TWI376573B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TWI376573B TWI376573B TW097135508A TW97135508A TWI376573B TW I376573 B TWI376573 B TW I376573B TW 097135508 A TW097135508 A TW 097135508A TW 97135508 A TW97135508 A TW 97135508A TW I376573 B TWI376573 B TW I376573B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- group
- photosensitive resin
- resin composition
- mass
- substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
- G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
- C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
- C08F212/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
- C08F212/06—Hydrocarbons
- C08F212/08—Styrene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
- C08F220/30—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing aromatic rings in the alcohol moiety
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
- C08F222/10—Esters
- C08F222/1006—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
- C08F222/102—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols of dialcohols, e.g. ethylene glycol di(meth)acrylate or 1,4-butanediol dimethacrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
- C08F222/10—Esters
- C08F222/1006—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
- C08F222/106—Esters of polycondensation macromers
- C08F222/1063—Esters of polycondensation macromers of alcohol terminated polyethers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
- C09D4/06—Organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond in combination with a macromolecular compound other than an unsaturated polymer of groups C09D159/00 - C09D187/00
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Graft Or Block Polymers (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種可藉由鹼性水溶液而顯影之感光性樹 脂組合物、將該感光性樹脂組合物積層於支持體上而成之 感光性樹脂積層體、使用該感光性樹脂積層體於基板上形 成阻劑圖案之阻劑圖案形成方法、以及該阻劑圖案之用 途。更詳細而言,本發明係關於一種提供適合作為下述保 S蒦罩構件之阻劑圖案的感光性樹脂組合物,即,印刷電路 板之製造、可撓性印刷電路板之製造、IC晶片(Integrated Circuit Chip,積體電路晶片)搭載用引線框架(以下稱為引 線框架)之製造、金屬掩模之製造等金屬箔精密加工、 BGA(Ball Grid Array,球形陣列)或 csp(chip Size
Package,晶片尺寸封裝)等半導體封裝之製造、以tab (Tape Automated Bonding,捲帶式自動接合)或 c〇F(Chip 〇n Film,薄膜覆晶:將半導體1(:搭載於膜狀之微細電路 板上)為代表的捲帶基板之製造、半導體凸塊之製造、平 板顯示器領域中之ITO(Indium Tin Oxide,氧化銦錫)電極 或定址電極或者電磁波屏蔽罩等構件之製造、以及利用噴 砂法加工基材時之保護罩構件。 【先前技術】 先前’印刷電路板係利用光微影法製造。所謂光微影法 係指下述方法:將感光性樹脂組合物塗佈於基板上,進行 圖案曝光而使該感光性樹脂組合物之曝光部聚合硬化,並 使用顯景>液將未曝光部除去,從而於基板上形成阻劑圖 134399.doc 1376573 案,實施餘刻或鑛敷處理而形成導體圖案之後自該基板 上剝除該阻劑圖案,藉此於基板上形成導體圖案。 於上述光微影法中’在將感光性樹脂組合物塗佈於基板 上時可使用以下方法中之任—種·將光阻劑溶液塗佈於 基板上並加以乾燥之方或者將依序積層冑支持體由 感光性樹脂組合物所形成之層(以下稱為「感光性樹脂 層」)、以及視需要之保護層而成的感光性樹脂積層體(以 下稱為「乾膜光阻」)積層於基板上之方法。而且,在製 造印刷電路板時,多使用後者之乾膜光阻。 以下,就使用上述乾膜光阻製造印刷電路板之方法進行 簡早說明。 首先’於乾膜光阻具有聚乙烯膜等保護層之情形時,先 自感光性樹脂層上將其剝離。繼而,使用層合機,於銅箔 積層板等基板上,以成為該基板、感光性樹脂層、支持體 之順序而積層感光性樹脂層及支持體(通常由聚對苯二曱 酸乙二酯等所形成)。繼而,經由具有配線圖案之光罩, 利用超高壓水銀燈所發出之包含丨線(365 nm)之紫外線對該 感光性樹脂層曝光,藉此使曝光部分聚合硬化。然後剝離 支持體。接著,使用具有弱鹼性之水溶液等顯影液,將感 光性樹脂層之未曝光部分溶解或分散除去,從而於基板上 形成阻劑圖案》 另外’在形成阻劑圖案之後形成電路之製程大致可分為 兩種方法。第一種方法如下:將未由阻劑圖案覆蓋之銅箔 積層板等之銅面蝕刻除去,之後,使用強於顯影液之鹼性 U4399.doc 1376573 水溶液除去阻劑圖案部分。