1345325 修正本 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種於基板上形成有薄膜元件及其表面 之薄膜圖案之薄膜裝置及其製造方法。 【先前技術】 在基板上設置有薄膜電晶體或光感測器等薄膜元件之 薄膜裝置中’用以在前述薄膜元件之表面檢測防止帶電或 靜電之導電膜等薄膜圖案，係形成於保護前述薄膜元件， 且支撐形成於上層之薄膜圖案之基層膜上。 舉例言之’在日本特開2003-91510號公報所揭示之指 紋認證裝置中’於構成光感測器之電晶體與表面之去除靜 電電極間設置絕緣保護膜。此絕緣保護膜係作爲保護前述 電晶體，同時支撐薄膜圖案之去除靜電電極之基層膜。 上述指紋認證裝置之去除靜電電極膜係由透明電極形 成，其膜厚係薄至數百A至數千A左右，前述絕緣保護膜 之膜厚係厚達數μιη〜數十μηι而足以保護前述電晶體》前 述靜電去除電極膜至少在前述電晶體之形成區域之周邊區 域進行圖案化爲預定形狀。因此，形成於前述絕緣保護膜 上之薄的靜電去除電極膜無法追隨前述絕緣保護膜之數 μιη至數十μιη之膜厚的段差，而產生未被覆蓋之所謂「斷 層」部。 又，由於靜電去除電極膜以光微影技術圖案化而形成 預定形狀之圖案，故覆蓋光阻劑時，不易使光阻劑追隨上 述段差而覆蓋，亦產生肇因於光阻劑之脫落引起的圖案化 1345325 修正本 不良。 【發明內容】 本發明之目的在提供一種減低設置於薄膜元件 薄膜圖案的缺陷之產生，成品良率及可靠度高之薄 及其製造方法。 本發明第1觀點之薄膜裝置特徵爲包含有：基 成有薄膜元件，·基層膜，配置於前述基板之薄膜元伯 並藉由以感光性樹脂材料形成之膜的緊貼、曝光及 而形成預定形狀之至少1層絕緣膜所構成；薄膜 在前述基層膜上形成預定之形狀。 本發明第2觀點之指紋檢測裝置特徵爲包含 板，形成有用以檢測被檢測者指紋之複數光感測器 該等光感測器之透明絕緣膜；基層膜，由複數絕綠Ji 該等絕緣膜係由感光性樹脂構成之乾膜分別形成包 形成於前述基板上之前述透明絕緣膜上之前述光感 部份的預定形狀，分別層疊成大小互異且端面不一 靜電保護膜，由在前述基層膜及前述基板上之前述 緣膜上形成預定圖案之透明導電膜構成。 本發明第3觀點之薄膜裝置之製造方法特徵爲 下步驟：（1)準備形成有薄膜元件之基板；（2) 基板之前述薄膜元件之上側形成使由感光性樹脂材 之至少1個膜緊貼，再以曝光及蝕刻形成預定形狀 1層絕緣膜構成之基層膜；（3)於前述基層膜上將 案形成預定形狀。 上層之 膜裝置 板，形 :上側， 蝕刻， 圖案， 有：基 及覆蓋 ;構成， 含對應 測器之 致；及 透明絕 具有以 於前述 料構成 之至少 薄膜圖 1345325 ·* 修正本 根據本發明之薄膜裝置基板，可獲得：減低設置於薄 膜元件上層之薄膜圖案的缺陷之產生，且可靠度高之薄膜 J 裝置。 又’在本發明之薄膜裝置基板之製造方法中，在不增 加步驟數下’可容易製造獲得減低設置於薄膜元件上層之 薄膜圖案之缺陷產生，且成品良率及可靠度高之薄膜裝置 【實施方式】 (第1實施例） 第1圖係將本發明第1實施例之指紋檢測裝置部份擴 大而顯示之例示截面圖，第2A圖〜第2D圖至第4A圖〜 . 第4D圖係分別顯示該指紋檢測裝置之製程之步驟說明圖》 本實施例之指紋檢測裝置構成如第1圖所示。即，在 設有圖中未示之電極配線之玻璃基板1上，於預定位置將 複數個光感測器2排列成矩陣狀。