TWI464288B - 直列型蒸鍍裝置 - Google Patents

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Kazuki Kitamura
Nobuyuki Miyagawa
Taisuke Nishimori
Kenichiro Watanabe
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Description

直列型蒸鍍裝置
本發明係關於一種使蒸鍍材料蒸鍍在基板等被蒸鍍體上來形成薄膜之直列型蒸鍍裝置。
直列型蒸鍍裝置，係在真空腔室內配置含有蒸鍍材料之蒸發源，並且以一定速度來運送基板等被蒸鍍體，在減壓狀態下加熱蒸發源使蒸鍍材料氣化，將蒸鍍材料沉積在被蒸鍍體的表面，藉以形成薄膜。可是，從蒸發源中氣化的蒸鍍材料之一部分，有時未朝向被蒸鍍體行進，未附著在被蒸鍍體的表面。若此種未附著在被蒸鍍體的蒸鍍材料增多，則成為材料的使用效率降低以及蒸鍍速度降低之原因。
因此，有人提出了一種直列型蒸鍍裝置，係以筒狀體包圍蒸發源與被蒸鍍體對向之空間，以蒸鍍材料再氣化之溫度加熱該筒狀體，使經氣化的蒸鍍材料通過筒狀體內蒸鍍在被蒸鍍體的表面(例如參照專利文獻1等)。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2003-129224號公報
可是，例如在有機電致發光元件等之製造中，以蒸鍍裝置製作有機半導體層時，為了提升生產力，必須以高速將有機材料蒸鍍在被蒸鍍體上。因此，必須使被蒸鍍體接近蒸發源，並且令蒸發源的溫度遠高於蒸鍍材料的昇華溫度。不過，若使被蒸鍍體接近蒸發源，來提高蒸發源的溫度，則被蒸鍍體暴露在來自高溫蒸發源之輻射熱。
又，上述專利文獻1所示的蒸鍍裝置中，亦將在蒸發源與蒸鍍材料之間所設的筒狀體加熱至蒸鍍材料氣化的高溫，以免其表面附著蒸鍍材料，因此被蒸鍍體亦暴露在來自筒狀體之輻射熱。
若因為來自該等蒸發源或筒狀體之輻射熱而使被蒸鍍體的溫度上升，則例如有時設置在被蒸鍍體的遮罩膨脹而圖案成形變得不正確，且附著在被蒸鍍體的蒸鍍材料局部地再次氣化，使蒸鍍膜的厚度變得不均勻。此等結果，有蒸鍍在被蒸鍍體上的薄膜之膜質劣化，使利用該被蒸鍍體之裝置的性能降低之虞。
本發明用以解決前述問題點，目的在於提供一種即使被蒸鍍體接近變成高溫的蒸發源以及筒狀體，亦可抑制被蒸鍍體的溫度上升，可有效率地生產可靠度高的被蒸鍍體之直列型蒸鍍裝置。
為了解決上述問題，本發明的直列型蒸鍍裝置，包含：蒸發源，用以將蒸鍍材料蒸鍍在被蒸鍍體上；筒狀體，包圍該蒸發源以及該被蒸鍍體之間的空間，於該被蒸鍍體側具有開口部；以及修正板，設於該筒狀體的開口部附近，以控制從該筒狀體放射出的該蒸鍍材料之量；該直列型蒸鍍裝置之特徵在於：在該修正板的該被蒸鍍體側，設有輻射熱擴散板。
在上述直列型蒸鍍裝置中，較佳為：該輻射熱擴散板具有冷卻裝置。
在上述直列型蒸鍍裝置中，較佳為：該冷卻裝置為水冷機構。
在上述直列型蒸鍍裝置中，較佳為：包含複數的該輻射熱擴散板；該複數的輻射熱擴散板，具有於俯視下為重複之部分。
在上述直列型蒸鍍裝置中，較佳為：該複數的輻射熱擴散板，係於該被蒸鍍體的運送方向之上游側與下游側在同一平面上互相離間配置，而形成擴散板對。
