WO2012071753A1 - 金属蚀刻方法、金属蚀刻控制方法及其装置 - Google Patents

金属蚀刻方法、金属蚀刻控制方法及其装置 Download PDF

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王静文
贺成明
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深圳市华星光电技术有限公司
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55—Specular reflectivity
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/45—Nc applications
    • G05B2219/45212—Etching, engraving, sculpturing, carving

Definitions

  • the present invention relates to a metal etching method, a metal etching control method and a device thereof, and more particularly to a metal capable of accurately determining the actual total etching time required for each metal film when etching a batch of metal film. Etching method, metal etching control method and device thereof.
  • the measured end time of the sample metal film is 100 sec and the set ratio is 42%, then the actual total etching time for each metal film is fixed at 142. Sec.
  • the present invention provides a metal etching method for use in a metal wet etching machine comprising the steps of: etching a metal film and obtaining an etching end time of the metal film; The time is multiplied by a fixed ratio to obtain an overetching time of the metal film; and the etching is performed on the metal film to continue etching the metal film.
  • the step of multiplying the etching end time by the fixed ratio is performed by the metal wet etching machine.
  • the end point detector is disposed in the metal wet etching machine for detecting the etching end time of the metal film being etched.
  • the preset algorithm is to multiply the etching end time by a second ratio to obtain the overetching time, and the second ratio is a fixed ratio and a random
  • the etch endpoint time is increased by the sum of the preset additional percentages.
  • the additional percentage is an incremental linear percentage, an unequal series percentage, or a first-order series percentage.
  • the first obtaining module is disposed in the metal wet etching machine for detecting the etching end time of the metal film being etched.
  • the metal etching method, the metal etching control method and the device thereof according to the present invention can accurately determine the actual total etching time required for each metal film when etching a batch of metal film, and reduce etching when the metal film thickness is uneven. The problem of unstable process quality, thereby improving the manufacturing yield of the liquid crystal panel.
  • the substrates 100-1 and 100-2 on which the metal film is plated are placed in the etching bath, and then transported in the direction indicated by the arrow in the figure.
  • the end point detection controller 102 controls the end point detector 104 to emit light to the metal film while sensing whether the emitted light is reflected by the metal film by the receiver of the end point detector 104.
  • the light emitted by the end point detector 104 is reflected by the metal film because the metal film cannot transmit light.
  • Step S502 obtaining an over-etching time of the metal film according to the etching end time and a preset algorithm
  • Step S503 transmitting the over-etching time to the metal wet etching machine, so that the metal wet etching machine continues to etch the over-etching time on the metal film to complete etching of the metal film.
  • Step S603 the end point detection controller obtains an overetching time according to an etching end time and a preset algorithm
  • the ratio of the over-etching time is set to an additional fixed ratio required with the etching end time; or an additional incremental linear percentage required as the etching end time increases; or Is the percentage of the first-order difference series or the percentage of the first-order series obtained from previous experience; or in response to the decreasing concentration of the acid solution, according to the look-up table of the number of metal film etching times and the error deviation percentage, to increase the correction that must be corrected.
  • the etching time sets the error offset of the ratio.
  • the preset algorithm may be specifically implemented by the internal control mechanism of the metal wet etching machine. For example, after the metal wet etching machine receives the etching end time of the metal film from the end point detecting controller 102 and the end point detector 104, The aforementioned calculation and correction may be performed by the aforementioned internal control mechanism.
  • the preset algorithm can be implemented in the endpoint detection controller 102 by using software or firmware. Furthermore, since the present invention will feed back the etching end time of the metal film of each substrate obtained by the end point detector 104 to the end point detecting controller 102. Therefore, even if the concentration of the acid in the etching bath decreases with the number of substrates in which the etching process is performed, the endpoint detector of the present invention can accurately control the quality of the etching process and greatly improve the manufacturing yield of the liquid crystal panel.

