TWI564411B - 蒸鍍設備與蒸鍍方法 - Google Patents

Description

蒸鍍設備與蒸鍍方法

本揭露是有關於一種蒸鍍設備以及蒸鍍方法，且特別是有關於一種可以製作多重蒸鍍材料層的蒸鍍設備以及蒸鍍方法。

鍍膜技術大致可分為物理氣相沈積(Physical Vapor Deposition,PVD)以及化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition,CVD)。前者主要是藉由物理現象進行薄膜沈積，而後者主要是以化學反應的方式進行薄膜沈積。其中，物理氣相沈積更以蒸鍍(evaporation)及濺鍍(sputtering)為目前的主流。此兩種技術之共同點就是以物理現象的方式來進行薄膜沉積。就蒸鍍而言，其原理大抵是藉著對被蒸鍍物體進行加熱，並利用被蒸鍍物在高溫(接近其熔點)時所具備的飽和蒸氣壓，來進行薄膜的沉積。

蒸鍍技術的應用廣泛，如有機發光二極體(organic light emitting diode,OLED)便可採用蒸鍍技術來製作有機化合物層或是相關的電極層。然而，現行蒸鍍技術仍然存在難以製作大面積元件、材料容易因高溫劣化、蒸鍍膜厚不均、材料利用率低等問題。尤其是，在以現行蒸鍍技術製作多層不同材質的蒸鍍材料層 時不同材質的蒸鍍必須在不同蒸鍍站位中進行或是在同一個站位中更換源材料載具。此時，蒸鍍設備將無法簡化且製作流程也變得複雜。

本揭露提供一種蒸鍍設備，具有簡化的設備設計即可以達到多材料的蒸鍍製作。

本揭露提供一種蒸鍍方法，可以藉由簡易的製程步驟製作多個不同材質的蒸鍍材料層。

本揭露提出一種蒸鍍設備，用以對一基板進行蒸鍍。蒸鍍設備包括一加熱器、一源材料載具以及多個源材料圖案層。源材料載具具有沿著一第一方向併排排列的多個源材料配置區，且源材料配置區彼此間隔一距離。在蒸鍍設備進行蒸鍍時，沿著第一方向排列的源材料配置區依序地位移至基板與加熱器之間。源材料圖案層分別設置於源材料配置區中。其中兩個源材料配置區中的兩個源材料圖案層具有不同材質。

本揭露另提出一種蒸鍍方法。首先，提供一源材料載具。源材料載具具有沿著一第一方向併排排列的多個源材料配置區，並且多個源材料圖案層分別設置於源材料配置區中。其中兩個源材料配置區中的兩個源材料圖案層具有不同材質。設置一基板於一加熱器上方。啟動加熱器並且使源材料載具的源材料配置區依序地位移至基板與加熱器之間，以使配置於源材料配置區上的源 材料圖案層依序受到蒸鍍而在基板上分別形成多個蒸鍍材料層。各蒸鍍材料層的厚度正比於對應的源材料圖案層的尺寸。

基於上述，本揭露實施例的源材料載具上配置有多個並列排列的源材料圖案層，且相鄰的源材料圖案層的材質不相同。如此，本揭露實施例的蒸鍍設備不需要多個蒸鍍腔或是多個源材料載具就可以於欲蒸鍍的基板上形成多層蒸鍍材料層。換言之，本揭露實施例的蒸鍍設備可以僅使用一個源材料載具來原地(in situ)形成多層蒸鍍材料層，這有助於縮減多層蒸鍍材料層的製作時程以及簡化蒸鍍設備。