在上述直列型蒸鍍裝置中，較佳為：該擴散板對疊層有複數個；該被蒸鍍體側的擴散板對之離間距離，大於該蒸發源側的擴散板對之離間距離。
在上述直列型蒸鍍裝置中，較佳為：該輻射熱擴散板具有：比該筒狀體的開口部的周緣更往外方延伸之延伸部。
在上述直列型蒸鍍裝置中，較佳為：更包含冷卻板，設於在俯視下與該輻射熱擴散板的延伸部重複之位置上；該冷卻板，將來自該輻射熱擴散板的輻射熱加以排出。
在上述直列型蒸鍍裝置中，較佳為：該冷卻板具有與該輻射熱擴散板連接之連接部；該連接部，將熱從該輻射熱擴散板傳導至該冷卻板。
在上述直列型蒸鍍裝置中，較佳為：該冷卻板，形成於比該輻射熱擴散板更靠近該蒸發源側。
在上述直列型蒸鍍裝置中，較佳為：該輻射熱擴散板具有鏡面區域，該鏡面區域在俯視下與該筒狀體重複之位置上施有鏡面化處理。
在上述直列型蒸鍍裝置中，較佳為：該輻射熱擴散板具有粗面區域， 該粗面區域在俯視下與該冷卻板重複之位置上施有粗面化處理。
在上述直列型蒸鍍裝置中，較佳為：該修正板具有：從該修正板的開口部側端部往該被蒸鍍體方向延伸之開口延伸部。
根據本發明，藉由設置在修正板的被蒸鍍體側之輻射熱擴散板，使來自成為熱源的蒸發源以及筒狀體之輻射熱不易傳導至被蒸鍍體，因此即使被蒸鍍體接近蒸發源以及筒狀體，亦可抑制被蒸鍍體的溫度上升。從而，可有效率地生產可靠度高的被蒸鍍體。
1‧‧‧蒸鍍裝置(直列型蒸鍍裝置)
2‧‧‧被蒸鍍體
20‧‧‧基板
21‧‧‧銦錫氧化物
22a‧‧‧電洞注入層
22b‧‧‧電洞注入層
23a‧‧‧電洞輸送層
23b‧‧‧電洞輸送層
24a‧‧‧發光層
24b‧‧‧發光層
24c‧‧‧發光層
25a‧‧‧電子輸送層
25b‧‧‧電子輸送層
26a‧‧‧電子注入層
27a‧‧‧中間層
27b‧‧‧中間層
28‧‧‧陰極
3‧‧‧蒸發源
31‧‧‧加熱容器
32‧‧‧蒸鍍材料
33‧‧‧蒸發源加熱器
34‧‧‧電源
35‧‧‧溫度計
36‧‧‧蒸發源溫度控制器
37‧‧‧蒸鍍速度控制器
4‧‧‧筒狀體
41‧‧‧開口部
42‧‧‧底部
43‧‧‧加熱器
44‧‧‧電源
45‧‧‧溫度感測器
46‧‧‧筒狀體溫度控制器
47‧‧‧側面開口部
5‧‧‧修正板
51‧‧‧開口延伸部
6‧‧‧擴散板(輻射熱擴散板)
6a‧‧‧鏡面區域
6b‧‧‧粗面區域
60‧‧‧擴散板對
61‧‧‧延伸部
7‧‧‧膜厚計
8‧‧‧冷卻裝置
80‧‧‧泵浦(水冷機構)
81‧‧‧水冷配管(水冷機構)
9‧‧‧冷卻板
91‧‧‧連接部
102‧‧‧有機電致發光元件
圖1係本發明第1實施形態的直列型蒸鍍裝置之側剖面圖。
圖2係同一裝置之俯視圖。
圖3係由同一裝置所製作的有機電致發光元件之側剖面圖。
圖4係同一直列型蒸鍍裝置的變形例之側剖面圖。
圖5係同一裝置之俯視圖。
圖6係本發明第2實施形態的直列型蒸鍍裝置之側剖面圖。
圖7係同一裝置之俯視圖。
圖8係本發明第3實施形態的直列型蒸鍍裝置之側剖面圖。
圖9係同一裝置之俯視圖。
[用以實施發明之最佳形態]
参照圖1以及圖2說明本發明第1實施形態的直列型蒸鍍裝置(以下稱為蒸鍍裝置)。本實施形態的直列型蒸鍍裝置1，包含：蒸發源3，使蒸鍍在基板等被蒸鍍體2上的蒸鍍材料蒸發；筒狀體4，包圍蒸發源3以及被蒸鍍體2之間的空間；以及修正板5，設置在被蒸鍍體2側而非筒狀體4。 又，蒸鍍裝置1包含輻射熱擴散板(以下稱為擴散板6)，設於修正板5的更靠被蒸鍍體2側。蒸鍍裝置1配置在可令室內為減壓狀態之腔室(不圖示)內。又，此腔室中，配置有在筒狀體4的開口上以一定速度持續運送被蒸鍍體2之運送機構(不圖示)。
