TWI379914B - Vacuum evaporator and the method of controlling temperature - Google Patents

Description

六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於真空蒸鍍裝置及溫度調節方法。 本申請案係於2008年12月24曰，基於在曰本所申請之專 利申請案2〇08-327518號，主張優先權並在此引用其内 容。 【先前技術】 眾所周知，真空蒸鑛法係例如在有機El商品之製造過程 中，主要用來製造以低分子化合物作為材料之有機EL元件 之薄膜而使用。該真空蒸鍍法係在真空室内設有收容有機 材料之坩堝’將該坩堝以加熱器等加熱而使有機材料氣 化，藉而使有機材料附著於基板等並成膜。 然而，加熱器配置之偏倚、發熱量或真空室内之構件之 配置’會使得坩堝内之有機材料之溫度分佈不均。若坩堝 内之有機材料之溫度分佈不均，會造成有機材料氣化不 均’故形成於基板之薄膜無法均勾。χ，會使得有機材料 以不均一的狀態下在坩堝内大量地殘存。 作為解決該等問題之真空蒸鑛裝置，有下述專利文獻i 中所述者。該真空蒸鍍裝置係在由未經高頻感應加熱之材 質所構成之坩堝内’收容由被高頻感應加熱之材質所構成 之多數之粒狀混合物’並將該粒狀混合物以高頻加熱方式 一面授拌有機材料一面加熱者。 [先前技術文獻] [專利文獻] 143630.doc [專利文獻1]日本特開2004-323915號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而’在先前之技術中，由於為加熱有機材料需要相當 數量之粒狀混入物’故隨著有機材料之氣化進展，有機材 料將低於粒狀混入物之高度。此時’位於粒狀混入物之間 之有機材料會被激烈加熱。因此’在有機材料低於一定量 之情形下，必須重新添加新的有機材料或更換該有機材 料’而有使生產效率或經濟性惡化之問題。 本發明係考慮該等情況而作成者，其目的在於提供一種 月b以簡易之構成謀求溫度分佈之均勻化，從而減少材丨料之 額外填充的真空蒸鍍裝置及溫度調節方法。 ！ [解決問題之技術手段] 為達成上述之目的，本發明採用以下之手段。 i 即，本發明之真空蒸鍍裝置之特徵在於具備：真空|室， 其係可收容從外部搬入之被蒸鍍體；坩堝，其係設置於上 述真空室内並收容蒸鍍材料；加熱源，其係加熱上述坩堝 並使上述蒸㈣料氣化；及複數個支持部，其係分散配置 於_之底部而支持㈣’且在上述㈣與上述真空室之 地板部之間傳熱。 根據°玄構成’由於具備分散配置在坩堝之底部並在 坩堝與上述真空室之地板部之間傳熱之複數個支持部 可使支持部附近之坩瑪内之蒸鍍材料之溫度降低。藉 意設置低溫部分，可調整㈣内之蒸錢材料之溫度。 143630.doc -4- 由於將低溫部分分散配置，可謀求蒸鍍材料之溫度之均勾 化。再者，藉由使坩堝内之溫度分佈均勻化，可將蒸鐘材 料之氣化量之偏差減少，故可在坩堝内之各部位使蒸錢材 料之減少均勻化。因此，可減少蒸鍍材料之額外填充。 又，上述加熱源係以在上述支持部之附近使上述堆禍之 加熱量增大的方式而構成。 根據該構成，由於在支持部附近加熱量增大，故在從支 持部隔開而不會對地板部傳熱的部位，與在支持部之附近 會傳熱到地板部之部位中各蒸鍍材料之溫度差減小。藉 此’可進一步謀求蒸鍍材料之溫度之均勻化。 又，上述複數個支持部之一部分’其傳熱量與其他支持 部不同。 