JP2005072286A

JP2005072286A - 静電チャック

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Publication number: JP2005072286A
Application number: JP2003300655A
Authority: JP
Inventors: Tsunehiko Nakamura; 恒彦中村
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2003-08-25
Filing date: 2003-08-25
Publication date: 2005-03-17

Abstract

【課題】静電チャックの載置面に、変形したウェハが載ると載置面とウェハの間で大きな摩擦力が発生し、多量のパーティクルを発生する虞があった。
また、ウェハに熱が加わりウェハの温度が上昇する虞があった。
【解決手段】一対の吸着電極の上面を覆うように絶縁膜を形成し、前記吸着電極の外周縁に円弧状電極と、これと繋がる櫛歯状電極とからなり、かつ双方の櫛歯状電極を互いに入り組ませて形成した静電チャックにおいて、上記円弧状電極の幅を前記櫛歯状電極の幅より小さくする。
また、導電性基体の少なくとも一方の主面に絶縁層を備え、その上面に吸着電極と、該吸着電極を覆うように絶縁膜を備え、上記絶縁層と絶縁膜との総厚みを２０〜２０００μｍとする。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体製造工程や液晶製造工程において、半導体ウェハ（以下、ウェハと称す）や液晶ガラスに微細加工を施すエッチング工程や薄膜を形成するための成膜工程、フォトレジスト膜を露光する露光処理工程等において、ウェハや液晶ガラスを保持する静電チャックに関するものである。

従来、半導体製造工程において、ウェハに微細加工を施すためのエッチング工程や、薄膜を形成するための成膜工程、又はフォトレジスト膜を露光するための露光処理工程等において、ウェハを保持するために静電気的にウェハを吸着する静電チャックが使用されている。

図４（ａ）は、特許文献１に記載の双極型の静電チャック１０の断面図を示す。円板状の絶縁性基板１１の内部に一対の吸着電極１２ａ、１２ｂが埋設され、前記絶縁性基板１１の上面を半導体ウェハ１７を載せる載置面１１ｂとし、吸着電極１２と載置面１１ｂとの間を絶縁膜１１ａとして、載置面１１ｂに半導体ウェハ１７を載せ、吸着電極１２ａ、１２ｂに電源１５より電圧を印加し、半導体ウェハ１７を吸着している。

このような静電チャック１０の吸着力Ｆは、次式で示される。

Ｆ＝（Ｓ／２）×ε０×εｒ×（Ｖ／２ｄ）^２
尚、Ｓは吸着電極の面積、ε０は真空中の誘電率、εｒは絶縁膜１１ａの比誘電率、Ｖは印加電圧、ｄは絶縁膜１１ａの厚みである。

ここで、吸着力を発現する吸着電極１２の形状は図４（ｂ）のような円弧状電極１２ａｅ、１２ｂｅに繋がった数本の帯状の櫛歯状電極１２ａｋ、１２ｂｋがそれぞれ交互に配置された櫛形形状の吸着電極１２が提案されている。

物体を保持する保持力であり静電気力でもある吸着力Ｆは、絶縁膜１１ａの厚みｄが小さい程大きく、また、電圧Ｖが大きければ大きい程大きくなる。電圧Ｖを大きくすればするほど吸着力Ｆが増大するが、あまり大きくすると絶縁膜１１ａの絶縁が破壊されてしまう。また、絶縁膜１１ａにピンホールなどの空隙があると絶縁が破壊される。そこで、物体を保持する絶縁膜１１ａの表面は、滑らかであること、ピンホールがないことが求められる。

上記静電チャック１０で凸形状や凹形状に変形した半導体ウェハ１７を吸着するとウェハ１７の下面の一部が浮き上がったり、汚染が発生することがあった。そこで、特許文献２のように円形の吸着電極とその周りに環状の吸着電極を設け、吸着電極の作動時間を変えて上記浮き上がりを防止した静電チャックが提案されている。

ところで、通常の静電チャックは、特許文献３に見られるように、電極としてアルミ等の金属を用い、これを覆う絶縁膜としてガラスあるいはベークライト、アクリル、エポキシ等の有機膜を備えたものが使用されている。しかし、これらの絶縁膜は全て耐熱性、耐摩耗性、耐薬品性等の点で問題があるだけでなく、硬度が小さいことから使用時に摩耗粉が発生して半導体ウェハに付着しやすく、半導体ウェハに悪影響を及ぼしやすいなどクリーン度の点でも問題がある。

また、溶射成形したセラミック膜を絶縁膜とした静電チャックが特許文献４に記載されているが、冷却効率が悪いとの問題があった。

また、特許文献５にはセラミック基体の主面に吸着電極を形成し、セラミック基体の主面の全面に数μｍの厚みの絶縁膜をスパッタ、イオンプレーティング、真空蒸着で形成する方法が記載されている。

また、エッチングプロセスで使用される静電チャックの要求特性として、プロセスガスやクリーニングガスのハロゲン腐食ガス中での耐プラズマ性が必要であり、エッチングする膜種によりプロセス温度が異なるため、−２０〜２００℃という温度範囲でも使用できるものが求められている。

更に、超ＬＳＩのメモリ容量の拡大に伴って、微細加工が益々進み、耐プラズマ性を必要とするプロセスが拡大している。特に、エッチング用ガスやクリーニング用ガスとして、塩素系ガス、及びフッ素系ガスなどのハロゲン系腐食性ガスが多用されている。クリーニング工程ではウェハの載置面にダミーウェハを載せないでクリーニングを行うウェハレスクリーニングが検討され、ウェハの載置面の耐プラズマ性が強く求められることもある。

また、エッチング加工するウェハ上の膜種により、静電チャックの使用温度範囲が広く、広い温度範囲で耐久性のあるものが必要である。そこで、前記の絶縁性基板の代わりに導電性基体としてアルミニウム合金を用いてその表面をアルミナ溶射膜で作製されたものや導電性基体としてアルミニウム合金を用いてその表面にアルミニウムの陽極酸化膜を形成して絶縁膜とすることで、耐プラズマ性を兼ねた静電チャックが開示されているが、これらは温度が上がるとアルミニウムベースと上記の絶縁膜の熱膨張の差により、クラックが入る問題があった。その対策として、特許文献４のようにセラミックと金属からなる導電性基体２３の熱膨張係数を考慮してアルミナ溶射膜２５を絶縁膜として、広い温度範囲で使用してもクラックが発生しないものがあった。

また、特許文献７には導電性基体としてアルミニウム合金基体の表面にアルミニウムの陽極酸化膜を形成し、その上に耐プラズマ性に優れた非晶質なＡｌ酸化物を０．１〜１０μｍ形成したものがあった。

また、特許文献８には、セラミックス内部に吸着電極を内蔵したものがあるが、冷却機能を備えた導電性基体とシリコーン接着剤等で接合されて一体化されていた。
特開平４−２３７１４８号公報特開２００３−１５８１７４号公報特開昭５９−９２７８２号公報特開昭５８−１２３３８１号公報特開平４−４９８７９号公報特開平１１−２６５９３０号公報特開平８−２８８３７６号公報特開平４−２８７３４４号公報

近年半導体素子の微細化は益々進展し、回路素子の線幅は０．０８μｍが実用化されようとしており、このような素子の製造に当たってはパーティクルによる歩留まり低下が大きな問題となっている。

しかし、特許文献１の静電チャックはウェハを載置面に載せた際に、ウェハの周辺部から吸着され、ウェハの中心が持ち上がって湾曲した状態からウェハの周辺部と載置面が吸着した状態で滑りながらウェハの全面が載置面に吸着されることから、ウェハと載置面の間に大きな摩擦力が発生し、ウェハと載置面の間で磨耗粉が発生しパーティクルが発生するとの課題があった。

上記課題の解決を目的として、特許文献２の静電チャックではウェハの形状情報を捕らえ吸着電極に加える電圧を制御する方法が提案されているが、制御方法が複雑で、十分な効果が得られなかった。