筒狀體4，上端具有開口部41，並以與該開口部41對向之方式配置有被蒸鍍體2。又，開口部41中配置有修正板5。於筒狀體4的下端，配置有蒸發源3，未配置蒸發源3的部分構成底部42。於筒狀體4的外周，捲繞有由護套加熱器等所構成的筒狀體加熱器(以下稱為加熱器43)。加熱器43，連接至電源44來接受供電，藉以將筒狀體4內加熱。又，於筒狀體4的底部42，設有用以測定筒狀體4內的溫度之溫度感測器45；溫度感測器45的測定資訊，係輸出至由CPU或記憶體等所構成之筒狀體溫度控制器46。筒狀體溫度控制器46，接收溫度感測器45的測定資訊來控制從電源44供給至加熱器43的電量，藉此可調節筒狀體4內的溫度。
又，筒狀體4，於其側壁具有側面開口部47，並以面對該側面開口部47之方式安裝有膜厚計7。膜厚計7，由水晶振動器膜厚計等所構成，並自動計測從側面開口部47釋放出的蒸鍍材料32附著於其表面上的膜之膜厚。又，膜厚計7將所計測的膜厚數據輸出至蒸鍍速度控制器37。
筒狀體4，在蒸鍍裝置1的俯視下為長方形的角筒形狀，其長邊以與被蒸鍍體2的運送方向垂直之方式配置。另，圖2中，省略了被蒸鍍體2、蒸發源3、修正板5、膜厚計7等構成之圖示。後述的俯視圖中亦相同。
蒸發源3，係在坩鍋等加熱容器31內填充有蒸鍍材料32。加熱容器31，係以其開口側與筒狀體4的底部42為同樣高度之方式，埋入於筒狀體4中。在本實施形態的蒸鍍裝置1中，蒸發源3配置於筒狀體4的底部42之略中央部。蒸鍍材料32，雖可使用任何材料，但例如適合使用：使用於有機電致發光元件之有機半導體材料等有機材料。於加熱容器31的周邊部，配置有蒸發源加熱器33。該蒸發源加熱器33，係連接至電源34來進行供電， 藉以將加熱容器31本身以及填充於其中的蒸鍍材料32加熱。於加熱容器31，設有用以測定其溫度之溫度計35；溫度計35的測定資訊，係輸出至蒸發源溫度控制器36。該蒸發源溫度控制器36，係連接至蒸鍍速度控制器37。蒸鍍速度控制器37，接受溫度計35的測定資訊來控制從電源34供給至蒸發源加熱器33的電量，藉此調節加熱容器31內的溫度，計測膜厚計7的膜厚數據，並控制蒸鍍速度。
修正板5，設於筒狀體4的開口部41附近，具有可由閘閥等任意開閉之開口，藉著調整其開口面積，來控制從筒狀體4往被蒸鍍體2氣化的蒸鍍材料之流量。此開口，係因應筒狀體4的開口部41的形狀所設定，形成為以修正板5的重心為中心之點對稱的形狀，以使經氣化的蒸鍍材料均勻地釋放出。另，圖1中，雖顯示具有1個開口之構成，但開口亦可為複數。又，在同圖中，雖顯示與擴散板6同形狀之修正板5，但並不限於此，例如使用多數的孔部遍佈整面所形成之修正板5時，在此修正板5上載置有擴散板6，以堵塞一部分的孔部。
擴散板6，如圖2所示，係直線邊以及圓弧邊所構成之半月形的板材，並由熱擴散性優良的鋁等金屬材料等所形成。擴散板6，其直線邊以與筒狀體4的開口部41之長邊約略相同長度之方式形成。在本實施形態中，成對的擴散板6(以下稱為擴散板對60)，係以圓弧邊對向之狀態，在被蒸鍍體2的運送方向之上游側與下游側在同一平面上互相離間而配置在修正板5上。根據此構成，設置在修正板5的被蒸鍍體2側之擴散板6，使來自成為熱源的蒸發源3以及筒狀體4之輻射熱不易傳導至被蒸鍍體2，因此即使被蒸鍍體2接近蒸發源3以及筒狀體4，亦可抑制被蒸鍍體2的溫度上升。其結果，即使蒸鍍裝置1以高溫高速將蒸鍍材料32蒸鍍在被蒸鍍體2上時，蒸鍍在被蒸鍍體2上的薄膜之膜質不易劣化，可有效率地生產可靠度高的被蒸鍍體2。
