TWI392753B

TWI392753B - Ni-Si-Co-based copper alloy and a method for producing the same

Info

Publication number: TWI392753B
Application number: TW098142394A
Authority: TW
Inventors: Hiroshi Kuwagaki
Original assignee: Jx Nippon Mining & Metals Corp
Priority date: 2008-12-12
Filing date: 2009-12-11
Publication date: 2013-04-11
Also published as: KR20110084297A; US20110240182A1; KR101338710B1; US9394589B2; EP2386665A1; WO2010067863A1; CN102245787A; JP5261161B2; JP2010138461A; CN102245787B; EP2386665B1; TW201035336A; EP2386665A4

Description

Ni-Si-Co系銅合金及其製造方法

本發明係關於一種適用於各種電子零件之析出硬化型銅合金的Ni-Si-Co系銅合金，尤其是關於一種鍍敷之均勻附著性優異的Ni-Si-Co系銅合金。

對於連接器、開關、繼電器、接腳、端子、導線架等之各種電子零件中所使用之電子材料用銅合金而言，係要求其兼具有高強度及高導電性(或導熱性)作為基本特性。近年來，電子零件之高積體化及小型化、薄壁化急速發展，與此相對應地，對於電子機器零件中所使用之銅合金的要求水準亦逐漸高度化。

從高強度及高導電性之觀點，作為電子材料用銅合金，析出硬化型之銅合金的使用量逐漸增加，而代替以往磷青銅、黃銅等所代表之固溶強化型銅合金。析出硬化型銅合金，係藉由對經固溶處理之過飽和固溶體進行時效處理，使微細之析出物均勻分散，讓合金強度變高，同時減少銅中之固溶元素量，提升導電性。因此，可得到強度、彈性性能等之機械性質優異，且導電性、導熱性亦良好之材料。

析出硬化型銅合金中，一般被稱為卡遜系合金(corson alloy)之Ni-Si系銅合金，為兼具較高導電性、強度、及彎曲加工性之代表性銅合金，係業界目前正如火如荼進行開發之合金之一。此銅合金，係藉由在銅基質中析出微細之Ni-Si系金屬間化合物粒子，來謀求強度與導電率之提升。

為了更進一步提升卡遜合金之特性，添加Ni及Si以外之合金成分、排除會對特性造成不良影響之成分、結晶組織的最佳化、析出粒子的最佳化等各種技術正開發中。例如，已知有藉由添加Co、控制母相中所析出之第二相粒子，來提升特性，Ni-Si-Co系銅合金之最近的改良技術可例舉如下。

於日本特表2005-532477號公報(專利文獻1)中，為了得到彎曲加工性、導電率、強度及抗應力鬆弛性皆優異之Ni-Si-Co系銅合金，係控制Ni、Si、Co量及其彼此之關係，亦對20μm以下之平均結晶粒徑加以記載。而於其製造步驟中，以第一時效退火溫度高於第2時效退火溫度作為特徴(段落0045～0047)。

於日本特開2007-169765號公報(專利文獻2)，則為了提升Ni-Si-Co系銅合金之彎曲加工性，而控制第2相粒子的分布狀態，以控制結晶粒的粗大化。於此專利文獻中，係使卡遜合金中添加有鈷之銅合金，其具有控制高溫熱處理時之晶粒粗大化之效果的析出物與其分布狀態的關係明確，來控制結晶粒徑，藉此提升強度、導電性、應力緩和特性、彎曲加工性(段落0016)。結晶粒徑越小越佳，藉由使其在10μm以下，來提升彎曲加工性(段落0021)。

於日本特開2008-248333號公報(專利文獻3)，揭示有一種抑制Ni-Si-Co系銅合金中粗大之第二相粒子的發生的電子材料用銅合金。於此專利文獻中，若藉由在特定條件下進行熱壓延及固溶處理，來抑制粗大之第二相粒子的發生時，則可實現所欲之優異的特性(段落0012)。

[專利文獻1]日本特表2005-532477號公報

[專利文獻2]日本特開2007-169765號公報

[專利文獻3]日本特開2008-248333號公報

通常，連接器、開關、繼電器、接腳、端子、導線架等之各種電子零件所使用之電子材料用銅合金，大部分皆施有Au鍍敷，但是此時，一般皆會施以Ni鍍敷作為基底。此Ni基底鍍敷，亦隨近年之零件輕量化、薄壁化而逐漸變薄。

