TWI351440B - - Google Patents

Description

1^51440 .九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在減Μ環境内連續地取 -邊使臈賴於冷㈣輥而使其冷卻，心性膜’且 鐘於該膜並予以捲取之方式的捲取梦，錢物質洛 【先前技術】 續裝置。 ^往，對於從捲㈣連續地取出之長形❹㈣ 源而來的洛發物質，且將蒸鍍後的膜以 1…、發 方式的接嵌4吉咖— 、捲取轉進行捲取之 鍍裝置係廣為使用（例如參照下列專 利文獻1)。於該種真空蒸鍍裝置中， ’係使膜一邊密接於冷卻用筒輕之周 膜之=: = *從而，保對於冷卻用筒輥‘ 膜心在接作用係成為重要的問題。 於第:圖顯示習知之捲取式真空蒸錢裝置之構成的一 」臈2係從捲出輥（圖示省略）經㈣導輕μ、冷卻用之 純55而被捲取至捲取_示省略）。膜52 二：Γ蒸鑛從蒸鍍源56而來的蒸發物質。電子 膜係設置於捲出輥與蒸發源56之間，使蒸鍵前 而帶負電，且藉由與連接於接地電位 ,Π 之間的靜電力而使膜52密接於筒輥54。藉此謀 求防止因冷卻不足所致的膜52之熱變形。 善 第7圖為表示電子束照射器51之構成的等效電路 電+束照射51係'具有放出熱電子的燈絲 em)61、將燈絲61通電的加熱電源62、以及電子束 5 319329 U51440 例如以商用頻 *，之引出電源63。加熱電源62係交流電源 率電源所構成。 (專利文獻1)日本特開2005-146401号公報 【發明内容】 (發明所欲解決之課題） 然而，於前述的習知之捲取式真空蒸鍍裝置中，如 8圖A示意性所示，存在有沿著膜52之長邊方向而週期性

產生熱敞區域65的問題。熱敏區域65為容易因熱產 之皺紋或變形等的區域…旦提升膜52之行進速度時，則 =第8圖B所示，熱皺區域65之產生間隔會變廣。反之、, 若使膜52之行進速度大幅降低，則因會導致生產性降低而 不理想。 熱皺區域65之產生，乃因對膜52之電子束的照射不 足。若電子束之照射量少，則與筒輕54之密接力會減弱而 使冷卻效果降低。膜52之行進速度為—定，熱㈣域卻週 期性產生。故可以推想，熱敏區域65之產生係起因於對於 膜52之電子束照射量的參差。 本發明係有鏗於上述問題而研發者，其目的為提供一 種在不使生產性降低之情況下即可抑制膜上的熱緻區域之 產生的捲取式真空蒸鍍裝置。 (解決課題的手段） 為了解決上述課題，本發明者於精心研討後發現，膜 之熱敵區域65的產生π-^卢匕、丄、丄 〇〇 座生係如下所述起因於構成電子束照射

态的燈絲之通電加献機播。·^ B 电‘，、、機構亦即，如第9圖A、B所示， 319329 6 ::的電：束照射器係朝燈絲、61施加交流電流而產生電 出現於二8Γ與交流電流之頻率相對應的交流感應磁場係 一61的周圍，而已產生的電子束承受到起因於該 場的f磁力，會朝與感應磁場正交的方向搖 向週:性產所示，於膜52即出現沿著該行進方 站广 生電子束照射量不足的區域，該區域即成為埶 皺區域65而產生於膜52上。 P戚為熱

