CN112725740B - 线簇阵列蒸发源蒸镀装置及蒸镀方法 - Google Patents

线簇阵列蒸发源蒸镀装置及蒸镀方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112725740B
CN112725740B CN202011500624.1A CN202011500624A CN112725740B CN 112725740 B CN112725740 B CN 112725740B CN 202011500624 A CN202011500624 A CN 202011500624A CN 112725740 B CN112725740 B CN 112725740B
Authority
CN
China
Prior art keywords
evaporation
wire
cluster array
substrate
line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011500624.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112725740A (zh
Inventor
张志林
李俊
丁星伟
张其胜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Hongwu Technology Co ltd
Original Assignee
Zhejiang Hongwu Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang Hongwu Technology Co ltd filed Critical Zhejiang Hongwu Technology Co ltd
Priority to CN202011500624.1A priority Critical patent/CN112725740B/zh
Publication of CN112725740A publication Critical patent/CN112725740A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112725740B publication Critical patent/CN112725740B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/26Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02ATECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
    • Y02A20/00Water conservation; Efficient water supply; Efficient water use
    • Y02A20/124Water desalination

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种线簇阵列蒸发源蒸镀装置及蒸镀方法。它是在很多根加热线上涂有蒸发料膜,形成蒸发线,由蒸发线组成平面线簇阵列,构成线簇阵列蒸发源。通过快速加热该蒸发源的加热线,可以一次性把蒸发料膜经过金属掩膜板全部蒸镀到基板上。在线簇阵列蒸发源与正电压背电极板间加上正电压,线簇阵列蒸发源与金属掩膜板加上负电压,能够使所有的蒸发料蒸镀到基板上,不会蒸镀到金属掩膜板上。通过调节线簇的蒸发线的线间距离、线簇阵列蒸发源与基板的距离、以及线簇蒸发源与基板之间的电场分布,可以得到最佳的蒸镀膜均匀性。本发明具有工艺简单、镀膜速度快、可连续生产、大幅降低加热电流、提高材料利用率、节约工艺和设备的成本的优势。

Description

线簇阵列蒸发源蒸镀装置及蒸镀方法
技术领域