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Description

金属蚀刻方法、金属蚀刻控制方法及其装置 技术领域
本发明是有关于一种金属蚀刻方法、金属蚀刻控制方法及其装置，特别是有关于一种对批量的金属膜进行蚀刻时，能精确判定每一金属膜所需的实际总蚀刻时间的金属蚀刻方法、金属蚀刻控制方法及其装置。
背景技术
请参考图1，显示现有制作液晶面板，对金属进行蚀刻的金属湿式蚀刻机1传送承载金属膜的基板100的示意图。制作液晶面板时，会有金属湿式蚀刻机1对金属进行蚀刻的金属湿式蚀刻工序。金属湿式蚀刻是表面镀有金属膜（金属层）的基板100置于盛满酸液的蚀刻槽内，对金属膜未被光阻保护的区域进行蚀刻，以得到为光阻保护的图案。在金属湿式蚀刻机10对批量的金属膜进行蚀刻之前，先从批量的金属膜中选取一块作为样板金属膜，并获取样板金属膜进行蚀刻终点的侦测。目前业界现存有两种方式来进行蚀刻终点的侦测，一是如图2所示，由工作人员150实施抽检，以目视方式结合经验进行判定而获取样板金属膜的蚀刻终点时间。一是会先通过终点侦测机（EPD，End Point Detector）的感测器104获取样板金属膜的蚀刻终点时间，蚀刻终点时间的定义为从基板100（基板100用于承载金属膜）进入盛有酸液的蚀刻槽开始，到终点侦测机的感测器测试到金属膜透光为止。终点侦测机的工作原理为采用光反射/透射原理，当基板100有金属膜时，因金属膜无法透光，终点侦测机的感测器所发射出的光线会被金属膜反射，终点侦测机据此判定仍未达金属膜的蚀刻终点；而当基板100所承载的金属膜被酸液蚀刻完全时，则会透光，感测器射出的光线会穿透基板100而不会被反射，终点侦测机据此判定已达金属膜的蚀刻终点。
获取前述蚀刻终点时间之后，再对批量金属膜进行蚀刻，但为避免蚀刻速率不均的情形，而残留金属膜，因此一般而言在前述蚀刻终点时间之后，会再增加一段过蚀刻（over etching）时间，此为实际总蚀刻时间，其定义为实际总蚀刻时间=蚀刻终点时间+（蚀刻终点时间×过蚀刻比例），以避免残留金属膜的情形。例如：测得的样板金属膜的蚀刻终点时间若为100sec,而设定的比例为42%，那么，对每一块金属膜的实际总蚀刻时间即固定为142 sec。
然而，前述方法仍有缺点，所有批量的金属膜之间，金属膜的膜厚不可能会完全一致。在此情况下，若对每一金属膜以相同的实际总蚀刻时间进行蚀刻。必然地，导致较薄的金属膜被过蚀刻，而较厚的金属膜蚀刻得不够，造成产品质量不稳定。
因此，有必要提供一种金属蚀刻方法、金属蚀刻控制方法及其装置，以解决前述现有技术中所存在的问题。
 技术问题
本发明的主要目的在于提供一种金属蚀刻方法、金属蚀刻控制方法及其装置，对批量的金属膜进行蚀刻时，能精确判定每一金属膜所需的实际总蚀刻时间。
 技术解决方案
为达成本发明的前述目的，本发明提供一种金属蚀刻方法，应用于一金属湿式蚀刻机，包含下述步骤：对金属膜进行蚀刻并获取该金属膜的蚀刻终点时间；将所述蚀刻终点时间乘以一固定比例而得到所述金属膜的过蚀刻时间；以及对所述金属膜继续蚀刻所述过蚀刻时间，完成对所述金属膜进行的蚀刻。
本发明的金属蚀刻方法的一实施例中，所述获取该金属膜的蚀刻终点时间具体为：所述金属湿式蚀刻机从终点侦测器接收该金属膜的蚀刻终点时间；或，所述金属湿式蚀刻机对该金属膜进行蚀刻终点侦测，获得该金属膜的蚀刻终点时间。
本发明的金属蚀刻方法的一实施例中，所述将所述蚀刻终点时间乘以所述固定比例的步骤是由所述金属湿式蚀刻机或所述终点侦测器所执行。
