溫度為40℃以下時，分散液中的有機溶劑之揮發量變少，分散液中的高介電常數無機粒子或分散劑等組成濃度變化少。液溫比40℃高時，分散液組成產生濃度變化，會有分散液的分散性變差的情形。例如，分散液的分散性會有受到pH影響之情形，分散液的pH值係因分散液組成的濃度變化而變化。因此，分散液之溫度控制係控制分散液的pH值、或是分散液中之高介電常數無機粒子的分散性之重要條件之一。又，在分散液中含有因溫度而產生化學反應之材料、或因溫度而變質之材料時，因為溫度變化會導致分散液所具有的特性產生變化，分散時以進行溫度控制為佳。而且為了提高該效果，分散液的溫度為35℃以下為佳。另一方面，分散液的溫度若小於10℃時，因為從容器送出的分散液有可能在進行回收的容器內產生水珠凝結、水分混合分散液中而使分散液的特性變差，所以分散處理時之分散液的溫度以10℃以上為佳。又，分散液的溫度若在10℃以上時，因為分散液的黏度變低，能夠避免珠粒之運動能量減損，使分散效率提高。而且，為了提高該效果，分散液的溫度以20℃以上為更佳。
分散處理時之分散液的黏度以1mP．s以上100 mP．s以下為佳。在此，分散處理時之分散液的黏度係對從容器送出的分散液取樣，在取樣後5分鐘後測定時之黏度。測定溫度係25℃。黏度測定例如能夠使用東機產業(股)製的黏度計RE－115L來進行。在珠磨機之容器內的珠粒係從旋轉轉子的葉片獲得運動能量，藉由與分散液中的高介電常數無機粒子接觸，來產生剪切力。但是，分散液的黏度高時，珠粒在與高介電常數無機粒子接觸之前，在溶液中之運動能量大幅度地減損，會有無法賦與對高介電常數無機粒子足夠剪切力的情形。分散處理時之分散液的黏度為100mP．s以下時，能夠避免上述問題。而且，為了提高該效果，分散處理時之分散液的黏度以20mP．s以下為更佳。另一方面，分散液的黏度為1mP．s以上時，混合所製得分散液與樹脂而製得糊組成物的黏度不會變低，將糊組成物塗布在基板上來製造膜狀的樹脂組成物時，容易形成連續膜。
本發明之無機粒子的分散液之製造方法的例子，係如下述。
依規定分量混合(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子、分散劑、及(c)有機溶劑、攪拌。剛混合後，因為空氣層覆蓋高介電常數無機粒子的表面，高介電常數無機粒子與有機溶劑的濕潤不充分，會有黏度增加的情形。此時使用旋轉葉片花費時間攪拌至高介電常數無機粒子與有機溶劑完全濕潤為佳。
混合高介電常數無機粒子、分散劑、及有機溶劑、攪拌後，使用珠磨機對高介電常數無機粒子進行分散處理。首先，在珠磨機的容器內投入規定量之規定粒徑的珠粒，邊使轉子旋轉，邊將分散液所使用之相同有機溶劑送液至容器內並使其循環來進行洗滌。在洗滌時若有機溶劑的污染顯著時，更換新的有機溶劑，繼續洗滌至有機溶劑的污染明顯消失為止。洗滌珠粒後，使其循環來回收有機溶劑，接著，將上述高介電常數無機粒子、分散液、及有機溶劑的混合液送液至容器內並使其循環來進行分散處理。最初從容器內送出的分散液，因為在容器內殘餘的有機溶劑會使濃度降低，按照容器大小除去初流直到從容器內送出的分散液的濃度成為一定為止。分散處理可一次使用小珠粒來實施，亦可階段式變化珠粒的大小來進行，沒有特別限定。例如使用粒徑為0.5毫米之珠粒來進行分散直到高介電常數無機粒子的平均粒徑成為100奈米左右後，接著，使用更微小的珠粒來施行分散。在此，將平均粒徑至0.1微米左右為止之分散處理稱為粗分散，將隨後0.06微米以下的微小粒徑之分散處理稱為本分散。粗分散使用均化器來進行，本分散使用珠磨機來進行。在珠磨機，多半係使試樣通過管路送液至珠磨機本體的方式，將粗分散使用珠磨機來進行時，粒徑大的粒子會有在送液管路中阻塞的情形。將粗分散使用均化器等其他裝置進行時，能夠避免此情形。
使用均化器進行粗分散時，係例如使旋轉刀前端的周速為1~10m/s，處理1小時左右。因為在均化器處理中產生熱，以在冰浴中進行為佳。能夠使用的均化器可舉出的有“EKCERUOD”(商品名)(日本精機製作所製(股))等。
因為分散處理時之分散液的黏度會影響高介電常數無機粒子的分散性或分散處理的效率，以把握隨同分散處理的經過之分散液的黏度變化為佳。例如，藉由在一定時間對分散液取樣測定黏度，能夠把握黏度的經時變化。在分散處理時分散液的黏度上升時，在循環之分散液中適量添加有機溶劑、分散劑、pH調整劑等，亦能夠使黏度下降。
分散處理時之分散液的溫度能夠藉由冷卻容器外部之冷卻水的溫度、流量、及分散液的循環速度來控制。分散液的溫度上升係容易發生在分散處理時之分散的黏度高時。分散液的溫度上升太多時，會有產生分散液變質之情形。
分散液的固體成分濃度以10重量%以上為佳，以20重量%以上為更佳。又，分散液的固體成分濃度以60重量%以下為佳，以40重量%以下為更佳。本發明之分散液的固體成分濃度，係指相對於分散液總量，在分散液中所含有的有機溶劑以外成分之比率。分散液的固體成分濃度為10重量以上時，能夠製造黏度低的分散液，因為在分散處理時因與珠粒的摩擦所產生的熱量較少，構成分散液的材料不容易產生變質。分散液的固體成分濃度為20重量%以上時，使用混合分散液與樹脂液而成的糊組成物來形成介電組成物的膜時，容易形成1微米以上的膜厚度。又，分散液的固體成分濃度為60重量%以下時，使用藉由離心分離之過濾方式的珠磨機時，珠粒容易分離。而且，分散液的固體成分濃度為40重量以下時，分散液的黏度低、分散液中的高介電常數無機粒子與珠粒的接觸頻率增加，容易解開高介電常數無機粒子的凝聚體。又，即便使用平均粒徑0.1微米以下的高介電常數無機粒子時，亦能將分散液中的高介電常數無機粒子，效率良好地分散，容易分散至粒度分布為1次粒徑附近，使用本分散液來形成介電組成物的膜時，容易得到穿透率高的膜。
珠磨機之轉子的旋轉周速可以一定，亦可在分散處理時階段式地變更。因為轉子的旋轉速度會有影響分散處理時分散液的溫度之情形，在分散處理時變更旋轉周速時，以控制分散液溫度的上升不致於太高為佳。又，藉由離心分離珠粒之過濾方式的珠磨機時，在使轉子旋轉之前使送液泵動作、分散液開始循環時，因為珠粒會有從容器混入進行送出的分散液中之情形，所以應使轉子旋轉後，再使送液泵動作。
分散處理時間可依照高介電常數無機粒子、有機溶劑、及分散劑等構成分散液的材料種類及組成比來適當地設定。例如每一定時間對分散液取樣，測定分散液中之高介電常數無機粒子的平均粒徑，能夠把握分散狀態的經時變化，能夠判斷分散處理之結束時點，乃是較佳。分散性良好的組成時，30分鐘左右的分散處理時間已足夠，依照組成亦可進行24小時以上。分散處理時間長時，會有因有機溶劑等構成分散液的材料揮發、分散液的組成比變化、分散性產生變化之情形，此時，可適當地添加必要成分來調整組成。
接著，說明糊組成物之製造方法，該糊組成物係含有藉由上述高介電常數無機粒子分散液之製造方法所得到的分散液、樹脂或含有樹脂及有機溶劑之樹脂溶液。
混合分散液、樹脂或含有樹脂及有機溶劑之樹脂溶液，可在樹脂或含有樹脂及有機溶劑之樹脂溶液中，注入分散液至達到規定量，或是在分散液中，注入樹脂或含有樹脂及有機溶劑之樹脂溶液至達到規定量。此時之樹脂的態樣，可以是液狀樹脂，亦可以是將固態樹脂溶解在溶劑中而成的樹脂溶液。又，此時含有樹脂及有機溶劑之樹脂溶液的態樣，可以是使用有機溶劑稀釋液狀樹脂或稀釋將固態樹脂溶解在溶劑中而成的樹脂，所得到的樹脂溶液。
糊組成物之製造方法，不只是混合按照上述方法所各自製得的分散液、樹脂或含有樹脂及有機溶劑之樹脂溶液之方法而已，亦可使用將高介電常數無機粒子直接分散在液狀樹脂或樹脂溶液中之方法。即使將高介電常數無機粒子直接分散在液狀樹脂或樹脂溶液中時，亦以使用珠磨機為佳。
為了使混合含有規定量高介電常數無機粒子之分散液及樹脂材料所得到的組成物更為均質，可使用球磨機或輥磨機。又，因混合處理在糊組成物中混入了氣泡時，藉由靜置、或使用攪拌脫泡機等除去氣泡，能夠抑制氣泡混入使用糊組成物所製造的樹脂組成物中。
得到本發明之介電組成物之方法，可舉出的有例如，如上述，首先製造使高介電常數無機粒子分散在液狀樹脂或樹脂溶液中而成的糊組成物，將該糊組成物塗布在被黏著體(如基板)等，藉由進行脫有機溶劑、固化，能夠得到介電組成物。此時，固化方法可舉出的有藉由熱、光等來固化。但是，藉由加熱進行固化時，因為本發明的介電組成物不是燒結體，不會使樹脂分解、或除去，較佳是在與糊組成物同時進行加熱之被黏著體或電子零件等的耐熱溫度範圍內、例如500℃以下的溫度進行加熱。更佳是在250℃以下的溫度加熱。又，塗布之被黏著體不限定是玻璃基板或玻璃環氧基板等硬性基板，亦可以是樹脂薄膜或銅等的金屬箔等軟性基板。
本發明之介電組成物的空隙率以30體積%以下為佳。以20體積%以下為較佳，以10體積%以下為更佳。空隙率為30體積%以下時，能夠減小空隙所引起瑞利散射、容易增加穿透率。空隙率為20體積%以下時，容易提高絕緣電阻。空隙率為10體積%以下時，容易降低漏泄電流。
在此，使空隙率為30體積%以下之方法，例如可藉由從上述之中適當地選擇樹脂、高介電常數無機粒子、有機溶劑來達成。具體上，例如可藉由使糊組成物含有至少1種沸點160℃以上的有機溶劑來達成。
測定介電組成物的空隙率之方法，可配合用途適當地選自氣體吸附法、水銀壓入法、陽電子消滅法、小角X散射法等。
由本發明之糊組成物所得到介電組成物的形態沒有特別限定，可配合用途適當地選自膜狀、棒狀、球狀等。特別是以膜狀為佳。在此，膜係包含薄膜、薄片、板、顆粒等。當然，可配合為了導通而形成通孔、調整阻抗或靜電容量或內部應力、或賦與放熱機能等用途來形成圖案。
本發明所使用的透明電極，若在波長400~700奈米的全區域之光線穿透率為50%以上100%以下時即可，材質沒有特別限定，因為光穿透性高，可以使用銦－錫氧化物(ITO)、銦－鋅氧化物、氧化錫、氧化銦或氧化鋅此等摻雜其他元素而成之物等。透明電極之光線穿透率為小於50%時，使用於顯示器等作為電容器時，透明性變為不足、資訊顯示特性不足夠，乃是不佳。
由本發明之介電組成物所得到的層間絕緣膜、及在波長400~700奈米全區域之光線穿透率為50%以上100%以下之具有透明電極的電容器，因為在波長400~700奈米全區域具有高光線穿透率，作為透明電容器能夠藉由通過的光線進行資訊顯示。
本發明之電容器至少具有層間絕緣膜及透明電極，層間絕緣膜係存在於電極之間，在本發明，若2個電極中至少一個係透明者即可，另外一個可以是金屬等不透明的電極。
將本發明之介電組成物製成膜狀時之膜厚度，在將介電組成物作為層間絕緣膜之電容器的靜電容量或光線穿透率符合希望值的範圍內，能夠任意設定，以0.05微米以上20微米以下為佳，以0.1微米以上5微米以下為更佳。為了確保作為電容器之大靜電容量時，膜厚度以較薄為佳，比0.05微米厚時不容易產生針孔等，容易得到電絕緣。又，0.1微米以上時，進行耐久性加速試驗之PCT(壓力鍋測試；pressure cooker test)後，電介質損耗角正切不容易增大。又，膜厚度為20微米以下時，作為電容器容易得到大靜電容量。膜厚度為5微米以下時，作為電容器容易得到大靜電容量，容易得到充分高的光線穿透率。
將介電組成物作為層間絕緣膜之電容器，其靜電容量的溫度變化、面內偏差，在電路設計上以較小為佳。隨著溫度變化，亦以盡可能較小為佳，例如符合X7R特性(在－55~125℃之靜電容量的溫度變化率在±15%以內)為佳。靜電容量的面內偏差，相對於平均值以5%以下(靜電容量的平均值－5%≦靜電容量≦靜電容量的平均值＋5%)為佳。
本發明之介電組成物亦可使用在被電極夾住之電容器用層間絕緣膜以外，例如，可使用作為接觸電潤濕型電子紙的電解液之材料。此時，本發明之介電組成物係以與電解液接觸的面之相反面接觸電極的方式形成。藉由使透明的高介電常數層形成接觸電解液的面時，施加電壓所產生電解液的潤濕性變化變大，電解液的移動速度變大，能夠實現顯示速度大之電潤濕型電子紙。
如使用於電潤濕型電子紙之情形，本發明之介電組成物係使用於接觸電解液等液狀物質之用途，較佳是此種液狀物質不會產生滲透該介電組成物。為了抑制此種液狀物質滲透，(a)樹脂以使用吸濕、吸水的影響較少之物為佳。低吸水性的環氧樹脂有苯二甲基甲階酚醛樹脂型、聯苯甲階酚醛樹脂型、二環戊二烯型、二環戊二烯苯酚甲階酚醛樹脂型、二苯基甲烷型、萘酚芳烷基型、萘酚甲階酚醛樹脂型、4官能萘型、具有萘骨架、聯苯骨架之環氧樹脂等。低吸水性的硬化劑例如有苯酚系甲階酚醛樹脂等。
在本發明之糊組成物，亦可按照必要進行添加安定化劑、分散劑、沈澱分散劑、可塑劑、抗氧化劑、交聯劑、交聯促進劑、溶解抑制劑、溶解調整劑、界面活性劑、表面改質劑、消泡劑等添加劑。又，為了抑制液狀物質滲透如上述的介電組成物時，以在介電組成物含有可塑劑、交聯劑、界面活性劑、表面改質劑、消泡劑等添加劑為佳。更佳之添加劑的例子，可舉出的有氟系界面活性劑、氟系表面改質劑。氟系界面活性劑可舉出的有大日本油墨化學工業(股)製之“MEGAFACK”(商品名)F-493、F-494、F-470、F-475、F-477、F-478、F-482、F-487、F-172D、“DIFENSA”(商品名)MCF-350SF、住友-3M(股)製的“NOBECK”(商品名)FC-4430等。
又，抑制液狀物質滲透介電組成物之方法，除了在介電組成物中含有上述添加劑以外，亦可在介電組成物的膜表面，以1微米厚度以下之非常薄的方式塗布氟系表面活性劑、氟系表面改質劑、氟系塗布劑等，在介電組成物的膜表面形成透明覆膜。透明覆膜的膜厚度以0.5微米以下為佳，以0.2微米以下為更佳。因為透明覆膜的相對電容率比介電組成物的相對電容率低，為了確保電容器之大靜電容量，透明覆膜的膜厚度以較薄為佳。透明覆膜的膜厚度為0.2微米以下時，作為電容器容易得到大靜電容量。透明覆膜的膜厚度為0.5微米以下時，容易得到高光線穿透率。
以下，說明本發明的實施例，但是本發明未限定於此等。光線穿透率、介電特性、膜厚度、高介電常數無機粒子的平均粒徑、分散液的粒度分布、漏泄電流、電壓保持率的評價係依照以下方法測定。
(1)光線穿透率
使用顯微分光裝置MCPD-2000(大塚電子(股)製)，測定(A)玻璃基板之波長400~700奈米的光線穿透率、(B)在玻璃基板上形成有介電組成物之試樣在波長400~700奈米的光線穿透率。本發明之介電組成物的光線穿透率係(B)的光線穿透率減去(A)的光線穿透率而成之差光示譜。玻璃基板係使用鹼石灰玻璃。在本發明之介電組成物的穿透光光譜，本發明之實施例的光線穿透率係使用波長400奈米的值作為代表值。關於光線穿透率在波長400奈米以外顯示最小值之物，係記載在波長400~700奈米所顯示最小值的光線穿透率、及得到該值之波長。
