KR102376098B1 - 성막 방법 - Google Patents

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Abstract

기판 표면에 산화 인듐계 산화물 막을 성막 할 때에 기판의 X축 방향에서의 막질이 불균일해지는 것을 억제할 수 있도록 한 성막 방법을 제공한다. 본 발명의 성막 방법은 기판(Sw) 면 내에서 서로 직교하는 방향을 X축 방향 및 Y축 방향으로 하고, 진공 처리실(11) 내에 기판과 이 기판보다 X축 방향 길이가 긴 타겟(Tg１ ~ Tg８)을 서로 동심으로 대향 배치하며, 진공 분위기의 진공 처리실 내에 희가스와 산소 가스를 각각 도입하고, 각 타겟에 전력 투입하여 플라스마 분위기의 희가스 이온으로 표적을 스퍼터링함으로써 기판 표면에 산화 인듐계 산화물 막을 성막한다. 타겟측에서 기판으로 향하는 방향을 위로 하여, X축 방향에서 기판단 영역 (Sa) 직하의 제 1 위치 및 X축 방향에서 기판단(Se)으로부터 타겟단을 향해 신장되는 연장 영역(Ea) 직하의 제 2 위치 중 적어도 한쪽으로부터 기판을 향해 산소 가스를 도입한다.

Description

성막 방법
본 발명은 성막 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 산소 가스를 도입한 반응성 스퍼터링에 의해 산화 인듐계 산화물 막을 성막하는 것에 관한 것이다.
예를 들어, 플랫 패널 디스플레이(FPD) 제조 공정에는 투명 도전막을 성막하는 공정이 있으며 이러한 투명 전극막에는 ITO 막이나 ITIO 막과 같은 산화 인듐계 산화물 막이 이용되는 경우가 있다. 그리고, 기판 표면으로의 산화 인듐계 산화물 막 성막에는 스퍼터링법에 의한 것이 일반적으로 이용되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1참조).
또한, 기판이 FPD용 유리 기판과 같이 비교적 대 면적인 경우, 이러한 기판에 대해 성막을 실시하는 스퍼터링 장치로 기판 면내에서 서로 직교하는 방향을 X축 방향 및 Y축 방향으로 하고, 진공 처리실 내에 Y축 방향으로 긴 타겟의 복수 매를 기판보다 X축 방향 길이가 길어지도록 X축 방향에 등간격으로 병설한 것을 이용하는 경우가 있다(예를 들어, 특허문헌 2참조). 여기에서는, 각 타겟으로부터 기판으로 향하는 방향을 위로 하여 각 타겟의 하측에서 각 타겟으로부터 이간시켜 가스관을 배치하고, 이 가스관에 형성된 가스 분사구로부터 반응성 스퍼터링법에 의한 성막 시에 도입되는 산소 가스라고 하는 반응 가스를 도입하도록 한다.
상기에 의하면, 성막 시에 가스관을 통하여 반응 가스를 도입하면 이 반응 가스가 각 타겟의 하측 공간에서 일단 확산되고, 그 후에 서로 인접한 타겟 상호 간의 각 간극을 통해 기판에 공급된다. 이로 인해, 기판에 대해 반응 가스가 편중 공급되는 것이 억제되어 기판 면내에서 반응성에 불균형이 생기는 결함이 방지된다. 그러나, 이 종래 예의 스퍼터링 장치를 이용해 최근 몇 년, 더욱 대형화된 기판에 대해 반응성 스퍼터링에 의한 산화 인듐계 산화물 막을 성막하면, 기판에 대해 반응　가스가 편중 공급되는 것이 억제되고 있음에도 불구하고 기판의 X축 방향에서의 막질(예를 들어, 시트 저항치(sheet resistance)(Rs))이 불균일해지는 것이 판명되었다.
