TW200808987A - Reeling type vacuum vapor depostion appartus - Google Patents

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Description

200808987 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在減壓環境内連續地取出絕緣性膜,且 一邊使膜密接於冷㈣輥而使其冷卻,—邊將蒸鍍物質墓 鍍於該膜並予以捲取之方式的捲取式真空蒸鍍裝置。“、' 【先前技術】
以在,對於從捲出輥連續地取出之長形膜蒸鑛從蒸發 源而來的蒸發物質’且將蒸鍍後的膜以捲取輥進行捲取: 方式的捲#式真空蒸難置係廣為使用(例如參照下列專 利文獻1)。於該種真空諸裝置中,為了防止蒸鑛時的膜 之熱變形’係使膜-邊密接於冷卻用筒輥之周面而予以冷 部-邊進彳T朗處理。從而,如何確保對 膜之密接作用係成為重要的問題。 门輥的 於第6圖顯示習知之捲取式真空蒸錢装置之構成的一 2。膜52係從捲出輥(圖示省略)經由引導輥53、冷卻用之 W 54及引導輥55而被捲取至捲取輥(圖示省略)。膜52 係於筒輥54上被蒸顧蒸鍍源56而來的蒸發物質。電子 =射器係設置_出輥與蒸發源%之間,使 子束之照射而帶負電’且藉由與連接於接地電位 同輥之間的靜電力而使膜52密接於筒54。藉此 求防止因冷卻不足所致的膜52之熱變形。 9 第7圖為表示電子束照㈣51之構成的等效電路 將燈絲61通電的加熱電源62、以及電子束 319329 5 200808987 。之引出電源63。加熱電源62係交流電源, .率電源所構成。 从商用頻 (專利文獻1)曰本特開2〇〇5_146401号公報 【發明内容】 (發明所欲解決之課題) 然而,於前述的習知之捲取式真空蒸鍍農置中 示意性所示’存在有沿著膜52之長邊方向而週期: …惠域65的問題。熱皺區域65為容易因埶 *之皺紋或變(形等的區域。一旦提升膜52之行進速;產生= 如第8圖精示,熱皺區域65之產生間隔會㊃:反、】 =:2之行進速度大幅降低,則因會導致生產性降低而 熱皺區域65之產生’乃因對膜52之電 足。若電子束之照射量少,則與筒糙54之密接力” ^ 使冷卻效果降低。膜52之行進速产 + 成弱而 ,0 ., ^ , 丁運迷度為一定,熱皺區域卻週 』性產生。故可以推想,熱皺區域65之產 膜52之電子束照射量的參差。 ’、起日於對於 本發明係有鑑於上㈣題而研發者,其目的為提供一 使生產性降低之情況下即可抑制膜上的熱 產生的捲取式真空蒸鍍裝置。 一 (解決課題的手段) 之敎:「7 Τ決上述課題’本發明者於精心研討後發現,膜 2毅區域65的產生係如下所述起因於構成電子束昭射 °°的燈絲之通電加熱機構。亦即,如第9圖入…斤;, 319329 6 200808987 ‘的電子束照射器係朝燈絲61施加交流電流而產生· 、二1 匕時’與交流電流之頻率相對應的交流感應磁場: 交流感應磁場的電磁力,合朝盘“ 乂 _口於該 動。妓果曰朝/、感應磁場正交的方向搖 ::果即如弟10圖所示,於膜52 ===_域,域一: 室;本發明之捲取式真空蒸鍍裝置,係具有·♦真空 取出;捲^係配置於該真空室内部而使絕緣性臈連續地 ^此,係用以捲取從該捲出輥取出的膜;冷卻用 述捲出輥與前述捲取輥之間,與前述膜密 白配詈、予以冷部’洛發源’係與前述冷卻用輥相對 ==材料蒸鍵於前述臈;以及電子束照射器, 二舆前述蒸發源之間,且對行進的前述 而放出電子的燈;中及射器係具有藉由通電加熱 生手段。 ’、 ^別述垃絲供給直流電流的直流產 本發明係藉由以直流的方4 二 的燈絲之通電加埶,"理:進仃構成電子束照射器 場所導致的電子ΐ3 t因絲周圍的的交流感應磁 地照射於膜之作用。,而發揮將電子束均等 的密接作用,^ 膜整面得到與冷卻用輥 ^接仙,而初使生產性降低之情況下 冷卻效果1低所導致的祕區域之產生。 口 乍為月J述直机產生手段的具體構成例,係以直流電源 319329 200808987 1構成燈絲的加熱電源。或以交流電源為加熱電源,並藉由 •於該交流電源插入含有整流元件的直流化電路,即可^燈 絲供給直流電流。 ' (發明的效果) 如以上所述,依據本發明之捲取式真空蒸鍍裝置,即 可在不使生產性降低之情況下遍及膜整面得到與冷卻用親 的密接作用’而可防止因冷卻效果降低而導致的熱敵區域 之產生。 •【實施方式】 以下夢照圖式針對本發明之實施形態進行說明。 第1圖為本發明實施形態的捲取式真空蒸鍍裝置j 〇 之概略構成圖。本實施形態之捲取式真空蒸鐘裝置ι〇係具 有真工至11、膜12之捲出輥13、冷卻用筒輥14、捲取 親15、以及蒸鍍物質之蒸發源16。 