於此情況下,就步称之簡便性 面而。,夕採用利用硬化膜將貫通孔(通孔)覆蓋之後進 行钱刻的方法(蓋孔法)。第二種方法如下:於與上述相同 之銅面上實施鍍銅處理,且視需要進一步實施焊錫、鎳及 錫等之錢敷處理之後,用同樣的方式除去阻劑圖案部分並 進一步對所露出之銅箔積層板等之銅面進行蝕刻的方法 (鍍敷法)。蝕刻中可使用氯化銅、氣化鐵、銅銨錯合物溶 液、硫酸/過氡化氫水溶液等酸性蝕刻液。 隨著近年來印刷電路板之配線間隔之微細化,為良率佳 地製造窄間距之圖案,要求乾膜光阻具備高解像性及高密 著性。 另外,顯影後,有時於硬化阻劑與基板之分界部分會產 生被稱作底腳(硬化阻劑足部)(參照圖1}之半硬化阻劑若 該底腳增大,則阻劑線彼此之底腳相互接觸而造成解像不 足,從而引起蝕刻步驟後之導體圖案產生搖擺之問題。因 此,業界謀求一種顯影後硬化阻劑之底腳極小之乾膜光 阻。 ' 另外,近來,自良率佳地製造窄間距之圖案之方面考 慮,鍍敷法之重要性逐漸增加。於鍍敷法中,光阻之耐鍍 敷液性較為重要,若耐鑛敷液性不充分,則容易出現下述 現象:在進行鍍敷之前處理時處理液滲透至阻劑與基板之 間,使硬化之阻劑產生底切,導致阻劑自基板抬升:若出 現此種現象,則會產生鍍敷潛入(鍍敷一直到達阻劑之下 部為止之現象),因此期待耐鍍敷液性優異之阻劑。 134399.doc 1376573
I 於專利文獻1中,就含有甲基丙烯酸/甲基丙烯酸罕酯/丙 烯酸丁酿/丙烯酸2-乙基己酿之四元共聚物、以及三環癸烷 二曱醇二曱基丙烯酸酯的感光性樹脂組合物之解像度密 著性、耐鍍敫液性、剝離特性、浮渣產生性作了記載,但 是其解像度、密著性、耐鑛敷液性無法充分應對現狀。 [專利文獻1 ]日本專利特開2〇〇1•丨54348號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 本發明之目的在於提供—種感光性樹脂組合物以及使用 其之感光性樹脂積層體,該感光性樹脂組合物具有作為蝕 刻阻劑或鑛敷阻劑等之阻劑材料的特別優異之高解像性及 向密著性,且顯影後之底腳極小,並且耐鍍敷液性優異。 [解決問題之技術手段] 上述目的可藉由本發明之以下構成而達成。即本發明 如下所述。 1. 一種感光性樹脂組合物,其含有: ⑷黏合劑用樹脂20〜90質”。,該⑷黏合劑用樹脂中叛基 含量以酸當量計為刚〜刚,含有選自以下述通式⑴及⑼ 所表示之化合物群中的至少-種化合物單元作為共聚成 刀’且重量平均分子量為5〇〇〇〜5〇〇〇〇〇;
(b) 具有至少一個末端乙條M 娜险不飽和基之加成聚合性單體 5〜75質量% ;以及 (c) 光聚合起始劑〇_〇1〜3〇質量% ;並且, 該加成聚合性單體(b)含有選自以下述通式(叫所表示之 134399.doc t δ物群尹的至少 [化1] 種加成聚合性單體
式令’ R1表示氫原子或f基,r2 :原子、經基、碳數為H2之貌基、:自由氯原子、自 、竣基、以及齒院基所組成之群中:1〜12之燒氧 [化2] 種基。)
、气T,R,表示氫原 素屈工 ^ 疋曰由氫原子、鹵 卞原子、羥基、碳數為丨〜12之焼基、 A ^ ^ 兔數為1〜12之烷氧 之、羧基、以及自烷基所組成之群中的— [^t31 基。)
0II c 一〒=ch2 •(m) ο 叱及R6分別獨立表錢原子或甲基^表示碳數為2〜6 之伸烷基,其等可相同亦可不同,於不同之情形時,_(Α· 〇)-及-(Β-Ο)-重複單元可為嵌段結構亦可為無規結構。 I34399.doc 1376573 • . 111 、m2、m3及m4為〇或正整數,該等之合計為〇〜4〇。R7 為鹵素原子或碳數為卜3之烷基,11為〇〜丨4之整數)。 2.如上述1.之感光性樹脂組合物,其中以上述通式(in) 所表不之至少一種加成聚合性單體相對於感光性樹脂組合 物整體之含有率為5〜35質量%。 如上itL或2.之感光性樹脂組合物,其中上述光聚合 起始劑⑷含有選自以下述通式(IV)所表示之化合物群中: 至少一種2,4,5-三芳基咪唑二聚物:
[化4]
(IV) 基及院氧基、以及函基所組成之群中:…之院 分別獨立為1〜5之整數。)。 土 ’ P、q及r (如上述K至3.中任-項之感光性樹脂組合物 述加成聚合性單體(b)含有選自以下述 /、中上 合物群中的至少一種加成聚合性單體: 所表不之化 134399.doc "(V)1376573 [化5] H2C=C—C—(c2H4-〇}^-(cH2CH-〇}^C2H4-〇)—C—Cr=rCH2 · R8 ^ (式中,R8及R9分別獨立表示氫原子或甲基。^及13為0〜4 之整數,t2為4〜20之整數。)。
5. 如上述1至4中任一項之感光性樹脂組合物,其中每 1 〇〇 g感光性樹脂組合物中,上述加成聚合性單體之末 端乙烯性不飽和基(反應性末端基)為〇 1〇〜〇 4〇莫耳β 6. —種感光性樹脂積層體,其包含支持體以及積層於其 上之如上述丨〜5中任一項之感光性樹脂組合物。 7. —種阻劑圖案之形成方法,其包括層壓步驟、曝光步 驟、以及顯影步驟,於層壓步驟中,使用如上述6之感光 性樹脂積層體於基板上形成感光性樹脂層。 8. 如上述7之阻劑圖案形成方法,其中於上述曝光步驟 中進行直接刻寫。
9. 一種印刷電路板之製造方法,其包括對利用如上述7 或8之方法而形成有阻劑圖案之基板進行蝕刻或鍍敷的 驟。 10·-種引線框架之製造方法,λ包括對利用如上述7或 8之方法而形成有阻劑圓案之基板進行蝕刻的步驟。 。"’-種半導體封裝之製造方法,其包括對利用如上述7 或8之方&而形成有ρ且劑圖案之基板進行㈣《鑛敷的 A% η ^ I34399.doc -II - I376573 丨2’一種凸塊之製造方法’其包括對利用如上述7或8之 方法而形成有阻創圖案之基板進行钱刻或鑛敷的步帮。 一種具有凹凸圖案之基材之製造方法彡包括藉由 〆對利用如上述7或8之方法而形成有阻劑圖案之基板進 行加工的步縣。 [發明之效果] 本發明之感紐樹脂組合物、感光性樹脂積層體、使用 其等之阻劑圖案之形成方法以及印刷電路板、引線框架、 封裝、凸塊及具有凹凸圖案之基材之製造方法,發揮出具 有特別優異之高解像性及高密著性、_後之底腳極小: 而且耐鍵敷液性優異的效果。 【實施方式】 以下’對本發明進行更具體之說明。 U)黏合劑用樹脂 本發明中所使用之黏合劑用樹脂⑷係幾基含量以酸當量 計為丨00〜600、含有選自以丁述通式⑴及(11)所表示之二合 物群中的至少一種化合物作為共聚成分、且重量平均分子 置為5,000〜500,000的黏合劑用樹脂。 [化6]
··(!) 、鹵 烷氧 (式中’ R丨表示氫原子或甲基,r2表示選自由氫原子 素原子、經基、碳數為丨〜12之烷基、碳數為丨〜12之 基、羧基、以及_烷基所組成之群中的一種美。 134399.doc 12 1376573 I 1 [化7]
...(Π> (式中,R表示氫原子或甲基,r4表示選自由氣原子自 素原子、祕、碳數為1〜12之院基、碳數為1〜12之坑氧 基、羧基、以及自烷基所組成之群中的一種基。)