특허문헌 1: 특개 2015-994호 공보 특허문헌 2: 특허 제4707693호 공보
따라서, 본 발명은 이상의 점을 감안하면 기판 표면에 산화 인듐계 산화물 막을 성막할 때에 기판의 X축 방향에서의 막질이 불균일해지는 것을 억제할 수 있도록 한 성막 방법을 제공하는 것을 그 과제로 하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해, 기판 표면에 산화 인듐계 산화물 막을 성막하는 본 발명의 성막 방법은 기판 면 내에서 서로 직교하는 방향을 X축 방향 및 Y축 방향으로 하고, 진공 처리실내에 기판과 이 기판보다 X축 방향 길이가 긴 타겟을 서로 동심으로(concentrically) 대향 배치하여 진공 분위기의 진공 처리실내에 희가스와 산소 가스를 각각 도입하고, 각 타겟에 전력 투입하여 플라스마 분위기의 희가스 이온으로 타겟을 스퍼터링함으로써 기판 표면에 산화 인듐계 산화물 막을 성막하고, 타겟측으로부터 기판으로 향하는 방향을 위로 하여, X축 방향에서의 기판단 영역 직하의 제 1 위치 및 X축 방향에서 기판단으로부터 타겟단을 향하여 신장되는 연장 영역 직하의 제 2 위치 중 적어도 한쪽으로부터 기판을 향해 산소 가스를 도입하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 최근 몇 년, 대면적화한 기판에 대해 반응성 스퍼터링에 의해 산화 인듐계 산화물 막을 성막하는 경우에도 기판의 X축 방향에서의 막질(예를 들어, 시트 저항치(Rs))을 대략적으로 균등하게 할 수 있음이 확인되었다. 또한, 본 발명에 있어서 X축 방향에서의 ‘기판단 영역(substrate end region)’이라 할 경우, 기판의 X축 방향에 있어서 기판단으로부터 이 기판의 X축 방향 길이의 10%이하 범위 내에서 그　내방을 향해 신장되는 부분을 말한다. 이 경우, 기판단으로부터 이 기판의 X축 방향 길이의 10% 이하의 범위를 넘으면 제 2 위치로부터 기판을 향해 산소 가스를 도입하는지 여부에 상관없이 제품으로 이용할 수 있을 정도의 기판의 X축 방향에서 막질의 균일성을 얻을 수 없는 것이 확인되었다.
본 발명에 있어서는, 상기 제 1 위치 및 제 2 위치의 양쪽 위치로부터 상기 기판을 향해 상기 산소 가스를 더 도입하는 것이 바람직하다. 이에 따르면, 기판의 X축 방향에서의 막질(예를 들면, 시트 저항치(Rs))을 보다 더 균등하게 할 수 있음이 확인되었다.
또한, 본 발명에 있어서 상기 타겟이 X축 방향으로 간격을 두고 병설되는 복수 매의 타겟으로 구성됨과 동시에 이들 타겟을 병설한 영역을 타겟 병설 영역으로 하여 타겟 병설 영역의 X축 방향 길이가 기판보다 긴 것 같은 경우에는 상기 소정 위치를 타겟 병설 영역보다 하방으로 하고, 서로 인접한 2 매의 타겟 간의 간극을 통해 타겟을 향해 산소 가스를 도입할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태의 성막 방법을 실시할 수 있는 스퍼터링 장치를 그 일부를 생략하여 나타내는 모식 단면도이다.
도 2는 타겟과 반응 가스의 도입 위치와의 관계를 설명하는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 효과를 나타내는 실험 그래프이다.
이하, 도면을 참조하여 직사각형의 유리 기판(예를 들어, 긴 변이 3400mm)을 기판(Sw), 산화 인듐계 산화물 막을 ITO 막으로 하고 반응성 스퍼터링법에 의해 기판(Sw)의 한쪽 면에 ITO 막을 성막하는 경우를 예로 본 발명의 성막 방법 실시 형태를 설명한다.
