TWI351712B - Lamp for rapid thermal processing chamber - Google Patents

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TWI351712B
TWI351712B TW097103789A TW97103789A TWI351712B TW I351712 B TWI351712 B TW I351712B TW 097103789 A TW097103789 A TW 097103789A TW 97103789 A TW97103789 A TW 97103789A TW I351712 B TWI351712 B TW I351712B
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Joseph Michal Ranish
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Description

1351712 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之實施例一般涉及一種半導體處 是一種用於在半導體處理系統中預先加 heating )的燈。 理系統，特別 熱(advanced
【先前技術】 快速熱處理（RTP )系統係利用於半導體 藉以在半導體基板或晶圓上產生表面結構， 或蝕刻該表面結構。RTP 通常依賴一高 (incandescent lamp)陣列，而燈係安裝至燈
中並導向基板或晶圓。燈可經供電而快速地 並將大部分的光導向該基板。藉此，晶圓可 而不會實質地加熱腔室，並且一旦將電力自 晶圓可以快速地冷卻。 RTP系統之一實例係描述於美國專利第 中（其受讓給本發明之受讓人，並將其併入 考）’該RTP系統包括一丰導體處理腔室以 體處理腔室上的加熱源組件或燈頭。數個鹵 燈頭中’且該些燈可以以約300-c /sec的速 基板加熱至两達12〇〇t或更高的溫度。在處 自燈的紅外^係通過上方f、光通道及下 腔室中的旋轉半導體基板 之處理溫度。 以此方式1晶圓 晶片製造中， 或是化學改變 強度白熾燈 頭（1 amphead ) 關閉及開啟， 被快速地加熱 燈移除之後， 5，155,336 號 本文以做為參 及設置在半導 素鎢絲燈位於 率將腔室中的 理過程中，來 方窗而至處理 可加熱至所需 5

Claims (1)

1351712 十、申請專利範圍： 1. 一種燈組件，包括： 一燈泡，係包圍至少一光產生燈絲，該燈絲附接至一 對導線，該燈泡具有一内表面及一外表面； 一燈座，係配置以容納該對導線；以及 一銅套筒，係圍繞該燈座，並填充有一封裝化合物 (potting compound)，該銅套筒之壁厚度為至少約 0.020 英吋，該燈組件係適用於一基板處理腔室中，以將一基板 加熱至高達至少約11 0 0 °c之温度。 2. 如申請專利範圍第1項所述之燈組件，其中該封裝化合 物之熱傳導係數係超過約1 50 W/(K-m)。 3. 如申請專利範圍第1項所述之燈組件，其中該封裝化合 物之熱傳導係數係超過約200 W/(K-m)。 4. 如申請專利範圍第2項所述之燈組件，其中該套筒之壁 厚度係超過約0.0 4 0英吋。 5. 如申請專利範圍第3項所述之燈組件，其中該套筒之壁 厚度係超過約0.0 5 0英吋。 6. 如申請專利範圍第1項所述之燈組件，其中該封裝化合 20 1351712 物包括结合磷酸鎂之氮化鋁。 7. 如申請專利範圍第1項所述之燈组件，其中該封裝化合 物包括一環氧系（epoxy based)封裝化合物。 8. 如申請專利範圍第7項所述之燈組件，其中該環氧系封 裝化合物更包括銅或銀。 9. 如申請專利範圍第1項所述之燈組件，其中該套筒之剖 面形狀係實質與該燈座之剖面形狀相符。 1 0 ·如申請專利範圍第9項所述之燈組件，其中該套筒之剖 面形狀係為實質矩形。 1 1. 一種燈組件，包括： 一燈泡，係包圍至少一光產生燈絲，該燈絲附接至一 對導線，該燈泡具有一内表面及一外表面； 一燈座，係配置以容納該對導線；以及 一鋁套筒，係圍繞該燈座，並填充有一第一封裝化合 物，該鋁套筒之壁厚度為至少約0.040英吋，該燈組件係 適用於一基板處理腔室中，以將一基板加熱至高達至少約 1100°C之溫度。 21 Γ351712 12. 如申請專利範圍第11項所述之燈組件，其中該第一封 裝化合物之熱傳導係數係超過約150W/(K-m)。 13. 如申請專利範圍第11項所述之燈組件，其中該第一封 裝化合物之熱傳導係數係超過約200 W/(K-m)。 14. 如申請專利範圍第11項所述之燈組件，其更包括一圍 繞該第一封裝化合物之銅或鋁套筒。 15. 如申請專利範圍第14項所述之燈組件，其更包括一第 二封裝化合物，該第二封裝化合物係鄰近該燈泡，相對於 該第一封裝化合物而言，該第二封裝化合物具有較低之熱 傳導係數及較高之反射性。 1 6.如申請專利範圍第1 5項所述之燈組件，其中該第一封 裝化合物包括一環氧系氮化鋁化合物，以及該第二封裝化 合物包括一氧化結系（zirconia based)封裝化合物。 1 7.如申請專利範圍第1 5項所述之燈組件，其中該第二封 裝化合物係存在於厚度小於約1毫米（m m V之一層中。 18.如申請專利範圍第14項所述之燈組件，其中該銅或鋁 套筒之壁厚度至少為約0.020英吋。 22 1351712 19.如申請專利範圍第15項所述之燈組件，其中該銅或鋁 套筒之壁厚度至少為約0.040英吋。 23
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