點合劑用樹脂⑷中所含之叛基之量,以酸當量計較好的 是100以上、_以下,更好的是250以上、450以下。所謂 酸當量,係指其中具有1當量之叛基的黏合劑用㈣之質 黏合劑用樹脂中之鲮基係為對光聚合性樹脂層賦予相對 於驗性水溶液之顯影性或剝離性而必須者。就耐_性提 昇、解像度以及密著性提昇之方面而言,該酸當量為1〇〇 以上,就顯影性及剝離性提昇之方面而言,該酸當量為 600以下β酸當量係使用平沼產業(股)製造之平沼自動滴定 裝置(COM-555),使用(M m〇1/L之氫氧化鈉,以電位滴定 法來進行測定。 發明中所使用之黏合劑用樹脂(a)之重量平均分子量為 5,000〜500,000。就顯影性及解像性提昇之方面而言,該重 量平均分子量為500,000以下,就抑制將感光性樹脂積層 體捲繞成輥狀時感光性樹脂組合物自輥端面滲出之現象、 即抑制邊緣炫融之方面而言,該重量平均分子量為5〇〇〇 以上。為更好地發揮出本發明之效果,黏合劑用樹脂之重 2:平均分子量更好的是5,〇〇〇〜1〇〇〇〇(),進而更好的是 I34399.doc 1376573 5,000-60,000 〇 重量平均分子量可使用曰本分光(股)製造之凝膠滲透層 析儀(GPCn : Gulliver,piM58〇型;管柱昭和電工 (股)製造之 Sh〇dex(註冊商標)(KF 8〇7、KF _M、kf· 806M KF 802.5)4根串聯;移動床溶劑:四氯咬喃;使用 聚苯乙烯標準樣品(昭和電工(股)製造之Shodex STANDARD SM-105)之校準曲線),以聚苯乙稀換算之形 式而求出》 本發明中所使用之黏合劑用樹脂(a)可藉由自下述2種單 體中分別選擇一種戎—猫,v U。。Μ Μ & 裡次種以上早體並進行共聚而獲得。 第單體為分子中具有一個聚合性不飽和基之幾酸或酸 酐。例如可列舉:(甲基)丙烯酸、反丁烯二酸、肉桂酸、 丁烯酸、衣康酸、順丁烯二酸酐、順丁烯二酸半酯。 第二單體係非酸性且分子中具有一個聚合性不飽和基之 化合物。對該化合物加以選擇,以保持感光性樹脂層之顯 影性、蝕刻及鍍敷步驟中之耐性、硬化膜之可撓性等各種 特性’且該化合物包含選自以上述通式⑴及(π)所表示之 化合物群中的至少一種化合物作為必需成分。 作為以上述通式(1)所表示之化合物,例如有苯乙烯及苯 乙烯衍生物,例如可列舉:α _甲基苯乙烯、對羥基苯乙 稀、對甲基笨乙烯、對甲氧基苯乙稀、對氣笨乙稀。 作為以上述通式(II)所表示之化合物,例如可列舉:(甲 基)丙烯酸f酯、(甲基)丙烯酸4_羥基苄酯、(〒基)丙烯酸 4-甲氧基节酿、(甲基)丙烯酸4_甲基m (尹基)丙稀酸4· 134399.doc 氯苄醋。 尤其是作為選自以上述通式⑴及(II)所表示之化合物群 中的至少一種化合物,就顯影後之底腳產生性低(無底腳 或底腳極小)之觀點而言,較好的是使用苯乙烯另外, 就解像度、密著性以及底腳產生性之觀點而言,更好的是 使用(甲基)丙烯酸苄酯。 1分子之黏合劑用樹脂(a)中所共聚的選自以上述通式⑴ 及(Π)所表示之化合物群中的至少一種化合物之量相對 於黏合劑用樹脂⑷較好的是丨0質量%以上、95質量%以 下^就解像性及密著性 '耐鍍敷液性、底腳產生性之觀點 而言,該量較好的是10質量%以上,就顯影性之觀點而 言,該量較好的是95質量。/。以下。該量更好的是2〇質量% 以上' 90質量%以下,進而更好的是25質量%以上、8〇質 量%以下。 本發明中所使用之黏合劑用樹脂(a)中,作為第二單體’ 除了必須成分即上述通式⑴及/或(11)之化合物以外,亦可 併用該等以外之公知單體作為共聚成分。例如可列舉(甲 基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙 酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙 烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸2_羥基乙酯、(甲基)丙烯酸 2-羥基丙酯、(曱基)丙烯酸4_羥基丁酯、聚乙二醇單(曱基) 丙烯酸酯、聚丙二醇單(曱基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酿 胺、N-羥曱基丙烯醯胺、N_丁氧基甲基丙烯醯胺、(甲基) 丙烯腈、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯’該等可分別單獨使 134399.doc 15 ^/0373 用,亦可將2種以上組合使用。 本發月巾所使用之黏合劑樹脂⑷較好的是以下述方式合 成將上述第單體與第二單體混合,用溶劑例如丙弼、 f基乙基㈣異丙醇稀釋,於所得之溶液中,添加適量之 自由基聚合起始劑,例如過氧化苯f醯、偶氮異丁腈,並 加熱攪拌。有時亦會_而膝、.θ人a Τ 面將犯合物之一部分滴加於反應液 中’-面合成。有時亦會在反應結束之後進—步添加溶 劑’調整成所需之濃度。作為合成方法,除溶液聚合以 外,亦可㈣塊狀聚合、懸浮聚合、或乳化聚合。 本發月中所使用之黏合劑用樹脂⑷相對於感光性樹脂組 合物(固形分’以下相同)之總和的比例為2〇〜9〇質量。^之範 圍,較好的是30〜70質量%。就藉由曝光、顯影而形成之 阻劑圖案具有作為阻劑之特性,例如於蓋孔、餘刻以及各 種鑛敷步禅令具有充分之耐性等之觀點而言,該比例較好 的是20質量%以上、9〇質量%以下。 (b)加成聚合性單體 本發明中所使用之加成聚合性單體⑻係具有至少一個 末端乙稀性不飽和基之加成聚合性單體。加成聚合性單體 (b)含有選自以下述通式(111)所表示之化合物群中的至少一 種加成聚合性單體作為必需成分。 夕 134399.doc -16- ⑸6573 [化8]
0 II 0 如0 —c; -CHg (D!> R6 C一C=CH2 II o
(R5及R6分別獨立表示氫原子或甲基。八及8表示碳數為2〜6 之伸烷基,該等可相同亦可不同,於不同之情形時,_(A_ 〇)·及-(B-0)-重複單元可為嵌段結構亦可為無規結構。 ml、m2、m3及m4為0或正整數,該等之合計為〇〜4〇。r7 為鹵素原子或碳數為1〜3之烷基,ng0〜14之整數。) 於選自以上述通式(III)所表示之化合物群中的至少一種 加成聚合性單體中,八及B較理想的是伸乙基或伸丙基。 另外’就解像度以及密著性之觀點而言,ml+m2+m3+m4
