TWI373505B - Anthracene derivative host having ranges of dopants - Google Patents

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TWI373505B
TWI373505B TW094101367A TW94101367A TWI373505B TW I373505 B TWI373505 B TW I373505B TW 094101367 A TW094101367 A TW 094101367A TW 94101367 A TW94101367 A TW 94101367A TW I373505 B TWI373505 B TW I373505B
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Description

1373505 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於發射白光之有機電致發光（EL)裝置，其包 含一含有一主體及一摻雜物之發光層，其中該主體包含在 室溫及70°C下具有良好的操作穩定性及具有摻雜物材料區 域的單蒽化合物。 【先前技術】 亦稱作OLED裝置之有機發光二極體裝置通常包括一基 板、一陽極、一由有機化合物製成之電洞傳遞層、一具有 合適之摻雜物的有機發光層、一有機電子輸送層及一陰 極。OLED裝置由於其低驅動電壓、高亮度、廣角觀察及 用於全色平板發射顯示器之能力而具有吸引力。Tang等人 在其美國專利4,769,292及4,885,211中描述了此種多層 OLED裝置。 發射白光之電致發光（EL)層可用於形成一多色裝置。各 像素與作為彩色濾光片陣歹(CFA)之部分的彩色濾光片元 件耦合以達成一經像素化之多色顯示器。有機EL層為所有 像素所共有且觀察者所感知之最終色彩由該像素之相應的 彩色濾光片元件所指定。因此，無需有機EL層之任何圖案 化即可製造多色裝置或RGB裝置。白色CFA頂部發射裝置 之一實例顯示於美國專利6,392,340中。 產生白光之OLED裝置應為明亮的、有效的，且其大致 具有約（0.33, 0.33)之 Commission International d'Eclairage(CIE)色度座 標。在任何情況下，根據此揭示内容，白光係可被使用者 98747.doc ⑧ 1373505 感知為具有白色的光。下列專利及公開案揭示了能夠產生 . 白光之有機0LED裝置的製備，該有機OLED裝置包含一電 . '同傳遞層及一有機發光層，且其插在一對電極之間。 .. 產生白光之0LED裝置已為J. Shi(美國專利5,683,823)所 報導，其中發光層包括均勻地分散在主體發射材料中之發 射紅光及藍光的材料。Sato等人在JP 07-142169中揭示一 能夠發射白光、藉由在靠近電洞傳遞層處形成一藍光發射 • 層並接著形成一具有含有紅色螢光層之區域的綠光發射層 來製造的0LED裝置。
Kido 等人在 Science，267，1332 (1995)及 Applie(i physics
Letters，64，815 (1994)中報導了一種產生白光之oled裝 置。在此裝置中’各自發射藍光、綠光或紅光之具有不同 載體傳遞性質的三個發射極層用於產生白光。Littman等人 在美國專利5,405,709中揭示另一種發射白光之裝置，該裝 置月b夠回應電洞-電子重組而發射白光，且其包含一在藍 •、，彔色至紅色之可見光範圍内的螢光。最近，Deshpande等 人在 Applied Physics Letters，75, 888 (1999)中公開一種使 • 用由電洞阻斷層分離之紅色、藍色及綠色發光層的白光 OLED裝置。 經常使用以蒽為主的主體。9，1〇_二_(2_萘基）蒽主體之有 用類已於美國專利5,935,72丨中揭示。具有經改良之裝置半 衰期之發光層中所用的雙蒽化合物已於美國專利6,534，199 及美國專利申請公開案2〇〇2/〇136922 a中揭示。使用蒽化 合物之具有經改良之亮度的電致發光裝置已於美國專利 98747.doc 1373505
6,5 82,837中揭示。如美國專利6,465,115中所揭示’蒽亦已 用於電洞傳遞層（HTL)中。此外，存在在OLED裝置中使用 蒽材料的其它揭示内容’美國專利5,972,247、】？ 200卜 097897、JP 2000-273056、美國專利申請公開案 2002/0048687 Al、WO 03/060956 A2、WO 02/088274 Al、EP 0429821、WO 03/007658 A2、JP 2000-053677及2001-335516。
雖然有此等進展，但存在對提供較好的操作穩定性且便 於製造之主體及摻雜物的不斷需求。OLED裝置之經改良 之操作穩定性將允許其用於更多產品中。 【發明内容】 已十分出乎意料地發現：藉由將某些單蒽衍生物用作藍 色摻雜物之主體並使藍色摻雜物在0.25體積％至5體積％的 範圍内，可在具有黃光、橙光或紅光發射層及藍光發射層 之發射白光之裝置的穩定性上達成改良。
此目的可藉由一包括經間隔放置之陽極及陰極且具有藍 光發射層及黃光、橙光或紅光發射層之發射白光的OLED 裝置來達成，該藍光發射層包括： a)作為主體材料之式（I)的單蒽衍生物
其中： 98747.doc R9與Rl0不相同； I為不具有具脂族碳環組員之稠環的萘基；且 R|°為不具有具脂族碳環組員之_的聯苯基；且 其限制條件為RdRl〇不含胺類及硫化合物。 優點
本發明之-優點係無需犧牲效率即可使白光發射⑽D 裝置製備有經改良之穩定性。另—優點係本發明減小了由 於增大電流密度而引起之0LED裝置的色調偏移。 【實施方式】 —將術語，，像素"用於其技術識則途h表示可獨立於其 匕區域而刺激發光之顯示面板的區域。將術語"OLED裝置" 或"有機發光顯示器"用於其技術識別用途中，立指-包含 如像素之有機發光：極體的顯示裝置。彩色〇通裝置發 射至少—種色彩的光。採用術語"多色來描述-能夠在不 同區域中發射不同色調之光的顯示面板。詳言之，採用其 來描述一能夠顯示不同色彩之影像的顯示面板。此等區域 未必鄰近。採用術語"全色·，來描述能夠在可見光譜之紅 色、彔色及藍色區域令進行發射且能夠以色調之任意組合 來.4不二像的夕色顯不面板。紅色、綠色及藍色構成三種 原色’藉由適當地混合該等三種原色可自其產生所有其它 色彩。術語"色調，’係指在可見光譜内之光發射的強度分 佈’其中不同色調展示出視覺上可辨別之色彩差異。像素 或^像素通常用於表示顯示面板中之最小可定址單元。對 ;單色.4不益而5 ’像素與子像素之間並無差別。術語 98747.doc 1373505 八子像：”用於多色顯示面板中且用於表示像素之任何部 獨立定址以發射特^色彩。舉例而言藍色子像 ==以發射藍光之像素部分。在全色顯示器中像 。三種原色子像素，即藍色、綠色及紅色。術扭 即距"用於表示在顯示面板中用以分隔兩個像素或子像素 的距離目此，子像素間距意指兩個子像素之間的間距。
現轉向圖1，存在展示可根據本發明之第—實施例使用 之發射白光之〇LED裝㈣之像素的剖面圖。該〇led裝置 可倂入（例如）顯示器或區域照明系統中。〇咖裝置1〇包 括至少-基板20、一陽極3〇、一與陽極3〇間隔開之陰極 9〇第發光層45及一第二相鄰的發光層50。相鄰發光 層45及50中之-個為藍光發射層，且另一個為黃光、撥光 或紅光發射層。為了論述之目的，第一發光層45應為藍光 發射層，但應瞭解第二發光層5〇可為藍光發射層。吾人已 在揭不内容以引用的方式倂入本文中之LeHa 等人於2003年10月24日申請之標題為"Electr〇luminescent
Device With Anthracene Derivative Host"的共同讓渡的美 國專利申請案第10/693,121中發現：某些不對稱的蒽類在 展現兩效率之OLED裝置中極其有用。已發現此等化合物 在產生白光之OLED裝置之藍光發射層中尤其有用。藍光 發射層45包括一作為主體材料之式⑴之單蒽衍生物， 9S747.doc . ]〇. ⑧ 1373505 其中：
Rl -Κ·8為 Η ;且 =不“具脂族碳環組員之稍環的蔡基；其限 為I與R1〇不同且不含胺類及硫化合物。合適地、為妳
-或多個其它稍環取代之蔡基以使其”； 統，諸如菲基1基、螢蒽、苑，咬為瘦卞㈠/壤系 扣 4馮經一或多個下列取 ί代，萘基’諸如版、氰基、經基、院基、炫氧基、 方乳基、方基、雜環氧基、叛基、三甲基石夕烧基， 個稠環之未經取代之蔡基。便利地鳴為在對位上經取代 或未經取代之2-萘基或1-萘基；且
Ri。為不具有具脂族碳環組員之稠環的聯苯基。合適
地，R1〇為經取狀聯苯基以使其形成包括（但《限於）莽 基、菲基1之稍合芳族環系統，或經-或多個下列取代 基取代，諸如說、氰基、經基、烧基'炫氧基、芳氧基、 =、雜環氧基、幾基、三甲基石夕烧基，或為未經取代之 聯苯基便利地，Rl 〇為未經取代或經無稠環之另一苯環 取代的4-聯#基、3_聯苯基以形成聯三苯環系统，或為 聯笨基。 / 本發明之有用主體材料包括： 98 747.doc I1373505
I
I
I
主體-3
Ph
98747.doc -12- 1373505
I
主體-7
;主體-6
98747.doc -13- ⑧ 1373505
主體-11
I I I
98747.doc -14- 产、 ⑧ I I1373505
I 主體-13^^^
98747.doc -15- ⑧ 1373505
98747.doc -16- ⑧ 1373505
I
主體-19
I
I
CN 主體-21
98747.doc -17- 1373505
I
尤其有用者係9-(2-萘基）-10-(4-聯苯基）蒽（主體-1)。 將本發明之主體材料連同下文所定義之摻雜物或發光客 '體材料一起用於包含某一厚度的藍光發射層45中。本發明 之主體可與其它藍色或綠色聯合主體組合使用以改良某一 應用之穩定性。聯合主體可為小分子或聚合材料。有用的 98747.doc -18- 1373505 聯合主體包括（但不限於）聚第類、聚乙烯伸芳基類、諸如 8-經基啥琳之類号辛化合物的金屬錯合物、苯并吡咯 (benzazole)衍生物、二芳基苯乙烯類及咔唑類。合適地， 聯合主體為參（8-喹啉根基）鋁（ni)(Alq) » 本發明主體之一優點係其不含硫及胺類。該等材料之製 備方法以及其之純化係簡單及有效且環境友好的，因此可 便利地製造此等化合物。
藍光發射層45中之發射藍光的摻雜物係佔主體材料之 0.25體積％至5體積％且可包括茈或其衍生物、二苯乙烯基 笨或二苯乙烯基聯苯之發射藍光的衍生物、或結構M1之 化合物，
其中：
A及A，代表與含有至少一個氮之6員芳族環系統相對應之 獨立的吖嗪環系統； (Xa)n及（Xb)m代表一或多個經獨立選擇之取代基且包括 非私·狀取代基或結合以形成稍合至A或A’之環. m及η係獨立地為〇至4 ;
Za& Zb係經獨立選擇之取代基； 1、2、3、4、卜2·、3’及4,係獨立地選擇為碳原子或氛 原子；且 其限制條件為選擇Xa、Xb、之3及Zb、1、2、3、4、,，、 98*747.doc ⑧ 19 1373505 2、3'及4'以提供藍色發光。 上述類摻雜物的一些實例包括下列物質：
M2 M3 M4 M5 M6 98747.doc -20- ⑧ 1373505
M7
M8
另一類尤其有用之本發明之藍色摻雜物包括諸如二笨乙 烯基苯及一笨乙烯基聯苯之二苯乙烯基芳烴類之發射藍光 的衍生物，其包括美國專利5，121，029中所描述之化合物。 在提供藍色發光之二苯乙烯基芳烴類的衍生物中，尤其有 用者係經二芳胺基取代之彼等，其亦稱為二苯乙烯基胺 類。實例包括下文所示之通用結構N1之雙[2-[4-[N，N-二芳 胺基]苯基]乙烯基]-苯：
及下文所示之通用結構N2之雙[2-[4-[N，N-二芳胺基]苯基] 乙烯基]聯苯： 98747.doc -21 · ⑧ 1373505
在式N1及N2中，χ, -X4可相同或不同’且個別地代表— 或多個取代基，諸如烷基、芳基、稠合芳基、齒基或氰 基》在一較佳實施例中，χ〗-Χ4為各自含有1至約1〇個碳原 子的個別院基。此類之尤佳的藍色摻雜物為i，4_雙[2·[4-[Ν，Ν-二（對苯基）胺基]苯基]乙烯基]苯（BDTAPVB，式 L47) ’
L47
98747.doc -22·
1373505
要，且因此其可為光透射型、光吸收型或光反射型。用於 此狀況之基板包括（但不限於）玻璃、塑料、半導體材料、' 陶瓷及電路板材料或通常用於形成可為被動矩ρ車式裝置或 98747.doc •23· 1373505 主動矩陣式裝置之OLED裝置中的任何其它材料β 電極形成於基板20上方且最普遍地裝配成陽極3〇。當透 . 過基板20觀察EL發射時，陽極30對於有關發射應呈現透明 ·· 或大體上透明。用於本發明中之普通透明陽極材料為氧化 . 銦錫及氧化錫，但其它金屬氧化物亦有用，其包括（但不 限於）摻雜有鋁或銦之氧化辞、氧化鎂銦及氧化鎳鎢。除 此等氧化物外，諸如氮化鎵之金屬氮化物、諸如硒化鋅之 φ 金屬硒化物及諸如硫化鋅之金屬硫化物可用作陽極材料。 對於透過頂部電極來觀察EL發射的應用而言，陽極材料之 透射特性並不重要且可使用任何導電性材料：透明型、不 透明型或反射型。用於此應用之實例性導體包括（但不限 於）金、銥、鉬、鈀及鉑。該等較佳的陽極材料（透射型或 其匕類型）具有4.1 eV或更大之功函數。所要之陽極材料可 藉由任何合適之方法來沉積，諸如蒸鍍法、濺鍍法、化學 氣相沉積法或電化學方法。陽極材料可使用熟知之光微影 B 蝕刻方法來圖案化。 在電子輸送層55上方或若未使用電子輸送層則在發光層 • 50上方形成陰極90。當光發射穿過陽極30時，陰極材料可 .包含幾乎任何的導電性材料。所要材料具有良好的成膜性 質以確保與下方之有機層形成良好接觸、在低電壓下促進 電子注入且具有良好的穩定性。有用的陰極材料經常含有 低功函數之金屬（<3.0 ev)或金屬合金。如美國專利 4,885,221中所述，一種較佳的陰極材料包含Mg:Ag合金， 其中銀的百为比在1%至20%之範圍内。另一類合適之陰極 98747.doc -24· 1373505 材料包括包含-低功函數金屬或金屬鹽薄層的雙層，該薄 層覆蓋有-層較厚的導電金屬。如美國專利5,677,572中所 ·* 述，一個該陰極包含一 UF薄層，接著包含一較厚AI層。 ·: 其它有用的陰極材'料包括（但不限於）彼等在美國專利 5,059,861、5,059,862 及 6，140,763 t 所揭示之材料。 當透過陰極9G觀察光發射時，該陰極⑽必須透明或接近 透明。對於該等應用而言，金屬必須很薄或操作者必須使 φ 用包括此等材料之透明導電性氧化物。在美國專利 5,776,623中更詳細地描述了光學透明陰極。陰極材料可藉 由蒸鍍法、濺鑛法或化學氣相沉積法來沉積。當需要時， 可藉由許多熟知之方法來達成圖案化，該等方法包括（但 不限於）如美國專利5,276,380及EP 〇 732 868中所述之透過 遮罩沉積法、一體式蔽蔭遮罩法、雷射切除法及選擇性化 學氣相沉積法。 陰極90係間隔放置的，意指其與陽極3〇垂直間.隔分離。 • 陰極90可為主動矩陣式裝置之部分且在彼狀況下為用於整 個顯示器之單一電極《或者，陰極9〇可為被動矩陣式裝置 • 之部分’其中各個陰極9〇可激活一行像素，且陰極9〇與陽 極30正交排列。 陰極材料可藉由蒸鍵法 '濺鍵法或化學氣相沉積法來沉 •積。當需要時’可藉由許多熟知的方法來達成圖案化，該 ，等方法包括（但不限於）透過如美國專利5,276,380及EP 〇 732 868中所述之遮罩沉積法、一體式蔽蔭遮罩法、雷射 切除法及選擇性化學氣相沉積法。 98747.doc -25· ⑧ 1373505 OLED裝置1 〇亦可包括彩色遽光片25、一電洞注入層 35、一電洞傳遞層40、一電子輸送層55及一電子注入層 60。電洞注入層35、電洞傳遞層40、發光層45及5〇、電子 輸送層55及電子注入層60包含安置在陽極30與陰極9〇之間 且為了本發明之目的包括用於收集性地發射白光之至少兩 種不同摻雜物的有機EL元件70。下文將更詳細地描述此等 組件。 儘管並非總是必然，但通常在有機發光顯示器中使電洞 注入層35形成於陽極30上方係有用之舉。電洞注入材料可 用於改良隨後有機層之成膜性質且促進電洞注入電洞傳遞 層中。用於電洞注入層35中之合適材料包括（但不限於）如 美國專利4,720,432中所述之卟啉系化合物、如美國專利 6,208,075中所述之經電漿沉積之氟碳聚合物、及包括氧化 釩（VOx)、氧化鉬（ΜοΟΧ)、氧化鎳（犯〇?〇等等之無機氧化 物。在EP 〇 891 121 AmEP i 〇29 9〇9幻中描述了據報導 可用於有機EL裝置的替代性電洞注入材料。 儘管並非總是必然，但通常使電洞傳遞層4〇形成並安置 於陽極30上方係有用之舉。所要之電洞傳遞材料可藉由任 何合適之方法來沉積，諸如蒸鍍法、濺鍍法、化學氣相沉 積法、電化學方法、自施體材料之熱轉移法或雷射熱轉移i 法D人熟知可用於電洞傳遞層4 0中之電洞傳遞材料包括 諸如芳族三級胺之化合物，其中將後者理解為一種含有僅 鍵結至碳原子至少一個三價氮原子的化合物，該等碳原子 中之至少一個碳原子為芳族環之一組員。在一種形式中， •2(5· 98747.doc 1373505 芳族三級胺可為諸如單芳基胺、二芳基胺、三芳基胺或聚 合芳基胺之芳基胺》Klupfel等人在美國專利3，180,730中說 明了例示性單體三芳基胺。Brantley等人在美國專利 3,567,450及3,658,520中揭示了經一或多個乙烯基取代及/ 或包含含至少一個活性氫之基團的其它合適的三芳基胺。 一類更佳之芳族三級胺為彼等如美國專利4,72〇,432及 5,〇61，569中所述般包括至少兩個芳族三級胺部分的芳族三 級胺。該等化合物包括彼等由結構式A所代表之化合物， 其中： 族三級胺部分；且 、環伸院基或伸院基之連接基
Qi及Q2係經獨立選擇之芳族三 G為诸如碳碳鍵之伸芳基、产
基或萘部分。 一類滿足結 合Q丨或Q2中之至少一者含有一多環稠環結 當g為芳基時，其便利地為伸苯基、伸聯苯 基胺由結構式B代表 構式Α且含有兩個三芳基胺部分之可用三芳
Ri—c— r3 r4 其中： Ri及R_2各自獨立地代表 氫原子、芳基或烷基，或心與尺 98747.doc 1373505 一起代表能完成環烷基之原子；且 如結構式C所指示，&及I各自獨立地代表芳基，其又 經被二芳基取代之胺基所取代， 其申Rs及R0為經獨立選擇之芳基。在一實施例中， τι至 >、一者含有一多環稠環結構，例如萘。 另一類芳族三級胺係四芳基二胺。如由式c所指示，所 要之四方基二胺包括藉由伸芳基而連接之兩個二芳基胺 基。可用之四芳基二胺包括彼等由式D所代表之四芳ς二
其中：
諸如伸苯基或蒽部 各個Are為經獨立選擇之伸芳基， 分； η為1至4的整數；且 ΑΓ R7、Rs及Rg為經獨立選擇之芳基。 在典型實施例中，Ar、尺7、以及R9中之至少一者為一 少％ _環結構，例如萘。
前述結構式A、R 、C、〇之各種烧基、伸院基、芳基及 伸芳基部分可久& . 自又經取代。典型的取代基包括烷基、烷 氧基、芳基、关 氣基及遠如氟、氯及溴之齒素。各種烷基 98747.doc •28- ⑧ 1373505 及伸烷基部分通常含有1至約6個碳原子。環烷基部分可含 有3至約10個碳原子，但其通常含有5、6或7個碳原子，例 如，環戊基、環己基及環庚基環結構。芳基及伸芳基部分 通常為苯基及伸苯基部分》 OLED裝置中之電洞傳遞層可由單一芳族三級胺化合物 或其混合物形成特定言之，操作者可採用與諸如式〇所 指示之四芳基二胺組合的三芳基胺，諸如滿足式B之三芳 基胺。當採用與四芳基二胺組合之三芳基胺時，後者被定 位成插入於二基胺與電子注入及輸送層之間的層。以下 為可用芳族三級胺之說明： U·雙（4-二-對-甲苯基胺基苯基）環己烷； 1，1-雙（4-二-對-曱苯基胺基苯基）_4_苯基環己烷； 4,4'-雙（二苯基胺基）聯四苯； 雙（4-二甲胺基-2-甲基苯基）-苯基甲烷； N,N.，N-三（對-甲苯基）胺； 4-(二-對-曱苯基胺基）-4’-[4(二·對-甲苯基胺基）_苯乙烯 基]芪； N，N，N’，N’-四-對-曱苯基-4-41-二胺基聯苯； N，N，N’，N’-四苯基-4,4’-二胺基聯苯； N-苯基咔唑； 聚（N-乙烯基咔唑）； N，N’-二-1-萘基-N，N'-二苯基-4, 4，-二胺基聯苯； 4,4'-雙[N-(l-萘基）·Ν-苯基胺基]聯苯； 4,4"-雙[N-(l-萘基）-Ν-苯基胺基]對-聯三苯； 98747.doc . 29 - ⑧ 1373505 4,4'-雙[N-(2-萘基）-N-苯基胺基]聯笨； 4,4·-雙[N-(3-二氫苊基）-N_笨基胺基]聯笨； 1.5- 雙[N-(l-萘基）·Ν-苯基胺基]蔡； 4,4'-雙[Ν-(9-蒽基）-Ν-笨基胺基]聯笨； 4,4"-雙[N-(l-蒽基）-Ν-笨基胺基]_對_聯三苯； 4,4'-雙[Ν-(2-菲基）-Ν-苯基胺基]聯笨； 4,4’-雙[Ν-(8-螢蒽基）-Ν-苯基胺基]聯笨； 4,4’-雙[Ν-(2-芘基）-Ν-笨基胺基]聯笨； 4,4，-雙[Ν-(2-稠四苯基）_Ν·苯基胺基]聯笨； 4,4’-雙[Ν-(2-茈基）-Ν-笨基胺基]聯苯； 4,4·-雙[N-(l-蔬基）-Ν-苯基胺基]聯苯； 2.6- 雙（二-對-甲苯基胺基）萘； 2.6- 雙[二-(1-萘基）胺基]萘； 2.6- 雙[N-(l-蔡基）-Ν-(2-萘基）胺基]萘； Ν，Ν，Ν’，Ν’-四（2·萘基）-4,4"-二胺基·對_聯三苯； 4,4’_雙{Ν-笨基-叫心⑴萘基）·苯基]胺基}聯苯； 4,4’-雙[N-笨基-N-(2-祐基）胺基]聯苯； 2.6- 雙[N，N-二（2-萘基）胺基]第；及 1，5-雙[N-(l-萘基）-N-苯基胺基]萘。 另一類有用之電洞傳遞材料包括如Ep j 〇〇9 Ο"中所述 之多環芳族化合物。此外’可使用聚合電洞傳遞材料，諸 如聚（N-乙烯基咔唑）(PVK)、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺； 及共聚物，諸如聚（3,4-伸乙二氧基噻吩）/聚（4苯乙烯磺酸 酯），其亦稱作PEDOT/PSS。 98747.doc •30- ⑧ 1373505 發光層50回應電洞·電子重組而產生光。黃光、橙光或 、&光發射層5G鄰近藍光發射層45。所要之有機發光材料可 • 藉由任何適合之方法來沉積，諸如蒸鑛法、濺鍍法、化學 ； 4相沉積法、電化學方法或自施體材料之ϋ射熱轉移法。 . 有用之有機光發射材料係熟知的。如在美國專利4,769,292 及5,935,721令更充分之描述，有機EL元件之發光層包含 一.發光材料或螢光材料，其中電致發光由於電子·電洞對 φ 在此區域中重組而產生。發光層50可包含單一材料，但更 普遍包括一摻雜有客體化合物或摻雜物之主體材料，其中 光發射主要來自摻雜物。 選擇摻雜物以在黃色至紅色區域中產生具有特定光譜的 彩色光。發光層中之主體材料可為如下文所界定之電子輸 送材料、如上文所界定之電洞傳遞材料或支持電洞-電子 重組之另一種材料。摻雜物通常選自高螢光染料，但亦可
使用鱗光性化合物’例如如W〇 98/55561、WO 00/18851、WO φ 00/57676及w〇 00/70655中所述之過渡金屬錯合物。通常按 〇.〇1重量％至ίο重量％將摻雜物塗佈於主體材料中。 用於將染料選擇為摻雜物之一重要關係為帶隙勢能之比 較，该帶隙勢能定義為分子之最高佔用分子軌道與最低未 伯用分子軌道之間的能量差。對於自主體材料至摻雜物分 .子之有效能量轉移而言’一必要條件為摻雜物之帶隙小於 主體材料之帶隙。 Μ 已知有用之主體及發射分子包括（但不限於）彼等揭示於 下列美國專利中之主體及發射分子：4,768,292 ; 9g747.doc ⑧ ΐ3?35〇5 5,141,671 ； 5,150,006 ； 5,151,629 ； 5,294,870 ； 5,405,709 ； 5,484,922 ； 5,593,788 ； 5,645,948 ； 5,683,823 ； 5,755,999 ； 5,928,802 ； 5,935,720 ； 5,935,721 ； ^ 6,020,078 〇 8-羥基喹琳及相似衍生物之金屬錯合物（式Ε)構成一類能 夠支持電致發光的有用主體材料，且其由於適用於波長長 於500 nm之光發射，例如綠色、黃色、橙色及紅色。
E 其中： Μ代表一種金屬； η為1至3之整數；且
Ζ在每次出現時均獨自 合芳族環之核的原子。 纟具有至少兩個稠 自上文可明白金屬可―、— 一 可為（例如）：鹼今屬; 一貝或二價金屬。該金屬 Μ 屬，諸如裡、納或卸；給j, 金屬，諸㈣或紐 屬’諸如 螯合金屬之任何一 了採用已知為有用 z完成 ：、二價或三價金屬。 合㈣環為環核，至少 …環之額外環與兩個所要之環稠八則：將包括脂 啊〇。為避免增大 98747.doc -32- ^73505 分子堆積卻未能改良功能，通常將環原子之數目 個或更小。 难得在18 *· k 下列為有用之螯合類咢辛化合物之說明： ； CO·1 :參等辛鋁[別名，參（8·羥基喹啉）叙⑴1}]; C〇_2 :雙等辛鎂[別名，雙（8-經基喹啉）鎂（Ιυ]; CO-3 :雙[苯幷{f}_8•羥基喹啉]鋅（π); CO—4 :雙（2·甲基-8-羥基喹啉）鋁（ΠΙ)·μ_氧代-雙（2曱基_ φ 8-羥基喹啉）鋁（ΙΠ); CO-5 :參咢辛銦[別名’參（8羥基喹啉）銦]; CO-6 :參（5_甲基咢辛）鋁[別名，參（5曱基_8羥基喹啉） 铭（III)]; CO-7 :咢辛鋰[別名，（8_羥基喹啉）鋰⑴]; CO-8 :号辛鎵[別名，參（8_殘基啥琳）録（ΙΠ)];及 CO-9.咢辛錯[別名，四（8·羥基啥琳）錯（IV)]。 發光層50中之主體材料可為在9及1〇位置處具有烴或經 • 取代之烴取代基的蒽衍生物。舉例而言，9，10-二-(2-萘基） 葱之衍生物（式F)構成一類能夠支持電致發光之有用主體 • 材料’且其尤其適用於波長長於400 nm之光發射，例如藍 色、綠色、黃色、橙色或紅色》 98747.doc ⑧ 1373505
其中R,i2、R3mR6代表㈣上之—或多個取 代基，其中各個取代基係個別地選自下列群： 群1 :氫，或具有丨至24個碳原子的烷基； 群2八有5至20個碳原子之芳基或經取代之芳基； 群3 .完成蒽基、拓基或花基之稠合芳族環所必需的4至 24個碳原子； 从群1:、完成咬痛基、嗔吩基…比咬基、啥琳基之稠合雜 方知％或其它雜環系統所必需之5至24個碳原子的 或經取代之雜芳基； I群5:具有1至24個碳原子之院氧基胺基、烧基胺基或芳 基胺基；及 群6 .氟、氣、溴或氰基。 〇并比各衍生物（式G)構成另一類能夠支持電致發光之 有用主體材料’且其尤其適用於波長長於400 nm之光發 射’例如藍色、綠色、黃色、橙色或紅色。
G 其中 98747.doc
•34- 1373505 η為3至8的整數； Ζ 為 Ο、NR或 S ; 丁基、庚基及類似基團； 雜原子取代之芳基，例如 R’為氫；具有1至24個碳原子之烷基，例如丙基、第 具有5至20個碳原子之芳基或經
有用苯并。比洛之一實例為2, 2，，2，，-(1，3,5-伸苯基）參[1·笨 基-1Η-苯幷咪唑]。 所要之螢光摻雜物包括茈或茈之衍生物、下列物質之衍 生物.蒽、幷四苯、咄喵、紅螢烯、香豆素、若丹明、喹 吖啶酮、二氰基亞曱基吡喃化合物、噻喃化合物、聚甲川 # 化合物、氧雜苯鑌及硫雜苯鏽化合物、二苯乙烯基笨或二 苯乙烯基聯苯之衍生物、雙（吖嗪基）甲烷硼錯合物及喹諾 酮（carbostyrW)化合物。有用摻雜物之說明性實例包括（但 不限於）下列物質： 98747.doc •35· 1373505
98747.doc -36-
1373505 R1
X R1 R2 L9 0 Η Η L10 0 Η 曱基 L11 0 曱基 Η L12 0 甲基 曱基 L13 0 Η 第三丁基 L14 0 第三丁基 Η L15 0 第三丁基 第三丁基 L16 S Η Η L17 S Η 甲基 L18 S 曱基 Η L19 S 曱基 曱基 L20 S Η 第三丁基 L21 S 第三丁基 Η L22 S 第三丁基 第三丁基
RA
34567890123456 22222223333333 LLLLLLLLLLLLLL R1 R2 XIOOOOOOOSSSSSSS H Η H 甲基 曱基 Η 曱基 甲基 Η 第三丁基 第三丁基 Η 第三丁基 第三丁基 Η Η Η 曱基 曱基 Η 曱基 曱基 Η 第三丁基 第三丁基 Η 第三丁基 第三丁基 98747.doc -37- ⑧ 1373505
98747.doc -38- 1373505 如Wolk等人在共同讓渡之美國專利6,194,119 B1及其所 引用之參考文獻中所教示，其它有機發射材料可為聚合物 質，例如’聚亞苯乙烯衍生物 '二氧烷基-聚亞苯乙稀、 聚-對-伸苯基衍生物及聚薙衍生物。
P1 P2
某些黃色、橙色及紅色發射材料尤其適用於本發明 種發射光之黃色摻雜物可包括下列結構之化合物：
:或 A 其令A丨-Αό代表各環上之一戎 Α夕個取代基且其中各個取代 基個別地選自下列種類之一： 種類1 : A，或具有！至24個碳原子的烧基； 種類2:具有5至20個碳原子之芳基或經取代之芳基； 種類3:完成稠合芳族環或環系統之含有4至24個碳原子 98747.doc ⑧ •39· 1373505 種類4 .經由單鍵鍵結或完成稠合雜芳族環系統之$至％ 個碳原子的雜芳基或經取代之雜芳基，諸如噻唑基、呋喃 / 基、吡啶基、喹啉基或其它雜環系統； ； 種類5 : 1至Μ個碳原子之烷氧基胺基、烷基胺基或芳基 胺基；或 種類6:氟、氣、溴或氰基。 尤其可用之黃色摻雜物的實例包括5,6，u，i2四苯基稠 #四苯（紅螢稀）；6，U-二笨基·5，Α雙（峰甲基·苯幷嚷唾_ 2·基）苯基）揭四苯（DBzR)及从…2^2萘基）祠四苯 (NR)，該等實例之式顯示如下：
98747.doc -40- 1373505
I
(tBuDPN，P6)。 黃色摻雜物亦可為亦個別為黃色摻雜物之化合物的混合 物。 發光的紅色摻雜物可包括下列結構Q1之二茚茈化合物：
Q1
其中： 又丨-乂^獨立地選擇為提供紅色發光之氫或取代基。 此類有用之紅色摻雜物的說明性實例包括下列物質：
環弗辛 (Periflanthene) ，Q2 ; 98747.doc -41 · ⑧ 1373505
98747.doc -42- 1373505
Q6 ； Q7 ；
Q9 ； 98747.doc -43- 1373505
1373505
Q14 ； Q15 ；
Q16 ；
Q17 ； 98747.doc -45- ⑧ 1373505
Q18 ； Q19 ； Q20 Q21
Q22 98747.doc -46- ⑧ 1373505
1373505
節-Π，2,3-c^:l·，2·，3'-/m]茈（TPDBP，上文之Q10)。 可用於本發明中之其它紅色摻雜物屬於式81所代表之 DCM類染料：
Υι-Ys代表一或多個獨立地選自氫、烷基、經取代之烷 基、芳基或經取代之芳基的基圈；且
其中： 1 Ys獨立地包括非環狀基團或成對結合以形成一或多 個稠=’其限制條件為Y3與丫5並不_起形成摘環。 &提供紅色發光之有用便利之實施例中，γ,·γ5係獨 立地選自：氨、检I η I及芳基》DCM類之尤其可用之摻雜物 的結構顯示如下： 98747.doc ⑧ 1373505
NCyCN S2，DCJTB ; S3 ； S4 ；
NCyCN
S5 ； 98747.doc -49-
1373505
NCyCN
L37 ；
L38 ；或
L40。 較佳的DC1V[摻雜物為DCJTB。紅色摻雜物亦可為亦個別 為紅色摻雜物之化合物的混合物。此外，黃光、授·光或紅 光發射層50可包括發射紅光及發射黃光之摻雜物的混合 物。 儘管並非總是必然，但通常OLED裝置10包括一安置在 發光層50上方之電子輸送層55係有用之舉。所要之電子輸 送材料可藉由任何合適之方法來沉積，諸如蒸鍍法、濺鍍 98747.doc -50-
1373505 法、化學氣相沉積法、電化學方法、自施體材料之熱轉移 法或雷射熱轉移法。用於電子輸送層％中之較佳電子輸送 材料為金屬螯合類号辛化合物，包括号辛本身之螯合物 (亦通常稱作8·㈣醇或8·經基料）。該等化合物有助於 • $主,及輸送電子且兩者均展現了高度效能且其易於製成薄 膜形式》預期之類号辛化合物的實例為彼等先前所述滿足 結構式E的化合物。 • 其它電子輸送材料包括如美國專利4,356,429中所揭示之 各種丁二烯衍生物及如美國專利4,539,5〇7中所述之各種雜 環光學增亮創。滿足結構式G之苯并対亦為有用的電子 輸送材料。 其它電子輸送材料可為聚合物質’例如聚亞苯乙烯衍生 物、聚-對-伸苯基衍生物、聚第衍生物、聚嘆吩、聚乙块 及其它導電性聚合有機材料’諸如彼等在"Handb〇〇k 〇f Conductive Molecules and P〇lymers”，第 14卷，hs • NalWa編輯，J〇hn Wiley及 Sons，Chichester (1997))中所列 出之材料》 應瞭解：如此項技術中所常見，該等層中之一些可具有 多於L力能°舉例而言’發光層45及5〇可具有〇LED 裝置之效能所要之電洞傳遞性質或電子輸送性質。電洞傳 「 遞層40或電子輸送層55或兩者亦可具有發射性質。在此種 . m ’較上述者少之層即可滿足所要之發射特性。 上文提及之有機EL介質材料係藉由諸如昇華之氣相方法 合適地沉積’但其可自一流體，例如以可選黏結劑自一溶 98747.doc 1373505 劑沉積以改良成膜性。若該材料為聚合物，則溶劑沉積法 係有用的，但可使用其它方法，諸如濺鍍法或自施體薄片 之熱轉移法*待藉由昇華沉積之材料可自（例如）如美國專 利第6,237,529號中所述經常包含钽材料的昇華器"晶舟”汽 化，或可先塗佈於施體薄片上並接著在較接近基板處昇 華。具有材料之混合物的層可利用獨立的昇華器晶舟或可 將該等材料預混合並自單一晶舟或施體薄片塗佈。 電子注入層60亦可存在於陰極與電子輸送層之間。電子 注入材料之實例包括鹼金屬或鹼土金屬、諸如上文提及之 UF的鹼性齒化鹽或撸雜有鹼金屬或鹼土金屬的有機層。 彩色濾光片25包括用於自〇LED裝置1〇之像素或子像素 發射色彩之彩色濾光片元件且其為安置在有機EL元件上 方之彩色濾光片陣列的—部分。將彩色遽光片25構造成具 有帶通光譜以回應白光通過預選擇色彩之光，以便產生預 選擇色彩之輸出。尤其適用於全色〇LED裝置中之組合為 包括至少三個獨立之彩色濾光片25的彩色濾光片陣列，該 濾色片25具有分別用來通過紅光、綠光及藍光之6〇5 ^⑴至 700 nm、495 nm至 555 nm 及 435 nm至 480 nm的帶通光譜。 彩色濾光片之若干種類型在此項技術中係已知的。彩色濾 光片25的一個類型係形成於第二透明基板上並接著與第二 基板20之像素對齊。彩色遽光# 25之—替代性類型係直接 形成於OLED裝置1〇夕分/土 μ 如 * * ^ , 衣直…之疋件上。在一包含多個像素的顯示 器中，個別彩色濾光片元件之間的間隔亦可以黑色基質 (未圖不）來填充以減小像素串擾並改善顯示器之對比度。 98747.doc ⑧ •52· 儘管彩色濾先片2 S在此處顯示為位於陽極3 〇與基板2 〇之 門仁其可替代性地位於基板2〇之外表面上。對於頂部發 射裝置而言，#色渡光片25可位於陰極列的上方。 現轉至圖2，存在顯示根據本發明之另一實施例的〇LED 裝置15的剖面圖。除彩色濾光片安置在基板2〇上方之外， 此實施例與先前實施例類似，且展示了具有多色濾光片之 王色像素的子像素。彩色濾光片陣列包括至少3個獨立的 濾光片，例如紅色濾光片25a、綠色濾光片25b及藍色濾光 片25c，其之每一個分別形成紅色、綠色及藍色子像素之 部分。各子像素分別具有其特有的陽極30a、30b及30c， 該等陽極能夠獨立地引起個別子像素的發射。 存在其中可成功地實踐本發明之有機EL介質層的多種構 型。產生白光之有機EL介質層的實例描述於（例如）ep 1 187 235、美國專利申請公開案2002/0025419 Al、EP 1 182 244 及美國專利 5,683,823、5,503,910、5,405,709 及 5,283，182中。如£卩1 187 235人2中所示，在光譜之可見區 域内具有大體上連續之光譜的發射白光的有機EL元件可藉 由提供至少兩種用於收集性地發射白光之不同摻雜物來達 成’例如藉由包含下列層來達成： 一安置在陽極上方的電洞注入層35; 一電洞傳遞層40，其安置在電洞注入層35上方且摻雜有 用於發射在光譜之黃色區域内之光的發光黃色摻雜物； 一藍光發射層50，其包括主體材料及安置在電洞傳遞層 40上方之發光藍色摻雜物；及 98747.doc -53· 1373505 一電子輸送層55。 因為此種發射器產生寬範圍之波長，所以其可稱作寬頻 • 帶發射器且所得的發射光稱作寬帶頻光。 本發明及其優點可藉由下列對照性實例來更好的理解。 實例1(對照） 以下列方式構造—對照性OLED裝置： 1. 以氧化鉬錫（ITO)真空沉積一乾淨的玻璃基板以形成一 φ 85 nm厚的透明電極； 2. 如美國專利6,208,075中所述，以電漿氧氣蝕刻處理以 上所製備之ιτο基板，接著電漿沉積一 01 nm之氟碳聚合 物（CFx)層； 3. 藉由真空沉積一 240 nm之作為電洞傳遞層（HTL)之 4,4~雙[N-(l-萘基）_N-苯基胺基]聯苯（NPB)層來進一步處 理以上所製備之基板； 4·使含有0.5°/。環弗辛之32 nm NPB及8 nm紅螢烯的40 nm • 層在一包括經加熱之鈒晶舟源的塗佈臺上真空沉積於基板 上以形成一黃光發射層（黃色EML); • 5.使具有9% NPB及2.5% 4-(十對-曱苯基胺基）·4，_[(二_ 對-甲苯基胺基）苯乙烯基]芪之2-第三丁基_9，ι〇_雙（2·萘基） 蒽（TBADN)的50 nm塗層蒸鍵式地沉積在以上基板上以形 成一藍光發射層（藍色EML); 6.使10 nm之參（8-喹啉根基）鋁（iii)(ALq)電子輸送層 (ETL)在一包括經加熱之钽晶舟源的塗佈臺上真空沉積於 基板上；及 98747.doc •54·
1373505 7.使0.5 nm之氟化鋰層蒸鍍式地沉積於該基板上，接著 沉積100 nm之鋁層以形成一陰極層。 實例2(發明） 除步驟5如下之外，以實例1中所述之方式構造一 OLED 裝置： 5.使具有4% NPB及2% 4-(二-對-曱苯基胺基）-4'-[(二-對-曱苯基胺基）苯乙烯基]芪之9-(2-萘基）-10-(4-聯苯基）蒽 (NBA)的65 nm塗層蒸鍍式地沉積於以上基板上以形成一藍 光發射層。 實例3(發明） 除在步驟5中NPB數量為7%外，以實例2中所述之方式構 造一 OLED裝置。 實例4(發明） 除在步驟5中NPB數量為1 0%外，以實例2中所述之方式 構造一 OLED裝置。 實例5(發明） 除在步驟5中NBA厚度為52 nm外，以實例2中所述之方 式構造一 OLED裝置。 實例6(發明） 除在步驟5中NPB數量為7%外，以實例5中所述之方式構 造一 OLED裝置。 實例7(發明） 除在步驟5中NPB數量為10%外，以實例5中所述之方式 構造一 OLED裝置。 98747.doc -55- ⑧ 1373505 結果（實例1-7) 藉由跨過電極施加20 ma/cm2之電流及量測光譜來測試 該等裝置。接著將強度作為80 ma/cm2之恆定電流及20 ma/cm2之怪定電流下之時間函數來監視。下表顯示結果。 表1
實例 類型 藍色EML 中之％ NPB， nm NBA 驅動電壓 在20 mA/cm2 下的亮度 (cd/A) CIEx CIEy 在80 mA/cm2 下達到 50%亮度 的時間 (小時） 在20 mA/cm2 下達到 50%亮 度的預 測時間 (小時） 1 對照 9%,… 9.88 11.39 0.35 0.33 220 2500 2 發明 4%， 65 nm 11.51 10.15 0.44 0.35 1200 >10,000 3 發明 7%, 65 nm 10.93 11.05 0.38 0.36 1100 >10,000 4 發明 10%, 65 nm 10.06 10.39 0.35 0.36 1100 >10,000 5 發明 4%, 52 nm 10.59 10.57 0.45 0.35 1300 >10,000 6 發明 7%, 52 nm 10.00 11.06 0.40 0.35 1100 >10,000 7 發明 10%, 52 nm 9.68 11.31 0.37 0.34 900 >10,000
實例8(對照） 除步驟3-5如下外，以實例1中所述之方式構造一 OLED 裝置： 3. 藉由真空沉積一 200 nm之作為電洞傳遞層（HTL)的 4，^-雙[N-(l-萘基）-N-苯基胺基]聯苯（NPB)層來進一步處 理以上所製備之基板； 4. 使含有3% DBzR(上文之化合物P4)之24 nm NPB及6 nm tBuDPN(上文之化合物P6)的30 nm層在一包括經加熱之 钽晶舟源的塗佈臺上真空沉積於基板上以形成一黃光發射 98747.doc •56-
1373505 層（黃色EML);及 5.使具有5 nm NPB及0.75% BEP(上文之化合物M7)之2-第三丁基-9，l〇-雙（2-萘基）蒽（TBADN)的50 nm塗層蒸鍍式 地沉積在以上基板上以形成一藍光發射層（藍色EML)。 實例9(對照） 除步驟5如下外，以實例8中所述之方式構造一 OLED裝 置： 5.使具有 5 nm NPB 及 0.75% BEP 之 9-(2-萘基）-10-(4-聯苯 基）蒽（NBA)的50 nm塗層蒸鍍式地沉積在以上基板上以形 成一藍光發射層（藍色EML)。 結果（實例8-9) 藉由跨過電極施加20 ma/cm2之電流及量測光譜來測試 該等裝置。接著將強度作為80 ma/cm2恆定電流下之時間 函數來監視以判定達到50%亮度的時間。下表顯示該等結 果0 表2 實例 類型 藍色EML·中 之％ NPB， nm NBA 驅動電壓 在20 mA/cm2 下的亮度 (cd/A) CIEx CIEy 在80 mA/cm2 下到達50% 亮度的時間 (小 ___ 8 對照 10%，… 10.5 11.9 0.35 0.33 20〇_____ 9 對照 10%, 50 nm 9.39 12.29 0.39 0.33 600 此數據顯示：與其中之藍色主體材料為TBADN的OLED 裝置相比，將9-(2-萘基）-10-(4-聯苯基）蒽作為主體材料用 於發射白光之OLED裝置的藍光發射層中產生延長了 3至6 倍的發射壽命。具有經延長之壽命的裝置可製備有類似於 使用TBADN之對照實例的亮度、驅動電壓及CIE座標°因 98747.doc • 57- ⑧ 1373505 此’不犧牲效率或所要色調即可如本文中所述使發射白光 之OLED裝置製備有經改良之穩定性。 【圖式簡單說明】 圖1係—根據本發明之第一實施例之OLED裝置的剖面 圖；及 圖2係一根據本發明之另一實施例之〇LED裝置的剖面
戶1 因為諸如層厚度之裝置特徵尺寸常常在次微米範圍内， ^為了便於可視化，該等圖式係按比例而非尺寸精確度 【主要元件符號說明】 10 15 20 OLED裝置 OLED裝置 基板
25 25a 25b 25C 30 彩色濾光片 紅色濾光片 綠色濾光片 藍色濾光片 陽極 30a 30b 30c 陽極 陽極 陽極 35 40 電洞注入層 電洞傳遞層 98747.doc
-58- 發光層 發光層 電子輸送層 電子注入層 有機EL元件 陰極
-59-

Claims (1)

1373505
公告本十、申請專利範圍：
一種發射白光之OLED裝置，其包括經間隔放置的陽 極及陰極且具有藍光發射層及黃光、橙光或紅光發 射層，該藍光發射層包括： a)—作為主體材料之式（I)之單蒽衍生物，
其中： Ri-R8為 Η ; 與Ri〇不同； R9為不具有具脂族碳環組員之稠環的萘基；且 I。為不具有脂族碳環組員之稠環的聯苯基；且 其限制條件為R 9及R ι❶不含胺類及硫化合物 • 其中該黃光、橙光或紅光發射層包括： i)下列結構之化合物：
，或 1373505
其中Α,-Α6代表各環上之一或多個取代基且其中各 取代基個別地選自下列種類之一： 種類1 :氫，或1至24個碳原子的烷基； 種類2 . 5至20個碳原子之芳基或經取代之芳基； 種類3 :含有完成一稠合芳族環或環系統之々至24 個碳原子的烴； 種類4:經由一單鍵鍵結或完成一稠合雜芳族環系 統之5至24個碳原子的雜芳基或經取代之雜芳基諸
如噻唑基、呋喃基、噻吩基、D比啶基、喹啉基或其 它雜環系統； 種類5 : 1至24個碳原子之烷氧基胺基、烷基胺基 或芳基胺基；或 種類6 :氟、氣、溴或氰基； ii)下列結構之二茚苑（diindenoperylene)化合物： 2 1373505
Χι-Χ,6係經獨立選擇為提供 狄供紅色、黃色或橙色發 光之氫或取代基；或
iii)下列結構之化合物：
叫儿碾自下列基團 氫、烷基、經取代之烷基、芳基、或唾取代 Y丨15獨立地包括非環# A 飞丄取代之芳基； 非％狀基團或成對社人 -或多個㈣；其限制條件為形成 稠環；或 5 起形成一 i)、ii)及iii)之任意組合， 其中ii)包括： 3 1373505 2.
3. 4. 5. 6.
藍 ， y、τ热I射監光之摻 该主體材料之〇·25體積％至5體積％。 如凊求項2之發射白光的〇LED裝置，其，該發射 光之摻雜物包括三級芳族胺。 月托項1之裝置，其中R9為兩個稠環之萘基。 士明求項4之裝置，其中R9為未經取代之萘基。 D月求項1之裝置，其辛該萘基含有一其它稠環。 °月求項1之裝置，其中該萘基含有兩個或兩個以上 其它锏環。 8·如凊求項1之裝置，其中該萘基係經至少一選自下列 取代基之取代基取代··氟、羥基、氰基、烷基、烷 氧土芳氧基、芳基、羧基、三曱基矽烷基及雜環 氧基。 9.如請求項}之裝置，其中以為2_萘基。 1〇·如叫求項1之裝置，其中Rio為未經取代之聯苯基。 n.如叫求項1之裝置，其中該等苯環中之至少一個具有 4 1373505 一稠合至其上之環。 12. 如請求項丨之裝置，其中該聯苯基係經另一無稠環之 苯環取代以形成一聯三苯環系統。 13. 如請求項10之裝置，其中該聯笨基為2•聯苯基。 14. 如請求項10之裝置，其中該聯苯基為3聯苯基。 15. 如請求項10之裝置，其中該聯笨基為4聯苯基。 16. 如請求項12之裝置，其中該等環係未經取代。 17. 如請求項丨之裝置，其中該聯笨基係經至少一選自下 列取代基之取代基取代：氟、羥基、氰基、及烷基、 烷氧基、芳氧基、芳基、羧基、三甲基矽烷基及雜 環氧基。 18. 如請求項！之裝置，其中式⑴為
19,如請求項丨之裝置，其包括—聯合主體。 1373505 20. 如明求項19之裝置，其包括一聚合聯合主μ 體。 21. 如請求項19之裝置，其包括一類咢辛化合物 22. 如請求項2之裝置，其中該發射藍光之捧 i)以下結構之化合物， 匕
其中： A及A·代表與含有至少—個氣之6員芳族環系統相 對應的獨立吖嗪環系統； (χ3)η及（xb)m代表一或多個經獨立選擇之取代基 且包括非環狀取代基或結合以形成一稠合至A或A, 的環； m及η獨立地為〇至4 ; 乙3及Zb為經獨立選擇之取代基； 1、2、3、4、1’、2'、3'及4’為經獨立選擇之碳原 子或氮原子；且 其限制條件為選擇Xa、χΐ>、za及zb、1、2、3、4、 1'、2'、3’及4’以提供藍色發光； 二苯乙烯基笨或二笨乙烯基聯苯之發射藍光的 衍生物；或 茈或茈之衍生物。 23.如請求項22之裝置，其中丨）包括 6 1373505
24.如請求項22之裝置，其中ii)包括
25.如請求項22之裝置，其中iii)包括
7 1373505
之裝置，其中i)包括
26.如請求 27. 如請求項1之裝置，其中iii)包括
28‘如請求項1之裝置，其包括一包括至少3個獨立之濾 光片的彩色濾光片陣列，該等濾光片具有分別用於 • 回應白光通過紅光、綠光及藍光之帶通光譜以產生 所預選擇之色彩輸出。 29. 如請求項28之裝置，其中該紅色濾光片之帶通光譜 為 605 nm至 700 nm。 30. 如請求項28之裝置，其中該綠色濾光片之帶通光譜 為 495 nm至 555 nm。 31. 如請求項28之OLED裝置，其中該藍色濾光片之帶通 光譜為435 nm至480 nm。
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