도 1 및 도 2를 참조하여, (SM)은 본 발명의 성막 방법을 실시할 수 있는 마그네트론 방식의 스퍼터링 장치이다. 또한, 이하에 있어서는 도 1에 나타낸 자세를 기준으로 각 타겟으로부터 기판(Sw)에 향하는 방향을 위로 하고 또한, 성막 면으로서 기판(Sw)의 한쪽 면(하면)에 평행한 각 타겟의 병설 방향을 X축 방향, 이와 직교하는 타겟의 길이 방향을 Y축 방향으로 설명한다.
스퍼터링 장치(SM)는 예를 들어, 인라인식이며 로터리 펌프, 터보 분자 펌프 등의 진공 배기 수단(미도시)을 통해 소정의 진공도로 유지할 수 있는 진공 챔버(1)를 가지며, 진공 처리실(11)을 구획하도록 되어있다. 진공 챔버(1)의 상부에는 기판 반송 수단(2)이 설치된다. 기판 반송 수단(2)은 공지된 구조를 가지며 예를 들어, 기판(Sw)을 성막 면으로서 하면을 개방한 상태로 유지하는 캐리어(21)를 가지며, 도면 외의 구동 수단을 간헐 구동시켜 긴 변이 X축 방향에 합치하는 자세로 진공 처리실(11) 내의 소정 위치에 기판(Sw)을 순차 반송할 수 있도록 되어있다. 그리고, 진공 처리실(11) 내의 기판(Sw)에 대향시켜 진공 챔버(1)의 하측에는 동일 형태를 가진 소정 매수의 타겟(Tg)이 X축 방향에 등간격으로 병설되어 있다. 또한, 도 1에는 X축 방향 좌측 4매의 타겟 (Tg１), (Tg２), (Tg３), (Tg４)과 X축 방향 우측 4매의 타겟 (Tg５), (Tg６), (Tg７), (Tg８)만을 도시하고, X축 방향 중앙 영역에서 타겟 (Tg４), (Tg５) 사이에 위치하는 것을 생략하고 있다.
각 타겟 (Tg１ ~ Tg８)은 소정 조성비를 갖는 ITO 제이며, Y축 방향에 길이 평면에서 보아 직사각형의 윤곽을 가진다 (도 2 참조). 각 타겟 (Tg１ ~ Tg８)은 그 미사용 시의 스퍼터면(Ts)이 기판(Sw)에 평행한 동일 평면상에 위치하며 또한, 각 타겟 (Tg１ ~ Tg８)을 병설한 영역을 타겟 병설 영역(Ta)으로서 타겟 병설 영역(Ta)의 X축 방향 길이가 기판(Sw)보다 길어지도록 설정된다. 타겟 병설 영역(Ta)의 X축 방향 길이는 예를 들어, 기판(Sw)의 하면에 ITO 막을 성막할 때의 X축 방향에서의 ITO 막의 막 두께 분포의 균일성을 고려하여, 기판(Sw)의 X축 방향 폭의 1.1 ~ 1.3배가 되도록 적절히 설정된다. 또한, 각 타겟 (Tg１ ~ Tg８)의 X축 방향 폭은 각 타겟 (Tg１ ~ Tg８)의 취급성 등을 고려해 적절히 설계되지만, 각 타겟 (Tg１ ~ Tg８) 자체는 공지된 것이 이용되기 때문에 더 이상의 설명은 생략한다.
또한, 각 타겟(Tg１ ~ Tg８)은 스퍼터링 중에 각 타겟 (Tg１ ~ Tg８)을 냉각하는 백킹 플레이트(Bp)에 인듐이나 주석 등의 본딩재를 통해 접합되어 진공 처리실 (11) 내에서 플로팅 상태가 되도록 도시하지 않는 절연재를 통해 설치된다. 또한, 각 타겟(Tg１ ~ Tg８)의 주위를 둘러싸도록 제 1의 어스실드(31)와 제 1의 어스실드(31) 및 기판 반송 수단(2) 사이에 위치시켜 진공 챔버(1) 내벽이나 캐리어(21)에 스퍼터 입자 등이 부착되는 것을 방지하는 제 2의 어스실드(32)가 배치된다.