覆蓋該等光感測器2， 將透明絕緣膜3形成相同。於此透明絕緣膜3之表面層疊 ^ 3層乾膜4a、4b ' 4c而形成之基層膜4，係對應於光感測 器2之排列區域而設置成預定圖案。然後，從構成此3層 構造之基層膜4之圖案上至其外側形成靜電保護用透明電 極5，而圖案化爲預定形狀之圖案。 透明絕緣膜3由氮化矽（SiN )構成，以CVD( Chemical vapor deposition)法覆蓋光感測器2，而於玻璃基板1表 面形成相同。此透明絕緣膜3係爲防止基板1之電極配線 間或其與靜電保護用透明電極5間等之短路而設置。 基層膜4不僅設置作爲支撐靜電保護用透明電極5之 1345325 修正本 基層，亦可作爲用以補強或防止光感測器2之配設區域惡 化之保護層。構成此基底層4之3層_乾膜4a、4b、4c係使 用相同之感光性樹脂材料，而形成相同厚度t。在本實施例 中使用之感光性樹脂材料，係以透明性優異之丙烯酸樹脂 作爲基底聚合物’於其中混合聚合性單體、光聚合開始劑 等添加劑而調製’使已照射光之部份硬化而殘留之負型者。 層疊成3層之3片乾膜4a、4b、4c中之第1層之第1 • 乾膜4a，於透明絕緣膜3之表面形成預定之規定圖案。於 此第1乾膜4a上至少覆蓋其表面及端面後，而層疊第2層 之第2乾膜4b。此第2乾膜4b之覆蓋第1乾膜4a之端面 之端部41b係由沿第1乾膜4a之端面之直立部411b、沿 絕緣膜3表面僅延伸出尺寸l之延伸部412b構成。此延伸 尺寸L形成較乾膜之厚度t之値更長之尺寸。 然後，同樣地，覆蓋第2乾膜4b表面與端面，而層疊 第3層之第3乾膜4c。此第3乾膜之覆蓋第2乾膜之端部 '41b之端部41c，形成具有與對應於乾膜之層疊片數而形成 之與其相同數之3個段差之階梯狀。在此，形成之各段差 之高度約等於對應之乾膜之厚度，在本實施例中，由於3 片乾膜4a、4b、4c形成相同之厚度t，故各段差之大小g 亦約等於各乾膜4a〜4c之厚度t。 從基板1上形成有第3乾膜4c之區域至其外側配設靜 電保護用透明電極5。此靜電保護有透明電極5係爲去除 載置於基層膜4上之指紋採取區域之手指帶電之靜電而設 置。 1345325 修正本 在此，靜電保護用透明電極5係以光微影技術將由ITO (氧化銦錫）等透明導電材料構成且厚度爲數百Α至數千 A左右之薄膜圖案化而形成。在本實施例中，如上述，由 於將基層膜4之端面形成由大小皆相等之3個段差構成之 階梯狀，故可使薄透明導電膜在不致因縮小之各段差產生 「斷層」下追隨，而可輕易地形成相同。 又，將形成相同之透明導電膜以光微影技術圖案化而 作爲靜電保護用透明電極5時，於透明導電膜上形成光阻 膜，但由於此透明導電膜表面之段差爲與形成於第3乾膜 4c表面之階梯狀段差約略相同之段差，故可輕易使光阻膜 追隨各段差而形成相同。結果，可確實且輕易獲得不產生 「斷層」或圖案化不良而形成正確圖案之優良品質之靜電 保護用透明電極5。 附言之，構成本實施例之指紋檢測裝置之上述各構件 之厚度係分別設定成玻璃基板1爲〇.5mm，絕緣膜3約 Ιμπι，構成基層膜4之3片乾膜4a、4b、4c各爲3 μιη左右， 基層膜4全體約爲10 μιη，靜電保護用透明電極5爲0.1至 0 · 2 μιη 0 檢測指紋時，使被檢測者之指尖指紋所存在之指腹接 觸而載置於基層膜4上之指紋採取區域，從與該指腹相對 之正面側（玻璃基板1側）、或側面側或背面側照射光， 若從正面側照射時，以光微影技術檢測透過玻璃基板1入 射而反射至指紋之光，以擷取指紋圖像，若從背面側照射 時，則檢測穿透指尖之光，以擷取指紋圖像。 