JP2002060931A - 巻取真空成膜装置およびこれを用いた成膜フィルムの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、プラズマ中のイオン等の荷電粒子の
加速による基板表面に照射するバイアスアシストを効果
的に行い、長時間に渡りフィルムの安定走行と製品の性
能を維持することが可能な巻取真空成膜装置およびこれ
を用いた成膜フィルムの製造方法を提供することを目的
としたものである。 【解決手段】真空環境下で、巻出側から順次フィルムを
走行させながら巻取側で巻取る間に成膜ドラム上で薄膜
を形成する巻取真空成膜装置において、プラズマを形成
する手段を具備した薄膜形成部を有し、電気的に浮遊し
て接地されていない成膜ドラムと、これに交流電圧を印
加する電圧印加部を具備したことを特徴とする巻取真空
成膜装置およびこれを用いた成膜フィルムの製造方法で
ある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、巻取系を有する真
空巻取成膜装置およびこれを用いた成膜フィルムの製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、プラスチック等のフィルムを基材
として、その表面に薄膜を形成した機能性フィルムの開
発が盛んに行われている。その代表例としてパッケージ
分野では、透明で且つ酸素や水蒸気等の気体遮断性を有
する食品保存性に優れたガスバリヤーフィルムがあり、
ＳｉＯｘ、ＭｇＯ、ＡｌＯｘ等を少なくとも一つ以上含
む金属酸化物からなる薄膜が形成されている。また、エ
レクトロニクス分野では、ディスプレイ用途としてディ
スプレイ表面の反射を防止し、視認性を向上した反射防
止フィルム等が挙げられ、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ、Ｎｂ₂Ｏ₅
等の高屈折率層、Ａｌ₂Ｏ₃等の中屈折率層、ＳｉＯ₂等
の低屈折率層の異なる屈折率から成る多層薄膜が形成さ
れている。

【０００３】これら機能性フィルムは、機能性を付与す
るため薄膜を形成するが、生産性、製造コストの面から
枚葉ではなく、プラスチックフィルムを走行させながら
薄膜形成する。一般に、高い機能性を付与する場合、真
空環境下で薄膜形成を行う巻取真空成膜装置が用いられ
る。

【０００４】巻取真空成膜装置による薄膜形成方法とし
て、従来、最も基本的な装置の構成を図４に示す。真空
装置１の内部に巻取系と薄膜形成手段を具備した薄膜形
成部２が各々設置され、真空装置内部８は真空ポンプ等
から構成される排気系３により高真空まで排気する。巻
取系は巻出ロール４から連続的に送り出されるフィルム
５は、巻取ロール７で巻き取られる間に成膜ドラム６上
において薄膜形成部２よって薄膜が形成され、機能性が
付与される。薄膜は少なくとも単層以上から成り、複数
層を形成する場合にはフィルムの走行方向に複数の薄膜
形成手段を設けたり、フィルムを逆方向に走行させる往
復可能な巻取系を採用し薄膜形成手段を必要な回数に応
じて通過させる。

【０００５】薄膜形成手段は、物理的成膜法として真空
蒸着法、スパッタリング法等が、化学的成膜法として化
学的気相成長法（ＣＶＤ）等が用いられている。真空蒸
着法は、その蒸着手段として抵抗加熱や電子銃照射によ
り成膜材料を加熱蒸発させ、基材上に薄膜を形成する。
この際、薄膜の密着性、緻密化を目的として蒸発源と基
材の間にプラズマ形成させるプラズマアシスト蒸着法も
良く用いられる。プラズマは、放電用の電極を真空成膜
装置内に設置し電極に直流或いは交流の電圧を印加した
り、導波管を用いてマイクロ波を任意の場所に照射する
ことにより発生させる。

【０００６】スパッタリングは、成膜材料をプレート状
ターゲットにして、これを放電用電極として上記プラズ
マ発生方法を用いて基材とターゲット間にプラズマを発
生させ、電位勾配を用いてターゲット表面にイオンを照
射衝突させてターゲット物質を叩き出し基材上に薄膜を
形成する。

