TWI359832B - Method and equipment for producing polymer film - Google Patents

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TWI359832B
TWI359832B TW093128658A TW93128658A TWI359832B TW I359832 B TWI359832 B TW I359832B TW 093128658 A TW093128658 A TW 093128658A TW 93128658 A TW93128658 A TW 93128658A TW I359832 B TWI359832 B TW I359832B
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Kazuhide Kanemura
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Fujifilm Corp
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Description

1359832 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明關係一種用於生產薄膜的方法和裝置,尤其關 於生產供作光學用途之薄膜所用之方法和裝置。 【先前技術】 在光電業界已使用許多以溶液流延法所生產之聚合物 薄膜。與產自熔體擠押法者相較之下產自溶液流延法之聚 合物薄膜之光學全向性和均勻厚度均較優異,所含異物較 少。因此聚合物薄膜被用於例如作爲偏光濾光片之保護膜 ,阻滞膜、透明導電膜等等。尤其在此等聚合物薄膜中, 纖維素丙烯酸酯薄膜因爲具有透明性和適當的濕氣穿透性 、高機械強度、且其尺寸穩定性與濕度與溫度之關連性低 ,故被廣泛使用。在溶液流延法中,聚合物(其如纖維素丙 烯酸酯或類似者)與添加劑被溶於溶劑內而獲得一種塗液 。然塗液從模頭流延於支承物上,在其具有自撐性質時從 支承物上剝除。剝下之薄膜於乾燥程序中乾燥而獲得一薄 膜。支承物是一種金屬轉鼓或循環連續移動之皮帶。 另外,近來,上述之光電業顯示令人注目之進步,需 要能夠具備高功能和多功能之聚合物薄膜做爲其之一種材 料。所以,聚合物薄膜必須變得更薄。在溶液流延法中, 一解壓室(相當於本發明之抽氣室)設於模頭與支承物間近 塗液之處,而從塗液背後區域解壓。於是解壓作用於模頭 與支承物間於流延塗液之支承物上游側完成,使聚合物薄 膜之厚度可以變得更薄。另外,亦在熔體擠押法中,爲謀 1359832 製成更薄之薄膜’係以相同方式抽氣而從模頭擠押熔融聚 合物來產生薄膜。 然而,若薄膜變得更薄,其生產則變得更困難’要具 有均勻厚度者尤其困難。例如’若解壓於解壓室塗液後側 完成,則薄膜厚度會因解壓室內之壓力變動而起伏。於此 情形,薄膜厚度之分佈常常在長度方向表現出週期性之模 式。在膜厚最大爲100微米時’薄膜厚度不—致爲產品之 致命疵病。另外,爲減少膜厚的起伏,會將塗液稀釋’或 降低從支承物上剝除之薄膜的乾燥速率。如則有時可使膜 厚均勻。然而,其不一致性雖然降低而仍存在。此外,在 這兩種情形中,因爲乾燥時間增長,產能降低而使生產成 本增加。 因此,爲防止產生膜厚之不一致性,已有若千有關用 解壓室由塗液生產薄膜之方法的提案。例如在日本專利特 開平第6- 1 5 5 494號中,在距離解壓室各側邊最多0.3倍寬 度之處形成一空氣入口。經由此空氣入口,在減壓之下, 臨近模頭與支承物間塗液後方之空氣被抽入解壓室。以此 方法,解壓室之結構最適合於降低膜厚波浪形之不一致性 〇 另外,日本專利特開平第1 0 - 2 8 2 63 7號揭示以至少兩 個抽氣裝置從塗液生產薄膜之方法。塗液從模頭縫隙釋出 到移動中之支承物表面上,並輸送在支承物上由塗液所形 成之流延薄膜。在此種生產薄膜之方法中,至少使用兩個 抽氣裝置,用以防止施加流延塗液於基板上之點移動,而 -6- 1359832 增加流延薄膜對支承物之緊密度。 然而,第6“ 55W4號專利之方法,雖然減少了薄膜表 面疵病之產生,但無法減少在長度方向所產生之週期性厚 度不一致性。另外,在 10-272637號專利中,解壓室只設 於塗液施加點之上游。在此結構中,塗液施加點之移動雖 然減少,然而解壓室和其間之管路內之壓力起伏也擴大塗 液施加點之移動。 【發明內容】 本發明之目的在於提供一種生產聚合物薄膜之方法, 其中在聚合物薄膜長度方向中所產生之週期性皺摺受到抑 制。 爲求達成此目的和其他目的,在本發明之生產薄膜方 法中’熔融之聚合物或含聚合物之塗液從模頭以膜狀材料 釋出到支承物上,且將該膜狀材料乾燥成爲薄膜。用一以 壓力控制器控制內部壓力之解壓室,在支承物上之臨近膜 狀材料完成解壓作用。若已乾燥薄膜之厚度爲t,解壓室內 部壓力預定値爲(單位:Pa(巴斯克)),解壓室內部壓力 之變動滿足下式: |Pv|^1.5|K| . K = (tx I Ρ〇 I ),/2/1 00 在本發明由聚合物產生薄膜之方法的一較佳具體例中 ’使用模頭將聚合物施加於移動中之支承物上,並從模頭 將薄膜剝下,將薄膜乾燥或冷卻。於聚合物被熔融或溶解 於溶劑中之狀況,從模頭釋出聚合物。用解壓器具在臨近 所釋聚合物處完成解壓作用,在驅動解壓器具當中所發生 -7- 1359832 之振動被解壓器具之減振器所減少,所以臨 力可以在解壓當中被抑制於預定之起伏範圍 用於生.產本發明聚合物薄膜之薄膜生產 承物、一用於在移動中之支承物上流延聚合 中該聚合物是在溶解於溶劑或熔融之狀態。 另有一乾燥器或一冷卻器,用於乾燥或冷卻 聚合物薄膜;和一解壓器,用於使臨近模頭 解壓。解壓器包含一解壓室、一用於調整解 力調整段,和一用於連接解壓室和壓力控制 壓力調整段至解壓室之彎曲部位之數量最多 在另一較佳具體例中,薄膜生產裝置具 一用於在移動中之支承物上流延聚合物之模 合物是在溶解於溶劑或熔融之狀態。薄膜生 用於乾燥或冷卻聚合物而形成聚合物薄膜乾 ,薄膜生產裝置另含一具有設於臨近模頭聚 壓室的解壓器,一用於調整解壓室內壓之壓 一用於連接解壓室和壓力控制器之管路。薄 有一管路用的振動消減裝置,以減少造成解 之振動。 根據本發明方法,解壓室和連至解壓室 氣壓力起伏可減少,因此在解壓室中之壓力 以,從支承物上方模頭所釋出之塗液(亦稱名 被抑止。因此,所得薄膜爲適當而無厚度不 外,若在所得薄膜中之聚合物爲纖維素丙烯 濾片和液晶顯示器具有優異光學性質。 近聚合物之壓 內。 裝置包括一支 物之模頭,其 薄膜生產裝置 聚合物而形成 之聚合物出口 壓室內壓之壓 器之管路。從 爲1 5處。 有一支承物與 頭,其中該聚 產裝置備有一 燥器或冷卻器 合物出口之解 力調整段,和 膜生產裝置具 壓室內壓改變 之管路中的空 改變減小。所 泛珠)的振動會 均之情形。另 酸酯,則偏光
