KR20080002666A - 박막 소자와 그 표면에 박막 패턴을 갖는 박막 디바이스 및그 제조방법 - Google Patents

박막 소자와 그 표면에 박막 패턴을 갖는 박막 디바이스 및그 제조방법 Download PDF

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Abstract

박막 디바이스는 기판 상에 형성된 복수개의 박막 소자와, 이들 박막 소자를 덮고 형성된 투명절연막과, 이 투명절연막 상에 형성된 하지막과, 또한 그 위에 형성된 도전성을 가진 박막으로 구성된다. 상기 하지막은 상기 투명절연막의 표면에 감광성을 갖는 드라이필름을 밀착, 노광, 에칭에 의해서 순차 적층시켜 형성된 3층의 절연막에 의해 구성되어 있다.
지문, 포토센서, 단차, 드라이필름, 정전보호용 투명전극

Description

박막 소자와 그 표면에 박막 패턴을 갖는 박막 디바이스 및 그 제조방법{THIN FILM DEVICE HAVING THIN FILM ELEMENTS AND THIN FILM PATTERN FORMED ON THIN FILM ELEMENTS, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
도 1은 본 발명의 제 1 실시예로서의 지문 인증 디바이스를 부분적으로 확대하여 나타낸 모식적 단면도,
도 2의 (a)∼(d)는 각각, 상기 제 1 실시예로서의 지문 인증 디바이스의 제조방법에 있어서의 하지막(undercoat; 밑바탕막)의 1층째를 적층하는 프로세스를 나타낸 공정 설명도,
도 3의 (a)∼(d)는 각각, 상기 제 1 실시예로서의 지문 인증 디바이스의 제조방법에 있어서의 하지막의 2층째를 적층하는 프로세스를 나타낸 공정 설명도,
도 4의 (a)∼(d)는 각각, 상기 제 1 실시예로서의 지문 인증 디바이스의 제조방법에 있어서의 하지막의 3층째를 적층하는 프로세스를 나타낸 공정 설명도,
도 5는 본 발명의 제 2 실시예로서의 지문 인증 디바이스를 부분적으로 확대하여 나타낸 모식적 단면도,
도 6의 (a)∼(d)는 각각, 상기 제 2 실시예로서의 지문 인증 디바이스의 제조방법에 있어서의 하지막의 1층째를 적층하는 프로세스를 나타낸 공정 설명도,
도 7의 (a)∼(d)는 각각, 상기 제 2 실시예로서의 지문 인증 디바이스의 제 조방법에 있어서의 하지막의 2층째를 적층하는 프로세스를 나타낸 공정 설명도,
도 8의 (a)∼(d)는 각각, 상기 제 2 실시예로서의 지문 인증 디바이스의 제조방법에 있어서의 하지막의 3층째를 적층하는 프로세스를 나타낸 공정 설명도.
본 발명은 기판 상에 박막 소자와 그 표면에 박막 패턴이 형성된 박막 디바이스 및 그 제조방법에 관한 것이다.
기판 상에 박막 트랜지스터나 포토센서 등의 박막 소자가 설치된 박막 디바이스에 있어서, 상기 박막 소자의 표면에 대전 방지 또는 정전기를 검출하기 위한 도전막 등의 박막 패턴은 상기 박막 소자를 보호하고, 또 상층에 형성되는 박막 패턴을 지지하기 위한 하지막의 위에 형성된다.
예를 들면, 일본국 특허공개공보 제2003－91510호에 나타나는 바와 같은 지문 인증 디바이스에 있어서는 포토센서를 구성하는 트랜지스터와 표면의 정전기제거 전극의 사이에 절연보호막이 설치되어 있다. 이 절연보호막은 상기 트랜지스터를 보호하는 동시에, 박막 패턴의 정전기제거 전극을 지지하는 하지막으로 되어 있다.
상술한 지문 인증 디바이스에 있어서의 정전기제거 전극막은 투명전극으로 형성되어 있고, 그 막두께는 수백Å 내지 수천Å정도로 얇다. 상기 절연보호막은 상기 트랜지스터를 보호하는데 충분한 두께, 예를 들면, 막두께가 수㎛ 내지 수십㎛로 두껍다. 상기 정전기제거 전극막은 적어도, 상기 트랜지스터의 형성영역의 주변영역에 있어서 미리 정한 형상으로 패터닝되어 있다. 그 때문에, 상기 절연보호막 상에 형성되는 얇은 정전기제거 전극막이 상기 절연보호막의 수㎛ 내지 수십㎛의 막두께분의 단차에 추종할 수 없어, 피착되어 있지 않은 소위 「단끊김」부가 발생한다.
또, 정전기제거 전극막은 포토리소그래피에 의해 소정 형상의 패턴으로 패터닝되기 때문에, 포토레지스트를 피착시킬 때, 포토레지스트를 상기 단차에 추종시켜 피착하는 것이 어렵고, 포토레지스트의 결락에 기인하는 패터닝불량도 발생한다.
본 발명의 목적은 박막 소자의 상층에 설치되는 박막 패턴의 결함의 발생을 저감시킨 양품률 및 신뢰성이 높은 박막 디바이스와 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제 1 관점에 의한 박막 디바이스는 박막 소자가 형성된 기판과, 상기 기판의 박막 소자의 상측에 배치되고, 감광성수지 재료로 이루어지는 필름의 밀착, 노광 및 에칭에 의해서 미리 정한 형상으로 형성된 적어도 1층의 절연막으로 이루어지는 하지막과, 상기 하지막의 위에 미리 정한 형상으로 형성된 박막 패턴으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또 본 발명의 제 2 관점에 의한 지문 검출 디바이스는 피험자의 지문을 검출 하기 위한 복수의 포토센서와 이들 포토센서를 덮는 투명절연막이 형성된 기판과, 상기 기판 상에 형성된 상기 투명절연막 상의 상기 포토센서에 대응하는 부분을 포함하는 미리 정한 형상으로, 감광성수지로 이루어지는 드라이필름에 의해서 각각 형성되고, 서로 크기가 다르며 또한 단면이 서로 일치하지 않도록 각각 적층된 복수의 절연막으로 이루어지는 하지막과, 상기 하지막과 상기 기판 상의 상기 투명절연막의 위에 미리 정한 패턴으로 형성된 투명도전막으로 이루어지는 정전보호막을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 3 관점에 의한 박막 디바이스의 제조방법은 박막 소자가 형성된 기판을 준비하는 공정과, 상기 기판의 상기 박막 소자의 상측에 감광성수지 재료로 이루어지는 적어도 1개의 필름을 밀착시키고, 노광 및 에칭에 의해서 미리 정한 형상의 적어도 1층의 절연막으로 이루어지는 하지막을 형성하는 공정과, 상기 하지막의 위에 미리 정한 형상으로 박막 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
<제 1 실시예>
도 1은 본 발명의 제 1 실시예로서의 지문 인증 디바이스를 부분적으로 확대하여 나타낸 모식적 단면도이고, 도 2의 (a)∼(d) 내지 도 4의 (a)∼(d)는 각각, 그 지문 인증 디바이스의 제조공정을 나타낸 공정 설명도이다.