本发明的金属蚀刻方法的一实施例中，所述获取该金属膜的蚀刻终点时间具体为：所述金属湿式蚀刻机对该金属膜进行蚀刻终点侦测，获得该金属膜的蚀刻终点时间。
本发明的金属蚀刻方法的一实施例中，所述将所述蚀刻终点时间乘以所述固定比例的步骤是由所述金属湿式蚀刻机所执行。
本发明的金属蚀刻方法的一实施例中，所述终点侦测器是设置在所述金属湿式蚀刻机内，用以对进行蚀刻的所述金属膜，侦测所述蚀刻终点时间。
本发明的金属蚀刻方法的一实施例中，所述预置的算法是将所述蚀刻终点时间乘以一第一比例而得到所述过蚀刻时间，第一比例为一固定比例与一依据所述金属湿式蚀刻机进行蚀刻的次数所预设的额外固定比例之和。
本发明的金属蚀刻方法的一实施例中，所述预置的算法是将所述蚀刻终点时间乘以一第二比例而得到所述过蚀刻时间，第二比例为一固定比例与一随所述蚀刻终点时间增加所预设的额外百分比之和。所述额外百分比为一递增线性百分比、一等差级数百分比或一等比级数百分比。
为达成本发明的前述目的，本发明提供一种金属蚀刻控制装置，包含：第一获取模块，用于获取金属膜的蚀刻终点时间；第二获取模块，用于根据所述蚀刻终点时间与一预置的算法，得到所述金属膜的过蚀刻时间；以及发送模块，用于向金属湿式蚀刻机发送所述过蚀刻时间，以便于所述金属湿式蚀刻机对所述金属膜继续蚀刻所述过蚀刻时间，完成对所述金属膜进行的蚀刻。
本发明的金属蚀刻方法的一实施例中，所述固定比例为42%。
为达成本发明的前述目的，本发明提供一种金属蚀刻控制方法，应用于一金属湿式蚀刻机，包含下述步骤：获取金属膜的蚀刻终点时间；根据所述蚀刻终点时间与一预置的算法，得到所述金属膜的过蚀刻时间；以及向金属湿式蚀刻机发送所述过蚀刻时间，以便于所述金属湿式蚀刻机对所述金属膜继续蚀刻所述过蚀刻时间，完成对所述金属膜进行的蚀刻。
本发明的金属蚀刻方法的一实施例中，所述预置的算法是将所述蚀刻终点时间乘以一固定比例，而得到所述过蚀刻时间。
本发明的金属蚀刻控制装置的一实施例中，所述第一获取模块为终点侦测器。
本发明的金属蚀刻控制装置的一实施例中，所述第一获取模块是设置在所述金属湿式蚀刻机内，用以对进行蚀刻的所述金属膜，侦测所述蚀刻终点时间。
本发明的金属蚀刻控制装置的一实施例中，所述预置的算法是将所述蚀刻终点时间乘以一固定比例而得到所述过蚀刻时间。
 有益效果
依据本发明的金属蚀刻方法、金属蚀刻控制方法及其装置，能在对批量的金属膜进行蚀刻时，能精确判定每一金属膜所需的实际总蚀刻时间，减少金属膜厚不均时蚀刻工艺品质不稳定的问题，进而提升液晶面板制造良率。
 附图说明
图1是显示现有制作液晶面板，对金属进行蚀刻的金属湿式蚀刻机传送承载金属膜的基板的示意图。
图2是显示现有技术工作人员实施抽检，以目视方式进行金属膜的蚀刻终点时间判定的示意图。
图3是说明本发明金属蚀刻控制装置的结构方块图。
图4是说明本发明终点侦测机进行金属膜的蚀刻终点时间判定的示意图。
图5是说明本发明金属蚀刻控制方法的流程图。
图6是说明本发明金属蚀刻方法的流程图。
 本发明的最佳实施方式
为让本发明上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本发明较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：
