JP5796168B2 - インライン型蒸着装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板等の被蒸着体に蒸着材料を蒸着させて、薄膜を形成するインライン型蒸着装置に関する。
インライン型蒸着装置は、チャンバ室内に、蒸着材料を含む蒸発源が配置されると共に、基板等の被蒸着体が一定速度で搬送され、減圧状態で蒸発源を加熱して蒸着材料を気化させ、蒸着材料を被蒸着体の表面に堆積させることで、薄膜を形成するものである。しかし、蒸発源から気化された蒸着材料の一部は、被蒸着体へ向かって進行せず、被蒸着体の表面に付着しないことがある。このような被蒸着体に付着しない蒸着材料が多くなると、材料の使用効率の低下及び蒸着速度の低下の原因となる。
そこで、蒸発源と被蒸着体とが対向する空間を筒状体で囲み、この筒状体を蒸着材料が再気化される温度で加熱し、気化された蒸着材料を筒状体内を通して被蒸着体の表面に蒸着させるようにした蒸着装置が知られている(例えば、特許文献1等参照)。
特開2003−129224号公報
しかしながら、例えば、有機ELデバイス等の製造において、有機半導体層を蒸着装置で作製するとき、生産性向上のために、被蒸着体に高速で有機材料を蒸着する必要がある。そのためには、被蒸着体を蒸発源に接近させると共に、蒸発源の温度を蒸着材料の昇華温度よりも十分に高くする必要がある。ところが、被蒸着体を蒸発源に接近させて、蒸発源の温度を高くすると、被蒸着体が高温になった蒸発源からの輻射熱に曝される。
また、上記特許文献1に示す蒸着装置においては、蒸発源と被蒸着体の間に設けられる筒状体も、その表面に蒸着材料が付着しないように、蒸着材料が気化する高温に加熱されるので、被蒸着体は筒状体からの輻射熱にも曝される。
これら蒸発源や筒状体からの輻射熱によって被蒸着体の温度が上昇すると、例えば、被蒸着体に設けられたマスクが膨張してパターニングが不正確になったり、被蒸着体に付着した蒸着材料が局所的に再気化して、蒸着膜の厚みが不均一になることがある。これらの結果、被蒸着体に蒸着した薄膜の膜質が劣化し、この被蒸着体を用いたデバイスの性能を低下させる虞がある。
本発明は、上記課題を解決するものであり、被蒸着体を高温となった蒸発源及び筒状体に接近させても、被蒸着体の温度上昇を抑制することができ、信頼性の高い被蒸着体を効率良く生産することができるインライン型蒸着装置を提供することを目的とする。
発明に係るインライン型蒸着装置は、被蒸着体に蒸着される蒸着材料を蒸発させる蒸発源と、前記蒸発源及び前記被蒸着体の間の空間を囲い、前記被蒸着体側に開口部を有する筒状体と、前記筒状体の開口部近傍に設けられて前記筒状体から放射される前記蒸着材料の量を制御する補正板と、を備え、前記筒状体は、該筒状体を前記蒸着材料が蒸発する温度に加熱するヒータを有し、前記補正板よりの前記被蒸着体側に、直線辺及び円弧辺から成る半月形状の板材である前記補正板の前記被蒸着体側に、輻射熱拡散板を設けたことを特徴とする。
上記インライン型蒸着装置において、前記輻射熱拡散板は、冷却装置を有することが好ましい。
上記インライン型蒸着装置において、前記冷却装置は、水冷機構であることが好ましい。
上記インライン型蒸着装置において、前記輻射熱拡散板を複数備え、該複数の輻射熱拡散板は、上面視において重複した部分を有することが好ましい。
上記インライン型蒸着装置において、前記複数の輻射熱拡散板が、前記被蒸着体の搬送方向の上流側と下流側に同一平面上に離間して配置されて拡散板対を形成することが好ましい。
上記インライン型蒸着装置において、前記拡散板対が複数個積層され、前記被蒸着体側の拡散板対の離間距離が、前記蒸発源側の拡散板対の離間距離より大きいことが好ましい。
上記インライン型蒸着装置において、前記輻射熱拡散板は、前記筒状体の開口部の周縁よりも外方へ延伸された延伸部を有することが好ましい。
