TWI378617B - - Google Patents

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TWI378617B
TWI378617B TW093121368A TW93121368A TWI378617B TW I378617 B TWI378617 B TW I378617B TW 093121368 A TW093121368 A TW 093121368A TW 93121368 A TW93121368 A TW 93121368A TW I378617 B TWI378617 B TW I378617B
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Taiwan
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discharge electrode
surge absorber
pair
oxide film
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TW093121368A
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Yasuhiro Shato
Tuyoshi Ogi
Miki Adachi
Sung Gyoo Lee
Takashi Kurihara
Toshiaki Ueda
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Mitsubishi Materials Corp
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Description

1378617 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種保護湧浪等各種機器,使用於可將 事故防範於未然的湧浪吸收器。 【先前技術】 電話機、傳真機、調變解碼等的通信機器用的電子機 器與通信線相連續的部分、電源線、天線或是CRT驅動電 路等’在容易受到雷湧浪或靜電等的異常電流(湧浪電流 )或異常電壓(湧浪電壓)所產生的電擊的部分,爲了防 止藉由異常電壓而使電子機器或裝載該機器的印刷基板的 熱性損傷或發火等所產生的破壞,連接有湧浪吸收器》 先前,提案一種如使用具有微間隙的湧浪吸收元件的 湧浪吸收器。該湧浪吸收器是一種放電型湧浪吸收器,在 導電性被膜所被覆的圓柱狀陶瓷構件的周面,形成有所謂 微間隙,而在陶瓷構件的兩端具有一對管帽電極的湧浪吸 收元件與密封氣體一起被收容在玻璃管內,具有引出線的 密封電極以高溫加熱被密封於圓筒狀玻璃管的兩端。 近年來,此種放電型的湧浪吸收器,也有長壽命化隨 著進步,作爲適用於上述湧浪吸收器的例子,於進行管帽 電極的主放電的一面將此管帽電極還低放電時的揮發性的 Sn02作成被覆層者。藉由作成如此,在主放電時抑制管帽 電極的金屬成分飛散至微間隙或玻璃管的內壁而得到長壽 命化(例如,參照專利文獻1 )。 1378617 又,隨著機器的小型化,表面安裝化有所進步。作爲 適應於上述湧浪吸收器的例,就面安裝型,在密封電極沒 有引出線,而在安裝時以錫焊連接密封電極與基板側並加 以固定者(例如參照專利文獻2 )。 如第12圖所示地,該湧浪吸收器1〇〇是具備:於一面 中介中央的放電間隙分割形成有導電性被膜102的板狀陶 瓷103,及配置於該板狀陶瓷103兩端的一對密封電極105 ,及將此些密封電極105配置於兩端且將板狀陶瓷103與密 封氣體106—起密封的筒型陶瓷107。 