1345325 修正本 接著，依第2A圖〜第2D圖至第4A圖〜第4D圖，就 本實施例之指紋檢測裝置之製造方法之基層膜形成步驟作 說明。 首先，如第2A圖所示，將由前述負型感光性樹脂材料 構成之第1乾膜層疊於透明基底片6之第1乾膜片4A，無 間隙地緊貼於在玻璃基板1上覆蓋光感測器2而形成相同 之透明絕綠膜3之平坦表面。此時，藉由前述基底片6壓 接熱壓著器具（圖中未示），一面將第1乾膜片4A加熱至 100〜120 °C，一面無間隙地壓著透明絕緣膜3之表面》 接著，對第1乾膜片4A進行曝光。在此曝光步驟中， 如第2B圖所示，於保持層疊基底片6之狀態之第1乾膜 4A上配置第1遮光罩7a，並照射光（以白色箭頭表示）。 在此曝光步驟中使用之第1遮光罩7a之開口 71a，由於使 用負型感光性樹脂材料作爲乾膜之材料，故對應於構成基 層膜4之第1乾膜4a (參照第1圖）之形成區域而設置。 之後，如第2C圖所示，從第1乾膜片4A去除基底片 6，如箭頭所示，於已曝光之第1乾膜片4A之表面約略均 等地散佈顯像液而顯像。藉此，如第2圖所示，去除第1 乾膜4A中在曝光步驟未照射光之區域之感光材料，遺留照 射光之部份以作爲第1乾膜4a。 接著’於如上述形成之第1乾膜4a層疊形成第2乾膜 4b(參照第1圖）。首先，如第3A圖所示，將單面上層疊 透明之基底片6的第2乾膜片4B，以基底片6之面作爲表 面’在無間隙地覆蓋第1乾膜4a及玻璃基板1表面之狀態 -10- 1345325 修正本 下進行層疊。此時，與前述緊貼第1乾膜片4A之過程同樣 地，壓接熱壓著器具，一面加熱至l2〇°C左右，一面加壓， 使第2乾膜片4B亦無間隙地追隨第1乾膜4a之端面而層 疊。藉此，可將對應第1乾膜4a之端面而產生於基底片6 表面之段差大小g抑制成約略等於第1乾膜4a之層厚t之 大小。 接著，如第3B圖所示，使用第2遮光罩7b，進行曝 光。設置於此第2遮光罩7b之開口 71b之大小，係設定成 使第1乾膜4a之面積全周均等地僅擴展至擴大尺寸D1之 大小。此擴大尺寸D1係設定成較乾膜4之厚度t之2倍更 大之尺寸。 之後，如第3C圖所示，與形成第1乾膜4a時同樣地 進行顯像。藉此，如第3 D圖所示，於端面層疊具有大小皆 爲g之2個段差之第2乾膜4b。即，形成之第2乾膜4b 覆蓋第1乾膜4a之端面的端部41b，係由使厚度t之第2 乾膜片4B沿第1乾膜4a之端面之直立部411b及沿透明絕 緣膜3之表面延伸出尺寸L之延伸部412b構成。然後，延 伸部412b之延伸尺寸L係大致爲從第2遮光罩7b之開口 71b之擴大尺寸DT減去厚度t之尺寸。 再者，於如上述層疊形成之第2乾膜4b上層疊形成第 3乾膜4c (參照第1圖）。與上述各步驟同樣地，首先如 第4A圖所示，將在單面貼合透明之基底片6之第3乾膜片 4C，以基底片6之面作爲表面，在無間隙地覆蓋第2乾膜 4b及玻璃基板1表面之狀態下進行層疊。 11- 1345325 修正本 接著，如第4B圖所示，使用第3遮光罩7c進行曝光。 設置於此第3遮光罩7c之開口 71c之大小’係設定成使第 2乾膜7b之開口 71b全周均等地擴展至擴大尺寸D2之大 小。此擴大尺寸D2設定成至少較乾膜4之厚度t更大之尺 寸即可。此尺寸宜與第2遮光罩7b之擴大尺寸D1同樣地 作成較乾膜4之厚度t之2倍更大。 