JPWO2014174803A1 - Ｅｌ表示装置の製造方法 - Google Patents

Ｅｌ表示装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2014174803A1
JPWO2014174803A1 JP2015513531A JP2015513531A JPWO2014174803A1 JP WO2014174803 A1 JPWO2014174803 A1 JP WO2014174803A1 JP 2015513531 A JP2015513531 A JP 2015513531A JP 2015513531 A JP2015513531 A JP 2015513531A JP WO2014174803 A1 JPWO2014174803 A1 JP WO2014174803A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor deposition
crucible
display device
light emitting
case
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015513531A
Other languages
English (en)
Inventor
今中　誠二
誠二 今中
上谷　一夫
一夫 上谷
明 瀧口
明 瀧口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Joled Inc
Original Assignee
Joled Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Joled Inc filed Critical Joled Inc
Publication of JPWO2014174803A1 publication Critical patent/JPWO2014174803A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Abstract

パネル部を構成する構成要素が蒸着装置により成膜されるＥＬ表示装置の製造方法において、蒸着装置は、蒸着材料（４５）が収容される坩堝（４８）と、坩堝（４８）が内部に配置される金属製のケース（４９）と、坩堝（４８）内の蒸着材料（４５）を加熱する加熱ヒータ（５０）とを備え、ケース（４９）は、坩堝（４８）との間に間隙を設けて坩堝（４８）を収容する容器部（４９ａ）と、容器部（４９ａ）の開口部に取外し可能に取付けられ、かつ蒸着材料（４５）の蒸気を噴出させる噴出口（４９ｃ）を設けた蓋部（４９ｂ）とを有する。

Description

本技術は、ＥＬ表示装置の製造方法に関するものである。
近年、次世代の表示装置が盛んに開発されており、駆動用基板に、第１電極、発光層を含む複数の有機層および第２電極を順に積層したＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置が注目されている。ＥＬ表示装置は、自発光型であるので視野角が広く、バックライトを必要としないので省電力が期待でき、応答性が高く、装置の厚みを薄くできるなどの特徴を有している。そのため、テレビ等の大画面表示装置への応用が強く望まれている。
カラーディスプレイ用としては赤と青と緑の三色の画素による表示が最も一般的であり、省電力化や信頼性などを目的として赤と青と緑と白や赤と青と緑と薄青などの四色の画素による表示技術も各社で開発が進んでいる。
有機ＥＬ発光素子においては画素ごとに赤と青と緑の三色や赤と青と緑と白などの四色に有機ＥＬ発光部を形成する必要がある。
個別の有機ＥＬ部を形成する工法として最も一般的な工法は微細な穴の開いたファインメタルマスクを用いて、穴の部分だけに蒸着により有機ＥＬ部を形成する工法である。例えば、赤用ファインメタルマスクにより赤色に発色する有機ＥＬ部を蒸着により形成し、緑用ファインメタルマスクにより緑色に発色する有機ＥＬ部を蒸着により形成し、青用ファインメタルマスクにより青色に発色する有機ＥＬ部を蒸着により形成して、赤と緑と青の発光部が形成される。
一方大型の有機ＥＬ発光素子の作成やコストダウンには大型基板による有機ＥＬ発光素子技術の開発が重要である。
近年、大型基板による有機ＥＬ発光素子を形成する方法として二つの方法が注目されている。
一つ目の工法は白色有機ＥＬ素子を表示領域全域に形成し、赤と緑と青と白の四色のカラーフィルターにより着色表示させる方法である。この方法は大画面を形成したり、高精細ディスプレイを作成したりするには有効な方法である。
大型基板による有機ＥＬ発光素子の形成方法として注目されているもうひとつの工法は、塗布法により有機ＥＬ発光部を形成する方法である。塗布法としては様々な工法が検討されてきたが、大きく分けると凸版印刷やフレキソ印刷やスクリーン印刷やグラビア印刷などを用いるものとインクジェット法を用いるものである（特許文献１参照）。
特開２０１１−２４９０８９号公報
本技術は、複数個の画素を配列して配置した発光部と、発光部の発光を制御する薄膜トランジスタアレイ装置とからなるパネル部を備え、パネル部を構成する構成要素が蒸着装置により成膜されるＥＬ表示装置の製造方法において、蒸着装置は、蒸着材料が収容される坩堝と、坩堝が内部に配置される金属製のケースと、坩堝内の蒸着材料を加熱する加熱部とを備え、ケースは、坩堝との間に間隙を設けて坩堝を収容する容器部と、容器部の開口部に取外し可能に取付けられ、かつ蒸着材料の蒸気を噴出させる噴出口を設けた蓋部とを有することを特徴とする。
本技術によれば、ＥＬ表示装置を製造する際に、歩留まりを向上させることが可能となる。
図１は、本技術の一実施の形態による有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す斜視図である。 図２は、画素を駆動する画素回路の回路構成を示す電気回路図である。 図３は、ＥＬ表示装置において、ＲＧＢのサブピクセル部分の断面構造を示す断面図である。 図４は、本技術の一実施の形態によるＥＬ表示装置の製造方法において、電子輸送層を成膜するための真空蒸着装置の概略構成の一例を示す説明図である。 図５は、本技術の一実施の形態によるＥＬ表示装置の製造方法において、蒸着装置の蒸着源の構成を示す図である。 図６は、図５の６−６断面図である。
