TWI363099B - - Google Patents

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TWI363099B
TWI363099B TW095110264A TW95110264A TWI363099B TW I363099 B TWI363099 B TW I363099B TW 095110264 A TW095110264 A TW 095110264A TW 95110264 A TW95110264 A TW 95110264A TW I363099 B TWI363099 B TW I363099B
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Description

IJ〇3〇99 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種Cu-Ni-Si-Zn系入今钟就故 於作為連接器、端子、繼電器、開關等 又,”,適 趣电益開關等導電性彈性材料, 且具有良好对熱性。 【先前技術】 使用於端子、連接器等之電子材料用銅合金,其合金 的基本特性,要求須兼具高強度、高導電性或導埶性。又, :該等特性以外,#要求須具有彎曲加工性、耐應力緩和 寺性、耐熱性、與鍍敷層之密合性、帛料潤濕性 (wettabiluy)、蝕刻加工性、衝壓性、耐蝕性等。 就高強度及高導電性之觀點而言’近年來,電子材料 用銅合金’捨棄以往以鱗青銅、黃銅等為代表之固溶強化 型銅合金,而取而代之的時效硬化型銅合金的使用量正逐 漸〜加中。時效硬化型銅合金係藉由將經固溶處理過的過 飽^固溶體加以時效處理’以將微細的析出物均句分散而 提南合金強度,且可減少銅固溶元素量而提高導電 性。因此,可得到強度、彈性性能等機械性質優里,且導 電性、導熱性良好的材料。 ,硬化型銅合金中,Cu_Ni_Sl系合金為兼具高強 f與向導電率的代表性鋼合金,且被實際應用作為電子機 益用材料。該鋼合金藉由在銅基質中使微細的Ni _ Si系金 屬間化合物粒子析出以提升強度與導電率。
Cu Ni — Si系合金之一般製造過程為,首先使用大氣 5 1363099 熔解爐,於木炭被覆下,將電解銅(electr〇lytie⑶pp⑺、W、 Si等原料加以熔解,以得到所欲組成的熔融液。接著,將 該熔融液鑄造為鑄錠。然後,進行熱壓延、冷壓延及熱處 理,而加工成具有所欲厚度及特性的條狀或箔狀。… /有時會SCu-Ni-Si系、合金條施以錢锡處理。於該情 形,為改善Sn鍍敷層的耐熱剝離特性,常會在人金中六 加少量的Zn(以下稱為Cu-Ni—Si_Zn系合 • —Si—Zn系合金之鍍錫條係利用Sn優異的焊料潤渴性、 耐钱性、電連接性,以使用作為汽車用及民生用之端子、 連接器等。 CU—Ni—Si—Zn系合金之鍍錫條,一般係以如下步驟 製造:在連續鍍敷作業線上,經過除脂及酸洗後,以電鍍法 形成Cu基底鍍敷層,接著亦以電鍍法形成311鍍敷層,最 後施以熔焊處理(ren〇w打以加⑶小吏Sn鍍敷層熔融。 近年來,由於電子、電器零件的電路數增加,對電路 φ供給電信號的連接器也愈來愈多極化。鍍錫材由於其柔軟 性,故在連接器的接點係採用使公母緊接的氣密(gastigM) 構造,因此相較於以鐘金等所構成的連接器,其每一電極 的連接器插入力較高。故,因連接器的多極化而造成連接 器插入力的增大成為一問題。 例如,於〉又車的組裝線上,嵌合連接器的作業目前& 4刀以人工進行。若連接器的插入力變大,則會對組裝線 上的作業人員造成負擔,與作業效率的下降有直接關係。 再者,亦有可能損害作業人員的健康。因此’降低鐘錫材 6 的插入力被強烈地期待。 成八舍p“丨鍍锡材隨時間經過,母材或基底鍍敷層的 二I: 層而形成合金層,導致純Sn層消失,造 成接觸电阻、耐熱剝離性、 烊接性(solderability)等各種特 性發生劣化。Cu—Ni— Si— ^