1359832 【本發明之較佳具體例】 第1圖爲本發明之一具體例,其係從溶液生產薄膜所 用之薄膜生產裝置之示意圖。請注意本發明並非限於第! 圖之裝置。薄膜生產裝置1〇包含—塗液裝備裝置n、一 流延裝置12、一乾燥器15、—收捲器16〇 塗液裝備裝置11具有一攪拌槽21、—存料槽22、— 過擴裝置25、一固定混合器26、第一至第三泵P1-P3和一 流速調節閥VI。第一至第三料源31_33係連接於塗液裝備 裝置1 1之攪拌槽2 1。 流延裝置12具有流延模頭36、一支持輥37和一皮帶 38’抽氣室(未示)設於近流延模頭36處,稍後將予詳述。 另外’乾燥器15有一拉幅裝置41、一輥輪乾燥器42和一 收捲裝置16,包括一切斷器45和—收捲器46。請注意薄 膜生產裝置10於必要時適切地備有輥輪47,且輥輪47支 承或輸送聚合物薄膜52。在第1圖中,只顯示所用的一部 分輥輪以簡化圖面。 作爲薄膜52之主要成分之聚合物和作爲塗液51之溶 劑之液體分別從第一和第二料源3 1、3 2經進料路徑給入攪 拌槽2 1。請注意混合物可以與另一料源之材料(聚合物、溶 劑等等)混合後給入攪拌槽2 1。另外,除聚合物外之其他固 體成分可以加至混合物內。在需要時,如UV(紫外光)吸收 劑,粉粒等之添加劑從第三料源適當給入。須注意者,加 入添加劑之時點並無限制,且可加入例如攪拌槽2 1內。將 分別從第一和第二料源3 1、3 2給入攪拌槽2 1之聚合物與 -9- 1359832 溶劑於攪拌槽2 1中混合,攪拌一段預訂時間,將經攪拌之 混合物用第一泵P1打至存料槽22。在存料槽22內,混合 物被靜置除泡。因此塗液51之泡沫量減少,並可防止泡沫 留在薄膜5 2中。 混合物用第二泵P2給至過濾裝置25,未溶.物質和異 物(如塵粉等)從混合物去除。混合物從存料槽22至過濾裝 置25之流速係配合過濾裝置25之過濾壓力和薄膜之生產 速率用閥VI控制。注意塗液之給入可用計量泵代替第二泵 P 2和閥V 1予以控制。來自第三料源3 3之添加物與混合物 用固定混合器26於線上混合,成爲塗液51而給至流延模 頭36。 塗液5 1從流延模頭3 6流延於支持輥3 7所支撐之連續 移動皮帶38上。支持輥37備有用於控制支持輥37轉速之 驅動控制裝置(未示),而使皮帶38可在預定之速率輸送。 塗液51在皮帶38上形成流延薄膜,於傳輸中具有自撐性 質。可用轉鼓做爲支承物來取代皮帶38,然而,在此具體 例之圖中省略了這項圖示。 具有自撐性質之流延薄膜用第一個輥47從皮帶38剝 下而成爲薄膜52,隨後轉移至拉幅裝置41。拉幅裝置41 以拉伸來輸送薄膜52,並調整薄膜52之寬度,且將薄膜 52乾燥。在拉幅裝置41中,多個拉幅夾在兩側邊緣支持 而於拉幅軌道(未示)上移動。可用栓夾(pin cl ip)代替拉幅 夾29。拉幅夾用控制器(未示)自動控制啓閉,因此薄膜52 之支承和剝離是用啓閉來調整。支持薄膜52之拉幅夾於拉 幅裝置41中移動至一近於出口之預定剝離點,在此拉幅夾 -10- 1359832 受到自動控制而使薄膜5 2自支承物剝離。 將在拉幅裝置41中之薄膜52以用於支承或輸送之輥 輪47輸送至爲次一程序之輥輪乾燥器42。在輥輪乾燥器 內,薄膜52被用多個輥輪42a支承或傳輸而充份乾燥。充 份乾燥後薄膜52之兩側邊緣用切斷器45切除,隨後薄膜 52用收捲器46收捲成爲產品。 使用流延裝置12之流延程序將參考第2圖和第3圖說 明。第2A圖流延裝置12之示意圖,而第2B圖爲流延裝 置i 2之局部分解圖。第3圖爲流延模頭3 6和皮帶3 8之局 部剖面圖。在以下之說明中,從流延模頭3 6所釋出之塗液 5 1著於皮帶3 8之位置,稱爲流延始點P S。此外在流延模 頭3 6唇部與流延始點P S之間的流延塗液稱爲所釋出塗液 51a。釋出塗液著於皮帶38而於其上形成流延薄膜51b。 如第2圖所示,在皮帶38之輸送方向中,於流延模頭36 之上游,有第一和第二解壓室61、62。第一解壓室61設 於第二解壓室62之上游且較大。第二解壓室62較接近從 流延模頭3 6釋出至皮帶3 8之所釋出塗液5 1 a的後側(或曝 露之表面)。此外,第一解壓室61具有一空氣抽氣段,其 頂部在第二解壓室62與皮帶38之間,而且臨近第二解壓 室62之底部。 第二解壓室62被連接至一解壓調節段風扇66,其爲 由解壓風扇63和用於控制解壓風扇63之轉數的控制器64 所構成。解壓風扇63之轉數受到控制,以利用解壓室62 來調整臨近所釋出塗液51a背面之壓力。請注意管路67連 接第二解壓室62和解壓風扇63’並從中給入空氣。管路 -11- 1359832 67備有第一和第二擴大減振器7i、72和一共振減振器(或 側支共振器)73,後者較爲接近第二解壓風扇63。請注意, 有一解壓風扇和一控制器連接至第一解壓室61。然而,兩 者在此圖中被省略。 在第一解壓室61內之空氣被解壓風扇63抽出,壓力 降低。在第二解壓室62內之空氣被解壓風扇63抽出,而 且壓力降低。解壓調整段66會調整在第二解壓室62中之 壓力降低到一定程度。如果使在所釋出塗液5 1 a背後之解 壓作用有效完成,而流延薄膜51b於皮帶38上形成。請注 意本發明不受限於上述解壓室之形成方式、數量等等。 當流延完成時,在第二解壓室62內之壓力降低程度通 常至少是依塗液5 1之種類和性質、流延速率、和標的之薄 膜厚度t(微米)決定。然而,第二解壓室62之內壓是隨流 延而改變,而在流延裝置12中所產生之振動使壓力產生起 伏。發明人於本發明之硏究中已發現,爲了獲得光學薄膜 之優異光學性質所需要之厚度準確性和上述壓力起伏之允 許範圍,可以隨薄膜厚度來設定。 造成壓力起伏不定之振動,有因爲用泵或類似者將塗 液5 1給入流延模頭3 6所引起的給料振動、有因支持輥3 7 旋轉所引起的旋轉振動、也有因驅動解壓風扇63等等而引 起之驅動振動。這些振動促使所釋出塗液51晃動,而晃動 引起流延始點PS移動。此外因爲振動也改變在第二解壓室 62與鄰近元件或第二解壓室62與其他裝置之間的空間, 其中內部空氣之壓力改變。如此之內壓起伏包括週期性之 -12- 1359832 壓力起伏,如以下所說明。請注意例如在第二解壓室62與 皮帶3 8 '流延模頭3 6、或所釋出塗液5 1 a之間會有空間形 成。另外,在本發明中,所釋出塗液51a和流延薄膜51b 是在其如氮氣之惰氣大氣之中。所以,在第二解壓室62中 之壓力起伏和週期性起伏爲惰性氣體之起伏。 在第二解壓室62中預定的壓力値爲P〇,而流延壓力在 預定値P〇與量測値Pm之間的壓力起伏値爲Pv(單位:Pa)
。若I Pv | (差値Pv之絕對値)小則意指量測値Pm接近預定 値P〇。又若絕對値| Pv |持恆,則指壓力不變。在本發明中 ’壓力起伏Pv滿足如下式(1)。須知在式(1)中,t(微米)爲 乾燥後之薄膜52之厚度。 | Pv I ^ 1 .5 I K I (K = (tx I P〇 I )W2/1 00)......⑴
根據式(1),適當減小而供作光學用途之壓力起伏値Pv 是隨薄膜厚度t (微米)而決定。在先前技術中,薄膜厚度實 際上是於輥輪乾燥器42之後測量,且流延程序中各條件是 依所測數據爲基礎而予以控制。因此,待至各條件穩定, 材料之損耗太大。然而,在本發明中,在流延程序中壓力 起伏之允許範圍是依所產生薄膜52之膜厚t所決定,且壓 力之起伏被調整至在預定之允許範圍內。因此能夠有效生 產無厚度不均且光學性質優異之薄膜,並減少達到條件穩 定時之材料損耗。 另外’在本發明中,因爲管路67連接至第二解壓室 62,管路67之內壓與解壓室62者相同。所以,在管路67 中內壓之壓力起伏會被調整,使之具有與第二解壓室62相 -13- 1359832 同之條件。請注意壓力起伏之量測方法將說明於後。 若絕對値|Pv|大於1·5|κ|,所釋出塗液51a之晃動 太大,且因薄膜厚度不均而不適用’絕對値|Pv|最大爲0.5 x|K|者爲特性,尤其在最大爲〇_2><|κ|者。亦即,絕對値 |Ρν|最佳者爲零。但此爲不可能’即使爲比較接近於零, 即已爲格外優良。 將說明控制絕對値丨pv I之方法。爲了將絕對値丨ρν | 控制在小於1.5 I Κ丨,其較佳者爲使管路67之內徑爲自70 毫米至700毫米,且長度最長爲30米,而管路67之長度 爲在第二解壓室62與解壓風扇63之間之長度。此外在區 域Α內管路67之彎曲部位越少越好。彎曲部位之數量較佳 爲最多1 5。 管路67之內徑之較佳範圍隨第二解壓室62之大小和 預定値P〇而定。但在.本發明中,如果用於生產寬度約自 1 000至 2000毫米之薄膜(從大氣壓力)減壓之程度爲自 -10Pa至- 1 5 00Pa,則此範圍爲有效。如果管路67之內徑小 於70毫米’此直徑對於相同流速之空氣流將爲太小。所以 ,風速變成較高,因而在管路67中常常發生振動。另外, 如果內徑大於70 0毫米,管路之設計在尺寸上不切合實際 。另外壓力起伏之絕對値|pv|常常大於1·5|Κ|,而且對 於小的壓力起伏無法做到準確的控制。管路67之內徑爲自 1 00毫米至500毫米。 