TWI373806B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TWI373806B TWI373806B TW097129525A TW97129525A TWI373806B TW I373806 B TWI373806 B TW I373806B TW 097129525 A TW097129525 A TW 097129525A TW 97129525 A TW97129525 A TW 97129525A TW I373806 B TWI373806 B TW I373806B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- plasma
- end point
- etching
- regression line
- signal
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
- H01J37/32963—End-point detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
1373806 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明’係有關於蝕刻終點判定方法,特別是有關於 能夠將使用有電漿放電之蝕刻處理的終點以高精確度來判 定之蝕刻終點判定方法。 【先前技術】 在半導體晶圓之乾蝕刻處理中,電漿發光中之特定波 長的光之發光強度,係伴隨著特定之膜的蝕刻之進行而變 化。因此,在半導體晶圓之蝕刻處理中,係可檢測出電漿 發光中之特定波長的發光強度之變化,並根據此檢測結果 而檢測出特定之膜的蝕刻終點。 例如,在專利文獻1中,係揭示有:在對被蝕刻材進 行鈾刻時,取得在蝕刻裝置內所發生之電漿發光訊號,並 對於所取得之訊號而求取出多項式所致之線性模式又或是 非線性模式。而後,求取出前述訊號與所求得之模式的計 算値間之差,並當此誤差之時間變化率超過了特定之臨限 値時,作爲蝕刻之終點而檢測出來。 [專利文獻1]日本特開2004-79727號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 於近年,伴隨著半導體晶圓中之加工尺寸的細微化、 高積體化,開口率(相對於半導體晶圓之面積的被蝕刻面 -5- 1373806 積之比)係變小。因此,在鈾刻終點附近之從電漿而來的 發光強度變化,係變爲微小者。又,蝕刻所致之加工尺寸 的精確度,係變得越來越嚴格。 例如,在蝕刻之終點判定中,就算是終點判定時間僅 延遲了數秒,在欲施加蝕刻之膜的下層處,膜係被過剩的 蝕刻’而會產生加工尺寸之混亂或者是被施加有側向蝕刻 (對於橫方向之過度的蝕刻),使加工形狀惡化。 Φ 爲了避免此種尺寸之混亂或是形狀惡化,係有必要將 蝕刻終點附近之微小的發光強度變化確實地且在更早的階 • 段而檢測出來’並移行至接下來的被稱爲過蝕刻之將被蝕 _ 刻膜的殘渣等除去的工程。 若是發光強度之變化變爲微小,則在將發光強度的變 化使用例如多項式所致之線性模式來作檢測的情況等時, 由於作爲誤差會包含有訊號成分方向而被檢測出來,因此 ’在低開口率的情況等中,容易受到被包含於訊號中之雜 φ 訊的影響’而將蝕刻終點確實地且在更早的階段檢測出來 一事,係成爲困難。 本發明,係有鑑於此種問題點而進行者,其目的,係 在於提供一種:能夠將蝕刻終點確實地且在更早的階段而 檢測出來,並判定蝕刻終點之蝕刻終點判定技術。 [用以解決課題之手段] 本發明,係爲了解決上述課題,而採用下述一般之手 段。 -6 - 1373806 一種在將處理氣體經由氣體導入手段而導入至真空處 理室中’並對所導入之處理氣體供給高頻能量而產生電漿 ’再使用所產生之電漿,來對被收容在前述處理室內之被 處理體施加電漿處理的電漿蝕刻裝置中,判定蝕刻處理之 終點的蝕刻終點判定方法,其特徵爲,具備有:將在前述 真空處理室內所生成之電漿的發光中之預先所設定的波長 之光抽出’並將所抽出之前述特定波長之光的發光強度作 0 爲時間系列資料來取得,再以所取得之前述時間系列資料 爲依據來演算出回歸直線的步驟;和演算出藉由該步驟所 • 求取出之回歸直線與前述時間系列資料間之時間軸方向之 . 距離的步驟,並以藉由該步驟所求取出之時間軸方向之距 離爲依據,而判定蝕刻處理之終點。 [發明之效果] 本發明,由於係具備有以上之構成,因此,係能夠提 φ 供一種:能夠將蝕刻終點確實地且在更早的階段而檢測出 來,並判定鈾刻終點之蝕刻終點判定技術。 【實施方式】 以下,針對本發明之最佳實施形態,一面參考圖面並 作說明。圖1,係爲對本實施形態之蝕刻終點判定裝置作 說明之圖。