CN101097914A - 具有薄膜元件和薄膜图形的薄膜器件、及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及薄膜器件，该薄膜器件由形成在基板上的多个薄膜元件、覆盖这些薄膜元件而形成的透明绝缘膜、形成在该透明绝缘膜上的基底膜、及进而在其上形成的具有导电性的薄膜构成。上述基底膜由3层绝缘膜构成，该绝缘膜在上述透明绝缘膜的表面通过粘合、曝光、蚀刻来依次层叠具有感光性的干膜而形成。

Description

具有薄膜元件和薄膜图形的薄膜器件、及其制造方法

技术领域

本发明涉及在基板上形成有薄膜元件和其表面上具有薄膜图形的薄膜器件及其制造方法。

背景技术

在基板上设有薄膜晶体管或光传感器等薄膜元件的薄膜器件中，在上述薄膜元件的表面，防止带电、或检测静电用的导电膜等薄膜图形形成在基底膜上，该基底膜用于保护上述薄膜元件、且用于支持形成在上层的薄膜图形。

例如，在日本特开2003-91510号公报中所示的指纹认正装置中，在构成光传感器的晶体管和表面静电去除电极之间设有绝缘保护膜。该绝缘保护膜保护上述晶体管，并成为支持薄膜图形的静电去除电极的基底膜。

上述指纹认正装置中的静电去除电极膜由透明电极形成，其膜厚薄到几百到几千左右。上述绝缘保护膜为了保护上述晶体管厚到足够的厚度，例如其膜厚为从几μm到几十μm。上述静电去除电极膜至少在上述晶体管的形成区域的周边区域被构图成预定的形状。因此，在上述绝缘保护膜上形成的薄的静电去除电极膜不能追随上述绝缘保护膜的从几μm到几十μm的膜厚部分的台阶，从而发生未被覆盖的所谓“台阶缺口(段切れ)”部。

另外，为了通过光刻构图成规定的形状的图形，当使光致抗蚀剂覆盖静电去除电极膜时，难以使光致抗蚀剂追随上述台阶来覆盖，从而发生因光致抗蚀剂的脱落而引起的构图不良。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种降低设置在薄膜元件的上层的薄膜图形发生的缺陷、合格率及可靠性高的薄膜器件及其制造方法。

采用该发明的第1观点的薄膜器件，其特征在于，由如下构成：

形成有薄膜元件的基板；

基底膜，由至少一层绝缘膜构成，该绝缘膜配置在上述基板的薄膜元件的上侧，通过由感光性树脂材料构成的薄膜的粘合、曝光及蚀刻而形成为预定的形状；及

薄膜图形，在上述基底膜上形成为预定的形状。

另外，采用该发明的第2观点的指纹检测器件，其特征在于，具备：

基板，形成有用于检测被检验者的指纹的多个光传感器和覆盖这些光传感器的透明绝缘膜；

基底膜，由多个绝缘膜构成，该多个绝缘膜通过由感光性树脂构成的干膜分别形成为预定的形状，并分别层叠成大小相互不同、且端面相互不一致，上述预定的形状包括在上述基板上形成的上述透明绝缘膜上的与上述光传感器对应的部分；及

静电保护膜，由透明导电膜构成，该透明导电膜在上述基底膜和上述基板上的上述透明绝缘膜上被形成为预定的图形。

进而，采用该发明的第3观点的薄膜器件的制造方法，其特征在于，具备：

准备形成有薄膜元件的基板的工序；

形成基底膜的工序，该基底膜由至少一层绝缘膜构成，该绝缘膜在上述基板的上述薄膜元件的上侧粘合有由感光性树脂材料构成的至少一个薄膜，并通过曝光及蚀刻而形成为预定的形状；及

在上述基底膜上将薄膜图形形成为预定的形状的工序。

若采用本发明的薄膜器件基板，可以降低设置在薄膜元件的上层的薄膜图形发生的缺陷，得到可靠性高的薄膜器件。

另外，在本发明的薄膜器件基板的制造方法中，降低在薄膜元件的上层设置的薄膜图形发生的缺陷，在不增加工时的情况下能够容易地制造合格率及可靠性高的薄膜器件。

附图说明

图1是局部放大表示作为本发明的第1实施例的指纹认正装置的示意剖面图。

图2A～2D是分别示出作为上述第1实施例的指纹认正装置的制造方法中的层叠基底膜的第1层的工艺的工序说明图。

图3A～3D是分别示出作为上述第1实施例的指纹认正装置的制造方法中的层叠基底膜的第2层的工艺的工序说明图。

图4A～4D是分别示出作为上述第1实施例的指纹认正装置的制造方法中的层叠基底膜的第3层的工艺的工序说明图。

图5是局部放大表示作为本发明的第2实施例的指纹认正装置的示意剖面图。

图6A～6D是分别示出作为上述第2实施例的指纹认正装置的制造方法中的层叠基底膜的第1层的工艺的工序说明图。

图7A～7D是分别示出作为上述第2实施例的指纹认正装置的制造方法中的层叠基底膜的第2层的工艺的工序说明图。

图8A～8D是分别示出作为上述第2实施例的指纹认正装置的制造方法中的层叠基底膜的第3层的工艺的工序说明图。

具体实施方式

(第1实施例)