以下、本技術の一実施の形態によるＥＬ表示装置の製造方法について、図１〜図５の図面を用いて説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。
なお、添付図面および以下の説明は、当業者が本開示を十分に理解するために、提供されるのであって、これらにより請求の範囲に記載の主題を限定することは意図されていない。
図１は本技術の一実施の形態による有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す斜視図、図２は画素を駆動する画素回路の回路構成を示す図である。
図１、図２に示すように、ＥＬ表示装置は、下層より、複数個の薄膜トランジスタを配置した薄膜トランジスタアレイ装置１と、下部電極である陽極２、有機材料からなる発光層３及び透明な上部電極である陰極４からなる発光部との積層構造により構成され、発光部は薄膜トランジスタアレイ装置１により発光制御される。また、発光部は、一対の電極である陽極２と陰極４との間に発光層３を配置した構成であり、陽極２と発光層３の間には正孔輸送層が積層形成され、発光層３と透明な陰極４の間には電子輸送層が積層形成されている。薄膜トランジスタアレイ装置１には、複数の画素５がマトリックス状に配置されている。
各画素５は、それぞれに設けられた画素回路６によって駆動される。また、薄膜トランジスタアレイ装置１は、行状に配置される複数のゲート配線７と、ゲート配線７と交差するように列状に配置される複数の信号配線としてのソース配線８と、ソース配線８に平行に延びる複数の電源配線９（図１では省略）とを備える。
ゲート配線７は、画素回路６のそれぞれに含まれるスイッチング素子として動作する薄膜トランジスタ１０のゲート電極１０ｇを行毎に接続する。ソース配線８は、画素回路６のそれぞれに含まれるスイッチング素子として動作する薄膜トランジスタ１０のソース電極１０ｓを列毎に接続する。電源配線９は、画素回路６のそれぞれに含まれる駆動素子として動作する薄膜トランジスタ１１のドレイン電極１１ｄを列毎に接続する。
図２に示すように、画素回路６は、スイッチ素子として動作する薄膜トランジスタ１０と、駆動素子として動作する薄膜トランジスタ１１と、対応する画素に表示するデータを記憶するキャパシタ１２とで構成される。
薄膜トランジスタ１０は、ゲート配線７に接続されるゲート電極１０ｇと、ソース配線８に接続されるソース電極１０ｓと、キャパシタ１２及び薄膜トランジスタ１１のゲート電極１１ｇに接続されるドレイン電極１０ｄと、半導体膜（図示せず）とで構成される。この薄膜トランジスタ１０は、接続されたゲート配線７及びソース配線８に電圧が印加されると、当該ソース配線８に印加された電圧値を表示データとしてキャパシタ１２に保存する。
薄膜トランジスタ１１は、薄膜トランジスタ１０のドレイン電極１０ｄに接続されるゲート電極１１ｇと、電源配線９及びキャパシタ１２に接続されるドレイン電極１１ｄと、陽極２に接続されるソース電極１１ｓと、半導体膜（図示せず）とで構成される。この薄膜トランジスタ１１は、キャパシタ１２が保持している電圧値に対応する電流を電源配線９からソース電極１１ｓを通じて陽極２に供給する。すなわち、上記構成のＥＬ表示装置は、ゲート配線７とソース配線８との交点に位置する画素５毎に表示制御を行うアクティブマトリックス方式を採用している。
また、ＥＬ表示装置において、少なくとも赤色、緑色および青色の発光色で発光する発光部は、少なくとも赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光層を有するサブピクセルが複数個マトリクス状に配列されて複数個の画素が形成されている。各画素を構成するサブピクセルは、バンクによって互いに分離されている。このバンクは、ゲート配線７に平行に延びる突条と、ソース配線８に平行に延びる突条とが互いに交差するように形成することにより設けられる。そして、この突条で囲まれる部分、すなわちバンクの開口部にＲＧＢの発光層を有するサブピクセルが形成されている。
図３は、ＥＬ表示装置において、ＲＧＢのサブピクセル部分の断面構造を示す断面図である。図３に示すように、ＥＬ表示装置のパネル部は、ガラス基板、フレキシブル樹脂基板などのベース基板２１上に、上述した画素回路６を構成する薄膜トランジスタアレイ装置２２を形成している。また、薄膜トランジスタアレイ装置２２には、平坦化絶縁膜（図示せず）を介して下部電極である陽極２３が形成されている。そして、陽極２３上には、正孔輸送層２４、有機材料からなるＲＧＢに発光する発光層２５、電子輸送層２６、透明な上部電極である陰極２７が順に積層形成され、これによりＲＧＢの有機ＥＬ発光部が構成されている。
また、発光部の発光層２５は、絶縁層であるバンク２８により区画された領域に形成されている。バンク２８は、陽極２３と陰極２７との絶縁性を確保するとともに、発光領域を所定の形状に区画するためのものであり、例えば酸化シリコンまたはポリイミドなどの感光性樹脂により構成されている。
なお、上記実施の形態においては、正孔輸送層２４、電子輸送層２６のみを示しているが、正孔輸送層２４、電子輸送層２６それぞれには、正孔注入層、電子注入層が積層形成されている。
このように構成された発光部は、窒化ケイ素などの封止層２９により被覆され、さらにこの封止層２９上に接着層３０を介して透明なガラス基板、フレキシブル樹脂基板などの封止用基板３１が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。
ここで、ベース基板２１としては、その形状、材質、大きさ等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、無アルカリガラス、ソーダガラスなどのガラス材料やシリコン基板でも金属基板でも良い。また、軽量化やフレキシブル化を目的として高分子系材料を用いても良い。高分子系材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリイミドなどが適しているが、その他のアセテート系樹脂やアクリル系樹脂やポリエチレンやポリプロピレンやポリ塩化ビニル樹脂などの既知の高分子基板材料を用いても良い。高分子系材料を基板として用いるときには、ガラスなどの剛性のある基材の上に高分子基板を塗布法や貼り付けなどで形成した後、有機ＥＬ発光素子を形成し、その後ガラスなどの剛性のある基材を除去する製造方法が用いられる。
