JP6431073B2 - 交換可能ランプ向けのアダプタ - Google Patents

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Description

本開示の実施形態は概して、基板を熱処理するための装置に関する。具体的には、本開示の実施形態は、急速熱処理(RTP)チャンバ内で熱放射源として使用されるランプ向けのアダプタに関する。
基板のRTP中に、制御された環境で、約1350℃に至る最高温度まで基板を急速に加熱するために、熱放射が通常使用される。この最高温度は、個々のプロセスに応じて1秒未満から数分間までの範囲にわたる特定の長さの時間、維持される。基板は次いで、更なる処理のために室温まで冷却される。
高電圧、例えば約40ボルトから約130ボルトのタングステンハロゲンランプが、RTPチャンバ内の熱放射源として一般に使用される。既存のランプアセンブリ設計は、ランプ本体と、電球部と、ランプ本体と連結している基部とを含む。ランプ基部は、プリント回路基板(PCB)構造体のレセプタクルと嵌合し、ランプアセンブリの容易な取外し及び交換を促進する。電球部が機能しなくなると、ランプ本体と連結している基部自体は適切に機能していても、基部を含むランプアセンブリ全体が交換される。不具合のある電球部のせいで機能している基部を交換することにより、不必要な廃棄物及び費用が発生する。
従って、コストを削減し、必要に応じてランプの高さを調節する能力を提供するために、改善型のランプ設計を提供することが望ましい。
本開示の実施形態は概して、急速熱処理(RTP)チャンバ内で熱放射源として使用されるランプ向けの、改良型アダプタに関する。本開示の一実施形態では、ランプアセンブリが提供される。ランプアセンブリは、フィラメントが内部に配置されたカプセルと、カプセルから延びるプレスシールと、プレスシールの少なくとも一部分を受容するよう成形されたレセプタクルを有するアダプタとを含み、プレスシールは、アダプタに取外し可能に係合される。
別の実施形態では、熱処理チャンバ内で使用するためのランプアセンブリが提供される。ランプアセンブリは、ランプ素子であって、フィラメントが内部に配置されたカプセルと、カプセルから延びるプレスシールと、フィラメントからプレスシールの内部に配置された第1金属箔及び第2金属箔へとそれぞれ延びる、第1フィラメントリード及び第2フィラメントリードと、第1と第2の金属箔を、ランプアセンブリの外に位置付けられたプリント回路基板(PCB)構造体に形成されたそれぞれの導電性レセプタクルに電気的に接続する、第1導電リード及び第2導電リードとを備える、ランプ素子、及び、第1と第2の端部に開口を有するアダプタであって、第1端部の開口は、プレスシールの少なくとも一部分を受容するよう成形されたレセプタクルを有し、レセプタクルは、プレスシールに取外し可能に係合するよう構成されている、アダプタを、含む。
更に別の実施形態では、ランプ素子向けのアダプタが提供される。アダプタは、第1端部と、第1端部の反対側の第2端部とを有する細長い本体を含み、第1端部の開口は、細長い本体に取外し可能に係合されるランプ素子の少なくともシール部分を受容するよう成形された、レセプタクルを有し、シール部分は、ランプ素子のフィラメントに接続された金属箔を封入し、その金属箔の周囲に気密シールを作り出す。
本開示の上述の特徴を詳しく理解しうるように、上記で簡単に要約されている本開示のより詳細な説明が実施形態を参照することによって得られ、一部の実施形態は付随する図面に示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、付随する図面はこの開示の典型的な実施形態のみを示しており、従って発明の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。
ランプアセンブリのアレイを有する熱処理チャンバの概略断面図である。 熱処理チャンバの冷却チャンバ内の、ランプアセンブリのアレイの概略上面図である。 本開示の実施形態による、ランプアセンブリの概略断面図である。 本開示の実施形態によるアダプタに係合するために使用されうる、例示的なランプ素子設計の概略図である。 本開示の実施形態によるアダプタに係合するために使用されうる、例示的なランプ素子設計の概略図である。 本開示の実施形態による、例示的なランプアセンブリの概略的な前面断面図である。 本開示の実施形態による、例示的なランプアセンブリの概略断面図である。 図6Aの概略斜視図である。
本開示の実施形態は概して、急速熱処理(RTP)チャンバ内で熱放射源として使用されるランプ向けの、改良型アダプタに関する。改良型アダプタは、ランプ素子及び/又はアダプタが個別に交換されうるようにランプ素子をアダプタに取外し可能に係合されるようにすることにより、容易かつ迅速なランプ素子の交換を可能にする。この開示の様々な実施形態の一部の態様では、アダプタは、ランプヘッドアセンブリ内に恒久的に固着(ろう付け、溶接、締まり嵌め、又は接着等)されうる。ランプ素子は、ランプアセンブリをPCB構造体内に挿入する圧縮力に対処するに十分な剛性を提供するよう、構成される。アダプタは、オプションで、アダプタの側部、上部、又は底部から交換されうる、ヒューズ(及び/又はランプ素子向けの電気レセプタクル)を提供しうる。アダプタは、ランプ素子の一部分を受容するためのレセプタクルを提供する。レセプタクルは、制御された様態で熱放射をターゲットへ方向付けることに役立つよう成形され、そのようにコーティングされることもある。アダプタは、ランプ素子から外部への熱伝達を促進するために、熱伝導特徴部及び冷却経路を提供しうる。その結果として、ランプは、重要部品が長いランプ寿命を可能にするに足るほど低い温度になるように、作動しうる。様々な実施形態の詳細について、下記で説明する。
例示的なチャンバハードウェア
図1は、本開示の実施形態が中で使用されるRTPチャンバ100の概略断面図である。RTPチャンバ100は、例えば熱アニール、熱洗浄、熱化学気相堆積、熱酸化、及び熱窒化のようなプロセスのために基板164を加熱する、制御された熱サイクルを提供することが可能である。本開示の実施形態は、底部、上部又はその両方から加熱されるエピタキシャル堆積チャンバ内、及び、底部加熱が使用される他のRTPチャンバ内でも、使用されうることが想定される。RTPチャンバ100は、プロセスゾーン138を囲むチャンバ壁136を含む。例えば、プロセスゾーン138を囲むチャンバ壁136は、本体152によって形成された側壁140及び底部壁144と、本体152の上に置かれたウインドウ156によって形成された上部壁148とを備えうる。本体152はステンレス鋼で作製されうるが、アルミニウム及び他の好適な材料も使用されうる。ウインドウ156は、透明な溶融シリカ石英のような、赤外光を通過させる材料で作製される。
