TWI355416B - Aqueous cleaning composition for removing residues - Google Patents

Description

1355416 九、發明說明： 〜 發明所屬之技術領域 本發明涉及一種用於從基材上 刊上去除殘留物的組合物和 使用該組合物的方法。 先前技術 在微電子結構的製造中涉及到很多步轉。在製造積體

電路的生產方案中有時雲里遮以M 午需要選擇性地姓刻半|體的不同表 面。在歷史上，爲了選擇性地去除材料，已在不同程度上 成功地使用了許多類型㈣不同的餘刻方法。此外，在微 電子結構中選擇性姓刻不同的層是積體電路製造過程中關 鍵性、決定性的步驟。 反應離子_卿）日益成爲在通孔、金屬線和溝槽形 成過程中用於圖案轉移的優先選擇的方法。例如，需要多 層互連線路的複雜半導體器件如高級D_s和微處理器 使用RIE製造通孔、金屬線和溝槽結構。穿過層間電介質， 通孔用來提供一層次的矽、矽化物或金屬線路和下—層次 的線路之間的接觸。金纽是用作ϋ件互連的傳導結構。 溝槽、、、。構用於金屬線結構的形成。通孔、金屬線和溝槽结 構通常暴露金屬和合金如A1/Cu、Cu、丁⑼、h、。

TaN、W、Tiw，石夕或妙化物如鎢 '鈦或始的石夕化物。腿 工藝通常留下（複雜混合物的）g留物，其可能包括再濺 2化物材料以及選自用於光刻地限定通孔、金屬線和/或 槽結構的光阻劑和抗反射塗料的可能的有機材料。 1355416 在RIE或其他蝕刻處理之後，通常通過用含有反應劑 (reactive agent)的電漿電漿灰化而圖案化的光阻劑來進 行電漿光阻劑殘留物清除，所述反應劑通常是活化的反應 、 性氣體（一種或多種），例如但不限於用於氧化過程的含氧 氣體或用於還原過程的含氫氣體。像RIE工藝一樣電聚 蝕刻或電漿灰化清除也留下複合殘留物’其包括有機材料 (如殘存的光阻劑、抗反射材料等）和取決於電漿蝕刻化 鲁 學和被處理基材的與電漿蝕刻有關的副産物如鈦、銅或相 - 關金屬的氧化物或鹵化物。 _ 因此希望提供一種能夠去除例如由使用電漿電聚的選 擇性蝕刻和/或RIE和氧化灰化/還原灰化產生的殘留物的 選擇性清潔組合物和方法。而且，希望提供一種能夠去除 殘留物如蝕刻和灰化殘留物、顯示出與也有可能暴露於清 潔組合物的金屬、高介電常數（“高k” ）材料（如介電, ❼數大於4.1的材料）、石夕、石夕化物和/或包括低介電常數 φ ( 低k )材料（如介電常數小於4.0或小於3.5或小於 3.〇的材料）如沈積的氧化物的層間（interlevel)介電材料 相比對於殘留物選擇性高的選擇性清潔組合物和方法。希 望提供一種與例如氫矽倍半氧烷（HSQ)、曱基矽倍半氧烷 卜 (MSQ)、F〇x、由 Applied Materials，Inc_ 製造的 BLack - DIAMONDTM膜以及TEOS (原矽酸四乙酯）那樣的感光低k 或多孔低k膜相容並可與之一起使用的組合物。