為讓本揭露之上述特徵能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

10、20‧‧‧基板

12‧‧‧第一蒸鍍材料層

14‧‧‧第二蒸鍍材料層

100、200‧‧‧蒸鍍設備

110、210‧‧‧加熱器

120、220、300、400、500、600、800‧‧‧源材料載具

122、222、302、304、308、308‧‧‧源材料配置區

130、230、310、320、330、340、410、510、610‧‧‧源材料圖案層

132‧‧‧第一源材料圖案層

134‧‧‧第二源材料圖案層

136‧‧‧第三源材料圖案層

240‧‧‧屏蔽構件

242‧‧‧開口

322、332、342‧‧‧第一源材料圖案

324、334、344‧‧‧第二源材料圖案

512、612‧‧‧源材料圖案

810‧‧‧承載板

820‧‧‧吸熱層

830‧‧‧表面層

D1‧‧‧第一方向

d‧‧‧距離

H‧‧‧高度

S‧‧‧空間

T1、T2‧‧‧厚度

W1、W2、W3‧‧‧寬度

圖1與圖2為本揭露一實施例的蒸鍍設備的示意圖。

圖3為本揭露另一實施例的蒸鍍設備的示意圖。

圖4繪示為本揭露一實施例的多個源材料圖案層配置於源材料載具上的上視示意圖。

圖5至圖7繪示為本揭露多個實施例的源材料圖案層配置於源材料載具上的剖面示意圖。

圖8繪示為本揭露一實施例的源材料載具的剖面示意圖。

圖1與圖2為本揭露一實施例的蒸鍍設備的示意圖。請 參照圖1，蒸鍍設備100用以對一基板10進行蒸鍍。蒸鍍設備100包括一加熱器110、一源材料載具120以及多個源材料圖案層130。源材料載具120具有沿著一第一方向D1併排排列的多個源材料配置區122，且源材料配置區122彼此間隔一距離d。源材料圖案層130配置於源材料載具120之面向基板10的表面上並且分別設置於源材料配置區122中。

在此，源材料載具120實質上為一承載板，並且此承載板可以為平板狀或是捲帶狀，但本揭露不以此為限。並且，蒸鍍設備100可以更包括有輸送裝置(未繪示)。在蒸鍍設備100進行蒸鍍時，沿著第一方向D1排列的源材料配置區122會透過輸送裝置(未繪示)的操作而依序地位移至基板10與加熱器110之間。在一實施例中，加熱器110與基板10可以設置於固定的位置，而輸送裝置(未繪示)可以直接輸送源材料載具120，讓源材料載具120在加熱器110上方移動。或是，加熱器110與基板10可以透過輸送裝置移動，而源材料載具120固定不動以使源材料配置區122依序地位移至基板10與加熱器110之間。

在蒸鍍設備100進行蒸鍍時，可以先將基板10設置於加熱器110上方。接著，將設置有源材料圖案層130的源材料載具120提供至蒸鍍設備100中，其中源材料載具120可以藉由前述的輸送裝置(未繪示)位移至基板10與加熱器110之間。然後，啟動加熱器110使得位在加熱器110上方的源材料配置區122被加熱器110加熱至一製程溫度。當製程溫度高於此一源材料配置區122 上所配置的源材料圖案層130的昇華溫度，則可以將此一源材料配置區122上所配置的源材料圖案層130蒸鍍至基板10上。另外，源材料載具120持續位移而使下一個源材料配置區122位移至基板10與加熱器110之間時，下一源材料配置區122上所配置的源材料圖案層130會接續地蒸鍍至基板10上。

另外，將設置有多個源材料圖案層130的源材料載具120提供至蒸鍍設備100中的方法可以是透過輸送裝置移動基板10以及加熱器110並且使得源材料載具120固定不動。如此一來，基板10以及加熱器110可以被移動至源材料圖案層130的任何一個源材料圖案層130所在位置以進行對應的材料的蒸鍍。

蒸鍍設備100可以應用於各種膜層的製作。舉例而言，蒸鍍設備100用來製作有機發光二極體中的電極層、載子傳輸層、有機發光層、載子注入層或是其他膜層。當蒸鍍設備應用於製作有機發光二極體時，源材料圖案層130的材質包括有機發光材料、有機載子傳輸材料、有機載子注入材料。在此，所謂的載子包括有電子或是電洞，但本揭露不以此為限。當然，上述材質與製程溫度僅是舉例說明之用，並非用以限定本揭露。凡是使製程溫度不低於源材料圖案層130的昇華溫度且不損壞源材料載具120即為可採用的製程條件。本揭露不須特別地限定源材料圖案層130的數量。不過，為了方便說明，在本實施例中，以第一源材料圖案層132、第二源材料圖案層134以及第三源材料圖案層136來具體說明源材料圖案層130的排列與配置。在其他的實施例中，源 材料圖案層130與源材料配置區122的數量可以為四或是四個以上，並且源材料圖案層130分別配置於源材料配置區122中。換言之，源材料載具120上設置有源材料圖案層130的區域即定義為源材料配置區122。