(2)介電特性
介電組成物靜電容量係使用IMPEDANCEANALYZER 4294A及SAMPLEHOLDER-16451B(都是Agilent Technologies(股)製)來進行測定。
關於實施例1~42及比較例1~5，係如下進行製作靜電容量測定試樣，求得在頻率1kH及1MHz之相對電容率。在面積6公分×6公分、厚度0.3毫米的鋁基板上，全面形成介電組成物的塗膜。該塗膜係藉由對旋轉塗布而成的糊組成物適當加熱、使有機溶劑蒸發、樹脂硬化而形成。接著在該塗膜上藉由蒸鍍法形成鋁電極。該鋁電極係直徑10毫米之圓形圖案的測定用電極、及內徑11.5毫米之環形圖案的保護電極。介電組成物的膜厚度係10微米~20微米的範圍。測定用電極與鋁基板所夾住的部分為測定對象區域。相對電容率係由靜電容量與測定對象區域的尺寸所算出。
關於實施例43~68及比較例6~8，係如下進行來製作靜電容量測定試樣，求得在頻率1kH之相對電容率。在具有透明電極之玻璃基板上，形成介電組成物的塗膜。該塗膜係藉由對旋轉塗布而成的糊組成物適當加熱、使有機溶劑蒸發、樹脂硬化而形成。接著在該塗膜上藉由蒸鍍法形成鋁電極。玻璃基板係面積6公分×6公分、厚度0.7毫米、透明電極係使用ITO(銦錫氧化物)電極。ITO電極係使用膜厚度150±10奈米、電阻值8~20Ω/□、穿透率≧85%(測定波長550奈米)。ITO電極的電阻值係使用四端子測試器測定。鋁電極係直徑10毫米的圓形圖案的測定用電極、及內徑11.5毫米之環形圖案的保護電極。介電組成物的膜厚度除了實施例68以外為1微米，實施例68為1.1微米。測定用電極與ITO電極所夾住的部分為測定對象區域。
(3)膜厚度
塗膜的膜厚度係藉由觸針法使用SARFKOM1400(東京精密(股)製)，測定塗膜與基板的段差而求得。
(4)高介電常數無機粒子的平均粒徑
高介電常數無機粒子的平均粒徑係藉由以下方法求得。將高介電常數無機粒子分散在有機溶劑中，將已解開凝聚狀態之物滴加在TEM觀察用篩網上，使有機溶劑蒸發後，進行穿透型電子顯微鏡(TEM)觀察。穿透型電子顯微鏡(TEM)觀察係在倍率100000倍200000倍下進行。使用影像解析軟體(Scion Corporation公司製、Scion Image)，解析所到之高介電常數無機粒子的穿透型電子顯微鏡觀察照片，求得各高介電常數無機粒子之像面積。使如此進行所得到的各無機填料與圓形近似，從面積算出粒徑。粒徑的算出，係使用拍攝100個以上粒子之穿透型電子顯微鏡觀察照片，對照片內全部的高介電常數無機粒子進行，將其平均值作為平均粒徑。
分散液的粒度分布係使用粒度分布測定裝置MICROTRAC－UPA150(日機裝(股)製)來測定。粒度分布係使用50%徑、90%徑的值。50%徑係指將粉體之集合總體積作為100%，求得累積曲線時，該累積曲線成為50%之點的粒徑累積中位點(Median徑)。90%徑係該累積曲線成為90%之點的粒徑。
介電組成物的漏泄電流係如下測定。在具有透明電極之玻璃基板上形成介電組成物。玻璃基板係面積6公分×6公分、厚度0.7毫米、透明電極係使用ITO(銦錫氧化物)電極。ITO電極係使用膜厚度150±10奈米、電阻值8~20 Ω/□、穿透率≧85%(測定波長550奈米)。ITO電極的電阻值係使用四端子測試器測定。在具有ITO透明電極之玻璃基板上形成介電組成物的塗膜。在該塗膜上藉由蒸鍍法形成鋁電極。鋁電極係厚度300奈米、直徑2.5毫米之圓形圖案的電極，在透明電極與鋁電極之間施加2V的電壓，施加電壓20秒後，測定電流。該測定係使用Keithley Instruments(股)製、靜電計/高電阻系統6517A型。
與上述(6)同樣地進行，在具有透明電極之玻璃基板上形成介電組成物的塗膜。透明電極之玻璃基板係使用上述(6)相同之物。
在介電組成物的塗膜上，滴加濃度1mM的氯化鉀水溶液，使氯化鉀水溶液介於中間，配置上部電極，形成上部電極/氯化鉀水溶液/介電組成物/ITO透明電極之夾層結構。氯化鉀水溶液的液滴在形成夾層結構時，係以面積3平方毫米、厚度0.7毫米的方式調整。測定對象區域係與氯化鉀水溶液接觸之面積3平方毫米部分的上下電極所夾住的部分。在上部電極與ITO透明電極之間施加電位差5V、寬度60 μ s的矩形電壓脈衝。電壓保持率(VHR)係由式(1)計算得到。V1
係表示施加矩形電壓脈衝時之上部電與ITO透明電極間的電位差、V2
係表示脈衝結束後經過16.6ms時之電極間電位差。第1圖係表示各電位差與施加矩形電壓脈衝的關係。電壓保持率的測定係滴加濃度1mM的氯化鉀水溶液，30秒後進行。將3次的平均值作為該介電組成物的電壓保持率(VHR)。
VHR＝V2
/V1
使用ULTRAPEXMILL(壽工業(股)製)混煉429重量份鈦酸鋇(Cabot,Inc.公司製、K－Plus16：平均粒徑0.06微米)、1050重量份γ－丁內酯、21.4重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK－W9010)，得到分散液A－1。混合6.8重量份環氧樹脂(JAPAN EPOXY RESIN(股)製、“EPICOAT”(商品名)YX8000)、4.7重量份硬化劑(新日本理化(株)製、“RIKASIDO”(商品名)MH700)、0.2重量份硬化促進劑(N,N－二甲基苄基胺)、1.2重量份γ－丁內酯，得到環氧樹脂溶液B－1。EPICOAT YX8000係環氧當量205g/eg之液狀環氧樹脂。使用球磨機混合150重量份分散液A－1、及3重量份環氧樹脂溶液B－1，製造相對於糊組成物含有69重量%有機溶劑量之糊組成物C－1。相對於介電組成物總量，將C－1硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為90重量%。
使用旋轉塗布器將糊組成物C－1塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為50%。
測定該試料的空隙率時，為3%。空隙率的測定係依照以下方法進行。在矽晶圓上形成介電組成物的塗膜。該塗膜係藉由適當地加熱經旋轉塗布而成的糊組成物，蒸發有機溶劑、使樹脂硬化而形成。對此切取、製作5片2公分×2.5公分大小之物。接著，使用游標尺量取更正確的大小尺寸、求取膜面積。從該膜面積及藉由上述(3)的膜厚度測定方法所得到的膜厚度，求取鬆體積A。接著使用MICROMERITRICS公司製的POASAIZER－9320，藉由水銀壓入法(測定壓力範圍：100kPa~207MPa、單元容積15cm2
)，求得細孔容積B。空隙率C(%)係由C＝100×B/A求得。
使用旋轉塗布器將糊組成物C－1塗布在厚度300微米之鋁基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到介電組成物(硬化膜)。在該介電組成物上形成鋁電極，作為介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為3.8。
實施例2
使用旋轉塗布器將糊組成物C-1塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度0.8微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為65%。
實施例3
使用旋轉塗布器將糊組成物C-1塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度0.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為85%。
實施例4
使用旋轉塗布器將糊組成物C-1塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度0.1微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為93%。
實施例5
使用球磨機混合150重量份分散液A-1、及5重量份環氧樹脂溶液B-1，製造相對於糊組成物含有68重量%有機
溶劑量之糊組成物C-2。相對於介電組成物總量，將C-2硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為87重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C-2塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為55%。與實施例1同樣地進行，由糊組成物C-2製作介電組成物，進行介電特性評價時，在1MHz之相對電容率為36。
實施例6
使用球磨機混合150重量份分散液A-1、及12重量份環氧樹脂溶液B-1，製造相對於糊組成物含有65重量%有機溶劑量之糊組成物C-3。相對於介電組成物總量，將C-3硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為77重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C-3塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為70%。與實施例1同樣地進行，由糊組成物C-3製作介電組成物，進行介電特性評價時，在1MHz之相對電容率為18。
實施例7
使用球磨機混合150重量份分散液A-1、及20重量份環氧樹脂溶液B-1，製造相對於糊組成物含有63重量%有機溶劑量之糊組成物C-4。相對於介電組成物總量，將C-4
硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為68重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C-4塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為80%。與實施例1同樣地進行，由糊組成物C-4製作介電組成物，進行介電特性評價時，在1MHz之相對電容率為12。
實施例8
使用ULTRAPEXMILL(壽工業(股)製)混煉429重量份使用水熱合法所製造之平均粒徑0.03微米的鈦酸鋇T-1、1050重量份γ-丁內酯、21.4重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK-W9010)，得到分散液A-2。使用球磨機混合150重量份分散液A-2、及3重量份環氧樹脂溶液B-1，製造相對於糊組成物含有69重量%有機溶劑量之糊組成物C-5。相對於介電組成物總量，將C-5硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為90重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C-5塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為75%。與實施例1同樣地進行，由糊組成物C-5製作介電組成物，進行介電特性評價時，在1MHz之相對電容率為35。
使用旋轉塗布器將糊組成物C－5塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度0.8微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為80%。
使用旋轉塗布器將糊組成物C－5塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度0.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為92%。
使用旋轉塗布器將糊組成物C－5塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度0.1微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為96%。
使用球磨機混合150重量份分散液A－2、及5重量份環氧樹脂溶液B－1，製造相對於糊組成物含有68重量%有機溶劑量之糊組成物C－6。相對於介電組成物總量，將C－6硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為87重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C－6塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為78%。與實施例1同樣地進行，由糊組成物C-6製作介電組成物，進行介電特性評價時，在1MHz之相對電容率為32。
實施例13
使用球磨機混合150重量份分散液A-2、及12重量份環氧樹脂溶液B-1，製造相對於糊組成物含有65重量%有機溶劑量之糊組成物C-7。相對於介電組成物總量，將C-7硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為77重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C-7塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為83%。與實施例1同樣地進行，由糊組成物C-7製作介電組成物，進行介電特性評價時，在1MHz之相對電容率為17。
實施例14
使用球磨機混合150重量份分散液A-2、及20重量份環氧樹脂溶液B-1，製造相對於糊組成物含有63重量%有機溶劑量之糊組成物C-8。相對於介電組成物總量，將C-8硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為68重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C-8塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1.4微米的介電組
成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為88%。與實施例1同樣地進行，由糊組成物C-8製作介電組成物，進行介電特性評價時，在1MHz之相對電容率為12。