除以上所 述的之外’還希望是水基組合物以便其處理不損害環境。 1355416 發明内容 一 在此公開的水基組合物能夠選擇性地從基材上去除例 - 如但不限於電漿蝕刻、灰化後的殘留物或者其他殘留物， • 而不侵蝕可能也暴露於該組合物的金屬、低k*/或高让介 電材料至任何不希望的程度。此外，在此公開的組合物對 某些介電材料如氧化矽或金屬線或包括銅的夾層可以顯示 出最小的腐㉖速率。該清潔组合物基本上不含添加的有機 _ 溶劑，這允許半導體製造廠減少有機廢物、降低所有者的 成本。在一方案中提供一種從基材上去除殘留物的組合 .物，該組合物包括：水；季敍氫氧化物；含氣化合物；和 任選的腐蝕抑制劑（—。n inhibitor)，其中該組合物基 本上不含添加的有機溶劑，並且其中該組合物具有大於9 的pH。 在此還公開了 一種用於從基材上去除包括姓刻和/或 灰化殘留物在内的殘留物的方法，該方法包括用在此公開 鲁的清潔組合物接觸基材。在此描述的一個方案中，提供一 種定義圖案的方法，該方法包括：將光阻劑塗覆到基材的 '至乂邓刀上，在光阻劑上光刻地定義圖案；將圖案轉移 j 土材的至^邛勿上，將圖案姓刻到基材中以形成圖案 化的基材’將圖案化的基材暴露於活化的反應性氣體以去 -除至少一部分光阻劑並提供殘留物；和通過用組合物㈣ 圖案化的基材去除殘留物，所述組合物包括：水；季錄氯 氧化物；含氟化合物’·和任選的腐蝕抑制劑，其中該組合 物基本上不含添加的有機溶劑，並且其中該組合物具有大 1355416 於9的pH 〇 在另一方案中’提供一種從基材上去除殘留物的方 法’該方法包括：用組合物接觸基材，所述組合物包括： :;季銨氫氧化物·’含氟化合物；和任選的腐蝕抑制劑， 其中該組合物基本上不含添加的有機溶劑，並且其中該組 合物具有大於9的pH。 實施方式 -種用於選擇性地去除殘留物的組合物及方法，所封 殘留物如，例如’處理殘留物如由蝕刻 ^刻、電㈣刻、電聚灰化或其組合.產生的殘留物: =開的清潔組合物是水基的並基本上不含即具有編 ^或者〇.5%或G 5%以下或者〇 ι%或q ι%以下的添加 不腐:劑。所述清潔組合物用於從基材上去除殘留物而 面的金屬和介電層並且通過消除對添加的有機溶 劑的需要而降低所有者的成本。 和任:述清潔組合物包括水；季銨氫氧化物；含氟化合物； ==抑制劑’其中該組合物的。H大於9。在一 方案中，所述清潔組合物基本上由水；季録氫氧化 條件3是:化和任選的腐钮抑制劑以及其他組分組成， 不損壞下面、他組分不不利地影響組合物的清潔性能，也 =材表面。在其他實施方案中，所述清潔組 制劑組成:氧化物；含氟化合物’·和任選的錢抑 1355416 在涉及到用於微電子器件的基材的清潔方法中，待去 除的典型殘留物可能包括，例如’有機化合物如曝光的和/ • 或灰化的光致抗蝕材料、灰化的光阻劑殘留物、uv或χ •射線硬化的光阻劑、含C-F的聚合物、低和高分子量聚合

