TWI376430B - Member for plasma processing apparatus and method for manufacturing the same - Google Patents

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1376430 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 ' 本發明係關於一種電漿處理裝置用構件，其係構成用 以製造半導體裝置及液晶顯示裝置之進行成膜或蝕刻等的 電漿處理裝置。 【先前技術】 φ 於構成用以製造半導體裝置、液晶顯示裝置之進行成 膜或蝕刻等之電漿處理裝置的構件，係使用有諸多鋁構件 。分別設置於屬成膜處理裝置之CVD(ChemiCal Vapor Deposition :化學氣相沈積）裝置之處理室內之上部與下 部的上部電極與下部電極，即爲其一部分。由於構成該等 電極之構件要求對來源氣體等具有高耐鈾性，且電極之表 面形狀會大幅影響製程之均勻性及穩定性，因此對其控制 已進行各種改善。 φ 特別是，由於CVD裝置之下部電極係在直接裝載晶 圓或玻璃基板等加工品之狀態下進行成膜處理，因此其表 面形狀對成膜所產生之影饗較大。成膜處理中，有時會產 生因靜電吸附使加工品緊貼於下部電極而無法分離之「黏 著」。因該黏著而在成膜處理後從下部電極移送加工品時 ，由於CVD裝置之加工品支承構件或加工品會有破損之 虞，因此爲了防止黏著（具備耐黏性），係於下部電極之表 面實施噴砂（粗化）處理等實施有用以減少與加工品之接觸 面積之處理。 -5- 1376430 然而，此種下部電極於其表面會因噴砂處理而形成陡 峭之突起。此外，該突起會因與加工品之接觸而磨耗變成 塵埃而成爲污染之原因。再者，會因磨耗導致下部電極之 表面形狀改變，而造成從下部電極至加工品之熱傳導產生 變化，亦即成膜條件會改變，而對所形成之膜造成不良影 響。因此，專利文獻1揭示有一種技術，其係在噴砂處理 後將表面加以硏磨處理以一方面維持表面粗糙度並同時除 去陡峭之突起。又，專利文獻2揭示有另一種技術，其係 在表面形成波浪狀等圖案之凹凸，以減少與加工品之接觸 面積。 [專利文獻1]日本專利第3 1 60229號公報（段落0008 〜0010、 0021〜0025、圖 2) [專利文獻2]日本特開平8-7003 4號公報（申請專利範 圍第5項段落0016、圖10) 【發明內容】 [發明欲解決之課題] 然而，在以專利文獻1之方式進行噴砂處理之下部電 極，無法避免地會產生殘留應力，有時會使下部電極翹曲 而無法穩定支承加工品。又，如專利文獻1般，在形成有 圖案化之凹凸的下部電極中，會有沿該圖案於加工品產生 成膜不均之虞。亦即，以上述習知技術係無法製得一方面 具備耐黏性同時亦具備作爲下部電極之優異性能的構件。 又，以CVD裝置之上部電極及下部電極爲代表之電 -6- 1376430 漿處理裝置用構件，若以帶有靜電之狀態進行電漿處理時 j ，電氣會局部集中於構件之微小缺陷等電氣上較弱之部分 * ，而有產生異常放電等不良之虞。 本發明係有鑑於上述問題點而構成，目的在於提供一 種電漿處理裝置用構件，其耐黏性優異，具備作爲CVD 裝置之下部電極等加工品裝載構件合適且穩定之形狀，可 抑制電漿處理時之異常放電。 [用以解決課題之手段] 爲了解決上述課題，本發明之電漿處理裝置用構件， 係構成對加工品實施電漿處理之電漿處理裝置，其特徵在 於，具備：由鋁或鋁合金所構成之基材；以及形成於前述 基材表面之陽極氧化皮膜，前述陽極氧化皮膜係施加電壓 爲100V時之漏電流密度爲超過0.9xl0_5A/cm2，膜厚爲 3 μπι以上，表面之算術平均粗糙度爲低於1 μιη，形成前述 φ 陽極氧化皮膜之表面的平面度爲50μηι以下。 