因此，至今為止不曾造成問題之Ni鍍敷的不良情形，具體而言，Ni鍍敷部分不均勻之不良情形逐漸顯現出來。

上述專利文獻1～3所記載之銅合金，雖然皆記載有結晶粒徑，但是對於在深度方向之結晶粒徑的參差不齊，特別是表面所形成之粗大結晶與鍍敷之附著性的關係，完全沒有加以注意。

本發明之課題，在於提供一種可均勻附著基底鍍敷，特別是Ni鍍敷之Ni-Si-Co系銅合金。

本發明人，為了解決上述課題而反覆進行研究的結果，發現Ni-Si-Co系合金之表層，與內部(板厚中心)相較之下，結晶粒徑較容易局部地粗大化，而因表面存在粗大化結晶，即使整體的平均結晶粒徑小，亦會導致鍍敷(均勻附著)性降低。本發明，具有下述之構成。

(1)一種電子材料用銅合金，係含有Ni：1.0～2.5質量%、Co：0.5～2.5質量%、Si：0.3～1.2質量%，剩餘部分由Cu及不可避免之雜質所構成，其特徵在於，板厚中心之平均結晶粒徑在20μm以下，接觸表面且長軸在45μm以上之晶粒，於壓延方向長度1mm，個數在5個以下。

(2)如(1)所記載之電子材料用銅合金，其進一步含有最多0.5質量%之Cr。

(3)如(1)或(2)所記載之電子材料用銅合金，其進一步含有總計最多2.0質量%之選自由Mg、P、As、Sb、Be、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn及Ag所構成之群的1種或2種以上的元素。

(4)一種電子材料用銅合金之製造方法，係用以製造(1)～(3)任一項所記載之電子材料用銅合金，係包含依序進行以下之步驟：對鑄錠進行熔解鑄造之步驟、使材料溫度在950℃以上、1050℃以下，加熱1小時以上後，進行熱壓延，使熱壓延結束溫度在800℃以上之步驟、以8%以上之加工度進行最後道次(final pass)之固溶前的中間壓延步驟、使材料溫度在950℃以上、1050℃以下，加熱0.5分～1小時的中間固溶步驟、加工度20～50%的最後壓延步驟、以及時效步驟。

(1)Ni、Co及Si之添加量

所添加之Ni、Co及Si，藉由施以適當之熱處理，會在銅合金內形成金屬間化合物，而儘管存在銅以外之添加元素，亦不會使導電率劣化，藉由析出強化效果，來謀求高強度化。

Ni、Co及Si之添加量，若Ni未達1.0質量%、Co未達0.5質量%、Si未達0.3質量%時，則無法得到所需的強度。相反地，若Ni超過2.5質量%、Co超過2.5質量%、Si超過1.2質量%時，則雖然可謀求高強度化，但是卻會使得導電率顯著降低，並且更會使得熱加工性劣化。因此，Ni、Co及Si之添加量，係使Ni為1.0～2.5質量%、Co為0.5～2.5質量%、Si為0.3～1.2質量%。Ni、Co及Si之添加量較佳為Ni：1.5～2.0質量%，Co：0.5～2.0質量%，Si：0.5～1.0質量%。

(2)Cr之添加量

Cr由於會在熔解鑄造時之冷卻過程中優先析出於晶粒粒界，因此可強化粒界，使熱加工時不易發生裂縫，可抑制製造時的產率降低。亦即，在熔解鑄造時析出於粒界之Cr，雖會於固溶處理等發生再固溶，但是卻會在後續之時效析出時，生成以Cr為主成分之bcc構造的析出粒子或是與Si之化合物(矽化物)。於通常之Ni-Si系銅合金，所添加之Si量中，無助於時效析出之Si會直接固溶於母相而殘留，成為導電率降低的原因。因此，可藉由添加為矽化物形成元素之Cr，進一步使無助於時效析出之Si以矽化物的形式析出，來降低固溶Si量，可在無損於強度下，防止導電率降低。然而，若Cr濃度超過0.5質量%時，則由於容易形成粗大之第二相粒子，因此將會損及製品特性。因此，本發明之Ni-Si-Co系銅合金中，最多可添加0.5質量%之Cr。惟，若未達0.03質量%，由於其效果小，故較佳為添加0.03～0.5質量%，更佳為0.09～0.3質量%。

