TWI470102B - Magnetron sputtering electrode and sputtering device with magnetron sputtering electrode - Google Patents

Description

磁控濺射電極及具備磁控濺射電極的濺射裝置

本發明係關於具備以磁控濺射方式於處理基板上形成特定薄膜為目的之磁控濺射電極、及具備該磁控濺射電極之濺射裝置。

此種濺射裝置時，例如，配設著以於矩形之靶材前方(濺射面側)形成隧道狀之磁通為目的之磁鐵組合體。其次，對靶材施加負之直流電壓或交流電壓實施靶材之濺射時，擷取藉由於靶材前方電離之電子及濺射所產生之二次電子來提高靶材前方之電子密度，利用提高該等電子及導入真空腔室內之稀有氣體之氣體分子之衝突機率來提高電漿密度。藉此，例如，具有不會發生處理基板溫度明顯上昇卻可提高成膜速度等之優點，而經常被應用於在處理基板上形成金屬膜等之處理上。

組合於此種濺射裝置之磁鐵組合體，由：以平行於靶材配設之支撐板(軛)；於該支撐板之上面大致中央，沿著其長度方向配置成線狀之中央磁鐵；以及以環繞該中央磁鐵周圍之方式配置之與靶材側之極性為相反之周邊磁鐵；所構成者係大家所熟知(專利文獻1)。

[專利文獻1]日本特開2004-115841號公報(例如，參照背景技術欄)

然而，利用上述濺射裝置實施濺射時，於靶材之前方所發生之跑道狀電漿中之電子，對應中央磁鐵及周邊磁鐵之靶材側之極性，而沿著該跑道進行順時針或逆時針方向運動。其次，到達靶材之端部時，被電磁場彎曲而改變方向，然而，因為改變方向時仍殘留著惰性運動，故電子從靶材端側飛出。

電子因為該惰性運動而從靶材端側飛出時，電漿會局部擴散，而靶材之侵蝕區域會延伸至靶材端側，故放電不安定，而可能無法形成良好之薄膜。此外，為了在濺射進行獲得均一之靶材侵蝕區域，而使磁鐵組合體沿著靶材水平往返移動時，若考慮上述電子之飛出，則必須縮小磁鐵組合體之大小及移動量，而此種方式卻會擴大未侵蝕區域而降低靶材之利用效率。

所以，有鑑於上述問題點，本發明之課題係在提供，可以均等地侵蝕靶材之外周緣部，而可形成良好之薄膜，此外，可提高靶材之利用效率之磁控濺射電極及具備磁控濺射電極的濺射裝置。

為了解決上述課題，申請專利範圍第1項所記載之磁控濺射電極之特徵，係於與處理基板相對向配置之靶材之後方，具備磁鐵組合體，該磁鐵組合體具有與靶材側之極性為相反之沿著長度方向配置成線狀之中央磁鐵、及以環繞中央磁鐵之周圍之方式配置之周邊磁鐵，使於該磁鐵組合體之長度方向端部中在中央磁鐵及周邊磁鐵之間所發生 之隧道狀之各磁通當中磁場之垂直成分為0之位置以一定之範圍移位至中央磁鐵側。

依據本發明，因為使磁場之垂直成分為0之位置以一定之範圍局部移位至中央磁鐵側，只要使該前述磁場之垂直成分為0之位置移位之範圍對應於發生電子飛出之部位，即使電子到達靶材之端部而被電磁場彎曲並改變方向時，仍然殘留惰性運動，亦可防止從靶材端側飛出而防止電漿之局部擴大。結果，濺射時可以進行安定地放電而形成良好薄膜。

使前述磁場之垂直成分為0之位置移位的範圍，只要位於中央磁鐵之一側且交錯存在於該中央磁鐵之兩端部即可。藉此，例如，磁鐵組合體往返移動時，只使電子於其往返移動方向會藉由惰性運動而飛出至靶材端側之部位的磁場之垂直成分為0之位置移位至與電子之飛出方向之相反側，可以在靶材之外周緣部進行濺射且使靶材之侵蝕區域成為均一，而可增大磁鐵組合體之移動距離。