根據該構成，由於上述複數個支持部之一部分其傳熱量 與其他之支持部不同，故可使蒸鍍材料對於相對高溫部位 之地板部之傳熱量增大，且使蒸鍍材料對於相對低溫部位 之地板部之傳熱量減小，從而可謀求蒸鍍材料之溫度之均 勻化。再者，由於可減小蒸鍍材料對於相對低溫部位之傳 熱置，從而可謀求減少加熱器之發熱量。 又上述複數個支持部之一部分，其截面積與其他支持 部不同。 ’ 又，上述複數個支持部之一部分係以與其他之支持部之 熱傳導率不同之材料而構成。 又，上述複數個支持部之一部分係使熱傳導具有方向性 之熱阻構件介在於上述㈣與上耗板部之間，並於其間 143630.doc umu 傳熱。 又’本發明之真空蒸鍍裝置具備：真空室，其係可收容 從外部搬入之被蒸鍍體；坩堝，其係設置於上述真空室内 並收容蒸鍍材料；及加熱源，其係加熱上述坩堝並使上述 瘵鍍材料氣化。上述加熱源係使對上述坩堝之加熱量依上 述坩堝之位置而不同。 根據S玄構成，由於係使加熱源對於上述掛塌之加熱量因 坩堝之位置而不同，故減小蒸鍍材料在相對高溫部位之加 熱量’且增大瘵鑛材料在相對低溫部位之加熱量，從而可 謀求蒸鍍材料之溫度之均勻化。 又，上述加熱源係使發熱量改變，而使對上述坩堝之加 熱量不同。 又，其中具備控制上述加熱源之發熱量之控制部。上述 控制部係以上述坩堝内之上述蒸鍍材料到達特定量以下為 條件’開始進行發熱調整。 根據該構成，由於以蒸鍍材料低於特定量為條件而開始 進行發熱調整，故可€在諸材料之總量降低且溫度分佈 之偏倚加劇之區域進行溫度調節。因&，可以必要最小限 度之控制有效地謀求蒸鍍材料之溫度之均勻化。 又，上述加熱源係改變配置密度而使對上述坩堝之加熱 量不同。 根據該構成，可以簡易之構成謀求蒸鍍材料之溫度均勻 化。 又，本發明之溫度調節方法係真空蒸錢裝置中之溫度調 143630.doc 1379914 節方法，该真空蒸鍍裝置具備：真空室，其係可收容從外 p搬入之被蒸鐘體，掛禍，其係設置於上述真空室内並收 谷洛鍍材料；加熱源，其係加熱上述坩堝並使上述蒸鍍材 料氣化；及複數個支持部，其係設置於上述坩堝之底部與 上述真空室之地板部之間而支持上述坩堝。且，該溫度調 即方法其特徵在於，預先掌握上述蒸鍍材料中溫度相對變 向之高溫部，並在上述高溫布附近之上述底部設置上述支 持部’而使上述高溫部之溫度降低。 根據S玄構成，由於預先掌握蒸鐘材料之高溫部，並在高 溫部附近之底部設置上述支持部，而使上述高溫部之溫度 降低，故與蒸鍍材料中溫度相對較低之部位之差值變小。 藉此，可縮小坩堝内之蒸鍍材料之溫度分佈之偏差，從而 可調節坩堝内之蒸鍍材料之溫度。因此，可謀求蒸鍍材料 之溫度之均勻化，而可容易地謀求溫度分佈之均勻化。再 者，藉由謀求溫度分佈之均勻化，使蒸鍍材料之氣化量成 為固定，故可在坩堝内之各部位使蒸鍍材料之減少大致相 等，從而可使材料之額外之填充減少。 又，本發明之溫度調節方法係真空蒸鍍裝置中之溫度調 節方法，真空蒸鍍裝置具備：真空室，其係可收容從外部 搬入之被蒸鍍體；坩堝，其係設置於上述真空室内並收容 蒸鍍材料；加熱源，其係加熱上述坩竭並使上述蒸鍍材料 氣化；及複數個支持部，其係設置於上述坩堝之底部與上 述真空至之地板部之間而支持上述坩堝。且，該溫度調節 方法其特徵在於，預先掌握上述蒸鍍材料之溫度分佈，並 143630.doc 1379914 -—---------------—_ 變更上述複數個支持部中至少一部分對上述地板部之傳熱 量，而調節上述蒸鍵材料之溫度分佈。 根據該構成，可預先掌握蒸鍍材料之溫度分佈，在上述 高溫部附近之底部設置上述支持部而變更對於上述地板部 之傳熱量，從而調節上述蒸鍍材料之溫度分佈。