車乂好的是40以下’更好的是2〇以下,進而更好的是1〇以 下° η較理想的是〇。 作為以上述通式(m)所表示之至少一種加成聚合性單體 之具體例’有三環癸烷二曱醇二丙烯酸酯(新中村化學工 業(股)製造之NK Ester A-DCP)以及三環癸烷二甲醇二甲基 丙稀酸醋(新中村化學工業(股)製造之NK Ester DCP)。 於本發明中’選自以上述通式(ΙΠ)所表示之化合物群中 的至少一種加成聚合性單體相對於感光性樹脂組合物整體 之含有率為5〜40質量。/。’係較好之實施態樣。就獲得解像 134399.doc u/6573 性、曰密著性、耐鍍敷液性之觀點而言,該含有率較好的是 5質量%以上,就顯影性之觀點而言,該含有率較好的: .4〇質量%以下。該含有率之更好範圍為7〜35質量%,進而 • 更好之範圍為9〜30質量%。 作為本發明之感綠樹脂組合物中所使用的加成聚合性 單體⑻,除上述化合物以夕卜,亦可使用具有至少一個末端 乙烯性不飽和基的公知之化合物。 例如可歹g ·· 4·壬基苯基〖乙二醇二丙二醇丙稀酸醋、 • ?酸2_經基小苯氧基丙醋、苯氧基六乙二醇丙稀酸醋、 鄰笨二甲酸酐與丙烯酸2-羥基丙酯之半酯化合物與環氧丙 院之反應物(日本觸媒化學製造,商品名〇ε_Α2〇〇)、舡正 辛基苯氧基五丙二醇丙烯酸酯、2,2_雙[{4_(甲基)丙烯醯氧 基聚乙氧基}笨基]丙烷、2,2-雙{(4-丙烯醯氧基聚乙氧基) 環己基}丙烷、2,2-雙{(4-曱基丙烯醯氧基聚乙氧基)環己 基}丙烷、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、i,4·環己二醇二(甲 基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二 ® (甲基)丙烯酸酯、聚氧乙烯聚氧丙烯二醇二(甲基)丙烯酸 醋等聚氧化烯二醇二(曱基)丙烯酸酯、2_二(對羥基苯基) 丙院二(甲基)丙烯酸酯、甘油三(曱基)丙烯酸酯、含有胺 基曱酸酯基之多官能基(曱基)丙烯酸酯(例如,六亞甲基二 異氱酸酯與五丙二醇單甲基丙烯酸酯之胺基曱酸酯化合 物)、以及異三聚氰酸酯化合物之多官能(甲基)丙烯酸酯。 該等可單獨使用,亦可將2種以上併用。 其中,就顯影性之觀點而言,加成聚合性單體(b)含有 134399.doc •18- 選自以:述通式(V)所表示之化合物群中的至少—種加成 聚合性單體,係本發明之較好實施形態。 [化9]
0 II
CH3 Q :C2H^°Mch^h-〇}^c2h4~〇}_11_c=:CH2 (式中,R及R分別獨立表示氮原子或甲基。 之整數’ t2為4〜20之整數。) 作為選自以上述通式(V)所表示之化合物群中的至少一 種加成聚合性單體,例如可列舉:四丙二醇二(甲基)丙稀 酸自曰、七丙一醇二(甲基)丙烯酸酯、壬基丙二醇二(甲基) 丙稀酸酿、十五丙二醇二(甲基)丙稀酸酷、於六丙二醇之 兩端加成二乙二醇所得的二(甲基)丙稀酸自旨,於十二丙二 醇之兩端加成二乙二醇所得的二(甲基)丙歸酸酿。於本發 中選自以上述通式(v)所表示之化合物群中的至少一 種加成聚合性單體之I M ,, 量相對於感先性樹脂組合物整體為 〜3 0質量%,係較奸 ^ k 好之實施態樣。就解像性、密著性、顯 生之觀點而吕’加成聚合性單體之量較好的是$質量% :上,就顯影性之觀點而言,較好的是3〇質量%以下。更 好的範圍為5〜25質量%,進而更好的範圍為5〜2〇質量 本發曰明之感光性樹脂組合物中所含的加成聚合性單邀 之篁相對二感光性樹脂組合物整體為Μ質量%之範 時門=的範圍為15〜Μ量%。就抑制硬化不良及顯影 時間延遲之觀點而t,該量為5質量%以上,另外,就抑 I34399.doc 1376573 制冷流及硬化阻劑之剝離延遲之觀點而言,該量為75質量 %以下。 於本發明之感光性樹脂組合物中,就解像度以及蝕刻液 耐性之觀點而言,每丨00 g之感光性樹脂組合物中所含的 加成聚合性單體(b)的末端乙烯性不飽和基(反應性末端基) 之莫耳數為〇.1〇〜0.40,係較好之實施態樣。 此處,所謂末端乙烯性不飽和基(反應性末端基),係指 加成聚合性單體之結構中藉由光聚合性起始劑而產生光聚 合之活性基,表示丙烯基及甲基丙烯基。 ”玄值較好的是0.1 0以上,以可將曝光後之交聯密度保持 為較高,抑制顯影時之膨潤,保持解像性、密著性,且蝕 刻時不會產生蝕刻液自阻劑線底面滲入而引起銅線搖擺等 問題,且上述值較好的是0.40以下,以將交聯密度保持為 適度之高度,且硬化膜之柔軟性不會降低,上述值之更好 圍為0,12〜0.35 ’進而更好的範圍為〇_15〜〇 3〇。 (c)光聚合起始劑 作為本發明中所使狀光聚合起始劑⑷,就高解像度之 j點而言,包含以下述通式(iv)所表示之至少—種2,4,5_三 芳基咪唑二聚物係較好之實施態樣。 134399.doc •20- 1376573 [it 10]
於以上述通式(iv)所表示之化合 ^ Jt V® M ^ 鍵結2個洛吩基 之/、價鍵可接於 t其較好的是該共價鍵接於以·位上之化合物。24,5_:
务基味唑二聚物例如有2_(鄰氯 ’,I Α, Λ ’外’3 —本基咪唑二聚 物、2·(鄰氯苯基M,5_雙(間甲氧基苯 (對甲氧基苯基)_4,5·二苯基咪唾二聚物等,特 (鄰氣笨基)-4,5-二笨基咪唑二聚物。 、疋 所:本!二感光性樹脂组合物中,含“上述通式㈤ 所表不之至少一種2 4 S - 好的是0 "〇暂旦。…二方土咪唑二聚物時,其比例較 ’疋,1’質里/”就解像性以及密 該比例為0.1質量%以上 《觀點而。 例為2。質㈣…更好Π =之觀點而言,該比 更好的乾圍為0.5〜15質量%,進而更 134399.doc •21- 1376573 好的範圍為1〜10質量〇/〇。 :為本發明中所使用之光聚合起始劑(c),較好的是將以 義酮=式(IV)所表示之2,4,5-三芳基心二聚物與對胺基苯 基鋼併用。作為對胺基笨㈣,例如可列舉 甲_、對丁基胺基苯乙酮、對二甲基胺基苯乙I二二甲 基胺基二苯f酮、ppl_雙(乙基胺基)二苯甲綱、PP,雔(二 甲基胺基)二苯甲明(別名:米其勒酮)、pp,你乙又基胺 基)二苯曱鲷、Ρ,Ρ·-雙(二丁基胺基)二笨曱酮。
另外,與《比唾琳化合物、例如苯基_3_(4_第三丁基·苯 乙稀基)_5·(4·第三丁基·苯基。坐琳併用亦純好之 形態。 另外,除以上所示之化合物之光聚合起始劑以外亦可 併用其他光聚合起始劑。此處之光聚合起始劑係指可藉由 各種活性光線、例如紫外線等而活化,從而開始進行聚合 之化合物。 其他的光聚合起始劑有··醌類,例如2_乙基蒽醌' 2-第 三丁基蒽醌;芳香族酮類,例如二苯甲酮、安息香;安息 香醚類,例如安息香甲㈣、安息香乙醚;吖啶化合物,: 如9-苯基吖啶、苄基二甲基縮酮、苄基二乙基縮鲷。 另外,例如亦可使用噻噸酮、2,4_二乙基噻噸鲷、2_氣 嘍噸酮等噻噸酮類與二甲基胺基苯甲酸烷基酯化合物等三 級胺化合物之組合。 另外,可使用肟酯類,例如丨·苯基_丨,2_丙二酮_2_〇_苯甲 酿基拆、1-笨基·丨,2_丙二酮_2_(〇_乙氧基羰基)聘。另外’ 134399.doc •22- 亦可使用N-芳基-α -胺基酸化合物,該等之中,特別好的 是Ν-苯基甘胺酸》 本發明中之光聚合起始劑(c)之比例為0·01〜30質量%。 若該比例未達0.01質量。/。,則無法獲得充分之感度。另 外,若該比例超過30質量%,則曝光時容易由於通過光罩 之光之繞射而產生灰霧,結果導致解像性惡化。光聚合起 始劑(c)之含量更好的是0.1〜15質量%,進而更好的是 0.1〜10質量%。 (d)其他成分 為表現出曝光後之對比度(曝光部與未曝光部之區別), 本發明之感先性樹脂組合物中可含有無色染料。含有無色 染料時之含量較好的是0.1~10質量%。作為此種無色染 料,可列舉:三(4-二甲基胺基-2-甲基苯基)甲烷(別名:無 色結晶紫)、三(4-二甲基胺基-2-甲基苯基)曱烷(別名:無 色孔雀綠)、熒烷染料。其中,使用無色結晶紫之情形時 對比度良好,故而較好。 就密著性以及對比度之觀點而言,於感光性樹脂組合物 中組合使用上述無色染料與_化物,係本發明之較好實施 形態。 作為鹵化物,例如可列舉:溴戊烷、溴異戊烷、漠化異 丁烯、溴化乙烯、二苯甲基溴、二溴甲笨、二溴甲烷、三 溴曱基苯基砜、四溴化碳、磷酸三(2,3-二溴丙基)酯、三 氣乙醯胺、碘戊烷、異丁基碘、1,1,1_三氣_2,2_雙(對氣笨 基)乙院、六氣乙燒、鹵化三嗓化合物。作為該函化三。秦 I34399.doc -23· 1376573 化合物’可列舉:2,4,6-三(三氯曱基)-均三嗪、2_(4甲氧 基苯基)·4,6-雙(三氯曱基)-均三嗪。 當含有il化物時’感光性樹脂組合物中之卣化物之含量 較好的是0.01〜10質量%。
為提昇感光性樹脂組合物之操作性,除上述無色染料以 外亦可添加著色物質。作為此種著色物質,例如可列舉: 一品紅、酞菁綠、金黃胺鹼、對品紅、結晶紫甲基橙、 尼祿藍2B、維多利亞藍、孔雀綠(保土谷化學(股)製造之 AIZEN(註冊商標)MALACHITE GREEN)、鹼性藍2〇 '鑽石 綠(保土谷化學(股)製造之AIZEN(註冊商標)m GREEN GH)。 含有上述著色物質時’上述著色物f在感光性樹脂組合 物中之添加量較好的是0 00H質量%。當上述著色物質之 含量為0.001質量%以上時,有操作性提昇之效果若含量 為1質量%以下’則有維持保存穩定性之效果。
其中’三漠甲基苯基硬與無色染料之組合、三嗓化合物 與無色染料之組合較為有用。 77 7|、 ’ 本發明之感光性樹脂組合物之熱穩定性、 保存穩定性,較好的β i 权好的疋,使感光性樹脂組合物中含有選自 下述群中的至少一 ’进目 .種以上之化合物,該群係由自由基聚入 抑制劑、笨并三唑類、 土聚。 ^ 及羧基本并二唑類所組成。 ·..、種自由基聚合抑制劑,例如可 齡、對笨二盼'鄰笨Τ氧基本 亞銅、26-第一—、萘第三丁基兒茶酚、氣化 第二丁基州、2,2,-”基雙(4-甲基_6· 134399.doc •24- 1376573 第三丁基苯酚)、2,2'-亞甲基雙(4-乙基-6-第三丁基苯紛)、 亞硝基笨基羥基胺鋁鹽、以及二苯基亞硝基胺。 另外,作為苯并三嗅類,例如可列舉:1,2,3 -苯并= 唑、1-氣-1,2,3-苯并三唑、雙(N-2·乙基己基)胺基亞甲基 1,2,3-笨并三唑、雙(N-2-乙基己基)胺基亞甲基_丨,2 3•甲笨 基三唑、以及雙(N-2-羥基乙基)胺基亞甲基_丨,23苯并三 0坐0
另外,作為羧基苯并三唑類,例如可列舉:4羧基-1,2,3-苯并三唑、5_羧基-i,2,3·苯并三唑、n_(n,n二_2·己 基己基)胺基亞甲基缓基苯并三唾、n_(n,n_二·2經基己 基)胺基亞曱基羧基苯并三唑、 Μ及N-(N,N-二-2-乙基已 基)胺基伸乙基羧基苯并三唑。 自由基聚合抑制劑、苯并= 人^ 唑類、以及羧基苯并三唑_ 之合汁添加量較好的是〇 〇1〜3 旦0/ ^ #„ , 買董% ’更好的是0.05〜1質 里就對感光性樹脂組合物 貞 言,該量較好的是0.01質量R予保存穩定性之觀點而 觀點而言,該量更好的是3質量。:,另外,就維持感度之 本發明之感光性樹脂組合1Γ 此種增塑劑,例如可列舉.$ ?見需要含有增塑劑。作為 稀聚氧乙⑽、聚氧乙料;^二醇、聚丙二醇、聚氧丙 乙烯聚氡丙烯單甲_ 、聚氧丙烯單甲醚、聚氧 |干甲醚、聚氧 。 醚、聚氧乙烯聚氧丙 哪單乙趟、聚氧丙烯單乙 二乙酯等鄰笨二甲酴 寻一醇-酯類,鄰笨二曱酸 %知類,鄰 — 乙醯檸檬酸三乙酯 胺、檸檬酸三丁酯、檸俨酸〜7本磺酸胺、對甲笨磺醯 134399.doc •25· 1376573 乙醯檸檬酸三正丙酯、乙醯檸檬酸三正丁酯。 作為含有增塑劑時增塑劑之量,較好的是在感光性樹脂 . 組合物中占5〜50質量%,更好的是5〜30質量% ^就抑制顯 . 影時間延遲、或對硬化膜賦予柔軟性之觀點而言,較好的 是5質量%以上,另外,就抑制硬化不足或冷流之觀點而 言’較好的是50質量%以下。 <感光性樹脂組合物調配液> 可於本發明之感光性樹脂組合物中添加溶劑而形成感光 性樹月曰組合物調配液。作為適合之溶劑,可列舉以曱基乙 基酮(MEK)為代表之酮類,甲醇、乙醇及異丙醇等醇類。 較好的疋,以使感光性樹脂組合物調配液之黏度於2 5下 為500〜4000 mPa.sec之方式於感光性樹脂組合物中添加溶 劑。 <感光性樹脂積層體> 本發明之感光性樹脂積層體係由感光性樹脂層以及支持 該層之支持體所構成,視需要亦可於感光性樹脂層之與支 持體相反之側的表面上具有保護層。 此處所使用之支持體,較理想的是可使由曝光用光源所 放射之光透射的透明支持體。此種支持體可列舉:聚對苯 二甲酸乙二酯膜、聚乙烯醇膜、聚氣乙烯膜、氣乙烯共聚 物膜、聚偏二氯乙烯膜、偏二氣乙烯共聚膜、聚甲基丙稀 酸甲酯共聚物膜、聚苯乙烯臈、聚丙烯腈膜、苯乙稀共聚 物膜、聚酿胺膜、以及纖維素衍生物膜等。該等膜亦可使 用視需要而加以延伸者。霧度較好的是5以下。至於膜之 134399.doc •26· 1376573 厚度,當膜較薄時於圖像形成性及經濟性方面較為有利, 然由於必須維持強度等,故較好的是】〇〜3〇 μηι。 另外,感光·性樹脂積層體中所使用之保護層之重要特性 . 為,相較於支持體,保護層與感光性樹脂層之密著力足夠 小從而可容易地剝離。例如,可較好地使用聚乙烯膜、及 t丙烤膜等作為保護層。另外,可使用曰本專利特開昭 , 59_202457號公報中所記載的剝離性優異之膜。保護層之 膜厚較好的是10〜100 μιη,更好的是10〜50 μηι。 Φ 本發明之感光性樹脂積層體_之感光性樹脂層之厚度較 好的是5〜100 μηι,更好的是5~50 μηι。感光性樹脂層之厚 度越薄則解像度越高’另外’厚度越厚則膜強度越高,故 可根據用途來適當選擇厚度。 將支持體、感光性樹脂層、以及視需要之保護層依序積 層而製作本發明之感光性樹脂積層體的方法,可採用先前 眾所周知之方法。例如,可預先將感光性樹脂層所使用之 感光性樹脂組合物製備成上述感光性樹脂組合物調配液, • 首先使用棒塗機或輥塗機將該調配液塗佈於支持體上並乾 燥’從而於支持體上積層由該感光性樹脂組合物所形成之 ' 感光性樹脂層。繼而,視需要於該感光性樹脂層上積層保 • 護層’藉此可製成感光性樹脂積層體。 <阻劑圖案形成方法> 使用本發明之感光性樹脂積層體之阻劑圖案,可藉由包 括層壓步驟、曝光步驟、以及顯影步驟的步驟而形成。以 下表示具體方法之一例。 I34399.doc -27- 1376573 首先,使用貼含機進行層壓步称。若感光性樹脂積層體 具有保護層,則在剝離保護層之後,使用貼合機將感光性 樹脂層加熱壓接於基板表面並進行層壓。此時,感光性樹 • 脂層可僅層壓於基板之單個表面上,視需要亦可層壓於兩 面上。此時之加熱溫度通常為40〜16(rc。