图1是局部放大示出作为本发明的第1实施例的指纹认正装置的示意剖面图，图2A～2D乃至图4A～4D是分别示出该指纹认正装置的制造工序的工序说明图。

本实施例的指纹认正装置如图1所示那样构成。即，在设置有未图示的电极布线的玻璃基板1上，多个光传感器2矩阵状地排列在预定的位置。覆盖这些光传感器2均匀地形成有透明绝缘膜3。在该透明绝缘膜3的表面，层叠3层干膜4a、4b、4c而形成的基底膜4与光传感器2的排列区域对应地设置成规定的图形。而后，从构成该3层结构的基底膜4的图形上遍及其外侧，形成有静电保护用透明电极5，并构图成预定形状的图形。

透明绝缘膜3由氮化硅(SiN)构成，利用例如CVD(ChemicalVapor Deposition，化学气相沉积)法覆盖光传感器2，在玻璃基板1表面均匀地形成。为了防止基板1的电极布线间或它们与静电保护用透明电极5之间等的短路而设置有该透明绝缘膜3。

基底膜4不仅作为支持静电保护用透明电极5的基底设置，还作为加强或防止光传感器2的配设区域的劣化的保护层设置。使用相同的感光性树脂材料以相同的厚度t形成了构成该基底膜4的3层干膜4a、4b、4c。在本实施例中使用的感光性树脂材料是将透明性优良的丙烯树脂作为基础聚合物，在其中混合聚合性单体、光聚合开始剂等添加剂来调制，使照射光的部分固化而残留的负片型材料。

层叠成3层的3片干膜4a、4b、4c中的第1层的第1干膜4a，在透明绝缘膜3的表面形成预定的规定图形。在该第1干膜4a上，至少覆盖其表面和端面而层叠有第2层的第2干膜4b。该第2干膜4b的覆盖第1干膜4a的端面的端部41b由沿着第1干膜4a的端面的立起部411b、和沿着绝缘膜3的表面仅延伸出尺寸L的延出部412b构成。该延出尺寸L形成为比干膜的厚度t的值长的尺寸。

然后，同样地覆盖其第2干膜4b的表面和端面，层叠第3层的第3干膜3c。该第3干膜的覆盖第2干膜的端部41b的端部41c形成为阶梯状，该阶梯状对应于干膜的层叠片数形成并具备与其相同数量的3个台阶。在此，形成的各台阶的高度大致等于对应的干膜的厚度，在本实施例中，由于3片干膜4a、4b、4c形成为相同的厚度t，因此各台阶的大小g也大致等于各干膜4a～4c的厚度t。

从基板1上的形成第3干膜4c的区域遍及其外侧设置有静电保护用透明电极5。为了去除放置在基底膜4上的指纹提取区域的手指上所带的静电而设置有该静电保护用透明电极5。

在此，静电保护用透明电极5通过对由ITO(indium tin oxide，铟锡氧化物)等透明导电材料构成的厚度为几百到几千左右薄膜进行光刻构图而形成。在本实施例中，如上所示，由于基底膜4的端面形成为由大小都相等的3个台阶构成的阶梯状，因此利用减小的各个台阶，不发生  “台阶缺口”并能够使其追随薄的透明导电膜而均匀容易地形成。

另外，通过光刻对均匀地形成有透明导电膜进行构图作为静电保护用透明电极5时，在透明导电膜上形成光致抗蚀剂，但由于该透明导电膜表面的台阶也是与形成在第3干膜4c表面的阶梯状台阶大致相等的台阶，因此能够容易使光致抗蚀剂追随各台阶均匀地形成。其结果，不发生“台阶缺口”或构图不良，能够确实且容易地得到形成准确的图形的优质的静电保护用透明电极5。

而且，有关构成本实施例的指纹认正装置的上述各部件的厚度分别设定为：玻璃基板1为0.5mm，绝缘膜3约为1μm，构成基底膜4的3片干膜4a、4b、4c分别是3μm左右，基底膜4整体约为10μm，静电保护用透明电极5分别从0.1到0.2μm。