上記インライン型蒸着装置において、前記輻射熱拡散板の延伸部と平面視において重複する位置に設けられた冷却板を更に備え、前記冷却板は、前記輻射熱拡散板からの輻射熱を排出するが好ましい。
上記インライン型蒸着装置において、前記冷却板は、前記輻射熱拡散板と接続される接続部を有し、前記接続部は、前記輻射熱拡散板から前記冷却板へ熱を伝導することが好ましい。
上記インライン型蒸着装置において、前記冷却板は、前記輻射熱拡散板より前記蒸着源側に形成されていることが好ましい。
上記インライン型蒸着装置において、前記輻射熱拡散板は、前記筒状体と平面視において重複する位置に鏡面化処理が施された鏡面領域を有することが好ましい。
上記インライン型蒸着装置において、前記輻射熱拡散板は、前記冷却板と平面視において重複する位置に粗面化処理が施された粗面領域を有することが好ましい。
上記インライン型蒸着装置において、前記補正板は、該補正板の開口部側端部から前記被蒸着体方向に延伸された開口延伸部を有することが好ましい。
本発明によれば、補正板の被蒸着体側に設けられた輻射熱拡散板によって、被蒸着体に熱源となる蒸発源及び筒状体からの輻射熱が伝わり難くなるので、被蒸着体を蒸発源及び筒状体に接近させても、被蒸着体の温度上昇を抑制することができる。従って、信頼性の高い被蒸着体を効率良く生産することができる。
本発明の第1の実施形態に係るインライン型蒸着装置の側断面図。 同装置の上面図。 同装置によって作製される有機EL素子の側断面図。 同インライン型蒸着装置の変形例の側断面図。 同装置の上面図。 本発明の第2の実施形態に係るインライン型蒸着装置の側断面図。 同装置の上面図。 本発明の第3の実施形態に係るインライン型蒸着装置の側断面図。 同装置の上面図。
本発明の第1の実施形態に係るインライン型蒸着装置(以下、蒸着装置という)について、図1及び図2を参照して説明する。本実施形態の蒸着装置1は、基板等の被蒸着体2に蒸着される蒸着材料を蒸発させる蒸発源3と、蒸発源3及び被蒸着体2の間の空間を囲う筒状体4と、筒状体4よりも被蒸着体2側に設けられる補正板5と、を備える。また、蒸着装置1は、補正板5の更に被蒸着体2側に設けられた輻射熱拡散板(以下、拡散板6)を備える。蒸着装置1は、室内を減圧状態にすることができるチャンバ室(不図示)内に配置されている。また、このチャンバ室には、被蒸着体2を筒状体4の開口上に一定速度で持続的に搬送する搬送機構(不図示)が配置されている。
筒状体4は、上端に開口部41を有し、この開口部41に対向するように被蒸着体2が配置される。また、開口部41には補正板5が配置される。筒状体4の下端には、蒸発源3が配置され、蒸発源3の配置されていない部分は筒状体4の底部42を成す。筒状体4の外周面には、シーズヒータ等から構成される筒状体ヒータ(以下、ヒータ43)が巻き付けられている。ヒータ43は、電源44に接続されて給電を受けることにより、筒状体4内を加熱する。また、筒状体4の底部42には、筒状体4内の温度を測定するための温度センサ45が設けられ、温度センサ45の測定情報は、CPUやメモリ等から構成される筒状体温度制御器46に出力される。筒状体温度制御器46は、温度センサ45の測定情報を受けて電源44からヒータ43に供給される電力量を制御することにより、筒状体4内の温度を調節することができる。
また、筒状体4は、その側壁に側面開口部47を有し、この側面開口部47に面するように膜厚計7が取り付けられている。膜厚計7は、水晶振動子膜厚計等から構成され、側面開口部47から放出された蒸着材料32がその表面に付着した膜の膜厚を自動計測する。また、膜厚計7は、計測された膜厚データを蒸着速度制御器37に出力する。
筒状体4は、蒸着装置1の上面視において長方形の角筒形状であり、その長辺が被蒸着体2の搬送方向と直交するように配置されている。なお、図2においては、被蒸着体2、蒸発源3、補正板5、膜厚計7等の構成の図示を省略している。後述する上面図においても同様である。