具體而言，第一源材料圖案層132與第二源材料圖案層134位於其中兩個相鄰的源材料配置區122中，並且第一源材料圖案層132與第二源材料圖案層134具有不同材質。另外，第二源材料圖案層134與第三源材料圖案層136位於其中兩個相鄰的源材料配置區122中，並且第三源材料圖案層136與第一源材料圖案層132具有相同材質。在蒸鍍設備100進行蒸鍍時，源材料載具120被沿著第一方向D1牽引或是位移。如此，如圖1所示，第一源材料圖案層132會先位移至基板10與加熱器110之間而被蒸鍍至基板10上。此時，基板10上形成有由第一源材料圖案層132蒸鍍而成的第一蒸鍍材料層12。

接著，如圖2所示，源材料載具120繼續被沿著第一方向D1牽引或位移可讓第二源材料圖案層134位移至基板10與加熱器110之間。此時，第二源材料圖案層134被蒸鍍至基板10上而構成第二蒸鍍材料層14。也就是說，藉由上述步驟的進行，配置於源材料配置區122上的第一源材料圖案層132、第二源材料圖案層134會依序受到蒸鍍而在基板10上分別形成第一蒸鍍材料層12與第二蒸鍍材料層14。當然，第三源材料圖案層136會接續地被蒸鍍至基板10上而形成另一蒸鍍材料層(未繪示)。

由於第一源材料圖案層132與第二源材料圖案層134的材質不同，第一蒸鍍材料層12與第二蒸鍍材料層14也具有不同材質。因此，本實施例的蒸鍍設備100可以原地進行多層蒸鍍材料層(例如12與14)的製作，這使得蒸鍍製程簡化並縮減製作時程。

另外，在本實施例中，第一源材料圖案層132與第二源材料圖案層134為不同材質，因此第一源材料圖案層132與第二源材料圖案層134會具有不同的物理性質，例如基於有機分子間極性不同導致的有機分子的排列密度不一樣。因此，第一源材料圖案層132與第二源材料圖案層134經由蒸鍍而累積在基板10的膜層厚度可能會相同也可能會不同。

在本實施例中，雖然圖1表示為第一源材料圖案層132在第一方向D1上的寬度W1大於第二源材料圖案層134在第一方向D1上的寬度W2，而圖2表示為第一蒸鍍材料層12的厚度T1可以大於第二蒸鍍材料層14的厚度T2。可是，在具體實施時，第一源材料圖案層132的寬度不必然大於第二源材料圖案層134的尺寸也可以實現第一蒸鍍材料層12的厚度T1可以大於第二蒸鍍材料層14的厚度T2。換言之，第一蒸鍍材料層12與第二蒸鍍材料層14的厚度可以藉由第一源材料圖案層132與第二源材料圖案層134的材質特性與尺寸大小來決定。不過，兩個源材料圖案層130為不同材質時，第一蒸鍍材料層12與第二蒸鍍材料層14的厚度不必然正比於對應的源材料圖案層130的尺寸大小。

當兩個源材料圖案層130為相同材質，以第一源材料圖 案層132與第三源材料圖案層136為例，兩個源材料圖案層130的物理性質大致相同。此時，如果第一源材料圖案層132與第三源材料圖案層136具有不同尺寸，第一源材料圖案層132與第三源材料圖案層136經由蒸鍍而累積在基板10的膜層厚度便會有所不同。一般來說，在材質相同的條件下所形成的蒸鍍材料層的厚度大致上會正比於第一源材料圖案層132與第三源材料圖案層136的尺寸。

蒸鍍材料層12或14的厚度相關於對應的源材料圖案層130的寬度，也相關於對應的源材料圖案層130的膜厚。因此，在其他的實施例中，第一源材料圖案層132、第二源材料圖案層134與第三源材料圖案層136的尺寸可以藉由膜層厚度來調整而彼此相同或是有所不同。也就是說，在其他的實施例中，第一源材料圖案層132、第二源材料圖案層134與第三源材料圖案層136可以具有相異的厚度，而不需具有相異的寬度。或是，第一源材料圖案層132、第二源材料圖案層134與第三源材料圖案層136既具有相異的厚度也具有相異的寬度。

在本實施例中，蒸鍍設備100進行蒸鍍時，源材料載具120沿著第一方向D1位移的速率可以為等速率或是變速率。並且，源材料載具120沿著第一方向D1牽引或位移時，加熱器110可以維持在被啟動的狀態，因而持續地加熱源材料載具120以進行蒸鍍。也就是說，蒸鍍設備100是一種連續式蒸鍍設備，且不同材質的第一與第二蒸鍍材料層12與14是接續地被蒸鍍於基板 10上。如此一來，使用蒸鍍設備100進行蒸鍍時不需為了蒸鍍不同材質的膜層而更換源材料載具120，也不須將基板10在不同蒸鍍站位或不同蒸鍍腔室中移動。

在本實施例中，如圖1所示，相鄰源材料配置區122之間相隔距離d。另外，基板10與源材料載具120之間相隔一高度H。藉由適當地調整高度H與距離d之間的比值可以避免第一源材料圖案層132與第二源材料圖案層134的材質彼此混染而影響第一蒸鍍材料層12與第二蒸鍍材料層14的特性。在一實施例中，高度H與距離d之間呈現正相關，並且高度H越高則距離d可以設置越大，藉以降低汙染問題。並且，加熱器110的加熱面積實質上可以小於源材料配置區122的面積，藉此降低加熱區110同時加熱不同源材料配置區122而造成材料混染的機率。

圖3為本揭露另一實施例的蒸鍍設備的示意圖。請參照圖3，用以對一基板20進行蒸鍍的蒸鍍設備200可以包括一加熱器210、一源材料載具220、多個源材料圖案層230以及一屏蔽構件240。源材料載具220具有沿著一第一方向D1併排排列的多個源材料配置區222。源材料圖案層230分別設置於源材料配置區222中，且相鄰兩個源材料配置區222中的兩個源材料圖案層230具有不同材質。屏蔽構件240圍設出一空間S，而基板20以及加熱器210都設置於此空間S中。源材料載具220適於橫越此空間S並在此空間S中沿著第一方向D1移動。

屏蔽構件240在此例如具有位於相對兩側的兩開口 242，且源材料載具220穿過此兩開口242以橫越空間S。舉例而言，屏蔽構件240可以是由檔板或是布幕所構成的或是屏蔽構件240可以為一外型固定的腔室。屏蔽構件240的設置有助於避免外界物質的汙染而提升蒸鍍製程的良率。

在蒸鍍設備200進行蒸鍍時，沿著第一方向D1排列的源材料配置區222可以依序地位移至空間S內部的基板20與加熱器210之間。此時，加熱器210啟動使得位在空間S內的源材料配置區222被加熱，以將對應的源材料圖案層230被蒸鍍至基板20上。因此，在本實施例中，各個源材料配置區222在第一方向D上的寬度W3可選擇地不小於空間S的寬度，但本揭露不以此為限。在其他實施例中，寬度W3也可選擇地小於空間S的寬度。並且，蒸鍍設備200可以採用逐步蒸鍍的方式將源材料圖案層230蒸鍍於基板20上。

舉例而言，逐步蒸鍍的方式可以包括先將其中一個源材料配置區222移動至位於空間S內的基板20與加熱器210之間。接著，啟動加熱器210使此一源材料配置區222升溫至所需的製程溫度。在此，製程溫度例如是不低於此一源材料配置區222上的源材料圖案層230的昇華溫度。待此一源材料配置區222上的源材料圖案層230完全蒸鍍之後，可以將下一個源材料配置區222位移置空間S中的基板20與加熱器210之間。並且，在位移源材料配置區222的步驟期間，加熱器210可選擇地被關閉。如此一來，源材料配置區222的移動與加熱是在不同時間下進行，則不 同源材料配置區222上的源材料圖案層230不容易同時受到加熱而蒸鍍至基板20上，因而有助於避免材料混染的情形。另外，在位移源材料配置區222的步驟期間，加熱器210可選擇地保持開啟。也就是說，在蒸鍍期間，加熱器210可選擇地一直保持開啟。此時，屏蔽構件240可具有冷卻裝置(未繪示)，或是可以設置冷卻裝置於屏蔽構建240外圍，來防止加熱器210對尚未移動至空間S中的源材料圖案層230進行加熱。

與前述實施例相似地，源材料載具220可以為承載板，且可以選擇地為平板狀或是捲帶狀。另外，圖3雖然繪示著相鄰兩個源材料配置區222彼此緊鄰配置，但在其他實施例中相鄰兩個源材料配置區222可以相隔一距離，也就是說，這些源材料圖案層230不須佈滿源材料載具220的表面。

在上述所有實施例中，各個源材料圖案層130或230可以由單一材質所構成也可以由多種材質所構成。並且，各個源材料圖案層130或230可以藉由印刷法或塗佈法等形成於源材料載具120或220上。以下將搭配圖式進一步說明源材料圖案層130或230的配置。

圖4繪示為本揭露一實施例的多個源材料圖案層配置於源材料載具上的上視示意圖。請參照圖4，多個源材料圖案層310、320、330、340配置於源材料載具300上以定義出多個源材料配置區302、304、306與308。源材料圖案層310例如是由單一材質所構成，而源材料圖案層320、330與340各自由多種材質所構成。

以源材料圖案層320而言，源材料圖案層320包括有多個第一源材料圖案322以及多個第二源材料圖案324，其中第一源材料圖案322與第二源材料圖案324具有不同材質。第一源材料圖案322與第二源材料圖案324併排排列於對應的其中一個源材料配置區304中而構成一陣列。源材料圖案層320可以應用於前述圖1至圖3的實施例中以作為其中一個源材料圖案層130或230。

應用於前述圖1至圖3的實施例時，位於同一個源材料配置區304中的第一源材料圖案322與第二源材料圖案324可以同時被蒸鍍至基板10或20上以形成由兩種材質混合而成的蒸鍍材料層。在此，第一源材料圖案322以及第二源材料圖案324的比例可以決定蒸鍍材料層的組成成分。因此，本實施例可以藉由各圖案的尺寸、厚度或是數量的調整來改變第一源材料圖案322的整體體積以及第二源材料圖案324的整體體積以獲得所需蒸鍍材料層的組成成分。當然，本揭露不需限定源材料圖案層320僅包括兩種材質。在其他實施例中，可以由三種或是三種以上不同材質的源材料圖案以陣列排列方式來構成源材料圖案層320。

另外，本揭露不需限定多個源材料圖案排列成陣列的布局方式。以位於源材料配置區306的源材料圖案層330而言，源材料圖案層330可以包括有條狀的第一源材料圖案332與條狀的第二源材料圖案334。在此，第一源材料圖案332與第二源材料圖案334具有不同的材質。第一源材料圖案332與第二源材料圖案 334可各自平行於源材料載具300在蒸鍍製程中預定移動的方向(例如第一方向D1)。並且，第一源材料圖案332與第二源材料圖案334沿一第二方向D2交替排列，且第一方向D1與第二方向D2相互交錯，但本揭露不以此為限。

以源材料圖案層340而言，其包括有條狀的第一源材料圖案342與條狀的第二源材料圖案344，且第一源材料圖案342與條狀的第二源材料圖案344可各自平行於第二方向D2。並且，第一源材料圖案342與第二源材料圖案344沿第一方向D1交替排列。當然，上述源材料圖案的分布與排列僅是舉例說明之用，並非用以限定本揭露。舉例而言，在其他的實施例中，源材料圖案可以為不規則地分布於同一個源材料配置區。

除此之外，圖5至圖7繪示為本揭露多個實施例的源材料圖案層配置於源材料載具上的剖面示意圖。請參照圖5至圖7，源材料載具400上配置有層狀的源材料圖案層410。源材料載具500上所配置的源材料圖案層510由島狀的多個源材料圖案512所構成。另外，源材料載具600自身具有多個凹槽602而源材料圖案層610由多個填充於凹槽602中的源材料圖案612所構成。上述圖5至圖7的剖面結構中任何一者都可以為圖1至圖4中源材料圖案層130、230、310、320、330與340的實施方式。當然，上述源材料圖案的分布、排列與剖面僅是舉例說明之用，並非用以限定本揭露。舉例而言，在其他的實施例中，源材料圖案可以為不規則地分布於同一個源材料配置區。

上述實施例中，加熱器110與210例如可以提供平面熱源以提升源材料圖案層的使用率。舉例而言，加熱器110與210各自可以為加熱板、電熱絲、紅外線加熱器或是其他可以提供熱源的裝置。並且，上述實施例的源材料載具120與220可以搭配不同加熱器類型而有不同的設計。

當加熱器110或210為紅外線加熱器時，對應源材料載具120或220可以為複合式承載板。舉例而言，圖8繪示為本揭露一實施例的源材料載具的剖面示意圖。請參照圖8，源材料載具800為複合式承載板，其包括一承載板810、一吸熱層820以及一表面層830。吸熱層820夾於承載板810與表面層830之間，且源材料載具800應用於前述實施例時，源材料圖案層將以塗佈或是印刷等方式被配置於表面層830上。在此，吸熱層820的材質包括石墨、碳化矽、氮化鋁、二氧化矽等陶瓷材料，而承載板810的材質包括石英、玻璃、PET等紅外光可穿透材料。表面層830的材質包括銅、鋁、銀或其他熱傳導材料，其可以提供均溫作用使得所承載的源材料圖案層可以被均勻加熱。當然，表面層830的材質也可以是陶瓷材料，且表面層830可以為透明的或是不透明的。

吸熱層820的設置有助於提升源材料載具800的熱吸收效率。並且，當配置於表面層830上的源材料圖案層沒有完全佈滿而使源材料載具800局部暴露出來時，吸熱層820的設置可以避免紅外線加熱器所提供的紅外線穿過源材料載具800而直接照 射於欲蒸鍍的基板上。因此，吸熱層820的設置還有助於降低欲蒸鍍的基板受熱損壞或變質的機率。

綜上所述，本揭露實施例的蒸鍍設備與蒸鍍方法可以使用單一源材料載具來製作多個不同材質的蒸鍍材料層並且這些蒸鍍材料層可以連續地蒸鍍於欲蒸鍍的基板上。因此，本揭露實施例的蒸鍍設備與蒸鍍方法不須使欲蒸鍍的基板在不同蒸鍍站位之間移動也不需要更換源材料載具，使得蒸鍍設備與蒸鍍方法可以更為簡化。另外，加熱器提供平面熱源還可提升源材料圖案層的使用率。

雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧基板

12‧‧‧第一蒸鍍材料層

100‧‧‧蒸鍍設備

110‧‧‧加熱器

120‧‧‧源材料載具

122‧‧‧源材料配置區

130‧‧‧源材料圖案層

132‧‧‧第一源材料圖案層

134‧‧‧第二源材料圖案層

136‧‧‧第三源材料圖案層

D1‧‧‧第一方向

d‧‧‧距離

H‧‧‧高度

W1、W2‧‧‧寬度

Claims (30)

