TWI357102B - Method and apparatus of manufacturing semiconducto - Google Patents
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Description
九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 有研置之製造找及/或設備，尤有關於具 ，研磨aa Η “之+導體裝置之製造方法及/或設備。 【先前技術】 舉例^導ίίί製^料可能她™时表面平坦化。 絕二Ϊί=層間絕緣膜之平坦化製程、形成電晶體 形成金屬配線等用之接觸部之製程、及 為使表面平触，有_ 的目的可能不止 於絕ίί二成接卿之製歡形成金屬崎之製程中， ^：ΐΓ；::；ΐ：: r〇itr^ ^ cvd 表面。除凹在此，▲屬膜平均形絲凹部以外的 形成於非必要部分的金屬膜。 磨之-例力^:成接觸部之1中所進行的研磨，作為此類研 22 21 mt 運用2。當藉由猶法或CVD法以嵌入金屬膜2時，除^
否則金屬膜2除了形成於孔4中之外也2 非2·^ S4M 3之上。因為形成於孔4以外部分的金屬膜2 A 1357102 的需$，而使增加生產力（比如說產量等）成為—重要 *與上述說明相關聯者，日本公開專利公報JP-P 9ηη/ΐ_9〇(^ίΐί； Α號揭示一種半導體裝置的製造方法。其一目的 吝旦。j 文J揭示具有複數個研磨平台及研磨頭的一研磨问立二： 著在非用於SC二
6432825^^^23^^ ^ 2〇〇°'173959 A US = 9 A)揭示一種半導體裝置的製造方法。哕 32=金Γ表面之表面層移除製程，其中=個: —研階段係在高負載情況下進行研磨。而第 -段巾’係在低於第―賴的貞載情況下進行研磨。 過研^人已發現下列事實：當研磨標的物被研磨時，有時會進行 行過:面層被研磨到預纽之後，再進 而’ §進行過研磨時，有時會發生於研磨初期實質上未進 兩誘者導心广一1·長的情形。
膜兩者皆露出的表面進行過研磨時，金屬材料容 I虫作§用晰日中被研磨溶液腐飾。也就是說’後退（由化學溶液腐 (密集配線的局部後退)的 祕时,了棘’關方、上返問喊之一項原因，吾人可思考如下： 研磨=所=:力:開始後’溫咖 可诗ϋ^2!：00—173959 A揭示一種在全部晶圓表面為金屬膜之時 月技術。然而，並未有任何文件揭露··當在金屬 “巴ί膜兩者皆露出的表面進行過研磨時，可減少誘導時間的 ^。此，吾人需要可在過研磨時減少誘導時間的技術。 6 U57102 【發明内容】 本發明^求解決上述之一或多個問題，或至 二通。ΐ —實施例中，—種半導體裝置的製造方法’包刀括j迷 2遠露出之，膜及該露出之金屬膜的表面進行; 。括· 0)1：)在南摩擦力之情況下研磨表面及 γ 低於高摩擦力的平常摩擦力情況下研磨表面。驟(bl)後以 如同上述，在過研磨步驟的步·驟(1))中，一 低負載或/及-低轉速）以進行研磨。因此，在早射， 研磨標的物騎磨墊之間的摩擦因此增加熱能產生。因此，曰 ，加加到金屬_熱能以相對快速地升高金屬膜溫度。因此，4 能減少誘導時間及減少移除金屬膜的所需時間。結果使得產量增 加。 9 【實施方式】