根據此種構成，藉由於基材表面具備既定厚度之陽極 氧化皮膜，而可在電漿處理裝置用構件具備耐蝕性。又， 藉由陽極氧化皮膜具有超過上述既定之漏電流密度，減少 電漿處理時電漿處理裝置用構件所帶之電荷，而可抑制加 工品對屬下部電極之電漿處理裝置用構件的靜電吸附。同 時，電漿處理裝置用構件之電荷分布變得均勻，而減少電 氣集中之部分。又，藉由使陽極氧化皮膜之表面亦即電漿 處理裝置用構件之表面平滑，而可進行均勻且穩定之成膜 1376430 較佳爲前述陽極氧化皮膜係磷酸·鉻酸浸漬測試之溶 解速度爲低於l〇〇mg/dm2/15min。 藉由此種陽極氧化皮膜之磷酸-鉻酸浸漬測試，可判 定爲即使陽極氧化皮膜經水合，一部分亦已水鋁土 (boehmite)化/或類水鋁土化，藉由控制該水合處理可在陽 極氧化皮膜形成微細龜裂，其結果即可控制漏電流密度。 較佳爲該表面之算術平均粗糙度係電漿處理裝置用構 件之半徑方向之表面的算術平均粗糙度。 如此，藉由控制沿電漿處理裝置用構件之半徑方向所 測量之表面粗糙度的算術平均粗糙度，即可形成爲可實現 均勻成膜處理之下部電極。 較佳爲形成前述陽極氧化皮膜之表面的形狀爲同心圓 狀。 如此，藉由設置成表面之高度位置從電漿處理裝置用 構件之中心起以同心圓狀變化的凹面或凸面之任一種，即 可形成爲可穩定裝載加工品之下部電極。 又，本發明之電漿處理裝置用構件之製造方法，係申 請專利範圍第1至4項中任一項所記載，其特徵在於：依 表面加工步驟（機械性切削）' 陽極氧化處理步驟、及加水 處理步驟（水合處理步驟）之順序進行。 藉由此種製造方法，即可獲得表面平滑且具備微細龜 裂之陽極氧化皮膜的電漿處理裝置用構件。 1376430 [發明效果] 利用本發明之電漿處理裝置用構件’即可具備耐蝕性 及耐黏性，並可抑制異常放電，進行均勻且穩定之成膜。 又，利用申請專利範圍第二項之電漿處理裝置用構件，即 易於控制陽極氧化皮膜之漏電流密度，而可進一步提升耐 黏性及異常放電抑制效果。 又，利用本發明之電漿處理裝置用構件，可控制成作 爲CVD裝置之下部電極的較佳表面形狀。 利用本發明之電漿處理裝置用構件之製造方法，即可 容易製造上述電漿處理裝置用構件。 【實施方式】 以下，針對本發明之電漿處理裝置用構件之構成作說 明。 圖1係放大表示本發明之實施形態之電漿處理裝置用 構件之一部分的示意圖，圖2係用以說明本發明之實施形 態之電漿處理裝置用構件之表面形狀的截面示意圖。如圖 1所示，電漿處理裝置用構件1具備由鋁或鋁合金所構成 之基材2、及形成於基材2表面之陽極氧化皮膜3。以下 ’針對構成本發明之電漿處理裝置用構件之各元件作說明 [基材] 構成基材2之鋁或鋁合金雖無特別限制，不過作爲電 -9- 1376430 漿處理裝置用構件較佳爲具有充分之機械強度、熱傳導率 、及導電率之 JIS規定的 3 000(A1-Mn)系合金、5000(A1-Mg)系合金、或6000(A1-Mg-Si)系合金。又，基材2之加 工形態雖依電漿處理裝置用構件1之用途而異，不過較佳 爲輥軋材、擠製材、或鍛造材，可藉由公知之方法進行加 工。 [陽極氧化皮膜] 陽極氧化皮膜3係一種在中心具有縱向中空之空孔4 且主要以六角柱形狀之胞格5爲基本構成的胞格集合體， 係屬形成有空孔4之部分之多孔層32、及夾設於該多孔 層32與基材2之間且無空孔4之阻隔層31所積層的複合 皮膜。