JP2010261078A - 真空成膜装置、および高分子フィルム積層体の製造方法、ならびに高分子フィルム積層体 - Google Patents
真空成膜装置、および高分子フィルム積層体の製造方法、ならびに高分子フィルム積層体 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】高分子フィルム基材6にプラズマCVD法により薄膜を形成させる成膜室3と、成膜室に薄膜の原料を導入する原料噴出手段と、マイクロ波発生手段12と、マイクロ波を受信するアンテナ機構の先端よりプラズマ噴出源のガスを噴出するガス噴射手段13とを具備する真空成膜装置1を用いる。
【選択図】図1
Description
<実施例1>
厚さ125μmの二軸延伸ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(三菱ポリエステル製、ダイアホイル)を高分子フィルム基材として、図1に示す巻取式の真空成膜装置(プラズマCVD成膜装置)にロール状フィルムとして巻出軸にセットし、真空ポンプで排気し、成膜室を、5.0×10−4Paにまで減圧した。つぎに、成膜ドラムの温度を80℃とし、マイクロ波発生手段より2.45GHzのマイクロ波を発生させ、ガス噴射孔から電子線を照射する前の圧力が3Paになるようにオゾンガスを300sccm、原料導入パイプよりHMDSOを30sccm導入し、マイクロ波電源(発振器)から5kWの電力を供給することで、オゾンプラズマを発生させた。この時の整合器は4Eチューナを、誘電体は石英ガラス(120mm×95mm×厚さ3mm)を使用して導波管の内部の圧力を真空成膜装置よりも低くするために、複合分子ポンプにより導波管内部の圧力を10ー3Pa付近に維持した。また、2.45GHzの波長は約122mm (波長=光の波長/2.45GHzより) であるため、石英ガラス(誘電体)から約60mm離れ、導波管の内壁から30mm離れた位置にガス噴射孔が配置されるように、導波管の長辺の中心部にガス噴射パイプ(長さが30mm)を固定した。さらに、原料導入パイプは石英ガラスより約120mm離れ、成膜ドラムより約30mm離れた場所に配置した。ガス噴射パイプの材料は銅を用い、ガス噴射パイプの周りに水冷手段(冷却手段)を設置し、1L/分、25℃の冷却水を循環させてガス噴射パイプの温度を安定させた。また、ガス噴射パイプの先端部にはサマリウム−コバルト合金系の永久磁石を設置し、その磁力は約120ガウスであった。続いて、成膜室を50Paとし、高分子フィルム基材であるPETフィルムを5m/minで走行させて、高分子フィルム積層体の製造を行った。得られた酸化珪素膜の膜厚は40nmであった。
成膜室を70Paとした以外は実施例1と同様の条件にて高分子フィルム積層体を得た。
成膜室を2Paとし、成膜速度を1m/分、膜厚が40nmになるように、酸素ガスを調整した以外は、実施例1と同様の条件にて高分子フィルム積層体を得た。
成膜室を50Paとなるようにガス噴射口よりオゾンガスの代わりに酸素ガスを導入した以外は、実施例1と同様の条件にて高分子フィルム積層体を得た。
2・・・巻出・巻取室
3・・・成膜室
4・・・巻取駆動軸
5・・・巻出従動軸
6・・・シート状の高分子フィルム基材
7・・・成膜ドラム
8・・・ロール状高分子フィルム基材
9・・・ロール状高分子フィルム積層体
12・・・マイクロ波発生手段
13・・・ガス噴射手段
14・・・原料導入パイプ
20・・・誘電体
21・・・導波管
22・・・整合器
23・・・発振器
24・・・ガス噴射パイプ
25・・・開口部
26・・・短絡板
27・・・導波管
30・・・高分子フィルム基材
31・・・酸化珪素膜
241・・・永久磁石
242・・・冷却手段
243・・・ガス噴射孔
Claims (7)
- 高分子フィルム基材にプラズマCVD法により薄膜を形成させる成膜室と、
成膜室に薄膜の原料を導入する原料噴出手段と、
マイクロ波発生手段と、
マイクロ波を受信するアンテナ機構の先端よりプラズマ噴出源のガスを噴出するガス噴射手段と、
を具備することを特徴とする、真空成膜装置。 - 前記マイクロ波発生手段が、
(1)マイクロ波を発生する発振器と、
(2)マイクロ波のインピーダンスを調整する整合器と、
(3)成膜ドラム幅に対応する開口部を有する導波管と、
(4)前記成膜室と前記導波管との間にマイクロ波を透過する誘電体と、
(5)前記導波管内部に配置され、マイクロ波を伝播する電気力線を横切らない場所に配置され、かつマイクロ波の波長(λ)の1/4倍の長さを持つ、マイクロ波を受信するアンテナ機構を有するガス噴射パイプと、
(6)前記ガス噴射パイプの先端部の温度を調整することができる冷却手段と、
(7)前記ガス噴射パイプの位置が誘電体からマイクロ波の波長(λ)の1/2倍に離れた場所に位置する前記ガス噴射パイプの先端部に設置されたガス噴射孔と、
を具備することを特徴とする、請求項1に記載の真空成膜装置。 - 前記ガス噴射孔の孔径が、20mm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の真空成膜装置。
- 前記高分子フィルム基材を20℃から80℃の間に加熱するための基材温度調整手段を有することを特徴とする、請求項1ないし3のいずれかに記載の真空成膜装置。
- 請求項1ないし4のいずれかに記載の真空成膜装置を用いた高分子フィルム積層体の製造方法であって、前記プラズマ噴出源にオゾンガスを用い、前記原料噴出手段から有機シラン化合物を導入し、前記高分子フィルム基材上に酸化珪素膜(SiOx)を成膜することを特徴とする、高分子フィルム積層体の製造方法。
- 前記成膜室の雰囲気圧力が20Pa以下の環境下で成膜することを特徴とする、請求項5に記載の高分子フィルム積層体の製造方法。
- 請求項5または6に記載の真空成膜装置を用いて製造された、高分子フィルム積層体。
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