【０００７】化学的気相成長法（ＣＶＤ）は、基材近傍
に無機や有機またこれらの混合ガスを原料ガスとして気
化導入し加熱やプラズマを用いて化学反応させて基材上
に薄膜を形成する。プラズマを用いた場合、スパッタリ
ングと同様の装置構成を用いることも可能である。

【０００８】上記の薄膜形成手段のうち、プラズマを用
いることで密着性や緻密化に効果が確認されており、ガ
スバリヤーフィルムでは気体遮断性の向上等に、また反
射防止フィルムは光学特性の改善等に実用化されてい
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】近年、更なる機能性向
上と改善の必要性から、これらのプラズマを用いた成膜
プロセスの改善が要求されてきており、プラズマのイオ
ン等の荷電粒子を加速して基材表面に照射するバイアス
アシスト成膜も公知となっている。これらのバイアスを
付加する場合、基板近傍に設置した電極を設け、これに
イオン加速用の負バイアス電圧を印加するが、巻取成膜
の場合、成膜が長時間に及ぶため電極に蒸発物質が堆積
し、堆積物の落下による成膜の不安定化を招くことがあ
る。また、形成される薄膜が、特に酸化物等のセラミッ
クスのように非導電性物質の場合、バイアス用電極に堆
積するとバイアス効果が減少し、充分な効果が得られな
くなるという問題が生じる。また、スパッタリングは、
基材とターゲット間の距離が大きくとも１０ｃｍ程度で
あり、バイアス用電極を設置することは事実上困難であ
る。

【００１０】一方、成膜ドラムは成膜時の冷却や回転と
いう機械的な要因等で接地されて使用されることが多い
が、成膜ドラムにバイアス電圧を印加することも可能で
ある。しかし、イオン等の荷電粒子の加速による基板表
面への効果を充分得るには、少なくともマイナス数百ボ
ルトが必要であり、特に薄膜がセラミックス等の非導電
性物質の場合には荷電粒子によるフィルムの帯電が起こ
りフィルムが成膜ドラムから離れるときに剥離放電が発
生するなどして、フィルムを安定走行できなくしたり、
形成した薄膜表面やフィルム裏面に放電痕が残り製品の
性能に支障をきたすことがある。

【００１１】本発明は、上記問題に鑑みてなされてもの
であって、プラズマ中のイオン等の荷電粒子の加速によ
る基板表面に照射するバイアスアシストを効果的に行
い、長時間に渡りフィルムの安定走行と製品の性能の維
持を可能な巻取真空成膜装置およびこれを用いた成膜フ
ィルムの製造方法を提供することを目的としたものであ
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の発明は、真空環境下で、巻出側から順次
フィルムを走行させながら巻取側で巻取る間に成膜ドラ
ム上で薄膜を形成する巻取真空成膜装置において、プラ
ズマを形成する手段を具備した薄膜形成部を有し、電気
的に浮遊して接地されていない成膜ドラムと、これに交
流電圧を印加する電圧印加部を具備したことを特徴とす
る巻取真空成膜装置である。

【００１３】請求項２の発明は、請求項１記載の巻取真
空成膜装置において、上記電圧印加部が、電気的にマイ
ナス側にバイアスされた、（１／２）Ｖｐｐ＜０（Ｖｐ
ｐは交流電圧の振幅を表す）の関係を満たす交流電圧波
形となる電圧を印加する電源を具備した電圧印加部であ
ることを特徴とする。

【００１４】請求項３の発明は、請求項１または２記載
の巻取真空成膜装置において、上記電圧印加部が、交流
電圧がパルス状である交流電圧を印加する電圧印加部で
あることを特徴とする。

【００１５】請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれ
か１項に記載の巻取真空成膜装置において、上記電圧印
加部が、交流電圧の交流周波数が１ｋＨｚ以上である交
流電圧を印加する電圧印加部であることを特徴とする。

【００１６】請求項５の発明は、請求項１〜４のいずれ
か１項に記載の巻取真空成膜装置において、上記電圧印
加部が、交流電圧のパルス状電圧のプラス時間をパルス
の１周期の０．１％〜９９．９％の範囲で可変可能な電
圧印加部であることを特徴とする。