本发明涉及真空蒸镀工艺领域,尤其涉及一种线簇阵列蒸发源蒸镀装置及蒸镀方法,其用于制作有机发光二极管(OLED)、有机薄膜晶体管(TFT)、有机太阳电池、半导体器件、平板显示器件,及其他有机、无机器件时,对高温大面积有机及无机的蒸发料进行蒸发,实现均匀蒸镀。
背景技术
真空蒸镀工艺已广泛的用于半导体元器件及平板显示器件的制作。特别如有机发光二极管(OLED)等方面已形成了一个很大的产业,在OLED的制备过程中主要的过程是真空蒸镀,它包括无机或有机空穴传输层蒸镀、三种颜色的有机发光层的蒸镀、有机或无机的电子传输层蒸镀,金属背电极层蒸镀等。随着平板显示面积的不断扩大,对大面积蒸发的均匀性和低成本的蒸发要求越来越高。而一般常用蒸发源有点蒸发源、线蒸发源及面蒸发源。其中对于点蒸发源的蒸发料的利用率只有百分之五左右、线蒸发源则可以达到20%左右的利用率、面蒸发源利用率可高达80%,但面蒸发源对个别高温有机及无机材料其蒸发温度600度乃至千度以上时就很难实现,需要的电流会太大很难实现。
针对上述的困难,本发明旨在提供一种既有面蒸发源的优点而蒸发电流大大减小的技术方案。
发明内容
本发明的目的在于针对已有技术存在的缺陷,提供一种材料利用率高、蒸发的能耗小、工艺控制简单、蒸发速度快、图形化精度高、容易形成流水线的线簇阵列蒸发源蒸镀装置及方法。
为达到上述目的,本发明采用下述技术方案:
本发明的其中一个目的在于提供一种线簇阵列蒸发源蒸镀装置,包括蒸发线簇阵列、蒸发线、加热线、蒸发料膜、左电极辊、右电极辊、左蒸发线卷线盘组、右蒸发线卷线盘组、左卷线盘轴、右卷线盘轴、金属掩膜板、基板和交流电源;
所述的蒸发线是由涂有蒸发料膜的加热线构成;
所述的左蒸发线卷线盘组和右蒸发线卷线盘组上包括相同数量的卷线盘,所述的卷线盘分别套装在左卷线盘轴和右卷线盘轴上;
所述的基板、金属掩膜板和蒸发线簇阵列从上到下依次间隔布置且互相平行,所述的蒸发线簇阵列包括多根等间距排列的蒸发线;所述的蒸发线由左蒸发线卷线盘组出发经左电极辊、右电极辊进入右蒸发线卷线盘组;
所述的左电极辊和右电极辊由电缆连接到交流电源上,在蒸发线簇阵列产生大电流来加热蒸发线簇阵列;
整个蒸镀装置除各个电源外都安装在一个真空腔体中。
作为本发明的优选,所述的蒸发线是在加热线上用浸涂、电泳或电镀方法均匀的涂上一层蒸发料膜得到的,所述的蒸发料膜的厚度正好达到一次性蒸镀的量。
作为本发明的优选,还包括正电压背电极板、负直流电压源和正直流电压源;所述的正电压背电极板覆盖在基板上,所述的正直流电压源通过电缆连接到蒸发线簇阵列和正电压背电极板上;所述的负直流电压源通过电缆连接到蒸发线簇阵列和金属掩膜板上。
作为本发明的优选,所述的左电极辊和右电极辊是可转动的纯铜或不锈钢材质的圆辊,所述的圆辊外壁上带有多个用以固定加热线的凹槽,所述的凹槽与卷线盘的位置对应。
作为本发明的优选,所述的左蒸发线卷线盘组和右蒸发线卷线盘组是由耐高温的绝缘材料制成,其中右蒸发线卷线盘组固定在右卷线盘轴上,左蒸发线卷线盘组与左卷线盘轴之间摩擦连接。
作为本发明的优选,所述的蒸发线簇阵列中的多根加热线平行的卡在左电极辊和右电极辊的凹槽里,所述蒸发线簇阵列的面积略大于基板的面积。
作为本发明的优选,加热线的线间距与蒸发线簇阵列到基板的间距相等。
作为本发明的优选,所述的正电压背电极板为面积略小于基板的金属板,所述金属板的形状为平板状或波纹板状;所述波纹板状的波纹距等于加热线的线间距。
作为本发明的优选,所述的正电压背电极板为平面线簇型背电极板,包括绝缘框架和由多根导电线构成的平面型导电线簇,所述的导电线簇夹在绝缘框架中固定,每一根导电线均连接一个调压器。
本发明的另一个目的在于提供一种基于上述的线簇阵列蒸发源蒸镀装置的蒸镀方法,包括以下步骤:
1)蒸发线的制备:采用浸涂、电泳或电镀方法在蒸发线簇阵列中的每一根加热线上分段涂上一定厚度的蒸发料膜,形成蒸发线;每一段蒸发线的长度略大于基板的长度,相邻两段蒸发线留有间隔;
2)蒸发线的安装和调试:将制备好的蒸发线缠绕在左蒸发线卷线盘组中的每一个卷线盘上,把左蒸发线卷线盘组安装到左卷线盘轴上,将右蒸发线卷线盘组安装到右卷线盘轴上;