即，就溫 度相對低的部位附近之支持部，可降低傳熱量，而就溫度 相對高的部位之附近之支持部，則可增加傳熱量。藉此， 可縮小坩堝内之蒸鍍材料之溫度分佈之偏差，從而可調節 坩堝内之蒸鍍材料之溫度。因此，可謀求蒸鍍材料之溫度 之均勻化，而可容易地謀求溫度分佈之均勻化。再者，藉 由謀求溫度分佈之均勻化，使蒸鍵材料之氣化量成為固 定，故可在坩堝内之各部位使蒸鍍材料之減少大致相等， 從而可使材料之額外之填充減少。 又，本發明之溫度調節方法係真空蒸鍍裝置中之溫度調 節方法，真空蒸鍍裝置具備：真空室，其係可收容從外部 搬入之被蒸鍍體；坩堝，其係設置於上述真空室内並收容 蒸鍍材料；及加熱源，其係加熱上述坩堝並使上述蒸鍍材 料氣化。且，該溫度調節方法其特徵在於，預先掌握上述 蒸發材料之溫度分佈，使上述高溫部附近之上述加熱量變 化，而調節上述蒸鍍材料之溫度分佈。 根據該構成，可預先掌握蒸鍍材料之溫度分佈，在上述 高溫部附近之底部設置上述支持部而變更對上述地板部之 傳熱量，從而調節上述蒸鍍材料之溫度分佈。即，在溫度 相對低的部位之附近，可使加熱量增加，而對於溫度相對 143630.doc 鬌·私 阿的部位之附近之支持部，可使加熱量降低。藉此可 坤蜗内之蒸鍛材料之溫度分佈的偏差，從而可調節增奶 内之蒸鍍材枓之溫度。因此，可謀求蒸鍍材料之溫度之均 句化，而可容易地謀求溫度分佈之均勻化。再者， ’溫度分佈之均勻化，使蒸鍍材料之氣化量成為固定故 可在掛禍内之各部位使蒸鍍材料之減少大致相等，從而可 使材料之額外之填充減少。 [發明效果] 根據本發明之真空蒸鍍裝置及溫度調節方法，能以簡易 之構成謀求溫度分佈之均勻化，從而可減少材料之額外之 填充。 【實施方式】 以下，參照圖式，就本發明之實施形態以說明。 (第一實施形態） 圖1係顯示本發明之第一實施形態之真空蒸鍍裝置A1之 概略構成截面圖。 如圖1A所示，真空蒸鍍裝置八丨具備：真空室1;坩堝 2 ’其係設置於上述真空室1内並收容蒸鍍材料Μ ;加熱源 3 ’其係加熱上述坩堝2並使上述蒸鍍材料Μ氣化；及三個 支持部5，其係分散配置於坩堝2之底部2c並支持坩堝2， 且在坩堝2與真空室1之地板部丨a之間傳熱。 真空室1係構成為可將基板B從外部搬出入，且可進行減 壓。在該真空室1内，藉由基板保持部（未圖示）可使基板B 保持於上部。 143630.doc mm. 坩堝2係其一部分之壁部為開放之細長箱形狀者，以金 屬（例如，鈦或不鏽鋼）而構成。該坩堝2經由支持部$被支 持於真空室1之地板部13。坩堝2係以將其底部之長方向向 著水平方向，且向著將收容孔2a之開口部保持於基板保持 部之基板B之板面的方式而配置。 該坩堝2由於構造上之特性，而有其底面之長方向之一 端2b側為低溫之趨勢。 加熱源3其具體而言係由電氣加熱式之加熱器所構成， 且將延伸方向向著㈣2之底部之短方向，並複數配設於 坩堝2之下方。該加熱源3係配設在設置於地板部&上之隔 熱膜4上。 支持部5係形成為立方體狀之構件’分別立設於地板部 1 a ° 該支持部5在掛禍2之底面之長方向以大致等間隔而設 ，’將與掛螞2之短方向之尺寸大致相同之尺寸之長邊向 著坩堝2之底面之短方向而支持坩堝二。 其-人’?尤包含上述之構成之真空蒸鍵裝置A】之動作，利 用圖2A〜圖2C進行說明。 首先，如圖2A所示，藉由基板保持部（未圖示）被搬入至 真空室1内之基板B，在真空室内被保持於上部。其次，使 真空室1内減壓，使其成為特定之真空度。 