物以及其他的有機蝕刻殘留物；無機化合物如金屬氧I 物、來自化學機械平面化（CMP)漿料的陶瓷粒子和其他無機 蝕刻殘留物·’含金屬的化合物如有機金屬殘留物和金屬有 機化合物；離子的和中性的、輕和重無機（金屬）物質，水 分，以及不溶性材料，包括由處理如平面化和蝕刻處理所 産生的粒子。在一個特別的實施方案中，去除的殘留物是 諸如由反應離子蝕刻、電漿蝕刻和/或電漿灰化産生的那些 處'理殘留物。 殘留物通常存在於基材中，所述基材也包括金屬，矽， 矽酸鹽和/或層間介電材料如，例如，沈積的矽氧化物和衍 生的矽氧化物如HSQ、MSQ、FOX、TEOS和自旋塗玻璃 ·( spin-〇n glass )，化學氣相沈積的介電材料，和/或高k材 料如矽酸铪、二氧化姶、鈦酸勰鋇（BST)、Ti〇2、Ta〇5，其 中殘留物和金屬，矽，矽化物，層間介電材料，低k、多 孔低k、和/或高k材料會與清潔組合物接觸。在此公開的 - 組合物和方法供選擇性地去除殘留物如光阻劑、BARC、填 - 縫劑（gaP fin )和/或處理殘留物而不明顯地腐蝕金屬，矽， 二氧化矽’層間介電材料，低k、多孔低k、和/或高k材 料°在某些方案中，基材可以含有金屬例如但不限於鋼、 銅σ金、鈦、氮化欽、組、氮化组、鶴、和/或鉢/嫣合金。 9 1355416 在此公開的組合物可以適於含有感光 .—王里。〜約99.9重量〇/〇逢 、： 量％〜約98重量％或約9〇重量%〜約98重量％&ί 水。水可附帶地作爲其組成部分中的組分而存在如，例 如，包括含氟化合物的水溶液，或^ ^ ^ ^ ^ . 凡有J以卓獨地添加它0 水的一些非限制性例子包括 錐去甘 』于匕括去離子水、超純水、蒸餾水、