【００１７】請求項６の発明は、請求項１〜５のいずれ
か１項に記載の巻取真空成膜装置において、上記薄膜形
成部における薄膜形成手段として、蒸着法、スパッタリ
ング法の物理的成膜法と化学的気相成長法（ＣＶＤ）の
化学的成膜法から選ばれた少なくとも１つの薄膜形成手
段を有していることを特徴とする。

【００１８】請求項７の発明は、真空環境下で、巻出側
から順次フィルムを走行させながら巻取側で巻取る間
に、電気的に浮遊して接地されていない、電圧印加部か
ら交流電圧を印加された成膜ドラム上で、薄膜形成部で
プラズマを発生させて薄膜を形成することを特徴とする
成膜フィルムの製造方法である。

【００１９】〈作用〉以上のように、本発明によれば、
機能性を有する薄膜の機能性向上と改善のため用いられ
るプラズマを用いた成膜プロセスにおいて、プラズマ中
のイオン等の荷電粒子を加速して基材表面に照射するバ
イアスアシストを効果的に行い、且つ成膜の荷電粒子に
よるフィルムの帯電の影響を低減し、長時間に渡りフィ
ルムの安定走行と製品の性能の維持を可能にすること
で、安定して製品を供給することを可能とする。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照しながら詳細にする。図１は、本発明の巻取
真空成膜装置本の一例を示す断面図である。巻取真空成
膜装置１には、巻出ロール４と巻取ロール１０の他に複
数のガイドロール５、成膜ドラム７から成る巻取系、成
膜ドラム７上をフィルム６が走行している経路上に薄膜
形成部８が、また真空装置内全体を真空環境下にするた
め巻取室、薄膜形成部を各々排気をする真空ポンプ３が
設けられていて、薄膜形成部８と成膜ドラム７の間にプ
ラズマ９を形成できるようになっている。この薄膜形成
部８には、薄膜形成手段として蒸着法、スパッタリング
法の物理的成膜法と化学的気相成長法（ＣＶＤ）の化学
的成膜法等の方法から選ばれた少なくとも１つ薄膜形成
手段を用いる。もちろんこれ以外の方法でも本発明と同
様の効果が見られれば成膜方法は特に制限されるもので
はない。

【００２１】上記のプラズマ９の形成はスパッタリング
や化学的気相成長法のうちプラズマを用いるプラズマＣ
ＶＤ法では必須であり、真空蒸着法等のその他の薄膜形
成方法であれば薄膜の密着性や緻密化に改善効果を与え
るアシスト技術である。このプラズマは、放電用電極の
電位勾配等によって加速された電子が気体粒子に衝突し
てイオン等の荷電粒子が生成した電離気体であり、プラ
ズマ空間には電子とイオンの荷電粒子が同時に存在して
いる。放電用電極には直流放電ではマイナスの電位が印
加され、交流放電ではＭＨｚオーダーの高周波電圧を用
いても放電させることができる。さらにＧＨｚオーダー
のマイクロ波は導波管を用いることにより無電極であっ
てもプラズマを形成することができる

【００２２】巻取真空成膜装置１の成膜ドラムを電気的
に非接地として、交流電源１１を結線する。結線には電
圧電流導入端子を利用し交流電源１１は大気中に設置し
交流電源１１の筐体自体は接地される。この交流電源１
１から交流電圧を印加する。より好ましくは成膜ドラム
７の表面電圧が電気的にマイナス側にバイアスされた、
（１／２）Ｖｐｐ＜０（Ｖｐｐ：交流電圧の振幅）の関
係を満たす周波数１ｋＨｚ以上の交流電圧波形を印加す
る。周波数がｋＨｚオーダーでは、交流電源から直接マ
イナス側へバイアスされた交流電圧波形を印加すること
が可能である。電源周波数がＭＨｚオーダーの高周波を
用いる場合は、図２に示すように整合回路１２が必要に
なり、整合回路１２の中にブロッキングコンデンサーを
設置する必要がある。このブロッキングコンデンサーを
用いることにより交流電源１１とプラズマの間で直流的
に電流が流れなくなり、高周波放電特有の自己バイアス
電位が成膜ドラム７に印加されるため、電源によるバイ
アス機能は不要である。