室；本發明之捲取式真空蒸鍍裝置，係具有：真空 係配置於該真空室内部而使絕緣性膜連續地 ，捲轉，係用以捲取從該捲出輥取出的膜；冷卻用 ^而^置於前述㈣輥與前述捲取輕之間，與前述膜密 ’則述膜予以冷卻；蒸發源，係與前述冷卻用輕相對 :配置而使蒸鍍材料蒸鍍於前述膜；以及電子束照射器， 置於前述捲出輥與前述蒸發源之間，且對行進的前述 ::射電子束:其中，電子束照射器係具有藉由通= =出電子的燈絲、及對前述燈絲供給直流電流的直流產 ^發明係藉由以直流的方式進行構成電子束照射器 二道之通電加熱’從原理上將因絲周圍的的交流感應磁 豕斤導致的電子束之搖動予以消除，而發揮將電子束均等 地』射於膜之作用。藉此，可遍及膜整面得到與冷卻用輥 的密接仙，而在不使生產性降低之情打，即可防止^ 冷卻效果降低所導致的熱皺區域之產生。 為A C直"IL產生手段的具體構成例，係以直流電源 319329 7 上351440 源，並藉由 ，即可對燈 ••構成燈絲的加熱電源。或以交流電源為加熱電 、，於該乂流電源插入含有整流元件的直流化電路 絲供給直流電流。 (發明的效果） 如^所述’依據本發明之捲取式真空蒸鍍裝置，即 在不使生產轉低之情町遍及㈣面得到與冷卻用輕 ^ =作用，而可防止因冷卻效果降低而導致的熱皺區域 t屋生。

【實施方式】 =下參照圖式針對本發明之實施形態進行說明。 第1圖為本發明實施形態的捲取式真空蒸鍍裝置10 之概略構錢。本實施形態之捲料真^蒸㈣置1〇係具 =.真空室1卜膜12之捲出輥13、冷卻用筒輥14、捲取 軺* 15、以及蒸鍍物質之蒸發源16。 真空室η係經由配管連接部lla、Uc而連接至未圖 ♦不的真空栗等真空排氣系統，其内部亦被減壓排氣至預定 之真空度°真空室11之内部空間係藉由隔間板lib而被隔 間為配置有捲出報13、捲取輥15等的室及配置有蒸發源 —膜12係被裁斷成預定寬度的長形之絕緣性塑膠膜， 本貫施形態中係採用0pp(延伸聚丙婦）單層膜。又，除此 以外，也可適用PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯）膜、pp 苯硫）膜等塑膠膜或紙片等。 ( 膜12係從捲出輥連續地被取出，經由複數個引導輥

319329 Π51440 輕 助輕18以及複數個引導報19而被捲取至 掩^輕15。雖未圖示，但於捲出輕13及捲取報15 设有迴轉驅動部。 筒報14係形成為筒狀且為鐵等金屬製，於其内部且 有冷媒循環系統等冷卻機構及使筒報Η迴轉驅動的迴轉 驅動機構等。於筒輥14之周面係以預定之繞角將膜。予 以捲繞。捲繞於筒輕14㈣12係在當其外面側之成膜面 由來自蒸發源16 @蒸鍍物質所成膜之同時 14而被冷卻。 ^蒸發源16係收容有蒸鍍物質，同時具有以電阻加熱、 f應加熱、電子束加熱等公知之手法將蒸鍍物質予以加熱 瘵發的機構。該蒸發源丨6係被配置於筒輥〗4之下方，而 使瘵鍍物質之蒸汽附著於相對向的筒輥14上之膜Η上而 形成被膜。 ' 作為蒸鍍物質，除了適用H銅、鎳、鈦等單種 金屬元素外，也可適用鋁-鋅、銅·鋅、鐵_鈷等兩種以上的 金屬或多元系合金，蒸發源也不限於一個，亦可設置複數 個。 本實施形態之捲取式真空蒸鍍裝置10復具有：電子 束照射益21、直流偏麼電源2 2以及除電單元2 3。 電子束照射盗21係用以對行進的膜12照射電子束以 使膜12帶負電者’且設置於捲出輥13與蒸發源16之間。 第2圖為說明對膜12照射電子束之步驟的剖面示意圖。電 子束照射器21係設置於與筒輥14之周面相對向的位置， 319329 9 丄 .::…接觸的臈12之成膜面，以 •照射寬度照射電子束。 j予以上的 第3圖為表示電子束照射器Μ之構 電子束照射器21係具有放出熱電子的燈絲3〗 絲31予以通電的加執+ 將燈 加熱電…由直所構:及!子束之引出電源％ 電源所構成，猎以構成對燈絲31佴 ，、口直k電流的本發明之「直流產生手段」。 '、 直流偏壓電源22係對筒輥14與輔 定之直流電Μ。㈣親間知加預 於f極。輔助輕18為金屬製，且被設置於其周面與膜Γ2 1 之8日士膜面目抵f的位置。形成於膜12的金屬膜若接觸輔助輕 广守，則夾於金屬膜與筒輥14之間的膜12會極化 f ’而於膜12和筒輕14之間產生靜電的 力。藉此，謀求膜12與筒輕14的密接。 者 然後，除電單元23係被配置於冷卻用筒親14與捲取 輥15之間，且具有將因來自電子束照射器2丨的電子昭射 而帶電的膜21予以除電的功能。作為除電單元23之構成 例’於本實施形態中係採用使膜12通過電漿中而藉由轟擊 (bombard)處理將膜12予以除電的機構。 接著針對如上所述構成的本實施形態之捲取式真办 热鍍裝置10之動作進行說明。 於被減壓至預定之真空度的真空室11之内部中，從 捲出軺1 3連々地取出的膜12係經由電子束照射步驟、蒸 錢步驟、除電步驟’而被連續地捲取於捲取親15。 10 319329 1351440 從捲出輥13取出的膜12係 係於與筒輕u之開始接觸位置附近由電子膜 1:: 射電子束’而在電位上成為帶負t。此時，因將電；： 則12與筒輥14接觸的位置，故可有效率地使膜 密接於筒輥14而進行冷卻。 、 在此’依據本實施形態，因以直流方式進行構成電子 束照射益21的燈絲31之通電加熱，故在原理上，可以消 除在以交流方式進行燈絲之通電的習知方式中造成問題之 因燈絲的交流感應磁場所導致的電子束之搖動，而如 第'圖示意性所示可得到電子束對於膜12的均等照射作 用。藉此，可遍及膜整面得到與筒輥14的密接作用，而在 不使生產輯低的狀況下防止因冷卻效果降低所導致的敎 皺區域之產生。 … 受到電子束之照射而帶負電的膜12，係藉由靜電引力 而密接於因直流偏壓電源22而被偏壓為正電位的筒輥 14之後藉由將由洛發源16所蒸發的蒸發物質堆積於膜 12之成膜面而成膜為金屬膜。 成膜於膜12的金屬膜係經由輔助輥丨8而被施加直流 偏壓電源22的負電位。金屬膜係於膜12之長邊方向連續 而形成，故於金屬膜之蒸鑛後，在被捲繞於筒親14的膜 12中，金屬膜側之一方的表面為正，筒親1 *側的另一側 表面則為負而分別極化，且在膜12與筒輥14之間產生靜 電的吸著力。結果’使膜與筒輥14相互密接。 如以上所述’於本實施形態中係在金屬膜之蒸鍍前藉 11 319329 Π51440 .由，子束之照射使臈12帶電而密接於筒輥i4，於金 ，之蒸鍍後則藉由施加在該金屬膜與筒輥14之 電 =使膜12密接於驗14，因此即使在金屬膜 膜12帶負電的電荷（電子）之一部分因其後之金屬膜 驟而放電至該金屬膜而消失，也可藉由從辅助輥i心屬 =加負電位（供給電子）而補償已消失的電荷之-部分或 ，盥&據本實施形態，於蒸鑛步驟後也可抑制膜12 _14之_密接力降低，而可於蒸鑛步驟前 之較的冷卻作用。藉此，可防止在金屬膜蒸鑛時之膜 二的熱變形’並且可實現膜12之高速行進化、成膜運轉 迷度之尚速化而可謀求生產性的提升。 如以上所述進行金屬膜之蒸鍍的膜12係在以除電單 =3除電後，捲取於捲取㈣。藉此，可確保臈η之穩 疋的捲取動作’同時並可防止因帶電所造成的捲繞敏紋二 、以上’雖針對本發明之實施形態進行說明，當然本 :並不限於此，而可根據本發明之技術思想而進行種種變 :如，於以上之實施形態中’作為對構成電子束照射 :的燈絲31供給直流電流的直流產生手段，雖使用由 2電源所構成的加熱電源32,但亦可取代該電源而如第 回A、B所不藉由交流電源35及包含整流元件的直流化 電路來構成前述直流產生手段。 第5圖A所示的直流化電路係顯示，在放出熱電子的 319329 12 1351440 .燈絲31與交流電源35之間，插入有由整流元件％與電容 /器37所構成的直流化電路白勺電子束照射器之等效電路。整 流元件36係將來自交流電源35的交流電流變換（半波整流） 為直流’電容器37則有作為使整流波形平滑化的遽波器 (filter)的功能。 第5圖B所示的直流化電路係顯示，在放出熱電子的 燈絲31與交流電源35之間，插人有由橋式二極體⑷〇de bddge)38與電容器39所構成的直流化電路的電子束照射 器之等效電路。橋式二極體38係將來自交流電源乃的交 流電流變換（全波整流）為直流，電容器39則有作為使整流 波形平滑化的濾波器（filter)的功能。 【圖式簡單說明】 第1圖係說明本發明實施形態的捲取式真空蒸鍍裝置 之概略構成圖。 ’、、、又、 f 2圖係說明對膜照射電子束之步驟的剖面示意圖。 第3圖係說明在第i圖中的捲取式真空蒸艘裝置所使 用的電子束照射器之構成的等效電路圖。 第4圖係說明如第3圖所示的電子束照射器之作用 示意圖。 第5圖A、B係表示電子束照射器之構成的變形例圖。 第6圖係習知之捲取式真空蒸鍍襄置之要部的 成圖。. ^ 第7圖為說明於習知之捲取式真空蒸鍍裝置所使用的 電子束照射器之構成的等效電路圖。 、 319329 13 U51440 * 第8圖A、B係說明習知技術之問題點的圖，其係_ ，不於膜上週期性產生熱皺區域之例。 山第9圖A'b係說明於構成電子束照射器的燈絲施加 父流電流時產生的電子束之搖動的狀態的示意圖。 一第10圖係說明於第8圖所示的熱皺區域之產生機制 的不意圖。 【主要元件符號說明】 10 捲取式真空蒸鍍裝置 ^ 11 真空室 11 a, 11 c 配管連接部 lib 隔間板 12,52 膜 13 捲出輥 14,54 筒輥（冷卻用輥) 15 捲取輥 16 蒸發源 17 引導輥 18 輔助輥 19,53,55 引導輥 21,51 電子束照射器 22 直流偏壓電源 23 除電單元 31,61 燈絲 32,62 加熱電源 14 319329

1351440 33,63 引出電源 35 交流電源 36 整流元件 37 ' 39 電容器 38 橋式二極體 65 熱皺區域

Claims (1)

1. 、申請專利範圍丨产士… —種捲取式真空蒸鍍裝置，係具有： 真空室； 捲出輥，係配置於該真空室内部而使絕緣性膜連 續地取出； 捲取輕，係用以捲取從該捲出觀取出的膜； 冷部用輥，係配置於前述捲出輥與前述捲取輥之 間，與前述膜密接而將前述膜予以冷卻； ?备發源，係與前述冷卻用輥相對向配置而使蒸鍍 材料蒸鍍於前述膜；以及 、電子束照射器，係配置於前述捲出輥與前述蒸發 源之間，且對行進的前述膜照射電子束；該捲取式真 空蒸鍍裝置之特徵為： 前述電子束照射器係具有藉由通電加熱而放出電 子的燈絲、及對前述燈絲供給直流電流的直流產生手 段。 t申請專利範圍第i項之捲取式真空蒸鍍裝置，其中， 則述直流產生手段為直流電源。 t申請專利範圍第1項之捲取式真空蒸链農置，其中， =述直抓產生手段係由交流電源及包含有整流元件的 直流化電路所構成。 16 319329