其人藉由加熱源3將在收容孔2a中收容有機材料Μ之 Μ力‘”、至大約2〇〇〜4〇〇β(：。再者，加熱源3由於隔著隔 熱膜4,故可良好地輻射傳熱至上方之时禍2。 143630.doc •10· 1379914 藉由加熱源3加諸於掛祸2之熱量會傳遞至收容孔&之有 機材料’且通過支持部5傳遞至地板部la。即，傳遞至有 機材料Μ之熱量或原本應該傳遞至有機材料M之熱量，會 被傳遞至地板部la。因此，在俯視圖中支持部5附近之有 機村料Μ之溫度比其他部位低。即，在有機材料μ中，以 大致等間隔存在三個溫度較低之部位。 隨著坩堝2被加熱，有機材料μ氣化（以符號爪表示），而 附著於基板Β之板面。在坩堝2内，如圖2Β所示，在相對 .· 高溫之部位，有機材料Μ較多被氣化，而在相對低溫之部 位，有機材料Μ較少被氣化。 且，在坩堝2中，如圖2C所示，相對高溫之部位之有機 材料Μ全部氣化，但在相對低溫之部位，則殘存三個呈有 機材料Μ之塊狀之Μ。 如此，藉由特定時間之蒸鍍，於基板8之其中一板面上 均勻地形成薄膜。 如以上之說明，本實施形態之真空蒸鍍裝置Α1具備分散 籲配置於坩堝2之底部2c、並在坩堝2與真空室丨之地板部u 之間傳熱的複數個支持部5。因此，可使支持部5附近之掛 堝2内之有機材料Μ的溫度降低，從而可調節坩堝2内之有 機材料之溫度》 即，本來，由於坩堝2之構造特性上，其一端2b側偏向 低皿故S # 2b側形成一個低溫部，而使溫度分佈產生 偏差然而，由於真空蒸鐘裝置A1刻意設置低溫部分而分 散在三處’故可謀求有機材料Μ之溫度之均勻化。 143630.doc • 11 · 再者’藉由使溫度分佈均勻化，使得有機材料Μ之氣化 量均勻化，故有機材料Μ之減少在坩堝2之各部位大致相 等’從而可減少有機材料之額外填充。 再者’代替上述之構成，亦可改採在支持部5附近增大 加熱源3對掛禍2之加熱量之構成。如此，在遠離支持部5 而不會對地板部1 a傳熱的部位，與在支持部5之附近會傳 熱到地板部1 a之部位中之蒸鍍材料iv[之溫度差變小。藉 此’可進一步謀求有機材料Μ之溫度之均勻化。 又，加熱源3不僅在时塌2之下方，亦可在側方或上方。 藉由該構成使坩堝2之整體升溫，可防止坩堝2内之材料附 著。 又’加熱源3亦可向著掛禍2之底部之長方向而設置。 即，只要可將掛禍2加熱，可隨意設置加熱源3之設置方 向。 (第二實施形態） 其次，就本發明之第二實施形態進行說明。 圖3係顯示本發明之第二實施形態之真空蒸鑛裝置Α2之 概略構成截面圖。再者，在以下之說明中，對於與圖1〜3 同樣之構成要素，附註同樣之符號並省略說明。 如圖3所示，真空蒸鍍裝置Α2係以對三個支持部 5 (5a〜5 c)之對地板部1 a之傳熱量分別與其他支持部5不同的 方式而構成。 一端2b側之支持部5a係經由對熱傳導具有方向性之熱阻 構件6，而立設於地板部la。該熱阻構件6係用於阻礙從支 143630.doc -12- 1379914 持部5a對地板部13之熱傳遞，例如可使用碳薄板或不鑛鋼 板。 毗連於支持部5a之支持部5b係構成為與支持部5a及支持 部5c相比較其截面積較小（與傳熱方向正交之截面 毗連於支持部5b之支持部兄係與上述第一實施形態之支 持。P 5相同者。再者，支持部5a之戴面積與支持部&大致 相等而構成。 藉由上述之構成，熱傳遞率之大小依序為支持部5a<支 持部5b<支持部5c。 ,根據該構成，#上所述，即使时禍2由於構造上之特 P長方向之其中一側為低溫之趨勢，從支持部&對地 板部la之傳熱量均為最小，而依支持部5b、5^之順序增 大。因此’可縮小有機材料Μ之各部位之溫度之差分。