TWI335207B - Thermally conductive composite material, electronic component comprising the same and method of reducing electromagnetic emissions - Google Patents

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TWI335207B TW92129139A TW92129139A TWI335207B TW I335207 B TWI335207 B TW I335207B TW 92129139 A TW92129139 A TW 92129139A TW 92129139 A TW92129139 A TW 92129139A TW I335207 B TWI335207 B TW I335207B
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Description

1335207 玖、發明說明： I：發明所屬之技術領域3 發明領域 概略言之，本發明係關於電子應用用途之熱管理，特 5 別本發明係關於結合電磁能衰減性質之熱導體。 C先前技術3 發明背景 用於此處，需考慮EMI —詞概略表示電磁干擾發射及 射頻干擾(RFI)發射，「電磁」一詞須視為概略表示電磁及射 10 頻。 電子裝置典型會產生熱量等無可避免的副產物。熱能 產生量係與來源電子元件或裝置之切換速度及複雜程度有 關。由於較新的電子裝置逐漸趨向於以愈來愈高的切換速 度操作，也導致產生較大熱量。此等熱量的增高就某種程 15 度而言，造成干擾來源電子元件功能、干擾其它鄰近裝置 及元件功能的風險。 如此非期望的熱能耗散須以良性方式耗散來排除或最 小化任何非期望的影響。先前技術對於非期望之熱能發散 之解決之道，包括於電子元件上放置熱襯墊，以及附著散 20 熱座至熱襯塾上。散熱座通常包括高度導熱材料。散熱座 當與產熱電子元件緊密接觸時，散熱座可將熱能導引離開 電子元件。散熱座也包括輔助由散熱座傳熱至周圍環境例 如經由對流傳熱之屬性。例如散熱座經常包括「散熱片」， 結果對指定容積而言可獲得相對大表面積。 5 1335207 此外於正常操作情況下，電子設備典型產生非期望的 r 電磁能，由於輻射及傳導傳輸EMI，結果電磁能干擾附近 電子設備的操作。電磁能存在於寬廣範圍之波長及頻率。 ’ 為了最小化EMI之相關問題，非期望之電磁能來源可經屏 5 障，且經電接地，來減少電磁能之發射入周圍環境。另外 · 或此外，EMI敏感元件可同樣地經過屏障以及電接地，來 * • 保護其不接觸周圍環境的EMI。如此屏障件係設計成可防 _ 止電磁能相對於障體、殼體或其它包圍體的進出，於該障 體、殼體或包圍體内部設置電子設備。 · 10 EMI設計原理推薦EMI的處理應儘可能接近EMI來 源，俾排除非期望的EMI進入局部環境，藉此最小化干擾 風險。不幸，需要使用散熱座之元件及裝置皆不適合於來 源處對EMI作保護處理，原因在於此種EMI保護處理將干擾 散熱座的操作。散熱座須緊密接觸電子元件來提供導熱路 15 徑，散熱座也須對周圍環境開放來允許散熱座藉對流傳熱 而散熱。 【發明内容】 ® 發明概要 概略言之，本發明係有關一種電磁干擾吸收性導熱間 · 20 隙填料，例如經由使用電磁干擾吸收材料處理的彈性體(例 - 如聚矽氧)襯墊。EMI吸收材料吸收部分入射於經處理的熱 襯墊之EMI，因而減少於寬廣操作範圍之EMI經由熱襯墊的 傳輸。吸收材料可經由功率耗散而由環境去除部分來自於 損耗機轉的EMI。損耗機轉包括介電材料的偏振損耗以及 6 具有有限傳導性之傳導材料的傳導損耗或歐姆損耗。 如此，於第一方面，本發明係有關一種減少電子裝置 產生的電磁發射之複合材料，該複合材料包括一種導熱材 料以及一種電磁能吸收材料的組合。導熱材料可輔助由裝 5 置傳導熱能，以及電磁能吸收材料可減少由裝置產生的電 磁發射。 一具體實施例中，導熱材料以及電磁能吸收材料中之 至少一者為顆粒。顆粒通常為球形例如微球，或其它形狀 例如粉末、纖維、薄片及其組合。複合物進一步包括一種 10 基體材料^導熱材料及電磁能吸收材料係懸浮於該基體材 料。 通常基體材料為實質上可透射電磁能，例如基體材料 定義為相對介電常數小於約4，以及損耗角正切小於約 0.1。一具體實施例中，基體係製備成液體。另一具體實施 15 例中，該基體係製備成固體。另一具體實施例中，基體係 製備成相改變材料，於周圍室溫係呈固相，於設備操作溫 度變遷成為液相。另一具體實施例中，基體係製備成熱固 性材料。 若干具體實施例中，導熱EMI吸收材料係成形為板 20 狀，具有厚度大於約0.010吋而小於約0.18吋。另一具體實 施例中，片材包括導熱黏著層。 另一方面，本發明係有關一種減少由一裝置產生之電 磁發射之方法，該方法包括下列步驟，提供一種導熱材料， 提供一種電磁吸收材料，以及組合該導熱材料與該電磁吸 7 1335207 收材料。 一具體實施例中，該方法包括額外步驟，懸浮導熱材 料及電磁吸收材料之組合於一種基體材料。 另一具體實施例中，該方法包括額外步驟，將導熱材 5 料與電磁吸收材料之組合置於裝置與鄰近結構間，例如置 於積體電路與散熱座間。 圖式簡單說明 經由參照後文說明結合附圖將更明白了解本發明，附 圖中： 10 第1圖為示意圖，顯示導熱EMI吸收件之一具體實施例 之透視圖，識別其範例組成元件； 第2圖為示意圖顯示導熱EMI吸收件之範例應用之透 視圖，例如第1圖所示具體實施例； 第3A及3B圖為示意圖，顯示導熱EMI吸收件之另一具 15 體實施例之透視圖，其分別成形為片狀或可捲起的帶狀； 第4圖為示意圖顯示第1圖之導熱EMI吸收件之另一具 體實施例，其中預定形狀例如係由第3 A圖之片材切割獲得； 第5圖為示意圖顯示第1圖所示導熱EMI吸收件之另一 具體實施例之透視圖，其中該屏障件係根據預定形狀預先 20 成形； 第6圖為導熱EMI吸收件之另一具體實施例之示意 圖，該吸收件係呈可流動形式例如液態； 第7圖為示意圖顯示可流動之導熱EMI吸收件之範例 應用之透視圖，例如第6圖所示具體實施例； 8 第8圖為流程圖顯示導熱EMI吸收件例如第i圖所示具 體實施例之製備方法之具體實施例；以及 第9圖為用於測疋本發明之導熱emi屏障件之導熱率 之試驗固定具之示意平面圖。 【實施方式3 較佳實施例之詳細說明 具有電磁吸收性質之材料可用來抑制寬廣範圍頻率之 EMI的傳輸。此種EMI吸收材料可提供實質電磁屏障效果， 例如於約2 GHz至約丨00 GHz之EMI頻率屏障高達約5 dB或 以上。 根據本發明，導熱EMI吸收件可經由組合emi吸收填料 ::導熱填料於基體(例如彈性體)而形成，該基體可被施用 可施’’、、門隙填料或襯墊。通常，結果所得導熱EM〗吸收件 「曰用作為任一種f熱材料，例如施用於電子元件⑽如 曰片」）與散熱座間。 步〜抑，，導熱EMI吸收件（熱咖屏障件）獅係以矩 ^積說明。熱麵屏障件斷正面表示屏障件刚内部 吸^面圖。換言之，熱刪屏障件则包括複數個_ ⑽内"及複數個熱導體⑽，二者皆料於基體材料 。卩。_並未㈣任何腿㈣餘子㈣以及熱導 係接觸任何鄰近粒子^、咖但預期可能出現 觸組配狀態。例如熱随屏障件之導熱性通常可 ^導^體粒子12G彼此緊鄰且彼此接觸之組配狀態來提 如第1圖所示，個別EMI吸收件11〇 體130厚度之如D 0、熱導體120以及美 旱又之相對尺寸僅供舉例說明及基 no、職小（換言之為顯微尺寸之填料 允許熱EMI屏障件} ^真料粒子η〇Μ2〇 _障件_之厚度實質：專子之元， 一者之厚度。 、凡牛7裝置或散熱座住 同理’懸浮粒子11G、12G之相對 第1圖所示懸浮粒子110、120之橢圓形僅°大。 通常懸浮粒子110、120 顆W“尤明之用。 圓體或不規則類球體。另外，懸浮粒子UG、12G之形狀^ 為股線、#、料或此等形狀之任—種或全部的組合。 腿吸收件110係用來吸收電磁能（換言之歷） 歷吸收將電磁能透過俗稱作為祕的過程而轉成 另種月t*里开/式。電知耗機轉包括傳導損耗、介電損耗以 及磁指耗。傳導知耗表示電磁能轉成熱能導致EMI的減 少。電磁能感應電流’電流於具有有限傳導性之ΕΜΙη及收 件110内部流動。有限傳導性結果導致部分祕的電流經由 電阻而產生熱。介電耗損表示經由將電磁能轉成具有非單 元相對介電常數之吸收件110内部分子之機械位移，結果導 致EMI的降低。磁耗損表示經由將電磁能轉成EMI吸收件 110内部之磁矩的重新排列而導致EMI的降低。 若干具體實施例中，EMI吸收件11〇具有比空氣更佳的 導熱性。例如選用作為EMI吸收件11〇之球形鐵粒子，由於 具有EMI吸收性質，故也提供某種程度的導熱性。