藉由在基材2之表面形成此種陽極氧化皮膜3，對 本發明之電漿處理裝置用構件1賦予耐蝕性。此外，依電 漿處理裝置用構件1之用途，基材2之表面並無須整體表 面，亦可僅爲其一部分。例如，若是形成爲CVD裝置之 下部電極，則只要至少在裝載加工品側之面形成陽極氧化 皮膜3即可，較佳爲進一步在與電漿及來源氣體接觸之部 分形成即可。又，較佳爲使陽極氧化皮膜3之表面（包含 空孔4之側壁）水鋁土（boehmite)化/或類水鋁土化，而在 陽極氧化皮膜3均勻地形成微細龜裂。 (施加電壓爲100V時之漏電流密度：超過（K9xl(T5A/cm2) 本發明中，藉由使陽極氧化皮膜3產生適度之漏電流 -10- 1376430 ，來減少電漿處理時電漿處理裝置用構件1所帶之電荷》 此外，在將此種電漿處理裝置用構件1作爲CVD裝置之 * 下部電極時，即可抑制加工品之靜電吸附。又，由於電漿 處理裝置用構件1之電荷分布均勻電氣集中之部分即減少 ，因此亦包含作爲下部電極以外之情況，可抑制電漿處理 時之異常放電。在施加電壓爲100V時，漏電流密度若低 於0.9xl(r5A/cm2，則此等效果會較低。因此，係使漏電 φ 流密度超過〇.9xl(T5A/Cm2。又，從耐黏性之觀點來看，漏 電流密度之上限雖無特別限制，不過若超過20x1 (T5A/cm2 時，在陽極氧化皮膜3有會產生傳播於其整體膜厚方向之 較大龜裂之虞，其結果耐蝕性便會降低。因此，陽極氧化 皮膜3之較佳漏電流密度在施加電壓爲1 00V時，係超過 0.9xl(T5A/cm2，但低於20xl(T5A/cm2。此外，陽極氧化皮 膜3之漏電流密度係藉由其膜厚及構造來控制，詳細將於 後述。 (陽極氧化皮膜厚度：3μιη以上） 陽極氧化皮膜3,係用以確保電漿處理裝置用構件1 之耐蝕性，抑制電漿處理時所帶之電荷量，並使其分布均 勻。厚度低於3μιη時，即無法確保酸、鹼等之耐藥品性 及耐氣體腐蝕性等耐蝕性。因此，係使陽極氧化皮膜厚度 在3μιη以上。又，若超過120μιη時，因內部應力等之影 響導致陽極氧化皮膜3容易造成皮膜剝離。因此，氧化皮 膜3之較佳厚度係3〜120μιη，更佳爲10〜70μιη。 -11 - 1376430 此外，陽極氧化皮膜3之漏電流密度雖藉由膜厚及構 造來控制，但僅藉由膜厚將漏電流密度控制成超過〇.9 X l(T5A/cm2，係在膜厚低於ΙΟμιη之情況下。亦即，對膜厚 在1 Ομιη以上之陽極氧化皮膜3，則必須進行構造控制。 然而，即使膜厚低於1〇μιη，但爲了使漏電流密度穩定， 而必須進行構造控制時，從耐蝕性之觀點來看，較佳爲在 將陽極氧化皮膜3之厚度設置成能充分滿足耐蝕性之値下 ，來進行後述之構造控制。 本發明之陽極氧化皮膜3之構造控制，爲了兼顧適度 漏電流之產生與耐鈾性，係在於在陽極氧化皮膜3形成微 細之龜裂。在電漿處理時，電漿處理裝置用構.件1所帶之 電荷係從該龜裂釋放以減少電荷。因此，若在陽極氧化皮 膜3龜裂不均衡形成時，由於電漿處理時所帶之電荷的分 布即不均勻，因此會在電漿處理裝置用構件1產生電氣上 集中之部分，而成爲異常放電之原因。 又，若龜裂較大而傳播至陽極氧化皮膜3之整體膜厚 方向時，氣體會從該龜裂侵入，使基材2容易腐蝕而成爲 耐蝕性降低之原因。因此，氧化皮膜3之龜裂係形成爲微 小且均勻地分散而不會傳播至整體膜厚方向。由於龜裂係 藉由使陽極氧化皮膜3水合膨脹所形成，因此上述較佳龜 裂之形成，係藉由控制後述陽極氧化皮膜3之水合處理條 件來進行。此外，藉由水合處理陽極氧化皮膜3之至少一 部分即水銘土（boehmite)化/或類水銘土化。 