蝕刻裝置101,係具備有真空容器102,在真 空容器102之內部,係經由未圖示之氣體導入手段而導人 蝕刻氣體,並進而對所導入之蝕刻氣體供給微波電力g, -7- 1373806 而分解蝕刻氣體並產生電漿,再使用此電 前述真空容器內之晶圓等的試料施加蝕刻 在蝕刻處理中,藉由分光器而將在前 所發生之電漿的特定波長之發光作分光, 到之特定波長的訊號成分,係被取入至演 此,演算部1 〇 5,例如係藉由個人電腦( 〇 被取入之訊號,首先係藉由回歸直線 導出回歸直線式。此時所取入之訊號,由 之變化係爲明顯,因此,係以施加有增益 強度放大或縮小)處理爲理想。 接下來,藉由距離演算器107,而演 到之訊號起直到過去之某一時間點爲止所 藉由演算所求取出之回歸直線(藉由前述 示),其兩者間的距離。 此時,在演算中所使用之訊號數,係 又’係具備有將所計算出之回歸直線的斜 直線斜率保持器1〇8、以及演算器109, 對藉由距離演算器107所求取出之値(距 直線斜率保持器中之値(斜率)作演算, 時間方向成分。終點判定器1 1 〇,係對前: 演算結果作監視,並當演算結果超過了預 準位時’輸出終點判定訊號。此終點判定 顯示器111處。 漿而對被收容在 處理。 述真空處理室內 而藉由分光所得 算部105中。於 pc )等而被構成 演算器106而被 於在時間軸方向 (gain,將訊號 算出從最新所得 得到的訊號、和 回歸直線式而表 可任意作設定。 率之値作保持的 演算器109,係 離)與被保持於 而求取出距離之 ®演算器109之 先所設定之判定 訊號,係顯示於 -8 - 1373806 圖2,係爲對演算蝕刻之終點的演算部ι〇5之處理作 說明的圖。首先’將伴隨著蝕刻處理的電漿發光中之特定 波長的光,藉由分光器來作爲時間系列資料而取出,並將 所取出之資料輸入至演算部105處(步驟S200 )。 所輸入之時間系列資料,首先係藉由增益演算器而被 進行增益處理。在增益處理中’例如係藉由將訊號波形縮 小爲0.001倍’來使時間軸方向成分之變化成爲能夠顯著 I 地顯現。另外’此資料,係有必要較用以求取下一個回歸 直線的訊號點數以及用以求取與回歸直線間之距離所必要 . 之距離演算訊號數爲更多(步驟S201 )。 當所得到之訊號數成爲了該些之必要的訊號數以上, 又或是經過了特定之判定開始時間時,係進行求取出回歸 直線之演算處理。求取回歸直線之演算,例如係可藉由最 小平方法等來作求取。又,在求取回歸直線之演算中所使 用的訊號,係設爲從最新之訊號起直到任意的過去之點爲 φ 止。另外,此時所得到之回歸直線的斜率之資料,係藉由 回歸直線斜率保持器108而作保持(步驟S202、S203、 S204、S205 )。 接下來,使用所求取出之回歸直線,而求取出其與過 去所得到的訊號間之距離。在用以求取距離時所使用的訊 號,係可使用從最新之訊號起直到任意的過去之點爲止。 所使用之訊號點數Μ,例如係爲較演算回歸直線時所使用 的點數爲更多之點數。 又,從回歸直線起直到過去之某一點爲止的距離,若 -9-
1373806 是回歸直線係藉由式1而被表示,則係可由式 來。另外,在式2中,xl、yl係代表過去之 座標以及y座標。 [式1] y=a*t+b [式2] |y1-a*t1-b| d=-
Vi+a2 藉由式2,所求取之距離,若是將橫軸設焉 將縱軸設爲訊號強度,則係包含有時間以及訊敦 者的成分(步驟S206 )。 在從伴隨著蝕刻處理之電漿而來的訊號中, 雜訊成分,此雜訊成分,係作爲縱軸之訊號強g 現。因此,藉由僅將經由距離演算所得到的訊雖 # 軸方向成分dx抽出,能夠減輕前述雜訊成分戶/ 。另外,與前述回歸直線間之距離的時間軸成: 可藉由式3而計算出來。 [式3] |a*(y1-a*t1-b)| dt=- 1+a2 與回歸直線間之距離的時間軸方向成分dx 理,係在任意所設定之距離算出訊號點數Μ的 行(步驟S 2 0 7 )。 而求取出 一點的X (1) (2) 時間軸, 強度之兩 係包含有 成分而出 中之時間 致之影響 、dx,係 ⑶ 的算出處 全部中進 -10- 1373806 接下來,進行在所有的訊號中所計算出之在與回歸直 線間之距離中的時間軸方向成分之最大値(距離最大値) 的累乘演算。作爲演算方法,例如係將被輸入之訊號作平 方,並當該演算値超過了可任意作設定之臨限値的情況時 ,將其判定爲終點(步驟S209、S210)。藉由進行前述 累乘演算,能夠將訊號成分更進而放大,並將被包含在訊 號中之雜訊減少。 圖3,係爲展示在蝕刻處理中所得到之電漿的發光中 之特定波長的光訊號之例的圖。在此光訊號波形中,由於 開口率之影響等,可判定係爲雜訊成分之訊號的抖動係爲 多,而難以捕捉由於蝕刻之進行所致的波形之變化。 圖4,係爲對回歸直線作說明之圖。回歸直線,係爲 在所得到的光訊號波形之中,例如使用最新之訊號點與過 去之數十個的訊號點而求取出回歸直線。用以計算出回歸 直線而使用的訊號點之數量,係可任意作設定,例如,係 可設定爲20點等。接下來,對所求取出之回歸直線與各 訊號點間之距離作演算。