所以，為了使前述磁場之垂直成分為0之位置以一定之範圍進行移位，例如，使中央磁鐵或周邊磁鐵之至少一方之磁力之強弱局部改變即可。

亦可以為如下所示，亦即，於前述中央磁鐵當中之長度方向兩端部之側面，裝設特定長度之磁分路，中央磁鐵當中之裝設著磁分路之範圍之磁力會局部減弱，在不改變磁鐵組合體本身之形態下，使磁場之垂直成分為0之位置朝上述電子之飛出方向之相反側以一定之範圍進行移位。

此外，亦可採用如下所示之構成，亦即，前述周邊磁鐵，係由在前述中央磁鐵兩側平行延伸之直線部、及跨越兩直線相互部間之折返部所構成，前述中央磁鐵及周邊磁鐵之各直線部係等間隔，而且，在前述磁鐵組合體之長度方向兩端部，使中央磁鐵及各直線部之間隔，小於磁鐵組合體之中央區域者，而使前述磁場之垂直成分為0之位置移位。

此時，對應靶材側之極性，使前述直線部之一方及中央磁鐵之兩端部朝另一方之直線部側移位而縮小前述間隔，且前述兩端部為旋轉對稱時，與上述相同，使磁鐵組合體往返移動時，只有因為其往返移動方向之惰性運動而使電子飛出靶材端側之部位，可使磁場之垂直成分為0之位置以一定之範圍移位至電子之飛出方向之相反側，可以在靶材之外周緣部進行濺射且使靶材之侵蝕區域成為均一。

所以，如以上所述，使直線部之一方及中央磁鐵之兩側之一部分朝另一方之直線部側移位而縮小前述間隔，而使位於電子之飛出方向之相反側之磁場之垂直成分為0之位置局部地移位至靶材端側時，發生之跑道狀電漿之一部分擴散至靶材端側。因此，只要於前述中央磁鐵之兩端部當中，在另一方之直線部側之側面，配設磁分路，中央磁鐵當中之配設著磁分路之部位之磁力會局部減弱，而於上述電子之飛出方向，使磁場之垂直成分為0之位置以一定之範圍移位來進行再補正。

另一方，為了實施垂直成分為0之位置之再補正，除 了上述以外，或者，用以取代上述，亦可使前述另一方之直線部當中之與磁鐵組合體之長度方向之兩端部相對向之部分之至少一部分移位至中央磁鐵側。

此外，亦可以於前述另一方之直線部當中與磁鐵組合體之長度方向之兩端部相對向之部分之至少一部之上面，追加補助磁鐵，局部強化周邊磁鐵之一部分之磁力，而使磁場之垂直成分為0之位置移位至上述電子之飛出方向來進行再補正。

只要具備用以使前述磁鐵組合體沿著靶材之背面平行地往返移動之驅動手段，可以在靶材之外周緣部進行濺射且使靶材之侵蝕區域成為均一，故可增大磁鐵組合體之移動距離，結果，可以達成靶材之高利用效率。

此外，為了解決上述課題，申請專利範圍第11項所記載之發明之特徵，係將如申請專利範圍第1至10項所記載之磁控濺射電極配置於可真空排氣之濺射室內，且配設對濺射室內導入特定氣體之氣體導入手段、及可對靶材供應電力之濺射電源。

如以上之說明所示，本發明之磁控濺射電極及具備該磁控濺射電極的濺射裝置時，可以均等地對靶材之外周緣部實施侵蝕而提高靶材之利用效率，此外，具有放電安定而形成良好薄膜之效果。