(3)第3元素之添加量

a)Mg、Mn、Ag及P之添加量

Mg、Mn、Ag及P，添加微量，並不會損及導電率，且可改善強度、應力緩和特性等之製品特性。添加之效果，主要是因會固溶於母相而獲得發揮，亦可藉由包含於第二相粒子來發揮進一步之效果。然而，Mg、Mn、Ag及P之濃度之總計若超過2.0質量%時，則除了特性改善效果會達到飽和外，亦會損及製造性。因此，本發明之Ni-Si-Co系銅合金中，較佳為添加總計最多2.0質量%之選自Mg、Mn、Ag及P之1種或2種以上之元素。惟，若未達0.01質量%，則由於其效果小，因此較佳為添加總計0.01～2.0質量%，更佳為總計0.02～0.5質量%，典型上添加總計0.04～0.2質量%。

b)Sn及Zn之添加量

Sn及Zn，亦是添加微量，並不會損及導電率，且可改善強度、應力緩和特性、鍍敷性等之製品特性。添加之效果，主要是因會固溶於母相而獲得發揮。然而，Sn及Zn之總計若超過2.0質量%時，則除了特性改善效果會達到飽和外，亦會損及製造性。因此，本發明之Ni-Si-Co系銅合金中，可添加總計最多2.0質量%之選自Sn及Zn之1種或2種之元素。惟，若未達0.05質量%，則由於其效果小，因此較佳為添加總計0.05～2.0質量%，更佳為總計0.5～1.0質量%。

c)As、Sb、Be、B、Ti、Zr、Al及Fe之添加量

As、Sb、Be、B、Ti、Zr、Al及Fe，亦可視所要求之製品特性，藉由調整添加量，來改善導電率、強度、應力緩和特性、鍍敷性等之製品特性。添加之效果，主要是因會固溶於母相而獲得發揮，但亦可藉由包含於第二相粒子，或是形成新組成之第二相粒子，來發揮進一步之效果。然而，此等元素之總計若超過2.0質量%，則除了特性改善效果會達到飽和之外，亦會損及製造性。因此，本發明之Ni-Si-Co系銅合金中，可添加總計最多2.0質量%之選自As、Sb、Be、B、Ti、Zr、Al及Fe之1種或2種以上之元素。惟，若未達0.001質量%，則由於其效果小，因此較佳為添加總計0.001～2.0質量%，更佳為總計0.05～1.0質量%。

上述Mg、P、As、Sb、Be、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn及Ag之添加量若合計超過2.0質量%時，則由於容易損及製造性，因此較佳為使此等元素之合計量在2.0質量%以下，更佳在1.5質量%以下，再更佳在1.0質量%以下。

(4)結晶粒徑

若結晶粒徑小則可得到高強度，係自以往即為公知，於本發明，亦使壓延方向剖面之板厚中心的平均結晶粒徑在20μm以下。此處，板厚中心的平均結晶粒徑，係根據JIS H 0501(切斷法)來進行測量。本發明之銅合金之板厚中心的平均結晶粒徑，於加工度20～50%之最後壓延的前後，並無產生顯著之相對的變化。因此，若於最後壓延前為20μm以下之平均結晶粒徑，則相較於平均結晶粒徑20μm之樣品銅合金，即使於最後壓延後亦能維持微細的結晶構造。因此，即使結晶構造太過微細，而使得最後壓延後之平均結晶粒徑無法以數值正確地加以測量，但是亦可藉由以使用相同條件對最後壓延前平均結晶粒徑20μm之樣品進行最後壓延所得者作為標準，來進行比較，判斷是否已超過平均結晶粒徑20μm。另，本發明之「於板厚中心平均結晶粒徑20μm以下」，係用以確保與先前技術同樣之高強度的規定，「板厚中心」係用以表示測量位置之詞。

於先前技術中，結晶粒徑之參差不齊，特別是表面之粗大化結晶並沒有特別受到注意，完全不知道表面之粗大化晶粒會對鍍敷之均勻附著性造成不良影響。然而表層最容易在壓延步驟累積應變能，於通常之製造條件下，相較於內部(板厚中心)，結晶較容易局部地粗大化。且於熱處理步驟中，表層與內部之熱加工有時亦會有所不同，相較於內部(板厚中心)，結晶有時亦會局部地粗大化。該種情形，其中，此處所稱之「表層」係指距表面25μm之範圍。

本發明人等，發現藉由減少Ni-Si-Co系銅合金表面之粗大化的晶粒，可得到鍍敷均勻附著之電子材料用銅合金。

具體而言，係使接觸表面且最後壓延後之長軸在45μm以上的晶粒，於壓延方向之長度1mm，個數在5個以下，較佳在4個以下，更佳在2個以下。若超過5個，則鍍敷將會無法均勻附著，若以肉眼目視鍍敷表面時，則為呈模糊狀態之不良品。