在此將敘述本發明並可參照說明實施例。熟悉本項技術者可 藉由利用本發明的揭露以發現許多替代的實施方式，而且本發明 並不受限於為解釋目的之說明實施例。 (第一實施例） 於下參照圖示敘述本發明之第一實施例。在此，下述的實施 例係以半導體晶圓研磨，其中鶴膜及氮化欽/鈦膜在孔中被嵌入作 為金屬膜的情形作為例子。然而，本發明的想法並不限於此。本 發明也可運用於其中金屬膜被嵌入於晶圓上形成之凹部中之類 型。 圖2為顯示依據此實施例之半導體裝置之製造設備100的示 意圖。此半導體裝置之製造設備1〇〇具有控制器101及研磨單元 1357102 102。控制器1〇1控制研磨單 言為一電腦可藉由所安裝的裎^的刼作。控制器101，舉例而 作(將於後述敘}為依據控制巧其功能。研磨單元1〇2的操 示。 13 1指不所進行—除非另有其他指 如圖1Α所示，依據此實 ， 所研磨的研磨標的物1〇5，為二】’半導體裝置之製造設備100 層21及嫣膜層22)被嵌入到形二^ ^由氮化鈦/鈦形成的阻障 之後的一晶圓。當金屬膜2形成氧化膜)上的孔4 在圖2中’將於下敘述研磨單 =俨為-_化學機械研磨:= 磨平台。三座研磨平台之—為麵移二^兀，已括二座研 層移除平自104以及還有另-座為過卿：、座為阻障 著Γί座::平台的每一座。連接研磨;磨= 平台103、阻障層移除平台104及過研磨 ln9 7照&财式，既然已使用具有油研磨平纟的研磨單元 ^02 ’即可同_磨複數個晶圓。因此，相較於使用具有單一研磨 平σ的研磨單元，產量可以增加。 接下來將解釋絲此實關之製造半導難置的方法。圖3 為顯示在此實施例中製造半導體裝置之方法的流程圖。赞迕半導 體裝置之方法包括：金屬膜形成步驟（步驟Sl〇)、起始研磨<步驟（步 驟S20)及過研磨步驟（步驟S30、S40)。個別步驟操作將於下詳述， 並可參照圖4A至4D之顯示晶圓在這些研磨步驟中之剖面圖。 (Ό步驟S10 :金屬膜形成步驟
製備半導體晶圓，其中孔4升>成於層間絕緣膜3中。金屬膜 2形成於此半導體晶圓表面之上。舉例而言，金屬膜2的形成可 由使用CVD法及濺鍍法。當利用這.種方式形成金屬膜2時，於孔I ⑶/102 中瓜入金屬膜2。另外’晶圓除孔4之外的表面被金屬膜卩所覆蓋。 (2)步驟S20 :起始研磨步驟 首先，上的金屬膜2由研磨單元102進行研磨。 ' 不使用鶴臈移除平台103以研磨辑膜声22。接 下來，使用阻障層移除平台綱^接 在此圓達到此種情形’即表示完成金屬膜2的起始研磨。 在緊接於備測到終點之後，如圖4C所示，可 iii:日;ίΓΐ分表面的情況。在此實施例中所使用的cmp方法 ίϊίΐ 為在外部邊緣研磨速度相對為慢速，容易在 此產生研磨金屬膜2的殘留物。 (3)步驟S30到S40 :過研磨步驟 ° w .汴熠十α i〇b之上進仃。圖5為顯示在第一實施例中右 e·驟(S2Q)及過研磨步驟⑽、⑽） 間 圖示° #進行過研磨之時，研磨首綠高負載 負載研磨；步驟S30)情況下進行。接下來，研磨在都載^ ^H3；!負載）情況下進行。如圖4D所示，藉由在這些步驟(S30、 要 ㈣兒明者’在圖5.中所顯示’起始研磨步驟(s2g)中的研磨 ΐ 研磨步，0)相同。然而，平常負載研磨步驟⑽） 呻促的It況並不需要在相同負載下進行研磨。 9 I357l〇2 另外，此貫鈀例解釋時是使用鎢膜移除 層22及使用阻障層移除平台104以研磨 磨轉膜 嫣膜層22及阻障層21並不-定要在不同曰^之例子。然而， 而言，鎮膜層22可等到其中間部分到—研磨磨。舉例 剩餘的鎮膜層22及阻障層21可由另„ 進仃研磨而 此時，當研磨裝置中數個研磨平台的各口二=。在 同，因而可以增加產量。 名子間a又疋為大約相 當金屬膜2具有膜厚度為4〇〇咖時， 研磨時間如下：起始研磨步驟(在鎢膜移除+ 個步驟的 ㈣時間在2WG秒之間、阻障料磨步口 ^^ =膜 及S40)的時間在10到50秒之間。 ，傯^驟（全部的S3〇 相較於未使用高負載研磨步驟(S30)的 減少誘導時間。所造成原因如下列敘述。 k據此貫施例可 當利用研磨標的物及研磨墊之間 如W法或是類似的方法），研磨^面摩^以進仃(例 度。當金屬膜2及層間絕緣膜3上所二磨部分的溫 層間絕緣膜3會造成藉由摩擦所產生_能^ ::磨之時， 熱傳到金屬膜2而使得溫度很難上升，因不易將 相反地，在此實施例中，在過=導巧^ 因此，勒口晶圓表面的縣，因而增加產丁 =載研磨。 