1376430 (陽極氧化皮膜表面粗糙度：低於Ιμπι) 陽極氧化皮膜3之表面亦即電漿處理裝置用構件1之 * 表面，以盡可能平滑爲較佳。特別是，作爲CVD裝置之 下部電極時，若其表面之算術平均粗糙度Ra爲Ιμιη以上 時，則有會沿其凹凸圖案於加工品產生成膜不均之虞。因 此，係使陽極氧化皮膜3表面之算術平均粗糙度Ra低於 Ιμιη，較佳爲低於0.8μιη。又，較佳爲算術平均粗糙度Ra φ 係從沿電漿處理裝置用構件1之半徑測量之表面粗糙度算 出。此外，算術平均粗糙度Ra係規定於JISB0601。此種 表面粗糙度之調整，係對屬基材2之陽極氧化處理前之鋁 或鋁合金進行，爲了防止電漿處理裝置用構件1之翹曲， 以藉由機械加工較佳。此外，機械加工後亦可以砂紙、擦 光輪等將表面加以硏磨》 (磷酸—鉻酸浸漬測試之溶解速度：低於l〇〇mg/dm2/15min) # 磷酸-鉻酸浸漬測試（JISH8683-2)，係與實施於鋁或鋁 合金之陽極氧化皮膜之封孔度相關之測試規格的一種，藉 由陽極氧化皮膜之耐酸性來調查封孔度。本發明中，係用 以判定陽極氧化皮膜3之表面（包含空孔4之側壁）是否 已水鋁土（boehmite)化/或類水鋁土化，亦即若磷酸-鉻酸 浸漬測試之溶解速度低於1 〇〇mg/dm2/15min時，即可判定 爲陽極氧化皮膜3之至少一部分已水鋁土（boehmite)化/或 類水鋁土化，而可視爲在陽極氧化皮膜3已產生用以形成 龜裂之水合反應。 -13- 1376430 又，以下表示本發明之電漿處理裝置用構件的表面 狀。 (平面度：50μηι以下） 在將電漿處理裝置用構件1作爲裝載CVD裝置之 部電極等加工品的構件時，其表面亦即形成陽極氧化皮 3之面即成爲加工品裝載面。因此，爲了電漿處理時加 品之穩定性及成膜等電漿處理之均勻性，該面最好盡可 爲平面。若電漿處理裝置用構件1之平面度超過50μιη 亦即表面之凹凸較大時，所裝載之加工品會變得不穩定 或在加工品與電漿處理裝置用構件1之間產生間隙，而 在加工品產生成膜不均之虞。因此，係使形成電漿處理 置用構件1之陽極氧化皮膜3之表面的平面度在50μιη 下。又，若電漿處理裝置用構件1之表面爲波浪狀，則 在與加工品之間產生間隙，而有產生成膜不均之虞。又 若表面形狀亦即表面之高度位置的變化不呈同心圓狀而 生偏差時，則無法穩定裝載加工品，還是會有產生成膜 均之虞。因此，較佳爲從電漿處理裝置用構件1之中心 周緣以同心圓狀使表面之高度位置漸減的凸面（參照 2(b))、或漸增的凹面（參照圖2(c))之其中之一，更佳爲 面。亦即，電漿處理裝置用構件1之表面形狀係呈無起 或扭轉之硏鉢狀或部分球面狀。理想之電漿處理裝置用 件1的表面形狀其平面度雖爲0亦即完全平面（參照 2(a))，不過在平面度無法爲0時，藉由形成此種平面， 形 下 膜 工 能 有 裝 以 會 9 產 不 往 圖 凹 伏 構 圖 即 -14- 1376430 可以水平而不傾斜地裝載加工品。此外，與前述陽極氧化 皮膜3之表面粗糙度調整同樣地，表面形狀之加工係對陽 極氧化處理前之基材2進行。 以下，說明形成本發明之陽極氧化皮膜之陽極氧化處 理及水合處理的方法》 (陽極氧化處理） 陽極氧化處理係一種電解，其係將構成基材2之鋁（ 或鋁合金）浸漬於電解液並施加電壓，藉由陽極所產生之 氧而於鋁之表面形成氧化鋁（A1203)皮膜。此陽極氧化處 理之通電方法可使用直流法、交流法、及交直流重疊法等 公知之方法。本發明之陽極氧化處理的電解液雖無特別限 制，不過可列舉硫酸溶液、磷酸溶液、鉻酸溶液、及硼酸 溶液等無機酸系溶液、蟻酸溶液、及草酸溶液等有機酸系 溶液、以及此等之混合液。又，處理溫度（電解液溫度）係 依據電解液之種類、濃度等適當予以控制。 