參照第1圖進行說明，1係本發明之具有磁控濺射電 極C之磁控方式之濺射裝置(以下，稱為「濺射裝置」)。濺射裝置1係例如直列式者，具有可介由旋轉泵、渦輪分子泵等之真空排氣手段(未圖示)保持於特定真空度之濺射室11。於濺射室11之上部空間，配設著基板搬送手段2。基板搬送手段2係具有眾所皆知之構造，例如，具有用以裝設處理基板S之載體21，間歇地驅動驅動手段，而依序將處理基板S搬送至與後述之靶材相對向之位置。

於濺射室11，配設著氣體導入手段3。氣體導入手段3係透過介設著質流控制器31之氣體管32而連通至氣體源33，以一定之流量將氬等之濺射氣體或反應性濺射時所使用之反應氣體導入濺射室11內。反應氣體係對應形成於處理基板S上之薄膜之組成來進行選擇，使用含有氧、氮、碳、氫之氣體、臭氧、水、或過氧化氫或該等之混合氣體等。於濺射室11之下側，配設著磁控濺射電極C。

磁控濺射電極C，具有以面臨濺射室11之方式配設之大致長方體(從上面觀看為長方形)之一片靶材41。靶材41係對應欲形成於Al合金、Mo或ITO等處理基板S上之薄膜之組成，而以眾所皆知之方法所分別製作，濺射面411之面積設定成大於處理基板S之外形尺寸。靶材41，於濺射中，介由銦或錫等之黏結材接合於用以冷卻靶材41之支撐板42，在靶材41接合於支撐板42之狀態下，介由絕緣板43以靶材41之濺射面411與處理基板5相 對向之方式裝設於磁控濺射電極C之框架44。裝設靶材41時，於靶材41之周圍，裝設具有用以接地之陽極之機能之屏蔽(未圖示)。

磁控濺射電極C，具有位於靶材41之後方(濺射面411之相反側)之磁鐵組合體5。磁鐵組合體5，具有形成為沿著靶材41之長度方向從其兩側延伸而出之支撐板(軛)51。支撐板51，係由增加磁鐵之吸附力之磁性材料製之平板所構成。此外，於支撐板51上，以與靶材41側之極性相反之方式，配置著延伸於支撐板51之長度方向之中心線上之中央磁鐵52(例如，靶材41側之極性為S)、及以環繞該中央磁鐵52之周圍之方式沿著支撐板51之上面外周配置成環狀之周邊磁鐵53(靶材41側之極性為N)。

周邊磁鐵53，係由沿著中央磁鐵52平行延伸之直線部53a、53b、及跨越兩直線部53a、53b相互間之長度方向兩側之各折返部53c所構成。此時，中央磁鐵52及兩直線部53a、53b間之間隔為一定，此外，設計上，中央磁鐵52之換算成同磁化時之體積與環繞其周圍之周邊磁鐵53之換算成同磁化時之體積之和，為周邊磁鐵：中心磁鐵：周邊磁鐵=1:2:1(參照第1圖)。藉此，於靶材41之前方(濺射面411側)，分別形成相符之閉環之隧道狀磁通，擷取藉由於靶材41前方電離之電子及濺射所產生之二次電子來提高靶材41前方之電子密度而提高電漿密度。

其次，將處理基板S搬送至與靶材41相對向之位置，介由氣體導入手段3導入特定濺射氣體或反應氣體後。介由連結於靶材41之濺射電源(未圖示)，施加負之直流電壓或高頻電壓，而於處理基板S及靶材41形成垂直之電場，因而於靶材41前方，發生跑道狀電漿而實施靶材41之濺射，進而於處理基板S上形成特定之薄膜。

上述磁鐵組合體5時，中央磁鐵52及周邊磁鐵53上方之電漿密度較低，與其周邊相比，隨著濺射之進行，靶材41之侵蝕量較少。因此，使支撐板51之橫寬具有小於靶材41之寬度之固定尺寸，而且，配設著氣缸或馬達等之驅動手段6，於驅動手段6之驅動軸61，裝設著磁鐵組合體5。其次，濺射中，於沿著靶材41之寬度方向(中央磁鐵52之長度方向之直角方向)之水平的2部位之位置，使磁鐵組合體5平行地往返移動，而改變隧道狀磁通之位置。藉此，包括靶材41之外周緣部在內之全面可以進行大致均等之侵蝕，此外，藉由二次元之往返移動，可以進一步提高靶材41之利用效率。