實施例15
使用ULTRAPEXMILL(壽工業(股)製)混煉429重量份鈦酸鋇(Buhler PARTEC GmbH公司製、Barium titanate：平均粒徑0.022微米(廠商規格平均粒徑0.018微米)、1050重量份γ-丁內酯、21.4重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK-W9010)，得到分散液A-3。使用球磨機混合150重量份分散液A-3、及3重量份環氧樹脂溶液B-1，製造相對於糊組成物含有69重量%有機溶劑量之糊組成物C-9。相對於介電組成物總量，將C-9硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為90重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C-9塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為80%。
使用旋轉塗布器將糊組成物C-9塗布在厚度300微米之鋁基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到介電組成物(硬化膜)。在該介電組成物上形成鋁電極，作為介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為32。
使用旋轉塗布器將糊組成物C－9塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度0.8微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為83%。
使用旋轉塗布器將糊組成物C－9塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度0.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為94%。
使用旋轉塗布器將糊組成物C－9塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度0.1微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為97%。
使用球磨機混合150重量份分散液A－3、及5重量份環氧樹脂溶液B－1，製造相對於糊組成物含有68重量%有機溶劑量之糊組成物C－10。相對於介電組成物總量，將C－10硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為87重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C－10塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為83%。與實施例1同樣地進行，由糊組成物C-10製作介電組成物，進行介電特性評價時，在1MHz之相對電容率為30。
實施例20
使用球磨機混合150重量份分散液A-3、及12重量份環氧樹脂溶液B-1，製造糊組成物C-11。相對於介電組成物總量，將C-11硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為77重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C-11塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為85%。與實施例1同樣地進行，由糊組成物C-11製作介電組成物，進行介電特性評價時，在1MHz之相對電容率為16。
實施例21
使用球磨機混合150重量份分散液A-3、及20重量份環氧樹脂溶液B-1，製造糊組成物C-12。相對於介電組成物總量，將C-12硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為68重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C-12塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整
旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為90%。與實施例1同樣地進行，由糊組成物C-12製作介電組成物，進行介電特性評價時，在1MHz之相對電容率為12。
實施例22
使用ULTRAPEXMILL(壽工業(股)製)混煉429重量份鈦酸總(TPL,Inc.製、HPS-2000：平均粒徑0.045微米)、1050重量份γ-丁內酯、21.4重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK-W9010)，得到分散液A-4。使用球磨機混合150重量份分散液A-4、及3重量份環氧樹脂溶液B-1，製造相對於糊組成物含有69重量%有機溶劑量之糊組成物C-13。相對於介電組成物總量，將C-13硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為90重量%。
使用旋轉塗布器將糊組成物C-13塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為55%。將糊組成物C-13使用旋轉塗布器塗布在300微米的鋁基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到介電組成物(硬化膜)。在該介電組成物上形成鋁電極，作為介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為27。
實施例23
使用旋轉塗布器將糊組成物C－5塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度2微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為65%。
使用旋轉塗布器將糊組成物C－9塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度2微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為70%。
使用均化器混煉224重量份鈦酸鋇(Buhler PARTEC GmbH公司製、Barium titanate：平均粒徑0.022微米(廠商規格平均粒徑0.018微米)、165重量份γ－丁內酯、11重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK－W9010)，得到分散液A－5。使用球磨機混合150重量份分散液A－5、及5.9重量份環氧樹脂溶液B－1，製造相對於糊組成物含有40重量%有機溶劑量之糊組成物C－14。相對於介電組成物總量，將C－14硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為90重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C－14塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為68%。
將糊組成物C-14使用旋轉塗布器塗布在300微米的鋁基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到介電組成物(硬化膜)。在該介電組成物上形成鋁電極，作為介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為34。
實施例26
使用球磨機混合150重量份分散液A-1、及3重量份環氧樹脂溶液B-1、86重量份γ-丁內酯，相對於糊組成物總量含有有機溶劑為80重量%，製造糊組成物C-15。相對於介電組成物總量，將C-15硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為90重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C-15塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度0.8微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為51%。
將糊組成物C-15使用旋轉塗布器塗布在300微米的鋁基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到介電組成物(硬化膜)。在該介電組成物上形成鋁電極，作為介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為41。
實施例27
使用均化器混煉429重量份鈦酸鋇(Cabot,Inc.公司製、K-Plus16：平均粒徑0.06微米)、315重量份γ-丁內
酯、21.4重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK-W9010)，得到分散液A-6。使用球磨機混合76.5重量份分散液A-6、及3重量份環氧樹脂溶液B-1，製造相對於糊組成物含有40重量%有機溶劑量之糊組成物C-16。相對於介電組成物總量，將C-16硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為90重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C-16塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為50%。將糊組成物C-16使用旋轉塗布器塗布在300微米的鋁基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到介電組成物(硬化膜)。在該介電組成物上形成鋁電極，作為介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為36。
實施例28
使用ULTRAPEXMILL(壽工業(股)製)混煉429重量份使用水熱合法所製造之平均粒徑0.05微米的鈦酸鋇T-2、1050重量份γ-丁內酯、21.4重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK-W9010)，得到分散液A-7。使用球磨機混合150重量份分散液A-7、及189重量份環氧樹脂溶液B-1、365重量份γ-丁內酯，製造相對於糊組成物含有69重量%有機溶劑量之糊組成物C-17。相對於介電組成物總量，將C-17硬
化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為20重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C-17塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為82%。
將糊組成物C-17使用旋轉塗布器塗布在300微米的鋁基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到介電組成物(硬化膜)。在該介電組成物上形成鋁電極，作為介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為8。
實施例29
混合15.3重量份環氧樹脂(日本化藥(股)製、NC3000)、5.3重量份甲階酚醛樹脂(日本化藥(股)製“KAYAHARD、KTG-105)、0.2重量份硬化促進劑(北興化學(股)製、三苯膦)、24.7重量份γ-丁內酯，得到環氧樹脂溶液B-2。使用球磨機混合150重量份分散液A-3、及10.9重量份環氧樹脂溶液B-2，製造相對於糊組成物含有70重量%有機溶劑量之糊組成物C-18。相對於介電組成物總量，將C-18硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為90重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C-18塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為72%。
將糊組成物C-18使用旋轉塗布器塗布在300微米的鋁基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到介電組成物(硬化膜)。在該介電組成物上形成鋁電極，作為介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為32。
實施例30
將100重量%光聚合引發性丙烯酸樹脂(DAICEL化學工業(股)製、“SAIKROMER”(商品名))、10重量份光自由基產生劑(CIBA SPECIALTY CHEMICALS公司製、“IRUGACURE”(商品名369)、90重量份PGMEA(丙二醇甲基醚乙酸酯)，在室溫攪拌2小時，得到丙烯酸樹脂溶液B-3。使用球磨機混合150重量份分散液A-3、及4.9重量份丙烯酸樹脂溶液B-3，製造相對於糊組成物含有69重量%有機溶劑量之糊組成物C-19。相對於介電組成物總量，將C-19硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為90重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C-19塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，使超高壓水銀燈對全面進行曝光、硬化，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為75%。
將糊組成物C-19使用旋轉塗布器塗布在300微米的鋁基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，使超高壓水銀燈對全面進行曝光、硬化，，得到介電組成物(硬化膜)。在該介電組成物上形成鋁電極，作為介電特