基板支持体160が、プロセスゾーンでの処理中に基板164を保持する。基板支持体160は、処理中に基板164を回転させる、回転可能構造体を含みうる。例えば、支持体160は、本体152内のチャネル172の内部に位置付けられた磁気浮上ロータ168を含みうる。磁気浮上ロータ168は石英支持シリンダ176を支持し、石英支持シリンダ176の上に、基板164を保持するための支持リング180がある。ロータ168を包含するチャネル172の外に配置された磁気ステータ184は、チャネル172内のロータ168の回転を磁気的に誘起するために使用され、ロータ168は次いで、支持リング180上の基板164の回転を引き起こす。基板164は、例えば毎分約100回転から約250回転で、回転しうる。
放射源188は、放射を基板164へと方向付け、かつ、プロセスゾーン138の上部の放射透過性ウインドウ156の上方のRTPチャンバ100の天井部192内のような、基板164の上方に位置付けられうる。放射源188は、約200nmから約4500nmの波長を有する放射のような、基板164を加熱する波長の放射を発生させる。一実施形態では、放射源188は、ランプアセンブリ20のハニカムアレイ196を含みうる。アレイ196は、基板全体にわたる温度を制御するために個別に調整されうる、一又は複数のおおよそ径方向の加熱ゾーンを含みうる。例えば、一態様では、放射源188は、径方向に対称的な15のゾーンに分けられた、409のランプを含みうる。各ゾーンは、基板164に供給される熱の径方向プロファイルの微細な制御を提供するよう、個別に制御されうる。放射源188は、例えば約50℃/sから約280℃/sの速度で、熱処理のために基板164を急速に加熱することが可能である。
ランプアセンブリ20のアレイ196内の各ランプアセンブリ20は、管状のランプアセンブリハウジング204に囲まれている。ランプアセンブリハウジング204の一方の端部は、透過ウインドウ156に隣接している。ランプアセンブリハウジング204は、ランプアセンブリ20から基板164への光及び熱の伝達効率を増大させるために、反射内面208を有しうる。ランプアセンブリハウジング204は、上側及び下側の流体チャンバ壁216、220と、円筒形の流体チャンバ側壁224とによって画定された、流体冷却チャンバ212で囲まれうる。クランプ256が、本体152と、ウインドウ156と、冷却チャンバ212とを一緒に固定する。Oリング260が、ウインドウ156と冷却チャンバ212との間、及び、ウインドウ156と本体152との間に配置されて、それらのインターフェースに真空シールを提供する。例えば水のような冷却流体が、冷却流体入口228を通じて冷却チャンバ212内に導入され、冷却流体出口232を通じて冷却チャンバ212から除去されうる。図2は、冷却チャンバ212の中の、ランプアセンブリハウジング204内のランプアセンブリ20のアレイ196の上面図を示している。冷却流体は、ランプアセンブリハウジング204間の空間236の中を移動し、かつ、ランプアセンブリハウジング204内のランプアセンブリ20からの熱の伝達に効果的な流体の流れを確保するよう、バッフル240によって方向付けられうる。ランプアセンブリハウジング204内の圧力を減少させるために、真空ポンプ248が提供される。真空ポンプ248は、円筒形の側壁224内の導管252、及び冷却チャンバ212の底部壁220の溝によって、ランプアセンブリハウジング204に連結される。
いくつかの実施形態では、ヘリウムなどの熱伝導性ガスの加圧供給源(図示せず)が提供されうる。加圧供給源は、熱伝導性ガスでランプアセンブリハウジング204を冷却するよう構成されてよく、それによって、ランプアセンブリ20と冷却チャンバ212との間の熱伝達を促進する。加圧供給源は、ポート及びバルブを通じて、ランプアセンブリハウジング204に接続されうる。熱伝導性ガスは、熱伝導性ガスの減圧下でランプアセンブリハウジング204が(従って、その中に配置されたランプアセンブリ20が)作動するように、導入されうる。
本体152の底部壁144は、基板164の下方に位置付けられた反射プレート264を含みうる。処理中に基板164の温度を検出するために、光ファイバプローブを有する高温計のような一又は複数の温度センサ268も提供されうる。センサ268は、個別のランプアセンブリ20に、及び1つのゾーン内のランプアセンブリ20の群に供給する電力レベルを決定するためにセンサ268の出力を使用しうる、チャンバコントローラ272に接続される。ランプアセンブリ20の各群は、コントローラ272によって制御されるマルチゾーンランプドライバ276によって、別個に電力供給され、制御されうる。
ガス供給280は、プロセスゾーン138内へと処理ガスを提供し、RTPチャンバ100内の雰囲気を制御しうる。ガス供給280は、処理ガスの供給源284と、供給源284をRTPチャンバ100内のガス入口(図示せず)に接続してRTPチャンバ100内にガスを提供する、流量制御バルブ292を有する導管288とを含む。排気部202は、RTPチャンバ100内のガス圧を制御し、RTPチャンバ100から処理ガスを排気する。排気部202は、使用済の処理ガスを受容し、一又は複数の排気ポンプ211につながっている排気導管210に使用済みガスを送る、一又は複数の排気口206を含みうる。排気導管210内のスロットルバルブ213が、RTPチャンバ100内のガス圧を制御する。
RTPチャンバ100は更に、冷却流体チャンバの上側壁216の上のプリント回路基板(PCB)構造体297を含みうる。PCB構造体297は、ランプアセンブリ20の電気コネクタを受容するよう構成された、レセプタクル299を含みうる。PCB構造体297は、マルチゾーンランプドライバ276及びコントローラ272からランプアセンブリ20に電力及び信号を送るための電気トレース及び他の電気素子も含みうる。複数のランプアセンブリ20の各々は、ドライバ276を通じて電力源(図示せず)に電気接続するために、PCB構造体297内に挿入される。
例示的なランプアセンブリ