又，在本實施形態中，藉由在修正板5上配置於被蒸鍍體2的運送方向的上游側之擴散板6，可抑制設於被蒸鍍體2上的遮罩(不圖示)之膨脹。 又，藉由配置於下游側之擴散板6，可抑制附著在被蒸鍍體2的蒸鍍材料32再次氣化。因此，可得到圖案成形正確且均勻厚度之蒸鍍膜。
再者，使用半月形的擴散板對60，當以一定速度移動被蒸鍍體2時，沿著被蒸鍍體2的運送方向之中央部通過開口部41之時間縮短，垂直於運送方向的被蒸鍍體2之兩端部通過開口部41之時間增長。通常，開口部41，越靠中心側經氣化的蒸鍍材料32之濃度越高，因此以開口部41未遮蔽之狀態進行直列型蒸鍍時，被蒸鍍體2的中央部之蒸鍍密度提高，此部分中所形成的蒸鍍膜之膜厚增厚。相對於此，使用上述的擴散板對60，可抑制被蒸鍍體2的中央部之蒸鍍密度，作為被蒸鍍體2整體可使蒸鍍膜之膜厚均勻化。
又，在本實施形態中，同形狀的擴散板對60疊層有複數對，圖例中為3對，其等具有於俯視下為重複之部分。如此，用以將輻射熱擴散之擴散板6(擴散板對60)的體積以及表面積增大，因此可使來自蒸發源3以及筒狀體4的輻射熱有效地擴散，可更有效地抑制被蒸鍍體2之溫度上升。
在如此構成的蒸鍍裝置1中，當將蒸鍍材料32蒸鍍在被蒸鍍體2上時，首先分別將蒸鍍材料32收納於各蒸發源3的加熱容器31中，以一定速度運送被蒸鍍體2，並使腔室內減壓。其次，使各蒸發源3的蒸發源加熱器33發熱，來將各蒸鍍材料32加熱，並且將筒狀體4加熱至不會因加熱器43使蒸鍍材料32氣化且分解等程度之溫度。而若利用各蒸發源3的蒸發源加熱器33進行加熱，使各蒸鍍材料32氣化，則經氣化的蒸鍍材料32，直接或在筒狀體4的內壁面被反射，並且往開口部41方向行進，從修正板5的開口釋放出，依序沉積於移動的被蒸鍍體2的表面。
將複數的如此構成的蒸鍍裝置1配置於生產線，在以上的溫度條件之下，製作出如圖3所示的有機電致發光元件102。在本實施形態中，為了提升生產力，必須以高速將有機材料蒸鍍在被蒸鍍體2上，並將蒸發源3的加熱溫度設定為比有機材料的昇華溫度高80℃之溫度(例如200~300℃)。 另一方面，筒狀體4的加熱溫度亦作為經氣化的有機材料不會附著之溫度，設定為比有機材料的昇華溫度高80℃之溫度。
首先，在設有銦錫氧化物21的基板20(被蒸鍍體2)上，形成30nm的4,4’-雙[N-(萘基)-N-苯胺基](以下稱為α-NPD)與三氧化鉬(以下稱為MoO3 )之共蒸鍍體，以作為電洞注入層22a。其次，於其上形成40nm的α-NPD，以作為電洞輸送層23a。接著，於其上形成20nm的將紅螢烯7質量%共蒸鍍在Alq3 之層，以作為發光層24a。接著，於其上形成以10質量%bis[(4,6-difluorophenyl)-pyridinato-N,C2'](picolinate)iridium(III)(FIrpic)共蒸鍍在4,4’-雙(2,2-二苯基-乙烯-1-基)二苯基(4,4’-bis(2,2’-diphenyl-ethene-1-yl)-diphenyl，BPVBI)而得之20nm層，以作為發光層24b。