接著，如第4C圖所示，與對至目前爲止之第i、第2 乾膜片4A、4B之顯像步驟同樣地進行顯像。藉此，如第 4D圖所示，於端面層疊形成具有大小皆與乾膜厚度t相等 之3個段差g之第3乾膜4c。 之後，以230〜240 t統一燒結已層疊之3層第1〜第 3乾膜4a、4b、4c後使其硬化，於包含最上層之第3乾膜 4c之階梯狀端面之所有露出表面、亦即包含基層膜4之所 有露出表面之玻璃基板1上，在200〜210 °C之環境下以濺 鍍將由ITO構成之透明導電膜形成相同。然後’藉將形成 相同之ITO薄膜以光微影技術圖案化而成爲預定圖案’而 可獲得表面設置有第1圖所示之靜電保護用透明電極5之 指紋檢測裝置。 如以上，本實施例之指紋檢測裝置，係將支撐靜電保 護用透明電極5之基層膜4構成厚度相等之3層乾膜層疊 體，將其端面形成：段差之數爲與乾膜4a〜4c之層疊數相 同之3.段，且各段差之大小g與乾膜4a〜4c之厚度t相同 之大小的階梯狀。是故，各段差之大小g縮小至基層膜4 之厚度的1/3左右，而可使形成靜電保護用透明電極5之 1345325 修正本 ITO薄膜追蹤各段差而形成相同。用以將該ITO薄膜圖案 化之光阻層亦可追隨各段差而形成相同。藉此’可確實獲 得無因ΙΤΟ薄膜無法追隨段差而脫落之「斷層」或光阻層 脫落之圖案化不良造成之優良品質之靜電保護用透明電極 5 » 再者，藉將基層膜4構成3層之乾膜層疊體，可有效 防止貫穿基層膜4全層厚度之針孔之產生’而可確實避免 因靜電保護用透明電極5與玻璃基板1上之配線等之短路 造成之光感測器2或驅動器元件（圖中未示）等之損傷。 又，由於本實施例之指紋檢測裝置之製造方法，係由 依序層疊複數片之乾膜片’而反覆地進行同樣之光微影技 術之程序構成，故可將端面爲具複數段差之階梯狀的層疊 體構造的基層膜4作爲層疊體而造成之工數增加抑制成最 小限度來製造。 結果，根據本實施例之指紋檢測裝置與其製造方法 時，可防止靜電保護用透明電極5之「斷層」或圖案化不 良及基層膜4之針孔等之缺陷產生，正確將良好品質之靜 電保護用透明電極5加以圖案化，而可製造成品良率高， 可靠度優異之指紋檢測裝置。 (第2實施例） 接著，依第5圖、第6Α圖〜第6D圖至第8Α圖〜第 8D圖，就本發明第2實施例之指紋檢測裝置及其製造方法 作說明。另，與上述實施例相同之構成要件賦予相同標號， 省略其說明。 1345325 修正本 如第5圖所示，本實施例之指紋檢測裝置係於設有圖 中未示之電極配線之玻璃基板1上以預定配置排列複數個 光感測器2。覆蓋該等光感測器2，將絕緣膜3形成相同。 於此絕緣膜3之表面層疊3片乾膜8a、8b、8c而形成的3 層構造之基層膜8，係對應於排列有前述光感測器2之區 域而形成預定之規定圖案。然後，從設有基層膜8之區域 至其外側之區域，形成預定圖案之靜電保護用透明電極5» 即，與上述第1實施例之不同點僅爲基層膜8之層疊構造， 其他結構大致相同。 如第5圖所示，基層膜8係依序階梯狀地層疊由以丙 烯酸樹脂作爲基底聚合物而與上述實施例相同之負型感光 性樹脂構成之3層乾膜8a、8b、8c而形成。層疊成3層之 乾膜8a、8b、8c中之第1層之第1乾膜8a，係於透明絕緣 膜3之表面形成預定圖案而設置，於不含此第1乾膜8a之 周端部81a的表面，緊貼層疊第2層之第2乾膜8b，於不 含此第2乾膜8b之··周端部81b的表面，同樣地緊貼層疊第 3層之第3乾膜8c。