JP2008202075A - プラズマアシスト蒸着装置およびプラズマアシスト蒸着方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マイクロ波を伝播させる導波管を有し、前記導波管からマイクロ波を導入する真空容器を有し、前記導波管の出口を塞ぎ前記真空容器内の空間を前記導波管内の空間から隔離する誘電体を有し、前記誘電体の先に設置したマイクロ波ホーンアンテナを有し、前記ホーンアンテナの側壁を貫通して前記ホーンアンテナの内部に設置し前記マイクロ波に共振する長さを有する第1のガスパイプを有し、前記第1のガスパイプの先端のガス導入口からガスを前記マイクロ波ホーンアンテナ内に導入してプラズマを発生する機構を有し、前記真空容器内に設置した蒸発源を有し、前記蒸発源と蒸着対象の基材との間に設置した第2のガスパイプを有するプラズマアシスト蒸着装置を製造する。
【選択図】図1
Description
Wave, MW)方式などが代表例として挙げられる。MW方式以外では電界の中でプラズマを維持することから、陽極と陰極の間にプラズマを発生させるが、MW方式では電極を必要としない無極放電が可能となる。具体的には導波管または空洞共振器内の強い電界を利用することでプラズマ密度の高い放電が得られる。
があった。つまり、プラズマを有効に発生させ維持しようとして圧力を設定すると蒸着の成膜レートや膜の品質を低下させることとなり、逆に蒸着の成膜レートや膜の品質を維持しようと圧力を設定するとプラズマが発生しないといった問題があった。
プ長さをλ/4にしたことを特徴とする上記のプラズマアシスト蒸着方法である。
電損失が低くかつ圧力差があっても変形しない材料が好ましく、単結晶の誘電体材料が、誘電損失が低くなるので望ましい。
14上に設置した第2のガスパイプ13の孔を蒸発粒子が塞ぐことを防ぐために、防着シールド12を設け、第2のガスパイプ13の孔を防着シールド12側、すなわち、下側に向ける。これによって、第2のガスパイプ13の孔づまりを防ぎガスの流れを確保することができる。
<実施例1>
マイクロ波は2.45GHzの周波数を用い、導波管1はEIAJ形名WRJ−2(内径寸法109.22×54.61mm)、整合器7は4Eチューナーを使用した。誘電体2は石英ガラス(120mm×95mm厚さ3mm)を使用して、導波管1内の圧力を真空容器8よりも低くするためにターボポンプによって導波管1内の圧力を10-4[Pa]付近とした。図1に概略の構成を示すように、マイクロ波ホーンアンテナ3内のガスパイプはSUS316製の3/8インチのパイプを用いて先端部分はL字となるように90度曲げ加工をした。図2に示すように、2.45GHzのマイクロ波の波長λは122mmであるので、石英ガラスの誘電体2からマイクロ波ホーンアンテナ3の第1のガスパイプ4の取り付け位置までのパイプ取り付け距離10は、誘電体2からλ/2の61mm離した。
実施例1と同様に、マイクロ波電力を0[kW]とした以外は同条件でAlOx付きのフィルムを作成し、実施例1と同様の評価をした。
実施例1と同様に、第1のガスパイプ4の酸素流量を300[sccm]とし、第2のガスパイプ13の酸素流量を0[sccm]とした以外は同条件でAlOx付きのフィルムを作成し、実施例1と同様の評価をした。
実施例1と同様に、第1のガスパイプ4の酸素流量を0[sccm]とし、第2のガスパイプ13の酸素流量を300[sccm]とした以外は同条件でAlOx付きのフィルムを作成し、実施例1と同様の評価をした。
2 ・・ 誘電体
3 ・・ マイクロ波ホーンアンテナ
4 ・・ 第1のガスパイプ
5 ・・ ガス導入口
6 ・・ マイクロ波発振器
7 ・・ 整合器
8 ・・ 真空容器
9 ・・ 基材
10 ・・ パイプ取り付け距離
11 ・・ パイプ長さ
12 ・・ 防着シールド
13 ・・ 第2のガスパイプ
14 ・・ 蒸発源
Claims (8)
- マイクロ波を伝播させる導波管を有し、前記導波管からマイクロ波を導入する真空容器を有し、前記導波管の出口を塞ぎ前記真空容器内の空間を前記導波管内の空間から隔離する誘電体を有し、前記誘電体の先に設置したマイクロ波ホーンアンテナを有し、前記ホーンアンテナの側壁を貫通して前記ホーンアンテナの内部に設置し前記マイクロ波に共振する長さを有する第1のガスパイプを有し、前記第1のガスパイプの先端のガス導入口からガスを前記マイクロ波ホーンアンテナ内に導入してプラズマを発生する機構を有し、前記真空容器内に設置した蒸発源を有し、前記蒸発源と蒸着対象の基材との間に設置した第2のガスパイプを有することを特徴とするプラズマアシスト蒸着装置。
- 前記マイクロ波の波長がλであるとき、前記第1のガスパイプの前記ホーンアンテナの側壁への設置位置を前記誘電体からλ/2のパイプ取り付け距離に設置し、前記第1のガスパイプの前記マイクロ波ホーンアンテナの内壁から先端部までのパイプ長さをλ/4にしたことを特徴とする請求項1記載のプラズマアシスト蒸着装置。
- 前記マイクロ波ホーンアンテナの形状が、前記導波管と同じ形状であることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマアシスト蒸着装置。
- 前記蒸発源が金属材料を蒸発させるものであり、前記金属材料の蒸気に、前記第1のガスパイプから酸素を供給して発生させた酸素プラズマに前記第2のガスパイプから酸素ガスを加えることで得た酸素プラズマを加えることで金属酸化物を得、前記金属酸化物を前記基材に成膜することを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項記載のプラズマアシスト蒸着装置。
- マイクロ波を導波管に伝播させ、前記導波管からマイクロ波を真空容器に導入し、前記導波管のマイクロ波の出口を誘電体で塞ぐことで前記真空容器内の空間と前記導波管内の空間を隔離し、前記真空容器内の圧力をプラズマを発生させやすい圧力範囲内の圧力に設定し、前記導波管内の圧力を前記圧力範囲と異なる圧力に設定し、前記誘電体の先に設置したマイクロ波ホーンアンテナの側壁を貫通して前記ホーンアンテナの内部に前記マイクロ波に共振する長さの第1のガスパイプを設定し、前記第1のガスパイプの先端のガス導入口でプラズマを発生させ、前記真空容器内に蒸発源を設置し、前記蒸着源と蒸着対象の基材との間に第2のガスパイプを設置してガスを導入することを特徴とするプラズマアシスト蒸着方法。
- 前記マイクロ波の波長がλであるとき、前記第1のガスパイプの前記ホーンアンテナの側壁への設置位置を前記誘電体からλ/2のパイプ取り付け距離に設置し、前記第1のガスパイプの前記マイクロ波ホーンアンテナの内壁から先端部までのパイプ長さをλ/4にしたことを特徴とする請求項5記載のプラズマアシスト蒸着方法。
- 前記マイクロ波ホーンアンテナの形状が、前記導波管と同じ形状であることを特徴とする請求項5または6に記載のプラズマアシスト蒸着方法。
- 前記蒸発源が金属材料を蒸発させるものであり、前記金属材料の蒸気に、前記第1のガスパイプから酸素を供給して発生させた酸素プラズマに前記第2のガスパイプから酸素ガスを加えることで得た酸素プラズマを加えることで金属酸化物を得、前記金属酸化物を前記基材に成膜することを特徴とする請求項5乃至7の何れか一項記載のプラズマアシスト蒸着方法。
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