请参考图3、图4与图6。图3是说明本发明金属蚀刻控制装置的结构方块图。图4是说明本发明终点侦测机进行金属膜的蚀刻终点时间判定的示意图。图6是说明本发明金属蚀刻方法的流程图。如图3所示，本发明的金属蚀刻控制装置应用于金属湿式蚀刻机，包含第一获取模块10、第二获取模块20以及发送模块30。第一获取模块10用于获取金属膜的蚀刻终点时间；第二获取模块20用于根据蚀刻终点时间与预置的算法，得到过蚀刻时间；发送模块30用于向金属湿式蚀刻机发送过蚀刻时间，以便于金属湿式蚀刻机对金属膜继续蚀刻所述的过蚀刻时间，完成对金属膜进行的蚀刻。第一获取模块10例如可以为终点侦测器104。第二获取模块20以及发送模块30则可以为终点侦测控制器102。但并非以此限定，本发明的第一获取模块10、第二获取模块20以及发送模块30，亦可以由金属湿式蚀刻机内部的控制机制具体实现。终点侦测器104可以是设置在金属湿式蚀刻机内，用以对进行蚀刻的每一个基板100-1、100-2所承载的金属膜，侦测其蚀刻终点时间。
如图5所示，表面镀有金属膜的基板100-1、100-2置入蚀刻槽内后，依图中箭头所示的方向被传送。终点侦测控制器102控制终点侦测器104，射出光线至金属膜，同时以终点侦测器104具有的接受器感测所述射出光线是否为金属膜反射。当金属膜仍未被蚀刻完全时，因金属膜无法透光，终点侦测器104所发射出的光线会被金属膜反射。当金属膜被酸液蚀刻完全时，则会透光，终点侦测器104射出的光线会穿透基板100-1、100-2而不会被反射，终点侦测控制器102即藉此判定已达金属膜的蚀刻终点。从基板100-1、100-2进入蚀刻槽开始至终点侦测控制器102判定金属膜的蚀刻终点之时间间隔即为一蚀刻终点时间。接着，终点侦测控制器102根据蚀刻终点时间与一预置的算法，得到一过蚀刻时间。金属湿式蚀刻机根据终点侦测控制器102得到的过蚀刻时间，对金属膜继续蚀刻所述过蚀刻时间，完成对基板100的金属膜进行的蚀刻。
请参考图4与图5。图5是说明本发明金属蚀刻控制方法的流程图。本发明应用于金属湿式蚀刻机的金属蚀刻控制方法，是利用本发明图3中的金属蚀刻控制装置，在对金属膜蚀刻时进行控制。在本发明此实施例中，金属蚀刻控制方法包含下列步骤：
步骤S501：获取金属膜的蚀刻终点时间；
步骤S502：根据所述蚀刻终点时间与一预置的算法，得到金属膜的过蚀刻时间；以及
步骤S503：向金属湿式蚀刻机发送所述过蚀刻时间，以便于所述金属湿式蚀刻机对所述金属膜继续蚀刻所述过蚀刻时间，完成对所述金属膜进行的蚀刻。
请继续参考图4与图6。本发明的金属蚀刻方法适用于图4中的金属湿式蚀刻机。在本发明此实施例中，由于终点侦测器104设置在金属湿式蚀刻机内，对进行蚀刻的每一个基板的金属膜均进行蚀刻终点的侦测，因此能精确判定每一金属膜所需的实际总蚀刻时间。
在本发明此实施例中，金属蚀刻方法包含下列步骤：
步骤S600：将具有金属膜的基板100-1或100-2置入金属湿式蚀刻机，用以对金属膜进行蚀刻；
步骤S601：以终点侦测器104射出光线至金属膜，侦测金属膜的一蚀刻终点时间；
步骤S602：终点侦测控制器102接收终点侦测器104发送的金属膜的蚀刻终点时间；
步骤S603：终点侦测控制器根据蚀刻终点时间与预置的算法，得到过蚀刻时间；以及
步骤S604：金属湿式蚀刻机根据终点侦测控制器102得到的过蚀刻时间，对金属膜继续蚀刻所述过蚀刻时间，完成对金属膜进行的蚀刻。
其中，步骤603中，终点侦测控制器102实施的预置的算法例如是终点侦测控制器将蚀刻终点时间乘以一固定比例而得到过蚀刻时间。
