TWI363078B - Epoxy resin composition and semiconductor device - Google Patents

Epoxy resin composition and semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
TWI363078B
TWI363078B TW093131738A TW93131738A TWI363078B TW I363078 B TWI363078 B TW I363078B TW 093131738 A TW093131738 A TW 093131738A TW 93131738 A TW93131738 A TW 93131738A TW I363078 B TWI363078 B TW I363078B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
formula
compound
triazole
Prior art date
Application number
TW093131738A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200517438A (en
Inventor
Nishitani Yoshinori
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co filed Critical Sumitomo Bakelite Co
Publication of TW200517438A publication Critical patent/TW200517438A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI363078B publication Critical patent/TWI363078B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/68—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
    • C08G59/686—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L61/00—Compositions of condensation polymers of aldehydes or ketones; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L61/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C08L61/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

1363078 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體密封用環氧樹脂組成物及使用該組 成物之半導體裝置。 【先前技術】 近年來，關於半導體裝置，基於生產性、成本、可靠度 等之均衡上優異之理由而使用環氧樹脂組成物來密封半導 體之方法成為主流。在此種半導體裝置之表面安裝化之 際，因半導體裝置在焊錫浸潰或焊錫迴焊步驟中急遽暴露 於 2 0 0 °C以上之高溫，因所吸收之水分發生爆炸性氣化時 之應力，造成半導體元件、.引線框、内引線上之各種鍍敷 之各接合部分與環氧樹脂組成物之硬化物之界面發生剝 離，或半導體裝置發生龜裂而造成可靠度顯著降低之問題。 為了改善焊錫處理所引起之可靠度之降低，藉由增加環 氧樹脂組成物中之無機填充材之填充量，以達成低吸濕 化、高強度化、低熱膨脹化而提高耐焊錫性，同時使用低 熔融黏度之樹脂，在成形時以低黏度維持高流動性之手法 乃在目前為一般性方法。 另一方面，關於焊錫處理後之可靠度，環氧樹脂組成物 之硬化物與存在於半導體裝置内部之半導體元件或引線框 等基材之界面之黏著性變得非常重要。若界面之黏著力 弱，環氧樹脂組成物之硬化物與焊錫處理後之基材之界面 會發生剝離，進一步由此剝離引起半導體裝置之龜裂。 習知，在提高对焊錫性之目的下，進行由7* -縮水甘油氧 6 326\專利說明書(補件)\94-02\93131738 1363078 丙基三甲氧矽烷或T-(曱基丙烯酲氧丙基）三曱氧矽烷等 之矽烷偶合劑加入環氧樹脂组成物以尋求環氧樹脂組成物 之硬化物與基材之界面之黏著性提高之研究。但，近年來 由於安裝時之迴焊溫度之上升，因應無鉛焊錫之 Ni、 Ni-Pb、Ni-Pd-Au等之預鍍引線框之出現等，僅以此等矽 烷偶合劑已無法充分解決越來越加嚴格之對耐焊錫性之要 求。 