另外,若管路67之長度最長爲30米,對抑制振動之 發生之效果較大,在第二解壓室62和管路67內之壓力調 -14· 1359832 節可以更快而細緻。若管路67之長度長於30米,管路67 對環境之接觸面積較大,因此會對於管路67和流延薄膜之 作業有較多的干擾。因此薄膜時常有不一致之厚度。這些 干擾者,例如,設於流延裝置12內或其週圍之驅動裝置 (未示)所產生之振動(包括噪音)。另外,解壓風扇63之驅 動條件受控制器66控制而使在第二解壓室62中之內壓可 爲預定値。若管路67之長度大於30米,用於將內壓控制於 預定値之時間變爲較長。管路67之長度較佳最長爲15米。 在本發明中,將彎曲部位A之數量較佳最多爲15能有 效抑制第二解壓室62和管路L2內之壓力起伏。這個方法 是因空氣在彎曲部位A的流動比在直線部位之流動更不規 律,因而在彎曲部位之數量較多時,週期性起伏之發生率 較高。所以,若彎曲部位A之數量較少,則能更有效地減 少起伏之發生。此數量較佳最多爲1〇,尤其最多爲5,特 別是最多爲3。 另外,在此具體例中,第一和第二擴大減振器7 1、72 和共振減振器7 3爲振動抑制裝置,用於改善抑制週期性起 伏和其他壓力起伏之效果。因而消減了管路67之振動,並 減少傳輸至釋出塗液51a之壓力的週期性起伏。若第二解 壓室62之內壓値改變,則流延始點P S之位置偏移。於此 狀況,即使壓力起伏Pv爲任何數値’壓力起伏也因管路 6 7裝設之振動抑制裝置而有效地減少。作爲振動抑制裝置 者,已知減振器設置方便性、採購方便性和成本效益之觀 點言,爲較適宜。注意,振動抑制裝置不僅包括可降低所 -15- 1359832 產生之振動的器具,且亦包括吸收振動或以波之反射等反 制振動之器具。在本發明以下之說明中,振動抑制裝置之 功能’亦即運作,稱爲消減或減低。 而且如果振動抑制裝置之數量爲一個,本發明即爲有 效。然而數量爲二或更多者,則發明之效果更高。 另外’可僅用擴大減振器或僅用共振減振器做爲多個 · 減振器。較佳者至少設置一具’尤其至少三具擴大減振器 用於長度最長爲30米之管路67。請注意如下所述擴大減 振器和共振減振器之間的差異,而且其間的操作亦不相同 。因此此兩型式被同時使用,或依測得之壓力起伏之數據 而加以選擇。另外’如果所用兩個減振器之型式分別爲兩 種型式如本具體例·,各型間之位置關係並無限制。例如, · 即使第一和第二擴大減振器7 1、7 2之位置被相反安置,或 · 即使以共振減振器73置於第一和第二擴大減振器71、72 之間,本發明之效果亦相同。
市面上作爲擴大減振器和共振減振器者有許多產品。 擴大減振器爲如汽車減振器所代表之減振器,其具有一種 管在其中之截面積會有改變之結構,。擴大減振器在寬廣 之頻率範圍內爲有效。另外,共振減振器內具有振動之共 振結構,且爲在特定頻率値有效。 上述兩種減振器均爲所謂反應型減振器之一。在反應 型減振器中’會利用管內音阻抗的振動而使音波被反射至 其來源之一側。而且包含擴大減振器和共振減振器兩者之 結構之減振器已在市面銷售,而且適合用於本發明。另外 -16- 1359832 ,不僅有反應型減振器,而且亦有吸收型之減振器。在吸 收型中,使用具有吸收聲能效果之音響材料。且若在本發 明中使用吸收型,亦獲預期效果。注意吸收型具有一項缺 點,在低頻範圍之效果小於反應型。在本發明中,減振器 之型式無特別限制。然而,就在採購方便性和所吸收振動 之低頻範圍之效果之觀點而言,擴大減振器和共振減振器 特別適宜。 第4圖是在第2圖中管路67沿IV-IV線之剖面圖,又 第5圖爲第一擴大減振器71沿V-V線之剖面圖。因爲第二 擴大減振器72在相同方向之剖面與第一擴大減振器71者 相同,故第二擴大減振器72之剖面說明和例示從略。在第 4圖中,在管路67中以剖面線表示之區域Α1具有S1之大 小。在第5圖中,在第一擴大減振器7 1中以剖面線表示之 區域Α2具有之大小S2,爲第一擴大減振器71縱向截面積 之大小。如下所述,第一擴大減振器71之長度可在縱向以 較長或較短而變更S2的大小。因此,S2的大小是一個可 變値之選項。如第5圖所示,第一分段構件71c設於第一 擴大減振器71內,其將說明於後。在此具體例中,S2/S1 之値,或第一擴大減振器71之大小S2對管路67之大小 S1之商,較佳爲自5至500,尤其自20至300。若S2/S1 之値爲自5至5 0 0,壓力週期性起伏之消減效果(其如撞擊 引起振動之減少,聲音吸收,相差消減,距離削減或距離 遲延等等)變爲較大。如果S2/S1之値大於500,裝置會變 成太大。如S2/S1之値小於5,壓力週期性起伏之消減效果 1359832 會變/j、。 否則,若用共振減振器,較佳選用縱向長度爲可調整 之減振器。如此,若長度依壓力之週期性起伏種類而調整 ’則頻率解析變得較難。在管路67至少30米之長度中所 用共振減振器之數量,較佳至少爲1,尤其至少爲3。 在以上方法中,許多週期性起伏會減少而將在第一解 壓室61內之絕對値|Ρν| (見第2圖和第3圖)調整在最大爲 1·5|Κ|。然而,當壓力被量測時,壓力中之週期性起伏有 時被檢出如上述。然後,在此具體例中,會分析壓力之循 環振動。具體而言,週期性變動之內壓量得數據之頻率解 析是用FFT (快速傅里葉轉移)完成。所得數據爲FFT所得 之功率譜數據。在此方法中,雖然所量得之內壓數據原本 在縱軸代表內壓而橫軸代表時間之圖形中表示,但FFT之 功率譜數據則以縱軸爲內壓而橫軸爲頻率(Hz(赫))之圖形 中表示。注意,可得到內壓數據之FFT。另外可得到其壓 力起伏或絕對値|Pv|等數據之FFT。在此具體例中,將說 明使用絕對値I Pv I之功率譜數據的實例。在此數據內,在 各特定頻率處有各個峰値。 在第6A圖至第6C圖中,縱軸爲絕對値| Pv |而橫軸爲 頻率(單位:Hz)。第6A圖爲於先前技術生產薄膜之裝置和 方法之數據。第6B圖爲本發明上述方法之數據。第6c圖 是稍後說明之方法之數據。奄任一種數據中,滿足t$80 微米之條件。 如第6 A圖所示,在先前技術中,峰値數量變少,而絕 -18- 1359832 對値I Pv I在全部頻率範圍內都大。然而’在第6B圖中整 個頻率範圍內的|Pv|値較小,其中|Pv|被調整至最大爲 1.5|K|。所以,在本發明上述方法中,厚度準確性要調整 成爲適當,因此薄膜具有良好的光學性質。然而,在第6Β 圖內所示,在I Pv |値數據中有許多峰値,例如在80Hz、6ΟΗζ 、40Hz' 30Hz,雖然峰之強度不高。 爲了減小各峰之強度,將施用如下述之一具體例方法 ,而得第6C圖之數據》在第6C圖中,經於第6Β圖測得 各峰均變小而難以檢出。|Ρν|値在整個頻率範圍內變成較 小。在第6C圖之方法中,第6Β圖數據所檢出之壓力週期 性起伏會減少。以下將詳細說明在第6C圖中方法之具體例。 在此方法中,使數値不大且出現於某些頻率之|Ρν|値 各峰係選擇性變得較小。爲了達成此目的,使用擴大減振 器於如下狀況。第7圖爲在第2圖中沿VII-VII線所取剖 面。且第8圖爲第一擴大減振器71之剖面。第一和第二擴 大減振器71、72之各別長度LI、L2有時設爲不同。然而 ’第一和第二擴大減振器7 1、72之結構大致上相同。如第 7圖所示,第一和第二擴大減振器7 1、72分別具有入口 7 1 a 、72a用於從第二解壓室62抽入空氣;並有出口 71b、72b 用於排出空氣至外面;和分段構件71c、72 c。在第一擴大 減振器7 1內,入口 7 1 a和出口 7 1 b是對角設立於段之縱向 ,使中心線C 1、C2(想像中之直線,分別延伸通過入口和 出口 71a、71b之中心)不進入另一者之中。亦即,中心線 C 1不進入出口 7 1 b,而中心線C 2不進入入口 7 1 a,此結構 -19- 1359832 與第二擴大減振器72者相同。 若入口 71a、72a和出口 71b、72b之位置已決定 述,第一和第二擴大減振器71、72很可能減少壓力之 性起伏。如果入口與出口 71a和71b或72a和72b之 體設於一直線上,則振動從入口 7 1 a、72a進入減振器 從出口 71b、72b出來。然而,若入口 71a、72a和出[= 、72b設置如上所述,則能抑制許多具有不同波長之 〇 另外’第一分段構件7 1 c、7 2 c分別於第一和第二 減振器7 1、72內部分段,空氣流過各個第一分段構付 、72c與各減振器71、72內壁之間的空間。設置第一 構件71c、72c,而使之與通過入口 71a、72a之空氣振 行途徑相交。在此具體例中,第一分段構件7 1 c、7 2 c 置係垂直於進行途徑。於是從入口 71a、72a反射於第 段構件7 1 c、7 2 c之週期性起伏壓力,和反射値與振動 被消除。所以,傳輸至所釋出塗液51a(參照第2圖及 圖)之壓力週期性起伏會被抑制。 另外’如第8圖所示,第一擴大減振器71具有一 構件75和第二構件76,其可互相滑動,而使長度L1 定値。當長度L1設定於預定値時,第一和第二構件 76被固定構件77固定。另外,在此具體例中,第一 減振器71之長度L1以滿足於式V/7fSLlSV/2f而設 在此式中,V(米/秒)爲在流延條件下大氣中之音速,f 頻率,其在第6A圖至第6B圖中| Pv |値與頻率間之關 如上 週期 結合 直接 7 1b 振動 擴大 7 1c 分段 動進 之設 一分 波會 第3 第一 爲預 75、 擴大 定。 爲一 係曲 -20- 1359832 線之間出現峰値。在第6B圖內頻率値f爲80Hz、60Hz、 40Hz、3 0HZ等等。因此碰撞所引起之振動可以抑止,因而 可調整在特定頻率達成之週期性起伏,以減小壓力起伏Pv 絕對値|Pv|。頻率f是在峰値出現處之各頻率之一。在以 上長度L1之範圍內,具有抑制較大頻率振動之效果,其爲 在所選頻率之振動共振所產生者。所以,當L 1被設定如上 述,擴大減振器可以具有與共振減振器相同之功效。 如果長度L1小於V/7f,在第一擴大減振器71內之縱 向(或在振動之傳輸方向)之空間太短,距離延遲效果小。 或者,如果長度L1大於V/2f,振動之共振有時發生於低 頻範圍,造成更強之振動。長度L1較佳爲滿足於式V/5 f SLl^V/3f。因爲考慮入口與出口之位置(在第一擴大減振 器縱向中入口與出口間之距離),須注意此項決定是依第一 擴大減振器71之長度關係而訂。然而,此項決定是依通過 入口而進入之振動在傳播方向中之距離關係而訂。長度L1 之詳細說明,於稍後以另一減振器舉例說明。 另外,在此具體例中,第二擴大減振器72滿足V/7f SL2SV/2f之式,且較佳爲滿足V/5fSL2各V/3f之式,如 長度L1。在本發明中可用多(二或更多)個擴大減振器,且 若所用減振器之一(其長度爲L)而滿足V/7f$LSV/2f’則 可觀察到上列效果。然而,所有使用之減振器之特佳者滿 足V/7fSLSV/2f之式,則預定頻率之壓力週期性起伏會 被有效抑制。 -21- 1359832 若使用多個減振器,較佳爲其中之長度L可爲不同。 如此,在多個頻率可得絕對値| Pv |減小之效果。例如,若 第一擴大減振器71之長度L1約爲2.1米,在第6B圖中 f= 8 0Hz之| Pv |峰値(下文稱| Pv |峰値)可能變爲較低,又 若第二擴大減振器72之長度L2爲1.5米,則在第6B圖內 f=60Hz之|Pv|峰値可變爲較低。 若第一擴大減振器71之長度L1和第二擴大減振器72 之長度L2滿足Ll=2nxL2之式(η之自然數),則第一擴大 減振器71會抑制其頻率爲第二擴大減振器72所抑止之振 動頻率之2η倍的振動。再者,在第二擴大減振器72之共 振所產生之振動亦受第一擴大減振器7 1所抑制。如上所述 ’若|Ρν|峰出現於多個頻率,使用多個減振器,且其長度 特別依強度將被降低之對應峰之頻率決定。在此方法中, 只用擴大減振器(不用大的共振減振器)》在此,在各頻率 之峰可被有效減少。另外,不用大的共振減振器,只用擴 大減振器以供抑制若干頻率之起伏。
在此具體例內,如第8圖所示,第一分段構件71c附 於滑堦71d使可在方向B滑動,並設於預定位置》藉由第 一分段構件7 1 c之定位,使在第一擴大減振器7 1內形成第 —段D1和第二段D2,而在第一擴大減振器71之縱向中分 別具有長度LD 1、LD2。於此情形,第一分段構件7 1 c之位 置被決定以滿足至少兩式LDlS(l/m)xLl和LD2S(l/m)X L2之一。在各式中,m爲至少2之自然數,V(米/秒)爲在 流延狀況下大氣中之音速,而f(單位:Hz)爲在經過FFT -22· 1359832 分析之壓力起伏數據所得之功率譜數據(參見第6A-6B圖)中 所出現之頻率。在預定頻率之振動能被轉換成爲熱能,使 |Pv|値減小。在上述長度L1之範圍內,在所選擇頻率發 生之振動之共振,有效抑制了在較大頻率處之其他振動。 在第一分段構件7 1 c所定位置,其振動頻率爲強度待 減之峰頻率f的Ι/m倍。例如,長度L1被設定於預定値以 供抑制在80Hz峰値之振動。若長度LD1、LD2至少有一被 設定爲(l/2)xLl之長度,在f=40Hz之|Pv|峰之強度可被 降低。另外,在此具體例中,若第一分段構件7 1 c之大小 改變,在減低於80Hz處峰値強度之效果與於40Hz處峰値 強度被降低之效果兩者間的關係可被調整。具體而言,若 要使在80Hz處峰値強度的降低比在40Hz者爲大,第一分 段構·件71c之尺寸要改小;又要使在40Hz處峰値強度的降 低比80Hz處爲大,第一分段構件71c之尺寸要改大。 如果利用長度L不能改變的擴大減振器,設置一分段 構件,使分段構件之定位所形成段落之長度LD可以滿足 V/7fS LDS V/2f之條件。另外,若以此方法應用於以上具 體例,其較佳者之長度LD1、LD2爲分別滿足V/5fSLDl SV/3f 和 V/5f$LD2SV/3f 各式。 在此具體例中,由分段構件決定之長度也設定於第二 擴大減振器7 2,如同在第一擴大減振器7 1之中。例如, 長度L2被設定以決定用於消減在60Hz之|Pv|峰之振動値 。於此狀況,若至少一長度LD被設於(l/2)xL2,在f=30Hz 之丨Pv I峰變爲較低。 -23- 1359832 若在第一擴大減振器71中第一段D1之長度LD1和第 二段D2之長度LD2滿足LDl=2nxLD2(n爲自然數),則在 第一段D1之振動被抑制,其頻率爲2η倍於受第二段D2 所抑制振動頻率之大小,而且在第二段D2中之共振所產生 之振動被消除於第一段D1。 第9圖爲在以上具體例中取代第一擴大減振器所用之 第二擴大減振器81所剖面圖。第三擴大減振器81具有一 第一構件85和一第二構件86,可於(Α)方向滑動,與第一 和第二擴大減振器71、72相同。當在第一和第二構件85 、86之間完成定位,長度L3被決定。另外,第一分段構 件8 lc和第二分段構件81e爲可滑動,而分別附於滑堦81d 、8 1 f。分段構件8 1 c、8 1 e劃分第三擴大減振器8 1內部成 爲三個段落D1-D3,分別在第三擴大減振器81之縱向具有 D1-D3三個段落。長度LD卜LD3調整爲使滿足如下各式, LDl=2nxLD2、LDl=2nxLD3(n 爲一自然數)。 如果出現壓力起伏PV(或I Pv I )之多個峰,則設置多個 分段構件以形成至少三個段落;以決定各段之長度LD,降 低在對應頻率各峰之強度。 第1 〇圖和第11圖爲本發明其他擴大減振器具體例之 剖面爲可用於取代第一至第三擴大減振器。注意其詳 細之處在第10圖、第n圖中被省略以求簡便。在第10圖 內’第四擴大減振器91在垂直於縱向的方向上包含一入口 91a及入口 91b如上述。在此例中,長度L4非爲縱向之長 度而是由自入口 91a的振動傳輸方向長度來決定。另外, 在第11圖內,第五擴大減振器95具有一入口 95a和一出 -24- 1359832 口 95b於與第一至第三擴大減振器相同之位置,且在第一 與第二分段構件95c、95e間之位置關係與在第一至第三擴 大減振器者不同。第一和第三分段構件95c、95e劃分內部 空間形成縱向安排之多個段落,但其爲附於相對壁面》而 且若用第四和第五減振器,獲得與第一至第三擴大減振器 相同之效果。 注意在第二解壓室62或管路67中減壓程度較佳在 •lOPa和- 2000Pa範圍內,自其標準値(零)至大氣壓力。特 別之處,若所產薄膜較薄,壓力降低之程度較佳爲較大。 在第二解壓室62和管路67中壓力起伏和週期性起伏 可降低如上述。在以下,將說明壓力起伏之量測。在第二 解壓室62內部壓力起伏的量測中,量測在第二解壓室62 內的壓力起伏,並用FFT分析計算所測得之數據。注意在 管路67內的壓力起伏被視爲與在第二解壓室62內者相同 »在此具·體例中,使用ST硏究所產之特別的轉換器用作壓 力計,Ono Sokki公司產多道數據站(Multi Channel Datastation) DS-9100被用於壓力起伏之數據分析,亦即FFT分析。注 意本發明量測壓力起伏之方法不限於以上之方法,且可爲 習知分析壓力起伏之方法。依本發明,壓力起伏之絕對値 |Pv|在所有頻率範圍內均比先前方法小,尤其在3〇至 5 0Hz範圍內之頻率者更小。亦即,本發明之效果在此區域 內特別大。 在此具體例中’對所釋出塗液51a(參照第2圖和第3 圖)減小壓力之效果是由第二解壓室造成。因此週期性起伏 •25- 1359832 只在第二解壓室內被減少。然而’如果在弟一解壓室內完 成週期性起伏之減少,則效果更大。 例如,爲了調整在第一解壓室61中之壓力起伏絕對値 |Pv|,則連接第二解壓室與解壓風扇之管子內徑在70毫 米至700毫米範圍內,管之彎曲部位數最多爲15,管之長 度最長爲30米,且減振器設於管上,則可調整在第一解壓 室61內之壓力起伏Pv(單位:Pa)於最大1.5 | K |。另外, 若只用一個解壓室,則壓力起伏最好在所用一個解壓室內 調整至與本具體例中在第二解壓室內相同之狀況。如上所 述,本發明並不依賴解壓室之數量。然而,最好控制壓力 起伏於最接近流延薄膜之解壓室。 在本發明生產薄膜之方法中,聚合物組分較佳爲纖維 素丙烯酸酯,尤其爲纖維素乙酸酯。除纖維素丙烯酸酯外 ,其他聚合物與其預聚物溶於溶劑者亦獲得用於形成薄膜 之塗液,而且應用於本發明之此種狀況中。例如,包括聚 乙烯基醇、變性聚乙烯基醇、聚丙烯酸酯酯類、聚甲基丙 烯酸酯酯類、聚對酞酸乙二酯(PET)、聚對酞酸丁二酯(PBT) 、氯化聚醚、聚乙縮醛、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚碾(PES). 、聚醯亞胺(PI)、聚醯胺(PA)、聚醯胺醯亞胺(PAI)、聚伸 苯基氧(PPD)、聚伸苯基楓、聚楓、聚烯丙酸酯、聚碳酸酯 (PC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚氯乙烯 (PVC)等。另外,以上各聚合物可以單獨使用或其多種混合 使用。另外,本發明之溶劑不限於在各具體例中單一溶劑 材料之溶劑,可爲多種溶劑材料之混合物。另外,在本發 明中’用於塗液之聚合物形狀等不限於此具體例,例如, -26- 1359832 可爲磨粉、粒片等等。 在本發明中,用於塗液之溶劑不限於在溶液流延法生 產薄膜所用之若干習知溶劑。作爲溶劑者,其有例如含鹵 素之有機材料(二氯甲烷、二氯乙烷和類似者)、醇類(甲醇 、乙醇、正丁醇等)、酯化合物(乙酸甲酯、乙酸乙酯等)、 無氯有機材料(丙酮等)和水。 本發明不僅應用於溶液流延法,並且也用粉熔體擠押 法。亦即,當熔融之聚合物從熔體擠押模頭被擠出形成膜 狀材料之振動。與上述相同之條件在此情形中亦爲有效。 注意在熔體流延中,聚合物所形成之薄膜在預訂冷卻條件 下被冷卻,取代在第1圖薄膜生產裝置中之冷卻裝置15。 自然冷卻有時亦被使用。在冷卻當中或其後,薄膜被用拉 伸裝置拉伸於預定方向。 另外,在本發明中,在上述方法所生產之薄膜被用於 偏光濾片。在本發明之偏光濾片中,在上述方法所.得之聚 合物薄膜被黏著於由聚乙烯醇型薄膜所成之偏光薄膜兩面 。偏光膜是以染著聚乙烯醇型薄膜而得。作爲染著之方法 ’有氣相吸附法和液相吸附法。在本發明中,染著是用液 相吸附法完成。 碘被用於液相吸附之染著法中。然而,染著法並不限 於此。聚乙烯醇型薄膜被浸入碘/碘酸鉀(KI)溶液內徑30 秒至50〇〇秒。因此在溶液中之碘濃度較佳爲〇1克/公升至 20克/公升’而碘酸鉀濃度較佳爲公升至1〇〇克/公升 °此外,在浸漬中溶液溫度設定至少51而最高50 °C。 -27- 1359832 在'液相吸附法中,碘或其他染劑之溶液可以用已知方 法塗覆或噴灑於聚乙烯醇型薄膜上以取代以上浸漬聚乙烯 醇型薄膜之方法。聚乙烯醇可在拉伸之前或之後著色。然 而’在染色之後’聚乙烯醇膜有相當的膨脹而易被拉緊。 所以’較佳者爲聚乙烯醇膜被染於在拉伸之前。 代替确者’較佳用二色性染料(包括顏料)。在二色性 染料中’有偶氮型染料、芪型染料.、吡唑啉酮型染料、三 苯基甲烷型染料 '喹啉型染料、噚啶(oxadine)型染料、唾 啶(thiodine)型染料、蒽醌型染料等等。較佳者,染料材料 可溶於水。較佳者,雙色性染料分子具有親水基,其如磺 酸基、胺基、羥基等。 若已決定聚乙烯醇型薄膜在染色之後拉張,則用化合 物(或交聯劑)交聯聚乙烯醇。具體而言,聚乙烯醇型薄膜 浸入交聯劑溶液,否則將交聯劑塗覆或噴灑於聚乙烯醇型 薄膜上。於是,聚乙烯醇型薄膜被硬化而有適當取向。注 意聚乙烯醇型薄膜之交聯劑較佳爲以硼酸爲基礎之材料, 但不以其作限。 各薄膜用黏著劑黏著於偏光膜上,黏著劑可用已知者 。特別適合者爲硼化合物或含具有乙醯乙醯基、磺酸基、 羧基、氧伸烷基等之變性聚乙烯醇之溶液。較佳者,黏著 劑在乾燥後具有0.01微米至10微米之厚度,且特別由〇〇5 微米至5微米。另外’抗反射層、抗眩層、潤滑層、助黏 層等形成於聚乙烯醇層上作爲聚合物膜層之保護層。 另外’一種光學補償片被加於本發明所獲得之聚合物 -2 8- 1359832 薄膜(尤其是纖維素三乙酸酯薄膜),因而被用作光學補償 膜。若抗反射層形成偏光濾片上,則獲得抗反射膜而作保 護膜兩表面之一。因此可獲得如下各型之液晶顯示器:透 射型、反射型、或半透半反射型,其如扭轉陣列(TN)、超 扭轉陣列(STN)'垂直配向(VA)'平面內切換(IPS)、選擇 性補償彎晶胞(OCB)等等。另外,光學補償膜(其如用於液 晶顯示器擴大視角之寬視角薄膜)與雙折射濾片,用本發明 薄膜結合。若以本發明薄膜用於透私型或反射型液晶顯示 器,同時使用市售之亮度提昇膜(具有偏光擇摘之偏光分裂 性膜,例如Sumitomo 3M公司所產之D-BEF)。因此產生具 有高可視性之液晶顯示器。 本發明已完成一項實驗,並因而完成具體例之說明。 本發明並不限定於所說明。 【實施方式】 [實施例1] 如下各固體成分被加至由二氯甲烷和甲醇以92 : 8重 量比所成溶劑內成爲混合物。此混合物被靜置以除去氣泡 ,其後用泵P2給至過濾裝置25。於是獲得塗液51,而塗 液5 1之固體密度爲1 9.0重量%。塗液5 1從流延模頭3 6被 流延。皮帶38之輸送速率爲55米/分。在流延之進行者中 第二解壓室62之降低程度受到控制。管路67之內徑爲1 00 毫米、長度爲12米、彎曲部位A數量爲8。另外’第一擴 大減振器爲擴大型且其S2/S1値爲50。第一擴大減振器71 和第二擴大減振器7 2無分段構件,且分別具3 · 5米之L 1 長度和2.5米之L2長度。另外,用共振減振器73作爲起 -29- 1359832 伏抑制裝置者。流延薄膜被剝下成爲薄膜5 2,薄膜5 2經 乾燥而具有80微米厚度。然後薄膜52被收捲。 (固體成分) 纖維素三乙酸酯 1〇〇重量份 三苯基磷酸酯 7重量份 聯苯基二苯基磷酸酯 5重量份 流延塗液51在過濾後由流延模頭36流延。皮帶38之 輸送速率爲55米/分。在流延當中調整第二解壓室62之解 壓程度,管路67內徑爲100毫米、其長度爲i 2米、彎曲 部位A之數量爲8。另外,當S2/S1比在第一擴大減振器 71內爲30,而在第二擴大減振器72內者爲50。分段構件 未設於第一和第二擴大減振器71、72之內部空間。L1長 度爲3.5米而L2長度爲2.5米。另外,用共振減振器73 作爲振動抑制裝置。流延薄膜剝下後成爲凝膠狀薄膜、凝 膠狀薄膜經過乾燥並收捲。於是獲得薄膜52而其厚度爲 80微米。 壓力起伏Ρν之絕對値|ρν|之平均値是根據第二解壓 室62之預定減低程度而計算,其爲當在至少爲3Hz之週期 性所產生厚度不勻性百分比爲小於0.3 %,小於〇 . 8 %和至少 爲1 · 5 % »結果列於表1 ’其中實施例1 _ a、1 - B和1 - C對應 於具有此三種百分比之各種薄膜。預定減低程度是以與大 氣壓之差表示。另外,厚度不均性之估計表示如下:A(小 於0 · 3 % )、B (小於0 · 8 %)、和n (至少1 . 5 %)。注意薄膜5 2 之薄膜厚度是用Anritsu公司所產薄膜厚度檢驗器KG601 測定。 -3 0- 1359832 [實施例2] 度爲60微米,其他條件如同實施 2-B、2-C三薄膜被產生。結果列 所生產薄膜5 2之厚 例1。因此實施例2 - A、 於表1。 [實施例3] 度爲40微米,其他條件如同實施 3 - B、和3 - C三薄膜被產生。結果 所生產薄膜52之厚 例1。因此實施例3 - A ' 列於表1。 3 1359832 根據表1,當|Pv|至少爲在ι·5|κ|(其中|K|=(tx|P〇|)1/2/ 10 0),厚度不均性幾乎未察覺,且所得薄膜之品質高。若 |Pv|爲至高0.5|κ|,厚度不均性未察覺,而所得薄膜之 品質十分高。 [實施例4] 在第二解壓室62內對大氣壓的預定解壓程度爲-iOOPa 。管路67之內徑變更如實施例4-Α、4·Β和4-C,又壓力起 伏Ρν之絕對値| Ρν I之平均値係計算如同實施例1。壓力起 伏被估定爲Α,此時丨ρν|絕對値最大在〇.5|Κ| (其|K|=(tx 丨P。| )1/2/10 0);爲B,此時丨Pv丨絕對値最大在1.5丨K丨;以 及爲N ’此時丨P v |絕對値在大於1 _ 5 | K丨。結果列於表2。 [表2]
實施例 管路內徑 1 Pv | 壓力起伏 (毫米) (·) 4 - A 100 0.2 A 4-B 80 0.8 B 4-C 50 2.4 N 根據表2,當管路67內徑爲50時壓力起伏太大,而 當內徑爲80毫米時壓力起伏減弱而良好。另外,當內徑爲 100毫米時壓力起伏極度減弱。 [實施例5] 在第二解壓室內對大氣壓力之預定解程度爲- lOOPa。 管路67之內徑爲80毫米,管路67長度爲15米。彎曲部 位A之數量依實施例5-A、5-B、5-C和5-D改變。壓力起 -33- 1359832 伏Pv之I Pv I絕對値之平均値計算如實施例1。壓力起伏被 估量爲 A,此時絕對値丨pv丨最大在0.5丨K I (其丨K I =(tx |P〇|)1/2/l〇〇);爲B,此時絕對値|Pv|最大爲1.5|K|時; 以及爲Ν,此時絕對値| Pv |爲大於1.5|K|者。結果列於 表3 » [表3]
實施例 彎曲部位之數量 i Pv 1 壓力起伏 (-) 5-Α 8 0.2 A 5-Β 15 0.8 B 5-C 20 1 .4 N 5-D 40 1.7 N 根據表3,在彎曲部位數量至少爲20者壓力起伏太大 而不佳,在彎曲部位之數量爲15者壓力起伏被減少而爲優 良。另外,彎曲部位數量爲8者壓力.起伏最爲減少。 [實施例6] 在第二解壓室62內對大氣壓力之預定解壓程度爲-lOOPa 。管路67內徑爲80毫米,彎曲部位數量爲10。管路67 長度依實施例6-A、6-B、和6-C而改變。壓力起伏Pv之 絕對値I Pv |之平均値計算如實施例1。壓力起伏評估爲A ,此時絕對値|Pv|最大爲〇.5|K| (其中|K卜(tx丨P。丨)1/2/ 1〇〇);爲B,此時絕對値|Pv|最大爲1.5|K| ;以及爲N, 此時絕對値丨Ρ ν |大於1 . 5 | Κ |。結果列於表4。 -34- · 1359832 [表4]
實施例 管路長度 1 Pv I 壓力起伏 (米) (-) 6-A 10 0.3 A 6-B 25 0.8 B 6-C 5 0 1.5 N
根據表4,當管路67之長度爲50米時壓力起伏太大 而不宜;當管路67之長度爲25米時’壓力起伏減少而良 好。另外,當管路67之長度爲10米時,壓力起伏極度減 少。 [實施例7] · 在第二解壓室內對大氣壓力之預定解壓程度爲- lOOPa _ 。管路67之內徑爲80毫米,管路67之長度爲15米,彎 曲部位之數量爲15。擴大減振器和共振減振器兩者之數量 依實施例7-A、7-B、7-C、7-D和7-E改變。壓力起伏Pv 之絕對値| Pv |之平均値計算如實施例1。若同時使用擴大 g 減振器和共振減振器,前型者位於後型者之上游,與其數 量無關。壓力起伏估計爲 A,此時絕對値丨Pv |最大在 〇·5丨K | (在此| K卜(tx | P。丨)1/2/100);爲B,此時絕對値| Pv | 最大爲1.5丨K丨;以及爲N,此時絕對値丨Pv |大於1 .5 | K | 。結果列於表5。 -35- 1359832 [表5]
實施例 減振器數量 1 Pv | 壓力起伏 擴大減振器 共振減振器 (-) 7-A 3 1 0.1 A 7-B 1 1 0.8 B 7-C 0 1 1.5 N 7-D 1 4 0.3 A 7-E 1 0 1.4 N
根據表5,當不用擴大減振器時,壓力起伏太大而不 適宜,又當擴大減振器數量爲.1,壓力起伏減少而優良。 另外當擴大減振器數量爲’3則壓力起伏極度減少。 · [實施例8] . 在第二解壓室62內對大氣壓之預定解壓程度爲- l〇〇Pa 。管路67之內徑爲80毫米,管路67之長度爲15米,彎 曲部位之數量爲1 〇。作爲擴大減振器之第一擴大減振器7 1 之截面大小對管路67之截面大小S1之値S2/S1依實施例 g 8·Α、8-B和8-C改變。壓力起伏Pv之絕對値丨Pv |之平均 値計算如實施例1。若同時使用擴大減振器和共振減振器 ,前型位於後型之上游,與其數量無關。壓力起伏估計爲 A,此時絕對値| Pv丨最大爲0.5 | K丨(其丨K丨=(tx丨P。丨)1/2/ 1 0 0);爲B,此時絕對値| Pv |最大爲1 .5 | K |者;以及爲N ,此時絕對値丨P v |大於1 · 5丨K丨。結果列於表6。 •36- 1359832 [表6]
實施例 S2/S1比値 1 Pv 1 壓力起伏 (-) 8-A 22 0.3 A 8-B 6 0.8 B 8-C 2 1.4 N
根據表6,當S2/S1値爲2時,壓力起伏太大而不適宜 :而當S2/S1値爲6時,壓力起伏減少而優良。另舛當S2/Si 値爲22時,壓力起伏大減。 [實施例9] 在第二解壓室62中之解壓程度爲_2〇〇pa而與實施例 -1-B相同。第二解壓室62之內壓經量測,所獲得數據在FFT . 分析中處理成爲週期性起伏之分析數據。在此分析數據內 ’絕對値|Pv|之峰於f=80Hz形成,峰之最大値爲1.9。因 此,第一擴大減振器7 1之長度L 1從3 · 5米被改變如在表7 實施例9-A至9-E之預定値。若長度L1被設於預定値,獲 g 得在80HZ之絕對値| Pv |之峰強度。注意,所估量者爲E (優異)·,此時在801-Iz峰強度爲〇至0.25 ;爲G(優良),此 時峰強度爲0.25至1.0 ;以及爲B(劣)’此時峰強度大於 -37- 1359832 [表7]
實施例 長度L1 (米) 1 Pv | [於 80Hz] 評估 9-A 2 . 1 0.2 E 9-B 1.3 0.8 G 9-C 3.5 0.7 G 9-D 5.0 1.8 B 9-E 1.0 1.5 B
根據實施例9,在80Hz之絕對値|Pv|峰値之降低效果 依第一擴大減振器71長度L1之變更而有所不同。爲求降 低| Pv |峰値,表7教示:根據出現該峰之頻率,可有效調 整長度L1至預定値於至少爲V/7f與最大爲V/2f之範圍內 [實施例1 0 ] 不設定預定解壓程度於-lOOPa,獲得在第二解壓室62 中之週期性起伏之分析數據。在此分析數據中,絕對値 g |Pv|之峰見於f=6〇Hz,峰之最大値爲2.1。因此第—擴大 減振器71之長度L1自於實施例9之3.5米被改變爲如表8 中10_A至10-E各實施例。當長度L1被設定於預定値,量 測在60HZ處絕對値丨Pv |之峰強度。 -38- 1359832
[表8] 實施例 長度L1 1 Pv 1 評估 - (米) [於 60Hz] 1 0-A 1.50 0.2 E 1 0-B 1.10 0.8 G 1 0-C 2.50 0.6 G 1 0-D 3.15 1.9 B 1 0-E 0.60 1.4 B 根據實施例10 ’在60Hz之絕對値I pv I之減峰效果依 第一擴大減振器71長度L1之改變而有所不同。爲求減小 | Pv |峰値’表8教示:根據出現峰之頻率,可有效調整長 度L1至達至少爲V/7f與最大爲v/2f範圍內之預定値。 [實施例1 1] 第一擴大減振器71備有分段構件,其數量決定於實施 例11-A至11-D而列於表9。實施例11-A至11-D之其他 條件如同實施例9-1。在此實驗中,量測在80Hz之|Pv| 峰之峰強度,其結果列於表9。評估之進行如同表7和8 [表9]
—--- 實施例 分段構件數量 1 Pv | [於 80Hz] 評估 1 1 - A 0 0.8 B 1 1 -B 1 0.2 G 1 1 -C 2 0.2 G 1 1 - D 3 0.1 E -39- 1359832 在實施例11中,當長度L1被設定至預定値,在8 OHz 之峰變爲較小,又當設有分段構件時,在40 Hz等各峰之強 度變小。所以,改變在第一擴大減振器7 1內分段構件之數 量’不但在80 Hz之峰,而且在40Hz(頻率爲80Hz之半)等 各峰均有減小之效果〃 [實施例1 2 ] 在實施例12-A中,使用第一擴大減振器71。在實施 例12-B中,使用一通過入口進入出口之中心線被延長的擴 大減振器來取代第一擴大減振器71。實施例12-A至12-B 之其他條件與實施例9-1相同。在此項實驗中,量測在80Hz 之|Pv|峰之峰強度,其結果列於表10。評估進行同表7至 9 〇 [表 10]
實施例 1 Pv丨 [於 80Hz] 評估 1 2-A 0.2 G 1 2-B 0.8 B 在實施例1 2中,在入口與出口間不同之位置關係會改 變抑制振動之效果。若延伸之入口中心線不進入出口,則 抑制振動之效果較高。 [實施例1 3 ] 具有抗眩性質之抗反射膜被浸入於2.0N之NaOH於55°C 歷2分鐘。於是爲抗反射膜之一面之纖維素三乙酸醋表面被 皂化。另外,在實施例1-C所得之纖維素三乙酸酯被皂化於相 -40- 1359832 同條件之下。且當碘被吸附於聚乙烯醇而得偏光片時’此兩薄 膜被黏著於偏光片各表面作爲保護膜。因而獲得偏光濾片’且 其品質因平直度優良而高。 [實施例14] 在設於筆記型個人電腦所備之透明型TN(扭轉陣列)液 晶顯示器(下稱LCD)之觀看側設有偏光濾片,被實施例13 所獲之偏光濾片更替,其中以D-BEF(Sumitomo 3M所產) 作爲具有偏光選用層之偏光分隔膜設於LCD內背光與液晶
胞之間。 在本發明中可有各種變更和修改,且可瞭解係在本發 明之內。 【圖式簡單說明】 在具有通常技術者閱讀上述詳細說明及相關圖式之後 當可輕易瞭解本發明上列目的與優點。 第1圖爲本發明一具體例之薄膜生產裝置示意圖; 第2A圖爲薄膜生產裝置中流延裝置之示意圖;
第2B圖爲流延裝置之局部圖; 桌3圖爲流延裝置中將空氣抽入第一和第二解壓室內 之說明圖; 第4圖爲在第2A圖中沿IV-IV線連接至解壓室之管路 剖面圖; 第5圖爲在第2A圖中V-V線上第一擴大減振器之剖 面圖; 第6A圖爲在先前技術中,空氣壓力起伏的頻率與 丨Pv丨値關係之曲線圖;. -41- 1359832 第6B-6C圖爲本發明中,空氣壓力起伏的頻率與|Pv| 値關係之曲線圖; 第7圖爲在第2B圖中VII-VII線上薄膜生產裝置中的 擴大減振器具體例之剖面圖; 第8-11圖爲擴大減振器的其他具體例之剖面圖。 【主要元件符號說明】 10 薄 膜 生 產 裝 置 11 塗 液 製 備 器 具 12 流 延 裝 置 15 乾 燥 器 16 收 捲 器 2 1 攪 拌 槽 22 存 料 槽 2 5 過 濾 裝 置 2 6 固 定 混 合 器 29 拉 幅 夾 3 1 第 — 料 源 3 2 第 二 料 源 3 3 第 二 料 源 3 6 流 延 模 頭 3 7 支 持 粧 3 8 皮 帶 4 1 拉 幅 裝 置 42 輥 輪 乾 燥 器
-42- 1359832 42a 輥 輪 45 切 斷 器 46 收 捲 器 47 輥 輪 5 1 塗 液 5 1a 釋 出 塗 液 5 1b 流 延 薄 膜 52 聚 合 物 薄 膜 J 薄膜 6 1 第 一 解 壓 室 62 第 二 解 壓 室 63 解 壓 風 扇 64 控 制 器 66 風 扇 67 管 路 7 1 第 — 擴 大 減 振 器 7 1a 入 □ 7 1b 出 □ 7 1c 第 — 分 段 構 件 7 1 d 滑 堦 72 第 二 擴 大 減 振 器 72a 入 □ 72b 出 □ 72c 分 段 構 件 73 共 振 減 振 器 -43-

Claims (1)

1359832 修正本 第093128658號「製造聚合物薄膜之方法及裝置」專利案 (2011年9月14曰修正) 十、申請專利範圍: 1. 一種從含聚合物或熔融聚合物之塗液生產薄膜之方法, 該塗液或該熔融聚合物從模頭釋出到移動中之支承物上 ’並從該支承物剝下該薄膜,該薄膜經乾燥或冷卻而具 有預定之厚度爲t (微米),該方法包含下列步驟: 在該移動中之支承物上游側用解壓裝置將從該模頭 釋出之該塗液或該熔融聚合物解壓;且 其中若對解壓作用之預定値爲Pc(單位:Pa(巴斯卡)) ’而該預定値P〇與解壓後測定値之間的差爲壓力起伏Pv ’該壓力起伏Pv滿足下式: | Pv | ^ 1 . 5 | K | (K = (tx I P〇 I ) 1/2/1 00); 其中該管路設有用於消減造成該內壓改變之振動消 減裝置,該振動消減裝置是一擴大減振器或一共振減振 器;且 該方法另含下列步驟: 量測由該振動所引起之該週期性起伏之壓力; 將在量測中所得之量測數據用FFT程式進行頻率分 解; 使該擴大減振器在縱向之長度L滿足V/7f$LSV/2f 之式; 其中f(Hz)爲在一壓力之頻率,其値爲自30Hz至 8〇Hz,而V(米/秒)爲大氣中之音速。 1359832 100. 9. 14 修正本 2. 如申請專利範圍第1項之方法, 其中該解壓裝置包含一解壓室、一用於調整該解壓 室之內壓的解壓調整段,和一連接該解壓室與該解壓調 整段之管路;且 其中從該解壓調整段至該解壓室之彎曲處的數量最 多爲1 5。 3. 如申請專利範圍第2項之方法,其中該從該解壓調整段 至該解壓室之管路長度最長爲30米。 ® 4.如申請專利範圍第3項之方法,其中連接至該解壓室之 管路內徑在70毫米至700毫米範圍內。 5 .如申請專利範圍第1項之方法,其中該擴大減振器或該 共振減振器是同時使用。 6.如申請專利範圍第5項之方法,其中若該管路內部空間 之截面大小爲S1、而該擴大減振器在縱向空虛區域之截 面大小爲S 2,則S 2 / S 1之値爲自5至5 0 0。 φ 7.—種從聚合物產生薄膜之方法,該聚合物是用模頭施用 於移動之支承物上,並從該支承物剝下該薄膜,該薄膜 被乾燥或冷卻,該方法包含下列步驟: 在聚合物溶解於溶劑或被熔融時,從該模頭釋出該 聚合物; 用解壓裝置將臨近該釋出聚合物解壓; 用該解壓裝置之減振器消減在該解壓裝置驅動時所 發生之振動,使臨近該聚合物之壓力可在解壓當中被抑 -2 - 1359832 100. 9. 14 修正本 制在預定之起伏範圍; 其中該減振器是一種擴大減振器;且 該方法另含下列步驟: 量測由該振動所引起之該週期性起伏之壓力; 將在量測中所得之量測數據用FFT程式進行頻率分 解: 使該擴大減振器在縱向之長度L滿足V/7f$LSV/2f 之式; 其中f(Hz)爲在一壓力之頻率,其値爲自30Hz至 80Hz,而V(米/秒)爲大氣中之音速。 8.—種用於生產聚合物薄膜之裝置,其包含: 一支承物; 一模頭,用於在聚合物溶解於溶劑或被熔融時於移 動之支承物上流延聚合物; 一乾燥裝置或一冷卻裝置’用於乾燥或冷卻該聚合 物,使之形成該聚合物薄膜;和 一解壓裝置,用於在臨近該模頭之聚合物出口處解 壓’該解壓裝置包含一解壓室、一用於調整該解壓室內 壓之壓力調整段,和一用於連接該解壓室與該壓力控制 器之管路;且 其中從該壓力調整段至該解壓室之彎曲部位的數量 最多爲15 ; 其中該管路設有振動消減裝置’用於消減會造成該 1359832 100. 9. 14 修正本 內壓改變的振動;且 其中量測由該振動所引起之週期性起伏之內壓; 其中將在量測中所得之該量測數據進行頻率分解; 且 其中當f(Hz)爲在一壓力之頻率,其値爲自30Hz至 80Hz >而V(米/秒)爲大氣中之音速;使該擴大減振器在 縱向中之長度L(米)滿足V/7fSLSV/2f之式。 9.如申請專利範圍第8項之裝置,其中自該解壓調整段至 該解壓室之該管路長度最長爲30米。 1 〇.如申請專利範圍第9項之裝置,其中連接該解壓室之管 路內徑在70毫米至700毫米之範圍內。 11. 一種用於從聚合物生產聚合物薄膜之裝置,其包含: 一支承物; 一模頭,用於在聚合物溶解於溶劑或被熔融時於移 動之支承物上流延聚合物: 一乾燥裝置或一冷卻裝置,用於乾燥或冷卻該聚合 物,使之形成該聚合物薄膜;和 —解壓裝置,包含一設於臨近該模頭聚合聚合物出 口之解壓室、一用於調整該解壓室內壓之壓力調整段; 和一用於連接該解壓室與該壓力調整段之管路;和 一振動消減裝置,裝設在該管路中,用於消減會造 成該解壓室內壓改變之振動; 其中該振動消減裝置是一種擴大減振器或一種共振 -4- 1359832 100. 9. 14 修正本^ 減振器;且 ' 其中量測由該振動所引起之週期性起伏之內壓; 其中將在量測中所得之該量測數據進行頻率分解; 且 其中當f(Hz)爲在一壓力之頻率,其値爲自30Hz至 80Hz,而V(米/秒)爲大氣中之音速;使該擴大減振器在 縱向中之長度L(米)滿足V/7fSLSV/2f之式。 12.如申請專利範圍第11項之裝置,其中多個減振器係裝 ^ 設作爲該振動消減裝置,且各該減振器中至少一個爲擴 大減振器,而其他者爲該共振減振器。 13_如申請專利範圍第12項之裝置,其中若該管路內部空 間之截面大小爲S1、而該擴大減振器在縱向空虛區域之 截面大小爲S2,則S2/S1之値爲自5至500。 1 4 .如申請專利範圍第1 1項之裝置,其中該多個擴大減振 器包含一具有縱向長度L1之第一擴大減振器和一具有縱 φ 向長度L2之第二擴大減振器,該第一和第二減振器依序 連接於該管路上,n爲自然數,且該長度L1、L2滿足Ll=2n xL2之式。 15.如申請專利範圍第14項之裝置,其中各該擴大減振器 至少一個裝設有分段構件,用於將正交於該振動傳輸方 向之方向的內部空間予以分段。 1 6 ·如申g靑專利章e圍第1 5項之裝置,其中由該分段構件所 形成各段中至少一個於該傳播方向具有一段落長度LD( 1359832 loo. 9. 14 修正本 米),且各該擴大減振器在該縱向有一長房 足LD = (l/m)xL之式(m爲2或更大之自然 I7·如申請專利範圍第16項之裝置,其中名 段與第二段,且該第一段之段長度LD1與 長度LD2滿足LDl=2nxLD2之式(η爲2或 〇 18.如申請專利範圍第17項之裝置,其中名 具有該振動之入口與出口,該入口與該出 中心線通過另一個之外緣。 t L(米),並滿 數)。 r段均包括第一 [該第二段之段 更大之自然數) -該擴大減振器 口之一的想像
-6 - 1359832. 义年?/1(3曰修正替換頁
七、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第(1 )圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 10 薄膜 11 塗液 12 流延 15 乾燥 16 收捲 2 1 攪拌 22 存料 3 1 第一 32 第二 33 第三 36 流延 37 支持 38 皮帶 4 1 拉幅 42 輕‘輪 42a 輕輪 45 切斷 46 收捲 47 _輪 5 1 塗液 52 聚合 P 1 第一 P2 第二 P3 第三 VI 流速 物薄膜,薄膜 泵 栗 泵 調節閥 生產裝置 製備器具 裝置 器 器 槽 槽 料源 料源 料源 模頭 輥 裝置 乾燥器 器 器 八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式:
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100675201B1 (ko) * 2005-04-29 2007-01-30 동양제철화학 주식회사 폴리비닐알콜 필름의 제조방법
US20070075449A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Konica Minolta Opto, Inc. Manufacturing method for optical film and manufacturing apparatus of optical film
TWI399276B (zh) * 2006-08-16 2013-06-21 Fujifilm Corp 流延裝置、溶液流延設備及溶液流延方法
JP5416908B2 (ja) * 2007-03-20 2014-02-12 富士フイルム株式会社 溶液製膜設備及び溶液製膜方法
JP5107119B2 (ja) * 2007-04-11 2012-12-26 富士フイルム株式会社 溶液製膜方法及び設備
JP5624485B2 (ja) * 2011-01-24 2014-11-12 富士フイルム株式会社 流延装置、流延膜の形成方法及び溶液製膜方法
CN202062786U (zh) * 2011-06-02 2011-12-07 京东方科技集团股份有限公司 离型膜回收检测装置及离型膜回收设备
JP5698720B2 (ja) * 2012-09-21 2015-04-08 富士フイルム株式会社 溶液製膜設備及び方法
CN102896723A (zh) * 2012-10-23 2013-01-30 苏州嘉银绝缘材料有限公司 聚酰亚胺薄膜流涎机树脂原液流量及压力控制系统
JP6406479B2 (ja) * 2016-09-29 2018-10-17 日本ゼオン株式会社 樹脂フィルム、バリアフィルム及び導電性フィルム、並びに、これらの製造方法
CN108970424A (zh) * 2018-06-14 2018-12-11 彭雄英 一种聚酰胺反渗透复合膜制备装置
CN108858939A (zh) * 2018-08-17 2018-11-23 新兴铸管股份有限公司 钢塑管生产线外胶涂覆抽真空的装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03290997A (ja) * 1990-04-06 1991-12-20 Fujitsu Ltd 消音器
JP3066684B2 (ja) 1992-11-20 2000-07-17 富士写真フイルム株式会社 溶液製膜方法
JPH10272637A (ja) 1997-03-31 1998-10-13 Toray Ind Inc 樹脂フィルムの製造方法および装置
JP3910306B2 (ja) * 1999-04-02 2007-04-25 富士フイルム株式会社 溶液製膜方法および減圧チャンバ
JP4400769B2 (ja) * 2000-07-25 2010-01-20 富士フイルム株式会社 高分子樹脂フィルム及びその製造方法
JP4588233B2 (ja) * 2000-07-25 2010-11-24 富士フイルム株式会社 製膜設備

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