본 실시예의 지문 인증 디바이스는 도 1에 나타내는 바와 같이 구성되어 있다. 즉, 도시하지 않은 전극배선이 설치된 유리기판(1) 상에 복수개의 포토센서(2)가 미리 정한 위치에 매트릭스형상으로 배열되어 있다. 이들 포토센서(2)를 덮고 투명절연막(3)이 균일하게 형성되어 있다. 이 투명절연막(3)의 표면에는 3층의 드라이필름(4a, 4b, 4c)을 적층하여 형성된 하지막(4)이 포토센서(2)의 배열에리어(영역)에 대응시켜 소정의 패턴으로 설치되어 있다. 그리고, 이 3층 구조를 이루는 하지막(4)의 패턴 상으로부터 그 외측에 걸쳐 정전보호용 투명전극(5)이 형성되고, 미리 정한 형상의 패턴으로 패터닝되어 있다.
투명절연막(3)은 질화규소(SiN)로 이루어지고, 예를 들면 CVD(chemical vapor deposition)법에 의해 포토센서(2)를 덮고 유리기판(1) 표면에 균일하게 형성되어 있다. 이 투명절연막(3)은 기판(1)의 전극배선간이나 이것과 정전보호용 투명전극(5)간 등의 쇼트(short; 단락)를 방지하기 위해 설치되어 있다.
하지막(4)은 정전보호용 투명전극(5)을 지지하는 하지로서 뿐만 아니라, 포토센서(2)의 배치에리어의 보강이나 열화 방지를 위한 보호층으로서 설치되어 있다. 이 하지막(4)을 구성하는 3층의 드라이필름(4a, 4b, 4c)은 동일한 감광성수지 재료를 이용하여 동일한 두께 t로 형성되어 있다. 본 실시예에서 이용하는 감광성수지 재료는 투명성이 우수한 아크릴수지를 베이스 폴리머로 하고, 이것에 중합성 모노머, 광중합 개시제 등의 첨가제를 혼합해서 조제되고, 빛을 조사한 부분을 경화시켜 잔존시키는 네거티브타입의 것이다.
3층으로 적층되는 3개의 드라이필름(4a, 4b, 4c) 중의 1층째의 제 1 드라이필름(4a)은 투명절연막(3)의 표면에 미리 정한 소정의 패턴으로 형성된다. 이 제 1 드라이필름(4a) 상에는 적어도 그 표면과 단면을 덮고 2층째의 제 2 드라이필름(4b)이 적층되어 있다. 이 제 2 드라이필름(4b)의 제 1 드라이필름(4a)의 단면을 덮는 단부(41b)는 제 1 드라이필름(4a)의 단면을 따른 상승부(411b)와 절연막(3)의 표면을 따르게 해서 치수 L만큼 연장돌출시킨 연장돌출부(412b)로 이루어진다. 그 연장돌출 치수 L은 드라이필름의 두께 t의 값보다 긴 치수로 형성되어 있다.
그리고 마찬가지로, 그 제 2 드라이필름(4b)의 표면과 단면을 덮고, 3층째의 제 3 드라이필름(3c)이 적층되어 있다. 이 제 3 드라이필름의 제 2 드라이필름의 단부(41b)를 덮는 단부(41c)는 드라이필름의 적층 개수에 대응해서 형성되는 그것과 동일수의 3개의 단차를 구비한 계단형상으로 형성되어 있다. 여기서, 형성되는 각 단차의 높이는 대응하는 드라이필름의 두께에 대략 동일하고, 본 실시예에서는 3개의 드라이필름(4a, 4b, 4c)은 동일한 두께 t로 형성되어 있기 때문에, 각 단차의 크기 g도 각 드라이필름(4a∼4c)의 두께 t에 대략 동일하다.
기판(1) 상의 제 3 드라이필름(4c)이 형성된 영역으로부터 그 외측에 걸쳐 정전보호용 투명전극(5)이 배치되어 있다. 이 정전보호용 투명전극(5)은 하지막(4) 상의 지문 채취 에리어에 탑재된 손가락에 대전되어 있는 정전기를 제거하기 위해 설치되어 있다.
여기서, 정전보호용 투명전극(5)은 ITO(indium tin oxide) 등의 투명도전재료로 이루어지는 두께가 수백Å 내지 수천Å정도의 박막을 포토리소그래피에 의해 패터닝하여 형성되어 있다. 본 실시예에 있어서는 상술한 바와 같이, 하지막(4)의 단면을 크기가 모두 동일한 3개의 단차로 이루어지는 계단형상으로 형성하고 있기 때문에 얇은 투명도전막을, 작게 된 개개의 단차에 의해 「단끊김」을 발생시키는 일 없이 추종시켜 균일하게 용이하게 형성시킬 수 있다.
또, 균일하게 형성된 투명도전막을 포토리소그래피에 의해 패터닝하여 정전보호용 투명전극(5)으로 할 때에는 투명도전막 상에 포토레지스트를 형성시키지만, 이 투명도전막 표면의 단차도 제 3 드라이필름(4c) 표면에 형성되어 있던 계단형상 단차와 대략 동일한 단차이기 때문에, 용이하게 포토레지스트를 각 단차에 추종시켜 균일하게 형성시킬 수 있다. 그 결과, 「단끊김」이나 패터닝불량을 발생시키지 않고 정확한 패턴으로 형성된 양질의 정전보호용 투명전극(5)이 확실하고 또한 용이하게 얻어진다.
또한, 본 실시예의 지문 인증 디바이스를 구성하는 상기 각 부재의 두께는 유리기판(1)이 0.5㎜, 절연막(3)이 약 1㎛, 하지막(4)을 구성하는 3개의 드라이필름(4a, 4b, 4c)은 각각 3㎛ 정도로 하지막(4) 전체에서 약 10㎛, 정전보호용 투명전극(5)은 0.1 내지 0. 2㎛로, 각각 설정되어 있다.