為此解決之方法，有利用烷氧矽烷偶合劑來施行引線框 之表面處理之方法（例如參照日本專利特開平6 - 3 5 0 0 0 0號 公報）或添加有°塞°坐系、次靖醯胺（s u 1 f e n a m i d e )系以及硫 胺曱醯（t h i u r a m )系化合物之樹脂組成物及樹脂密封型半 導體裝置（例如參照日本專利特開昭 6 2 - 2 0 9 1 7 0號公報及 特開昭6 2 - 2 6 0 3 4 4號公報）等被提案。然而，日本專利特開 平 6 - 3 5 0 0 0 0號公報所載述之矽烷偶合劑具有熱時安定性 不良而在耐焊錫處理時使密合提高效果降低之缺點，再 者，日本專利特開昭6 2 - 2 0 9 1 7 0號公報及特開昭6 2 - 2 6 0 3 4 4 號公報所載述之化合物被指出其分子量大且含有很多不安 定鍵（氮-硫鍵等）而有可能在成形後之密封樹脂中分解。 專利文獻1 :日本專利特開平6 - 3 5 0 0 0 0號公報 專利文獻2 :日本專利特開昭6 2 - 2 0 9 1 7 0號公報 專利文獻3 :日本專利特開昭6 2 - 2 6 0 3 4 4號公報 【發明内容】 本發明係提供一種在吸濕後之焊錫處理中不會發生與引 線框之剝離的具有優異耐焊錫性之環氧樹脂組成物以及半 7 326\專利說明書(補件)\94-02\93131738 1363078 導體裝置。 本發明為： [1 ] 一種半導體密封用環氧樹脂组成物，其特徵為， 有（A )環氧樹脂、（B )酚樹脂、（C )硬化促進劑、（D )無機· 填充材以及（E)三唑系化合物； [2 ]如第[1 ]項所載述之半導體密封用環氧樹脂組 物，其中上述三唑系化合物為具有 1 , 2, 4 -三唑環之化 物； [3 ]如第[1 ]項所載述之半導體密封用環氧樹脂組 物，其中上述三唑系化合物為通式（1 ) 含 質 成 合 成
(式1) (式中，R1表示氫原子，或疏基、胺基、羥基或在末端 有此等官能基之碳原子數1〜8之烴鏈）所示之化合物； [4 ]如第[1 ]項、[2 ]項及[3 ]項中任一項所載述之半導 密封用環氧樹脂組成物，其中相對於樹脂組成物全體， 0 . 0 1〜2重量％之比例含有上述三唑系化合物；以及 [5 ] —種半導體裝置，其特徵為，使用第[1 ]項、[2 ]項 [3 ]項及[4 ]項中任一項所載述之環氧樹脂組成物以密封 導體元件而構成。 使用本發明之環氧樹脂組成物而得到之半導體裝置， 有即使在吸濕後之焊錫處理中亦難以發生樹脂與引線框 剝離之特徵，對焊錫處理之可靠度優異，因此，本發明 326\專利說明書(補件)\94-02\93131738 8 含 體 以 半 具 之 之 1363078 環氧樹脂組成物可廣用於各種樹脂密封型半導體裝置 其提高樹脂组成物之硬化物與經鍍敷之具有鍍層之引 (鍍銀引線框、鍍鎳引線框、將鎳/鈀合金被鍍金而成 鍍引線框等）之密合性之效果顯著，因此可合適用於使 有鍍層之引線框之半導體裝置。 由於本發明之環氧樹脂組成物具有即使在吸濕後之 處理中亦難以發生與引線框之剝離之特徵，使用該組 而得到之半導體裝置具有優異之焊錫處理可靠度。 【實施方式】 本發明係藉由含有環氧樹脂、酚樹脂、硬化促進劑 機質填充材以及三唑系化合物，得到在吸濕後之焊錫 中不會發生與引線框之剝離的具有優異耐焊錫性之環 脂組成物。 以下，關於本發明加以詳細說明。 本發明使用之環氧樹脂泛指1分子中具有2個以上 氧基之單體、低聚物以及聚合物，例如可舉出氫醌型 樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、聯苯 氧樹脂、二笨乙烯（s t i 1 b e n e )型環氧樹脂、酚系酚醛 型環氧樹脂、甲酚系酚醛清漆型環氧樹脂、萘酚系酚 漆型環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、烷基變性三酚 型環氧樹脂、二環戊二烯變性酚型環氧樹脂、酚芳烷 環氧樹脂（在主鏈具有伸苯骨架、伸聯苯骨架等）、萘 烷基型環氧樹脂（在主鏈.具有伸苯骨架、伸聯苯骨架ί 萜烯變性酚型環氧樹脂、含三。井核之環氧樹脂等，但 326\專利說明書(補件)\94-02\93丨3173 8 9 。尤 線框 之預 用具 焊錫 成物 、無 處理 氧樹 之環 環氧 型環 清漆 醛清 甲烷 基型 酚芳 -)' 並不 1363078 限於此等樹脂。此等環氧樹脂可單獨使用或一起使用。 本發明使用之酚樹脂泛指1分子中具有2個以上之酚 經基之單體、低聚物以及聚合物，例如可舉出紛系紛链 漆樹脂、甲酚系酚醛清漆樹脂、酚芳烷基樹脂（在主鏈具 伸笨骨架、伸聯苯骨架等）、萘酚芳烷.基樹脂（在主鏈具 伸苯骨架、伸聯苯骨架等）、萜烯變性酚樹脂 '二環戊二 變性酚樹脂、三酚甲烷型酚樹脂、雙酚化合物等，但並 限於此等樹脂。此等酚樹脂可單獨使用或二種以上一起 用。 總環氧樹脂之環氧基與總酿樹脂之紛性經基之當量比 0 . 5〜2 . 0較佳，尤其以0 . 