如此構成之基底層8之端面與第1實 施例同樣地，形成具有大小g與各乾膜8 a、8 b、8 c之厚度 t相等之3個段差之階梯狀。 在此，將第1層之第1乾膜8a及第2層之第2乾膜 8b之各緣部加以倒角。靜電保護用透明電極5之「斷層」 或圖案化不良易在基層呈稜角之緣部產生，因而，藉將第 1、第2乾膜8a、8b之各緣部加以倒角，可防止從基層膜 8之設置區域被覆設置至其外部區域之靜電保護用透明電 -14- 1345325 修正本 極5之「斷層」或圖案化不良之產生。此外，形 乾膜8a之倒角部8 2a因製造方法上之理由而形成 第2乾膜8b之倒角部82b更大之面積。 接著，依第6A圖〜第6D圖至第8A圖〜第 明本實施例指紋檢測裝置之製造方法之基層膜形 首先，如第6A圖所示，於玻璃基板1上覆蓋 2而形成相同之透明絕緣膜3的平坦表面，與前 施例同樣地一面以熱壓著器具（圖中未示）藉由 底片6，將由前述負型感光性樹脂材料構成之第 8A加熱至100〜120°C左右，一面無間隙地將其壓 絕緣膜3之表面。 接著，對第1乾膜片8A進行曝光。如第6B 於保持附設基底片6之狀態下，於第1乾膜片8A 1遮光罩9a照射光（以白色箭頭表示）。在此曝 使用之第1遮光罩9a之開口 91a，由於使用負型 脂材料作爲乾膜之材料，故對應構成基層膜8之 8a (參照第5圖）之配設區域而設置。 之後，從第1乾膜片8A去除基底片6，如負 示，於已曝光之第1乾膜片8A之表面如箭頭所开 等地散佈顯像液而顯像。藉此，如第6D圖所示 乾膜片8A中在曝光步驟無照射光之區域之感 除，而遺留照射光之部份以作爲第1乾膜8a。 接著，爲了於如上述形成之第1乾膜8a層· 乾膜8b，首先，如第7A圖所示，將單面層疊透 成於第1 較形成於 8D圖，說 成步驟。 光感測器 述第1實 透明之基 1乾膜片 著於透明 圖所示， 上經由第 光步驟中 感光性樹 第1乾膜 I 6 C圖所 :，約略均 ，將第1 光材料去 ^形成第2 明之基底 -15- 1345325 修正本 片6之第2乾膜片8B，以基底片之面作爲表面，在無間隙 地覆蓋第1乾膜8a及玻璃基板1表面之狀態下進行層疊。 此時，與前述緊貼第1乾膜片8A之過程同樣地，壓接熱壓 著器具’一面加熱至120°C左右，一面加壓，使第2乾膜片 8B亦無間隙地追隨第1乾膜8a之端面而層疊。藉此，可 將對應於第1乾膜8a之端面而產生於基底片6表面之段差 大小g抑制成約略等於第1乾膜8 a之層厚t之大小。 接著，如第7C圖所示，使用第2遮光罩9b進行曝光。 設置於此第2遮光罩9b之開口 91b之大小，係設定成使形 成第1乾膜8a之區域的全周均等地僅縮短至縮小尺寸D3 之大小。 之後，如第7C圖所示，與形成第1乾膜8a時同樣地 進行顯像。藉此，如第7D圖所示，於第1乾膜8a上層疊 形成端面較下層之第1乾膜8a之端面僅後退上述第2遮光 罩9b之開口 91b爲短之縮小尺寸D3的內側（中央部側）之 第2乾膜8b。即，於平坦之第1乾膜8a上層疊面積係全 周僅小至上述縮小尺寸D3之平坦第2乾膜8b。 在前述顯像步驟中，藉由將第1乾膜8a未層疊第2乾 膜8b之端部曝露於顯像液，而將其緣部倒角，以形成傾斜 面之倒角部82a。 再著，爲了於如上述層疊而形成之第2乾膜8b上層疊 形成第3乾膜8c，如第8A圖所示，將單面貼合透明之基 底片6的第3乾膜片8C，以基底片6之面作爲表面，在無 間隙地覆蓋第2乾膜8b、第1乾膜8a之端部及玻璃基板1 -16- 1345325 修正本 表面之狀態下層疊。 