Zn系合金之銅基底鍵錫時,該 合金層主要為Cu3Sn、Cu ς 咕 eUeSn5等金屬間化合物。愈高溫則 愈會促進其特性之逐漸龙 ^ 、斯名化’於汽車之引擎周圍等特別顯 者。 &於此種狀况下’由美國三大汽車製造商所設立之決定 汽㈣件規㈣USCAR中,對於連接材的耐熱性要求逐 軒升同最嚴格的使用條件為,要求平時使用溫度⑸。。、 ^使用溫度175°C下的耐熱性。又,在日本國内,特別 疋π車相關的連接材’對於耐熱性的要求亦同樣逐漸升 问’於15 0 C以下的耐熱性逐漸受到要求。 並且’由於連接器製造商的生產據點往海外移轉,有 忙候原材料經鍍敷後,會放置一段時間才使用。因此要 求即使長期保存,鍍敷材的各種特性亦不會發生劣化的材 料’亦即耐時效性高的材料。又,鍍敷材的特性劣化在高 益下會受到促進。因此,在高溫下較少發生特性劣化的材 料可說是即使長期保存特性亦不會發生劣化的材料。因 此’於此領域亦要求耐熱性高的鍍敷材。 如上所述,於鍍錫材方面,插入力的降低及耐熱性的 改善成為近年來的課題。用以降低連接器之插入力的有效 方法,如專利文獻1、專利文獻2、專利文獻3等所揭示, 赶使Sn鍍數層變薄。另一方面,專利文獻4中,係將調 正鍍錫表面之努氏硬度(knoop hardness)以降低插入力的技 ^用於Cu — Ni ~ Si系合金。然而,由於該發明在其實 施例中,認為努氏硬度與Sn鍍敷層厚度之間具有良好的 關連’因此亦是-種使Sn鐘敷層變薄的技術。. 若使Sn鍍敷層變薄,則會因純Sn層消失而導致特性 劣化提早進行。亦即,僅是使Sn鍍敷層變薄,雖然會使 插入力降低,但是卻會導致耐熱性劣化。因此,使錫層變 濤時,必須同時使用可改善Sn鍍敷層耐熱性的技術。 改善Sn鍍敷層耐熱性的技術,曾提出藉由基底鍍敷 末防止Cu等擴政到sn中的技術。例如,於專利文獻$、 專利文獻6、專利文獻7、專利文獻8中,揭示施以以/ Cu /Νι/銅合金母材之三層鍍敷的技術。若將該三層鍍敷層 進行熔焊,則會成為Sn/Cu— Sn合金/Ni/銅合金母材 的構造。於是,藉由Ni層以抑制母材的Cu擴散至以層 中,且藉由Cu— Sn層的存在來抑制Ni擴散到Sn層之中, 因此可使純Sn層的消失變慢,提高耐熱性。 [專利文獻1]曰本特開平10_ 265992號公報 [專利文獻2]曰本特開平1〇_ 3〇2864號公報 [專利文獻3]曰本特開2〇〇〇_ 164279號公報 [專利文獻4]曰本特許第3391427號公報 [專利文獻5]曰本特開平6— 196349號公報 [專利文獻6]曰本特開平u — 135226號公報 [專利文獻7]日本特開2〇〇2 — 226982號公報 8 1363099 [專利文獻8]日本特開2003 - 293187號公報 【發明内容】 上述三層锻敷層的情形,耐熱性雖然提高,但是必須 再增加一新鍛錄步驟’而且鎳金屬的價格亦高於銅金屬, 故會產生不可忽略的製造成本的增加。因此,要求在不增 加成本下’亦即在不改變銅基底熔焊鍍Sli之基本規格下, 可改善Cn 一 Ni—Si—Zn系合金鍍錫條耐熱性的技術。 φ 本發明之課題係在不増加製造成本下,可改善Cu _ Ni 一 Si — Zn系合金鍍錫條之耐熱性。 