藉 此，可進一步謀求蒸鍍材料之溫度之均勻化。 再者#可代替上述之構成，改為將支持部5以與他者 熱傳導率不同之材料而構成’並使傳熱量變化。又，亦可 使用熱阻構件6並使截面積變化，此外亦可更以熱傳導率 不同之材料而構成。 (第三實施形態） 其次，就本發明之第三實施形態以說明。 圖4係顯示本發明之第三實施形態之真空蒸鍍裝置 概略構成截面圖。 如圖3所示，真空蒸錄裝置Α3被支持於與㈣η具相同 之傳熱量之二個多柏^ 又持相上。再者’纟真空蒸鍍裝置幻 143630.doc 13

中’在夾在該二個支持部5 d中之區域間，使加熱源3之門 隔較寬’且在該區域之外侧使加熱源3之間隔較窄。即， 在夾在兩個支持部5d之區域中，坩堝12之加熱量小，而在 兩側之加熱量大。 根據該構成，即使坩堝12由於構造上之特性，即長方向 之兩方側為低溫之趨勢，但由於將該兩方側之加熱量増 大，而將中央附近減小，故可謀求有機材料Μ之溫度之均 勻化。 (第四實施形態） 其次’就本發明之第四實施形態以說明。 隹 圖5係顯示本發明之第四實施形態之真空蒸鍍裝置a 4之 概略構成截面圖。 真空蒸鍍裝置A4具備控制加熱源3之發熱量之控制部7。 在該控制部7中記憶著對應於有機材M在坩堝丨2之内部到 達特定量以下所需之時間之資訊。當控制部7察覺自蒸鍍 開始後經過該時間時，便會調節各加熱源3之發熱量。 即，一旦經過特定時間，便使坩堝12内之有機材料M2鲁 溫度分佈均句化。 根據該構成’由於僅在有機材料M之總量減少且溫度分 佈之偏差加劇之區域進行溫度調節’故能以必要最小限度 之控制有效地謀求有機材料Μ之溫度之均勻化。 再者#可代替上述之實施構成，改為藉由檢測有機材 料Μ之總量之感測器等開始進行控制之構成。 再者在上述之貫形態中所示之動作之程序或各構 143630.doc 14 1379914 成構件之諸形狀或組合等係為一例，在不脫離本發明之主 曰之範圍内，得基於設計要求等作各種之變更。 例如，若以與上述之實施形態之構成同樣，藉由預先測 量等而掌握有機材料Μ之高溫部，在該高溫部附近之底部 2c設置支持部5，則可將該高溫部調節為低溫化。再者， 亦可從蒸鍍後殘存於坩堝2内之有機材料M之位置來推測 巧溫部0 同樣的’亦可藉由預先測量等而掌握有機材料Μ之溫度 分佈，而變更支持部5之截面積、熱阻構件6之材料等，以 調節該溫度分佈。 又，在上述之實施形態f，乃將本發明應用在坩禍2之 壁部之一部分為開放之坩堝2 ,但對於具蒸汽喷出用之開 口。P之坩堝，亦可應用本發明。同樣的，對於在壁部之一 部分穿設複數個小開口部之坩堝，亦可應用本發明。 再者，在上述之實施形態中，乃將本發明應用於以金屬 構成之坩堝2，但對於代替金屬而以非金屬（例如，石墨， 石英）而構成之坩堝，亦可應用本發明。 【圖式簡單說明】 圖1A係本發明之第一實施形態之真空蒸鍍裝置a丨之概 略構成截面圖。 圖1B係將未發明之第一實施形態之真空蒸鍍裝置Ai*p 方向所見之平面圖。 圖2A係顯示本發明之第一實施形態之真空蒸鍍裝置ai 之概略構成截面圖，且加熱量動作之一實例。 143630.doc •15- 圖2B係顯示本發明之第一實施形態之真空蒸鍍裝置A1 之概略構成截面圖，且加熱量動作之一實例。 圖2C係顯示本發明之第一實施形態之真空蒸鍍裝置A1 之概略構成截面圖，且加熱量動作之一實例》 圖3係本發明之第二實施形態之真空蒸鍵裝置A2之概略 構成截面圖。 圖4係本發明之第三實施形態之真空蒸鍍裝置A3之概略 構成截面圖。 圖5係本發明之第四實施形態之真空蒸鍍裴置A4之概略 構成截面圖。 【主要元件符號說明】 1 真空室 la 地板部 2 > 12 坩堝 2c 底部 3 加熱源 5(5a〜5d) 支持部 6 熱阻構件 7 控制部 B 基板 M ' m 有機材料（蒸鍍材 A1、A2、A3、A4 真空蒸鍍裝置 143630,doc • 16 -