나아가, 각 타겟(Tg１ ~ Tg８)의 하방(스퍼터면(Ts)과 반대측)에는 자석 유닛 (4)이 각각 설치된다. 자석 유닛(4) 자체로는 공지된 것을 이용할 수 있기 때문에 여기에서는 상세한 설명은 생략한다. 그리고, 각 자석 유닛(4)에 의해 각 타겟(Tg１ ~ Tg８)의 상방(스퍼터면(Ts)측)에 균형 잡힌(balanced) 폐루프의 터널 형상 자석이 각각 형성되며, 각 타겟(Tg１ ~ Tg８)의 전방에 전리된 전자 및 스퍼터링에 의해 생긴 2차 전자를 포착함으로써 각 타겟(Tg１ ~ Tg８)의 각각 앞쪽에서 전자 밀도를 높게 하여 플라즈마 밀도를 높일 수 있다. 각 자석 유닛(4)은 모터나 에어실린더 등으로부터 구성된 구동 수단(5)의 구동축(51)에 각각 연결하여 X축 방향에 따라서의 2 개의 위치 사이에서 평행 또는 등속으로 일체 왕복동하도록 해도 된다.
각 타겟(Tg１ ~ Tg８)에는 직류 전원(Ps)으로부터의 출력 케이블(Pk)이 각각 접속되어, 각 타겟(Tg１ ~ Tg８)에 마이너스 전위를 가진 소정 전력을 각각 투입할 수 있게 되어있다. 또한, 각 타겟(Tg１ ~ Tg８)중 복수 매를 쌍으로 하여 교류 전원에 의해 쌍을 이루는 타겟에 대해 소정의 주파수(1 ~ 400KHz)로 교대로 극성을 바꾸어 소정 전압을 인가하도록 해도 된다.
진공 챔버(1)에는 Ar 등의 희가스를 도입하는 제 1 가스 도입 수단(6)이 설치된다. 가스 도입 수단(6)은 진공 챔버(1)의 측벽에 설치된 가스관(61)을 가지며, 가스관(61)은 질량 유량계(62)를 통해 도면 외의 가스원에 연통하여 진공 처리실(11) 내에 희가스를 소정 유량으로 도입할 수 있게 되어있다. 또한, 각 타겟(Tg１ ~ Tg８)의 하방에 위치하는 진공 챔버(1)내의 소정 위치에는 제 2 가스 도입 수단(7)이 설치된다.
제 2 가스 도입 수단(7)은 X축 방향에 등간격으로 병설되고 Y축 방향에 길이의 가스관(71) 여러 개를 가진다. 각 가스관(71)은 예를 들어, φ5 ~ 10mm의 지름을 가진 스테인리스제로 각 타겟(Tg１ ~ Tg８)과 동등한 Y축 방향의 길이를 가지며 각 타겟(Tg１ ~ Tg８)상호 간극(Tp)의 직하 위치에서 간극(Tp)과 평행하게 연장되도록 배치된다. 각 가스관(71) 일단은 집합 배관(72)에 각각이 접속되어 집합 배관(72)이 질량 유량계(73)를 통해 도면 외의 산소 가스원에 연통된다. 각 가스관 (71)의 타겟(Tg１ ~ Tg８) 측에는 소정의 간격을 두고 예를 들어, 4개의 분사구(74)가 개설된다. 그리고, 각 분사구(74)로부터 반응 가스를 분사하면 각 타겟(Tg１ ~ Tg８)의 각 간극(Tp)을 통해 기판(Sw)을 향하여 산소 가스가 공급되게 된다. 또한, 분사구 (74)의 개구경은 가스관(71)의 두께의 정도에 따라 적절히 설정되며 예를 들어, Φ0.2mm ~ 1mm 범위로 설정된다(본 실시 형태에서는 0.4mm로 설정된다).