又，晶粒個數，係於顯微鏡照片(倍率：×400)中，對壓延方向之剖面之接觸表面之45μm以上的晶粒個數進行測量，然後將晶粒個數除以複數(10次)測量視野之表面長度2000μm之範圍的合計長度，作為1mm單位。

本發明之銅合金，由於表面之長軸45μm以上的晶粒在5個以下，故鍍敷之均勻附著性優異。本發明之銅合金，可適用各種之鍍敷材料，例如，通常使用於Au鍍敷之基底的Ni基底鍍敷、Cu基底鍍敷、Sn鍍敷。

本發明之鍍敷厚度，除了通常使用之2～5μm的厚度具有充分的均勻附著性外，即使為0.5～2.0μm的厚度，亦具有充分的均勻附著性。

(5)製造方法

本發明之銅合金之製造方法，雖然是使用銅合金一般的製程(熔解、鑄造→熱壓延→中間冷壓延→中間固溶→最後冷壓延→時效)，但是在其步驟內係調整下述條件來製造所欲之銅合金。另，中間壓延、中間固溶，亦可視需要重複複數次。

於本發明中，嚴格控制熱壓延、中間冷壓延、中間固溶處理之條件非常重要。其理由係由於本發明之銅合金添加有第二相粒子容易粗大化之Co，而第二相粒子之生成及成長速度會受到熱處理時之保持溫度與冷卻速度很大的影響之故。

於熔解、鑄造步驟，係將電解銅、Ni、Si、Co等原料加以熔解，而得到所需組成之溶融液。接著，將此溶融液鑄造成鑄錠。於隨後之熱壓延中，進行均勻之熱處理，儘可能地必須將鑄造所發生之Co-Si、Ni-Si等之結晶物加以消除。例如，以950℃～1050℃保持1小時以上後，進行熱壓延。若熱壓延前之保持溫度未達950℃，則固溶將會不充分，另另一方面面，若超過1050℃時，則有材料發生熔解的可能性。

又，在熱壓延結束時之溫度未達800℃的情形，係指熱壓延之最後道次、或包含最後道次之數道次之加工在未達800℃下進行。當熱壓延結束時之溫度未達800℃時，相對於內部為再結晶狀態，表層係在受到加工應變之狀態下結束。在此狀態下若經過冷壓延，且以通常之條件進行固溶時，則相對於內部為正常之再結晶組織，表層係形成粗大化之晶粒。因此，為了防止表層之粗大化結晶的形成，較佳係在800℃以上，更佳在850℃以上結束熱壓延，熱壓延結束後，較佳為進行急冷。急冷可藉由水冷來達成。

於熱壓延後，可在所欲之範圍內適當選擇次數及順序來進行中間壓延及中間固溶。中間壓延之最後道次的加工度若未達5%，則由於加工應變能僅累積在材料表面，因此導致表層發生粗大之晶粒。特別是最後道次之中間壓延加工度，較佳在8%以上。又，中間壓延所使用之壓延油的黏度及控制中間壓延之速度，亦對均勻地施加加工應變能有效。

為了使熔解鑄造時之結晶粒子、熱延後之析出粒子固溶，儘可能地消除粗大之Co-Si、Ni-Si等析出物，係充分進行中間固溶。例如，固溶處理溫度若未達950℃，則固溶將會不充分，而無法得到所需之強度。另一方面，固溶處理溫度若超過1050℃，則有材料發生熔解的可能性。因此，較佳為進行將材料溫度加熱至950℃～1050℃的固溶處理。固溶處理的時間較佳為60秒～1小時。

另，作為溫度與時間之關係，為了得到相同的熱處理效果(例如，相同的結晶粒徑)，一般上，在高溫的情形時，時間必須較短，而在低溫的情形時，則必須較長。例如，於本發明，在950℃的情形，為1小時，而在1000℃的情形，則較佳為2、3分～30分。

固溶處理後之冷卻速度，一般為了防止已固溶之第二相粒子的析出，故進行急冷。

最後壓延之加工度較佳為20～50%，更佳為30～50%。若未達20%，則無法得到所需之強度。另一方面，若超過50%，則會導致彎曲加工性劣化。

本發明之最後時效步驟，係與先前技術同樣地進行，使微細之第二相粒子均勻析出。

本發明之銅合金，由於表面不存在粗大結晶粒子，故鍍敷之均勻附著性優異，可適合使用於導線架、連接器、接腳、端子、繼電器、開關、二次電池用箔材等之電子零件。

[實施例]