【００２３】本発明の実施に際し、好ましくは整合回路
を用いない周波数域を用いることにより、装置が複雑に
成らず安価に本発明を実施できる。さらに、交流回路の
電力はＶＩｃｏｓθ（Ｖは交流電圧の実効値、Ｉは交流
電流の実効値、θは成膜ドラムに印加されている交流電
圧と交流電流の位相差を表す）で求まり、周波数の増大
に伴い成膜ドラムまでの結線の内部インピーダンスによ
り損失を受けθが大きくなり実効電力が小さくなる等の
理由から交流電圧の周波数が低い方がより好ましい。

【００２４】交流電圧を成膜ドラム７に印加することに
より、薄膜形成部８と成膜ドラム７の間で形成されてい
るプラズマから荷電粒子の電子とイオンが交互に成膜ド
ラム７上のフィルム基材６の表面に入射させることがで
きる。また、交流電圧の波形をパルス状として電位がプ
ラス／マイナスの時間をパルスの１周期の０．１％から
９９・９％の範囲で可変させたり、またプラス／マイナ
スの電圧値を各々設定することにより、電子及びイオン
の電流及び入射エネルギーの各々を制御することが可能
であり、フィルム表面の帯電の適正化、薄膜へのイオン
の入射エネルギーを適正化が同時に可能となる。イオン
照射の効果を出すために通常数百ボルト必要であり、ま
たフィルムに入射する荷電粒子のイオン電流、電子電流
を均衡させるには電子とイオンの移動度の違いによりマ
イナス側にバイアスするほうが好ましい。

【００２５】

【実施例】以下、本発明の実施例について具体的に説明
する。

【００２６】〈実施例１〉フィルム基材として１００μ
ｍの厚みのＰＥＴフィルム、薄膜形成部の薄膜形成手段
として加熱源に電子ビーム、蒸発材料をＴｉＯ₂として
真空蒸着法により薄膜を形成した。プラズマ形成は蒸発
源と成膜ドラムの間に高周波放電用の金属電極を設置し
て放電ガスに酸素ガスを導入し高周波プラズマアシスト
蒸着法により成膜を行った。成膜ドラムには交流電圧と
して、５０〜２５０ｋＨｚの周波数のパルスを印加し
た。パルスの各設定値は図３に示すように、Ａはプラス
時の電圧値、Ｂはプラス時の時間（波長に対する百分
率）、Ｃはマイナス時の電圧値、Ｄはマイナス時の時間
（波長に対する百分率）、Ｅは波長λ（周波数：１／
λ）を表し、種々の異なる成膜条件と薄膜の特性として
薄膜の屈折率を測定した。また、この成膜中に、成膜ド
ラムからフィルム基材が離れる箇所で剥離放電の目視確
認を行った。その結果を結果を表１に示す。

【００２７】〈比較例１〉実施例１と同様の装置を用
い、成膜ドラムにバイアスを印加しない場合と直流電圧
を印加した場合で成膜した以外は実施例１と同様に製膜
し、実施例１と同様に評価した。その結果を表１に示
す。

【００２８】

【表１】

【００２９】表１から明らかなように、実施例１の条件
〜で薄膜の屈折率が向上し、薄膜の充填密度がバイ
アスのマイナス電圧に依存し高くなる結果を得た。この
ことから、イオン等の正荷電粒子の入射による効果が確
認された。また、剥離放電も見られずフィルムの安定走
行、薄膜の品質の維持が確認された。それに対して、比
較例１の条件では剥離放電は無いが屈折率が低く、ま
た条件では屈折率は向上したが剥離放電が発生し、フ
ィルムの帯電によりフィルムの安定走行に支障をきたし
た。さらに大気中でフィルム裏面を目視観察したとこ
ろ、放電痕が確認できた。

【００３０】〈実施例２〉フィルム基材として１２μｍ
の厚みのＰＥＴフィルム、薄膜形成部の薄膜形成手段と
して加熱源に電子ビーム、蒸発材料をＳｉＯとして真空
蒸着法により薄膜を形成した。プラズマ形成は成膜ドラ
ム近傍から放電ガスとして酸素ガスを導入し、蒸発源と
成膜ドラムの間にホーンアンテナを設置しマイクロ波
（２．４５ＧＨｚ）を用いてマイクロプラズマアシスト
蒸着法により成膜を行った。成膜ドラムには交流電圧と
して、２５０〜３５０ｋＨｚの周波数のパルスを印加し
た。種々の異なる成膜条件と薄膜の特性として酸素透過
率を測定した。また、この成膜中に、成膜ドラムからフ
ィルム基材が離れる箇所で剥離放電の目視確認を行っ
た。その結果を結果を表２に示す。