本發明之陽極氧化處理的方法，亦可應用一般電壓控 制、電流控制之任一種。此外，陽極氧化處理之施加電壓 雖無特別限制，不過若電解電壓較低時，皮膜成長速度會 變慢而降低陽極氧化效率。又，在例如以草酸溶液爲電解 液時，有時陽極氧化皮膜之硬度會不足。另一方面，若電 解電壓較高時，陽極氧化皮膜則容易溶解，有時會在陽極 氧化皮膜3產生缺陷。因此，考量此等並依據皮膜成長速 度或電解液濃度等適當予以控制。又，陽極氧化處理之處 -15- 1376430 理時間並無特別限制，只要適當計算成長至所須之陽極氧 化皮膜3之膜厚的時間來設定處理時間即可。 (水合處理） 如以上所述，本發明之陽極氧化皮膜3之構造控制， 係將微細且均勻之龜裂形成於陽極氧化皮膜3，因此係藉 由以水合反應使陽極氧化皮膜3膨脹之水合處理（加水處 理）來進行。水合處理係藉由使被處理物與高溫之水接觸 來進行，有浸漬於熱水（熱水浸漬）之方法、及暴露於水蒸 氣之方法。此外，本發明之被處理物係藉由前述陽極氧化 處理成膜之陽極氧化皮膜，特別是多孔層。然而，若過度 進行陽極氧化皮膜3表面附近之皮膜膨脹時，則有會產生 沿膜厚方向整體傳播之龜裂之虞。因此，水合處理中，必 須精緻地控制處理溫度（熱水或水蒸氣之溫度）或處理時間 等。 其次，針對本發明之電漿處理裝置用構件之製造方法 說明其一例。首先，配合電漿處理裝置用構件1之形狀， 藉由公知之方法將構成基材2之鋁或鋁合金予以加工。接 著，藉由機械加工將其表面（進行陽極氧化皮膜3成膜之 面）加工成平滑而形成基材2。此外，此時基材2之表面 粗糙度及平面度係大致遺留至電漿處理裝置用構件1，亦 即形成陽極氧化皮膜3之表面的表面粗糙度及平面度。 其次，於基材2實施陽極氧化處理，以將陽極氧化皮 膜形成於基材2之表面。 -16- 1376430 接著，於已成膜之陽極氧化皮膜實施水合處理，以形 成本發明之陽極氧化皮膜3。 [實施例] 以上，雖針對實施本發明之最佳形態作了敘述，但以 下將已確認本發明之效果之實施例與未滿足本發明之要件 之比較例予以比較，具體加以說明。此外，本發明並非限 於此實施例。 (供試材料製作） 將表1所示之鋁合金與板厚爲5mm之板材分別成形 爲CVD裝置之上部電極及下部電極的形狀，並將表面形 狀加工成平面度爲50μηι以下，再藉由機械加工（切削）調 整表面粗糙度而形成爲基板。機械加工係使用NC轉盤並 使用市售之金剛石碎片進行。又，如表1所示，比較例5 〜7則進行使用氧化鋁磨粒之噴砂處理的表面加工而形成 爲基板。 其次’將連接於陽極之基板浸漬於表1所示之溶液、 及溫度之電解液並通電’而形成表1所示之膜厚的陽極氧 化皮膜。接著，將經陽極氧化之基板浸漬於熱水以進行水 合處理而製成供試材料。表1係表示熱水之溫度及浸漬時 間。又，由於實施例1 4，1 5及比較例1〜4並未進行水合 處理，因此該欄即以「-」表示。 將所製得之供試材料中板厚爲5mm之板材，切取成 -17- 1376430 5〇mmx50mm之測試材料，以測量漏電流密度、及磷酸-鉻 酸浸漬測試之溶解速度。又，以另—供試材料製作CVD 裝置之下部電極（Φ 2 5 〇mm)，並測量表面粗糙度及平面度 。再者’爲了以該下部電極進行耐黏性及異常放電之評估 ’進一步以另一供試材料製作CVD裝置之上部電極（φ 250mm)’與下部電極一起使用於CVD裝置。 (漏電流密度測量） 將鋁蒸鍍於測試材料之陽極氧化皮膜表面約Ιμιη，以 形成約1 cm方形之測試用電極。接著，藉由市售之電流 電壓測量器，將直流100V施加於鋁蒸鍍部分與基材2之 間，以測量施加電壓爲1 00V之漏電流密度。