而于步骤604中，对金属膜继续蚀刻所述过蚀刻时间，以完成对金属膜进行的蚀刻，依据本发明能减少金属膜厚不均时，蚀刻工艺品质不稳定的问题。例如：假设基板100-1的金属膜厚为3000Å，而测得的蚀刻终点时间为100sec，而过蚀刻时间设定的比例为42%。则终点侦测控制器102即可算出对基板100-1的金属膜厚的蚀刻率为30Å/sec。并且，过蚀刻时间则为42 sec。因此，金属湿式蚀刻机对基板100-1的金属膜厚所需的实际总蚀刻时间为142sec。
接着，金属湿式蚀刻机对基板100-2进行蚀刻。例如：假设基板100-2的金属膜厚为2700 Å，而测得的蚀刻终点时间则为90sec，则预置过蚀刻时间设定的比例不变维持42%，则终点侦测控制器102即可算出基板100-2的金属膜厚蚀刻率为30Å/sec。并且，过蚀刻时间则为37.8sec。因此，金属湿式蚀刻机对基板100-2的金属膜厚所需的实际总蚀刻时间为127.8sec。若金属膜厚较3000Å为厚，亦能以相同预置的算法，计算出较厚的金属膜所需的实际总蚀刻时间。
并且，因蚀刻槽内酸液的浓度随着实施蚀刻工艺的基板数量而递减，因此预置的算法亦可由终点侦测控制器102取得金属湿式蚀刻机中已进行金属膜蚀刻的次数，在一定的金属膜蚀刻次数后，对前述过蚀刻时间设定的比例，增加随蚀刻终点时间而额外所需的一固定比例；或是随蚀刻终点时间的增加而额外所需的一递增线性百分比；或是由以往经验获得的一等差级数百分比或一等比级数百分比；或是因应酸液浓度的递减，依据一金属膜蚀刻次数与误差偏移百分比的查找表，以增加必须矫正的过蚀刻时间设定比例的误差偏移。 或者，此预置的算法亦可由金属湿式蚀刻机前述内部的控制机制具体实现，例如金属湿式蚀刻机从终点侦测控制器102、终点侦测器104接收该金属膜的蚀刻终点时间后，再由其前述内部的控制机制来进行前述的计算与矫正亦可。
再者，预置的算法可以在终点侦测控制器102内，利用软件或韧体来具体实现。再者，由于本发明会将终点侦测器104所感测获得的每一基板的金属膜的蚀刻终点时间，反馈至终点侦测控制器102。因此，即便蚀刻槽内酸液的浓度随着实施蚀刻工艺的基板数量而递减，本发明的终点侦测机仍能精确地控制蚀刻工艺的品质稳定，而大幅地提升液晶面板制造良率。
并且依据本发明，仅需先设定蚀刻终点时间与过蚀刻之间的固定比例，输入至终点侦测控制器102，之后，当以本发明的终点侦测机进行金属湿式蚀刻机的终点侦测及判定时，所述金属湿式蚀刻机即会自动将终点侦测器104所感测获得的每一金属膜的蚀刻终点时间，反馈至终点侦测控制器102，对每一金属膜所需的实际总蚀刻时间进行精确的判定。
本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。必需指出的是，已公开的实施例并未限制本发明的范围。相反地，包含于权利要求书的精神及范围的修改及均等设置均包括于本发明的范围内。
 本发明的实施方式
工业实用性
序列表自由内容

Claims (19)

  1. 一种金属蚀刻方法，应用于一金属湿式蚀刻机，其特征在于：包含：
    对金属膜进行蚀刻并获取该金属膜的蚀刻终点时间；
    将所述蚀刻终点时间乘以一固定比例而得到所述金属膜的过蚀刻时间；以及
    对所述金属膜继续蚀刻所述过蚀刻时间，完成对所述金属膜进行的蚀刻。
  2. 如权利要求1所述的金属蚀刻方法，其特征在于：所述获取该金属膜的蚀刻终点时间具体为：
    所述金属湿式蚀刻机从终点侦测器接收该金属膜的蚀刻终点时间。