雙重蒸餾水或金屬含量低的去離子水。 在此公開的組合物含有約〇5重量％〜約Η重量％或 約1 %〜'約1〇重量％或約1重量％〜約5重量％的季铵氣氧 化物。不例性的季銨氫氧化物可以是那些具有式 [N-mR^OH·化合物，其中Ri、R2、R3和&各自獨立 地是烧基、铺烧基及它們的組合。在本文中所使用的術 〇〇烷基指1〜20個碳原子、或1〜8個碳原子、或i〜 4個碳原子的直鏈或支鏈的未具體化（unsubstantiated)的煙

在一個實施方案中 低k膜的基材。 在此公開的組合物含右的 奶3百約65重量％〜約99 9 < + 旦 /w “一 * 基。適合的烴基的例子包括甲基、乙基、丙基、異丙基、 丁基和叔丁基。術語“低級烷基”指i〜4個碳原子的烷 基。在本文中使用的術語“羥基烷基，，指含有1〜2〇個碳 原子、或1〜8個碳原子、或！〜4個碳原子的烴基的直鏈 或支鏈的未具體化的羥基。適合的羥基烷基的例子包括羥 基乙基和羥基丙基。適合的季銨氫氧化物的例子包括四曱 基銨氫氧化物（TMAH)、四乙基銨氫氧化物、四丁基銨氫氧 化物（TBAH)、四丙基銨氫氧化物、三甲基乙基銨氫氧化 物、（2-羥基乙基）三甲基銨氫氧化物、（2_羥基乙基）三乙基 10 丄355416 銨氫氧化物、（2-羥基乙基）三丙基銨氫氧化物、（1 _羥基丙 基）三曱基銨氫氧化物、乙基三曱基銨氫氧化物、二乙基二 曱基銨氫氧化物和苄基三曱基銨氫氧化物。 在此描述的组合物還含有含氟化合物。含氟化合物或 其混合物的存在量基於組合物的總重量爲約〇丨重量％〜 約15重量％或約（M〜約1〇重量％或約〇2〜約5重量％。 含氟化合物可以包括通式RsR6R7R8NF表示的那些，其中 R·5、Re、R7和Rs各自獨立地是氫、醇基、烷氧基、烷基及 它們的混合物。這樣的化合物的例子包括氟化銨、四甲基 銨氟化物、四乙基銨氟化物、四丁基銨氟化物及它們的混 口物。含氟化合物的更進一步的例子包括氟硼酸、氫氟酸、 氟硼酸鹽、氟硼酸、四丁基銨四氟硼酸鹽、六氟化鋁和氟 化膽鹼。在更進一步的實施方案中，可以使用的含氟化合 物是脂族伯、仲或叔胺的氟化物鹽。 在此公開的組合物可以任選地含有約〇〜約15重量％ 或約0.2重量。/。〜約10重量％或約〇 5重量％〜約5重量％ 的腐蝕抑制劑。可以使用本技術領域中已知的、用於類似 應用的任何腐蝕抑制劑，如在美國專利Ν〇. 5,417,877中公 開的那些，該專利引入本文作爲參考。腐蝕抑制劑可以是， 例如，有機酸、有機酸鹽、酚或三唑。具體的腐蝕抑制劑 的例子包括鄰胺基苯甲酸、沒食子酸、苯曱酸、間笨二釀、 馬來酸、虽馬酸、d，l-蘋果酸、丙二酸、鄰苯二甲酸、馬 來馱酐、鄰苯二曱酸酐 '苯并三唑（BZT)、間苯二酚、I 贫、，一 吸暴 开二唑、二乙基羥基胺及它們的乳酸和檸檬酸鹽，等等 1355416 的例子.包括鄰苯二酚、連 可以使用的腐蝕抑制劑的進一步 苯三紛和沒食子酸的酯。適合的麼 w腐餘抑制劑的其他例子包 括果糖、硫代硫酸銨 '甘氨酸、3丨缺 礼酸、四甲基胍、亞胺基