図3は、RTPチャンバ100のようなRTPチャンバ内で使用するための、本開示の実施形態によるランプアセンブリ300の概略断面図である。ランプアセンブリ300は、図1に示すランプアセンブリ20の代わりに使用されうる。図3に記載の概念及び特徴は、この開示に記述されている様々な実施形態に等しく適用可能であることに、留意すべきである。通常、ランプアセンブリ300はランプ素子302及びアダプタ306を含む。アダプタ306は、ランプ素子302に取り外し可能に係合するよう構成される。ランプアセンブリ20のアレイ196の中の各ランプアセンブリ20(図1)におけるランプ素子302及びアダプタ306は、個別に交換可能である。電球部が機能しなくなると、ランプアセンブリ全体を交換するのではなく、不具合のある電球部を包含するランプアセンブリのランプ素子のみが交換される。従って、アダプタは再使用されうる。アダプタ及びランプ素子を、互いから取り外し可能に、かつランプアセンブリ内で取り換え可能にすることにより、アダプタを一度購入すれば、ランプ交換のコストが削減される。
アダプタ306は、ランプが正常に挿入された場合に本体の断面外周の一部がランプヘッドの断面外周に合致する、概して管状又は円筒形の本体、或いは細長い本体を有しうる。アダプタ306は、第1端部304と、第1端部304の反対側の第2端部314とを有する。アダプタ306の第1端部304は、ランプ素子302の下側の部分、例えばプレスシール312を受容するよう成形された、レセプタクル324を有する。ランプ素子302は通常、フィラメント310を包含する光透過性カプセル308と、光透過性カプセル308から延びるプレスシール312とを含む。フィラメント310は、フィラメントリード316a、316によってそれぞれ、プレスシール312の内部に配置された金属箔318a、318bに電気的に接続する。プレスシール312は、金属箔318a、318bを封入し、それらの周囲に気密シールを作り出す。金属箔318a、318bは、プレスシール312の外部に延びうる。金属箔318a、318bは、アダプタ306を通って延びる導電性のワイヤ又はリード322a、322bを介して、オプションの電気コネクタ320a、320bと電気的につながっている。アダプタ306は、導電性のワイヤ又はリード322a、322bの通過を可能にするよう構成された、チャネル332a、332bを有する。チャネル332a、332bは、アダプタの長手方向軸303に沿った方向に、レセプタクル324から延びうる。導電体が十分に絶縁されており追加冷却を必要としない、一部の事例では、チャネル332a及び332bは、接続されて1つのチャネルを形成しうる。
いくつかの実施形態では、アダプタ306の第2端部314は、プラグ330でシールされうる。電気コネクタ320a、320bは、フィラメント310に電力を分配するために、プラグ330を通ってその外部に延び、PCB構造体297の内部に形成されたそれぞれの導電性レセプタクル299内に進入する。場合によっては、導電性のワイヤ又はリード322a、322bは、図3に示すように、電気コネクタ320a、320bに接続しうる。ランプ素子302の導電性のワイヤ又はリード322a、322bのうちの少なくとも一方は、それが求められるのであればPCB構造体297の内部に形成された導電性レセプタクル299に係合されるよう構成された、係合特徴部を有しうる。あるいは、導電性のワイヤ又はリード322a、322bは、図4Aから図4Fに関して下記でより詳細に記述するように、導電性のワイヤ又はリード322a、322bに十分な剛性を提供するために、追加構成要素を含みうる。そのような場合には、電気コネクタ320a、320bは省略されてよく、剛性が強化された導電性のワイヤ又はリードは、PCB構造体297の内部に形成されたそれぞれの導電性レセプタクル299に挿入又は係合されうる。
アダプタ306は、レセプタクル324の内表面に形成された嵌合突起326を有しうる。ランプ素子302、例えばプレスシール312は、プレスシール312の外表面に形成された、対応する溝328を有しうる。ランプ素子302がアダプタ306に係合されると、嵌合突起326は溝328内に嵌まり、それらは定位置にロックされる。アダプタ306とランプ素子302が係合されると、プレスシール312の一部分又は全体が、レセプタクル324の内部に受容される。記述されていないが、アダプタ306及びランプ素子302は、アダプタ及び/又はランプ素子の容易かつ迅速な交換及び取り付けを可能にする、他の任意の好適な係合特徴部を有しうることが、想定される。
アダプタ306の高さは、ランプ素子302(すなわち、カプセル308及び/又はプレスシール312)の長さ、及び、熱処理チャンバの構成に応じて、変動しうる。ある種の熱処理チャンバ内では、基板の均一な放射加熱を提供するために、ランプアセンブリと熱処理チャンバのチャンバドームとの間に一定の距離が必要になる。そのような場合、アダプタ306は、均一なサイズで作製され、種々の高さのランプ素子302に係合するよう構成されうる。あるいは、アダプタ306が種々の高さに作製されて、同一の高さに作製されたランプ素子302に係合しうる。様々な実施形態では、アダプタ306は、約8mmから約100mmというような、約5mmから約240mmの高さ、例えば、約10mmから約20mm、約20mmから約30mm、約30mmから約40mm、約40mmから約50mm、約50mmから約60mm、約60mmから約70mm、約70mmから約80mm、約80mmから約90mm、約90mmから約100mmの、高さを有しうる。
アダプタ306は、ランプ素子302と外部との間の熱伝達を促進するために、金属(銅、アルミニウム、又はステンレス鋼など)、又はセラミック(窒化アルミニウム、炭化ケイ素、アルミナ、窒化ケイ素など)のような高熱伝導率の材料で作製されうる。一実施形態では、アダプタ306の熱伝導率を増大させるために、プレスシール312を取り囲む円筒形本体にアルミニウムが利用される。いくつかの実施形態では、レセプタクル324の上面及び/又は内表面317は、制御された様態で放射をターゲットへ方向付けることに役立つよう、又は、アダプタの放射加熱を改変するよう、成形及びコーティングされうる。例えば、レセプタクル324の内表面317は、円錐、円筒、半球、又は弧状の形状に作製されてよく、アルミニウム、保護されたアルミニウム、金又は金メッキされたアルミニウムのような光反射材料で、或いは、チタニア、アルミナ、シリカ、ジルコニア、又はハフニアのような拡散反射材料でも、コーティングされうる。本書に記載のレセプタクル324の上面が電球部に対面する表面を表す一方で、内表面317は、プレスシール312に近接した表面を表す。ガス間隙350が、プレスシール312とアダプタ306の内表面317との間に提供されうる。ガス間隙350は、ランプ素子302から外部への熱伝達を促進するための冷却経路としての役割を果たす。一例では、ガス間隙350は約0.005mmから約1mmである。アダプタ306の壁、特にプレスシール312を取り囲む壁の厚みは、約0.5mmから約30mmでありうる。断面が円形のアダプタ内に断面が四角形のプレスシールがあるために、壁の厚みは変動しうることに留意すべきである。