把蒸发线由左蒸发线卷线盘组拉出,经左电极辊槽、右电极辊槽后缠绕在右蒸发线卷线盘组上;然后通过调整右蒸发线卷线盘组上的每一个卷线盘,使得各蒸发线的蒸发料膜位置对齐,且位于基板的正下方,再将蒸发线的起始端固定在右蒸发线卷线盘组上;
3)将蒸镀装置抽高真空;
4)安装基板,并将基板的位置对准掩膜板;
5)接通正负直流电源:在蒸发线簇阵列与正电压背电极板上加上正直流电压源,在蒸发线簇阵列与金属掩膜板上加上负直流电压源;
6)拉紧蒸发线:固定右卷线盘轴不动,控制左卷线盘轴缓慢反转,依靠左蒸发线卷线盘组与左卷线盘轴之间的摩擦力拉紧所有的蒸发线;
7)进行蒸镀:在左电极辊、右电极辊上接通交流电源,蒸发线瞬间达到高温,把蒸发料膜蒸发到基板上,然后断开交流电源,完成本次蒸镀;
8)退出蒸镀状态:停止左卷线盘轴反转,断开正负直流电源,移出基板,刮下蒸发料;
9)更换蒸发源:转动右卷线盘轴,向右移动蒸发线,把下一段涂有蒸发料膜的蒸发线拉到基板位置的正下方;
10)重复步骤4)到步骤9),以完成下一次的蒸镀,直至用完整盘蒸发线。本发明与现有技术相比较,具有如下显而易见的突出实质性特点和显著优点:
1)本发明用细加热丝线簇阵列作为发热元件,其所需的电流会大大小于用金属箔带或其它加热装置的面蒸发源所需的电流,特别是如果使用分区相继加热的方法则所需电流更小,这将大大缩减设备成本和功耗,更容易实现。
2)本发明蒸镀的横向均匀性高,理论上在不加电场的情况下,当蒸发线的线间距与蒸发线簇阵列到基板的间距相等时,可以达到最佳的横向均匀性,其均匀性可在±1%左右。在线簇蒸发源与高压直流电压背板间加压形成电场的情况下,可应用波纹板状背电极板和平面线簇型背电极板来调节电场,达到最佳的横向均匀性,以达到面蒸发源的性能。
3)本发明由于采用快速加热,瞬间一次性的把蒸发料全部蒸发到基板上,特别是对需要多元搀杂蒸发的蒸镀,只要把经搀杂的蒸发料的溶液以计算好的量浸涂到蒸发线上就可以了。因此具有工艺简单、速度快、设备利用率高、功耗小、重复性好、设备成本低等优势。
4)本发明采用了在线簇蒸发源与高压直流电压背板间加压形成电场的方式,可以把蒸发线上所有的带电的蒸发料都吸引到基板上,因此其材料利用率非常高,这一点对价格昂贵的高纯有机发光材料很重要。
5)本发明由于蒸镀料直接包裹在加热的蒸发线上,其蒸发料的表面在电场作用下是充分带电的,因此其蒸发气体的分子都会均匀带电,从而使能充分的发挥电场控制的作用。
6)本发明通过将负电压源连接到蒸发线簇阵列和金属掩膜板上,在它们之间能够产生负电场,排斥带电的蒸发气体,使蒸发气体不会沉积到金属掩膜板上。这对三基色的显示屏来说可节约2/3的有机发光材料,而且避免了蒸发料沉积到金属掩膜板上堵塞镂孔。
7)本发明由于在高压直流电压背板上加正电压,在金属掩膜板上加负电压,使带电的蒸发料气体以接近垂直的方向投射到基板上,得到的图像边界清晰,不会产生边界模糊的“距离阴影”甚至混色的现象,从而可更好的提高图形化的精度,这对高精细度的显示器制作特别重要。而在一般的蒸镀过程中,由于蒸发气体的斜射,往往引起在掩膜板与基板之间贴得不紧而产生楼孔的“距离阴影”,模糊了图形的边界影响图形的精度。
附图说明
图1是本发明线簇阵列蒸发源蒸镀装置的结构示意图;
图2是本发明线簇阵列蒸发源蒸镀装置中电极辊的结构图;
图3是本发明线簇阵列蒸发源蒸镀装置中蒸发线的卷线盘的结构图;
图4是本发明线簇阵列蒸发源蒸镀装置中的蒸发线走线图;
图5是本发明线簇阵列蒸发源蒸镀装置采用波纹板背电极板后的结构示意图;
图6是波纹板状背电极板结构的示意图;
图7是本发明线簇阵列蒸发源蒸镀装置采用平面线簇型背电极板后的结构示意图;
图8是平面线簇型背电极板的结构示意图;
图9是本发明线簇阵列蒸发源蒸镀装置在不加背电极板的情况下的结构示意图;