二乙酸和二甲基乙酰乙酰胺lL 任—些實施方案中，腐蝕抑 制劑是含疏基化合物，例如但不PP h 个喂於2-巯基-5-甲基苯并咪 唾和2-疏基嗟唾啉。腐蝕抑制劑的另外的其他例子包括在 化合物的或β-位的-側具有經基和/或叛基的含巯基化

合物。這些含疏基化合物的具體例子包括3_疏基_12_丙二 醇(它也被稱作硫甘油）' Μ2，基笨基硫)_2铺硫醇、 3-(2-經基乙基硫）-2-經基丙基硫醇、9 土；II·畔、2-疏基丙酸、3-疏基丙 酸及它們的混合物。 在某些實施方案中，在此公開的組合物可以進一步包 括一種或多種附加組分或添加劑，只要這些添加劑不不利 地影響組合物的清潔性能也不損壞下面的基材表面。這些 添加劑的例子包括但不限於表面反應劑、螯合劑、化學改 性劑、染料、殺生物劑和/或其他添加劑，它們的量基於組 合物的總重量總計可以達到約5重量％。 在此公開的組合物可以具有大於9〜約14、或大於9 〜約12範圍内的PH。

在此公開的組合物與低k膜例如但不限於HSQ (FOx)、MSQ 和由 Dow Chemical，Inc.製造的 SiLKTM，以及 其他膜相容。所述組合物也可在低溫下有效地清除蝕刻之 後和/或灰化之後的光阻劑和電漿蝕刻殘留物如有機殘留 物、有機金屬殘留物、無機殘留物、金屬氧化物或光阻劑 12 1355416 複合物，而對下面的基材如例如含有銅、鈦或二者的那些 基材的腐蝕相對較弱。此外，所述組合物與各種低k、多 孔低k和高k材料相容。 - 在製造過程中，光阻劑層塗覆在基材上。使用光刻法， 在光阻劑層上限定出圖案。在某些實施方案中，圖案化的 光阻劑層經歷電漿蝕刻如RIE，借此圖案被轉移到基材上。 然後通過濕式化學手段和/或乾式去除處理（如，電漿蝕刻、 φ 電漿灰化或二者）除去圖案化的光阻劑層。在使用RIE將圖 •案轉移到基材上的實施方案中，蝕刻殘留物在濕式化學和/ 或乾式去除處理之前産生。如果不對基材進行灰化，則待 >月除的主要殘留物是蝕刻殘留物和光阻劑殘留物。在基材 被灰化的實施方案中，待清除的主要殘留物是灰化的殘留 物如灰化的光阻劑和蝕刻殘留物（如果進行蝕刻步驟的 話）。 在此描述的方法可以通過用所述組合物接觸具有作爲 φ 膜或殘留物存在的金屬、有機或金屬•有機聚合物 '無機 鹽、氧化物、氫氧化物、或複合物或它們的組合的基材來 進行。貫際條件如溫度、時間等取決於待清除的殘留物的 性質和厚度。通常，使基材與組合物接觸或將基材浸入含 . 有組合物的容器中，所述組合物的溫度爲20°C〜85。〇，或 - 2〇t：〜6〇°C，或20°C〜4〇°C。基材暴露於組合物的典型時 間可以爲，例如，（M〜60分鐘，或丄〜”分鐘，或 1 5分鐘。在與組合物接觸之後，可以漂洗基材，然後乾燥 之。通常在惰性氣氛下進行乾燥。在某些實施方案中，在 1355416 基材與在此描述的組合物接觸之前、期間和/或之後都可以 使用去離子水漂洗劑或含有去離子水及其他添加劑的漂洗 劑進行漂洗。然而，所述組合物可以用於本技術領域中已 知的、使用清潔液清除蝕刻後和/或灰化後的光阻劑、灰化 或蝕刻殘留物和/或其他殘留物的任何方法。 實施例 提供下列實施例以進一步闡明在此公開的組合物和方 法。各種示例性組合物的例子和各組合物的pH水平列於表 I中。在表I中，所有的量均爲重量百分比，並且合計達 1〇〇重量％。在此公開的組合物是通過在容器中在室溫下將 組分混合在一起直到所有固體都溶解爲止製備的。在下面 的實施例中，pH測量是使用5%水溶液在環境溫度下進行 的。在暴露於組合物之前，基材塗覆以被顯影、蝕刻並灰 化的正性抗蝕劑。在下面的表中，“ N.T. ”表示未測試， n·a* 表示不可用。 表II示出了各種示例性組合物從矽晶片測試基材上去 除殘留物的有效性。晶片具有低k、含氧化矽的膜如由JSR， Inc.提供的JSRLKD-5109TMp_MSQ膜、氮化鈦阻擋層銅 金屬化層、BARC層以及用電漿蝕刻和灰化法蝕刻並灰化 的光阻劑圖案。然後通過將基材浸在各種示例性組合物中 來處理基材。在這種方法中，一個或多個測試晶片放置在 盛有400 mi各示例性組合物的6〇〇毫升（ml)燒杯中。該 ml燒杯還包括以4〇〇 rpm旋轉的1英寸攪拌棒。然後按表 14 1355416 Π中提供的時間和溫度來加熱其中含有晶片料例性k合 物。在暴露於示例性組合物後，用去離子水漂洗晶片並用 亂乳乾無之。將晶片劈開以提供邊緣（edge)，錢用掃描 電子顯微鏡(隱)在晶片上的各個預定位置上檢杳並視覺 分析清_能和對下面的層間介電質⑽）的損壞，並像在 表11中提供的那樣以下列方式給以代碼：對於清潔， “+++”表示優，“++，，表示好，“+，，表示尚可，“，，表 不差；對於肋損壞，“++”表示沒有損壞，‘‘+，，表示僅 有一點點損壞，“·，，表示嚴重損壞。 從各個具有一層沈積在其上的鋼的矽晶片基材獲得的 =姓速率匯總在表心。在所有的下列腐㈣率中測 U在暴露5、1()、2〇、4G和⑽分鐘時進行的。在各時間 門隔測定厚度並使用每種示例性組合物的結果的.“最小二 乘擬。模型作出曲線I每種組合物的“最小二乘擬 合”模型的計算斜率是得到的以埃/分鐘(A—爲單位的 腐姓速率。在腐料率的敎中，晶片具有—沈積在其上 的已知厚度的銅覆蓋層。使用CDEResMap 273 F〇urp〇int