但通常 1335207 電子元件雇可為電子裝置如封裝模組包括—或多個電子 元件(例如安裝於金屬殼體或「罐」内）。任—種情況下，電 子元件200產生熱能作為其電子功能的副產物，熱能必須耗 散來確保電子元件200可於其設計參數以内持續操作，且保 5 護不會因過熱而受到物理傷害。 通常散熱座220為一種由主機元件200耗散敎量之裝 置。散熱座⑽首先藉傳導由主機元件咖吸熱。然後散孰 座220經由對流而耗散所吸收的熱量至周圍空氣。選用之气 熱座2默狀_或料並祕殊_。賴錢〇以 1〇多種市售散熱座之任一種，或甚至為依客户需求量身訂製 15 20 熱·屏障件230可補助由元件2〇〇熱傳導至散執座 220。通常熱麵屏障件23G之厚度（經保護科細與散執座 間之尺寸)係小於預定最大值。例如一具體實施例中，熱_ 屏障件23G具有最大厚度小於約〇則。此外，熱腦屏障 — 230之厚度if ^係大於預定最小值。若熱屏障件太 f，則EMI吸收材料之容積不足，將無法提供由元件2〇〇充 刀吸收EMI。例如於—具體實施例，熱舰丨屏障件23〇具有 最小厚度大於約0.01叫·。 於一範例組配狀態’具有厚度〇 125吋之熱EMI屏障件 23〇 ’於約5 GHz至至少約丨8 GHz之頻率範圍具有至少5犯 的衰減。另一範例組配狀態，具有厚度〇 〇2吋之熱EMI屏障 件230對約1〇 GHz以上之頻率範圍具有至少約3 dB之衰 減。於另一範例組配狀態，具有厚度〇 〇4吋之熱EMI屏障件 13 1335207 件可成形為帶材320。帶材320例如可呈捲330儲存，類似習 知之黏膠帶捲。帶材320通常具有類似第3八圖就片材3〇〇所 述之構造及組成特性。類似片材3〇〇，帶材32〇包括第二寬 度（W”）以及第二厚度（丁”）。通常帶材捲具體實施例之長度 5為任意，原因在於帶材32〇之長度實質上係比任何個別用途 更長。如此適合預定用途之帶材320之長度可由捲33〇分開 (例如割斷」）。再度類似前述片材300，帶材32〇包括第— 黏著層340。帶材320類似雙面膠帶也可包括第二黏著層。 現在參照第4圖，說明組配成片材400之熱EMI屏障件 1〇 1〇〇之另一具體實施例。本具體實施例中，預定用途形狀例 如矩形410,以及橢圓形41〇，，（通稱為41〇)可由片材4〇〇沖 切，因而獲得任何具有預定二維形狀之熱EMI吸收件1〇〇。 如此片材400可經沖切而製造應用形狀410之預定輪廓。另 外’應用形狀410之預定輪靡可如第3A圖所示由柱料片材 15 3〇〇依據客戶需求特別切割。 又另-具體實施例巾，熱EMI#障材料可預成形為任 何預定形狀。現在參照第5圖，顯示於非平面用途之預成形 屏障件5〇0。熱EMI屏障件可經模製或擠壓成為任何預定形 狀例士所示矩形槽、圓柱形槽及半圓开)槽。此種非平面 2〇熱纖屏障件500可結合非平面電氣元件2_如圓柱形裝 置或元件（例如「罐」）使用。 現在參照第6圖，顯示液體熱EMI屏障件6〇〇之具體實 ^例。概略顯*容器61G盛裝液祕函屏障溶液620。部 刀办液620「A」之進—步細節顯示於標示為「細節視圖a」 15 之插圖。細節視圖顯示溶液620包括EMI吸收件粒子630及 熱導體粒子640，其各自懸浮於液態基體65〇内部。通常粒 子630、64〇之屬性類似第！圖所述對應粒子11〇、12〇之屬 性。類似就第1圖所述之基體，液態基體65〇實質可透射電 5磁輻射。液態基體650可形成為液體，可塗覆於欲處理之施 用面上。另外，液態基體65〇可成形為凝膠例如油脂、或糊 膏或原位傾倒化合物。若干具體實施例中，液體熱EMI屏 障件600可藉塗刷、噴霧或其它適當方法而施用於預定表面 上。基體材料也可為選自聚矽氧類、環氧樹脂類、聚酯樹 °脂類及其組合組成之群組之液體。 一具體實施例中，第丨圖所示基體13〇為一種經適當選 擇之相改變材料，其具有固體及液體兩種性質。於周圍室 溫，相改變材料之表現如同固體，方便處理及儲存。但相 改變材料於或低於電子設備操作溫度呈現再流溫度，因而 具有濕/間作用」。基體130再流，允許複合材料1〇〇之emi 吸收粒子110及導熱粒子12〇流入任何間隙，例如因表面瑕 疵所造成的任何間隙。 參照第7圖，說明電子元件7〇〇、散熱座71〇以及導熱 EMI屏障件720之剖面圖之特寫細節。也顯示元件7〇〇及散 2〇熱座710個別或二者之表面瑕疵730。表面瑕疵730係以誇張 方式表現以供舉例說明。基體65〇可流入表面瑕疵730内 部，基體650被調配成液體，或相改變材料，去除空氣間隙， 因而降低裝置700與相關散熱座71 〇間之熱阻抗。去除空氣 間隙之整體效果，可降低電氣元件7〇〇與散熱座71〇間之熱 16 1335207 通過此等資料線之最小平方斜率之倒數而算出導熱率。 試驗結果： 三種吸收試驗件之導熱率顯示於表2。兩種標準吸收材 料試驗件1號及試驗件2號具有極為類似之導熱率（約為1.0 5 瓦/米-°C)，而第三種吸收材料試驗件3號具有實質較高之導 熱率（約為1.5瓦/米-°C)。 表2 :導熱率 試驗件 導熱率（瓦/米-°c) 標準差 試驗件編號1 0.986 0.0632 試驗件編號2 1.022 0.0959 試驗件編號3 1.511 0.0637 1335207
附錄B 腈橡膠(40%) 頻率（GHz) μγ Μ-γ εγ εν 0.915 4 -1.77 12.277 -0.251 1.15 4 -1.77 12.277 -0.251 2 3.4 -1.74 12.277 -0.251 2.245 3.29 -1.735 12.277 -0.251 3 2.95 -1.72 12.277 -0.251 4 2.58 -1.67 12.277 -0.251 5 2.219 -1.624 12.277 -0.251 6 2.05 -1.58 12.277 -0.251 7 1.88 -1.55 12.277 -0.251 8 1.65 -1.52 12.277 -0.251 9 1.5 -1.48 12.277 -0.251 9.5 1.45 -1.43 12.277 -0.251 10 1.39 -1.4 12.277 -0.251 11 1.34 -1.36 12.277 -0.251 12 1.27 -1.32 12.277 -0.251 13 1.201 -1.273 12.277 -0.251 14 1.18 -1.24 12.277 -0.251 15 1.14 -1.21 12.277 -0.251 15.5 1.1 -1.18 12.277 -0.251 16 1.057 -1.147 12.277 -0.251 17 1.04 -1.125 12.277 -0.251 18 1.03 -1.1 12.277 -0.251 20 0.854 -0.955 12.277 -0.251 25 0.68 -0.74 12.277 -0.251 30 0.6 -0.54 12.277 -0.251 35 0.533 -0.34 12.277 -0.251 40 0.461 -0.165 12.277 -0.251 【圖式簡單說明】 5 第1圖為示意圖，顯示導熱EMI吸收件之一具體實施例 20 1335207 之透視圖，識別其範例組成元件； 第2圖為示意圖顯示導熱EMI吸收件之範例應用之透 視圖，例如第1圖所示具體實施例； 第3A及3B圖為示意圖，顯示導熱EMI吸收件之另一具 5 體實施例之透視圖，其分別成形為片狀或可捲起的帶狀； 第4圖為示意圖顯示第1圖之導熱EMI吸收件之另一具 體實施例，其中預定形狀例如係由第3A圖之片材切割獲得； 第5圖為示意圖顯示第1圖所示導熱EMI吸收件之另一 具體實施例之透視圖，其中該屏障件係根據預定形狀預先 10 成形； 第6圖為導熱EMI吸收件之另一具體實施例之示意 圖，該吸收件係呈可流動形式例如液態； 第7圖為示意圖顯示可流動之導熱EMI吸收件之範例 應用之透視圖，例如第6圖所示具體實施例； 15 第8圖為流程圖顯示導熱EMI吸收件例如第1圖所示具 體實施例之製備方法之具體實施例；以及 第9圖為用於測定本發明之導熱EMI屏障件之導熱率 之試驗固定具之示意平面圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 100、720···導熱電磁干擾屏蔽件 210…電路板 110…EMI吸收件 220、710…散熱座 120…熱導體 230…熱EMI屏蔽件 130…基體材料 300、400…片材 200、700…電子元件 310、340…黏著劑層 21 1335207 320…帶材 730···表面瑕疫 330···捲 800-830…步驟 410···施用形狀 900···試驗固定具 500···預成形屏蔽件 910…試驗件 600··.液態熱EMI屏蔽件 920…上量表塊 610…容器 930…下量表塊 620···液態熱EMI屏蔽件溶液 940…加熱器板 630…EMI吸收件粒子 950…防護加熱器 640…熱導體粒子 960…冷激板 650···液態基體 970…熱偶