また、特許文献１の静電チャックはセラミック基板の厚みが４ｍｍ以上と大きく、プラズマ雰囲気からウェハＷに伝わった熱がセラミックス基板を通して装置外に放出され難いことからウェハＷの中心部の温度が加工時間とともに上昇しウェハ面内の温度差が大きくなる虞があった。

一方、特許文献４に記載の静電チャックの絶縁膜はスパッタやＣＶＤ等で作製され、絶縁膜の厚みは数μｍ以下に限定されていることから吸着電極に電圧を印加すると絶縁膜が絶縁破壊する虞があった。

また、特許文献６には図３に示すようにアルミニウム合金基体２４の表面にアルミニウムの陽極酸化膜２６を形成し、その上に耐プラズマ性に優れた非晶質なアルミニウム酸化物層２２を０．１〜１０μｍ形成したものがあったが、１０μｍ程度の保護膜では成膜中に発生するピンホールは埋まらず下地を侵してしまうという問題があった。また、０．１〜１０μｍ程度ではハードなプラズマ条件ではすぐ浸食されてしまい、実用性に乏しかった。この膜は１０μｍ以上の膜を成膜すると成膜時の内部応力により剥がれると言う問題があった。

更に、導電性基体としてアルミニウム合金基体２４が使用されているため、その上に形成されたアルミニウムの陽極酸化膜２６及び非晶質なアルミニウム酸化物層２２の熱膨張係数が異なるため、１００℃以上の温度で膜にクラックが入ってしまうという問題があった。

また、上層の非晶質酸化アルミニウム膜２２の体積固有抵抗が下層のアルミニウムの陽極酸化膜に対して大きい場合、静電チャック２１の導電性基体２４とウェハ間の電圧が非晶質酸化アルミニウム膜２２側に大きく加わり、非晶質酸化アルミニウム膜２２が絶縁破壊することもあった。

また、非晶質酸化アルミニウム膜とアルミニウムの陽極酸化膜の体積固有抵抗が異なることから、電圧を印加しても吸着力がすぐに立ち上がらず一定になるのに時間を要したり、印加する電圧を切ってもすぐに吸着力が０にならずに残留吸着力が発生するなどの吸着／離脱特性の応答性が悪くなってしまうことがあり、ウェハの脱着に必要以上の時間を要し、プロセス制御に支障をきたすことがあった。

特許文献３や特許文献５のようにアルミナ溶射層を絶縁膜５５としたものは溶射膜にボイドが多く、そのボイドを有機珪素や無機珪素を使って封孔処理をするがその封孔処理に用いた珪素部分がプラズマでエッチングされ、耐電圧が低下して短期間で静電チャックとして使用できなくなり寿命が短いとの虞があった。

本発明は、板状体の上面に形成した一対の吸着電極を覆うように絶縁膜を形成し、該絶縁膜上を載置面とした静電チャックにおいて、前記吸着電極は外周縁の円弧状電極と、これと繋がる櫛歯状電極とからなり、かつ双方の櫛歯状電極を互いに入り組ませて形成し、前記櫛歯状電極の幅を前期円弧状電極の幅より大きくしたことを特徴とする。

また、上記櫛歯状電極の幅が上記円弧状電極の幅の１．５倍〜５０倍であることを特徴とする静電チャック。

また、上記一対の吸着電極が正電圧を印加する正電極と負電圧を印加する負電極をなし、前記正電極の面積を前記負電極の面積より大きくしたことを特徴とする。

また、上記板状体が該導電性基体の少なくともその一方の主面に絶縁層を備えたものであり、その上面に吸着電極と、該吸着電極を覆うように絶縁膜を備え、上記絶縁層と絶縁膜との総厚みが２０〜２０００μｍであることを特徴とする。

また、上記絶縁膜が非晶質セラミックからなることを特徴とする。

また、上記絶縁膜は酸化物からなる均一な非晶質セラミックから成り、その厚みが１０〜１００μｍであることを特徴とする。

また、上記絶縁膜は、希ガス類元素を１〜１０原子％含むことを特長とする。

また、上記絶縁膜のビッカース硬度が５００〜１０００ＨＶ０．１であることを特徴とする。

また、上記絶縁膜が酸化アルミニウムまたは希土類の酸化物の何れか一つを主成分とすることを特徴とする。

また、上記導電性基体がアルミニウムまたはアルミニウム合金の何れか一つの金属成分と、炭化珪素または窒化アルミニウムの何れか一つのセラミック成分からなり、該セラミック成分の含有量が５０〜９０質量％であることを特徴とする。

本発明は一対の吸着電極の上面を覆うように絶縁膜を形成し、前記吸着電極の外周縁に円弧状電極と、これと繋がる櫛歯状電極とからなり、かつ双方の櫛歯状電極を互いに入り組ませて形成した静電チャックにおいて、上記櫛歯状電極の幅が前記円弧状電極の幅より大きいことを特徴とすると、ウェハＷの吸着を繰り返し行っても、載置面とウェハＷの間で摩擦が小さくパーティクルの発生が極めて少ない優れた静電チャックが得られる。

また、載置面からの熱を容易に装置外に取り出すことができることから、ウェハＷの温度制御が容易な静電チャックが得られる。

更に、上記絶縁膜を非晶質材から形成するとプラズマに対する耐久性に優れた静電チャックを提供することができる。

以下、本発明の実施形態について説明する。

図１（ａ）は本発明の静電チャック１の一例である概略の構造を示す斜視図である。図１（ｂ）はそのＸ−Ｘ線断面図を示す。金属等からなる導電性基体２の一方の主面に絶縁層３を備えた板状体８と、その上面に形成した一対の吸着電極４ａ、４ｂを覆うように絶縁膜５が形成されている。絶縁膜５の上面をウェハＷを吸着させる載置面５ａとする。

載置面５ａにはブラスト加工法等により凹部を形成することもできる。その凹部と連通し板状体８の裏面から載置面５ａに貫通するガス供給孔を設け、ウェハＷと凹部で形成される空間にガス供給孔からガスを供給することができる。そして、ウェハＷと載置面５ａの間の熱伝導率を高めることもできる。

上記板状体８はセラミックス等の絶縁性基板でも良いが、熱伝導率の大きな導電性基体２を用いても良い。導電性基体２が金属のみからなる場合は絶縁層３や絶縁膜５の熱膨張に合わせて導電性基体２の金属を選定するのが好ましい。金属はセラミックに比べて熱膨張率が大きいものが多いことから、導電性基体２の材質としてＷ、Ｍｏ、Ｔｉなどの低熱膨張金属を主成分とする金属が好ましい。

また、導電性基体２として金属とセラミックの複合部材を用いる場合は三次元編目構造の多孔質セラミック体を骨格とし、その気孔部に隙間なくアルミニウムやアルミニウム合金を充填した複合材料を使うことが好ましい。このような構造とすることで、絶縁層３や絶縁膜５と導電性基体２の熱膨張係数を近づけることができる。

更に、上記の導電性基体２の熱伝導率が約１６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）と大きな材料が得られ、プラズマ等の雰囲気からウェハＷに伝わった熱を導電性基体２を通して取り除くことが容易となり好ましい。

そして、導電性基体２には冷却媒体を通す流路９が備えられ、冷却媒体を介して、ウェハＷの熱を静電チャック１の外部に取り除くことができることからウェハＷの温度を冷却媒体の温度でコントロールすることが容易となる。

絶縁層３はアルミナ等の酸化物セラミックスや窒化物、炭化物等のセラミックスからなることが好ましい。また、絶縁膜５は上記絶縁層３と同一組成物でも良い。

そして、貫通孔７を通して突き上げられたリフトピン（不図示）に支えられたウェハＷは、リフトピンが降下して載置面５ａの上にウェハＷが載せられる。そして、吸着電極４の間に数百Ｖの吸着電圧を給電端子６ａ、６ｂから印加して、吸着電極４とウェハＷの間に静電吸着力を発現させ、ウェハＷを載置面５ａに吸着することができる。また、導電性基体２と対向電極（不図示）との間にＲＦ電圧を印加するとウェハＷの上方にプラズマを効率的に発生することができる。