蒸発源3は、堆塙等の加熱容器31内に蒸着材料32が充填されたものである。加熱容器31は、その開口側が筒状体4の底部42と同じ高さになるように、筒状体4に埋め込まれている。本実施形態の蒸着装置1においては、蒸発源3が、筒状体4の底部42の略中央部に配されている。蒸着材料32には、任意の材料が用いられるが、例えば、有機EL素子に用いられる有機半導体材料等の有機材料が好適に用いられる。加熱容器31の周辺部には、蒸発源ヒータ33が配されている。この蒸発源ヒータ33は、電源34に接続されて給電されることにより、加熱容器31自体及びこれに充填された蒸着材料32を加熱する。加熱容器31には、その温度を測定するための温度計35が設けられ、温度計35の測定情報は、蒸発源温度制御器36に出力される。この蒸発源温度制御器36は、蒸着速度制御器37に接続される。蒸着速度制御器37は、温度計35の測定情報を受けて電源34から蒸発源ヒータ33に供給する電力量を制御することにより、加熱容器31内の温度を調節し、膜厚計7の膜厚データを計測しながら、蒸着速度を制御する。
補正板5は、筒状体4の開口部41近傍に設けられ、バルブ等により開閉自在な開口を有し、その開口面積を調整することによって、筒状体4から被蒸着体2への気化した蒸着材料の流量を制御する。この開口は、筒状体4の開口部41の形状に応じて設定され、気化した蒸着材料が均一に放出されるように、補正板5の重心を中心とする点対照な形状に形成されている。なお、図1では、1つの開口を有する構成を示しているが、開口は複数であってもよい。また、同図では、補正板5が拡散板6と同形状のものを示しているが、これに限られない。例えば、多数の孔部が全面に亘って形成された補正板5が用いられる場合、この補正板5上に一部の孔部を塞ぐように拡散板6が載置される。
拡散板6は、図2に示したように、直線辺及び円弧辺から成る半月形状の板材であり、熱拡散性に優れたアルミニウム等の金属材料等により形成される。拡散板6は、その直線辺が筒状体4の開口部41の長辺と略同じ長さになるよう形成されている。本実施形態においては、対となる拡散板6(以下、拡散板対60)が、円弧辺を対向させた状態で、被蒸着体2の搬送方向の上流側と下流側に同一平面上に互いに離間して補正板5上に配置される。この構成によれば、補正板5の被蒸着体2側に設けられた拡散板6によって、熱源となる蒸発源3及び筒状体4からの輻射熱が被蒸着体2に伝わり難くなるので、被蒸着体2を蒸発源3及び筒状体4に接近させても、被蒸着体2の温度上昇を抑制することができる。その結果、蒸着装置1は、高温高速で被蒸着体2に蒸着材料32を蒸着したときでも、被蒸着体2に蒸着した薄膜の膜質が劣化し難くなり、信頼性の高い被蒸着体2を効率良く生産することができる。
また、本実施形態においては、補正板5上において被蒸着体2の搬送方向の上流側に配された拡散板6によって、被蒸着体2に設けられたマスク(不図示)の膨張を抑制することができる。また、下流側に配された拡散板6によって、被蒸着体2に付着した蒸着材料32が再気化することを抑制することができる。そのため、パターニングが正確で、均一な厚みの蒸着膜を得ることができる。
更に、半月形状の拡散板対60を用いれば、被蒸着体2を一定速度で移動させたとき、被蒸着体2の搬送方向に沿う中央部が開口部41を通過する時間が短くなり、搬送方向に直交する被蒸着体2の両端部が開口部41を通過する時間が長くなる。通常、開口部41は、中心側ほど気化した蒸着材料32の濃度が高いので、開口部41が遮られていない状態でインライン蒸着がなされると、被蒸着体2の中央部の蒸着密度が高くなり、この部分に形成された蒸着膜の膜厚が厚くなる。これに対して、上述した拡散板対60を用いれば、被蒸着体2の中央部の蒸着密度を抑え、被蒸着体2全体として蒸着膜の膜厚を均一化することができる。