該密封電極105是藉由端子電極構件,及與該端子電 極構件108電性地連接而接觸於導電性被膜102的板簧導體 109所構成。 專利文獻1 :日本國特開平1 0- 1 0671 2號公報(第5頁 ,第1圖)。 專利文獻2:日本國特開2000-2689號公報(第1圖) 【發明內容】 然而,在上述先前的湧浪吸收器,還留下以下的課題 。亦即,在上述先前的湧浪吸收器,例如藉由化學蒸鍍( CVD)法等的薄膜形成法形成有Sn02被膜,惟Sn02被膜對 於管帽電極的附著力較弱之故,因而藉由主放電時的Sn02 被膜的剝離,無法充分地發揮Sn02被膜的特性。 本發明是鑑於上述的課題而創作者,其目的是在於提 -6- 1378617 供一種藉由被覆有在高溫領域下具優異化學性穩定性,且 對於主放電電極的附著力優異的氧化物層,使之長壽命化 的湧浪吸收器。 本發明是爲了解決上述課題而採用以下的構成。亦即 ’本發明的湧浪吸收器,屬於具備中介放電間隙而分割形 成有導電性被膜的絕緣材構件,及相對向配置具有接觸於 上述導電性被膜的一對主放電電極構件,及相對地配置該 一對主放電電極構件而將上述絕緣材構件與密封氣體一起 密封於內部的絕緣性管的湧浪吸收器,其特徵爲: 在上述一對主放電電極構件的主放電面,形成有依氧 化處理的氧化膜,上述主放電電極構件爲包含Cr的構件, 而在上述氧化膜表面經表面富化有Cr者。 從外部所侵入的湧浪等的異常電流及異常電壓,是將 微間隙的放電作爲觸發,而在一對突出支持部相對向的一 面的主放電面間進行主放電,使得湧浪被吸收。 依照本發明,藉由在主放電面形成有氧化膜,可作成 在高溫領域下具優異化學性穩定性的主放電面。因此,抑 制在主放電時飛散主放電面的電極成分而附著於微間隙或 絕緣性管內壁等,可得到湧浪吸收器的長壽命化。又,該 氧化膜是與主放電面的附著力優異之故,因而可發揮氧化 膜的特性。又,不必將在高溫領域下具優異化學性穩定性 的昂貴金屬使用作爲主放電電極構件’因此在本發明可將 廉價的金屬材料使用主放電電極構件。 又,在氧化膜表面藉由富化在高溫領域下化學性穩定 -7- 1378617 上優點,具高融點,具有導電性的鉻氧化物,而在主放電 面形成具優異附著力的氧化膜之故,因而發揮氧化膜的特 性,而可得到湧浪吸收器的長壽命化。 在此,所謂富化是指氧化膜表面的組成,比主放電電 極構件的主體組成還大者》 又,本發明的湧浪吸收器,屬於具備中介中央的放電 間隙而分割形成有導電性被膜於周面的柱狀絕緣性構件, 及相對向配置於該絕緣性構件的兩端且接觸於上述導電性 被膜的一對主放電電極構件,及將上述一對主放電電極構 件配置於兩端而將上述絕緣性構件與密封氣體一起密封於 內部的絕緣性管的湧浪吸收器,其特徵爲: 上述主放電電極構件具備與上述絕緣性管的端面以焊 料黏接的周緣部,及 上述絕緣性管的內側且朝軸方向突出之同時,以徑方 向內側面支持上述絕緣性構件的突出支持部;' 在上述一對主放電電極構件的上述突出支持部的相對 向面的主放面,形成有依氧化處理的氧化膜; 上述主放電電極構件爲包含cr的構件,而在上述氧化 膜表面經表面富化有Cr者。 依照本發明,形成與主放電面具優異附著力的氧化膜 之故,因而可發揮氧化膜的特性,並可得到湧浪吸收器的 長壽命化。 又,在氧化膜表面藉由富化在高溫領域下化學性穩定 上優點,具高融點,具有導電性的鉻氧化物,而在主放電 -8- 1378617 面形成具優異附著力的氧化膜之故,因而發揮氧化膜的特 性,而可得到湧浪吸收器的長壽命化。 又,本發明的湧浪吸收器,是上述氧化膜的平均膜厚 爲0.01 y m以上2.0 /Z m以下,爲其特徵者。 依照本發明,氧化膜的平均膜厚爲〇.〇1 // m以上,則 可充分地抑制依主放電的主放電電極構件的電極或成分的 飛散。