另外藉由進行 兩次以上該加熱壓接,所獲得之阻劑圖案對基板之密著性 提尚此時,可使用具備雙聯輥的兩段式貼合機來進行壓 接亦可使感光性樹脂層反覆通過輥幾次來壓接。 ® 接著,使用曝光機進行曝光步驟。視需要可剝離支持體 並通過光罩利用活性光進行曝光。#光量係根冑光源照度 及曝光時間來決定。可使用光量計測定曝光量。 於曝光步驟中,亦可採用無光罩曝光方法。無光罩曝光 係不使用光罩而於基板上利用直接刻寫裝置來進行曝光。 作為光源,可使用波長為35〇〜41〇 nm之半導體雷射或超高 壓水銀燈等。刻寫之圖案係由電腦所控制,此時之曝光量 係由曝光用光源之照度以及基板之移動速度而決定的。 &然後’使用顯影裝置進行顯影步驟。若曝光後感光性樹 冑層上存在支持體,則將該支持體除去。接著,使用由驗 性水,谷液所構成之顯影液將未曝光部顯影除去,獲得阻劑 ®像。作為驗性水溶液,較好的是他咖歧⑽之水溶 液該等可配合感光性樹脂層之特性加以選擇,通常使用 濃度為〇.2〜2質量%之^2匸〇3水溶液。於該鹼性水溶液中 2可混入界面活性劑、消泡劑1以促進顯影之少量有機 冷劑等。另外’顯影步驟中之該顯影液之溫度較好的是, I34399.doc -28- 將其保持為20〜40°C之範圍内之固定溫度。 藉由上述步驟可獲得阻劑圖案,然視需要亦可進一步進 行100〜300t之加熱步驟。藉由實施該加熱步驟,可進— 步提昇耐化學^加熱可使㈣風、紅外線、或遠紅外線 等方式之加熱爐。 <印刷電路板之製造方法>
本發明之印刷電路板之製造方法’係藉由上述阻劑圖案 形成方法於作為基板之銅羯積層板或可撓性基板上形成阻 劑圖案之後,經由以下之步驟而製造印刷電路板。 首先進行如下步驟··使用敍刻法或錄敷法等已知之方 法’於藉由顯影而露出之基板之銅面上形成導體圖案。 然後進行剝離㈣,即,利用驗性強於顯影液之水溶液 將阻劑圖案自基板上刹離,&而獲得所需之印刷電路板。 :離用之鹼性水溶液(以下亦稱為「剝離液」)並無特別限 疋,通吊使用濃度為2〜5質量%之Na〇H4K〇H之水溶液。
_液中亦可添加少量之水溶性溶劑。另彳,剝離步驟中 之該剝離液之溫度較好的是的〜川它之範圍。 <引線框架之製造方法> 、本發月之引線框架之製造方法,係藉由上述阻劑圖案形 成方法於作為基板之銅、銅合金、或鐵系合金等之金屬板 上形成阻劑圖案之後下之㈣而製造y 體仃對藉由顯影而露出之基板進行蝕刻而形成導 體圖案的步驟。然後進行剝離步驟十以與上述印刷電 路板之製造方法相同之方法將阻劑圖案剝離,&而獲得所 I34399.doc •29· 需之引線框架。 <半導體封裝之製造方法> 本發月之半導體封裝係藉由如下方式而製造:藉由以下 之步驟對6形成有料LSI(A型㈣電路,㈣韻le integration)之電路的晶片進行封裝。 首先,對藉由顯影而獲得之附著有光阻圖案之基材上的 基材金屬路出的部分進行硫酸銅鍍敷,形成導體圖案。然 後進行剝離步驟十以與上述印刷電路板之製造方法: 同之方法剝離阻劑圖案,進而,對柱狀鍍敷以外之部分進 行蝕刻以除去薄金屬層,封裝上述晶片,獲得所需之半導 體封裝。 <凸塊之製造方法> 本發明之凸塊係用於封裝已形成有作為LSI之電路的晶 片,可藉由下述步驟而製造。 首先,對藉由顯影而獲得之附著有阻劑圖案之基材上的 基材金屬露出的部分進行硫酸銅鍍敷,形成導體圖案。然 後進行剝離步驟,即,以與上述印刷電路板之製造方法相 同之方法剝離阻劑圖案,進而,進行藉由蝕刻將柱狀鍍敷 以外之部分之薄金屬層除去的步驟,獲得所需之凸塊。 <具有凹凸圖案之基材之製造方法> 可將利用上述阻劑圖案形成方法所形成之阻劑圖案,用 作藉由喷砂法對基板實施加工時之保護罩構件。 作為基板,可列舉玻璃、矽晶圓、非晶矽、多晶矽、陶 I34399.doc U/b^73 同-石金屬材料等。以與上述阻劑圖案形成方法相 1 6 ,在該等破璃等之基板上形成阻劑®案。然後,經 % <成之阻劑圖案上噴附11射材料而將基板切削至目 :又°ty處理㈣、以及使用驗性剝離液等將基板上 殘存之阻劑圓案部分自基板上除去之剝離步驟,可形成基 板上/、有微細凹凸圖案之基材^上述喷砂處理步驟中所使 用之喷射材料可制公知材料,例如可使用M,、 AI2〇3、CaC〇3、Zr0、玻璃、不鏽鋼等之粒徑為2〜刚 左右之微粒。 上述利用喷砂法來製造具有凹凸圖案之基材之方法,可 應用於平板顯示器之間隔壁之製造、有機此 (eleCtr〇1UmineSCenCe,電致發光)之玻璃蓋加卫、石夕晶圓之 開孔加工、以及陶瓷之排針加工等中。另夕卜,可利用該方 法製造強介電臈以及選自由貴金屬、貴金屬合金、高:點 金屬及高熔點金屬化合物所組成之群中的金屬材料層之雷 極。 电
[實施例] 以下,對本發明之實施形態之例加以具體說明。 (實施例1〜8、比較例1〜3) 首先,對實施例及比較例之評價用樣品 衣并万法進杆 說明,然後說明所獲得之樣品之評價方法及其士 1.評價用樣品之製作 貝’果。 以如下方式製作實施例及比較例之評價用樣品。 <感光性樹脂積層體之製作> 134399.doc 將下述表1所示之組成(其中,各成分之數字表示以固形 分計之調配量(質量份))的感光性樹脂組合物以及溶劑充分 攪拌、混合,獲得感光性樹脂組合物調配液,使用棒塗 機,將該調配液均勻地塗佈於作為支持體的16 μπ1厚之聚 對苯二曱酸乙二酯膜之表面上,於95〇c之乾燥機中乾燥 2.5分鐘,形成感光性樹脂層。感光性樹脂層之厚度為25 μηι。 繼而,於感光性樹脂層之未積層聚對苯二甲酸乙二酯膜 之表面上,貼合作為保護層之21 μηι厚之聚乙稀膜,獲得 感光性樹脂積層體。 將表1中之簡略符號所表示的感光性樹脂組合物調配液 中之材料成分Β-1〜D-2之名稱示於下述表2中。 <基板表面修飾> 對積層有35 μηι之軋壓銅箔的〇.4 mm厚之銅箔積層板表 面以0.20 MPa之喷霧壓力進行噴射刷磨(日本Carlit(股)製 造,Sakurundum R(註冊商標)# 220),由此準備解像度、 密著性、底腳產生性以及耐鍍敷液性評價用基板。 <層壓> 一面將感光性樹脂積層體之聚乙烯膜剝離,一面使用熱 輥貼合機(旭化成電子(股)製造,ALJMWWVC之輥溫度 於經表面修飾且預熱成^。(:之銅箔積層板上層壓感光性樹 脂積層體。空氣壓力係設為〇 35 MPa,層壓速度係設為! 5 m/min 〇 134399.doc -32- 使用絡玻璃光罩’用超高壓水銀燈(Ushio電機股份有限 公司费 *生 取知·’投影曝光裝置UX2003SM-MS04),以120 mJ/cm2之曝光量進行丨線單色曝光。 <顯影> 將聚對苯二曱酸乙二酯膜剝離之後,使用30°C之1質量 °/〇Na2C〇3水溶液進行特定時間噴霧溶解除去感光性樹脂 層之未曝光部分。此時,將未曝光部分之感光性樹脂層完 全溶解所需要之最少時間設為最小顯影時間。 <鑛敷前處理> 將顯影後之耐鍍敷性評價基板於酸性脫脂frx(丨〇%水溶 液’ Atotech japan(股)製造)浴中於4〇〇c下浸潰4分鐘。水 洗後,於10%硫酸水溶液中於室溫下浸潰2分鐘。 <鍍敷硫酸銅> 用19 wt%硫酸將硫酸銅濃縮物(Mehex(股)製造)稀釋成 3,6倍,添加濃鹽酸200 ppm。繼而,以〇 4 mW卜2〇 分 別添加作為光澤劑之Cupracid HL& Cupracid GS。使用所 製備之硫酸銅鍍敷液,利用哈林槽(Haring Cen)均勻鍍敷 裝置(山本鍍金試驗器股份有限公司製造),於施加電流為 0.4 A下,對經鍍敷前處理後之耐鍍敷性評價基板(6 12.5 cm)進行65分鐘鍍敷。此時之鍍銅被膜之厚度為2ι μηι 〇 <剝離> 以5〇 C、3 wt%之苛性鈉水溶液對經實施鍍敷處理之評 價基板進行喷霧,剝除阻劑臈。 134399.doc -33· 1376573 • · 2.評價方法 各評價方法如下述。 - (υ解像度 - 通過曝光部與未曝光部之寬度比例為1 : 1之線圖案光罩 (鉻玻璃光罩),對層壓後經過15分鐘之解像度評價用基板 • 進行曝光。用最小顯影時間2倍之顯影時間進行顯影,將 * 正常地形成硬化阻劑線之最小光罩線寬作為解像度之值, 如下述般劃分等級。 • ◎(優):解像度之值為7_5 μπι以下。 〇(良):解像度之值超過7.5 μηι且為8·5 μιη以下。 ><(不可):解像度之值超過8.5 4111。 (2) 密著性 通過曝光部與未曝光部之寬度比例為丨:1〇〇之線圖案光 罩(鉻玻璃光罩),對層壓後經過15分鐘之密著性評價用基 板進行曝光。用最小顯影時間2倍之顯影時間進行顯影: 將正常地形成硬化阻劑線之最小光罩線寬作為密著2之 _ 值,如下述般劃分等級。 ◎(優):密著性之值為13 μηι以下。 〇(良):密著性之值超過13 μηι且為μ μηι以下。 x(不可).密者性之值超過14 μηι。 (3) 底腳產生性 通過曝光部與未曝光部之寬度比例為丨:1〇〇之線圖案光 罩(鉻玻璃光罩)’對層壓後經過15分鐘之底腳產生性評價 用基板進行曝光,用最小顯影時間2倍之顯影時間進^噸 134399.doc -34- 1376573 » · 影。觀察所得之15 μπι之阻劑線之足部所產生的底腳如 下述般對底腳產生性劃分等級。 • ◎(優):完全未產生底腳》 • 〇(良)·於線卓側產生寬度未達1 μπι之底腳。 x(不可):於線單側產生寬度為1 μηι以上之底腳。 • (4)耐鍍敷液性 通過曝光部與未曝光部之寬度比例為1 : 1〇〇之線圖案光 罩(絡玻璃光罩)’對層壓後經過1 5分鐘之耐链敷性評價用 φ 基板進行曝光。用最小顯影時間2倍之顯影時間進行顯 影,然後鍍敷硫酸銅,進而剝離硬化阻劑。觀察阻劑剝離 後15 μπι部分之硫酸銅鍍敷線,如下述般對耐鍍敷液性劃 分等級。 〇(良):疏酸銅鍍敷完全不潛入。 △(可):於線單側,硫酸銅鍍敷之潛入寬度未達1 μηι。 x(不可):於線單側,硫酸銅鍍敷之潛入寬度為丨μίη以 上。 # 3.評價結果 將實施例1〜8以及比較例1〜3之評價結果示於表1。 134399.doc •35- 1376573
比較例3 un ΙΤϊ o »— o m (N ΓΊ o 0.05 | d o 0.15 X ΓΟ ◎ »n o 〇 to Ο <] 比較例2 VO W"i (N o 〇 ΓΛ *-« o 0.05 cn o 0.17 GO 〇 X X ο 〇 比較例1 »Λ tn 〇 o o CO o 0.05 rn o o 0.20 Ο *— X 寸 〇 <N X X 實施例8 v> in o o o m o 0.05 m O o 0.21 in 〆 ◎ CO ◎ 〇 ◎ ο 〇 實施例7 »r> o o »—· o m o 0.05 ΓΛ 〇 o 0.20 w-j 卜· ◎ m ◎ o ◎ ο 〇 實施例6 00 o 卜 o f-H m d 0.05 ro d o 0.21 卜; ◎ cn ◎ o ◎ ο 〇 實施例5 XTi IT) 沄 Γ^ϊ o 0.05 f〇 O’ o 0.23 KTi 卜· ◎ co ◎ κη o 〇 ο 〇 實施例4 | v> (N U"> V) ro o 0.05 m o o 0.23 iTi 00 〇 ◎ o 〇 ο 〇 實絶例3 vn Vi wo m o 0.05 d o 0.23 in 〆 ◎ 〇 o ◎ ο 〇 實施例2 | in m tn V) wo m c> 0.05 o o r— 0.23 00 〇 ΓΛ ◎ o ◎ ο 〇 實施例1 <n <n m *-^ o 0.05 〇 o 0.23 »n 00 〇 m ◎ 的 o 〇 ο 〇 CQ B-2 1 B-3 | ώ M-l M-2 M-3 M-4 M-5 (N Q D-2 甲基乙基酮 L 莫^_I ε 等級 ε =L |等級! ε =1. 1 等級 ε α 等級 蓉 ^ ^ £ Μ ^ /-Ν Τύ Φ 碳驷 Is 士 CQ 礴 W l溶劑(質量份) 普 解像度 . ._ _____1 密著性 底腳產生性 3 ί % Μ 4 餐 ψ 134399.doc -36, 1376573 表2 成分 3^4有甲Λ丙县甲—乙稀(質量比為25/50/25)之组成、酸當-量為 气内稀酸甲醋/丙稀酸正丁-醋(質量比為厕1〇)之组成、酸一 為 重量平均分子量為8萬之共聚物的34質量%(固形分)尹基乙基酮 M-1 DC^癸坑一子醇—甲基内烯毁酷(新中村化學(股)製造;製品名:NK Ester M-2 六坑一f醇一丙烯酸酯(新中村化學(股)製造;製品名:NKEsterA_DCp) M-3 七丙二醇二F基丙烯酸酯 -— M-4 畔—㈣财0與季戊四醇四丙賊s旨之7: 3齡物(東亞合成(股)製造, M-5 甲基内烯醢氧基五乙氧基)苯基]丙烷(新中村化學(股)製造;製品名: 1-1 雙(2-氣笨基)_4,4,:>,:>’_四苯基-ΐ,ι'-聯味唾 1-2 4,4-雙(―乙基胺基)二苯甲嗣 . D-1 翊石蛛(卜土分化學(畔)製造之(註冊商標)diam〇nd green gh) D-2 無色結晶紫 —-—- 由表1可明確,實施例1〜8中,藉由採用本案發明之構
成’解像度、密著性、底腳產生性、以及耐鑛敷液性均優 異。 比較例1中,黏合劑用樹脂並不含有選自以上述通式⑴ 及(II)所表示之化合物群中的至少一種化合物作為共聚成 分,比較例2及3中,感光性樹脂組合物並不含有作為加成 聚合性單體(b)的選自以上述通式(111)所表示之化合物群中 的至少一種加成聚合性單體。因此可知,解像度、密著 性、底腳產生性、以及财鑛敷液性無法實現均優異。 [產業上之利用可能性] 134399.doc •37· 1376573 本發明可應用於印刷電路板之製造、冗晶片搭載用引線 框架之製造、金屬掩模之製造等金屬猪精密加工、bga或 CSP等封裝之製造、COF或TAB等捲帶基板之製造、半導 體凸塊之製造、ITO電極或定址電極或者電磁波屏蔽罩等 平板顯示器之間隔壁之製造、以及利用噴砂法製造具有凹 凸圖案之基材的方法中。 【圖式簡單說明】 圖1係硬化阻劑與基板之分界部分的底腳(硬化阻劑足 部)之概略說明圖。 【主要元件符號說明】 1 硬化阻劑圖案 2 基板 3 底腳 134399.doc . 38.