以下雖然顯示本發明之實施例與比較例，但是此等之實施例僅是提供用以更加理解本發明及其優點者，並非意欲限定本發明。

(1)測量方法

(a)板厚中心之結晶粒徑：製造固溶處理後最後壓延前之壓延方向板厚中心的平均結晶粒徑20μm的標準樣品(Ni：1.9質量%，Co：1.0質量%，Si：0.66質量%，剩餘部分為銅)。平均結晶粒徑，係根據JIS H 0501(切斷法)所測得。對標準樣品並不進行最後冷壓延(加工度40%)，拍攝壓延方向剖面之板厚中心的光學顯微鏡照片(倍率：×400，圖4)，作為基準。然後以目視比較各實施例(發明例及比較例)之最後冷壓延後板厚中心之光學顯微鏡照片(與基準同倍率)與基準的大小，將較大之情形設為大於20μm(＞20μm)，而同等或較小的情形則是設在20μm以下(≦20μm)。

(b)表層附近之晶粒的觀察

對於表層，係使用壓延方向表層剖面之顯微鏡照片，於距表層深度10μm之位置劃上一與表面平行之線，在求取線長度的同時，藉由線段法，以10視野進行求取一部分接觸表面之45μm以上之結晶粒徑的個數，然後將45μm以上之結晶粒徑之個數的合計除以線段的合計，求得每1mm之45μm以上之結晶粒徑的個數。作為壓延方向表層剖面之顯微鏡照片之例，圖1係顯示下述發明例1之照片，圖2則是顯示比較例10之照片。

(c)鍍敷附著之均勻性

(電解脫脂順序)

於鹼性水溶液中以試料作為陰極，進行電解脫脂。

使用10質量%硫酸水溶液進行酸洗。

(Ni基底鍍敷條件)

‧鍍敷浴組成：硫酸鎳250g/L，氯化鎳45g/L，硼酸30g/L

‧鍍敷浴溫度：50℃

‧電流密度：5A/dm²

‧Ni鍍敷厚度係藉由電沉積時間來進行調整，使其為1.0μm。鍍敷厚度測量，則是以CT-1型電解式膜厚計(電測股份有限公司製)，使用高谷魯公司製的電解液R-54來進行。

(鍍敷附著均勻性評價)

拍攝鍍敷表面之光學顯微鏡照片(倍率：×200，視野面積0.1mm² )，對島狀鍍敷之個數及分布狀態進行測量觀察。評價如下述。

S：無，

A：島狀鍍敷之個數在50個/mm² 以下，

B：島狀鍍敷之個數在100個/mm² 以下，

C：島狀鍍敷之個數超過100個/mm² 。

另，圖7係本發明例1之鍍敷表面的光學顯微鏡照片，相當於「S」等級，圖8則是比較例10之鍍敷表面的光學顯微鏡照片，相當於「C」等級。又，圖9係鍍敷表面所觀察之「島狀鍍敷」的放大照片(倍率：×2500)，令此種島形狀為1個，測量視野中之島狀鍍敷的個數。

(d)強度

進行壓延平行方向之拉伸測試，測量0.2%安全限應力(YS：MPa)。

(e)導電率(EC；% IACS)

藉由雙電橋之體積電阻率測量來求得。

(f)彎曲加工性

根據JIS H 3130，進行Badway(彎曲軸與壓延方向同一方向)之W彎曲測試，測量無發生裂縫之最小半徑(MBR)對板厚(t)之比的MBR/t值。彎曲加工性係以下述基準來進行評價。

MBR/t≦2.0　良好

2.0＜MBR/t　不良

(2)製造方法

藉由高頻熔解爐以1300℃，對表1所記載之各成分組成的銅合金進行熔煉，鑄造成厚度30mm之鑄錠。接著，以表1所記載之條件對此鑄錠加熱3小時後，作為熱壓延結束溫度(完成溫度)進行熱壓延至板厚10mm，熱壓延結束後迅速水冷至室溫。接著，為了去除表面之銹皮，係施以端面切削至厚度9mm後，適當進行最後道次之加工度5～10%的冷壓延、材料溫度950～1000℃之0.5分～1小時的中間固溶步驟，製成厚度0.15mm之板。另，固溶處理結束後，迅速以水冷冷卻至室溫。使最後冷壓延之加工度為40%。接著，於惰性環境氣氛中，以450℃進行3小時的時效處理，製得各測試片。各測試片之測量結果示於表1。下述表中之「-」係顯示無添加。