然後於其上形成30nm的Alq3 ，以作為電子輸送層25a；再形成3nm的Li2 MoO4 ，以作為電子注入層26a。其次，形成1nm的Mg，以作為中間層27a。接著，形成3nm的銦錫氧化物，以作為中間層27b。其次，形成1nm的金屬氧化物即MoO3 ，以作為電洞注入層22b；形成40nm的α-NPD，以作為電洞輸送層23b。然後，於其上形成以3質量%之4-(Dicyanomethylene)-2-methyl-6-(julolidin-4-yl-vinyl)-4H-pyran(DCM2)共蒸鍍在BPVBI而得之20nm之層，以作為發光層24c。其次，於其上形成30nm的Alq3 ，以作為電子輸送層25b。其後，形成100nm的當作陰極28的鋁，以作為有機電致發光元件102。
在該有機電致發光元件102之製作中，各蒸鍍裝置1的修正板5之溫度，和與其相接之筒狀體4相同，成為比蒸鍍材料32的昇華溫度高80℃之溫度。相對於此，擴散板6之溫度為100~200℃左右。又，被蒸鍍體2，在直線型蒸鍍之過程中，連續運送至複數的蒸鍍裝置1，因此即使受到來自各蒸鍍裝置1的熱，其溫度亦抑制在60℃以下。另一方面，不使用擴散板6的直線型蒸鍍中，被蒸鍍體2的溫度達到100℃。而使用了本實施形態的蒸鍍裝置1之直線型蒸鍍中，相較於不使用擴散板6的直線型蒸鍍之情形，所製作的有機電致發光元件102的外部量子效率改善了15%。亦即，顯示了藉由使用本實施形態的蒸鍍裝置1，可抑制被蒸鍍體2之溫度上升，且可 提高利用被蒸鍍體2之裝置之性能。
另，蒸鍍裝置1，並不限於上述構成的有機電致發光元件102。例如，圖例的構成雖為中間層插設於複數的發光層之間之2層構成，但亦可為1層構成，亦可為3層構成以上。又，構成各有機層的材料，並不限於上述材料，能使用可用於蒸鍍之任何材料。
參照圖4以及圖5來說明本實施形態的蒸鍍裝置1之變形例。該變形例之蒸鍍裝置1，疊層有複數個擴散板對60；被蒸鍍體2側的擴散板對60之離間距離，大於蒸發源3側的擴散板對60之離間距離。
來自蒸發源3以及筒狀體4的輻射熱，越接近之則變得越大。因此，在接近蒸發源3以及筒狀體4側，設置尺寸相對較大的擴散板6，即使設於被蒸鍍體2側的擴散板6較小，亦可抑制被蒸鍍體2的溫度上升。又，將被蒸鍍體2側的較小的擴散板6配置於修正板5的周緣部之上方，各擴散板6從修正板5側往被蒸鍍體2側成階梯狀展開，從開口部41釋放出的蒸鍍材料32成放射狀擴散。其結果，可令蒸鍍在被蒸鍍體2上的蒸鍍材料32的蒸鍍濃度均勻。
參照圖6以及圖7來說明本發明第2實施形態的蒸鍍裝置。實施形態的蒸鍍裝置1，包含冷卻裝置8。此冷卻裝置8為水冷機構，具體而言，係在被蒸鍍體2的運送方向的下游側，接近被蒸鍍體2的擴散板6上配置水冷配管81，於該水冷配管81內填充有冷卻水等液體，此液體藉由泵浦80循環於水冷配管81內。水冷配管81成蛇行狀佈設在擴散板6上。另，在此，雖顯示水冷配管81外裝於擴散板6的被蒸鍍體2側之頂面之構成，但水冷配管81亦可內裝於擴散板6內。
根據該蒸鍍裝置1，藉由冷卻裝置8使擴散板6冷卻，因此來自蒸發源3等之輻射熱更不易傳導至被蒸鍍體2，可更確實地抑制被蒸鍍體2的溫度上升。另，該冷卻裝置8並不限於設置在被蒸鍍體2的運送方向的下游側， 可設置在上游側，亦可設置在其兩側。冷卻裝置8並不限於上述的水冷機構，例如亦可為壓縮機以及利用冷媒氣體等之電氣式冷卻裝置。