상기 스퍼터링 장치(SM)를 이용하여 기판(Sw)의 하면에 ITO 막을 성막하는 경우, 기판(Sw)을 기판 반송 수단(2)에 의해 반송하고 진공 챔버(1)내의 타겟 병설 영역(Ta)과 동심이 되는 위치에 셋팅한다. 다음으로, 진공 처리실(11)이 소정 압력의 진공 분위기가 되면 제 1 가스 도입 수단(6)을 통해서 소정 유량의 희가스를 도입함과 동시에, 제 2 가스 도입 수단(7)을 통해서 소정 유량의 산소 가스를 도입한다. 그리고, 직류 전원(Ps)을 통하여 각 타겟(Tg１ ~ Tg８)에 마이너스 전위를 가진 소정 전력을 투입하여 타겟 병설 영역(Ta)과 기판(Sw) 사이의 공간에 플라즈마 분위기를 형성하고, 플라즈마 분위기의 희가스 이온으로 각 타겟(Tg１ ~ Tg８)을 스퍼터링하여, 각 타겟(Tg１ ~ Tg８)으로부터 비산하는 스퍼터 입자와 산소 가스와의 반응 생성물을 기판(Sw) 하면에 부착, 퇴적시켜 ITO 막이 성막된다.
여기에서, 상기 스퍼터링 장치(SM)에 의해 ITO 막을 성막할 때에 기판(Sw)의 사이즈(예를 들어, 긴 변이 3400mm)에 따라서는 각 타겟(Tg１ ~ Tg８) 상호 간의 모든 간극(Tp)을 통해 산소 가스를 도입하면, 기판(Sw)의 X축 방향에서의 막질(예를 들어, 시트 저항치(Rs))이 불균일해지므로 이것이 억제되도록 할 필요가 있다. 따라서, 본 실시 형태에서는 기판단으로부터 기판(Sw)의 X축 방향 길이 10% 이하의 범위 내에서 그 내방을 향해 연장되는 부분을 기판단 영역(Se), 기판단으로부터 타겟단(즉, 타겟(Tg１ ~ Tg８)의 X축 방향 외단)을 향해 연장되는 부분을 연장 영역(Ea)이라 하고, 기판단 영역(Se) 직하의 소정 위치(이를 제 1 위치) 및 연장 영역(Ea)직하의 소정 위치(이를 제 2 위치) 중 적어도 한쪽으로부터 기판단 영역(Sw)을 향해 산소 가스를 도입하도록 했다. 본 실시 형태에서는 제 1 가스관(71a) 및 제 2 가스관(71b)이 제 1 위치에 존재하고, 제 3 가스관(71c)가 제 2 위치에 존재하며, 제 1 및 제 2의 각 가스관 (71a), (71b)과 제3의 가스관(71c)에서만 타겟 상호 간의 간극(Tp)을 통해 기판(Sw)을 향해 산소 가스를 도입하도록 했다(즉, X축 방향 좌측 4매의 타겟 (Tg１), (Tg2), (Tg３), (Tg４) 상호의 각 간극(Tp)와 X축 방향 우측 4매의 타겟 (Tg５), (Tg６), (Tg７), (Tg８) 상호의 각 간극(Tp)에서만 산소 가스가 기판(Sw)에 공급되도록 했다).
이상에 의하면, 최근 몇 년의 대형화된 기판(Sw)에 대하여 반응성 스퍼터링에 의해 ITO 막을 성막하는 경우에도 기판(Sw)의 X축 방향에서의 막질(예를 들어, 시트 저항치(Rs))을 대략적으로 균등하게 할 수 있다. 또한, 기판단으로부터 이 기판(Sw)의 X축 방향 길이의 10% 이하 범위를 넘으면 제 2 위치로부터 기판을(Sw) 향하여 산소 가스를 도입하는지 여부에 상관없이, 제품으로 이용할 수 있을 정도의 기판 X축 방향에서의 막질의 균일성을 얻을 수 없다. 또한, 타겟 병설 영역 (Ta) 보다 X축 방향 바깥쪽으로부터 기판(Sw)을 향해 산소 가스를 도입해도 마찬가지로 막질의 균일성을 얻을 수 없다.