相對於發明例1之最後道次之中間壓延的加工度10%，於同一組成之發明例2中，由於低至5%，故在表面發生粗大粒子，鍍敷均勻附著性稍微不佳。發明例4與5的關係亦相同。

相對於發明例1之完成溫度(熱壓延結束時之溫度)850℃，於同一組成之發明例3中，由於低至820℃，故鍍敷均勻附著性更不佳。發明例4與6的關係亦相同。

相對於發明例1之最後道次之中間固溶溫度950℃、1小時，同一組成之比較例9由於高達1000℃、1小時，故板厚中心之平均結晶粒徑超過20μm，彎曲加工性不佳。

相對於發明例1之熱壓延開始溫度850℃、完成溫度850℃，於同一組成之比較例10中，由於低至900℃及840℃，故在表面發生粗大粒子，鍍敷均勻附著性不佳。另，若在比較例10之銅合金表面施以3.0μm厚度之Ni鍍敷，則鍍敷後之表面，島狀鍍敷並不明顯，呈接近「S」等級的狀態。

發明例4與比較例11的關係亦相同。

相對於比較例11之最後道次之中間壓延的加工度10%，於同一組成之比較例12中，由於低至5%，故進一步於表面發生粗大粒子，鍍敷均勻附著性不佳。

相對於發明例7之熱壓延開始溫度950℃、完成溫度850℃、最後道次之中間壓延的加工度10%，於同一組成之比較例13中，由於分別低至900℃、840℃、5%，故在表面發生粗大粒子，鍍敷均勻附著性不佳。發明例8與比較例14的關係亦相同。

圖1，係本發明之銅合金(發明例1，Ni鍍敷後)之壓延方向表層剖面的顯微鏡照片(倍率：×400)。

圖2，係比較例之銅合金(比較例10，Ni鍍敷後)之壓延方向表層剖面的顯微鏡照片(倍率：×400)。

圖3，係本發明之平均結晶粒徑20μm之銅合金標準樣品(Ni：1.9質量%，Co：1.0質量%，Si：0.66質量%，剩餘部分為銅)在固溶處理後、最後壓延前，壓延方向之板厚中心的光學顯微鏡照片(倍率：×400)。

圖4，係上述標準樣品之最後壓延後板厚中心的顯微鏡照片(倍率：×400)。

圖5，係本發明之銅合金(發明例1)之最後壓延後板厚中心的顯微鏡照片(倍率：×400)。

圖6，係比較例之銅合金(比較例10)之最後壓延後板厚中心的顯微鏡照片(倍率：×400)。

圖7，係施以Ni鍍敷之本發明之銅合金(發明例1)鍍敷表面的顯微鏡照片(倍率：×200)。

圖8，係施以Ni鍍敷之比較例之銅合金(比較例1)鍍敷表面的顯微鏡照片(倍率：×200)。

圖9，係圖8之鍍敷表面的放大顯微鏡照片(倍率：×2500)。

Claims

一種電子材料用銅合金，係含有Ni：1.0～2.5質量%、Co：0.5～2.5質量%、Si：0.3～1.2質量%，剩餘部分由Cu及不可避免之雜質所構成，其特徵在於：板厚中心之平均結晶粒徑在20μm以下，接觸表面且長軸在45μm以上之晶粒，於壓延方向長度1mm，個數在5個以下。
如申請專利範圍第1項之電子材料用銅合金，其進一步含有最多0.5質量%之Cr。
如申請專利範圍第1或2項之電子材料用銅合金，其進一步含有總計最多2.0質量%之選自由Mg、P、As、Sb、Be、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn及Ag所構成之群的1種或2種以上的元素。
一種電子材料用銅合金之製造方法，係用以製造申請專利範圍第1項之電子材料用銅合金，係包含依序進行以下之步驟：對鑄錠進行熔解鑄造之步驟、使材料溫度在950℃以上、1050℃以下，加熱1小時以上後，進行熱壓延，使熱壓延結束溫度在800℃以上之步驟、以8%以上之加工度進行最後道次(final pass)之固溶前的中間壓延步驟、使材料溫度在950℃以上、1050℃以下，加熱0.5分～1小時的中間固溶步驟、加工度20～50%的最後壓延步驟、以及時效步驟。