又,若2.0 m以下,則可抑制依氧化膜成爲容易發 散的湧浪吸收器的短壽命化。 又,爲了將湧浪吸收器作成更長壽,氧化膜的平均膜 厚是滿足0.2# m以上1.0/z m以下較理想。 依照本發明的湧浪吸收器,藉由氧化處理所形成的氧 化膜,在高溫領域下具有化學上穩定的特性,同時對於主 放電面具有優異附著力,可充分地發揮氧化膜特性。因此 ,可將湧浪吸收器作成長壽者。 【實施方式】 以下,一面參照第1圖至第3圖一面說明本發明的湧浪 吸收器的第一實施形態。 如第1圖所示地,依本實施形態的湧浪吸收器1是使用 所謂微間隙的放電型湧浪吸收器,屬於具備中介中央的放 電間隙2分割形成有導電性被膜於周面的圓柱狀圓柱狀陶 瓷(絕緣性構件)4,及相對於該圓柱狀陶瓷4的兩端且接 觸於導電性被膜3的一對主放電電極構件5,及將此些一對 主放電電極構件5配置於兩端,且將圓柱狀陶瓷4與爲了得 -9- 16 — 1378617 到電性特性經調整組成等的例如氬(A〇等密封氣f 起密封於內部的筒型陶瓷(絕緣性管)7。 圓柱狀陶瓷4是由莫來石(mullite)燒結體等的 材料所構成,而在表面作爲導電性被膜3形成有依物 鍍(PVD)法,化學蒸鍍法(CVD)法的薄膜形成技 氮化鈦(TiN )等薄膜。 放電間隙2是藉由雷射切斷、切割、蝕刻等加 0.01至1.5 mm寬度形成1至100條,惟在本實施形態中 成一條1 50 # m者。 —對主放電電極構件5是以鐵(Fe )、鎳(Ni ) 鈷(Co)的合金的哥柏(KO VAR :登記商標)所構成 如第2圖所示地,該一對主放電電極構件5是具備 筒型陶瓷7的端面以焊料8分割黏接的縱橫比作成1以 長方形狀周緣部5A,及筒型陶瓷7內側且朝軸方向突 同時支持圓柱狀陶瓷4的突出支持部9;在被突出支并 圍繞而相對向於圓柱狀陶瓷4的端部位置形成有中央 5B。 突出支持部9是容易壓入或嵌合徑向內側面與圓 陶瓷4的端部般地,徑向內側面稍具推拔形狀較理想 ,突出支持部9前端的互相相對向面作爲主放電面9A< 在此,在藉由在大氣中進行5 00 °C,3 0分鐘氧化 ,形成平均膜厚〇.6/zm的氧化膜9B於主放電電極構f 主放電面9 A。 筒型陶瓷7是如氧化鋁(Al2〇3 )等絕緣性陶瓷所 陶瓷 理蒸 術的 工以 ,形 '及 :〇 :與 下的 出, 爭部9 領域 柱狀 。又 > 處理 5的 構成 -10- 1378617 ,具有斷面長方形,而兩端面外形與周緣部5A的外周尺 寸大約一致。 以下,說明以上結構所成的本實施形態的湧浪吸收器 1的製造方法。 首先,將一對端子電極構件5藉由沖壓加工一體成形 成所期望的形狀。然後,對於主放電面9A,利用在大氣 中進行500ym,30分鐘氧化處理,以形成平均膜厚0.6 A 111的氧化膜9B。該氧化膜9B的膜厚是藉由FIB ( Focused Ion Bean)在氧化膜9B的表面進行槽加工,作爲以掃描型 電子顯微鏡測定該槽斷面複數(例如20 )部位的平均値。 之後,在筒型陶瓷的兩端面,爲了提昇與焊料8的濕 潤性,例如形成分別具備一層鉬(Mo ) —鎢(W )層與鎳 (Ni)層的金屬噴敷層。 然後,在其中一方的端子電極構件5的中央領域5B上 ,載置圓柱狀陶瓷4而接觸徑向內側面與圓柱狀陶瓷4的端 面。又,在周緣部5A與筒型陶瓷7的端面之間夾住焊料8 的狀態下,將筒型陶瓷7載置於另一方的端子電極構件5的 周緣部5 A上。 又,圓柱狀陶瓷4上方成爲中央領域5B相對向地載置 端子電極構件5而接觸徑向內側面與端子電極構件5。之後 ,在周緣部5A與筒型陶瓷7之端面間作成夾住焊料8的狀 態。 如上述地在暫時組合狀態下經充分地加以真空抽引後 ,作爲密封氣體氣氛而過熱至熔融焊料8爲止。