또, 지문을 검출할 때는 하지막(4) 상의 지문 채취 에리어에 피험자의 손가락끝의 지문이 존재하는 복부를 접촉시켜 탑재하고, 그 복부에 대향하는 정면측(유리기판(1)측) 또는 측면측 혹은 배면측으로부터 빛을 조사하고, 정면측으로부터의 경우는 유리기판(1)을 투과하여 입사하고 지문에 반사된 빛을, 배면측으로부터의 경우는 손가락끝을 투과한 빛을 각각 포토센서에 의해 검지하여 지문화상을 채취한다.
다음에, 본 실시예의 지문 인증 디바이스의 제조방법에 있어서의 하지막의 형성공정에 대해, 도 2의 (a)∼(d) 내지 도 4의 (a)∼(d)에 의거하여 설명한다.
우선, 도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이, 유리기판(1) 상에 포토센서(2)를 덮고 균일하게 형성된 투명절연막(3)의 평탄한 표면에, 투명한 베이스 시트(6)에 상기 네거티브타입 감광성수지 재료로 이루어지는 제 1 드라이필름이 적층된 제 1 드라이필름 시트(4A)를 간극(틈)없이 밀착시킨다. 이 때, 상기 베이스 시트(6)를 통해 열압착 툴(도시하지 않음)을 압접시켜, 제 1 드라이필름 시트(4A)를 100∼120℃정도로 가열하면서 투명절연막(3)의 표면에 간극없이 압착한다.
다음에, 제 1 드라이필름 시트(4A)에 대한 노광을 실행한다. 이 노광공정에 있어서는 도 2의 (b)에 나타내는 바와 같이, 베이스 시트(6)를 적층한 채, 제 1 드라이필름 시트(4A) 상에 제 1 차광마스크(7a)를 배치하고, 빛(백색 화살표로 나타냄)을 조사한다. 이 노광공정에서 사용하는 제 1 차광마스크(7a)의 개구(71a)는 드라이필름의 재료로서 네거티브타입의 감광성수지 재료를 이용하고 있기 때문에, 하지막(4)을 구성하는 제 1 드라이필름(4a)(도 1 참조)의 형성영역에 대응시켜 설치되어 있다.
그 후, 도 2의 (c)에 나타내는 바와 같이, 제 1 드라이필름 시트(4A)로부터 베이스 시트(6)를 제거하고, 노광된 제 1 드라이필름 시트(4A)의 표면에 화살표로 나타내는 바와 같이 현상액을 대략 균등하게 산포(散布)하여 현상한다. 이것에 의해, 도 2의 (d)에 나타내는 바와 같이, 제 1 드라이필름 시트(4A) 중의 노광공정에서 빛이 조사되지 않았던 에리어의 감광성재료가 제거되고, 빛이 조사된 부분이 제 1 드라이필름(4a)으로서 잔존한다.
다음에, 상술한 바와 같이 해서 형성된 제 1 드라이필름(4a)에 제 2 드라이필름(4b)(도 1 참조)을 적층 형성한다. 우선, 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 한쪽면에 투명한 베이스 시트(6)가 적층된 제 2 드라이필름 시트(4B)를, 베이스 시트(6)의 면을 겉으로 해서 제 1 드라이필름(4a)과 유리기판(1) 표면을 간극없이 덮은 상태로 라미네이트(laminate; 적층)한다. 이 때, 상술한 제 1 드라이필름 시트(4A)를 밀착시키는 과정과 마찬가지로, 열압착 툴을 압접시켜 120℃정도로 가열하면서 가압하고, 제 2 드라이필름 시트(4B)를 제 1 드라이필름(4a)의 단면에도 간극없이 추종시켜 라미네이트한다. 이것에 의해, 제 1 드라이필름(4a)의 단면에 대응하여 베이스 시트(6)의 표면에 생기는 단차의 크기 g를 제 1 드라이필름(4a)의 층두께 t에 대략 동일한 크기로 억제할 수 있다.
다음에, 도 3의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제 2 차광마스크(7b)를 이용하여 노광을 실행한다. 이 제 2 차광마스크(7b)에 설치되어 있는 개구(71b)의 크기는 제 1 드라이필름(4a)의 면적을 전체둘레에 걸쳐 확장치수 D1만큼 균등하게 확장한 크기로 설정되어 있다. 이 확장치수 D1은 드라이필름(4)의 두께 t의 2배보다 큰 치수로 설정되어 있다.
그 후는 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이, 제 1 드라이필름(4a)을 형성할 때와 마찬가지로 현상을 실행한다. 이것에 의해, 도 3의 (d)에 나타내는 바와 같이, 단면에 크기가 모두 g인 2개의 단차를 구비한 제 2 드라이필름(4b)이 적층 형성된다. 즉, 형성되는 제 2 드라이필름(4b)의 제 1 드라이필름(4a)의 단면을 덮는 단부(41b)가, 두께 t의 제 2 드라이필름 시트(4B)를 제 1 드라이필름(4a)의 단면을 따르게 한 상승부(411b)와 투명절연막(3)의 표면을 따르게 하여 치수 L만큼 연장돌출시킨 연장돌출부(412b)로 이루어진다. 그리고, 연장돌출부(412b)의 연장돌출 치 수 L은 대략, 제 2 차광마스크(7b)의 개구(71b)의 확장치수 D1에서 두께 t를 차감한 치수로 된다.
또한, 상술한 바와 같이 해서 적층 형성된 제 2 드라이필름(4b)에 제 3 드라이필름(4c)(도 1 참조)을 적층 형성한다. 상술한 각 공정과 마찬가지로, 우선, 도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이, 한쪽면에 투명한 베이스 시트(6)가 점착된 제 3 드라이필름 시트(4C)를, 베이스 시트(6)의 면을 겉으로 해서 제 2 드라이필름(4b)과 유리기판(1) 표면을 간극없이 덮은 상태로 라미네이트한다.
다음에, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제 3 차광마스크(7c)를 이용하여 노광을 실행한다. 이 제 3 차광마스크(7c)에 설치되어 있는 개구(71c)의 크기는 제 2 차광마스크(7b)의 개구(71b)를 그 전체둘레에 걸쳐 확장치수 D2만큼 균등하게 확장한 크기로 설정되어 있다. 이 확장치수 D2는 적어도 드라이필름(4)의 두께 t보다 큰 치수로 설정되어 있으면 좋다. 이 치수는 제 2 차광마스크(7b)에 대한 확장 치수 D1과 마찬가지로 드라이필름(4)의 두께 t의 2배보다 크게 하는 것이 바람직하다.