  3. 如权利要求2所述的金属蚀刻方法，其特征在于：所述将所述蚀刻终点时间乘以所述固定比例的步骤是由所述金属湿式蚀刻机或所述终点侦测器所执行。
  4. 如权利要求1所述的金属蚀刻方法，其特征在于：所述获取该金属膜的蚀刻终点时间具体为：
    所述金属湿式蚀刻机对该金属膜进行蚀刻终点侦测，获得该金属膜的蚀刻终点时间。
  5. 如权利要求4所述的金属蚀刻方法，其特征在于：所述将所述蚀刻终点时间乘以所述固定比例的步骤是由所述金属湿式蚀刻机所执行。
  6. 如权利要求2所述的金属蚀刻方法，其特征在于：所述终点侦测器是设置在所述金属湿式蚀刻机内，用以对进行蚀刻的所述金属膜，侦测所述蚀刻终点时间。
  7. 如权利要求1所述的金属蚀刻方法，其特征在于：所述固定比例为42%。
  8. 一种金属蚀刻控制方法，应用于一金属湿式蚀刻机，其特征在于：包含：
    获取金属膜的蚀刻终点时间；
    根据所述蚀刻终点时间与一预置的算法，得到所述金属膜的过蚀刻时间；以及
    向金属湿式蚀刻机发送所述过蚀刻时间，以便于所述金属湿式蚀刻机对所述金属膜继续蚀刻所述过蚀刻时间，完成对所述金属膜进行的蚀刻。
  9. 如权利要求8所述的金属蚀刻控制方法，其特征在于：所述预置的算法是将所述蚀刻终点时间乘以一固定比例，而得到所述过蚀刻时间。
  10. 如权利要求8所述的金属蚀刻控制方法，其特征在于：所述预置的算法是将所述蚀刻终点时间乘以一第一比例而得到所述过蚀刻时间，第一比例为一固定比例与一依据所述金属湿式蚀刻机进行蚀刻的次数所预设的额外固定比例之和。
  11. 如权利要求8所述的金属蚀刻控制方法，其特征在于：所述预置的算法是将所述蚀刻终点时间乘以一第二比例而得到所述过蚀刻时间，第二比例为一固定比例与一随所述蚀刻终点时间增加所预设的额外百分比之和。
  12. 如权利要求11所述的金属蚀刻控制方法，其特征在于：所述额外百分比为一递增线性百分比、一等差级数百分比或一等比级数百分比。
  13. 一种金属蚀刻控制装置，其特征在于：包含：
    第一获取模块，用于获取金属膜的蚀刻终点时间；
    第二获取模块，用于根据所述蚀刻终点时间与一预置的算法，得到所述金属膜的过蚀刻时间；以及
    发送模块，用于向金属湿式蚀刻机发送所述过蚀刻时间，以便于所述金属湿式蚀刻机对所述金属膜继续蚀刻所述过蚀刻时间，完成对所述金属膜进行的蚀刻。
  14. 如权利要求13所述的金属蚀刻控制装置，其特征在于：所述第一获取模块为终点侦测器。
  15. 如权利要求14所述的金属蚀刻控制装置，其特征在于：所述终点侦测器是设置在所述金属湿式蚀刻机内，用以对进行蚀刻的所述金属膜，侦测所述蚀刻终点时间。
  16. 如权利要求13所述的金属蚀刻控制装置，其特征在于：所述预置的算法是将所述蚀刻终点时间乘以一固定比例，而得到所述过蚀刻时间。
  17. 1如权得到所述过蚀刻时间，第一比例为一固定比例与一依据所述金属湿式蚀刻机进行蚀刻的次数所预设的额外固定比例之和。
  18. 如权利要求13所述的金属蚀刻控制装置，其特征在于：所述第二获取模块采用的所述预置的算法是是将所述蚀刻终点时间乘以一第二比例而得到所述过蚀刻时间，第二比例为一固定比例与一随所述蚀刻终点时间增加所预设的额外百分比之和。
  19. 如权利要求13所述的金属蚀刻控制装置，其特征在于：所述额外百分比为一递增线性百分比、一等差级数百分比或一等比级数百分比。
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