利用焊料8 -11 - 1378617 的熔融未密封圓柱狀陶瓷4,然後快速地進行冷卻,俾製 造湧浪吸收器1。 如第3圖所示,如此地所製造的湧浪吸收器1,是將筒 型陶瓷7的一側面的安裝面7 A載置於印刷基板等的基板B 上,而藉由焊錫S黏接固定基板B與一對端子電極構件5的 外面加以使用。 依照上述構成,藉由依主放電面9A的氧化處理形成 平均膜厚0.01以m以上2.0// m以下的氧化膜9B,使得主放 電面9A在高溫領域下可作成化學上(熱力學上)穩定的 特性。又’該氧化膜9B是與主放電電極構件5的附著力優 異之故’因而可發揮氧化膜9B的特性。所以,在主放電時 即使突出支持部9成爲高溫,也可充分地抑制主放電電極 構件5的金屬成分往微間隔2或筒型陶瓷7的內壁等的飛散 。因此,可得到湧浪吸收器的長壽命化。 以下’一面參照第4圖一面說明第二實施形態。 又’在此所說明的實施形態是其基本上結構與上述的 第一實施形態同樣,而在上述第一實施形態附加其他元件 者。因此’在第4圖中,與第1圖相同結構元件賦予相同符 號,而省略其說明。 第二實施形態與第一實施形態的不同處,是在第一實 施形態中藉由主放電電極構件5的突出支持部9來支持圓柱 狀陶瓷4的結構;而第二實施形態的湧浪吸收器2〇,是主 放電電極構件21具有第—實施形態的主放電電極構件5同 樣結構的端子電極構件22與管帽電極23,圓柱狀陶瓷4中 -12- 1378617 介管帽電極23被支持在設於端子電極構件22的突出支持部 24 〇 一對管帽電極23是硬度比圓柱狀陶瓷4還低’由如可 塑性變形的不銹鋼等金屬所成。外周部比端子電極構件22 的突出支持部24前端還延伸而形成斷面大約U形,被作爲 主放電面。 例如10 - 8不銹鋼時,該一對管帽電極23的表面是在 被控制在所定氧氣濃度的還原氣氛下藉由進行°C,40
分鐘氧化處理,而在表面形成富化Cr的0.6/z m氧化膜23 B 〇 以下,說明使用以上結構所成的18 - 8金屬管帽的本 實施形態的湧浪吸收器20的製造方法。 首先,對於一對端子電極構件22施以退火處理之後, 藉由沖壓加工加以一體成形。 之後,在一對管帽電極23的表面,利用在被控制成所 定氧氣濃度的還原氣氛進行7〇〇 °C,40分鐘氧化處理,在 氧化膜表面Cr富化成10%以上的平均膜厚0.6" m的氧化膜 23B。在此,氧化膜23B表面的Cr富化,是依奧格(Auger )分光分析的表面分析,確認得到例如5部位的複數部位 測定的平均値。 然後,將一對管帽電極23卡合於圓柱狀陶瓷4的兩端 ,使用第一實施形態同樣的方法來製造湧浪吸收器20。 該湧浪吸收器20是具有與上述的第一實施形態的湧浪 吸收器1同樣的作用及效果。 -13- 1378617 以下,一面參照第5圖一面說明第三實施形態。 又,在此所說明的實施形態是其基本上結構與上述的 第一實施形態同樣,而在上述第二實施形態附加其他元件 者。因此’在第5圖中,與第4圖相同結構元件賦予相同符 號,而省略其說明》 第三實施形態與第二實施形態的不同處,是在第二實 施形態中端子電極構件22具有一體所形成的突出支持部24 ,而在第三實施形態的湧浪吸收器3 0,如第5 ( a )圖所示 地主放電電極構件31是以平板狀的端子電極構件32及管帽 電極2 3所構成。 又,在該一對端子電極構件32的相互相對向的內面, 塗布焊料3 3。 如第5(b)圖所示地,該焊料33是具備塡補形成於一 對端子電極構件32與管帽電極23之接觸面的間隙34的塡充 部35’及在管帽電極23的兩端保持管帽電極23的外周面的 保持部3 6。 又,保持部36的高度h是形成比管帽電極23的高度還 低°由此,管帽電極23的互相相對向的面成爲主放電面 2 3 A。 以下,說明以上所構成的本實施形態的湧浪吸收器3 0 的製造方法。 