다음에, 도 4의 (c)에 나타내는 바와 같이, 지금까지의 제 1, 제 2 드라이필름 시트(4A, 4B)에 대한 현상공정과 마찬가지로 현상을 실행한다. 이것에 의해, 도 4의 (d)에 나타내는 바와 같이, 단면에 크기가 모두 드라이필름의 두께 t와 동일한 3개의 단차 g를 구비한 제 3 드라이필름(4c)이 적층 형성된다.
그 후, 적층된 3층의 제 1∼제 3 드라이필름(4a, 4b, 4c)을 230∼240℃로 일괄 소성(sinter)하여 경화시키고, 최상층의 제 3 드라이필름(4c)의 계단형상 단면 을 포함하는 전체 노출표면, 즉 하지막(4)의 전체 노출표면을 포함하는 유리기판(1) 상에, ITO로 이루어지는 투명도전막을 200∼210℃의 환경하에서 스퍼터링에 의해 균일하게 성막한다. 그리고, 균일하게 성막된 ITO 박막을 포토리소그래피에 의해 소정의 패턴으로 패터닝하는 것에 의해, 도 1에 나타내는 정전보호용 투명전극(5)이 표면에 설치된 지문 인증 디바이스가 얻어진다.
이상과 같이, 본 실시예의 지문 인증 디바이스는 정전보호용 투명전극(5)을 지지하는 하지막(4)을 두께가 동일한 3층의 드라이필름 적층체로 구성하고, 그 단면을, 단차의 수가 드라이필름(4a∼4c)의 적층수와 동일수인 3단이고 각 단차의 크기 g가 드라이필름(4a∼4c)의 두께 t와 동일한 크기의 계단형상으로 형성하였다. 따라서, 개개의 단차의 크기 g가 하지막(4)의 두께의 1/3 정도로 작아져, 정전보호용 투명전극(5)을 형성하기 위한 ITO 박막을 개개의 단차에 추종시켜 균일하게 성막할 수 있다. 또, 그 ITO 박막을 패터닝하기 위한 포토레지스트층도 개개의 단차에 추종시켜 균일하게 형성할 수 있다. 이것에 의해, ITO 박막이 단차에 추종할 수 없어 결락한 「단끊김」이나 포토레지스트층의 결락에 의한 패터닝불량이 없는 양질의 정전보호용 투명전극(5)이 확실하게 얻어진다.
또한, 하지막(4)을 3층의 드라이필름 적층체로 구성하는 것에 의해, 하지막(4)의 전체 층두께에 걸쳐 관통하는 핀홀의 발생이 유효하게 방지되고, 정전보호용 투명전극(5)과 유리기판(1) 상의 배선 등과의 쇼트에 의한 포토센서(2)나 드라이버소자(도시하지 않음) 등의 손상이 확실하게 회피된다.
또, 본 실시예의 지문 인증 디바이스의 제조방법은 복수개의 드라이필름 시 트를 순차 라미네이트하여 마찬가지의 포토리소그래피를 반복 실시하는 프로세스로 이루어지기 때문에, 단면이 복수의 단차를 구비한 계단형상을 이루는 적층체 구조의 하지막(4)을, 적층체로 하는 것에 의한 공정수의 증가를 최소한으로 억제하여 제조할 수 있다.
그 결과, 본 실시예의 지문 인증 디바이스와 그 제조방법에 따르면, 정전보호용 투명전극(5)의「단끊김」이나 패터닝불량 및 하지막(4)에 있어서의 핀홀 등의 결함의 발생이 방지되어, 양질의 정전보호용 투명전극(5)이 정확하게 패터닝되어 양품률이 높고 신뢰성이 우수한 지문 인증 디바이스를 제조하는 것이 가능하게 된다.
<제 2 실시예>
다음에, 본 발명의 제 2 실시예로서의 지문 인증 디바이스와 그 제조방법에 대해, 도 5 및 도 6의 (a)∼(d) 내지 도 8의 (a)∼(d)에 의거하여 설명한다. 또한, 상기 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
본 실시예의 지문 인증 디바이스는 도 5에 나타내는 바와 같이, 도시하지 않은 전극배선이 배치된 유리기판(1) 상에 복수개의 포토센서(2)가 소정의 배치로 배열되어 있다. 이들 포토센서(2)를 덮고 절연막(3)이 균일하게 형성되고, 이 절연막(3)의 표면에는 3개의 드라이필름(8a, 8b, 8c)을 적층하여 3층 구조로 형성된 하지막(8)이, 상기 포토센서(2)가 배열된 영역에 대응시켜 미리 정한 소정의 패턴으로 형성되어 있다. 그리고, 하지막(8)이 설치된 영역으로부터 그 외측의 영역에 걸 쳐, 소정 패턴의 정전보호용 투명전극(5)이 형성되어 있다. 즉, 상기 제 1 실시예와는 하지막(8)의 적층구조가 다를 뿐, 그 밖의 구성은 대략 동일하다.
하지막(8)은 도 5에 나타내는 바와 같이, 아크릴수지를 베이스 폴리머로 한 상기 실시예와 동일한 네거티브타입의 감광성수지 재료로 이루어지는 3층의 드라이필름(8a, 8b, 8c)을 순차 계단형상으로 적층하여 형성되어 있다. 3층으로 적층되는 드라이필름(8a, 8b, 8c) 중의 1층째의 제 1 드라이필름(8a)은 투명절연막(3)의 표면에 소정의 패턴으로 형성되어 설치되고, 이 제 1 드라이필름(8a)의 둘레단부(81a)를 제외한 표면에 2층째의 제 2 드라이필름(8b)이 밀착시켜 적층되고, 또한 이 제 2 드라이필름(8b)의 둘레단부(81b)를 제외한 표면에 3층째의 제 3 드라이필름(8c)이 마찬가지로 밀착시켜 적층되어 있다. 이와 같이 구성된 하지막(8)의 단면도 제 1 실시예와 마찬가지로, 크기 g가 각 드라이필름(8a, 8b, 8c)의 두께 t에 동일한 3개의 단차를 구비한 계단형상을 이루고 있다.
여기서, 1층째의 제 1 드라이필름(8a)과 2층째의 제 2 드라이필름(8b)의 각 에지부가 모따기되어 있다. 정전보호용 투명전극(5)에 있어서의「단끊김」이나 패터닝불량은 하지가 모난 에지부에서 발생하기 쉽고, 따라서, 제 1, 제 2 드라이필름(8a, 8b)의 각 에지부를 모따기하는 것에 의해, 하지막(8)의 설치에리어로부터 그 외부에리어에 걸쳐 설치되는 정전보호용 투명전극(5)의 「단끊김」이나 패터닝불량의 발생이 방지된다. 또한, 제 1 드라이필름(8a)에 형성되는 모따기부(82a)는 제조방법상의 이유로, 제 2 드라이필름(8b)에 형성되는 모따기부(82b)보다 큰 면적으로 형성된다.
다음에, 본 실시예의 지문 인증 디바이스의 제조방법에 있어서의 하지막 형성공정에 대해, 도 6의 (a)∼(d) 내지 도 8의 (a)∼(d)에 의거하여 설명한다.
우선, 도 6의 (a)에 나타내는 바와 같이, 포토센서(2)를 덮고 유리기판(1) 상에 균일하게 형성된 절연막(3)의 평탄한 표면에 상술한 네거티브타입의 감광성수지 재료로 이루어지는 제 1 드라이필름 시트(8A)를, 상술한 제 1 실시예의 경우와 마찬가지로 열압착 툴(도시하지 않음)에 의해 투명한 베이스 시트(6)를 통해 100∼120℃정도로 가열하면서 절연막(3)의 표면에 간극없이 압착한다.
다음에, 제 1 드라이필름 시트(8A)에 대한 노광을 실시한다. 도 6의 (b)에 나타내는 바와 같이, 베이스 시트(6)를 부설한 채 제 1 드라이필름 시트(8A) 상에 제 1 차광마스크(9a)를 통해 빛(백색 화살표로 나타냄)을 조사한다. 이 노광공정에서 사용하는 제 1 차광마스크(9a)의 개구(91a)는 드라이필름의 재료로서 네거티브타입의 감광성수지 재료를 이용하고 있기 때문에, 하지막(8)을 구성하는 제 1 드라이필름(8a)(도 5 참조)의 배치에리어에 대응시켜 설치되어 있다.
그 후, 제 1 드라이필름 시트(8A)로부터 베이스 시트(6)를 제거하고, 도 6의 (c)에 나타내는 바와 같이, 노광된 제 1 드라이필름 시트(8A)의 표면에 화살표로 나타내는 바와 같이 현상액을 대략 균등하게 산포하여 현상한다. 이것에 의해, 도 6의 (d)에 나타내는 바와 같이, 제 1 드라이필름 시트(8A) 중의 노광공정에서 빛이 조사되지 않았던 에리어의 감광성재료가 제거되고, 빛이 조사된 부분이 제 1 드라이필름(8a)으로서 잔존한다.
다음에, 상술한 바와 같이 해서 형성된 제 1 드라이필름(8a)에 제 2 드라이 필름(8b)을 적층 형성하기 위해, 우선, 도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이, 한쪽면에 투명 베이스 시트(6)가 적층된 제 2 드라이필름 시트(8B)를, 베이스 시트의 면을 겉으로 해서 제 1 드라이필름(8a)과 유리기판(1) 표면을 간극없이 덮은 상태로 라미네이트한다. 이 때, 상술한 제 1 드라이필름 시트(8A)를 밀착시키는 과정과 마찬가지로, 열압착 툴을 압접시켜 120℃ 정도로 가열하면서 가압하고, 제 2 드라이필름 시트(8B)를 제 1 드라이필름(8a)의 단면에도 간극없이 추종시켜 라미네이트한다. 이것에 의해, 제 1 드라이필름(8a)의 단면에 대응하여 베이스 시트(6)의 표면에 생기는 단차의 크기 g를 제 1 드라이필름(8a)의 층두께 t에 대략 동일한 크기로 억제할 수 있다.
다음에, 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제 2 차광마스크(9b)를 이용하여 노광을 실행한다. 이 제 2 차광마스크(9b)에 설치된 개구(91b)의 크기는 제 1 드라이필름(8a)이 형성된 영역의 전체둘레에 걸쳐 축소치수 D3만큼 균등하게 단축한 크기로 설정되어 있다.
그 후는 도 7의 (c)에 나타내는 바와 같이, 제 1 드라이필름(8a)을 형성했을 때와 마찬가지로 현상을 실행한다. 이것에 의해, 도 7의 (d)에 나타내는 바와 같이, 단면이 하층의 제 1 드라이필름(8a)의 단면보다 상기 제 2 차광마스크(9b)의 개구(91b)가 짧은 축소치수 D3만큼 내측(중앙부측)으로 후퇴한 제 2 드라이필름(8b)이 제 1 드라이필름(8a) 상에 적층 형성된다. 즉, 평탄한 제 1 드라이필름(8a) 상에, 면적이 그 전체둘레에 걸쳐 상기 축소치수 D3만큼 작은 평탄한 제 2 드라이필름(8b)이 적층된다.
상기 현상공정에 있어서, 제 1 드라이필름(8a)의 제 2 드라이필름(8b)이 적층되지 않은 단부가 현상액에 노출되는 것에 의해 그 에지부가 모따기되어, 경사면의 모따기부(82a)가 형성된다.
또한, 상술한 바와 같이 하여 적층 형성된 제 2 드라이필름(8b)에 제 3 드라이필름(8c)을 적층 형성하기 위해, 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, 한쪽면에 투명 베이스 시트(6)가 점착된 제 3 드라이필름 시트(8C)를, 베이스 시트의 면을 겉으로 해서 제 2 드라이필름(8b)과 제 1 드라이필름(8a)의 단부 및 유리기판(1) 표면에 걸쳐 간극없이 덮은 상태로 라미네이트한다.
다음에, 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제 3 차광마스크(9c)를 이용하여 노광을 실행한다. 이 제 3 차광마스크(9c)에 설치되어 있는 개구(91c)의 크기는 제 2 차광마스크(9b)의 개구(91b)를 그 전체둘레에 걸쳐 축소치수 D4만큼 균등하게 작은 크기로 설정되어 있다. 이 축소치수 D4는 제 2 차광마스크(9b)에 있어서의 축소치수 D3과 마찬가지로 드라이필름(8)의 두께 t보다 크게 설정하는 것이 바람직하다.
다음에, 도 8의 (c)에 나타내는 바와 같이, 지금까지의 제 1, 제 2 드라이필름 시트(8A, 8B)에 대한 현상공정과 마찬가지로 현상을 실행한다. 이것에 의해, 도 8의 (d)에 나타내는 바와 같이, 단면이 하층의 제 2 드라이필름(8b)의 단면보다 상기 제 3 차광마스크(9c)의 개구(91c)에 있어서의 축소치수 D4만큼 내측으로 후퇴한 제 3 드라이필름(8c)이, 제 2 드라이필름(8b) 상에 적층 형성된다. 즉, 평탄한 제 1 드라이필름(8a) 상에, 면적이 전체둘레에 걸쳐 축소치수 D3분만큼 작은 평탄한 제 2 드라이필름(8b)과, 이것보다 면적이 전체둘레에 걸쳐 축소치수 D4분만큼 작은 제 3 드라이필름(8c)이 순차 적층되어 있다.
이 현상공정에 있어서는 제 1 드라이필름(8a)의 제 2 드라이필름(8b)이 적층되어 있지 않은 단부와, 제 2 드라이필름(8b)의 제 3 드라이필름(8c)이 적층되지 않는 단부가 현상액에 노출되는 것에 의해, 제 2 드라이필름(8b)의 에지부가 모따기되어 경사면의 모따기부(82b)가 형성되고, 또 제 1 드라이필름(8a)에 형성되어 있는 모따기부(82a)가 재차 현상액에 노출되어 커져 경사면의 면적이 증가한다.
그 후, 적층된 3층의 제 1∼제 3 드라이필름(8a, 8b, 8c)을 230∼240℃로 일괄 소성하여 경화시키고, 제 3 드라이필름(8c)의 표면과 단면, 제 2 드라이필름(8b)의 노출된 단부 표면과 단면 및 제 1 드라이필름(8a)의 노출된 단부 표면과 단면, 즉 하지막(8)의 전체 노출면과 이것에 계속되는 유리기판(1) 상에 걸쳐, ITO로 이루어지는 투명도전막을 200∼210℃의 환경하에서 스퍼터링에 의해 균일하게 성막한다. 그리고, 균일하게 성막된 ITO 박막을 포토리소그래피에 의해 소정의 패턴으로 패터닝하는 것에 의해, 도 5에 나타내는 정전보호용 투명전극(5)이 원하는 패턴으로 표면에 배치된 지문 인증 디바이스가 얻어진다.
이상과 같이, 본 제 2 실시예의 지문 인증 디바이스에서는 상기 제 1 실시예와 마찬가지로, 표면에 배치되는 정전보호용 투명전극(5)을 지지하는 하지막(8)을 두께가 동일한 3층의 드라이필름 적층체로 구성하고, 그 단면을, 단차의 수가 제 1 내지 제 3 드라이필름(8a∼8c)의 적층수와 동일수인 3단이고 각 단차의 크기 g가 제 1 내지 제 3 드라이필름(8a∼8c)의 두께 t와 동일한 크기의 계단형상으로 형성 하며, 또한 제 1 및 제 2 드라이필름(8a, 8b)의 에지부를 모따기하여 경사면으로 하였다. 따라서, 개개의 단차의 크기 g가 하지막(8)의 두께의 1/3 정도로 작아지는 동시에, 박막을 부착시키는 것이 곤란한 에지부가 감소하고, 정전보호용 투명전극(5)을 형성하기 위한 ITO 박막을 개개의 단차에 추종시켜 더욱 균일하고 또한 용이하게 형성할 수 있다. 또, 그 ITO 박막을 패터닝할 때의 포토레지스트층도 개개의 단차에 추종시켜 더욱 균일하고 또한 용이하게 형성할 수 있다. 이것에 의해, ITO 박막이 단차에 추종할 수 없어 결락한 「단끊김」이나 포토레지스트층의 결락에 의한 패터닝불량이 없는 양질의 정전보호용 투명전극(5)이 더욱 확실하게 얻어진다.
또한, 하지막(8)을 3층의 드라이필름 적층체로 구성하는 것에 의해, 하지막(8)의 전체 층두께에 걸쳐 관통하는 핀홀의 발생이 방지되고, 정전보호용 투명전극(5)과 유리기판(1) 상의 배선 등과의 단락이 확실하게 회피된다.
또, 본 실시예의 지문 인증 디바이스의 제조방법에서는 복수개의 드라이필름 시트를 순차 라미네이트하고, 드라이필름 시트마다 반복 실시하는 포토리소그래피에 이용하는 각 차광마스크의 개구를 순차 작게 하였다. 따라서, 단차의 에지부가 제조공정상에서 스스로 모따기되고, 단면이 드라이필름의 적층 개수와 동일수의 단차를 구비하는 동시에 에지부가 모따기된 계단형상을 이루는 원하는 하지막(8)을 상기 제 1 실시예의 제조방법과 대략 동일한 공정수로 형성할 수 있다.
따라서, 본 실시예의 지문 인증 디바이스와 그 제조방법에 따르면, 「단끊김」이나 패터닝불량의 발생이 방지되고, 정전보호용 투명전극(5)이 정확하게 패터닝 되어 양품률 및 신뢰성이 한층 향상한 지문 인증 디바이스를 제조 공정수를 증가시키지 않고 제조하는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 적층체로 구성되는 하지막에 있어서 적층되는 층수는 상술한 제 1, 제 2 실시예에서는 모두 3층으로 했지만, 이것에 한정되지 않고, 2층이어도 좋고, 또 3층 이상으로 적층해도 좋다. 이 경우의 각 층의 재료나 두께도 각 층 모두 동일하게 할 필요는 없으며, 박막 디바이스 기판의 용도에 따라서 최적으로 선정하여 설정하면 좋다.
또, 본 발명의 제조방법에 있어서 이용하는 드라이필름의 재료로서는 네거티브타입의 감광성수지 재료에 한정되지 않고, 포지티브타입의 감광성수지 재료를 이용할 수 있다. 이 경우, 제 1 실시예와 같이 하지막의 적층구조가 상층이 하층을 피복하는 구조이어도, 제 2 실시예와 같이 하지막 단면의 에지부가 현상작용에 의해서 스스로 모따기된 더욱 바람직한 하지막을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명은 지문 인증 디바이스 기판에 한정되지 않고, 박막 패턴이 기판의 표면에 형성되는 각종 디바이스 기판에 널리 적용할 수 있는 것은 물론이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 박막 디바이스는 박막 소자가 형성된 기판과, 상기 기판의 박막 소자의 상측에 배치되고, 감광성수지 재료로 이루어지는 필름의 밀착, 노광 및 에칭에 의해서 미리 정한 형상으로 형성된 적어도 1층의 절연막으로 이루어지는 하지막과, 상기 하지막의 위에 미리 정한 형상으로 형성된 박막 패턴으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이 박막 디바이스에 있어서, 상기 하지막은 감광성수지 재료로 이루어지는 복수의 드라이필름의 적층막에 의해 형성되고, 각 층의 드라이필름은 각각이 다른 크기를 가지며 또한 단면이 서로 일치하지 않도록 순차 적층된 절연막으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 하지막의 복수의 층을 형성하는 각각의 절연막은 상기 기판측의 하층의 절연막이 상층의 절연막보다 작은 면적을 갖고, 상기 하층의 절연막을 덮고 상층의 절연막이 적층되어 있는 것이 바람직하다. 또, 상기 하지막의 복수의 층을 형성하는 각각의 절연막은 기판측의 하층의 절연막이 상층의 절연막보다 큰 면적을 갖고, 상기 하층의 절연막의 위에 상층의 절연막이 적층되어 있는 것이 바람직하다. 또한 이 경우, 상기 하지막의 복수의 절연막은 기판측의 하층의 절연막의 단면의 에지부가 제거되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 박막 디바이스에 있어서, 상기 기판은 그 위에, 피험자의 지문을 검출하기 위한 복수의 포토센서와 이들 포토센서를 덮는 투명절연막이 형성되고, 상기 하지막은 상기 투명절연막 상에 형성된 실질적으로 투명한 복수의 드라이필름의 적층막으로 형성되며, 상기 박막 패턴은 상기 하지막 상에 소정의 패턴으로 형성된 투명도전막으로 이루어지고, 피험자의 손가락이 표면에 접촉되는 정전보호막을 형성하는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 지문 검출 디바이스는 피험자의 지문을 검출하기 위한 복수의 포토센서와 이들 포토센서를 덮는 투명절연막이 형성된 기판과, 상기 기판 상에 형성된 상기 투명절연막 상의 상기 포토센서에 대응하는 부분을 포함하는 미리 정한 형상으로, 감광성수지로 이루어지는 드라이필름에 의해서 각각 형성되고, 서로 크 기가 다르고 또한 단면이 서로 일치하지 않도록 각각 적층된 복수의 절연막으로 이루어지는 하지막과, 상기 하지막과 상기 기판 상의 상기 투명절연막의 위에 미리 정한 패턴으로 형성된 투명도전막으로 이루어지는 정전보호막을 구비하는 것이 바람직하다.
이 지문 검출 디바이스에 있어서, 상기 하지막의 복수의 절연막은 기판측의 하층의 절연막이 상층의 절연막보다 작은 면적을 갖고, 상기 하층의 절연막을 덮고 상층의 절연막이 적층되어 있는 것이 바람직하다. 또, 상기 하지막의 복수의 절연막은 기판측의 하층의 절연막이 상층의 절연막보다 큰 면적을 갖고, 상기 하층의 절연막의 위에 상층의 절연막이 적층되어 있는 것이 바람직하다. 그리고, 이 경우, 상기 하지막의 복수의 절연막은 기판측의 하층의 절연막의 단면의 에지부가 제거되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 박막 디바이스의 제조방법은 박막 소자가 형성된 기판을 준비하는 공정과, 상기 기판의 상기 박막 소자의 상측에 감광성수지 재료로 이루어지는 적어도 1개의 필름을 밀착시키고, 노광 및 에칭에 의해서 미리 정한 형상의 적어도 1층의 절연막으로 이루어지는 하지막을 형성하는 공정과, 상기 하지막의 위에 미리 정한 형상으로 박막 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 것이 바람직하다.
이 박막 디바이스의 제조방법에 있어서, 상기 하지막을 형성하는 공정은 각각이 다른 크기를 갖고 또한 각 층을 구성하는 절연막의 단면이 서로 일치하지 않도록 복수의 절연막을 적층하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 하지막을 형성하는 공정은 상기 복수의 절연막 중, 기판측의 하층의 절연막이 상층 의 절연막보다 작은 면적을 갖고, 상기 하층의 절연막을 덮고 상층의 절연막을 순차 적층하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 또, 상기 하지막을 형성하는 공정은 상기 복수의 절연막 중, 기판측의 하층의 절연막이 상층의 절연막보다 큰 면적을 갖고, 상기 하층의 절연막의 위에 상층의 절연막을 순차 적층하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 기판을 준비하는 공정은 박막 소자가 형성된 기판 상에 투명절연막을 형성하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 박막 디바이스의 제조방법에 있어서, 하지막을 형성하는 공정은 상기 기판의 박막 소자의 상측에 감광성수지 재료로 이루어지는 제 1 드라이필름을 밀착시키고, 소정 형상의 개구를 구비한 제 1 차광마스크를 이용하여 포토리소그래피에 의해 소정의 패턴형상을 갖는 제 1 절연막을 형성하는 제 1 공정과, 상기 제 1 절연막이 형성된 기판 상에 감광성수지 재료로 이루어지는 제 2 드라이필름을 밀착시키고, 상기 제 1 차광마스크의 개구와는 다른 크기의 개구를 구비한 제 2 차광마스크를 이용하여 포토리소그래피에 의해 소정의 패턴형상을 갖는 제 2 절연막을 형성하는 제 2 공정과, 상기 제 2 절연막이 형성된 기판 상에 감광성수지 재료로 이루어지는 제 3 드라이필름을 밀착시키고, 상기 제 1 및 제 2 차광마스크의 개구와는 서로 다른 크기의 개구를 구비한 제 3 차광마스크를 이용하여 포토리소그래피에 의해 소정의 패턴형상을 갖는 제 3 절연막을 형성하는 제 3 공정을 구비하는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 제 1, 제 2 및, 제 3 공정은 각각의 공정에서 이용하는 차광마스크의 개구의 크기가 상기 제 1 차광마스크보다 상기 제 2 차광마스크쪽이 작고 또한 상기 제 2 차광마스크보다 제 3 차광마스크쪽이 작게 형성된 각각 의 차광마스크를 이용하여 각각의 드라이필름에 노광하는 것이 바람직하다. 또, 상기 제 2 공정은 상기 제 1 공정에서 형성된 상기 제 1 절연막의 단부의 에지부를 제거하는 공정을 포함하고, 상기 제 3 공정은 상기 제 1 및 제 2 공정에서 형성된 상기 제 1 및 상기 제 2 절연막의 단부의 에지부를 제거하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 박막 디바이스의 제조방법에 있어서, 박막 패턴을 형성하는 공정은 상기 하지막이 형성된 영역으로부터 그 외측의 영역에 걸쳐 상기 박막 패턴을 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 복수개의 드라이필름은 각각 네거티브타입의 감광성수지로 이루어지는 드라이필름인 것이 바람직하다.
본 발명의 박막 디바이스 기판에 따르면, 박막 소자의 상층에 설치되는 박막 패턴의 결함의 발생이 저감되어, 신뢰성이 높은 박막 디바이스가 얻어진다. 또, 본 발명의 박막 디바이스 기판의 제조방법에 있어서는 박막 소자의 상층에 설치되는 박막 패턴의 결함의 발생이 저감되고, 양품률 및 신뢰성이 높은 박막 디바이스를 공정수를 증가시키지 않고 용이하게 제조할 수 있다.