另外，检测指纹时，使被检验者的指尖的存在指纹的指腹接触并放置在基底膜4上的指纹提取区域，从相对于其指腹的正面侧(玻璃基板1侧)、或侧面侧、或者背面侧照射光，在从正面侧的情况下，通过光传感器检测透过玻璃基板1入射并被指纹反射的光，，在从背面侧的情况下，通过光传感器检测透过指尖的光，从而提取指纹图像。

接着，根据图2A～2D至图4A～4D对本实施例的指纹认正装置的制造方法的基底膜的形成工序进行说明。

首先，如图2A所示，在玻璃基板1上覆盖光传感器2均匀地形成的透明绝缘膜3的平坦表面上，使在透明的基片6上层叠有由上述负片型感光性树脂材料构成的第1干膜的第1干膜片4A无间隙地粘合。这时，隔着上述基片6压接热压合工具(未图示)，将第1干膜片4A加热到大致100～120℃的同时无间隙地压接在透明绝缘膜3的表面。

接着，对第1干膜片4A进行曝光。在该曝光工序中，如图2B所示，在仍层叠有基片6的第1干膜片4A上配置第1遮光掩膜7a并照射光(用空心箭头表示)。由于使用负片型感光性树脂材料作为干膜的材料，因此在该曝光工序中使用的第1遮光掩膜7a的开口71a被设置成与构成基底膜4的第1干膜4a(参照图1)的形成区域对应。

此后，如图2C所示，从第1干膜片4A上去除基片6，在被曝光的第1干膜片4A的表面，如箭头所示那样大致均等地散布显影液来进行显影。由此，如图2D所示，在第1干膜片4A中的曝光工序中去除未照射光的区域的感光性材料，残留照射了光的部分作为第1干膜4a。

接着，在如上所述地形成的第1干膜4a上层叠形成第2干膜4b(参照图1)。首先，如图3A所示，将在单面层叠有透明的基片6的第2干膜片4B，以基片6的面作为表面层压成无间隙地覆盖第1干膜4a和玻璃基板1表面的状态。此时，与使上述第1干膜片4A粘合的过程相同，压接热压合工具加热到120℃左右的同时加压，也无间隙地追随第1干膜4a的端面而层压第2干膜片4B。由此，能够对应于第1干膜4a的端面，将在基片6的表面产生的台阶的大小g抑制为大致等于第1干膜4a的层厚t的大小。

接着，如图3B所示，用第2遮光掩膜7b进行曝光。在该第2遮光掩膜7b上设置的开口71b的大小被设定为将第1干膜4a面积在整个外周仅均等地扩张扩大尺寸D1的大小。该扩大尺寸D1被设定为比干膜4的厚度t的2倍大的尺寸。

此后，如图3C所示，与形成第1干膜4a时同样地进行显影。由此，如图3D所示，层叠形成在端面具有大小都是g的2个台阶的第2干膜4b。即，形成第2干膜4b的覆盖第1干膜4a的端面的端部41b由使厚度t的第2干膜片4B沿着第1干膜4a的端面的立起部411b、和沿着透明绝缘膜3的表面仅延伸出尺寸L的延出部412b构成。然后，延出部412b的延出尺寸L大致成为从第2遮光掩膜7b的开口71b的扩大尺寸D1中减去厚度t的尺寸。

进而，如上所述，在层叠形成的第2干膜4b上层叠形成第3干膜4c(参照图1)。与上述各工序同样，首先，如图4A所示，将单面上贴有透明基片6的第3干膜片4C以基片6的面作为表面层压成无间隙地覆盖第2干膜4b和玻璃基板1表面的状态。

接着，如图4B所示，使用第3遮光掩膜7c进行曝光。设置在该第3遮光掩膜7c上的开口71c的大小被设定为将第2遮光掩膜7b的开口71b在其整个外周仅均等地扩张扩大尺寸D2的大小。该扩大尺寸D2设定为至少比干膜4的厚度t大的尺寸即可。该尺寸优选与对第2遮光掩膜7b的扩张尺寸D1同样地比干膜4的厚度t的2倍大。

接着，如图4C所示，与到此为止的对第1、第2干膜片4A、4B的显影工序同样地进行显影。由此，如图4D所示地层叠形成第3干膜4c，该第3干膜4c在端面上具有大小都等于干膜的厚度t的3个台阶g。

此后，在230～240℃下成批烧结固化层叠了3层的第1～第3干膜4a、4b、4c，在最上层的第3干膜4c的包含阶梯状端面的整个露出表面、即基底膜4的整个露出表面的玻璃基板1上，在200～210℃的环境下，通过溅射将由ITO构成的透明导电膜均匀地成膜。而后，通过光刻将均匀成膜的ITO薄膜构图为规定的图形，由此，得到图1所示的在表面设置有静电保护用透明电极5的指纹认正装置。

如上那样，本实施例的指纹认正装置，将支持静电保护用透明电极5的基底膜4构成为厚度相等的3层干膜层叠体，将其端面形成为台阶的数量与干膜4a～4c的层叠数相同数量的3层且各台阶的大小g与干膜4a～4c的厚度t相同大小的阶梯状。由此，各台阶的大小g减小为基底膜4的厚度的1/3左右，能够追随各台阶而均匀地成膜用于形成静电保护用透明电极5的ITO的薄膜。另外，也能够追随各台阶而均匀地形成用于构图该ITO薄膜的光致抗蚀剂层。由此，可靠地得到没有ITO薄膜不追随台阶而脱落的“台阶缺口”或因光致抗蚀剂层的脱落造成的构图不良的、优质的静电保护用透明电极5。

进而，通过将基底膜4构成为3层干膜层叠体，有效地防止贯通基底膜4的整个层厚的针孔的发生，确实避免因静电保护用透明电极5和玻璃基板1上的布线等短路引起的光传感器2或驱动元件(未图示)等的损伤。

另外，本实施例的指纹认正装置的制造方法，通过依次层压多片干膜片、反复实施同样的光刻工艺而构成，因此，可以将由于用端面具有多个台阶的呈阶梯状的层叠体结构的基底膜4作为层叠体而导致的工时的增加，抑制到最小限度来制造。

其结果，若采用本实施例的指纹认正装置及其制造方法，能够防止静电保护用透明电极5的“台阶缺口”或构图不良、及基底膜4中的针孔等缺陷的发生，能够准确地构图优质的静电保护用透明电极5，并制造合格率高、可靠性优良的指纹认正装置。

(第2实施例)

接着，根据图5及图6A～图6D乃至图8A～图8D，对作为本发明的第2实施例的指纹认正装置及其制造方法进行说明。而且，对于与上述实施例同样的结构要素附以同样的符号，省略其说明。

本实施例的指纹认正装置，如图5所示，在配设有未图示的电极布线的玻璃基板1上多个光传感器2以规定的配置排列。覆盖这些光传感器2而均匀地形成绝缘膜3，在该绝缘膜3的表面，层叠3片干膜8a、8b、8c而形成3层结构的基底膜8与排列有上述光传感器2的区域对应而形成预定的规定图形。而后，从设置有基底膜8的区域遍及其外侧区域形成规定图形的静电保护用透明电极5。即，与上述第1实施例相比，只是基底膜8的层叠结构不同，其他结构大致相同。

如图5所示，与以丙烯树脂作为基础聚合物的上述实施例相同地、依次阶梯状地层叠由负片型感光性树脂材料构成的3层干膜8a、8b、8c而形成基底膜8。层叠成3层的干膜8a、8b、8c中的第1层的第1干膜8a设置成在透明绝缘膜3的表面形成规定图形，使第2层的第2干膜8b粘合并层叠在该第1干膜8a的除去了周端部81a的表面，进而，使第3层的第3干膜8c同样地粘合并层叠在该第2干膜8b的除去了周端部81b的表面。这样构成的基底膜8的端面也与第1实施例同样成为大小g等于各干膜8a、8b、8c的厚度t的、具备3个台阶的阶梯状。

在此，第1层的第1干膜8a和第2层的第2干膜8b的各边缘部被倒角加工。因基底带棱角的边缘部而容易发生静电保护用透明电极5中的“台阶缺口”或构图不良，因此，通过对第1、第2干膜8a、8b的各边缘部进行倒角加工，防止发生从基底膜8的设置区域遍及其外部区域设置的静电保护用透明电极5的“台阶缺口”或构图不良。而且，在第1干膜8a上形成的倒角部82a由于制造方法上的原因，形成的面积比在第2干膜8b上形成的倒角部82b大。

接着，根据图6A～6D乃至图8A～8D对本实施例的指纹认正装置的制造方法中的基底膜的形成工序进行说明。

首先，如图6A所示，在覆盖光传感器2而在玻璃基板1上均匀地形成的透明绝缘膜3的平坦的表面，与上述第1实施例的情况同样地利用热压合工具(未图示)，隔着透明的基片6，将由上述负片型感光性树脂材料构成的第1干膜8A加热到大致100～120℃的同时无间隙地压接。

接着，对第1干膜片8A实施曝光。如图6B所示，仍付带基片6，在第1干膜片8A上隔着第1遮光掩膜9a照射光(用空心箭头表示)。由于使用负片型感光性树脂材料作为干膜的材料，因此，在该曝光工序中使用的第1遮光掩膜9a的开口91a与构成基底膜8的第1干膜8a(参照图5)的配设区域对应而设置。

此后，从第1干膜片8A上去除基片6，如图6C所示，在被曝光的第1干膜片8A的表面如箭头所示那样大致均等地散布显影液来显影。由此，如图6D所示，去除在第1干膜片8A中的曝光工序中未照射光的区域的感光性材料，残留照射了光的部分作为第1干膜8a。

接着，为了在如上那样形成的第1干膜8a上层叠形成第2干膜8b，首先，如图7A所示，将单面层叠有透明基片6的第2干膜片8B，以基片的面作为表面层压成无间隙地覆盖第1干膜8a和玻璃基板1表面的状态。此时，与粘合上述第1干膜片8A的过程相同地使热压合工具压接并加热到120℃左右的同时加压，将第2干膜片8B层压为无间隙地追随第1干膜8a的端面。由此，能够对应于第1干膜8a的端面，将在基片6的表面产生的台阶的大小g抑制为大致等于第1干膜8a的层厚t的大小。

接着，如图7B所示，使用第2遮光掩膜9b进行曝光。在该第2遮光掩膜9b上设置的开口91b的大小被设定为将形成有第1干膜8a的区域的整个外周均等地缩短缩小尺寸D3的大小。

此后，如图7C所示，与形成第1干膜8a时同样地进行显影。由此，如图7D所示，在第1干膜8a上层叠形成第2干膜8b，该第2干膜8b的端面比下层的第1干膜8a的端面向内侧(中央部侧)仅退后上述第2遮光掩膜9b的开口91b缩短的缩小尺寸D3。即，在平坦的第1干膜8a上，层叠面积在整个外周缩小了上述缩小尺寸D3量的平坦的第2干膜8b。

在上述显影工序中，通过第1干膜8a的未层叠第2干膜8b的端部被显影液曝光，其边缘部形成倒角，形成倾斜面的倒角部82a。

进而，在如上所述地层叠形成的第2干膜8b上层叠形成第3干膜8c，如图8A所示，将在单面贴合有透明基片6的第3干膜片8C以基片6的面作为表面层压成，在遍及第2干膜8b和第1干膜8a的端部及玻璃基板1表面无间隙地覆盖的状态。

接着，如图8B所示，使用第3遮光掩膜9c进行曝光。设置在该第3遮光掩膜9c上的开口91c的大小被设定为将第2遮光掩膜9b的开口91b在其整个外周均等地减小缩小尺寸D4的大小。该缩小尺寸D4与第2遮光掩膜9b中的缩小尺寸D3同样地优选设定为比干膜8的厚度t还大。

接着，如图8C所示，与到此为止的对第1、第2干膜片8A、8B的显影工序同样地进行显影。由此，如图8D所示，在第2干膜8b上层叠形成第3干膜8c，该第3干膜8c的端面比下层的第2干膜8b的端面向内侧仅退后上述第3遮光掩膜9c的开口91c的缩小尺寸D4。即，在平坦的第1干膜8a上，依次层叠面积在整个外周减小缩小尺寸D3量的平坦的第2干膜8b、和面积比第2干膜8b在整个外周减小缩小尺寸D4量的平坦的第3干膜8c。

在该上述显影工序中，第1干膜8a的未层叠第2干膜8b的端部和第2干膜8b的未层叠第3干膜8c的端部被显影液曝光，由此第2干膜8b的边缘部形成倒角，形成倾斜面的倒角部82b，进而，形成在第1干膜8a上的倒角部82a再次被显影液曝光而增大，倾斜面的面积增加。

此后，在230～240℃下，使层叠有3层的第1～第3干膜8a、8b、8c成批烧结并固化，第3干膜8c的表面和端面、第2干膜8b的露出的端部表面和端面、及第1干膜8a的露出的端部表面和端面，即，基底膜8的整个露出面和整个与其相接的玻璃基板1上，在200～210℃的环境下通过溅射将由ITO构成的透明导电膜均匀地成膜。而后，通过光刻将均匀成膜的ITO薄膜构图为规定图形，从而得到图5所示的在表面按规定图形设有静电保护用透明电极5的指纹认正装置。

如上那样，本实施例2的指纹认正装置，与上述第1实施例同样，将支持在表面设有静电保护用透明电极5的基底膜8，用厚度相等的3层干膜层叠体构成，将其端面形成为台阶的数量与第1至第3干膜8a～8c的层叠数相同数量的3阶、且各台阶的大小g与第1至第3干膜8a～8c的厚度t相同大小的阶梯状，并且，将第1及第2的干膜8a、8b的边缘部进行倒角加工而形成倾斜面。由此，各个台阶的大小g减小到基底膜8的厚度的1/3左右，并且，减少难以使薄膜附着的边缘部，能够使形成静电保护用透明电极5的ITO的薄膜追随各个台阶而均匀且容易地形成。另外，能够使构图该ITO薄膜时的光致抗蚀剂层也追随各个台阶，可以进一步均匀且容易地形成。由此，能够确实得到没有ITO薄膜不追随台阶而脱落的“台阶缺口”或因光致抗蚀剂层的脱落造成的构图不良的、优质的静电保护用透明电极5。

进而，通过将基底膜8构成为3层的干膜层叠体，有效地防止贯通基底膜8的整个层厚的针孔的发生，确实避免了静电保护用透明电极5和玻璃基板1上的布线等短路。

另外，在本实施例的指纹认正装置的制造方法中，顺序地层压多片干膜片，依次地减小对每个干膜片反复实施的光刻所用的各遮光掩膜的开口。由此，台阶边缘部在制造工序上自然地形成倒角，能够与上述第1实施例的制造方法大致相同的工时来形成所希望的基底膜8，该基底膜的端面具备与干膜的层叠片数相同数量的台阶，并且呈边缘部形成倒角的阶梯状。

因此，若采用本实施例的指纹认正装置及其制造方法，能够防止“台阶缺口”或构图不良的发生，能够准确地构图静电保护用透明电极5，在不增加制造工时的情况下，制造良品率及可靠性进一步提高的指纹认正装置。

而且，本发明并不限定于上述实施例。

例如，在构成为层叠体的基底膜中，层叠的层数在上述第1、第2实施例中都是3层，但并不限于此，可以是2层，另外，也可以层叠3层以上。这时的各层的材料或厚度也不需要各层都相同，根据薄膜器件基板的用途选择设定为最适合即可。

另外，本发明的制造方法中使用的干膜材料，并不限于负片型感光型树脂材料，可以使用正片型感光型树脂材料。这时，可以如第1实施例那样，基底膜的层叠结构是上层覆盖下层的结构，也可以如第2实施例那样，基底膜端面的边缘部因显影作用而自然地形成倒角，可以形成更合适的基底膜。

进而，本发明并不限于指纹认正装置基板，能够广泛地适用于在基板的表面形成薄膜图形的各种器件基板，这是当然的。

如上那样，该发明的薄膜器件，其特征在于，包括：形成有薄膜元件的基板；基底膜，由至少一层绝缘膜构成，该绝缘膜配置在上述基板的薄膜元件的上侧，通过由感光性树脂材料构成的薄膜的粘合、曝光及蚀刻而形成为预定的形状；及薄膜图形，在上述基底膜上形成为预定的形状。

在该薄膜器件中，优选上述基底膜由依次层叠的绝缘膜构成，该绝缘膜通过由感光性树脂材料构成的多个干膜的层叠膜形成，并依次层叠成各层的各干膜具有不同的大小、且端面相互不一致。这时，希望在形成上述基底膜的多个层的各绝缘膜中，上述基板侧的下层绝缘膜的面积比上层绝缘膜小，覆盖上述下层绝缘膜而层叠了上层绝缘膜。另外，希望在形成上述基底膜的多个层的各绝缘膜中，基板侧的下层绝缘膜的面积比上层绝缘膜大，在上述下层绝缘膜上层叠了上层绝缘膜。进而，这时，希望上述基底膜的多个绝缘膜被去除了基板侧的下层绝缘膜端面的边缘部。

在该发明的薄膜器件中，优选在上述基板上形成有用于检测被检验者的指纹的多个光传感器和覆盖这些光传感器的透明绝缘膜；上述基底膜由形成在上述透明绝缘膜上的、实质上透明的多个干膜的层叠膜形成；上述薄膜图形由在上述基底膜上形成为规定图形的透明导电膜构成，并形成被检验者的手指与表面接触的静电保护膜。

另外，该发明的指纹检测装置，优选具备：基板，形成有用于检测被检验者的指纹的多个光传感器和覆盖这些光传感器的透明绝缘膜；基底膜，由多个绝缘膜构成，该多个绝缘膜通过由感光性树脂构成的干膜分别形成为预定的形状，并分别层叠成大小相互不同、且端面相互不一致，上述预定的形状包括在上述基板上形成的上述透明绝缘膜上的与上述光传感器对应的部分；及静电保护膜，由透明导电膜构成，该透明导电膜在上述基底膜和上述基板上的上述透明绝缘膜上被形成为预定的图形。

该指纹检测器件中，优选在上述基底膜的多个绝缘膜中，基板侧的下层绝缘膜的面积比上层绝缘膜小，并覆盖上述下层绝缘膜而层叠了上层绝缘膜。另外，优选在上述基底膜的多个绝缘膜中，基板侧的下层绝缘膜的面积比上层绝缘膜大，在上述下层绝缘膜上层叠了上层绝缘膜。并且，这时，优选上述基底膜的多个绝缘膜被去除了基板侧的下层绝缘膜端面的边缘部。