一真空室11係經由配管連接部〗la、llc而連接至未圖 •不的真空泵等真空排氣系統,其内部亦被減壓排氣至預定 之真空度。真空室U之内部空間係藉由隔間板m而被隔 間為配置有捲出輕13、捲取輥15等的室及配置有蒸發源 16的室。 膜12係被裁斷成預定寬度的長形之絕緣性塑膠膜, 本貝轭形恶中係採用opp(延伸聚丙烯)單層膜。又,除此 二外也可適用PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)膜、PPS(聚 苯硫)膜等塑膠膜或紙片等。 膜丨2係;k捲出輥連續地被取出,經由複數個引導輥 8 319329 200808987 17、筒輥14、辅助輥 捲取親15。雖未圖示 設有迴轉驅動部。 18以及複數個引導親19㈣皮捲取至 ’但於捲出輥13及捲取輥15係分別 同輥14係形成為筒狀且為鐵等金 冷卻機構及使筒“心^
:構二於筒輕14之周面係以預定之繞角將膜12予 由來筒輕14的膜12係在當其外面侧之成膜面 14而被冷卻。k鍍物貝所成膜之同時,亦藉由筒輕 蒸發源16係收容有蒸鍍物質,同時具有以電阻加熱、 5應加熱、電子束加熱等公知之手法將蒸鍍物質予以加熱 ?备發的機構。該蒸發源16係被配置於筒輥14之下方,而 使蒸鍍物質之蒸汽附著於相對向的筒輥14上之膜12上而 形成被膜。 作為蒸鍍物質’除了適用鋁、鈷、銅、鎳、鈦等單種 Φ金屬元素外,也可適用鋁-鋅、銅·鋅、鐵_鈷等兩種以上的 金屬或多元系合金,蒸發源也不限於一個,亦可設置複數 個。 本實施形態之捲取式真空蒸鍍裝置10復具有:電子 束照射器21、直流偏壓電源22以及除電單元23。 電子束照射器21係用以對行進的膜12照射電子束以 使膜12帶負電者,且設置於捲出輥13與蒸發源16之間。 第2圖為說明對膜12照射電子束之步驟的剖面示意圖。電 子束照射器21係設置於與筒輥14之周面相對向的位置, 319329 9 200808987 以與膜寬同等以上的 ‘於和筒輥14接觸的膜12之成膜面 ,照射寬度照射電子束。 弟3圖為表示電子,昭 圖。電子束照射器21係=有:二21之構成的等效電路 … ’〜、有放出熱電子的燈絲31、將燈 …以通電的加熱電源32、以及電子束之 ==源32係由直流電源所構成,藉 給直流電流的本發明之「直流產生手段」。
直流偏壓電源22 # |ί 1 t u 糸對同輥14與輔助輥18間施加 定之直流電壓。筒輥14在$拉# ^ 係連接於正極,辅助輥18係連接 於負極。輔助輕18為金屬製’且被設置於其周面與膜u 之成膜面抵接的位置。形成於膜12的金屬膜若接觸輔助親 18時’則夾於金屬膜與筒輥14《間的膜12會極化 (P〇lanZati〇n)’而於膜12和筒輥14之間產生靜電的吸著 力。藉此,謀求膜12與筒輥14的密接。 然後’除電單元23係被配置於冷卻用筒輥Η與捲取 輥15之間,且具有將因來自電子束照射器2ι的電子•昭射 而帶電的膜21予以除電的功能。作為除電單元以之構成 例,於本實施形態中係採用使膜12通過電漿中而藉由轟擊 (bombard)處理將膜12予以除電的機構。 接著,針對如上所述構成的本實施形態之捲取式真空 蒸鍍裝置10之動作進行說明。 於被減壓至預定之真空度的真空室n之内部中,從 捲出輥13連續地取出的膜12係經由電子束照射步驟、蒸 鐘步驟、除電步驟,而被連續地捲取於捲取輕丨5。 10 319329 200808987 乂從捲出輥13取出的膜12係被捲繞至筒輥14。膜η 係於與筒輥14之開始接觸位置附近由 从命π 土 迎田冤子束照射器21照 射電子束,而在電位上成為帶負€。此時,因將電子束昭 射於膜丨2與筒輥14接觸的位置,故可有效率地使膜η 密接於筒輥14而進行冷卻。 、 在此,依據本實施形態,因以直流方式進行構成電子 束照射器21㈣絲31之通電加熱,故在原理上,可以肖 除在以交流方式進行燈絲之通電的f知方式中造成問題之 因燈絲周圍的交流感應磁場所導致的電‘ 第4,示意性所示可得到電子束對於膜 用。藉此,可遍及膜整面得到與筒輥14的密接作用,而在 不使生產性降低的狀況下防止因冷卻效果降低所導致的熱 敵區域之產生。 受到電子束之照射而帶負電的膜12,係藉由靜電引力 而密接於因直流偏壓電源22而被偏壓為正電位的筒輥 馨14。之後,藉由將由蒸發源16所蒸發的蒸發物質堆積於膜 12之成膜面而成膜為金屬膜。 成膜於膜12的金屬膜係經由輔助輥18而被施加直流 偏壓電源22的負電位。金屬膜係於膜12之長邊方向連續 而形成,故於金屬膜之蒸鍍後,在被捲繞於筒輥14的膜 12中,金屬膜侧之一方的表面為正,筒輥14侧的另一侧 表面則為負而分別極化,且在膜12與筒輥14之間產生靜 電的吸著力。