本発明の静電チャック１は、板状体８の上面に形成した一対の吸着電極４を覆うように絶縁膜５を形成し、該絶縁膜５上を載置面５ａとして、前記吸着電極４は外周縁の円弧状電極４ａｅ、４ｂｅと、これと繋がる櫛歯状電極４ａｋ、４ｂｋとからなり、かつ双方の櫛歯状電極４ａｋ、４ｂｋを互いに入り組ませて形成されている。

図２は本発明の吸着電極４の一例を示す。吸着電極４の櫛歯状電極４ａｋ、４ｂｋの幅Ｗｋを前記円弧状電極４ａｅ、４ｂｅの幅Ｗｅより大きくしたことを特徴とする。リフトピン穴７を貫通する不図示のリフトピンにより持ち上げられたウェハＷが載置面５ａに接近してウェハＷの周辺部が載置面５ａと接触する。そしてウェハＷの中心部が持ちあがった状態で載置面５ａに載せられる。特に、ウェハＷの変形が大きいとこのような状態でウェハＷは載置面５ａに載せられる可能性が大きい。この状態で吸着電極４に直流電圧を印加すると、過渡的には載置面５ａと接触しているウェハＷの周辺から吸着し、周辺から中心部へと吸着されるが、帯状の櫛歯状電極４ａｋ、４ｂｋの幅Ｗｋが外周縁の円弧状電極４ａｅ、４ｂｅの幅Ｗｅより大きいと、円弧状電極４がウェハＷの周辺部を吸着する力が小さくなり、帯状の櫛歯状電極４ａｋ、４ｂｋで吸着する力が優勢となる。従って、過渡的に見てウェハＷの周辺部が強固に吸着されることなく、帯状の櫛歯状電極４ａｋ、４ｂｋでウェハＷを吸着することになる。すると、周辺部が載置面５ａと接触し中心部が浮き上がったウェハＷは円弧状電極４ａｅ、４ｂｅで弱い力で固定されることから、同時に帯状の櫛歯状電極４ａｋ、４ｂｋの外周寄りで吸着され、ウェハＷの表面を変形させながらスムースに載置面５ａの全面にウェハＷを吸着させることができる。このように吸着させることでウェハＷに部分的に大きな応力を加えることなく、載置面５ａとの大きな摩擦力を発生させることなくウェハＷを吸着することができると考えられる。従って、ウェハＷと載置面５ａの間で摩擦による粉塵等を発生させることが少なくパーティクルの発生を防止することができると考えられる。

尚、円弧状電極４ａｅ、４ｂｅの幅Ｗｅは、櫛歯状電極４ａｋ、４ｂｋの櫛歯と櫛歯を連結する円弧状電極４ａｅ、４ｂｅの各最大幅と最小幅を測定し、それらの平均値として求めることができる。また、櫛歯状電極４ａｋ、４ｂｋの幅Ｗｋは、それぞれの櫛歯の幅の平均値である。また、櫛歯の幅が長手方向で異なる場合には、その平均値をＷｋとすれば良い。

更に、上記吸着方法によると前記櫛歯状電極４ａｋ、４ｂｋの幅Ｗｋが円弧状電極４ａｅ、４ｂｅの幅Ｗｅの１．５〜５０倍であることが好ましい。幅ＷｋがＷｅの１．５倍を下回ると、円弧状電極４ａｅ、４ｂｅの幅が大きくなりすぎてウェハＷの周辺部が強く吸着されることからウェハＷと載置面２ａの摩擦が大きくなりパーティクルの発生量が多くなる虞がある。また、５０倍を超えると相対的に櫛歯状電極４ａｋ、４ｂｋの幅が小さくなりクーロン力による吸着力が小さくなる虞がある。また、円弧状電極の幅が０．５ｍｍ以下となり例えば印刷法で形成した円弧状電極４ａｅ、４ｂｅが断線する可能性があるからである。

また、上記一対の吸着電極４に正負の印加電圧を加えるに当たり、正電極の面積Ｓｐが負電極の面積Ｓｍより大きいことが好ましい。ここで面積Ｓｐは吸着電極４を載置面５ａに平行な投影面に対し、円弧状電極４ａｅと櫛歯状電極４ａｋとの合計面積Ｓｐであり、円弧状電極４ｂｅと櫛歯状電極４ｂｋの合計面積がＳｍである。このように面積ＳｐがＳｍより大きいと、吸着電極４の極性による吸着力の微妙な差異を小さくすることができることから、ウェハＷの全面を均一に吸着することができることから好ましい。面積ＳｐとＳｍの比の値（Ｓｐ／Ｓｍ）は、１．０１から１．１０であると更に好ましい。Ｓｐ／Ｓｍは１．０１を下回ると極性の差による吸着力の差異の効果が小さく、１．１０を超えると正極の吸着力が大きくなり過ぎる虞がある。

絶縁膜５はアルミナや希土類酸化物、窒化物、炭化物質のセラミックスからなることが好ましい。

本発明の静電チャック１は絶縁膜５と絶縁層３の総厚みが２０〜２０００μｍであることが特徴である。この厚みとすることにより載置面５ａにウェハＷから伝わった熱を導電性基体２に効率良く逃がすことができる。そして、ウェハＷの温度上昇やウェハＷ面内の温度差が大きくなることを防止することができる。前記総厚みが２０μｍ未満では吸着用電極４と導電性基体２との間で絶縁破壊する虞があり、総厚みが２０００μｍを越えるとウェハＷの熱を十分導電性基体２に伝えることができない虞があるからである。好ましくは３０μｍから６００μｍであり、更に好ましくは５０〜３００μｍである。

尚、上記絶縁膜５の厚みｔ１は吸着用電極４の上面から載置面５ａの上面までの距離で、載置面５ａを垂直に横切る断面において、５箇所の前記距離の平均値で表すことができる。また、上記絶縁層３の厚みｔ２は、同様に前記断面において５箇所の厚みを測定しその平均値とした。そして、上記絶縁膜５ａの厚みｔ１と絶縁層３の厚みｔ２を合計した値を総厚みとした。

また、載置面５ａにはブラスト加工法等により凹部を形成することもできる。その凹部と連通し導電性基体２の裏面から載置面５ａに貫通するガス供給孔を設け、ウェハＷと凹部で形成される空間にガス供給孔からガスを供給することができる。そして、ウェハＷと載置面５ａの間の熱伝導率を高めることもできる。

絶縁膜５はアルミナや窒化物、炭化物質のセラミックスからなることが好ましく、その熱伝導率は２０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であることが好ましい。このような焼結セラミックスからなる絶縁膜５の厚みは１０〜１５００μｍであればウェハＷの熱を効率よく導電性基体２に逃がすことができる。好ましくは１００〜１０００μｍであり、更に好ましくは２００〜５００μｍである。そして、絶縁膜５の熱伝導率が５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上と大きな絶縁膜５ではその厚みは２００〜１５００μｍであると好ましい。上記絶縁膜５の下限は、載置面５ａに垂直で直径近くを横切る断面から絶縁膜５の厚みの最小値で示すことができる。

また、焼結セラミックスからなる絶縁層３の厚みは１０μｍ〜１９９０μｍである。絶縁層３の厚みが１０μｍ以下では吸着用電極４と導電性基体２の間の絶縁性を保持できない危険があるからである。１９９０μｍを超えると、載置面５ａからの熱を導電性基体２に十分伝えることができなくなる虞があるからである。このような絶縁層３はその熱伝導率が５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であると更に好ましい。

また、本発明の絶縁膜５は、均一な非晶質セラミックから成る絶縁膜５の１層のみから形成することが好ましい。この絶縁膜５は、吸着電極４から載置面５ａの間の体積固有抵抗が一様であり、絶縁膜５の中を電界が一様に形成され吸着電圧を印加した時に吸着力が素早く発現し一定の吸着力になる。そして、印加する吸着電圧を切ると、すぐに吸着力が０になりウェハＷを離脱できる。このように吸着／離脱特性の優れた静電チャック１とすることができる。