图中:1蒸发线簇阵列,2蒸发线,3加热线,4蒸发料膜,5左电极辊,5-1左电极辊槽,6右电极辊,6-1右电极辊槽,7左蒸发线卷线盘组,8右蒸发线卷线盘组,9左卷线盘轴,10右卷线盘轴,11金属掩膜板,12基板,13正电压背电极板,13-1波纹状背电极板,13-2绝缘框架,13-3导电线簇,14交流电源,15负直流电压源,16正直流电压源
具体实施方式
本发明的优选实施例结合附图详述如下:
实施例一:
参见图1至图5一种线簇阵列蒸发源蒸镀装置,它包括由蒸发线簇阵列1、蒸发线2、加热线3、蒸发料膜4、左电极辊5、右电极辊6、左蒸发线卷线盘组7、右蒸发线卷线盘组8、左卷线盘轴9、右卷线盘轴10、金属掩膜板11、基板12、正电压背电极板13、交流电源14、负直流电压源15和正直流电压源16;
所述的蒸发线2是由涂有蒸发料膜4的加热线3构成;可以采用浸涂、电泳、电镀等方法均匀的涂上一层蒸发料膜,其厚度正好达到一次性蒸镀的量。
所述的蒸发线簇阵列1包括多根等间距排列的加热线3;在本发明的一项具体实施中,加热线采用细金属加热丝,其所需的电流大大小于面加热源,在蒸镀过程中,需要将待蒸发的蒸发料涂在加热线3上,形成蒸发料膜4,此时将涂有蒸发料膜4的加热线3称为蒸发线2。对蒸发线进行加热时还可以使用分区相继加热的方法,进一步降低所需电流的大小。
所述的左蒸发线卷线盘组7和右蒸发线卷线盘组8上均包括相同数量的卷线盘,卷线盘的结构如图3所示,呈工字型结构,所述的卷线盘分别套装在左卷线盘轴9和右卷线盘轴10上。所述的基板12、金属掩膜板11和蒸发线簇阵列1从上到下依次间隔布置且互相平行,加热线3由左蒸发线卷线盘组7出发经左电极辊5、右电极辊6进入右蒸发线卷线盘组8。
所述的左电极辊5和右电极辊6由电缆17和18连接到交流电源14上,在蒸发线簇阵列1产生大电流来加热蒸发线簇阵列1,把包裹在蒸发线2上的蒸发料膜4蒸发到金属掩膜板11和基板12上。本发明采用快速加热,瞬间一次性的把蒸发料全部蒸发到基板上,特别是对需要多元搀杂蒸发的蒸镀,只要把经搀杂的蒸发料的溶液以计算好的量浸涂到蒸发线上就可以了。
整个蒸镀装置除各个电源外都安装在一个真空腔体中。
在本实施例中,所述的正直流电压源16通过电缆19和21连接到蒸发线簇阵列1和正电压背电极板13上,使它们之间产生电场以吸引所有带电的蒸发气体沉积到基板12上,其材料利用率非常高,对价格昂贵的高纯有机发光材料很重要。所述的负电压源通过电缆18和19连接到蒸发线簇阵列1和金属掩膜板11上,在它们之间产生负电场,以排斥带电的蒸发气体,使不会沉积到金属掩膜板上,这对三基色的显示屏来说可节约2/3的有机发光材料,而且避免了蒸发料沉积到金属掩膜板上,不会堵塞镂孔,无需后期对金属掩膜板进行清洗。
本发明采用了正电压和负电压相结合的方式,使带电的蒸发料气体能够以接近垂直的方向投射到基板上,不会发生蒸发气体的斜射,得到的图像边界清晰,不会产生边界模糊的“距离阴影”甚至混色的现象,从而可更好的提高图形化的精度,这对高精细度的显示器制作特别重要。
在本实施例中,所述的蒸发线2是在加热线3上大部分或者全部的用浸涂、电泳、电镀等方法均匀的涂上一层蒸发料膜4,其厚度正好达到一次性蒸镀的量,这里所述的大部分是指在蒸发线2与电极辊5和6连接的一段区间不涂蒸发料膜有利于电接触。由于蒸镀料直接包裹在加热的蒸发线上,其蒸发料的表面在电场作用下是充分带电的,因此其蒸发气体的分子都会均匀带电,从而使能充分的发挥电场控制的作用。
所述的蒸发料膜4的材料是可溶或可熔的有机材料、无机材料、可电镀的金属。
如图2所示,所述的左电极辊5和右电极辊6是带有多个用以固定蒸发线2的凹槽5-1、6-1的可转动的纯铜或不锈钢圆辊,它可随着蒸发线2移动而转动,并有良好的电接触,还可以把电极辊分成相互独立的几段,进行分段相继加热的方法来进一步降低对电流的要求。
所述的左蒸发线卷线盘组7和右蒸发线卷线盘组8是由耐高温的绝缘材料制成,其中右蒸发线卷线盘组8固定在右卷线盘轴10上,起着拉动蒸发线簇阵列1的作用;左蒸发线卷线盘组7与左卷线盘轴9之间是摩擦连接,它既能随着左卷线盘轴9转动,也可以在左卷线盘轴9不转或反转时由其摩擦力使每个盘都能拉紧蒸发线,这一点在加热蒸发时特别重要,它能拉紧每一根线,以保持加热线3与左右电极辊5和6之间的良好的电接触。