【００３１】〈比較例２〉実施例２と同様の装置を用
い、成膜ドラムにバイアスを印加しない場合と直流電圧
を印加した場合で成膜した以外は実施例２と同様に製膜
し、実施例２と同様に評価した。その結果を表２に示
す。

【００３２】

【表２】

【００３３】表２から明らかなように、実施例２の条件
〜で酸素透過率が改善された上に安定していた。バ
イアスのマイナス電圧による効果と、剥離放電の抑制に
よりフィルムが安定に走行し、薄膜の品質の維持され
た。それに対して、比較例２の条件では剥離放電のた
めフィルムにピンホールが見られる箇所もあり、酸素透
過率が安定しないと同時に品質の大幅に落ちる結果とな
った。また、条件では酸素透過率は改善されたが剥離
放電が発生し、フィルムの帯電によりフィルムの安定走
行に支障をきたした。さらに大気中でフィルム裏面を目
視観察したところ、放電痕が確認できた。

【００３４】〈実施例３〉フィルム基材として１００μ
ｍの厚みのＰＥＴフィルム、薄膜形成部の薄膜形成手段
として珪素（Ｓｉ）の平板ターゲットを用い、ターゲッ
トに高周波電界を印加してスパッタリング法により薄膜
を形成した。この際、放電用ガスとしてアルゴンガス、
反応ガスとして酸素ガスをターゲットと成膜ドラム上の
フィルム基材の間に導入し、フィルム基材上にＳｉＯ₂
の薄膜を形成した。成膜ドラムには交流電圧として、５
０〜２５０ｋＨｚの周波数のパルスを印加した。種々の
異なるパルスの各設定値及び成膜条件と薄膜の特性とし
て薄膜の屈折率を測定した。また、この成膜中に、成膜
ドラムからフィルム基材が離れる箇所で剥離放電の目視
確認を行った。その結果を結果を表３に示す。

【００３５】〈比較例３〉実施例３と同様の装置を用
い、成膜ドラムにバイアスを印加しない場合と直流電圧
を印加した場合で成膜した以外は実施例３と同様に製膜
し、実施例３と同様に評価した。その結果を表３に示
す。

【００３６】

【表３】

【００３７】表３から明らかなように、実施例３の条件
〜で薄膜の屈折率が向上し薄膜の充填密度がバイア
スのマイナス電圧に依存し高くなる結果を得た。このこ
とからイオン等の正荷電粒子の入射による効果が確認さ
れた。また剥離放電も見られずフィルムの安定走行、薄
膜の品質の維持が確認された。それに対して、比較例３
の条件、ともに剥離放電は無いが屈折率が低くなっ
た。

【００３８】〈実施例４〉フィルム基材として１２μｍ
の厚みのＰＥＴフィルム、薄膜形成部の薄膜形成手段と
してメタンガス（ＣＨ₄）を金属からなる放電用電極と
成膜ドラム上のフィルム基材の間に導入し、放電用電極
にに高周波電界を印加してプラズマＣＶＤ法により薄膜
を形成した。この際、形成された薄膜は炭化水素系かダ
イヤモンドライクカーボン２の薄膜が形成される。成膜
ドラムには交流電圧として、２〜１００ｋＨｚの周波数
のパルスを印加した。種々の異なるパルスの各設定値及
び成膜条件と薄膜の評価としてスチールウールによる摩
耗性を評価した。また、この成膜中に、成膜ドラムから
フィルム基材が離れる箇所で剥離放電の目視確認を行っ
た。その結果を結果を表４に示す。

【００３９】〈比較例４〉実施例４と同様の装置を用
い、成膜ドラムにバイアスを印加しない場合と直流電圧
を印加した場合で成膜した以外は実施例４と同様に製膜
し、実施例４と同様に評価した。その結果を表４に示
す。