參照圖8以及圖9來說明本發明第3實施形態的蒸鍍裝置。實施形態的蒸鍍裝置1，係擴散板6具有比筒狀體4的開口部41的周緣更往外方延伸之延伸部61；且更包含冷卻板9，設於在俯視下與擴散板6的延伸部61重複之位置上。作為冷卻板9，例如使用具有上述第2實施形態中所說明的水冷機構之水冷板。另，在此，省略了電源44或筒狀體溫度控制器46等一部分構成之圖示。
該冷卻板9，由具有與擴散板6同等以上的熱擴散性之材料所形成，並將來自擴散板6的熱排出。較佳為：冷卻板9以包夾被蒸鍍體2的運送通路之上方以及下方之方式，配置於被蒸鍍體2的運送方向之上游側以及下游側雙方。其結果，擴散板6的溫度下降，可更加抑制被蒸鍍體2的溫度上升。又，藉由延伸部61使擴散板6的表面積增大，因此可有效地使擴散板6的熱移動至冷卻板9。
又，冷卻板9具有與擴散板6連接之連接部91。此連接部91，係從配置於被蒸鍍體2的運送通路之下方的冷卻板9的頂面往被蒸鍍體2方向，以與擴散板6的端部接觸之方式延伸。熱從擴散板6傳導至冷卻板9。因此，可提升從擴散板6往冷卻板9的熱的傳導性，可降低擴散板6的溫度。另，上述第2實施形態中所說明的冷卻裝置8，亦可配置於該冷卻板9。
配置於被蒸鍍體2的運送通路之下方的冷卻板9，宜形成於比擴散板6更靠近蒸發源3側。被蒸鍍體2通過擴散板6的上方，因此將冷卻板9設於蒸發源3側，相較於設於被蒸鍍體2側，可使擴散板6的熱更有效率地移動至冷卻板9。
又，在本實施形態中，擴散板6具有在俯視下與筒狀體4重複之位置上施有鏡面化處理之鏡面區域6a。如此，令擴散板6的表面為鏡面，因此 擴散板6的表面之輻射率為0.1~0.3之較低值。從而，令在俯視下與筒狀體4重複之位置為鏡面區域6a，因此可抑制從筒狀體4往擴散板6的熱輻射。又，該鏡面區域6a，在蒸鍍時，係接近被蒸鍍體2的部分，因此亦可抑制從擴散板6往被蒸鍍體2之熱輻射，可更加抑制被蒸鍍體2的溫度上升。
再者，擴散板6具有在俯視下與冷卻板9重複之位置上施有粗面化處理之粗面區域6b。該粗面區域6b，宜設置於：在該擴散板6的表面之中與冷卻板9對向之面上。又，若擴散板6有複數個，則粗面區域6b至少設置在最接近冷卻板9的擴散板6上即可。如此，令擴散板6的表面為粗面，因此擴散板6的表面之輻射率為0.6~1之較高值。從而，令在俯視下與冷卻板9重複之位置為粗面區域6b，因此從擴散板6往冷卻板9的熱移動增加。其結果，擴散板6的溫度下降，可抑制被蒸鍍體2的溫度上升。
又，修正板5，具有從修正板5的開口部側端部往被蒸鍍體2方向延伸之開口延伸部51。藉由該開口延伸部51，可抑制蒸鍍材料32附著擴散板6上。
另，本發明並不限於上述實施形態，可為各種變形。例如，在上述實施形態中，雖顯示了對於蒸鍍裝置1運送被蒸鍍體2之構成，但亦可使蒸鍍裝置1對於被蒸鍍體2移動。又，在修正板5上，亦可在沿著被蒸鍍體2的運送方向上更設置另一擴散板6。在此情形，例如以在俯視時覆蓋長方形狀的筒狀體4的短邊方向之周緣(參照圖2)之方式，設置長條的擴散板6。又，擴散板6，亦可設置用以使附著在擴散板6的表面之蒸鍍材料32氣化而加以除去之另外的加熱機構。擴散板6的形狀並不限於上述的半月形，例如亦可為三角形等。