进而，该发明的薄膜器件的制造方法，优选具备：准备形成有薄膜元件的基板的工序；形成基底膜的工序，该基底膜由至少一层绝缘膜构成，该绝缘膜在上述基板的上述薄膜元件的上侧粘合有由感光性树脂材料构成的至少一个薄膜，并通过曝光及蚀刻而形成为预定的形状；及在上述基底膜上将薄膜图形形成为预定的形状的工序。

在该薄膜器件的制造方法中，优选形成上述基底膜的工序包括将多个绝缘膜层叠为各自具有不同大小、且构成各层绝缘膜的端面相互不一致的工序。这时，希望在形成上述基底膜的工序中，上述多个绝缘膜中的基板侧的下层绝缘膜的面积比上层绝缘膜小，并且，上述工序包括覆盖上述下层绝缘膜而依次层叠上层绝缘膜的工序。另外，优选在形成上述基底膜的工序中，上述多个绝缘膜中的基板侧的下层绝缘膜的面积比上层绝缘膜大，并且，上述工序包括在上述下层绝缘膜上依次层叠上层绝缘膜的工序。并且，这时，优选准备基板的工序包括在形成有薄膜元件的基板上形成透明绝缘膜的工序。

在该发明的薄膜器件的制造方法中，优选形成基底膜的工序形成基底膜的工序具备：第1工序，在上述基板的薄膜元件的上侧粘合由感光性树脂材料构成的第1干膜，利用具备规定形状的开口的第1遮光掩膜，通过光刻形成具有规定图形形状的第1绝缘膜；第2工序，在形成有上述第1绝缘膜的基板上粘合由感光性树脂材料构成的第2干膜，利用具备大小与上述第1遮光掩膜的开口不同的开口的第2遮光掩膜，通过光刻形成具有规定图形形状的第2绝缘膜；及第3工序，在形成有上述第2绝缘膜的基板上粘合由感光性树脂材料构成的第3干膜，利用具备大小与上述第1和第2遮光掩膜的开口互不相同的开口的第3遮光掩膜，通过光刻形成具有规定图形形状的第3绝缘膜。这时，在上述第1、第2、及第3工序中，用于各工序的遮光掩膜的开口大小被形成为上述第2遮光掩膜比上述第1遮光掩膜小、且上述第3遮光掩膜比上述第2遮光掩膜小，利用各遮光掩膜对各干膜进行曝光。此外，上述第2工序包括去除上述第1工序中形成的上述第1绝缘膜端部的边缘部的工序，上述第3工序包括去除上述第1及第2工序中形成的上述第1及第2绝缘膜端部的边缘部的工序。

而且，在该发明的薄膜器件的制造方法中，优选在形成薄膜图形的工序中，从形成有上述基底膜的区域遍及其外侧区域而形成上述薄膜图形。这时，优选上述多片干膜分别是由负片型感光性树脂构成的干膜。

Claims (20)

1.一种薄膜器件，其特征在于，包括：

形成有薄膜元件的基板；

基底膜，由至少一层绝缘膜构成，该绝缘膜配置在上述基板的薄膜元件的上侧，通过由感光性树脂材料构成的薄膜的粘合、曝光及蚀刻而形成为预定的形状；及

薄膜图形，在上述基底膜上形成为预定的形状。

2.如权利要求1所述的薄膜器件，其特征在于，上述基底膜由依次层叠的绝缘膜构成，该绝缘膜通过由感光性树脂材料构成的多个干膜的层叠膜形成，并依次层叠成各层的各干膜具有不同的大小、且端面相互不一致。

3.如权利要求2所述的薄膜器件，其特征在于，在形成上述基底膜的多个层的各绝缘膜中，上述基板侧的下层绝缘膜的面积比上层绝缘膜小，覆盖上述下层绝缘膜而层叠了上层绝缘膜。

4.如权利要求2所述的薄膜器件，其特征在于，在形成上述基底膜的多个层的各绝缘膜中，基板侧的下层绝缘膜的面积比上层绝缘膜大，在上述下层绝缘膜上层叠了上层绝缘膜。

5.如权利要求4所述的薄膜器件，其特征在于，上述基底膜的多个绝缘膜被去除了基板侧的下层绝缘膜端面的边缘部。

6.如权利要求1所述的薄膜器件，其特征在于，

在上述基板上形成有用于检测被检验者的指纹的多个光传感器和覆盖这些光传感器的透明绝缘膜；

上述基底膜由形成在上述透明绝缘膜上的、实质上透明的多个干膜的层叠膜形成；

上述薄膜图形由在上述基底膜上形成为规定图形的透明导电膜构成，并形成被检验者的手指与表面接触的静电保护膜。

7.一种指纹检测装置，其特征在于，具备：

基板，形成有用于检测被检验者的指纹的多个光传感器和覆盖这些光传感器的透明绝缘膜；

基底膜，由多个绝缘膜构成，该多个绝缘膜通过由感光性树脂构成的干膜分别形成为预定的形状，并分别层叠成大小相互不同、且端面相互不一致，上述预定的形状包括在上述基板上形成的上述透明绝缘膜上的与上述光传感器对应的部分；及