所以，上述說明之磁鐵組合體之構成時，在靶材41前方發生跑道狀電漿時，使中央磁鐵之靶材41側之極性為S，而使周邊磁鐵之靶材41側之極性為N，則電漿中之電子，從靶材41之背側觀看時，係沿著跑道T1進行順時針運動。其次，到達靶材41之端部時，被電磁場彎曲而改變方向，然而，因為改變方向時仍殘留著惰性運動，故電子從靶材41端側飛出，而使跑道狀電漿之一部分局 部地擴散至靶材41端側(如第2圖(a)所示，例如，靶材41之左下側時朝下方向(X方向)而飛出，另一方，未圖示之靶材41之右上側時朝上方向飛出)。

此種狀態而使磁鐵組合體往返移動時，靶材41之侵蝕區域E1之一部分，會局部地延伸至靶材41端側(第2 (b)圖中，以符號R表示之區域)，而使放電不安定，妨礙良好薄膜之形成。考慮此種電子之飛出時，可以考慮縮小磁鐵組合體5之大小及移動量，然而，相反地，未侵蝕區域會變大，而導致靶材41之利用效率變差。

所以，如第3圖(a)所示，第1實施形態之磁鐵組合體5時，於中央磁鐵52之兩端部當中之位於電子之飛出方向X之側面，配設板狀之磁分路7(亦即，於中央磁鐵之兩端部之相互交錯之側面，配設磁分路7)。此時。例如，靶材41具有200×2500mm之尺寸時，於從靶材41端至100~250mm之範圍之位置，發生最大20mm程度之電子飛出，故於此時，只要配設從中央磁鐵52之兩端以特定長度(從磁鐵組合體5之長度方向兩端至350mm為止之長度)配設磁分路7即可。

磁分路7，只要最大導磁率較高且具有剛性之材料即可，例如，可以使用SUS430等之具有磁性之不鏽鋼、提高磁場之衰減效果之純鐵、鎳等之金屬、高導磁合金、超導磁合金等之高導磁率之合金，其厚度設定在1.0~5.0mm之範圍。

藉此，以中央磁鐵52當中之配設著磁分路7之範圍 之磁力局部減弱，無需變更磁鐵組合體5本身之形態，位於中央磁鐵52及周邊磁鐵53間發生之隧道狀之各磁通當中配設著磁分路7之中央磁鐵52及一方之直線部53a間之區域之磁場之垂直成分為0之位置(電漿密度最高，利於靶材之濺射之位置)，以磁分路7之長度範圍局部地移位至中央磁鐵52側。亦即，觀察分別通過磁場之垂直成分為0之位置之跑道狀線L1時，該線L1當中之中央磁鐵52之一側且該中央磁鐵52之兩端相互交錯之位置之部分，局部地朝中央磁鐵52側移位，而成為如第3(b)圖所示之線L1。因此，於靶材41前方發生電漿時，電子到達靶材41之端部被電磁場彎曲而改變方向時，即使仍殘留著惰性運動，亦可防止從靶材41端側飛出，而不會發生電漿局部擴散的情形。

結果，可隨著靶材41之外周緣部之濺射之進行，使靶材之侵蝕區域E2成為沿著靶材41之長度方向之大致線狀(參照第3(c)圖)，而且，濺射時可以安定地放電，而形成良好薄膜。此外，濺射中，使磁鐵組合體5沿著靶材41之寬度方向往返移動，亦可擴大磁鐵組合體5之對靶材的移動距離，包括靶材41之外周緣部在內之全面可以進行大致均等之侵蝕，可以進一步提高靶材41之利用效率。

