KR20120078721A - 기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 중간 캐리어를 사용해서 기판(7) 상에 유기 재료(6)를 국부적으로 증착하기 위한 방법 및 장치와 관련이 있으며, 이 경우 유기 재료(6)의 국부적인 증착은 중간 캐리어에 의하여 방사선에 의한 에너지 유입에 의해서 이루어진다. 상기 중간 캐리어는 미세 구조(microstructure)를 가지며, 상기 미세 구조에 의하여 유기 재료(6)가 미세 구조화된 상태로 중간 캐리어로부터 기판(7)으로 이송된다.
Description
본 발명은 미세 구조화된 중간 캐리어(마스크)를 사용해서 기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법에 관한 것이며, 이 경우 재료는 미세 구조화된 상태로 진공 증착된다.
본 발명은 또한 기판상에 재료를 미세 구조화된 상태로 국부적으로 증착하기 위한 장치와도 관련이 있다.
기판상에 재료를 미세 구조화된 상태로 증착하는 것은 오늘날에도 과도한 도전으로 여겨진다. 이와 같은 증착은 특히 비용을 줄이기 위한 제조 과정에서 높은 작업 처리량을 위해 적용된다. 그렇기 때문에 최대 작업 처리량을 위해서 최소로 원하는 구조 폭에 따라 다양한 리소그래피-방법이 개발되었다. 예를 들어 작업 처리량이 1E-4 m2/s 내지 1E-3 m2/s인 경우에는 10 ㎛까지의 최소 구조 폭을 위해서 레이저 제거(laser ablation)가 사용된다. 그와 달리 작업 처리량이 1E+1 m2/s 내지 1E+2 m2/s인 경우에는 10 내지 50 ㎛의 최소 구조 폭을 위해서 오프셋-프린팅(offset printing)이 적용된다.
유기 재료를 위해서는 또한 OLED-제조의 범주 안에 있는 다양한 패턴화 방법들이 공지되어 있다. 뛰어난 이미지 재생 그리고 단순한 기술적 구조로 인해 유기 발광 다이오드(OLED)를 스크린용으로 사용하는 것은 LCD 또는 플라즈마 스크린에 후속하는 기술로서 간주 된다. 예를 들어 LCD는 일반적으로 하나의 백색 광원, 조명 스위치(light switch)로서 이용되고 액정으로 이루어진 하나의 층 그리고 그 뒤에 접속된 컬러 필터로 이루어진다. 그와 달리 OLED는 특정 컬러에서 스스로 빛을 발하며, 외부 광원 및 컬러 필터도 필요로 하지 않는다.
휘어질 수 있는 캐리어 재료(가요성 기판, 박막)를 사용함으로써, OLED는 말아서 묶을 수 있는 스크린을 만들 수 있는 가능성 그리고 그로 인해 크기가 큰 스크린도 휴대 가능하게 할 수 있는 가능성을 열어준다.
OLED는 수백 나노미터의 적은 두께에 의해서 크기가 작고 휴대 가능한 장치, 예를 들어 노트북, 휴대폰 및 MP3-플레이어 안에 쉽게 삽입될 수 있다.
LCD와 비교되는 OLED-스크린의 한 가지 추가의 장점은, 특히 3D-이미지를 위해서 속도가 빠른 비디오-시퀀스의 실재적인 재생을 가능하게 하는 몇 배 더 빨라진 스위칭 속도(switching speed)이다. OLED-스크린 및 OLED-TV-장치는 상대적으로 더 적은 부피 그리고 확연하게 더 적은 중량으로 인해 운송 비용 측면에서도 현재의 LCD- 및 플라즈마-장치에 비해 훨씬 더 우수하다.
소위 "저분자(Small Molecules)"(분자 질량이 약 100 - 1000 u인 유기 재료)를 유기 재료로서 OLED에 사용하는 경우에는, 상기 재료가 산소 및 물에 대하여 매우 민감하기 때문에 반도체 전자 공학에서 통상적으로 사용되는 방법들이 패턴화, 특히 광학 리소그래피를 위해서는 사용될 수 없다는 사실에 유의해야만 한다.
SMOLED(Small Molecule Organic Light Emitting Diode; 저분자 유기 발광 다이오드)를 구비한 소형 디스플레이를 대량으로 생산하기 위해서는 섀도 마스크(shadow mask)가 광학 리소그래피를 위한 대안적인 방법으로서 사용된다. 그 예로서 무선 전화, MP3-플레이어 또는 팜탑(palmtop)이 있다. 이와 같은 방법에서의 단점은 높은 제조 비용, 높은 관리 경비 그리고 대형 디스플레이 또는 일반적인 기판에 대하여 기술적으로 아직까지 해결되지 않은 스케일링(scaling)(기판 및 마스크의 상이한 열 팽창 계수, 매우 얇은 마스크의 휨 등)이다. 크기가 큰 기판에 대한 스케일링이 어려운 주된 원인은 컴퓨터-모니터 또는 텔레비전 수상기의 대량 생산이 아직까지 이루어지지 않는다는 것이다.
하나 또는 다수의 작은 증기 노즐이 진공 상태에서 잉크 젯 프린터와 유사하게 기판 바로 근처에서 이동하는 유기 증기 젯 프린팅(Organic Vapor Jet Printing; OVJP)(M Shtein 외, J. Appl. Phys. 96, 4500 (2004) 참조)의 사용도 공지되어 있다.
예컨대 LITI(Laser Induced Thermal Imaging)와 같은 추가의 방법들은 이 방법들과 연관된 기술적인 어려움으로 인해서 그리고 적은 작업 처리량에 의해서 야기되는 고비용으로 인해서 현재까지 대량 생산을 위해서는 적합한 것으로 입증되지 않았다.
특히 레이저 제거는 광학 리소그래피와 같은 대부분의 유사한 다른 프린팅 방법들에 비해 훨씬 더 적은 작업 처리량에만 도달할 수 있는 잉크 젯 라이터와 유사한 그리드 패턴(grid pattern) 방법이다.
US 2007/0151659 A1호는 프린팅 방법 및 후속하는 LITI-처리에 의해서 기판상에 그리드를 만들기 위한 방법을 공개하고 있다.
US 2009/0038550 A1호에서는 표면이 넓은 유기 층의 국부적인 증발에 의해서 크기가 작은 가열 소스를 제조하는 방법이 기술된다. 이 방법은 패시브-매트릭스-디스플레이와 같이 구성된 마스크로 이루어진다. 상기 마스크의 제조는 가열 소스를 위해서 필요한 전기 공급 라인들로 인해 대단히 복잡하다. 특히 고온에서의 신뢰성은 임계적이라고 평가될 수 있는데, 그 이유는 증발을 위해서는 상대적으로 높은 에너지(high energy)가 필요하고, 확산 과정들이 절연체 또는 전기 저항의 특성을 변경하거나 또는 다양한 열 팽창 계수로 인해 박막이 분리되기 때문이다. 전술된 폴리아미드와 같은 재료는 단지 상대적으로 낮은 증발 온도에 대해서만 사용될 수 있다.
또한, OLED-제조시에 유기 재료를 미세 구조화된 상태로 증착하기 위한 레이저를 기반으로 하는 유사한 방법들도 공지되어 있다.
따라서 레이저는 상기 LITI-방법 이외에 RIST-방법(Radiation Induced Sublimation Transfer)(Non-Contact OLED Color Patterning by Radiation Induced Sublimation Transfer(RIST), M. Boroson, Eastman Kodak Co., Rochester, NY, USA, SID International Symposium 2005년) 및 LILT-방법(Laser Induced Local Transfer)(M. Kroeger, Device and Process Technology for Full-Color Active-matrix OLED Displays, pages 71-102, Cuvillier-출판사, 2007년 11월 19일)의 범주에서도 사용된다.
또한, 염료-확산-패터닝(Dye-Diffusion-Patterning)의 범주 안에서도 레이저가 사용된다(Patterned dye diffusion using transferred photoresist for polymer OLED displays, Proceedings Vol. 4105, Organic Light-Emitting Materials and Devices IV, pages 59-68; Three-color organic light-emitting diodes patterned by masked dye diffusion, Applied Physics Letters, 74 (13), pages 1913-1915).
그렇기 때문에 기본적으로는 "저분자(Small Molecules)"를 기반으로 하는 OLED-, OSC(Organic Solar Cell) 및 유기 TFT(Thin Film Transistor)용으로 사용될 수 있는 비용적으로 유리한 리소그래피-방법을 개발하는 것이 매우 중요하다. 그밖에 개발될 방법은 대량 생산에 사용될 수 있도록 하기 위하여 높은 작업 처리량을 가져야만 한다. 이 경우에는 또한 개발될 방법에 의해서 기판상에 유기 재료뿐만 아니라 무기 재료까지도 미세 구조화된 상태로 증착될 수 있다면 매우 바람직할 것이다.
본 발명의 과제는 공지된 제조 방법들의 단점들을 극복하는 방법 및 장치를 제시하는 것이다.
상기 방법과 관련된 과제는 청구항 1에 따른 방법에 의해서 해결된다. 바람직한 실시 예들은 종속 청구항들에 기재되어 있다.
상기 장치와 관련된 추가 과제는 청구항 17에 따른 장치에 의해서 해결된다. 바람직한 실시 예들은 종속 청구항들에 기재되어 있다.
본 발명에 따라 기판상에서 재료의 국부적인 증착이 이루어지며, 이 경우 재료의 국부적인 이송(transfer)은 중간 캐리어에 의해서 이루어진다. 이때 재료는 미세 구조화된 상태로 중간 캐리어로부터 기판으로 이송된다.
본 발명의 한 가지 실시 예에서 재료의 국부적인 증착은 중간 캐리어를 사용해서 이루어진다. 이 경우 중간 캐리어(마스크)는 미세 구조를 갖는다. 상기 미세 구조상에서 이송될 재료가 표면 전체적으로 증착된다. 그 다음에 이어서 재료의 한 부분이 방사선에 의한 에너지 유입에 의해서 중간 캐리어로부터 기판으로 이송된다. 이때 중간 캐리어로부터 기판으로 이송되는 재료는 중간 캐리어 상에 있는 미세 구조에 상응하게 이송된다. 본 발명의 의미에서 볼 때 상기 "이송"이라는 용어는 재료가 중간 캐리어로부터 기판으로 트랜스퍼 된다는 것이며, 이때 트랜스퍼의 유형, 예를 들어 증발 및 증착, 콘택 스탬핑(contact stamping) 등은 재료가 미세 구조화에 상응하게 기판으로 이송되는 한 문제가 되지 않는다.