Pro曰be測定晶片的初始厚度。在測定初始厚度之後，將試 驗曰曰片/又在不例性組合物中。5分鐘後，#晶片從試驗溶 液:移出’用去離子水漂洗1分鐘，並在氮氣下徹底乾燥。 HB片的厚度’如果必要的話對試驗晶片重復所述步 15 1 有鋼、緻密的摻雜的原矽酸四乙酯（TEOS)以及爲 夕孔甲基矽倍半氧烷（MSQ)膜的JSR LEB-043TM的各矽晶 1355416 _ _ _ _ 片的腐蝕速率匯總於表III中。太痛了认…―…… τ在所有的下列腐蝕速率中， 測量是在暴露5、10、20、40釦Μ八拉* U和6〇分鐘時以及在表III中 指定的溫度下進行的。在各砗n „ 蚤時間間隔測定厚度並使用每種 示例性組合物的結果的“最小—悉权人，，α 取h一乘擬合模型作出曲線 圖。每種組合物的“最小-桊挺人” π 取孓擬合杈型的計算斜率是得 到的以埃/分鐘（A/min)爲單位的腐為，φ .玄，. 干1的腐蝕速率。在銅腐蝕速率或 TEOS輕速率的測定中，晶片都具有—沈積在其上的具有 已知厚度的覆蓋層1於Cu腐料率，制咖⑹㈣ 273 Four Point Probe測定晶片的如私揎电 ., j〜日日月的初始厚度。在測定初始厚 度之後，將試驗晶片浸在示例性組合物中。5分鐘後，將 晶片從試驗溶液中移出，用去離子水漂洗3分鐘，並在氮 氣下徹底乾燥。測量各晶片的厚度，如果必要的話對試驗 晶片重復所述步驟。對於TE0S和JSR LEB-〇43TM膜腐蝕 速率’使用 FilmTek 2000 SE Spectr〇sc〇pic EllipS〇meter/Reflectomer測定初始厚度。在攪拌下將約2〇〇 ml試驗溶液放入250 ml燒杯中並且，如果需要的話，將其 加熱到指定溫度。如果僅一個晶片被放在含有溶液的燒杯 中’則一晶片模型（dummy wafer )被放在該燒杯中。5分 鐘後’用去離子水漂洗各試驗晶片3分鐘並氮氣下乾燥。 在測定厚度之前，將TE0S和JSR LEB-043TM晶片在110 C的>·ΒΠ·度下棋1 〇分鐘。.對每個晶片進行測量，如果必要的 話重復所述步驟。 16 1355416 表i :組合物 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 DIW 90 DIW 89 DIW 89 DIW 89 TMAH (25%) 7.5 TMAH (25%) 8 TMAH (25%) 7.5 TMAH (25%) 7.5 TMAF (20%) 2.5 TMAF (20%) 3 TMAF (20%) 2.5 TMAF (20%) 2.5 丙二酸 1 硫甘油 1 PH 11.92 PH 11.55 PH 10.66 PH 11.67 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 DIW 82.5 DIW 77.5 DIW 76.5 DIW 81.5 TMAH (25%) 15 TMAH (25%) 20 TMAH (25%) 20 TMAH (25%) 15 TMAF (20%) 2.5 TMAF (20%) 2.5 TMAF (20%) 2.5 TMAF (20%) 2.5 丙二酸 1 硫甘油 1 pH 11.82 PH 11.99 pH 12.07 pH 11.88

DIW 去離子水 TMAH 四甲基銨氫氧化物，25%水溶液 TMAF 四曱基銨氟化物，20%水溶液 17 1355416 表II : SEM資料

溫度（°C ) 時間（分） Cu/JSRLKD-5109™ Cu/pJSR LKD-5109™ 清潔 ILD損壞 清潔 ILD損壞 實施例1 25 30 + + + + - + + 40 15 '+ + + + + + + + - 實施例2 25 30 - + + + + + + - 40 15 + + + + + + - 實施例3 25 30 + + + + + + + + + 40 15 + + + + + + + + + + 實施例4 25 30 + + + + + + + + + + + 40 5 + + + + + + N.T. N.T. 40 15 + + + + + + + + + + + 表III :腐蝕速率資料 組合物 銅(25°C) 銅(40。〇 TEOS(摻雜 的，未緻密化 的)(25。〇 TEOS(摻雜 的，未緻密化 的)(40°C) JSR LEB-043™ (25°〇 實施例1 4 4 <1 <1 N.T. 實施例2 2 7 、 <1 <1 N.T. 實施例3 <1 4 <1 <1 <1 實施例4 1 2 <1 <1 <1 實施例5 2 N.T. <1 N.T. N.T. 實施例6 4 N.T. <1 N.T. N.T. 實施例7 1 N.T. <1 N.T. N.T. 實施例8 1 N.T. <1 N.T. N.T. 18

Claims (1)