7 ~ 1 . 5特別合適。若在上述範 外，則有可能發生硬化性、耐濕可靠度等之降低。 本發明使用之硬化促進劑只要為環氧樹脂與酚樹脂之 聯反應中可作為觸媒之化合物即可，可使用一般用於密 材料之物。例如可舉出如三丁胺' 1 , 8 -二氮雜雙環（5，4， Η--烯-7等之胺系化合物；三苯膦、四苯鎮·四苯硼酸 鹽等之有機磷系化合物；2 -甲基咪唑等之咪唑化合物等 但並不限於此等化合物。此等化合物可單獨使用或一起 用。 作為本發明使用之無機質填充材，可使用一般用於半 體密封用環氧樹脂組成物中之材料。例如可舉出熔融二 化矽、結晶二氧化矽、氧化鋁、氮化矽、氮化鋁等。此 無機質填充材可單獨使用或一起使用。 在使無機質填充材之摻配量增多之情況，一般係使用 326\專利說明書(補件)\94-02\9313】738 10 性 清 有 有 稀 不 使 以 圍 交 封 0) 酯 > 使 導 氧 等 熔 1363078 融二氧化矽。熔融二氧化矽可使用破碎狀物、球狀 一者，但為了提高熔融二氧化矽之推配量且抑制環 组成物之熔融黏度之上升，較佳為主要使用球狀物 為了使熔融球狀二氧化矽之摻配量增多，較佳的是 球狀二氧化矽之粒度分布可變得更廣之方式予以調 機質填充材亦可使用預先經過矽烷偶合劑等表面處 本發明使用之三唑系化合物為具有含氮原子之五 造之化合物。三唑系化合物可改善樹脂組成物與預 面之親和性，具有抑制界面剝離之效果，因此對於 組成物之硬化物密封半導體元件而成之半導體裝置 改善其耐濕可靠度及耐迴焊龜裂性之功能。從而提 體裝置之可靠度。 作為本發明使用之三唑系化合物，可舉出具有1 , σ坐環之化合物、具有1 , 2 , 3 -三。坐環之化合物，例如 示之化合物。 物中任 氧樹脂 此外， 以熔融 整。無 理者。 員環構 鍵框表 由樹脂 ，具有 高半導 2, 4-三 下式所
11 3之6傳利說明書(補件)例-〇2\9313173 8 1363078 在此等化合物中，以通式（1 )所示之化合物較佳。通式（1 ) 所示之化合物尤其必需含有巯基，此巯基具備與金屬之反 應性。從而，即使在成形於非銅框時，亦可實現耐焊錫性， 藉由使用此種化合物來密封半導體裝置，可提高半導體裝 置之可靠度。
(式1 ) [式中，R1表示氫原子，或酼基、胺基、羥基或在末端含 有此等官能基之碳原子數1〜8 (以1 ~ 6較佳）之烴鏈]。 作為此種化合物，具體可舉出下面之化合物：
在此，本發明使用之三唑系化合物之添加量並未特別受 到限制，但相對於樹脂組成物全體，最好能在0. 0 1〜2重量 %之範圍内。若半導體密封用組成物中之三唑系化合物之添 加量在此範圍内，則組成物與引線框之密合性及組成物之 流動性之均衡優異，可良好保持耐焊錫性。 12 326傳利說明書(補件)\94-02\93131738 1363078 本發明之環氧樹脂組成物除了含有環氧樹脂、酚樹脂、 無機質填充材、硬化促進劑以及三唑系化合物之外，視需 要亦可適當摻配矽烷偶合劑、鈦酸酯偶合劑、鋁偶合劑、 鋁/锆偶合劑等之偶合劑；溴化環氧樹脂、氧化銻、磷化合 物等之難燃劑；氧化鉍水合物等之無機離子交換體；碳黑、 紅色氧化鐵（B e n g a 1 )等.之著色劑；聚碎氧油、聚石夕氧橡膠 等之低應力化劑；天然蠟、合成蠟、高級脂肪酸及其金屬 鹽類或石蠟等之離模劑；抗氧化劑等之各種添加劑。 本發明之環氧樹脂組成物係將環氧樹脂、酚樹脂、無機 質填充材、硬化促進劑、三唑系化合物以及其他添加劑等 使用混合機予以混合後，以輥、捏合機、擠壓機等之混練 機加熱混練，冷卻後予以粉碎即可得到。 於使用本發明之環氧樹脂組成物密封半導體元件等之電 子零件而製造半導體裝置時，以轉移成型、壓縮成型、注 射成型等之成形方法予以硬化成形即可。 (實施例） 以下，用實驗例來說明本發明，但本發明並未受到此等 例之限制。摻配單位為重量份。 (實驗例1 ) 將式（2 ) 〇—CH〇—CH -CH, 〇~CH2—CH ~pH2 ~Ί
(式2) 13 326\專利說明書(補件)\94-〇2\93131738 1363078 所示之環氧樹脂（軟化點5 8 °C，環氧當量2 7 2，以下稱為環 氧樹脂1 ) : 8 · 2重量份； 式（3)
OH OH