また、本実施形態においては、同形状の拡散板対60が複数、図例では3対積層され、これらが上面視において重複した部分を有している。こうすれば、輻射熱を拡散するための拡散板6(拡散板対60)の体積及び表面積が大きくなるので、蒸発源3及び筒状体4からの輻射熱を効果的に拡散させることができ、被蒸着体2の温度上昇をより効果的に抑制することができる。
このように構成された蒸着装置1において、被蒸着体2に蒸着材料32を蒸着させるとき、まず、各蒸発源3の加熱容器31にそれぞれ蒸着材料32が収容され、被蒸着体2が一定速度で搬送されると共に、チャンバ室内が減圧される。次に、各蒸発源3の蒸発源ヒータ33を発熱させて、各蒸着材料32を加熱すると共に、筒状体4が、ヒータ43によって蒸着材料32を気化させ、且つ分解等させない程度の温度に加熱される。そして、各蒸発源3の蒸発源ヒータ33による加熱によって、各蒸着材料32が気化すると、気化された蒸着材料32は、直接又は筒状体4の内壁面で反射しながら、開口部41方向へと進行し、補正板5の開口から放出されて、移動する被蒸着体2の表面に順次堆積する。
このように構成された蒸着装置1を複数、生産ラインに配置して、以上の温度条件のもと、図3に示すような有機EL素子102を作製した。本実施形態では、生産性向上のため、高速で有機材料を被蒸着体2に蒸着させる必要があり、蒸発源3の加熱温度は、有機材料の昇華温度よりも80℃高い温度(例えば200〜300℃)に設定した。一方、筒状体4の加熱温度も気化した有機材料が付着しない温度として、有機材料の昇華温度よりも80℃高い温度に設定した。
まず、ITO21が設けられた基板20(被蒸着体2)上に、ホール注入層22aとして、4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(以下、α−NPD)と酸化モリブデン(以下、MoO)の共蒸着体を30nm成膜した。次に、この上に、ホール輸送層23aとして、α−NPDを40nm成膜した。次いで、この上に発光層24aとして、Alqにルブレンを7質量%共蒸着した層を20nm成膜した。続けて、発光層24bとして、4,4’−ビス(2,2’−ジフェニル−エテン−1−イル)−ジフェニル(BPVBI)にbis[(4,6−difluorophenyl)−pyridinato−N,C2’](picorinate)iridium(III)(FIrpic)を10質量%共蒸着した層を20nm成膜した。そして、この上に電子輸送層25aとして、Alqを30nm成膜し、更に電子注入層26aとしてLiMoOを3nm成膜した。次いで、中間層27aとして、Mgを1nm成膜した。続けて、中間層27bとして、ITOを3nm成膜した。次いで、ホール注入層22bとして金属酸化物であるMoOを1nm成膜し、ホール輸送層23bとしてα−NPDを40nm成膜した。そして、この上に、発光層24cとしてBPVBIに4−(Dicyanomethylene)−2−methyl−6−(julolidin−4−yl−vinyl)−4H−pyran(DCM2)を3質量%共蒸着した層を20nm成膜した。次に、この上に電子輸送層25bとしてAlqを30nm成膜した。この後、陰極28となるアルミニウムを100nm成膜して、有機EL素子102を作製した。
この有機EL素子102の作製において、各蒸着装置1の補正板5の温度は、これと接する筒状体4と同様に、蒸着材料32の昇華温度よりも80℃高い温度になっている。これに対して、拡散板6の温度は、100〜200℃程度であった。また、被蒸着体2は、インライン蒸着の過程において、複数の蒸着装置1に連続的に搬送されることによって、各蒸着装置1からの熱を受けながらも、その温度は60℃以下に抑制された。一方、拡散板6を用いないインライン蒸着では、被蒸着体2の温度は100℃に達した。そして、本実施形態の蒸着装置1を用いたインライン蒸着では、拡散板6を用いないインライン蒸着の場合に比べて、作製された有機EL素子102の外部量子効率が15%改善した。すなわち、本実施形態の蒸着装置1を用いることにより、被蒸着体2の温度上昇を抑制することができ、また、被蒸着体2を用いたデバイスの性能を高めることができることが示された。
なお、蒸着装置1は、上述した構成の有機EL素子102に限られない。例えば、図例の構成は、複数の発光層の間に中間層を介在させた2段構成であるが、1段構成であってもよいし、3段構成以上であってもよい。また、各有機層を構成する材料には、上述した材料に限られず、蒸着に用いることができる任意の材料を用いることができる。
本実施形態の蒸着装置1の変形例について、図4及び図5を参照して説明する。この変形例に係る蒸着装置1は、拡散板対60が複数個積層され、被蒸着体2側の拡散板対60の離間距離が、蒸発源3側の拡散板対60の離間距離より大きくなるように構成されている。
蒸発源3及び筒状体4からの輻射熱は、これらに近接する程大きくなる。そこで、蒸発源3及び筒状体4に近い側に、比較的サイズの大きな拡散板6を設ければ、被蒸着体2側に設けられた拡散板6が小さくても、被蒸着体2の温度上昇を抑制することができる。また、被蒸着体2側の小さな拡散板6を補正板5の周縁部の上方に配せば、各拡散板6が、補正板5側から被蒸着体2側へ階段状に広がり、開口部41から放出された蒸着材料32が放射状に拡散する。その結果、被蒸着体2に蒸着される蒸着材料32の蒸着濃度を均一にすることができる。
本発明の第2の実施形態に係る蒸着装置について、図6及び図7を参照して説明する。実施形態の蒸着装置1は、冷却装置8を有する。この冷却装置8は、水冷機構であり、具体的には、被蒸着体2の搬送方向の下流側であって、被蒸着体2に近接する拡散板6に水冷配管81が配され、この水冷配管81内に冷却水等の液体が充填されて、この液体がポンプ80によって水冷配管81内で循環する。水冷配管81は、拡散板6上に蛇行状に張り巡らされている。なお、ここでは、拡散板6の被蒸着体2側の上面に水冷配管81が外装された構成を示すが、水冷配管81は、拡散板6に内装されていてもよい。
この蒸着装置1によれば、冷却装置8によって拡散板6が冷やされるので、被蒸着体2に蒸発源3等からの輻射熱がより伝わり難くなり、確実に被蒸着体2の温度上昇を抑制することができる。なお、この冷却装置8は、被蒸着体2の搬送方向の下流側に限らず、上流側に設けられてもよく、その両方に設けられてもよい。また、冷却装置8は、上述した水冷機構に限らず、例えば、コンプレッサー及び冷媒ガス等を用いた電気式冷却装置であってもよい。
本発明の第3の実施形態に係る蒸着装置について、図8及び図9を参照して説明する。実施形態の蒸着装置1は、拡散板6が、筒状体4の開口部41の周縁よりも外方へ延伸された延伸部61を有し、また、拡散板6の延伸部61と平面視において重複する位置に設けられた冷却板9を更に備えたものである。冷却板9としては、例えば、上記第2の実施形態で説明した水冷機構を有する水冷板が用いられる。なお、ここでは、電源44や筒状体温度制御器46等の一部構成の図示を省略している。
この冷却板9は、拡散板6と同等以上の熱拡散性を有する材料により形成され、拡散板6からの熱を排出する。好ましくは、冷却板9は、被蒸着体2の搬送方向の上流側と下流側の両方に、被蒸着体2の搬送経路の上方及び下方を挟むように、配される。その結果、拡散板6の温度が下がり、被蒸着体2の温度上昇を更に抑制することができる。また、延伸部61により拡散板6の表面積が大きくなるので、拡散板6の熱を冷却板9に効率良く移動させることができる。
また、冷却板9は、拡散板6と接続される接続部91を有する。この接続部91は、被蒸着体2の搬送経路の下方に配される冷却板9の上面から被蒸着体2方向へ、拡散板6の端部と接触するように延出されたものである。拡散板6から冷却板9へ熱を伝導する。これにより、拡散板6から冷却部9への熱の伝導性が高まり、拡散板6の温度を更に下げることができる。なお、上記第2の実施形態で説明した冷却装置8が、この冷却板9に配されていてもよい。