結果,使膜12與筒輥14相互密接。 如以上所述,於本實施形態中係在金屬膜之蒸鍍前藉 11 319329 200808987 .由,子束之照射使膜12帶電而密接於筒輥14,於金屬膜 .之洛鑛後則藉由施加在該金屬膜與筒親14之間的偏壓電 壓使膜12密接於筒報14,因此即使在金屬膜之蒸錢前使 膜12帶負電的電荷(電子)之一部分因其後之金屬膜蒸鏡步 驟而放電至該金屬膜而消失,也可藉由從辅助輥18朝金屬 膜施加負電位(供給電子)而補償已消失的電荷之一部八 全部。 。刀取 從而,依據本實施形態,於蒸鍍步驟後也可抑制膜U 與筒輥14之間的密接力降低,而可於蒸鍍步驟前後破保膜 12之穩定的冷卻作用。藉此,可防止在金屬膜蒸鍍時之臈 12的熱變形’並且可實現膜12之高速行進化、成膜運轉 速度之高速化而可謀求生產性的提升。 如以上所述進行金屬膜之蒸鍍的膜12係在以除電單 元23除電後,捲取於捲取輥15。藉此,可確保膜12之穩 定的捲取動作,同時並可防止因帶電所造成的捲繞皺紋: • 以上,雖針對本發明之實施形態進行說明,當然本發 明並不限於此,而可根據本發明之技術思想而進行種變 形。 例如,於以上之實施形態中,作為對構成電子束照射 器21的燈絲31供給直流電流的直流產生手段,雖使用由 直流電源所構成的加熱電源32,但亦可取代該電源而如第 5圖A、B所示藉由交流電源、35及包含整流元件的直流化 電路來構成前述直流產生手段。 第5圖A所示的直流化電路係顯示,在放出熱電子的 319329 12 200808987 燈絲31與交流電源35之間,插入有由整流元件%與電容 器37所構成的直流化電路的電子束照射器之等效電路。整 流元件36係將來自交流電源35的交流電流變換 為直流’電容器37則有作為使錢波形切化的渡= (filter)的功能。 第5圖B所示的直流化電路係顯示,在放出熱電子的 燈絲與交流電源35之間,插人有由橋式二極體咖心 bndge)38與電容器39所構成的直流化電路的電子束照射 器之等效電路。橋式二極體38係將來自交流電源Μ的、交 流電流變換(全波整流)為直流,電容器39則有作為使整流 波开> 平滑化的濾波器(filter)的功能。 【圖式簡單說明】 第1圖係說明本發明實施形態的捲取式真空蒸鍍 之概略構成圖。 又、 ”圖係說明對膜照射電子束之步驟的剖面示意圖。 弟3圖係說明在第1圖中的捲取式真空蒸鍍裳置所使 用的龟子束知、射益之構成的等效電路圖。 -第4圖係說明如第3圖所示的電子束照射器之 示意圖。 弟5圖A、B係表示電子束照射器之構成的變形例圖。 第6圖係習知之捲取式真空蒸鍍裝置之要部的概略構 的 第7圖為說明於習知之捲取式真空蒸鍵裝置所使用 ^子束妝射益之構成的等效電路圖。 319329 13 200808987 - 弟8圖A、B係§兒明習知技術之問題點的圖,其係顯 ,示於膜上週期性產生熱皺區域之例。 第9圖A、B係說明於構成電子束照射器的燈絲施加 交流電流時產生的電子束之搖動的狀態的示意圖。 第1〇圖係說明於第8圖所示的熱皺區域之產生機制
的示意圖 ο 【主要元件符號說明】 10 捲取式真空蒸鍍裝置 11 真空室 lla,llc 配管連接部 lib 隔間板 12,52 膜 13 捲出輥 14,54 筒輥(冷卻用輥) 15 捲取輥 16 蒸發源 17 引導輥 18 辅助輥 19,53,55 引導輥 21,51 電子束照射器 22 直流偏壓電源 23 除電單元 31,61 燈絲 32,62 加熱電源 14 319329 200808987 33,63 35 36 37 38 引出電源 交流電源 整流元件 39 電容器 橋式二極體 熱皺區域 65

Claims (1)

  1. 200808987 十、申請專利範圍·· 1. 一種捲取式真空蒸鍍裝置,係具有: 真空室; 續地’係配置於該真空室内部而使絕緣性膜連 =取輥’係用以捲取從該捲出輕取出的膜; 門:、Ρ_ ’係配置於前述捲出輥與前述捲取輥之 間,㈣述膜密接而將前述膜予以冷卻; :泰發源,係與前述冷卻用輥相對向配置而使蒸鍍 材料条鍍於前述膜;以及 電子束照射器,係配置於前述捲出輥與前述蒸發 "、之間’且對行進的前述膜照射電子束;該捲取式直 空蒸鍍裝置之特徵為: 八 前述電子束照射器係具有藉由通電加熱而放出電 子的燈絲、及對前述燈絲供給直流電流的直流產生手 段。 丁 申請專利範圍第1項之捲取式真空蒸鍍裝置,其中, 前述直流產生手段為直流電源。 .如申請專利範圍第1項之捲取式真空蒸鍍裝置,其中, 月,J述直流產生手段係由交流電源及包含有整流元件的 直流化電路所構成。 16 319329