表1係表示測 量結果。漏電流密度之合格基準係設爲超過〇.9xl(T5A/cm2 (磷酸-鉻酸浸漬測試） 根據JISH8683-2 1999，使測試材料浸漬於硝酸水溶 液（500mL/L、18〜20°C)l〇分鐘作爲前處理後，以脫離子 水洗淨再予以溫風乾燥以測量質量。使該測試材料浸漬於 磷酸-鉻酸酐水溶液（將磷酸35mL及鉻酸酐20g溶解於脫 離子水1L之溶液）15分鐘。將浸漬後之測試材料在水槽 中、接著在流水中分別洗淨’並進一步以脫離子水洗淨再 予以溫風乾燥以測量質量。表1表示算出每單位面積之質 量減少的結果。若質量減少低於l〇〇mg/dm2’亦即溶解速 -18- 1376430 度爲低於l〇〇mg/dm2/15min，則可判定爲陽極氧化皮膜3 之至少一部分係因水合處理而已水鋁土（boehmite)化及/或 類水鋁土化。 (表面粗糙度測量） 表面粗糙度係使用東京精密（股MTOKYO SEIMITSU CO.，LTD.)製之HANDSURF E-35A，沿下部電極之半徑進 行測量，以JISB060 1所規定之測量法算出算術平均粗糙 Ra。表1表示測量結果。 (平面度測量） 平面度係使用東京精密（股）製之屬3維形狀測量器之 XYZAX PA- 1 5 00A，沿下部電極之半徑進行測量。表1表 示測量結果。 (耐黏性評估） 爲了進行耐黏性、異常放電、及成膜均勻性之評估， 以測試材料作爲上部電極及下部電極分別裝載於CVD裝 置，對矽晶圓（Φ 200mm) 100片作爲加工品進行CVD處理 。此外’作爲耐黏性評估及異常放電評估之CVD處理係 同時進行。CVD裝置係藉由來源氣體進行處理室內之清 掃下’將裝載於上部電極及下部電極上之晶圓加熱至300 〜3 8 0°C ’在減壓維持於約2〜5Torr(約260〜670Pa)之處 理室，使電漿產生並藉由該電漿處理，使500nm左右之 -19- 1376430 矽氧化皮膜成膜於晶圓之表面。 耐黏性係將供試材料裝載於CVD裝置作爲下部電 ，對晶圓進行CVD處理，並藉由有無產生黏著來進行 估。黏著係在CVD處理後，使在下部電極之周緣每隔 ° 4處所配備之頂出銷上升，從背面側將晶圓舉起，以 視判定晶圓是否可從下部電極無阻力剝離。將晶圓1 〇〇 中完全不產生黏著者視爲耐黏性優異而評估爲「〇」， 1片以上產生黏著者視爲耐黏性不佳而評估爲「X」^ 評估結果表示於表1» (異常放電評估） 異常放電係將供試材料裝載於CVD裝置作爲下部 極’對1〇〇片晶圓進行CVD處理，並藉由有無異常放 之產生來進行評估》異常放電係在處理100片晶圓後， 目視判定在上部電極表面是否可觀察到直徑約爲0.1 1mm左右之褐色〜黑色的點狀放電痕跡。將完全不產 點狀痕跡者視爲異常放電之抑制效果優異而評估爲「〇 ，產生1個以上點狀痕跡者視爲異常放電之抑制效果不 而評估爲「X」。將評估結果表示於表1。 (成膜均勻性評估） 成膜均勻性係將供試材料裝載於CVD裝置作爲下 電極，對晶圓進行CVD處理，並藉由該晶圓有無成膜 勻來進行評估。成膜不勻係以目視判定。將晶圓1 00片 極 評 90 目 片 在 將 電 電 以 生 J 佳 部 不 中 -20- 1376430

於所有晶圓皆無成膜不勻而已均勻成膜者視爲成膜均勻性 優異而評估爲「〇」，於1片以上之晶圓產生成膜不勻者 視爲成膜均句性不佳而評估爲「X」。將評估結果表示於 表1。 -21 - 1376430 【S】 ¢1 鍪链 ο ο ο ο ο ο ΙΟΙ d, ο ο ο ο ο o o ο ο ο