본 발명의 한 가지 실시 예에서 재료의 국부적인 증착은 미세 구조화된 중간 캐리어에 의하여 방사선에 의한 에너지 유입에 의해서 이루어지며, 이 경우 재료는 중간 캐리어 상에서 가열되고 증발된 후에 기판상에서 미세 구조화된 상태로 증착된다. 이때 중간 캐리어 상에 있는 미세 구조는 방사선을 반사하는 그리고 흡수하는 영역들의 형태로 형성되며, 이 경우 재료의 증발은 중간 캐리어의 흡수 영역들 내에서 국부적으로 제한된 상태로 이루어진다. 이와 같은 과정은 에너지가 방사선의 형태로 유입됨으로써 이루어진다.
본 발명의 한 가지 실시 예에서 국부적인 증발은 미세 구조화된 중간 캐리어에 의하여 이송될 재료에 마주 놓인 상기 중간 캐리어의 측으로부터 방사선에 의한 에너지 유입에 의해서 이루어지며, 이 경우 미세 구조는 방사선을 반사하는 그리고 흡수하는 영역들로부터 형성되고, 증발은 중간 캐리어의 흡수 영역들 내에서 국부적으로 제한된 상태로 이루어진다. 이때 반사 및 흡수 영역들에 의해서 형성된 미세 구조는 기판 쪽을 향하고 있는 중간 캐리어의 측에 배치될 수 있을 뿐만 아니라 기판으로부터 떨어져서 마주보는 측에도 배치될 수 있다. 어떤 경우에도 미세 구조화된 표면의 반사 영역들 내에서는 방사선에 의한 에너지 유입이 저지됨으로써, 중간 캐리어 상에 증착된 재료의 국부적인 증발이 방지된다. 미세 구조의 흡수 영역들 내에서만 국부적인 증발이 이루어진다. 그 결과 이송될 재료가 기판상에서 미세 구조와 반대되는(inverted) 형태로 증착됨으로써, 네거티브 스탬핑 효과가 얻어진다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서는 먼저 미세 구조화된 중간 캐리어의 제조가 이루어진다. 본 실시 예에서는 미세 구조화된 방사선을 반사하는 층이 중간 캐리어 상에서 기판 쪽을 향하고 있는 측에 증착된다. 중간 캐리어의 표면이 부분적으로 코팅됨으로써 트렌치(trench)들 및 융기부들을 갖는 미세 구조가 나타나며, 이때 상기 융기부들은 방사선을 반사하는 층에 의해서 형성된다. 상기 방사선 반사 층 및 코팅되지 않은 미세 구조화된 표면상에서는 방사선을 흡수하는 층의 제 2 증착이 이루어지며, 상기 방사선 흡수 층은 보호 층으로 선택적으로 추가로 커버 된다. 미세 구조화된 중간 캐리어가 완성된 후에 이어서 증착될 재료에 의하여 상기 보호 층의 코팅이 이루어진다. 마지막으로 중간 캐리어의 코팅된 측에 마주 놓인 측으로부터 방사선에 의한 에너지 유입에 의해서 중간 캐리어로부터 기판으로 이송될 재료의 국부적인 증착이 이루어진다. 상기 에너지 유입에 의해서는 미세 구조의 반사 작용을 하지 않는 영역들 내에서 이송될 재료의 국부적인 가열 및 증발이 이루어진다. 기판의 증발이 이루어진 후에는 미세 구조화된 중간 캐리어가 추가의 증발 단계들을 거치게 된다.
본 발명의 한 가지 실시 예에서 국부적인 증발은 미세 구조화된 중간 캐리어에 의하여 방사선에 의한 에너지 유입에 의해서 재료에 마주 놓인 상기 중간 캐리어의 측에서 이루어지며, 이 경우에는 미세 구조가 방사선을 반사하는 영역들에 의해서 형성되고, 방사선을 흡수하는 재료의 국부적인 증발이 미세 구조화된 중간 캐리어에 의하여 이루어짐으로써, 기판상에서는 상기 미세 구조에 상응하게 유기 재료의 지향성 증착이 나타나게 된다.
본 발명의 한 가지 실시 예에서 국부적인 증발은 미세 구조화된 중간 캐리어에 의하여 방사선에 의한 에너지 유입에 의해서 이송될 재료에 마주 놓인 상기 중간 캐리어의 측에서 이루어지며, 이 경우에는 미세 구조가 방사선을 흡수하는 영역들로부터 형성되고, 이송될 재료의 국부적인 증발이 미세 구조화된 중간 캐리어에 의하여 이루어짐으로써, 기판상에서는 상기 미세 구조에 상응하게 유기 재료의 지향성 증착이 나타나게 된다.
본 발명의 한 가지 실시 예에서 국부적인 증발은 중간 캐리어에 의하여 방사선에 의한 미세 구조화된 에너지 유입에 의해서, 말하자면 레이저 광선 또는 크세논-섬광-관(xenon-flash-tube)에 의해서 이송될 재료에 마주 놓인 상기 중간 캐리어의 측에서 이루어지며, 이 경우에는 이송될 재료의 국부적인 증발이 미세 구조화된 방사선에 상응하게 중간 캐리어에 의하여 이루어짐으로써, 기판상에서는 상기 미세 구조에 상응하게 재료의 지향성 증착이 나타나게 된다. 이때 이송될 재료는 방사선을 흡수하는 층 위에 증착되었다. 대안적으로는 상기 재료가 방사선을 흡수하는 작용을 할 수도 있다.
본 발명의 한 가지 실시 예에서 보호 층의 증착은 이송될 재료, 말하자면 유기 재료의 증착 전에 중간 캐리어 상에서 이루어진다. 이 경우에는 상기 보호 층이 투명한 동시에 증착될 유기 재료에 대하여 화학적으로 불활성임으로써, 중간 캐리어 상에서는 방사선을 반사하는 또는 방사선을 흡수하는 층과 유기 재료의 발생 가능한 반응이 저지된다.
방사선을 흡수하는 층 혹은 방사선을 반사하는 층이 이송될 재료에 대하여 화학적으로 불활성인 경우에는 상응하는 보호 층이 없어도 된다. 이와 같은 내용은 예를 들어 SiC로 이루어진 방사선을 흡수하는 층 또는 CrN으로 이루어진 층에 해당된다.
본 발명의 한 가지 실시 예에서 이송될 재료의 증착이 이루어진 후에 기판상에 남아 있는 재료는 상기 재료로 코팅된 표면의 측에 배치되어 있는 가열 장치에 의해서 가열되고 증발된다. 그 결과로서 미세 구조화된 중간 캐리어 상에서는 균일한 증기 분배 그리고 궁극적으로는 증발된 재료의 균일한 증착이 이루어지게 된다. 그럼으로써 미세 구조화된 중간 캐리어의 전체 표면에서는 상기 재료의 새로운 하나의 층이 구현된다. 그 다음에 상기 층이 기판의 추가 코팅을 위해서 활용된다. 그럼으로써 사용된 재료는 완전히 기판을 코팅할 목적으로 이용된다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 이송될 재료로 코팅된 표면의 측에 배치되어 있는 가열 장치는 방열체로서 구현되었다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 중간 캐리어 표면의 반사 작용을 하지 않는 영역들에 남아 있는 재료는 상기 중간 캐리어의 가열에 의해서 가열되고 증발된다. 중간 캐리어의 냉각이 이루어진 후에는 증발된 재료가 중간 캐리어 상에 균일한 층으로서 증착된다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 방사선원의 방사선 유입은 셔터(shutter)에 의해서 조절된다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 중간 캐리어의 미세 구조는 방사선을 반사하는 층의 구조화된 증착에 의해서 발생 된다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 방사선을 반사하는 층의 구조화된 증착은 리소그래피에 의해서 이루어진다.
추가의 한 가지 실시 예에서 중간 캐리어는 가열 가능하도록 구현되었다.
추가의 한 가지 실시 예에서 중간 캐리어는 냉각 장치에 의해서 냉각된다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 미세 구조화된 중간 캐리어는 미세 구조화된 실린더로서 구현되었다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서는 실린더로서 구현되고 미세 구조화된 중간 캐리어가 연속 코팅 설비의 진공 챔버 내에 배치되어 있으며, 이 경우 상기 진공 챔버는 재료의 가열 및 증발을 위한 증발기를 구비하고, 또한 기판을 증발기로부터 격리시키는 차폐부도 제공되어 있으며, 이때 상기 차폐부는 미세 구조화된 중간 캐리어를 둘러싼다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 차폐부는 가열 가능하도록 구현되었다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 방사선원은 미세 구조화된 중간 캐리어의 내부에 배치되어 있다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 방사선원은 적외선 소스로서 구현되었다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 방사선원은 광원으로서 구현되었다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 광원은 할로겐 램프로서 구현되었다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 광원은 섬광-관으로서, 예컨대 크세논-섬광-관으로서 구현되었다. 이와 같은 구현에 의해서는 바람직하게 다량의 에너지가 짧은 시간 안에 중간 캐리어로 이송되고, 그로 인해 최소 구조 폭이 축소되며, 기판의 열 부하도 줄어든다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 방사선원은 마이크로파 소스로서 구현되었다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 이송될 재료는 유기 재료, 예를 들어 저분자("Small Molecules") 부류로부터 선택된 유기 재료이다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 이송될 재료는 무기 재료, 예를 들어 금속이다. 이와 같은 실시 예는 유기 층을 갖는 소자를 제조하기 위해서 특히 바람직하며, 이때에는 이미 기판상에 증착된 유기 재료상에서 금속 증착에 의하여 접촉 층이 발생 될 수 있다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서는 RGB-디스플레이를 제조하기 위하여 제 1 단계에서 녹색을 방출하는 유기 재료가 전술된 방법에 따라서 증착된다. RGB-디스플레이를 완성하기 위하여 동일한 방법이 적색 및 청색을 방출하는 유기 재료를 사용해서 유사하게 반복된다. 상기 컬러들의 순서는 임의로 선택할 수 있다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서는 재료의 증착 동안에 중간 캐리어가 미세 구조의 융기부 영역에서 상기 중간 캐리어 상에 직접 올려짐으로써 기판에 대한 접촉이 이루어진다. 이와 같은 상황은 미세 구조로 인해 중간 캐리어 상에 융기부 및 트렌치가 형성됨으로써 기판이 중간 캐리어 상에 올려져서 접촉이 이루어지는 경우에 상기 융기부로 인하여 폐쇄된 증발 공간이 형성될 때에 특히 바람직하다. 상응하는 증발 공간의 형성에 의해서는 기판 및 중간 캐리어에 의해 형성된 증발 공간의 면에 걸쳐서 기판이 완전하게 코팅되는 상황이 보증된다. 또한, 중간 캐리어가 올려진 영역에 기판이 존재하는 중간 캐리어의 장소에서는 재료의 이송이 피해지며, 이곳에서는 재료의 증발이 전혀 이루어지지 않는다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 기판은 증착 동안에는 중간 캐리어 상에 있는 재료, 즉 노광의 경우에 증발되는 재료와 전혀 접촉하지 않는다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 기판은 증착 동안에는 중간 캐리어 상에 있는 재료, 즉 노광의 경우에 증발되는, 그리고 노광의 경우에 증발되지 않는 재료와 접촉한다.