此外，上述第1本實施形態時，係針對為了未變更磁鐵組合體5本身之形態卻使中央磁鐵52或周邊磁鐵53之至少一方之磁力之強弱局部改變，而於中央磁鐵52之側 面配設磁分路7者進行說明，然而，並未受限於此，亦可以只將周邊磁鐵53之一方之直線部53a當中與配設磁分路7之位置相對向之部分變更成磁力較強之磁鐵，或者，於該部分之上面追加裝設磁鐵，來局部地增強周邊磁鐵53之磁力。另一方面，為了使磁場之垂直成分為0之位置局部地移位至中央磁鐵52側，磁鐵組合體50亦可以為如下所示之構成。

參照第4圖進行說明，第2實施形態之磁鐵組合體50，於該磁鐵組合體50之長度方向之兩端部，使中央磁鐵52及周邊磁鐵53之兩直線部53a、53b間之間隔保持一定，而使中央磁鐵52及各直線部53a、53b之間隔於磁鐵組合體50之中央區域較窄，而且，該間隔較窄之磁鐵組合體50之長度方向之兩端部係旋轉對稱，亦即，使中央磁鐵52當中之兩端部521、522、及一方之直線部53a(中央磁鐵之另一端時，為另一方之直線部53b)之兩端部531、532，朝與電子之飛出方向X為相反側之另一方之直線部53b(中央磁鐵之另一端時，為一方之直線部53a)側階段性地移位，隨著朝向其長度方向兩側使間隔D2、D3小於磁鐵組合體5之中央區域之間隔D1。

所以，如上所述，靶材41具有200×2500mm之尺寸時，因為從靶材41端至100~250mm之範圍之位置，發生最大20mm程度之電子飛出，故將磁鐵組合體5之長度方向兩端至350mm程度之範圍，當做磁鐵組合體5之長度方向之兩端部，而於該兩端部，以對應於電子之飛出距 離之寬度(例如，30mm以下)來縮小間隔D2、D3。此時，從長度方向之兩端之距離若大於350mm，則未侵蝕區域會擴大。

藉此，位在發生於中央磁鐵52及周邊磁鐵53間之隧道狀之各磁通當中該間隔局部變窄之區域之磁場之垂直成分為0之位置(電漿密度最高，利於靶材之濺射之位置)以一定之範圍局部地移位至中央磁鐵52側。亦即，如第4(b)圖所示，觀察分別通過磁場之垂直成分為0之位置之跑道狀之線L2時，藉由使中央磁鐵52之兩端部521、522、及一方之直線部53a之兩端部531、532，朝電子之飛出方向X之相反側之另一方之直線部53b側移動，於該移動區域，使位於線L2當中之一方之直線部53a側者朝中央磁鐵52側移位。

因此，與上述第1實施形態相同，於靶材41前方發生電漿時，電子到達靶材41之端部而被電磁場彎曲並改變方向時，即使仍殘留著惰性運動，亦可防止從靶材41端側飛出，而不會有電漿局部擴散的情形。結果，可隨著靶材41之外周緣部之濺射之進行，使靶材之侵蝕區域E3成為沿著靶材41之長度方向之大致線狀(參照第4(c)圖)，而且，濺射時可以安定地放電，而形成良好薄膜。此外，濺射中，使磁鐵組合體50沿著靶材41之寬度方向往返移動，亦可擴大磁鐵組合體50之對靶材的移動距離，包括靶材41之外周緣部在內之全面可以進行大致均等之侵蝕，可以進一步提高靶材41之利用效率。