(式3) 所示之酚樹脂（軟化點1 0 7 °C ，羥基當量2 0 0，以下稱為酚 樹脂1 ) : 6 . 0重量份； 另外，總環氡樹脂之環氧基與總酚樹脂之酚性羥基之當 量比係計算為1 . 0。 1,8 -二氮雜雙環（5, 4, 0)十一烯-7(以下稱為 DBU): 0.2 重量份； 熔融球狀二氡化矽（Μ I C R Ο N公司製，平均粒徑2 8 // m ): 8 5 . 0重量份； 式（4) N—r\ hs4n/n (式4) 所示之1，2 , 4 -三唑-5 -硫醇（試藥）：0 · 1重量份； 棕櫚蠟：0. 2重量份；以及 碳黑：0. 3重量份 使用混合機予以混合後，使用表面溫度9 0 °C及2 5 °C之二根 輥予以混練，冷卻後粉碎，得到環氧樹脂組成物。將所得 326傳利說明書(補件)\94-〇2\9313!738 14 1363078 到之環氧樹脂組成物之特性依照以下之方法予以評價。將 所得之結果示於表1中。 (評價方法） 螺旋流動：使用根據 Ε Μ Μ I - 1 - 6 6之螺旋流動測定用模 具，以模具溫度1 7 5 °C 、注入壓力6 . 9 Μ P a、硬化時間1 2 0 秒之條件施行測定。單位為cm。可知若為 80cm以下則會 發生封裝體未填充等之成形不良，此項特性值成為半導體 裝置可靠度之指標。 密合強度：使用轉移成形機，以模具溫度 1 7 5 °C、注入 壓力9. 8 Μ P a、硬化時間1 2 0秒之條件，使每1水準1 0個 之2 m m X 2 m m X 2 m m密合強度試片成形於引線框上。引線框係 使用鍍銀之銅引線框（引線框1 )及鍍金之N i P d合金引線框 (引線框 2 )之二種引線框。然後，使用自動剪斷強度裝置 (D A G E公司製，P C 2 4 0 0 )，測定環氧樹脂組成物之硬化物與 引線框之剪斷強度。表示出'1 0個試片之剪斷強度之平均 值。單位為N/mm2。 耐焊錫性：在模具溫度1 7 5 °C、注入壓力9 . 3 Μ P a、硬化 時間1 2 0秒之條件下，進行1 7 6針腳L Q F P封裝體（封裝體 之大小為 24x24mm，厚度為 2.0mm，石夕晶片之大小為 8. Ox 8.0mm，引線框為1 7 6針腳預鍍引線框，係N i P d合金之鍍 金加工物）之轉移成形，並施行1 7 5 °C下8小時之後硬化。 將所得到之封裝體在溫度8 5 °C及相對濕度6 0 %之環境下加 濕處理1 6 8小時。然後，使此封裝體在2 6 0 □之焊錫槽中 浸潰1 0秒鐘。對浸潰焊錫後之封裝體使用超音波探傷裝置 326\專利說明書(補件)\94-02\9313丨738 15 1363078 予以觀察，將晶片（S i N塗層品）與環氧樹脂組成物之硬化 物之界面發生剝離之剝離發生率[(發生剝離之封裝體 數）/(總封裝體數）X】0 0 ]以％表示。剝離發生率在 1 0 %以下 者可視為可靠率高。 (實驗例2 ~ 1 5 ) 依照表1、表2之配方，以與實驗例1相同之方法得到 環氧樹脂組成物，並與實驗例1 一樣施行評價。將此等結 果示於表1、表2中。所用之環氧樹脂及酚樹脂之詳細資 料示於表3中。再者，關於實驗例1以外所用之三唑系化 合物係示於下。 式（5)所示之3 -胺基-1,2, 4 -三唑-5-硫醇（試藥）
(式5) 式（6 )所示之3，5 -二巯基-1，2，4 -三唑（試藥）
(式6) 式（7 )所示之3 -羥基-1，2，4 -三唑-5 -硫醇（試藥）
16 326\專利說明書(補件)\94-02\9313】738 1363078 (式7) 式（8 )所示之5 -巯基-1 , 2 , 4 -三唑-3 -曱醇（試藥） H0
(式8) 式（9 )所示之2 - ( 4 ’ -嗎啉二硫基）苯并噻唑（川口化學
(式9) 表1 實驗例 1 2 3 4 5 6 環氧樹脂1 8.2 8.2 8.2 8.2 8.2 環氧樹脂2 7.4 齡樹脂I 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 紛樹脂2 6.8 (環氧基/1»性羥當量比） 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 DBU 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 熔融球狀二氧化石夕 85.0 85.0 85.0 85.0 85.0 85.0 1, 2,4-三°坐-5-碎l醇（式(4)) 0.1 0.1 3-胺基-1，2,4-三唑-5-硫醇(式⑸） 0.1 3, 5-二疏基-1,2,4-三唑(式(6)) 0.1 3-羥基-1，2,4-三《坐-5-硫醇(式(7)) 0.1 5-¾¾ 基-1,2,4-三0坐-3-甲醇(式(8)) 0.1 2-(4’ -嗎啉二硫基)苯并噻唑(式(9)) 棕櫊蠟 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 碳黑 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 螺旋流動[cm] 95 85 90 95 95 100 密合強度[N/mm ] 引線框1 10.4 12.5 11.4 9.8 9.5 11.8 引線框2 10.7 11.8 11.3 9.5 9.0 11.5 耐焊錫性 晶片剝離發生率00 0 0 0 0 0 0 内引線部剝離發生率(%) 0 0 0 0 0 0 17 326\專利說明書(補件)\94-〇2\93131738 1363078 表κ續) 實驗例 •7 