首先,與上述第二實施形態同樣地在一對管帽電極23 的表面形成氧化膜23B,卡合於圓柱狀陶瓷4的兩端。 之後,在端子電極構件32的一面塗布形成保持部36具 -14- 1378617 充分量的焊料33,而在端子電極構件η的中央領域上,載 ®胃>11電極23所卡合的圓柱狀陶瓷4而接觸端子電極構件 32與管帽電極23。然後,載置筒型陶瓷7的端面。 然後’在筒型陶瓷7的另一方端面,載置塗布有焊料 3 3的另一方的端子電極構件3 2作成暫時組合的狀態。 以下說明密封工程。將如上述地成爲暫時組合狀態的 元件在Ar氣氛中施以加熱處理,使得焊料33熔融,來密接 端子電極構件32與管帽電極構件A。此時,利用熔融使焊 半斗33的塡充部35塡補存在於管帽電極23與端子電極構件32 之間的間隙34。又,利用焊料33的表面張力所形成的保持 部36’能塡在管帽電極23的兩端部地加以保持。 然後’與上述第一實施形態同樣地進行冷卻工程來製 造湧浪吸收器。 該湧浪吸收器30是具有與上述的第一實施形態的湧浪 吸收器1同樣的作用及效果。 又,在本實施形態中,藉由與焊料33相同構件形成保 持部36及塡充部35,惟藉由焊料33不相同材料來形成塡充 部也可以,例如活性焊銀般上可黏接氧化膜23B與端子電 極構件32的導電性黏接劑也可以。作成如此,使得管帽電 極23與端子電極構件32黏接,而可得到主放電電極構件31 與導電性被膜3的更充分的歐姆接觸。因此,使得湧浪吸 收器30的放電開始電壓等的電性特性穩定。 又,保持部36也與塡充部35同樣地與焊料33不相同的 材料所形成也可以,例如使用對於焊料3 3或活性焊銀不容 -15- 1378617 易濕潤的玻璃材也可以。作成如此,使得圓柱狀陶瓷4更 確實地被固定在端子電極構件32的中央附近或其周邊部。 以下,一面參照第6圖一面說明第四實施形態。 又,在此所說明的實施形態是其基本上結.構與上述的 第一實施形態同樣,而在上述第一實施形態附加其他元件 者。因此,在第6圖中,與第1圖相同結構元件賦予相同符 號,而省略其說明。 第四實施形態與第一實施形態的不同處,是在第一實 施形態中主放電電極構件5具有一體地形成的突出支持部9 ,將圓柱狀陶瓷4壓入或嵌合於該突出支持部9的結構,而 在第四實施形態的湧浪吸收器40是主放電電極構件4 1以端 子電極構件32與突出支持構件42所構成。 突出支持構件42是具有大約有底圓筒形狀、開口 42B 形成於底面42A中央。該開口 42B的開口徑是形成比圓柱 狀陶瓷更小。又,圓柱狀陶瓷4藉由插通開口 42B,朝軸向 外方彈性地折彎底面42A,成爲得到突出支持構件42與導 電性被膜3的優異歐姆接觸。 又,該一對突出支持構件42的表面,藉由與上述第一 實施形態同樣的氧化處理形成0.6 y m氧化膜42C,使得互 相相對向的面的底面42 A成爲主放電面。 該湧浪吸收器40是有與上述的第一實施形態的湧浪吸 收器1同樣的作用及效果。 以下,一面參照第7圖一面說明第五實施形態。 又,在此所說明的實施形態是其基本上結構與上述的 -16- 1378617 第一實施形態同樣,而在上述第一實施形態附加其他元件 者。因此,在第7圖中,與第1圖相同結構元件賦予相同符 號,而省略其說明。 第五實施形態與第一實施形態的不同處,是在第一實 施形態中載置於基板上的面安裝型的湧浪吸收器,而第五 實施形態的湧浪吸收器50是成爲具備引出線的湧浪吸收器 〇 亦即,湧浪吸收器50是具備:分割形成有導電性被膜 3的圓柱狀陶瓷4,及配置於該圓柱狀陶瓷4兩端的主放電 電極構件51,及與該主放電電極構件51—起密封的圓柱狀 陶瓷4的玻璃管52。 湧浪吸收器51是具備管帽電極55,及從管帽電極55後 端延出的引出線56。 