【００４０】

【表４】

【００４１】表４から明らかなように、実施例４の条件
〜でスチールウールラビングをしても薄膜に擦過傷
はなく硬質の薄膜が形成され、薄茶色薄膜であることか
らダイヤモンドライクカーボンの薄膜が形成された。そ
れに対して、比較例４の条件、ともに剥離放電は無
いが、スチールウールラビングにより傷が生じ、また無
色または極薄茶色の炭化水素系の薄膜が形成された。

【００４２】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、プラス
チック等のフィルムを基材にその表面に形成する薄膜の
機能性向上と改善のため用いられるプラズマを用いた成
膜プロセスにおいて、プラズマ中のイオン等の荷電粒子
を加速して基材表面に照射するバイアスアシストを効果
的に行い、且つ成膜の荷電粒子によるフィルムの帯電の
影響を低減し、長時間に渡りフィルムの安定走行と製品
の性能の維持を可能にすることで、安定して製品を供給
することを可能とする巻取真空成膜装置を提供できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の巻取真空成膜装置の一例を示す説明図
である。

【図２】本発明の巻取真空成膜装置の他の例を示す説明
図である。

【図３】本発明の巻取真空成膜装置における交流パルス
波形の説明図である。

【図４】従来の巻取真空成膜装置の最も基本的な装置の
構成を示す説明図である。

【符号の説明】

１……巻取真空成膜装置 ２、８……薄膜形成部 ３……真空ポンプ ４……巻出ロール ５……ガイドロール ６……フィルム ７……成膜ドラム ９……プラズマ １０……巻取ロール １１……交流電源 １２……整合回路 Ａ……パルスのプラス時の電圧値 Ｂ……パルスのプラス時の時間（波長に対する百分率） Ｃ……パルスのマイナス時の電圧値 Ｄ……パルスのマイナス時の時間（波長に対する百分
率） Ｅ……パルスの波長 Ｖ……電圧

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２３Ｃ 16/54 Ｃ２３Ｃ 16/54

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】真空環境下で、巻出側から順次フィルムを
   走行させながら巻取側で巻取る間に成膜ドラム上で薄膜
   を形成する巻取真空成膜装置において、 プラズマを形成する手段を具備した薄膜形成部を有し、
   電気的に浮遊して接地されていない成膜ドラムと、これ
   に交流電圧を印加する電圧印加部を具備したことを特徴
   とする巻取真空成膜装置。
2. 【請求項２】上記電圧印加部が、電気的にマイナス側に
   バイアスされた、（１／２）Ｖｐｐ＜０（Ｖｐｐは交流
   電圧の振幅を表す）の関係を満たす交流電圧波形となる
   電圧を印加する電源を具備した電圧印加部であることを
   特徴とする請求項１記載の巻取真空成膜装置。
3. 【請求項３】上記電圧印加部が、交流電圧がパルス状で
   ある交流電圧を印加する電圧印加部であることを特徴と
   する請求項１または２記載の巻取真空成膜装置。
4. 【請求項４】上記電圧印加部が、交流電圧の交流周波数
   が１ｋＨｚ以上である交流電圧を印加する電圧印加部で
   あることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記
   載の巻取真空成膜装置。
5. 【請求項５】上記電圧印加部が、交流電圧のパルス状電
   圧のプラス時間をパルスの１周期の０．１％〜９９．９
   ％の範囲で可変可能な電圧印加部であることを特徴とす
   る請求項１〜４のいずれか１項に記載の巻取真空成膜装
   置
6. 【請求項６】上記薄膜形成部における薄膜形成手段とし
   て、蒸着法、スパッタリング法の物理的成膜法と化学的
   気相成長法（ＣＶＤ）の化学的成膜法から選ばれた少な
   くとも１つの薄膜形成手段を有していることを特徴とす
   る請求項１〜５のいずれか１項に記載の巻取真空成膜装
   置。
7. 【請求項７】真空環境下で、巻出側から順次フィルムを
   走行させながら巻取側で巻取る間に、電気的に浮遊して
   接地されていない、電圧印加部から交流電圧を印加され
   た成膜ドラム上で、薄膜形成部でプラズマを発生させて
   薄膜を形成することを特徴とする成膜フィルムの製造方
   法。