また、絶縁膜５を均一な非晶質セラミックからなる絶縁膜５とする理由は、以下のように考えられる。

結晶質セラミックからなる絶縁膜は結晶格子が強固に結合されていることから、格子間距離が応力で変化し難く、結晶質セラミックからなる絶縁膜を静電チャックの絶縁膜とすると、導電性基体２から上記の絶縁膜に発生する内部応力や熱膨張差などの熱応力を緩和する機能に乏しいが、非晶質セラミックからなる絶縁膜５は結晶質セラミックからなる絶縁膜と異なり低温で形成可能であり比較的低い温度で応力に対して格子間距離が変化する機能があり、内部応力を結晶質セラミックからなる絶縁膜より小さくすることができる。また、非晶質セラミックからなる絶縁膜５は非晶質であるため原子配列が周期的でなく、原子レベルの空間ができやすく不純物を取り込みやすい構造になっている。そのため、非晶質セラミックからなる絶縁膜５と導電性基体２との熱膨張差や成膜時の応力などによる内部応力が発生しても、原子配列が不規則であるのと原子レベルの欠陥が多いことから、絶縁膜５の低い成膜温度で変位することができ、絶縁膜５にかかる応力を低減することができる。そして、その非晶質セラミックからなる絶縁膜５は同等組成の対応する結晶の化学量論組成からずれていることから、原子レベルの欠陥ができやすく絶縁膜５と導電性基体２との間の応力を緩和することが容易となる。

そして、上記非晶質セラミックからなる絶縁膜５の厚みは１０〜１００μｍが好ましい。非晶質セラミックからなる絶縁膜５の厚みが１０μｍ未満では、導電性基体２の表面のボイドやパーティクルの影響を受けて、非晶質セラミックからなる絶縁膜５にピンホールや膜厚が極端に薄いところが発生し、プラズマ中で使用するとその部分が欠陥となり、絶縁膜５を貫通して吸着電極４を浸食することがあり、絶縁膜５の絶縁破壊による異常放電やパーティクルを発生することがある。そのため、絶縁膜５は少なくとも１０μｍ以上の厚みが必要である。

また、絶縁膜５の厚みが１００μｍを越えると非晶質セラミックからなる絶縁膜５を成膜する時間が数十時間以上となり量産性に乏しく、また内部応力も大きくなり過ぎるため絶縁膜５が吸着電極４や絶縁層３、導電性基体２から剥離する虞がある。好ましくは絶縁膜５の厚みは３０〜７０μｍであり、更に好ましくは４０〜６０μｍである。

尚、本発明において絶縁膜５の厚みが１０μｍ以上とは、導電性基体２の上の絶縁膜５の最小厚みが１０μｍ以上のことであり、厚み１００μｍ以下とは導電性基体２の上の絶縁膜５の平均厚みが１００μｍ以下のことである。尚、平均厚みは絶縁膜５を５等分した面積の中の膜厚を一箇所測定し、それぞれ５箇所の膜厚を平均した値である。

非晶質セラミックからなる絶縁膜５の中には他の元素と反応していない希ガス類元素としてアルゴンが存在しており、希ガス類元素を膜中に多く入れることにより、非晶質セラミックからなる絶縁膜５の変形が容易となり内部応力を緩和する効果が大きくなる。そのため、本発明のような１０μｍ以上の厚みの非晶質セラミックからなる絶縁膜５を吸着電極４を覆うように絶縁層３を介して導電性基体２に成膜しても絶縁膜５を剥離するような大きな応力の発生を防ぐことができる。

絶縁膜５の中の前記アルゴン量のコントロールは成膜時のアルゴンのガス圧力を大きくして、成膜する導電性基体２に印加するマイナスバイアス電圧を大きくすることにより、プラズマ中で電離したアルゴンイオンを絶縁膜５中に多く取り込むことができる。

絶縁膜５中のアルゴン量は１〜１０原子％が好ましい。更に好ましくは３〜８原子％である。希ガス類元素の含有量が１原子％以下であると、非晶質セラミックからなる絶縁膜５が充分変位できなくなるため応力を緩和する効果が小さくなり、１０μｍ程度の厚みでもクラックが発生しやすくなる。また、逆に希ガス類元素を１０原子％以上とするのは製作上困難である。

また、前記希ガス類元素としてアルゴンの代わりに他の希ガス類元素を使ってスパッタを行っても同じ効果が得られるが、スパッタ効率とガスのコストを考えると、アルゴンガスはスパッタ効率が高く安価で好ましい。

上記絶縁膜５中のアルゴンの定量分析方法としては酸化アルミニウム焼結体に非晶質セラミック膜２を２０μｍの厚みで成膜したものを比較試料として作製し、該試料をラザフォード後方散乱法により分析し、検出した全原子量とアルゴンの原子量を計測して、アルゴンの原子量を全原子量で割った値を原子％として算出した。

また、非晶質セラミックからなる絶縁膜５は上記のように希ガス類元素を含むことから、類似組成のセラミック焼結体に比べて硬度が小さくなっている。希ガス類元素を多く入れることにより、硬度を小さくすることができ、膜中の内部応力を低下することができる。

また、非晶質セラミックからなる絶縁膜５はスパッタ等の成膜工程で形成され絶縁膜５の表面には凹部が存在するが、絶縁膜５の内部にはボイドがほとんど存在しない。そこで、表面の凹部は表面を研磨加工して除去することにより、プラズマに曝される表面積をいつでも最小にすることができ、更に多結晶体のような粒界が存在しないことからエッチングが一様で脱粒も発生し難い。その結果、従来から使われているセラミック多焼結体からなる絶縁膜より各段に耐プラズマ性に優れたものとなる。また、結晶粒界を含むセラミックス多結晶焼結体では面粗さがＲａ０．０２程度までであるが、非晶質セラミック絶縁膜５はＲａ０．０００３程度まで小さくすることが可能であり耐プラズマ性の観点から好ましい。

更に、上記の希ガス類元素を含む非晶質セラミックからなる絶縁膜５のビッカース硬度は５００〜１０００ＨＶ０．１が好ましく、１０００ＨＶ０．１を超えると内部応力が大きくなり絶縁膜５が剥がれる虞がある。絶縁膜５のビッカース硬度が５００ＨＶ０．１未満では絶縁膜５の内部応力は小さくなり絶縁膜５の剥離の問題は生じ難いが、硬度が小さ過ぎることから絶縁膜５に大きな傷が入りやすく、この結果として耐電圧低下を発生する。これはウェハＷと静電チャック１の載置面５ａの間に入り込んだ硬質のゴミにより絶縁膜５に傷が入り、この傷の部分の耐電圧が低下したりすることがある。従って、絶縁膜５のビッカース硬度は５００〜１０００ＨＶ０．１が好ましく、更に好ましくは６００〜９００ＨＶ０．１である。

また、上記非晶質セラミックからなる絶縁膜５は耐プラズマ性の優れた酸化アルミニウムや、酸化イットリウム、酸化イットリウムアルミニウム等の希土類酸化物、窒化物で構成されることが好ましい。特に、酸化イットリウムが優れている。

また、本発明の金属とセラミックからなる導電性基体２は、導電性基体２の熱膨張係数が骨格をなす多孔質セラミック体の熱膨張係数に依存するところが大きく、上記セラミックとして炭化珪素や窒化アルミニウムが好ましい。また、導電性基体２の熱伝導率は気孔部に充填した金属の熱伝導率に依存するところが大きいため、両者の配合比をそれぞれ変えることにより、導電性基体２の熱膨張係数と熱伝導率を適宜に調整することができる。特に、上記金属としてはウェハＷに影響の少ないアルミニウムやアルミニウム合金が好ましい。

従って、導電性基体２は、アルミニウムまたはアルミニウム合金の何れか一つの金属成分と、炭化珪素または窒化アルミニウムの何れか一つのセラミック成分からなり、該セラミック成分の含有量が５０〜９０質量％であることが好ましい。