8 9 10 11 12 環氧樹脂1 7.1 6.5 環氧樹脂2 7.4 7.4 7.4 7.4 紛樹脂1 5.2 4.8 紛樹脂2 6.8 6.8 6.8 6.8 (環氧基/酷性經基之當量比） 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 DBU 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 熔融球狀二氧似夕 85.0 85.0 85.0 85.0 85.0 85.0 1，2,4-三唑-5-硫醇(式⑷） 2.0 3.0 3-胺基-1，2,4-三嗤-5-硫醇(式(5)) 0.1 3,5-二硫基 _1，2,4-三。坐(式(6)) 0.1 3-羥基-1, 2,4-三唑-5-硫醇(式(7)) 0.1 5-疏基-1, 2,4_三。坐-3-曱醇(式(8)) 0.1 2-(4’ -嗎啉二硫基)苯并噻唑(式(9)) 棕櫊蠟 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 碳黑 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 螺旋流動[cm] 90 90 95 95 85 80 密合強度[N/mm ] 引線框1 14.1 13.5 11.1 10.1 10.5 10.0 引線框2 13.6 13.1 10.7 9.6 10.3 9.7 耐焊錫性 晶片剝離發生率(％) 0 0 0 0 0 0 内引線部剝離發生率_(>〇) 0 0 0 0 10 10 表2 實驗例 13 14 15 環氧樹脂1 8.2 8.2 環氧樹脂2 7.4 紛樹脂1 6.0 6.0 酚樹脂2 6.8 (環氧基/酚性羥基之當量比） 1.0 1.0 1.0 DBU 0.2 0.2 0.2 熔融球狀二氧彳b石夕 85.0 85.0 85.0 2-(4’ -嗎啉二硫基)苯并噻唑(式(9)) 0.1 棕櫊蠟 0.2 0.2 0.2 碳黑 0.3 0.3 0.3 螺旋流動[cm] 95 105 80 密合強度[N/mm2] 引線框1 Τ\1ϊΰ2 3.0 3.8 "ΤΪ"" 5.6 —[「. 耐焊錫性 晶片剝離發生率(%) 1¾ f 1 mmmFL· ¥(%) 40 "~3〇"" 30 "IT"' 30 ""20"" 326\專利說明書(補件)W-〇2\93 D1738 18 1363078 表3 製造者 產品名稱 其他詳細數據 環氧樹脂1 具有伸聯苯骨架之 酚芳炫基型環氧/樹脂 曰本化藥(股） NC-3000P 軟化點58°C , 環氧當量272 環氧樹脂2 聯笨型環氧樹脂 Japan epoxy resin(股） YX-4000HK 炫點105。。， 環氧當量190 齡樹脂1 具有伸聯笨骨架之 酚芳烧基樹脂 明和化成(股） 晒7851SS 軟化點107°C， 羥基當量200 _脂2 對伸二曱苯變性 酚醛清漆型麵脂 三井東壓(股） XLC-LL 軟化點77°C， 經基當量174 由實驗例1 ~ 5得到之結果為，添加有三唑系化合物之環 氧樹脂組成物與預鍍引線框之親和性提昇，封裝體可靠度 優異。再者，關於具有與酼基不同之取代基而對氫原子或 環氧樹脂有反應性之官能基，亦得到相同之結果？根據實 驗例6 ~ 1 0，雖然依樹脂而有差異，但藉由添加三唑系化合 物，可提高封裝體可靠度。再者，實驗例1 1、1 2為添加有 大量之三唑系化合物之系列，雖然流動性降低，但仍可提 高可靠度。實驗例1 3、1 4為未添加三唑系化合物之系列， 其無論樹脂種類如何，均得到封裝體可靠度低劣之結果。 實驗例1 5為使用2 - ( 4 ’ -嗎啉二硫基）苯并噻唑（式9 )代替 三唑系化合物之例，該化合物與本案所用之化合物相較， 分子量非常大。因此，雖然式9之化合物之使用量與實驗 例1 ~ 1 2所用之三唑系化合物之使用量相同，卻由於某特定 濃度時之效果降低，得到密合強度及耐焊錫性均不良好之 結果® 19 326\專利說明書(補件)\94-02\93131738

Claims (1)

  1. 十、申請專利範圍： AU5 3 1 2011 替換本 1 . 一種半導體密封用環氧樹脂組成物，其特徵為，以（A ) 環氧樹脂、（B )酚樹脂、（C )硬化促進劑、（D )無機質填充材 以及（E )通式（1 )所示之三唑系化合物為必要成分：
    (式1)
    (式中，R1表示氫原子，或巯基、胺基、羥基或在末端含 有此等官能基之碳原子數1〜8之烴鏈；） 相對於樹脂組成物全體，以0 . 0卜2重量％之比例含有上 述三。坐系化合物。 2 .如申請專利範圍第1項之半導體密封用環氧樹脂組成 物，其中，上述三唑系化合物為具有1，2 , 4 -三唑環之化合 物。
    3 . —種半導體裝置，其特徵為，係使用申請專利範圍第 1或2項之半導體密封用環氧樹脂組成物密封半導體元件 而成。 % 93131738 20
