TWI359319B - A method for compensating wavelength dependence of - Google Patents

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TWI359319B TW096115245A TW96115245A TWI359319B TW I359319 B TWI359319 B TW I359319B TW 096115245 A TW096115245 A TW 096115245A TW 96115245 A TW96115245 A TW 96115245A TW I359319 B TWI359319 B TW I359319B
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Eiichi Takahashi
Kouichi Kizu
Toru Takaoka
Michio Tsugawa
Ryouichi Seki
Shiro Shichijyo
Yoshikazu Yamada
Sakai Akira
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Description

1359319 24263pif.doc 九、發明說明： - 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種對各種光學元件所具有的雙折射 (birefringence)波長依賴性(wavelenth impendence)加以補正 的技術。 【先前技術】 近年來’隨著各種顯示裝置等的發達，相位差板、偏 • 光板(P〇larizingpiate)、抗反射薄膜等各種光學元件的重要 性正在增加。以液晶顯示元件為例來說明，在液晶顯示元 件中，會利用液晶單元(cell)來調變光的偏光狀態，且使用 偏光薄膜對光進行過濾，以此來控制顯示的明暗度，並顯 示圖像。 、 —此時，在通過液晶單元的光中有時會含有無法用偏光 薄膜來過濾的圓偏光(circularp〇larizaii〇n)成分，而使顯示 的對比度惡化。因此，廣泛地進行使通過液晶單元的光， φ 在入射至偏光薄膜前通過相位差板，以此補正這種圓偏光 成分，而改善液晶顯示元件的對比度。 一專利文獻丨（曰本專利特開平4 —284402號公報）中，揭 示有延伸配向以4_甲基-1-戊烯(4-Methyl-l-pentene)為主體 $聚合物所得的相位差補償板的相關技術。根據該文獻所 以的技術，可獲得在廣的溫·度範圍内，對比度比較高的良 好液晶顯示。 ’夕數光學元件中，以控制偏光等為目的，積極 1著構成7L件的材料之雙折射。例如，相位差板等即 24263pif.doc 對應於此。又，即使於未積極地利用嘵折射的光學元件中， 亦由於透過偏光度較高的光等，而導致構成元件的材料之 雙折射影響元㈣性能。例如，偏光板保護料即對應於 此。 於專利文獻2(日本專利特開2〇〇〇一275433號公報） 中揭示有使用I曱基戊稀(P〇lymethylpentene)作為積層於 偏光膜上的偏光板保護薄膜之材料的技術。根據該文 因使用有聚甲基戊稀，故與三醋酸纖維素（triacetyl cell:l〇se ’ TAC)或聚碳酸醋(p〇ly carb〇nate ’ pc)相比，因 光彈性係數較小，故其雙折射率不會變化。若將積層有這 ，偏光板保㈣膜的偏光板組裝到液晶顯示器中，則可護 :顏t^(mUra)或對比度優良的顯示。又’可提供耐漆 :、、…性優於TAC的偏光板。此外，與降冰片烯 (n= 〇rnene蘭脂相比，可抑龜融成形時碳化劣化物之 所即便利用擠製成形法成形亦可獲得優良的外觀品 貝，可做到生產性製造(Productivity m酿facturing)。 摊折射妓’即使於積極地糊構成元件的材料之 Ϊ元件的材二情形時’均可藉由控制構 ,, 0又折射，而使其穩定成為預期值。 中，光風-^彻自色光等廣波長區域的光的光學元件 件的雙二::射波長依賴性會成為問題。若光學元 會起作用==地變動’則在一個波長區域内 結果，在心仲在/、似長區域_無法起作用。 區或内使用光學元件將變得困難。此種問 1359319 24263pif.doc 題，有時對使用整個可視光區域 而言影響特別大，且合產生著顯顯示元件 象。田μ· 且曰屋生者色(col〇raticm)等的不理邦 方面且;^使雙折射的大小彳目騎絲為翻值，在:用 方面具有較高的技術價值。 在，、用 波長=二元件的材料之雙折射具有 元曰又到各波長不同的雙折射的影響。 了 例如胃於白色光等廣波長喊㈣ 由雙折射所產生的相點較佳是，波長越短， 短顯示越小雙折射的薄膜 ^使用波長越 折射波長依賴性加以^的=構件的材料之雙 越大然材料而言，因波長越短雙折射 使用雨片每J 貫現此種相位差板，因此，必須 Λ k以上的薄膜來構成相位差板。為此，就社 構的複雜化、成本增高及光 面 I、。 有改善的餘地。 斜下科方面^，尚 2為例㈣雙折射顯示逆波長分散特性，即在 的:脂。3 7。己載有波長越短雙折射越小的光學薄膜材料 揭示_號，中 入現疋的角度貼合1/4波長柘盥 長板’以作為波長越短由雙折射所產生的相位差越小的j 8 24263pif.doc 波長板。然而，該技術中，1/4波長板的結構變得複雜， 且在原料或製造成本方面不利，而且1M波長板之厚度變
大，因此使用此種1/4波長板的顯示裝置等之重|戋 可能會變得過大。 工一 X 為了以更簡單的結構來實現波長越短由雙折射所產生 之相位差越小的光學_，已經提出有使用由醋酸纖維素 (Cellul⑽ACetate)(專利文獻4(曰本專利特開2_二 137116號公報)）、含有努(flu〇ren)骨架的聚碳酸醋(專利文 獻5(日本專利特開2002_ 156528號公報)）、苯乙稀聚合物 (Styrene Polymer)之氫化物（專利文獻6(國際公^ 01/81957號單行本))等所構成的光學薄膜。 而波長越短雙折射越小的光學薄膜材料，除上述之 外，還有專利文獻7(國際公開第03/32〇6〇號單行本揭 示的樹脂。然而，該文獻所揭示的樹脂，就光學特性的穩 疋性方面而§尚有改善的餘地。 … [發明所欲解決之問題] 然而，作為波長越短、相位差越小的光學薄膜之材 的上述各種樹脂仍存在下述技術問題，即可能會因吸水= 而造成光學特性不穩定4匕學結構複雜而高價且製造煩雜、 密度高而使顯示元件等的重量增大，並且因含有芳7"俨 (aromatic ring)故於廢棄時，需要更嚴格的處 望解決這些問題。 攸而期 【發明内容】 「本案第一發明」 1359319 24263pif.doc 本案第一發明是 [I]一種光學元件(B)之雙折射波長依賴性的補正方 ，’使用包含(共）聚合物(〇0的薄膜(a)，上述(共)聚合物(α) 疋使用選自4-甲基-1·戊烯(4-methyl-l-pentene)、3-甲基-1 戊稀及3-甲基丁嫦(Lmethypi—buten)的至少一種稀烴作 為(共)聚合成分所得；
、所述之方法，其中於上述光學元件(B)上積層 上述薄膜⑻’且由上述光學元件⑻與上述薄膜⑷的積層 體的又折射所產生的相位差（肖度換算）的波長依賴性，小 ==元件⑼的雙折射所產生的相位差(角度 光4=7之方法，還包括使用偏歧(p)，於上述 干，、上述偏光板(p)之間配置上述薄膜，且於 件⑼與上述偏光_之間，除 外，貫質上不存在財_相位差的光學元件膜_
薄膜(ν:;[1]所迷之方法’其中上述光學元件⑻為透光性 之方法，其中上述透光性 薄膜(bl) 隔著=¾:爾性薄膜㈣直接或 [6]如[4]或[5]所逑 為偏光板保護膜 =〇[4]或[5]所述之料，其巾上述透光性 為相位差板 [8]如[4]或[5]所述 薄膜(bl)之方法’其中上述透光性薄膜⑽ 10 24263pif.doc 為光學補償薄臈； [9]如[1]所述之方法，豆中 板(b2); 八 处、子几件(B)為液晶面 隔著== = =)中上輪面板㈣直接或 ^卿^^如法，其巾上述薄膜⑷ 在«ΜΟ:時的面内相位差&。滿足下述條件，、（） I ^550 I \ jO nm ; [12]如[1]至[ι〇]中任一項所述之方立 在波長為550 nm時的面内相仿，、中上述溥膜⑻ μ 差尺550滿足下述條件， 30nm<|R55〇| <3〇〇nm； 、+、[13卜種顯示裝置，其是使用如⑴邱2]中任-項所 述的方法而獲得的； 、 膜r、[^Γ、ί學元件’包括至少—層的薄膜(a) ’這層薄 甲:/合物⑷，上述(共）聚合物⑻是使用選自4_ 土 細、3_甲基-1·戊稀及3-甲基-1-丁稀的至少一種烯 垣作為（共)聚合成分所得； [15]如[14]所述之光學元件，其中上述光學為相位 差板； …叫-種擴圓偏光板或圓偏光板，包括如以习所述之光 學元件及一個偏光板； / /Π]如[16]所述之橢圓偏光板或圓偏光板，還含有一層 黏著性樹脂層； [18]如[14]所述之光學元件，其中上述光學元件為抗反 24263pif.(j〇c 射薄膜、透明導雷MI _ 膜或偏光板. 生基板'擴政板、聚光板'光學補償薄 中如叫、[15]或[18]中任一項所述之光學元件，其 下、f ^1膜⑷在波長為550 nm時的面内相位差R55〇滿足 卜返條件， I ^55〇 | < 30 nm ; [20^如[Η]、[^习或⑽中任一項所述之光學元件，其
中上述薄膜⑷在波長為別nm時的面内相位差R55〇滿足 下述條件， 30nm^l R550 I <300 nm； [21]種顯示裝置’包括如[14]、[15]或[18]中任-項 所述之光學元件； ^ 、 P2]—種光學薄膜，其含有使用選自4_甲基_丨_戊烯、 3_曱基-1-戍缔及3_曱基+丁烯的至少一種燦煙作為(共)聚 合成分所獲得的（共)聚合物(α),且滿足下述條件， R(450)/R(590) < 0.95
(上述式中，r(450)及R(59〇)分別表示波長為45〇 nm 及590 nm時的上述光學薄膜的面内相位差。）； [23] 如[22]所述之光學薄膜，其滿足下述條件， R(450)/R(590) < 0.85 ； [24] 如[22]或[23]所述之光學薄膜，其更滿足下述條 件， I ^5〇(590) | < 200 nm (上述式中，R5〇(590)表示波長為590 nm時的每50 μπ1 12 1359319 24263pif.doc 厚度的面内相位差。）； [25卜種光學薄膜，其包含有機高分子，且波長為59〇 nm時的母50 μιη厚度的面内相位差R5〇(59〇)滿足下述條件 (1 —1)，波長為450 nm及590 nm時的面内相位差r(45〇) 及R(590)滿足下述條件(丨—2)， l〇nm < | R5〇(590) | < 20 nm 〇_1} R(450)/R(590)< 0.95 .
[26]如问所述之光學薄膜，包括含有使用選自4_甲基 基]姻及3_甲基小丁_至少—種稀烴作 為（共）♦合成分所獲得的（共）聚合物(α); [27]如[25]或[26]所述之光學薄骐 時的面内相位差尺別滿足下述條件，I R550 I <30 nm ； ’其中波長為550 nm [28]如[25]或[26]所述之光學薄膜時的面内相位差尺別滿足下述條件， 3〇nm < | R55〇 | <3〇〇nm ； ’其中波長為550 nm
[29卜種共聚物’其是4_曱基小戊烯、與上料甲基 _ -戊細以外的碳原子數大於等於1(Η、於等於Μ的心稀煙 =共聚物’且由上述α•烯烴所得之結構單㈣這種共聚物 整體的比例是大於等於1 mol%、小於等於9 m〇1% ; [3〇]一種_ ’含有如P9]所述之共聚物； [31 ]如_所述之_，其中這種_是藉由利用炼態 Μ成形法(melt extrusion molding)形成後，加以延伸配向 之方式而獲得的； 13 24263pif.doc [32] 如[30]或[31]所述之薄膜，其用於光學用途； [33] 如[30]至[32]中任一項所述之薄膜，其中該薄膜為 相位差板； [34] 如[33]所述之薄膜，其中上述相位差板的每5〇μιη 厚度之波長為590nm時的相位差r5G(59〇)滿足下述條件， ^5〇(590)< -22 nm 1 [35] 如[33]或[34]所述之薄膜，其中上述相位差板是滿 足下述特性的相位差薄膜， R(450)/R(590)<0.9 _ (上述式中，R(450)及R(590)分別表示波長為45〇 nm 及590 nm時的上述相位差薄膜的面内相位差。）；以及 [36] 如[30]至[34]中任一項所述之薄膜，其中該薄膜為 偏光保護膜或光學補償薄膜。 「本案第二發明」 本案第二發明提供： (1)一種積層偏光板，其是於偏光鏡(polarizer) (a)之一 面直接或間接地積層有薄膜(b)、且於上述偏光鏡⑻之另一 面直接或間接地積層有薄膜(c)的積層偏光板。上述薄膜作) 含有具有由選自4-曱基-μ戊烯、3_甲基+觸及3_甲基-丁烯的至少-種之結構單元的高分子，而±述薄膜⑷含有 具有來自環狀烯烴之結構單元的高分子，且 上述薄膜（b)在波長為590 nm時的相位延遲 (retardati〇n)R(590)滿足下述式(2—〗）的關係， R(590)>5 nm (2 — i) 〇 1359319 24263pif.doc (2) 如（1)項所述之積層偏光板，其中上述薄膜作)在波 長為450nm時的相位延遲R(450)、波長為590 nm時的相 位延遲R(590)滿足下述式(2 —2)的關係， R(450)/R(590) < 1 (2-2)。 (3) 如（1)項所述之積層偏光板，其中上述偏光鏡⑻含有 碘（Iodine)及/或二色性色素、以及聚乙烯醇（p〇lyvinyl alcohol，PVA)樹脂。 (4) 一種液晶顯示元件，包括如（1)項至(3)項中任一項 所述之積層偏光板及液晶單元。 、 (5) 如(4)所述之液晶顯示元件，其中上述薄膜(b)是以 上述偏光鏡⑻為基準而配置於上述液晶單元側。 (6) —種顯示裝置，包括如（1)項至(3)項中任一項所述 之積層偏光板，及/或如(4)項或(5)項所述之液晶顯示元件。 「本案第三發明」 本案第三發明是 U]—種積層體，其特徵在於包括： 第一及第二偏光薄膜； 液晶單元L，配置於上述第一與第二偏光薄膜之間； 以及 多片相位差薄膜，配置於上述第一與第二偏光薄膜 間，且包含至少兩片減差_ A及至少—片相位差薄膜 C ;且 、 至少一片上述相位差薄膜C是鄰接於上述第—或 偏光薄膜而配置的； 禾一 15 1359319 24263pif.doc V ,、 v -Β» Μ J y 上述相位差薄膜A滿s下汁 -項；並且 足下L式(3—】)及Ρ、2)中的任 上述相位差薄膜C滿足下述式(3-3)， nx>ny>nz (3~~ι) nz>nx>ny (3 〜2)
nx>ny>nz (3-3) (上述式(3—1)〜（3s3)中 最大折射率’ny表示該相位差薄膜面的 率的方向正交之方位的折射率，nz表上 方向的折射率。）； 蹲胰的去線 [2]如[1]所述之積層體，其中上述液晶單元卜 位差薄膜C及兩片上述相位差薄膜A是依照C、A、 的順序而配置的；
网灼工逆彳日1JL差溥膜 L、A的順序而配置的； 、**、、 [3] 如[1]所述之積層體，其中 上述相位差薄臈包含兩片上述相位差薄膜c ; 上述液晶單元L、兩片上述相位差薄膜c及兩片上述 相位差薄膜A是依照C、a、L、A、c _序而配置的； [4] 如[1]至[3]中任一項所述之積層體，其中 至少一片上述相位差薄膜A在波長為450 nm時的面 内相位差Re(450)、波長為550 nm時的面内相位差Re(55〇) 及波長為650腿時的面内相位差Re(65〇)滿足下述關係， Re(450)/Re(550)<l (3-4)、以及 16 1359319 24263pif.doc
Re(650)/Re(550)> 1 (3 —5); [5] 如[4]所述之積層體，其中 上述相位差薄膜A在波長為45〇 nm時的面内相位差 Re(450)、波長為550 nm時的面内相位差Re(550)及波長為 650 nm時的面内相位差Re(650)滿足下述關係， 0.70 <Re(450)/Re(550)<〇.9〇 ； [6] 如[1]至[5]中任一項所述之積層體，其中
至少一片上述相位差薄膜A在波長為550 nm時的面 内相位差Re(550)之絕對值處於下述範圍， 10 nm < | Re(550) | < 80 nm ； [7] 如[1]至[6]中任一項所述之積層體，其中 至少一片上述相位差薄膜C在波長為450 nm、550 nm 及650 nm時的厚度方向相位差κ(450)、K(550)及K(650) 滿足下述關係， Κ(450)/Κ(550) > 1 (3 —6)、以及 Κ(650)/Κ(550)<1 (3-7);
[8] 如[1]至[7]中任一項所述之積層體，其中 上述相位差薄膜Α具有含有‘甲基_ι_戊烯(共)聚合物 的層； [9] 一種液晶顯示元件，其特徵在於包括如[η至[8]中 任一項所述之積層體； [10] —種相位差薄膜，用作[1]至[8]中任一項所述之積 層體中的上述相位差薄膜A，立上述相位差薄膜的特徵在 於， 17 1359319 24263pif.doc 滿足上述式(3—1)及(3 — 2)中之任一項； [11] 如[10]所述之相位差薄膜，其中波長為550 nm時 的面内相位差Re(550)之絕對值滿足下述關係， 10 nm < | Re(550) | < 80 nm ； [12] 如[10]或[11]所述之相位差薄膜，其含有4-曱基-1-戊稀(共)聚合物。 「本案第四發明」 本案第四發明是
[1]一種積層體，其特徵在於包括： 第一及第二偏光薄膜； 液晶單元L，配置於上述第一與第二偏光薄膜之間； 以及 多片相位差薄膜，配置於上述第一與第二偏光薄膜之 間，且包含相位差薄膜A1、相位差薄膜A2及相位差薄膜 C1 ;且
上述相位差薄膜A1、上述相位差薄膜A2、上述相位 差薄膜C1及上述液晶單元L是依照L、Al、C卜A2的順 序而配置的； 上述相位差薄膜A1及上述相位差薄膜A2各自獨立滿 足下述式(4—1)及(4 —2)中之任一項； 上述相位差薄膜C1滿足下述式(4 — 3)， nx > ny>nz (4-1) nz>nx > ny (4-2) nx>ny > nz (4-3) 18 1359319 24263pif.doc 〜(4 —3)中，nx是相位差薄膜的面内的 ==率：y是相位差薄膜面内的與顯示最大折射率的 二安乂、之 <立的折射率’ nz是相位差薄膜的法線方向的 折射竿。）； [2] 如[1]所述之積層體，其中 上述相位差，膜更包含相位差薄膜C2;
上述相位差薄膜〜、上述相位差薄膜A2、上述相位 至薄膜c卜上述她差_ C2及上述液晶單元l是依照 L、Al、Cl、A2 ’ C2的順序而配置的； 上述相位差薄膜C2滿足下述式(4 — 8)， nz>nx>ny (4-8); [3] 如[1]或[2]所述之積層體，其中 上述相位差薄膜A1或上述相位差薄膜A2在波長為 450 nm時的面内相位差Re(45〇)、波長為55〇 nm時的面内 相位差Re(550)及波長為650 nm時的面内相位差Re(65〇) 滿足下述關係，
Re(450)/Re(550)<i (4 —4)、以及
Re(650)/Re(550)> 1 (4—5); [4] 如[1]至[3]中任一項所述之積層體，其中 上述相位差薄膜A1或上述相位差薄膜a〕在波長為 550 nm時的面内相位差Re(550)之絕對值處於下述範圍， 10 nm <| Re(550) | < 80 nm ； [5] 如[1]至[4]中任一項所述之積層體，其中 上述相位差薄膜C1或上述相位差薄膜C2在波長為 19 1359319 24263pif.doc 450 nm、550 nm 及 650 nm K(550)及K(650)滿足下述關 4之厚度方向相位差K(450)、 係， Κ(450)/Κ(550) > 1 (4〜6)、以及 Κ(650)/Κ(550) < 1 (4__7).
[6]如[1]至[5]中任一項所述之積層體，其中 上述相位差薄膜A1或上述相位差薄膜八2具有含有 4-甲基-1-戊_(共)聚合物的層；
[7] —種液晶顯示元件 任一項所述之積層體； 其特徵在於包括如[1]至[6]中 [8]-種相位差薄膜，用作⑴至[6]中任—項所述之積 層體中的上述她差_A1或上述相位膜A]，且 述相位差薄膜的特徵在於， 、 滿足上述式(4 一 1)及(4 — 2)中之任一項； [9]如剛述之相位差薄膜，其中波長為55〇nm時的 面内相位差Re(550)的絕對值滿足下述關係，
70 nm $ | Re(550) | $ 80 nm ;以及 [10]如[8]或[9]所述之相位差薄膜，其含有4_ 戊烯(共）聚合物。 土 [發明的效果] 可獲得波長越短相位差越小的光 根據本案第一發明 學薄膜。 #與田14 發明，於以相位差板為代表的各種 ^用途巾㈣充分的雙折射，且這樣的雙折_示 長分散(wavelength diSpersion)特性，從而可提供與透明性 20 24263pif.doc 性之平衡優良的材料及其用途。 安ΐ本案各發明之實施形態加以說明。 本案第一發明」 含特定::炉：二 之發明人進行積極研究的結果發現：包 依賴性，並二t、2聚合物的薄膜具有預期之雙折射波長 負荷之效果且ς易霄現穩定性、低成本、輕量性及低環境 、安· 口此有助於解決上述問題。 分別明中，除非特別聲明時，雙折射及相位差 刀別心_之雙折射及相位差。 ^ 又，本案第—發明中，面内 位差跡分別用下述式來表示。μ及厚度方向之相 面内相位差R = (nx-nY).d =方向之相位差 Rth=i(nx + nY)/2 —y .d 面内:ί==Τ率最大的方向設為X轴，將 Z軸’將各軸方向之折射率設為ηχ、二膜向設為 厚設為d。至於相位差之測定是在 ζ 的膜 的條件下進行的。 ％ 度為50% (第一實施形態） 本實施形態是關於-種雙折射波長依難的補正方 法。具體而言’使用包含(共)聚合物⑹的薄膜⑻，對光學 兀件（Op㈣Element)⑻之雙折射波長依賴性加以補正， 上述（共）聚合物⑹是使用選自（甲基小戊烯 21 24263pif.doc (^-methyl+pent咖）、3_甲基小戊烯(3_福壯卿⑽ η基1_ 丁烯(3 _methyM七加⑽的至少—種婦烴作為 (共）¾、合成分所得。 加以^ H就薄膜⑻及其製造方法 '(共)聚合物⑻ [薄膜(a)] 方法所使用的薄膜⑻’包含使用選自4_甲基 為(丘代7^土\小戍稀及3.甲基+丁稀的至少一種稀烴作 為dS成5所得的特定(共)聚合物⑻。 窄所°月包含」是指包括薄膜⑻的所有部分由的 而偏、丄 領(a)的一部分由 <共}聚合物⑹ 構成的情形的兩種。因此 :⑻以外的成分，亦可不含有除㈣合= 性的的(共)聚合物(α)的含量，就進—步提高耐埶 例如’大於等於2owt%(重 ，較 1 土疋大於等於50 wt〇/o。π冰千乂 二步 阳°旱乂4土疋小於等於98wt%。 例如，使^膜⑷的成分進—步加以具體說明。 滿足下述條件#。、⑻在波長為55Gnm時的面内相位差、 I R55〇 I <30nm 又，例如，亦可使薄膜⑻在波長為550醜時的面内 22 24263pif.doc 相位差R550滿足下述條件。 30nm $ | R55G | <3〇〇nm [(共）聚合物(α)] 薄膜(a)中所使用的特定的（共）聚合物(α)，是使用選 4-曱基-1-戊烯、3-曱基小戊烯及3-曱基-1-丁稀的至少」自 烯烴作為（共)聚合成分所得。 ^ 種 該特定的烯烴系（共）聚合物(α)可例示：3_甲基^ 烯、3-曱基-1-戊烯或4·甲基-1-戊烯的單獨聚合物，1其丁 互的共聚物；更可例示：與其他可共聚合的單體，例如』 乙細（styrene)、丙烤腈（acrylonitrile) ' 氣乙稀（ν. chloride)、乙酸乙烯酯（Vinyi acetate)、丙烯酸酯 ester)、甲基丙蝉酸酯(methacrylie ester)等共聚物；又另 例示：上述共聚物彼此、或者與其他熱可塑性樹脂或合= 橡膠(synthetic rubber)的摻合物’嵌段共聚物，接枝共聚物 (共)聚合物(α)的結構單元中，來源於4_甲基_丨_戊稀 3-甲基-1-戊烯及3-曱基-1-丁烯的結構單元，其合計量通a 大於等於20 mol%、小於等於100 mol%，較佳是大於^二 50 mol%、小於等於1〇〇 m〇l% ’更好的是大於等於$ mol%、小於等於 100 mol%。 若來源於4-曱基-1-戊烯、3-甲基戊烯、或3_甲基-^ 丁烯的結構單元的含量過多，則例如可能機械特性劣^匕； 若過少’則例如可能财熱性劣化’且無法獲得預期的 特性等。若來源於4-曱基-1-戊烯、3_曱基戊烯、或^ 23 1359319 24263pif.doc 曱基-1-丁烯的結構單元的含量處於上述範圍，則可獲得透 明性'对熱性等各種特性的平衡優良的樹脂，因此較好。 (共）聚合物(〇〇中，4-甲基-1 -戊稀（共）聚合物的透明 性、剝離性等優良，且適於與光學元件(Optical Element) 組合使用’故較好。而3-曱基-1-戊烯(共）聚合物及3-曱基 1 丁細(共）聚合物，就耐熱性優良、製程的自由度、或使 用條件的自由度等觀點而言較好。 以下’就各共聚物進一步加以具體說明。 [4-甲基-U戊烯(共）聚合物] 用作(共)聚合物(〇〇的4-甲基-1-戊烯(共)聚合物，具體 而§ ’為4-甲基-μ戊烯的單獨聚合物，或者4_曱基―丨-戊 稀與乙稀(ethylene)或碳原子數大於等於3小於等於20的 其他α-烯烴(olefm)，例如丙烯、μ丁烯、μ己烯、辛烯、 1 癸細，1-十四細（1-tetradecene)，1-十八稀(〇ctadecene)等 的共聚物。 4-曱基_1-戊烯(共）聚合物中，通常而言，來源於4_曱 基-1-戊烯的結構單元的含量大於等於85 m〇l%，較佳是大 於等於90 mol%。 構成4-甲基-1-戊烯(共)聚合物的來源於‘曱基戊烯 以外的結構成分並無特別限制，可適當使用能盥‘曱基·μ 戊稀共聚合的各種單體，⑼，絲胃取得、共聚合特性 等規點而言，較佳是使Μ稀、或碳原子數大於等於3小 ^於20的α·烯烴。其中，就進—步穩定地發揮以短波 長而獲得較小的相位差的特性的方面而言，較佳是碳原子 24 1359319 24263pif.doc 數大於等於7、小於等於2〇的α-稀煙，尤其好的是卜癸稀、 1-十二烯、I-十四烯、扒十六烯(hexadecene)及卜十八烯。 用作（共）聚合物⑷的4_甲基小戊烯（共）聚合物的以 ASTMD1238為標準、在荷重為5kg且溫度為26〇c>c的條 件下所測定舰體流動逮率(MFR，MeltFbwRate)，是根 據用途而決定種類的，㈣，通常大料於1 g/IO min、 小於等於：>0 g/〗G mm，較佳是大於等於2 g/1()論、小於 等於4〇 g/1〇咖，更好的是大於等於5 _ min、小於等 於3〇g/10min。若4_甲基小戊辦共）聚合物之炫體流動速 *^；]； 5 extrusion molding)^^ 會變仟困難；.若.過大，關如料賴成形時，自了塑模 ㈣所播製的樹脂的流速較快，因此可能難以於洗禱輕 (cast roll)上形成為均勻的膜厚。若‘甲基小戍烯(共)聚合 „流動速率處於上述範圍内，則薄膜成形性及所獲 得的薄膜的外觀將變得良好。 另外，4-甲基戊稀(共）聚合物之溶點，就進一步提 同耐熱性的觀點而言，例如，大於等於100。(：，較佳是大 於等於15〇t。4-曱基-1-戊烯(共）聚合物的熔點，就進一步 提南溶態擠壓成形時的成形性的觀點而言，例如，小於等 於240。(： ’較佳是小於等於2〇〇°C。 其次’就製造4-甲基小戊烯(共）聚合物的方法加以古兒 明。 。 4·曱基-1-戊烯(共）聚合物的製造方法並無特別限制， 可使用齊格勒-納塔催化劑(Ziegler Natta catalyst)、茂金屬 25 1359319 24263pif.doc (metallocen)系催化劑等眾所周知的催化劑來製造。例妒， 可依據專利文獻8(曰本專利特開昭59 —206418號公雜)戶斤 揭示的方法’於存在催化劑時聚合4_甲基_】·戊烯與上述乙 烯或α-烯烴，藉此可獲得。 〃 Ρ-甲基-1-戊烯(共)聚合物] 用作（共)各、合物(〇t)的3-曱基-1-戊稀(共）聚合物是3-肀 基-1 -戊烯的單獨聚合物或共聚物。當為共聚物的情形睛輕 好的共單體種、共單體含量、嫁融流率(MPr)、溶點等與· 上述4-曱基-1-戊烯(共）聚合物的情形相同。 3-曱基小戊烯(共）聚合物可依據習知眾所周知的方法 來製造，例如，可藉由專利文獻9(曰本專利特開平 145248號公報)所揭示的方法來製造。 [3·甲基-1-丁烯(共)聚合物] 用作（共)聚合物(α)的3-曱基-1-丁婦(共）聚合物是3-肀 基-1-丁烯的單獨聚合物或共聚物。當為共聚物的情形日矛輕 好的共單體種、共單體含量、MFR、熔點等與上述4-f基 -1-戊烯(共)聚合物的情形相同。 3-甲基-1-丁烯（共）聚合物可依據習知眾所周知的方法 來製造，例如’可藉由專利文獻9所揭示的方法來製造。 [除(共)聚合物(α)以外構成薄膜(a)的成分] 本貫施形態中所使用的薄膜(a)，也可含有除了上述(共) 聚合物(〇0以外的各種成分。（共）聚合物(α)以外的成分可^ (共）聚合物(〇〇以外的各種樹脂或各種橡膠。各種樹脂較佳 的是透明性優良的樹脂，例如，可使用環狀烯烴(共）聚合 26 1359319 24263pif.doc 物等各種聚_、聚碳㈣、聚笨 醋 邮騰㈣系樹脂、聚_ly Es岭丙騎樹月曰作 為各種橡膠可使料烴緖膠、笨乙料橡膠等。 —又，於不損告本案第一發明的目的之範圍内，可於本 貫施形態所使用❺薄膜⑻中，添加抗靜電劑㈣ agent)抗氧化劑、耐熱穩定劑、剝離劑、耐候穩定劑 (weather-resistant stabilizer) > ^/f #| (lubricant) >
成核，(=deating agem)、顏料、染料、無機填充劑(二氧 化石夕等）等通常添加於料烴巾而使㈣各種添加劑、或者 除此以外的特殊的添加劑。 [薄膜⑻的製造方法]. 繼而’就薄膜⑻的製造方法加以說明。 薄膜(a)例如是形成上述（共）聚合物(α)及根據需要形 成其他的構成薄膜⑷的成分而獲得的。
此外’具體而言，薄膜(a)可利用習知眾所周知的方法 而適當製成，例如，可使用以v字型攪拌器（v_type Blender)、帶型攪拌器（Ribb〇n Blender)、亨舍爾混合機 (Henschel Mixer)、滾筒攪拌器(Tumbler Blender)而混合(共) 聚合物(α)及除此以外的成分的方法，或者於使用上述攪拌 ™進行/tb合後，使用單軸擠製機(sjngie_screw extru(jer)、雙 軸擠製機(twin-screw extruder)、捏合機(kneader)、班布里 混合機(Banbury Mixer)等來進行熔融混煉而造粒或粉碎， 繼而利用壓製成形、擠製成形、膨脹成形等方法、或溶液 澆鑄法(solution casting method)等眾所周知的方法而成形 27 1359319 24263pif.doc =二i 了更有效地生產，較佳是溶液堯鑄法、膨脹成 升> 法或擠製成形法等。 又，延伸所獲得的薄膜，藉此將雙折射、i f制其溫度依賴性等物性光學調整為預期的值了此i，亦 σ ‘成賦予有機械強度的薄膜。可根據預期的光性 =當選擇延伸倍率，例如’就進一步可 勻延 伸及預期的雙折射的觀點而言，通常大於等於i 5倍，較 於等於2倍。又，就使製造製程容易的觀點而言， ^的延伸倍顿f小於特1G倍，較佳是小 5 倍-〇 “ ；藉由;態擠壓成开》法而形成後，加以延伸配向， :此相且穩定地生產薄膜。於進行炫態擠壓成形 :疮：Γ而’’使用單軸擠製機於特定的圓筒(cylinder) 寸定的洗馳溫度下進行成形後，使用延伸機，在 大於寻於_卿溫度(Tg)且小科於細。c、較佳是小 (=^8()(：的溫度"7 ’以特定的延伸速度進行特定倍率 乂 土疋小於等於5倍，尤其好的是小於等於3倍)的延伸 她1rmGlding)°就並未增加結晶化度.結晶尺寸的 佳是延伸倍率小，而延伸速度大。又，延伸 早轴延伸、雙軸延伸等中的任-種來進行。就未增 二寸的觀點而言’與單轴延伸相比，較佳 狀的ί時’既可於炫態擠塵成形時暫且製造整幅板 、’、、雜缺供給輕伸成縣置，亦可連續地 28 1359319 24263pif.doc 進行熔態擠壓成形及延伸成形。 於藉由㈣顯成形而獲㈣膜時 =::::行加壓而壓縮’從而可更提高由此所獲得的 可根據使用目的、尤其是光學 薄臈⑻的厚度二= k吊大灰荨於10 小於算於 2〇师、小於等於100_。若薄::較佳是大於等於 可能會下降，若過厚則可能 每輕的吾卢淨柄望—使用‘來細作變得困難、平均 膜的生_(a)的厚度處於上述範圍，則薄 二於薄膜成形時不會產生針孔_ 使光學讯^!=2分的強度’因此較好。然而，通常 忧尤于,又计優先的事項即如上所述。 中 包含上限’於本技術領域中亦 途之程度m。」的厚度。又’較佳是可用於光學用 繼而，就使用薄膜⑻對光學元件 性加以補正的方法進行說明。又折射波長依賴 =,元=之雙折射波長依賴性的補正方法] 本貝^形恶中，使用包含（丑八j 5 ，稀的至少一種歸烴作為（共）聚合及=基 吕，積層光學元件(B)鱼、舊瞠^ #攻所侍。具體而 )與物⑻’調整積層體之雙折射波長 29 1359319 24263pif.doc 依賴性，藉此 疋子兀件(B)與薄膜(句的 ===件:相二 ::固::雙折射所產生的相位差(、度 此處，所謂雙折射波長侧性，是指於 雙折射根f波長而不同。雙折射波長依賴十:的大
_雙折射的大===!的雙折射的大小與590 nm 、，包含(共)聚合物(α)的薄膜(a)如上所述，因雙折射顯示 迥波長分散特性，故藉由本實施形態的方法，相對於單獨 使用光件(B)的情形而言，可使雙折射波長·性最合 適。
再者，於習知技術項中所述的專利文獻1中，使用4_ 甲基-1-戊烯之聚合物來使光學元件提高雙折射特性，然而 其與本實施形態的方法在下述方面不同。 即專利文獻1是以去除因超扭轉向列(Super Twisted Nematic ’ STN)液晶之雙折射所導致的著色為目的之技 術’但並未涉及其波長依賴性。如該文獻所述，僅積層具 有雙折射之正波長分散的STN液晶及延伸配向以4-曱基 戊烯為主體之聚合物的相位差補償板兩者，即便於500 〜600 nm内規定的一點之波長消除雙折射，積層體之雙折 射波長依賴性亦反而擴大。因此，無法有效地補正雙折射 波長依賴性。 1359319 24263pif.doc 對此，於本實施形態中，積層光學元件⑼ 调整積層體之雙折射波長依賴性。可使 膜(a)，
部件⑻之繼(鑛_波長健2==使光學 視光的至少-部分區域内使光學特性穩定。例如，了，可 用含有聚碳_旨或聚雜的光學補償板時，對 補償對象賴晶單元之間所產生_位差長散S ，正，以此進一步減少光細方法，此;; 使用具有雙折射之逆波長分散特性的"基小觸薄膜。 [光學元件(Optical Element)(B)] 、
於本實施形態中，成為控制此雙折射波長依賴性之 的光學元件⑻的種類、光學特性、材料等並無特別限 制’可使用具有雙折射的各種光學元件。尤其，對於光學 兀件⑻，若波長越短具有越大的雙折射，則補正雙折射波 ，依賴性的必要性較高，@此在實用方面有意義。此處， 賴(a)與光學元件⑻之光軸所成的角度並無特別限制，可 根據目的來適當設定’然而，例如，光學元件⑻於波長越 短具有越大的雙折射的情形時，若使快軸__彼此、 慢軸(slow axis)彼此一致，則可有效地補正光學元件出)之 雙折射波長依賴性，故較好。 又即便於光學元件(B)是波長越短具有越小的雙折射 的情形時，亦可組合薄膜(a)與光學元件(B)，而補正光學元 件(B)之雙折射波長依賴性，且可藉由適當設定光軸間的角 度’而在實用方面有意義地使用。 如上所述，光學元件(B)的種類、光學特性、材料等並 24263pif.doc 無特別限制，可制具有雙折射的各種光學元件，然而， 光學元件(B)尤其好的是，波長義具有越大的雙折射。作 為構成此種光學元件(B)的材料可列舉：環狀雜(丑)聚八 物’以聚乙烯、聚丙稀為代表的(共)聚合物⑹以外的; 烴，聚石炭酸醋，聚對苯二甲酸乙二醇酷㈣ terephthalate)，三醋酸纖維素㈣吻！ c咖⑽），聚苯乙 丙烤_轉。該等之中，就透明性、穩定性、成本 寺硯點而t ’尤其理想的是環狀馳(共）聚合物及三 纖維素。 以下，表示光學元件(B)的具體例。 [透光性薄膜(bl)] 上述光學7L件(B)的形狀並無特別限制，但因有利 2面積之光學it件、或有效地生產多量之光學元件，故 尤其好的是光學元件(B)為透光性薄膜(bl)。 ，光性_(Μ)的厚度是根據崎或職的光學、機 械，貝而適當核的，並無特別限制，然而，就進一步提 點而言，通常大於等於_mm，較佳是大 麵，尤其好的是大於等於⑽2贿。又 = 就進—步減少重量或成本等 ’通吊小於等於5mm，較佳是小於等於3醜， =好的疋小於等於丨麵。透光性薄膜⑽可藉由溶態擠 辽法、溶液洗鎊法等來製造，但並未限定於上述製造方法。 雔折途並無特別關。本實施形態之 又斤射波長健性的補正方法可翻於各觀學用透光性 1359319 24263pif.doc 缚膜(Μ)。例如，可列舉相位差板、偏光板、光 膜、抗反射薄膜、透明導電性基板、擴散板、聚光板= 為較好的用途，然而並未限定於在上述範圍内。 乍 於本實施形態中，於以元件(戦透光膜 時，較佳是，積層包含(共）聚合物⑻的薄膜(a 、j 膜⑽而使用，上述⑻聚合物⑷是使用選自4•甲， ，、3-甲基小戊稀及3-甲基小丁稀的至少 “ ⑻聚合成分所得。就減少積層界面之 ^ ㈣，峨積層的強度等觀點而言，較y是;^: 光性薄綱。於“ 马了挺冋黏者性，較佳是使界面平滑化。 於隔著—黏接層而積層時，黏接層的姑π # 制，可適當使用光學損耗較小、且;;==別限 各種黏接劑。較佳是使用聚稀 的 酯（Urethane)系、頊气作“ 内歸駄系、胺基甲酸 各種黏接劑，但並二/〇)〇0糸、聚乙缚醇系、聚醋系等 黏接性樹脂因與使用選/d:::。其申’聚烯烴系 3-尹基丁烯的至，丨、一 ^广戍烯、3_甲基小戍烯及 (共)聚合物⑷的黏接性優1烯=③(。共)聚合成分所得的 利』例如，已揭示於專 態中，亦可使用124479號公報）中，於本實施形 用这文獻㈣示的樹鹿。 1359319 24263pif.doc 隔著一黏接層而進行積層時，亦可對薄膜@)及透光性 薄膜(bl)的一者或兩者的表面，進行電漿(plasma)處理、電 暈放電（corona discharge)處理、火焰處理（打ame treatment)、紫外線處理、底塗(under coat)層塗佈等易黏接 化處理。
又’於薄膜(a)與透光性薄膜(bl)之間，亦可存在丨層、 2層或2層以上的除黏接層以外的層。作為除黏接層以外 的層，可列舉反射層、抗反射層、防眩層、硬質塗佈 coat)層、防靜電層、氣障(gas barrier)層、透明導電層、相 位差板、光學補償薄膜、擴散板、聚光板、偏光板等，但 並未限制於上述各層。 [偏光板保護膜] 一較佳是，於本實施形態中，透光性薄膜(Μ)為偏光板 保護膜。以下，就其意義加以詳述。
_由雙折射所產生的相位差一般而言亦能以角度來表 示此日守以角度所表示的相位差R1 '與以nm為單位的 相位差R2的換算式是以下式表示的。 R1(度）= (R2(nm)a(nm))x360(度）。 再者，λ為相位差測定波長。 、偏光板用保護薄膜所具有的相位差R1的大小會最 偏光板的偏光度’例如，於用於液晶顯示裝置之情形峡 2影響液晶顯示裝_對比度f錢。即，即便於似 卸於所使用的彳目位差剛定波長—直為固定值的情形時， 邦向短波長側’ R1變得越大，隨著波長越變短，保護_ 34 丄乃9319 24263pif.doc 所具有的相位差會使直線偏光板的偏光度越惡化。因此， 較佳是，波長越短，該以R2所表示的相位差越小 。例如， 若於可視光範圍内’使保護薄膜所具有的相位差對偏光板 的偏光度所帶來之影響全部相同，則較佳是，使R2相對 於波長λ的變化接近於波長λ的變化。其意指，較佳是， 波長越短，以R2所表示的相位差越小。然而，普遍的是， 對於通常偏光板保護膜所使用的包含高分子材料的透明薄 膜的任一種而言，波長越短R2越大，或即便較好R2亦為 固定。 此處，若使用本實施形態之波長依賴性的補正方法， 則可使以R2所表示的相位差隨著波長越變短而越變小， 從而可抑制保護薄膜所具有的相位差使直線偏光板的偏光 度惡化的現象，在實用方面具有較高的價值。即，光透過 性薄膜(bl)為偏光板保護膜，在實用方面具有較高的價 值，且是本實施形態的一個尤其好的類型。 [偏光板(P)] 於本實施形態的方法中’亦可進一步使用偏光板(p)。 具體而言，其結構A，於光學元件⑻與偏光板(p)之間配 置薄膜(a)，且於光學元件(B)與偏光板(p)之間，實質上並 不存在具有面内相位差的除薄膜⑷以外的光學元件。如 此’可更可靠地控制面内相位差。 圖1表示將本實施形態的薄膜⑻用於偏光板之例。 於此-偏絲巾，依序積層有保護表面的保護薄膜 ιοί、對偏光板賦予耐擦傷性等的硬質塗佈層、第二偏 35 1359319 24263pif.doc 光板保護薄膜103、偏光鏡104、第一偏光板保護薄膜1〇5、 作為對其他元件之黏接層而起作用的黏著層106、以及保 護黏著層106的剝離薄膜107。
此處，對於保護薄膜101，因安裝有偏光板的顯示元 件、例如液晶顯示元件之檢查操作是在附有保護薄膜的狀 態下而進行的，故可較好地使用如本實施形態之薄膜(a)的 光學特性優良的薄膜。第一偏光板保護薄膜1〇5及第二偏 光板保護薄膜103需求保護偏光鏡1〇4、並且具有較高的 透明性，因此可較好地使用如本實施形態的光學特性優良 的薄膜。剝離薄膜107是為了覆蓋顯示元件之形成時用以 於該偏光板上進一步積層光學補償薄膜、相位差薄膜(板) 等的黏著層106而設置的，且該偏光板之檢查操作是在附 ^剝離薄膜107的狀態下而進行的，故可較好地使用如本 貫施形態之光學特性優良的薄膜。 [光學補償薄膜]
^於本只％形恶中，透光性薄膜(bl)較佳為光學補償薄 膜光予補^薄膜之以R2所表示的相位差隨著波長越變 紐，越變小的情況較好，該方面與上述偏光板保護膜的情 的。此外，光學補償薄膜與上述偏光板保護膜的 ==使用雙折射較大的材料，故雙折射波長依賴 =更=由雙折射波長依賴性所產生的著色等不 36 ^59319 24263pif.doc 從而可抑制因光學補償薄膜 而導致的著色現象等，在實用；呈以c依賴性 等，使液曰員缚膜，是指例如使用液晶層、樹脂
===:=位差板部分_概念。 [相位差板] 相位t實施形g中’透光性薄膜(bi)較佳為相位差板。 小的产R2所表示的相位差隨著波長越變短而越變 的穴較好，該方面與上述偏光板保護膜的情形是相同 。此外，相位差板與上述偏光板保護膜相比，因使用雔 =射較大的材料，故雙折射之波長依賴性亦較大。因此^ =雙折射之波長依賴性所產生的著色料良現象亦更嚴
此處，若使用本實施形態之波長依賴性的補正方法， =可使以R2所表示的相位差隨著波長越變短而越變小， 攸而可抑制因相位差板所具有的雙折射之波長依賴性而導 致j著色現象等，在實用方面具有較高的價值。即，透光 性，膜(bl)為相位差板，在實用方面具有較高的價值，是 本貫施形態的一個尤其好的類型。 [液晶面板(b2)] 上述光學元件(B)的構造、形狀、原材料等並無特別限 37 1359319 24263pif.doc 亦較佳是，於本實施形態中，光學元件⑻為液晶面 板(b2)。液晶面板(b2)的以R2所表示的相位差隨著波長越 變短而越變小的情況較好，該方面與上述偏光板保護^的 情形是相同的。此外，液晶面板(b2)中，因液晶層必铁具 有雙折射，故雙折射波長依賴性亦較大。因此，由雙 波長依賴性所產生的著色等不良現象亦更嚴重。又
此處，若使用本實施形態之波長依賴性的補正方法， 則可使以R2所表示的相位差隨著波長越變短而越變小， 從而可抑制因液晶層所具有的雙折射波長依賴性所導致的 著色現象等，在實用方面具有較高的價值。即，光學元件 (Β)為液晶面板(b2)，在實用方面具有較高的價值，是本實 施形態的一個尤其好的實施形態。 A
較佳是，於本實施形態中，包含(共)聚合物(〇〇的薄膜 (a)與液晶面板(b2)直接、或隔著一黏接層而積層。就減少 積層界面之光學損耗、使構造簡單化等觀點而言，較佳是 直接積層薄膜(a)與液晶面板(b2);而就確保積層的強度等 觀點而吕，較佳是隔著一黏接層而積層薄膜(a)與液晶面板 (b2)。積層之詳細情況，與包含(共）聚合物⑷的薄膜⑻與 透光性薄膜(bl)之積層的說明是相同的。 、 [顯示裝置] 本實施形態之雙折射波長依賴性的補償方法，於液晶 顯示器、EL(Electroluminescence，電致發光)顯示器、觸摸 面板（touch panel)、場致發射（；fie】d emission)顯示器、 LED(light-emitting diode，發光二極體）等顯示裝置中可尤 38 24263pif.doc ==用二顯示裝置一般而言使用著利用偏光的各種 範圍的光，因：二?到芯,整個可視光域的廣波長 ==望對其加以補正。因此，利用本實施 個祕的補正方法_示裝置，是本實施形態 的個尤其好的實施形態。 表示液晶顯示^的結構的—例作為此種顯示 裝置的圖。
，於該液晶顯示裝置t，依序積層有偏光板114、相位 差板115、光學補償薄膜116、液晶面板117、相位差板118、 偏光板119及背光單元120。 此處，作為偏光板114及偏光板119，可較好地使用 圖1所不的使用本實施形態的偏光板。作為光學補償薄膜 116可使料層構造的薄膜，然而，亦可較好地使用直接 利用本實施形態之薄膜(a)的單層構造的薄膜。
藉由此種結構，來自背光單元120的入射光利用偏光 板119而偏光，且僅透過直線偏光的光，藉由相位差板118 使偏光的光之相位一致，而入射至液晶面板117 ^液晶面 板117中形成有輸出圖像，且生成有用以再現該圖像的光 並射出，利用光學補償薄膜116對該出射光進行視野角補 償’藉由相位差板115使相位差一致’藉由偏光板n4使 之偏光而調整對比度。 (第二實施形態） [光學元件(Optical Element)] 39 1359319 24263pif.doc 本貫施形態是關於一種具有至少〜 學元件，上述(共)聚合二== h 土场甲基+戊烯及3·甲基小丁烯的5 ,自 細煙作為(桃合齡所得 丁 =至少-種 田情況與第,聚物⑷及 < 3有使用自4-甲基小戊稀、3_甲基小戊婦及
少一種烯烴作為(共)聚合成分所得之;1; ^物__(a)，是波長越短相位差越小 且疋光學特性穩定、廉價、重量輕且環产 子\ 、， 膜’因此’使用其之光學元件在實用方二有^高HI薄 本實施形態之光學元件只要具有至少一層的薄貝° 即可，並可含有或不含有除此以外的部件、層3。、a
因薄膜⑻中波長越短相位差越小，故即便單獨使用 可使由雙折射所產生的相位差（角度換算)與波長無關而^ 致固定。因此，單獨以薄膜(a)構成的本實施形態之光學元 件’，例如，可用作相位差在寬頻帶内固定的相位差板。相 位差在寬頻帶内固定的相位差板，先前，必須藉由組合多 個光學元件的複雜構造、或具有複雜化學結構的樹脂來實 現。因此，由薄膜(a)單獨構成的本實施形態之光學元件二 此相比在貫用方面具有較咼的價值，是本實施形態的一個 較好的類型。 組合薄膜(a)及除此以外的部件、層的光學元件亦是本 貫施形fe的一個較好的實施形態。使除此以外的部件、層 擔負各種光學功能，以此可實現具有更複雜的光學功能的 1359319 24263pif.doc 光學元件，因此在實时面具有較 外的部件、層，既可盘第一每 、世除"專膜㈤以 mu 男'軛形態中所說明的光學元株 ⑻相同，絲可不同。例如，適當積層薄膜⑻與作為3 的光學70件本 形態的一個較好的類型。 攸疋本戶
藉由積層本實施形態之相位差板與偏光板所獲得 =偏光板、或81偏光板，亦可於廣波長區域时成_ = 光、或圓偏光，是本實施形態的一個較好的類型。相位 板與偏光板亦可隔著-黏著性樹脂層而積層。& : 樹脂層既可設於相位差板的表面，亦可設於盥. 的側。黏著性樹脂層的詳細情況，例如，已揭示於 獻12(日本專利特開2004—177785號公報）中，本實施形能 中亦可使用該文獻所揭示的黏著性樹脂層。 、夕心
由薄膜(a)單獨構成的光學元件，或組合薄膜(幻、與除 此以外的部件、層的光學元件，亦可為抗反射薄膜、波^ 選擇性高反射薄膜、波長選擇性低反射薄膜、透明導電^ 基板、擴散板、聚光板 '相位差板、光學補償薄膜、液晶 面板基板、反射板、反透過反射板、散射板、附有散亂2 射電極之基板、附有透明電極之基板、附有鏡面反射電極 之基板、防霧薄膜、或偏光板。此等光學元件具有較簡單 的結構，並且雙折射波長依賴性可補正為預期的狀態，因 此於實用方面具有較高的價值。 於本實施形態中亦與第一實施形態相同，例如，使薄 膜⑷在波長為550 nm時的面内相位差尺55。滿足下诚條件‘。 41 1359319 24263pif.doc I R550 I <30 nm 又，例如，亦可使薄膜(a)在波長為55〇 nm時的面内 相位差R550滿足下述條件。 3〇nm < | R550 | <300 nm [顯示裝置] …本實歸態之光學元件可特财效地活祕液晶顯示 益、EL顯不器、觸摸面板、場致發射顯示器、led等顯
示裝置中。顯示裝置-般使用著利用偏光的各種光學元件 (=)’除此之外’通常使用整個可視光域的廣波長範圍之 :’因此容易受到雙折射波長依賴性的影響，從而特別 強烈地期望對其加以補正。目此，具有本實施形態之光學 兀件的顯4置，是本實施形態的—個尤其好的類型。 再者，例如，本實施形態之顯示裝置，可為參照前 圖2所述的積層構造。
根據上述本實制彡態’可獲得波長越短相位差越小、 “有預期的雙折射波長依賴性的絲薄膜。又，可 3等3致的光學特性變化小、廉價、重量輕、厶境 π補正各種光學元件所具有的雙折射波 (第三實施形態） 上述實施形態中，亦可使用作薄膜(a)的光 種光學几件及色再現性等優良的顯示裝置。 ^ 學薄膜為下 42 1359319 24263pif.doc 述結構。 本實施开>悲中，用作薄膜(a)的光學薄膜是含有（共）聚 合物(α)的薄膜’上述(共）聚合物(α)是使用選自4_曱基 戊烯、3-曱基-1-戊烯及3-曱基-1—丁烯的至少—種烯烴作為 (共)聚合成分所得。 又，本實施形態之光學薄膜滿足下述條件。 R(450)/R(590)<0.95 (上述式中，R(450)及以59〇)分別表示波長為450 nm 及590 nm時的上述光學薄膜的面内相位差。） 本實施形態中’光學薄膜滿足上述式，藉此可有效地 補正相位差之波長分散特性。 又，就更有效地補正相位差之波長分散特性的觀點而 言’較佳是’光學薄膜滿足下述條件。如此，可更有效地 進行補正。 R(450)/R(590) < 0.9 又’就上述觀點而言，更好的是， • R(450)/R(590) < 0.85 ° 再者，R(450)/R(590)的下限並無特別限制，然而，就 減小補正誤差的觀點而言，例如，可使之大於等於〇2。 又，本實施形態之光學薄膜亦可為進一步滿足下述條 件的結構。藉此，能以更適於操作性的膜厚而有效地補正 相位差之波長分散特性。又，若膜厚不均相同，則可獲得 相位差值不均更小而實用性高的光學薄膜。 I ^5〇(590) | < 200 nm ' 43 24263pif.doc J359319 、丄处叭T，^。(590)表 厚度的面内相位差/ 就上述觀點而言，更理木 .-ρ /ς〇ΛΝ , 於150 nm，更好的s w、热〜疋 ⑻）丨小於等 等於50nm。 对的疋小於 又，上述1()(590)亦可為滿足 1 nm ^ I R5〇(590) | 之條件的結構，更好的是，
3 nm ^ I R5〇(590) | 〇 另方面，本實施形態之光學薄膜亦可為進— 下述條件的結構。 < 步滿足 I ^5〇(590) | < 3〇 nm (上述式中，心〇(59〇)表示波長為59〇nm時的 厚度之面内相位差。） π^μιη 再者，I R5〇(59〇) |的下限並無特別限制 可處於上述範圍。 例如，亦 又，就獲得補正所必需的充分的R5G(59〇)的 言，於本實施形態之光學薄膜中，較佳是 私 為^甲基小戊烯、與除4-曱基小戊稀以外的 於等於10小於等於14❸α-烯烴之共聚物，且來自α_稀^ 的結構單元佔共聚物整體之比例大於等於1 m〇l% : 於 9 mol0/〇。 '寻 (第四實施形態） 本貫施形態是關於一種包含有機高分子的光學薄膜 44 1359319 24263pif.doc .;寻膜而言，波長為590 nm時的每50 μιη厚度 之面内相位差R50(590)滿足下述條件（1 — 1)，波長為450 nm 及590 nm時之面内相位差R(45〇)及R(59〇)滿足下述條 (1-2)。 ’、 10 nm <| R50(59〇) | < 20 nm (1-1) R(450)/R(59〇)<〇.95 (1 - 2) —根據本實施形態，使薄膜的結構滿足上述—
)由此例如，於藉由增加膜厚而使薄膜且 ==械強度的部件中，可使薄膜成為提供實用相位 又，於使用例如S™方式的液晶單元等 作為光;的，償板時，藉由對與
的逆波長分散位差進行7精觸 ⑷的氣態之光學薄膜亦可為含有(共)聚合物 u臭1 =述(共)聚合物⑻是使用選自^小戊婦、 合甲基·ι_ 丁焊的至少一種婦煙作為(共)聚 波長分=此種㈣，财獲得具有雙折射之逆 薄^料性且_性、輕4性、財敎性優良的光學 本實施形態之光學薄膜，較佳是 面内相位差‘滿足下娜。^55Gnm時的 I R550 I <3〇nm 45 I3593l9 24263pif.doc 另-方面，較佳是本實施形態之光學薄膜在波 ：>50mn時的面内相位差尺㈣滿足下述條件❶ . 30 nm <| R55〇 | <3〇〇nm
然而’本案第-發明的發明人進行銳意 現：由主要含有聚4·甲基]•賴的共聚物所構成的;;g 膜之雙折射及其波長分散(波長依賴性），依存於構成共 物的共單體之種類及含量而變動。因此，進—步進 的結果發現:於共單難為碳原子數Α料於1G小於等= 14的α-烯烴、且共聚物中的該α—烯烴之含量大於等於； mol%、小於等於9 mol%時，於光學用途中顯*充分的錐 折射，且顯示適當的逆波長分散特性。 又 於下述實施形態中，將就該結構加以具體說明 (第五實施形態） 本實施形態是關於一種主要含有聚4_曱基戊烯的 共聚物及使用該共聚物的薄膜。
[共聚物] 本實施形態之共聚物是4-曱基-1-戊烯、與除4_曱基-卜 戊歸以外的碳原子數大於等於1〇小於等於14之心歸^的 共聚物，且來自α-烯烴的結構單元佔該共聚物整體的:例 大於等於1 mol%、小於等於9 mol〇/〇。 4-曱基-1 -戊細之聚合物的透明性、剝離性等優^，可 車父好地與光學元件(Optical Element)組合而使用，使特定的 共單體以特定的比例與4-曱基-1-戊烯共聚合，並且使^結 構滿足上述條件，藉此，可獲得於光學用途中顯示充分的 46 1359319 24263pif.doc 雙折射、且雙折軸示敎的逆波長 此處’用作共單體的α-烯烴既可為直：壯：二：+ 於；等:1。— ，，_得二===
體而，數大於#於1G小於等於14的―烴，具 ,_ !可列牛 L癸烯(decene)、1·十一烯(imdecene)、1-—烯(dodecene)、ι_十四烯(tetradecene)。 —其中’藉由選擇〗癸稀作為共單體，可獲得就光學用 达的硯點㈣i具有特別優良的雙折㈣共聚物。 又’來自碳原子數大於等於10小於等於14之α-烯烴 的、”。構單元通常大於等於J '小於等於9 m〇1%，較 f是大f等於2咖％、小於等於7 。若來自石炭原子
j大於等於1〇小於等於14之以-稀煙的結構單元處於此種 ，圍’則可後得用於光學用輯具有充分的耐熱性、並且 不充分的雙折射、且雙折射穩定且顯示充分大的逆波長 7 刀散特性的共聚物。 再者’本貫施形態的共聚物中’例如，亦可僅將除4_ 曱，-_1-戊烯以外的碳原子數大於等於1〇、小於等於14的 α稀煙作為共聚成分。此時，4_曱基·丄·戊稀與㈣煙相對 。:二I物整體的共聚合組成為，來自4_甲基小戍燁的結構 早7L大於等於91 mGl%、小於等於99 ·1%，來自α_婦煙 的結構單元大於等於1 _%、小於等於9 mol%。 47 1359319 24263pif.doc 又，在未偏離本案第一發明的目的之範圍内，本實施 形悲之共聚物亦可為，使用除4-甲基-1-戊烯及碳原子數大 於等於10小於等於14的α•烯烴以外的單體作為共聚成分 所得的共聚物。作為除4-甲基-1-戊烯及碳原子數大於等於 10小於等於14的α-烯烴以外的單體’可列舉：選自以除 了 4-曱基-ΐ_戊烯以外的礙原子數大於等於2小於等於9的 直鏈狀或分支鏈狀α-烯烴、碳原子數大於等於15小於等 φ 於20的直鏈狀或分支鏈狀α•烯烴、各種環狀烯烴、碳原 子數大於等於4小於等於20的二烯(diene)及芳香族乙烯基 化合物所構成之群組的一種、兩種或兩種以上的單體。來 自除4_甲基小戊烯及碳原子數大於等於10小於等於14的 α-稀煙以外之單體的結構單元的含量並無特別限制，可於 未偏離本案第一發明的目的之範圍内適當使用，例如，可 使用大於等於〇.5m〇i〇/0、小於等於2 m〇l〇/0。 又’本實施形態之共聚物較佳是滿足下述條件。 >十氫萘(decaUn)中於13 5°C下所測定的極限黏度[η]大 • 於等於0.5 dl/g、小於等於1〇 di/g， 由差示掃描熱量測定（Differential scanning calomnetry’DSC)所測定的熔點(Tm)大於等於21〇。〇 '小 於寻於24〇t，及纟DSC所測定的融解熱量大於等於2〇 J/g、小於等於50 J/g。 以特定的組成含有特定的α_稀煙，除此之外，使結構 滿足上述條件，藉此，可容易地具備以下分別所示的在實 用方面有益的特性。 48 1359319 24263pif.doc 湖形態中，極限黏度的财，例如，是利用以 ASTA〇16^為標準的測定方法來進行的。 於箄於肌下所測定的極限黏度h]，例如，大 4^ .5，、小於等於1晴g，較佳是大於等於丨d 小於等於）峋，更好的是大於等於1.5 dl/g、小於等於5 dl/g。右極限减處於如上所述的· 形時的加工崎良、且频強度充分的_。 成
由DSC所測疋的每點(Tm)，例如，大於等於21 〇。〇、 小於等於24G°C： ’較佳是大於等於22Gt：'小於#於24〇。〇， 更好的是大於等於225。(：小於等於235。〇。若以處於如上 所述的範圍，則可進一步獲得耐熱性充分的薄膜。 由DSC所測定的融解熱量，例如，大於等於2〇j/g、 小於等於50 J/g，較佳是大於等於20 J/g、小於等於45 J/g， 更好的是大於等於20 J/g、小於等於40 J/g。若轉熱量處 於如上所述的範圍，則可獲得耐熱性更充分的薄膜。
另外，4-曱基-1·戊烯共聚物之以ASTM D1238為標 準、於荷重為5 kg且溫度為260t的條件下所測定的熔^ 流動速率(MFR)，是根據用途來決定種類的，然而，通常 在大於等於1 g/l〇min小於等於50g/10min、較佳是在大 於荨於1 g/l〇 min小於等於40 g/10 min、更好的是在大於 等於5 g/l〇min小於等於4〇g/l〇min的範圍。若處於上述 範圍’則可進一步提高薄膜成形性及所獲得的薄膜的外觀。 其次，就4-曱基-1-戊烯共聚物之製造方法加以說明。 4-曱基-1-戊烯共聚物的製造方法並無特別限制，可使 49 1359319 24263pif.doc 化f茂金劑等眾所周知的催化 甲其^的枝，於槪社存在下聚合4-甲基-1-戊烯與α—烯烴，藉此而獲得。 並無制限制，㈣如，可較 料。W光學部件所㈣的_為代表的各種薄膜之材 如 =就使騎細細帽加以說明。 本實施形態之薄膜含有上述 =成上述4-甲基戊烯共聚物後而物’例 形 ^的形成方法並無特別限制，例如，可 擠製成形、膨脹成形等方法、 2衣成 知的方法來成形。就更有效地;法等幕所周 製成形法:膨腸成形法或溶可使祕 下述5~/尤，有效且穩定地生產的觀點而言，較佳是葬* =^:得_’即’於使用炫態顧成形^成1由 依賴其角度依賴性、其温度 :=予機械強;二 == 50 24263pif.doc 於進行溶_壓成形的情料，具體 ，機於特二圓筒溫度及特定的洗 = 後，使用延伸機，在大於等於诂琅^ #9加。「丨认$ 破螭轉移溫度(Τ§)且小於等 於2〇〇eC疋小於#於靴的溫度下，以特定的倍率 (:咬f疋:Γ/Γ5倍’尤其好的是小於等於3倍)且以特 ==Γ成形。就並未增加結晶化度、結】 :寸的方面而較佳是，延伸倍率較小，且延伸速度較 t ms、早㈣伸、雙糾料任—種來進行。 就社加、.，.曰曰化度、結晶尺寸的觀點而言 比，可更好地❹熟延伸。 、平m甲相 再者，此時，既可於炫態擦壓成形時暫且製造整幅板 狀之溥膜，再雜幅板絲麵伸細彡 進行熔態擠壓成形及延伸成形。夏」、'.貝 ^於藉由炫悲成形而獲得薄膜的情形時，亦可 之間加壓而壓縮，藉此可提高所獲得的薄膜 的厚適當設定本實施形態之薄膜 等二於等於¥、小於 若為此範圍，與膜的生產4=Q;;m、t於 不會產生針孔等’ x ’就亦良，又，於溥膜成形時 而言亦較好。 ’亦Μ得充分的機械的方面 領域3為，無=別上限，.亦包含先前本技術 溥肤又，較好的是，可用於光學用 1359319 24263pif.d〇c 途之程度的厚度。 本^施形態之薄膜，於光學 射，且雙折射轉定士士批_ 只|兀刀的雙折 的，長分散雜，因此， 差板、偏先搞保j 途’尤其可較好地用於相位 板”⑸專膜（偏光保護膜 膜'光學補償薄膜等用徐，十杏心“、㈣保。又涛 薄膜。再者，光學補本貝_歧供此等透明光學 的單声谨！，古卞、見潯膜既可為使用本實施形態之薄膜 膜可iL二於層二的多層構造。此種薄 發射顯示器、咖器'觸摸面板、場致 而本實施形態之薄膜，斜、祖_ 〇。 廣波長區域之光進行均勻偏光^用途中所使用的） 波長與雙折射大致成正：i 形鱗共聚物續得的本實施 如if = ΐ 依賴性’而且，例 相對於顯不逆波長分散特性 吸水性低、且光學特性穩定的結構。又，Jti 長分散特性的習知之薄膜等，例 ，一、不逆/ 單且可廉價地製造、重量輕、提供化學結構簡 於本實施形態中，當薄膜;=例光學薄膜。 板的薄膜的每50 _厚度在波長為獨時 的相位差心0(590)滿足下述條件。
Rs〇(590) < -22 nm 52 1359319 24263pif.doc 化。⑽m佳是小料於_24 nm，更好的是小於等於 _ nm。错由使薄膜為R5〇(59〇)滿足上述條件的結構 便於涛膜較_狀態下，亦可確保為了達成目的而更充八 的相位呈’因此，於薄型顯示器等厚度受到重視的用途刀， 亦可貫現相位差補償等預期的功能，故較好。^ 絕對值較大則使用自由度較高而較好，因此並未特別地^ 在下限，但例如可大於等於-300 nm。
再者，薄膜的相位差之正負是以其折射率搞圓體之 射率的狀態而決定的。於將折射率橢圓體的主折射率設為 HX、ny、nz時，nx、ny在薄膜面内具有軸，取在^^二 薄膜面,方向上具有軸。於薄膜具有單軸性配向時，將 特定的單軸折射率大於其他2個折射率的情形稱為具有正 相位差的薄膜，將特定的單軸折射率小於其他2個折射率 的情形稱為具有負相位差的薄膜。 ' — 此外，該相位差板的結構亦可滿足下述特性。 R(450)/R(590) < 0.9
(上述式中，R(450)及R(590)分別表示波長為45〇 及590 nm時的相位差薄膜之面内相位差（相位延遲值）。） 而R(450)/R(590)較佳是小於等於〇.87，更理想的是小 於等於0.85。 如此，可使雙折射顯示更理想的逆波長分散特性。因 此，可更好地用作使用廣波長範圍之光的顯示器等所使用 的相位差板。 ~ 再者，例如，相位差是使用相位差測定裴置於以它、 53 1359319 24263pif.doc 相對濕度為40%的條件下而測定的。 又，R(450)/R(590)之下限並無特別限制，… 穩定地控制由雙折射所產生之相位差的觀點士 就更 可大於等於0.60。 ’’· έ，例如， 此外，於本實施形態中，就於更長的波長侧亦 好的逆波長分散特性的觀點而兮，例如 X件良 R(650)/R(590)值大於等於丨.04，較佳°是大於可使 者’上述式中哪50)表示波長為65〇nm時的相位= 之面内相位差（相位延遲值）。 產’寻膜 R(65〇VR(59〇)的上限並無特別限制，然而 地控制由雙折賴產生的相位差的觀點 ^ 於等於1.20。 1巧如’可小 位差板為代表的各 : 充分的雙折射、該雙折射顯示逆波長分如 泣、且與透明性等其他辟特_平衡優㈣材料。寸 施升ί三於未損害本案第—發明的目的之範圍内，本實 的各C亦可含有除上述"基-1-戊烯共聚物以外 ^刀。除4-曱基小戊稀共聚物以外的成分亦可為除 、·㈣絲㈣外的各_脂或各種橡膠。作為各 炼炉好的是透雜優良賴脂’勤，可使用環狀 酸:雜、/合物等各種聚烯烴、聚石炭酸sl、聚苯乙稀、酸 鐘換颇、樹脂、氣系樹脂、聚醋、兩烯酸樹脂等。作為各 多可使用烯烴系橡膠、笨乙烯系橡膠等。 另外，於未損害本案第一發明的目的之範圍内，可於 54 1359319 24263pif.doc 膜中’添加抗靜電劑、抗氧化劑、耐埶釋 顏料、毕料、益j = 防銹劑、潤滑劑、成核劑、 二、上：iv (二氧化矽等)等通常添加入聚烯 五本士」 4除此以外的特殊的添加劑。 再者’本水弟一發明並未限定於上述 例，於未麟本發明的目的之範圍内可適當變更、脰 「本案弟二發明」
面明是關於—種積層偏光板，其於偏光鏡之 一面直接或間接地積層著含有具 =之 之結構單元的高分子的薄膜1、 土烯等 層著含有具有來自環狀：之二接;間接地積 顯示元件。此外，本轉“積層偏光板的液晶 ㈣,芬/竹曰月χ明是關於一種具備上述積層 偏先板及/或液阳顯示元件的顯示裝置。
近年來，隨著液晶顯示元件箸 相位差板、偏光板等各種光學裝置的發達， ，晶:示峨例加以說明，：在=液： 含=用偏光薄膜而過=圓=成二過ί; 液晶單狀綠人因此，叙地進行使通過 此補正圓偏光而改善液錢^前’通過相位差板，以 於日本專利特開平比度。 812就公報中揭示有下述偏 丄 24263pjf.doc P於偏光膜的兩侧積層有保護薄膜，且該保護 揭_、古上夕、方同時具有相位差薄膜的功能。且該文獻中 鑣：春/ 1?為保護薄膜較佳是使用三醋酸纖維素(TA C)等 蚀田她’當作兼相位差薄膜的保護薄膜，較佳則是 使用包3熱可塑性降冰㈣系樹脂的薄膜。 令二1本專利特開2000—275433 ?虎公報中揭示有包含 ^人取土-1-戊烯的偏光板保護薄膜。且該文獻中揭示有， 已3 ♦ 4·甲基_；!、戊烯的偏光板保護薄膜可減少雙折射。 抱土!^本專利特開細2—221619號公報中揭示有下述 、“薄膜即狖偏光膜的一面積層有環狀烯烴樹脂薄膜， 於另面積層有水瘵氣滲透性(Water Vap〇r permeabilii )在 固定範圍内的保護膜。 厂你 、”、、:而於液BB顯示元件等各種顯示元件中，為了降低 成本^減^光學損耗，而強烈要求削減元件數。一般而言_， 偏光薄膜是偏光板保護薄膜/偏光板/偏光板保護薄膜的積 層構造。此處u偏光板倾薄膜具有作為相位差板 的功旎，則無需另外的相位差板，而可削減元件數。 …日本2利特開平8 — 43812號公報中所揭示的具有偏 光板保護薄膜的偏光薄膜，因其至少一片保護薄膜亦兼作 相位差薄膜，故可肖彳減元件數。然而，就所獲得的偏光薄 膜的偏光度穩定性的觀點而言，仍存在應改善的方面。/ 曰本專利特開2000 — 275433號公報中所揭示的偏光 板保護薄膜雖可減少雙折射，然而，並未觸及對偏光板保 護薄膜的相位延遲加以調整而使其作為相位差板起作用的 56 1359319 24263pif.doc 筝項。此外
J也·然此種έ义怨之啟示 板的元件數而言存在應改善的方面。 日本專利特開雇—221619 H 板保護薄膜，雖柹士·^ Θ .泰、a 斤揭不的偏光 未觸及對使用=;==材料，’並 為相位差板起作用J項膜二使其作 高的材料亦包含吸水性較乍欠-乳攻過性較 勺偏先度％讀的觀點而言，仍存在應改善的方面。、 低:等發t使用吸水性較 軋透過性較高的材料形成偏光板保護膜，可展現 奢有：L固定值的相位延遲’藉此，使該偏光板保護薄膜 差板的功能，從而可減少元件數，並且可接 得的偏光板的偏光度的穩定性，從而完成了本案第 接古ίίϊ㈣二發明’可提供—種可減少元件數、且可 呵斤獲得的偏光板的偏光度的穩定性的偏光板。 以:，/尤本案第二發明之實施形態加以更具體說明。 __本只施形您之積層偏光板是於偏光鏡(polarizer)(a)之 -Ξί接或間接地積層有薄膜⑻、且於上述偏綠⑻的另 ⑹人^或間接地積層有薄膜(C)的積層偏光板，上述薄膜 =有鬲分子，這種高分子具有由選自4_曱基戊烯、3_ 薄^-1""戊烯及3""甲基丁烯之至少一種的結構單元 ，上述 元。、c)含有鬲分子，該高分子具有來自環狀烯烴的結構單 囚此 就削減偏光 57 1359319 24263pif.doc (1)偏光鏡⑻ 本貫施形態所使用的偏光鏡(a)，只要具有作為偏光鏡 的功能’則並無特別限定。 例如，可列舉具有下述偏光膜的偏光鏡等，該偏光膜 亦即·含有碘及/或二色性色素、以及聚乙烯醇樹脂的偏光 膜，犮例如水乙稀醇(PVa，Polyvinyl Alcohol).蛾系偏光 膜、PVA纟薄膜中吸附配向有二色性染料的染料系偏光 膜，又，藉由自PVA系薄膜誘發脫水反應、或聚氯乙烯薄 膜之脫鹽酸反應而形成有多烯(p〇lyene)的多烯系偏光膜， 於包含分子内含有陽離子(cati〇n)基的改性pVA的pVA系 薄膜之表面及/或内部含有二色性染料的偏光膜。 ⑺薄膜⑻ 本實施形態中用作偏光鏡⑻的保護薄膜的薄膜作)含 有高分子，該高分子具有來自選自4_曱基_丨_戊烯、3_甲基 -1-戊烯及3-甲基-1-丁烯的至少一種的結構單元，且該薄膜 (b)在波長為590 nm時的相位延遲R(59〇)滿足下述式 1)的關係。 R(590)> 5 nm (2—1) 薄膜(b)滿足式(2—1)的關係，由此可使該薄膜發揮作 為相位差板的功能。將此種薄膜積層於偏光鏡(a)而構成積 層偏光板，以此可獲得元件數少於先前且使結構簡略化的 偏光板，從而可實現降低偏光板的成本及提高光的利用效 〇 另外，於將薄膜(b)用作在白色光等廣波長區域内所使 58 1359319 24263pif.doc 用的相位差板的情形時，較好的是，波長越短雙折射（由此 所產生的相位差）越小。就該觀點而言，較佳是，於薄膜(b) 中，波長為450nm時的相位延遲R(45〇)、與波長為59〇nm 時的相位延遲R(590)滿足下述式(2 —2)的關係。 R(450)/R(590) < 1 (2-2)
一般而言，由雙折射所產生的相位差亦可用角度來表 不。此時，以角度所表示的相位差R1與以nm為單位的相 位差R2之換异式是以r】（度）= (R2(nm)/?《nm))x36〇(度）來 表不的(λ為相位差測定波長）。用於保護偏光鏡⑻的薄膜㈤ 所具有的相位差R1的大小會影響偏光鏡⑷的偏光度，例 如’於用於液aaB顯示裝置的情形時會影響液晶顯示裝置的 2度等晝g。即’即便於R2相對於所使用的相位差測 ^淑長直^固疋值的情形時，越趨向短波長側，R1亦變 U止隨著波長越變短，而保護薄膜所具有的相位差使 ^偏^的偏光鏡⑻之偏光度越惡化。即，較
有的相位差對偏光鏡⑻的= 接的相™的變化 以R2所表示的相位絲k指’較好的是，波長越短， 板保護薄騎制普遍的是’通常偏光 種，波長越短並R2抽^ 3而分子材料的透明薄膜的任一 滿足上述式卜即便車交好該R2亦為固定。 小，因此，即便單獨使用^的賴’波長越短相位差越 用亦可使由雙折射所產生的相位差 59 24263pif.doc (角，度換一與波長無關而大致固定。因此，滿足此種關係 的厚膜(b)，可單獨用作於寬頻帶内相位差（角度換算）固定 的相2板。於寬頻帶内相位差（角度換算）固定的相位差 ^古月^必須藉由組合多個光學元件的複雜構造、或吸 I:而光學性質不穩定的樹脂、或具有複雜化學結構的 貝=來實現。因此，使用滿足上述(2-2)的關係的薄 知具有相位差魏的偏絲紐細相比，在實 用方面具有較高的價值。 、 取人ί種、^膜(b)含有特定的（共）聚合物⑻，該特定的（共） 二I，α 1使用選自4_甲基小戊稀、3·曱基·μ戊燦及3_ ♦ 土的至少—種烯烴作為（共）聚合成分所得。此 含有」是指包括薄膜⑻全部由(共)聚合物⑷而 =!:*薄膜_ 一部分由(共)聚合物⑻而構成的 二二：。因此，薄膜(b)既可含有除(共）聚合物(α)以外 的觀二而：可:含有。就有效地實現本案第二發明的效果 旦；s ’較理想的是，薄膜⑻中的（共）聚合物⑷的含 置為20〜100wt%’更好的是5〇〜1〇〇秦 [(共)聚合物(α)] 4审^膜⑼中所使用的特定的(共)聚合物⑹，是使用選自 -土-1·戊烯、3-甲基·μ戊烯及3_甲基小丁稀的至 =料⑻聚合成分所得。這種特定的烯㈣(共)聚合物 Λ法了例不· 3_曱基七丁烯、3_甲基小戊烯或4_曱基-1· =綱聚合物、或者彼此相互之共聚物，更可例示： 二他可共聚合的單體例如苯乙稀、丙稀腈、氯乙稀、乙 1359319 24263pif.doc 酸乙烯酯、丙烯酸酯、曱基丙烯酸酯等的共聚物，又，另 可例示·上述聚合物彼此或者與其他熱可塑性樹脂或合成 橡膠的摻合物、嵌段共聚物、接枝共聚物等。（共）聚合物(幻 的結構單元中，來源於4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯、或 3-甲基-1· 丁烯的結構單元的合計量通常為2〇〜1⑻ m〇!%，較佳是50〜l〇〇m〇l〇/。，更好的是8〇〜1〇〇m〇1%。 右來源於4-甲基-1-戊烯、3-曱基-1·戊烯、或3-甲基丁 烯的結構單元的含量處於上述範圍，則可獲得透明性、耐 熱性4各種特性的平衡優良的樹脂，因此較好。 (共）聚合物⑻中，4-甲基-i•戊歸（共）聚合物的透明 性、剝離性等優良，且可較好地與光學元件組合而使用， 因此較好。又，3-甲基-L戊稀(共)聚合物及3_甲基小 (共）聚合物，就耐熱性優良、製程的自由度 的自由度等觀點而言較好。 文用條件 [4-甲基-1-戊烯(共)聚合物] 較好地料本案第：發明之(共)聚合物⑷的4小 -1-戊烯（共）聚合物，具體而言，是4_ 土 合物，或者是4-甲基戊烯盥乙橋亦山'_戊烯的早獨聚 其他α’烴例如丙烯、μ丁烯、心稀'原二為3二:的 :t甲基·1_戊稀(共)聚合物，通常而言，使來源 :二=1轉元的含量大於等於85*較佳是 大於寻於90 mol%。構成4_曱基_丨_戊 又铨疋 來源於‘甲基-1-戊稀以外的結構成分並無 61 1359319 24263pif.doc 當地使用可與4-甲基-1-戊烯共聚合的各種單體，然而，就 容易取付及共聚合特性寻觀點而言，可較好地使周乙烤或 碳原子數為3〜20的α-細煙。其中，較佳是碳原子數為6 〜20的α-烤烴’尤其好的是1-癸歸、1_十二稀、1_十四烯、 1-十六稀及1-十八烤^
較好地用於本案第二發明中的4-曱基-1-戊烯(共)聚合 物之以ASTMD1238為標準且在荷重為5蛣、溫度為26〇t 的條件下所測定的熔體流動速率(MFR)，是根據用途而決 定種類的，通常是1〜50g/l〇min、較佳是2〜40g/10min、 更好的是5〜30g/10min的範圍。若4_甲基戊烯(共)聚 合物的熔體流動速率處於如上所述的範圍，則薄膜成形性 及所獲得的薄膜的外觀良好。又，較理想的是，熔點處於 100°C〜240。〇、較佳是處於15(Γ(：〜縦⑶範圍。 另外，上述4-曱基-μ戊㈣共)聚合物的製造方法並無 特另J限d亦可使用眾所周知的方法來製造，例如，如日
本專^特㈣59 —2_8號麵_示，於雜劑之存在 下^ H甲基小戍稀與上述乙稀或α-烯煙，藉此可獲得。 Ρ-甲基小戊烯(共)聚合物] 車乂適於作為本案第二發 小戍烯(糾合物之較細丑=、）U(a^甲基 ^ ^ , 的共早體種、共單體含量、MFR、 术弟^月中較佳使用的3-甲其！ 士、pa、取人物的制1 方法並無特職制，亦甲基.1劫（共外合物的錢 地製造，例如，可使用R 士 ^用皆知眾所周知的方法來適當 本專利特開平06 — 145248號公報 62 1359319 24263pif.doc 所揭示的方法來製造。 [3_甲基-1-丁烯(共）聚合物] 可較好地用作本案第二發明 共)聚合物⑻的 > 甲基
-1-丁稀(共)聚合物之較好的共單體種、共單體含量、戲、 溶，等，與上述4_曱基小戍稀(共)聚合物的情形相同。本 案第二發明_可較好地使用的3·甲基·κ丁烯(共)聚合物的 製造方法並無制限制，亦可利Μ知眾關知的方法來 適當地製造，例如，可使用日本專利特開平％—14週 號公報所揭示的方法來製造.。 [除(共)聚合物(α)以外構成薄犋(b)的成分]
本案第二發明中所使用的_(b)亦^有除上述(共) 聚合物⑻以㈣各種成分。除(共沒合物⑷以外的成分亦 可為除(共)聚合物⑹以外的各_墙或各種橡膠。作為各 種樹脂尤其好的是使用透明性優良的樹脂，例如，可使用 環狀烯煙(共)聚合物等各種聚烯fe、聚碳酸酯、聚苯乙稀、 酉皆酸纖維素樹脂、氟系樹脂、聚酯、丙稀酸樹脂等。作為 各種橡膠可使用烯烴系橡膠、苯乙烯系橡膠等。此外，於 不才貝告本案弟二發明的目的之範圍内，可於本案第二發明 所使用的薄膜(b)中，添加抗靜電劑、抗氧化劑、埘熱穩定 劑、剝離劑、耐候穩定劑、防銹劑、潤滑劑、成核劑、顏 料、染料、無機填充劑（二氧化矽等）等通常添加入聚歸垣 中而使用的各種添加劑、或除此以外的特殊添加劑。 [薄膜(b)的製造方法] 本案第二發明所使用的薄膜(b)的製造方法並無特別 63
24263pif.doc 爾二=如奋可使用以V字型授掉器、帶型授拌器、亨么 成“二滾^拌器而混合(共）聚合物⑷與除此以“ ^機二，於用上述檀拌器加以混合後，使用單輪
'繼而利卿成形、峨形、•脹J 進行“ ===而成形為薄膜。為了有效地 等。 九鑄法、膨脹成形法或擠製成形法 Φ 另外，藉由將所獲得的薄膜延伸，可 ^此外亦可對i專膜 倍率；二為可=二==擇延伸 可根據使用目的、尤i县^ ° 賴性而適當設定薄膜(b)厚戶、並=折射及其波長依 為10〜200 _，較特別限制，然而通常 圍，則薄膜的生產性優良 ，。若厚度處於如此範 孔等，又，可卿右\ 於涛膜成形時不會產生針 言光學所:此較好。然而，通常而 (3)薄膜(c) 有具光鏡⑻之_膜的薄叫含 聚合物ί 心的結構U之高分子(環狀稀烴(共） 謂「:有，ί)ί有包含脂環式結構的聚合物。此處，所 5有」a包括該_全部域含有轉式=的Ξ 64 1359319 24263pif.doc 合物所構成的情形及該薄膜 的聚合物而構成的情形的兩種。含二旨;二 的含量並無特別限制，然而，就光學均質性的觀 通常為50〜100 Wi%，較佳是60〜100 wt%，更=而/， 〜100 wt%。又，除今振” 野的疋70 而’例如，就提高耐_性等的觀點而言 +…、、 彈性體㈨一)或苯乙烯系彈性體。又 亦可使用除此以外的各種添加劑。 交文所述， 含有脂壤式結構的聚合物是在聚合物的重 有脂環式結構的聚合物，且可於主鏈及側鏈的U = 有脂環式結構。作為脂環式構造，可列舉H各 (cydoaikane)結構、環稀烴(cyd〇alkene)結構等，^凡烴 熱穩定性微_言，較妓魏烴結構。構❹旨^ 構的碳原子數ϋ無特職制， \式、、、。 是5〜20個、更好的是5〜15個，若處:較佳 逆二U = 的溥膜。爾使用目的而適- 遗擇含有月日壞式結構的聚合物中之含有月+紝操璁田 單元之比例，_，通常式結構的重複 於40 wt%，更料%，較佳是大於等 文野的疋大於專於60 wt%。若 構的聚合物中之含有脂環式結構 結 則耐熱性優良而較好 ，早70之比例充分， 除含有脂環式結構的重複單元:^=結構的聚合物中 定，是根據使用目瞻他特別限 作為3有月曰每式結構的聚合物樹脂的具體例，可列舉 65 (3) 1359319 24263pif.doc (1)降冰片稀系聚合物、（2)單環的環狀稀烴系聚合物、 環狀共軛二烯系聚合物、（4)乙烯基脂環式烴聚合物及立 之氫化物(hydrogen additive)等。其中，就尺寸穩定性、 氧率、透濕度、耐熱性、機械強度等觀點而言，較佳是= 冰片烯系聚合物、乙烯基脂環式烴聚合物及這些聚合$ 氫化物等。 之 (1)降冰片烯系聚合物
作為降冰片烯系聚合物，可列舉降冰片烯系單體之 環聚合物、降冰、單體與可與制環共聚合的 ， 體之開環共聚物及這些聚合物之氫化物、降冰片烯系單半 之加成聚合物、降冰片烯系單體與可與之共聚合的^ 體之加成共聚物等。 、單 / 。於降冰片烯系單體之開環聚合物之氫化物及降冰 系單體與可與其開環共聚合的其他單體之開環彡聚物^ 化物中，若其氫添加率大於等於99%，則透明性(尤其护氧
透 期黃，度(yellowing index)較低）、穩定性(尤其指長期莫=刀 產生黃化）等優良，大多可抑制產生凝膠(gel)，從而較好1 其中，就容易獲得預期的相位延遲的方面而言，最好 的是，降冰片烯系單體與可與之共聚合的其他單體之加成 共聚物。 .作為降冰片烯系單體，可列舉：雙環[221]_庚_2_烯 (=icyclo[2.2.1]-hept-2-ene)(慣用名：降冰片稀）、5_ 甲基 _雙 環[2^.1]-庚_2_稀、5,5_二甲基_雙環[2 2 η_庚_2_稀、^乙基 ••雙％[2.2.1]_庚_2_烯、5_丁基-雙環[2 21；|_庚_2·烯、己基_ 66 1359319 24263pif.doc 雙環[2.2.1]·庚-2-烯、5-辛基-雙環[2.2.1]-庚-2-烯、5-十八 烷基-雙環[2_2.1]-庚-2-烯、5-亞乙基·雙環[2.2.1]-庚-2-烯 (5-ethylidene-bicyclo[2.2.1]-hept-2-ene)、5-次曱基-雙環 [2.2.1] -庚-2-烯、5-乙烯基-雙環[2.2.1]-庚-2-烯、5-丙烯基-雙環[2.2.1]-庚-2-烯、5-曱氧基-羰基-雙環[2.2.1]-庚-2-烯、 5-氰基-雙環[2.2· 1 ]-庚-2-烯（5-cyano-bicyclo[2.2. l]-hept-2-ene)、5·曱基-5-曱氧基羰基-雙環[2.2·1]-庚-2-烯、5-甲氧基 鲁 羰基-雙環[2.2.1]-庚-2-烯、5_乙氧基羰基-雙環[2.2.1]-庚-2- 烯、5-曱基-5-乙氧基羰基-雙環[2.2.1]-庚-2-烯、雙環[2.2.1]-庚-5-烯基-2-甲基丙酸酯（bicyd0[2.2.1]-hept-5-enyl-2-methylpropionate) 、 雙環[2.2.1]-庚-5-烯基-2-曱基辛 酸酯、 雙環[2.2.1]-庚-2-烯-5,6-二羧酸酐〇_〇1〇[2.2.1]-1^卜2-ene-5,6-dicarboxylic anhydride)、5_羥曱基-雙環[2.2.1]，庚-2-烯、5,6-二(經曱基)-雙環[2.2.1]·庚-2-烯、5-羥基-異丙基-雙環[2.2.1]-庚-2-烯、5,6-二羧基-雙環[2.2.1]-庚-2-烯、雙環 [2.2.1] -庚-2-烯-5,6-二羧酸醯亞胺、5-環戊基-雙環[2.2.1]-® 庚-2_烯、5_環己基-雙環[2.2.1]-庚-2-烯、5-環己烯基-雙環 [2.2.1] -庚-2-稀、5-苯基-雙環[2.2.1]-庚-2-烯、三環 [4·3·1 5 〇16]_ 癸 _3,7_ 二稀（tricycl〇[4 3 ρ·5 〇i.6]_deca_3,7_ diene)(慣用名：雙環戊二稀，Dicydopentadiene)、三環 [4.3.12_5.〇1_6]-癸_3_烯'三環[4412.5〇〗.6]_十一_3,7_二烯、三 環[4.4.125.〇]_6]-十一·3,8·二烯、三環[4·4.12·5.〇]·6]·十一_3_ 烯、四of^4.;:，1.9·。2·7]-十三心，4,6- [7.4.1 .〇 ·〇2 7]-Μ(1εο&-2,4,6-11·ϋε1τΕ6ηε)(亦稱為 ι，4-曱 67 1359319 24263pif.doc 烧-1，4,4&，93-四氫芴，慣用名：曱烷四氫芴，111础&1^ tetrahydrofluorene)、四環p.4」”丨4 〇]·】〇 〇3·8]_十四 11-四烯（亦稱為1,4-曱烷-1，4,4&,5,1〇，1〇&-六氫化蒽）、四環 [4.4.1 .1 ·1()·〇]-十二-3-烯（亦稱為四環十二烯）、8_曱基_四 環[4·4.1 5·17.丨〇.〇]-十二_3_烯、卜乙基_四環[4 4产」7_丨〇 〇]_ 十二-3-烯、8-次曱基-四環[4.4.12·5.ΐ710.〇]_十二各烯、8-亞
乙基-凹環叫产严吓十二·3_烯、8_乙烯基-四環 [4.4.12.5.17〗0.〇]_十二_3_烯、8_丙烯基_四環[4.4 ι2·5 l7.10.〇]_ 十二-3_烤、甲氧基羰基-四環[4.4.12·5.17]0.〇]_十二_3_烯、 8-曱基-8-曱氧基|炭基-四環[«ιυρ.ιο,ο]-十二_3•稀、8_經 甲基-四環[4.4.ΐ2.5.ΐ7·]〇·0]-十二-3-烯、8_ 羰基·四^ [4.4.12·'17·10·0]-十二_3_烯、8-環戊基，環[4.4.125.l710.〇]_ 十二-3-烯、8,環己基-四環[44 ι2.5.ι7·10〇]·十二冬烯、卜環 己烯基四環[4.4.12·5·17】0斗十二-3-烯、8_苯基-四環
[4.4·ΐ2·5·ΐ7]。·0]-十二_3·烯、五環[6·5.1】.8·13·6.()2·7.()9.13ρ十五 -3J〇-^^(pentacycl〇[6.5l].8p.6〇2.7〇9,3]^e^^^ ι〇_ diene) ? 亚未限定於上述範_。此轉冰片_單體可分別單獨 使用，或可組合使用兩種或兩種以上。 此等降冰㈣系單體之開環聚合物、或降冰片婦系」 其騎共聚合的其他單體之開環共聚物，可於g =5催㈣之存在1^合單體齡而獲得。作為開㈣ 二催化劑’例如，可使用包含釘（Rutheni㈣、舍 odium)、鈀(PaiIadium)、蛾(〇smium)、銥脚i聰）、金 68 1359319 24263pif.doc (Platirmm)等金屬之齒化物、硝酸鹽或乙醯丙酮 (acetylacetone)化合物及還原劑的催化劑，或者包含鈦 (Titanium)、飢(Vanadium)、錯(Zirc〇nium)、鎢(Tungsten)、 鉬(Molybdenum)等金屬之_化物或乙醯丙酮化合物、有機 紹化合物的催化劑。聚合反應是在溶劑中或無溶劑的狀態 下’通常於-5CTC〜100ΐ的聚合溫度下以〇 kg/cm2〜5〇 kg/cm2的聚㈣力來進行的。作為可與降冰片稀系單體開 共聚合的其他單體，例％，可列舉環己烯、環庚烯、環 辛烯等單環的核狀晞系單體等，但並未限制於上述 内。 降冰片烯系單體之開環聚合物氫化物，通常而言，可 藉=於上述開環聚合物的聚合溶液中添加氫化催化劑’而 對碳-碳不飽和鍵結添加氫而獲得y乍為氫化催化劑並無特 別限定，但通常使用有不均勻系催化劑或均勻系催化劑。 降冰片烯系單體'或降冰片烯系單體與可與之共聚合 的其他單體之加成（共）聚合物，例如，可於溶劑中或無溶 劑的狀態下，在包含鈦、鍅或釩化合物及有機鋁化合物的 催化劑之存在下，通常於-5CTC〜loot之聚合温度下，以 ^ kg/cm2〜50 kg/cm2之聚合壓力使單體成分(共)聚合而獲 得。 作為可與降冰片烯系單體共聚合的其他單體，例如， 可使用：乙烯、丙烯、1-丁烯、^戊烯、;μ己烯、3_甲基 丁稀、3_曱基_1·戊烯、3_乙基小戊烯、4_曱基·^戊烯、‘ 曱基-1-己烯、4,4_二甲基-1-己烯、4,4-二甲基-1·戊烯、4_ 69 1359319 24263pif.doc 乙基_1_己烯、3·乙基-1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯、 1十四稀1-十，、歸、1-十八烤、卜二十稀（1-eicosene)等碳 原子數為2〜20的α_烯烴； $環丁烯、環戊烯、環己烯、3,4-二甲基環戊烯、3_曱基 ，己烤、2-(2-甲基丁基)小環己烯、環辛烯、3&,5,6,7&_四 氫-4,7-甲烷 _1H-茚（3a,5,6,7a-tetrahydro-4,7-methano_1H_ inden)等環烯烴：以及
K己二烯、4·曱基-1，小己二烯、5_曱基-1，4-己二稀、 1，7-辛二烯等非共軛二烯等； 然而並未限定於上述範圍内。其中，較佳是α_ 尤其好的是乙烯。 二
·· 70 〜99 95 : 5 〇 。。此等可與降冰片烯系單體共聚合的其他單體，可分別 °°蜀使用或組合使用兩種或兩種.以上。於加成共聚八降 =片烯系單體與可與之共聚合的其他單體的情形時，: 物中之來源於降冰片烯系單體的結構單元與來源於可 共聚合之其他單體的結構單元的比例可適當地選擇，以 ^為下述範圍’即，以重量比而計通常為30 使 車乂佳是50 ·· 50〜97 : 3，更好的是70 : 3(l· (2)單環的環狀烯烴系聚合物 環庚：為聚合物，例如，可使用環己婦、 但並未限找上述範狀馳系單體之加成聚合物， (3)環狀共軛二烯系聚合物 作為環狀共概二燐系 ”、合物，例如，可使用對壤戍二 70 1359319 24263pif.doc 烯、環己二晞等環狀共軏二歸系單體加以以或M_加成 聚合的聚合驗其氫化轉，㈣未限定於上述範圍内。 降冰片燦糸聚合物、單環的環狀稀徑系聚合物或環狀 共輛二稀系聚合物之分子量，是根據使用目的而適當選擇 的’然而’以利用壤己炫溶液(聚合物樹脂未溶解之情形時 為甲苯溶液）的凝膠滲透層析法（Gd Permeati〇n
Chr〇matography)所測定的聚異戊二稀或聚笨乙稀換算的 重，平均分子量Mw而計，通常是5娜〜i，⑻q、較 ^疋8,0〇〇〜800,〇〇〇、更好的是1〇〇〇〇〜5〇〇_的範圍 日^，大多使成形體的機械強度與成形加工性高度平衡 民0 、/ 一" τ江、"Η '么八段眾，5、物 —作為乙烯基脂環式烴聚合物，例如，可 %已烯、乙烯基環己烷等乙烯基脂琴弋_系 =物;笨乙甲基苯乙:
歧之聚合物之芳環部分的氫化物 、系早 =式烴聚合物或乙稀基芳香族系4時二？ 粗，、聚合的其他單體之無規絲物、_ :寻早 氫化物。作為喪段共聚物’可列舉:;段'物 特：ί的多歲段(Multi-bl°ck)或傾斜_聚物等 當選;量是根據使用目的而適 情形時為_::::=:= 71 1359319 24263pif.doc 烯或聚苯乙烯換算之重量平均分子量Mw而計，是 10,000〜800,000、較佳是 15,_〜5〇〇,〇〇〇、更 20,000〜30_的範圍時，大多使成形體的機械強产及= 形加工性高度平衡而優良。 又 亦可於薄膜(C)中，根據需要而調配各種添加劑。作為 =:二例如’可列舉以三醋酸纖維素為代表的各種纖維 I树月曰寻吸水率超過0·1%的各種樹脂，或，又例如，可列
，，氧化劑、光穩定劑(light stabilizer)、紫外線吸收劑等 知疋劑、抗靜電劑等，然而，只要不損害本案第二發明之 目的則並無特別限制。 x [薄膜(c)的製造方法] 溶的製U法並無特別限定，可使用使樹脂 -=断融法及使樹脂溶解於溶劑錢鑄製膜的溶 法寺，例如，可較好地利用因並未使用溶劑故可有
St:膜中之揮發性成分之含量的溶融法。溶融法與 田&π鑄法寺相比，成本低且生產速度快，又，因並未使 使的負荷較小’從而較好。作為熔融法存在 法、敎^方法或膨脹法等溶態掩驗、磨光(calendar) 較小法、射出成形法等。其中，較佳是，厚度不均 奋易加工為20〜500 μηι左右的膜厚、且诘 位延對值及其不均的使訂塑模的炫態_法。 樹脂所:沾形法的條件與具有相同程度的Tg的聚碳酸醋 塵^中，=件大致相同。例如，於使用T塑模的炫態擠 ^中’ _溫度為240t〜300t左右，較好的是，使回 72 1359319 24263pif.doc 度為100〜靴左右的較高溫度，而選擇可使樹 陷’須要使顏為儘錢娜留部的魏，較好^ Γ 用在塑模内部或模唇(lip)上儘量無缺損等的塑模。， =部或模唇根據需要研磨表面，藉此可進-步提高表: 於製造薄膜⑻時，利用上述㈣法 可未延伸而直接使用，或亦可加以延伸 =膜既 或2轴延伸後而使用。如上所述，薄 延伸、 無特別限制，薄膜(c)可為將相位延遲控(制為目，=並 及亚未特別控制相位延遲的薄膜的任:種:、又疋於:;寻臈 定值的情形時，例如，亦既可加以控制:ί 膜具有大於寻於50 nm的較大的相位延 吏厚 控制以使_具有例如獨5G $亦可加以 乎接近於料财她輯。攸料目贿遲、或幾 於將薄膜(c)控制為具有較大的相位延 伸薄膜。藉由延伸而對分子加以配向 二土疋延 遲。延伸倍率通常為1>3〜1〇倍，曰匕1制相位延 範圍内使薄膜具有預定的相位延遲二。立:該 ^則有時相位延遲的絕對值不會增大而無法 值，右過焉則有時亦會破斷。延 Μ、疋的 樹脂之Tgmot、較佳是巧〜;構成板的 内進行的。若延伸溫度過低則可能會】白:溫尸圍 因並未分子配向而無法獲得預期的相位^遲了過向則可能 73 24263pif.doc 用即ίτ匕外且可作為偏光鏡⑻的保護薄膜而起作 /、膜厚亚無特別限制，然而，較佳是，延#二 ^ 〇 _，較佳是15哗〜150 μπι，更好的是20 _若财過小，雌以對_賦予充分的機械 旦^ 方面過大則難以抑制光學損耗、樹脂使用 ^^在用於顯示元件的情形時難以節約空間⑽叫。因 保護=厚處於輕的_，料獲得兩者平衡之優良的 另方面厚度不均越小越好，較理想的是，在整個 ’ _是±6%_ ’更好的糾％“。 =板的厚度不均過大’則可能延伸配向薄賴相位延遲不 均會變女。 (4)積層偏光板 本實施形態之積層偏光板是於上述偏光鏡⑻的一面 直接或間接地積層著上述_(b)、且於偏光鏡⑻的另一面 直接或間接地f層著上述薄膜⑹的積層偏光板。 此處，所5月「直接或間接地積層」包括將薄膜⑻或⑷ 直接積層於絲鏡⑷上的情形及於薄_或⑷與偏光鏡 (a)之間隔著任意層而積層的情形的兩種。 四於曰本專利特開平8 —43812號公報中所揭示的具有 「％狀烯;teL(共)聚合物/聚乙稀醇/環狀烯烴(共）聚合物」結 構的偏光薄财，因環狀烯烴（共）聚合物的吸濕性非常 低’故於包含各層之黏接、乾燥步驟等的製造步驟中，難 24263pif.d〇i 以，分地釋玫出偏光膜中所含的水分。因此，所獲得的偏 光溥膜中的偏光膜之含水率變大，各層的黏接強度不足， 而容易使偏先度下降。
另外’於日本專利特開平8 —43812號公報中所揭示的 具有「，狀烯烴(共）聚合物/聚乙烯醇/三醋酸纖維素」結構 =偏，薄膜中’首先，由於失著聚乙稀醇而使用由不同材 料所構成的薄膜，因此在製造步驟中容易產生翹曲。此外， 使用有吸水性較高的三醋酸纖維素作為保護薄膜，該三醋 酸，維=由於吸水而尺寸變動。此狀況亦成為具有該結才^ 的，光薄臈容易產生翹曲的原因。又，三醋酸纖維素因尺 ^變動而產生光學特性變動’因此，有時亦會引起偏光薄 膜之偏光度的下降。
_ 方面，本實施形態中，使用包含具有低吸水性、 间水条氣透過性及高尺寸穩定性的4_甲基_丨_戊烯等的薄 膜，作為偏光鏡(a)的一面的保護薄膜。因此，對於使用此 種薄膜的積層偏光板而言，尤其在使用有水系黏接劑的偏 光板保護薄膜的用途中更容易乾燥。因此，與日本專利特 開平8〜43812號公報所揭示的偏光薄膜相比，難以產生黏 接強度的不足、或翹曲，可提高偏光度的穩定性。 又，與使用三醋酸纖維素作為一面的保護薄膜的偏夫 ，相比，本實施形態之積層偏光板中，包含4_曱基戊词 等j薄膜、包含環狀烯烴(共）重含體的薄膜均是尺寸穩萍 性咼的原材料，因此，可認為即便夾著聚乙烯醇，而使用 由不同材料所構成的薄膜亦可抑制翹曲。 75 24263pif.doc l a嫌望本只轭形態之積層偏光板使用包含4_甲基 ，#ltb 黏接強度;足、或:曲與偏光鏡之間的 !广产用將相位延遲調整為固定範圍的薄膜作為仵 =:错此，該保護薄膜可兼作相位差板，= 晶單^實施形態之液晶顯示元件具有上述積層偏光板及液 塊某=二通常1言具有液晶層，這層液晶層是位於兩 1 ^ 隔件(spacer)而形成的空間㈣^⑼ 含有導電性物質的透:二基^ 積層偏先板如上所述，是於偏光鏡⑻的—面直接咬間 接地積層有上述薄膜⑻、且於上述偏光鏡⑷的另—面 或間接地積層有上述_⑻的積層偏光板。 —此處，於積層偏光板中，亦能以偏光鏡⑻為基準 溥膜⑻配置於液晶單元側。藉由此種結構，若相位延 足上述式(2-1)的條件’财時於液晶顯示元件中可省略 習知所必需的另外的相位差板、或於使用另外的相位差板 之情形時亦可產生提高其設財面的自由度的較好效果。 此外’若相位延遲滿足上述式(2 — 2)此種條件，則可於液 76 24263pif.doc 區域内使以上述角度所表示的相位差 造、或且須藉由組合多個光學元件的複雜構 P 二又雜化子結構的樹脂來實現的，且有下述優點， p ’ ^液晶顯示元件的對比度及抑制色相變化。 哎上、f rt知形怨之顯π褒置具有上述積層偏光板及/ 件。即，本實施形態中，包括下述類型： u)具備上述液晶顯示元件的顯示裝置； 狀班⑺具備上述積層偏光板及上述液晶顯示元件的顯示 衣呈，以及 (3)具備上述積層偏光板的顯示裝置。 於⑴的顯示裝置中’除上述液晶顯 光學補償薄膜等。又，於⑺的顯示裝置中，除⑴的卜顯j =以外，更含有積層偏光板。又，可列舉包含有機 件的顯不裝置作為(3)的顯示裝置。 疋 本案弟二發明」 本案第三發明是關於一種積戶妒 其的液晶！歸元件。 Μ㈤她“膜及使用 …液晶_裝置的基本結構為用兩片偏光板p夾著液曰 然而，因液晶單元L自身具有雙折射及其角^ 生，故產生對比度惡化、視野角下降等，從而導 ，示裝置的圖像品質下降。因此，使用各種相位差薄膜，曰 對液晶單元L的雙折射進行補正。 例如’通過液晶單元的光中，有時含有無法用偏光薄 無來過濾的圓偏光成分’從㈣示的軌度惡化。因此， 川59319 -4263pif.doc ，通過液晶單元的光在人射至偏 板，以此補正此種圓偏光成分液曰㉟别通過相位基 進行改善。 t液日日頜不凡件的對比度 骨 f自知的光補正方法加以說明。 f先，作為本案第三發明的 以定義。 扣就正、負雙折射加 就相位差薄膜A而t，枯 . 最大折射率，使印騎 ，為相位麵膜的面内的 卞的方向正交的方位的折射率 員不束大折射 方向的折射率，此時，相 為相位Θ膜的法線 作為所細薄膜而起作用時， ϊ:差!r滿足下述式 πχ > ny 取起作用，定義為具有負㈠雙折射。巧厅。月的-A缚 nz (3-1) nz hx>ny (3 —2) 又，就相位差薄膜c而言，將薄 率大於面内折射率時定m& 、、厗方向的折射 的折射率小於雙折射，將膜厚方向 射，分別桿兰己為相仿#“ 、、月乂定義為具有負㈠雙折 括+c及差家及相位差 =述前提下1知關正方时知有下述三種： 射^ 1帛具有正雙折射的相位差薄膜+Α及具有負錐折 射的相位差薄膜仏的交又(叫Α補正類型，負又折 ⑻使用_K、m+A+c、+c+A的AC類型補正， 78 24263pif.doc 以及 (iii)以+Α+Γ , δ 二、 ^ 正 τ我-A-C-A的順序而配置的aCA類型補 〇3mt)t〇 類型補正而言，亦為國際公開第 差薄膜的液。該讀是關於—種具備相位 的液晶顯示賴且以a、c、l的順序而配置該等 的補= 例’參照圖21 ’就(i)+A_A類型的先前 m 、 々目位差薄膜)ai，並使相位差薄 吸收編Φ薄膜)A1的光學軸與背光側偏光鏡P1的 =(圖中的箭頭方向)正交，此外鄰接地.以下述順序配 =Lc、液晶單。此外與液晶單元[鄰 =置有具有正雙折射的相位差薄膜+A(第二相位 版A2 ’並使其與背光側偏光鏡ρι的吸收軸—致。專 二則偏光肋是配置為其吸收軸與背_偏 = 收軸正交。 久 參照龐卡瑞(Poincare)球表示(圖a)，就該方式下的 光狀態的變化加以說明。 姆 圖22中的T表示背光側偏光鏡ρι的透過偏光抽方 位’ A表示面板出射側偏光鏡P2的吸收軸方位。垂直入 射時θ = 〇◦或方位角0 = 90。的整數倍時，入與τ的方位一 79 24263pif.doc 致。因此，通過背光側偏光鏡P1的光全部由面板出射側 偏光鏡P2所吸收，而並未產生光洩漏。 ”另:方面，以視野角θ = 60。、方位角卜衫。為例，參 照魔卡瑞球表示的圖22，襲斜視野許的狀態加以說 明0 此處，通過背光側偏光鏡ρι的光之偏光狀態，是龐 卡知求上的相田於τ的直線偏光。透過背光侧偏光鏡 的光通過第-相位差_ A1，由此，以旋射心轴a為 中=而向反時針方向旋轉6G。，成為以點M所表示的左轉 橢圓偏光it後’ n由其次通過的相位差薄膜。(（)以si 軸為旋轉中心軸而旋轉到達’成為右轉橢圓偏光。進 了步錯由其找過的液日日日單元L而返回謂點。繼而通過 第「相位絲膜A2 ’藉此以τ為旋轉中心軸而向左旋轉 6〇。一，由此最終偏光狀態_ a。因該a點與面板出射側 偏光鏡P2的吸收轴—致，故該偏光的光全部被吸收。其 即為即便於傾斜視野下亦可減少妨漏的原理。 —以上所介紹的先前的補償方法中代表性方法的詳細内 谷，例如，在 Deng_KeYang, Shin-Tson Wu,「Fundamentals of Liquid Crystal Devices j , John & Wiley 2006, p·213〜234 申有所介紹。 、，上然而:於上述補正方法中，相位差薄膜所需求的相位 差較大。蒼照圖23就該點加以說明。圖23是為了使圖22 更容易理解而將龐卡魏面上的軌職f彡於㈣上平面的 圖。 1359319 24263pif.doc 圖23中，因連結點A、τ及μ的三角形與視野角無 關均為正三角形，故相位差薄膜Α的旋轉角度為6〇。。該 角度的相應相位差與該角度成正比例，且滿足下述關係， 旋轉角度Γ = (27c/a)Re。 因此’就第一及第二相位差薄膜A所需求的相位差而 ° ’波長為550 nm時面内相位差約為90 nm。 以上，就所謂的交叉A補正類型（-A，+A)的補正方法 進行了說明，然而，上述國際公開第03/032060號單行本 中所揭示的W)AC類型的補正方法亦可據此來說明。然 而’於AC類型補正法的情形時，相位差薄膜a所必需的 相位差須要為140 nm左右及更大的相位差。 如此，於國際公開第03/032060號單行本的配置時， 相位差薄膜A須要具有例如140 nm左右的較大的相位 差’就可用作相位差薄膜A的材料的自由度的方面而言， 亦有改善的餘地。又，於該文獻所述的補正方法中，相對 於方位角的對稱性未必一定充分，因此，就充分確保液晶 顯示裝置的視野角的方面而言，亦有改善的餘地。 本案第三發明是鑒於上述事項研製而成的，且提供— 種即便於使用相位差較小的薄膜的情形時，亦確保液晶面 板的暗狀態下的光洩漏減少、傾斜視野時的低洩漏光及廣 視野角的技術。 根據本案第三發明，即便於使用相位差較小的薄膜的 情形時，亦可確保液晶面板的暗狀態下的光洩漏減少、傾 斜視野時的低洩漏光及廣視野角。 、 24263pif.doc 以下，參照圖式，就本案第三發明之實施形態加以說 明。再者，於所有的圖式中，對共同的結構要素標記相同 的符號，且適當地省略說明。 (第一實施形態） 圖4是表示本實施形態之積層體的概略結構的剖面 圖。 圖4所示的積層體1100具備：第一及第二偏光薄膜 (P卜P2);液晶單元L，配置於偏光薄膜P1與偏光薄膜P2 之間；以及多片相位差薄膜，配置於偏光薄膜P1與偏光 薄膜P2之間，且包含至少兩片相位差薄膜A(A1、A2)及 至少一片相位差薄膜C。再者，於本實施形態及下述實施 形態中，就兩片偏光薄膜的配置而言，例如，使偏光薄膜 P1為背光侧偏光薄膜，使偏光薄膜P2為面板出射側偏光 薄膜。 再者，本實施形態中，例示具有兩片相位差薄膜A及 一片相位差薄膜C的情形，然而，本實施形態及下述實施 形態的積層體，其所含有的相位差薄膜A及相位差薄膜C 的合計量可大於等於3片。 又，相位差薄膜A1及相位差薄膜A2既可由相同材料 而構成，或亦可由不同材料而構成。 液晶單元L由一對基板及夾持於基板間的液晶層而構 成。 於積層體1100中，至少一片相位差薄膜c是與P1或 P2鄰接而配置的，且兩片相位差薄膜A及液晶單元L是 82 1359319 24263pif.doc 按A、L、A的順序而配置的。
再者，所謂「鄰接」並未限定於實際上物理性黏著的 情形’亦可於其間隔著實質上不具有相位差的層。又，所 謂「按順序配置」並未限疋於A、L、A實際上物理性黏 著的情形，亦可於A-匕間隔著實質上不具有相位差；二 圖4的例中，液晶單兀L、相位差薄膜c及兩片相位 差薄膜A是以C、A、L、A的順序而配置呈丄 是以PI、C、Al、L、A2、P2的順序而配置的了 5 ’ 其次’就相位差薄膜A及相位差薄膜^的結構加以說 首先，就相位差薄膜A加以說明。 [相位差薄膜A] 滿足下述式(3—丨)及 相位差薄膜A1及相位差薄膜A2 (3 —2)的任一項。 nx>ny > nz (3-1)
nz> nx>ny (3 — 2) 、工;u及八P —yr , nx為如a至— 折射率，町為相位差薄膜面内的 ?:的面内 的方向正交的方位的折射 員不取大折射率 的折射率。） 為相位差薄膜的法線方向 時，作為所 2)時，作為所謂 (逆波長分敎待 謂的薄膜而起用寻m A滿足上Μ 的-Α薄膜而起作用，當滿足上述式 又，相位差薄膣4 ^ A亦可具有下述 83 1359319 24263pif.doc 性）’即’在規定的波長範圍内'波長越短，由雙折射所產 生的相位差越小。具體而言，其結構為，至少一片上述相 位差薄膜A在波長為450 nm時的面内相位差Re(45〇)、波 長為550 nm時的面内相位差Re(550)及波長為65〇 nm時 的面内相位差Re(650)滿足下述關係，
Re(450)/Re(550)<l (3-4)、以及
Re(650)/Re(550)> 1 (3 — 5) 〇
..力不茶弟二發明中間職i Re及後述厚 度方向相位差K是分別由下述式來計算的。於下述式中， ΠΧ為相位差薄膜的面内的最大折射率，町為該相位差薄膜 =内的與，最大折料的方向正交之方位的折 ; =差賴法線方向的折射率。x，d為相位差薄膜
Re = S(nx —ny)xd K={nz-(nx + nv)/2}xd
%別巧付號（sign) μ匪别正只艾妍射的； 形時採用询，+Α的情科採用+(正)。 =差材料的具體例加以說明。 及3-甲基七丁稀的至二 (共)聚合物⑷。相位差_ n(共)聚合成分所得之 構成’亦可由上述(共)聚合物⑷而共)聚合物(α)而 位差薄膜Α中的(共)聚合物⑻的含量成例=於= 84 1359319 24263pif.doc =、=於等於⑽wt%，較
等於 lOOwt%。 J 甲其-ttt目位差薄膜A的材料，更具體而言，可例示：3- 物土 H幻3·甲基_1·戊歸、或4_曱基_1_戊烯之單獨聚合 共聚物’更可例示與其他可共聚合的單 腈、氯乙稀、乙_旨、丙稀酸 酉曰、甲基丙細酸齡的共聚物，又 彼此或者與其他埶可塑性椒Α力 、來口物 共聚物、接枝共«等橡膠，合物、喪段 源於㈣+戊烯、3_甲;)=勿⑻之結，元中，來 μ ^基·1-戍烯 '或3-甲基-1-丁烯的 、，Ό構早凡，歧―步提高樹脂 =衡的觀點而言’其合計量通常大於等錢=: ’較佳是大於等於5GmQi il 更好的是大於等於80禮、小於等於3 (共）聚合物(α)中，4-甲其」t :::臟等優良’且較適於與光學元件、的 平人^ ’ 3_甲基·1_戊稀(共)聚合物及3_甲基+丁豨(妓） 1合^’就耐·優良、製㈣自由度、或使則 由度專觀點而言較好。以下，八二 本 '自 地說明。 刀別就上述各項加以更具體 [4-甲基-1-戊烯(共)聚合物] 4:甲基·戊稀(共)聚合物，具體而言，是*-甲基 早獨聚合物’或者是基小戊烯與乙烯或碳i子數 85 24263pif.doc S =於等於20的其他α-烯烴例如丙稀、4、 安# _辛癸烯、7_十四烯、十八烯等的共聚物 Ϊ案St月中可較好地使用的I甲基小戍稀(共^合物 一㊉而§，來源於4-曱基-1-戊烯的結構單元的含旦 於等於85酬％，較佳是大於等於9〇 m〇1%。構成 -1-戊烯（共）聚合物的來源於4·甲基_丨_戊烯以外的結^ 分並，特別限制，可適當使用可與4-甲基-1-戊烯共^合白、 各種單體然而就容易取得及共聚合特性等觀點而言，可 幸乂好地使用乙烯或碳原子數大於等於3小於等於σ 烯烴。其中，較佳是碳原子數大於等於7小於等於2〇的 烯烴，尤其好的是卜癸烯、丨_十二烯 ' 丨_十四烯、 烯、以及1-十八烯。 ’、 4-曱基-1-戊烯(共)聚合物的以astm D1238為標準 在荷重為5 kg、溫度為260〇c的條件下所測定的熔 速率(MFR) ’是根據用赖決定麵的，⑼，通= 於等於1 g/10 min、小於等於50 g/1〇 min，較佳是大疋^ 於2g/l〇min、小於等於40 g/10min，更好的是^於等 g/lOmin、小於等於30g/10min的範圍。若‘甲灵丨、、於^ (共）聚合物的熔體流動速率處於如上所述的範圍則，烯 成形性及所獲得的薄膜的外觀良好。另外，較理抻的，臈 炼點處於大於專於100 C、小於等於240。〇，# g、的 於15(TC、小於等於24〇t：的範圍。 乂土疋大於等 此種4-甲基小戊烯(共)聚合物可使用先前眾所周知 方法來製造，例如，如曰本專利特開昭59〜2〇6418號公報 86 上乃9319 24263pif.doc 所揭=，可藉由於催化劑之存在下聚合4_甲基_】·戊烯與上 述乙烯或α-烯烴而獲得。 甲基-1-戊烯(共)聚合物] 3甲基-1-戊烯(共）聚合物之較好的共單體種、共單體 含量、MFR、熔點等與上述4_甲基戊烯(共）聚合物的情 形相同。本案第三發明中可較好地使用的3_甲基戊烯(共) 聚合物可利用先前眾所周知的方法來適當製造，例如，可 利用日本專利特開平〇6—145248號公報所揭示的方法來 製造。 [3-甲基-1-丁烯(共)聚合物] 3甲基-1-丁稀(共）聚合物之較好的共單體種、共單體 含量、MFR、熔點等與上述4-曱基-1-戊烯(共)聚合物的情 形相同。本案第三發明中可較好地使用的3-甲基-1-丁烯(共） 聚合物可利用先前眾所周知的方法來適當製造，例如，可 利用日本專利特開平〇6~ 145248號公報所揭示的方法來 製造。 ^除(共)聚合物⑷以外構成薄膜⑻的成分] 薄臈(a)亦可含有除上述共聚物(α)以外的各種成分。除 共聚物(α)以外的成分亦可為除共聚物(…以外的各種樹脂 或各種橡膠。作為各種樹脂尤其好的是透明性優良的樹 脂，例如，可使用環狀烯烴(共)聚合物等各糗聚烯烴、聚 碳酸i旨、聚苯乙烯、醋酸纖維素樹脂、氟系樹脂、聚酯、 丙；¢1樹脂等。作為各種橡膠，可使用稀經系橡膠、笨乙 稀系橡轉。又，於不損害本案第三發_目的之範圍内， 87 24263pif.doc 可於本案第三發料使用的薄 ^化劑1熱較劑、剝離劑、、耐難=抗靜電劑、抗 w卜成核劑、顏料、染料 埴f卜防銹劑 '潤 特殊的添加劑。向使用的各種添加劑、或除此以外的 f相位差薄膜A的製造方則 相^差薄膜A可利用先前眾 成，例如，可使用以V字型擔挑哭册的方法而適當製 混合機、滾筒_器而混聚。^=拌器、亨舍爾 分的方法，或者於 物⑻與除此以外之成 製機、雙軸擠製機、捏合二、見班：力°以混合後’用單軸擠 粒或粉碎，繼而利用混合機等溶融混煉造 =、或溶液鱗轉辦私的成形等方 有效地進行生產，較件3执 而成形為缚膜。為了 成形法等。 、雜成形法或擠製 又，將所獲得的薄膜延伸， 依賴性、其溫度依賴性等物性申光dr折射、其角度 進一步對薄膜賦予為預期的值，亦可 較佳是大於倍、倍、小於等於⑺倍’ 相位差薄膜A的厚度並 μιη、小於等於· _，較佳是彳大=制，通常大於等於10 100 _。藉由使膜厚為此種範圍，陴、小於等於 產性。此外，可抑制於薄膜成 f步提高薄膜的生 、成形日守產生針孔等，而可提高 88 1359319 24263pif.doc 強度。 另外，相位差薄膜A的材料，除此之外，可列舉 APEL(註冊商標）、ZEONOR(註冊商標）等。
本貫施形態中，更具體而言，較佳是，相位差薄膜A 具有包含4-甲基_ι_戊烯(共）聚合物的層。藉此，例如，可 提高相位差_A㈣熱性，減少製造成本，此外，可減 輕環境負荷。 其·人’就相位差薄膜C加以說明。 [相位差薄膜C] 相位差薄膜c滿足下述式(3〜巧。 nx> ny>nz (3 — 3). (上述式(3 — 3)中，nx為相位差薄膜的面内的最大折射 率，ny為該相位差薄膜面内之與顯示最大折射率的方向正 交的方位的折射率，nz為相位差薄膜的法線方向的折射 率。) *又，本實施形態中，例如，其結構為，至少一片相位 差薄膜C在波長為450 nm及550 nm時的厚度方向相位差 K(450)及K(550)滿足下述式(3 —6)。 Κ(450)/Κ(550)> 1 (3-6) 相位差薄膜C如上述式(3-3；)所示，僅於厚度方向且 有相位差’作為所謂的的負C薄板而起作用，有效 2 液晶的視野角。 又，本實施形態中，相位差薄膜c滿足上述式(3 — 6)， 顯示下述性質’即，波長越短，通常之波長分散特性、即 89 1359319 24263pif.doc 由又折射所產生的相位差越大。 此外，相位差薄膜C亦可為下佧姓嗜 4 静550 nm及65〇 nm時的厚度方向相位^= 及κ_)除滿足上述式(3—6)以外還滿 (α 如此，可料錢射絲_顯 If = 的構造’因此可在更廣波長範圍内進行穩定 Κ(650)/Κ(550) < 1 (3__7) _ f次，就相位差薄膜C的材料的具體例加以·。 相^賴C的材料只要顯示上述性 如’可使用國際公開第一號單行 更具體而言，作為相位差薄膜C之材料兴 構的聚合物。相位差薄臈C既可全部由j;: : 式釔構的聚合物所構成，亦可由 Μ3有知裱 物而構成該薄膜之-部分。3有心式結構的聚合 右脂環式結構的聚合物是在聚合物的重複單元中人 稀㈣_式結構可列舉環燒烴结構、環 烯k構寻，就熱穩定性等觀點而言冓衣 構成月旨環式結構的碳原子數並無特別限烴結構。 4個、小於等於30個，較佳是切等、=於等於 個，更好的是大於等於5個 ，、小於寺於20 ^範圍，則可獲得耐熱性及^ 可根據使用目的而適當選擇含有脂環式結構:=:的 1359319 24263pif.doc 具有脂環式結構的重複單元之比例，
Wt%，較佳是大於等於4〇 wt% 、於專於20 wt%。若含有脂環式結構的聚合物中^大灰等於60 重複單元之比例過少，則可能耐孰性合環式結構的 脂環式結構的私物中的具豹旨環式、i_重再ί ’含有 的剩餘部分並無特別蚊，可根據 以外 至於，含有脂環式結構的聚合物的^擇。 制，然而，就光學均質性的觀點等而言無特別限 wt%、小於等於1〇〇研％ :大於等於50 等於刚•更好的是大：=:、=、小於 ，。又，除該樹脂以外的成分並無特別限^於⑻ 提尚耐衝擊性等觀點 ，]，就 系彈性體。又，如後體或笨乙烯 加劑。 &柯使崎細外的各種添 r為含#蹄式結構㈣合物觸的具體例，可列舉 聚，、(b)單環的環狀烯烴系聚合物、(:) 物、(d)乙烯基脂環式烴聚合物及上述 ^物的社㈣。轉之中，就尺寸穩定性、透氧率、 :，度、耐熱性、機械強度等觀點而言，較佳是降冰片烯 ΐ聚合物、乙絲崎式烴聚合物及上述聚合物之氫化物 寺。 (a)降冰片烯系聚合物 s作為降冰片稀系聚合物可列舉：降冰片稀系單體的開 ^物’冰片歸系單體與可與其開環共聚合的其他單 1359319 24263pif.doc 體的開環共聚物及上述開環共聚物之氛化物、降冰片^ 單體之加成聚合物、降冰片稀系單體與可與之共节八埽系 他單體的加成聚合物等。 κ °的其 降冰片烯系單體的開環聚合物的氫化物及降冰* 單體與可與其開環共聚合的其他單體的騎絲物的，系 物中，若其氳添加率大於等於99°/。，則透明性(尤其氧化
黃化度較低）、穩定性(尤其指長期難以產生黃化）等期 大多可抑制產生凝膠，從而較好。 、良又， 亡述聚合物中，就容易獲得預期的相位延遲的方面 言，最好的是降冰片烯系單體與可與之共聚合的复 ^ 的加成共聚物。 /、他早沿
降冰片烯系單體，可列舉雙環[221]_庚_2_烯（慣用 名：降冰片烯）、5-曱基-雙環[2.2.1]-庚-2-烯、5,5-二甲基. 雙環[2‘2.1]_庚_2_稀、5·乙基·雙環[2.2.1]·庚_2_稀、5-丁基.. 雙環[2.2.1]_庚·2_烯、5-己基-雙環[2 21]ϋ烯、孓辛基 雙環[2.2.1]-庚_2_烯、5_十八烷基_雙環[221]_庚_2_烯、$ 亞乙基-雙環[2.2.1]-庚_2·烯、5-次甲基-雙環[2.2.1]-庚-2-烯、5-乙烯基_雙環[2 21]_庚_2_烯、5·丙烯基·雙環[2 2，7]_ 庚-2-焊、5·甲氧基-羰基-雙環烯、5_氰基_雙環 [2.2.1]-庚烯、5-曱基-5-曱氧基羰基-雙環[2 2.1]_庚-2- 稀、5_曱氧基羰基-雙環[2.2.1]-庚-2-烯、5-乙氧基羰基-雙 環[2·2.1]υ-烯、5-甲基-5-乙氧基羰基-雙環|；2.2.1卜庚-2-稀又環[2.2.1]-庚-5-稀基-2-甲基丙酸酉旨、雙環[2.2.1]-庚-5-稀基曱基辛酸酯、雙環[2.2.1]-庚-2-烯-5,6-二羧酸酐、5- 92 1359319 24263pif.doc 經甲基-雙環[2.2^-2-烯、5,6_二(經曱基)_雙環[2 ? 庚冬烯、5-經基-異丙基.·雙環[2·2 ]]_庚1烯、雙環[^]-庚-2-稀、5,6-二竣基-雙環[2.2,1]·庚-2-稀、雙環[2·2.1]-庚-2-烯-5,6-二羧酸醯亞胺、5-環戊基-雙環[22 1；1_庚_2_烯、5_ 環己基-雙環[2.2.1]-庚-2·烯、5-環己烯基-雙環[2 2ϋ_2_ 烯、5-本基-雙環[2.2.1]-庚-2-烯、三環[4.3.12‘).〇16]-癸_3,7- 二烯(慣用名：二環戊二烯）、三環[^以补勺-癸·3·烯、三 環[4.4·：!2.5#6]-十一-3,7-二烯、三環[4.3.125.03-+--3,8. 一婦、二環[4.3.12_).0]·6]-Η -3-稀、四環[7.4.110.]3.〇].9.〇2·7]· 十三-2,4,6-11-四烯（亦稱為1,4-曱烷-1，4,419&-四氫芴，慣 用名：曱烷四氫芴）、四環[SAinw.oUO.O3.8]-十四 -3,5,7，12-11-四烯（亦稱為1，4-曱烷-7,4,4汪，5,10,10&-六氫化 蒽）、四環[4.4.125.17_】G.0]-十二-3-烯（亦稱為四環十二烯）、 8-曱基-四環[4.4.12_5.Γ·10·〇]_十二-3-烯、8-乙基-四環 [4·4.12·5·17·ι〇.0]_十二：烯、8·次曱基-四環[4·4 γ 17」〇斗 十二·3-烯、8-亞乙基-四環[4.4.125.171〇.〇]-十二-3-烯、8_乙 烯基-四環[4·4.12·5.17.10.0]-十二-3-烯、8-丙烯基-四環 [4·4.12·5.ΐ7·]〇.〇]_十二_3-烯、8-曱氧基羰基-四環 [4·4·1 ·17·]()·〇]-十二-3-稀、8-甲基-8-曱氧基幾基-四環 [4.4·125.ΐ7.]〇〇]_十二_3_烯、8_羥曱基-四環[4.4.12·5.1710.〇]_ 十二-3-烯、8-羧基-四環[4.4·12·5.17·1〇.〇]-十二-3-烯、8-環戊 基-四環[4.4.12 5.17 ]0.〇]-十二-3-稀、8-環己基-四環 [4.4.12·5_ΐ7‘]〇.0]十二 _3-烯、8-環己烯基-四環 [4.4.12.5.17.]〇〇]_十二_3_烯、8_笨基-四環[4·4.12·5·17.Ι0.〇]-十 93 24263pif.doc 二-3-稀、五環[6 5 p l3.6 〇2 7〇 [7.4.1-1»〇,3 〇,9 〇,7]_+^ ^ -3 述單體。切降冰〜i t 絲限定於上 用兩種或兩種以上。 ⑯”別早獨使用，或組合使 上述降冰片烯系單體的開環聚人上 體與可與其開環共聚合的其他降冰片稀系單 環聚合催^的存在下聚合共聚物’可於開 ，化劑，例如，可使用包含'作為嶋 丨的“物、侧或乙酿丙_合物Γ:，、鈾等金 及;機:化:物:催或-丙 或热溶劑Μ態下，通常於，。c 疋在溶劑中 H 0至SO kg/em2左右的聚合 1的聚合溫度 2 W系單體開環共聚合的其作為可與 己烯、環庚烯、環辛烯等單〜，，例如’可列舉環 未限制於上料體。、_狀_系單體等，但並 、降冰片烯系單體的開環聚合物的氫化物，' W 疋於上述騎衫物㈣ ，通常而吕， 碳不飽和鍵結添力^二;添加氫化催化劑，對碳- 別限定，料常❹不㈣ΓΓ作錢化催化劑並無特 降冰:Ξ本催化劑或均句系催化劑。 的其他單體的加匕、^:片烯系單體及可與之共聚合 劑的^ &U)U勿’例如，可在溶劑中或無溶 催^二7 ’在包含鈦、錯或銳化合物及有機紹化合物的 片子在下，通常在-兄它至】⑽I左右的聚合溫度下， 1359319 24263pif.doc 以0至50 kg/cm2左右的聚合壓力使單體成分(共）聚合而獲 得。 作為可與降冰片烯系單體共聚合的其他單體，例如， 可使用：乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、3-曱基-1-丁烯、3-曱基-1-戊烯、3-乙基-1-戊烯、4-曱基-1-戊烯、4-甲基-1-己烯、4,4-二曱基-1-己烯、4,4-二曱基-1-戊烯、4-乙基-1-己稀、3-乙基-1-己烤、1-辛稀、1.-癸燦、1-十二稀、 1-十四烯、1-十六烯、1-十八烯、1-二十烯等碳原子數大於 _ 等於2小於等於20的a-稀烴； •環丁烯、環戊烯、環己烯、3,4-二曱基環戊烯、3-曱基 環己烯、2-(2-曱基丁基)-1-環己烯、環辛烯、3a,5,6,7a-四 f 氫·4,7-曱烷-1H-茚等環烯烴；以及 1,4-己二烯、4-甲基-1,4-己二烯、5-曱基-1,4-己二烯、 1，7-辛二烯等非共軛二烯； 等，但並未限定於上述單體。其中較佳是a-烯烴，更 佳的是乙稀。 • 上述可與降冰片烯系單體共聚合的其他單體可分別單 獨使用，或可組合使用兩種或兩種以上。於加成共聚合降 冰片稀系單體與可與之共聚合的其他單體的情形時，加成 共聚物中的來源於降冰片烯系單體的結構單元與來源於可 共聚合的其他單體的結構單元之比例，是適當地選擇而在 下述範圍内的，即，以重量比而計通常為30 : 70至99 : 1， 較佳是50 : 50至97 : 3，更好的是70 : 30至95 : 5。 (b)單環的環狀烯烴系聚合物 95 24263pif.cj〇( 作為單環的it料 環庚烯、環辛婦处:&糸來合物，例如，可使用環己烯、 但並未限定於此了早*如狀馳系單體的加成聚合物， ⑷環狀共軛二烯系聚合物 作為環狀共軛二烯李取
稀、環己二料環狀共單：’：;環戊二 聚合：合物及其氫化物：;=:=-或“-加成 使用目的而適當_的，合物的刀子1 ’是根據 樹月旨不溶解的情使用環己淀蝴聚合物 ;聚笨乙_算的重量平均分子量咖而 1通吊疋大於寻於5，_小於等於15_娜 料於M⑻小於等於_，_、更佳的是大於等於；〇 〇〇;
=寸於50MG0的範圍時，大多使成形體的機械強度盘 成形加工性更高度平衡而優良。 /' (d)乙烯基脂環式烴聚合物 η作為乙雜脂環式烴聚合物，例如，可使用：乙稀基 環己烯、乙縣環己鱗乙縣脂環式烴系單體的聚合ς 及其氫化物；以及笨乙烯、α_曱基苯乙烯等乙稀基芳香族 系單體的聚合物的芳環部分之氫化物等。此時，亦可^乙 ，基脂環式烴聚合物或⑽基料族系單體、與可與上述 單體共聚合的其他單體的無規共聚物、嵌段共聚物等共聚 物及其氫化物。作為嵌段共聚物，可列舉二嵌段、三嵌段、 96 丄 24263pif.doc 、上的夕甘欠段或傾斜嵌段ϋ聚物杜 周作相位差_〇的乙嫌；^ί:，並無特別限制。 量，是根據使用目、、烯土知％式烴聚合物的分子 合物樹脂Τ溶㈣’以環己烧溶液(聚 :測定的聚異戍二稀或聚笨乙;參透層析法 =等:ur於觸二⑶㈡ b，ooo小於等於5Γ)ω ωλλ ^
於2〇，_小於等於3〇_〇的範圍内時、，好的是大於等 機械強度與絲Μ性高度平衡而優^大多使成形體的 相位i薄膜c中，亦可根據需要 作為添加劑，例如 鬥配各私添加劑。 種纖維f樹&埜牛、—醋齩纖維素為代表的各 抗率超過αι%的各種樹脂，或，又例如 等，只i不損=第紫=收劑等㈣ 作Am :—發月的目的則亚無特別限制。 作為抗乳化制’可列舉苯盼(phen〇1)系抗氧
(ph〇sph_s)糸抗氧化劑、硫⑽&)系抗氧化劑等，上述 氧化劑，尤其好的是院基取 代本U几乳化刮。藉由調配上述抗氧化劑，不合使透明 性、耐熱性等下降即可防止氧化劣化等所導 度下降。 〃石匕尺放 作為紫外線吸收劑，可列舉二苯f _咖_嶋e) 、外線吸收劍、苯並三嗤(b⑽triazQle)系紫外線吸收劑 :，上述紫外線吸收劑中，就耐熱性、低揮發性等觀點而 言，較佳是’ 2·(2’_輕基_5'-甲基-苯基)笨並三β坐、2_(2H_苯 97 1359319 24263pif.doc 並三唑-2-基)-4·曱基-6-(3,4,5,6-四氫鄰笨二醯亞胺基曱基) 苯紛(2-(2H-benzotriazole-2-yl)-4-methyl-6-(3,4,5,6-tetra hydrophthalimidoyl methyl)phenol)、2-(2H-笨並三哇-2-基)-4,6-雙（1-曱基_ι_苯基乙基)苯酚等。
作為光穩定劑，可列舉二苯曱酮系光穩定劑、苯並三 °坐糸光穩定劑、受阻胺(hindered Amine)系光穩定劑等，然 而’本案第三發明中，就透明性、耐著色性等觀點而言， 較佳是使用受阻胺系光穩定劑。 上返柷氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑等可分別單 ，，用，或可組合使用兩種或兩種以上，其調配量是在不 知告作為相位差薄膜c而起作用的範圍内適當選擇的。
又，對以上述方式所得的相位差薄膜c ,於低於薄膜 的，璃轉移溫度Tg的溫度下，例如槪τ§低大於等於 於等於坑、較佳是低大於等於1G°C小於等於2(TC 在減壓條件下例如小於等於1 Pa，或在非活性 例如在氮氣體環境下，進行加熱處理，藉此可 ==穩定、且較好地長時間穩定補償顯示元件的 環二:Γ位差_c的材料另可列舉聚碳酸酷或 二，，就本實施形態的作用效果加以說明。 本貫施形態中，使用共計大 薄膜A及相位差薄膜c，料配$於值二上述相位差 _之間的相位差薄曝。並膜峨光 ，、P1或P2鄰接而配 98 1359319 24263pif.doc ，相位差，且依照A、L、A的順序配置兩片相位差 薄膜A及液、'單元L。藉此，即便於使用相位差較小的薄 膜作為相位差丨#膜A或相位差薄膜的情形時，亦可減少暗 狀癌下的光㈣而獲得高姐度。又，可減少傾斜視野的 泡漏光，確保廣視野角。 此處、，，於以國際公開第〇3/03施0號單行本的結構為 代表的，=之光學補正方法中，—片相位差薄膜A所需求 的，位级大’ ϋ此用作相位差薄膜A的材料存在—定的 :Ϊ二因整個積層體的厚度存在限制，故無法於積層 肢中仗用夕片相位差薄膜Α。 、曰 相位，Ϊ膜於a，:含’聚(4·?基小戊婦)的(共)聚合物作為 一 M t/相位差薄膜Α2的材斜時，光彈性小、顯 ί 雙折_、），耐紐高、較廉 交小等’作為相位差薄膜A具有優良的 Ϊ ’目：士 欲獲得超過例如90nm的較大的相 膜的厚度增加至例如〜左右或w 3 =在先前技術中所述的國際公開第__ 力:。己置中使用此種材料’則會導致整個積層體的 太牵r二i實施形態中’使用多片相位差薄膜α。根據 側配置相彳差職，亚且使用兩片相 A、L、A的順序來配置，籍此，有效地改二 的對稱性。藉由該配置，可確保良好㈣稱性，而可擴大 99 I3593l9 24263pif.doc 積層體的視野角。再者，C、A、L、A St置並未限定於c、 A、L、A實際上物理黏著的情形，亦可於c —a間、A —L 間、L 一 A間隔著實質上不具有相位差的層。 然而，A、c、L'A配置中，相位差薄膜八依然須要 具有例如90 nm左右的較大相位差。
因此，本案第三發明的發明人進一步進行研究發現： 與P1或P2鄰接而配置相位差薄膜C，且依照A、L、A 的順序配置兩片相位差薄膜A及液晶單元L，藉此，即便 於一片相位差溥膜A的相位差較小的情形時亦可進行補 正。藉由此種配置，可擴大國際公開第〇3/〇32〇6()號單行 本之情形時無法獲得的良好對稱性及視野角。 々日议左缚馭的情形為例，使用龐卡夫 ^上的偏光狀態之變化，就與偏光薄膜n或p2鄰接而g $位差薄膜C且依照A、L、A的順序配置兩片相位』
單元L，藉此即便她錢膜A的相位差库 低亦可獲得高對比度及廣視野角触由加㈣明。 是躲㈣光狀態的技賴 kew 仅衫於赤道面的圖。 圖7中，通過第一偏弁菊π •Φ- , A勝P1時的偏光狀態是以j 下^球赤道上的T來表示的。茲丄 夯砂t 靖由通過相位差薄膜-C，r? 疋矛夕動至北極侧的v點，此 — ^ ~A( A 1 \ 卜’藉由弟一相位差薄用 八<^1)，而使光以τ為旋轉中 動5 u从方疋轉角α向右旋轉而牙 勒至R點。其次，藉由液晶置iT, 、， 下古你4 疋L(+c相位差），而光向d r万移動至q點。此外，藉由 田弟一相位差薄膜-A(A2)旋車 100 1359319 24263pif.doc 旋轉角α，而與A點一致。 如上所述，於V點的旋#半徑較大時使光旋轉，藉此 即便旋轉角度(相位差)較小移動距離亦變大’因此，^便 相位差薄膜A的相位差較小，亦可使偏光狀態自τ最终移 動至Α點。因Α點為出射側偏光薄膜的吸收軸，故所有^ 光被完全吸收，即便視野角傾斜亦可減少茂漏光。
再者，於下述實施例中，就本實施形態之結構的對比 度及視野角的提南加以更具體描述。 本實施形態中’如聚(4-甲基小戊烯)的（共）聚合物，即 便於將積層體用於液晶顯示元件之液晶面板時較好的5〇 μ®至80 μπι左右的厚度時之相位差為例如3〇 nm至％ 左右較小的情形下，亦可獲得充分高的對比度及廣視野 角。因此，是適於使用此種材料的結構，且可同時實現裝 置整體的薄型化及裝置特性的提高。 、、
一此外，於本實施形態中，使相位差薄膜A1及相位差 «4膜A2之t至為顯示逆波長分散特性的結構，藉 ^可更減少色彩偏移(c〇1〇urshift)。具體而言，使相位差^ 膜A1及相位差薄膜人2之中至少一片為滿足上述式〇 —乂 及(3-5)的結構，#此可於更廣波長翻岐善視野角特 仇钱點加以說明 —7般:言，廣泛地使用著具有140聰左右的相位差 、相轉。例如’聚碳酸酯、環烯烴系相位差薄膜等。 然而，此轉難㈣謂紅波長分散性 101 1359319 24263pif.doc 越短相位差越增加。展現相位差的功能可用上述式 旋轉角度Γ = (2π/λ)ΙΙε 來展現。根據上述式，於Re與波長無關為固定值士 正波長分散時，旋轉角度Γ因波長而增加。 一、 因此’僅針對某規定波長改善視野角特性。即，於 =斜方向觀察顯示著黑色的液晶元件時，規定波長的透自 千下降，且其視野角變廣。然而，除規定波長以、
率上升而光洩漏故可看見著有黑色，就該方面而十尚=過 善的餘地。 °向有改 ^了解決該問題，較理想的是.，使用具有波長越 呈连越小的所謂逆波長分散特性的相位差薄膜。作為丄 分散性的薄膜，已知有上述使用聚碳酸醒的: 差之ΐΐι對於上述材料而言’因光彈性係數大、或相位 之圪對值小，因此在欲加以實用時其適用範圍有限制。
系相=差！!為光彈性係數小的相位差薄膜’已知有環稀烴 而言尚的就無法獲得逆波長分散特性的方面 述式中，使相位差薄膜的結構顯示上 烈感覺到的峨内 =示器_波長的大致整I長二因 卜用於择頁不益的重要波長的大致整個區城(例如， 102 1359319 24263pif.doc 450 nm至650 nm)之偏光狀態的轉換大致固定，就使相位 至薄膜的結構更理想的觀點而言，亦可使相位差薄膜A為 下述結構’即波長為450 nm時的面内相位差Re(45〇)、波 長為550 nm時的面内相位差Re(550)及波長為650 nm時 的面内相位差Re(650)滿足下述關係， Re(450)/Re(550)<0.82、以及 Re(650)/Re(550)> 1.12。
亦可使相位差薄膜A為下述結構’即，波長為450 nm 時的面内相位差Re(450)、波長為550 nm時的面内相位差 Re(550)及波長為650 nm時的面内相位差Re(65〇)滿足下述 關係， 0.70 $ Re(450)/Re(550)<0.90。如此，可使相位差 _ 膜A的結構為在短波長側顯示過逆波長。因此， 二 地抑制短波長側的色彩偏移。 j
此外，就更有效地抑制長波長側的色彩偏移 言，較佳*，使相位差薄膜A的結構為在長波長 逆波長，具體而言，使相位差薄膜A的結構滿足，、’、义 1.10 <Re(650)/Re(550)< 1.20。
又，於積層體1100中，至少一片相位差薄膜A 長為550 nm時的面内相位差Re(550)的絕對值亦1在波 述範圍， ’、可處於下 nm 、 ''一 …〜-3—热須使用言 含有芴基(fluorenyl)的聚碳酸酯等作為相位差薄膜N1 用較廉價、穩定且容易操作的聚4-曱基-i_戊烯或其共1 103 1359319 24263pif.doc 構成相位差薄膜A。 此外，於積層體謂巾，至少一片相位差薄膜A在 波長為：〇0 nm時的面内相位差Re的絕對值(亦可 下述範圍， 15mn 糾 Re(55〇)丨 $45_。 ,若如上所述相位差小，則可由聚4-甲基戊烯等相位 差小的材料而構成相位差薄膜八，且可進一步減少聚‘曱 φ 基戊f的延伸倍率，因此，無須進行技術性障礙(hurdle) 向、且南倍率的聚4-曱基小戊稀的延伸。因此，可使用更 谷易製造的材枓作為相位差薄膜A，從而可提高整個積層 體1100的製造效率。 於下述實施形態中，以與第一實施形態不同的方面為 中心而進行說明。再者，除非特別聲明，第一實施形態之 較好的類型亦可於下述實施形態中用作較好的類型。 (第二實施形態） 本實施形態是第一實施形態的積層體的變形例。 ® 圖5是表示本實施形態之積層體的概略結構的剖面 圖。 圖5所示的積層體1120的基本結構與圖4所示的裝置 (第一實施形態)相同，然而，於積層體.1120中，相位差薄 膜包含兩片相位差薄膜C(C1、C2)，液晶單元L、兩片相 位差薄膜C及兩片相位差薄膜a(A1、A2)是以C1、A1、L、 A2、C2的順序而配置的。再者，該配置並未限定於C1、 Al ' L、A2、C2實際上物理黏著的情形，亦可於Ci_ai 104 1359319 24263pif.doc 間、AI—L間、L、A2間、A2〜c2間隔著實質上不具有 相位差的層。 於上述配置中，亦可獲得與第一實施形態相同的作用 效果。 此外三參照圖8 ’就此時的偏光狀態的變化加以說明。 通過第士偏光薄g P1時的偏光狀態是以龐卡瑞球赤 運上的T來表示的。藉由通過相位差薄膜（，而光移動至 北側的V1點，扯々卜，由货 / 匕外豬由弟一相位差溽膜a(AI)，使 ==曰中，右旋轉旋轉祕移動至R1點。其 -人，先猎由液日日早元L(+c相位 點。此外，藉由第二相位差薄:==移， 轉中心旋轉旋轉角α2而旋韓 二^：；$以Α為旋 差薄膜c㈣而使光與nt2。纽可错由第二相位 如上所述，使偏光狀態的移… 移動，藉此可進—步提高視野角H赤逼面而對稱的 另外，於積層體1120中 晶單元L朝向偏光薄膜p，依两相:曰:二兩:則，自液 膜C的順序而配置著相位：相位忘箱A、相位差薄 層體U00之情形以外，進_二、二目此，除圖4所示的積 膜A的在針瑞球上之旋轉U藉由第—及第二相位差薄 補正所需的相位差薄膜A之傻均較大，故可進-步減小 薄臈A的材料選擇的自相位差。因此’可提高相位差 薄膜A的膜厚，因此·;=外’可進-步減小相位差 又，钟Wr#& ^ ] 4個積層體的厚度。 又執跡移動的隔著赤 、且相對於通過點A及點丁 105 24263pif.doc 再者，於本實施形態中，伽 兩片相位差賴A具有負雙折相位差薄膜之中至少 暗狀態下㈣漏絲度。、’、可。如此’可大幅降低 另外，於本貫施形態中，亦可使相位差薄 位差溥膜A2之中至少-片為顯示逆波長分散的結構1
此，與第—實施絲相同，可進1減少色彩偏移 (第三實施形態） 本實施形態是關於一種具備上汁每 謂上述貫施形,％所述之積声 體的液晶顯示元件。以下，以使帛g # '曰 R扣弟—貫施形態之積層體 的情形為例加以說明。 圖6是表示本實施形態之液晶顯示元件的結構的圖。 圖6所示的液晶顯示元件，例如，是透過型液晶顯示元件， 且具備積層體1100 ' %光、衫色濾光片、電壓施加元件(未 圖示）等。
間之中心的經線的對稱性優良， 、 視野角高洩漏光強度亦低的優良特=，進一步可期待即便 圖6所示的液晶顯示元件，更具體而言，其結構為自 下侧開始依序積層有燈(lamp)、擴散板、稜鏡(prisni)板、 亮度提昇薄膜、偏光薄膜、相位差薄膜C、相位差薄膜A、 玻璃板、配向膜、液晶、彩色濾光片、玻璃板、相位差薄 膜A、相位差薄膜C、偏光薄膜及防眩(anti-glare)&無反射 層0 液晶單元L，例如，為垂直配向(Vertical Aligned，VA) 型。此時，於液晶單元L中的液晶層上，當未施加電壓時， 106 1359319 24263pif.doc 液晶分子的長軸是配向於實質上垂直於液晶單元L的基板 表面的方向上的。然而，液晶單元L並非限定於VA型， 例如’亦可為橫向電場切換（In_Plane Switching，IPS)型等。 當液晶單元L為VA型時，VA液晶與相位差薄膜+c 相同’因此’為了補正因傾斜視野角而產生的液晶的相位 差，必須使用至少一片相位差薄膜-C。若將上述實施形態 之積層體的結構用於VA型液晶單元L，則可有效地利用 該相位差薄膜-C的功能，從而有可省力化的優點。 背光是與積層體1100中的偏光薄膜P1或偏光薄膜P2 相對向而配置的，且包括光源(燈)及導光板(擴散板、稜鏡 板）。 彩色濾光片配置於偏光薄膜P1或偏光薄膜P2與液晶 單元L之間。 電壓施加元件對設於構成積層體1100中的液晶單元L 的基板上的電極施加電壓。 再者，圖6中，例示了具備圖5所示的積層體11〇〇(第 二貫施形態）的結構，然而’本實施形態之液晶顯示元件亦 可為具備圖4所示的積層體（第一實施形態）的結構。又， 液晶顯示元件可為透過型、反射型' 半透過型的任一種。 又’於本實施形態中，亦使相位差薄膜A之中至少一 片為顯示逆波長分散的結構，藉此，與第一實施形態相同， 可進一步減少色彩偏移。 以上’參照圖式，就本案第三發明之實施形態進行了 說明’然而，上述說明是本案第三發明的例示，亦可採用 107 1359319 24263pif.doc 除上述以外的各種結構。 「本案第四發明」 本案第四發明是關於一種積層體、相位差薄膜及使用 其之液晶顯示元件。 液晶顯不裝置的基本結構為，用兩片偏光板p夹著液 b曰單元L然而，因液晶單元L具有自身的雙折射及其角 度依賴性，故會產生對比度惡化、視野角下降等，從而導
5液晶顯示裝置的圖像品質下降。因此，使用各種相位差 溥膜’對液晶單元L的雙折射進行補正。 列t 逍過液晶單元的光中有時會含有無法用偏光薄 、义過遞、的圓偏光成分，從而顯示的對比度惡化。因此， ，，使通過液晶單元的光在入射至偏光 柄她差板，而補正此種偏光 液晶顯示元件的對比度。 以下，就先前的光補正方法加以說明。
以定^先’作為本鮮四發明的前提，紅、負雙折射加 就相位差薄膜A而t，者伟 达 、， 的最大折射率、ny為該相' 的面内 向的折射料，她目衫_的法線方 所謂的+A薄膜而起=1^足呈下古述式(4叫）時，作為 當相位差薄膜A糾下述有正(+)雙折射。又， 而起仙，以為騎;'^折作為㈣料薄膜 108 1359319 24263pif.doc ηχ>ny > ηζ (4-1) ηζ > ηχ> ny (4 — 2) Α意指包含+α及-Α兩者。
又，就相位差薄膜C而言，當薄膜的膜厚方 率大於面内折射率時定麟具有印)雙折射，當膜射 的折射率小於面内折射率較義為具有負（_)雙折射了八向 表示為相位差_+C及相位差_心當相位差薄 作為+c薄膜而起作用時，滿足下述式(4_8)。又，;相位 差薄膜C作為-C薄膜而起作用時，滿足下述式(4〜3)。 nx > ny>nz (4-3) nz>nx> ny (4 — 8) c意指包含+c及-C兩者。 於上述前提下’作為先前的補正方法，若以液晶單元 L為垂直配向(Vertical Aligned，VA)型的情形、即液晶留_ L為+C型的情形為例，則已知有下述三種： ⑴交叉A類型補正，
(ii) AC類型補正，以及 (iii) ACA類型補正。 其中，上述(i)交叉A類型補正是使用具有正雙折射的 相位差薄膜+A及具有負雙折射的相位差薄膜-A的補正， 且其具體配置為-A+L-C+A或L-C_A+A(其中，於上述配置 中’ L與-C鄰近’其順序任意。而+A與-A的順序任意。）。 上述(ii)AC類型補正的具體配置為-A-C+L、L-C-A、 L-C+A+C或L-C+A(其中，於上述配置中，L與-C鄰近， 109 1359319 24263pif.doc 其順序任意。）。 (ii)就AC類型補正而言，已為國際公開第03/032060 號單行本所揭示。該文獻是關於一種具備相位差薄膜的液 晶顯示元件的技術。該文獻中揭示有使用相位差薄膜A及 相位差;4膜C，依照A、C、L等順序配置上述相位差薄膜。 至於，上述(iii)ACA類型補正中，於兩侧的相位差薄 膜A之内側配置有液晶單元L，且其具體配置為+a+l_c+a 及-A-C+L-A(其中，於上述配置中，L與-C鄰近，其順序 任意。）以及-A-C+L-C-A 及+A-C+L-C+A。 以下，參照圖39 ’就上述⑴之補正法加以更詳細說 明’以作為上述補正法的一例。 於圖39中，與背光側偏光鏡P1鄰接而配置有具有負 雙折射的相位差薄膜-A(第一相位差薄膜)A1 ,並使其光學 軸與背光側偏光鏡P1之吸收軸（圖中的箭頭方向)正交，此 外，與相位差薄膜Λ1鄰接且以下述順序配置有相位差薄 膜C、液晶單元L。此外，與液晶單元[鄰接而配置有具 有=雙折射的相位差薄膜+A(第二相位差薄膜)A2，並使其 光于轴與者光側偏光鏡Pi的吸收轴一致。面板出射側偏 光鏡P2是配置為其吸收軸與背光側偏光鏡P1白勺吸收軸正 交。 芬照魔卡瑞球表示（圖4〇)，就該方式下的偏光狀態的 受化加以說明。 ，40一中的τ表示背光側偏光鏡ρι的透過偏光袖方 表不面板出射側偏光鏡p2的吸收軸方位。於垂直 110 1359319 24263pif.doc 入射時㈣。或方位角卜90。之整數倍時，A與τ的方位 -致，此’通過背細偏光鏡ρι的光全部由面板出射 側偏光鏡P2所吸收，並未產生光洩漏。 刀另一方面，以視野角θ = 60〇、方位角卜45。為例，參 照魔卡瑞球表示的圖4G，就傾斜視野角的狀態加以說明二
此處，通過背光側偏光鏡P1 ό勺光之偏光狀態是相春 於魔卡瑞球上之τ的直線偏光。透過背光㈣光鏡ρι二 先錯由通過第-相位差薄膜A1 ’而以旋轉中心軸a =而向反時針方向旋轉6G。，成為以點从所表示的左轉擴 圓偏光，此後，藉由其次通過的她差_ c(_c)，以^
軸為旋轉中心軸旋轉而到達V點，成為右轉橢圓偏光。藉 ，更次逋過的液晶單元L而返回至“點。其次，藉由通過 ，二相位差薄膜A2，而以τ為旋轉中心軸向左旋轉6〇。.， 藉此最終偏光狀態回到A。因該A點與面板出射側偏光鏡 P2的吸收軸一致，故該偏光的光全部被吸收。其即為傾斜 視野時亦可減少光洩漏的原理。 以上所介紹的先前的補正方法中代表性方法的詳細内 谷，例如，為 Deng-Ke Yang, Shin-Tson Wu,「Fundamentals ofLiquid Crystal Devices j , John Wiley & Sons Inc, 2006 p.213〜234所介紹。 ’ 然而，於上述補正方法中’相位差薄膜所需求的相位 差杈大。參照圖41就該方面加以說明。圖41是為了使圖 40更容易理解而將龐卡瑞球面上的執跡投影於赤道上的 平面圖。 111 1359319 24263pif.doc 於圖41中’連結點a、T及Μ的三角形與視野角無 關’為正三角形，因此，相位差薄膜Α所引起的旋轉角度 為60°。該角度的相應相位差Re與該旋轉角度r成正比 例，且滿足下述關係， 旋轉角度Γ = 。 因此’第一及第二相位差薄膜Α所需求的相位差，為 波長為550 nm時面内相位差約為90 nm。
以上，就所謂上述⑴的交叉A補正類型(·Α、+A)的補 正方法進行了說明，然而，上述國際公開第03/032060號 單行本中所揭示的(ii)AC類型補正方法亦可據此來說明。 然而’於AC類型補正法的情形時，相位差薄膜α所必需 的相位差須要為140 nm左右及更大的相位差。
如上所述，於國際公開第03/032060號單行本之配置 的情形時’相位差薄膜A須要具有例如140 nm左右的較 大的相位差，從而就可用作相位差薄膜A的材料的自由度 方面而言，尚有改善的餘地。又，於該文獻所揭示的補正 方法中，因相對於方位角的對象性未必充分，因此就充分 確保液晶顯示装置的視野角的方面而言，尚有改善的餘地 本案第四發明是鑒於上述狀況研製而成的，且提佴一 種即便於使料目位差較小的_時亦確保液晶面板的暗 態下的光㊅漏減少、傾斜視野_低③漏光及廣視野角曰的 根據本業弟四發明.用相位差較小的 情形時，亦可確保液晶面板的暗狀態下的光茂漏減少^ 112 1359319 24263pif.doc 斜視野時的低洩漏光及廣視野角。 以下，參照圖式，就本案第四發明之實施形態進一步 加以詳細說明。再者，於所有的圖式中，對共同結構要素 標記相同的符號，且適當省略說明。 (第一實施形態） 圖24是表示本實施形態之積層體的概略結構的剖面 圖。 圖24所示的積層體2110具備：第一及第二偏光薄膜 (P卜P2);液晶單元L，配置於偏光薄膜P1與偏光薄膜P2 之間；以及多片相位差薄膜，配置於偏光薄膜P1與偏光 薄膜P2之間。液晶單元L由一對基板及夾持於基板間的 液晶層而構成。於本實施形態及下述實施形態中，就兩片 偏光薄膜的配置而言，例如，使偏光薄膜P1為背光側偏 光薄膜，使偏光薄膜P2為面板出射側偏光薄膜。 多片相位差薄膜包含多片相位差薄膜A(相位差薄膜 A1、相位差薄膜A2)及相位差薄膜C。再者，圖24中，例 示了具備兩片相位差薄膜A及一片相位差薄膜C的結構， 然而，在第二實施形態以後的實施形態中，如下文所述， 積層體亦可進一步包括相位差薄膜A或相位差薄膜C。 於積層體2110中，相位差薄膜A：l、相位差薄膜A2、 相位差薄膜C及液晶單元L是以L、A；l、C、A2的順序而 配置的。再者，該配置並未限定於L、Al、C、A2的鄰接 部實際上物理黏著的情形，亦可於L與A1之間、A1與C 之間或C與A2之間隔著實質上不具有相位差的層。 113 1359319 24263pif.doc 又，圖24表不以Pl、L、A1、C、A2、的 配置的例，然而，亦可相反地配置P1&P2。，順序而 其次，就相位是薄臈A及相位差薄膜c的結構加r 一 首先，就相位差缚膜A加以說明。 [相位差薄膜A]
多片相位至溥膜A(相位差薄膜A1及A 足下述式(4 一 1)及(4 —2)的任一項。 蜀立滿 nx > ny > nz (4 — 1) nz > nx>ny (4 — 2) 、丄心八口 π入代P —2)中，nx為相位差声 的最大折射率，ny_相位差薄膜面内的 ^、内 率的方向正交之方位的折射率，nz為相位差_:= 向的折射率。） 泉方 此處，於相位差薄膜A滿足上述式(4〜υ日士，
謂的+Α薄膜而起作用，於滿足上述式(4 —2)時了作= 的-Α薄膜而起作用。 f句所明 又，相位差薄膜Α1或Α2亦可具有下述性質（逆 分散），即’於規定的波長範圍，波長越短，由雙折射所產 生的相位差越小。具體而言，使相位差薄膜八〗或八2的結 構為’波長為450 nm時的面内相位差Re(45〇)、波長為55〇 nm時的面内相位差Re(550)及波長為65〇 nm時的面内相 位差Re(650)滿足下述關係， (4一4)、以及
Re(450)/Re(550)<l 114 1359319 24263pif.doc
Re(650)/Re(550)>〗 （4-5)。 再者，於本案第四發明中，面内相位差Re及下'+ 度方向相位呈K是分別由下述式來計算的。 义厚 nx為相位差薄膜的面内的最大折射率，、下处式中， 面内的與顯示最大折射率的方向正 =目位差薄膜 =差薄膜的法線方向的折射率。又，d為 的厚度。 日1立差磚臈 每 Re=S(nx —ny)xd K= {nz—(nx + ny)/2} xd。 此處，S為用以區別正負雙折射的符號… 甩-(負），+A的情彤採用+(正）。 ；L 5情开>採 其次’就相位差薄膜A的叫士丨u 者，相位差_ A1與A2的材;:可力：,明:再 限： = 上 :亦可由上述(共)聚合物⑷而構成:相 例如於=的(_物⑷的含量， 等於5〇秦小於等於1〇=^洲秦較佳是大於 甲基:===’更具體而言，可例示:3_ 物、或彼此相互或4·甲基小賴之單獨聚合 /、Λ·Κ物，更可例示：與其他可共聚合之 115 24263pif.doc „笨乙烤、丙稀腈、氯乙稀、乙酸乙豨醋、丙稀酸 酉二旨等的共聚物，又另可例示：上述聚合物 肖其他熱可塑性樹脂或合成橡㈣摻合物、欲段 ς♦、接枝共聚物等。（共)聚合物⑻的結構單元卜來 曱基小戊烯、3_曱基七戊烯、或3-曱基·1·丁烯的 二構早兀’就更提高樹脂的透明性、耐熱性等各種特性的 =衡的觀點而言，其合計量通tA於等於2() _1%、小於 等於100 mol%，較佳是大於等於5〇 m〇i%、小於等於⑽ 削1%，更好的是大於等於80mol%、小於等於1〇〇 _〇/〇。 (共)聚合物⑷中’ 4-曱基-κ戊烯(共)聚合物的透明 性 '剝離性等優良，且可較好地與光學元件組合而使用， 因此較好。又，3-曱基-1-戊烯(共）聚合物及弘曱基_丨_丁 (共）聚合物，就耐熱性優良、製程的自由度、或使用條 之自由度等觀點而言較好。以下，分別就上述事項加以 具體說明。 < [4-甲基-1-戊烯(共)聚合物] 4-甲基-1-戊豨(共）聚合物，具體而言，是曱基4 稀的單獨聚合物，或者是4•曱基q•戊締與乙料碳^子$ 大於等於3小於等於20的其他α-烯烴例如丙烯、〗_丁烯、 1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、7-十四烯、1_十八烯等的丘肀物 本案第四發明中可較好地使用的4-甲基七戊蝉⑻聚合物 中，通常而言，來源於4-曱基-1-戊烯的結構單元的含息 於等於85 mol。/。’較佳是大於等於90 。構成 戊烯(共)聚合物的來源於除4-甲基小戊烯以外的結“ 1359319 24263pif.doc 成分並無特別限制，可適當使用可與4-曱基戊烯共聚合 的各種單體’然而，就容易取得及料合特性粒點而言， 可較好地使用乙烯或碳原子數大於等於3小於等於2〇的α_ 烯烴。其中’較佳是碳原子數大於等於7 烯烴，尤其好的…烯、= 烯及1-十八烯。 4-甲基-1-戊烯(共）聚合物的以AST]VI D]238為標準且 在荷重為15 kg、溫度為26〇C的條件下所測定的熔體流動 Ψ 速率(MFR)，是根據用途來決定種類的，然而，通常而言， 是大於等於1 g/10 min小於等於50 g/10 min、較佳是大於 等於2g/10min小於等於40g/l〇min、更好的是大於等於5 g/10 min小於等於30 g/10 min的範圍。若4_曱基戊烯(共) 聚合物的熔體流動速率處於如上所述的範圍，則薄臈成妒 性及所獲得的薄膜的外觀良好。又，較理想的是，炫點處 於大於等於10CTC小於等於240。0、較佳是大於等於15〇 小於等於24〇t：的範圍。 # 此種冬甲基-1-戊烯(共）聚合物可使用先前眾所周知的 方法來製造’例如，如曰本專利特開昭59 —2〇6418號公報 所揭示，可藉由於催化劑存在下聚合4_曱基戊烯與上述 乙烯或α-烯烴而獲得。 〜 1>曱基-1-戊烯(共)聚合物] 曰3-曱基-μ戊烯(共）聚合物的較好的共單體種、共單體 含夏、MFR、熔點等與上述4_甲基_丨_戊烯(共）聚合物的情 形相同。本案第四發明中可較好地使用的3 _曱基_丨_戊烯(共） 117 1359319 24263pif.doc 聚合物，可使用先前眾所周知的方法來適當制2, 本專利特開平。6,48號公“示::法 [3-曱基-1-丁烯(共）聚合物] 3-曱基丁烯（共）聚合物的較好的共 含量、MFR、熔點等與上诚 ,共早體 形相同。《“㈣^的情 聚合物’可_先前眾所周知的方法來 i ⑻ =本專利特開平™號公_揭示:;法 [除(共後合物⑻以外構成相位差薄膜A的成分 相位A亦可含树上述共聚物⑹以外 成/刀。除，、聚物⑻以外的成分亦可為除共聚物 之 種樹脂或讀_。料各種餘尤其好蚊透日憂， =樹月^例如二可使用環㈣烴(共)聚如轉各種聚^良 务、石反酸酯、聚苯乙烯、醋酸纖維素樹脂、氟系取: 細乐橡料。又，於不損害本案第四發明的己 可於本案第四發明所使㈣相位差㈣ ， =、抗氧化劑、耐熱穩定劑、剝離劑 外的特殊的添加劑中使用的各種添加劑、或除此以 [相位差薄膜A的製造方法] 118 1359319 24263pif.doc 成，所—適當製 混合機、滚筒授掉器混合(共;外亨舍爾 的方法，或者用上述攪掉器 ㈠。除此以外之成分 雙軸擠製機、捏合機、班布里混：二：：用單軸擠製機、 粉碎，繼而湘壓製成形、。:π，融混煉而造粒或 地進行生產，較佳是溶液祕料錢。為了有效 法等。 膨脹成形法或掩製成形 又 藉由將所獲得的薄膜延伸，可將雜 依賴性、其溫度依賴性等物性光學 ^ 角度 。可根__絲性質等而適^ ，延伸倍率’然而’通常而言大於等於L5倍、小二 於10倍，較佳是大於等於2倍、小於等於5倍。j於寸 相位差薄膜A的厚度並無特別限制，然而，通常而+ 大於等於1〇拜、小於等於200 _，較佳是大於等於 μιη、小於寻於100 μιη。藉由使膜厚處於此種範圍，可 一倾高薄膜的生產性。又，.可抑制於薄膜成 孔等，從而可提高強度。 針 又，作為相位差薄膜Α的材料另可列舉A 標）、ZEONOR(註冊商標）等。 冏 於本實施形態中，更具體而言，較佳是，相位差薄膜 A具有包含4-曱基.i•戊烯(共)聚合物的層。藉此，例如，' 可提高相位差薄膜A的耐熱性’降低製造成本，此外 】19 1359319 24263pif.doc 減輕環境負荷。 其次’就相位差薄膜C加以說明。 [相位差薄膜C] 相位差薄膜c滿足下述式(4一3)。 nx > ny > nz (4 — 3) (上述式(4 — 3)中，nx為相位差薄膜的面内的最大折射 率’ ny為该相位差薄膜面内之與顯示最大折射率的方向正 • 交之方位的折射率，nz為相位差薄膜的法線方向的折射 ^ 〇)〇 又，於本實施形態中，使至少一片相位差薄膜c的結 構為’波長為450 nm、550 nm及650 nm時的痄古—士0 位差 K(450)、K(55〇)及 Κ(65〇}滿足下述式(4·^ Γ 〇 Κ(450)/Κ(550) > 1 (4-6) 僅於厚度方向具 ’並有效地補正 相位差薄膜C如上述式(4 —3)所示，
令相位差，作為所謂的負C薄板而起作用 液晶的視野角。 入 Q t ,「地玲偁’即，波長為450 及‘：時的厚度方向相位差 如此，可於于更廣波以外還滿足下述式(4—7)。 此可於更廣“二門二圍内顯不通常的波長分散特性，因 、更石波長现圍内進行穩定的補正。 】20 1359319 24263pif.doc Κ(650)/Κ(550) < 1 (4-7) 其次，就相位差薄膜C的材料的具體例加以說明。 相位差薄膜C的材料只要可顯示上述性質則並無特別 限制，例如，可使用國際公開第06/033414號單行本所揭 示的材料。 更具體而言，相位差薄膜C的材料，可列舉含有脂環 式結構的聚合物。相位差薄膜C既可全部由該含有脂環式 結構的聚合物而構成，亦可由該含有脂環式結構的聚合物 而構成該薄膜之一部分。 含有脂環式結構的聚合物是在聚合物的重複單元中含 有脂環式結構的聚合物，且可於主鏈及侧鏈之任一者中含 有脂環式結構。脂環式結構可列舉環烷烴結構、環烯烴構 造等，就熱穩定性等觀點而言較佳是環烷烴結構。構成脂 環式結構的碳原子數並無特別限制，通常是大於等於4 個、小於等於30個，較佳是大於等於5個、小於等於20 個，更好的是大於等於5個，小於等於15個，若碳原子數 處於上述範圍，則可獲得耐熱性及柔軟性更優良的薄膜。 可根據使用目的，而適當選擇含有脂環式結構的聚合物中 的具有脂環式結構的重複單元的比例，然而，通常是大於 等於20 wt%，較佳是大於等於40 wt%，更好的是大於等 於6 0 wt%。若含有脂環式結構的聚合物中的具有脂環式結 構的重複單元的比例過少，則可能耐熱性下降。再者，含 有脂環式結構的聚合物中的具有脂環式結構的重複單元以 外的剩餘部分並無特別限定，可根據使用目的而適當選擇。 121 1359319 24263pif.doc 另外，含有脂環式結構的聚合物的含量並無特 市J ’然而就光學均質性觀點等而言，通常少於等於 wt%、小於等於100 wt%，較佳是大於等於6〇 wt%、巧刈 等於100 wt%，更好的是大於等於70 wt°/。、丨私楚狄於 小於寻於1 〇〇
Wt%。又，除該樹脂以外的成分並無特別限制，然而， 如’就提高耐衝擊性等觀點而言，可添加烯煙系彈性體^ 苯乙烯系彈性體。又，如下所述，亦可使用除此以外的1 種添加劑。 作為含,脂環式結構的聚合物樹脂的具體例，可歹^声 (a)降冰片烯系聚合物、（b)單環的環狀烯烴系聚合物、 環狀共軛二烯系聚合物、（d)乙烯基脂環式烴聚合物及上述 聚合物的氫化物等。其中，就尺寸穩定性、透氧率、透= 度、耐熱性、機械強度等觀點而言，較佳是降冰片烯系聚 合物、乙稀基脂環式烴聚合物及此等聚合物的氫化物等。 0)降冰片烯系聚合物 作為降冰片烯系聚合物，可列舉降冰片烯系單體的開 裱聚合物、降冰片烯系單體與可與之開環共聚合的其他單 體的開環共聚物及此等開環聚合物的氫化物、降冰片稀系 單體的加成聚合物、降冰片烯系單體與可與之共聚合的其 他單體的加成共聚物等。 。。姊降冰片烯系單體的開環聚合物之氫化物及降冰片烯系 早體與:與之開環共聚合的其他單體的開環共聚物之氫化 =中，若其氲添加率大於等於99%,則透明性(尤其指初期 κ化度較低）、穩定性(尤其指長期難以產生黃化）等性質優 122 1359319 24263pif.doc 良，大多可抑制產生凝膠，從而較好。 1述聚合物巾，就容㈣得職的她延遲的方面而 言’最好的是降冰片稀系單體與可與之共聚合的其他單體 的加成共聚物。 作為降冰片m體，可列舉雙環[2·21]υ烯(慣 用名/·降冰片稀）、5-甲基-雙環[2.2.】]-庚_2_稀、5,5_二甲基 -雙，[2.2.1]·庚-2-晞、5_乙基-雙環[2 21]_庚_2_烯、5_丁基_ • 雙f2·1] 一庚烯、己基-雙環[2.2.]]-庚-2-烯、5-辛基 -雙壞[2·2·1]·庚_2_烯、5_十八烧基_雙環[221]-庚_2_烯、5_ 亞乙基-雙锿[2.2.1]_庚_2_烯、5·次甲基_雙環[2·21]_庚-2_ 烯\乙稀基·雙環[2.2.1]_庚_2_烤、5_丙稀基_雙環[2.21]_ 庚2-稀、μ氧基·幾基_雙環[2 2.1]_庚_2_烯、5_象基-雙環 仏2.1]_庚·2-烯、5_曱基·5_曱氧基羰基-雙環[2.2.1]-庚-2-f、巧氧基幾基-雙環[2.2扑庚·2_稀、5_乙氧基裁基_雙 = 庚_2_烯' 5_甲基乙氧基羰基·雙環[221]_庚_2_ • ?雙邱.2.1]-庚_5-稀基-2-曱基丙酸酉旨、雙環[2.2.1]·庚-5-f基_2-曱基辛_、雙環似丨]•庚_2_烯_5,6_二紐針、5_ L甲十雙耐2.2.^庚1烯、Μ·二(羥甲基)_雙環[I2·。 庚、5令基-異丙基-雙環[2.2.1]-庚-2-燁、雙環[2.2.1]-^-2-烯、5,6-二缓基-雙環[2 21]_庚_2_烯、雙環[2 21]_庚_2_ =-5,6·—鲮睃醯亞胺、5_環戊基_雙環[221]_庚_2_烯、5_ =己基^每[2.2.1]_庚稀、5_環己稀基-雙環[221]_庚_2_ 稀5·笨基-雙環[2·21]_庚_2_稀、三環[4 3」25 〇16]_癸_3,7_ 二稀(慣用名二環戊二稀）、三環[4 312_5 〇].6]_癸_3_烤、三環 123 1359319 24263pif.doc [4.4.125.016]-十一_3,7-二烯、三環[4,4.125.016]-十一-3,8-二 烯、三環[4.4.12 5·〇16]-十 一-3-烯、四環[7.4.广」3.0丨·9.02.7]_ 十二_2,4,6-11-四稀（亦稱為1，4-曱燒_i,4,4a，9a-四氫苟，慣 用名：曱烷四氫芴）、四環[8.4.lni4.〇〗10.〇3.8]·十四
-3,5,7，12·11-四烯（亦稱為 l，4-曱燒_i，4,4a，5,10,10a-六氫化 蒽）、四環[4.4.12.5_17·】ο.0]-十二-3-烯(亦稱為四環十二烯）、 8_曱基-四環[4.4.12.3]7.丨〇.0]十二烯、8-乙基-四環 [4·4.12·5.17 ]ί)·〇]-十二_3-烯、8-次 p 基四環[4.4.ι25.ι7.ι〇·〇]_ 十二-3-烯、8-亞乙基-四環[4.4.12_5·ι7·丨〇·〇]_十二·3·烯、8_乙 烯基-四環[ΚΙ2.5」7.!%]-十二_3_烯、8_丙烯基-四環 [4.4.1 .1 ·0]-十二-3-烯、8-曱氧基羰基-四環 [4.4.12,Γ·10〇]-十二_3_烯、8·甲基甲氧基羰基-四環 [4.4.1 .1 .0]-十一-3-稀、8-經甲基-四環[4.4.12.5.17.10 〇]_
十二-3-烯、8-羧基十二_3_烯、8_環戊 基-四裱[4.4.12_5.17·10.〇]_十二·3_烯、8_環己基_四環 [4_4.12’〉.17_】0.〇]-十二_3·烯、8_環己烯基·四環 [4.4.1 .1 .〇]-十一-3-烯、8-苯基·四環[4.4·12·5·ΐ7·ΙΟ·〇]_十 二-3-烯、五環[6.5.1〗 W.7〇9.]3]_十五_3，1〇_二烯、五 [7.4·13.6.110.Ι3.〇19.〇2·7ι·+：^ 411 十五4，11-—稀寻，但並未限定於上 述單體。上料冰片_單體可分別單獨朗，或可組合 使用兩種或兩種以上。 上述降冰^系單體的開環聚合物、或降冰片稀系單 體與可與之㈣共聚合的其他單體的開環共聚物，可於開 %聚σ催化d存在下聚合單體成分而獲得。作為開環聚合 124 1359319 24263pif.doc 催化劑，例如，可使用包含釕、铑、纪、锇、銀、#等金 屬的齒化物、硝酸鹽或乙醯丙酮化合物及還原劑的催化 劑，或包含鈇、飢、錯、鶴、銦等金屬的鹵化物或乙酸丙 酮化合物及有機铭化合物的催化劑。聚合反應是在溶劑中 或無溶劑的狀態下，通常於-50°C至100°C左右的聚合溫度 下，於0至50 kg/cm2左右的聚合壓力下進行的。作為可 與降冰片烯系單體開環共聚合的其他單體，例如，可列舉 環己烯、環庚烯、環辛烯等單環的環狀烯烴系單體等，但 並未限制於此等單體。 降冰片烯系單體的開環聚合物的氫化物，通常而言， 是於上述開環聚合物的聚合溶液中添加氫化催化劑，對碳-石炭不飽和鍵結添加氫，藉此獲得。作為氫化催化劑並無特 別限定，通常使用有不均勻系催化劑或均勻系催化劑。 降冰片烯系單體、或降冰片烯系單體與可與之共聚合 的其他單體的加成（共）聚合物，例如，可於溶劑中或無溶 劑的狀態下，在包含鈦、錯或叙化合物及有機紹化合物的 催化劑之存在下，通常而言在-50°C至100°C左右的聚合溫 度下，利用0至50 kg/cm2左右的聚合壓力，使單體成分(共) 聚合而獲得。 作為可與降冰片烯系單體共聚合的其他單體，例如， 可使用：乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、3-曱基-1-丁烯、3-甲基-1-戊烯、3-乙基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、4-曱基-1-己烯、4,4-二甲基-1-己烯、4,4-二甲基-1-戊烯、4-乙基-1-己烯、3-乙基-1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯、 125 1359319 24263pif.doc 1-十四烯、1-十六烯、1-十八烯、1-二十烯等碳原子數大於 等於2小於等於20的α-烯烴； 環丁烯、環戊烯、環己烯、3,4-二曱基環戊烯、3-曱基 環己烯、2-(2-曱基丁基)-1-環己烯、環辛烯、3a,5,6,7a-四 氫-4,7-曱烷-1H-茚等環烯烴；以及 1,4-己二烯、4-甲基-1，4-己二烯、5-曱基-1,4-己二烯、 1,7-辛二烯等非共軛二烯； 等，但並未限定於此等單體。其中，較佳是α-烯烴， 尤其好的是乙稀。 上述可與降冰片烯系單體共聚合的其他單體，可分別 單獨使用，或可組合使用兩種或兩種以上。於加成共聚合 降冰片烯系單體與可與之共聚合的其他單體的情形時，加 成共聚物中來源於降冰片烯系單體的結構單元與來源於可 與之共聚合的其他單體的結構單元的比例，是適當選擇而 為下述範圍的，即，以重量比而計，通常為30 : 70至99 : 1，較佳是50 : 50至97 : 3，更好的是70 : 30至95 : 5。 (b) 單環的環狀烯烴系聚合物 作為單環的環狀烯烴系聚合物，例如，可使用環己烯、 環庚稀、環辛燁等單環的環狀稀烴系單體之加成聚合物， 但並未限定於此等加成聚合物。 (c) 環狀共軛二烯系聚合物 作為環狀共軛二烯系聚合物，例如，可使用對環戊二 烯、環己二烯等環狀共軛二烯系單體進行1,2-或1，4-加成 聚合的聚合物及其氫化物等，但並未限定於此。 126 1359319 24263pif.doc 用作相位差薄膜c的降冰片烯系聚合物、 烯烴系聚合物或環狀共軛二烯系聚合物的分子量長θ %狀 使用目的而適當選擇的，然而，以環已 ;^根據 不溶解時為甲苯溶液)的凝膠渗透層析法二(=，旨 -烯或聚苯乙稀換算之重量平均分子量Mw 、匕戊 大於等於5,000小於等於1000,000、較佳 、书是 小於等於_，_、更好的是大於等於1()‘寺於8_ 500,000的範圍時，大多使成形體的機強 於等於 性更高度地平衡而優良。 知度/、成形加工 (d)乙埽基脂環式烴聚合物 作為乙烯基脂環式烴聚合物，例如 環己烯、乙烯基環己煊箄厂法其日J使用·乙：％基 及其氬化物'，笨二 ::早體=聚合物的芳環部分之氫化物等。此時， 烯基脂壤式聚合物或乙稀基芳香族系單雕、 ’ :體共聚合的其他單體的無規共聚物:嵌二(:物 但並無特二 合物樹脂未溶解目時=適2擇的’以使用環·液(聚 的聚異戊二埽液）的凝膠渗透層析法所測定 計，通常而言是^等之重量平均分子量Mw而 是大於等於_小於等於、較佳 ，小於寻於5〇〇,⑻0、更好的是大於等於 127 1359319 24263pif.doc 20,000小於等於300,000的範圍時，大多使成形體的機械 強度與成形加工性高度平衡而優良。 相位差薄膜C中，亦可根據需要而調配各種添加劑。 作為添加劑，例如，可列舉以三醋酸纖維素為代表的各種 纖維素樹脂等吸水率超過0.1%的各種樹脂，或，又例如， 可列舉抗氧化劑、光穩定劑、紫外線吸收劑等穩定劑、抗 靜電劑等，只要不損害本案第四發明的目的則並無特別限 制。 作為抗氧化劑，可列舉苯齡系抗氧化劑、礙系抗氧化 劑、硫系抗氧化劑等，其中較佳是苯盼系抗氧化劑，尤其 好的是烷基取代苯酚系抗氧化劑。藉由調配此等抗氧化 劑，而不會降低透明性、时熱性等，即可防止氧化劣化等 所導致的著色或強度下降。 作為紫外線吸收劑，可列舉二苯曱酮系紫外線吸收 劑、苯並三唑系紫外線吸收劑等，其中，就耐熱性、低揮 發性等觀點而言，較佳是2-(2'-羥基-5’-曱基-苯基)苯並三 唑、2-(2H-苯並三唑-2-基)-4-曱基-6-(3,4,5,6-四氫鄰苯二醯 亞胺基曱基)苯酚、2-(2H-苯並三唑-2-基)-4,6-雙(1-曱基-1-苯基乙基)苯酚等。 作為光穩定劑，可列舉二苯甲酮系光穩定劑、苯並三 唾系光穩定劑、受阻胺系光穩定劑等，但本案第四發明中， 就透明性、耐著色性等觀點而言，較佳是使用受阻胺系光 穩定劑。 上述抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑等可分別單 128 1359319 24263pif.doc 獨使用’或可組合使用兩種或兩種以上，其調配量是於不 損害作為相位差薄膜C的功能的範圍内而適當選擇的。 又，對如上所獲得的相位差薄膜c，於低於薄膜的玻 璃轉移溫度Tg的溫度下’例如於較之低大於等於1〇。〇小 於等於30°c、較佳是低大於等於1〇它小於等於2〇t：的溫 度下，於減壓條件下例如·小於等於1 pa，或在非活性氣體 環境例如於氮氣體環境下’進行加熱處理，藉此，可獲得
相位延遲穩定，且適於長時間穩定補償顯示元件的視野角 的薄膜。 此外，作為相位差薄膜C的材料，另可列舉聚碳酸酯 或環烯烴聚合物等。 其-人，1/1：本貫施形態的作用效果加以說明。 於t實施形態中，使用多片相位差薄膜A(A1、A2)及 相位差，作為配置於偏與偏光薄膜^之 ，相位差薄膜。並且，依照L、A1、c、A2的順序配置
^等薄膜及液晶單元L。藉此，即便於使用相位差 =、、二!膜作ί相位差薄臈A或相位差薄膜C的情形時， 傾:視的光心而獲得高對比度。又，可減少 、斜視？的洩漏光，並確保廣視野角。 代表際公開第_32G6G號單行本之結構為 求的相中，因-片相位差薄膜續需 制，又，整差薄膜A的材料存在一定限 中使用多片相“:度存在限制，因此無法於積層體 129 1359319 24263pif.doc 例如，於使用含有聚(4_甲基戊烯)的（共)聚 相位差薄膜A1或相位差薄膜A2的材料時，光彈性小^ 示逆波長分散性（波長越短雙折射越小）、耐熱性 價且環境負荷亦小等，作為相位差薄膜A具有優良^ 性，但另一方面，若欲獲得超過例如9〇nm的 ^ 差，則有時薄膜的厚度增加至例如15〇，左右或少= 於150 ,。因此，若欲於先前技術項中所述的國^門^ 03/032060號單行本的配置中使用此種材料，則1 個積層體的厚度增加。 胃等蚁正 對此，根據本案第四發明的發明人的研究發現：以 ^的來配置，藉此可有效地改善相對於方位 角U裤f生。猎由该配置，可確保良好的對稱性 大精層體的視野角。 亚可擴 以下，以使用負（Negative)類型相位差薄膜 膜-A)作為相位差薄膜A1 * A2的情形為例，就藉由專 A卜C、A2配置即便於使用相位差小的相位差薄^ a 情形時亦可獲得高對比度及廣視野角的理由加以古兒明勺 體而參照圖25所示的龐卡瑞球赤道上 ; 施形態之配置的偏光狀態之變化加以說明。q砘本汽 於圖25中，光通過第一偏光薄㈣時的 以魔卡瑞球赤道上的T來表示的。於通過液、^ 光的偏光狀態移動至南半球側的v點，^ 日才’ =差薄膜A1而以點A為旋轉中心向左旋轉旋“==目 動至R點。其次，藉由相位差薄膜c(_c)而向北上方移^ 130 1359319 24263pif.doc 至Q點。此外，於通過相位差薄膜A2日夺，光m為旋轉 中心而向右旋轉旋轉角α2。藉此，可使出射光與A點― 致。因A點為出射側偏光鏡p2的吸收轴方向 吸收透過光。 又J兀王 如上所述，將透過液晶單元L後的相位差薄膜配 A、C、A :且於v點的旋轉半徑VA較大時使光旋轉，藉 此，即便旋轉角度(相位差)較小移動距離亦變大，因此，
即便相位差_A_位差小亦可使偏光狀態最终自丁向 A點移動。因龐卡端球上的a點是出射側偏光薄膜的 吸收軸上的點’故透過A2的光被完全吸收。藉此，積層 體2110中，即便視野角傾斜亦可減少洩漏光。因此，黑色 變濃，從而可提高對比度。 再者，於下述實施例中，就本實施形態之結構的對比 度及視野角的提昇加以更具體說明。 又，=層體2110中，自液晶單元L朝向偏光薄膜
P2二相位▲賴是以相位差薄膜A、相位差薄膜C、相位 差薄Μ _序而配置的。因此’與続技術項中所述的 AC類型補正相比，由於導入相位差薄膜Α2而對稱性變 好口此可改善雨視野角時的補正效果，提高視野角特 性。 =貫施形態中，如聚(4_甲基小戊稀)之(共)聚合物，即 便於將麟翻於液轉示元件的液晶面板的情形時優良 的50 :至80 _左右的厚度時的相位差小於等於例如邓 麵 的情形時，亦可獲得充分高的對比度及廣視野 131 1359319 24263pif.doc 角。因此 冋吋貰現裒 — W八成扣此不里孖艸而結構優良 置整體的薄型化及裝置特性的提高。 此外，於本實施形態中，使相位差薄膜A顯示逆波長 分散，藉此可進-步減少色彩偏移。此時，具體而言，使 =位絲膜A!及相位差薄膜A2之中至少 足 (4 —4)及(4 —5)。 以下’就該方面加以說明。
相你^ ° ’廣泛使用著具有140 nm左右的相位差的 ^、例如’聚碳酸酉旨、環稀煙系相位差薄膜等。 此種薄膜中具有所謂的正波長分散性，即，波 長越=相位呈越增加。展現相位差的功能是以上述式 方疋轉角度Γ = ρπ/λ)ΙΙε 波ft 3的。根據上述式，Re與波長無關為111定值或正 波長分散時，旋轉角度Γ因波長而增加。
n僅針對某規定波長改善視野肖特性。即，自傾 透過;顯:考黑色的液晶元件的情形時’規定波長的 視野角變廣。然而，除規定波長以外的 有改善的聽。 令…邑呔该方面而言尚 分散述問題，較理想的是使用具有所謂逆波長 碳的相位差薄膜’已知有上述使用聚 然而，上述材料中，因光彈性係數大、或相位差的絕 132 1359319 24263pif.doc 對值小，故於欲加以實用時其適用範圍存在限制。 又’作為光彈性係數較小的相位差薄臈，已知有環婦 烴系相位差薄膜，但就無法獲得逆波長分散特性的方面而 言，尚有改善的餘地。 對此，於本實施形態中，使相位差薄膜八丨或入2滿足 上述式(4 —4)及式(4 — 5)，藉此可在大致可視光域的、眼睛 可強烈感覺到的光之範圍内獲得逆波長分散特性，因此可 φ 獲得在用於顯示器的重要波長的大致整個區域内有益的相 位差薄膜。 另外，用於顯示器的重要波長的大致整個區域(例如， 400 nm至700 nm)的偏光狀態的轉換是大致固定的，就使 相位差薄膜的結構更理想的觀點而言，亦可使相位差薄膜 A為下述結構’即’波長為450 nm時的面内相位差
Re(450)、波長為550 nm時的面内相位差Re(55〇)及波長為 650 nm時的面内相位差Re(65〇)滿足下述關係， Re(450)/Re(550)<0.82、以及 • Re(65G)/Re(55G)> 1.12。 亦可使相位差薄膜A1或A2為下述結構，即，波長為 450nm時的面内相位差Re(450)、波長為550 nm時的面内 相位差Re(550)及波長為650 nm時的面内相位差Re(65〇) 滿足下述關係， 0.70 5 Re(450)/Re(550)<0.90。如此，可使相位差薄 膜A於短波長側顯示過逆波長。因此，可更有效地抑制短 波長側的色彩偏移。 133 1359319 24263pif.doc 此外’就更有效地抑制長波長側的色彩偏移的觀點而 言，較佳是，相位差薄膜A於長波長側顯示過逆波長，具 體而言，可使相位差薄膜A $滿足下式的結構。 1.05 < Re(650)/Re(550) < i.20 此外，於積層體2110中，相位差薄膜A1或入2在波 長為550 nm時的面内相位差Re(55〇)的絕對值亦可處於下 述範圍， 10nmS | Re(550) | $80nm。此時，無須使用高價的 含有芴基的聚碳酸酯等作為相位差薄膜A,而可由較廉 價、穩定、且容易操作的聚4-甲基-1-戊烯或其共聚物構成 相位差薄膜A。 此外，於積層體2110中，相位差薄膜A1或八2在波 長為550 nm時的面内相位差Re的絕對值(55〇)亦可處於下 述範圍， 15 nm S丨Re(550)丨£ 45 若相位差如上所述較 小，則可由聚4-甲基-μ戊烯等相位差較小的材料構成相位 差薄膜A，且可進一步減少聚4-甲基_；!_戊烯的延伸倍率， 因此無須進行技術性障礙高、高倍率的聚4-甲基小戊稀的 延伸。因此，可使用更容易製造的材料作為相位差薄膜八， 從而可提高整個積層體2110的製造效率。 此外，於本實施形態中，相位差薄膜A1及八2的任一 者均可具有負雙折射。如此，可大幅降低暗狀態下的线漏 光強度。 於下述實施形態中，以與第一實施形態不同的點為中 134 1359319 24263pif.doc 心進行說明。再者，除非特別聲明，則第一實施形態的較 好的類型亦可於下述實施形態中用作較好的類型。 (第二實施形態） 本實施形態是第一實施形態之積層體的變形例。 圖26是表示本實施形態之積層體的概略結構的剖面 圖。
圖26所示的積層體2120的基本結構與圖24所示的積 層體（第一實施形態)相同，對於相位差薄膜C而言，除了 滿足上述式(4 一 3)的相位差薄膜C1以外，更包含滿足下述 式(4—8)的相位差薄膜C2。 nz>nx > ny (4—8) 相位差薄膜C2作為+C類型相位差薄膜而起作用。作 為相位差薄膜C1，可使用第一實施形態中所述的相位 膜C。 /守 另夕。卜，作為相位差薄膜C2的材料，例如，可列舉
與液晶單元L具有_相位絲玻縣板巾垂直配向有 晶的VA配向液晶。 ί層體2120包括兩片相位差_ C(C 1、C2)及兩片 ，差㈣A(A1、A2) ’且液晶單元L、相位 A2以及相位差薄膜C1及C2是依照L、A1、C1'A2、 的順序而配置的。再去，m
, 上返配置並未限定於L、Al、C 之間、上::黏著的情形，亦可於L與 1 C1與A2之間及A2與C2之間 者，、貝上不具有相位差的層。 135 24263pif.doc 再者’圖26中，夺-、 P2的順序而配置的例子:乂 P1、L、A1、C、A2、C2、 於該配置中，亦可雅亦可相反地配置^與？2。 果。 X侍/、第—實施形態相同的作用效 圖27疋5兒明積層體 圖27是表示以視野角“之偏光狀態的變化的圖。 龐卡瑞球的圖。 =60°、方位角0=45。為例的
於圖27中，通過第一 龐卡瑞球赤道上的τ來偏先_P1時的偏光狀態是以 光移動至南半球側的力:的°藉由通過液晶單元L，而 以〇A為旋轉中心向左旋轉^外，藉由她差薄膜A1 其次，光藉由相位差薄膜C J":而私動至反1點。 =，位於北半球側的點二移=著 f缚膜A2，而光以0T為旋轉中心旋轉旋轉角』相位
=移動至赤道爾為糊 如^述’使偏光狀態的機為隔著赤道面 移動，猎此，即便於視野角較大的情 ^ 視野角特性。 進步提高 此外，於積層體2120中，自液晶單元L 膜^相位盖薄膜是以相位差薄膜A、才目位差薄膜=缚 位差薄膜A、相位差薄膜C的順序而配置的。因此相 24所示的積層體2n0的情形以外，此外，由於相位 136 1359319 24263pif.doc τ-點V2)均旋轉半徑(點八'點νι及點 膜A的相)二 自由度。X，因可立差薄膜》的材料選擇的 減小整個積層體Hr咸小相位差_A的膜厚，故可
瑞玟述，於積層體212G中’偏級—跡在龐卡 赤道顯示高對稱性，X，以相對於通=2 此，=中心的經線而言對稱性亦優良的執跡而移動，因 二期飾便視野角高Α漏光強度亦低的優良特性。 中相付ΐι於本實施形態中，例如，亦可使相位差薄膜之 :相t賴A1及相位差薄膜Α2均具有負雙折射。、如 可大幅減少暗狀態下的洩漏光強度。 薄腺^於本實施縣巾，亦使她差薄膜A1及相位差 每之中至少—片顯示逆波長分散特性，藉此與第-只也形態相同，可進一步減少色彩偏移。
(第二實施形態） $施形態是關於一種具備上述實施形態所述的積声 :情明以下，以使用第二實施形態的積層體 ，28是表示本實施形態之液晶顯示元件的結 二Θ 28所示的液晶顯示元件，例如，為透過型液晶顯示 且積層體212〇具備背光、彩色渡光片、電壓 件（未圖不）等。 圖28所示的液晶顯示元件的結構，更具體而言，是自 137 1359319 24263pif.doc 下側依序積層有燈、擴散板、稜鏡板、亮度提昇薄膜、偏 光薄膜、破璃板、配向膜、液晶、彩色濾光片、玻璃板、 相位差薄膜A、相位差薄膜C、相位差薄膜A、相位差薄 膜C、偏光薄膜及防眩&無反射層。由液晶、相位差薄膜a、 相位差薄膜C、相位差薄膜A及相位差薄膜C而構成積層 體 2120 。 液晶單元L ’例如，為垂直配向(Vertical Aligned，VA) Φ 型。此時’於液晶單元L中的液晶層中’未施加電壓時， 液晶分子的長軸是配向於實質上垂直於液晶單元L的基板 表面的方向上的。然而，液晶單元L並未限定於VA型， 例如，亦可為 IPS(In-Plane Switching)型等。 當液晶單元L為VA型時，因VA液晶與相位差薄膜 +C相同’故為了補正視野角傾斜時所產生的液晶之相位 差，必須使用至少一片相位差薄膜_c。若將上述實施形態 之積層體結構用於VA型液晶單元L，則可有效地利用其 _ 相位差薄膜-c的功能，且有可省力化的優點。 …背光是與積層體2120中的偏光薄膜P1或偏光薄膜p2 對向而配置的，且包括光源(燈)及導光板(擴散板、稜鏡板)。 彩色濾光片配置於偏光薄膜P〗或偏光薄膜p2與液晶 單元L之間。 電壓施加元件對設於構成積層體212〇中之液晶單元L 的基板上的電極施加電壓。 一再者’圖28中’例示了具備圖26所示的積層體212〇(第 二實施形態)的結構，但本實施形態之液晶顯示元件亦可為 138 ^^9319 24263pif.doc 具備圖24所示的積層體211〇(第一實施形態）的結構 液晶顯不元件亦可為透過型、反射型、半透過型的任 又’於本實施形態中，亦使相位差薄膜A之中至小一 片顯示逆波長分散特性，#此與上述實施 ^ μ丄 一…叫、礼+示乐⑵货明义貫施形態進
月’但上述㈣為本案第四發明的例示，: 以外的各縣構。 本發明亦可為下述形式。 (1-1)-種光學元件(Β)之雙折射波長依賴性的補正 β、、，使用包含(共)聚合物⑻的薄臈⑻，上述(共)聚合 疋使用選自4-曱基_1_戊烯、3_甲基+戊稀、以及3_曱基小 丁烯的至少一種烯烴作為（共）聚合成分所得； 土 (1-2)如上述(1 — 1}所述之雙折射波長依賴性的補正 法，其中上述光學元件(Β)為透光性薄膜(b】）；
(1-3)如上述(1—2)所述之雙折射波長依賴性的補正 广法’其中上述包含(共)聚合物⑻的薄膜⑻與上述透光性 々膜(M)直接、或隔著一黏接層而積層； (1-4)如上述(1-2)或(1—3)所述之雙折射波長依賴 性的補正方法，其中上述透紐薄膜(bl)為偏光板保護膜； (1-5)如上述(1-2)或（1-3)所述之雙折射波長依賴 性的補正方法，其中上述透光性薄膜(bl)為相位差板；、 (1 一 6)如上述(1—2)或（1—3)所述之雙折射波長依賴 性的補正方法，其中上述透光性薄膜(bl)為光學補償薄膜;、 139 1359319 24263pif.doc (1-7)如上述(1 — υ所述之雙折射波長依賴性的補正 方法，其中上述光學元件(Β)為液晶面板(b2); (1-8)如上述(1 — 7)所述之雙折射波長依賴性的補正 方法’其中上述包含(共)聚合物⑻的、薄膜⑷與上述液晶面 板(b2)直接、或隔著一黏接層而積層； (1 —9)一種顯示裝置，使用上述(1 —u至（1 —8)中任一 項所述之雙折射波長依賴性的補正方法； φ (1 — 10)—種光學元件，含有至少一層的包含(共）聚合 物(α)的薄膜(a) ’上述(共）聚合物(α)是使用選自4_曱基-J — 戊烯、3-曱基-1-戊燦及3-曱基-1_丁稀的至少一種稀烴作為 (共)聚合成所得； (1 一 11)如上述（1 — 10)所述之光學元件，其是相位差 板。 (1 — 12)—種橢圓偏光板或圓偏光板，包含上述(丨―η) 之相位差板及偏光板； (1 — 13)如上述（1 一 12)所述之橢圓偏光板或圓偏光 • 板，其更含有黏著性樹脂層； (1 一 14)如上述(1 一 1〇)所述之光學元件，其是抗反射薄 膜、透明導電性基板、擴散板、聚光板、光學補償薄膜、 或偏光板；以及 (1 一 15)—種顯示裝置，含有如上述(1 一 10)、（1 — u) 及（1 一 14)中任一項所述之光學元件。 (2 — 1)一種共聚物，其是4-曱基-1-戊烯、與除上述4-甲基-1-戊烯以外的碳原子數大於等於10小於等於14之α· 140 1359319 24263pif.doc 烯烴的共聚物，且來自上述(X-烯烴的結構單元佔該兵聚物 整體之比例大於專於1 mol%、小於等於9 m〇i%。 (2-2)-種薄膜，含有如(2—丨)所述之共聚物。 (；2 —3)如(2 —2)所述之薄膜，其中該薄膜是藉由下述万 法而獲得的，即，使用熔態擠壓成形法形成後，加以延伸 配向。 (2 — 4)如（2 —2)或(2 —3)所述之薄膜，其用於光學用 途。 (2—5)如(2 — 2)至(2 —4)中任一項所述之薄膜，其中該 薄膜為相位差板。 (2 —6)如（2 —5)所述之薄膜，其中上述相位差板之每 50 μιη厚度在波長為590 nm時的相位差R5g(59〇)滿足下述 條件。 R5〇(590) < -22 nm (2 —7)如(2 —5)或(2-6)所述之薄膜，其中上述相位差 板是滿足下述特性的相位差薄膜。 R(450)/R(590) <0.9 (上述式t，R(45〇)及R(590)分別表示波長為45〇 nm 及590 nm時的上述相位差薄膜之相位差。） …(2-δ)如(2 —2)至(2_5)中任_項所述之薄膜，其中該 薄膜為偏光保護膜或光學補償薄膜。 「實施例」 以下，麥照貫施例及比較例，就本發明加以更具體說 月再者本發明在任思方面都未限定於以下所示的實施 】4】 1359319 24263pif.doc 例。 於以下實施例A1至A3、比較例A1及A2中，薄膜 的相位差是使用大塚電子公司製造的測定裝置RETS — =〇來測定的。該裝置中，使用偏光光學系統，對通過樣 σσ後的偏光進行解析，由此求出樣品的相位差(傾斜角為0。 時的相位差）。 [製作包含4_甲基-1-戊烯共聚物的λ/4板] 風、使用作為利用4-甲基戊烯所得的共聚物的三井化 學公司製造的τρχ樹脂(商標：MX〇2〇,MFR:23〜3〇g/1〇 咖’折射率：丨.463 ’炫點：230。〇，用單軸擒製機(直徑 為4〇mm) ’在圓筒溫度為3〇〇。〇的條件下進行絲播壓成 $衣作膜厚為64〇 μιη的薄膜。.對該薄膜測定面内相位 的波長依賴性’將波長為55〇nm時的相位差Re(55〇)設 …1，使測定結果標準化，並示於圖3中。 自圖3可知， R(450)/R(590) = 〇.85。 、’廬而’使用延伸機，在薄膜的寬度方向(τ〇方向〕上對 ^加^ 2倍延伸’藉此製作膜厚為320 μιη料軸延伸 /即延伸溫I ’以使此時所獲得的單軸延伸薄膜之 X’’·、589 nm Β可的面内相位差為 λ/4(589 _)，在mrc的延伸溫度下獲得了 148nm的相位差。 將该薄膜之各波長的相位差示於表！中。 又，該薄膜的相位差如下所述。 波長為55〇nm時的面内相位差：丨仏50卜132麵 142 24263pif.doc R(450)/R(590)-0.6 (R(450)及R(590)分別表示波長為45〇 nm及59〇 nm時 的面内相位差。） 波長為590 rnn時每50 μπι厚度的面内相位差： I Κ-5〇(590) | =23 nm [製作包含壤狀聚細煙的）1/4板]
使用作為環狀聚稀烴的三井化學公司製造的八肌樹 脂W標：8_T ’ MFR ·· 15 g/1〇 min，折射率：丨 54，Tg : 7〇C)’用單軸擒製機（直徑為在圓筒溫度為縱c 的條件下進行織成形，製作膜厚為15() _的薄膜。
繼而’使用延伸機’在薄膜的寬度方向(TD方向)上對 該薄膜加以3倍延伸，由此製作膜厚為5—的單軸延伸 缚膜。調節延伸溫度，以使此時所獲得的單軸延伸薄膜在 波長為589 nm時的面内相位差為λ/4(589 nm/4=147 聰），在帆的延伸溫度下獲得了 148nm的相位差。將該 薄膜之各波長的相位差示於表1中。 Λ [實施例Α1] 準備兩片偏光板，並重疊以使透過轴成直角。其次， 重疊-片包含4-甲基-1-戊稀共聚物的λ/4板及一片包含产 狀聚稀烴的λ/4板以使各自的慢轴平行，而構成边板衣 繼而，於偏練間插人上述λ/2板以使λ/2板的慢轴 光板的透過減45°。將其㉔於平面統上觀察透^ 光，為白色。將本實施例中所使用的心反之各波長白 位差示於表1中。 ]年目 143 1359319 24263pif.doc [比較例Al] 代替實施例A1的包含4 -甲基-1 -戊烯(共）聚合物的χ/4 板，插入包含環狀聚烯烴的λ/4板。同樣觀察透過光，為 淡黃色。將本比較例中所使用的人/2板之各波長的相位差 示於表1中。 [比較例Α2] 代替實施例Α1的包含4-甲基-1-戊烯(共）聚合物的λ/4 板，插入包含聚碳酸酯的λ/4板（帝人化成公司製造， Pureace品種Τ— 138)。同樣觀察透過光，為淡黃綠色。將 本比較例中所使用的λ/2板之各波長的相位差示於表1中。 表1 波長 656 nm 589 nm 486 nm (nc) (n〇) (nF) 包含4-曱基-1-戊烯的人/4拓 169 nm 148 nm 97 nm 包含環狀聚烯烴的λ/4板 148 nm 148 nm 149 nm 包含聚碳酸酯的λ/4板 135 nm 138 nm 146 nm 各波長之λ/2值(參考值） 328 nm 295 nm 243 nm 實施例A1 317 nm 296 nm 246 nm 比較例A1 295 nm 296 nm 297 nm 生較例A2 283 nm 286 nm 294 nm [實施例Α2] 使用4-曱基_1_戊烯的均聚物(MFR: 40〜50g/10 min 5 折射率.1.463，熔點：238。〇，用單軸擠製機(直徑為20 _)’在圓筒溫度為綱^的條件下進行炫態擠壓成形， ‘作賊厚為184 μιη的薄膜。 144 1359319 24263pif.doc 繼而，使用延伸機，於22〇r的延伸溫度下，在薄膜 的流延方向(MD方向）上對該薄膜加以6倍延伸，藉此製作 膜厚為31 μπι的單軸延伸薄膜。 將該薄膜之各波長的相位差之絕對值示於圖42中。再 者，圖中「相位差」意指相位差的絕對值。 至於這種薄膜的相位差如下所述。
波長為5:>0nm時的面内相位差之絕對值：|R別丨二 16 nm R(450)/R(590)=〇.69 ®(45〇)及R(590)分別為波長為45〇nm 及590 nm時的 面内相位差。） 波長為590 nm時的每50 μιη厚度的面内相位差之絕 對值：| R5G(59〇) | =27nm ，上述薄膜是波長越長由雙折射所產生的相位差的絕對
值越且適於補學元件之雙折驗姐賴性的薄膜。 [貫施例A3] 使用4-甲基-1-戊稀之均聚物(mfr:4〇〜5〇卵咖， 斤，率.1:463，炫點：238。〇，用單軸播製機(直徑為 :在圓同溫度為3GG°C的條件下進行溶態播壓成形， 製作膜厚為184 μιη的薄膜。 繼而，使祕伸機，於16代祕伸温度下，在薄膜 瞍;^方向_方向)上對該薄膜加以5倍延伸，由此製作 胰厗為35 μιη的單軸延伸薄膜。 將該薄膜之各波長的相位差之絕對值示於圖^中。再 145 1359319 24263pif.doc 者’圖中「相位差」意指相位差的絕對植β 又，該薄膜的相位差如下所述。 波長為550 nm時的面内相位差之絕對值：| r55G | = 17 nm R(450)/R(590) = 0.74 (R(450)及R(590)分別為波長為450 nm及590 nm時的 面内相位差。） 波長為590 nm時的每50 μπι厚度的面内相位差之絕 對值：丨 R5()(590)丨=26nm 上述薄膜疋波長越長由雙折射所產生的相位差之絕對 值越大、且適於補正光學元件之雙折射波長依賴性的薄膜。 於以下實施例及參照例中，所獲得的薄膜的各特性是 使用以下方法來測定的。 共聚物的組成： 確定4-甲基-1-戊烯、α-稀烴的含量，是使用varian公 司製造「Mercury —400型」核磁氣共鳴裝置在下述條件下 進行測定而進行的。 溶劑：重苯（heavy benzene)/鄰二氯苯（〇、 dichlorobenzene)混合溶劑
樣品濃度：50〜100g/l-solvent 脈衝反覆時間：5.5秒 累加次數：6000〜16000次 測定溫度：120°C 根據在如上所述的條件下所測定的13C-NMR光譜，對 146 1359319 24263pif.doc 4-甲基戊烯及α_烯烴的組成確定量。 共聚物的極限黏度[η]:使用移動 ΐ ^f： VNR〇fu s °·2—0 ^ " 十虱奈中，以作為樣品，以ASTM ;為標準5 下測定邮度，將該轉度與濃度的tb外推 求出極限黏度[η]。 〇, ^
八物的熔點(Tm)及融解歸：使用，紅(Se如)電子 么司製造的DSC —220C，在N2(氮）氣體環境下進 子 = 5(TC/min的升溫速度自常溫升至謂。c後保持$分鐘，。 其次以KTC/rmn的降溫速度降nc後保持5分鐘 而，未出卩i(rc/min的升溫速度升溫至27叱時的吸執峰 值的溫度。根據吸熱峰值面積求出單位重量之融解熱; 薄膜的膜厚：用測微計進行測定。 ’’、、里 薄膜的相位差：使用大嫁電子(股份)製造的測定 RETS-100來進行測定。料置中，使關光光學系=
通過樣品後的偏絲行解析m出樣品的相位差( 角為0。時的相位差）。 、〃 [實施例B1] [§周製固體狀欽催化劑成分j 本實施例的聚4 ·曱基_ 1 •戊稀樹脂組成物的聚合所使 用的固體狀鈦催化劑成分是以下述方式調製的。 於130C下’使750 g無水氣化鎂、2_g癸烷(如咖) 及3_ g的2-乙基己醇(2屬灿邮也漏)進行3小時加 熱反應，獲得均勻溶液後’向該溶液中添加22〇 ml的 147 1359319 24263pif.doc 異丁基-2-異丙基丄弘二曱氧基丙燒 (2-isobutyl-2-isopropyl_l，3-dimethoxypropane)，此外，於 l〇〇°C下攪拌混合1小時。將以上述方式而獲得的均句溶液 冷卻至室溫後，在加以攪拌的狀態下，用45分鐘將3〇〇〇 2 該均勻溶液全部滴入保持為_2(TC的800 ml四氯化鈦中。 滴入結束後，用4.5小時將該混合液的溫度升至11〇。匚，到 達ll〇°C時添加5.2 ml的2-異丁基-2-異丙基-i，3_二甲氧美 丙烧，由此於該溫度下且在加以授掉的狀態下保持2小 時。2小時反應結束後，利用熱過濾取得固體部分，用 ml四氯化鈦使前述固體部分再懸浮後，再次於11〇它下進 行2小時加熱反應。反應結束後，再次用熱過濾取得固= 部分，於90°C下用癸烷及己烷充分洗淨該固體部分，直= 在洗液中檢測不出游離的鈦化合物為止。將藉由上述技作 所調製的固體狀鈦催化劑成分保存作癸烷漿料，然而了以 調查催化劑组成為目的而乾燥其中一部分。以上述方气而 獲付的催化劑成分之組成為’欽為3.0 mass%、鎮為I? q mass%、氣為57mass%、2-異丁基-2-異丙基_；[，3_二甲氧美 丙烧為18.8 mass%及2-乙基己醇為7.3 mass%。 [4-曱基-1-戊烯共聚物的製造方法] 於室溫下，在内容積為130 L(liter)的聚合器中，加入 100 L·癸烷、27 kg的4-曱基_ι_戊烯、UOO运的 DIALEN124(三菱化學公司製造，1-十二烯與十四烯的混 合物）、6.75 L氫、67.5 mmol三乙基鋁、以及以鈦原子^ 异計2.7 mmol的預備聚合3-曱基-1_戊稀的催化劑，使聚 148 1359319 24263pif.doc 合器内升溫至60°C，保持該溫度。經過6小時聚合時間後， 自聚合器取出粉末(powder)，過滤後用己炫洗淨，獲得粉 末狀的聚4-甲基-1-戊烯共聚物。所獲得的聚合物之收穫量 為 26 kg。 於所獲得的共聚物中，來源於共單體即DIALEN 124 的結構單元之含量為2.5 mol%，極限黏度[η]為2.4 dl/g， 熔點為229°C，融解熱量為32.0 J/g。 向上述藉由聚合所獲得的粉末狀聚4-甲基-1-戊烯共 聚物中’添加先前眾所周知的中和劑、苯酚系抗氧化劑， 用亨舍爾混合機加以混合，使用擠製機於290。(：下熔融混 練’獲得顆粒物。所獲得的顆粒物之熔體流動速率為29 g/10 min。 使用上述顆粒物，用單軸擠製機(直徑為40 mm)，於 圓筒溫度為300°C、澆鑄輥溫度為30°C的條件下進行熔態 擠壓成形，而製作膜厚為15〇 μπι的薄膜。繼而，使用延 伸機+’於760。〇的溫度下，在薄膜的寬度方向(TD方向）上 使該薄膜延伸約3倍，而製作膜厚為5〇μιη的單轴延伸 膜。 將所獲得的單軸延伸薄膜之光學特性的評估結果連同 共聚物組成一併示於表2中。 [實施例Β2] 使共單體為1_癸稀，依照實施例B1，製作共聚物 度為50 μπι的薄膜。 於所獲得的共聚物中，共單體含量為1.8 mol%，極限 149 1359319 24263pif.doc 黏度[η]為2.5 dl/g，熔點為235。(：，融解熱量為36,1 dl/g。 將所獲得的單軸延伸薄膜之光學特性的評估結果連同共聚 物組成一併示於表2中。 [實施例B3] 使共單體為1-癸稀，依照實施例B1 ’製作共聚物及厚 度為50 μπι的薄膜。
於所獲得的共聚物中，共單體含量為3 5m〇1%，MFR 為31 g/io min，折射率(nD)為丨463，極限黏度㈨為2 6 dl/g ’炼點為2耽，融解熱量為S19 J/g。將所獲得的單 歡光學特性崎估絲連同絲物組成一併示 於表2中。 [實施例B4] 度為癸稀’依照實施例B1，製作共聚物及厚 黏度聚物中，共單齡量為—極限
將所獲得的單=伸t點為228°c，融解熱量為30.5 J/g。 物組成一併膜之光學特性的評估結果連同共聚 [實施例B5]
"ί吏此單^ -I 度為5。、_的^癸烯’依照實施例B1，製作共聚物及厚 於所獲得的共聚物中， 2.6 dl/g , ：：^ mol〇/〇 ^ 將所獲得的單車由延c，轉熱量為23.〇_。 箱之光學m的評估結果連同共聚. 150 1359319 24263pif.doc 物組成一併示於表2中。 [實施例B6] 依照實施例B1，製作未含有共單體的4-曱基-1-戊烯、 以及厚度為50 μιη的使用該4-曱基-1-戊稀的薄膜。 於所獲得的聚合物中，極限黏度[η]為2.0 dl/g，熔點 為240°C，融解熱量為45.1 J/g。將所獲得的單軸延伸薄膜 之光學特性的評估結果連同共聚物組成一併示於表3中。 [實施例B7] 使共單體為1-辛烯，依照實施例B1，製作共聚物及厚 度為50 μπι的薄膜。 於所獲得的共聚物中，共單體含量為5.0 mol%，極限 黏度[η]為2.4 dl/g，熔點為231°C，融解熱量為38.1 J/g。 將所獲得的單軸延伸薄膜之光學特性的評估結果連同共聚 物組成一併示於表3中。 [實施例B8] 使共單體為1-辛烯，依照實施例B1，製作共聚物及厚 度為50 μιη的薄膜。 於所獲得的共聚物中，共單體含量為1〇.〇 mol%，極 限黏度[η]為2.2 dl/g，熔點為220°C，融解熱量為32.9 J/g。 將所獲得的單軸延伸薄膜之光學特性的評估結果連同共聚 物組成一併示於表3中。 [實施例B9] 使共單體為DIALEN168(三菱化學公司製造，1-十六 烯與1-十八烯的混合物），依照實施例B1，製作共聚物及 15] 1359319 24263pif.doc 厚度為50 μιη的薄膜。 於所獲得的共聚物中，共單體含量為2.4 mol°/〇，極限 黏度[η]為2.2 dl/g，熔點為224°C，融解熱量為34.7 J/g。 將所獲得的單軸延伸薄膜之光學特性的評估結果連同共聚 物組成一併示於表3中。 [實施例B10] 使共單體為1-癸烯，依照實施例B1，製作共聚物及厚 度為50 μπι的薄膜。 於所獲得的共聚物中，共單體含量為15.0 mol%，極 限黏度[η]為2.5 dl/g，熔點為209°C，融解熱量為2.5 J/g。 將所獲得的單軸延伸薄膜之光學特性的評估結果連同共聚 物組成一併示於表3中。 152 1359319 24263pif.doc 表2 實施例 B1 實施例 B2 實施例 B3 實施例 B4 實施例 B5 共單體 DIALEN 124 1-癸晞 1-癸烯 癸稀 1-癸稀 含量(mol%) 2.5 1.8 3.5 4.1 7.2 極限黏度[η] (dl/g) 2.4 2.5 2.6 2.6 2.6 DSC-TmfC) 229 235 231 228 226 融解熱量(J/s) 32.0 36.1 31.9 30.5 23.0 Re5〇(590) -24 -24 •25 -30 Γ-28 R(450)/R(590) 0.85 0.76 0.80 0.82 0.83 R(650)/R(590) 1.08 1.08 1.05 1.04 1.04 表3 實施例 B6 實施例 B7 貫施例 B8 實施例 B9 實施例 B10 共單體 — 1-辛烯 1-辛稀 DIALEN 168 卜癸稀 含量(mol%) 一 5.0 10.0 2.4 15.0 極限黏度[η] (dl/g) 2.0 2.4 2.2 2.2 2.5 DSC-TmfC) 240 231 220 224 209 融解熱量(J/g) 45.1 38.1 32.9 34.7 2.5 Res〇(590) -21 -20 -20 -19 -13 R(450)/R(590) 0.94 0.80 0.86 0.81 0.76 R(650)/R(590) 0.94 1.05 1.08 1.03 1.05 自表2所示的結果可知，實施例B1〜B5的薄膜中的 任一種，其590nm時的相位差、R(450)/R(590)及耐熱性之 平衡均特別優良，尤其顯示充分的雙折射及逆波長分散特 153 丄 24263pif.doc 性。又，實施例B1〜；Bio的薄膜中的 途中具有充分的透明性。 、—種，均於光學用 再者’自表3可知，實施例Bl〜 種’與未含有a-稀烴的實施例B6 、薄膜中的任一 更充分的雙折射。 7溽臈相比，均獲得了
而，實施例B1〜B5的薄膜中的包一 比例較多的實施例Bl〇的薄膜相比，均’與α_燁烴的 的耐熱性及雙折射的薄膜。 X侍了具有更充分 另外，實施例Β1〜Β5的薄膜中的 的碳原子數為8的實施例Β7及實麵】―種，與稀烴 獲得了更充分的雙折射。 咖的_相比，均 此外，實施例B1〜B5的薄膜 的碳原子數為16及18的實施例B 種’與稀烴 分的雙折射。 相比’均獲得了更充 以下 參恥員鉍例及參照例，就本
具體說明。再者，太安笛月加以更 丹有本木弟一發明在任意方面都不限定於以 下所示的實施例。 [薄膜(A)] 使用〒基-1-戊烤、與碳原子數為12及14的單體(莫 耳比為，碳原子數12 :碳原子數14=50 : 50)之共聚物(莫 耳比 95 . 5 ’ MFR : 27 g/l〇 min，溶點為 230〇C，玻璃轉 移偃度為15C，平均折射率為丨.46，吸水率不到0 0〗％)， 用單軸擠製機(直徑為40 mm)，於圓筒溫度為300Ϊ、澆鑄 報溫度為3G°C的條件下進行㈣揞壓成形，製作膜厚為 154 1359319 24263pif.doc 200 μιη的薄膜。繼而， 縱單軸延伸，使膜厚為 [薄膜(Β)] 料Α ^甲基+戊歸、與碳原子數為16及18的單體(莫 耳比為’ &原子數16 :韻子數18 = 5() ：5 ； =耳二 =94:6’MFR:22g/10·，丄二， 轉W度為1GC，平均折料為〗％
=膜Λ 5 ⑶條打骑賴_成形， 為20 μιη的薄膜。繼而，使用延伸 軸延伸，使膜厚為—製成薄膜⑻。 、將日本ΖΕΟΝ製造的ZE〇N〇R薄膜(商標 厚為100 μιη)作為薄膜(C)。 [薄膜(D)]
使用延伸機於16(TC的溫度下加以 100 μιη，製成薄膜(A)。 :ZF14，膜 薄膜=士跑司製造的⑽酬賴8q㈣作為 [薄膜(E)] 使用延伸機於15(TC的溫度下對日本ZE〇 ze〇nor薄膜(商標：ZF14，膜厚為刚㈣加以縱單轴延 伸，使膜厚為86 μιη，製成薄膜 [薄膜(F)] 使用延伸機於18(TC的溫度下對帝人化成製造的 酸醋薄膜（品名：Pureace ’膜厚為⑽㈣加以縱單^延 155 1359319 24263pif.doc 伸，使膜厚為80 μιη，製成薄膜(F)。 [薄膜⑹] 使用4-甲基-1-戊稀、與碳原子數為12及14的單體(莫 耳比為，碳原子數12 :碳原子數14 = 50 : 50)之共聚物（莫 耳比=95 : 5，MFR : 27 g/10 min，熔點為 230°C，玻璃轉 移温度為15°C，平均折射率為1.46，吸水率不到0.01%)， 用單軸擠製機(直徑為40 mm)，於圓筒溫度為3〇〇。〇、洗轉 孝昆'屋度為30°C的條件下進行炫態擠壓成形，使膜厚為6〇 μιη，製成薄膜(G)。 [相位延遲的測定方法] 薄膜(Α)〜(G)在波長為450 nm ' 590 nm時的相位延遲 R(450)及R(590)是以下述方式而求出的，即，使用王子計 測機器股份有限公司的相位差測定裝置K〇BRA，用45〇 nm及590 nm的測定波長，使測定光以〇。的入射角入射至 樣品平面而進行測定。又，就在6〇。〇 χ90%相對濕度(rh) 的怪溫恆 >煞槽内放置240小時後的薄膜之r(5 90)的變化而 言’不到5°/。計作AA，大於等於5%計作CC。 將結果示於表4中。 [測定吸水率] 吸水率測定是依照JISK72〇9法來進行的。首先，對利 用設定為50C的送風式乾燥機乾燥24小時且於乾燥器 (desiccator)内冷卻至室溫的樣品測定重量(W1^其次，於 25 C的氣體環境下將樣品浸潰於純水中24小時後，用碎布 (waste)小心地拭去水，測定樣品重量(W2)。根據上述重量 156 1359319 24263pif.doc W】及W2，並根據下述式而求出吸水率。 吸水率(％) = (W2—wiywixioo 又，測定是以n = 3來進行的，將算術平均值作 士 脂的吸水率。將薄膜(A)〜(G)的吸水率測定結果八二§树 士 σ、不於表4 [測定黏著力（adhesion)]
黏著力的測定是利用東洋精機製作所製造的萬能試驗 機（Strogmph)，在樣品寬度為！ cm、上拉速度㈨ mm/rnin、上拉角度為9〇。的條件下進行測定的。二^保確 ，膜與偏光鏡薄膜的黏著力測定結果示於表5中。又 著力大於等於300 g/cm的情形時計作AA、不到3㈨。= 情形時計作CC。 & [檢查是否產生録曲] 於積層保護薄膜與偏光鏡薄膜後，檢查是否 曲。將結果示於表5中。
[偏光板的光洩漏大小] 使用兩片實施例及參照例中所製作的偏光板，就偏光 板的光—(紐逸)進行。喊，將設好面光源上 2片偏光板分別配置為平行及正交尼科爾，自極角心法 ^方向)觀察時的透過光量分別為i⑽、Q。此後，就配置 ^ =尼則的i組偏光板，以上側偏光板的偏光轴為基 以極角。。為法線方向)測 。透過光！超過2時計作光茂漏「大」，小於等 於4記作錢漏「小」。又，於將兩片偏光板配置為平行 157 1359319 24263pif.doc 及正交尼科_時，使薄膜的R(59G)較大的_方為 R(590)較小的一方為外側。 將結果示於表5中。 [測定尺寸變化] 尺寸變化是以下述方式而求出的，即，在所獲得的積 層偏光板之縱方向及橫方向上分別標記·醜寬〒
線，在60°Cx90%RH的悝溫恆濕槽内放置24M、時，取: 後立即測定上述標線間。 [實施例C1] 使用聚胺基甲酸醋,系水性黏接劑（主劑：聚胺基甲酸g 、知（不揮發成分為35%)，硬化劑：聚異氰酸否 i〇lyis〇cy贿）（不揮發成分為100%)，混合比(wt%)為: = 黏合上述薄膜⑷、作為偏光鏡; 值水3有敵P VA _及上述薄膜(C)，而製成由薄膜(A 偏光鏡_/_〇所構成的積層偏歧，繼而，於剛
下分鐘’於6G°C下乾燥3天，製作積層偏光板。 叙上述積層偏光板的黏著力，為590 g/cm而良好 二匕外，將上述積層偏光板放置於6〇tx9〇%RH的㈣ 到Ilf。24G小時，但目測未產生㈣，且尺寸變化亦^ !_貫施例C2] 使用聚胺基甲酸s旨系水性黏接劑(主劑：聚胺基甲画 八=不揮發成分為35%)，硬化劑：聚異氣酸酿(不揮辱 刀，，，，100%)，混合比(wt)為主劑：硬化劑=1〇〇 ·· 7)，黍 158 24263pif.doc 上述薄膜(B)、作為偏光鏡薄膜的含有碘之pVA薄膜及上 述薄膜(C) ’而製成由薄膜(B)/偏光鏡薄膜/薄膜(C)所構成 的積層偏光板，繼而，於8crc下乾燥2〇分鐘，於6〇。〇下 乾燥3天，製作積層偏光板。 測定上述積層偏光板之黏著力，為650 g/cm而良好。 此外，將上述積層偏光板放置於6〇tx9〇%RH的恆溫 银濕槽内24G小時’但目測未產生㈣，尺寸變化亦不 0.1%。 [參照例C1] _使用>聚胺基曱酸酯系水性黏接劑(主劑：聚胺基甲酸酯 ，月B(不诨發成分為3：)%)，硬化劑：聚異氰酸酯（不揮發成 分為1〇〇°/(>) ’混合比(wt%)為主劑：硬化劑=1〇〇 : 7)，黏 5上述’專膜(D)、作為偏光鏡薄膜的含有破之PVA薄膜及 上述薄膜(E) ’製成由薄膜(D)/偏光鏡薄膜/薄膜(E)所構成 的積層偏光板，繼而，於8〇t：下乾燥2〇分鐘，於6〇它下 乾煉3天，製作積層偏光板。 、測定上述積層偏光板的黏著力，為600 g/cm而良好。 然而，將上述積層偏光板放置於6〇〇Cx9〇%RH的恆溫恆濕 槽内240小時，產生翹曲。可認為其原因在於，被認做薄 膜(D)的吸水所導致的尺寸變化大於薄膜(E)的尺寸變化。’、 [參照例C2] 士 t使用聚胺基曱酸酯系水性黏接劑（主劑：聚胺基甲酸酯 樹脂(不揮發成分為35%)，硬化劑：聚異氰酸§旨( 分為100%)，混合比(wt%)為主劑：硬化劑=1〇〇 :乃黏 1359319 24263pif.doc 合上述薄琢）、作為偏光鏡_的含㈣ 35(E)’製成由薄膜(C)/偏光鏡薄膜/薄膜 積層Ϊ甸光板，繼而，於80。〇下乾焊 、 又 燥3天丄製作積層偏光板。W2G刀鐘，於_下乾 1著=上Ϊ積層偏光板的黏著力，不到5G⑽而較小， ‘者不良。其原因為黏接劑未充分乾燥。 [參照例C3]
奸基甲酸Sl系水性黏接劑（主劑：聚胺基甲酸醋 二:卜早發成分為3)%)，硬化劑：聚異氰酸醋(不揮發成 /刀為100%)，混合比(wt%)為主劑：硬化劑二H : °亡这賴(D)、作為偏光鏡薄賴含有k PVA薄膜及 上述薄膜(F)，製成由薄膜(:D)/偏光鏡薄膜/薄膜⑺所構成的 積層偏光板，繼而，於8〇。(：下乾燥20分鐘，於6〇它 燥3天，製作積層偏光板。 乾 一測定上述積層偏光板的黏著力’為61〇§/咖而良好。
然而，將上述積層偏光板放置於6〇它x90%Rh之恆溫恆濕 槽=240小時後’產生龜曲。可認為其原因在於，被認做 由薄膜(D)的吸水導致的尺寸變化大於薄膜(F)本身的尺^寸 變化。 [參照例C4] 使用聚胺基曱酸酯系水性黏接劑（主劑：聚胺基甲酸酯 樹脂(不揮發成分為35%)，硬化劑：聚異氰酸酯（不揮發成 分為100%) ’混合比(wt%)為主劑：硬化劑=100 : 7)，黏 5上述溥膜(G)、作為偏光鏡薄膜的含有蛾之pva薄膜及 160 1359319 24263pif.doc 上述薄膜(C)，製成由薄膜(G)/偏光鏡薄膜/薄膜(C)所構成 的積層偏光板，繼而，於80°C下乾燥20分鐘，於60°C下 乾燥3天，製作積層偏光板。 測定上述積層偏光板的黏著力，為580 g/cm而良好。 此外，將上述積層偏光板放置於60°〇90%RH的恆溫 恆濕槽内240小時後，目測並未產生翹曲，然而，觀察偏 光板的光洩漏時，光洩漏為「大」。再者，此處為了與實施 例C1進行比較，使薄膜(G)為内側。 由此可知，於薄膜(G)中，其相位延遲並未充分至兼有 相位產板的功能，因此’戒法於液晶顯不元件中削減元件 數。 表4
薄膜 R (590) R(450)/R(590) 吸水率 恆溫恆濕試驗後的 R(590)的變化 ㈧ 64 nm 0.7 <0.01% AA (B) 57 nm 0.7 <0.01% AA (C) 8 nm 1.0 <0.01% AA (D) 8 nm 0.9 4.4% CC (E) 59 nm 1.0 <0.01% AA (F) 63 nm 1.2 0.2% CC (〇) 4 nm 0.8 <0.01% AA 16) 1359319 24263pif.doc 表5 黏著力 恆溫恆濕試驗後 的輕曲 偏光板的光洩漏 大小 實施例 C1 AA · 590 g/cm 益 小 實施例 C2 AA · 650 g/cm 無 小 參照例 C1 AA · 600 g/cm 有 大 參照例 C2 CC · <50g/cm 因黏著力不足故 無法進行實驗 因黏著力不足故 無法進行實驗 參照例 C3 AA -610 g/cm 有 大 參照例 C4 AA : 580 g/cm 益 * »»N 大 [實施例Dl] 本實施例中，製成-C、-A、L、-A配置的積層體，並 進行評估。 # 圖9是表示本實施例的積層體之結構的圖。於圖9所 示的積層體中，自下側開始依序積層有背光侧偏光薄膜 1、第一相位差薄膜C3、第一相位差薄膜A4、液晶單元(液 晶層、LC)5、第二相位差薄膜A6、以及出射側偏光薄膜2。 圖9中，第一相位差薄膜A4及第二相位差薄膜A6是其中 任一者均滿足上述式(3 — 2)的-A薄板，第一相位差薄膜C3 是滿足上述式(3 — 3)的-C薄板。 本實施例中，相對於正交的x—y軸位於薄膜面内、且 162
丄J 24263pif.doc 以薄膜垂直軸為z軸的顴、、則庙碎 的吸收轴方向與X軸—致，且=言’背光側偏光薄膜】 吸收軸與y轴—致。 出射侧偏光薄膜2配置為其 收軸3。圖9及下遠圖14中’用箭頭表示偏光薄膜的吸 光側偏光薄膜1上配置第-相位差薄膜 並配置第—相位差薄膜八⑽板)4,以使作 人伸方_光學轴方向（異常光折射率方向)與χ轴一 人配置被玻璃基板所夾持著的液晶單元$，並配 :致是f膜斗A薄板)6以使其光學軸方向與y轴 致。 配置出射侧偏光薄膜hx使其吸收軸與y轴一 偏光薄膜(曰東電工公司製造： 去，么 為月先侧偏光薄膜1及出射側偏光薄膜2。再 声生ί餘S光薄膜的保護薄膜(TAC :三酷酸纖維素)不 二^餘的相=差，而拆離使用任一偏光薄膜。 為液:單2早元厚度為3 μΐΏ、Κ = 31。·的VA液晶作 術^^Λ薄膜C3而言，使JSR公司製造的 濃度為華d_ethane)中’製作固形分 於18〇1下心”*溶液。自該掺雜溶液製作轉薄膜， -相位差^為2倍，藉此獲得薄膜。所獲得的第 ’ .、L·5在波長為550mn時的厚度方向雙折射為 163 1359319
24263pif.doc K = -341 nm 0 再者’使用大塚電子公司製造的相位延遲測定裝置(型 號 RETS — 1 〇〇) ’ 用旋轉檢光子法（Rotating Analyzer Method)，以〇°入射角使測定光入射至樣品平面並進行測 定’以此求出波贫為；550 nm時的相位差。 此外，弟相位差薄膜C3在波長為450 nm及650 nm 時的厚度方向雙折射為K(450) = _344 nm及κ(65〇) = _34〇 nm ° 就第一相位差薄膜A4及第二相位差薄膜A6而言，使 用4-曱基-1-戊烯、與碳原子數為12及14之單體(莫耳比 為碳原子數12 :碟原子數14=5〇 : 5〇)的共聚物(莫耳比為 9) : 5。’ MFR : 27g/IGmin，錢為 23()t：，玻璃轉移溫度 為15C ’平均折射率為L46，吸水率不到〇 〇1%)，用單^ 擠製機（直徑為40 mm)，於圓筒溫度為3〇〇ΐ、澆 ; ^〇°C的條件下進行錢顧成形，製作膜厚為^〇皿= 伸機於，16代的溫度下進行料車由延 甲使胰厗為112 μιη，獲得相位差薄膜a。 位差_A作為延伸方向上的 差賴A，其波長為55。時的面内相位差 觀測=膜，ί作圖9所示的積層體(液晶面板)， 果示於圖ίο中 的暗狀態下的視野角依賴性。將結 再者，於圖10及下述圖13、圖16及圖18中， 視野 164 24263pi ft cJ〇q 角0表示出射光離番* 同心圓的中心為〇。：直入射時(θ==0。)的角度偏移。圖中， Θ = 600々θ==9〇。0各同心圓自中心向外側表示θ = 30。、 夕卜)Γ^ΐ 1 角Θ表示相對於' ，下迷圖>】3、圖16及圖18中，方位 偏移。於圖中以貝•偏光薄膜1之吸收轉=〇。)的角度 針方向旋轉以2^。向的點線中，右端為卜〇。，向反時 自圖ίο可=·5的刻度增加。 透過率亦小於於^^獲得的積層體中，傾斜視野狀態下 化。 、、./〇’可有效地起作用以實現高對比度 於以下貫'施例中，以I每 加以說明。 ’、貝轭例D1不同的方面為中心 [實施例D2] 、於只施例1)1所示的積声俨中，难4 、 為相位差薄膜A，C、a、、曰 ，使用相位差薄膜-A作 -A來實現，亦可用延仲方A配置不僅可用相位差薄膜 折射的相位差薄膜+A來實之折射口^具有所謂正雙 使用滿足上述式(3—υ的相=疋表喊本實施例中 的結構圖。 溥膜+Α而貧現的積層體 如圖11所示，實施例中 的積層體，並加以評估。 、成~C +A、L、+Α配置 圖11所示的積層體中 例D1)相同，圖η +，與^件的積層順序與圖9(實施 差薄膜Α(+Α薄膜)4及第:=^而配置第-相位 祁位差賴Α6,並配置第一相 165 24263pif.doc 位呈薄膜A4，以使1以这 _ 射率轴方向）而與^日所示㈣學轴方向(異常光折 上 膜)6的光科方向（異常 ㈣—相^ _ A(+A薄 述方面與實施例Dl不同。丨率袖)與X轴方向一致’ 亦可此種配置即便使用相位差薄膜+A τ補正的i月形。於圖 卜45。時通過第 口 12中料視野角θ = 60。、 魔卡瑞球切Τ來彳=^ 1的直線偏光之偏光狀態是以 藉由通過相位差接胺c 倒的V點，料，μ ㈣)3，而光移動至更北極 &側偏光薄膜^吸㈣^ 旋轉角α，而移動㈣中心向右旋轉 差），而向南下方移動至、〇、次猎由液晶早兀5(+C相位 模A(+A薄膜)6以 ^。此外J由第二相位差薄
點〜@。p 马％7寻中心向左靛轉旋轉角α而與A ^ 11 π，藉由此種配置可進行軸補正。 司製造：G!220D U) ’作售的峨系偏光溥膜（日東電工公 薄犋2。再者，A 為月光側偏光溥膜1及出射側偏光 纖％丰、X η 使偏光薄膜的保護薄膜(TAC :三醋酸 准=產生多。餘的相位差，而拆離使用任一偏光薄膜。 作為單^早^厚度為、如—从液晶 就第一相位差薄胺^ 造的A麵溶融Γ二_3 ^门，使观公司製 wt%的摻雜溶液。自:二虱甲烷中，▲作f!分濃度為18 、 。^接雜溶液製作洗鑄薄膜’於18〇。〇 ]66 1359319 24263pif.doc 的相:上1。使用大緣電子公司製造 法，以〇。^ ί衣TS—100)，用旋轉檢光子 此求出所声得ί測定光入射至樣品平面並進行測定，藉 相位差，^的弟厂相位差薄膜C3在波長為550 ·時的 、J & —251 nm 〇 及第二相位差而言，使
濃度為;完中，製作固形分 自該雜溶液製作洗鑄薄膜， 至袖延伸2倍，藉此獲得薄膜。所 ^涛肤A，其延伸方向 ' 所獲侍的相位 向的折射率。又，該相位差方向正交之方 A(+A)，且波具益±胺〜所明的正相位差薄膜 二1波瓦為W〇nra時的面内相位 ^使用上述_，製作圖η所示的積=；72.!臟。 親測波長為蝴時的暗狀態τ的視;：；；㈣面板）’ 果示於圖13中。 7硯野角依賴性。將結
率亦==:視_下，所獲得的積層體的透過 [實二Dr而可知有效地實現高對比度。 並加^例中，製成心_A、L、·Α ' _C配置的積層體， 圖Η是表示本實施例的積層體的結構圖。 :積:體中’自下側開始依序積層有背光 液膜C3、第一相位匈a、LC(液晶^ 早灿、弟二相位差薄膜A6、第二相位差薄膜〇、 ]67 1359319 24263pif.doc 以及出射側偏光薄膜2。圖14中，第一相位差薄膜A4及 第二相位差薄膜A6均為-A薄板，第一相位差薄膜C3及 第二相位差薄膜C7均為-C薄板。 本實施例中，相對於正交的x — y軸位於薄膜面内且以 薄膜垂直軸為z軸的觀測座標而言，背光側偏光薄膜1的 吸收抽方向與X軸一致，且出射側偏光薄膜2配置為吸收 軸與y軸一致。於圖14中，用箭頭來表示偏光薄膜的吸收 轴方向。 又，於背光側偏光薄膜1上配置第一相位差薄膜c(-c 薄板），並配置第一相位差薄膜A4(-A薄板），以使作為其 延伸方向的光學軸方向（異常光折射率方向）與X軸一致。 其次配置被玻璃基板夾持著的液晶單元5，並配置第 二相位差薄膜A(-A薄板)6以使其光學軸方向與y軸一 致。此外，配置第二相位差薄膜C(-C薄板)7，從而成為上 述結構。 使用市售的碘系偏光薄膜（日東電工公司製造： G1220DU)，作為背光侧偏光薄膜1及出射侧偏光薄膜2。 再者，為了使偏光薄膜的保護薄膜(TAC :三醋酸纖維素） 不產生多餘的相位差，而使任一偏光薄膜與積層體分離使 用。 另外，使用單元厚度為3 μιη、K = 310 nm的VA液晶， 作為液晶單元5。 就第一相位差薄膜C3而言，使JSR公司製造的 ARTON溶融於二氯曱烷中，製作固形分濃度為18 wt%的 168 1359319 24263pif.doc 摻雜溶液。由這種摻雜溶液製作澆鑄薄犋，於 一 軸延伸2倍，藉此獲得薄膜。依照實施例〇C:二 =波長為―厚度方向雙折射進; 就第一相位差薄膜A4及第二相位差薄膜A6而士，使 用在160 C的溫度下單軸延伸聚4-曱基-1-戊歸的厚度為％ μηι的薄膜。該薄膜是延伸方向上的折射率小的所^負a m 相位差薄膜，且波長為550 nm時的面内相位差Re=_247 nm。圖15表示本實施例中所用的相位差薄膜_八的面内相 位差Re的波長依賴性的測定結果。自圖15可知，本實施 例中所使用的相位差薄膜_A顯示所謂的逆波長分散二β 即，波長越短相位差的絕對值越小。 再者，表示所獲得的相位差薄膜_Α的逆波長分散性的 值為， m
Re(450)/Re(550) = 〇gg Re(650)/Re(550)=i.〇6。 、使用上述薄膜製作圖14所示的積層體(液晶面板”觀 測波長為550 nm時的暗狀態下的視野角依賴性。將結果 示於圖16中。 °、 又，即便在傾斜視野狀態下，所獲得的積層體的透過 率亦小於等於G.〇8% ’從而可知有效地實現高對比度。 [實施例D4] 於本實施例中，在與實施例D3相同的圖】4所示的積 層體中，使用逆波長分散性強於實施例D3所使用的相位 J69 1359319 24263pif.doc 差薄膜-A的薄膜’作為相位差薄膜_A，並對該實施例加以 說明。 就第-相位差薄膜A4及第二相位差薄膜A6而言，使 用心甲基小戍稀均聚物’用單軸播製機(直徑為4〇nim)在 圓筒溫度為30CTC、澆鑄輥溫度為80。(：的條件下進行熔態 擠壓成形’製作膜厚為200 μιη的薄臈。繼而，用延伸機 於160 C的溫度下進行縱單軸延伸，使膜厚為95 ，製 成相位呈薄膜Α。 對所獲得的相位i溥膜-A測定面内相位差Re的波長 依賴性。將結杲示於圖17中。自圖17可知，相位差薄膜 -A顯示所謂的逆波長分散性，即，波長越短相位差的絕對 值越小。 又，表示所獲得的相位差薄膜-A之逆波長分散性的值 為，
Re(450)/Re(550) = 0.74 Re(65〇)/Re(550)= l.l5 〇 使用此種相位差薄膜-A作為第一相位差薄膜A4及第 二相位差薄膜A6，製成與圖14相同的積層體，觀測波長 為550 nm時的暗狀態下的視野角依賴性。將結果示於圖 18中。 又可知’本實施例與實施例D3的情形相比，暗狀態 下的透過光強度可進一步降低3〇%左右。 將理想的逆波長分散時（圖19)及過逆波長分散時（圖 20)龐卡瑞球狀上的偏光狀態變化進行比較，就如上所述可 170 1359319 24263pif.doc 改善為㈣想的逆波長錢更增強逆波長分散性的情形的 理由加以說明。 圖19是將偏光狀態變化表示於魔卡瑞球狀上的圖。 通過背光側偏光薄膜1的狀態T為，波長為450 nm、 550臟及650 _的光各自通過第一相位差薄膜c(_c薄 板)3後’各自移動至vi、V2及V3點。 、，一此處，因波長不同而移動點產生偏移的理由為，相位 差薄膜-C顯㈣謂的正波長分散，即，彳目位差〖並不因波 ^而變化’或波長越短K越增加。光的波長較短(45〇歷) 妗、’a S1軸的旋轉角（2πΚ/λ)變大，因此向北極側偏移 (VI)。又，波長較長的650 nm的光移動至V3。 ^ ’光通過第—相位差薄膜A(-A薄板)4。若此時相 么·差薄膜A具啕理想的逆波長分散性，則以τ為中心的旋 轉角度α與波長無關而為固定角度，波長為45〇nm、55〇nm 及650腿的光分別旋轉至Rl、R2及R3。 然而，因旋轉半徑由於光的波長而不同，則：Rl、R2 及R3的經度產生偏移。 此外〃光藉由液晶單元5而在經線上南下至q點，此 外’藉由第二相位差薄膜A(-A薄板)6而以A點為中心旋 ΗΓ ’因與北半球現象相同的理由’此外U點的經線偏移擴 ^。因此，藉由第二相位差薄膜C(-C薄板)7而以S1為轴 叙轉’但離出射側偏光薄膜2之吸收細卩A點的偏移因波 長擴大’透過率由於波長而不同，故成為產生色彩偏移的 原因。 371 1359319 24263pif.doc 另一方面，使相位差薄膜-A的逆波長分散特性強於理 想的逆波長分散性，即
Re(450nm)/Re(550 nm) = 0.82、以及
Re(650 nm)/Re(550 nm) = 1.18 時，如圖20所示，可使通過第一相位差薄膜-A後的 點Rl、R2及R3的經線大致一致。 同樣，自圖20可知，可減少南半球侧的U經線位置 的波長所導致的偏移。因此，藉由第二相位差薄膜C(-C 薄板)7使光移動至赤道上時波長所導致的偏移變得極小。 如上所述，本實施例中，使用逆波長分散性強於理想 逆波長分散的相位差薄膜-A，藉此可進一步實現色彩偏移 小、視野角特性優良的顯示裝置。 [實施例E1] 本實施例中，製成L、-A、-C、-A配置的積層體並加 以評估。 圖29是表示本實施例的積層體的結構圖。於圖29所 示的積層體中，自下側依序積層有背光側偏光薄膜1、液 晶單元(液晶層、LC)3、第一相位差薄膜A4、第一相位差 薄膜C15、第二相位差薄膜A6、以及出射侧偏光薄膜2。 圖29中，第一相位差薄膜A4及第二相位差薄膜A6均為 滿足上述式(4 — 2)的-A薄板，第一相位差薄膜C3是滿足 上述式(4 — 3)的-C薄板。 本實施例中，相對於正交X — y轴位於薄膜面内、且以 薄膜垂直軸為z軸的觀測座標而言，背光側偏光薄膜1的 172 1359319 24263pif.doc 吸收軸方向與χ軸一致，且出射側偏光薄膜2是配翼為吸 收軸與y轴一致。 再者，圖29中，用箭頭來表系偏光薄膜的吸收軸方向。 另外’於背光側偏1薄膜1上配置液晶單元(液晶層、 LC)3，並配置第—相位差薄膳A(-A薄板)4 ’使作為其延 伸方向的光學軸方向（異^光折射率方向）與y軸一致。 其次，配置相位差薄膜C(X)5，並配置第二相位差薄 膜A(-A薄板)6以使其光學軸方向與x軸一致，此外配置 出射側偏光薄膜2，以使其吸收軸與y軸一致。 使用市售的碘系偏光薄腺（曰東電工公司製造： G1220DU)，作為背光側偏光薄艨1及出射側偏光薄膜2。 再者，為了使偏光薄膜的保護薄膜(TAC :三醋酸纖維素) 不產生多餘的相位差/而使偏光薄膜與積層體分離而 使用。 而且，使用單元厚度為3 μΙΐα、；Κ = 310ιιιη的VA液晶， 作為液晶單元].3。 ~ 就第一相位差薄膜Cl5而言，使JSR公司製造的 ARTON溶融於二氣曱燒中，製祚固形分濃度為18 wt〇/〇的 摻雜溶液。由該摻雜溶液製作澆鑄薄膜，於18〇aC下雙軸 延伸2彳。’藉此獲得薄膜。所獲得的第一相位差薄膜ci5 在波長為550 nm時的厚度方甸相位差為K = _332 nm。 再者’使用大塚電子公製造的相位延遲測定裝置（型 號 RETS— 100)，用旋 二 ^ 入射至樣品平面並加以二 法’使測定光以0。入射角 、'疋，藉此求出波長為550 nm時 173 24263pif.doc 的相位差。 又，第一相位差薄膜Cl5在波長為450 nm及650 nm 時的厚度方向相位差為K(450) = -335 nm及K(650) = -330 nm 〇 就第一相位差薄膜A4及第二相位差薄膜A6而言，使 用4-曱基小戊烯、與碳原子數為12及14之單體(莫耳比 為碳原子數12 :碳原子數14 = 50 : 50)的共聚物（莫耳比= 95 : 5，MFR : 27 g/10 min，熔點為230〇C，玻璃轉移溫度 為15°C，平均折射率為1.46，吸水率不到0.01%)，用單軸 擠製機（直徑為40 mm)於圓筒溫度為300°C、澆鑄輥溫度為 30°C的條件下進行熔態擠壓成形，製作膜厚為200 μιη的 薄膜。繼而，使用延伸機於160°C的溫度下進行縱單軸延 神，使膜厚為112 μπι，製成相位差薄膜A。 所獲得的相位差薄膜A為延伸方向上的折射率較小的 所謂負相位差薄膜A，且波長為550 nm時的面内相位差 Re =，27.8 nm。 使用上述薄膜製作圖29所示的積層體(液晶面板），觀 測波長為550 nm時的暗狀態下的視野角依賴性。將結果 示於圖30中。再者，圖30以及下述圖36及圖38表示僅 將背光亮度設為1時透過LC面板(無彩色濾光片）的光相對 於視野角的相對亮度，如圓内的實線所示，於最大最小亮 度值之間描繪有8條等亮度線。又，於圖30、圖36及圖 3 8中，同心圓的半徑方向的軸表示入射角Θ。自圓中心(Θ =0°)開始以20°的刻度來表示同心圓，最外周的圓表示Θ 】74 1^59319 24263pif.doc = 80。。 又，即便在傾斜視野狀態下，所獲得的積層體的等亮 度曲線(isoluminance curve)亦小於0.0012，從而可知有效 地實現高對比度。 > 以下實施例中，以與實施例E1不同的方面為中心 行說明。 [貫施例E2]
於實施例E1所示的積層體中使用了相位差薄膜_ 為相_膜A，然而’ L、A、c、A配置不僅可使用相 位玄雜-A來實現，亦可使用延伸方向的折射率變高的立 有所謂正雙折射的相位差薄膜+A [ 本實t例中使用滿足上述式(4—⑽相位夂膜:Hi 現的％層體的結構圖。 置的== 實聲製成
施例===:=:=序舆圖29(實 液晶單元13後是以於第;：、jEl不同’圖31中， 相位差薄膜A(+A薄膜) ，(+A_與第二 而配置的，且第-相:# ί間夹人相位差_ C5的方式 光學轴方向（異常光折射率配置為以箭頭所示的 相位差薄膜A(+A薄膜)6沾丄向）人X軸一致，且使第二 亦與\軸方向一致。、）的光學軸方向（異常光折射率軸) 參照圖32所示的魔 亦運上技影圖，說明藉由此 Ϊ75 1359319 24263pif.doc 種配置即便在使用相位差薄膜+A亦可進行軸補正的情 於圖32巾，通過第—偏光賴丨的直線偏光的偏光^ 恶疋以龐卡知球上的T來記述的。 通過第一偏光薄膜1的直線偏光通過液晶單元13(與 +c薄膜相同），藉此偏光狀態移動至南半球側的v點，此 外，藉由第一相位差薄膜A(+A薄膜)4,光以背j低 缚膜2的吸收轴方向即τ為旋轉中心向左旋轉雜 ， 二其^藉由相位差薄叫。相位差;而上升 至Q站。此外，错由第二相位差薄膜A(+膜 丁馬旋轉中心向左旋轉旋轉角α2而可與A L 可知藉由此種配置可進行軸補正。 ，，攸而 司製ΐ本使用1售,的鐵系偏光薄膜（曰東電工公 薄膜2 _&*、，作為背光側偏光薄膜1及出射側偏光 物2。再者’為了使偏光薄膜的 — 纖維素)不產生多餘的相 ’、濩厚胺(TAC ·二醋酸 分離而使用。 差，而將任一偏光薄膜與積層體 作』:ί單：單元厚度為3 Α_Ν溶融差於#二二:)Γ:□言,使JSR公司製造的 捧雜溶液。由歸制/\作固形分漠度為18加％的 延伸4倍，二製作洗鑄薄膜，於靴下雙軸 延遲測定“(型大=子公司製造的相位 定光以。'射角人射至樣品平面並力：光=求:： 176 1359319 24263pif.doc 獲得的相位差薄膜C5在波長為550 nm時的厚度方向相位 差，為 K = -261 nm。 就第一相位差薄膜A4及第二相位差薄膜A6而言，使 JSR公司製造的ARTON溶融於二氯曱烷中，製作固形分 濃度為18 wt%的摻雜溶液。由該摻雜溶液製作洗鑄薄膜， 於180°C下單軸延伸4倍，藉此獲得薄膜。所獲得的相位 差薄膜A，其延伸方向的折射库大於與延伸方向正交之方 向的折射率。又，該相位差薄膜A為所謂的正相位差薄膜 ® A(+A)，且波長為550 nm時的面内相位差Re = +30.3 nm。 使用上述薄膜製作圖31所示的積層體(液晶面板），觀 測波長為550 nm時暗狀態下的透過率的視野角依賴性。 將對透過率0.08%進行10等分而表示的等高線圖示於圖 33中。 又，即便於傾斜視野狀態下，所獲得的積層體的透過 率亦小於等於0.08%，從而可知有效地實現高對比度。 [實施例E3] # 本實施例中，製成1^、-人、-(：、-人、+0配置的積層體 並加以評估。 圖34是表示本實施例的積層體的結構圖。於圖34所 示的積層體中，自下側開始依序積層有背光側偏光薄膜 1、LC(液晶層、液晶單元)13、第一相位差薄膜A4、第一 相位差薄膜C15、第二相位差薄膜A6、第二相位差薄膜 C7、以及出射側偏光薄膜2。圖34中，第一相位差薄膜 A4及第二相位差薄膜A6均為滿足上述式(4 — 2)的-A薄 177 1359319 24263pif.doc 板，第一相位差薄膜C15為滿足上述式(4 — 3)的-C薄板， 第二相位差薄膜C7為滿足上述式(4—8)的+C薄板。 本實施例中，相對於正交的x—y轴位於薄膜面内且以 薄膜垂直軸為z軸的觀測座標而言，背光側偏光薄膜1的 吸收軸方向與X轴一致，且出射側偏光薄膜2是配置為其 吸收軸與y轴一致。於圖34中，用箭頭來表示偏光薄膜的 吸收軸方向。 此外，於背光側偏光薄膜1上配置被玻璃基板夾持著 的液晶單元13，並配置第一相位差薄膜A4(-A薄板)以使 作為其延伸方向的光學軸方向（異常光折射率方向）與y軸 一致。 其次，配置第一相位差薄膜C15(-C薄板），並配置第 二相位差薄膜A(-A薄板)6以使其光學軸方向與X軸一 致。此外，配置第二相位差薄膜C(+C薄板)7，從而成為 上述結構。 使用市售的碘系偏光薄膜（日東電工公司製造： G1220DU)，作為背光侧偏光薄膜1及出射側偏光薄膜2。 再者，為了使偏光薄膜的保護薄膜(TAC :三醋酸纖維素) 不產生多餘的相位差，而將任一偏光薄膜與積層體分離而 使用。 又，使用單元厚度為3 μπι、K = 310 nm的VA液晶， 作為液晶單元13。 就第一相位差薄膜C15而言，使JSR公司製造的 ARTON溶融於二氯曱烷中，製作固形分濃度為18 wt%的 178 1359319 24263pif.d〇( 摻雜溶液。由該摻雜溶液製作澆鑄薄膜，於 ，伸4倍，藉此獲得薄膜。依照實施例幻，測 溥膜在波長為550 nm時的厚度方向相位差，处田X吁的 -660 nm。 、、，° 不為 Κ = 於兩片玻璃基板之間使液晶垂直配向， 差薄膜C7。波長為550 nm時，第二相位差薄膜^相位 度方向相位差K為310 nm。 、 的厚 就第一相位差薄膜A4及第二相位差薄暝八6 一 用在16 0 °C的溫度下單軸延伸聚4 _曱基_ J賴的厚 μπι的薄膜。該薄膜是延伸方向上的折射率較小的胃負二 相位差薄膜，且波長為550 nm時的面内相位差Re==_l6.4 rnn。將本實施例中所使用的相位差薄膜·Α的面内相位差 Re的波長依賴性的測定結果示於圖35中。自圖35可知， 本實施例中所使用的相位差薄膜_A顯示所謂的逆波長分 散性，即，波長越短相位差的絕對值越小。 又，顯示所獲得的相位差薄膜_A的逆波長分散性的值 為，
Re(450)/Re(550) = 0.88 Re(650)/Re(550)=l.〇6。 使用上述薄膜製作圖34所示的積層體(液晶面板），觀 測波長為550 nm時暗狀態下的視野角依賴性。將測定所 得的等亮度曲線isoluminas等高線圖示於圖36中。 另外，即便於傾斜視野狀態下，所獲择的積層體的等 亮度曲線亦小於0.0005，從而可知有效地實現高對比度。 179 丄 24263pif.doc [參照例El] 本參照例中，製成L' A p 配置的積層體並加以評 圖37是表示本參照例的積層體的 Γ、=二細^ 差薄膜。15、以及出射側偏光薄mA中4:
為滿足上述式(4-料她差薄膜⑶ 以4i相:於正交的χ -y軸位於薄膜面内、且 觀測座標而言，背光側偏光薄膜1 盆唆收:㈣° :、〜轴―致’且出射側偏絲膜2是配置為 其吸收軸與y軸一致。 再者圖37中’用前頭來表示偏光薄膜的吸收軸方向。
、广曰於、偏光_1上配置被玻璃基板夹持著的 液日曰早70 13(+c薄板），並配置相位差薄膜A(_A薄板)4， 以使作為其延伸方_光學㈣向（異常光折料方向)與 y軸一致。 、士，配置相位差薄膜c(_c薄板)，此外配置出射側 偏光溥膜2，以使其吸收軸與y軸_致。 使用市售的蛾系偏光薄膜（日東電工公司製造： G1220DU)，作為背光側偏光薄膜1及出射側偏光薄膜2。 再者，為了使偏光薄膜的保護薄膜(TAC :三醋酸纖維素) 不產生多餘相㈣’而將任一偏光薄膜與積層體分離而使 180 1359319 24263pif.doc 用。 另外’使用單元厚度為 3 μιη、K = 310 nm 的 VA 液晶， 作為液晶單元13。 一就相位差薄膜C15而言，使】SR公司製造的ARTON 於一氯甲燒中，製作固形分濃度為18研％的摻雜溶 液°+由该#雜溶液製城鑄薄膜，於18G°C下雙軸延伸2
倍’，此獲得薄膜。所獲得的相位差薄膜C15在波長為55〇 nm時的厚度方向相位差為κ = _295 _。 c再者’使用大塚電子公司製造的相位延遲測定裝置(型 號RETS-100) ’用旋轉檢光子法 ，使測定光以0。入射角 入射至樣品平面益加以測定’藉此求出相位差薄膜C15在 波長為550 nm時的相位差。 又相位差薄膜C15在波長為450 nm及650 nm時的 厚度方向相位差為K(450) = -298 nm及K(650) = -293 nm。
就相位差_ Μ而言，使料甲基小戊稀、與碳原 子數為12及Μ之單體(莫耳比為碳原子數12 :碳原子數 Μ): 5〇)的共聚蝴耳比=95 : 5，峨：27 ^ 〇論， 溶點為23〇t，玻鄉移溫度為15t， 吸，到議)，用單軸_(直徑為:射二: 溫度為300t、澆鑄輥溫度為3〇t )於固同 成形，製侧厚為200 __膜。^下進行熔態播麼 16(TC的溫度下麟縱單軸延伸，使’使用延伸機於 相位差薄膜A。 使膜，獲得 ⑭伸方向上的折射率較小的 181 1359319 24263pif.doc 所謂負相位差薄膜A，波長為550 nm時的面内相位差Re =-32 nm ° 使用上述薄膜製作圖37所示的積層體(液晶面板），觀 測波長為550 nm時的暗狀態下的視野角依賴性。將結果 示於圖38中。 自圖38可知，於傾斜視野狀態下，所獲得的積層體的 透過亮度最大值為0.13%(0.0013)左右。又，與本案第四發 明的實施例相比可知，入射角Θ大於等於60°時，沒漏強 度隨著方位角#而較大地變化。隨之存在視野角變化所導 致的色彩偏移亦變大的問題。 【圖式簡單說明】 上述目的及其他目的、特徵及優點，可藉由上述較好 的實施形態及隨附於其的下述圖式來進一步闡明。 圖1是表示實施形態之偏光板的結構的圖。 圖2是表示實施形態之液晶顯示裝置的結構的圖。 圖3是表示實施例之包含4-曱基-1-戊烯 (4-methyl-1 -pentene)的薄膜之相位差的波長依賴性的圖。 圖4是表示實施形態之積層體的概略結構的剖面圖。 圖5是表示實施形態之積層體的概略結構的剖面圖。 圖6是表示實施形態之液晶顯示元件的概略結構的 圖。 圖7是說明實施形態之光的補正方法的圖。 圖8是說明實施形態之光的補正方法的圖。 圖9是表示實施例之積層體的結構的立體圖。 182 1359319 24263pif.doc 圖10是表示實施例之積層體的評估結果的圖。 圖11是表示實施例之積層體的結構的立體圖。 圖12是說明實施例之光的補正方法的圖。 圖13是表示實施例之積層體的評估結果的圖。 圖14是表示實施例之積層體的結構的立體圖。 圖15是表示實施例之積層體的相位差薄膜A的波長 分散特性的圖。 圖16是表示實施例之積層體的評估結果的圖。
圖17是表示實施例之積層體的相位差薄膜A的波長 分散特性的圖。 圖18是表示實施例之積層體的評估結果的圖。 圖19是說明實施例之光的補正方法的圖。 圖20是說明實施例之光的補正方法的圖。 圖21是說明習知之光的補正方法的圖。 圖22是說明習知之光的補正方法的圖。 圖23是說明習知之光的補正方法的圖。
圖24是表示實施形態之積層體的概略結構的剖面圖。 圖25是說明實施形態之光的補正方法的圖。 圖26是表示實施形態之積層體的概略結構的剖面圖。 圖27是說明實施形態之光的補正方法的圖。 圖2 8是表不貫施形悲之液晶顯不元件的概略結構的 圖。 圖29是表示實施例之積層體的結構的立體圖。 圖30是表示實施例之積層體的評估結果的圖。 183 1359319 24263pif.doc 圖31是表示實施例之積層體的結構的立體圖。 圖32是說明實施例之光的補正方法的圖。 圖33是表示實施例之積層體的評估結果的圖。 圖34是表示實施例之積層體的結構的立體圖。 圖35是表示實施例之積層體的相位差薄膜A的波長 分散特性的圖。 圖36是表示實施例之積層體的評估結果的圖。 圖37是表示實施例之積層體的結構的立體圖。 圖38是表示實施例之積層體的評估結果的圖。 圖39是說明習知之光的補正方法的圖。 圖40是說明習知之光的補正方法的圖。 圖41是說明習知之光的補正方法的圖。 圖42是表示實施例之薄膜的波長與相位差之絕對值 的關係的圖。 圖43是表示實施例之薄膜的波長與相位差之絕對值 的關係的圖。
【主要元件符號說明】
1 :背光側偏光薄膜 2:出射侧偏光薄膜 3 :第一相位差薄膜C 4:第一相位差薄膜A 5、13、L :液晶單元 6:第二相位差薄膜A 7 :第二相位差薄膜C 184 1359319 24263pif.doc
15 :第一相位差薄膜C 101 :保護薄膜 102 :硬質塗佈層 103 :第二偏光板保護薄膜 104 :偏光鏡 105 :第一偏光板保護薄膜 106 ··黏著層
107 :剝離薄膜 114、 119 :偏光板 115、 118 :相位差板 116 :光學補償薄膜 117 ·液晶面板 120 :背光單元 1100、1120、2110、2120 :積層體 A、Al、A2、C、Cl、C2 :相位差薄膜 PI、P2 :偏光薄膜
185

Claims (1)

1359319 24263pif.doc 爲第96115245號中文專利範圍無劃線修正本 十、申請專利範圍： ψ 、.一種光學元件(B)之雙折射波長依賴性的補正方 法’包括：於具有雙折射的光學元件⑼上積層薄膜⑷，由 該光學it件(B)與該薄膜⑷的積層體之雙折射所產生的相 位差（角度換算)的波長依祕，小於單獨㈣辟元件⑼ 之雙折射所產生的波長依賴性；
該薄膜(a)是由含有4·曱基_丨_戊烯的（共）聚合物(〇1)組 成，該(共)聚合物(α)是4-曱基_1_戊烯以及除4-甲基_丨_戍烯 以外的碳原子數大於等於10和小於等於14的…烯烴的共 聚物’且來自該α-烯烴之結構單元佔該共聚物整體的比例 大於等於1 mol%、小於等於9m〇i〇/0 ; 該薄膜(a)為相位差板，且該相位差板的每50μιη厚度 在波長為590nm時的面内相位差r5()(59〇)滿足下述條件： R5〇(590)$ -22 nm ;以及 該相位差板更滿足下述特性： R(450)/R(590)<0.9
修正日期:1〇〇年丨i月23日 上式中，R(450)及R(590)分別表示波長為450 nm及 590 nm時的該相位差板的面内相位差。 2.如申請專利範圍第1項所述之光學元件(B)之雙折射 波長依賴性的補正方法，更包括： 使用偏光板(P)， 於該光學元件(B)與該偏光板(P)之間配置該薄膜(a)， 且於該光學元件(B)與該偏光板(P)之間，除該薄膜⑻以 外，實質上不存在具有面内相位差的光學元件。 186 1359319 24263pif.doc 爲第 96115245 财 修正曰期:1〇〇年U月23 臼 3.如申請專利範圍第1項所述之光學元件(B)之雙折射 波長依賴性的補正方法，其中該光學元件(B)為透光性薄膜 (bl)。 ' 4·如申請專利範圍第3項所述之光學元件(B)之雙折射 波長依賴性的補正方法，其中該透光性薄膜(Μ)直 著一黏接層積層該薄獏(a)。 一阳 5. 如申請專利範圍第3項所述之光學元件(B)之雙折射 波長依賴性的補正方法，其中該透光性薄膜(Μ)為偏光板 保#蒦膜。 6. 如申請專利範圍第3項所述之光學元件(B)之雙折射 波長依賴性的補正方法，其中該透光性薄膜(Μ)為相位差 板。 7·如申請專利範圍第3項所述之光學元件(B)之雙折射 波長依賴㈣補正方法，其巾該透級_(Μ) 償薄膜。 饰 8·如申請專纖11第1項所述之光學元件(B)之雙折射 g依賴㈣補正枝，其巾該鮮元件⑻為液晶面板 9.如申明專利範圍第8項所述之光學元件⑻之 波長依賴㈣補正方法，其巾魏晶面板㈣直接或隔著 一黏接層積層該薄膜(a)。 考 麵示裝置’具有利用偏光的光學科以及所述 請專： = :=:長依賴性是使用如申 187 24263pif.doc 爲第96115245號中文專利範圍無劃線修正本 修正日期:100年11月23日 11. 一種光學元件，包括：含有至少一層的薄膜(a)，該 薄膜⑷是由含有4-甲基-1·戊烯的（共）聚合物⑻組成，該 (共）聚合物(〇〇是4-甲基-1-戊烯以及除4-曱基-1-戊烯以外 的碳原子數大於等於10和小於等於14的α-烯烴的共聚 物，且來自該α-烯烴之結構單元佔該共聚物整體的比例大 於等於1 mol%、小於等於9 mol% ; 該薄膜(a)為相位差板，且該相位差板的每50 μιη厚度 在波長為590 nm時的面内相位差R50(590)滿足下述條件： R5〇(590)$-22nm ;以及 該相位差板更滿足下述特性Γ R(450)/R(590)<0.9 上式中’ R(450)及R(590)分別表示波長為450 nm及 590 nm時的該相位差板的面内相位差。 12. 如申請專利範圍第u項所述之光學元件，其中該 光學元件為相位差板。 13_ —種橢圓偏光板，包含如申請專利範圍第12項所 述之光學元件及一偏光板。 14.如申請專利範圍第13項所述之橢圓偏光板，更包 括一黏著性樹脂層。 一 15.如申請專利範圍第u項所述之光學元件，其中該 光學兀件魏蘭_、翻導電性紐、擴散板、聚光 板、光學補償薄膜或偏光板。 16.一種顯示裝置，包括如申請專利範圍S 11項所述 之光學元件。 1359319 24263pif.doc 修正日期:100年11月23日 爲第96115245號中文專利範圍無劃線修正本 17. —種薄膜，是由含4-曱基-1-戊烯的共聚物組成， 所述共聚物是4-曱基-1-戊烯；以及除4-甲基-1-戊烯以外 的碳原子數大於等於10和小於等於14的α-烯烴的共聚 物’且來自該α-烯烴之結構單元佔該共聚物整體的比例大 於等於1 mol%、小於等於9 mol% ; 該薄膜為相位差板，且該相位差板的每50 μιη厚度在 波長為590nm時的面内相位差r5〇(590)滿足下述條件： R5〇(590)$ -22nm ;以及 該相位差板更滿足下述特性： R(450)/R(590)<0.9 上式中’ R(45〇)及R(590)分別表示波長為450 mn及 590 nm時的該相位差板的面内相位差。 18. 如申請專利範圍第17項所述之薄膜，其中該薄膜 疋猎由利用溶態擠壓成形法(melt extrusi〇n瓜⑴出叩)形成 後加以延伸配向之方式而獲得的。 19. 如申凊專利範圍第17項所述之薄膜，其用於光學 用途。 20. 如申請專利範圍第17項所述之薄膜，其中該薄膜 為偏光保護膜或光學補償薄膜。 21，一種積層體，包括： 第一及第二偏光薄膜； 液晶單元L，配置於該第一與第二偏光薄膜之間；以 及 多片相位差薄膜’配置於該第—與第二偏光薄膜之 189 1359319 24263pif.doc 修正日期:100年11月23日 爲第96115245號中文專利範圍無劃線修正本 間，且含有至少兩片相位差薄膜A及至少一片相位差薄膜 C ;且 至少一片該相位差薄膜C是鄰接於該第一或第二偏光 薄膜而配置的； 兩片該相位差薄膜A及該液晶單元L是以A、L、A 的順序而配置的； 該相位差薄膜A具有由含4_曱基-1-戊烯的共聚物組 $ 成的層，所述共聚物是4-曱基-1-戊烯；以及除4-曱基-1- 戊烯以外的碳原子數大於等於10和小於等於14的α-烯烴 的共聚物，且來自該α-烯烴之結構單元佔該共聚物整體的 比例大於等於1 mol%、小於等於9 mol% ; 該相位差薄膜A為相位差板，且該相位差板的每50 μιη厚度在波長為590 nm時的面内相位差R5〇(590)滿足下 述條件： R5〇(590)S -22nm ;以及 該相位差板更滿足下述特性： • R(450)/R(590)<0.9 上式中，R(450)及R(590)分別表示波長為450 nm及 590 nm時的該相位差板的面内相位差；以及 該相位差薄膜A滿足下述式(3—1)及(3 — 2)中的任一 項，並且 該相位差薄膜C滿足下述式(3 — 3)， nx > ny>nz (3 — 1) nz>nx > ny (3 — 2) 190 1359319 24263pi£doc 修正曰期:1〇〇年11月23曰 爲第96115245號中文專利範圍無gg線修正本 nx>ny>nz (3 — 3) 上式(3-1)〜(3-3)中，nx為該些相位差薄膜的面内 的最大折射率，ny為該些相位差薄膜面内的與表示最大折 射率的方向jL交的綠讀料，nz為該些她錢膜的 法線方向的折射率。 β22.如申請專利範圍第21項所述之積層體，其中該液 晶單兀L、該相位差薄膜C及兩片該相位差薄膜a是以c、 A、L、A的順序而配置的。 23. 如申請專利範圍第21項所述之積層體，其中 該相位差薄膜包含兩片該相位差薄膜C ; 該液晶單元L、兩片該相位差薄膜c及兩片該相位差 薄膜A是以C、A、L、A、C的順序而配置的。 24. 如申請專利範圍第23項所述之積層體，其中 至少一片該相位差薄膜A在波長為450 nm時的面内 相位差Re(450)、波長為550 nm時的面内相位差Re(550) 及波長為650 nm時的面内相位差Re(650)滿足下述關係， Re(450)/Re(550)<l (3 — 4);以及 Re(650)/Re(550)> 1 (3 — 5)。 25. 如申請專利範圍第24項所述之積層體，其中 該相位差薄膜A在波長為450 nm時的面内相位差 Re(450)、波長為550 nm時的面内相位差Re(550)及波長為 650 nm時的面内相位差Re(65〇)滿足下述關係， 0.70 $ Re(450)/Re(550)<0.90。 26. 如申請專利範圍第21項所述之積層體，其中 191 1359319 修正日期:1〇〇年11月23日 24263pif.doc 爲第96115245號中文專利範圍無劃線修正# 至少一片該相位差薄膜A在波長為55〇 nm時的面内 相位差Re(55〇)之絕對值處於下述範圍’ 10 nm S | Re(550)丨 $ 80 nm。 27. 如申請專利範圍第21項所述之積層體，其中 至少一片該相位差薄膜C在波長為45〇 nm、550 nm 及650 nm時的厚度方向相位差K(450)、K(550)及K(650) 滿足下述關係， Κ(450)/Κ(550) > 1 (3 —6);以及 Κ(650)/Κ(550) < 1 (3 — 7)。 28. —種液晶顯示元件，包括如申請專利範圍第21項 所述之積層體。 29. —種相位差薄膜，用作申請專利範圍第21項所述 之積層體中的該相位差薄膜A，且該相位差薄膜的特徵在 於： 滿足式(3—1)及(3 —2)中的任一項， nx > ny>nz (3—1)
nz>nx>ny (3 — 2) 上式(3-1)〜(3-2)中，nx為該相位差薄膜的面内的 最大折射率，町為_位差_面_與表示最大折射率 =方向正交的方位之折射率，nz為該相位⑽_ 向的折射率。 30.如申請專利範圍第29項所述之相位差薄膜，㈠ =為550腿時的面内相位差Re⑽)之絕對值滿打述 192 1359319 修正日期:100年li月23日 24263pif.doc 爲第96115245號中文專利範圍無劃線修正本 10 nm 引 Re(550) j $ 80 nm 0 31.—種積層體，包括： 第一及第二偏光薄膜； 液晶單元L，配置於該第〆與第二偏光薄膜之間；以 及 多片相位差薄膜，配置於該第一與第二偏光薄膜之 間，且含有相位差薄膜A卜相位差薄膜A2及相位差薄膜 C1 ;且 該相位差薄膜A1、該相位差薄膜A2、該相位差薄膜 C1及該液晶單元L是以L、A1、C1、A2的順序而配置的； 該相位差薄膜A1或該相位差薄膜A2是由含4-甲基 -1-戊晞的共聚物組成的層，所述共聚物疋4-曱基-1-戊埽； 以及除4-曱基-1-戊烯以外的碳原子數大於等於10和小於 等於14的cx_烯烴的共聚物，且來自該α-烯烴之結構單元 佔該共聚物整體的比例大於等於1 mol%、小於等於$ mol% ; • 該相位差薄膜A1或該相位差薄膜A2為相位差板，且 該相位差板的每50 μιη厚度在波長為590 nm時的面内才目 位差R5G(590)滿、足下述條件： R5〇(590)S -22nm ;以及 該相位差板更滿足下述特性： R(450)/R(590)<0.9 上式中，R(450)及R(59〇)分別表示波長為45〇 nm及 590 nm時的該相位差板的面内相位差； 193 1359319 24263pif.doc 爲第96115245號中文專利範圍無劃線修正本 修正日期:100年U月23日 該相位差薄膜A1及該相位差薄膜a 2分別獨立滿足下 述式(4一 1)及(4 —2)中的任一項；並且 該相位差薄膜C1滿足下述式(4 — 3)， nx > ny>nz (4-1) nz>nx > ny (4-2)
nx>ny > nz (4 — 3) :上式(4-1)〜(4-3)中，nx為該些相位差薄膜的面内 最大折射率，ny為該些相位差薄膜面内的與表示最大折射 率的方向正交的方位的折射率，nz為該些相位 線方向的折射率。 、
32. 如申請專利範圍第31項所述之積層體，其中 該些相位差薄膜更包括相位差薄膜C2 ; 該相位差_ A1、該相位差薄膜A2、該相位差薄膜 C1、該相位差薄膜C2及該液晶單元L是以[、ai、〇、 A2、C2的順序而配置的； 該相位差薄膜C2滿足下述式(4 — 8)， nz > nx>ny (4 —8) ° 33. 如申請專利範圍第31項所述之積層體，其中 該相位差薄臈A1或該相位差薄膜A2在波長為45〇 nm時的面内相位差Re(45〇)、波長為55〇 nm時的面内相 位差Re(550)及波長為㈣nm時的面内相位差Re(65〇)滿 足下述關係： Re(450)/Re(550)<l (4〜4);以及 Re(650)/Re(550)> 1 (4-5、。 194 1359319 24263pif.doc 修正日期:100年11月23曰 爲第96115245號中文專利範圍無劃線修正本 34. 如申請專利範圍第31項所述之積層體，其中 該相位差薄膜A1或該相位差薄膜A2在波長為550 nm時的面内相位差Re(550)的絕對值處於下述範圍： 10 nm $ | Re(550) | £ 80 nm。 35. 如申請專利範圍第31項所述之積層體，其中 該相位差薄膜C1或該相位差薄膜C2在波長為450 nm、550nm及650 nm時的厚度方向相位差K(45〇)、K(55(〇 及K(650)滿足下述關係： Κ(450)/Κ(550) > 1 (4-6);以及 Κ(650)/Κ(550) < 1 (4 —7)。 36. —種液晶顯示元件，包括如申請專利範圍第31項 所述之積層體。 37. —種相位差薄膜，用作如申請專利範圍第31項所 述之積層體中的該相位差薄膜Α1或該相位差薄膜八2，且 該相位差薄膜的特徵在於， 滿足式(4—1)及(4 —2)中的任一項， nx > ny>nz (4—1) nz>nx > ny (4 — 2) 上式(4—1)〜(4 — 2)中，nx為該些相位差薄膜的面内 最大折射率，ny為該些相位差薄膜面内的與表示最大折射 率的方向正父的方位的折射率，⑽為該些相位差薄膜的法 線方向的折射率。 38·如申請專利範圍第37項所述之相位差薄膜，其中 波長為550nm時的面内相位差Re(55〇)之絕對值滿足下述 195 1359319 24263pif.doc 爲第96115245號中文專利範圍無劃線修正本 修正日期:100年11月23曰 關係： 10 nm $ | Re(550) | $ 80 nm。 39. —種圓偏光板，包含如申請專利範圍第12項所述 之光學元件及一偏光板。 40. 如申請專利範圍第39項所述之圓偏光板，更包括 一黏著性樹脂層。
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