導電性基体２のセラミック成分の含有量が５０質量％より少なくなると導電性基体２の強度が大きく低下するとともに、導電性基体２の熱膨張係数が多孔質セラミック体よりもアルミニウム合金の熱膨張係数による依存度が大きく導電性基体２の熱膨張係数が大きくなり、非晶質セラミックからなる絶縁膜５との熱膨張差が大きくなり過ぎることから絶縁膜５が剥離する虞がある。

逆に、導電性基体２のセラミック成分の含有量が９０質量％より多くなると、セラミックの開気孔率が小さくなりアルミニウム合金を充分に充填できなくなり、熱伝導や電気伝導が極端に低下してしまい、導電性基体として機能を果たさなくなる。上記セラミックとして窒化珪素や炭化珪素や窒化アルミニウム、アルミナなど低熱膨張で高剛性の多孔質セラミックを用いる。気孔部に隙間なくアルミニウム合金を充填するためには、気孔径が１０〜１００μｍの多孔質セラミック体を用いることが望ましい。

なお、多孔質セラミック体の気孔部に金属を充填する方法としては、予め多孔質セラミック体を入れて加熱しておいたプレス機に溶融金属を注入し、加圧プレスすれば良い。

ＳｉＣの質量比率を５０〜９０％にすることにより、導電性基体２の熱膨張率を１１×１０^−６〜５×１０^−６／℃程度に変えることができるため、絶縁膜５の熱膨張率や成膜応力に合わせることが可能となる。

また、本発明の静電チャック１が用いられるエッチング工程の腐食性のガスは不記載のカバーリング等で保護された静電チャック１の側面や裏面の雰囲気露出面にも若干侵入するため、プラズマに対する耐食性を高める上で保護膜があることが好ましい。

ウェハ載置面５ａに比べて浸食が少ない導電性基体２の側面及び裏面にアルミナ溶射膜やアルミニウムの陽極酸化膜を形成し保護膜とすることが好ましい。上記のアルミナ溶射膜の厚みは５０〜５００μｍ形成することが好ましい。また、上記のアルミニウムの陽極酸化膜の厚みは２０〜２００μｍ形成することが好ましい。

保護膜としてアルミナの溶射膜を形成する場合は導電性基体２の表面の材質は問わないが、保護膜としてアルミニウムの陽極酸化膜を形成する場合は導電性基体２の表面がアルミニウム合金である必要がある。前述の多孔質セラミック体にアルミニウム合金を含浸させた導電性基体２に陽極酸化膜を施しても表面のアルミニウム部分のみに陽極酸化膜が成長するだけで部分的にセラミック部分が露出した構造になり、耐プラズマ性が低下し、プラズマ雰囲気と導電性基体２との間の絶縁性が悪くなるため、アルミニウム合金を含浸させる際に、アルミニウム合金を導電性基体２の表面に形成した導電性基体２を作製することが好ましい。そして、アルミニウムの陽極酸化膜を形成することにより、耐プラズマ性を高め、更に表面のアルミニウムを酸化することで表面の絶縁性を備えることができる。

尚、保護膜は導電性基体２の表面を覆うものを説明したが、絶縁層３の露出部を同時に覆ってもよいことは言うまでもない。

また、絶縁層３は導電性基体２や絶縁膜５の熱膨張係数に近く絶縁性の優れた絶縁膜５と同じ組成の膜や、ホウ珪酸ガラスやホウ酸ガラスを使用できる。

また、絶縁層３は非晶質セラミックスから構成することもできる。ここで、非晶質セラミックスとはアルミナ質、アルミナイットリア酸化物質、窒化物質等のセラミックス結晶組成を基本組成とするものを指す。

絶縁層３が絶縁膜５と同様の非晶質セラミックス組成物からなる場合は、その厚みは１０〜１００μｍが好ましい。１０μｍ以下では絶縁破壊する虞があり、１００μｍを越えると量産性に劣るからである。

また、非晶質セラミックス以外の一般的なガラス組成物を絶縁層３とする場合、絶縁層３の厚みは載置面５ａに載せられたウェハＷの熱を伝えやすいように１９９０μｍ以下が好ましく、且つ導電性基体２と吸着電極４の間の絶縁性を確保するには、１０μｍ以上が好ましい。更に好ましくは２０〜１０００μｍでより好ましくは５０〜３００μｍである。

また、ガラス組成物からなる絶縁層３はプラズマ雰囲気における耐食性に劣ることから、絶縁膜５の外周部が絶縁層３を覆うように形成されていることが好ましい。このように形成することで、静電チャック１の耐食性を増すことができるとともに静電チャック１の信頼性をも高めることができ、静電チャック１の寿命も長くなる。

次に本発明の静電チャック１の製法について述べる。

まず、アルミナまたは窒化アルミニウムからなるセラミックスグリーンシートを複数枚重ね積層体を作製し、一方の主面にモリブデンペースト又はタングステンペーストからなる吸着電極４を印刷する。一方、別途セラミックスグリーンシートを複数枚重ね積層体を作製する。そして、加圧して圧着した後、一体に焼結させる。焼結体の外径を研削加工して、その後厚みを２ｍｍ以下に研削加工することにより吸着電極４を埋設させた板状セラミックス体を得る。

上記板状セラミックス体の所定の位置に吸着電極４を貫通する穴を開け、給電端子６ａ、６ｂをロウ付け接合する。そして、アルミニウムからなる導電性基体２とシリコン接着剤やエポキシ接着剤を使い接合し本発明の静電チャック１を得ることができる。

次に、導電性基体２として炭化珪素の多孔質体にアルミニウム合金を含浸させると同時に表面層をアルミニウム合金とした導電性基体２に陽極酸化膜を形成して耐プラズマの保護膜とし、酸化アルミニウムからなる非晶質セラミック絶縁膜５をスパッタ法により形成した静電チャック１について説明する。

平均粒径６０μｍ程度の炭化珪素粉末に対し、酸化珪素（ＳｉＯ_２）粉末とバインダー及び溶媒を添加混練したあとスプレードライヤーにて顆粒を製作した。そして、この顆粒をラバープレス成形法にて円盤状の成形体を形成したあと、真空雰囲気下にて通常の焼成温度より低い１０００℃程度の温度で焼成することにより、気孔率２０％を有する、窒化珪素製の多孔質セラミック体を作製し、所望する形状に加工する。

そして、この多孔質セラミック体をプレス機のダイに装填し、このダイを６８０℃まで加熱したあと、溶融させた純度９９％以上のアルミニウム合金をダイに充填し、パンチを降下させて９８ＭＰａにて加圧した。そして、この加圧状態のまま冷却することにより、気孔部に金属としてアルミニウム合金が充填された多孔質セラミック体を形成し、ダイのサイズは多孔質セラミック体のサイズより大きめのものを使用すると導電性基体２の表面の全面にアルミニウム合金層が形成され、所定の形状にすることにより導電性基体２を得ることができる。

そして上記導電性基体２の表面のアルミニウム合金層の表面を陽極酸化被膜処理を行いアルミニウムの陽極酸化膜を得ることができる。陽極酸化被膜処理は蓚酸または硫酸等の酸に導電性基体２を陽極として、炭素等を陰極として浸し電気分解すると、アルミニウム合金の表面にγ−Ａｌ_２０_３が被膜して生成する。この被膜は多孔質状であるため、該被膜を沸騰水に浸す、あるいは加熱蒸気と反応させることにより緻密なベーマイト（ＡｌＯＯＨ）被膜からなる保護膜が得られる。

上記の保護膜を形成した導電性基体２に絶縁膜５を形成するには、絶縁膜５を形成する面の上記保護膜を切削加工で除去した後、導電性基体２表面の鏡面加工を行い、成膜面として仕上げる。