接著，如第8B圖所示，使用第3遮光罩9c進 設置於此第3遮光罩9c之開口 91c之大小’係設 2乾膜9b之開口 91b全周僅均等地縮小至縮小尺 大小。此縮小尺寸04與第2遮光罩9b之縮小尺 樣地，宜設定成較乾膜8之厚度t更大。 接著，如第8C圖所示，與對至目前爲止之第 乾膜片8A、8B之顯像步驟同樣地進行顯像。藉 8D圖所示，於第2乾膜8b上層疊形成端面較下, 膜8b之端面僅後退上述第3遮光罩9c之開口 9] 尺寸D4的內側之第3乾膜8 c。即，於平坦之第 上依序層疊面積全周僅縮小至上述縮小尺寸D3之 乾膜8b、及面積全周僅縮小上述縮小尺寸D4之 乾膜8 c。 在此顯像步驟中，藉由將第1乾膜8a未層疊 8b之端部及第2乾膜8b之未層疊第3乾膜8c之 於顯像液，而將第2乾膜8b之緣部倒角，以形成 倒角部82b，再者，形成於第1乾膜8a之倒角部 被曝露於顯像液而增大，使傾斜面之面積增加。 之後，以230 °C〜240 °C統一燒結已層疊之3層 3乾膜8a、8b、8c後而使其硬化，於第3乾膜8c 端面、第2乾膜8b所露出之端部表面及端面，！ 8a所露出之端部表面及端面、亦即基層膜8之所 及延續其之玻璃基板1上，在200〜210 °C之環境 行曝光。 定成使第 寸D4之 寸D3同 Η、第2 此，如第 層第2乾 .c之縮小 1乾膜8a 平坦第2 平坦第3 第2乾膜 端部曝露 傾斜面之 82a再度 第1〜第 之表面及 g 1乾膜 有露出面 下以濺鍍 -17- 1345325 ' 修正本 相得電 成獲明 形可透 將而用 藉，護 ， 案保 後圖電 然定靜 。 預之 同成示 相化所 成案圖 形 圖 5 膜術第 電技之 導影® 明微表 透光於 之以設 成膜配 構薄案 ο ο 圖 T T I I 定 由之預 將同以 極5之指紋檢測裝置。 如以上，在本第2實施例之指紋檢測裝置中，與上述 第1實施例同樣地，以厚度相等之3層乾膜層疊體構成支 撐配設於表面之靜電保護用透明電極5之基層膜8’將其 端面形成階梯狀，而此階梯狀的段差之數係與第1至第3 乾膜8a〜8c之層疊數相同數之3段，且各段差之大小g與 第1至第3乾膜8a〜8c之厚度t相同之大小’且，將第1 及第2乾膜8a、8b之緣部倒角而作爲傾斜面。是故’各段 差之大小g縮小至基層膜8之厚度之1/3左右’同時’不 易使薄膜附著之緣部減少，使用以形成靜電保護用透明電 極5之IT 0薄膜追隨各段差而可更相同且輕易地形成。又， 將ITO薄膜圖案化時之光阻層亦追隨各段差而可更相同且 輕易地形成。藉此，可更確實地獲得無ITO之薄膜無法追 隨段差而脫落之「斷層」或光阻層之脫落而造成之圖案化 不良之優良品質靜電保護用透明電極5。 再著，藉將基層膜8構成3層之乾膜層疊體，可防止 貫穿基層膜8之全層厚度之針孔之產生，而可確實避免靜 電保護用透明電極5與玻璃基板1上之配線等之短路。 又，在本實施例之指紋檢測裝置之製造方法中，依序 層疊複數片之乾膜片’使用於對各乾膜片反覆執行之光微 影技術之各遮光罩之開口依序縮小。是故，段差之緣部在 -18- 1345325 修正本 製程上自然地倒角，而可以與上述第1實施例之製造方法 大致相同之工數形成端面呈具有與乾膜之層疊片數相同數 之段差，同時，緣部倒角的階梯狀之所要基層膜8。 是故’根據本實施例之指紋檢測裝置及其製造方法 時，可在不增加製造工數下，製造防止「斷層」或圖案化 不良之產生，正確地將靜電保護用透明電極5圖案化，成 品良率及可靠度提高之指紋檢測裝置。 