被蒸着体2の搬送経路の下方に配される冷却板9は、拡散板6より蒸着源3側に形成されることが好ましい。被蒸着体2は拡散板6の上方を通過するので、冷却板9を被蒸着体2側に設けるよりも、蒸着源3側に設けることにより、拡散板6の熱を冷却板9により効率良く移動させることができる。
また、本実施形態において、拡散板6は、筒状体4と平面視において重複する位置に鏡面化処理が施された鏡面領域6aを有する。このように、拡散板6の表面を鏡面にすることで、拡散板6の表面の輻射率が0.1〜0.3の小さな値になる。従って、筒状体4と平面視において重複する位置を鏡面領域6aとすることで、筒状体4から拡散板6への熱輻射を抑制することができる。また、この鏡面領域6aは、蒸着時に、被蒸着体2と近接する部分なので、拡散板6から被蒸着体2への熱輻射も抑制することができ、被蒸着体2の温度上昇を更に抑制することができる。
更に、拡散板6は、冷却板9と平面視において重複する位置に粗面化処理が施された粗面領域6bを有する。この粗面領域6bは、拡散板6の表面のうち、冷却板9と対向する面に設けられることが望ましい。また、拡散板6が複数であれば、少なくとも冷却板9に最も近接する拡散板6に粗面領域6bが設けられていればよい。このように、拡散板6の表面を粗面にすることで、拡散板6の表面の輻射率が0.6〜1の大きな値になる。従って、冷却板9と平面視において重複する位置を粗面領域6bとすることで、拡散板6から冷却板9への熱移動が大きくなる。その結果、拡散板6の温度が下がり、被蒸着体2の温度上昇を抑制することができる。
また、補正板5は、補正板5の開口部側端部から被蒸着体2方向に延伸された開口延伸部51を有する。この開口延伸部51により、拡散板6に蒸着材料32が付着することを抑制することができる。
なお、本発明は、上述した実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、上述した実施形態においては、被蒸着体2を蒸着装置1に対して搬送させる構成を示したが、蒸着装置1を被蒸着体2に対して移動させてもよい。また、補正板5上において、被蒸着体2の搬送方向に沿う方向に更に別の拡散板6が設けられてもよい。この場合、例えば、上面視で長方形状の筒状体4の短手方向の周縁(図2参照)を覆うように、帯長の拡散板6が設けられる。また、拡散板6には、拡散板6の表面に付着した蒸着材料32を気化して除去するための別途の加熱機構が設けられてもよい。拡散板6の形状は、上述した半月形状に限らず、例えば、三角形状等であってもよい。
本願は日本国特許出願2011−194294号に基づいており、その内容は上記特許出願の明細書及び図面を参照することによって本願発明に組み込まれる。
1 蒸着装置(インライン型蒸着装置)
2 被蒸着体
3 蒸発源
32 蒸着材料
4 筒状体
41 開口部
5 補正板
51 開口延伸部
6 拡散板(輻射熱拡散板)
6a 鏡面領域
6b 粗面領域
60 拡散板対
61 延伸部
8 冷却装置
80 ポンプ(水冷機構)
81 水冷配管(水冷機構)
9 冷却板
91 接続部

Claims (13)

  1. 被蒸着体に蒸着される蒸着材料を蒸発させる蒸発源と、前記蒸発源及び前記被蒸着体の間の空間を囲い、前記被蒸着体側に開口部を有する筒状体と、前記筒状体の開口部近傍に設けられて前記筒状体から放射される前記蒸着材料の量を制御する補正板と、を備え、
    前記筒状体は、該筒状体を前記蒸着材料が蒸発する温度に加熱するヒータを有し、
    前記補正板より前記被蒸着体側に、直線辺及び円弧辺から成る半月形状の板材である輻射熱拡散板を設けたことを特徴とするインライン型蒸着装置。
  2. 前記輻射熱拡散板は、冷却装置を有することを特徴とする請求項1に記載のインライン型蒸着装置。
  3. 前記冷却装置は、水冷機構であることを特徴とする請求項2に記載のインライン型蒸着装置。