また、上記導電性基体２に保護膜としてアルミナ溶射膜を形成する場合は、導電性基体２の表面をブラスト処理等で粗面化したのちにアルミナの溶射を施す方が密着性を大きくできる。更にアルミナの溶射をする前の下地処理としてＮｉ系の金属膜を溶射すると保護膜との密着性が大きく好ましい。アルミナの溶射膜は、４０〜５０μｍ程度のアルミナ粉末を大気プラズマや減圧プラズマで溶融・照射することで形成する。気密性を高めるために減圧プラズマで行うことが好ましい。

溶射膜のみでは開気孔が存在するため、有機珪素化合物や無機珪素化合物を含浸させて加熱することで封孔処理を行い保護膜とする。

上記導電性基体２の上記仕上げ面に形成する非晶質セラミックからなる絶縁膜５はスパッタによって作製する。平行平板型のスパッタ装置に絶縁膜５として成膜したい組成のターゲットをセットする。ここでは酸化アルミニウム焼結体をターゲットとし、該ターゲットと対向するように導電性基体２を銅製のホルダーの中にセットする。導電性基体２の裏面とホルダー表面はＩｎとＧａからなる液状合金を塗り貼り合わせることにより導電性基体２とホルダーとの間の熱伝達が大きくなり、導電性基体２の冷却効率を上げることができることから良質な非晶質セラミックからなる絶縁膜５を形成することができる。

このように導電性基体２をスパッタのチャンバー内にセットし、真空度を０．００１Ｐａとした後、アルゴンガスを２５〜７５ｓｃｃｍ流す。

そして、ターゲットとホルダーの間にＲＦ電圧をかけることによりプラズマが発生する。そして、ターゲットのプレスパッタ及びセラミック基体２側のエッチングを数分間行いターゲットと導電性基体２のクリーニングを行う。

酸化アルミニウム製の非晶質セラミックからなる絶縁膜５の成膜は上記のＲＦ電力を３〜９Ｗ／ｃｍ^２にしてスパッタを行う。また、導電性基体２側には−１００〜−２００Ｖ程度のバイアスをかけてターゲットから電離した分子及び電離したアルゴンイオンを引きつける。しかし、導電性基体２が絶縁されていると電離したアルゴンイオンにより導電性基体２の表面が帯電してしまい、次のアルゴンイオンが入りにくい状態になる。膜中に入ったアルゴンイオンは電荷を放出してアルゴンの状態に戻り、膜中に残留する。アルゴンを膜中に多く取り込むには成膜時に導電性基体２の給電口からＩｎＧａ層、ホルダーの経路で電荷を逃がし、常にアルゴンを非晶質セラミックからなる絶縁膜５に取り込みやすい状態にしておくことが必要である。

また、導電性基体２の冷却が悪いと部分的に非晶質セラミックからなる絶縁膜５が非晶質から結晶化してしまい、部分的に耐電圧が悪くなったり、耐プラズマ性が悪くなってしまう。導電性基体２の冷却は装置の冷却板に冷却水を流すことで基板ホルダー内を充分冷却して導電性基体２の温度を数十度に保つことが良い。

絶縁膜５の成膜レートは３μｍ／時間にて１７時間成膜し、約５０μｍの膜厚の非晶質セラミックからなる絶縁膜５を作製した。

その後、非晶質セラミック絶縁膜５の表面をポリッシング等で整えることにより載置面５ａを形成し静電チャック１を完成する。載置面５ａにはブラスト加工やエッチング加工により凹部を設けることができる。凹部とウェハＷの間にはガスが充填されウェハＷと載置面５ａの間の熱伝導率を高めることができるとともに、非晶質セラミックスからなる載置面５ａは表面粗さが小さくすることができることから、ウェハＷ表面と面接触により吸着することがあり、載置面５ａの面積に対し５０％以上の凹部を設けると面吸着によるウェハＷの離脱特性の悪化を防止することができる。

直径２９８ｍｍで、厚み２８ｍｍのＳｉＣ多孔質体にアルミニウム合金を含浸させ、側面と上下面に厚み１ｍｍのアルミニウム合金層を設け、ＳｉＣが８０質量％とアルミ合金が２０質量％とからなる直径３００ｍｍ、厚み３０ｍｍの導電性基体を得た。

また、純度９９％、平均粒径１．２μmのＡｌＮ粉末に、焼結助剤としてＣｅＯ_２を１５重量％添加し、更に有機バインダーと溶媒を加えて泥奬を作製し、ドクターブレード法にて厚さ約０．５ｍｍの窒化アルミニウムグリーンシートを複数枚製作した。このうち一枚の窒化アルミニウムグリーンシートには、円弧状電極の幅と櫛歯状電極の幅を変えて導体ペーストを吸着電極の形状にスクリーン印刷した。

上記静電吸着電極となる導体ペーストには、ＷＣ粉末とＡｌＮ粉末とを混合して粘度調整した導体ペーストを用いた。

そして、窒化アルミニウムグリーンシートを所定の順序で積み重ね、５０℃で、４．９ｋＰａの圧力で熱圧着することにより窒化アルミニウムグリーンシート積層体を形成し、切削加工を施して円盤状に形成した。

次いで、窒化アルミニウムグリーンシート積層体を真空脱脂した後、窒素雰囲気下で１８５０℃の温度で焼成することにより、吸着電極が埋設された窒化アルミニウム質焼結体からなる板状セラミックス体を製作した。

しかる後、得られた板状セラミックス体に研削加工を施して、外形３００ｍｍ、板厚が４ｍｍで、載置面から吸着電極までの距離が３００μｍとなるように研削加工した後、上記載置面３にラップ加工を施し、その表面粗さを算術平均粗さ（Ｒａ）で０．２μｍに仕上げて載置面を形成するとともに、載置面と反対側の表面に、吸着電極と連通する穴を穿孔し、各穴に給電端子を挿入してロウ付けすることにより吸着電極を埋設した板状セラミックス体を得た。

そして、上記板状セラミックス体をアルミニウム合金とＳｉＣからなる導電性基体にシリコン接着剤で接合し静電チャックとした。

そして、上記静電チャックを真空容器に設置し、静電チャックはシリコンウェハを載せたリフトピンを備え、リフトピンを降下させて載置面にウェハを載せた後に吸着電極に５００Ｖの直流電圧を印加し、シリコンウェハを吸着した。その３分後に、印加電圧を遮断しリフトピンを押し上げてウェハを離脱させるウェハ吸着サイクルを５００回繰り返し、真空容器内のパーティクル数をパーティクルカウンタで測定した。

その結果を表１に示す。

試料Ｎｏ．２〜７に示す櫛歯状電極の幅Ｗｋが円弧状電極の幅Ｗｅがより大きな静電チャック１は０．２μｍ以上のパーティクル数が２５０個以下と少なく優れた特性を示すことが分かった。

一方円弧状電極の幅が櫛歯状電極の幅より大きな試料Ｎｏ．１はパーティクル数が７５６個と多く好ましくなかった。

また、試料Ｎｏ．３〜７のように櫛歯状電極の幅Ｗｋが円弧状電極の幅Ｗｅの１．５〜５０倍である静電チャック１のパーティクル数は１４５個以下と優れた特性を示すことが分かった。

更に、試料Ｎｏ．５〜７のように櫛歯状電極の幅（Ｗｋ）が円弧状電極の幅（Ｗｅ）の２０倍〜５０倍の試料はパーティクルの数が８５個以下と更に少なく好ましいことが分かった。

実施例１の試料Ｎｏ．４の電極形状に類似した形状として、一方を正電極として他方を負電極として、櫛歯電極の幅を小さくすることで電極の面積を調整して正電極の面積（Ｓｐ）と負電極の面積（Ｓｍ）の比（Ｓｐ／Ｓｍ）を変えた静電チャックを作製した。

そして、静電チャックの側面にカバーリングを設けて側面をカバーして、ウェハ載置面にウェハＷを載せて、ハロゲンガスとしてＣｌ_２を６０ｓｃｃｍ流しながら４Ｐａの真空度として、載置面の上方に配置した対抗電極と導電性基体２の間に２ｋＷの高周波電力を供給しながらプラズマを対抗電極とウェハＷの間に発生させ、プラズマ発生前の温度と発生後１時間後の載置面の温度の差を載置面の温度変化として評価した。