此外’本發明不限定於上述實施例。 舉例言之，在構成層疊體之基層膜上層疊之層數，雖 然在上述第1及第2實施例中皆爲3層，但並不限於此， 可層疊2層，亦可層疊3層以上。此時之各層材料及厚度 亦不必各層皆相同，只要依薄膜裝置基板之用途，選定最 適當而設定即可。 在本發明製造方法中使用之乾膜之材料並不限於負型 感光性樹脂，亦可使用正型感光性樹脂。此時，如第i實 施例，即使基層膜之層疊構造係上層覆蓋下層之構，造，亦 可如第2實施例，基層膜端面之緣部因顯像作用而自然地 倒角，而形成更適當之基層膜。 此外’本發明並不限於指紋檢測裝置基板，當然可廣 泛適用於薄膜圖案形成於基板表面之各種裝置基板。 如上述’本發明之薄膜裝置的特徵，在於由形成有薄 膜元件之基板、配置於前述基板之薄膜元件上側，並藉由 以感光性樹脂材料形成之膜之緊貼、曝光及蝕刻，而形成 預定形狀之至少1層絕緣膜所構成之基層膜、於前述基層 -19- 1345325 修正本 膜上形成預定之形狀之薄膜圖案所構成。 在此薄膜裝置中，前述基層膜宜由絕緣膜構成，該絕 緣膜係以由感光性樹脂材料構成之複數乾膜之層疊膜構 成，各層之乾膜大小不同，且依序層疊成端面不一致。此 時’形成前述基層膜之複數層之各絕緣膜，在前述基板側 之下層絕緣膜宜具有較上層絕緣膜更小之面積，而覆蓋前 述下層之絕緣膜，並使上層之絕緣膜層疊。又，形成前述 基層膜之複數層之各絕緣膜，在前述基板側之下層絕緣膜 宜具有較上層絕緣膜更大之面積.，而於前述下層之絕緣膜 上層疊上層之絕緣膜。進一步，此時，前述基層膜之複數 絕緣膜宜已去除基板側之下層絕緣膜端面之緣部。 在此發明之薄膜裝置中，前述基板宜形成用以在其上 檢測被檢測者指紋之複數光感測器、及覆蓋該等光感測器 之透明絕緣膜，前述基層膜由形成於前述透明絕緣膜上且 實質爲透明之複數乾膜之層疊膜形成，前述薄膜圖案係由 在前述基層膜上形成預定圖案之透明導電膜形成，而形成 供被檢測者之手指接觸其表面之靜電保護膜。 又，本發明之指紋檢測裝置宜包含有：基板，形成有 用以檢測被檢測者指紋之複數光感測器及覆蓋該等光感測 器之透明絕緣膜：基層膜，由複數絕緣膜構成’該等絕緣 膜係由感光性樹脂構成之乾膜分別形成包含對應形成於前 述基板上之前述透明絕緣膜上之前述光感測器之部份的預 定形狀，大小互異，且層疊成端面不一致；及靜電保護膜’ 由在前述基層膜及前述基板上之前述透明絕緣膜上形成預 -20 - 1345325 修正本 定圖案之透明導電膜構成。 在此指紋檢測裝置中，形成前述基層膜之複數絕緣 膜’在前述基板側之下層絕緣膜宜具有較上層絕緣膜更小 之面積’而覆蓋前述下層之絕緣膜，並層疊上層之絕緣膜。 又，形成前述基層膜之複數層之各絕緣膜，在前述基板側 之下層絕緣膜宜具有較上層絕緣膜更大之面積，而於前述 下層之絕緣膜上層疊上層之絕緣膜。進一步，此時，前述 基層膜之複數絕緣膜宜已去除基板側之下層絕緣膜端面之 緣部。 再者，本發明之薄膜裝置之製造方法宜具有以下步 驟：（1)準備形成有薄膜元件之基板；（2)於前述基板 之前述薄膜元件之上側形成使由感光性樹脂材料構成之至 少1個膜緊貼，再以曝光及蝕刻形成預定形狀之至少1層 絕緣膜構成之基層膜：（3)於前述基層膜上將薄膜圖案形 成預定形狀》 在此薄膜裝置之製造方法中，形成前述基層膜之步驟 宜包含：將複數絕緣膜層疊成各自大小不同，且構成各層 之絕緣膜之端面不一致的步驟。