本發明人對於在Cu〜Ni_Si—Zn系合金施以銅基底 炼焊鑛錫之材料,探討了鍍敷層組成及耐熱性的關係。其 結果發現:若h鍍敷層之表面的Si濃度或Zn.濃度高,則 在高溫下長期保存時的接觸電阻其劣化會較顯著。為了改 善Cu-Ni-Si-Zn系合金母材之焊料潤濕性等,而控制 母材表面之Si(氧化物)的技術在過去曾被揭露(日本特開平 鲁* 09- 209062號公報、日本特開期卜329323號公報、日 本特開2〇01 - 181759號公報),但是控制&鑛敷層表面之 Si與Zn ’並改善於高溫環境下接觸電阻逐漸劣化的技術則 是由本發明首次發現。 丹考·,本發明 …心父介面的C或 的濃度較高’則在高溫下長期保存時1敷層會產生剥 離(以下稱為熱剝離”Cu—m—s卜Ζη系合金的献剝離, 雖然嘗試著眼於母材之熱處理條件或雜f來加以改善(日本 特開63- 262448號公報、日本特開平5—〇59468號純), 9 1363099 但是亦達不到工業上可穩定製造具有良好耐熱剝離性材料 的程度。特別是Cu—Ni—Si—Zii系合金在近的溫 度環境下具有耐熱剝離性不安定的問題。 本發明係依上述技術而完成者,提供:
(1)一種Cu-Ni—Si-Zn系合金鍍錫條,其特徵為: 係以由下列成分所構成之銅基合金作為母材含有 〜4.5質量%的Nl、1/6〜1/4之m質量%的si 〇 μ、 質量%的Zn,剩餘部分為Cu及不可避免的雜質· 自表面至母材…n相、Sn—Cu合金相、’Cu相之各 層構成鑛敷被膜,Sn相之厚度為〇 Μ 5師、I a人 金相之厚度為相之厚度為㈠8帅,二 Μ表面之Sl濃度在U質量%以下,Sn相表面之 度則在3.0質量%以下β n /辰 糸合金錄錫條,其中,鍵 °,1質量%以下’ 〇濃度 (2)如(1)之 Cu—Ni—Si—Zn 敷層與母材之交界面的C濃度在 在1質量%以下。 如孰(2)之 中,母材含有0.05〜2.0質量%的如 ⑷如⑴、⑺或(3)<Cu — 1 士 士人 系合金錄錫條, 其中,母材含有合計〇.〇1〜〇 旦 余 D 。 5貝量%之選自Ag、Mn、Cr P、C〇、Mg及Mo中之一種以上的元素。 Cr'
〜本發明可在不增加製造成本下,改善II 糸e金錄錫條之耐熱性。 Zn 【貫施方式】 10 1363099 . v
I 且保持在高溫環境下時,接觸電阻的逐漸劣化會變得較顯 著。因此,將Sn表面之si濃度及Zn濃度分別規定在1 〇 質量%以下及3.0質量%以下。 (5) 於鍍敷層與母材之交界面的c及Ο濃度 若C超過〇· 1質量% ’或〇超過i質量%,則耐熱剝 離性會降低。特別對於在105°c附近之溫度的熱剝離,此 現象會較顯著發生。因此將C濃度規定在0.1質量%以下, 而〇濃度則規定在1質量%以下。 (6) 鍍敷層之厚度 於Cu—Ni—Si—Zn系合金母材上,以電鍍依序形成 銅鍍敷層及Sn鍍敷層,然後進行熔焊處理。藉由該熔焊 處理’使銅鍍敷層及Sn鍍敷層反應而形成Sn-cu合金相, 鑛敷層構造自表面側起為Sn相、Sn_ cu相、cu相。 炼焊後該等相之厚度係調整為下列範圍:
Sn 相:0.1 〜ι.5μιη • Sn—Cu 合金相:〇.ι 〜i.5/xm
Cu 相:〇〜〇· 若Sn相不滿〇_1μηι,則在高溫環境下之接觸電阻及焊 料潤濕的逐漸劣化會更顯著,若超過15μπι,則插入力會 明顯變高。更佳的範圍為〇.2〜1〇i[nn。 由於Sn-Cu合金相為硬質,因此以〇以上的厚 度存在時,將有助於插入力的降低。另一方面,若Sn_Cu 合金相的厚度超㊣l_5/m ’則會成為彎曲加工時發生龜裂 的原因。更佳的厚度為0.5〜1.2μιη。 12 1363099 . %