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Claims (1)

1335207 第092129139號專利申請案申請專利範圍修正本 修正日期：99年8月17曰 拾、申請專利範圍： 辦月夕日修⑻/替― 1. 一種供降低由一電子裝置產生之電磁發射用之導熱複 合材料，該導熱複合材料包含下列組合： 一種呈微粒狀的導熱材料；以及 5 一種呈微粒狀的電磁能吸收材料， 該導熱材料與該電磁能吸收材料懸浮於一基體材 料内，且該基體材料即使是在加熱之後，仍可隨形於 (conformable to)—配合面之表面瑕庇； 其中該導熱複合材料係被構型成，當該導熱複合材 < 10 料配置在一電子裝置及一鄰近結構之間時，該導熱複合 材料係可用於促進源自該電子裝置的熱能的轉移，且該 電磁能吸收材料係可用於降低由該電子裝置所產生之 電磁發射。 2. 如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該導熱材 15 料及該電磁能吸收材料中之至少一者包含呈顆粒形式 之粒子，該等顆粒具有一選自由類球體、類橢圓體及不 I 規則類球體組成之群組之形狀。 3. 如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該導熱材 料及該電磁能吸收材料中之至少一者包含粒子，該等粒 20 子具有一選自由股線、薄片、粉末及其組合組成之群組 之形式。 4. 如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該導熱材 料係選自由氮化鋁、氮化硼、鐵、金屬氧化物及其組合 組成之群組。 23 1335207 5. 如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該導熱材 料為陶變》材料。 6. 如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該電磁能 吸收材料係選自由導電材料；金屬銀；羰基鐵粉；鐵、 5 矽及鋁之合金；鐵氧體；矽化鐵；磁性合金；磁性薄片； 磁性材料；及其組合所組成之群組。 7. 如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該基體材 料包含一能夠被施用作為熱間隙填充物或襯墊的彈性 體。 10 8.如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該基體材 料為實質可透射電磁能。 9.如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該基體材 料具有相對介電常數小於約4以及損耗角正切小於約 0.1。 15 10.如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該基體材 料係選自由彈性體、天然橡膠、合成橡膠、PDP、EPDM 橡膠及其組合所組成之群組。 11.如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該基體材 料包令—種聚合物。 20 12.如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該基體材 料係選自由聚矽氧、氟聚矽氧、異戊二烯、腈、氯磺化 聚乙烯、氣丁橡膠、含氟彈性體、胺基甲酸酯、熱塑材 料、熱塑彈性體(TPE)、聚醯胺TPE、熱塑聚胺基甲酸酯 (TPU)及其組合所組成之群組。 24 1335207 13. 如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該基體材 料為一種選自由熱塑材料及熱固材料所組成之群組之 固體材料。 14. 如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該基體材 5 料為液體。 15. 如申請專利範圍第14項之導熱複合材料，其中該液體係 選自由聚矽氧類、環氧樹脂類、聚酯樹脂類及其組合所 組成之群組。 16. 如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該基體材 10 料包含相改變材料，其係被構型成：於周圍室溫時呈固 相存在，而於回流溫度時轉變為液相，以致使，當加熱 至該回流溫度時，被懸浮在該基體材料中呈微粒狀的該 導熱材料與該電磁能吸收材料可流入因一配合面之表 面瑕疵所造成的間隙中。 15 Π.如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中：該基體 材料包含石蠟與乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之混合物；或 該基體材料包含合成蠟。 18.如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該基體材 料包含一具有熔點約10 0 °C及分子量約1000之合成蠟。 20 19.如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該電磁能 吸收材料具有一相對導磁率，其於約1.0 GHz下是大於 約3.0且於10 GHz下則大於約1.5。 20.如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該複合材 料係呈具有厚度大於約0.01吋之片材形式。 25 1335207 21. 如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該複合材 料係呈具有厚度小於約0.18吋之片材形式。 22. 如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該複合材 料係呈片材形式，以及進一步包含黏著劑於該片材之至 5 少一側上。 23. 如申請專利範圍第22項之導熱複合材料，其中該黏著劑 為導熱黏著劑。 24. 如申請專利範圍第22項之導熱複合材料，其中該黏著劑 為壓感性導熱黏著劑。 10 25.如申請專利範圍第22項之導熱複合材料，其中該黏著劑 係基於選自由丙烯酸類、聚矽氧類、橡膠類及其組合所 組成之群組之化合物。 26.如申請專利範圍第22項之導熱複合材料，其中該黏著劑 進一步包含一陶瓷粉末。 15 27.如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該基體材 料在不損累該基體材料隨形性(conformability)下具有接 受並懸浮有高達約60%容積之呈微粒狀的導熱材料與 電磁能吸收材料的能力。 28. 如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該電磁能 20 吸收材料包括羰基鐵。 29. 如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該基體材 料包含25重量份之石蠟以及6重量份之乙烯-乙酸乙烯 酯共聚物的混合物。 30. 如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該基體材 26 1335207 料包含95重量份之石蠟以及5重量份之乙烯-乙酸乙烯 醋共聚物的混合物。 31. 如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該基體材 料包含一有熔點為51°C之石蠟與一熔點為74°C之28% 5 乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的混合物。 32. 如申請專利範圍第16項之導熱複合材料，其中該相改變 材料包含一石蠛或一合成躐。 33. 如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中當導熱複 合材料置於該裝置與鄰近結構之間時且當該呈微粒狀 10 的導熱材料係位在因該裝置及/或鄰近結構之配合面的 表面瑕疵所造成的缝隙内時，該導熱複合材料係被構型 為減少該裝置與鄰近結構之間的熱阻抗。 34. 如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中： 該電磁能吸收材料具有相較空氣為佳的導熱率；以及 15 該導熱材料具有相較較於該電磁能吸收材料為大的導 熱率。 35. 如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中該複合材 料包括約60體積百分比的導熱材料與電磁能吸收材料。 36. 如申請專利範圍第1項之導熱複合材料，其中： 20 該複合材料係以片材的形式，該片材具有約0.125吋的厚 度且具有在自約5 GHz至高達至少約18 GHz之頻率範圍 内至少約5 dB之衰減；或 該複合材料係以片材的形式，該片材具有約0.02吋的厚 度且具有在自約10 GHz向上延伸之頻率範圍内至少約3 27 1335207 dB之衰減；或 該複合材料係以片材的形式，該片材具有約0.04吋的厚 度且具有在自約9 GHz至高達至少約15 GHz之頻率範圍 内至J約10 dB之衰減，以及在自約15 GHz向上延伸之 5 頻率範圍内至少約6dB之衰減；或 · 玄複5材料係以片材的形式，該片材具有約〇 〇6〇忖的厚 度且具有在自約4 GHz向上延伸之頻率範圍内至少約5 dB之衰減，在自約6 GHz至高達至少約丨〇 之頻率範 圍内至少約10 dB之較大的衰減。 鲁 10 37.冑電子組件，其包含—積體電路、—散熱座以及如申 請專利範圍第1項之導熱複合材料。 38. 種減少由一裝置產生之電磁發射之方法，該方法包含 下列步驟： 結合—呈微粒狀的導熱材料與一呈微粒狀的電磁 15 吸收材料；以及 於—基體材料中懸浮該經結合的導熱材料與電磁 吸收材料’該基體材料係可隨形於一配合面之表面瑕 · 疵，藉此，即使在加熱之後，被懸浮在基體材料内之呈 微粒狀的導熱材料與電磁吸收材料可隨形於該裝置之 2〇 配合面的表面瑕疵以及/或可流入該裝置之配合面的間 隙中。 39. 如申請專利範圍第38項之方法，其中於一種基體材料中 懸洋經結合之導熱材料與電磁能吸收材料之步驟包 含’將該經結合的導熱材料與電磁能吸收材料懸浮在一 28 1335207 基體材料中，該基體材料包含一具有回流溫度之相改變 材料而允許該懸浮在基體材料中呈微粒狀的導熱材料 與該電磁能吸收材料當加熱至該回流溫度時流入間隙 内。 5 40.如申請專利範圍第38項之方法，進一步包含將該經結合 之導熱材料與電磁能吸收材料置於該裝置與一種鄰近 結構間之步驟。 41.如申請專利範圍第40項之方法，其中該鄰近結構包含散 熱座。 10 42.如申請專利範圍第40項之方法，其中該裝置包含積體電 路。 43. 如申請專利範圍第39項之方法，其進一步包含下列步 驟；加熱該相改變材料至該回流溫度，以及使懸浮於該 基體材料之呈微粒狀的導熱材料以流入該裝置及/或鄰 15 近結構之表面瑕疵内。 44. 如申請專利範圍第39項之方法，其中： 該相改變材料具有等於或低於該裝置之儀器操作溫度 之回流溫度；以及 加熱相改變材料至該回流溫度以及操作該裝置。 20 45·如申請專利範圍第38項之方法，其中該基體材料包含一 25重量份之石蠟以及6重量份之乙烯-乙酸乙烯酯共聚 物的混合物。 46.如申請專利範圍第38項之方法，其中該基體材料包含一 95重量份之石蠟以及5重量份之乙烯-乙酸乙烯酯共聚 29 1335207 物的混合物。 47.如申請專利範圍第38項之方法，其中該基體材料包含一 有熔點為51°C之石蠟與一熔點為7 4 °C之2 8 %乙烯-乙酸 乙烯酯共聚物的混合物。 5 48·如申請專利範圍第39項之方法，其中該相改變材料包含 一石堪或一合成堪。 49·如申請專利範圍第38項之方法，其中該經結合的導熱材 料與電磁能吸收材料懸浮在·一基體材料内’且該基體材 料包含一石蠟與乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的混合物，或 10 該基體材料包含合成蠟。 50.如申請專利範圍第38項之方法，其中： 該懸浮在該基體材料中的經結合導熱材料與電磁能吸 收材料包含一液體溶液，以及 該方法包括施加、噴灑或塗裝該液體溶液於該具有一或 15 多個表面瑕疵之裝置與鄰近結構中之至少一者的表面 上，且使該液體溶液流入該一或多個表面瑕疵中。 30
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