屬膜2的熱能增加而金屬膜2的溫度相：速；=，加到金 少誘導時間並且減少移除金屬膜2 、'同口此，可減 另外，因為誘導時間減少可^ 吉 =成產量增加。 且減少與研漿的接觸時間，因卩f後退及钕蝕的產生。而 且因此達到理想的形狀。 *研磨的表面形狀更加平順並 另外，當過研磨步驟(S3〇、s ⑽，在不同的研磨平台進 的步驟 -平台上進行，在過研磨步咖二她於王獨研磨步驟在同 汁I驟開始時研磨部分溫度容易降低。因 10 得更有效率5。述同負载研磨步驟⑻騎減少誘導時間作用而變 ^ 4frt^3?£S4〇^ 〇, 5 8Ϋ ·〇 負裁H得太高，結果可能勾H大於3. 5 PS1，研磨 秒之間。進行高負载研磨步驟⑽）的較佳時間為介於1至15 輝開始到結束，在粉財縣果’纽過研磨步 上：金她所需的時 ⑽）時，時間為2 ^用阿負載研磨步驟 ^ ps^；- ^ 卜在舟負載研磨舟镄；》亚A ^ 的1選订研磨。另 台的轉速為ΐοΐ ΐ吊負載研磨步驟兩步驟中，在研磨平 /、长日日圓表面上研磨數篁之間的關将夕阁碎 :;L:;:n 磨=定為 磨（3.8 顯示當進行高負載研 :ίί :;ΐ。在另外，在高負載研磨步驟:及下平 === 咖的=下t=台的轉速為1Mrpm及研磨頭的轉速為100 質上丨子1中’當在步驟啟紅後，表面研磨實 啟動之德1間、力為8秒。另—方面’在比較例1中，當在步驟 欠動之後，表面研磨實質上啟動的時間為約12秒。因此，輕相 Ϊ357102 較於比較例1 ’帛一實施例的例子1的誘導時間減少約4秒。 入在此，此實施例為解釋其中鈦/氮化鈦疊層膜及鎢膜被嵌入於 =屬膜中的相關情況(插塞形成）。然而，此實施例並不限於此， 可運，於獨的金屬配線形成步驟_例如銅配線或介層形成。 二3 %當銅配線形成時’配線形成溝渠（计⑶⑻而介層孔形 此的凹部。接著’阻障金屬及銅膜形成為金屬膜。在 、，銅朕及阻障膜亦形成於晶圓表面除凹面的部分。 凹S的阻障膜，可運用此實施例所述之研磨負載 之此可運用於包括銅卿氮化- (第二實施例） 以下將敘述本發明之第二實施例。_ 磨步驟(S30)的操作依第一實施例再^貝^列中|南負載研 (S30)之外轉作與第—實施例相：；^=、略磨步驟 步驟(1〇7货二:在第：實t施例中在起始研磨步驟(S2°)及過研磨 )中，研磨時間與研磨負載之間嶋之圖ί ί 高負载研磨步驟。第-高倉卷廳，負載研磨步驟及第二 載研磨步驟的研磨負載。另外，第$高於第二高負 高於平常負載研磨步驟的研磨負載。1 磨1的研磨負載 ⑽、S40)中，研磨負載逐漸變小。也就疋5兄，在過研磨步驟 有一情況為：能於高負載情况下進行研磨 ^ 膜2的強度而受麻制。舉例而言，磨的^間，係依金屬 介電膜等）進行研磨時，若長時間進“弱之膜(例如低 2 〇 , ’有 抑制金屬膜2的損壞，並於研磨負載高於漸減小’而可 況下持續進行研磨。也就是說，可抑 、細磨步驟的情 少誘導時間。 2之損壞並充分減 1357102 (第三實施例） 〇〇於下敘述第三實施例。此實施例與上述實施例不同在於研磨 單元102内的研磨平台數目。上述實施例中的研磨平台數目為三 座。然而，在此實施例中，數目為兩座。在此實施例中，在單= 研磨平台上移除金屬膜2。在此，省略關於與上述實施例相同的 計及操作之解釋。 立圖8為，不依據此實施例之半導體裝置之製造設備1〇〇的示 思圖。在此貫掩例中，兩座研磨平台被配置於研磨單元1⑽中。 兩座研磨平台為金·移除平台⑽及過研磨平台⑽。鎮卵 22及阻障層21在金屬膜移除平台⑽上進行研磨。已完成在金^ 膜移除平台108上之製程後的基板被移_研磨平台廳，而在立 上進行過研磨步驟，此與上述實施例相似。 /、 圖9A及9B為顯不在第三實施例中，在起始研磨步驟(％ 及過研磨步驟⑽、S40)中，研磨時間與研磨負載之間的關係之 圖示。如圖9A所示，過研磨是由第二研磨平台所進行。與上述 施^目似，在過研磨時進行高負載研磨步驟 載 父階段時之圖形，與第—實施例相似。圖9B顯^石汗 磨負載在南負載研磨步驟中逐漸減少的例子，與第 因此，平台的數目並不―以要為三座，*上述=^及 第-貫施例不同。如果過研磨步驟具有高 載研磨步驟，研磨平台的數目可為兩座。及·^負 (第四實施例） 半導施，10為顯示依據此實施例之 ΐΐϋ備⑽除第三實施例之外更包括光製研磨平台 ί ⑽完成過研磨步驟後，在晶圓上進^光研磨。 在此4略與上述實施例相似的設計 仃九衣· 13 1357102