静电保护膜，由透明导电膜构成，该透明导电膜在上述基底膜和上述基板上的上述透明绝缘膜上被形成为预定的图形。

8.如权利要求7所述的指纹检测器件，其特征在于，在上述基底膜的多个绝缘膜中，基板侧的下层绝缘膜的面积比上层绝缘膜小，并覆盖上述下层绝缘膜而层叠了上层绝缘膜。

9.如权利要求7所述的指纹检测器件，其特征在于，在上述基底膜的多个绝缘膜中，基板侧的下层绝缘膜的面积比上层绝缘膜大，在上述下层绝缘膜上层叠上层绝缘膜。

10.如权利要求9所述的指纹检测器件，其特征在于，上述基底膜的多个绝缘膜被去除了基板侧的下层绝缘膜端面的边缘部。

11.一种薄膜器件的制造方法，其特征在于，具备：

准备形成有薄膜元件的基板的工序；

形成基底膜的工序，该基底膜由至少一层绝缘膜构成，该绝缘膜在上述基板的上述薄膜元件的上侧粘合有由感光性树脂材料构成的至少一个薄膜，并通过曝光及蚀刻而形成为预定的形状；及

在上述基底膜上将薄膜图形形成为预定的形状的工序。

12.如权利要求11所述的薄膜器件的制造方法，其特征在于，形成上述基底膜的工序包括将多个绝缘膜层叠为各自具有不同大小、且构成各层绝缘膜的端面相互不一致的工序。

13.如权利要求12所述的薄膜器件的制造方法，其特征在于，在形成上述基底膜的工序中，上述多个绝缘膜中的基板侧的下层绝缘膜的面积比上层绝缘膜小，并且，上述工序包括覆盖上述下层绝缘膜而依次层叠上层绝缘膜的工序。

14.如权利要求12所述的薄膜器件的制造方法，其特征在于，在形成上述基底膜的工序中，上述多个绝缘膜中的基板侧的下层绝缘膜的面积比上层绝缘膜大，并且，上述工序包括在上述下层绝缘膜上依次层叠上层绝缘膜的工序。

15.如权利要求11所述的薄膜器件的制造方法，其特征在于，

准备基板的工序包括在形成有薄膜元件的基板上形成透明绝缘膜的工序。

16.如权利要求11所述的薄膜器件的制造方法，其特征在于，

形成基底膜的工序具备：

第1工序，在上述基板的薄膜元件的上侧粘合由感光性树脂材料构成的第1干膜，利用具备规定形状的开口的第1遮光掩膜，通过光刻形成具有规定图形形状的第1绝缘膜；

第2工序，在形成有上述第1绝缘膜的基板上粘合由感光性树脂材料构成的第2干膜，利用具备大小与上述第1遮光掩膜的开口不同的开口的第2遮光掩膜，通过光刻形成具有规定图形形状的第2绝缘膜；及

第3工序，在形成有上述第2绝缘膜的基板上粘合由感光性树脂材料构成的第3干膜，利用具备大小与上述第1和第2遮光掩膜的开口互不相同的开口的第3遮光掩膜，通过光刻形成具有规定图形形状的第3绝缘膜。

17.如权利要求16所述的薄膜器件的制造方法，其特征在于，在上述第1、第2、及第3工序中，用于各工序的遮光掩膜的开口大小被形成为上述第2遮光掩膜比上述第1遮光掩膜小、且上述第3遮光掩膜比上述第2遮光掩膜小，利用各遮光掩膜对各干膜进行曝光。

18.如权利要求17所述的薄膜器件的制造方法，其特征在于，上述第2工序包括去除上述第1工序中形成的上述第1绝缘膜端部的边缘部的工序，上述第3工序包括去除上述第1及第2工序中形成的上述第1及第2绝缘膜端部的边缘部的工序。

19.如权利要求11所述的薄膜器件的制造方法，其特征在于，在形成薄膜图形的工序中，从形成有上述基底膜的区域遍及其外侧区域而形成上述薄膜图形。

20.如权利要求11所述的薄膜器件的制造方法，其特征在于，上述多片干膜分别是由负片型感光性树脂构成的干膜。

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