尚、導電性基体の流路には水を流して水冷冷却を施した。また、載置面の温度は周辺部に位置する円弧状電極の直下に埋設した熱電対と中心付近の櫛歯電極の直下に埋設した熱電対で温度を測定し、その温度差をウェハＷ面内の温度差とした。その結果を表２に示す。

正電極の面積が負電極の面積より大きな試料Ｎｏ．２２〜２５はウェハＷの面内温度差が３℃以下と小さく好ましいことが分かった。

これに対し、負電極の面積が正電極の面積より大きい試料Ｎｏ．２１はウェハＷの面内温度差が４．９℃とやや大きかった。

直径２９８ｍｍで、厚み２８ｍｍのＳｉＣ多孔質体にアルミニウム合金を含浸させ、側面と上下面に厚み１ｍｍのアルミニウム合金層を設けたＳｉＣが８０質量％とアルミ合金が２０質量％とからなる直径３００ｍｍ、厚み３０ｍｍの導電性基体を得た。そして、その上面に非晶質セラミックからなる絶縁層を５〜５０μｍの厚みで成膜した。その後、その上に金メッキにより厚み１μｍの吸着電極を形成し、導電性基体を貫通する孔を穿孔し絶縁チューブを介して給電端子を取り付けた後、更にその上に非晶質セラミックとしてアルミナ膜を５〜５０μｍ成膜した。その後、成膜面を研磨加工し載置面として静電チャック試料Ｎｏ．３１〜３５を作製した。

また、試料Ｎｏ．３１で使ったものと同じ導電性基体の上面にガラスコートした後、金メッキで吸着電極を形成したのち、全面にアルミナ溶射膜を設けた試料Ｎｏ.３６と、陽極酸化膜を生成し、その上に１０μｍの非晶質酸化アルミニウム膜を形成した試料Ｎｏ．３７を作製した。

また、アルミナ粉末に重量換算で０．５質量％の酸化カルシウムと酸化マグネシウムを添加し、ボールミルにより４８時間混合した。得られたアルミナのスラリーを３２５メッシュを通し、ボールやボールミル壁の屑を取り除いた後、乾燥機にて１２０℃で２４時間乾燥した。得られたアルミナ粉末にアクリル系のバインダーと溶媒を混合してアルミナのスラリーを作成した。このアルミナスラリーからドクターブレード法にてグリーンテープを作製した。

そして、上記グリーンテープを複数枚重ね積層体を作製し、一方の主面に炭化タングステンペーストからなる吸着電極を印刷した。一方、別途セラミックスグリーンシートを複数枚重ね積層体を作製し、加圧して圧着し積層体を作製した。

更に、窒素雰囲気で、Ｗヒータ及びＷ断熱材からなる焼成炉の中にて１６００℃で２時間の焼成を行い、外径φ３０５ｍｍで厚み２ｍｍのアルミナ質の板状セラミックス体を得た。そして、外形φ３００ｍｍで厚みを０．８ｍｍに研削加工し、吸着電極を貫通する穴を加工し給電端子をロウ付けした。

一方、直径３００ｍｍで厚みが３０ｍｍのアルミニウム合金からなる導電性基体に上記板状セラミックス体をシリコン接着剤で接合し静電チャック試料Ｎｏ．３８を得た。

また、純度９９％、平均粒径１．２μmのＡｌＮ粉末に、焼結助剤としてＣｅＯ_２を１５重量％添加した。更に有機バインダーと溶媒を加えて泥奬を作製し、ドクターブレード法にて厚さ約０．５ｍｍの窒化アルミニウムグリーンシートを複数枚製作した。このうち一枚の窒化アルミニウムグリーンシートには、導体ペーストを吸着電極の形状にスクリーン印刷した。

次いで、窒化アルミニウムグリーンシート積層体を真空脱脂した後、窒素雰囲気下で１８５０℃の温度で焼成することにより、静電吸着電極が埋設された窒化アルミニウム質焼結体からなる板状セラミックス体を製作した。

しかる後、得られた板状セラミックス体に研削加工を施して、外形３００ｍｍ、板厚が１０００μｍから４０００μｍで、載置面から吸着電極までの距離と板状セラミックス体の裏面から吸着電極の距離が等しくなるように研削加工した後、上記載置面３にラップ加工を施し、その表面粗さを算術平均粗さ（Ｒａ）で０．２μｍに仕上げて載置面を形成するとともに、載置面と反対側の表面に、静電吸着電極と連通する穴を穿孔し、各穴に給電端子を挿入してロウ付けすることにより吸着電極を埋設した板状セラミックス体を得た。

そして、上記板状セラミックス体を試料Ｎｏ．３１と同じアルミニウムとＳｉＣからなる導電性基体にシリコン接着剤で接合し静電チャック試料Ｎｏ．３９、４０、４１とした。

そして、載置面の温度変化や絶縁膜の絶縁破壊、クラック、剥離や耐プラズマ性やを評価した。

何れの試料にも中央部の載置面の中央部直下に熱電対を挿入する穴を設け、熱電対により載置面の温度変化を測定した。また、導電性基体には水冷用の流路を設け、温調した冷却水を定量供給した。

絶縁膜の絶縁破壊の評価は、吸着電極に３ｋＶ電圧を印加して絶縁破壊の有無を評価した。

また、耐プラズマ性の評価は、静電チャックの側面にカバーリングを設けて側面をカバーして、ウェハ載置面にウェハＷを載せない状態で、ハロゲンガスとしてＣｌ_２を６０ｓｃｃｍ流しながら４Ｐａの真空度として、載置面の上方に配置した対抗電極と導電性基体の間に２ｋＷの高周波電力を供給しながらプラズマを対抗電極と載置面の間に発生させ１００時間載置面にプラズマを曝した。その後、絶縁膜の状態を観察し、絶縁膜が腐食し導電性基体が露出していないものや、載置面の表面に凹凸が発生していないもの、板状セラミックス体と導電性基体との接着状態を観察した。また、プラズマ発生前の温度と発生後１時間後の載置面の温度の差を載置面の温度変化として評価した。

静電吸着力の測定は常温、真空中で行い、１インチ角のＳｉウェハを載置面に配置して、ウェハＷと導電性基体２に５００Ｖを印加し１分間経過後にＳｉウェハを引き上げ、その引き上げに要した力をロードセルで測定して、その値をＳｉウェハの面積で除して単位面積当たりの静電吸着力とした。また、残留吸着力の測定は真空中で行い、１インチ角のＳｉウェハを載置面に配置して、５００Ｖを２分間印加した後、電圧を切り３秒後にＳｉウェハを引き上げ、その引き上げに要した力をロードセルで測定して、その値を載置面の１インチ角の面積で除して単位面積当たりの残留吸着力とした。

その結果を表３に示す。

本発明の絶縁層と絶縁膜の総厚みが２０〜２０００μｍである試料Ｎｏ．３２〜４０は載置面の温度変化が２℃以下と小さく、絶縁膜の絶縁破壊、クラックや剥離は見られず優れた特性を示すことが分かった。

一方、非晶質セラミックからなる絶縁膜の厚みが小さい試料Ｎｏ.３１はクラックや剥離は見られなかったが、プラズマにより腐食し導電性基体が露出し短時間で使用できなかった。また、試料Ｎｏ.４１は絶縁膜と絶縁層の総厚みが４０００μｍと大きく、載置面がプラズマで加熱され、載置面の温度が３．１℃も上昇し、ウェハＷを所定の温度で加工処理することが難しかった。

また、試料Ｎｏ．３２〜３５は絶縁膜が非晶質セラミックからなることから載置面の温度変化が小さく、絶縁膜の絶縁破壊、クラックもなく、対プラズマ性が良好でありより優れた特性を示すことがわかった。