該一對管帽電極55的表面,是利用與上述第一實施形 態同樣的氧化處理形成0.6 y m氧化膜55A,成爲互相相對 向的面成爲主放電面55B。 玻璃管52是配置覆蓋圓柱狀陶瓷4及一對管帽電極55 ,且從兩端突出引出線56。 該湧浪吸收器是有與上述的第一實施形態的湧浪吸收 器1同樣的作用及效果。 以下,一面照第8圖一面說明第六實施形態。 又,在此所說明的實施形態是其基本上結構與上述的 第一實施形態同樣,而在上述第一實施形態附加其他元件 者。因此,在第6圖中,與第1圖相同結構元件賦予相同符 -17- 1378617 號,而省略其說明。 第六實施形態與第五實施形態的不同處,是在第五實 施形態中在分割形成有導電性被膜3的圓柱狀陶瓷4兩端配 置管帽電極55,而第六實施形態的湧浪吸收器60是於一面 上中放電間隙61分割形成導電性被膜62的板狀陶瓷63的兩 端,配置有夾持該板狀陶瓷63的主放電電極構件64。 湧浪吸收器64是具備:接觸於導電性被膜62之同時夾 持板狀陶瓷63的夾持電極65,及設於夾持電極65的後端的 引出線56。 夾持電極65的表面,是藉由與上述的第一實施形態同 樣的氧化處理形成0.6 e m氧化膜65A,互相相對向的面成 爲主放電面65B。該夾持電極65藉由夾持板狀陶瓷63,構 成可得到導電性被膜62與夾持電極65的良好的歐姆接觸。 該湧浪吸收器是具有與上述的第一實施形態的湧浪吸 收器1同樣的作用及效果。 (實施例1 ) 以下,藉由實施例參照第9圖及第10圖具體地說明本 發明的湧浪吸收器。 將上述的第二實施形態的湧浪吸收器20,及沒有氧化 膜23 B的先前的湧浪吸收器分別安裝於基板等使用時的壽 命加以比較。 具體上作爲實施例,重複如第9圖所示的湧浪電流而 在湧浪吸收器施加所定次數,將測定其時的間隙間的放電 -18- 1378617 開始電壓(v)的結果表示於第10圖。 先前的湧浪吸收器是當重複施加湧浪電流,則主放電 電極構件的金屬電極的金屬成分會發散較多,由於以較短 時間內這些金屬成分會堆積在微間隙,而降低間隙間的放 電開始電壓導致影響壽命。另一方面,本發明的湧浪吸收 器20,由於利用氧化膜23B會抑制主放電電極構件23的電 極成分的飛散,不會有太多放電間隙2的金屬成分的堆積 ,可知間隙間的放電開始電壓穩定。 又,本發明是並.不被限定於上述實施形態者,在不超 越本發明的要旨的範圍內可施加各種變更。 例如如第1 1圖所示,在一對板簧導體1 09的互相相對 向的面的主放電面109 A藉由與上述第一實施形態同樣的 氧化處理形成氧化膜1 0 9 B的湧浪吸收器7 0也可以。作成如 此具有與上述同樣的作用及效果。 又,導電性被膜是Ag、Ag/Pd合金、Sn02、Al、Ni 、Cu、Ti ' Ta ' W ' SiC、BaAl、C、Ag/Pt合金、TiO、 Tic、TiCN等也可以。 又,主放電電極構件是Ca或Ni系合金也可以。 又,筒型陶瓷兩端面的金屬噴敷層是Ag、Cu、Au都 可以,或是未使用金屬噴敷層而僅以活性焊料施以密封也 可以。 又,密封氣體是爲了得到所期望的電性特性而調整組 成等,例如大氣(空氣)也可以,而Ar、N2、Ne、He、 Xe、H2、SF6、CF4、C2F6、C3Fr、(:02等,及此些的混合 -19- 1378617 氣體也可以。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示本發明的第一實施形態的湧浪吸收器的 軸向剖視圖》 第2圖是表示本發明的第一實施形態的端子電極構件 者;第2(a)圖是表示俯視圖;第2(b)圖是表示第2(a )圖的X— X線箭視剖視圖。 第3圖是表示將本發明的第一實施形態的湧浪吸收器 安裝於基板上時的剖視圖。 