性評價試樣。在1MHz之相對電容率為28。
比較例1
將323重量份鈦酸鋇(堺化學工業(股)製、BT-05、平均粒徑0.5微米)、18重量份γ-丁內酯、0.2重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK-W9010)，使用均化器在冰冷下混合1小時，得到分散液A-8。使用球磨機混合12.8重量份環氧樹脂(日本化藥(股)製、EPPN502H)、7.8重量份甲階酚醛樹脂(大日本油墨化業工業(股)製、TD-2131)、0.2重量份硬化促進劑(北興化學工業(股)製三苯膦)、24.8重量份γ-丁內酯，得到環氧樹脂溶液B-4。使用球磨機混合341.2重量份分散液A-8、及45.6重量份環氧樹脂溶液B-4，製造相對於糊組成物含有11重量%有機溶劑量之糊組成物C-20。相對於介電組成物總量，將C-20硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為94重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C-20塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度10微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為8%。
將糊組成物C-20使用旋轉塗布器塗布在300微米的鋁基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到介電組成物(硬化膜)。在該介電組成物上形成鋁電極，作為介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為95。
比較例2
將62.3重量份鈦酸鋇(堺化學工業(股)製、BT-05、平均粒徑0.5微米)、21.9重量份鈦酸鋇(TPL,Inc.公司製、HPB-1000：平均粒徑0.059微米)、15重量份γ-丁內酯、0.8重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK-W9010)，使用均化器混煉，得到分散液A-9。使用球磨機混合2.2重量份環氧樹脂(日本化藥(股)製、EPPN502H)、1.4重量份甲階酚醛樹脂(大日本油墨化業工業(股)製、TD-2131)、0.04重量份硬化促進劑(北興化學工業(股)製三苯膦)、7.1重量份γ-丁內酯，得到環氧樹脂溶液B-5。使用球磨機混合100重量份分散液A-9、及10.7重量份環氧樹脂溶液B-5，製造相對於糊組成物含有20重量%有機溶劑量之糊組成物C-21。相對於介電組成物總量，將C-21硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為95重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C-21塗布在玻璃基板上，在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度10微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為5%。
將糊組成物C-21使用旋轉塗布器塗布在300微米的鋁基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到介電組成物(硬化膜)。在該介電組成物上形成鋁電極，作為介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為123。
比較例3
將200重量份鈦酸鋇(堺化學工業(股)製、BT-01、平均粒徑0.1微米)、400重量份甲苯，使用均化器在冰冷下混合1小時，得到分散液A-10。使用球磨機混合100重量份環氧樹脂YD-8125(東都化成(股)製、YD8125)、90重量份硬化劑(日立化成工業(股)製、HN-5500)、1重量份硬化促進劑(JAPAN EPOXY RESINS(股)製、“EPICURE”(商品名3010)，得到環氧樹脂溶液B-6。使用球磨機混合60重量份分散液A-10、及1.9重量份環氧樹脂溶液B-6，製造相對於糊組成物含有69重量%有機溶劑量之糊組成物C-22。相對於介電組成物總量，將C-22硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為90重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C-22塗布在玻璃基板上，使用烘箱在120℃進行熱處理15小時使其硬化，調整旋轉速度，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為28%。
將糊組成物C-22使用旋轉塗布器塗布在300微米的鋁基板上，使用烘箱在120℃進行熱處理15小時使其硬化，得到介電組成物(硬化膜)。在該介電組成物上形成鋁電極，作為介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為34。
比較例4
將224重量份鈦酸鋇(Cabot,Inc.公司製、K-Plus16：平均粒徑0.06微米)、105重量份γ-丁內酯、11重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie
Japan(股)製、BYK-W9010)，使用均化器混煉，得到分散液A-11。使用球磨機混合150重量份分散液A-11、及5.9重量份環氧樹脂溶液B-1，製造相對於糊組成物含有30重量%有機溶劑量之糊組成物C-23。相對於介電組成物總量，將C-23硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為90重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C-23塗布在玻璃基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到介電組成物(硬化膜)。因為糊組成物C-22的黏度高，使用旋轉塗布器時無法得到平坦的塗膜。測定在膜厚度2微米附近部位之光線穿透率時，光線穿透率(波長400奈米)為35%。
將糊組成物C-23使用旋轉塗布器塗布在300微米的鋁基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到介電組成物(硬化膜)。在該介電組成物上形成鋁電極，作為介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為40。
比較例5
使用球磨機混合150重量份分散液A-1、及3重量份環氧樹脂溶液B-1、324重量份γ-丁內酯，製造相對於糊組成物含有90重量%有機溶劑量之糊組成物C-24。相對於介電組成物總量，將C-24硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為90重量%。使用旋轉塗布器將糊組成物C-24塗布在玻璃基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到介電組成物(硬化膜)。但是，因為黏度低，無法成為連續膜。因此，無法測定該介電組成物的光線穿透率。
將糊組成物C－24使用旋轉塗布器塗布在300微米的鋁基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到介電組成物(硬化膜)。在該介電組成物上形成鋁電極，作為介電特性評價試樣。但是，因為無法成為連續膜，上下電極短路，無法測定介電常數。
將144.2重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T－BTO－020RF：平均粒徑0.027微米)、350重量份γ－丁內酯、5.8重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK－W9010)，使用均化器在冰冷下混合2小時，得到分散液A－12。在分散液A－12之分散劑的含量係高介電常數無機粒子重量的4重量%。分散液A－12的粒度分布50%徑為0.25微米、90%徑為0.42微米。分散液A－12之高介電常數無機粒子的凝聚未解開，粒度分布測定所得到高介電常數無機粒子的粒徑比原料高介電常數無機粒子的平均粒徑大。
使用球磨機混合6.8重量份環氧樹脂(JAPAN EPOXY RESINS(股)製、“EPICOAT”(商名名)YX8000)、4.7重量份硬化劑(新日本理化(股)製、“RIKASID”(商名名)MH700)、0.2重量份硬化促進劑(N,N－二甲基苄基胺)，得到環氧樹脂溶液B－7。使用球磨機混合150重量份分散液A－12、及8.2重量份環氧樹脂溶液B－7，製造相對於糊組成物含有67重量%有機溶劑量之糊組成物C-25。相對於介電組成物總量，將C-25硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為81重量%。
使用糊組成物C-25，與實施例1同樣地進行，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為79%。使用糊組成物C-25，，與實施例1同樣地進行，得到介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為32。
實施例32
將416.7重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T-BTO-020RF：平均粒徑0.027微米)、1050重量份γ-丁內酯、33.3重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK-W9010)，使用ULTRAPEXMILL(壽工業(股)製)混煉，得到分散液A-13。在分散液A-13之分散劑的含量係高介電常數無機粒子重量的8重量%。分散液A-13的粒度分布50%徑為0.04微米、90%徑為0.07微米。相對於高介電常數無機粒子之分散劑的含量比分散液A-12多，高介電常數無機粒子的凝聚能夠良好地解開，粒度分布測定所得到高介電常數無機粒子的粒徑接近原料高介電常數無機粒子的平均粒徑。
使用球磨機混合150重量份分散液A-13、及6重量份環氧樹脂溶液B-7，製造相對於糊組成物含有67重量%有機溶劑量之糊組成物C-26。相對於介電組成物總量，將C-26硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含
量為81重量%。
使用糊組成物C-26，與實施例1同樣地進行，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為87%。使用糊組成物C-26，，與實施例1同樣地進行，得到介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為27。
實施例33
將391.3重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T-BTO-020RF：平均粒徑0.027微米)、1050重量份γ-丁內酯、58.7重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK-W9010)，使用ULTRAPEXMILL(壽工業(股)製)混煉，得到分散液A-14。在分散液A-14之分散劑的含量係高介電常數無機粒子重量的15重量%。分散液A-14的粒度分布50%徑為0.025微米、90%徑為0.06微米。相對於高介電常數無機粒子之分散劑的含量比分散液A-12、A-13多出許多，高介電常數無機粒子的凝聚能夠充分地解開，粒度分布測定所得到高介電常數無機粒子的粒徑接近原料高介電常數無機粒子的平均粒徑。
使用球磨機混合150重量份分散液A-14、及2.9重量份環氧樹脂溶液B-7，製造相對於糊組成物含有69重量%有機溶劑量之糊組成物C-27。相對於介電組成物總量，將C-27硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為81重量%。
使用糊組成物C-27，與實施例1同樣地進行，得到膜
厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為97%。在波長400~700奈米之光線穿透率的最小值為88%(波長530奈米)。與實施例1同樣地進行，得到介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為28。
將糊組成物C-27使用旋轉塗布器塗布具有ITO的玻璃基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘使其乾燥後，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到介電組成物(硬化膜)。該具有ITO的玻璃基板係在1733玻璃上藉由濺鍍法以膜厚度為150奈米的方式形成。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為98%。
在介電組成物上形成鋁電極作為上部電極，製造由玻璃/ITO電極/介電組成物/鋁電極所構成的電容器D-1。鋁電極係使遮罩介於中間，使用真空蒸鍍形成。該電容器D-1在1kH時之相對電容率為29。
將上部電極使用ITO代替鋁，製造由玻璃/ITO電極/介電組成物/ITO電極所構成的電容器D-2。上部電極之ITO電極係使用真空蒸鍍形成。而且，將上部電極使用Ni-Cr/銅層代替鋁，製造由玻璃/ITO電極/介電組成物/Ni-Cr/銅層所構成的電容器D-3。上部電極係依照順序進行濺鍍Ni-Cr、銅，而且進行電解銅鍍敷來形成導通層，使用蝕刻進行圖案加工而形成。電容器D-2、D-3在1kH時之相對電容率為29。
實施例34
將391.3重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、
T-BTO-010RF：平均粒徑0.012微米)、1050重量份γ-丁內酯、58.7重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK-W9010)，使用ULTRAPEXMILL(壽工業(股)製)混煉，得到分散液A-15。在分散液A-15之分散劑的含量係高介電常數無機粒子重量的15重量%。分散液A-15的粒度分布50%徑為0.02微米、90%徑為0.05微米。
使用球磨機混合150重量份分散液A-15、及3.4重量份環氧樹脂溶液B-1，製造相對於糊組成物含有68重量%有機溶劑量之糊組成物C-28。相對於介電組成物總量，將C-28硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為81重量%。
使用糊組成物C-28，與實施例1同樣地進行，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為99%。在波長400~700奈米在光線穿透率的最小值為90%(波長570奈米)。使用糊組成物C-28，與實施例1同樣地進行，得到介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為23。
實施例35
將391.3重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T-BTO-010RF：平均粒徑0.012微米)、1050重量份γ-丁內酯、58.7重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK-W111)，使用ULTRAPEXMILL(壽工業(股)製)混煉，得到分散液A-16。
在分散液A-16之分散劑的含量係高介電常數無機粒子重量的15重量%。分散液A-16的粒度分布50%徑為0.02微米、90%徑為0.04微米。
使用球磨機混合150重量份分散液A-16、及3.4重量份環氧樹脂溶液B-1，製造相對於糊組成物含有68重量%有機溶劑量之糊組成物C-28。相對於介電組成物總量，將C-29硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為81重量%。
使用糊組成物C-29，與實施例1同樣地進行，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為99%。在波長400~700奈米之光線穿透率的最小值為90%(波長530奈米)。使用糊組成物C-29，與實施例1同樣地進行，得到介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為23。
實施例36
將652重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T-BTO-020RF：平均粒徑0.027微米)、750重量份γ-丁內酯、97.8重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK-W9010)，使用ULTRAPEXMILL(壽工業(股)製)混煉，得到分散液A-17。在分散液A-17之分散劑的含量係高介電常數無機粒子重量的15重量%。分散液A-17的粒度分布50%徑為0.025微米、90%徑為0.06微米。
使用球磨機混合150重量份分散液A-17、及5.7重量
份環氧樹脂溶液B-1，製造相對於糊組成物含有48重量%有機溶劑量之糊組成物C-30。相對於介電組成物總量，將C-30硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為81重量%。
使用糊組成物C-30，與實施例1同樣地進行，得到膜厚度4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為97%。在波長400~700奈米之光線穿透率的最小值為88%(波長530奈米)。使用糊組成物C-26，與實施例1同樣地進行，得到介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為29。
實施例37
將432.6重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T-BTO-010RF：平均粒徑0.012微米)、1050重量份γ-丁內酯、17.4重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK-W9010)，使用ULTRAPEXMILL(壽工業(股)製)混煉，得到分散液A-18。在分散液A-18之分散劑的含量係高介電常數無機粒子重量的4重量%。分散液A-18的粒度分布50%徑為0.30微米、90%徑為0.55微米。與分散液A-12同樣地，相對於高介電常數無機粒子，分散劑的含量少、高介電常數無機粒子的凝聚未充分地解開，粒度分布測定所得到高介電常數無機粒子的粒徑比原料高介電常數無機粒子的平均粒徑大。
使用球磨機混合150重量份分散液A-18、及8.2重量份環氧樹脂溶液B-7，製造相對於糊組成物含有67重量%
有機溶劑量之糊組成物C-31。相對於介電組成物總量，將C-31硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為81重量%。
使用糊組成物C-31，與實施例1同樣地進行，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為78%。使用糊組成物C-31，與實施例1同樣地進行，得到介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為16。
實施例38
將420.6重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T-BTO-010RF：平均粒徑0.012微米)、1050重量份γ-丁內酯、29.4重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK-W9010)，使用ULTRAPEXMILL(壽工業(股)製)混煉，得到分散液A-19。在分散液A-19之分散劑的含量係高介電常數無機粒子重量的7重量%。分散液A-19的粒度分布50%徑為0.04微米、90%徑為0.08微米。相對於高介電常數無機粒子之分散劑的含量比分散液A-18多，高介電常數無機粒子的凝聚能夠充分地解開，粒度分布測定所得到高介電常數無機粒子的粒徑接近原料高介電常數無機粒子的平均粒徑。
使用球磨機混合150重量份分散液A-19、及6.5重量份環氧樹脂溶液B-7，製造相對於糊組成物含有67重量%有機溶劑量之糊組成物C-32。相對於介電組成物總量，將C-32硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含
量為81重量%。
使用糊組成物C-32，與實施例1同樣地進行，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為89%。使用糊組成物C-32，與實施例1同樣地進行，得到介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為22。
實施例39
將375重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T-BTO-010RF：平均粒徑0.012微米)、1050重量份γ-丁內酯、75重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK-W9010)，使用ULTRAPEXMILL(壽工業(股)製)混煉，得到分散液A-20。在分散液A-20之分散劑的含量係高介電常數無機粒子重量的20重量%。分散液A-20的粒度分布50%徑為0.016微米、90%徑為0.04微米。使用平均粒徑0.027微米的無機粒子之分散液A-14與使用平均粒徑0.012微米的無機粒子之分散液A-20比較時，得知平均粒徑較小時、分散劑的含量增多時，其分散液能夠接近1次粒子的粒度分布。
使用球磨機混合150重量份分散液A-20、及4.2重量份環氧樹脂溶液B-7，製造相對於糊組成物含有68重量%有機溶劑量之糊組成物C-33。相對於介電組成物總量，將C-33硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為75重量%。
使用糊組成物C-33，與實施例1同樣地進行，得到膜
厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為99%。在波長400~700奈米之光線穿透率的最小值為90%(波長510奈米)。使用糊組成物C-33，與實施例1同樣地進行，得到介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為22。
實施例40
將360重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T-BTO-010RF：平均粒徑0.012微米)、1050重量份γ-丁內酯、90重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK-W9010)，使用ULTRAPEXMILL(壽工業(股)製)混煉，得到分散液A-21。在分散液A-21之分散劑的含量係高介電常數無機粒子重量的25重量%。分散液A-20的粒度分布50%徑為0.016微米、90%徑為0.04微米。
使用球磨機混合150重量份分散液A-21、及4重量份環氧樹脂溶液B-7，製造相對於糊組成物含有68重量%有機溶劑量之糊組成物C-34。相對於介電組成物總量，將C-34硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為72重量%。
使用糊組成物C-34，與實施例1同樣地進行，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為99%。在波長400~700奈米之光線穿透率的最小值為91%(波長530奈米)。使用糊組成物C-34，
與實施例1同樣地進行，得到介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為18。
實施例41
將352重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T-BTO-010RF：平均粒徑0.012微米)、1050重量份γ-丁內酯、98重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK-W9010)，使用ULTRAPEXMILL(壽工業(股)製)混煉，得到分散液A-22。在分散液A-22之分散劑的含量係高介電常數無機粒子重量的28重量%。分散液A-22的粒度分布50%徑為0.016微米、90%徑為0.04微米。使用球磨機混合150重量份分散液A-22、及4重量份環氧樹脂溶液B-7，製造相對於糊組成物含有67重量%有機溶劑量之糊組成物C-35。相對於介電組成物總量，將C-35硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為70重量%。
使用糊組成物C-35，與實施例1同樣地進行，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為99%。在波長400~700奈米之光線穿透率的最小值為92%(波長510奈米)。使用糊組成物C-35，與實施例1同樣地進行，得到介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為9。又，相對於高介電常數無機粒子，分散液A-22之分散劑的量為28重量%，但是無法使高介電常數無機粒子高填充化，相對電容率降低。
實施例42
將391.3重量份鈦酸鋇(Buhler PARTEC GmbH公司製、Barium titanate：平均粒徑0.022微米(廠商規格平均粒徑0.018微米)、1050重量份γ-丁內酯、58.7重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK-W9010)，使用ULTRAPEXMILL(壽工業(股)製)混煉，得到分散液A-23。在分散液A-23之分散劑的含量係高介電常數無機粒子重量的15重量%。分散液A-23的粒度分布50%徑為0.025微米、90%徑為0.06微米。
使用球磨機混合150重量份分散液A-23、及2.9重量份環氧樹脂溶液B-7，製造相對於糊組成物含有69重量%有機溶劑量之糊組成物C-36。相對於介電組成物總量，將C-36硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為81重量%。
使用糊組成物C-36，與實施例1同樣地進行，得到膜厚度1.4微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為96%。在波長400~700奈米之光線穿透率的最小值為94%(波長580奈米)。使用糊組成物C-36，與實施例1同樣地進行，得到介電特性評價試樣。在1MHz之相對電容率為18。
依照順序混合1960重量份γ－丁內酯、109.6重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK－W9010)、730.4重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T－BTO－020RF：平均粒徑0.027微米)，得到分散液A－24A。在ULTRAPEXMILL UAM－015(壽工業(股)製)的容器內，添加0.4公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.5毫米)，邊使轉子旋轉，邊將分散液A－24A送液至容器內，使其循環。在有關鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.5毫米)粒徑之檢查報告書，廠商值係平均粒徑為0.537毫米。以轉子的周速8m/s分散1小時後，得到分散液A－24B。分散液A－24B之粒度分布50%徑為0.06微米、90%徑為0.22微米。回收容器內的珠粒，新填充0.4公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.05毫米)。在有關鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.05毫米)粒徑之檢查報告書，廠商值係平均粒徑為0.058毫米。更換珠粒後，邊使轉子旋轉，邊將分散液A－24B送液至容器內，使其循環。以轉子的周速12m/s分散至粒度分布為0.02±0.01微米，得到分散液A－24C，分散液A－24C之粒度分布50%徑為0.022微米、90%徑為0.051微米。混合7.57重量份環氧樹脂(JAPAN EPOXY RESIN(股)製、“EPICOAT”(商品名)YX8000)、12.13重量份硬化劑(新日本理化(株)製、“RIKASIDO”(商品名)MH700)、0.3重量份硬化促進劑(N,N－二甲基苄基胺)、12.13重量份γ－丁內酯，得到環氧樹脂溶液B－8。使用球磨機混合15重量份分散液A-24C、及0.94重量份環氧樹脂溶液B-8、0.012重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK-333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有67.7重量%有機溶劑量之糊組成物C-37。相對於介電組成物總量，將C-37硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為76重量%。
將糊組成物C-37使用孔徑0.45微米的過濾器過濾後，使用旋轉塗布器塗布在具有ITO玻璃基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。該介電組成物的光線穿透率(波長400奈米)為99%，在波長400~700奈米之光線穿透率的最小值為91%(波長520奈米)。施加電壓2V時，漏泄電流值為15nA/cm2
、電壓保持率為4%。
在介電組成物上形成鋁電極作為上部電極，製造由玻璃/ITO電極/介電組成物/鋁電極所構成的電容器。鋁電極係使遮罩介於中間，使用真空蒸鍍形成。該電容器在1kH時之相對電容率為23。
實施例44
混合220.18重量份環氧樹脂(日本化藥(股)製、NC3000)、76.82重量份硬化劑(日本化藥(股)製、“KAYABAD”(商品名)TPM)、3重量份硬化促進劑(三苯膦)、76.82重量份γ-丁內酯，得到環氧樹脂溶液B-9。NC3000係環氧當量278g/eq之具有聯苯骨架之環氧樹脂。使用球磨機混合15重量份分散液A-24C、及8.74重量份環氧樹脂溶液B-9、0.018重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK－333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有52.6重量%有機溶劑量之糊組成物C－38。相對於介電組成物總量，將C－38硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為35重量%。與實施例43同樣地進行評價。結果如表4所示。
使用球磨機混合15重量份分散液A－24C、及4.35重量份環氧樹脂溶液B－9、0.016重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK－333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有59.4重量%有機溶劑量之糊組成物C－39。相對於介電組成物總量，將C－39硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為50重量%。與實施例43同樣地進行評價。結果如表4所示。
使用球磨機混合15重量份分散液A－24C、及1.13重量份環氧樹脂溶液B－9、0.012重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK－333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有66.7重量%有機溶劑量之糊組成物C－40。相對於介電組成物總量，將C－40硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為73重量%。與實施例43同樣地進行評價。結果如表4所示。
使用球磨機混合15重量份分散液A－24C、及0.83重量份環氧樹脂溶液B－9、0.012重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK－333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有67.5重量%有機溶劑量之糊組成物C－41。相對於介電組成物總量，將C－41硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為76重量%。與實施例43同樣地進行評價。結果如表4所示。
使用球磨機混合15重量份分散液A－24C、及0.44重量份環氧樹脂溶液B－9、0.012重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK－333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有68.6重量%有機溶劑量之糊組成物C－42。相對於介電組成物總量，將C－42硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為81重量%。與實施例43同樣地進行評價。結果如表4所示。
在乾燥氣流下，將30.03克(0.082莫耳)2,2－雙(3－胺基－4－羥基苯基)六氟丙烷(BAHF)、1.24克(0.005莫耳)1,3－雙(3－胺基丙基)四甲基二矽氧烷、4.1克(0.025莫耳)作為末端封閉劑之3－羥基酞酸酐(東京化成工業(股)製)溶解在100克N－甲基－2－吡咯啶酮(NMP)中。亦對其添加31.02克(0.1莫耳)雙(3,4－二羧基苯基)醚二酐(與30克NMP一同)，在20℃攪拌1小時，接著，在50℃攪拌4小時。隨後，在180℃攪拌5小時。攪拌後，將溶液投入3升水中，收集白色沈澱。過濾收集該沈層，用水洗滌3次後，在200℃的真空乾燥機乾燥5小時。用紅外線吸收光譜測定時，在1780cm－ 1
附近、1377 cm－ 1
附近檢測出起因於聚醯亞胺之醯亞胺結構的吸收尖鋒。接著，將10克該聚合物粉體、0.4克光聚合引發劑之1,2－辛二酮－1－[4－(苯硫基)苯基]－2－(鄰苯甲醯肟)、1.5克熱交聯性化合物之NIKALAC MW－100LM(商品名、SANWA CHEMICAL(股)製)、0.3克著色劑之A－DMA(商品名、保土谷化學工業(股)製)、8克PDBE－250(商品名、日本油脂(股)製、具有聚合性不飽和雙鍵之化合物)、2克二羥甲基三環癸烷二丙烯酸酯(具有聚合性不飽和雙鍵之化合物)，溶解在10克二丙酮醇、20.5克乳酸乙酯中，得到光硬化型聚醯亞胺組成物溶液B－10。
使用球磨機混合15重量份分散液A－24C、及1.23重量份環氧樹脂溶液B－10，製造相對於糊組成物含有68.3重量%有機溶劑量之糊組成物C－43。相對於介電組成物總量，將C－43硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為76重量%。
將糊組成物C－43使用孔徑0.45微米的過濾器過濾後，使用旋轉塗布器塗布在具有ITO玻璃基板上，使用烘箱在120℃進行預烘烤1分鐘。接著使用曝光裝置(UNION OPTICAL(股)製PEM－6M)，以曝光量500mJ/cm2
(365奈米的強度)進行曝光。曝光後在120℃烘烤1分鐘後，使用KOYO THERMO SYSTEMS(股)製INERTOVEN INL－60，於N2環境下、在200℃熱處理60分鐘，使其硬化而得到膜厚度1微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。與實施例43同樣地進行評價。結果如表4所示。
使用球磨機混合15重量份分散液A－24C、及0.61重量份丙烯酸樹脂(東亞合成(股)製、“ARONIX”(商品名)M305)、0.03重量份光聚合引發劑(CIBA SPECIALTY CHEMICALS公司製、“IRUGACURE”(商品名)184)、0.19重量份γ－丁內酯，製造相對於糊組成物含有67.5重量%有機溶劑量之糊組成物C－44。相對於介電組成物總量，將C－44硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為76重量%。
將糊組成物C－44使用孔徑0.45微米的過濾器過濾後，使用旋轉塗布器塗布在具有ITO玻璃基板上，使用烘箱在80℃進行預烘烤10分鐘。接著使用曝光裝置(UNION OPTICAL(股)製PEM－6M)，以曝光量2000 mJ/cm2
(365奈米的強度)進行曝光其硬化而得到膜厚度1微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。與實施例43同樣地進行評價。結果如表4所示。
混合208.5重量份環氧樹脂(日本化藥(股)製、NC3000)、88.5重量份硬化劑(大日本油墨化學工業(股)製、“FENORAIT”(商品名)VA4150)、3重量份硬化促進劑(三苯膦)、88.50重量份γ－丁內酯，得到環氧樹脂溶液B－11。FENORAIT”VA4150係苯酚系甲階酚醛樹脂。使用球磨機混合15重量份分散液A－24C、及0.86重量份環氧樹脂溶液B－11、0.012重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK－333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有67.6重量%有機溶劑量之糊組成物C－45。相對於介電組成物總量，將C－45硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為76重量%。與實施例43同樣地進行評價。結果如表4所示。
依照順序混合840重量份γ－丁內酯、255.65重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK－W9010)、1704.35重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T－BTO－020RF：平均粒徑0.027微米)後，使用均化器混合，得到分散液A－25A。均化器係在杯內填充1.7公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.5毫米)。在ULTRAPEXMILL UAM－015(壽工業(股)製)的容器內，添加0.4公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.05毫米)，邊使轉子旋轉，邊將分散液A－25A送液至容器內，使其循環。以轉子的周速12m/s分散2小時後，得到分散液A－25B。因為分散液A－25B黏度高、在容器內與珠粒與分散液的分離不充分，進而使用孔徑10微米的過濾器過濾，得到分散液A－25C，分散液A－25C之粒度分布50%徑為0.102微米、90%徑為0.254微米，難以分散至一次粒子附近。使用球磨機混合15重量份分散液A－25C、及2.62重量份環氧樹脂溶液B－9、0.008重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK－333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有28.9重量%有機溶劑量之糊組成物C－46。相對於介電組成物總量，將C－46硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為73重量%。
糊組成物C－46無法使用孔徑0.45微米的過濾器過濾，使用孔徑2微米之過濾器代替孔徑0.45微米的過濾器過濾糊組成物C－46後，使用旋轉塗布器塗布在具有ITO玻璃基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。與實施例43同樣地進行評價。結果如表4所示。
依照順序混合1120重量份γ－丁內酯、219.13重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK－W9010)、1460.87重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T－BTO－020RF：平均粒徑0.027微米)後，使用均化器混合，得到分散液A－26A。均化器係在杯內填充1.46公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.5毫米)，在冰浴中進行處理。在ULTRAPEXMILL UAM－015(壽工業(股)製)的容器內，添加0.4公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.05毫米)，邊使轉子旋轉，邊將分散液A－26A送液至容器內，使其循環。以轉子的周速12m/s分散2小時後，得到分散液A－26B。分散液A－26B之粒度分布50%徑為0.045微米、90%徑為0.104微米。使用球磨機混合15重量份分散液A－26B、及2.25重量份環氧樹脂溶液B－9、0.01重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK－333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有37.8重量%有機溶劑量之糊組成物C－47。相對於介電組成物總量，將C－47硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為73重量%。與實施例43同樣地進行評價。結果如表4所示。
依照順序混合1400重量份γ－丁內酯、182.6重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK－W9010)、1217.4重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T－BTO－020RF：平均粒徑0.027微米)後，使用均化器混合，得到分散液A－27A。均化器係在杯內填充1.2公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.5毫米)，在冰浴中進行處理。在ULTRAPEXMILL UAM－015(壽工業(股)製)的容器內，添加0.4公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.05毫米)，邊使轉子旋轉，邊將分散液A－27A送液至容器內，使其循環。以轉子的周速12m/s分散2小時後，得到分散液A－27B。分散液A－27B之粒度分布50%徑為0.038微米、90%徑為0.08微米。使用球磨機混合15重量份分散液A－27B、及1.88重量份環氧樹脂溶液B－9、0.01重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK－333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有47重量%有機溶劑量之糊組成物C－48。相對於介電組成物總量，將C－48硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為73重量%。與實施例43同樣地進行評價。結果如表4所示。
依照順序混合2240重量份γ－丁內酯、73.04重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK－W9010)、486.96重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T－BTO－020RF：平均粒徑0.027微米)後，使用均化器混合，得到分散液A－28A。均化器係在杯內填充0.5公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.5毫米)，在冰浴中進行處理。在ULTRAPEXMILL UAM－015(壽工業(股)製)的容器內，添加0.4公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.05毫米)，邊使轉子旋轉，邊將分散液A－28A送液至容器內，使其循環。以轉子的周速12m/s分散2小時後，得到分散液A－28B。分散液A－28B之粒度分布50%徑為0.021微米、90%徑為0.05微米。使用球磨機混合15重量份分散液A－28B、及0.75重量份環氧樹脂溶液B－9、0.014重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK－333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有77.3重量%有機溶劑量之糊組成物C－49。相對於介電組成物總量，將C－49硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為73重量%。與實施例43同樣地進行評價。結果如表4所示。
依照順序混合2520重量份γ－丁內酯、36.52重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK－W9010)、243.5重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T－BTO－020RF：平均粒徑0.027微米)後，使用均化器混合，得到分散液A－29A。均化器係在杯內填充0.24公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.5毫米)，在冰浴中進行處理。在ULTRAPEXMILL UAM－015(壽工業(股)製)的容器內，添加0.4公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.05毫米)，邊使轉子旋轉，邊將分散液A－29A送液至容器內，使其循環。以轉子的周速12m/s分散2小時後，得到分散液A－29B。分散液A－29B之粒度分布50%徑為0.021微米、90%徑為0.051微米。使用球磨機混合15重量份分散液A-29B、及0.38重量份環氧樹脂溶液B-9、0.014重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK-333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有88.4重量%有機溶劑量之糊組成物C-50。相對於介電組成物總量，將C-50硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為73重量%。
使用糊組成物C-50，與實施例43同樣地進行，得到介電組成物(硬化膜)，但是因為黏度低，無法得到膜厚度1微米以上的硬化膜，膜厚度為3微米。與實施例43同樣地進行評價。又，在施加電壓2V之漏泄電流為20mA以上，因為超過評價裝置之測定電流的上限值而無法測定。相對電容率係因為漏泄電流大而無法測定。該介電組成物的電壓保持率為0%。結果如表4所示。
實施例55
使用球磨機混合15重量份分散液A-24B、及1.13重量份環氧樹脂溶液B-9、0.012重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK-333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有66.7重量%有機溶劑量之糊組成物C-51。相對於介電組成物總量，將C-51硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為73重量%。
糊組成物C-51經使用孔徑0.45微米的過濾器過濾，但立刻阻塞網孔而難以過濾，使用孔徑2微米之過濾器代替孔徑0.45微米的過濾器過濾糊組成物C-51後，與實施例同樣地進行，得到膜厚度1微米的介電組成物(硬化膜)。與實施例43同樣地進行評價。結果如表5所示。
依照順序混合1960重量份γ－丁內酯、140重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK－W9010)、700重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T－BTO－010RF：平均粒徑0.012微米)後，使用均化器混合，得到分散液A－30A。均化器係在杯內填充0.7公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.5毫米)，在冰浴中進行處理。在ULTRAPEXMILL UAM－015(壽工業(股)製)的容器內，添加0.4公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.05毫米)，邊使轉子旋轉，邊將分散液A－30A送液至容器內，使其循環。以轉子的周速12m/s分散2小時後，得到分散液A－30B。分散液A－30B之粒度分布50%徑為0.013微米、90%徑為0.037微米。使用球磨機混合15重量份分散液A－30B、及0.84重量份環氧樹脂溶液B－9、0.012重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK－333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有67.5重量%有機溶劑量之糊組成物C－52。相對於介電組成物總量，將C－52硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為73重量%。與實施例43同樣地進行評價。結果如表5所示。
依照順序混合1960重量份γ－丁內酯、109.6重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK－W9010)、730.4重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T－BTO－030RF：平均粒徑0.03微米)後，使用均化器混合，得到分散液A－31A。均化器係在杯內填充0.73公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.5毫米)，在冰浴中進行處理。在ULTRAPEXMILL UAM－015(壽工業(股)製)的容器內，添加0.4公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.05毫米)，邊使轉子旋轉，邊將分散液A－31A送液至容器內，使其循環。以轉子的周速12m/s分散2小時後，得到分散液A－31B。分散液A－31B之粒度分布50%徑為0.048微米、90%徑為0.082微米。使用球磨機混合15重量份分散液A－31B、及1.13重量份環氧樹脂溶液B－9、0.012重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK－333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有66.7重量%有機溶劑量之糊組成物C－53。相對於介電組成物總量，將C－53硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為73重量%。與實施例43同樣地進行評價。結果如表5所示。
依照順序混合1960重量份γ－丁內酯、24.5重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK－W9010)、815.5重量份鈦酸鋇(Cabot,Inc.公司製、K－Plus16：平均粒徑0.06微米)後，使用均化器混合，得到分散液A－32A。均化器係在杯內填充0.815公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.5毫米)，在冰浴中進行處理。在ULTRAPEXMILL UAM－015(壽工業(股)製)的容器內，添加0.4公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.05毫米)，邊使轉子旋轉，邊將分散液A－32A送液至容器內，使其循環。以轉子的周速12m/s分散2小時後，得到分散液A－32B。分散液A－32B之粒度分布50%徑為0.15微米、90%徑為0.27微米。使用球磨機混合15重量份分散液A－32B、及1.14重量份環氧樹脂溶液B－9、0.012重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK－333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有66.5重量%有機溶劑量之糊組成物C－54。相對於介電組成物總量，將C－54硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為73重量%。與實施例43同樣地進行評價。結果如表5所示。
對分散液A－30B施行離心分離抽提上部澄清部分，得到分散液A－30C。離心分離係在HITACHI HIGH TECHNOLOGIES(股)製之分離用小形超離心機“himac、CS100GXL”(商品名)上安裝同公司製之“S55A錨形轉子”(商品名)，以50000rpm，進行處理10分鐘。而且，使用旋轉蒸發器將分散液A－30C濃縮，得到分散液A－30D。分散液A－30D之粒度分布50%徑為0.008微米、90%徑為0.019微米。使用球磨機混合15重量份分散液A－30D、及0.84重量份環氧樹脂溶液B－9、0.012重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK－333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有67.5重量%有機溶劑量之糊組成物C－55。相對於介電組成物總量，將C－55硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為73重量%。與實施例43同樣地進行評價。結果如表5所示。
依照順序混合1960重量份γ－丁內酯、109.6重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK－W9010)、730.4重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T－BTO－040RF：平均粒徑0.004微米)後，使用均化器混合，得到分散液A－33A。均化器係在杯內填充0.73公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.5毫米)，在冰浴中進行處理。在ULTRAPEXMILL UAM－015(壽工業(股)製)的容器內，添加0.4公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.05毫米)，邊使轉子旋轉，邊將分散液A－33A送液至容器內，使其循環。以轉子的周速12m/s分散2小時後，得到分散液A－33B。分散液A－33B之粒度分布50%徑為0.049微米、90%徑為0.092微米。使用球磨機混合15重量份分散液A－33B、及1.13重量份環氧樹脂溶液B－9、0.012重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK－333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有66.7重量%有機溶劑量之糊組成物C－56。相對於介電組成物總量，將C－56硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為73重量%。與實施例43同樣地進行評價。結果如表5所示。
依照順序混合1960重量份γ－丁內酯、8.3重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK－W9010)、831.7重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T－BTO－020RF：平均粒徑0.027微米)後，使用均化器混合，得到分散液A－34A。
因為分散液A－34A黏度高，係無法使用珠粒分散的狀態，使用γ－丁內酯稀釋後，使用均化器分散，得到分散液A-34C。分散液A-34C之粒度分布50%徑為0.56微米、90%徑為1.3微米。將分散液A-34C與環氧樹脂溶液B-9混合，以使其硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為73重量%的方式進行調整，得到糊組成物C-57。相對於糊料總量，糊組成物C-57含有88重量%有機溶劑量。
糊組成物C-57無法用孔徑2微米的濾過器過濾。將糊組成物C-57使用旋轉塗布器塗布在具有ITO玻璃基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到介電組成物在波長400~700奈米之光線穿透率的最小值，按照測定部位之偏差大，在5~10%的範圍。又，施加電壓2V時，漏泄電流值為20mA以上，因為超過評價裝置之測定電流的上限值而無法測定。相對電容率係因為漏泄電流大而無法測定。該介電組成物的電壓保持率為0%。
實施例61
依照順序混合1960重量份γ-丁內酯、62.22重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK-W9010)、777.78重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T-BTO-020RF：平均粒徑0.027微米)後，使用均化器混合，得到分散液A-35A。在ULTRAPEXMILL UAM-015(壽工業(股)製)的容器內，添加0.4公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ0.5毫米)，邊使轉子旋轉，邊將分散液A-35A送液至容器內，使其循環。以轉子的周速8m/s分散1小時後，得到分散液A-35B。回收容器內的珠粒，新填充0.4公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.05毫米)。更換珠粒後，邊使轉子旋轉，邊將分散液A－35B送液至容器內，使其循環。以轉子的周速12m/s分散90分鐘，得到分散液A－35C。又，得到分散120分鐘之分散液A－35D。分散液A－35C之粒度分布50%徑為0.027微米、90%徑為0.061微米。分散液A－35D之粒度分布50%徑為0.035微米、90%徑為0.074微米。因為分散劑比實施例46少，確認長時間分散時粒度分布增加。使用球磨機混合15重量份分散液A－35C、及1.5重量份環氧樹脂溶液B－9、0.012重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK－333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有65.5重量%有機溶劑量之糊組成物C－58。相對於介電組成物總量，將C－58硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為73重量%。與實施例43同樣地進行評價。結果如表5所示。
依照順序混合1960重量份γ－丁內酯、140重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK－W9010)、700重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T－BTO－020RF：平均粒徑0.027微米)，得到分散液A－36A。在ULTRAPEXMILL UAM－015(壽工業(股)製)的容器內，添加0.4公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.5毫米)，邊使轉子旋轉，邊將分散液A－36A送液至容器內，使其循環。以轉子的周速8m/s分散1小時後，得到分散液A－36B。回收容器內的珠粒，新填充0.4公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.05毫米)。更換珠粒後，邊使轉子旋轉，邊將分散液A－36B送液至容器內，使其循環。以轉子的周速12m/s分散120分鐘，得到分散液A－36C。分散液A－36C之粒度分布50%徑為0.021微米、90%徑為0.049微米。使用球磨機混合15重量份分散液A－35C、及0.84重量份環氧樹脂溶液B－9、0.012重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK－333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有67.5重量%有機溶劑量之糊組成物C－59。相對於介電組成物總量，將C－59硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為73重量%。與實施例43同樣地進行評價。結果如表5所示。
依照順序混合1960重量份γ－丁內酯、183.75重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK－W9010)、656.25重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T－BTO－020RF：平均粒徑0.027微米)，得到分散液A－37A。在ULTRAPEXMILL UAM－015(壽工業(股)製)的容器內，添加0.4公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.5毫米)，邊使轉子旋轉，邊將分散液A－37A送液至容器內，使其循環。以轉子的周速8m/s分散1小時後，得到分散液A－37B。回收容器內的珠粒，新填充0.4公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.5毫米)。更換珠粒後，邊使轉子旋轉，邊將分散液A－37B送液至容器內，使其循環。以轉子的周速12m/s分散120分鐘，得到分散液A－37C。分散液A－37C之粒度分布50%徑為0.02微米、90%徑為0.047微米。使用球磨機混合15重量份分散液A－37C、及0.42重量份環氧樹脂溶液B－9、0.012重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK－333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有68.7重量%有機溶劑量之糊組成物C－60。相對於介電組成物總量，將C－60硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為73重量%。與實施例43同樣地進行評價。結果如表5所示。
使用球磨機混合15重量份分散液A－24C、及6.43重量份丙烯酸樹脂(東亞合成(股)製、“ARONIX”(商品名)M305)、0.32重量份光聚合引發劑(CIBA SPECIALTY CHEMICALS公司製、“IRUGACURE”(商品名184)、1.99重量份γ－丁內酯，製造相對於糊組成物含有52.6重量%有機溶劑量之糊組成物C－61。相對於介電組成物總量，將C－61硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為35重量%。與實施例50同樣地進行評價。結果如表5所示。
使用球磨機混合15重量份分散液A－24C、及3.2重量份丙烯酸樹脂(東亞合成(股)製、“ARONIX”(商品名)M305)、0.16重量份光聚合引發劑(CIBA SPECIALTY CHEMICALS公司製、“IRUGACURE”(商品名184)、0.99重量份γ－丁內酯，製造相對於糊組成物含有59.4重量%有機溶劑量之糊組成物C－62。相對於介電組成物總量，將C－62硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為50重量%。與實施例50同樣地進行評價。結果如表5所示。
使用球磨機混合15重量份分散液A－24C、及0.83重量份丙烯酸樹脂(東亞合成(股)製、“ARONIX”(商品名)M305)、0.04重量份光聚合引發劑(CIBA SPECIALTY CHEMICALS公司製、“IRUGACURE”(商品名184)、0.26重量份γ－丁內酯，製造相對於糊組成物含有66.7重量%有機溶劑量之糊組成物C－63。相對於介電組成物總量，將C－63硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為73重量%。與實施例50同樣地進行評價。結果如表5所示。
依照順序混合1960重量份γ－丁內酯、109.6重量份分散劑(具有含有磷酸酯骨架的酸基之共聚物、BYK Chemie Japan(股)製、BYK－W9010)、730.4重量份鈦酸鋇(戶田工業(股)製、T－BTO－020RF：平均粒徑0.027微米)，得到分散液A－38A。在ULTRAPEXMILL UAM－015(壽工業(股)製)的容器內，添加0.4公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.5毫米)，邊使轉子旋轉，邊將分散液A－38A送液至容器內，使其循環。以轉子的周速8m/s分散1小時後，得到分散液A－38B。回收容器內的珠粒，新填充0.4公斤鋯球(NIKKATO(股)製、YTZ球、尺寸Φ 0.05毫米)。更換珠粒後，邊使轉子旋轉，邊將分散液A－38B送液至容器內，使其循環。以轉子的周速12m/s，進行分散至粒徑分布為0.02±0.01微米為止，得到分散液A－38C。分散液A－38C之粒度分布50%徑為0.022微米、90%徑為0.049微米。
使用球磨機混合15重量份分散液A－38C、及1.13重量份環氧樹脂溶液B－9、0.012重量份BYK Chemie Japan(股)製、BYK－333作為界面活性劑，製造相對於糊組成物含有66.7重量%有機溶劑量之糊組成物C－64。相對於介電組成物總量，將C－64硬化所得到介電組成物中的高介電常數無機粒子的含量為73重量%。與實施例50同樣地進行評價。結果如表7所示。
將糊組成物C－64使用孔徑0.45微米的過濾器過濾後，使用旋轉塗布器塗布在具有ITO玻璃基板上，使用烘箱在80℃進行熱處理15分鐘，在175℃進行熱處理4小時使其硬化，得到膜厚度1微米的介電組成物(硬化膜)。調整膜厚度係藉由調整旋轉塗布時的速度來進行。而且，在該介電組成物上，使用氟系界面活性劑(大日本油墨化學工業(股)製、“DIFENSA”(商品名)MCF－350SF)，形成0.1微米厚度之透明覆膜。與實施例43同樣地進行評價。結果如表7所示。
本發明之糊組成物及介電組成物，能夠適合利用於作為顯示器的顯示部所使用的透明電容器用材料、作為接觸電潤濕型電子紙的電解液之材料等。
第1圖係在實施例算出電壓保持率時所使用上部電極與ITO透明電極間的電位差與施加矩形脈衝的關係之圖。
Claims (15)
- 一種糊組成物，含有(a)樹脂、(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子、及(c)有機溶劑之糊組成物，其中(b)高介電常數無機粒子之平均粒徑為0.002微米以上0.06微米以下，總有機溶劑量係糊組成物總量的35重量%以上85重量%以下。
- 如申請專利範圍第1項之糊組成物，其中(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子之平均粒徑為0.002微米以上0.04微米以下。
- 如申請專利範圍第1項之糊組成物，其中(a)樹脂係熱固化性。
- 如申請專利範圍第1項之糊組成物，其中(a)樹脂係含有丙烯酸樹脂或環氧樹脂。
- 如申請專利範圍第1項之糊組成物，其中更含有分散劑，相對於(b)具有鈣鈦礦型之高介電常數無機粒子，其含量為2重量%以上25重量%以下。
- 一種介電組成物，其係使如申請專利範圍第1項之糊組成物硬化而得。
- 如申請專利範圍第6項之介電組成物，其中(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子之平均粒徑為0.002微米以上0.04微米以下。
- 如申請專利範圍第6項之介電組成物，其中(b)具有鈣鈦 礦系結晶結構之高介電常數無機粒子之含量，相對於介電組成物整體為30重量%以上99重量%以下。
- 如申請專利範圍第6項之介電組成物，其中在波長400~700奈米的全區域之光線穿透率為50%以上100%以下。
- 如申請專利範圍第6項之介電組成物，其中在頻率1kHz之相對電容率為10以上300以下。
- 如申請專利範圍第6項之介電組成物，其中(a)樹脂係熱固化性。
- 如申請專利範圍第6項之介電組成物，其中(a)樹脂係含有丙烯酸樹脂或環氧樹脂。
- 如申請專利範圍第6項之介電組成物，其中更含有分散劑，相對於(b)具有鈣鈦礦型之高介電常數無機粒子，其含量為2重量%以上25重量%以下。
- 一種電容器，係含有如申請專利範圍第6至13項中任一項之介電組成物、及在波長400~700奈米的全區域之光線穿透率為50%以上100%以下的透明電極。
- 一種如申請專利範圍第1項之糊組成物的製造方法，係使用金屬、陶瓷、及玻璃中任一種平均粒徑為0.02毫米以上0.1毫米以下之珠粒作為分散介質，將(b)具有鈣鈦礦系結晶結構之高介電常數無機粒子分散在有機溶劑中來製造(d)分散液，接著，混合樹脂或含有樹脂及有機溶劑之樹脂溶液、及(d)分散液而成。
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