W
Cu基底鍍敷層,會抑制熔焊時以及以擴散至^。中。 該Cu基底鍍敷層即使在熔焊時消耗於Sn—Cu合金相之形 成而消失亦無所謂。亦即,炫:焊接 1洛坏後之Cu相厚度下限值並 無限制,厚度亦可為零。
Cu相厚度的上限值,於料後使其在Q8_以下。若 超過〇.8/un,則耐熱剝離性會發生劣化,特別對於在1〇5艺 附近之溫度的熱剝離,此現象會較顯著發生。更佳的α ^ 相厚度為〇_3μηι以下。 [實施例] 使用高頻感應爐,於内徑60mm、深度2〇〇mm之石墨 掛财將2公斤的電解銅加以溶解。在該銅溶液的表面以 木炭片被覆後,添加Ni、Si、Zn、Sn等合金成分’且將 =銅,液溫度調整至120〇1然後,將該溶融液濟鑄於模 具,製成寬60mm、厚30mm的鑄錠,並以如下步驟為標 準,加工為鍍錫條。 『 • (步驟丨)於95〇t加熱3小時後,進行熱壓延至厚度為 8mm。 (步驟2)將熱壓延板表面的氧化鏽垢以磨具加以研磨去 除。 (步驟3)進行冷壓延至板厚為3rnm。 (步驟4)以80〇t加熱10秒並於水中急速冷卻,以作 為固溶處理。 (步驟5)依序進行酸洗(使用10質量%硫酸_1質量% 過氧化氫溶液)及機械研磨(使用#1200研磨紙),以去除表 13 1363099 % 面氧化犋。 (步驟6)進行冷壓延至板厚為〇.25mm。 (步驟7)以450°C加熱5小時並加以氣冷,以作為時效 處理。 (步驟8)依序進行酸洗(使用10質量。/〇硫酸_i質量% 過氧化氫溶液)及機械研磨(使用#12〇〇研磨紙),以去除表 面氧化膜。 (步驟9)於丙酮中施以超音波,進行除脂。 (步驟10)以如下條件鍍敷Cu基底: 電錢溶液(plating bath)組成:硫酸銅200g/L、硫酸60g /L。 電錢溶液溫度:2 51:。 電流密度:5A/dm2。
Cu鍍敷層厚度係以電沈積時間(eiectr〇dep〇siting time) 來調整。 (步驟11)以如下條件鐘敷Sri。
電鍵溶液纽成:氧化錫4lg/ l、苯酚磺酸268g/ L·、界 面活性劑5g/L 電鍍溶液溫度:5(TC 電流密度:9A/dm2
Sn鍍敷層厚度係以電沈積時間來調整。 (步驟1 2)熔焊處理,於保持既定溫度的加熱爐中,將 式樣插入既疋時間並加以水冷。加熱爐中之氣體環境係將 氧氣調整為1體積%以下之氮氣。 1363099 · % 對以上述方式製作的試樣,進行如下的評價。 (1) 母材之成分分析 以機械研磨將鍍敷層完全去除後,以ICP —發光分光 儀(light emission spectroscopy)測定 Ni、Si、Zn 及 Sn 等之 濃度。 ‘ (2) 以電解式臈厚計測定鍍敷層厚度 對熔焊後之試樣’測定Sn相及Sn— Cu合金相的厚度。 又,此方法並無法測定Cu相之厚度。 ® (3)表面分析 將熔焊後之試樣在丙酮中進行超音波除脂後,以輝光 放電分析儀(Glow Discharge Spectroscopy,GDS),求出 Sn、
Cu、Si、Zn、C、Ο深度方向之濃度分布。測定條件如下。 裝置:傑賓依朋(JOBIN ΥΒΟΝ)公司製,JY5000RF-PSS 受} 〇 電流法程式(current method pro gram): CNB in t eel — 12 aa 一 0。 ^ 模式:定功率=40 W。