更に、試料Ｎｏ．３２〜３４は絶縁膜の厚みが１０〜１００μｍで吸着力が２５００Ｎ／ｍ^２以上と大きく残留吸着力は１０Ｐａ以下と更に優れた特性を示すことが分かった。

また、アルミニウムの陽極酸化膜の上に非晶質アルミナからなる絶縁膜を備えた試料Ｎｏ．３７は、吸着力が３５００Ｎ／ｍ^２と大きく好ましいが、残留吸着力が６００Ｎ／ｍ^２とやや大きかった。この残留吸着力がやや大きいのは陽極酸化膜と非晶質アルミニウム酸化膜の体積固有抵抗が異なることが原因と考えられる。

次に導電性基体２は実施例１で用いた直径３００ｍｍの複合材料を用いて、絶縁膜５として非晶質酸化アルミニウムを用い、様々な成膜条件を変え、非晶質セラミック絶縁膜５に含まれるアルゴン量を変えた膜を作製し、剥離やクラックの発生の有無を評価した。

尚、剥離やクラックは、静電チャックの上面に実施例３と同様にプラズマを１０分間発生しその後１０分間停止するプラズマサイクルを５００回繰り返した前後で評価した。

アルゴン量が０．５原子％と小さい試料Ｎｏ．４３は、絶縁膜にクラックが生じた。

しかし、本発明の希ガス類元素としてアルゴンを１〜１０原子％含む試料Ｎｏ．４４〜４７は絶縁膜にクラックが発生することが無く、絶縁破壊していないことから希ガス類元素は１〜１０原子％が好ましいことが分った。

次に導電性基体２は実施例３で用いた直径３００ｍｍで厚みが３０ｍｍを使い、絶縁膜５として非晶質の酸化アルミニウムを用い、成膜条件を変えて絶縁膜５のビッカース硬度を変えた膜を作製し、剥離やクラックの発生の有無を確認した。

導電性基体２の上に様々な成膜条件で作った３０μｍの酸化アルミニウムの非晶質セラミックからなる絶縁膜５を備えたものを評価した。

ビッカース硬度は、ＪＩＳＲ１６１０の硬さ記号ＨＶ０．１に対応し荷重０．９８Ｎを１５秒間加えその圧痕の大きさから測定した。

ビッカース硬度が４００ＨＶ０．１と小さい試料Ｎｏ．５１はクラックが発生しなかったが、絶縁破壊が生じた。これは硬度が小さすぎるため膜に傷が入り、そのため絶縁破壊が発生したと考えられる。また、ビッカース硬度が１２００ＨＶ０．１と大きな試料Ｎｏ．５５は絶縁膜にクラックが発生した。これは膜が内部応力を緩和できずにクラックが発生したと考えられる。

従って、試料Ｎｏ.５２〜５４のようにビッカース硬度は５００〜１０００ＨＶ０．１が好ましいことが分かった。

非晶質セラミックからなる絶縁膜の材質を酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化イットリウムアルミニウム、酸化セリウムと変えた試料Ｎｏ．６１〜６４と比較例として絶縁膜が多結晶アルミナからなる試料Ｎｏ．６５をプラズマに曝して絶縁膜のエッチングレートを比較した。

その評価方法は、静電チャックの外周表面及び側面にカバーリングを設けて絶縁膜がついていない箇所をカバーして、絶縁膜表面にプラズマを照射した。プラズマの条件としてはハロゲンガスとしてＣｌ_２を６０ｓｃｃｍ流しながら４Ｐａの真空度として、載置面の上方に配置した対抗電極と導電性基体の間に２ｋＷの高周波電力を供給しながらプラズマを対抗電極と載置面の間に発生させ２時間プラズマに曝した。そして、絶縁膜のエッチングによる磨耗厚みからエッチングレートを算出した。各膜の磨耗厚みを焼結アルミナの磨耗厚みで除した値をエッチングレートとした。その結果を表６に示す。

多結晶アルミナからなる試料Ｎｏ．６５のエッチングレートに対して非晶質セラミックからなる酸化アルミニウム膜Ｎｏ．６１は０．７と小さく、酸化イットリウムや酸化イットリウムアルミニウム、酸化セリウムなどの非晶質セラミックからなる絶縁膜５のエッチングレートはそれぞれ０．２、０．３、０．３と更に小さく、非常に耐プラズマ性が優れることが分かった。

直径２９８ｍｍ、厚み２８ｍｍのＳｉＣの含有率を５０〜９０質量％（残りはアルミニウム合金）に変えた物を用いて、側面と上下面に厚み１ｍｍのアルミニウム合金層を設けた直径３００ｍｍ、厚み３０ｍｍの導電性基体２の上面に非晶質セラミックからなる酸化アルミニウム膜を成膜し、―２０℃〜２００℃の温度サイクルテストを行ったが、非晶質酸化アルミニウム膜にクラックの発生は見られなかった。

直径２９８ｍｍ、厚み２８ｍｍのＳｉＣが８０質量％とアルミ合金が２０質量％となるＳｉＣ多孔質体にアルミニウム合金を含浸させ、側面と上下面に厚み１ｍｍのアルミニウム合金層を設けた直径３００ｍｍ、厚み３０ｍｍの導電性基体２の上面に非晶質酸化アルミニウム、それ以外の面に耐プラズマ保護膜としてアルミニウムの陽極酸化膜を生成したものとアルミナの溶射膜を成膜し作製した静電チャック１を―２０℃〜２００℃の温度サイクルでテストしたが、保護膜にクラックの発生は見られなかった。

（ａ）は本発明の静電チャックの斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。図１の静電チャックの吸着電極の一例を示す平面図である。従来の静電チャックの断面構造図である。（ａ）は従来の静電チャックの断面構造図であり、（ｂ）は（ａ）の静電チャックの吸着電極を示す平面図である。

符号の説明

１、１０、２１：静電チャック
２：導電性基体
３：絶縁層
４：吸着電極
５、１１ａ、２２：絶縁膜
５ａ、１１ｂ、２２ａ：載置面
２４：アルミニウム合金基体
２５：給電口
２６：陽極酸化膜

Claims

板状体の上面に形成した一対の吸着電極を覆うように絶縁膜を形成し、該絶縁膜上を載置面とした静電チャックにおいて、前記吸着電極は外周縁の円弧状電極と、これと繋がる櫛歯状電極とからなり、かつ双方の櫛歯状電極を互いに入り組ませて形成し、上記櫛歯状電極の幅を上記円弧状電極の幅より大きくしたことを特徴とする静電チャック。
上記櫛歯状電極の幅が上記円弧状電極の幅の１．５倍〜５０倍であることを特徴とする静電チャック。
上記一対の吸着電極が正電圧を印加する正電極と負電圧を印加する負電極をなし、前記正電極の面積を前記負電極の面積より大きくしたことを特徴とする請求項１または２に記載の静電チャック。
上記板状体が導電性基体の少なくとも一方の主面に絶縁層を備えたものであり、その上面に吸着電極と、該吸着電極を覆うように絶縁膜を備え、上記絶縁層と絶縁膜との総厚みが２０〜２０００μｍであることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の静電チャック。
上記絶縁膜が非晶質セラミックからなることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の静電チャック。
上記絶縁膜は酸化物からなる均一な非晶質セラミックから成り、その厚みが１０〜１００μｍであることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の静電チャック。
上記絶縁膜は、希ガス類元素を１〜１０原子％含むことを特長とする請求項５または６に記載の静電チャック。
上記絶縁膜のビッカース硬度が５００〜１０００ＨＶ０．１であることを特徴とする請求項５〜７の何れかに記載の静電チャック。
上記絶縁膜が酸化アルミニウムまたは希土類の酸化物の何れか一つを主成分とすることを特徴とする請求項５〜８の何れかに記載の静電チャック。
上記導電性基体がアルミニウムまたはアルミニウム合金の何れか一つの金属成分と、炭化珪素または窒化アルミニウムの何れか一つのセラミック成分からなり、該セラミック成分の含有量が５０〜９０質量％であることを特徴とする請求項４に記載の静電チャック。