1. 一種蒸鍍設備，用以對一基板進行蒸鍍，該蒸鍍設備包括：一加熱器；一源材料載具，具有沿著一第一方向併排排列的多個源材料配置區，其中在該蒸鍍設備進行蒸鍍時，沿著該第一方向排列的該些源材料配置區依序地位移至該基板與該加熱器之間；以及多個源材料圖案層，分別設置於該些源材料配置區中，其中兩個源材料配置區中的兩個源材料圖案層具有不同材質。
2. 如申請專利範圍第1項所述之蒸鍍設備，其中該相鄰兩個源材料配置區中的該兩個源材料圖案層在該第一方向上具有不同寬度。
3. 如申請專利範圍第1項所述之蒸鍍設備，其中該相鄰兩個源材料配置區中的該兩個源材料圖案層具有不同厚度。
4. 如申請專利範圍第1項所述之蒸鍍設備，其中該些源材料圖案層至少一者包括多個第一源材料圖案以及多個第二源材料圖案，該些第一源材料圖案與該些第二源材料圖案具有不同材質並且併排排列於對應的其中一個源材料配置區中使得該些第一源材料圖案與該些第二源材料圖案實質上同時被蒸鍍至該基板上。
5. 如申請專利範圍第4項所述之蒸鍍設備，其中該些第一源材料圖案與該些第二源材料圖案沿該第一方向交替排列。
6. 如申請專利範圍第4項所述之蒸鍍設備，其中該些第一源材料圖案與該些第二源材料圖案沿一第二方向交替排列，且該第 一方向與該第二方向相互交錯。
7. 如申請專利範圍第4項所述之蒸鍍設備，其中該些第一源材料圖案與該些第二源材料圖案排列成陣列。
8. 如申請專利範圍第1項所述之蒸鍍設備，其中該加熱器的加熱面積實質上小於該些源材料配置區的面積。
9. 如申請專利範圍第1項所述之蒸鍍設備，其中該加熱器包括一紅外線加熱器。
10. 如申請專利範圍第9項所述之蒸鍍設備，其中該源材料載具包括一承載板。
11. 如申請專利範圍第10項所述之蒸鍍設備，其中該源材料載具更包括一吸熱層以及一表面層，該吸熱層夾於該承載板與該表面層之間，且該些源材料圖案層配置於該表面層上。
12. 如申請專利範圍第11項所述之蒸鍍設備，其中該吸熱層的材質包括石墨、碳化矽、氮化鋁、二氧化矽等陶瓷材料。
13. 如申請專利範圍第10項所述之蒸鍍設備，其中該承載板的材質包括石英、玻璃、PET等紅外光可穿透材料。
14. 如申請專利範圍第10項所述之蒸鍍設備，其中該表面層的材質包括銅、鋁、銀或其他熱傳導材料。
15. 如申請專利範圍第1項所述之蒸鍍設備，更包括一屏蔽構件，該屏蔽構件圍設出一空間，而該基板以及該加熱器皆設置於該空間中，且該源材料載具適於橫越該空間並在該空間中沿著該第一方向移動。
16. 如申請專利範圍第15項所述之蒸鍍設備，其中該屏蔽構件具有位於相對兩側的兩開口，且該源材料載具適於穿過該兩開口以橫越該空間。
17. 如申請專利範圍第1項所述之蒸鍍設備，更包括一屏蔽構件，該屏蔽構件圍設出一空間，而該基板以及該加熱器都設置於該空間中，且該源材料載具適於橫越該空間並在該空間中沿著該第一方向移動。
18. 如申請專利範圍第17項所述之蒸鍍設備，其中該屏蔽構件具有位於相對兩側的兩開口，且該源材料載具適於穿過該兩開口以橫越該空間。
19. 如申請專利範圍第17項所述之蒸鍍設備，其中各該源材料圖案層在該第一方向上的寬度不小於該空間的寬度。
20. 如申請專利範圍第17項所述之蒸鍍設備，其中該些源材料圖案層彼此相隔一距離。
21. 一種蒸鍍方法，包括：提供一源材料載具，該源材料載具具有沿著一第一方向併排排列的多個源材料配置區，並且多個源材料圖案層分別設置於該些源材料配置區中，其中兩個源材料配置區中的兩個源材料圖案層具有不同材質；設置一基板於一加熱器上方；以及啟動該加熱器並且使該源材料載具的該些源材料配置區依序地位移至該基板與該加熱器之間，以使配置於該些源材料配置區 上的該些源材料圖案層依序受到蒸鍍而在該基板上分別形成多個蒸鍍材料層。
22. 如申請專利範圍第21項所述之蒸鍍方法，其中該其中兩個源材料配置區中的該兩個源材料圖案層在該第一方向上具有不同寬度。
23. 如申請專利範圍第21項所述之蒸鍍方法，其中該其中兩個源材料配置區中的該兩個源材料圖案層具有不同厚度。
24. 如申請專利範圍第21項所述之蒸鍍方法，其中該些源材料圖案層至少一者包括多個第一源材料圖案以及多個第二源材料圖案，該些第一源材料圖案與該些第二源材料圖案具有不同材質並且併排排列於對應的其中一個源材料配置區中使得該些第一源材料圖案與該些第二源材料圖案實質上同時被蒸鍍至該基板上而在該基板上形成其中一個蒸鍍材料層，且該其中一個蒸鍍材料層的材質由該些第一源材料圖案與該些第二源材料圖案的材質混合而成。
25. 如申請專利範圍第21項所述之蒸鍍方法，其中該些源材料配置區在該加熱器被啟動時以等速率沿著該第一方向移動。
26. 如申請專利範圍第25項所述之蒸鍍方法，其中另外兩個源材料配置區中的兩個源材料圖案層具有相同材質時，各該蒸鍍材料層的厚度正比於對應的源材料圖案層的尺寸。
27. 如申請專利範圍第21項所述之蒸鍍方法，其中啟動該加熱器並且使該源材料載具的該些源材料配置區依序地位移至該基 板與該加熱器之間的步驟包括：將其中一個源材料配置區移動至該基板與該加熱器之間；以及啟動該加熱器使該其中一個源材料配置區升溫至一製程溫度。
28. 如申請專利範圍第27項所述之蒸鍍方法，其中該製程溫度不低於該其中一個源材料配置區上的該源材料圖案層的昇華溫度。
29. 如申請專利範圍第27項所述之蒸鍍方法，其中將該其中一個源材料配置區移動至該基板與該加熱器之間的步驟期間，關閉該加熱器。
30. 如申請專利範圍第21項所述之蒸鍍方法，其中該些源材料圖案層設置於該些源材料配置區中的方法包括印刷法或是塗佈法。