TW093131738A 2003-10-20 2004-10-20 Epoxy resin composition and semiconductor device TWI363078B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003358679 2003-10-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200517438A TW200517438A (en) 2005-06-01
TWI363078B true TWI363078B (en) 2012-05-01

Family

ID=34463316

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093131738A TWI363078B (en) 2003-10-20 2004-10-20 Epoxy resin composition and semiconductor device

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7354978B2 (zh)
JP (1) JP4353180B2 (zh)
KR (1) KR101055113B1 (zh)
CN (1) CN100402575C (zh)
TW (1) TWI363078B (zh)
WO (1) WO2005037888A1 (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4352852B2 (ja) * 2003-10-20 2009-10-28 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4581456B2 (ja) * 2004-03-30 2010-11-17 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR101254524B1 (ko) * 2004-11-02 2013-04-19 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
JP5179701B2 (ja) * 2004-11-24 2013-04-10 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
WO2006098425A1 (ja) 2005-03-16 2006-09-21 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4956982B2 (ja) * 2005-12-13 2012-06-20 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR100678689B1 (ko) 2005-12-30 2007-02-02 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
TWI278463B (en) * 2006-09-04 2007-04-11 Chang Chun Plastics Co Ltd Flame retardant resin composition
TW200842135A (en) * 2007-04-23 2008-11-01 Chang Chun Plastics Co Ltd Flame retardant resin composition
KR100896792B1 (ko) * 2007-12-11 2009-05-11 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물　및 이를 이용한반도체 소자
JP5228496B2 (ja) * 2008-01-16 2013-07-03 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US8513374B2 (en) 2009-09-30 2013-08-20 Falguni Dasgupta Biocompatible and biodegradable polymers from renewable natural polyphenols
MX352199B (es) * 2010-09-03 2017-11-13 Cabot Corp Star Agentes de relleno modificados y compuestos elastomericos que comprenden los mismos.