1355416 κ . . ’ 年月日年11月修正) 〒、申請專利範圍 1. 一種用於從基材上去除殘留物的組合物，該組合物 包括： 65〜99.9重量％的水； 0.5〜15重量％的季銨氫氧化物，其包括具有通式 [N-RiR^R^Rd+OH·的化合物，其中&、R2、R3和R4各自獨 立地是烷基、羥基烷基或它們的組合； 0.1〜10重量％的含氟化合物，其包括至少一化合物係 ® 選自具有通式r5r6r7r8nf的化合物，其中R5、R6、R7和 Rs各自獨立地是氫、醇基、烷氧基、烷基或它們的組合； 氫氟酸；氟化膽鹼；氟硼酸鹽；六氟化鋁；胺的氟化物鹽 及它們的組合；和 任選的0〜10重量％的腐蚀抑制劑， 其中該組合物基本上不含添加的有機溶劑，並且 其中該組合物具有大於9的pH。 2. 如申請專利範圍第1項的的組合物，其包括該腐独 抑制劑。 •如申請專利範圍第2項的組合物，其中所述腐姓抑 制劑選自下列當中的至少一種：有機酸、有機酸鹽、鄰苯 一紛、間苯二酚、苯盼、馬來酸酐、鄰苯二曱酸酐、連苯 三齡、沒食子酸或其酯、苯并三唑、羧基苯并三唑、二乙 基經基胺、果糖、硫代硫酸錢、甘氨酸、四曱基胍、亞胺 19 1355416 (2011年11月修正) 基二乙酸、硫甘油和它們的混合物。. 4. 如申請專利範圍第1項的組合物，其中所述季錄氫 氧化物選自四甲基銨氫氧化物、四乙基錄氫氧化物、四丙 基銨氫氧化物、四丁基銨氫氧化物、三甲基乙基銨氫氧化 物、（2-羥基乙基）三甲基銨氫氧化物、（2·羥基乙基）三乙基 敍氫氧化物、（2-經基乙基）三丙基敍氫氧化物、（丨_經基丙 基）三甲基敍氳氧化物和它們的混合物。 5. 如申請專利範圍第1項的組合物，其中所述含氣化 合物包括具有通式RsR^RyRgNF的化合物，其中r5、R6、 R<7和Rs各自獨立地是氫、醇基、烧氧基、燒基或它們的組 合。 6. 如申請專利範圍第5項的組合物，其中所述含氟化 合物選自四甲基銨氟化物、四乙基銨氟化物、四丁基銨氟 化物、氟化膽鹼和它們的混合物。 7. 如申請專利範圍第1項的組合物，其中所述含氟化 合物包括氫氟酸；氟化膽鹼；氟硼酸鹽；六氟化鋥；胺的 氟化物鹽或它們的組合》 8. —種定義圖案的方法，其包括： 將光阻劑塗覆到基材上； 1355416 (2011年11月修正) 在所述光阻劑上光刻地定義圖案； 將所述圖案轉移到所述基材的至少一部分上； 將所述圖案蝕刻到所述基材中以形成圖案化的基材； 將所述圖案化的基材暴露於活化的反應性氣體以去除 所述光阻劑的至少一部分從而提供殘留物； 通過用組合物接觸所述基材從所述基材上去除殘留 物，所述組合物包括：水； 季銨氫氧化物，其包括具有通式[N-R^R^Hj+OH·的 化合物，其中R^RrR3和I各自獨立地是烷基、羥基 炫基或它們的組合； 含氟化合物，其包括至少一化合物係選自具有通式 R5R6R7R8NF的化合物，其中r5、r6、r7和r8各自獨立地 疋氫、醇基、烧氧基、烧基或它們的組合；氫氟酸；氟化 膽鹼；氟硼酸鹽；六氟化鋁；胺的氟化物鹽及它們的組合； 任選的腐姓抑制劑；和 任選的添加劑，該添加劑係選自界面活性劑、螯合劑、 染料、殺生物劑和它們的組合， 其中所述組合物基本上不含添加的有機溶劑，並且其 中所述組合物具有大於9的pH。 、 9· 一種從基材上去除殘留物的方法，該方法包括用 組合物接觸所述基材，所述組合物包括· 65〜99.9重量。/。的水； 〇·5〜15重4%的季Μ氧化物’其包括具有通式 21 1355416 (2011年11月修正) [N-RiR^nroH.