所述的蒸发线簇阵列1中的多根待蒸镀的蒸发线2平行的卡在左右电极辊5和6的凹槽5-1和6-1里,蒸发线簇阵列1中的带有蒸发料膜4的平面面积要略大于基板的面积。通过调节蒸发线2的线间距,可以改变其横向的均匀性。理论上,在不加电场的情况下,当蒸发线2的线间距与蒸发线簇阵列1到基板11的间距相等时,可以实现最佳的横向均匀性。本实施例中的均匀性达±1%左右。
在本发明的一项具体实施中,所述的正电压背电极板13是覆盖在基板上的面积略小于基板的金属板,其形状可以是平板状,通过电缆21连接到正直流电压源16上,使它们与蒸发线簇阵列1之间产生电场,以吸引带电的蒸发气体沉积到基板12上。
实施例二:
参见图5和图6。本实施例与实施例一的结构基本相同,不同之处是把正电压背电极13由平板状背电极板13换成波纹状背电极板13-1。该波纹状背电极板的波纹距与蒸发线2的线间距相等,并使其波峰的位置与蒸发线2的位置对准,波谷的位置位于在2个蒸发线之间。因为对一个固定电压的两点,其电场强度是随两点距离的增加而减少。在平板状背电极板与蒸发线之间,随着横向的偏移线板间距离增加,故其场强是逐步下降的,而波纹状背电极板可以减缓这种下降的程度,从而使在基板上沉积膜的横向均匀度得到改善。
实施例三:
参见图7和图8。本实施例与实施例一的结构基本相同,不同之处是把正电压背电极13由平板状背电极板13换成平面线簇型背电极板,所述的平面线簇型背电极板的结构如图8所示,包括绝缘框架13-2和由多根导电线构成的平面型导电线簇13-3,所述的导电线簇13-3夹在绝缘框架13-2中固定,每一根导电线均连接一个调压器,每一根线上的电压可以调节。在本实施例中,通过调节在每根相互绝缘的导电线上的电压,来得到最佳电场分布,实现最佳的横向均匀性。其优点是,当导电线簇13-3的密度比较大时,可以测得完整的场分布曲线,为设计波纹状背电极板13-1提供参考。
采用实施例一至三中的线簇阵列蒸发源蒸镀装置进行蒸镀(以有电场辅助的情况为例),对蒸镀过程进行介绍,包括以下步骤:
1)蒸发线的制备:采用浸涂、电泳或电镀方法在蒸发线簇阵列1中的每一根加热线上分段涂上一定厚度的蒸发料膜4,形成蒸发线2;每一段蒸发线的长度略大于基板的长度,相邻两段蒸发线留有间隔;
2)蒸发线的安装和调试:将制备好的蒸发线缠绕在左蒸发线卷线盘组7中的每一个卷线盘上,把左蒸发线卷线盘组7安装到左卷线盘轴9上,将右蒸发线卷线盘组8安装到右卷线盘轴10上;
如图4所示,把蒸发线由左蒸发线卷线盘组7拉出,经左电极辊槽5-1、右电极辊槽6-1后缠绕在右蒸发线卷线盘组8上;然后通过调整右蒸发线卷线盘组8上的每一个卷线盘,使得各蒸发线的蒸发料膜4位置对齐,且位于基板的正下方,再将蒸发线的起始端固定在右蒸发线卷线盘组8上;
3)系统抽高真空;
4)安装基板,并将基板的位置对准掩膜板;
5)接通正负直流电源:在蒸发线簇阵列1与正电压背电极板13上加上正直流电压源16,在蒸发线簇阵列1与金属掩膜板11上加上负直流电压源15;
6)拉紧蒸发线:固定右卷线盘轴10不动,控制左卷线盘轴9缓慢反转,依靠左蒸发线卷线盘组7与左卷线盘轴9之间的摩擦力拉紧所有的蒸发线;
7)进行蒸镀:在左电极辊5、右电极辊6上接通交流电源14,蒸发线瞬间达到高温,把蒸发料膜蒸发到基板上,然后断开交流电源,完成本次蒸镀;
8)退出蒸镀状态:停止左卷线盘轴9反转,断开正负直流电源,移出基板,刮下蒸发料;
9)更换蒸发源:转动右卷线盘轴10,向右移动蒸发线,把下一段涂有蒸发料膜的蒸发线拉到基板位置的正下方;
10)重复步骤4)到步骤9),以完成下一次的蒸镀,直至用完整盘蒸发线。
实施例四:
参见图9,本实施例是不加电场的线簇阵列蒸发源蒸镀装置。即,在蒸发线簇阵列1与正电压背电极板13和金属掩膜板11之间不加正负直流电压,去掉图1原结构中所述的负直流电压源15、正直流电压源16、正电压背电极板13及相应的电缆19、20、21,以实现无电场辅助的蒸镀过程。
在此结构中,蒸镀到基板12的蒸镀膜的横向均匀性是依靠调节蒸发线簇阵列1的相邻2根加热线3之间的间距、以及调节蒸发线簇阵列1与基板12之间的距离来实现的。
理论计算,当这两个距离相等时效果最好,其横向的均匀度可达到±1%的水平。至于纵向的均匀度,其依赖于涂在加热线3上的蒸发料膜4的均匀度,以及蒸发线簇阵列1和基板12的平行度。
若采用实施例四中的线簇阵列蒸发源蒸镀装置进行蒸镀,其蒸镀过程不需要上述中的步骤5),且步骤8)中也不存在断开正负直流电源的步骤,其余与上述过程相似。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (4)

1.一种线簇阵列蒸发源蒸镀装置,其特征在于,包括蒸发线簇阵列(1)、蒸发线(2)、加热线(3)、蒸发料膜(4)、左电极辊(5)、右电极辊(6)、左蒸发线卷线盘组(7)、右蒸发线卷线盘组(8)、左卷线盘轴(9)、右卷线盘轴(10)、金属掩膜板(11)、基板(12)和交流电源(14);
所述的蒸发线(2)是由涂有蒸发料膜(4)的加热线(3)构成;所述的蒸发线(2)是在加热线(3)上用浸涂、电泳或电镀方法均匀的涂上一层蒸发料膜(4)得到的,所述的蒸发料膜(4)的厚度正好达到一次性蒸镀的量,
所述的左蒸发线卷线盘组(7)和右蒸发线卷线盘组(8)上包括相同数量的卷线盘,所述的卷线盘分别套装在左卷线盘轴(9)和右卷线盘轴(10)上;
所述的基板(12)、金属掩膜板(11)和蒸发线簇阵列(1)从上到下依次间隔布置且互相平行,所述的蒸发线簇阵列(1)包括多根等间距排列的蒸发线(2);所述的蒸发线(2)由左蒸发线卷线盘组(7)出发经左电极辊(5)、右电极辊(6)进入右蒸发线卷线盘组(8);
所述的左电极辊(5)和右电极辊(6)由电缆连接到交流电源(14)上,在蒸发线簇阵列(1)产生大电流来加热蒸发线簇阵列(1);所述的左电极辊(5)和右电极辊(6)是可转动的纯铜或不锈钢材质的圆辊,所述的圆辊外壁上带有多个用以固定加热线(3)的凹槽,所述的凹槽与卷线盘的位置对应;
还包括正电压背电极板(13)、负直流电压源(15)和正直流电压源(16);所述的正电压背电极板(13)覆盖在基板(12)上,所述的正直流电压源(16)通过电缆连接到蒸发线簇阵列(1)和正电压背电极板(13)上;所述的负直流电压源(15)通过电缆连接到蒸发线簇阵列(1)和金属掩膜板(11)上;所述的正电压背电极板(13)为面积略小于基板的金属板,所述金属板的形状为波纹板状;所述波纹板状的波纹距等于加热线(3)的线间距,波峰的位置与蒸发线的位置对准,波谷的位置位于两个蒸发线之间;加热线(3)的线间距与蒸发线簇阵列(1)到基板(12)的间距相等;
整个蒸镀装置除各个电源外都安装在一个真空腔体中。
2.根据权利要求1所述的一种线簇阵列蒸发源蒸镀装置,其特征在于,所述的左蒸发线卷线盘组(7)和右蒸发线卷线盘组(8)是由耐高温的绝缘材料制成,其中右蒸发线卷线盘组(8)固定在右卷线盘轴(10)上,左蒸发线卷线盘组(7)与左卷线盘轴(9)之间摩擦连接。
3.根据权利要求1所述的一种线簇阵列蒸发源蒸镀装置,其特征在于,所述的蒸发线簇阵列(1)中的多根加热线(3)平行的卡在左电极辊(5)和右电极辊(6)的凹槽里,所述蒸发线簇阵列(1)的面积略大于基板的面积。
4.一种基于权利要求2-3任一权利要求所述的线簇阵列蒸发源蒸镀装置的蒸镀方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)蒸发线的制备:采用浸涂、电泳或电镀方法在蒸发线簇阵列(1)中的每一根加热线上分段涂上蒸发料膜(4),形成蒸发线(2);每一段蒸发线的长度略大于基板的长度,相邻两段蒸发线留有间隔;
2)蒸发线的安装和调试:将制备好的蒸发线缠绕在左蒸发线卷线盘组(7)中的每一个卷线盘上,把左蒸发线卷线盘组(7)安装到左卷线盘轴(9)上,将右蒸发线卷线盘组(8)安装到右卷线盘轴(10)上;
把蒸发线由左蒸发线卷线盘组(7)拉出,经左电极辊槽(5-1)、右电极辊槽(6-1)后缠绕在右蒸发线卷线盘组(8)上;然后通过调整右蒸发线卷线盘组(8)上的每一个卷线盘,使得各蒸发线的蒸发料膜(4)位置对齐,且位于基板的正下方,再将蒸发线的起始端固定在右蒸发线卷线盘组(8)上;
3)将蒸镀装置抽高真空;
4)安装基板,并将基板的位置对准掩膜板;
5)接通正负直流电源:在蒸发线簇阵列(1)与正电压背电极板(13)上加上正直流电压源(16),在蒸发线簇阵列(1)与金属掩膜板(11)上加上负直流电压源(15);
6)拉紧蒸发线:固定右卷线盘轴(10)不动,控制左卷线盘轴(9)缓慢反转,依靠左蒸发线卷线盘组(7)与左卷线盘轴(9)之间的摩擦力拉紧所有的蒸发线;
7)进行蒸镀:在左电极辊(5)、右电极辊(6)上接通交流电源(14),蒸发线瞬间达到高温,把蒸发料膜蒸发到基板上,然后断开交流电源,完成本次蒸镀;
8)退出蒸镀状态:停止左卷线盘轴(9)反转,断开正负直流电源,移出基板,刮下蒸发料;
9)更换蒸发源:转动右卷线盘轴(10),向右移动蒸发线,把下一段涂有蒸发料膜的蒸发线拉到基板位置的正下方;
10)重复步骤4)到步骤9),以完成下一次的蒸镀,直至用完整盘蒸发线。
CN202011500624.1A 2020-12-17 2020-12-17 线簇阵列蒸发源蒸镀装置及蒸镀方法 Active CN112725740B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011500624.1A CN112725740B (zh) 2020-12-17 2020-12-17 线簇阵列蒸发源蒸镀装置及蒸镀方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011500624.1A CN112725740B (zh) 2020-12-17 2020-12-17 线簇阵列蒸发源蒸镀装置及蒸镀方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112725740A CN112725740A (zh) 2021-04-30
CN112725740B true CN112725740B (zh) 2023-06-06

Family

ID=75602920

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011500624.1A Active CN112725740B (zh) 2020-12-17 2020-12-17 线簇阵列蒸发源蒸镀装置及蒸镀方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112725740B (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4463492B2 (ja) * 2003-04-10 2010-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
WO2007148539A1 (ja) * 2006-06-23 2007-12-27 Ulvac, Inc. 巻取式真空蒸着装置
JP2008159923A (ja) * 2006-12-25 2008-07-10 Sharp Corp 有機薄膜トランジスタ製造用蒸着用マスク、これを用いた有機薄膜トランジスタの製造方法、有機薄膜トランジスタ
CN102011096B (zh) * 2010-12-29 2012-07-04 上海大学 可控制蒸发气流分布和成分的真空蒸发系统
CN212152426U (zh) * 2018-12-10 2020-12-15 上海大学 面蒸发源蒸镀装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王善林 等.《电子封装技术实验》.冶金工业出版社,2019,第154页. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN112725740A (zh) 2021-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1457582B1 (en) Device for vacuum deposition