Claims (20)

  1. 박막 소자가 형성된 기판과,
    상기 기판의 박막 소자의 상측에 배치되고, 감광성수지 재료로 이루어지는 필름의 밀착, 노광 및 에칭에 의해서 미리 정한 형상으로 형성된 적어도 1층의 절연막으로 이루어지는 하지막과,
    상기 하지막의 위에 미리 정한 형상으로 형성된 박막 패턴으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하지막은 감광성수지 재료로 이루어지는 복수의 드라이필름의 적층막에 의해 형성되고, 각 층의 드라이필름은 각각이 다른 크기를 갖고 또한 단면이 서로 일치하지 않도록 순차 적층된 절연막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 하지막의 복수의 층을 형성하는 각각의 절연막은 상기 기판측의 하층의 절연막이 상층의 절연막보다 작은 면적을 갖고, 상기 하층의 절연막을 덮고 상층의 절연막이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 하지막의 복수의 층을 형성하는 각각의 절연막은 기판측의 하층의 절연막이 상층의 절연막보다 큰 면적을 갖고, 상기 하층의 절연막의 위에 상층의 절연막이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 하지막의 복수의 절연막은 기판측의 하층의 절연막의 단면의 에지부가 제거되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 그 위에, 피험자의 지문을 검출하기 위한 복수의 포토센서와, 이들 포토센서를 덮는 투명절연막이 형성되고,
    상기 하지막은 상기 투명절연막 상에 형성된 실질적으로 투명한 복수의 드라이필름의 적층막으로 형성되며,
    상기 박막 패턴은 상기 하지막 상에 소정의 패턴으로 형성된 투명도전막으로 이루어지고, 피험자의 손가락이 표면에 접촉되는 정전보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스.
  7. 피험자의 지문을 검출하기 위한 복수의 포토센서와, 이들 포토센서를 덮는 투명절연막이 형성된 기판과,
    상기 기판 상에 형성된 상기 투명절연막 상의 상기 포토센서에 대응하는 부분을 포함하는 미리 정한 형상으로, 감광성수지로 이루어지는 드라이필름에 의해서 각각 형성되고, 서로 크기가 다르며 또한 단면이 서로 일치하지 않도록 각각 적층된 복수의 절연막으로 이루어지는 하지막과,
    상기 하지막과 상기 기판 상의 상기 투명절연막의 위에 미리 정한 패턴으로 형성된 투명도전막으로 이루어지는 정전 보호막을 구비하는 것을 특징으로 하는 지문 검출 디바이스.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 하지막의 복수의 절연막은 기판측의 하층의 절연막이 상층의 절연막보다 작은 면적을 갖고, 상기 하층의 절연막을 덮고 상층의 절연막이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 지문 검출 디바이스.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 하지막의 복수의 절연막은 기판측의 하층의 절연막이 상층의 절연막보다 큰 면적을 갖고, 상기 하층의 절연막 상에 상층의 절연막이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 하지막의 복수의 절연막은 기판측의 하층의 절연막의 단면의 에지부가 제거되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스.
  11. 박막 소자가 형성된 기판을 준비하는 공정과,
    상기 기판의 상기 박막 소자의 상측에 감광성수지 재료로 이루어지는 적어도 1개의 필름을 밀착시키고, 노광 및 에칭에 의해서 미리 정한 형상의 적어도 1층의 절연막으로 이루어지는 하지막을 형성하는 공정과,
    상기 하지막의 위에 미리 정한 형상으로 박막 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 하지막을 형성하는 공정은 각각이 다른 크기를 갖고, 또한 각 층을 구성하는 절연막의 단면이 서로 일치하지 않도록 복수의 절연막을 적층하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 하지막을 형성하는 공정은 상기 복수의 절연막 중, 기판측의 하층의 절연막이 상층의 절연막보다 작은 면적을 갖고, 상기 하층의 절연막을 덮고 상층의 절연막을 순차 적층하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스의 제조방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 하지막을 형성하는 공정은 상기 복수의 절연막 중, 기판측의 하층의 절연막이 상층의 절연막보다 큰 면적을 갖고, 상기 하층의 절연막의 위에 상층의 절연막을 순차 적층하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스의 제조방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판을 준비하는 공정은 박막 소자가 형성된 기판 상에 투명절연막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스의 제조방법.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 하지막을 형성하는 공정은,
    상기 기판의 박막 소자의 상측에 감광성수지 재료로 이루어지는 제 1 드라이필름을 밀착시키고, 소정 형상의 개구를 구비한 제 1 차광마스크를 이용하여 포토리소그래피에 의해 소정의 패턴형상을 갖는 제 1 절연막을 형성하는 제 1 공정과,
    상기 제 1 절연막이 형성된 기판 상에 감광성수지 재료로 이루어지는 제 2 드라이필름을 밀착시키고, 상기 제 1 차광마스크의 개구와는 다른 크기의 개구를 구비한 제 2 차광마스크를 이용하여 포토리소그래피에 의해 소정의 패턴형상을 갖는 제 2 절연막을 형성하는 제 2 공정과,
    상기 제 2 절연막이 형성된 기판 상에 감광성수지 재료로 이루어지는 제 3 드라이필름을 밀착시키고, 상기 제 1 및 제 2 차광마스크의 개구와는 서로 다른 크기의 개구를 구비한 제 3 차광마스크를 이용하여 포토리소그래피에 의해 소정의 패턴형상을 갖는 제 3 절연막을 형성하는 제 3 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1, 제 2 및, 제 3 공정은 각각의 공정에서 이용하는 차광마스크의 개구의 크기가 상기 제 1 차광마스크보다 상기 제 2 차광마스크가 작고, 또한 상기 제 2 차광마스크보다 제 3 차광마스크가 작게 형성된 각각의 차광마스크를 이용하여 각각의 드라이필름에 노광하는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스의 제조방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 2 공정은 상기 제 1 공정에서 형성된 상기 제 1 절연막의 단부의 에지부를 제거하는 공정을 포함하고, 상기 제 3 공정은 상기 제 1 및 제 2 공정에서 형성된 상기 제 1 및 상기 제 2 절연막의 단부의 에지부를 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스의 제조방법.
  19. 제 11 항에 있어서,
    상기 박막 패턴을 형성하는 공정은 상기 하지막이 형성된 영역으로부터 그 외측의 영역에 걸쳐 상기 박막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 디바이스 의 제조방법.
  20. 제 11 항에 있어서,
    상기 복수개의 드라이필름은 각각 네거티브타입의 감광성수지로 이루어지는 드라이필름인 것을 특징으로 하는 박막 디바이스의 제조방법.
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