圖11A及11B為顯不在第四實施例中，起 及過研磨步驟⑽、S4G)中，研磨時間與研磨負載間的關^之圖) 式。如圖11A、11B所示，在過研磨步驟中進行高負 圖11A顯示在恆定研磨負載下進行高負載研磨步驟之例子，= -實施例相似。圖11B顯示在在高負载研磨步驟 逐 減少之例子，與第二實施例相似。 篇貞戟、漸 如圖11A、11B所示，在完成過研磨步驟之後，在晶圓上 步進行光製研磨步驟。光製研磨步驟在光製研磨平台1〇9上以 定研磨負載下進行。進行此光㈣磨以移除在完成過研磨後 留微研磨瑕疵。通常，會使用不同於過研磨步驟所用之 行此步驟。 因此，過研磨步驟並不一定需要在最後處理晶圓的研磨平台 上進行。在過研磨步驟之後，不同的步驟例如光製研磨步驟| 以在不同平台上進行。 ’ (第五實施例） 於下敘述第五實施例。在此實施例中，進行高轉速研磨步驟 (S30)而非如同上述第一貫施例之高負載研磨步驟(wo)。在此， 向轉速研磨步驟(S30)中，以高轉速進行研磨。其他設計及操作與 % 第一實施例的設計相似，因此省略與第一實施例相同的詳細解釋 圖12為一圖式’顯示在第五實施例中，在起始研磨步驟(s2〇) 及過研磨步驟（S30、S40)中，研磨時間、研磨負載及轉速之間的 關係。在起始研磨步驟及過研磨步驟中，當旋轉研磨墊所附著的 • 研磨平台之時，推動附著於研磨頭的晶圓抵緊研磨墊以進行研 - 磨。在此實施例中，當進行過研磨時，首先以高轉速（高轉速研磨； 步驟S30)進行研磨。在此之後，於平常轉速（轉速低於S3〇之速 率）（步驟S40)進行研磨。在此時情況下的轉速表示研磨平台的轉 速。在步驟S30、S40的這些製程中，如圖4D所示，除了孔4的 其他部分金屬膜2被移除。因此，於非必要部分升多成的金屬膜2 磨起始研磨步驟⑽）及過研磨步驟⑽、 要與阻障層處研磨的轉速相(^中’_處的研磨轉速並不一定 研磨日度為伽nm時，舉例而言，每一步驟的 的鶴膜：：，i=r5==rr所進行的研磨) 除平台上進行的研磨）的卩且，在起始_步驟（在阻障層移 磨巧及⑽全部）的時間^到到5〇秒之間及過研 的研磨UTf〇 轉錄高於平常舰研磨步驟 而i r情況時二=可 驟的之較 ⑽)^==’娜綱磨步驟 與第-實_她，可；^2=擦耻增加減產生。因此， 升高金屬膜2的溫度，曰因此可至以屬膜2±的熱能並且減快速地 的所需時間，結果使得產量增加^誘料間及減少移除金屬膜2 減少與研制後退及侵蝕的產生。而且， 且可以得到理想的形^。使传研磨後的表面形狀更加平順並 (S10、S2卜⑽' S4Q)及在過研磨步驟之前的步驟 磨心的·度在過研磨步驟開始時容易下降。因此，誘導時間= 咸同上述的高轉速研磨步驟(s3G)變得更有效率。 步驟(s3〇)祐古絲:/匕實施例解釋關於第-實施例中的高負載研磨 二=研磨步驟⑽)取代_。然而，可以進行 取代第二到第四實施例中的高負載所磨 ^分為兩階段施例中所述，高轉速研磨梦鱗可 驟可運用於研磨平台數目為兩座之時。此外’如第 四貫她例所述，可在過研磨後加人域研磨步驟。 (第六實施例） 磨步ίϊ ί六實施，。第—到第五實施例為解釋關於在過研 刖，進行咼負載研磨步驟及高轉速研磨步驟的情 #«研:在此實施例中’在高負載、高轉速情況下進行高 巧”，。其他設計及_與上述實關她 實施例相同的詳細解釋。 $合/、工k 麼牛在第六實施例中，在起始研雜驟⑽)及過研 4〇)中，研磨時間、研磨負載及轉速間的關係之圖 ΐ截 例中’當進行過研磨之時，魏在高負载、高轉速（高 負載及问轉速研磨；步驟S30)情況下進行研磨。接下 負^'平常轉速情況下(平常負载及平常轉速研磨 ==喊況下的轉速表示研磨平台的轉心 Sj的绝二衣裎中，如所示圖4D，除了孔4其他部分的金 被移除。因此，於非必要部分形成的金屬臈2被移除。 、 如在此實施例中所述’在過研磨開始之時，藉由灰 座m的情況下進行研磨可能增加施加於概f ' 衫麵。因此，相似於第一實施例’可3 熱能而相對快速地升高金層膜2的溫度。ϋ此，可減少導^ 及減少移除金屬膜2所需時間。結果造成產量增加。 寸曰1 在此時’因為設定高負載及高轉速，施加於晶圓表面摩擦力 16 1357102 所造成的熱能可協同增加’因此可在研磨時升高溫度。 附帶說明者，此實施例解釋關於以高負載速研 (S30)取代第-及第五實施例中高負載研磨步驟及高轉速研磨步 驟的情況。然而，可進行咼負載及高轉速研磨步驟(S3〇)取代第二 至第四實施例中高負載研磨步驟(S30)。 一 依據本發明提供一種可在過研磨時減少誘導時間的半導體妒 置製造方法及製造設備。 且、
很顯然本發明並不限於上述實施例，而可以在不悖離本發明 的範園及精神下做修飾及改變。 X
【圖式簡單說明】 圖1A為顯示研磨前之一晶圓的剖面圖； 圖1B為顯示研磨後之同一晶圓的剖面圖； 圖2為顱示依據第一實施例之半導體裝置製造設備的示意 圖； 圖3為顯示第一實施例的半導體裝置製造方法的流程圖； 圖4A至4D為顯示第一貫施例的研磨製程中之晶圓的剖面圖； 圖5為顯示在第一實施例之研磨步驟中，研磨時間與研磨負 载的關係之圖式； 圖6為顯示第一實施例的一例與比較例的實驗結果之圖式； 圖7為顯示在第二實施例研磨步驟中，研磨時間與研磨負載 的關係之圖式； 圖8為顯示依據第三實施例之半導體裝置之製造設備之示意 圖； 圖9A及9B為顯示在第三實施例研磨步驟中，研磨時間與研 磨負載的關係之圖式； 圖10為顯示依據第四實施例之半導體裝置之製造設備之示 意圖； 圖11A及11B為顯示在第四實施例研磨步驟中，研磨時間與 1357102 研磨負載的關係之圖式； 圖12為顯示在第五實施例研磨步驟中，研磨時間、研磨負載 及轉速的關係之圖式；及 圖13為顯示在第六實施例研磨步驟中，研磨時間、研磨負載 及轉速的關係之圖式。 【主要元件符號說明】
1基板 2金屬膜 3層間絕緣膜 4孔 21阻障層 22鎢膜層 100半導體裝置製造設備 101控制器 102研磨單元 103鎢膜移除平台 104阻障層移除平台 105研磨標的物 106過研磨平台 108金屬膜移除平台 109光製研磨平台 S10 :金屬膜形成步驟 S20 :初始研磨步驟 S30 :高負載研磨步驟 S40 :平常負載研磨步驟 18
Claims (1)
1357102 1畔㈣日修正本 十、申請專利範圍： __ 1. 一種半導體裝置的製造方法，包括： (a)取得一研磨標的物之表面，其中霖出— 100年9月9曰修正替換頁 96132698(無劃線） 膜 及 絕緣膜及一金屬 ⑹研磨具有該露出之絕緣膜及該露出 其中該步驟(b)包括： 至屬膜的表面， (bl)在高摩擦力之情況下研磨該表面及 (b2)於該步驟（bl)之後，在低於該高摩擦力 情況下研磨該表面 之平常摩擦力之 (b3)旋轉附著有一研磨塾之一研磨△ 抵緊於該研磨墊以研磨該表面， D 動该研磨標的物 其中該步驟(M)包括： (bl2)在該研磨平台以高轉速研磨表面， 其中該步驟(b2)包括： 常轉細㈣，細㈣《峨高轉速之平 專利細第1項之半導體裝置的製造方法，其中該步驟 (bll)於高負載情況之下，研磨表面 其中該步驟(b2)包括： 下研在雜雜11)之後，在低_高貞載之平常負載情況 包tf:專纖圍第1項之半導體裝置的紐方法，其中該步驟 (1)在形成於該研磨標的物之上的—絕緣膜之中形成凹部； 形成一金屬臈使得該金屬膜覆蓋該凹部及該絕緣膜；以 及 19 100年9月9曰修正替換頁 96132698(無劃線）、 (a3)研磨&金屬膜以至少露出部分絕緣膜 4·如申請專利範圍第1項 r(a)所在的研磨二二=之= 5. 如申請專利範圍第1項之 膜包括： 绔體裝置的製造方法，其中該金屬 包含氮化鈦層之一阻障層；及 形成於該阻障層上之一鶴膜層。 6. 如申請專利範圍第5項之半導體 制 層為包括氮化鈦及鈦之—疊層。_的病方法，其中該阻障 其中該步驟 ^^#糊細第5項之半導體裝置㈣造方法， (a4)移除該鎢膜層；及 (a5)移除該阻障層； 之-ί磨中該步驟⑽的—研磨平台係不同於進行該步驟⑽ 8. 如申請專利範圍第i項之半導體裝置的製造方法，其中該 膜包括一銅膜。 9. 如申請專利範圍第8項之半導體裝置的製造方法，其中該金屬 膜更包括.包含组及氣化纽之一疊層膜。 、, 10·如申請專利範圍第2項之半導體裝置的製造方法，其中該 (bll)包括： 20 /102 ，、 100年9月9曰修正替換頁 96132698(無劃線）、 • (bill)於第一·高負載情況下研磨該表面；及 (bl 12)於該步驟（bin)之後，在低於該第一高負載及高於該 肀常負載之第二高負載情況下，研磨該表面。 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中該步驟 (bl2)包括： (M21)以第一高轉速研磨表面；及 (M22)在該步驟(bi21)之後，以低於該第一高轉速及高於該 十书轉速之第二高轉速研磨表面。 # $如申請專利範圍第！至U項中任一項之半導體裝置的製造方 凌’更包括： (c)在該步驟(b)之後，改變研漿並進行光製研磨以光製該表 申請專利·第1項之半導體裝置的製造方法，其中該研磨 竭物為在—半導體晶圓上形成之-膜。 (tt申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中該步驟 方法^CMP(ChemiCal MeChaniCal P〇lishing，化學機械研磨） 15· —種半導體裝置之製造設備， 一研磨單元 包括 及 控制态，用以控制該研磨單元之操作； 其中該研磨單元包括： j始研磨平台’用以研磨_研磨標的物；及 磨桿的研磨平台’用㈣於使賊触研磨平台研磨過之該研 培加的物進一步施以研磨； 1 21 1357102 100年9月9日修正替換頁 Cp /' . ^ I /々厂 ^ ^ J7T> i f- pp 金二標的物’以露出該研磨標的物上之—絕緣膜及一 當該研妙IL1於—早期隨之該研磨標的物上之縣力，係較 七^磨π的物姻該過研磨平台加以研磨時_餘階段之摩擦 該㈣雖繼研縣议猶， 力更高 早期11控制該研磨單元之操作使得該過研磨平台在該 磨“階Ϊ之ίΐυ研磨標的物·該過研磨平台加以研 =之半_置之製造設備，其中該控 =標的物利用該過研磨平台加以研磨時的剩餘階段之 ί單如元申利翻第15項之半導體裝置之製造設備，其中該研 -錄研磨平台’用於光製研磨，以對於利用該 研磨過之該研磨標的物施以光製。 咐厘十 18·。。如申請專利範圍第15項之半導體裝置之製造設備， =福-CMP(Chemical Mechamcal P〇llshlng，化學機械研磨） $如申請專利範圍第15至18項中任—項之半導體 備，其中該起始研磨平台包括： 衣^ 一鎢膜移除平台，用以移除包括於該金屬膜中之—鎢膜；及 一阻障層移除平台’用以移除包括於該金屬膜中之一阻障層。 十一、圖式： 22
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