다음으로, 본 발명의 효과를 확인하기 위해 도 1에 나타내는 스퍼터링 장치를 이용하여 반응성 스퍼터링에 의해 기판(Sw)에 ITO 막을 성막하는 다음 실험을 실시했다. 타겟(Tg１ ~ Tg８)을 소정의 조성비의 ITO제로 200mm×3400mm×두께 10mm의 윤곽을 가지는 것으로 하고, 이 타겟(Tg１ ~ Tg８)을 250mm 간격으로 17매 진공 챔버 (1) 내에 설치하기로 했다. 또한, 타겟(Tg１ ~ Tg８) 상호 간의 전체 간극(Tp) 하방에(16개) 가스관(71)을 각각 설치해 선택적으로 산소 가스를 도입할 수 있도록 했다. 나아가, 기판(Sw)을 긴 변이 3400mm인 유리 기판으로 하고, 스퍼터링 조건으로 각 직류 전원(Ps)으로부터 각 타겟(Tg１ ~ Tg８)에 투입하는 전력을 16kW로 하며 또한, 진공 처리실(11) 내의 압력이 0.4Pa로 유지되도록 질량 유량계(62)를 제어하여 스퍼터 가스인 Ar을 도입함과 동시에 소정 유량으로 산소 가스를 도입하였다.
발명 실험 1에서는, 제 2 위치의 제 3 가스관(71c), (71c)과 제 1 위치의 제 2 가스관(71b), (71b)에서만 산소 가스를 도입하는 한편, 비교 실험으로 타겟(Tg１ ~ Tg８)상호 간의 전체 간극(Tp)의 하방에 각각 위치하는 전 가스관(71)으로부터 산소 가스를 도입해 ITO를 성막하여, 공지된 방법으로 X축 방향에 있어서의 ITO 막의 시트 저항치을 측정했다. 도 3은 X축 방향의 기판 위치에 대한 시트 저항(Rs)의 규격치를 나타내는 그래프이다. 또한, 시트 저항(Rs)의 규격치는 평균치로 구한 것이다. 이에 따르면, 발명 실험 1에서는 비교 실험의 것과 비교하여 X축 방향에서의 ITO 막 시트 저항치의 면내 분포를 양호하게 할 수 있음이 확인되었다.
또한, 다른 발명 실험에서 산소 가스의 도입 위치를 적절히 변경하여 시트 저항치의 면내 균일성을 측정하였다. 이에 따르면, 비교 실험 면내 분포의 편차를 1로 했을 때, 제 2 위치 제 3 가스관(71c), (71c)과 제 1 위치의 제 2 가스관(71b), (71b)에서만 산소 가스를 도입하는 것(발명 실험 1)에서는 그 면내 분포가 0.2였다. 또한, 제 1 ~제 3의 각 가스관(71a), (71a), (71b), (71b), (71c), (71c)에서만 산소 가스를 도입하는 것(발명 실험 2)에서는 그 면내 분포가 0.3 이었다. 나아가, 제 1 위치의 제 2 가스관(71b), (71b) 및 제 1 가스관(71a), (71a)에서만 산소 가스를 도입하는 것(발명 실험 3)에서는, 그 면내 분포가 0.3이었다. 또한, 제 2 위치의 제 3 가스관(71c), (71c)에서만 산소 가스를 도입하는 것(발명 실험4)에서는 그 면내 분포가 0.4이며, 기판단 영역(Sa) 직하의 제 1 위치만 및/또는 연장 영역(Ea) 직하의 제 2 위치에서만 산소 가스를 도입한 경우, 면내 분포가 잘 개선되고 있음을 알 수 있었다. 또한, 기판단(Se)으로부터 이 기판(Sw)의 X축 방향 길이의 10% 이하 범위를 넘으면 제품으로 이용할 수 있을 정도의 기판(Sw)의 X축 방향에서 막질의 균일성을 얻을 수 없는 것이 확인되었다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명의 기술 사상의 범위를 벗어나지 않는 것이라면 다양한 변형이 가능하다. 상기 실시 형태에서는 산화 인듐계 산화물 막으로 ITO 막을 성막하는 경우를 예로 설명하였으나, 이에 한정되는 것이 아니라 ITIO막과 같은 다른 산화 인듐계 산화물 막의 성막에도 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 상기 실시 형태에서는 본 발명의 성막 방법 실시가 가능한 스퍼터링 장치(SM)로서 복수 매의 타겟을 이용하여 타겟 상호 간의 간극(Tp)을 통하여 기판을 향해 산소 가스를 도입하는 것을 예로 설명하였지만, X축 방향에서의 기판단 영역 직하의 소정 위치에서만 기판을 향해 산소 가스를 도입할 수 있다면 이에 한정되는 것이 아니라 다른 구성의 스퍼터링 장치에서도 적용 가능하다.