US20120080309A1 (en) Systems and methods for forming a layer of sputtered material
US5378639A (en) Method for manufacturing a thin-film photovoltaic conversion device
US20050170075A1 (en) Method of evaporating film used in an organic electro-luminescent display
US20030059526A1 (en) Apparatus and method for the design and manufacture of patterned multilayer thin films and devices on fibrous or ribbon-like substrates
US20110065282A1 (en) Apparatus and methods to form a patterned coating on an oled substrate
US10253413B2 (en) Thin film deposition preparation device and method
JP2008248301A (ja) 蒸着装置及び蒸着方法
JPH10245547A (ja) 有機発光素子における有機層の堆積方法
CN105132861A (zh) 一种蒸镀掩膜版以及蒸镀设备
US7338887B2 (en) Plasma control method and plasma control apparatus
CN112725740B (zh) 线簇阵列蒸发源蒸镀装置及蒸镀方法
US20150110960A1 (en) Roller device for vacuum deposition arrangement, vacuum deposition arrangement with roller and method for operating a roller
US11764319B2 (en) Method of manufacturing solar cell with increased power generation area
US20110195186A1 (en) Plane-type film continuous evaporation source and the manufacturing method and system using the same
CN210287479U (zh) 一种电场控制图形化蒸镀装置
KR20130115784A (ko) 스퍼터링 장치
CN212152426U (zh) 面蒸发源蒸镀装置
KR20150139749A (ko) 줄 가열을 이용한 유기막증착용 도너 기판 및 그의 제조 방법
KR102231942B1 (ko) 패턴된 용액 전단코터를 구비한 롤 투 롤 방식의 유기 반도체 박막 형성장치
JP5700043B2 (ja) 有機薄膜層の形成方法、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
CN109301045B (zh) 一种发光器件及其制备方法、显示装置
JP2009270161A (ja) 薄膜製造装置
CN109402575A (zh) 基座以及蒸镀设备
JP2009209438A (ja) 薄膜形成装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant