TWI377263B - - Google Patents

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(5) 1377263 且當成膜在處理基板時，可使處理基板面內的膜厚分布大 致均勻，同時，使膜質亦得以均一。

此時，具備依序搬送處理基板至與前述各靶材相對向 之位置的基板搬送手段，且當在處理基板上的成膜完成， 而將下一個處理基板搬送至與靶材相對向的位置時，若藉 由該驅動手段來一體驅動各磁鐵組裝體時，由於可以僅在 成膜期間使磁通的位置固定，因此，靶材前方的電漿不會 發生搖動，而可抑制異常放電的產生，而且，可儘可能減 小該不釋出濺鍍粒子的空間，因此即便成膜在大面積的處 理基板時，亦可使處理基板面內的膜厚分布大致均勻，同 時，使膜質亦得以均一。 但是，如上所述，當並列設置靶材時，磁鐵組裝體彼 此之間的間隔亦會變小，有時會產生在同方向相同極性的 磁鐵相互接近而產生磁場干擾的情形。此時，僅有在該部 位的磁通密度變高，而使磁場失衡。因此，當並列設置前 述複數個磁鐵組裝體時，最好設置磁通密度修正手段，以 使各磁鐵所形成磁通密度沿著該並列設置方向而設定爲大 致均一。 此時，前述磁通密度修正手段係爲設置於並列設置之 磁鐵組裝體兩側的輔助磁鐵，若藉由前述驅動手段而與磁 鐵組裝體一體平行移動，則以簡單的構造，即可使磁通密 度沿著該並列設置方向而設定爲大致均一。 (發明的效果） (6) 1377263 如以上之說明，本發明之濺鍍方法及濺鍍裝置係具有 即便使靶材均勻侵蝕以使利用效率提高，亦可抑制異常放 電產生的效果。 【實施方式】 參照第1圖’ 1係第1實施形態之磁控管方式的濺鍍 裝置（以下稱爲「濺鍍裝置」）β濺鍍裝置〗係爲線內式 隹 （in-line}源鑛裝置’具有藉由旋轉式累（rotary pump) 、渦輪分子泵（turbo molecular pump)等真空排氣手段（ 未圖式），而保持在預定真空度的濺鍍室11。在濺鍍室 1 1的上部設有基板搬送手段2。該基板搬送手段2係具有 公知的構造，例如具有裝設有處理基板S的載座（carrier ')2 1，使未圖示之驅動手段間歇性驅動，而將處理基板S 依序搬送至與後述之靶材相對向的位置。 此外，在濺鍍室11設有氣體導入手段3。氣體導入手 ^ 段3係介由隔設有質流控制器（Mass Flow Contro】ler) 31 的氣體管32而與氣體源33相連通，氬等濺鍍氣體或用於 反應性濺鍍時的氧等反應氣體可以一定流量導入濺鍍室Η 內。濺鍍室1 1的下側配置有陰極組裝體4。 陰極組裝體4係具有例如大致呈長方柱體的靶材4 1 » 靶材4 1係按照Α1合金或Mo等欲成膜在處理基板S上的 薄膜組成，而以公知的方法所製成。靶材4 1係接合在當 濺鍍時用以將該靶材4 1予以冷卻的底板（b a c k i n g p 1 a t e ) 42，而底板42係隔著絕緣板43而安裝在陰極組裝體4的 -10- (7) 1377263 框架44。 在陰極組裝體4復在靶材41後方設有磁鐵組裝體4 5 。磁鐵組裝體45具有與靶材4 1平行配置的支持部45a， 在該支持部45 a上，設置有交互改變極性而且隔著預定間 隔的3個磁鐵45b' 45c。藉此方式，在靶材41前方形成 閉迴路（Close Loop )的隧道狀磁通Μ，藉由捕捉在靶材 41前方經電離的電子及因濺鍍所產生的二次電子，來提高 ® 在靶材41前方的電子密度，而可提高電漿密度。 一般而言，靶材4 1的外形尺寸係設定地比處理基板 S的外形尺寸大，因此，當處理基板 S變大時，靶材4 1 的外形尺寸也會變大。此時，在靶材4 1後方，隔著預定 間隔並列設置有複數個磁鐵組裝體 45。此外，當處理基 板S的外形尺寸較大時，在濺鍍室11中配置複數個陰極 組裝體4。 藉由驅動手段來間歇性驅動載座2 1，而將處理基板S ^ 依序搬送至與靶材41相對向的位置，再介由氣體導入手 段3來導入預定的濺鍍氣體。當對靶材41透過濺鍍電源 Ε施加負的直流電壓或高頻電壓時，形成垂直於處理基板 S及靶材4 1的電場，且在靶材4 1前方產生電漿而使靶材 41受到濺鍍，藉此成膜在處理基板S上。 在此，如第1圖、第2圖（a)及第2圖（b)所示，將3 個磁鐵45b、45c以交互改變極性且隔著預定間隔的方式 所構成的磁鐵組裝體 45的位置予以固定時，由於在各磁 鐵4 5 b、4 5 c彼此之間形成隧道狀磁通Μ，所以中央部的 -11 - (8) 1377263 磁鐵45b上方的電漿密度會變低。此時，因濺鍍所引起的 靶材4 1侵蝕區域由於形成隧道狀磁通Μ，而僅集中在電 漿密度變高的部分，而使位在電漿密度變低之中央部的磁 鐵4 5 b上方的部分殘留下來作爲非侵蝕區域U。 此時，靶材4 1的利用效率變低，而且非侵蝕區域U 會形成引起微粒（particle )的原因。因此，使磁鐵組裝 體 45在A點與B點之間平行移動，而改變隧道狀磁通Μ ^ 的位置時，雖可均勻侵蝕靶材41以提高其利用效率，但 是此時必須抑制異常放電的產生。 因此，在本實施形態中，在磁鐵組裝體 4 5設置作爲 驅動手段的氣缸46，在沿著靶材4 1之水平方向的2個部 位的位置（Α點、Β點）之間使磁鐵組裝體 45平行移動 ，且得以在各位置予以保持。 接著，當安裝於載座21之處理基板S上的成膜完成 ，即停止對靶材4 1施加負的直流電壓或高頻電壓，在暫 ^ 時停止放電之後，將下一個載座21上的處理基板S搬送 至與靶材4 1相對向的位置時，即驅動氣缸46，而使磁鐵 組裝體 4 5，亦即使隧道狀磁通Μ從A點平行移動到B點 ，並予以保持。此時，亦可在對至少安裝於下一個載座21 之處理基板S進行成膜之前，將磁鐵組裝體45從A點平 行移動到B點。 當安裝在下一個載座2 1之處理基板S被搬送到與靶 材4 1相對向的位置時，即再度對靶材4 1施加負的直流電 壓或高頻電壓，且在靶材4 1前方產生電漿而使靶材4 1受 -12- (9) 1377263 到濺鍍，藉此進行成膜。然後，當安裝在下一個載座2 1 之處理基板S被搬送到與靶材4 1相對向的位置時，即驅 動氣缸46而使磁鐵組裝體 45從B點再度平行移動到A 點，並予以保持，且以上述步驟來進行成膜。藉由反覆進 行該操作，而在依序進行搬送的處理基板S上進行成膜。 此時，藉由氣缸46而使磁鐵組裝體 45進行的平行 移動，最好係由基板搬送手段2每搬送安裝在載座21的 ^ 處理基板S至與靶材41相對向的位置時進行。 藉此方式，僅在成膜期間將隧道狀磁通Μ的位置予以 固定，藉此可使靶材41前方的電漿不會搖動，而可抑制 異常放電的產生。因此，可使附著在處理基板S的薄膜膜 厚得以均勻，同時亦可使膜質得以均一。此外，當在處理 基板S上的成膜完成之後，將下一個處理基板S搬送至與 靶材41相對向的位置時，將改變隧道狀磁通Μ的位置， 所以使得因濺鍍而對靶材4 1造成的侵蝕區域發生變動， ® 而可均勻侵蝕靶材4 1，以提高利用效率。 此外，由於使用氣缸4 6，與一面控制速度或位置等， 一面藉由電動機來驅動磁鐵組裝體 4 5者相較之下，成本 較低。而且，只要適當設定氣缸46的氣壓，即可在瞬間 使磁鐵組裝體45移動。 此外，在本第1實施形態中，雖就在靶材4 1後方設 置1個磁鐵組裝體 4 5的情形加以說明，但若以預定間隔 並列設置複數個磁鐵組裝體 4 5時，亦可藉由1個氣缸來 驅動各磁鐵組裝體45。藉此可降低成本》 -13- (10) (10)1377263 在本實施形態中，雖就採用氣缸4 6的情形加以說明 ’但若可在至少2點位置將磁鐵組裝體 45迅速變更位置 的話，即不限於此，而可使用不需要對於例如位置或速度 等進行控制的電動機。 此外，在本實施形態中，雖係就線內式（in-line )濺 鍍裝置1進行說明，但並非侷限於此，只要是例如：由搬 送室、及與該搬送室相連結的濺鍍室所構成，且由設在搬 送室的搬送機器人來搬送處理基板的濺鍍裝置等之依序將 處理基板S搬送至與靶材4 1相對向的位置者，亦可適用 本發明之濺鍍方法。 參照第3圖，1 0係第2實施形態之濺鍍裝置。濺鍍裝 置1〇係爲使用後述之複數片靶材的線內式（in-line)濺 鍍裝置，具有藉由旋轉式泵（rotary pump )、渦輪分子泵 (turbomolecu丨arpump)等真空排氣手段（未圖式），而 保持在預定真空度的濺鍍室110。在濺鍍室110的上部配 置有處理基板S ’且藉由與上述第1實施形態相同的基板 搬送手段（未圖示），可將處理基板S依序搬送至與後述 之各靶材相對向的位置。 此外’在濺鍍室110設有氣體導入手段30。氣體導入 手段30係介由隔設有質流控制器（Mass Flow Controller )30a的氣體管30b而與氣體源30c相連通，氬等濺鍍氣 體或用於反應性濺鑛時的氧等反應氣體可以一定流量導入 濺鍍室1 1 〇內。濺鍍室1 1 〇的下側配置有陰極組裝體4 〇。 陰極組裝體4 〇係具有形成爲大致呈長方柱體等相同 -14- (11) 1377263

形狀的6片靶材410a至410f。各靶材410a至410f係按 照A1合金、Mo或ITO等欲成膜在處理基板S上的薄膜組 成，而以公知的方法所製成，且接合在冷卻用的底板（ backing plate)(未圖示）。各粑材410a至410f中，將 其未使用時的濺鍍面411並列設置成位在與處理基板S平 行的同一平面上，且各I巴材410a至410f相對向的側面 4 1 2彼此之間並不設置任何陽極或屏蔽等構件。此時，靶 材410a至410f彼此的間隔係設定在於側面412彼此之間 的空間內產生電漿而各側面4 1 2不會受到濺鍍的範圍內。 此外，各靶材4 1 0a至4 1 Of的外形尺寸係設定成在並列設 置各靶材4 1 0a至4 1 Of時比處理基板S的外形尺寸大。 各靶材4 1 0a至4 1 Of的背面係依序安裝有形成爲與各 靶材4 1 0 a至4 1 0 f相同外形的電極4 2 0與絕緣板4 3 0，且 安裝在陰極組裝體40的預定位置。電極420係分別連接 於配置在濺鍍室1 1 〇外部的3個交流電源E 1，而可施加 交流電壓。 此時，對於相鄰的2個靶材（例如4 1 0a與41 0b )分 配1個交流電源E 1，對其中一個靶材4 1 0a施加負電位時 ，即對另一個靶材4 1 〇b施加接地電位或正電位，同時， 當由各交流電源E 1施加電位時，使相鄰的各靶材4 1 0a至 4 1 0 f的電位互相不一致。 藉此方式，例如透過各交流電源E 1對靶材4 1 0 a、 4 1 0c、4 1 0e施加負電位時，透過交流電源E 1施加有接地 電位或正電位之兩側的各靶材4 1 0 b、4 1 0 d、4 1 0 f即發揮 -15- (12) 1377263 陽極的功能（在位在兩端之靶材4 1 0 a、4 1 0 f的外側 接地電位的防著板1H，該防著板111在靶材410a、 受到濺鍍時，即發揮陽極的功能）。接著，該施加有 位的各靶材410a、410c、41 Oe受到濺鍍，且對應交 源的頻率，使各靶材410a至41 Of的電位交互切換， 使各靶材410a至41 Of受到濺鍍。 但是，當如上所述並列設置靶材4 1 0a至4 1 Of時 鍍粒子雖然未由側面4 1 2彼此之間的空間4 1 3釋出， 由於在該空間413並不需要設置任何陽極或屏蔽等構 所以可儘可能減小該不釋出濺鍍粒子的區域。其結果 處理基板S面內的膜厚分布大致均勻。 在陰極組裝體40係設置6個分別位在各靶材4 11 4 1 〇f後方的磁鐵組裝體440a至440f。各磁鐵組裝體 至44 Of係形成相同構造，且具有與靶材4] 0a至4] Of 而設之磁性材料製的支持部44 1，在支持部44 1上， 互改變與靶材410a至410f相對向之面的極性，而設 央磁鐵4 4 2與設在該中央磁鐵4 4 2兩側的2個周邊 443、 444° 此時，中央磁鐵4 4 2係沿著靶材4 1 0 a至4 1 0 f之 方向之細長且呈環狀的磁鐵，兩端的周邊磁鐵443、 係棒狀磁鐵，且設計成：中央磁鐵442之換算成同磁 體積等於各周邊磁鐵443、444之換算成同磁化的體 (周邊磁鐵：中央磁鐵：周邊磁鐵=1 : 2 : 1 )。 藉此方式，在各靶材4 1 0a至4 1 Of的前方分別形 設置 4 1 Of 負電 流電 藉此 ，濺 但是 件， 可使 3 a至 440a 平行 係交 置中 磁鐵 長邊 444 化的 積和 成相 -16- (13) 1377263 稱的閉迴路（Close Loop )的隧道狀磁通，藉由捕捉在靶 材410a至410f前方經電離的電子及因濺鍍所產生的二次 電子，來提高在靶材410a至410f前方的電子密度，而可 提高電漿密度。 接著，將處理基板S搬送至與並列設置之靶材410a 至410f相對向的位置，再介由氣體導入手段3〇來導入預 定的濺鍍氣體，當對各靶材410a至410f的電極透過3個 ^ 交流電源E 1分別施加電位時，形成垂直於處理基板S及 靶材410a至410f的電場，而在靶材410a至410f前方產 生電漿而使各靶材410a至41 Of交互受到濺鍍，藉此成膜 在處理基板S上。 但是，將各磁鐵組裝體 440a至440f的位置予以固定 _ 時，由於在中央磁鐵442與兩周邊磁鐵443、444彼此之 間形成隧道狀磁通，所以中央磁鐵442上方的電漿密度會 變低。此時，因濺鍍所引起的各靶材410a至4 10f的侵蝕 ® 區域由於形成隧道狀磁通，以致僅集中在電漿密度變高的 部分’而使位在電漿密度變低之中央磁鐵442上方的部分 殘留下來作爲非侵蝕區域。其結果使各靶材410a至410f 的利用效率變低，而且非侵蝕區域會形成引起微粒（ particle )的原因》 在第2實施形態中，使支持部441的寬度尺寸小於沿 者各祀材410a至410f並列設置方向的寬度尺寸，同時， 在陰極組裝體40設置氣缸450，在其驅動軸451安裝各磁 鐵組裝體 4 4 0 a至4 4 0 f，在沿著各靶材4 1 0 a至4 1 0 f並列 -17- (14) 1377263 設置方向的水平2個部位的位置（a 1點、B 1點），使磁 鐵組裝體44Ga至440f —體平行移動，而改變隧道.狀磁通 的位置。 此時，爲了抑制異常放電的產生，因此最好在A1點 或B 1點保持磁鐵組裝體4 4 0 a至4 4 0 f，且當在例如處理 基板S上的成膜完成，即停止對靶材410a.至410f施加交 流電壓’在暫時停止放電之後，將下一個處理基板S搬送、 至與靶材410a至410f相對向的位置時，即驅動氣缸450 而使磁鐵組裝體4 4 0 a至4 4 0 f，亦即使隧道狀磁通從a 1點 平行移動到B 1點。藉此方式，可擴大侵蝕區域，而提高 各靶材4 1 0 a至4 1 0 f的利用效率。

但是，當如上所述使各靶材410a至410f相互接近而 設時，將使磁鐵組裝體440a至440f亦相互接近而設。此 時’如第4圖（a)所示，當對各磁鐵組裝體440a至44Of之 從各磁鐵442、443、444上面隔著預定間隔的位置沿著磁 鐵組裝體440a至440f的並列設置方面的垂直方向磁場強 度Bs及水平方向磁場強度Bp進行測定時，由於在同方向 同一極性的周邊磁鐵44 3、444 (例如磁鐵組裝體440b的 周邊磁鐵443與磁鐵組裝體440c的周邊磁鐵443 )相互接 近，致使產生磁場干擾，在該部位的磁通密度會高於在位 於兩端部之磁鐵組裝體 440a、44_〇f的周邊磁鐵443、444 上方的磁通密度，而使磁場失衡。在該狀態下成膜時，處 理基板S面內的膜厚分布無法大致均勻。 在第2實施形態中，如第3圖所示，在並列設置之磁 18- (15) (15)

1377263 鐵組裝體 440a至440f的兩側，以使鄰接的磁鐵組 440a之周邊磁鐵443與磁鐵組裝體 440f之周邊磁鐵 的磁性分別一致的方式設置作爲磁通密度修正手段之 磁鐵460，將用以支持輔助磁鐵460的支持部461安 氣缸450的驅動軸451，而可與磁鐵組裝體 440a至 一體移動。 此時，輔助磁鐵460係與周邊磁鐵443、444相 且將該輔助磁鐵460與周邊磁鐵443、444之間的間β 設爲與相互接近的周邊磁鐵之間的間隔D 2相同。藉 式，如第4圖（b)所示，在磁鐵組裝體 440a至440f 的磁通密度亦變高而使磁場平衡獲得改善，而使處理 S面內的膜厚分布得以大致均勻。 外，在第2實施形態中，雖使用輔助磁鐵460作 通密度修正手段的情形加以說明，但是只要是當並列 磁鐵組裝體時可達成磁場平衡者，則並非侷限於此》 ’亦可僅增加位在並列設置之磁鐵組裝體之兩外側的 磁鐵的寬度尺寸，而變更爲使磁鐵產生的磁通密度變 材料，來作爲磁通密度修正手段。 (實施例1 ) 在本實施例中，使用第1圖所示之濺鑛裝置1， 玻璃基板（1 OOOmmxl 200mm )作爲處理基板 S，藉由 搬送手段2 1，將該玻璃基板依序搬送至與靶材4 1相 的位置。使用AI作爲靶材41，且以公知的方法將A1 裝體 444 輔助 裝在 440f 同， i D1 此方 兩端 基板 爲磁 設置 例如 周邊 大的 使用 基板 對向 的外 -19- (16) 1377263 形尺寸製作成1200mmx2000mm，而與底板42接合。 ，靶材41與玻璃基板之間的距離設定在160mm。此 由於靶材41的外形尺寸較大，所以在靶材41後方設 個第1圖所示之磁鐵組裝體 4 5，將這些磁鐵組裝體 以預定間隔平行並列設置，而構成陰極組裝體4。 以濺鍍條件而言，以將進行真空排氣的濺鍍室1 的壓力保持在0.3 Pa的方式，控制質流控制器31而 ® 爲濺鍍氣體的氬導入濺鍍室11內。此外，對於靶材< 投入電力設定在130KW，濺鍍時間設定在60秒。 然後，在上述濺鑛條件下，依序搬送3塊玻璃 SI、S2、S3，而在各玻璃基板SI、S2' S3成膜A1。 ，當在最初的玻璃基板上成膜完成，在暫時停止對靶; '投入電力之後，將下一個載座2 1上的玻璃基板S2搬 與靶材41相對向的位置時，驅動氣缸46，而使4個 組裝體 45同時平行移動並予以保持，而進行一連串 β膜處理。 (比較例1 ) 比較例1的濺鍍條件與上述實施例1相同，且依 3塊玻璃基板S4、S5、S6搬送至與靶材41相對向的 ，而進行Α1的成膜處理。此時，磁鐵組裝體 45的 手段變更爲可控制位置或速度的電動機，在成膜期間 沿著靶材41之水平方向的2個部位的位置之間，使 磁鐵組裝體 45等速且平行地連續進行往返運動。 此外 時， 置4 45 1內 將作 [1的 基板 此時 味4 1 送至 磁鐵 的成 序將 位置 驅動 ，在 4個 -20- (17) 1377263 表1係表示當連續在3塊玻璃基板上成膜MO膜時， 沿著處理基板S之XY方向的預定位置之A1膜之膜厚分 布。由該表1可知，在比較例1中，3塊玻璃基板S4、S5 ' S6的膜厚分布無法均勻。相對於此，可知在實施例！ 中，3塊玻璃基板SI、S2、S3均可獲得±8前後之穩定的 A1膜的膜厚分布，而得以均勻完成。 此外，表2係表示當連續在3塊玻璃基板上成膜A1 ^ 膜時，計算異常放電（電弧放電）的次數者。藉由該表2 ，在比較例1中，對於各玻璃基板S4，S5、S6進行濺鍍 中之異常放電次數分別超過3 0次。相對於此’可知在實 施例1中，異常放電次數與比較例1相較之下’可大約抑 制一半。 (表1 ) 1 / ---- 實施迴_1- 比較例2 第1塊處理基板（SI、S4 ) + 8.5___ ±12.2 第2塊處理基板（S2、S5) + 7._9___ ±6_ 7 第3塊處理基板（S3、S6) + 7·^___ ±8.5 (表2 ) 實施便j_L—— 比較例2 第1塊處理基板（SI、S4) 13_—— 83 第2塊處理基板（S2、S5) 1 __ 30 第3塊處理基板（S 3、S 6 ) 15___ 30 -21 - (18) 1377263 (實施例2) 本實施例中，係於上述實施例1之條件中，計算使對 於靶材41的投入電力在〇至200KW的範圍內變化時之電 弧放電（異常放電）次數，且將其結果顯示在第3圖。同 時，比較例2係於上述比較例1之條件中，計算使對於靶 材41的投入電力在〇至200KW的範圍內變化時之電弧放 ® 電（異常放電）次數，且顯示在第5圖。此時線1爲實施 例2，線2爲比較例2。 藉此，於比較例2的情形下，隨著對於靶材41的投 入電力增加，電弧放電的次數亦隨之呈比例增加，當投入 電力超過100KW時，電弧放電次數已超過20次。相對於

此，在實施例2中，即便對於靶材4 1的投入電力增加， 電弧放電的次數並未極端地增加，一般而言，在用於A1 濺鍍的投入電力範圍（5 0至1 3 0KW )內，與比較例2相 較之下，電弧放電的次數可大約抑制一半。 (實施例3 ) 在本實施例中，使用第3圖所示之濺鍍裝置1 0，使用 玻璃基板（l〇〇〇mmxl250mm)作爲處理基板S，藉由基板 搬送手段，將該玻璃基板依序搬送至與並列設置之靶材 410a至41 Of相對向的位置。此時，靶材410a至41 Of係 使用在Ιιΐ2〇3中添加1〇重量％的Sn02者，且以公知的方 法，將各靶材製作成外形尺寸爲2 0 0 m m X 1 7 0 0 m m，厚度爲 -22- (19) 1377263 I Omm ’且分別接合於底板之後，以靶材41〇a至410f彼此 之間的間隔爲2mm的方式並列設.置。靶材410a至41 Of與 玻璃基板之間的距離設定在160mm。輔助磁鐡460、各周 邊磁鐵 443、444彼此之間的間隔 Dl ' D2係設定在 17 0mm。 以濺鍍條件而言，以將進行真空排氣的濺鍍室]1 0內 的壓力保持在0.7Pa的方式，控制氣體導入手段30之質 ® 流控制器30a而將作爲濺鍍氣體的氬、作爲反應氣體之氫 、氧導入濺鏟室110內。此外，由交流電源E1所產生之 對於靶材41的投入電力設定在20KW，頻率設定在50Hz 。接著，以50 Hz的頻率一面對於並列設置之靶材410a至 41〇f交互施加負電位及正電位或接地電位之任一者，一面 _ 將投入電力從0 K W慢慢上升到1 0 K W，而進行3 0秒鐘的 濺鍍。

第6圖係表示以上述條件將IT0膜成膜在玻璃基板時 之膜厚分布圖。根據本實施例3，在測定玻璃基板面內3 5 點的膜厚（第6圖中的單位爲A)之下，可得1 000人±8°/〇 之良好膜厚分布的面內均一性。此外，在上述條件下，每 搬送處理基板S至與靶材4 1 0a至4 1 Of相對向的位置，一 面驅動氣缸46 0，一面連續長時間進行濺鍍之後，經確認 靶材410a至410f表面之後，在靶材410a至410f表面並 未發現非侵蝕區域。

此外，比較例3係使用與上述實施例3相同構造的濺 鍍裝置1 〇，以與上述實施例3相同的條件在玻璃基板S -23- (20) 1377263 上進行成膜。但是，並未配置作爲磁通密度修正手 助磁鐵4 6 0，而且將氣缸4 5 0變更爲可控制位置或 電動機，在成膜期間，在沿著靶材4 1 Oa至4 1 Of之 向之2個部位的位置之間，使磁鐵組裝體 440a至 速且平行地連續進行往返運動（l〇mm/sec)。 藉此方式，在比較例3中，由交流電源e 1的 力從0KW慢慢上升，當到達1 0KW時，在各靶材< ^ 41〇f上方可發現激烈的異常放電，而不可能繼續進 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明之濺鍍裝置的槪略說明圖。 第2圖（a)、（b)係爲磁鐵組裝體平行移動的說明 第3圖係用以說明第2實施形態之濺鍍裝置的 〇 第4圖（a)、（b)係用以說明並列設置磁鐵組裝 磁通密度分布圖。 第5圖係表示投入電力與電弧放電次數的關係 〇 第6圖係用以說明使用第2實施形態之濺鍍裝 成膜時之膜厚分布圖。 [主要元件之符號說明】 】、10:濺鍍裝置（磁控管濺鍍裝置） 段之輔 速度的 水平方 440f 等 投入電 41 0 a 至 行成膜 圖。 構成圖 體時之 曲線圖 置進行 -24- (21)1377263

2 :基板搬 3、 3 Ο :氣 4、 40 :陰 11、 110: 21 :載座 31' 30a ： 32、3 0b ·· 33 、 30c ： 41 、 410a] 42 :底板 43 ' 430 ： 44 :框架 45、 440a] 45a、441 ' 45b、 45c: 46 ' 450 ： 1 1 1 :防著 41 1 :濺鍍 4 1 2 :側面 4 1 3 :空間 420 :電極 442 :中央 443 、 444 ： 4 5 1 :驅動 送手段 體導入手段· 極組裝體 濺鍍室 質流控制器 氣體管 氣體源 g 4 1 0 f :靶材 絕緣板 g 4 4 0 f :磁鐵組裝體 4 6 1 :支持部 磁鐵 氣缸（驅動手段） 板 面 磁鐵 周邊磁鐵 軸 -25- (22) 1377263 4 6 Ο :輔助磁鐵 4 6 1 :支持部 D 1、D 2 :間隔 E :濺鍍電源 E1 :交流電源 Μ :隧道狀磁通 5 :處理基板

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Claims (1)

1377263 ，）丨年Γ月2E|修正本 第094108481號專利申請案中文申請專利範圍修正本 民國101年5月 2日修正 十、申請專利範圍 1· 一種猫鍍方法，係將處理基板依序搬送至與配置 於真空室內之靶材相對向的位置，於該靶材的前方形成磁 通’同時在靶材與處理基板之間形成電場，使得產生電獎 而對靶材進行濺鑛’藉此在處理基板上成膜的濺鍍方法， Φ 其特徵爲’當在處理基板上的成膜完成，而將下一個處理 基板搬送至與靶材相對向的位置時，使前述磁通相對於把 材作平行移動並予以保持，且在該狀態下成膜。 2 ·如申請專利範圍第1項之濺鍍方法，其中，至少 - 在2個部位的位置之間，間歇性地進行前述磁通的平行移 動，俾於前述IE材全面可均等地獲得侵餓區域。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項之濺鍍方法，其 中，每搬送處理基板至與前述靶材相對向的位置，即進行 φ 前述磁通的平行移動。 4. 一種濺鍍裝置，係設置有：在真空室內具有靶材 ，且將由複數個磁鐵構成的磁鐵組裝體配置於靶材後方， 以使磁通形成於靶材前方，同時將處理基板依序搬送至與 靶材相對向之位置的基板搬送手段的濺鑛裝置，其特徵爲 ，設有驅動手段，係當在處理基板上的成膜完成，而將下 —.個處理基板搬送至與靶材相對向的位置時，驅動前述磁 鐵組裝體，以使前述磁通相對於靶材作平行移動並予以保 持。 1377263 5. 如申請專利範圍第4項之濺鍍裝置，其中，將前 述靶材設爲複數，且在各靶材後方至少配置1個磁鐵組裝 體。 6. 如申請專利範圍第4項之濺鏟裝置，其中，前述 驅動手段係爲氣缸或電動機。 7· 一種濺鍍裝置，係具備：於真空室內隔著預定間 隔並列設置的複數個靶材；分別設置於各靶材後方，以使 磁通分別形成於各靶材前方，由複數個磁鐵構成的磁鐵組 裝體；對各靶材交互施加負電位及接地電位或正電位之任 一者的交流電源；以及依序搬送處理基板至與前述各靶材 相對向之位置的基板搬送手段； 設有驅動手段，用以一體驅動各磁鐵組裝體，以使前 述磁通相對於靶材作平行移動並予以保持，在處理基板上 的成膜完成，而將下一個處理基板搬送至與靶材相對向的 位置時，藉由該驅動手段來一體驅動各磁鐵組裝體。 8. 如申請專利範圍第7項之濺鍍裝置，其中，具備 有磁通密度修正手段，用以在並列設置前述複數個磁鐵組 裝體時’使各磁鐵所形成磁通密度沿著該並列設置方向而 設定爲大致均一。 9. 如申請專利範圍第7或8項之濺鍍裝置，其中， 前述磁通密度修正手段係爲設置於並列設置之磁鐵組裝體 兩側的輔助磁鐵，藉由前述驅動手段而與磁鐵組裝體一體 平行移動。 -2 -