プレスシール312を取り囲む円筒形本体の熱伝導率を更に増大させるために、熱伝導率がより高い化合物が、プレスシール312とレセプタクル324との間に付与されうる。一実施形態では、熱伝導性化合物は、約1−2W/(K−m)から約150W/(m−k)の、又はより高い、例えば200W/(m−K)を超える熱伝導率を有しうる。いくつかの可能な材料は、MgPO、ZrSiO、ZrO、MgO、Al及びSiOを含みうるが、それらだけに限定されるわけではない。同一の熱伝導性化合物はまた、チャネル332a、332bの露出表面上に生じて、チャネル332a、332bを通って延びる導電性のワイヤ又はリード322a、322bの冷却に役立ちうる。これらの手法のうちの一又は複数を組み合わせることで、ランプの電球部及びランプ素子から遠ざかる、複数のランプアセンブリを取り囲むランプヘッドハウジングを通って流れる冷却流体への熱の伝達が、大いに促進される。ほとんどの場合、プレスシール312の温度は、約350℃よりも低く保たれうる。その結果として、ランプアセンブリの電球部の寿命は改善される。
ランプ素子302は、光透過性カプセル308又はプレスシール312の中にヒューズ(図示せず)を有することも、有しないこともある。ヒューズは通常、アーク放電、及び、ランプ不具合時にランプ内で起こりうる破裂を限定するために提供される。ヒューズは、ランプ不具合時のカプセルの望ましくないひび割れ又は破損を防ぐために、光透過性カプセル308、及びプレスシール312の外に提供されうる。ランプ素子302が単純なカプセル/ヒューズ様式である(すなわち、アダプタはヒューズを包含せず、ヒューズはランプ素子302の内側又は外側に組み込まれる)場合、ヒューズは、ランプ素子302と共に交換されうる。ランプ素子302が単純なカプセル様式である(すなわち、ヒューズはランプ素子302内で使用されず、アダプタによって提供されうる)場合、アダプタ306は、オプションで、導電性のワイヤ又はリード322a、322bに接続されるヒューズを提供しうる。この場合、ランプ素子は、PCBに直接電気接続するのではなく、アダプタ内部のレセプタクルに電気接続しうる。またこの場合には、ヒューズは、アダプタ306とは別に作製され、図6A及び図6Bに関して下記で更に詳細に記述するように、側部又は第2端部304、或いはアダプタの上部をも通じて、交換されうる。ヒューズが光透過性カプセル308及びプレスシール312の外に提供される場合、ランプ素子302は、導電性のワイヤ又はリード322a、322bに十分な剛性を提供して、PCB構造体297内へのランプアセンブリ300の挿入時に印加される圧縮力を吸収する(すなわち、ヒューズが圧縮されることを防ぐ)ために、追加構成要素を含みうる。導電性のワイヤ又はリードの剛性を高めるために使用される様々な構成要素について、図4Aから図4Fに関して下記で記述する。いくつかの実施形態では、ヒューズは、オプションで、回路の他の部品、例えばPCBボード内に組み込まれてよく、ランプ素子302又はアダプタ306の中には必要ないこともある。
例示的なランプ素子
図4A−4Fは、本開示の実施形態によるアダプタ306に係合するために使用されうる、例示的なランプ素子設計の概略図である。これらの図の各々に描かれたランプ素子400は概して、タングステンフィラメント404を収納する石英カプセル402を含む。タングステンリード406a、406bが、フィラメント404から延びており、その各々がモリブデン箔408a、408bに取り付けられ(例えば溶接され)る。モリブデンリード410a、410bは、モリブデン箔408a、408bに取り付けられ(例えば溶接され)、モリブデン箔408a、408bから延びる。石英プレスシール412は、モリブデン箔408a、408bを封入し、それらの周囲に気密シールを作り出す。モリブデンリード410a、410bは、プレスシール412の外部に延びる。
図4Aから図4Cの各々では、導電ピン414がリード410bに取り付けられ(例えば溶接され)る。加えて、絶縁スリーブ416(例えばセラミック又はプラスチックのスリーブ)、ヒューズ418、及び導電ピン420が、リード410aに取り付けられる。ヒューズ418は、ニッケル、亜鉛、銅、銀、アルミニウム、及びそれらの合金といった、ランプヒューズに使用される金属の同一族から構成されうる。ランプ素子400がアダプタ306(又は、図5及び図6Aから図6Bに示す様々なアダプタ設計)に係合されると、導電ピン414及び導電ピン420は、アダプタ306の内部に形成されたチャネル332a、332bを通って延び、電源への接続のために、PCB構造体297の内部に形成されたそれぞれの導電性レセプタクル299に挿入又は係合される。
図4Aに示す実施形態では、絶縁スリーブ416は、スリーブ416の内表面417を覆うように堆積された金属製の薄層422を有しうる。金属製の層422の(電流の流れに対して垂直な)等価断面は、この応用のために設計されたヒューズワイヤ又はリボンの等価断面に、おおよそ対応する。同様に、金属製の層422は、ランプヒューズに使用される金属、例えば、ニッケル、亜鉛、銅、銀、アルミニウム、及びそれらの合金の、同一族から構成されうる。リード410a及び導電ピン420は、金属製の層422に電気的に接続(例えば、はんだ付け、ろう付け、締まり嵌め、又は圧入)される。金属製の薄層422は、ヒューズ418として作用するよう構築される。
図4Bに示す実施形態では、絶縁スリーブ416は、スリーブ416の内表面417の一方の側に沿って堆積された薄い金属製トレース424を有しうる。リード410a及び導電ピン420は、ヒューズ418として作用するトレース424に電気的に接触して、スリーブ416に固定される。リード410a及び導電ピン420は、例えば、セラミック化合物、高温エポキシ、高温フェノール樹脂、又は収縮チューブを使用して、スリーブ416に取り付けられうる。トレース424は、絶縁スリーブ416の上部又は底部の短い軸方向範囲にわたり内径全体を覆うように延ばされて、スリーブ416を、はんだ付け又はろう付けによって導電ピン420及びリード410aに取り付けること可能にしうる。