Claims (1)

1. 七 2. 、申請專利範圍： 一種真空蒸鍍裝置，其特徵在於具備： 真空室，其可收容從外部搬入之被蒸鍍體； 坩堝，其係設置於上述真空室内並收容蒗 加熱源，其係加熱上述堆禍並使上述塞鍍材 ζ 材科； 複數個支持部，其係分散配置於掛禍部及 堝，Θ*,丄 你而支持坩 且在上述坩堝與上述真空室之地板部之 如請求項1之真空蒸鍍裝置，其t上述加敎二一 :支持部之料使上述㈣之加熱量增Μ方式而構 3. 如請求項1之真空蒸鍍裝置，其尹 一部分其傳熱量與其他支持部不同 上述複數個支持部之 4. 如請求項3之真空蒸鍍裝置， 一部分其截面積與其他支持部 其中上述複數個支持部不同。 之 5. 如請求項3之真空蒸鍍裝置 一部分係以與其他支持部成0 ’其中上述複數個支持部之 之熱傳導率不同之材料而構 6. ^求項3之真空蒸鍍裝置，其中上述複數個支持部之 -部分係透過熱傳導具有方向性之熱阻構件於上述㈣ 與上述地板部之間傳熱。 7. 一種真空蒸鍍裝置，其特徵在於，具備： 真空室，其係可收容從外部搬人之被蒸鑛體； ㈣，其係設置於上述真空室内並收容蒸鍍材料；及 加熱源，其係加熱上述_並使上述蒸鍵材料氣化；且 143630.doc 上述加熱源係、使對上述㈣之加熱量依上料禍之位 置而不同。 項7之真空蒸鍍裝置，其中上述加熱源係使發熱 里改文而使對上述时堝之加熱量不同。 如：求，8之真空蒸鍍裝置’其中具備控制上述加熱源 之心熱量之控制部，且 旦上述㈣内之上述蒸鍍材料到達特定 里以下為條件，開始進行發熱調整。 10_如凊求項7之真空某妒歩番 — "、'鍍裝置，其中上述加熱源係改變配 置密度而使對上述坩堝之加熱量不同。 Η· -：溫度調節方法’其特徵在於，其係真空蒸鍍裝置中 之溫度調節方法，該真空蒸錢裝置具備： 真空室，其係可收容從外部搬人之被蒸錢體； 坩碼，其係設置於上述真空室内並收容蒸鑛材料； <、、、源其係加熱上述掛堝並使上述蒸錢材料氣化；及 複數個支持σρ，其係設於上述时禍之底部與上述真空 室之地板部之間而支持上述掛螞；且該方法係 預先掌握上述蒸鍍材料中溫度相對較高之高溫部，並 在j述高溫部附近之上述底部設置上述支持部，而使上 述高溫部之溫度降低。 12· -種溫度調節方法’其特徵在於，其係真空蒸鑛裝置中 之溫度調節方法，該真空蒸鑛裝置具備： 真空室，其係可收容從外部搬入之被蒸鍍體； 坩禍，其係設置於上述真空室内並收容蒸鑛材料，· I43630.doc 1379914 . 加熱源，其係加熱上述坩堝並使上述蒸鍍材料氣化；及 複數個支持部，其係設於上述坩堝之底部與上述真空 室之地板部之間而支持上述坩堝，且該方法係 預先掌握上述蒸鍍材料之溫度分佈，並變更在上述複 數個支持部中至少一部分對於上述地板部之傳熱量，而 調節上述蒸鐘材料之溫度分佈。 13. —種溫度調節方法，其特徵在於，其係真空蒸鍍裝置中 之溫度調節方法，該真空蒸鍍裝置具備： φ 真空室，其係可收容從外部所搬入之被蒸鍍體； 坩堝，其係設置於上述真空室内並收容蒸鍍材料；及 加熱源，其係加熱上述掛塥並使上述蒸鐘材料氣化， 且該方法係 預先掌握上述蒸發材料之溫度分佈，並使上述高溫部 附近之上述加熱量變化，而調節上述蒸鍍材料之溫度分 佈。 143630.doc