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390S 3509 i9 1909 1909 1909 1909 ss 1909 1909 1909 -22- 1376430 (表面形狀之評估） 由於實施例1〜15係藉由機械加工進行基板之表面加 工，因此表面粗糙度及平面度爲本發明之範圍，且表面形 狀係中心爲較高之凸面（參照圖2(b))或中心爲較低之凹面 (參照圖2(c))之其中一者。因此，以此等電漿處理裝置用 構件作爲下部電極進行CVD處理之晶圓的成膜均勻性係 良好。相對於此，由於比較例5〜7係於表面加工進行噴 砂處理，因此表面之算術平均粗糙度Ra係1.5〜3.5 μηι而 爲較粗糙之表面，且因噴砂處理之殘留應力產生翹曲而使 平面度惡化，因此在以此等電漿處理裝置用構件作爲下部 電極進行CVD處理之晶圓有產生成膜不勻者，故不適合 作爲CVD裝置之下部電極。 (漏電流密度之評估） 由於實施例1〜13係於陽極氧化皮膜實施水合處理， 因此陽極氧化皮膜之至少一部分已水鋁土（boehmite)化/或 類水鋁土化，磷酸-鉻酸浸漬測試之溶解速度爲低於 100mg/dm2/15min。又，藉由水合處理於陽極氧化皮膜形 成微細之龜裂，其結果可獲得漏電流密度爲超過〇.9xl(T 5A/cm2，且耐黏性及異常放電抑制效果優異之電漿處理裝 置用構件。另一方面，由於實施例14，15並未進行水合 處理，因此溶解速度雖在l〇〇mg/dm2/15min以上，但由於 將陽極氧化皮膜之膜厚薄化成5μηι，因此漏電流密度爲超 過0.9 χ10_5 A/cm2，與實施水合處理者同樣地，可獲得耐 -23- 1376430 黏性及異常放電抑制效果優異之電漿處理裝置用構件。相 對於此，由於未進行相同水合處理之比較例1〜4其陽極氧化 皮膜之膜厚爲ΙΟμιη以上，因此漏電流密度在0.9xl(T5A/cm2 以下，相較於實施例1〜15，耐黏性及異常放電抑制效果 之結果爲不佳。 【圖式簡單說明】 [圖1]係示意表示本發明之電漿處理裝置用構件之構 造的截面圖。 圖 之 明 發 本 明。 說圖 以意 用示 係面 2]截 的 狀 形 面 表 之 件 構 用 置 裝 ml 理 處 漿 件 構 用 1 置 明裝 說理 號處 符漿材 件電基 元 ：： 要1 2 主 膜 皮 化 氧 極 陽

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Claims (1)

1376430 十、申請專利範圍 « 1-一種電漿處理裝置用構件，係構成對加工品實施電 漿處理之電漿處理裝置，其特徵在於，具備： 由鋁或鋁合金所構成之基材；以及 形成於前述基材表面之陽極氧化皮膜， 前述陽極氧化皮膜係施加電壓爲100V時之漏電流密 度爲超過〇.9xl(T5A/cm2，膜厚爲3μηι以上，表面之算術 φ 平均粗糙度爲低於Ιμιη，形成前述陽極氧化皮膜之表面的 平面度爲50 μιη以下。 2. 如申請專利範圍第1項所記載之電漿處理裝置用構 件，其中，前述陽極氧化皮膜係磷酸-鉻酸浸漬測試之溶 解速度爲低於l〇〇mg/dm2/15min。 3. 如申請專利範圍第1項所記載之電漿處理裝置用構 件，其中，該表面之算術平均粗糙度係前述電漿處理裝置 用構件之半徑方向之表面的算術平均粗糙度。 φ 4.如申請專利範圍第1項所記載之電漿處理裝置用構 件，其中，形成前述陽極氧化皮膜之表面的形狀爲同心圓 狀。 5.—種電漿處理裝置用構件之製造方法，係申請專利 範圍第1至4項中任一項所記載，其特徵在於： 依表面加工步驟（機械性切削）、陽極氧化處理步驟' 及加水處理步驟（水合處理步驟）之順序進行。 -25-