Claims (1)
- 十、申請專利範圍: 1 · 一種感光性樹脂組合物,其含有: (a) 黏合劑用樹脂20〜90質量%,該⑷黏合劑用樹脂中 羧基含量以酸當量計為1 00〜600,含有選自以下述通式 (I)及(II)所表示之化合物群中的至少一種化合物單元作 為共聚成分,且重量平均分子量為5,〇〇〇〜500,000; (b) 具有至少一個末端乙烯性不飽和基之加成聚合性單 體5〜75質量% ;以及 (c) 光聚合起始劑0.01〜30質量%;並且 該加成聚合性單體(b)含有選自以下述通式(ΠΙ)所表示 之化合物群中的至少一種加成聚合性單體; [化1](式中’ R1表示乳原子或甲基,R2表示選自由氫原子、齒 素原子、羥基、碳數為1〜12之烧基、碳數為1〜12之境氧 基、叛基、以及齒院基所組成之群中的一種基), [化2](式中,R3表示氫原子或甲基,R4表示選自由氫原子、鹵 素原子、羥基 '碳數為1〜12之烷基、碳數為丨〜12之燒氣 基、羧基、以及鹵院基所組成之群中的一種基), 134399.doc 1376573 < I [化3] ΟII CHa-O-fA-O^B-O^C—•••(in) R6 (^Γ ^^^-0)^8-0^0---0==^2 0(R5及R6分別獨立表示氫原子或甲基;八及8表示碳數為 2〜6之伸焼基,其等可相同亦可不同,於不同之情形 時,-(A-Ο)·及-(B-〇)-重複單元可為嵌段結構亦可為無規 結構;ml、m2、m3及m4為〇或正整數,該等之合計為 0〜40 ; R7為齒素原子或碳數為i〜3之烷基,n4〇〜14之整 數)。2. 如凊求項1之感光性樹脂組合物,其中以上述通式(ΙΠ)所 表不之至少一種加成聚合性單體相對於感光性樹脂組合 物整體之含有率為5〜35質量%。 3. 如請求項…之感光性樹脂組合物,其中上述光聚合起 始劑⑷含有選自以下述通式(IV)所表示之化合物群中的 至少一種2,4,5-二芳基β米吐二聚物: I34399.doc -2- 1376573[化4]•••αν) 坑基及院氧基、以及鹵基所組成之群 及r分別獨立為1〜5之整數)。 由氫、碳數為r 中的一種基, -5之 p、q 4.如請求項1或2之感光性樹脂組合物, 性單體(b)含有選自以下述通式(v)所 的至少一種加成聚合性單體: [化5]其中上述加成聚合 表示之化合物群中 Η ?^3 Ο (V) H2C=t"C—^ΖΗ4 一0 R8 W k 2 .· (式中’ R8及R9分別獨立表示氫原子或甲基;以⑽ 0〜4之整數,丨2為4〜20之整數)。 5. 如請求項1或2之感光性樹脂組合物,其中每1〇〇 g感光性 樹脂組合物中,上述加成聚合性單體(b)之末端乙烯性不 飽和基(反應性末端基)為0.10〜0.40莫耳。 6. —種感光性樹脂積層體,其包含支持體以及積層於其上 134399.doc 1376573 之如請求項1至5中任一項之感光性樹脂組合物。 7· 一種阻劑圖案之形成方法,其包括層壓步驟、曝光步 驟以及顯影步驟,於層壓步驟中,使用如請求項6之 感光性樹脂積層體於基板上形成感光性樹脂層。 8.:請求項7之阻劑圖案形成方法,其中於上述曝光步驟 中進行直接刻寫。 種p刷電路板之製造方法,其包括 ^ ^仍珂利用如睛求項7$之阻劑圖案形成方法而形成有阻劑之 鞋刻或链敷的步驟。 進订 1〇. 一種引線框架之製造方法’其包括對利用如請求項7或8 之阻劑圖案形成方法而形成有阻劑圖案之基板進行蝕刻 的步驟。 梗牛導體封裝之製造方法 1 1 ,、一扣和π扣斯晴承項7 i之阻劑圖案形成方法而形成有阻劑圖案之基板進行 姓刻或鑛敷的步驟。 I2. —種凸塊之製造大,土 ,其匕括對利用如請求項7或8之阻 敷的步^方法而形成有阻劑㈣之基板進行㈣或鑛 13. 其包括藉由喷砂 法而形成有阻劑 -種具有凹凸圖案之基材之製造方法, 對利用如4求項7或8之阻劑圖案形成方 圖案之基板進行加工的步驟。 134399.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007241007 | 2007-09-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200919085A TW200919085A (en) | 2009-05-01 |
TWI376573B true TWI376573B (zh) | 2012-11-11 |
Family
ID=40467892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW097135508A TW200919085A (en) | 2007-09-18 | 2008-09-16 | Photosensitive resin composition and laminate thereof |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5437072B2 (zh) |
KR (1) | KR101167536B1 (zh) |
CN (1) | CN101802710A (zh) |
TW (1) | TW200919085A (zh) |
WO (1) | WO2009038082A1 (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009116401A1 (ja) * | 2008-03-17 | 2009-09-24 | 日立化成工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、ソルダーレジスト及びプリント配線板 |
KR101328840B1 (ko) * | 2009-03-30 | 2013-11-13 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물 및 그 적층체 |
WO2010134549A1 (ja) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
JP5697965B2 (ja) * | 2010-06-08 | 2015-04-08 | 住友化学株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
KR101860155B1 (ko) * | 2010-06-08 | 2018-05-21 | 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 | 감광성 수지 조성물 |
WO2012131912A1 (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物及びその積層体 |
KR102394595B1 (ko) * | 2013-07-23 | 2022-05-04 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 투영 노광용 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성 방법, 프린트 배선판의 제조 방법 및 리드 프레임의 제조 방법 |
JPWO2022181485A1 (zh) * | 2021-02-26 | 2022-09-01 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2719799B2 (ja) * | 1988-10-14 | 1998-02-25 | 日本合成化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
JP3196269B2 (ja) * | 1991-12-16 | 2001-08-06 | ジェイエスアール株式会社 | 液状硬化性樹脂組成物 |
JP3957364B2 (ja) * | 1997-02-06 | 2007-08-15 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 光重合性組成物 |
JP2001125264A (ja) | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Toagosei Co Ltd | 硬化型組成物 |
JP2004085781A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Toagosei Co Ltd | 架橋硬化型樹脂組成物 |
JP4346315B2 (ja) * | 2003-01-14 | 2009-10-21 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物およびその用途 |
JP4300847B2 (ja) * | 2003-04-01 | 2009-07-22 | Jsr株式会社 | 感光性樹脂膜およびこれからなる硬化膜 |
JP4360242B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2009-11-11 | Jsr株式会社 | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
JP2006259716A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-09-28 | Toray Ind Inc | 感光性着色組成物およびカラーフィルター |
JP4578269B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2010-11-10 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 光重合性樹脂組成物 |
US7358283B2 (en) | 2005-04-01 | 2008-04-15 | 3D Systems, Inc. | Radiation curable compositions useful in image projection systems |
JP4749305B2 (ja) * | 2005-10-05 | 2011-08-17 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物及び積層体 |
-
2008
- 2008-09-16 TW TW097135508A patent/TW200919085A/zh unknown
- 2008-09-17 KR KR1020107001284A patent/KR101167536B1/ko active IP Right Grant
- 2008-09-17 CN CN200880107510A patent/CN101802710A/zh active Pending
- 2008-09-17 WO PCT/JP2008/066756 patent/WO2009038082A1/ja active Application Filing
- 2008-09-17 JP JP2009533153A patent/JP5437072B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200919085A (en) | 2009-05-01 |
KR101167536B1 (ko) | 2012-07-20 |
WO2009038082A1 (ja) | 2009-03-26 |
KR20100027227A (ko) | 2010-03-10 |
JP5437072B2 (ja) | 2014-03-12 |
CN101802710A (zh) | 2010-08-11 |
JPWO2009038082A1 (ja) | 2011-01-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI376573B (zh) | ||
JP4642076B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及び積層体 | |
JP4847582B2 (ja) | 感光性樹脂組成物および積層体 | |
JP5215473B2 (ja) | レジスト材料用感光性樹脂組成物及び感光性樹脂積層体 | |
JP4749270B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及び積層体 | |
TWI405039B (zh) | A photosensitive resin composition, a photosensitive resin laminate, a photoresist pattern forming method, and a method of manufacturing a printed wiring board, a lead frame, a semiconductor package, and a concavo-convex substrate | |
TWI380130B (en) | Photosensitive composition and laminated body thereof | |
TW201245870A (en) | Photosensitive resin composition, photoresist film using same, resist pattern forming method, and conductor pattern forming method | |
TWI460537B (zh) | A photosensitive resin composition and a laminate thereof | |
TWI356972B (zh) | ||
TW201001065A (en) | Photosensitive resin composition and layered object obtained therewith | |
TWI412884B (zh) | Photosensitive resin composition, photosensitive resin laminate, photoresist pattern forming method and manufacturing method of conductor pattern, printed wiring board, lead frame, substrate and semiconductor package | |
JP2007128057A (ja) | 感光性樹脂組成物及び積層体 | |
JP5570275B2 (ja) | ドライフィルムレジストロール | |
JP2012220686A (ja) | 感光性樹脂組成物及びその積層体 | |
JP6486672B2 (ja) | 感光性エレメント、及びその製造方法 | |
JP5411521B2 (ja) | 感光性樹脂積層体 | |
WO2018179259A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、それを用いたドライフィルム、プリント配線板、及び、プリント配線板の製造方法 | |
JP2007101944A (ja) | 感光性樹脂組成物及び積層体 | |
TW202411777A (zh) | 感光性樹脂組合物、感光性樹脂積層體、光阻圖案形成方法、及導體圖案之製造方法 | |
WO2012131912A1 (ja) | 感光性樹脂組成物及びその積層体 | |
TWI526783B (zh) | A photosensitive resin composition and a laminate thereof | |
JP2009229660A (ja) | 感光性樹脂組成物および積層体 | |
JP2011075706A (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、レジストパターン形成方法、並びに導体パターン、プリント配線板、リードフレーム、凹凸パターンを有する基板及び半導体パッケージの製造方法 |