回歸直線與各訊號點間之距離d ,係爲從回歸直線朝向各訊號點或是從各訊號點而朝向回 歸直線所垂下之垂線的長度,而其之時間軸方向成分dt, 係爲在終點判定中所必要之訊號。 圖5,係爲展示回歸直線與各訊號點間之距離dt的演 算結果之圖。於此,係展示當用以求取回歸直線所使用的 訊號點爲20點,用以求取距離所使用之訊號點爲1 00點 的情況時之波形例。以所得到之波形爲依據,而進行蝕刻 -11 - 1373806 之終點的判定。在判定中所使用之臨限値,雖係可任意作 設定,但是,臨限値係有必要設爲能夠將蝕刻終點附近之 變化正確地且在更早的階段而進行判定之値。 圖6,係爲對相對於在圖5中所得到之波形的臨限値 之設定方法作說明的圖。在將臨限値設定爲臨限値2的情 況和將臨限値設定爲臨限値1的情況中,在蝕刻之終點判 定處係會產生約3秒的時間差。亦即是,當將臨限値設定 I 爲臨限値1的情況時,在終點的判定時期處係產生有3秒 的延遲。於此情況,係會有:在晶圓面內的某一點處,經 過了前述蝕刻終點,而於前述3秒的期間中對於不欲進行 蝕刻之面而賦予有損傷的情況。 在圖5中所得到之波形,係爲回歸直線與各訊號點間 之距離的時間軸方向成分之波形。如前述一般,回歸直線 與各訊號點間之距離的時間軸方向成分,由於相對於訊號 之雜訊的影響係爲少,因此,能夠將臨限値設爲如同臨限 φ 値2中所示一般之低的値,藉由此,能夠於早期而對終點 作判定。 另外,作爲在判定中所使用之訊號,若是設定爲回歸 直線與各訊號點間之距離、亦即是從各訊號點而朝向回歸 直線所垂下之垂線的長度d,則前述代表距離之訊號,係 成爲包含有強度成分,而變得難以將在判定中所使用之臨 限値降低》 圖7,係爲回歸直線與各訊號點間之距離的訊號強度 方向成分dy之波形。於圖7中所示之波形,相較於將予 -12- 1373806 回歸直線間之距離的時間軸方向成分dt抽出後之圖5之 波形,可以得知,被包含在訊號波形中之雜訊量係爲多。 又,在波形之降下後,係被觀測到有另外一個的波形之山 峰》此係爲由於光訊號波形降下而被觀測到者,當使用發 光強度訊號成分的情況時,將此成分去除一事係爲不可能 〇 在檢測終點時,例如係有使用有波形之降下部份的進 行較延遲之判定的情況》例如,當在蝕刻中而檢測出終點 的工程中,就算是在殘留有殘渣的狀態下亦想要繼續地進 行蝕刻的情況等之中,較延遲之終點判定係爲有效。在此 種情況中,會有由於前述之波形降下後的訊號成分而導致 誤判定之虞。相對於此,在僅使用時間軸方向成分的情況 時,在波形降下後,係幾乎不包含有雜訊成分,而能夠抑 制誤判定。 圖8,係爲對第2實施形態作說明之圖。於圖8中, 步驟S200乃至208之處理,由於係與圖2中所示之步驟 S200乃至208之處理爲相同,故而係附加相同之號碼並 省略詳細之說明。 如圖8中所示一般,在所有的訊號點中計算出與回歸 直線間之距離d,接下來,計算出在所算出之與回歸直線 間的距離d中之時間軸方向成分dt之最大値(步驟S206 、207、20 8 ),而後,將所算出之距離的時間軸方向成分 dt與回歸直線之斜率作乘算(步驟S212)。將乘算後之 結果與預先所設定之臨限値作比較,當超過了臨限値的情 -13- 1373806 況時Μ則輸出終點判定檢測訊號(步驟S2 1 0、2 1 1 )。 圖9,係爲展示距離之時間軸方向成分的最大値與回 歸直線之斜率的乘算結果之圖。在此情況中,由於亦係僅 將時間軸方向成分抽出,因此,可以得知,被包含於訊號 中之雜訊成分係爲少。亦即是,在此波形中,在進行判定 上,藉由不僅是設定臨限値1,而如同臨限値2 —般地將 臨限値降低,而成爲能夠在更早的階段來進行判定。又, 當並不降低臨限値的情況時,於判定中係成爲能夠對於判 定訊號而減低雜訊之影響,而成爲能夠進行更爲安定之判 定。 圖1 〇,係爲對第3實施形態作說明之圖。於圖1 0中 ,從步驟S201起直到204爲止,係與第1實施形態相同 。從電漿發光訊號來計算出回歸直線,並分別計算出:在 被所得到之回歸直線與所取得之訊號所致的波形而包圍之 面積中,出現在回歸直線之上側的面積;和出現在回歸直 線之下側的面積(步驟S2 1 2 )。又,將此時所得到之面 積値的最大値作記憶(步驟S2 1 3 )。而後,針對所得到 的面積,求取出在回歸直線之上側所作出的面積與在下側 所作出的面積之比。於此,由於係將於上側所作出之面積 與於下側所作出的面積之値係大爲相異一事作爲特徵而檢 測出來,因此,不僅可以爲比,而亦可以爲差。例如,係 可藉由將面積作減算,而計算出演算値(步驟S2 14)。 又,使用此時藉由回歸直線所包圍之面積的最大値,來與 所得到之演算値作乘算,藉由此,來得到最終之判定訊號 -14-