전술된 실시 예의 한 가지 개선 예에서 중간 캐리어의 석영 유리는 트렌치 및 융기부로 이루어진 구조를 상기 석영 유리 상에 형성하기 위하여 습식 화학 에칭에 의해서 예비 처리된다. 그 다음에 이어서 방사선을 흡수하는 그리고 방사선을 반사하는 층들이 제공된다. 그로 인해 중간 캐리어 표면의 구조화가 이루어지며, 이와 같은 구조화에 의해서는 트렌치 내에 있는 방사선 흡수 층들이 융기부 내에 있는 방사선 흡수 영역들 혹은 방사선 반사 영역들로부터 완전히 분리될 수 있다. 기판이 중간 캐리어 상에 올려지는 경우에는 절연된 증발 공간이 나타나며, 상기 증발 공간은 트렌치로서 형성된 중간 캐리어의 영역 및 기판으로부터 형성된다. 상기 증발 공간 내부에서 석영 유리 상에 증착된 방사선 흡수 층이 에너지 유입에 의해 가열됨으로써, 방사선을 흡수하는 층 상에 증착된 재료가 증발되어 기판상에 증착된다. 절연된 증발 공간을 형성함으로써 재료의 정확한 국부적 이송 측면에서 그리고 완전한 이송과 관련하여 여러 가지 장점이 나타난다. 그밖에 기판과 방사선을 흡수하는 뜨거운 층의 직접적인 접촉이 피해짐으로써, 결과적으로는 예컨대 구리와 같이 고온에서 증발되는 재료가 플라스틱-박막과 같이 낮은 최대 사용 온도(working temperature)를 갖는 기판상에 제공될 수 있다.
전술된 실시 예의 한 가지 바람직한 개선 예에서 제 1 단계에서는 방사선을 반사하는 층이 중간 캐리어 상에 배치된다. 그 다음에 이어서 중간 캐리어의 미세 구조화가 이루어지며, 이 경우에는 에칭 단계에 의해서 중간 캐리어 상에 트렌치가 형성된다. 그 후에 방사선을 흡수하는 층으로 중간 캐리어가 코팅된다. 그럼으로써 트렌치와 융기부 사이에 있는 층 구조에서 차이가 나타나게 되는데, 그 이유는 트렌치 내에는 단 하나의 방사선 흡수 층이 배치되어 있는 한편, 융기부 내에서는 방사선을 흡수하는 층이 방사선을 반사하는 층 상에 배치되어 있기 때문이다. 그로 인해 중간 캐리어의 후면으로부터 방사선에 의해서, 말하자면 플래시 램프 또는 할로겐 램프에 의해서 에너지가 유입되는 경우에는 단지 트렌치 내에 있는 방사선 흡수 층만 가열되는 현상이 나타나게 되며, 이와 같은 현상에 의해서는 이송될 재료의 증발이 오로지 상기 영역 내에서만 이루어지게 된다. 하지만, 융기부 내에서는 가열이 전혀 이루어지지 않는데, 그 이유는 상기 영역에서는 방사선을 반사하는 층에 의해서 에너지의 유입이 저지되기 때문이다. 본 개선 예에서 특히 바람직한 경우는 트렌치와 융기부 사이에 충분한 간격이 존재하는 경우인데, 그 이유는 간격이 충분하지 않은 경우에는 열 도입으로 인해 방사선 흡수 영역으로부터 시작된 중간 캐리어의 가열이 열 전도에 의해서 예를 들어 융기부 내에서도 이루어질 수 있기 때문이다. 그 결과로 융기부 영역으로부터 이송될 재료가 부분적으로 증발될 수 있는 상황이 발생할 수 있다. 그럼으로써 재료의 미세 구조화된 이송은 특히 원하는 만큼의 예리한 에지 형성을 불가능하게 하고, 그로 인해 단지 크기가 큰 미세 구조만이 이송될 수 있게 된다. 그렇기 때문에 두 가지 영역의 열적인 분리를 가능하게 하기 위해서는 트렌치와 융기부의 간격이 충분히 큰 경우가 바람직하다. 이와 같은 간격에 의해서는 열 저항이 증가하게 되고, 그로 인해 트렌치와 융기부 간의 온도-차가 증가할 수 있다.
전술된 실시 예의 한 가지 바람직한 개선 예에서는 상기와 같은 간격으로 인해 방사선을 흡수하는 층 및 방사선을 반사하는 층을 반대로(inverted) 배열하는 것도 생각할 수 있는데, 그 이유는 열적인 분리에 의해서 어떤 경우에도 예리한 에지가 형성될 수 있기 때문이다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 기판은 증착 동안에 상기 기판이 올려짐으로써 중간 캐리어 상에 있는 재료에 대하여 접촉하게 된다. 이때 중간 캐리어는 방사선 흡수 영역 및 방사선 반사 영역으로부터 형성되는 미세 구조를 갖는다. 본 실시 예에서는 제 1 단계에서 방사선을 흡수하는 영역이 중간 캐리어 상에 미세 구조에 상응하게 배치됨으로써, 트렌치 및 융기부를 갖는 미세 구조가 나타나게 된다. 제 2 단계에서는 상기 미세 구조상에 방사선을 반사하는 층이 제공된다. 그럼으로써 방사선을 흡수하는 구성 부품을 구비하는 융기부가 나타나게 된다. 이때 상기 층 구조물 상에 이송될 재료가 증착된다. 상기 이송될 재료는 에너지 유입에 의해 융기부 영역에서 가열되고 증발되며, 기판상에 증착된다. 방사선을 반사하는 층이 방사선을 흡수하는 층 위에 배열된 반전 배열 상태에 의해서는 단지 방사선을 흡수하는 영역을 갖는 중간 캐리어의 영역에서만 에너지 유입이 가능해진다.
전술된 실시 예의 한 가지 개선 예에서 기판과 중간 캐리어의 접촉은 상기 기판이 중간 캐리어 상에 올려짐으로써 이루어지며, 이 경우 상기 접촉 현상은 융기부 영역에서 이루어지고, 그에 따라 방사선을 흡수하는 층을 포함하는 영역에서 이루어진다. 상기 영역들이 에너지 유입에 의해 가열됨으로써, 중간 캐리어 상에 증착된 재료가 가열되고 증발되며, 접촉 구역들 내에 있는 기판상으로 이송된다. 박막들이 기판으로서 사용되는 경우에는 본 개선 예에 의하여 재료가 고온 엠보싱(hot embossing)의 형태로 중간 캐리어로부터 기판으로 전송될 수 있는 가능성이 열리게 된다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 기판은 재료 증착 동안에 영구적으로 이동한다. 이와 같은 경우는 특히 연속 코팅 설비에 사용되는 경우이다. 본 실시 예에서 기판은 예를 들어 평면형의 기판 또는 스트립(strip)으로서 구현될 수 있다.
추가의 한 가지 실시 예에서 기판은 영구적으로 이동하도록 그리고 유연하게 형성되었다. 이와 같은 경우는 말하자면 예를 들어 무한 롤러의 형태로 코팅되는 금속- 또는 플라스틱 스트립의 경우이다. 본 실시 예에서 기판상에 있는 코팅의 두께는 기판의 이송 속도를 통해서 영향을 받을 수 있다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 중간 캐리어는 영구적으로 이동한다. 이와 같은 경우는 특히 원통형의 중간 캐리어를 사용하는 경우이다. 본 실시 예에서 미세 구조에 상응하는 재료의 증착은 중간 캐리어의 이송 속도에 의해서 영향을 받을 수 있다. 본 실시 예의 한 가지 개선 예에서는 기판 및 중간 캐리어의 이송 속도가 적응됨으로써 미세 구조의 형태가 요구에 상응하게 적응될 수 있다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서는 기판상에 있는 이송될 재료의 증착된 층의 두께가 국부적으로 변경된다. 이와 같은 국부적인 두께 변경은 이송될 재료의 입자가 중간 캐리어로부터 기판으로 이송되는 동안에 분산됨으로써 이루어지며, 이와 같은 상황은 기판상에 증착된 재료의 층 두께의 국부적인 변경을 야기한다. 본 실시 예에서 중간 캐리어 상에서 이송될 미세 구조는 서브(sub) 구조물의 형태로 도시되며, 이 경우 상기 서브 구조물은 방사선을 흡수하는 영역을 갖는다. 이때 상기 서브 구조물은 이송될 미세 구조의 면들의 적어도 한 부분을 덮게 된다. 그 다음에 이어서 중간 캐리어 상에서 이송될 재료의 증착이 이루어진다. 후속적으로 이루어지는 방사선원에 의한 에너지 유입의 경우에는 증발된 재료의 증기 입자의 분산이 이루어지며, 이 경우 분산의 강도는 미세 구조화된 중간 캐리어와 기판의 간격에 그리고 주변 압력에 의존한다. 다양한 크기의 서브 구조물을 사용하거나 혹은 서브 구조물의 개수를 변경함으로써 기판상에서 이송될 재료의 층 두께가 임의로 형성될 수 있으며, 이 경우에는 중간 캐리어 상에 증착된 층 두께가 기판에 최대로 적용될 수 있다.
재료의 이송 동안에 실행되는 입자의 분산은 재료 이송 동안의 중간 캐리어와 기판의 간격 변경에 그리고/또는 주변 압력에 따라서 이루어진다.
상응하는 본 발명에 따른 서브 구조물은 다수의 산업 적용 분야에서, 말하자면 국부적인 컬러 필터를 제조할 때에 이송될 미세 구조의 형태로 또는 프레넬(fresnel)-렌즈 등의 형태로 사용될 수 있다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서는 이송될 제 1 재료상에 추가의 재료가 증착되는데, 상기 추가의 재료는 제 1 재료와 상이한 증발 온도를 갖는다. 그로 인해 다양한 재료들이 조합된 형태로 기판상에 증착될 수 있다. 예를 들어 본 실시 예에서는 유기 재료 및 무기 재료, 말하자면 금속의 증착을 생각할 수 있다. 본 실시 예에서 다른 무엇보다도 중요한 사실은, 제 1 재료가 제 2 재료와 상이한 증발 온도를 갖는다는 것이다. 상기 두 가지 증발 온도는 바람직하게 100 K 이상만큼 서로 차이가 난다. 그럼으로써 에너지 유입의 제어를 통하여 재료를 의도한 바대로 증착할 수 있게 된다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서 제 1 재료는 제 2 재료와 시간적인 간격을 두고서 선택적인 에너지 유입에 의하여 제 1 재료의 증발 온도에 상응하게 증발된다. 유입된 에너지의 양을 제어함으로써 제 1 재료의 증발이 의도한 바대로 영향을 받을 수 있게 된다. 플래시 타임에 비례하여 유입되는 에너지의 양을 제어함으로써 증착된 재료의 구조화 형태도 또한 영향을 받게 된다.
본 발명의 추가의 한 가지 실시 예에서는 제일 먼저 높은 증발 온도를 갖는 제 1 재료가 그리고 그 다음에 이어서 낮은 증발 온도를 갖는 제 2 재료가 미세 구조화된 중간 캐리어 상에서 증착된다. 그 후에 에너지적으로 낮은 제 1 에너지 유입에 의하여, 말하자면 크세논-섬광의 형태로 제 2 재료가 중간 캐리어로부터 기판상에 증착된다. 그 다음에 이어서 기판과 중간 캐리어의 간격이 변경된다. 그 후에 제 1 재료를 증발시킬 목적으로 중간 캐리어에 의하여 에너지적으로 높은 제 2 에너지 유입이 이루어짐으로써, 결과적으로 제 1 재료는 기판상에서 제 2 재료를 덮을 뿐만 아니라, 기판과 중간 캐리어의 간격 변경에 의해서 나타나는 증기 입자의 분산으로 인해 제 2 재료와 겹쳐지기도 한다. 이와 같은 상황은 소위 제 1 재료와 제 2 재료의 캡슐화에 상응한다.
전술된 실시 예의 한 가지 개선 예에서 제 2 재료는 중간 캐리어 상에 배치된 서브 구조물에 의하여 기판상에 증착되며, 이 경우 중간 캐리어와 기판의 간격은 증발된 재료의 증기 입자의 분산을 저지하거나 혹은 적게 유지하기 위하여 가급적 작다. 그럼으로써 서브 구조물이 기판상으로 이송된다. 그 후에 중간 캐리어와 기판의 간격이 확대된다. 그 다음에 이어서 말하자면 크세논-섬광의 형태로 추가의 에너지 유입이 이루어진다. 제 1 재료가 증발되는 제 2 에너지 유입 동안에는 기판과 중간 캐리어 사이의 확대된 간격이 증발된 재료의 증기 입자들 상호 간에 분산을 야기한다. 증기 입자들의 분산에 의해서는 서브 구조물에 의해 형성된 전체 미세 구조의 코팅이 이루어진다. 중진공(medium vacuum) 상태에서 또는 정상 압력 조건 하에서 증발이 이루어지는 경우에는, 상기 증기 입자들의 분산이 기존 잔류 가스의 양에도 의존하게 되는데, 그 이유는 기존의 잔류 가스가 분산에 직접적으로 기여하기 때문이다. 대안적으로는 먼저 제 1 재료가 상대적으로 더 큰 간격으로 증착될 수 있음으로써, 증발된 입자의 분산 그리고 그와 더불어 서브 구조물에 의해 형성된 미세 구조의 증착이 이루어지게 된다. 그 다음에 중간 캐리어와 기판의 간격이 줄어들고, 제 2 재료의 이송이 이루어진다. 그로 인해 제 2 재료가 서브 구조물의 형태로 기판상에 증착됨으로써, 상기 기판상에서는 미세 구조화된 층 시스템이 형성될 수 있게 된다.
본 발명의 추가의 장점들 및 특징들은 실시 예들에 대한 아래의 상세한 설명 그리고 첨부 도면들로부터 끌어낼 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 증발 장치의 개략도이고,
도 2는 유기 재료의 의도한 바대로의 증발 그리고 기판상에서 이루어지는 상기 재료의 지향성 증착을 도시한 개략도이며,
도 3은 남아 있던 유기 재료의 본 발명에 따른 증발을 도시한 개략도이고,
도 4는 본 발명에 따른 증발 장치를 구비하는 연속 코팅 설비의 개략도이며,
도 5는 원통형의 중간 캐리어를 구비하는 본 발명에 따른 한 가지 실시 예의 개략적인 횡단면도이고,
도 6은 본 발명에 따른 증발 장치의 개략도로서, 이 경우에는 중간 캐리어가 기판에 대하여 접촉되며, 그리고
도 7은 본 발명에 따른 증발 장치의 개략도로서, 이 경우에는 이송될 미세 구조가 서브 구조물로부터 구성되었다.
도 2는 유기 재료의 의도한 바대로의 증발 그리고 기판상에서 이루어지는 상기 재료의 지향성 증착을 도시한 개략도이며,
도 3은 남아 있던 유기 재료의 본 발명에 따른 증발을 도시한 개략도이고,
도 4는 본 발명에 따른 증발 장치를 구비하는 연속 코팅 설비의 개략도이며,
도 5는 원통형의 중간 캐리어를 구비하는 본 발명에 따른 한 가지 실시 예의 개략적인 횡단면도이고,
도 6은 본 발명에 따른 증발 장치의 개략도로서, 이 경우에는 중간 캐리어가 기판에 대하여 접촉되며, 그리고
도 7은 본 발명에 따른 증발 장치의 개략도로서, 이 경우에는 이송될 미세 구조가 서브 구조물로부터 구성되었다.
도 1에 따른 제 1 실시 예에서는 미세 구조화된 중간 캐리어(1)가 광을 반사하는 얇은 층(3)(예컨대 100 nm 두께의 Al 또는 Ag) 또는 광을 흡수하는 얇은 층(4)(예컨대 100 nm 두께의 CrN, 또는 W-WOx 또는 Cr)을 구비하는 영역들을 갖는 석영 유리 기판(2)으로부터 제조됨으로써, 결과적으로 마스크가 생성된다. 유기 재료(6)(도 2 참조)와 제공된 박막(4)의 화학적인 반응을 방지하기 위하여 보호 층(5)(예컨대 50 nm 두께의 SiO2)이 추가로 제공되었다. 그 다음에 이어서 미세 구조화된 중간 캐리어(1)의 보호 층(5)이 예컨대 녹색을 방출하는 40 nm의 염료 Alq3로 진공 챔버(13) 내에서 코팅된다.
그 다음에 이어서 유기 재료(6)로 코팅된 상기 미세 구조화된 중간 캐리어(1)의 표면이 기판(7), 예컨대 TFT-모니터에 대하여 상대적으로 근접(proximity)-간격(통상적으로 광학 리소그래피의 경우에는 예를 들어 30 ㎛)을 두고서 또는 직접적으로 접촉하면서 배치된다. 그 다음에 이어서 유기 재료(6)가 석영 유리(2)에 의하여 방사선원(8), 예컨대 할로겐 램프를 이용해서 진공 챔버(13)의 다른 세그먼트 내에서 노광 된다. 이때에는 단지 광을 흡수하는 층(4)을 갖는 영역들만 충분히 가열됨으로써, 결과적으로 유기 재료(6)는 오로지 상기 장소에서만 증발되고, 상기 장소에 마주 놓인 기판(7)의 표면 영역에 침전된다(도 2 참조). 흡수 작용을 하는 층의 열 용량이 적기 때문에 가열은 초 단위 이하(subsecond)-범위 안에 있는 증발 온도까지 이루어질 수 있다. 셔터(9)에 의해 방사선원이 스위치-오프된 후에는 상대적으로 높은 열 용량을 갖는 중간 캐리어에 대한 열적인 결합에 의해서 상기 흡수 층의 신속한 냉각이 이루어진다.
광학 리소그래피의 경우에서와 유사하게 셔터(9)를 통해서 광원(8)이 스위치-온 혹은 스위치-오프 될 수 있다. 중간 캐리어(1)의 미세 구조화된 표면과 기판(7)의 간격이 작으면 작을수록 분산 증기 비율, 다시 말해 의도치 않은 장소에서 응축되는 유기 재료(6)의 양은 그만큼 더 적어진다. 셔터의 대안으로서 광원이 스캐너와 유사하게 미세 구조화된 중간 캐리어(마스크)(1) 위에서 상대적으로 이동할 수 있다.
3색 스크린의 경우에는 재료 수율이 유기 재료(6) 당 단지 약 30%이기 때문에, 도 3에 따른 추가의 한 가지 단계에서는 유기 재료(6)가 석영 유리(2)를 통과하는 광의 유입에 의해서가 아니라 미세 구조화된 중간 캐리어(1)의 코팅된 표면에 의하여 증발될 수 있음으로써, 결과적으로 전체 표면의 가열이 이루어지게 된다. 이 목적을 위하여 가열 장치(10), 말하자면 방열체(heat radiator)가 사용될 수 있다. 나머지 70%가 노광 챔버 내에서 증발된 후에 가열 장치(10)가 스위치-오프 됨으로써, 결과적으로 증기는 재차 미세 구조화된 중간 캐리어(1)의 표면에 균일하게 침전될 수 있다.
전술된 실시 예의 한 가지 변형 예에서는 미세 구조화된 중간 캐리어(1)가 광을 반사하는 얇은 층(3)(예컨대 100 nm 두께의 Ag) 또는 광을 흡수하는 얇은 층(4)(예컨대 100 nm 두께의 SiCx)을 구비하는 영역들을 갖는 석영 유리 기판(2)으로 이루어짐으로써, 결과적으로 마스크가 생성된다. SiCx가 화학적으로 불활성이기 때문에 본 경우에는 보호 층(5)이 없어도 되며, 그 결과 광을 흡수하는 층(4)이 재료(6)로 코팅될 수 있다.
도 6에 따른 추가의 한 가지 실시 예에서 미세 구조화된 중간 캐리어(1)는 광을 반사하는 얇은 층(3)(예컨대 100 nm 두께의 Ag) 또는 광을 흡수하는 얇은 층(4)(예컨대 100 nm 두께의 CrN)을 구비하는 영역들을 갖는 석영 유리 기판(2)으로부터 제조됨으로써, 결과적으로 마스크가 생성된다. 그 다음에 이어서 상기 미세 구조화된 중간 캐리어(1)가 유기 재료(6), 예컨대 녹색을 방출하는 40 nm의 염료 Alq3으로 코팅된다.
그 후에 기판(7)이 유기 재료(6)로 코팅된 상기 미세 구조화된 중간 캐리어(1)의 표면에 올려짐으로써, 미세 구조의 융기부 영역들 내에서는 중간 캐리어(1) 상에서 직접적인 접촉이 이루어진다. 그로 인해 중간 캐리어(1)의 미세 구조의 트렌치 및 기판(7)에 의해서 형성되는 절연된 증발 공간(29)이 나타나게 된다. 이와 같은 증발 공간(29)의 형성에 의해서 유기 재료(6)가 중간 캐리어로부터 기판(7)으로 완전히 국부적으로 이송된다. 한 가지 추가의 장점은, 상기와 같은 증발 공간(29)의 형성에 의해 고진공 조건 하에서의 코팅이 더 이상 필요치 않게 된다는 것인데, 그 이유는 증발된 재료 입자와 잔류 가스의 분산이 구조물의 확장을 야기하지 않기 때문이다.
그 다음에 이어서 유기 재료(6)가 석영 유리(2)에 의하여 방사선원(8)에 의해서, 예컨대 크세논-섬광-관에 의해서 간접적으로 가열된다. 이때에는 단지 광을 흡수하는 층(4)을 구비하는 영역들만 충분히 가열됨으로써, 결과적으로 유기 재료(6)는 오로지 상기 장소에서만 증발되고, 상기 장소에 마주 놓인 기판(7)의 표면 영역들에 침전된다. 마스크 상에서 가열된 영역들이 기판과 직접적으로 접촉하지 않음으로써, 기판으로의 열 도입은 매우 적다. 따라서 온도에 민감한 기판들도 코팅될 수 있다.
전술된 실시 예의 한 가지 개선 예에서는 제 1 단계에서 방사선을 반사하는 층(3)이 중간 캐리어(2) 상에 배치된다. 그 다음에 이어서 중간 캐리어(2)의 미세 구조화가 이루어지며, 이 경우에는 에칭 단계에 의해서 중간 캐리어(2) 상에 트렌치가 형성된다. 그 후에 방사선을 흡수하는 층(4)으로 중간 캐리어(2)가 코팅된다. 그럼으로써 트렌치와 융기부 사이에 있는 층 구조에서 차이가 나타나게 되는데, 그 이유는 트렌치 내에는 단 하나의 방사선 흡수 층(4)이 배치되어 있는 한편, 융기부 내에서는 방사선을 흡수하는 층(4)이 방사선을 반사하는 층(3) 상에 배치되어 있기 때문이다. 그로 인해 중간 캐리어(2)의 후면으로부터 방사선에 의해서, 말하자면 플래시 램프 또는 할로겐 램프에 의해서 에너지가 유입되는 경우에는 단지 트렌치 내에 있는 방사선 흡수 층(4)만 가열되는 현상이 나타나게 되며, 이와 같은 현상에 의해서는 이송될 재료(6)의 증발이 오로지 상기 영역 내에서만 이루어지게 된다. 하지만, 융기부 내에서는 가열이 전혀 이루어지지 않는데, 그 이유는 상기 영역에서는 방사선을 반사하는 층(3)에 의해서 에너지의 유입이 저지되기 때문이다. 본 개선 예에서 특히 바람직한 경우는 트렌치와 융기부 사이에 충분한 간격이 존재하는 경우인데, 그 이유는 간격이 충분하지 않은 경우에는 열 도입으로 인해 방사선 흡수 영역(4)으로부터 시작된 중간 캐리어(2)의 가열이 열 전도에 의해서 예를 들어 융기부 내에서도 이루어질 수 있기 때문이다. 그 결과로 융기부 영역으로부터 이송될 재료(6)가 부분적으로 증발될 수 있는 상황이 발생할 수 있다. 그럼으로써 재료(6)의 미세 구조화된 이송은 특히 원하는 만큼의 예리한 에지 형성을 불가능하게 하고, 그로 인해 단지 크기가 큰 미세 구조만이 이송될 수 있게 된다. 그렇기 때문에 두 가지 영역의 열적인 분리를 가능하게 하기 위해서는 트렌치와 융기부의 간격이 충분히 큰 경우가 바람직하다. 이와 같은 간격에 의해서는 열 저항이 증가하게 되고, 그로 인해 트렌치와 융기부 간의 온도-차가 증가할 수 있다.
한 가지 대안적인 실시 예에서는 상기와 같은 간격으로 인해 방사선을 흡수하는 층(4) 및 방사선을 반사하는 층(3)을 반대로 배열하는 것도 생각할 수 있는데, 그 이유는 열적인 분리에 의해서 어떤 경우에도 예리한 에지가 형성될 수 있기 때문이다.
전술된 실시 예의 한 가지 대안에서는 광을 흡수하는 층(4)(예컨대 100 nm 두께의 SiCx)에 의해서 형성되는 미세 구조가 중간 캐리어 상에 제공되어 있다. 이때 광을 흡수하는 층(4)은 석영 유리(2) 상에서 융기부를 형성한다. 그 다음에 이어서 광을 반사하는 층(3)(예컨대 100 nm 두께의 Ag)으로 코팅이 이루어지며, 상기 코팅은 트렌치 내에 그리고 융기부를 형성하는 광 흡수 층(4) 상에 증착된다. 그 다음에 이어서 기판(7)이 올려짐으로써 중간 캐리어(1)의 직접적인 접촉이 이루어진다. 적어도 기판(7) 및 중간 캐리어(1)의 접촉 영역에서 이루어지는 방사선원(8)에 의한, 예를 들어 크세논-섬광-관에 의한 에너지 유입에 의해서는 오로지 광을 흡수하는 층(4)만 그리고 그로 인해 오로지 융기부만 가열된다. 단지 상기 영역에서만 재료(6)가 가열 및 증발되어 접촉되는 기판(7) 상에 증착될 수 있다. 따라서 기판(7)이 박막으로서 구현된 경우에는 재료(6)의 이송시에 고온 엠보싱 효과가 나타나게 된다.
추가의 한 가지 실시 예에서 이송될 재료는 무기 금속인데, 예를 들면 Al, Ag, Cu 등과 같은 금속이다.
추가의 한 가지 실시 예에서 방사선원(8)으로서는 크세논-섬광-관이 사용된다. 상기 관은 특히 짧은 시간 안에 약 80 MW/m2의 큰 에너지 양을 제공하기에 적합하다. 이때에는 노광 시간이 약 1 ms이기 때문에, 결과적으로 흡수 영역으로부터 반사 영역 쪽으로의 열 전도는 최소로 줄어들게 되고, 그에 따라 크기가 매우 작은 구조물 폭이 만들어질 수 있게 된다.
추가의 한 가지 실시 예에서는 기판상에서 제 2 재료(19), 예를 들어 알루미늄과 같은 금속이 증착될 제 1 재료(6), 예를 들어 유기 재료상에 증착된다. 이 목적을 위하여 먼저 크세논-섬광의 형태로 형성된 방사선원(8)에 의해 제 1 에너지 유입이 이루어짐으로써, 제 1 재료(6)가 중간 캐리어(1) 상에서 가열되고 증발된다. 그 후에 상기 제 1 재료가 기판(7) 상에 증착된다. 그 다음에 이어서 제 2 재료(19)를 가열 및 증발시키는 제 2 에너지 유입이 이루어진다. 본 실시 예에서의 장점은, 제 1 및 제 2 재료(6, 19)의 증발 온도가 서로 상이하다는 것이다. 이와 같은 증발 온도 차에 의해서는 유입되는 에너지의 양을 제어함으로써 선택적인 증발이 이루어질 수 있다.
추가의 한 가지 실시 예에서는 유입되는 에너지의 양이 시간에 따라 변경된다. 그럼으로써 증발된 재료(6, 19)의 양이 상응하게 제어될 수 있고, 그로 인해 기판(7) 상에 증착된 재료(6, 19)의 층 두께가 영향을 받을 수 있게 된다.
도 7에 따른 추가의 한 가지 실시 예에서는 기판(7) 상에 증착된 재료(6, 19) 층의 두께가 국부적으로 변경된다. 이와 같은 두께의 국부적인 변경은 원하는 구조물(30) 내부에 규칙적으로 배치되어 있는 서브 구조물(31)에 의해서 성취된다. 예를 들어 이송될 재료(6, 19)는 100 ㎛의 에지 길이 및 50 nm의 층 두께를 갖는 정방형(quadrate)의 형태로 기판(7) 상에 증착된다. 그와 달리 기판(7) 상에 있는 다른 구조물들은 100 nm의 층 두께를 갖는다. 이 목적을 위하여 상기 정방형 내부에서 중간 캐리어(1) 상에는 광 흡수 층(4)을 구비하는 크기가 작고 미세 구조화된 다수의 면이 구성되지만, 상기 면들은 정방형의 형태로 형성된 이송될 미세 구조의 면의 단 50%만을 차지한다. 그 다음에 이어서 이송될 재료(6, 19)의 100 nm 두께의 층이 중간 캐리어(1) 상에 증착된다. 그 다음에 이어서 예를 들어 크세논-섬광-관으로 구현된 방사선원(8)에 의해서 에너지 유입이 이루어진다. 노광 프로세스에서 이루어지는 입자의 분산에 의해서는 마스크의 서브 구조물(31) 상에 있는 재료로부터 층 두께가 단지 50 nm이고 기판(7) 상에 있는 하나의 정방형이 생성된다. 증발된 재료(6, 19)의 증기 입자의 분산 강도는 중간 캐리어(1)와 기판(7)의 간격에 의해서 그리고 주변 압력에 의해서 영향을 받는다. 서브 구조물의 전체 개수 혹은 이 서브 구조물의 전체 면의 개수에 의해서 기판(7) 상에 증착된 재료(6, 19)의 층 두께가 임의로 형성된다. 형성 가능한 최대 층 두께는 중간 캐리어(1) 상에 증착된 이송될 재료(6, 19)의 층에 상응한다.
추가의 한 가지 실시 예에서는 먼저 증발 온도가 높은 제 1 재료(6), 예를 들어 Ag와 같은 금속이 그리고 그 다음에 이어서 증발 온도가 낮은 제 2 재료(19), 예를 들어 유기 재료가 미세 구조화된 중간 캐리어(1) 상에 증착된다. 그 후에 크세논-섬광으로 구현된 방사선원(8)에 의해서 에너지 유입이 이루어진다. 이때 에너지적으로 낮은 제 1 섬광에 의하여 제 2 재료(19)가 중간 캐리어(1)로부터 기판(7) 상에 증착된다. 마스크 및 기판의 표면들은 제 1 섬광 동안에 서로 접촉된다. 그 다음에 이어서 광학 리소그래피에서 사용되는 바와 같이 기판(7)과 중간 캐리어(1)의 간격이 예를 들어 50 ㎛만큼 확대된다. 그 후에 중간 캐리어(1) 상에 남아 있는 제 1 재료(6)를 증발시킬 목적으로 에너지적으로 높은 제 2 섬광이 이루어짐으로써, 결과적으로 제 1 재료(6)는 기판(7) 상에서 제 2 재료(19)를 덮을 뿐만 아니라, 중간 캐리어(1)에 대한 간격으로 인한 증발된 제 1 재료(6)의 증기 입자의 분산에 의해서 제 2 재료(19)와 겹쳐지기도 한다. 이와 같은 상황은 제 1 재료(6)와 제 2 재료(19)의 캡슐화에 상응한다.
전술된 실시 예의 한 가지 개선 예에서는 중간 캐리어(1) 상에서 서브 구조물의 형태로 형성된 미세 구조상에 증착된 제 1 재료(6)가 크세논-섬광-관으로 구현된 방사선원(8)에 의한 에너지 유입에 의해서 기판(7) 상에 증착된다. 본 개선 예에서는 제 1 재료(6)의 증착이 기판(7) 및 중간 캐리어(1)로부터 상대적으로 적은 간격을 두고 이루어짐으로써, 결과적으로 상기 제 1 재료(6)의 증발된 입자의 분산은 전혀 이루어지지 않거나 또는 단지 약간만 이루어지며, 그로 인해 기판(7) 상에 증착된 재료(6)는 이송된 서브 구조물의 형태로 보이게 된다. 그 다음에 이어서 기판(7)과 제 2 재료(19)로 코팅된 중간 캐리어(1)의 간격이 확대된다. 제 2 재료(19)가 증발되는 과정인 크세논-섬광(8)에 의한 제 2 방사선 유입 동안에는 기판(7)과 중간 캐리어(1)의 상대적으로 큰 간격이 증발된 제 2 재료(19)의 증발된 입자들의 상호 분산 그리고 상황에 따라서는 잔류 가스와의 분산을 야기함으로써, 결과적으로 서브 구조물에 의해 형성된 미세 구조의 전체 면은 기판(7) 상에서 재료(19)로 코팅된다. 그럼으로써 제 2 재료(19)에 의한 제 1 재료(6)의 캡슐화가 이루어진다.
도 4에 따른 추가의 한 가지 실시 예에는 연속 코팅 설비 내에 있는 본 발명에 따른 증발 장치의 한 가지 변형 예가 도시되어 있다. 본 변형 예에서 미세 구조화된 중간 캐리어(1)는 석영 드럼으로 구현되었다. 미세 구조는 바람직하게 실시 예 1과 관련하여 석영 드럼의 표면에 제공되었다. 기판(7), 예컨대 박막을 코팅하기 위한 연속 코팅 설비(11)는 - 상기 박막은 무한 롤러로서 상기 연속 코팅 설비(11)를 통과한다 - 제 1 진공 챔버(13) 내에서 적색을 방출하는 염료인 유기 재료(6)로 코팅한다. 이 목적을 위하여 유기 재료(6)는 증발 장치(12) 내에서 가열되고 증발된다. 그 결과 유기 재료(6)는 미세 구조화된 중간 캐리어(1) 상에 증착된다. 증발기(12)와 기판 사이에 있는 영역이 차폐부(14)에 의하여 분리됨으로써, 결과적으로 유기 재료(6)가 원치 않게 증기 공간(17)으로부터 기판(7)으로 유입되는 상황이 발생하지 않게 된다. 이때 증발기(12) 쪽으로 향하고 있는 상기 차폐부(14)의 측은 유기 재료(6)가 상기 차폐부(14)에서 응축되는 것을 저지하기 위하여 증발 온도로 유지된다.
중간 캐리어(1)의 연속적인 회전 동작(15)으로 인하여 증착된 유기 재료(6)는 기판(7)에 대하여 한 가지 위치에 도달할 때까지 기판(7)의 방향으로 이동한다. 상기 장소에서 유기 재료(6)는 기판의 방향으로 중간 캐리어의 표면에 포커싱된 그리고 상기 중간 캐리어(1)의 내부에 배치된 광원(8)에 의해서 가열되고 증발된다. 제 1 실시 예와 유사하게 본 실시 예에서도 가열 및 증발은 광 반사 층(3)을 구비하지 않는 중간 캐리어(1)의 영역에서만 이루어진다. 그 결과 기판(7)의 증발은 유기 재료(6)에 의해 미세 구조에 의존해서 이루어진다.
중간 캐리어(1)의 연속적인 회전 동작(15)으로 인하여 상기 중간 캐리어(1) 상에서 광을 반사하는 영역(3)에 남아 있는 유기 재료(6)는 차폐부(14)의 방향으로 이동하게 된다. 이때 중간 캐리어(1)는 증기 공간(17) 내에 있는 제 1 영역을 통과하며, 상기 제 1 영역에서는 하나의 라인(line)에 포커싱된 광선에 의하여 남아 있는 유기 재료가 증발될 정도로 강한 가열이 이루어진다. 이때 상기 광선의 라인은 회전축에 대하여 평행하게 배치되어 있다. 그 다음에 이어서 유기 재료가 재차 중간 캐리어(1)의 표면에 응축될 정도까지 상기 중간 캐리어(1)가 증기 공간 내에서 냉각된다. 상기 라인을 형성하기 위한 방사선원은 방사선원(8)과 유사하게 중간 캐리어 내부에 존재할 수 있고, 중간 캐리어(1) 및 차폐부(14)가 증기 공간(17)의 우측에서 서로 만나게 되는 영역에 포커싱 될 수 있다. 방사선원(8)도 중간 캐리어(1)의 표면에 포커싱 되지만, 기판의 법선 방향으로 포커싱 된다.
기판(7)은 자체 연속 동작(16)으로 인해 다음 코팅 장치로 이송된다. 그곳에서 제 1 코팅과 유사하게 녹색을 방출하는 유기 재료(6)에 의해서 추가의 코팅이 이루어진다. 최종적으로 마지막 코팅 단계에서 청색을 방출하는 유기 재료(6)로 코팅이 이루어진다. 그럼으로써 연속 코팅 설비(11) 내에서는 완전한 RGB-코팅이 실시될 수 있다.
도 5에 따른 추가의 한 가지 실시 예에는 스트립 모양의 기판(7)을 코팅하기 위한 원통형의 중간 캐리어(1)가 도시되어 있으며, 상기 기판은 회전축(26)을 중심으로 회전 방향(25)으로 연속으로 이송된다. 본 실시 예에서 상기 원통형의 중간 캐리어(1)는 예를 들어 CrN/SiO2로 이루어진 흡수 층으로 코팅된 석영 드럼으로 이루어지며, 이 경우 상기 SiO2-층은 CrN-층의 발생 가능한 산화를 피해야만 한다. 대안적으로는 SiC로 이루어진 흡수 층도 사용할 수 있다. 상기 석영 드럼의 외부 직경은 본 실시 예에서는 300 mm이다. 상기 석영 드럼의 벽 두께는 10 mm이다. 상기 원통형의 중간 캐리어(1)는 회전축(26)을 중심으로 그리고 회전 방향(25)으로 일정한 속도로 회전한다.
제 1 재료(6)로 중간 캐리어(1)를 코팅하는 과정은 제 1 증발 장치의 증기 관(23)에 의해 제 1 위치에서 이루어진다. 이때 상기 증기 관(23)은 예를 들어 SiC로 이루어지고, 직사각형의 박스-상부 부착물을 갖는 라인 소스(line source)를 구비한다. 중간 캐리어(1)가 제 1 재료(6)로 제 1 위치에서 코팅된 후에는 상기 중간 캐리어(1)의 연속 동작으로 인하여 제 1 재료(6)로 코팅된 상기 중간 캐리어(1)의 표면 영역이 제 2 위치에 있는 제 2 증발 장치의 제 2 증기 관(24)으로 회전하게 된다. 그곳에서는 유사하게 제 2 재료(19)로 코팅이 이루어진다. 이때 유의해야만 할 사실은, 제 2 재료(19)의 증발 온도가 제 1 위치에 있는 제 1 재료(6)의 증발 온도보다 더 낮아야만 한다는 것이다. 그렇지 않은 경우에는 상대적으로 더 높은 증발 온도를 갖는 제 2 재료(19)의 상대적으로 더 뜨거운 증기 관(24)이 중간 캐리어(1)를 심하게 가열시킴으로써, 이미 증기 관(23) 아래에 증착되었고 증발 온도가 상대적으로 더 낮은 재료(6)가 바람직하지 않게 제 2 위치에서 증발될 수도 있다. 제 1 및 제 2 증기 관(23 및 24)의 열적인 영향을 최소화하기 위하여 복사열(radiant heat)을 감소시키는 차폐 플레이트(22)가 제공되었다. 이와 같은 차폐 플레이트에 의해서는 두 개의 증기 관(23, 24) 또는 결과적으로 얻어지는 증착율이 상호 독립적으로 조절될 수 있다.
중간 캐리어(1)의 연속적인 회전 동작(25)으로 인하여 제 1 및 제 2 재료(6, 19)로 코팅된 상기 중간 캐리어(1)의 표면 영역은 제 3 위치의 방사선원(8)으로 이동하게 된다. 상기 방사선원은 석영 드럼(1) 내부에서 중간 캐리어(1)의 코팅된 표면에 마주 놓인 측에 배치되어 있다. 중간 캐리어(1)의 코팅된 표면은 상기 위치에서 기판에 대하여 접촉되고, 기판 이송 방향(16)으로 연속으로 중간 캐리어(1)를 거쳐서 이동한다.
재료(6, 19)를 기판(7) 상에 증착하기 위하여 상기 재료들은 방사선원(8)에 의해서 가열되고 증발된다. 그 결과 재료(6, 19)는 기판(7) 상에 증착된다. 바람직하게 중간 캐리어(1)는 자신의 지속적인 온도 상승을 최소화하기 위하여 방사선원(8)의 영역에서 냉각 장치(28)에 의하여 냉각되었다. 냉각 장치(28)뿐만 아니라 방사선원(8)도 진공 챔버 외부에 존재할 수 있다. 이때 방사선원(8)은 예를 들어 할로겐-플래시 라이트(flashlight)로 구현되거나 또는 크세논-섬광-관으로 구현될 수 있다.
석영 드럼(1)의 표면에서 흡수체 층을 냉각시키기 위하여 물로 냉각된 추가의 면(14)이 제공되어 있으며, 상기 면들은 중간 캐리어(1)의 한 부분을 둘러싸고 있다. 이때 상기 물로 냉각된 면(14)은 냉각수가 관류하는 금속 부품으로 구현될 수 있다. 물로 냉각된 면(14)에 의해서는 복사열이 흡수됨으로써 석영 드럼(1)이 간접적으로 냉각되었다.
또한, 예를 들어 석영 드럼(1)의 한 가지 추가의 간접적인 냉각 가능성은 예를 들어 고정된 냉각수 관으로 이루어진 냉각 장치(28)로부터 생겨날 수 있는데, 이때 상기 냉각수 관은 석영 드럼(1) 내부에 배치되어 있고, 방사선을 흡수하는 외벽을 구비한다.
증착된 재료(6, 19)의 수득률을 최대로 높이기 위하여, 가열된 증기 패널(27)(vapor panel)이 제 1 및 제 2 증발 장치의 증기관(23, 24) 영역에서 제 1 및 제 2 위치에 추가로 제공될 수 있다. 이때 석영 드럼(1)과 패널(27)의 간격은 석영 드럼(1)의 이동 방향으로 절반 패널 길이의 약 1/10에 해당한다. 따라서 석영 드럼(2)과 패널(27)의 간격이 2 mm인 경우에 상기 가열된 증기 패널(27)의 패널 길이는 약 40 mm에 이르게 된다.
중간 캐리어(1)의 구동은 구동 롤러(20)를 통해서 이루어지며, 상기 구동 롤러들은 각각 중간 캐리어(1)의 에지 영역에 배치되어 있다. 그럼으로써 층의 품질에 미치는 악영향을 막기 위하여, 중간 캐리어(1)의 표면의 코팅된 영역과 구동 롤러(20)의 접촉이 피해진다. 이때 구동 롤러(20)는 예를 들어 고무로부터 구현될 수 있는데, 그 이유는 상기 장소에서는 중간 캐리어(1)의 온도가 명백히 100 ℃ 미만이기 때문이다.
증착된 재료(6, 19)의 양은 기판의 이송 속도와 증기 관(23, 24)을 통해 중간 캐리어(1) 상에 증착되는 증발된 재료(6, 19)의 양의 상호 작용으로부터 얻어진다. 따라서 기판(7) 상에 증착된 재료(6, 19)의 층 두께는 사전에 공지된 파라미터를 통해서 상응하게 조절될 수 있다.
전술된 실시 예의 한 가지 개선 예에서는 적어도 방사선원(8)의 영역에서는 기판(7)과 원통형 중간 캐리어(1)의 직접적인 접촉이 이루어진다. 기판(7)이 스트립 또는 박막의 형태로 유연하게 형성된 경우에는, 도 5에 도시된 바와 같이 방사선원(8)의 영역 넘어까지 기판(7)에 의한 중간 캐리어(1)의 지속적인 콘택팅이 가능하다.
1: 미세 구조화된 중간 캐리어 2: 중간 캐리어
3: 광을 반사하는 층 4: 광을 흡수하는 층
5: 보호 층 6: 제 1 재료
7: 기판 8: 방사선원
9: 셔터 10: 가열 장치
11: 연속 코팅 설비 12: 증발기
13: 진공 챔버 14: 차폐부 혹은 냉각부
15: 중간 캐리어의 회전 방향 16: 기판 이송 방향
17: 증기 공간 18: 차폐부의 가열 장치
19: 제 2 재료 20: 구동- 또는 베어링 롤러
21: 추가의 방사선원 22: 차폐 플레이트
23: 제 1 증기 장치의 증기 관 24: 제 2 증기 장치의 증기 관
25: 원통형 중간 캐리어의 회전 방향
26: 원통형 중간 캐리어의 회전축
27: 가열된 증기 패널 28: 냉각 장치
29: 증발 공간
30: 기판 구조물로부터 형성된 미세 구조
31: 서브 구조물
3: 광을 반사하는 층 4: 광을 흡수하는 층
5: 보호 층 6: 제 1 재료
7: 기판 8: 방사선원
9: 셔터 10: 가열 장치
11: 연속 코팅 설비 12: 증발기
13: 진공 챔버 14: 차폐부 혹은 냉각부
15: 중간 캐리어의 회전 방향 16: 기판 이송 방향
17: 증기 공간 18: 차폐부의 가열 장치
19: 제 2 재료 20: 구동- 또는 베어링 롤러
21: 추가의 방사선원 22: 차폐 플레이트
23: 제 1 증기 장치의 증기 관 24: 제 2 증기 장치의 증기 관
25: 원통형 중간 캐리어의 회전 방향
26: 원통형 중간 캐리어의 회전축
27: 가열된 증기 패널 28: 냉각 장치
29: 증발 공간
30: 기판 구조물로부터 형성된 미세 구조
31: 서브 구조물
Claims (34)
- 재료(6, 19)의 국부적인 이송이 중간 캐리어(2)에 의하여 이루어지는, 기판(7) 상에 재료(6, 19)를 국부적으로 증착하기 위한 방법에 있어서,
상기 재료(6, 19)가 미세 구조화된 상태로 중간 캐리어(2)로부터 기판(7)으로 이송(transfer)되는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 재료(6, 19)의 국부적인 증착이 중간 캐리어(1)에 의하여 방사선에 의한 에너지 유입에 의해서 이루어지며, 이때 상기 중간 캐리어(1)는 미세 구조(microstructure)를 가지며, 상기 미세 구조에 의하여 재료(6, 19)가 미세 구조화된 상태로 중간 캐리어(1)로부터 기판(7)으로 이송되는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 제 1 항 및 제 2 항에 있어서,
상기 재료(6, 19)의 국부적인 증착이 중간 캐리어(1)에 의하여 방사선에 의한 에너지 유입에 의해서 이루어지며, 이때 상기 재료(6, 19)는 중간 캐리어(1) 상에서 국부적으로 가열되고 증발된 후에 기판(7) 상에서 미세 구조화된 상태로 증착되는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
- 투명한 중간 캐리어(2) 상에서 이루어지는 방사선을 반사하는 미세 구조화된 층(3)의 제 1 증착에 의해서, 방사선을 반사하는 층(3) 상에서 이루어지는 방사선을 흡수하는 층(4)의 제 2 증착에 의해서 그리고 상기 중간 캐리어(2)의 코팅되지 않은 미세 구조화된 표면에 의해서 미세 구조화된 중간 캐리어(1)를 제조하는 단계,
- 상기 방사선을 흡수하는 층(4) 위에 재료(6, 19)를 증착하는 단계, 그리고
- 이송될 재료(6, 19)를 국부적으로 증발시킴으로써, 기판(7) 상에서 미세 구조에 상응하게 상기 재료(6, 19)의 지향성 증착이 이루어지는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
- 투명한 중간 캐리어(2) 상에서 이루어지는 방사선을 반사하는 미세 구조화된 층(3)의 제 1 증착에 의해서 미세 구조화된 중간 캐리어(1)를 제조하는 단계,
- 방사선을 반사하는 미세 구조화된 층(3) 위에 방사선을 흡수하는 재료(6, 19)를 증착하는 제 2 증착 단계 그리고
- 방사선을 흡수하는 재료(6, 19)를 국부적으로 증발시킴으로써, 기판(7) 상에서 미세 구조에 상응하게 상기 재료(6, 19)의 지향성 증착이 이루어지는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
- 투명한 중간 캐리어(2) 상에서 이루어지는 방사선을 흡수하는 미세 구조화된 층(4)의 제 1 증착에 의해서 미세 구조화된 중간 캐리어(1)를 제조하는 단계,
- 방사선을 흡수하는 미세 구조화된 층(4) 위에 재료(6, 19)를 증착하는 제 2 증착 단계 그리고
- 방사선을 흡수하는 층(4)에 의하여 재료(6, 19)를 국부적으로 증발시킴으로써, 기판(7) 상에서 미세 구조에 상응하게 상기 재료(6, 19)의 지향성 증착이 이루어지는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
- 투명한 중간 캐리어(2) 상에서 이루어지는 방사선을 흡수하는 층(4)의 제 1 증착에 의해서 중간 캐리어(1)를 제조하는 단계,
- 방사선을 흡수하는 층(4) 위에 재료(6, 19)를 증착하는 제 2 증착 단계 그리고
- 방사선을 흡수하는 층(4)에 의하여 방사선원(8)에 의한 미세 구조화된 에너지 유입에 의해서 재료(6, 19)를 국부적으로 증발시킴으로써, 기판(7) 상에서 미세 구조에 상응하게 상기 재료(6, 19)의 지향성 증착이 이루어지는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
투명한 보호 층(5)이 재료(6, 19)의 증착 이전에 중간 캐리어(1) 상에 제공되는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
기판(7) 상에서 재료(6, 19)의 증착이 이루어진 후에 남아 있는 재료(6, 19)는 중간 캐리어(1) 상에서 가열 장치(10)에 의해 가열되고 증발되어 재차 중간 캐리어(1) 상에 증착되며, 이때 상기 재료(6, 19)는 균일한 층으로서 증착되는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방사선원(8)의 방사선 유입이 셔터(9)에 의해서 조절되는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중간 캐리어(1)의 미세 구조는 방사선을 반사하는 층(3)의 구조화된 증착에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방사선을 반사하는 층(3)의 미세 구조는 광학 리소그래피에 의해서 이루어지는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판(7)은 재료(6, 19)가 미세 구조화된 중간 캐리어(1) 상에 증착되는 동안에 적어도 상기 재료(6, 19)의 이송 영역에서는 중간 캐리어(1)에 의하여 기판(7) 상에 직접 올려지는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 재료(6, 19)의 이송 과정은 미세 구조화된 중간 캐리어(1)에 의하여 기판이 올려지는 영역에서 이루어지는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 기판(7)은 재료(6, 19)가 미세 구조화된 중간 캐리어(1) 상에 증착되는 동안에 적어도 상기 재료(6, 19)의 이송 영역에서는 중간 캐리어(1)에 의하여 기판(7) 상에 직접 올려지며, 이때 기판(7) 및 미세 구조화된 중간 캐리어(1)에 의해서 증발 공간(29)이 형성되고, 재료(6, 19)가 상기 증발 공간(29) 내부로 이송되는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판(7)이 재료(6, 19)의 증착 동안에는 기판(7) 상으로 영구적으로 이동되는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