図4Cに示す実施形態では、ワイヤヒューズ418が、リード410aに取り付けられ(例えば溶接され、はんだ付けされ)、絶縁スリーブ416を通って延びる。ヒューズ418は更に、導電ピン420に取り付けられ(例えば溶接され、はんだ付けされ)る。リード410a及び導電ピン420は、例えば、セラミック化合物、高温エポキシ、高温フェノール樹脂、又は収縮チューブを使用して、スリーブ416に取り付けられうる。図4A、4B及び4Cに示す設計のいずれに関しても、絶縁スリーブ416は、低融点ガラスビード又は絶縁粒子で満たされて、アーク消去タイプのヒューズとして作用しうる。
従って、図4Aから図4Cに描かれたランプ素子400の各々は、従来技術の高圧タングステンハロゲンランプとは対照的に、ランプ素子400内にセラミックポッティング化合物又はいかなる熱伝導性化合物も使用することを要さずに、リード410a、410bと、図1に示すPCB構造体297に挿入又は係合される導電ピン414、420との間の接続を提供する。ほとんどの場合、セラミックポッティング化合物又は熱伝導性化合物は、ランプ素子400が図3、図5及び図6に記載の本発明のアダプタに係合された後であっても、ランプアセンブリから取り除かれうる。ランプ素子400がアダプタ(例えばアダプタ306、又は、図5及び図6Aから図6Bに示す様々なアダプタ設計)に係合されると、絶縁チューブ構成は、剛性を提供して、PCB構造体297内への導電ピン414、420の挿入時に印加される圧縮力を吸収しうる。
図4Aから図4Cの各々はリード410bに取り付けられた導電ピン414を描いているが、図4Dから図4Fに示す実施形態では、リード410bは、リード410aについて示したものと同一の様態で、追加絶縁スリーブ416(例えばセラミック又はプラスチックのスリーブ)、追加ヒューズ418、及び追加導電ピン420に取り付けられる。加えて、ピン414及び420の各々は、PCB構造体297内に形成された嵌合レセプタクル299に適合するよう構成されうる。
アダプタ306(又は、図5及び図6Aから図6Bに示す様々なアダプタ設計)に係合するために使用されうる他の好適なランプ素子は更に、2013年3月15日に出願された、「単純化されたランプ設計(SIMPLIFIED LAMP DESIGN)」と題された米国特許出願第61/787,805号(代理人整理番号020542)に記載されており、この出願は、あらゆる目的のためにその全体が参照により本書に組み込まれている。
図5は、RTPチャンバ100のようなRTPチャンバ内で使用するための、本開示の実施形態による例示的なランプアセンブリ500の概略的な前面断面図である。ランプアセンブリ500は、図1に示すランプアセンブリ20の代わりに使用されうる。ランプアセンブリ500は通常、ランプ素子501及びアダプタ513を含む。ランプ素子501は、単純なカプセル/ヒューズ様式でありうる。すなわち、アダプタ513はヒューズを包含せず、ヒューズはランプ素子501の外に作製される。ランプ素子501は、フィラメント504を収納するカプセル502と、カプセル502に連結しているか又はカプセル502から延びるプレスシール512とを含む。カプセル502は、チューブ状、円錐、球形、及び複数円弧の形状を含むが、それらだけに限定されるわけではない、多種多様な形状を有しうる。プレスシール512は、カプセル502の形状に対応する形状を有しうるか、又は、フィラメント504から金属箔508a、508bへのフィラメントリード506a、506bの伸長を可能にする、任意の形状でありうる。一実施形態では、プレスシール512は、実質的に四角形の細長いものである。金属リード510a、510bは、金属箔508a、508bに取り付けられ(例えば溶接され)、金属箔508a、508bから、プレスシール512を通ってその外部に延びる。プレスシール512は、金属箔508a、508bを封入し、それらの周囲に気密シールを作り出す。
アダプタ513は、プレスシール512に対面する第1端部523と、第1端部523の反対側の第2端部525とを有する、概して管状又は円筒形の本体を有しうる。円筒形本体は容易な製造を提供するが、正方形、四角形、三角形、及び複数円弧形状のような他の断面形状も可能である。アダプタ513は、金属リード510a、510bの通過を可能にするよう構成された、チャネル527、529を有しうる。アダプタ306(図3)と同様に、アダプタ513は、プレスシール512に取外し可能に係合するよう構成される。アダプタ513は、プレスシール512の少なくとも一部分を受容するよう成形されたレセプタクル509を有する。アダプタ513のレセプタクル509は、その内周面507に形成された嵌合突起517を有しうる。プレスシール512は、対応する溝515であって、係合されると嵌合突起517が溝515内に嵌まり、それらが定位置にロックされるようにプレスシールの外表面519に形成された、溝515を有しうる。
アダプタ513は、ランプ素子501から遠ざかる熱の伝導に役立つよう、熱伝導性材料、例えば、銅、アルミニウム、又はステンレス鋼といった金属製材料で作製されうる。ランプ素子501から外部への熱伝達を促進するために、ガス間隙550が、プレスシール512とアダプタ513の内周面507との間に提供されうる。一例では、ガス間隙550は約0.005mmから約1mmである。アダプタ513の全体的な外径を増大させることなく円筒形本体の厚みを増大させることで、ランプ素子501から遠ざかる熱の伝達も改善されうる。非限定的な一例では、アダプタ513は、約2mmから約50mm、例えば約10mmから約35mmの外径、及び、約1mmから約49mm、例えば約9mmから約34mmの内径を有しうる。アダプタ513の壁、特にプレスシール512を取り囲む壁の厚みは、約0.5mmから約30mmでありうる。熱伝導率がより高い化合物が、プレスシール512とレセプタクル509との間に付与されうる。一実施形態では、熱伝導性化合物は、約1−2W/(K−m)から約150W/(m−k)の、又はより高い、例えば200W/(m−K)を超える熱伝導率を有しうる。いくつかの可能な材料は、MgPO、ZrSiO、ZrO、MgO、Al及びSiOを含みうるが、それらだけに限定されるわけではない。また同一の熱伝導性化合物が、チャネル527、529の露出表面上に生じて、チャネル527、529を通って延びる金属リード510a、510bの冷却を可能にしうる。
プロセスにおいて、ほとんどの熱エネルギーは、ガス間隙550を通って側方に(径方向に)、プレスシール512から遠ざかるように、アダプタ513の円筒形本体へ伝導され、次いで側方に、ランプアセンブリハウジング204の間の空間236(図2)内を移動する冷却流体へと伝導される。ほとんどの場合、プレスシール512の温度は、約350℃よりも低く保たれうる。その結果として、ランプアセンブリの電球部の寿命は改善される。
ランプ素子501は、ヒューズを提供することも、提供しないこともある。図5は、ヒューズがランプカプセル502の外に提供される一実施形態を示している。この実施形態では、金属リード510a、510bは、金属リード510a、510bに十分な剛性を提供して、PCB構造体297内へのランプアセンブリ500の挿入中に印加される圧縮力を吸収する(すなわち、ヒューズが圧縮されることを防ぐ)ために、図4Aから図4Fに関して上述した追加構成要素を含みうる。例えば、金属リード510bは、PCB構造体297内に形成された嵌合レセプタクル299に挿入又は係合されるアダプタ513を通って延びる、導電ピン514に接続されうる。加えて、絶縁スリーブ516(例えばセラミック又はプラスチックのスリーブ)、ヒューズ518、及び導電ピン520が、金属リード510aに取り付けられうる。ヒューズ518は、アーク放電、及び、ランプ不具合時にランプ内で起こりうる破裂を限定するために提供され、カプセル502及びプレスシール512と共に交換されうる。ヒューズ518は、ランプヒューズに使用される金属、例えば、ニッケル、亜鉛、銅、銀、アルミニウム、及びそれらの合金の同一族から構成されうる。ランプ素子501がアダプタ513に係合されると、導電ピン514、絶縁スリーブ516、ヒューズ518、及び導電ピン520は、プリント回路基板(PCB)構造体297内へのランプアセンブリ500の挿入のための、剛性の導電突起を提供する。
オプションで、アダプタ513の第2端部525は、プラグ526でシールされうる。プラグ526は、導電ピン514、520がそれを通過して、PCB構造体297内に形成された嵌合レセプタクル299に係合するように、構成される。プラグ526は、剛性の、又はエラストマの材料で作製されうる。プラグ526は、アダプタ513の長手方向軸503に沿った方向の、アダプタ513の第2端部525に対する動きを可能にするように、固定されうるか、又は固定的に位置付けられてよく、それによって、ランプアセンブリとPCB構造体297内に形成された電気コネクタとの間のいかなる位置ずれにも適応する。プラグ526の材料は、高温、例えば約150℃に耐えるものであるべきである。
図6Aは、本開示の実施形態による、例示的なランプアセンブリ600の概略断面図を示している。図6Bは、図6Aの概略斜視図である。アダプタ613が、アダプタ613の側部又は底部から交換されうるヒューズを提供するよう構成されていることを除けば、図6Aは概して、図3及び図5に概念的に類似している。ランプアセンブリ600は通常、ランプ素子601及びアダプタ613を含む。ランプ素子601は、単純なカプセル様式でありうる。すなわち、ランプ素子601はヒューズを包含せず、ヒューズはアダプタ613によって提供される。ランプ素子601は、フィラメント604を収納するカプセル602と、カプセル602に連結しているか又はカプセル502から延びるプレスシール612とを含む。プレスシール612は、フィラメント604から金属箔608a、608bへのフィラメントリード606a、606bの伸長を可能にする、任意の形状でありうる。一実施形態では、プレスシール612は、実質的に四角形の細長いものである(図6Bでよりはっきりと視認できる)。金属リード610a、610bは、金属箔608a、608bに取り付けられ(例えば溶接され)、金属箔608a、608bから、プレスシール612を通ってその外部に延びる。プレスシール612は、金属箔608a、608bを封入し、それらの周囲に気密シールを作り出す。
アダプタ613は、ランプが正常に挿入された場合に本体の断面外周の一部がランプヘッドの断面外周に合致する、概して管状又は円筒形の本体、或いは細長い本体を有しうる。アダプタ613は、プレスシール612に対面する第1端部623と、第1端部623の反対側の第2端部625とを有する。アダプタ306(図3)と同様に、アダプタ613は、プレスシール612に取外し可能に係合するよう構成される。アダプタ613は、プレスシール612の少なくとも一部分を受容するよう成形されたレセプタクル609を有しうる。アダプタ613は、アダプタ613の長手方向軸603に沿った方向に、アダプタ613の内部で延びる、ソケット627、629を有しうる。ソケット627、629は、金属リード610a、610bの挿入を可能にするよう構成される。いくつかの実施形態では、ソケット627、629は、保持特徴部であって、金属リード610a、610bに設けられた対応する保持特徴部に係合されるか、又はそれから係合解除される、保持特徴部を包含しうる。本開示に記載の保持特徴部は、接触ばね、ばね荷重式部材、スライダ、ノッチ、又は溝などのような、側方に作動する素子を含みうる。ソケット627、629は、アダプタを通って形成された、それぞれの導電ピン620、614との電気接続がなされていてよい。アダプタ613のレセプタクル609は、その内周面607に形成された嵌合突起617を有しうる。プレスシール612は、対応する溝615であって、係合されると嵌合突起617が溝615内に嵌まり、それらが定位置にロックされるようにプレスシールの外表面619に形成された、溝615を有しうる。
ランプ素子601から遠ざかる方向の熱散逸を改善するために、アダプタ613は、アダプタ513と同様の熱伝導性材料で作製されうる。ランプ素子601から外部への熱伝達を促進するために、ガス間隙650が、プレスシール612とアダプタ613の内周面607との間に形成されうる。一例では、ガス間隙650は約0.005mmから約1mmである。同様に、アダプタ613の全体的な外径を増大させることなく円筒形本体の厚みを増大させることで、ランプ素子601から遠ざかる熱の伝達は更に改善しうる。非限定的な一例では、アダプタ613は、約2mmから約50mm、例えば約10mmから約35mmの外径、及び、約1mmから約49mm、例えば約9mmから約34mmの内径を有しうる。アダプタ613の壁、特にプレスシール612を取り囲む壁の厚みは、約0.5mmから約30mmでありうる。熱伝導率がより高い化合物が、プレスシール612とレセプタクル609との間に付与されうる。一実施形態では、熱伝導性化合物は、約1−2W/(K−m)から約150W/(m−k)の、又はより高い、例えば200W/(m−K)を超える熱伝導率を有しうる。いくつかの可能な材料は、MgPO、ZrSiO、ZrO、MgO、Al及びSiOを含みうるが、それらだけに限定されるわけではない。場合によっては、例えば電気ソケット接続において、同一の又は異なる熱伝導性化合物が、ソケット627、629の露出表面上に形成されて、ソケット627、629を通って延びる金属リード610a、610bの冷却を可能にしうる。
プロセスにおいて、ほとんどの熱エネルギーは、ガス間隙650を通って側方に(径方向に)、プレスシール612から遠ざかるように、アダプタ613の円筒形本体へ伝導され、次いで側方に、ランプアセンブリハウジング204の間の空間236(図2)内を移動する冷却流体へと伝導される。ほとんどの場合、プレスシール612の温度は、約350℃よりも低く保たれうる。その結果として、ランプアセンブリの電球部の寿命は改善される。
一実施形態では、ヒューズ618a、618bは、導電ピン620、614と電気コネクタ620、622との間に電気的に取り付けられ(例えば溶接され)る。別の実施形態では、ヒューズ618a、618bのいずれか1つは、導電性のワイヤ又はリードに置換されうる。アダプタ613は、アダプタの一又は複数の切り欠き652であって、それを通じて修理を行うためにヒューズ618a、618bへのアクセスを可能にするに十分なサイズに調整された、切り欠き652を提供しうる。切り欠き652は、アダプタ613の円筒形本体の側壁633内に形成されうる。あるいは、ヒューズ618a、618bは、アダプタ613の第2端部625を通じて交換されうる。ランプ素子601が低電圧(例えば12V)で作動する、特定の実施形態では、両方のヒューズ618a、618bが導電性のワイヤ又はリードに置換されうるか、又は、金属リード610a、610bが、単にアダプタ613の第2端部625をシールするオプションのプラグ628を通って延びうる。
ランプ素子601がアダプタ613に係合されると、ランプアセンブリ600の導電ピン620、614(又は、使用されていれば、電気コネクタ620、622)は、次いで、電源への接続のために、PCB構造体297の内部に形成されたそれぞれの導電性レセプタクル299に挿入又は係合される。本開示の様々な実施形態において、ランプアセンブリ300及び500はランプ素子をPCB構造体に直接接続しうる一方で、ランプアセンブリ600は、(1)PCB構造体297とランプアダプタ、及び、(2)ランプアダプタとランプ素子、という、2組の電気接続を含みうることに、留意すべきである。あるいは、ランプアセンブリは、ランプ素子をPCB構造体297に直接接続するよう構成されうる。
図3、図5及び図6Aから図6Bに記載のランプアセンブリの実施形態は、ランプヘッドアセンブリ又はPCB構造体の全体を動かすことなく、ランプアセンブリの容易かつ迅速な交換を可能にするよう構成された改良型のPCB構造体を有する、特定の熱処理チャンバに対して有益でありうる。例えば、PCB構造体297には、ランプアセンブリ300、500、及び600のようなランプアセンブリの通過を可能にするようサイズ調整された(ランプアセンブリの個所に対応する)複数の開口であって、それらを通って迅速なランプ交換、及びランプヘッドアセンブリの容易な修理を行うための、複数の開口が設けられうる。そのような場合、ランプアセンブリ300、500、及び600の電気コネクタは、確実に、ランプアセンブリ内のランプを位置付け、電源からそれらに電力供給するために、開口の内部又は周囲に提供された電気接触端子と電気的につながるよう構成された、電気接続特徴部を有しうる。
PCB構造体は、単一の平坦な回路基板でありうるか、又は、ランプとチャンバドームとの間の距離が一定に保たれるようにチャンバドームの角度に従って段差のある階段状に構成された、複数の同心リング状の回路基板から成りうる。いずれの場合にも、ランプ素子は同一の一般サイズを有してよく、アダプタの高さは、PCB構造体の中心からPCB構造体の周縁部へと径方向に外向き方向に漸進的に増大しうるか、又はその逆である(すなわち、アダプタは同一の一般サイズで作製され、ランプ素子が種々の高さで作製される)。様々な電気接続特徴部を有する開口及びアダプタを備えた例示的なPCB構造体が更に、2013年11月22日に出願された、「アクセスが容易なランプヘッド(EASY ACCESS LAMPHEAD)」と題された米国特許出願第61/907,847号(代理人整理番号020555)に記載されており、この出願は、あらゆる目的のためにその全体が参照により本書に組み込まれている。
本開示の利点は、ランプ素子及び/又はアダプタが個別に交換されうるように、ランプ素子がアダプタに取外し可能に係合されるようにすることによる、容易かつ迅速なランプ素子の交換を含む。アダプタ及びランプ素子を、互いから取り外し可能に、かつランプアセンブリ内で取り換え可能にすることにより、アダプタを一度購入すれば、ランプ交換のコストが削減される。ランプ素子の様式に応じて、アダプタは、アダプタの側部又は底部から交換されうるオプションのヒューズを提供しうる。アダプタは、制御された様態で熱放射をターゲットへ方向付けることに役立つよう成形され、そのためにコーティングされることもある、レセプタクルを提供しうる。アダプタは、ランプ素子から外部への熱伝達を促進するために、特徴部及び冷却経路を提供しうる。その結果として、ランプは、長いランプ寿命を可能にするに十分低いプレスシール温度で作動しうる。
上記の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく考案されてよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定められる。

Claims (16)

  1. フィラメントが内部に配置されたカプセルと、
    前記カプセルと連結しているプレスシールであって、第1係合特徴部を有するプレスシールと、
    前記プレスシールから延びる第1導電リードと、
    前記プレスシールから延びる第2導電リードと
    を備える、ランプ素子であって、前記第1導電リードの第1端部と前記第2導電リードの第1端部とが前記フィラメントに電気的につながっている、ランプ素子と、
    前記プレスシールの少なくとも一部分と取外し可能に係合されるアダプタであって、前記プレスシールの少なくとも一部分を受容するよう成形されたレセプタクルを有する第1端部と、前記第1端部の反対側の第2端部とを有し、さらに、
    前記第1端部から前記第2端部へと前記アダプタを通って延びる第1チャネルであって、前記第1導電リードが当該第1チャネルを通過できるようサイズ調整されている第1チャネルと、
    前記第1端部から前記第2端部へと前記アダプタを通って延びる第2チャネルであって、前記第2導電リードが当該第2チャネルを通過できるようサイズ調整されている第2チャネルと
    を備え、前記プレスシールの前記第1係合特徴部に係合するか又はそれから係合解除するように操作可能な第2係合特徴部を有する、アダプタと、
    前記第1導電リードの第2端部に取り付けられ、前記第1チャネルを通って延びる第1導電ピンと、
    前記第2導電リードの第2端部に取り付けられた第1端部と、第2導電ピンに取り付けられた第2端部とを有する絶縁スリーブであって、前記第2チャネルを通って延び、金属層で覆われた内表面を有し、前記金属層が前記第2導電リードと前記第2導電ピンと電気的につながっている、絶縁スリーブと
    を備える、ランプアセンブリ。
  2. 前記レセプタクルの内表面は光反射材料でコーティングされる、請求項1に記載のランプアセンブリ。
  3. 更に、
    前記プレスシールと前記レセプタクルとの間に提供された、熱伝導性化合物の層を備える、請求項1に記載のランプアセンブリ。
  4. 熱処理チャンバ内で使用するためのランプアセンブリであって、
    フィラメントが内部に配置されたカプセルと、前記カプセルから延び且つ第1係合特徴部を有するプレスシールと、
    前記フィラメントを、前記プレスシールの内部に配置された第1金属箔及び第2金属箔へとそれぞれ接続する、第1フィラメントリード及び第2フィラメントリードと、
    前記第1金属箔及び前記第2金属箔を、前記ランプアセンブリの外に位置付けられたプリント回路基板構造体に形成されたそれぞれの導電性レセプタクルに電気的に接続する、第1導電リード及び第2導電リードと、
    前記第1導電リード及び前記第2導電リードのうちの少なくとも一方に電気的に結合されたヒューズと、
    第1端部及び第2端部に開口を有するアダプタであって、前記アダプタの前記第1端部は、前記プレスシールの少なくとも一部分を受容するよう成形されたレセプタクルを有し、前記第1端部の前記開口は、前記プレスシールの前記第1係合特徴部に係合するか又はそれから係合解除するように操作可能な第2係合特徴部を有する、アダプタと
    を備える、ランプアセンブリ。
  5. 前記アダプタは更に、
    前記第1端部から前記第2端部へと前記アダプタを通って延びる第1チャネルであって、前記第1導電リードが当該第1チャネルを通過できるようサイズ調整されている、第1チャネルと、
    前記第1端部から前記第2端部へと前記アダプタを通って延びる第2チャネルであって、前記第2導電リードが当該第2チャネルを通過できるようサイズ調整されている第2チャネルと
    を備える、請求項4に記載のランプアセンブリ。
  6. 前記レセプタクルは、光反射材料でコーティングされた内表面を有する、請求項5に記載のランプアセンブリ。
  7. 更に、
    前記プレスシールと前記レセプタクルとの間に提供された、熱伝導性化合物の層を備える、請求項4に記載のランプアセンブリ。
  8. 第1係合特徴部を備えるランプ要素と、
    前記ランプ要素から延びる第1導電リードと、
    前記ランプ要素から延びる第2導電リードと、
    前記第1係合特徴部に係合するか又はそれから係合解除するように操作可能な第2係合特徴部を備えるアダプタであって、前記ランプ要素の少なくとも一部分を受容するよう成形されたレセプタクルを有し、さらに、
    前記アダプタを通って延びる第1チャネルであって、前記第1導電リードが当該第1チャネルを通過できるようサイズ調整されている第1チャネルと、
    前記アダプタを通って延びる第2チャネルであって、前記第2導電リードが当該第2チャネルを通過できるようサイズ調整されている第2チャネルと
    を備える、アダプタと、
    前記第1導電リードに取り付けられた第1端部と、第1導電ピンに取り付けられた第2端部とを有する第1絶縁スリーブであって、前記第1チャネルを通って延び、前記第1絶縁スリーブの内表面の第1側部に沿って配置された第1金属製トレースを有する、第1絶縁スリーブと
    を備える、ランプアセンブリ。
  9. 前記第2導電リードに取り付けられた第1端部と、第2導電ピンに取り付けられた第2端部とを有する第2絶縁スリーブであって、前記第2絶縁スリーブは、前記第2チャネルを通って延び、前記第2絶縁スリーブの内表面の第1側部に沿って配置された第2金属製トレースを有する、第2絶縁スリーブをさらに備える、請求項8に記載のランプアセンブリ。
  10. 前記第1絶縁スリーブの前記内表面の第2側部に沿って配置された第3金属製トレースをさらに備える、請求項9に記載のランプアセンブリ。
  11. 前記第2絶縁スリーブの前記内表面の第2側部に沿って配置された第4金属製トレースをさらに備える、請求項10に記載のランプアセンブリ。
  12. 前記第1導電リードおよび第2導電リードと電気的につながっているフィラメントが内部に配置されたカプセルと、
    前記カプセルから延びるプレスシールと
    を備える、請求項7に記載のランプアセンブリ。
  13. 前記第1係合特徴部は前記プレスシール上に配置されている、請求項12に記載のランプアセンブリ。
  14. 前記レセプタクルは、光反射材料でコーティングされた内表面を有する、請求項12に記載のランプアセンブリ。
  15. 前記プレスシールと前記レセプタクルの前記内表面との間に設けられたガス間隙をさらに備える、請求項14に記載のランプアセンブリ。
  16. 前記第1絶縁スリーブと第2絶縁スリーブが、低融点ガラスビード又は絶縁粒子満たされている、請求項9に記載のランプアセンブリ。
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