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109536885A (zh) * 2018-12-27 2019-03-29 广州海鸥住宅工业股份有限公司 一种电子束蒸发镀钛的方法
CN112111707A (zh) * 2019-06-21 2020-12-22 合肥欣奕华智能机器有限公司 一种蒸发源及卷对卷蒸镀装置
CN112725740B (zh) * 2020-12-17 2023-06-06 浙江虹舞科技有限公司 线簇阵列蒸发源蒸镀装置及蒸镀方法
CN113684464B (zh) * 2021-08-27 2023-06-02 辽宁分子流科技有限公司 一种用于石墨烯复合薄膜制备的卷绕式设备
CN113930727B (zh) * 2021-09-18 2023-12-15 铜陵市超越电子有限公司 一种全方位翻边金属化薄膜的蒸镀装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5864381A (ja) * 1981-10-09 1983-04-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 真空蒸着装置
JPH0646551B2 (ja) * 1985-08-30 1994-06-15 ソニー株式会社 電子銃装置
JPH01219097A (ja) * 1988-02-26 1989-09-01 Shimadzu Corp 薄膜製造装置
JPH02175871A (ja) * 1988-12-27 1990-07-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着装置
US4936960A (en) * 1989-01-03 1990-06-26 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for recovery from low impedance condition during cathodic arc processes
JPH089782B2 (ja) * 1989-03-17 1996-01-31 松下電器産業株式会社 薄膜の製造方法
WO1996031899A1 (en) * 1995-04-07 1996-10-10 Advanced Energy Industries, Inc. Adjustable energy quantum thin film plasma processing system
KR19980033213A (ko) * 1996-10-31 1998-07-25 조셉제이.스위니 스퍼터링 챔버내의 미립자 물질 발생 감소 방법
US6072163A (en) * 1998-03-05 2000-06-06 Fsi International Inc. Combination bake/chill apparatus incorporating low thermal mass, thermally conductive bakeplate
JP4516304B2 (ja) * 2003-11-20 2010-08-04 株式会社アルバック 巻取式真空蒸着方法及び巻取式真空蒸着装置
CN100562602C (zh) * 2005-02-16 2009-11-25 株式会社爱发科 卷取式真空成膜装置

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Publication number Publication date
KR20090020617A (ko) 2009-02-26
WO2007148539A1 (ja) 2007-12-27
EP2037001B1 (en) 2011-09-14
TWI351440B (zh) 2011-11-01
EP2037001A1 (en) 2009-03-18
JPWO2007148539A1 (ja) 2009-11-19
CN101484608A (zh) 2009-07-15
JP4850905B2 (ja) 2012-01-11
CN101484608B (zh) 2011-07-20
KR101027495B1 (ko) 2011-04-06
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US20100006030A1 (en) 2010-01-14

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