JP6112553B2 - 観察システム及び観察方法 - Google Patents
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Description
20 水溶液
30 拡散領域
100 走査電子顕微鏡
200 試料ホルダ
300 ファンクションジェネレータ
400 ロックインアンプ
500 データレコーダ
600 PC
101 電子銃
102 電子線
103 ビームブランキング装置
104 絞り
105 アンプ
201 導電性薄膜
202、205 フレーム部
203 第1の絶縁性薄膜
204 第2の絶縁性薄膜
206 導電性パッキン
207 Oリング
208 外枠部
209 絶縁部材
210 端子部
211 減圧膜
212 流路
213 注入孔
214 ダンパ
215 圧力印加弁
216 排出液タンク
Claims (17)
- 液体中の観察試料を画像化する観察システムであって、
一対の対向する第1及び第2の絶縁性薄膜の対向面の間に、前記液体とともに前記観察試料を介在させ、前記観察試料周囲の観察対象部位における電子線強度をオン・オフのパルス状に変化させるよう前記第1の絶縁性薄膜の外向面上に与えられた導電性薄膜に電子線を走査照射し、前記観察試料及び前記液体の誘電率の差に対応する前記第2の絶縁性薄膜の外向面上の電位変化を検知することを特徴とする観察システム。 - 前記電位変化は、電位信号から強度変化周波数の信号成分抽出し、これに基づいて画像化することを特徴とする請求項1記載の観察システム。
- 前記電子線は、その強度をオン・オフのパルス状に変化させつつ前記導電性薄膜に走査照射されることを特徴とする請求項2記載の観察システム。
- 前記電位変化を検知する端子部を前記第2の絶縁性薄膜に沿った異なる位置に複数設け、前記端子部のそれぞれから抽出される前記強度変化周波数の信号成分ごとに画像を形成し、前記電子線の入射位置と前記端子部との位置関係から前記画像の傾斜角度を得て前記画像の補正を行って3次元構造情報を得ることを特徴とする請求項2又は3に記載の観察システム。
- 前記強度変化周波数の信号成分の抽出は、バンドパスフィルタ法、ロックインアンプ法、自己相関解析法、フーリエ変換解析法の何れかの方法で行われることを特徴とする請求項4記載の観察システム。
- 前記第1及び前記第2の絶縁性薄膜の対向面の間の前記液体を潅流させることを特徴とする請求項1記載の観察システム。
- 走査電子顕微鏡の内部に設けられ、グランド電位とした前記導電性薄膜に電子銃から前記電子線を供給されることを特徴とする請求項1乃至6記載の観察システム。
- 液体中の観察試料を画像化する観察方法であって、
一対の対向する第1及び第2の絶縁性薄膜の対向面の間に、前記液体とともに前記観察試料を介在させ、
前記観察試料周囲の観察対象部位における電子線強度をオン・オフのパルス状に変化させるよう前記第1の絶縁性薄膜の外向面上に与えられた導電性薄膜に電子線を走査照射し、
前記観察試料及び前記液体の誘電率の差に対応する前記第2の絶縁性薄膜の外向面上の電位変化を検知する、ことを特徴とする観察方法。 - 前記電子線の加速電圧は、前記第1の絶縁性薄膜の一次電子の透過を抑制するように制御されることを特徴とする請求項8記載の観察方法。
- 前記電子線は、ビーム径を調整されて前記導電性薄膜に走査照射されることを特徴とする請求項9記載の観察方法。
- 前記電位変化は、電位信号から強度変化周波数の信号成分抽出し、これに基づいて画像化することを特徴とする請求項8記載の観察方法。
- 前記電子線は、その強度をオン・オフのパルス状に変化させつつ前記導電性薄膜に走査照射されることを特徴とする請求項11記載の観察方法。
- 前記電位変化を検知する端子部を前記第2の絶縁性薄膜に沿った異なる位置に複数設け、前記端子部のそれぞれから抽出される前記強度変化周波数の信号成分ごとに画像を形成し、前記電子線の入射位置と前記端子部との位置関係から前記画像の傾斜角度を得て前記画像の補正を行って3次元構造情報を得ることを特徴とする請求項11又は12記載の観察方法。
- 前記強度変化周波数の信号成分の抽出は、バンドパスフィルタ法、ロックインアンプ法、自己相関解析法、フーリエ変換解析法の何れかの方法で行われることを特徴とする請求項13記載の観察方法。
- 前記強度変化周波数を高周波数側へシフトさせてコントラスト調整を行うことを特徴とする請求項11又は12記載の観察方法。
- 前記第1及び前記第2の絶縁性薄膜の対向面の間の前記液体を潅流させることを特徴とする請求項8記載の観察方法。
- 走査電子顕微鏡の内部に設けられ、グランド電位とした前記導電性薄膜に電子銃から前記電子線を供給されることを特徴とする請求項8乃至16記載の観察方法。
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