的化合物，莫中R丨、&、R3和r4各自獨 立地是烧基、羥基烷基或它們的組合； 0.1〜10重量％的含氟化合物’其包括至少一化合物係 選自具有通式的化合物，其中R5、r6、r7和 Rs各自獨立地是氫、醇基、烧氧基、烷基或它們的組合； 氫氟酸；氟化膽鹼；氟硼酸鹽；六氟化鋁；胺的氟化物鹽 及它們的組合； I 以及任選的〇〜10重量％的腐蝕抑制劑，其係選自下 列當中的至少一種：有機酸、有機酸鹽、鄰苯二酚、間苯 一齡、笨紛、馬來酸針、鄰苯二甲酸酐、連苯三紛、沒食 子酸或其酯、笨并三唑、羧基苯并三唑、二乙基羥基胺、 果糖、硫代硫酸錄、甘氨酸、四甲基胍、亞胺基二乙酸、 硫甘油和它們的混合物；和 任選的添加劑’該添加劑係選自界面活性劑、螯合劑、 染料、殺生物劑和它們的組合， _ 其中所述組合物基本上不含添加的有機溶劑，並且其 中所述組合物具有大於9的pH。 10.如申請專利範圍第1項的組合物，其中該組合物 . 基本上由下列成份組成： - 65〜99.9重量％的水； 〇·5〜15重量％的該季銨氫氧化物； 〇·1〜10重量％的該含氟化合物； 以及任選的0〜10重量％的該腐蝕抑制劑；和 22 « « (2011年1!月修正} 任選的〇〜5重i： %的各;劑。 申請專利範圍第10項的的組合物，其包括該腐 蚀抑制劑。 12.如申請專利範圍第1〇項的組合物其中所述季銨 氫氧化物選自四甲基銨氫氧化物、四乙基銨氫氧化物、四 丙基録氫氧化物、四丁基錄氫氧化物、三甲基乙基録氫氧 化物（2羥基乙基)三甲基銨氫氧化物、(2羥基乙基)三乙 基銨氫氧化物、(2_羥基乙基)三丙基銨氫氧化物、(1-羥基 丙基)三甲基銨氫氧化物和它們的混合物。 3.如申請專利範圍第η項的組合物其中所述季錄 氫氧化物選自四甲基錄氫氧化物、四乙基銨氫氧化物、四 丙基銨氫氧化物、四丁基銨氫氧化物、三甲基乙基銨氫氧 化物、（2·羥基乙基）三甲基銨氫氧化物、（2-羥基乙基）三乙 基銨氫氧化物、(2_羥基乙基)三丙基銨氫氧化物、（1-羥基 丙基）二甲基銨氫氧化物和它們的混合物。 ， 14.如申請專利範圍第12項的組合物，其中所述含氟 • 化合物包括具有通式mR8NF的化合物，其中R5、R6、 R7和R8各自獨立地是氫、醇基、烷氧基、烷基或它們的組 合。 23 (2011年11月修正） 15.如申請專利氣圍f I3項的組合¥，真中所Ϊ含I 化合物包括具有通式mRsNF的化合物，其中R5、R6、 ' 7和R8各自獨立地是氫、醇基、烧氧基、烧基或它們的組 合0 16·如申請專利範圍第14項的組合物，其中所述含氟 化口物選自四甲基錄氣化物、四乙基錄氣化物、四丁基敍 • 氟化物、氟化膽鹼和它們的混合物。 17. 如申請專利範圍第15項的組合物，其中所述含氟 化合物選自四甲基鍵I化物 '四乙基錄氣化物、四丁基鍵 氟化物、氟化膽鹼和它們的混合物。 18. 如申請專利範圍第12項的組合物，其中所述含氟 化口物包括氫故酸；1化膽驗；氣蝴酸鹽；六敗化鋁；胺 φ 的氟化物鹽或它們的組合。 19. 如申請專利範圍第13項的組合物，其中所述含氟 化合物包括氫氟酸；氟化膽鹼；氟硼酸鹽；六氟化鋩；胺 - 的氟化物鹽或它們的組合。 20. 如申請專利範圍第11項的組合物其中所述腐蝕 抑制劑選自下列當中的至少一種：有機酸、有機酸癉、鄰 苯二酚、間苯二酚、苯酚、馬來酸酐、鄰苯二甲酸酐、連 24 1355416 1 (2011年11月修正) 苯三酚、沒食子ϋ其^旨、苯并三唑、羧基冢#三唑、二 乙基羥基胺、果糖、硫代硫酸銨、甘氨酸、四甲基胍、亞 胺基二乙酸、硫甘油和它們的混合物。 21.如申請專利範圍第10項的的組合物，其包括該添 加劑。

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