第4圖是表示本發明的第二實施形態的湧浪吸收器的 軸向視圖。 第5圖是表示本發明的第三實施形態者;第5 (a)圖 是表示軸向剖視圖;第5(b)圖是表示端子電極構件與管 帽電極的接觸部分的放大圖。 第6圖是表示本發明的第四實施形態的湧浪吸收器的 軸向剖視圖。 第7圖是表示本發明的第五實施形態的湧浪吸收器的 軸向剖視圖。 第8圖是表示本發明的第六實施形態的湧浪吸收器的 軸向剖視圖。 第9圖是表示本發明的實施例的湧浪電流的時間與電 流値的關係圖表。 第10圖是表示本發明的實施例的湧浪吸收器的放電次 -20- 1378617 數與放電開始電壓的關係圖表◊ 第11圖是表示本發明的實施形態以外的適用本發明的 湧浪吸收器的剖視圖。 第12圖是表示先前的湧浪吸收器的剖視圖。 【主要元件符號說明】 1, 20, 30, 40, 50, 60, 70 湧浪吸收器 2,6 1,1 01 放電間隙 3 ’ 62,102 導電性被膜 4 圓柱狀陶瓷(絕緣性構件) 5’ 21’ 31,41’ 51,64,105 主放電電極構件 5Α 周緣部 6*106 密封氣體 7,107 筒型陶瓷(絕緣性管) 8,33 焊材 9,24 突出支持部 9Α > 23Β > 55Β > 65Β,1 09Α 主放電面 9Β,23Β > 42C > 55Α > 65Α,109Β 氧化膜 42Α 底面(主放電面) 52 玻璃管(絕緣性管) 63,103板狀陶瓷(絕緣性構件) -21 -

Claims (1)

1378617 十、申請專利範圍 1 · 一種湧浪吸收器,屬於具備中介放電間隙而分割 形成有導電性被膜的絕緣材構件,及相對向配置具有接觸 於上述導電性被膜的一對主放電電極構件,及相對地配置 該一對主放電電極構件而將上述絕緣材構件與密封氣體一 起密封於內部的絕緣性管的湧浪吸收器,其特徵爲: 在上述一對主放電電極構件的主放電面,形成有依氧 化處理的氧化膜, 上述主放電電極構件爲包含Cr的構件,而在上述氧化 膜表面經表面富化有以者》 2. —種湧浪吸收器,屬於具備中介中央的放電間隙 而分割形成有導電性被膜於周面的柱狀絕緣性構件,及相 對向配置於該絕緣性構件的兩端且接觸於上述導電性被膜 的一對主放電電極構件,及將上述一對主放電電極構件配 置於兩端而將上述絕緣性構件與密封氣體一起密封於內部 的絕緣性管的湧浪吸收器,其特徵爲: 上述主放電電極構件具備與上述絕緣性管的端面以焊 料黏接的周緣部,及 上述絕緣性管的內側且朝軸方向突出之同時,以徑方 向內側面支持上述絕緣性構件的突出支持部: 在上述一對主放電電極構件的上述突出支持部的相對 向面的主放面,形成有依氧化處理的氧化膜, 上述主放電電極構件爲包含Cr的構件,而在上述氧化 膜表面經表面富化有Cr者。 -22- 1378617 3.如申請專利範圍第1項或第2項所述的湧浪吸收器 ,其中,上述氧化膜的平均膜厚爲〇.〇l//m以上2.0ym以 下。 -23- 1378617 七 指定代表圖: (一) 、本案指定代表圖為:第(1 )圖 (二) 、本代表圖之元件代表符號簡單說明: 1 湧浪吸收器 2 放電間隙 3 導電性被膜 4 圓柱狀陶瓷(絕緣性構件) 5 主放電電極構件 5A 周緣部 6 密封氣體 7 筒型陶瓷(絕緣性管) 8 焊材 9 突出支持部 9 A 主放電面 9B 氧化膜 八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學 式:
TW093121368A 2003-07-17 2004-07-16 Surge suppressor TW200514326A (en)

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