1373806 ,並進行終點判定(步驟S2 1 5 )。將於此所 的演算値作爲終點判定訊號,而判定蝕刻之終點 圖11’係爲展示在回歸直線之上下所作出 差與藉由回歸直線所包圍之面積的最大値的兩; 演算結果之圖。若是使用此演算結果而進行判5 演算値係例如從負而變化爲正,因此,波形係:j 得到一個的山峰1101,在正的方向得到一個的 。故而,例如在進行較延遲判定時,由於波形 作爲由負而朝向正之訊號的變化而被得到,因 値之設定中,例如當將超過了臨限値之後而超 的情況作爲判定條件的情況等時,由於符號係 ,係難以受到雜訊之影響,而成爲能夠進行安 又,此時,與第1實施形態、第2實施形態相 相對於訊號雜訊之影響係爲少,因此在較早的 能夠進行高精確度的判定。 如同以上所說明一般,若藉由本發明之實 係利用回歸直線與各訊號點間之距離的時間軸方 判定終點。因此,在從伴隨著蝕刻處理之電漿而 中,就算包含有雜訊成分,亦由於此雜訊成分係 之訊號強度成分而出現,因此,能夠減低前述雜 致之影響。故而,就算從電漿而來之發光強度變 小,亦能夠將蝕刻終點附近之微小的發光強度變 且在更早的階段時檢測出來,而迅速且確實地判 終點。又,在訊號波形中,當波形係急遽地變化 到之最終 〇 的面積之 之乘積的 ,則由於 負的方向 LJ 峰 1 1 02 反曲點係 ,在臨限 臨限値2 轉,因此 之判定。 的,由於 定中,亦 形態,則 向成分來 來的訊號 作爲縱軸 訊成分所 化係爲微 化確實地 定蝕刻之 的情況時 -15- 1373806 ’由於斜率係變大,因此,藉由進行實施形態2之判定, 能夠得到雜訊成分少之判定波形。又,若是爲欲進行較延 遲之判定的情況,則藉由使用實施形態3,係易於捕捉到 反曲點’而能夠進行安定之判定。如此這般,能夠對各別 之判定方法適切地作選擇。又,在回歸直線中所使用之資 料點數、或是用以算出距離之資料點數的最適化,亦會使 判定精確度大不相同,在所有的判定中,藉由使用適切之 値’判定精確度係大幅提昇》 【圖式簡單說明】 [圖1 ]對實施形態之蝕刻終點判定裝置作說明之圖 〇 [圖2]對演算蝕刻之終點的演算部1〇5之處理作說 明的圖。 [圖3]展示在蝕刻處理中所得到之電漿的發光中之 特定波長的光訊號的圖。 [圖4]對回歸直線作說明之圖。 [圖5]展示回歸直線與各訊號點間之距離的演算結 果之圖。 [圖6]對相對於在圖5中所得到之波形的臨限値之 設定方法作說明的圖。 [圖7]回歸直線與各訊號點間之距離的訊號強度方 向成分之波形。 [圖8]對第2實施形態作說明之圖。 -16- 1373806 [圖9]展示距離之時間軸方向成分的最大値與回歸 直線之斜率的乘算結果之圖。 [圖1 〇]對第3實施形態作說明之圖。 [@ 11]展示在回歸直線之上下所作出的面積之差與 藉由@歸直線所包圍之面積的最大値的兩者之乘積的演算 結果之圖。
【主要元件符號說明】 1 〇 1 :蝕刻裝置 102 :真空容器 103 :光纖 104 :分光器 105 :演算部 1 0 6 :回歸直線演算器 1 〇 7 :距離演算器 108:直線斜率保持器 1 0 9 :距離演算器 1 1 0 :終點判定器 1 1 1 :顯示器 -17-
Claims (1)
1373806 十、申請專利範圍 1. 一種蝕刻終點判定方法 氣體導入手段而導入至真空處理 氣體供給高頻能量而產生電漿, 對被收容在前述處理室內之被處 蝕刻裝置中,判定蝕刻處理之終 其特徵爲,具備有: 將在前述真空處理室內所生 所設定的波長之光抽出,並將所 的發光強度作爲時間系列資料來 時間系列資料爲依據來演算出回 演算出藉由該步驟所求取出 列資料間之時間軸方向之距離的 並以藉由該步驟所求取出之 ,而判定蝕刻處理之終點。 2 . —種蝕刻終點判定方法 氣體導入手段而導入至真空處理 氣體供給高頻能量而產生電漿, 對被收容在前述處理室內之被處 蝕刻裝置中,判定蝕刻處理之終 其特徵爲,具備有: 將在前述真空處理室內所生 所設定的波長之光抽出,並將所 的發光強度作爲時間系列資料來 ,係爲在將處理氣體經由 室中,並對所導入之處理 再使用所產生之電漿,來 理體施加電漿處理的電漿 點的蝕刻終點判定方法, 成之電漿的發光中之預先 抽出之前述特定波長之光 取得,再以所取得之前述 歸直線的步驟;和 之回歸直線與前述時間系 步驟, 時間軸方向之距離爲依據 ,係爲在將處理氣體經由 室中,並對所導入之處理 再使用所產生之電漿,來 理體施加電漿處理的電漿 點的蝕刻終點判定方法, 成之電漿的發光中之預先 抽出之前述特定波長之光 取得,再以所取得之前述 -18- 1373806 時間系列資料爲依據來演算出回歸直線的步驟;和 演算出藉由該步驟所求取出之回歸直線與前述時間系 列資料間之時間軸方向之距離的步驟, 並以藉由該步驟所求取出之時間軸方向之距離、以及 前述回歸直線之斜率爲依據,而判定蝕刻處理之終點。 3. 一種蝕刻終點判定方法,係爲在將處理氣體經由 氣體導入手段而導入至真空處理室中,並對所導入之處理 氣體供給高頻能量而產生電漿,再使用所產生之電漿,來 對被收容在前述處理室內之被處理體施加電漿處理的電漿 蝕刻裝置中,判定蝕刻處理之終點的蝕刻終點判定方法, 其特徵爲,具備有: 將在前述真空處理室內所生成之電漿的發光中之預先 所設定的波長之光抽出,並將所抽出之前述特定波長之光 的發光強度作爲時間系列資料來取得,再以所取得之前述 時間系列資料爲依據來演算出回歸直線的步驟, 並在藉由該步驟所求取出之回歸直線與前述時間系列 資料所包圍之面積中,以其之最大値、以及在前述回歸直 線之上方所形成的面積與在下方所形成的面積之差,其兩 者之乘積爲依據,而判定蝕刻處理之終點。 -19-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008046533A JP5192850B2 (ja) | 2008-02-27 | 2008-02-27 | エッチング終点判定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200937518A TW200937518A (en) | 2009-09-01 |
TWI373806B true TWI373806B (zh) | 2012-10-01 |
Family
ID=40997158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW097129525A TW200937518A (en) | 2008-02-27 | 2008-08-04 | Etching endpoint determination method |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8083960B2 (zh) |
JP (1) | JP5192850B2 (zh) |
KR (1) | KR101015517B1 (zh) |
TW (1) | TW200937518A (zh) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5192850B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2013-05-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング終点判定方法 |
KR101117928B1 (ko) | 2010-06-07 | 2012-02-29 | 명지대학교 산학협력단 | 플라즈마 공정 진단 시스템 및 이에 있어서 종료점 검출 방법 및 장치 |
JP5675195B2 (ja) | 2010-07-20 | 2015-02-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
WO2012071753A1 (zh) * | 2010-11-30 | 2012-06-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 金属蚀刻方法、金属蚀刻控制方法及其装置 |
JP5699795B2 (ja) * | 2011-05-12 | 2015-04-15 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法及半導体製造装置 |
JP6002487B2 (ja) | 2012-07-20 | 2016-10-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 分析方法、分析装置、及びエッチング処理システム |
TWI518525B (zh) * | 2012-10-17 | 2016-01-21 | 東京威力科創股份有限公司 | 使用多變量分析之電漿蝕刻程序的終點偵測方法 |
JP6173851B2 (ja) * | 2013-09-20 | 2017-08-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 分析方法およびプラズマエッチング装置 |
JP6220319B2 (ja) * | 2014-07-17 | 2017-10-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | データ解析方法及びプラズマエッチング方法並びにプラズマ処理装置 |
KR101532897B1 (ko) * | 2015-01-08 | 2015-07-02 | 성균관대학교산학협력단 | 플라즈마 식각 공정의 식각 종료점 진단방법 |
JP2016134530A (ja) | 2015-01-20 | 2016-07-25 | 株式会社東芝 | 加工制御装置、加工制御プログラムおよび加工制御方法 |
JP6310866B2 (ja) | 2015-01-30 | 2018-04-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びに解析方法 |
WO2017087378A1 (en) | 2015-11-16 | 2017-05-26 | Tokyo Electron Limited | Advanced optical sensor and method for plasma chamber |
WO2017172536A1 (en) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | Tokyo Electron Limited | Controlling dry etch process characteristics using waferless dry clean optical emission spectroscopy |
US10453653B2 (en) | 2016-09-02 | 2019-10-22 | Tokyo Electron Limited | Endpoint detection algorithm for atomic layer etching (ALE) |
KR102520779B1 (ko) | 2016-11-18 | 2023-04-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 제조 공정에서 입자 유도 아크 검출을 위한 조성 발광 분광법 |
WO2018170010A1 (en) | 2017-03-17 | 2018-09-20 | Tokyo Electron Limited | Surface modification control for etch metric enhancement |
JP6875224B2 (ja) | 2017-08-08 | 2021-05-19 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置及び半導体装置製造システム |
TWI659258B (zh) * | 2018-05-23 | 2019-05-11 | 亞智科技股份有限公司 | 蝕刻時間偵測方法及蝕刻時間偵測系統 |
JP2022533246A (ja) | 2019-05-23 | 2022-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | ハイパースペクトルイメージングを使用する半導体プロセスの光学的診断 |
US10910201B1 (en) | 2019-08-22 | 2021-02-02 | Tokyo Electron Limited | Synthetic wavelengths for endpoint detection in plasma etching |
JP7413081B2 (ja) * | 2020-02-28 | 2024-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
CN113646874B (zh) * | 2020-03-11 | 2023-07-28 | 株式会社日立高新技术 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
DE102020107518A1 (de) | 2020-03-18 | 2021-09-23 | Aixtron Se | Verfahren zum Ermitteln des Endes eines Reinigungsprozesses der Prozesskammer eines MOCVD-Reaktors |
CN113447243B (zh) * | 2020-05-26 | 2023-03-10 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种终点检测装置、蚀刻设备以及检测方法 |
CN114063479B (zh) * | 2021-11-12 | 2024-01-23 | 华科电子股份有限公司 | 应用于蚀刻机的多路输出模块的射频电源控制方法及系统 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6393115A (ja) * | 1986-10-08 | 1988-04-23 | Hitachi Ltd | 終点判定方法 |
JPH0268435U (zh) * | 1988-11-11 | 1990-05-24 | ||
JPH03181129A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | エッチングの終点検知方法 |
US5362356A (en) * | 1990-12-20 | 1994-11-08 | Lsi Logic Corporation | Plasma etching process control |
US5728253A (en) * | 1993-03-04 | 1998-03-17 | Tokyo Electron Limited | Method and devices for detecting the end point of plasma process |
JP3117355B2 (ja) * | 1993-03-04 | 2000-12-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理の終点検出方法 |
JP3118743B2 (ja) * | 1993-12-04 | 2000-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
EP0735565B1 (en) * | 1995-03-31 | 1999-06-02 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for monitoring the dry etching of a dielectric film to a given thickness |
WO1999040617A1 (fr) * | 1998-02-03 | 1999-08-12 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Procede de detection de point final de traitement au plasma de semi-conducteurs |
JP4051470B2 (ja) * | 1999-05-18 | 2008-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 終点検出方法 |
JP4444428B2 (ja) * | 2000-01-28 | 2010-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング深さの検出方法並びにエッチングモニター装置及びエッチング装置 |
JP3884894B2 (ja) * | 2000-03-01 | 2007-02-21 | 株式会社日立製作所 | プラズマエッチング処理装置 |
JP3708031B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2005-10-19 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置および処理方法 |
JP2004079727A (ja) | 2002-08-15 | 2004-03-11 | Fujitsu Ltd | エッチング終点検出方法、エッチング終点検出システム、エッチング装置、およびエッチング終点検出プログラム |
JP4165638B2 (ja) * | 2002-09-02 | 2008-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プロセスの監視方法及びプラズマ処理装置 |
JP4833687B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2011-12-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
CN101479031B (zh) * | 2006-06-30 | 2012-11-14 | 王子制纸株式会社 | 单粒子膜蚀刻掩模及其制造方法、使用该单粒子膜蚀刻掩模的微细结构体的制造方法及通过该制造方法得到的微细结构体 |
JP2008218898A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
KR100892248B1 (ko) * | 2007-07-24 | 2009-04-09 | 주식회사 디엠에스 | 플라즈마 반응기의 실시간 제어를 실현하는 종말점 검출장치 및 이를 포함하는 플라즈마 반응기 및 그 종말점 검출방법 |
JP5192850B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2013-05-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング終点判定方法 |
-
2008
- 2008-02-27 JP JP2008046533A patent/JP5192850B2/ja active Active
- 2008-08-04 TW TW097129525A patent/TW200937518A/zh unknown
- 2008-08-12 US US12/189,883 patent/US8083960B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-19 KR KR1020080080828A patent/KR101015517B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-12-14 US US13/325,563 patent/US20120085494A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200937518A (en) | 2009-09-01 |
US20120085494A1 (en) | 2012-04-12 |
KR101015517B1 (ko) | 2011-02-16 |
US8083960B2 (en) | 2011-12-27 |
KR20090092677A (ko) | 2009-09-01 |
US20090211706A1 (en) | 2009-08-27 |
JP2009206275A (ja) | 2009-09-10 |
JP5192850B2 (ja) | 2013-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI373806B (zh) | ||
TW200952054A (en) | Method and apparatus for detecting plasma unconfinement | |
JP2006518913A (ja) | 時分割多重化エッチプロセスにおける終点検出 | |
JP2010251813A (ja) | 時分割多重プロセスにおける包絡線フォロア終点検出 | |
JP2008205436A (ja) | 微細構造体の製造方法 | |
WO2007024614A2 (en) | Selection of wavelenghts for end point in a time division multiplexed process | |
WO2008092936A3 (en) | Method and apparatus for measuring process parameters of a plasma etch process | |
KR100407025B1 (ko) | 클리닝 공정의 종점 검출 장치 및 방법 | |
KR940022770A (ko) | 플라즈마 처리의 종점검출방법 및 그 장치 | |
TW201211522A (en) | Reaction chamber air-leakage detection method and vacuum reactor control method | |
JP5384758B2 (ja) | プラズマエッチング装置 | |
MY149338A (en) | Notch stop pulsing process for plasma processing system | |
JP2009194356A (ja) | エッチング量算出方法、記憶媒体及びエッチング量算出装置 | |
JP5967710B2 (ja) | プラズマエッチングの終点検出方法 | |
JP2020083671A5 (zh) | ||
TW201628086A (zh) | 電漿處理裝置 | |
JP2009231718A (ja) | ドライエッチング終点検出方法 | |
JP2001007084A (ja) | エッチング終点判定方法 | |
CN105097589A (zh) | 一种金属硬质掩模一体化刻蚀通孔过刻蚀量的检测方法 | |
JP3884894B2 (ja) | プラズマエッチング処理装置 | |
JP2014072264A5 (zh) | ||
JPH06318572A (ja) | プラズマ処理の終点検出方法およびその装置 | |
TW560080B (en) | A method for detecting the end point of plasma etching process by using matrix | |
RU2392689C1 (ru) | Способ реактивного ионного травления слоя нитрида титана селективно к алюминию и двуокиси кремния | |
US7561258B2 (en) | Wafer tilt detection apparatus and method |