이송될 제 1 재료(6) 상에 추가의 재료(19)가 증착되며, 상기 추가의 재료는 제 1 재료(6)와 상이한 증발 온도를 갖는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 제 17 항에 있어서,
유입되는 에너지 양을 통해서 재료(6, 19)가 기판(7) 상에 선택적으로 증착되고, 그와 연관하여 상기 재료(6, 19)의 가열 및 증발이 이루어지며, 이때 에너지 유입의 조절은 방사 효율(radiation efficiency)을 통해서 이루어지는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
기판(7) 상에 증착된 이송될 재료(6, 19)의 층 두께의 국부적인 변경은 중간 캐리어(1)로부터 기판(7)으로 이송되는 동안에 이송될 재료(6, 19)의 입자가 분산됨으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 제 17 항에 있어서,
재료(6, 19)의 이송 동안에 이루어지는 입자의 분산은 재료(6, 19)의 이송 동안에 중간 캐리어(1)와 기판(7)의 간격 변경에 의해서 그리고/또는 주변 압력에 따라서 이루어지는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 방법. - 기판(7) 상에 재료(6)를 미세 구조화된 상태로 국부적으로 증착하기 위한 장치로서,
투명한 중간 캐리어(2), 방사선을 반사하는 미세 구조화된 층(3) 그리고 이송될 재료(6)가 그 위에 증착되는 방사선을 흡수하는 층(4), 그리고 상기 증착된 재료(6)에 마주 놓인 상기 중간 캐리어(1)의 측에 배치된 방사선원(8)으로 이루어진 층 시스템을 포함하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 장치. - 제 21 항에 있어서,
상기 방사선을 흡수하는 층(4) 상에 보호 층(5)이 배치되어 있고, 상기 보호 층 상에 이송될 재료(6)가 증착되는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 장치. - 제 21 항에 있어서,
상기 방사선을 흡수하는 층(4)이 방사선을 반사하는 미세 구조화된 층(3) 상에 배치된 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 장치. - 제 21 항에 있어서,
상기 방사선을 반사하는 층(3)이 상기 방사선을 흡수하는 미세 구조화된 층(4) 상에 배치된 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 장치. - 제 21 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 재료(6)로 코팅된 상기 중간 캐리어(1)의 측에 가열 장치(10)가 배치된 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 장치. - 제 21 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 미세 구조화된 중간 캐리어(1)가 냉각 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 장치. - 제 21 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 미세 구조화된 중간 캐리어(1)가 실린더로서 구현된 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 장치. - 제 27 항에 있어서,
상기 미세 구조화된 중간 캐리어(1)가 영구적으로 이동되는 실린더로서 구현된 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 장치. - 제 27 항 및 제 28 항에 있어서,
상기 실린더로서 구현된 미세 구조화된 중간 캐리어가 연속 코팅 설비의 진공 챔버(13) 내에 배치되어 있으며, 이때 상기 진공 챔버(13)는 재료(6)를 가열 및 증발하기 위한 증발기(12)를 구비하고, 또한 기판(7)을 상기 증발기(12)로부터 격리시키는 차폐부(14)가 제공되어 있으며, 이때 상기 차폐부(14)는 미세 구조화된 중간 캐리어(1)를 둘러싸는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 장치. - 제 29 항에 있어서,
상기 차폐부(14)가 가열될 수 있는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 장치. - 제 27 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방사선원(8)이 상기 미세 구조화된 중간 캐리어(1)의 내부에 배치된 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 장치. - 제 21 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방사선원(8)이 섬광-관으로서 구현된 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 장치. - 제 32 항에 있어서,
섬광-관으로서 구현된 상기 방사선원(8)이 크세논-섬광-관인 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 장치. - 제 21 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 미세 구조화된 중간 캐리어(1) 상에 있는 미세 구조(30)는 서브 구조물(31)로부터 구성되며, 상기 서브 구조물들이 중간 캐리어(1) 상에 있는 이송될 미세 구조(30)의 면의 적어도 한 부분을 덮는 것을 특징으로 하는,
기판상에 재료를 국부적으로 증착하기 위한 장치.
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Families Citing this family (10)
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| CN113299542B (zh) * | 2021-05-20 | 2023-03-10 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 一种高分辨率硅基彩色oled微显示器件的制备方法 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02307221A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-20 | Nec Corp | Ｃｖｄ膜の成長方法 |
| US5937272A (en) * | 1997-06-06 | 1999-08-10 | Eastman Kodak Company | Patterned organic layers in a full-color organic electroluminescent display array on a thin film transistor array substrate |
| US5851709A (en) * | 1997-10-31 | 1998-12-22 | Eastman Kodak Company | Method for selective transfer of a color organic layer |
| JP3785776B2 (ja) * | 1997-12-08 | 2006-06-14 | 重直 圓山 | 印刷紙の乾燥方法及びその装置 |
| WO2001005194A1 (fr) * | 1999-07-07 | 2001-01-18 | Sony Corporation | Procede et appareil de fabrication d'afficheur electroluminescent organique souple |
| US20030230238A1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-12-18 | Fotios Papadimitrakopoulos | Single-pass growth of multilayer patterned electronic and photonic devices using a scanning localized evaporation methodology (SLEM) |
| JP2004039364A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネル及びその製造方法 |
| JP4373235B2 (ja) * | 2003-02-14 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置及び成膜方法 |
| DE102004009987B3 (de) * | 2004-03-01 | 2005-10-20 | Oce Printing Systems Gmbh | Verfahren zum Bedrucken eines Aufzeichnungsträgers |
| JP2005307254A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Canon Inc | 蒸着方法 |
| KR100667069B1 (ko) * | 2004-10-19 | 2007-01-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 도너 기판 및 그를 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
| JP4738959B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2011-08-03 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 配線構造体の形成方法 |
| EP1948840A1 (en) * | 2005-11-15 | 2008-07-30 | Galileo Vacuum Systems S.p.A. | Device and method for controlling the power supplied to vacuum vaporization sources of metals and other |
| KR20070073457A (ko) | 2006-01-05 | 2007-07-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광소자용 도너 필름의 제조 방법 및 이를이용한 유기 전계 발광소자의 제조 방법 |
| JP2008066147A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 蒸着によるパターン形成方法、該方法を含む色変換フィルタ基板およびカラー有機ｅｌ素子の製造方法 |
| KR101563237B1 (ko) * | 2007-06-01 | 2015-10-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 제조장치 및 발광장치 제작방법 |
| JP2009043572A (ja) | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Sony Corp | 蒸発源、蒸発源の製造方法、及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| US8153201B2 (en) * | 2007-10-23 | 2012-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing light-emitting device, and evaporation donor substrate |
| KR101689519B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2016-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 증착용 기판, 증착용 기판의 제조방법, 및 발광장치의 제조방법 |
| DE102009007587B4 (de) * | 2009-02-05 | 2011-06-01 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten aus der Dampfphase |
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