SM… (본 발명의 성막 방법 실시가 가능한) 스퍼터링 장치, 11…진공 처리실, 7…제 2 가스 도입 수단, 71…(산소 가스용) 가스관, Sw…유리 기판(기판), Sa…기판단 영역, Se…기판단, Tg１ ~ Tg８…ITO 타겟, Tp…타겟간의 간극.

Claims (4)

  1. 기판 표면에 산화 인듐계 산화물 막을 성막하는 성막 방법에 있어서,
    기판 면 내에서 서로 직교하는 방향을 X축 방향 및 Y축 방향으로 하고, 진공 처리실내에 기판과 이 기판보다 X축 방향 길이가 긴 타겟을 서로 동심으로(concentrically) 대향 배치하고, 진공 분위기의 진공 처리실내에 희가스와 산소 가스를 각각 도입하며, 각 타겟에 전력 투입하여 플라스마 분위기의 희가스 이온으로 타겟을 스퍼터링함으로써 기판 표면에 산화 인듐계 산화물 막을 성막하는 것에 있어서,
    타겟 측으로부터 기판으로 향하는 방향을 위로 하여, X축 방향에서 기판단 영역 직하의 제 1 위치 및 X축 방향에서 기판단으로부터 타겟단을 향해 신장되는 연장 영역(extension region) 직하의 제 2 위치 중 적어도 한쪽에서만 기판을 향해 산소 가스를 도입하는 공정을 포함하고,
    상기 기판단 영역은 기판단으로부터 이 기판의 X축 방향 길이의 10% 이하 범위에서 X축 방향 내방을 향해 신장되는 부분인 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 위치 및 제 2 위치의 양쪽 위치에서만 상기 기판을 향해 상기 산소 가스를 더 도입하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 타겟이 X축 방향으로 간격을 두고 병설되는 복수 매의 타겟으로 구성됨과 동시에 이들 타겟을 병설한 영역을 타겟 병설 영역으로 하여 타겟 병설 영역의 X축 방향 길이가 기판보다 긴 것에 있어서,
    상기 제 1 위치 및 제 2 위치를 타겟 병설 영역보다 하방으로 하여, 서로 인접한 2매의 타겟 간의 간극을 통하여 타겟을 향해 산소 가스를 도입하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 제 1 위치 및 제 2 위치의 양쪽 위치에서만 상기 기판을 향해 상기 산소 가스를 도입하는 것에 있어서,
    상기 제 1 위치로부터 도입되는 산소 가스는 상기 서로 인접한 2 매의 타겟 사이의 간극 중 상기 기판단 영역 직하에서 X 축 방향 일방의 가장 바깥쪽에 위치하는 간극 및 X 축 방향 타방의 가장 바깥쪽에 위치하는 간극만을 통해 도입되는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
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