  4. 前記輻射熱拡散板を複数備え、
    該複数の輻射熱拡散板は、上面視において重複した部分を有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のインライン型蒸着装置。
  5. 前記複数の輻射熱拡散板が、前記被蒸着体の搬送方向の上流側と下流側に同一平面上に離間して配置されて拡散板対を形成することを特徴とする請求項4に記載のインライン型蒸着装置
  6. 前記拡散板対が複数個積層され、
    前記被蒸着体側の拡散板対の離間距離が、前記蒸発源側の拡散板対の離間距離より大きいことを特徴とする請求項5に記載のインライン型蒸着装置。
  7. 前記輻射熱拡散板は、前記筒状体の開口部の周縁よりも外方へ延伸された延伸部を有することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載のインライン型蒸着装置。
  8. 前記輻射熱拡散板の延伸部と平面視において重複する位置に設けられた冷却板を更に備え、
    前記冷却板は、前記輻射熱拡散板からの輻射熱を排出することを特徴とする請求項7に記載のインライン型蒸着装置。
  9. 前記冷却板は、前記輻射熱拡散板と接続される接続部を有し、
    前記接続部は、前記輻射熱拡散板から前記冷却板へ熱を伝導することを特徴とする請求項8に記載のインライン型蒸着装置。
  10. 前記冷却板は、前記輻射熱拡散板より前記蒸着源側に形成されていることを特徴とする請求項8又は請求項9に記載のインライン型蒸着装置。
  11. 前記輻射熱拡散板は、前記筒状体と平面視において重複する位置に鏡面化処理が施された鏡面領域を有することを特徴とする請求項8乃至請求項10のいずれか一項に記載のインライン型蒸着装置。
  12. 前記輻射熱拡散板は、前記冷却板と平面視において重複する位置に粗面化処理が施された粗面領域を有することを特徴とする請求項8乃至請求項11のいずれか一項に記載のインライン型蒸着装置。
  13. 前記補正板は、該補正板の開口部側端部から前記被蒸着体方向に延伸された開口延伸部を有することを特徴とする請求項1乃至請求項12のいずれか一項に記載のインライン型蒸着装置。
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JP6238003B2 (ja) * 2013-12-20 2017-11-29 パナソニックIpマネジメント株式会社 蒸着装置
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JP2004158337A (ja) * 2002-11-07 2004-06-03 Sony Corp 蒸着装置
JP4380319B2 (ja) * 2002-12-19 2009-12-09 ソニー株式会社 蒸着装置および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4160381B2 (ja) * 2002-12-27 2008-10-01 ローム株式会社 音声出力装置を有する電子装置
JP2004238663A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Sony Corp 蒸着装置
WO2008120610A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-09 Tokyo Electron Limited 蒸着源ユニット、蒸着装置および蒸着源ユニットの温度調整装置
JP4831841B2 (ja) * 2009-07-10 2011-12-07 三菱重工業株式会社 真空蒸着装置及び方法

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