Ar —加壓(presser):775Pa。 電流值:40mA(700V:)。 沖洗時間(flush time):20秒。 預備放電時間(preburne time)時間:2秒。 決定時間(determination time):分析時間(analysis time) = 30 秒、取樣時間(sampling time)=0.020 秒 / 點。 由濃度分布數據,求出熔焊後殘留的Cu基底鍍敷層(Cu 15 1363099 相)之厚度,Sn表面之Si及Ζπ濃度,鍍敷層/母材界面 之c及〇濃度。 以GDS測得之濃度分布數據中代表性者如圖1〜3所 示。圖1為後述發明例3的數據。在深度之層,其 Cu濃度高於母材。該層為熔焊後殘留的Cu基底鍍敷層, 讀取該層之厚度以作為Cu相之厚度。又,若銅濃度不高 於母材時’則Cu基底鍍敷層視為消失(Cu相厚度為零)。 圖2為將後述發明例2及比較例9表面的Si及Zn之 分布加以擴大表示者。讀取深度〇μπι之位置的si及Zll濃 度’以作為Sn表面的Si、Zn濃度。 圖3為後述發明例6之數據。由左圖可得知,鑛敷層 與母材之界面在深度1·3μπι之處。若觀察右圖,可知在該 冰度1.3/xm之處,具有C及Ο的峰部。讀取該蜂部的高度, 以作為鍍敷層與母材界面的C、〇濃度。 (4)焊料潤濕性 取寬10mm的細長狀測試片,於1 〇質量%硫酸水溶液 中加以洗淨。依據JIS _ C0053,以梅尼司克作圖法 (meniscograph method),測定焊料潤濕時間。測定條件如 下。 助焊劑:25%松香一乙醇。 焊料組成:60%Sn — 40%Pb、焊料溫度:230。匚。 浸泡(拉出)速度:25mm/ s、浸泡深度:2mm。 (5)接觸電阻變化 對於在大氣中以150°C加熱1000小時的試樣,使用山 1363099 崎式接點模擬器(CRS— 113-Au型),以四端子法測定接觸 电阻。測定條件如下。 接觸負荷:0.49N。 偏壓:20〇mV » 電流:i〇mA。 /骨動速度:1 mm/ min、滑動距離:1 mm。 (6)耐熱剝離性 取寬10mm的細長狀測試片,於1〇5。〇或i5〇<t的溫度,
在大氣中加熱S 1000小時。其間,每1〇〇小時將試樣自 加熱爐取出,進行彎曲半徑 復(90度彎曲來回一次)。然 觀察彎曲内周部表面,檢查 〇.5mm之90度彎曲及彎曲回 後’以光學顯微鏡(倍率5〇倍) 是否有鍍敷層的剝離。
17 1363099
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面的Si或Zn濃度皆超 濕時間增加,以150°C 12其熔焊後之鍍Sn表 ,且元成炫焊的焊料潤 加熱1000小時後的接觸電阻亦增大。 由以上實施例,可知為贺批士 n 乃灰知·本發明之鍍錫條,下列事 項是非常重要的: (1) 將母材表面的氧化膜或髒污充分去除。 (2) 將Cu基底鍍敷層在電沉積時的厚度調整至適當範 圍(0.2〜1 μηι)。 (3) 將Sn錄敷層在電沉積時的厚度調整至適當範圍5 〜1 ·8μιη)。 (4) 以適當的電流密度進行鍍敷。 (5) 將熔焊爐中的氧濃度壓低。 (6) 不使熔焊爐的溫度過高。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示發明例3之銅層之GDS的濃度分布數據。 圖2係顯示發明例2、發明例9之表面的Si及Zn之 GDS的濃度分布數據。 圖3係顯示發明例6之鍍敷層與母材界面的c及〇之 GDS的濃度分布數據。 【主要元件符號說明】 無 22

Claims (1)