然而，以如上之方式構成磁鐵組合體50時，因為其而可能出現存在於電子之飛出方向之相反側之磁場之垂直成分為0之位置以一定之範圍朝電子之飛出方向之相反側局部移位的情形。亦即，如第4 (b)圖所示，觀察分別通過磁場之垂直成分為0之位置之跑道狀線L2時，以移動中央磁鐵52及一方之直線部53a之區域，使線L2當中位於另一方之直線部53b側之範圍La朝電子之飛出方向X之相反側膨漲之方式移位。此時，所發生之跑道狀電漿之一部分會擴散至靶材41端側，侵蝕區域E3可能會朝靶材41端方向延伸若干。因此，如第5圖(a)所示，以於中央磁鐵52當中朝另一方之直線部53b側移動之部分522之側面配設磁分路71為佳。

藉此，使中央磁鐵52當中配設著磁分路71之部位之磁力局部減弱，並使磁場之垂直成分為0之位置朝電子之飛出方向移位，實施上述膨漲之再補正。亦即，使線L2當中比另一方之直線部53b更膨向外側之區域La朝中央磁鐵52側移位，而成為第5 (b)圖所示之跑道狀之線L3。結果，隨著靶材41之外周緣部之濺射之進行，使靶材41之侵蝕區域成為沿著靶材41之長度方向之均一線狀。

磁分路7，與上述第1實施形態相同，可以使用純鐵、鎳等之金屬、高導磁合金、超導磁合金等之高導磁率之合金。其厚度設定成1.0~5.0mm之範圍，例如，裝設於朝直線部53b側移位之部分522之全長。

另一方面，如第6圖所示，為了實施跑道狀之線L2 之膨漲之再補正，除了上述以外，或者，用以取代上述，亦可使前述另一方之直線部53b當中之與磁鐵組合體5之長度方向之兩端部相對向之部分之至少一部530，最好為對應於線L2之膨漲區域La之部分，朝中央磁鐵52側移位。藉此，膨漲可以朝中央磁鐵52方向移位來進行再補正，而成為第6 (b)圖所示之跑道狀之L4。

此外，如第7圖所示，為了實施跑道狀之線L2之膨漲之再補正，除了上述以外，或者，用以取代上述，亦可使另一方之直線部53b當中之與磁鐵組合體之長度方向之兩端部相對向之部分之至少一部，最好為對應於線L2之膨漲區域La之部分之上面，追加補助磁鐵8。藉此，配設補助磁鐵8之部位之磁力可局部增強並使磁場之垂直成分為0之位置移位，來實施上述膨漲之再補正。

尚，上述第2實施形態時，係考慮磁鐵組合體50之製作，而針對使中央磁鐵52當中之兩端部521、522、及一方之直線部53a之兩端部531、532朝另一方之直線部53b側階段性地移位者進行說明，然而，並未受限於此，亦可對應電子之飛出寬度，使間隔隨著朝向磁鐵組合體5之長度方向兩端而連續變化。

此外，上述第1及第2之兩實施形態時，係針對配置著一片靶材41之磁控濺射電極C進行說明，然而，並未受限於此，針對處理基板S並設複數片靶材41者亦可適用本發明。並設複數片靶材41時，若電子因為惰性運動而從靶材端朝外側飛出，電子會飛移至鄰接之靶材而導致 放電不安定，然而，應用本發明，可以防止電子之飛移而安定地放電，進而形成良好薄膜。

1‧‧‧磁控濺射裝置

41‧‧‧靶材

5、50‧‧‧磁鐵組合體

52‧‧‧中心磁鐵

53‧‧‧周邊磁鐵

53a、53b‧‧‧直線部

53c‧‧‧折返部

C‧‧‧磁控濺射電極

S‧‧‧處理基板

第1圖係本發明之濺射裝置之模式的說明圖。

第2圖之(a)係傳統磁鐵組合體之構成說明圖。(b)係電子飛出之說明圖。

第3圖之(a)係第1實施形態之磁鐵組合體之構成說明圖。(b)係通過磁場垂直成分為0之位置之跑道狀之線的說明圖。(c)係隨著濺射之進行，靶材之侵蝕區域之說明圖。

第4圖之(a)係第2實施形態之磁鐵組合體之構成說明圖。(b)係跑道之補正之說明圖。(c)係隨著濺射之進行，靶材之侵蝕區域之說明圖。

第5圖之(a)係第4圖所示之磁鐵組合體之變形例之構成說明圖。(b)係通過磁場垂直成分為0之位置之跑道狀之線之位置補正之說明圖。

第6圖之(a)係第4圖所示之磁鐵組合體之其他變形例之構成說明圖。(b)係通過磁場垂直成分為0之位置之跑道狀之線之位置補正之說明圖。

第7圖之(a)及(b)係第4圖所示之磁鐵組合體之其他變形例之構成說明圖。

5‧‧‧磁鐵組合體

7‧‧‧磁分路

41‧‧‧靶材

52‧‧‧中央磁鐵

53‧‧‧周邊磁鐵

53a‧‧‧直線部

53b‧‧‧直線部

53c‧‧‧折返部

Claims (10)

1. 一種磁控濺射電極，其特徵係具備：與處理基板對向配置的靶材，及配置在與處理基板背向的靶材的後方之磁鐵組合體，前述磁鐵組合體係由：配置成線狀的中央磁鐵，及以環繞該中央磁鐵的周圍之方式，改變靶材側的極性而配置的周邊磁鐵所構成，將中央磁鐵所線狀延伸的方向設為長度方向，中央磁鐵及周邊磁鐵係具有在各個的長度方向的兩側平行延伸的直線部，使在中央磁鐵與周邊磁鐵的直線部之間隧道狀地產生的磁通的磁場的垂直成分成為0的位置在磁鐵組合體的長度方向端部以一定的範圍位移至比磁鐵組合體的中央部更靠中央磁鐵側，構成防止電子往靶材端側飛出，使前述磁場之垂直成分為0之位置移位的範圍，係位於中央磁鐵之一側且交錯存在於該中央磁鐵之兩端部。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之磁控濺射電極，其中使中央磁鐵或周邊磁鐵之至少一方之磁力之強弱局部改變。
3. 如申請專利範圍第2項所記載之磁控濺射電極，其中於前述中央磁鐵當中之長度方向兩端部之側面，裝設特定長度之磁分路。
4. 如申請專利範圍第1項所記載之磁控濺射電極，其中前述周邊磁鐵，係由在前述中央磁鐵兩側平行延伸之直線部、及跨越兩直線部相互間之折返部所構成，前述中央磁鐵及周邊磁鐵之各直線部係等間隔，而且，在前述磁鐵組合體之長度方向兩端部，使中央磁鐵及各直線部之間隔，小於磁鐵組合體之中央區域者，而使前述磁場之垂直成分為0之位置移位。
5. 如申請專利範圍第4項所記載之磁控濺射電極，其中將前述直線部之一方及中央磁鐵之兩端部移位至另一方之直線部側而使前述間隔變窄，前述兩端部為旋轉對稱。
6. 如申請專利範圍第4或5項所記載之磁控濺射電極，其中於前述中央磁鐵之兩端部當中，在另一方之直線部側之側面，配設磁分路。
7. 如申請專利範圍第4或5項所記載之磁控濺射電極，其中使前述另一方之直線部當中與磁鐵組合體之長度方向之兩端部相對向之部分之至少一部分朝中央磁鐵側移位。
8. 如申請專利範圍第4或5項所記載之磁控濺射電極，其中於前述另一方之直線部當中與磁鐵組合體之長度方向 之兩端部相對向之部分之至少一部分之上面，追加補助磁鐵。
9. 如申請專利範圍第1項所記載之磁控濺射電極，其中具備用以使前述磁鐵組合體沿著靶材之背面平行地往返移動之驅動手段。
10. 一種濺射裝置，其特徵為：將申請專利範圍第1至9項所記載之磁控濺射電極配置於可真空排氣之濺射室內，配設對濺射室內導入特定氣體之氣體導入手段、及可對靶材供應電力之濺射電源。