陽極２３は、アルミニウムやアルミニウム合金や銅などの導電性の良い金属材料や、光透過性のＩＺＯ、ＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛などの電気伝導度の高い金属酸化物や金属硫化物などにより構成される。成膜方法としては、真空蒸着法やスパッタリング法やイオンプレーティング法などの薄膜形成法が用いられる。
正孔輸送層２４は、ポリビニルカルバゾール系材料、ポリシラン系材料、ポリシロキサン誘導体、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン系化合物や芳香族アミン系化合物等などが用いられる。成膜方法としては、各種の塗布工法を用いることが可能であり、１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚みに形成される。また、正孔輸送層２４に積層される正孔注入層は、陽極２３からの正孔注入を高める層であり、酸化モリブデンや酸化バナジウムや酸化アルミニウムなどの金属酸化物、金属窒化物、金属酸化窒化物によりスパッタ法を用いて形成される。
発光層２５は、蛍光や燐光などを発光する有機系材料を主成分とし、必要に応じてドーパントを添加して特性を改善する。印刷法に適した高分子系有機材料としては、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニリン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体などが用いられる。ドーパントは、発光波長のシフトや発光効率の改善のために用いられるものであり、色素系および金属錯体系のドーパントが数多く開発されている。また、大型基板に発光層２５を形成する場合には印刷法が適しており、各種の印刷法の中でもインクジェット法が用いられ、２０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚みの発光層２５が形成される。
電子輸送層２６は、ベンゾキノン誘導体、ポリキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体などの材料が用いられる。成膜方法としては、真空蒸着法や塗布法が用いられ、通常１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚みに形成される。また、電子注入層は、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウムなどの材料が用いられ、真空蒸着法や塗布法により形成される。
陰極２７は、光の取り出し方向により材料が異なり、陰極２７側から光を取り出す場合は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化スズ、酸化亜鉛などの光透光性の導電材料を用いる。陽極２３側から光を取り出す場合は、白金、金、銀、銅、タングステン、アルミニウム及びアルミニウム合金などの材料を用いる。成膜方法としては、スパッタ法や真空蒸着法が用いられ、５０ｎｍ〜５００ｎｍ程度の厚みに形成される。
バンク２８は、領域内に発光層２５の材料を含む溶液を十分な量で充填するために必要な構造物で、フォトリソ法によって所定の形状に形成される。バンク２８の形状により、有機ＥＬ発光部のサブピクセルの形状を制御することができる。
封止層２９は、窒化ケイ素膜を成膜することにより形成され、成膜法としてはＣＶＤ（化学気相成長）法が用いられる。
上記のように、ＥＬ表示装置は、薄膜トランジスタアレイ装置２２や発光部の電子輸送層２６などのパネル部を構成する構成要素の一部または全部は、蒸着装置を用いて成膜する方法が用いられる。
図４は、本技術の一実施の形態によるＥＬ表示装置の製造方法において、電子輸送層を成膜するための真空蒸着装置の概略構成の一例を示す説明図である。
図４に示すように、発光層２５を形成したパネル基板４１は、搬送治具４２に保持された状態で真空雰囲気の蒸着装置４３内に搬送される。蒸着装置４３は、パネル基板４１の幅方向の長さに対応する長尺形状の蒸着源４４を有し、この蒸着源４４内には、電子輸送層２６を構成する蒸着材料４５が収容されている。また、蒸着源４４とパネル基板４１の間には、シャッター機構４６およびマスク４７が配置されている。
図５は、本技術の一実施の形態によるＥＬ表示装置の製造方法において、蒸着装置の蒸着源の構成を示す図であり、具体的には、図５は、長尺形状の蒸着源を長手方向の側面から見た概略断面図である。図６は、図５のＡ−Ａ線で切断した概略断面図である。
図５、図６に示すように、蒸着装置４３の蒸着源４４は、電子輸送層２６を構成する蒸着材料４５が収容されるセラミック材料などの耐火性の坩堝４８と、坩堝４８が内部に配置されるステンレス鋼やチタンにより構成される金属製のケース４９と、坩堝４８内の蒸着材料４５を加熱する加熱部としての加熱ヒータ５０と、ケース４９と加熱ヒータ５０とを保持具５１を介して保持する金属製の蒸着源ケース５２とを備えている。また、加熱ヒータ５０は、ケース４９を側面から挟むように配置されている。
ケース４９は、坩堝４８との間に間隙を設けて坩堝４８を収容する容器部４９ａと、容器部４９ａの開口部にボルトなどにより取外し可能に取付けられる蓋部４９ｂと、蓋部４９ｂに長手方向に沿って複数個設けられ、蒸着材料４５の蒸気を噴出させる噴出口４９ｃとを有している。また、坩堝４８は、ケース４９の容器部４９ａの底部に支持具５３により支持されている。
このように坩堝４８は、ケース４９の容器部４９ａ内に隙間を設け、しかも支持具５３により接触面積を少なくして収容しているため、蒸着材料４５により坩堝４８とケース４９とが固着するのを防ぐことができる。
本技術による製造方法においては、図５、図６に示す蒸着装置４３の蒸着源４４を用い、坩堝４８に収容した蒸着材料４５を加熱してケース４９の噴出口４９ｃから蒸気を噴出させることにより、パネル基板４１に電子輸送層２６を成膜するものである。
そして、蒸着源４４のケース４９は、坩堝４８との間に間隙を設けて坩堝４８を収容する容器部４９ａと、容器部４９ａの開口部に取外し可能に取付けられ、かつ蒸着材料４５の蒸気を噴出させる噴出口４９ｃを設けた蓋部４９ｂとを有する構成であるため、蒸着材料４５により坩堝４８とケース４９とが固着するのを防ぐことができる。しかも、ケース４９は、坩堝４８を収容する容器部４９ａから、噴出口４９ｃを設けた蓋部４９ｂが取外し可能であるため、噴出口４９ｃが汚れた場合のメンテナンスを容易に行うことができる。
これにより、パネル部を構成する構成要素を蒸着装置により成膜する際に、高い品質での成膜が可能となり、ＥＬ表示装置の製造時の歩留まりを向上させることができる。
なお、上記実施の形態においては、より高精細化を実現しやすい構造であるトップエミッション型で作成したが、本技術はボトムエミッション構造にも有効な技術である。
以上のように、本出願において開示する技術の例示として、上記の実施の形態を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用できる。
以上のように本技術によれば、ＥＬ表示装置を製造する際の歩留まりを向上させる上で有用である。
１，２２ 薄膜トランジスタアレイ装置
２，２３ 陽極
３，２５ 発光層
４，２７ 陰極
５ 画素
６ 画素回路
７ ゲート配線
８ ソース配線
９ 電源配線
１０，１１ 薄膜トランジスタ
２１ ベース基板
２４ 正孔輸送層
２６ 電子輸送層
２８ バンク
２９ 封止層
３０ 接着層
３１ 封止用基板
４１ パネル基板
４２ 搬送治具
４３ 蒸着装置
４４ 蒸着源
４５ 蒸着材料
４８ 坩堝
４９ ケース
４９ａ 容器部
４９ｂ 蓋部
４９ｃ 噴出口
５０ 加熱ヒータ
５１ 保持具
５２ 蒸着源ケース
５３ 支持具
本技術は、ＥＬ表示装置の製造方法に関するものである。
近年、次世代の表示装置が盛んに開発されており、駆動用基板に、第１電極、発光層を含む複数の有機層および第２電極を順に積層したＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置が注目されている。ＥＬ表示装置は、自発光型であるので視野角が広く、バックライトを必要としないので省電力が期待でき、応答性が高く、装置の厚みを薄くできるなどの特徴を有している。そのため、テレビ等の大画面表示装置への応用が強く望まれている。
カラーディスプレイ用としては赤と青と緑の三色の画素による表示が最も一般的であり、省電力化や信頼性などを目的として赤と青と緑と白や赤と青と緑と薄青などの四色の画素による表示技術も各社で開発が進んでいる。
有機ＥＬ発光素子においては画素ごとに赤と青と緑の三色や赤と青と緑と白などの四色に有機ＥＬ発光部を形成する必要がある。
個別の有機ＥＬ部を形成する工法として最も一般的な工法は微細な穴の開いたファインメタルマスクを用いて、穴の部分だけに蒸着により有機ＥＬ部を形成する工法である。例えば、赤用ファインメタルマスクにより赤色に発色する有機ＥＬ部を蒸着により形成し、緑用ファインメタルマスクにより緑色に発色する有機ＥＬ部を蒸着により形成し、青用ファインメタルマスクにより青色に発色する有機ＥＬ部を蒸着により形成して、赤と緑と青の発光部が形成される。
一方大型の有機ＥＬ発光素子の作成やコストダウンには大型基板による有機ＥＬ発光素子技術の開発が重要である。
近年、大型基板による有機ＥＬ発光素子を形成する方法として二つの方法が注目されている。
一つ目の工法は白色有機ＥＬ素子を表示領域全域に形成し、赤と緑と青と白の四色のカラーフィルターにより着色表示させる方法である。この方法は大画面を形成したり、高精細ディスプレイを作成したりするには有効な方法である。
大型基板による有機ＥＬ発光素子の形成方法として注目されているもうひとつの工法は、塗布法により有機ＥＬ発光部を形成する方法である。塗布法としては様々な工法が検討されてきたが、大きく分けると凸版印刷やフレキソ印刷やスクリーン印刷やグラビア印刷などを用いるものとインクジェット法を用いるものである（特許文献１参照）。
特開２０１１−２４９０８９号公報
本技術は、複数個の画素を配列して配置した発光部と、発光部の発光を制御する薄膜トランジスタアレイ装置とからなるパネル部を備え、パネル部を構成する構成要素が蒸着装置により成膜されるＥＬ表示装置の製造方法において、蒸着装置は、蒸着材料が収容される坩堝と、坩堝が内部に配置される金属製のケースと、坩堝内の蒸着材料を加熱する加熱部とを備え、ケースは、坩堝との間に間隙を設けて坩堝を収容する容器部と、容器部の開口部に取外し可能に取付けられ、かつ蒸着材料の蒸気を噴出させる噴出口を設けた蓋部とを有することを特徴とする。
本技術によれば、ＥＬ表示装置を製造する際に、歩留まりを向上させることが可能となる。
図１は、本技術の一実施の形態による有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す斜視図である。 図２は、画素を駆動する画素回路の回路構成を示す電気回路図である。 図３は、ＥＬ表示装置において、ＲＧＢのサブピクセル部分の断面構造を示す断面図である。 図４は、本技術の一実施の形態によるＥＬ表示装置の製造方法において、電子輸送層を成膜するための真空蒸着装置の概略構成の一例を示す説明図である。 図５は、本技術の一実施の形態によるＥＬ表示装置の製造方法において、蒸着装置の蒸着源の構成を示す図である。 図６は、図５の６−６断面図である。
以下、本技術の一実施の形態によるＥＬ表示装置の製造方法について、図１〜図５の図面を用いて説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。
なお、添付図面および以下の説明は、当業者が本開示を十分に理解するために、提供されるのであって、これらにより請求の範囲に記載の主題を限定することは意図されていない。
図１は本技術の一実施の形態による有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す斜視図、図２は画素を駆動する画素回路の回路構成を示す図である。
図１、図２に示すように、ＥＬ表示装置は、下層より、複数個の薄膜トランジスタを配置した薄膜トランジスタアレイ装置１と、下部電極である陽極２、有機材料からなる発光層３及び透明な上部電極である陰極４からなる発光部との積層構造により構成され、発光部は薄膜トランジスタアレイ装置１により発光制御される。また、発光部は、一対の電極である陽極２と陰極４との間に発光層３を配置した構成であり、陽極２と発光層３の間には正孔輸送層が積層形成され、発光層３と透明な陰極４の間には電子輸送層が積層形成されている。薄膜トランジスタアレイ装置１には、複数の画素５がマトリックス状に配置されている。
各画素５は、それぞれに設けられた画素回路６によって駆動される。また、薄膜トランジスタアレイ装置１は、行状に配置される複数のゲート配線７と、ゲート配線７と交差するように列状に配置される複数の信号配線としてのソース配線８と、ソース配線８に平行に延びる複数の電源配線９（図１では省略）とを備える。
ゲート配線７は、画素回路６のそれぞれに含まれるスイッチング素子として動作する薄膜トランジスタ１０のゲート電極１０ｇを行毎に接続する。ソース配線８は、画素回路６のそれぞれに含まれるスイッチング素子として動作する薄膜トランジスタ１０のソース電極１０ｓを列毎に接続する。電源配線９は、画素回路６のそれぞれに含まれる駆動素子として動作する薄膜トランジスタ１１のドレイン電極１１ｄを列毎に接続する。
図２に示すように、画素回路６は、スイッチ素子として動作する薄膜トランジスタ１０と、駆動素子として動作する薄膜トランジスタ１１と、対応する画素に表示するデータを記憶するキャパシタ１２とで構成される。
薄膜トランジスタ１０は、ゲート配線７に接続されるゲート電極１０ｇと、ソース配線８に接続されるソース電極１０ｓと、キャパシタ１２及び薄膜トランジスタ１１のゲート電極１１ｇに接続されるドレイン電極１０ｄと、半導体膜（図示せず）とで構成される。この薄膜トランジスタ１０は、接続されたゲート配線７及びソース配線８に電圧が印加されると、当該ソース配線８に印加された電圧値を表示データとしてキャパシタ１２に保存する。
薄膜トランジスタ１１は、薄膜トランジスタ１０のドレイン電極１０ｄに接続されるゲート電極１１ｇと、電源配線９及びキャパシタ１２に接続されるドレイン電極１１ｄと、陽極２に接続されるソース電極１１ｓと、半導体膜（図示せず）とで構成される。この薄膜トランジスタ１１は、キャパシタ１２が保持している電圧値に対応する電流を電源配線９からソース電極１１ｓを通じて陽極２に供給する。すなわち、上記構成のＥＬ表示装置は、ゲート配線７とソース配線８との交点に位置する画素５毎に表示制御を行うアクティブマトリックス方式を採用している。
また、ＥＬ表示装置において、少なくとも赤色、緑色および青色の発光色で発光する発光部は、少なくとも赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光層を有するサブピクセルが複数個マトリクス状に配列されて複数個の画素が形成されている。各画素を構成するサブピクセルは、バンクによって互いに分離されている。このバンクは、ゲート配線７に平行に延びる突条と、ソース配線８に平行に延びる突条とが互いに交差するように形成することにより設けられる。そして、この突条で囲まれる部分、すなわちバンクの開口部にＲＧＢの発光層を有するサブピクセルが形成されている。
図３は、ＥＬ表示装置において、ＲＧＢのサブピクセル部分の断面構造を示す断面図である。図３に示すように、ＥＬ表示装置のパネル部は、ガラス基板、フレキシブル樹脂基板などのベース基板２１上に、上述した画素回路６を構成する薄膜トランジスタアレイ装置２２を形成している。また、薄膜トランジスタアレイ装置２２には、平坦化絶縁膜（図示せず）を介して下部電極である陽極２３が形成されている。そして、陽極２３上には、正孔輸送層２４、有機材料からなるＲＧＢに発光する発光層２５、電子輸送層２６、透明な上部電極である陰極２７が順に積層形成され、これによりＲＧＢの有機ＥＬ発光部が構成されている。
また、発光部の発光層２５は、絶縁層であるバンク２８により区画された領域に形成されている。バンク２８は、陽極２３と陰極２７との絶縁性を確保するとともに、発光領域を所定の形状に区画するためのものであり、例えば酸化シリコンまたはポリイミドなどの感光性樹脂により構成されている。
なお、上記実施の形態においては、正孔輸送層２４、電子輸送層２６のみを示しているが、正孔輸送層２４、電子輸送層２６それぞれには、正孔注入層、電子注入層が積層形成されている。
このように構成された発光部は、窒化ケイ素などの封止層２９により被覆され、さらにこの封止層２９上に接着層３０を介して透明なガラス基板、フレキシブル樹脂基板などの封止用基板３１が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。
ここで、ベース基板２１としては、その形状、材質、大きさ等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、無アルカリガラス、ソーダガラスなどのガラス材料やシリコン基板でも金属基板でも良い。また、軽量化やフレキシブル化を目的として高分子系材料を用いても良い。高分子系材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリイミドなどが適しているが、その他のアセテート系樹脂やアクリル系樹脂やポリエチレンやポリプロピレンやポリ塩化ビニル樹脂などの既知の高分子基板材料を用いても良い。高分子系材料を基板として用いるときには、ガラスなどの剛性のある基材の上に高分子基板を塗布法や貼り付けなどで形成した後、有機ＥＬ発光素子を形成し、その後ガラスなどの剛性のある基材を除去する製造方法が用いられる。
陽極２３は、アルミニウムやアルミニウム合金や銅などの導電性の良い金属材料や、光透過性のＩＺＯ、ＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛などの電気伝導度の高い金属酸化物や金属硫化物などにより構成される。成膜方法としては、真空蒸着法やスパッタリング法やイオンプレーティング法などの薄膜形成法が用いられる。
正孔輸送層２４は、ポリビニルカルバゾール系材料、ポリシラン系材料、ポリシロキサン誘導体、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン系化合物や芳香族アミン系化合物等などが用いられる。成膜方法としては、各種の塗布工法を用いることが可能であり、１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚みに形成される。また、正孔輸送層２４に積層される正孔注入層は、陽極２３からの正孔注入を高める層であり、酸化モリブデンや酸化バナジウムや酸化アルミニウムなどの金属酸化物、金属窒化物、金属酸化窒化物によりスパッタ法を用いて形成される。
発光層２５は、蛍光や燐光などを発光する有機系材料を主成分とし、必要に応じてドーパントを添加して特性を改善する。印刷法に適した高分子系有機材料としては、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニリン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体などが用いられる。ドーパントは、発光波長のシフトや発光効率の改善のために用いられるものであり、色素系および金属錯体系のドーパントが数多く開発されている。また、大型基板に発光層２５を形成する場合には印刷法が適しており、各種の印刷法の中でもインクジェット法が用いられ、２０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚みの発光層２５が形成される。
電子輸送層２６は、ベンゾキノン誘導体、ポリキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体などの材料が用いられる。成膜方法としては、真空蒸着法や塗布法が用いられ、通常１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚みに形成される。また、電子注入層は、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウムなどの材料が用いられ、真空蒸着法や塗布法により形成される。
陰極２７は、光の取り出し方向により材料が異なり、陰極２７側から光を取り出す場合は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化スズ、酸化亜鉛などの光透光性の導電材料を用いる。陽極２３側から光を取り出す場合は、白金、金、銀、銅、タングステン、アルミニウム及びアルミニウム合金などの材料を用いる。成膜方法としては、スパッタ法や真空蒸着法が用いられ、５０ｎｍ〜５００ｎｍ程度の厚みに形成される。
バンク２８は、領域内に発光層２５の材料を含む溶液を十分な量で充填するために必要な構造物で、フォトリソ法によって所定の形状に形成される。バンク２８の形状により、有機ＥＬ発光部のサブピクセルの形状を制御することができる。
封止層２９は、窒化ケイ素膜を成膜することにより形成され、成膜法としてはＣＶＤ（化学気相成長）法が用いられる。
上記のように、ＥＬ表示装置は、薄膜トランジスタアレイ装置２２や発光部の電子輸送層２６などのパネル部を構成する構成要素の一部または全部は、蒸着装置を用いて成膜する方法が用いられる。
図４は、本技術の一実施の形態によるＥＬ表示装置の製造方法において、電子輸送層を成膜するための真空蒸着装置の概略構成の一例を示す説明図である。
図４に示すように、発光層２５を形成したパネル基板４１は、搬送治具４２に保持された状態で真空雰囲気の蒸着装置４３内に搬送される。蒸着装置４３は、パネル基板４１の幅方向の長さに対応する長尺形状の蒸着源４４を有し、この蒸着源４４内には、電子輸送層２６を構成する蒸着材料４５が収容されている。また、蒸着源４４とパネル基板４１の間には、シャッター機構４６およびマスク４７が配置されている。
図５は、本技術の一実施の形態によるＥＬ表示装置の製造方法において、蒸着装置の蒸着源の構成を示す図であり、具体的には、図５は、長尺形状の蒸着源を長手方向の側面から見た概略断面図である。図６は、図５のＡ−Ａ線で切断した概略断面図である。
図５、図６に示すように、蒸着装置４３の蒸着源４４は、電子輸送層２６を構成する蒸着材料４５が収容されるセラミック材料などの耐火性の坩堝４８と、坩堝４８が内部に配置されるステンレス鋼やチタンにより構成される金属製のケース４９と、坩堝４８内の蒸着材料４５を加熱する加熱部としての加熱ヒータ５０と、ケース４９と加熱ヒータ５０とを保持具５１を介して保持する金属製の蒸着源ケース５２とを備えている。また、加熱ヒータ５０は、ケース４９を側面から挟むように配置されている。
ケース４９は、坩堝４８との間に間隙を設けて坩堝４８を収容する容器部４９ａと、容器部４９ａの開口部にボルトなどにより取外し可能に取付けられる蓋部４９ｂと、蓋部４９ｂに長手方向に沿って複数個設けられ、蒸着材料４５の蒸気を噴出させる噴出口４９ｃとを有している。また、坩堝４８は、ケース４９の容器部４９ａの底部に支持具５３により支持されている。
このように坩堝４８は、ケース４９の容器部４９ａ内に隙間を設け、しかも支持具５３により接触面積を少なくして収容しているため、蒸着材料４５により坩堝４８とケース４９とが固着するのを防ぐことができる。
本技術による製造方法においては、図５、図６に示す蒸着装置４３の蒸着源４４を用い、坩堝４８に収容した蒸着材料４５を加熱してケース４９の噴出口４９ｃから蒸気を噴出させることにより、パネル基板４１に電子輸送層２６を成膜するものである。
そして、蒸着源４４のケース４９は、坩堝４８との間に間隙を設けて坩堝４８を収容する容器部４９ａと、容器部４９ａの開口部に取外し可能に取付けられ、かつ蒸着材料４５の蒸気を噴出させる噴出口４９ｃを設けた蓋部４９ｂとを有する構成であるため、蒸着材料４５により坩堝４８とケース４９とが固着するのを防ぐことができる。しかも、ケース４９は、坩堝４８を収容する容器部４９ａから、噴出口４９ｃを設けた蓋部４９ｂが取外し可能であるため、噴出口４９ｃが汚れた場合のメンテナンスを容易に行うことができる。
これにより、パネル部を構成する構成要素を蒸着装置により成膜する際に、高い品質での成膜が可能となり、ＥＬ表示装置の製造時の歩留まりを向上させることができる。
なお、上記実施の形態においては、より高精細化を実現しやすい構造であるトップエミッション型で作成したが、本技術はボトムエミッション構造にも有効な技術である。
以上のように、本出願において開示する技術の例示として、上記の実施の形態を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用できる。
以上のように本技術によれば、ＥＬ表示装置を製造する際の歩留まりを向上させる上で有用である。
１，２２ 薄膜トランジスタアレイ装置
２，２３ 陽極
３，２５ 発光層
４，２７ 陰極
５ 画素
６ 画素回路
７ ゲート配線
８ ソース配線
９ 電源配線
１０，１１ 薄膜トランジスタ
２１ ベース基板
２４ 正孔輸送層
２６ 電子輸送層
２８ バンク
２９ 封止層
３０ 接着層
３１ 封止用基板
４１ パネル基板
４２ 搬送治具
４３ 蒸着装置
４４ 蒸着源
４５ 蒸着材料
４８ 坩堝
４９ ケース
４９ａ 容器部
４９ｂ 蓋部
４９ｃ 噴出口
５０ 加熱ヒータ
５１ 保持具
５２ 蒸着源ケース
５３ 支持具

Claims (4)

  1. 複数個の画素を配列して配置した発光部と、前記発光部の発光を制御する薄膜トランジスタアレイ装置とからなるパネル部を備え、前記パネル部を構成する構成要素が蒸着装置により成膜されるＥＬ表示装置の製造方法において、
    前記蒸着装置は、蒸着材料が収容される坩堝と、前記坩堝が内部に配置される金属製のケースと、前記坩堝内の蒸着材料を加熱する加熱部とを備え、
    前記ケースは、前記坩堝との間に間隙を設けて坩堝を収容する容器部と、前記容器部の開口部に取外し可能に取付けられ、かつ前記蒸着材料の蒸気を噴出させる噴出口を設けた蓋部とを有することを特徴とするＥＬ表示装置の製造方法。
  2. 前記蒸着装置は、ケースと加熱部とを保持する蒸着源ケースを有していることを特徴とする請求項１に記載のＥＬ表示装置の製造方法。
  3. 前記加熱部は、ケースを側面から挟むように配置されていることを特徴とする請求項１に記載のＥＬ表示装置の製造方法。
  4. 前記蒸着装置の坩堝は、ケースの容器部の底部に支持具により支持されていることを特徴とする請求項１に記載のＥＬ表示装置の製造方法。
JP2015513531A 2013-04-22 2014-04-16 Ｅｌ表示装置の製造方法 Pending JPWO2014174803A1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013089023 2013-04-22
JP2013089023 2013-04-22
PCT/JP2014/002157 WO2014174803A1 (ja) 2013-04-22 2014-04-16 Ｅｌ表示装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2014174803A1 true JPWO2014174803A1 (ja) 2017-02-23

Family

ID=51791392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015513531A Pending JPWO2014174803A1 (ja) 2013-04-22 2014-04-16 Ｅｌ表示装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9502652B2 (ja)
JP (1) JPWO2014174803A1 (ja)
WO (1) WO2014174803A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6595568B2 (ja) * 2017-12-12 2019-10-23 キヤノントッキ株式会社 蒸発源装置及び蒸着装置
CN109023255A (zh) * 2018-08-21 2018-12-18 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀装置及蒸镀系统
US11903302B2 (en) * 2020-12-16 2024-02-13 Universal Display Corporation Organic vapor jet printing system

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10195639A (ja) * 1997-01-09 1998-07-28 Ulvac Japan Ltd 有機材料用蒸発源及びこれを用いた有機薄膜形成装置
JP2003502494A (ja) * 1998-11-12 2003-01-21 フレックス プロダクツ インコーポレイテッド 直線開口蒸着装置および被覆方法
JP2005163090A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 蒸着用るつぼ及び蒸着装置
JP2006111920A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Sony Corp 蒸着装置および蒸着方法
JP2006348337A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Sony Corp 蒸着成膜装置および蒸着源
JP2010150577A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空蒸着装置及び温度調整方法
JP2012216373A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5449883A (en) * 1992-08-07 1995-09-12 Mitsubishi Materials Corporation Continuous heat treatment system of semiconductor wafers for eliminating thermal donor
US7037797B1 (en) * 2000-03-17 2006-05-02 Mattson Technology, Inc. Localized heating and cooling of substrates
JP3959952B2 (ja) * 2000-11-10 2007-08-15 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置
US6539645B2 (en) * 2001-01-09 2003-04-01 Mark Savarese Drying apparatus and methods
US7217323B2 (en) * 2003-04-04 2007-05-15 Denso Corporation Equipment and method for manufacturing silicon carbide single crystal
JP5081516B2 (ja) * 2007-07-12 2012-11-28 株式会社ジャパンディスプレイイースト 蒸着方法および蒸着装置
JP4535116B2 (ja) * 2007-10-31 2010-09-01 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法
FR2929959B1 (fr) * 2008-04-10 2010-08-27 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation de polycristaux et de monocristaux d'oxyde de zinc (zno) sur un germe par sublimation activee chimiquement a haute temperature
JP5418236B2 (ja) * 2009-01-23 2014-02-19 住友電気工業株式会社 窒化物半導体結晶の製造装置、窒化物半導体結晶の製造方法および窒化アルミニウム結晶
JP4888548B2 (ja) * 2009-12-24 2012-02-29 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法
JP2011249089A (ja) 2010-05-25 2011-12-08 Panasonic Corp 有機ｅｌ表示パネルとその製造方法、および有機ｅｌ表示装置
WO2012003304A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 Crystal Is, Inc. Growth of large aluminum nitride single crystals with thermal-gradient control
KR101671489B1 (ko) * 2010-07-29 2016-11-02 삼성디스플레이 주식회사 유기물 증발원 및 그를 포함하는 증착 장치
US8557628B2 (en) * 2010-10-07 2013-10-15 Fairfield Crystal Technology, Llc Method for production of zinc oxide single crystals
JP2012207263A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Hitachi High-Technologies Corp 蒸着方法および蒸着装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10195639A (ja) * 1997-01-09 1998-07-28 Ulvac Japan Ltd 有機材料用蒸発源及びこれを用いた有機薄膜形成装置
JP2003502494A (ja) * 1998-11-12 2003-01-21 フレックス プロダクツ インコーポレイテッド 直線開口蒸着装置および被覆方法
JP2005163090A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 蒸着用るつぼ及び蒸着装置
JP2006111920A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Sony Corp 蒸着装置および蒸着方法
JP2006348337A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Sony Corp 蒸着成膜装置および蒸着源
JP2010150577A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空蒸着装置及び温度調整方法
JP2012216373A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9502652B2 (en) 2016-11-22
WO2014174803A1 (ja) 2014-10-30
US20150111323A1 (en) 2015-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2014136149A1 (ja) Ｅｌ表示装置
JP4953166B2 (ja) 表示パネルの製造方法
KR101895616B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2011040167A (ja) 表示装置およびその製造方法
US6864639B2 (en) Display and method for manufacturing the same
JP2018194572A (ja) 表示装置
KR20140111839A (ko) 유기 발광 표시 장치
JP6111487B2 (ja) Ｅｌ表示装置
JP5478954B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US8076843B2 (en) Organic electroluminescence display device
WO2014174803A1 (ja) Ｅｌ表示装置の製造方法
US9209402B2 (en) Method of manufacturing EL display device
CN115485850A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2015087461A1 (ja) 表示装置
US9293740B2 (en) Method of manufacturing EL display device
KR102242982B1 (ko) 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
JP4314000B2 (ja) 表示装置
EP4207974A1 (en) Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
KR101222985B1 (ko) 유기 발광 소자
WO2014174805A1 (ja) Ｅｌ表示装置の製造方法
JP2014212087A (ja) Ｅｌ表示装置の製造方法
KR101294843B1 (ko) 전계발광소자 및 그 제조방법
JP2008205174A (ja) 有機ｅｌ素子アレイ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170120

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171205

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180131

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180703

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190129