KR101340545B1 (ko) * 2010-12-27 2013-12-11 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치
US8728453B2 (en) 2011-02-28 2014-05-20 Innovotech, Llc Combinatorial polymeric compositions for drug delivery
WO2013130099A1 (en) 2012-03-02 2013-09-06 Cabot Corporation Elastomeric composites containing modified fillers and functionalized elastomers
US9175150B2 (en) 2012-03-02 2015-11-03 Cabot Corporation Modified carbon blacks having low PAH amounts and elastomers containing the same
JP6427974B2 (ja) * 2013-06-21 2018-11-28 住友ベークライト株式会社 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
CN105308119B (zh) * 2013-06-21 2018-04-27 住友电木株式会社 半导体密封用树脂组合物和半导体装置
CN107636071B (zh) * 2015-03-19 2020-08-18 衡所华威电子有限公司 对镍表面具有高粘合力的环氧模塑化合物、其制备方法和用途
KR102544837B1 (ko) * 2017-03-31 2023-06-19 에네오스 가부시키가이샤 경화 수지용 조성물, 그 조성물의 경화물, 그 조성물 및 그 경화물의 제조 방법, 및 반도체 장치
CN110813542B (zh) * 2019-10-14 2021-12-14 武汉工程大学 一种铜钼分离抑制剂及其用途和使用方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54139998A (en) * 1978-04-24 1979-10-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Epoxy resin molding material
JPS54152100A (en) * 1978-05-22 1979-11-29 Hitachi Chem Co Ltd Epoxy resin composition
JPS58176254A (ja) * 1982-04-09 1983-10-15 Hitachi Ltd 耐めつき性ソルダ−レジストインク組成物
JPS58198525A (ja) 1982-05-14 1983-11-18 Sanyurejin Kk エポキシ樹脂組成物
JPS62161820A (ja) 1986-01-10 1987-07-17 Hitachi Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物
JPS62209170A (ja) 1986-03-10 1987-09-14 Toshiba Chem Corp 樹脂組成物
JPH0657739B2 (ja) 1986-05-07 1994-08-03 東芝ケミカル株式会社 樹脂封止型半導体装置
JPH06350000A (ja) 1993-06-04 1994-12-22 Hitachi Ltd リードフレームの表面処理剤およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法
JP3122814B2 (ja) * 1997-07-11 2001-01-09 大塚化学株式会社 エポキシ樹脂用硬化促進剤及びエポキシ樹脂組成物
US6297306B1 (en) * 1998-05-15 2001-10-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device
JP2001106768A (ja) * 1999-10-04 2001-04-17 Toshiba Chem Corp エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JP5067994B2 (ja) * 2001-09-19 2012-11-07 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4352852B2 (ja) * 2003-10-20 2009-10-28 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN100402575C (zh) 2008-07-16
KR20060120128A (ko) 2006-11-24
US7354978B2 (en) 2008-04-08
CN1871276A (zh) 2006-11-29
JPWO2005037888A1 (ja) 2007-11-22
JP4353180B2 (ja) 2009-10-28
WO2005037888A1 (ja) 2005-04-28
KR101055113B1 (ko) 2011-08-08
TW200517438A (en) 2005-06-01
US20050085568A1 (en) 2005-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI363078B (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
CN101137716B (zh) 环氧树脂组合物和半导体器件
KR101149453B1 (ko) 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
WO2006049156A1 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2019085534A (ja) シリコーン変性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3618182B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP4400124B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3565118B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP5250801B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
KR101505987B1 (ko) 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체장치
JP2000273277A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5186936B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001064363A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP4040370B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4248745B2 (ja) 新規化合物、硬化促進剤、樹脂組成物及び電子部品装置
JP2005264042A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001064364A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP5179701B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003238660A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003096159A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006335829A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2005120289A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH09208665A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2006290969A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2005120290A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees