JP2010537383A - 安定化した白色発光oled装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の目的は、安定性を高める改善されたOLED構造物を提供することである。
a.前記アノードの上方に設けられ、第1ホスト物質及び第1発光物質を含有する第1発光層であって、前記第1ホスト物質は、1つ以上のモノアントラセン誘導体及び1つ以上の芳香族アミン誘導体の混合物であり、前記モノアントラセン誘導体は、全層体積に対して50%超過95%以下の体積分率の範囲で与えられ、前記芳香族アミン誘導体は、全層体積に対して1%以上40%以下の体積分率の範囲で与えられ、前記第1発光物質は、スペクトルの黄色〜赤色部分においてピーク発光を有する第1発光層と、
b.前記第1発光層の上方又は下方に設けられる第2発光層であって、スペクトルの青色〜青緑色部分においてピーク発光を有する第2発光層と
を含み、且つ
c.前記第1及び第2発光層のピーク発光は、前記OLED装置によって白色光が同時に生じるように選択される白色発光OLED装置によって達成される。
a.前記アノードの上方に設けられ、第1ホスト物質及び第1発光物質を含有する第1発光層であって、前記第1ホスト物質は、1つ以上のモノアントラセン誘導体及び1つ以上の芳香族アミン誘導体の混合物であり、前記モノアントラセン誘導体は、全層体積に対して50%超過95%以下の体積分率の範囲で与えられ、前記芳香族アミン誘導体は、全層体積に対して1%以上40%以下の体積分率の範囲で与えられ、前記第1発光物質は、スペクトルの緑色〜赤色部分においてピーク発光を有する第1発光層と、
b.前記第1発光層の上方又は下方に設けられる第2発光層であって、スペクトルの青色〜青緑色部分においてピーク発光を有する第2発光層と、
c.前記第1及び第2発光層よりも前記アノードに近く設けられる第3発光層と
を含み、且つ
d.前記第1、第2及び第3発光層のピーク発光は、前記OLED装置によって白色光が同時に生じるように選択される白色発光OLED装置によって達成される。
第1群:水素、又は1〜24個の炭素原子を有するアルキル
第2群:5〜20個の炭素原子を有するアリール又は置換アリール
第3群:ナフチル、ピレニル又はペリレニルの縮合芳香環を完成するのに必要な4〜24個の炭素原子
第4群:フリル、チエニル、ピリジル、キノリニル又は他の複素環系の縮合芳香族複素環を完成するのに必要な5〜24個の炭素原子を有するヘテロアリール又は置換ヘテロアリール
第5群:1〜24個の炭素原子を有するアルコキシルアミノ、アルキルアミノ又はアリールアミノ
第6群:フッ素、塩素、臭素又はシアノ
第1群:水素、又は1〜24個の炭素原子を有するアルキル
第2群:5〜20個の炭素原子を有するアリール又は置換アリール
第3群:縮合芳香環又は環系を完成する、4〜24個の炭素原子を含有する炭化水素
第4群:単結合を介して結合されるか、又は縮合芳香族複素環を完成する、チアゾリル、フリル、チエニル、ピリジル、キノリニル又は他の複素環系などの5〜24個の炭素原子を有するヘテロアリール又は置換へテロアリール
第5群:1〜24個の炭素原子を有するアルコキシルアミノ、アルキルアミノ又はアリールアミノ
第6群:フルオロ、クロロ、ブロモ又はシアノ
1.インジウムスズ酸化物(ITO)をスパッタリングすることにより、きれいなガラス基板に堆積させ、60nmの厚さの透明電極を形成した。
2.上記で調製したITO表面を酸素プラズマエッチングで処理した。
3.上記で調製した基板を、正孔注入層(HIL)としてヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン(CHATP)の10nm層を真空蒸着することによってさらに処理した。
5.上記で調製した基板を、2%の黄色−橙色発光ドーパントのジフェニルテトラ−t−ブチルルブレン(PTBR)をもつ(ホストとしての)NPBの40nm黄色発光層を真空蒸着することによってさらに処理した。
8.100nmのアルミニウム層を基板上に蒸発によって堆積させ、カソード層を形成した。
工程5を以下のようにしたこと以外は、実施例1で上記した通りにしてOLED装置を作製した。
5.上記で調製した基板を、(ホストとしての)30nmのNPBと、2%の黄色−橙色発光ドーパントPTBRをもつ共同ホストとしての10nmのNNAとを含む40nmの黄色発光層を真空蒸着することによってさらに処理した。
工程5を以下のようにしたこと以外は、実施例1で上記した通りにしてOLED装置を作製した。
5.上記で調製した基板を、(ホストとしての)20nmのNPBと、2%の黄色−橙色発光ドーパントPTBRをもつ共同ホストとしての20nmのNNAとを含む40nmの黄色発光層を真空蒸着することによってさらに処理した。
工程5を以下のようにしたこと以外は、実施例1で上記した通りにしてOLED装置を作製した。
5.上記で調製した基板を、(ホストとしての)15nmのNPBと、2%の黄色−橙色発光ドーパントPTBRをもつ共同ホストとしての25nmのNNAとを含む40nmの黄色発光層を真空蒸着することによってさらに処理した。
工程5を以下のようにしたこと以外は、実施例1で上記した通りにしてOLED装置を作製した。
5.上記で調製した基板を、(ホストとしての)10nmのNPBと、2%の黄色−橙色発光ドーパントPTBRをもつ共同ホストとしての30nmのNNAとを含む40nmの黄色発光層を真空蒸着することによってさらに処理した。
工程6を以下のようにしたこと以外は、実施例1で上記した通りにしてOLED装置を作製した。
6.上記で調製した基板を、青色発光ドーパントとして3%の[N,N−ジ−p−トリルアミノ][2−[4−[N,N−ジ−p−トリルアミノ]フェニル]ビニル]ビフェニルをもつ30nmのNNAホストを含む30nmの青色発光層を真空蒸着することによってさらに処理した。
工程5を以下のようにしたこと以外は、実施例6で上記した通りにしてOLED装置を作製した。
5.上記で調製した基板を、(ホストとしての)30nmのNPBと、2%の黄色−橙色発光ドーパントPTBRをもつ共同ホストとしての10nmのNNAとを含む40nmの黄色発光層を真空蒸着することによってさらに処理した。
工程5を以下のようにしたこと以外は、実施例6で上記した通りにしてOLED装置を作製した。
5.上記で調製した基板を、(ホストとしての)20nmのNPBと、2%の黄色−橙色発光ドーパントPTBRをもつ共同ホストとしての20nmのNNAとを含む40nmの黄色発光層を真空蒸着することによってさらに処理した。
工程5を以下のようにしたこと以外は、実施例6で上記した通りにしてOLED装置を作製した。
5.上記で調製した基板を、(ホストとしての)15nmのNPBと、2%の黄色−橙色発光ドーパントPTBRをもつ共同ホストとしての25nmのNNAとを含む40nmの黄色発光層を真空蒸着することによってさらに処理した。
工程5を以下のようにしたこと以外は、実施例6で上記した通りにしてOLED装置を作製した。
5.上記で調製した基板を、(ホストとしての)10nmのNPBと、2%の黄色−橙色発光ドーパントPTBRをもつ共同ホストとしての30nmのNNAとを含む40nmの黄色発光層を真空蒸着することによってさらに処理した。
12 OLED装置
14 OLED装置
16 OLED装置
20 基板
30 アノード
35 正孔注入層
40 正孔輸送層
51 第1発光層
52 第2発光層
53 第3発光層
55 スペーサー層
60 電子輸送層
90 カソード
Claims (25)
- アノード及びカソードを有する白色発光OLED装置であって、
a.前記アノードの上方に設けられ、第1ホスト物質及び第1発光物質を含有する第1発光層であって、前記第1ホスト物質は、1つ以上のモノアントラセン誘導体及び1つ以上の芳香族アミン誘導体の混合物であり、前記モノアントラセン誘導体は、全層体積に対して50%超過95%以下の体積分率の範囲で与えられ、前記芳香族アミン誘導体は、全層体積に対して1%以上40%以下の体積分率の範囲で与えられ、前記第1発光物質は、スペクトルの黄色〜赤色部分においてピーク発光を有する第1発光層と、
b.前記第1発光層の上方又は下方に設けられる第2発光層であって、スペクトルの青色〜青緑色部分においてピーク発光を有する第2発光層と
を含み、且つ