本申請案係基於日本特許出願2011~194294號，其內容藉著參照上述特許出願的說明書以及圖式而納入本申請案發明中。
1‧‧‧蒸鍍裝置(直列型蒸鍍裝置)
2‧‧‧被蒸鍍體
3‧‧‧蒸發源
31‧‧‧加熱容器
32‧‧‧蒸鍍材料
33‧‧‧蒸發源加熱器
34‧‧‧電源
35‧‧‧溫度計
36‧‧‧蒸發源溫度控制器
37‧‧‧蒸鍍速度控制器
4‧‧‧筒狀體
41‧‧‧開口部
42‧‧‧底部
43‧‧‧加熱器
44‧‧‧電源
45‧‧‧溫度感測器
46‧‧‧筒狀體溫度控制器
47‧‧‧側面開口部
5‧‧‧修正板
6‧‧‧擴散板(輻射熱擴散板)
7‧‧‧膜厚計
60‧‧‧擴散板對

Claims (13)

  1. 一種直列型蒸鍍裝置，包含：蒸發源，用以將蒸鍍材料蒸鍍在被蒸鍍體上；筒狀體，包圍該蒸發源以及該被蒸鍍體之間的空間，於該被蒸鍍體側具有開口部；以及修正板，設於該筒狀體的開口部附近，以控制從該筒狀體放射出的該蒸鍍材料之量；該直列型蒸鍍裝置之特徵在於：該筒狀體具有將該筒狀體內部予以加熱的加熱器，在比該修正板更靠該被蒸鍍體側，設有輻射熱擴散板。
  2. 如申請專利範圍第1項之直列型蒸鍍裝置，其中，該輻射熱擴散板具有冷卻裝置。
  3. 如申請專利範圍第2項之直列型蒸鍍裝置，其中，該冷卻裝置為水冷機構。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之直列型蒸鍍裝置，其中包含：複數的該輻射熱擴散板；該複數的輻射熱擴散板，具有於俯視下為重複之部分。
  5. 如申請專利範圍第4項之直列型蒸鍍裝置，其中，該複數的輻射熱擴散板，係於該被蒸鍍體的運送方向之上游側與下游側在同一平面上互相離間配置，而形成擴散板對。
  6. 如申請專利範圍第5項之直列型蒸鍍裝置，其中，該擴散板對疊層有複數個；該被蒸鍍體側的擴散板對之離間距離，大於該蒸發源側的擴散板對之離間距離。
  7. 如申請專利範圍第1至3中任一項之直列型蒸鍍裝置，其中，該輻射熱擴散板具有：比該筒狀體的開口部的周緣更往外方延伸之延伸部。
  8. 如申請專利範圍第7項之直列型蒸鍍裝置，其中，更包含冷卻板，設於在俯視下與該輻射熱擴散板的延伸部重複之位置上；該冷卻板，將來自該輻射熱擴散板的輻射熱加以排出。
  9. 如申請專利範圍第8項之直列型蒸鍍裝置，其中，該冷卻板具有與該輻射熱擴散板連接之連接部；該連接部，將熱從該輻射熱擴散板傳導至該冷卻板。
  10. 如申請專利範圍第8項之直列型蒸鍍裝置，其中，該冷卻板，形成於比該輻射熱擴散板更靠近該蒸發源側。
  11. 如申請專利範圍第8項中任一項之直列型蒸鍍裝置，其中，該輻射熱擴散板具有鏡面區域，該鏡面區域在俯視下與該筒狀體重複之位置上施有鏡面化處理。
  12. 如申請專利範圍第8項中任一項之直列型蒸鍍裝置，其中，該輻射熱擴散板具有粗面區域，該粗面區域在俯視下與該冷卻板重複之位置上施有粗面化處理。
  13. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之直列型蒸鍍裝置，其中，該修正板具有：從該修正板的開口部側端部往該被蒸鍍體方向延伸之開口延伸部。
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