  1. /Λ: 1363咖專利申請第.9511。264號(99年6|^正)· 申請專利範圍: 種Cu Ni Si-Zn系合金鍍踢條,其特徵為 係以由下列成分所構成且在時效處理後進行酸洗· 磨之銅基合金作為母材:含有! Q〜4 5 f量%的M W〜1 /4之Ni質量%的Si、〇卜2 〇質量%的zn,剩餘部分為 Cu及不可避免的雜質; 自表面至母材,以Sn相、Sn_Cu合金相、未進行塑性 變形之Cu相之各層構成鍍敷被膜,Sn相之厚度為〇1〜 μιη Sn Cu 〇金相之厚度為〇.丨〜丨.5 、cu相之厚度 為0〜0·8μιη,而Sn相表面之Si濃度在2 〇質量%以^,& 相表面之Zn濃度則在3〇質量%以下,並且鍍敷被膜與母 材之父界面的C濃度在〇 · 1質量%以下,〇濃度在丨質量% 以下。 2. 如申凊專利範圍第1項之Cu — Ni - Si — Zn系合金鍍 錫條’其中,母材含有0.05〜2.0質量%的Sn。 3. 如申請專利範圍第1項之cu〜Ni _ Si 一 zn系合金鍍 錫條,其中,母材含有合計〇·〇 1〜0.5質量%之選自Ag、 Μη、Cr、P、Co、Mg及Mo中之一種以上的元素。 4. 如申請專利範圍第2項之Cu~~ Ni- Si— Zn系合金鍍 锡條’其中’母材含有合計0.01〜0.5質量%之選自Ag、 Μη、Cr、P、c〇、Mg及Mo中之一種以上的元素。 十一、圖式: 如次頁 23 1363099 ο ο ο ο ο 0 8 6 4 2 1 -30
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4402132B2 (ja) * 2007-05-18 2010-01-20 日鉱金属株式会社 リフローSnめっき材及びそれを用いた電子部品
WO2009144973A1 (ja) * 2008-05-30 2009-12-03 日鉱金属株式会社 Sn又はSn合金めっき被膜、それを有する複合材料、及び複合材料の製造方法
JPWO2011039875A1 (ja) 2009-09-30 2013-02-21 Jx日鉱日石金属株式会社 すずめっきの耐熱剥離性に優れるCu−Ni−Si系合金すずめっき条
CN101784165B (zh) * 2010-03-19 2014-11-05 中兴通讯股份有限公司 一种印制电路板耐腐蚀可焊涂层处理方法
JP5281031B2 (ja) * 2010-03-31 2013-09-04 Jx日鉱日石金属株式会社 曲げ加工性に優れたCu−Ni−Si系合金

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0830235B2 (ja) * 1991-04-24 1996-03-27 日鉱金属株式会社 導電性ばね用銅合金
JP3728776B2 (ja) * 1995-08-10 2005-12-21 三菱伸銅株式会社 めっき予備処理工程中にスマットが発生することのない高強度銅合金
JP3391427B2 (ja) * 1996-05-14 2003-03-31 三菱伸銅株式会社 メッキ銅合金薄板およびその薄板で製造したコネクタ
DE10025106A1 (de) * 2000-05-20 2001-11-22 Stolberger Metallwerke Gmbh Elektrisch leitfähiges Metallband und Steckverbinder hieraus
JP4112426B2 (ja) * 2003-05-14 2008-07-02 三菱伸銅株式会社 めっき処理材の製造方法

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