c.前記第1及び第2発光層のピーク発光は、前記OLED装置によって白色光が同時に生じるように選択される白色発光OLED装置。 - 前記モノアントラセンは、9,10−ジアリールアントラセンである請求項1に記載の白色発光OLED装置。
- 前記モノアントラセンは、9−(1−ナフチル)−10−(2−ナフチル)アントラセンである請求項2に記載の白色発光OLED装置。
- 前記第2発光層は、アントラセンホストを含有する請求項1に記載の白色発光OLED装置。
- 前記第2発光層は、芳香族アミン誘導体を含有しない請求項4に記載の白色発光OLED装置。
- 前記第2発光層は、アミノスチリルアレンドーパントを含有する請求項5に記載の白色発光OLED装置。
- 前記第2発光層中のアミノスチリルアレンドーパントの濃度は、0.5%〜10%である請求項6に記載の白色発光OLED装置。
- 前記第2発光層は、芳香族アミン誘導体共同ホストをさらに含む請求項4に記載の白色発光OLED。
- 前記第2発光層は、ビス(アジニル)アゼンボラン錯体ドーパントを含有する請求項8に記載の白色発光OLED。
- 前記ビス(アジニル)アゼンボラン錯体ドーパントの濃度は、0.1%〜5%である請求項9に記載の白色発光ドーパント。
- 前記第1発光層は、前記第2発光層よりも前記アノードに近い請求項1に記載の白色発光OLED装置。
- 前記第1発光層は黄色光を発光し、且つ前記第1発光層と前記第2発光層との間に非発光スペーサー層をさらに含む請求項1に記載の白色発光OLED装置。
- アノード及びカソードを有する白色発光OLED装置であって、
a.前記アノードの上方に設けられ、第1ホスト物質及び第1発光物質を含有する第1発光層であって、前記第1ホスト物質は、1つ以上のモノアントラセン誘導体及び1つ以上の芳香族アミン誘導体の混合物であり、前記モノアントラセン誘導体は、全層体積に対して50%超過95%以下の体積分率の範囲で与えられ、前記芳香族アミン誘導体は、全層体積に対して1%以上40%以下の体積分率の範囲で与えられ、前記第1発光物質は、スペクトルの緑色〜赤色部分においてピーク発光を有する第1発光層と、
b.前記第1発光層の上方又は下方に設けられる第2発光層であって、スペクトルの青色〜青緑色部分においてピーク発光を有する第2発光層と、
c.前記第1及び第2発光層よりも前記アノードに近く設けられる第3発光層と
を含み、且つ
d.前記第1、第2及び第3発光層のピーク発光は、前記OLED装置によって白色光が同時に生じるように選択される白色発光OLED装置。 - 前記モノアントラセンは、9,10−ジアリールアントラセンである請求項13に記載の白色発光OLED装置。
- 前記モノアントラセンは、9−(1−ナフチル)−10−(2−ナフチル)アントラセンである請求項14に記載の白色発光OLED装置。
- 前記第2発光層は、アントラセンホストを含有する請求項13に記載の白色発光OLED装置。
- 前記第2発光層は、芳香族アミン誘導体を含有しない請求項16に記載の白色発光OLED装置。
- 前記第2発光層は、アミノスチリルアレンドーパントを含有する請求項17に記載の白色発光OLED装置。
- 前記第2発光層中のアミノスチリルアレンドーパントの濃度は、0.5%〜10%である請求項18に記載の白色発光OLED装置。
- 前記第2発光層は、芳香族アミン誘導体共同ホストをさらに含む請求項13に記載の白色発光OLED。
- 前記第2発光層は、ビス(アジニル)アゼンボラン錯体ドーパントを含有する請求項20に記載の白色発光OLED。
- 前記ビス(アジニル)アゼンボラン錯体ドーパントの濃度は、0.1%〜5%である請求項21に記載の白色発光ドーパント。
- 前記第1発光層は、前記第2発光層よりも前記アノードに近い請求項13に記載の白色発光OLED装置。
- 前記第3発光層は赤色光を発光し、前記第1発光層は緑色又は黄色光を発光する請求項23に記載の白色発光OLED装置。
- 前記第3発光層は黄色光を発光し、前記第1発光層は緑色光を発光する請求項23に記載の白色発光OLED装置。
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