此時，形成前述基層膜之 步驟宜包含：前述複數絕緣膜中基板側之下層之絕緣膜具 有較上層之絕緣膜更小之面積，覆蓋前述下層之絕緣膜的 步驟，依序層疊上層之絕緣膜。又，形成前述基層膜之步 驟宜包含：前述複數絕緣膜中基板.側之下層之絕緣膜具有 較上層之絕緣膜更大之面積，於前述下層之絕緣膜上依序 層疊上層之絕緣膜的步驟。再者，準備之基板之步驟宜具 1345325 修正本 有以下步驟：於形成有薄膜元件之基板上形成透明絕緣膜。 在本發明之薄膜裝置之製造方法中，形成基層膜之步 驟宜具有在前述基板之薄膜元件上側緊貼由感光性樹脂材 料構成之第1乾膜，使用具有預定形狀開口之第1遮光罩， 以光微影技術形成具有預定圖案形狀之第1絕緣膜之第1 步驟、在形成有前述第1絕緣膜之基板上緊貼由感光性樹 脂材料構成之第2乾膜，使用與前述第1遮光罩之開口大 小不同之第2遮光罩，以光微影技術形成具有預定圖案形 狀之第2絕緣膜之第2步驟、在形成有前述第2絕緣膜之 基板上緊貼由感光性樹脂材料構成之第3乾膜，使用與前 述第1遮光罩及第2遮光罩之開口大小不同之第3遮光 罩，以光微影技術形成具有預定圖案形狀之第3絕緣膜之 第3步驟。此時，前述第1、第2及第3步驟宜分別使用 在各步驟中使用之遮光罩之開口大小係形成爲前述第2遮 光罩較前述第1遮光罩更小，且前述第3遮光罩較前述第 2遮光罩更小之各遮光罩，在各乾膜曝光。又，前述第2 步驟宜具有去除在前述第1步驟形成之前述第1絕緣膜端 部之緣部之步驟，前述第3步驟具有去除在前述第1步驟 及第2步驟形成之前述第1及前述第2絕緣膜之端部之緣 部之步驟。 又，在本發明之薄膜裝置之製造方法中，形成薄膜圖 案之步驟宜從形成前述基層膜之區域至其外側區域形成前 述薄膜圖案。此時，前述複數片乾膜宜分別爲由負型感光 性樹脂形成之乾膜。 -22- 1345325 修正本 【圖式簡單說明】 第1圖係將本發明第1實施例之指紋檢測裝置局部放 大顯示之模式截面圖。 第2A圖〜第2D圖係分別顯示上述第1實施例之指紋 檢測裝置之製造方法之層疊基層膜第丨層之程序的步驟說 明圖。 第3 Α圖〜第3 D圖係分別顯示上述第1實施例之指紋 檢測裝置之製造方法之層疊基層膜第2層之程序的步驟說 φ 明圖。 第4A圖〜第4D圖係分別顯示上述第1實施例之指紋 檢測裝置之製造方法之層疊基層膜第3層之程序的步驟說 明圖。 第5圖係將本發明第2實施例之指紋檢測裝置局部放 大顯示之模式截面圖。 第6A圖〜第6D圖係分別顯示上述第2實施例之指紋 檢測裝置之製造方法之層疊基層膜第1層之程序的步驟說 φ 明圖。 第7A圖〜第7D圖係分別顯示上述第2實施例之指紋 檢測裝置之製造方法之層疊基層膜第2層之程序的步驟說 明圖。 第8A圖〜第8D圖係分別顯示上述第2實施例之指紋 檢測裝置之製造方法之層疊基層膜第3層之程序的步驟說 明圖。 【主要元件符號說明】 玻璃基板 -23 - 1345325 修正本
2 3 4 4 a 4 A 4b 4B
4 c 4C 5 6 7 a 7b
8 A 8b 8B 8 c 8C 9 a 9b 光感測器 絕緣膜 基層膜 第1乾膜 第1乾膜片 第2乾膜 第2乾膜片 第3乾膜 第3乾膜片 靜電保護用透明電極 基底片 第1遮光罩 第2遮光罩 第3遮光罩 基層膜 第1乾膜 第1乾膜片 第2乾膜 第2乾膜片 第3乾膜 第3乾膜片 第1遮光罩 第2遮光罩 第3遮光罩 -24 -