TWI321365B - - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 5
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 4
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 206010041235 Snoring Diseases 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 210000004508 polar body Anatomy 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Description
1321365 九、發明說明: [發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種用於封裝發光二極體晶片(led ehip)之模具結構、及發光二極體晶片之封裝方法,尤指一 棘町避免封裝膠溢流(overflow)至發光二極體(LED)的 基板背部之模具結構及封裝方法。 【先前技術】 請茶閱第一圖及第二圖所示,其分別為習知用於封裝 發光二極體晶片之模具結構之側視分解示意圖、及習知下 模具^俯視®。由®1中可知,習知之模具結構m係包括有: 一上核具1,、及—與該上模具1 a相互配合之下模具2 a /、中13玄下杈具2 a係具有複數個大尺寸之容置空間 2 0 3 ° 圖所示,其係為習知設置發光二極體晶片 '^ 上之上視圖。由圖中可知,習知藉由蝕刻 ec ing :、方,將—基板3 a蝕刻出複數個載晶 正、負極接腳3 ο 0 a、3 0工a。 υ aEDcMps) 4a^ 線的方式’將每—個發光二曰a。之:吏,,由打 未示)透過導線4 〇 a以上片4 a之正、負極端(圖 對應正、負極接腳;3 〇 〇刀、1電性連接於該基板3 a之相 a 3 Q 1 a。此外,習知之該 5 1321365 等發光二極體晶片4 a係區分成複數個發光二極體晶片區 '域,每一個發光二極體晶片區域係具有複數個依矩陣排列 、 並對應該容置空間2 0 a大小之發光二極體晶片4 a (如 第三圖所示,該發光二極體晶片區域將會安裝5木5個發 光二極體晶片4 a於該等載晶區3 0 a上)。 請參閱第四圖所示,其係為習知上模具與下模具配合 前之示意圖。由圖中可知,該基板3 a在設置於該上模具 0 1 a之前係將一層自黏性膠帶5 a貼附於該基板3 a的背 面。 請參閱第五圖所示,其係為習知上模具與下模具配合 後,封裝膠溢流至膠帶背面之示意圖。由圖中可知,當該 上模具1 a與該下模具2 a相互配合,並將封裝膠6 a灌 入該等容置空間2 0 a後,因為熱膨脹及該容置空間2 0 a的尺寸較大而產生壓力集中在中央區的關係,所以不但 使得該基板3 a產生變形,更使得該封裝膠6 a過度溢膠 至該自黏性膠帶5 a的背面(箭頭所指之處係為溢流之封 籲 裝膠),而不致於造成封裝膠之浪費及無法清除之缺點。 然而,上述習知之模具結構m仍具有下列之缺點: 1、該自黏性膠帶5 a不但成本高,而且貼附於該基板3 - a的背部之方式也需要透過精密的黏貼設備。 • 2、由於習知之該等發光二極體晶片4 a過於緊靠,而造 成強度不足的現象。 3、由於該等容置空間2 0 a的尺寸過大,而造成該等封 裝完成後之發光二極體晶片4 a不易進行脫模,進而 6 1321365 造成模具脫模良率降低。 是以,由上可知,目前習知用於封裝發光二 之模具結構,顯然具有不便無失存在,^ 緣是,本發明人有感上述缺失之可改善,且:攄= 來從事此方面之相關經驗,悉心觀察且研究之,創己^ 理之運用’而提出—種設計合理衫效改善 = 發明。 、六大心不 【發明内容】 本發明所要解決的技術問題,在於提供—種用於封褒 發光二極體晶片(LED ehip)之模具結構、及發光二極體晶片 之封裝方法’而此模具結構及封裝方法係可避免封裝膠溢 流(overflow)至發光二極體(LED)的基板之背部。 為了解決上述技術問題,根據本發明之其中一種方 案,提供一種用於封裝發光二極體晶片之模具結構,其包 括.一上模具及一下模具。其中,該下模具係與該上模具 相互配合’並且該下模具係具有一主要流道(main flow channel)、複數個形成於該主要流道的側邊之容置空間、複 數個橫向地(transversely )使每一個容置空間彼此相連通 之次要流道(secondary flow channels)、以及複數個穿透該 下模具之脫模頂腳(pins)。 為了解決上述技術問題,根據本發明之其中一種方 案’提供一種發光二極體晶片之封裝方法,其包括:首先’ 提供兩個相互配合之上模具與下模具,其中該下模具係具 7 1321365 有一主要流道(main flow channel)、複數個形成於該主要 流道的侧邊之容置空間、複數個橫向地(transversely )使 母一個谷置空間彼此相連通之次要流道(sec〇ndary flow channels)、以及複數個穿透該下模具之脫模頂腳(pins); 然後,透過該上模具,將已打線完成之複數個發光二極體 晶片(wire-bonded LED chips )’以相對應該等容置空間的 方式壓合該下模具。 接下來,將封裝膠從該主要流道灌入,以使得該封裝 膠經過該等次要流道而流入每一個容置空間内,並填充滿 每一個容置空間,以封裝該等已打線完成之發光二極體晶 片(wire-bonded LED chips);然後,向上移除該上模具, 以使得該上模具脫離該等封裝完成後之發光二極禮晶片 L packaged LED chips);最後,透過該等脫模頂腳,以頂出 邊等封裝完成後之發光二極體晶片(packagedLEDchips)。 因此,本發明之模具結構及封裝方法係具有下例之優 黑占· 1、 透過小面積之容置空間及切㈣配合,以增加基板 之結構強度’因而可避免封裝膠溢流(Gverfl()w)至發 光二極體(LED)的基板之背部。 2、 本發明不需使用自純膠帶,進而達到節 點。 3、 透過小面積之容置空間及支揮架的配合,以使得該等 封裝完成後之發光二極體晶片容易進行脫模,因此增 加了模具脫模之良率。 8 為了能更進 牛 技術、手段:步=發明為達成預定 目的所採取之 附圖,相信本發明之J =閱以下有關本發明之詳細說明與 入且具體之瞭解,然的、特徵與特點,當可由此得一深 非用來對本發明加^限圖式僅提供參考與說明用,並 【實施方式】 請參閱第六圖至第 裝發光二極體晶片之模且2所示,其分別為本發明用於封 用於封裝發光二極體曰結構之側視分解示意圖、本發明 圖、及本發明用於封;::拉具結構的第-實施例之上視 實施例之上視圖。由^ :極體晶片之模具結構的第二 封裴發光二極體知,本發明係提供—種用於 及—轉上in具結構M’其包括:一上模具丄、 1係且t目互配合之下模具2。其中,該上模具 工〇/。、—面向該下模具2 ’且與該下模具2配合之平面 f配合第七圖所示,以第一實施例之下模具2而言, “下模具2係包括有:-主要流道(mainflQwehannel) 2 〇複數個谷置空間2 1、複數個次要流道(seconclary打〇w channels) 2 2、以及複數個脫模頂腳(pins) 2 3。 其中’該等容置空間2 1係以矩陣的方式排列,並且 該等容置空間2 1係分別形成於該主要流道2 〇的兩相對 側,。再者’該等次要流道2 2係可以交替的方式,設置 於母個各置空間21彼此間的一側邊,以使得該等次要 1321365 流道2 2係松向地(transversely)使每一個容置空間2 1 彼此相連通。此外’該等脫模頂腳2 3係分別穿透該下模 具2並且母個脫模頂腳2 3係可伸縮地(expansibly) 凸出於相對應之容置空間2 1。 請配合第八圖所示,以第二實施例之下模具2,而言, 該下模具2係包括有:一主要流道(main flow channel) 2 〇 ’、衩數個谷置空間2 1 ’、複數個次要流道(secon(jary f]ow channels) 2 2’、以及複數個脫模頂腳(pins) 2 3,。 其中’該等容置空間2 1'係以矩陣的方式排列,並且 該等容置空間2 1'係分別形成於該主要流道2 〇'的兩相 對側邊。再者,每兩個次要流道2 2,係設置於每一個容置 空間21'彼此間的兩相對側邊,以使得該等次要流道2 2, 係横甸地(transversely)使每一個容置空間2 1,彼此相連 通。此外’該等脫模頂腳2 3,係分別穿透該下模具2,,並 且每〆個脫模頂腳2 3 ’係可伸縮地(expansibly )凸出於一 部分容置空間2 1 '之間之支撐架2 4,。 然而’上述所揭露之下模具(2、2,)的結構係非用 以限定本發明’例如··該等容置空間(2 1、2 1,)亦可 皆設4於δ玄主要流道(2 0、2 0 ’)的同一側邊。 .請參閱第九圖所示’其係為本發明設置發光二極體晶 片於基板(料片)上之上視圖。由圖中可知,首先,本發 明係吁遂過飯刻(etching)或相關的成形方式,將一基板 3钱刻出衩數個載晶區(chip carry area ) 3 0、及複數個 相對應該等載晶區3 0之正、負極接腳3 0 0、3 〇 1 ; 1321365 然後,將複數個發光二極體晶片(led chips) 4分別設置 在该荨相對應之载晶區3 Q上;最後,再藉由打線的方式, 將母一個發光一極體晶片4之正、負極端(圖未示)透過 導線4 0以分別電性連接於該基板3之相對應正、負極接 腳 3 0 0、3 0 1。 ' 請參閱第十圖、及第十一A圖至第十一E圖所示,其 分別為本發明發光二極體晶片之封装方法之流程圖、及本 發明發光二極體晶片之封裝方法之流程示意圖。首先,請 配合第十一A圖所示,提供兩個相互配合之上模具丄與下 模具2,其中該下模具2係具有一主要流道('mdn;j〇w channel) 2 0(如第六圖所示)、複數個形成於該主要流道2 0的側k之谷置空間2 1、複數個橫向地(transversely ) 使每一個容置空間2 1彼此相連通之次要流道(sec0ndary flow channels) 2 2、以及複數個穿透該下模具2之脫模頂 腳(pins) 2 3 (S100) 〇
然後,睛配合第十一 B圖所示,透過該上模具1,將 已打線完成之複數個發光二極體晶片(wire_b〇nded LED chips) 4,以相對應該等容置空間2 1的方式壓合該下模 具 2 (S102)〇 接下來,請配合第十一 C圖所示,將封裝膠5從該主 要流道2◦灌入,以使得該封裝膠5經過該等次要流道2 2而流入每一個容置空間2 1内,並填充滿每一個容置空 間2 1,以封裝該等已打線完成之發光二極體晶片 (wire-bonded LED chips ) 4 (Sl〇4)〇 1321365 然後,請配合第H D圖所示,向上移除該上模具1 (此時該上模具1向上脫離下模具2 ),以使得該上模具1 .脫離該等封裝完成後之發光二極體晶片(packaged LED chips) 4 (S106)。 此外,以本發明之第一實施例而言,請配合第十—E 圖所示,透過該等脫模頂腳2 3,以頂出該等封裴完成後 之發光二極體晶片(packaged LED chips) 4 (S108)。其 鲁 中’母個脫模頂腳2 3係可伸縮地(expansibly )凸出於 相對應之容置空間2 1。 另外,以本發明之第二實施例而言,請參閱第十二圖 所不,其係為本發明另一種透過脫模頂腳頂出封裴後之發 光二極體晶片之示意圖。由圖中可知,透過該等脫模頂腳 2 3’’以頂出該等封裝完成後之發光二極體晶片(packagd LED chips) 4 (S108)。其中,每一個脫模頂腳2 3 '係可 伸縮地(expansibly)凸出於一部分容置空間2 1,之間之支 撐架2 4'。 鲁 料閱第十三圖及第十四圖所示,其分別為本發明第 一實施,之封裝膠灌入該下模具之容置空間之示意圖、及 本發明第二實施例之封裳膠灌入該下模具之容置空間之示 . 意圖。 其中,由第十三圖所示之第一實施例而言,藉由該等 -人要流道2 2係以交替的方式,設置於每一個容置空間2 1彼此間的—侧邊,以使得該等容置空間2 1與該等次要 流暹2 2組合成-連續s型流道(如第十三圖中之箭頭§ 12
封装膠5較容易完全填充滿該等容置空間 、’而造成封骏之缺陷。 ί内之角落C產生空 個Α再者,由第十四圖所示之第"·麻4 個次要流道22、卜置於每列而言,藉由每兩 的兩相對— 置 固容置空間2 r彼此間 伯対側邊。同理可知,該封 丄攸此間
2容置空間21'而填充滿 之角產生空障,而造成封=置空間2广内 之優=所述’本發明之料結構域裝方法係具有下例 、逯過小面積之容置空間(2 1 、9 1 —、 丄 Δ ^ 丄 J丄)及支撐架2 4 的配合,以增加基板3之έ士媸%存 m 〈、,、°構強度,因而可避免 封裒膠溢流(overflow )至發弁-搞蝴Γ τ 乂九一極體(LED)的基板 〈月部。
2、本發明不需使用自黏性膠帶,進而達到節省成本之優 點。 、透過小面積之容置空間(2i、21 /)及支撐架2 4的配合,以使得該等封装完成後之發光二極體晶 片4容易進行脫模,因此增加了模具脫模之良率。 …惟,以上所述,僅為本發明最佳之一的具體實施例之 砰細說明與圖式,惟本發明之特徵並不侷限於此,並非用 以限制本發明,本發明之所有範圍應以下述之申請專利範 圍為準,凡合於本發明申請專利範圍之精神與其類似變化 之實施例’皆應包含於本發明之範疇中,任何熟悉該項技 13 1321365 藝者在本發明之領域内,可輕易思及之變化或修飾皆可涵 ‘ 蓋在以下本案之專利範圍。 【圖式簡單說明】 ' 第一圖係為習知用於封裝發光二極體晶片之模具結構之侧 視分解示意圖; 第二圖係為習知下模具之俯視圖; _ 第三圖係為習知設置發光二極體晶片於基板(料片)上之 上視圖, 第四圖係為習知上模具與下模具配合前之示意圖; 第五圖係為習知上模具與下模具配合後,封裝膠溢流至膠 帶背面之示意圖; 第六圖係為本發明用於封裝發光二極體晶片之模具結構之 側視分解示意圖; 第七圖係為本發明用於封裝發光二極體晶片之模具結構的 第一實施例之上視圖; • 第八圖係為本發明用於封裝發光二極體晶片之模具結構的 第二實施例之上視圖; 第九圖係為本發明設置發光二極體晶片於基板(料片)上 之上視圖, • 第十圖係為本發明發光二極體晶片之封裝方法之流程圖; 第十一A圖至第十一E圖係為本發明發光二極體晶片之封 裝方法之流程示意圖; 第十二圖係為本發明另一種透過脫模頂腳頂出封裝後之發 14 光二極體晶片之示意圖. 弟十三圖係為本發明第一實5; … 容置空e 1之封裝膠灌人該下模具之 第 工叫又不忍圖;以及 四圖係為本發明第二實施例之封裝膠灌入該下模且之 容置空間之示意圖。 [習主知Γ件符號說明】 模具結構 上模具 下模具 基板 發光一極體晶片 自黏性 •封裝膠 [本發明] 模具結構 • 上模具 下模具 m la 2 a 容置空間 3 a 載晶區 正極接腳 負極接腳 4 a 導線 5 a 6 a 2 0a 3 0a 3 0 0 a 3 0 1a 4 0a Μ 1 平面 2 主要流道 容置空間 次要流道 脫模頂腳 10 2 0 1 15 3 1321365 下模具 2' 主要流道 容置空間 次要流道 脫模頂腳 支撐架
基板 3 載晶區 正極接腳 負極接腳 發光二極體晶片 4 導線 封裝膠 5 16
Claims (1)
1321365 十、申請專利範圍: 1、 一種用於封裝發光二極體晶片之模具結構,其包括: 一上模具;以及 一下模具,其與該上模具相互配合,其中該下模具係 具有一主要流道(main flow channel)、複數個形成 於該主要流道的側邊之容置空間、複數個橫向地 (transversely )使每一個容置空間彼此相連通之次 要流道(secondary flow channels )、以及複數個穿透 5亥下模具之脫模頂腳(pins)。 2、 如申請專利範圍第]_項所述之用於封裝發光二極體晶 片之模具結構,其中該上模具係具有一面向該下模 具,且與該下模具配合之平面。 、 3、 如申請專利範圍第!項所述之用於封裝發光二極體晶 片之模具結構,其中該等容置空間係以矩陣的方式排 列。 4、 如中=專利範圍第!項所述之用於封裝發光二極體晶 1之模ί結構,其中該等次要流道係以交替的方式, :又置於母個谷置空間彼此間的一側邊,以使得該等 容置空間與該等次要流道組合成-連續S型流道。 5、 如申請專利範圍第1項所述之用於封裝發光二極體晶 ^之松具結構,其中每兩個次要流道係設置於每—個 容置空間彼此間的兩相對側邊。 6、 如申味專利範圍第1項所述之用於封裝發光二極體晶 片之杈具結構,其中該等容置空間皆設置於該主要流 17 1321365 道的同一側邊。 7、 如申請專利範圍第1項所述之用於封裝發光二極體晶 片之模具結構,其中該等容置空間係分別設置於該主 要流道的兩相對侧邊。 8、 如申請專利範圍第1頊所述之用於封裝發光二極體晶 片之模具結構,其中每一個脫模頂腳係可伸縮地 (expansibly )凸出於相對應之容置空間。 9、 如申請專利範圍第1項所述之用於封裝發光二極體晶 片之模具結構,其中每一個脫模頂腳係可伸縮地 (expansibly)凸出於一部分容置空間之間之支撐架。 1 ◦、一種發光二極體晶片之封裝方法,其包括: 提供兩個相互配合之上模具與下模具,其中該下模具 係具有一主要流道(main flow channel) 複數個形 成於該主要流道的側邊之容置空間、複數個橫向地 (transversely )使每一個容置空間彼此相連通之次 要流道(secondary flow channels )、以及複數個穿透 該下模具之脫模頂腳(pins); 透過該上模具’將已打線完成之複數個發光二極體晶 片(wire-bonded LED chips ),以相對應該等容置空 間的方式壓合該下模具; 將封裝膠從該主要流道灌入,以使得該封裝膠經過該 等次要流道而流入每一個容置空間内,並填充滿每 一個容置空間,以封裝該等已打線完成之發光二極 體晶片(wire-bonded LED chips ); 18 1321365 向上移除該上模具,以使得該上模具脫離該等封裝完 成後之發光二極體晶片(packagedLEDchips);以及 . 透過該等脫模頂腳,以頂出該等封裝完成後之發光二 極體晶片(packaged LED chips )。 ' 1 1、如申請專利範圍第1 0項所述之發光二極體晶片之 封裝方法,其中該上模具係具有一面向該下模具,且 與該下模具配合之平面。 1 2、如申請專利範圍第1 0項所述之發光二極體晶片之 封裝方法,其中該等容置空間係以矩陣的方式排列。 1 3、如申請專利範圍第1 0項所述之發光二極體晶片之 封裝方法,其中該等次要流道係以交替的方式,設置 於每一個容置空間彼此間的一側邊,以使得該等容置 空間與該等次要流道組合成一連續S型流道。 1 4、如申請專利範圍第1 0項所述之發光二極體晶片之 封裝方法,其中每兩個次要流道係設置於每一個容置 空間彼此間的兩相對側邊。 • 1 5、如申請專利範圍第1 0項所述之發光二極體晶片之 封裝方法,其中該等容置空間皆設置於該主要流道的 同一侧邊。 • 1 6、如申請專利範圍第1 0項所述之發光二極體晶片之 • 封裝方法,其中該等容置空間係分別設置於該主要流 道的兩相對側邊。 1 7、如申請專利範圍第1 ◦項所述之發光二極體晶片之 封裝方法,其中每一個脫模頂腳係可伸縮地 19 1321365 (expansibly )凸出於相對應之容置空間。 1 8、如申請專利範圍第1 0項所述之發光二極體晶片之 封裝方法,其中每一個脫模頂腳係可伸縮地 (expansibly )凸出於一部分容置空間之間之支撐架。 1 9、如申請專利範圍第1 0項所述之發光二極體晶片之 封裝方法,更進一步包括: 透過姓刻(etching)的方式,將一基板触刻出複數個 載晶區(chip carry area )、及複數個相對應該等載晶 區之正、負極接腳; 將複數個發光二極體晶片(LED chips)分別設置在該 等相對應之載晶區上;以及 藉由打線的方式,將每一個發光二極體晶片之正、負 極端分別電性連接於該基板之相對應正、負極接腳。 20
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW096100234A TW200830573A (en) | 2007-01-03 | 2007-01-03 | Mold structure for packaging light-emitting diode chip and method for packaging light-emitting diode chip |
US11/854,066 US7803641B2 (en) | 2007-01-03 | 2007-09-12 | Mold structure for packaging LED chips and method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW096100234A TW200830573A (en) | 2007-01-03 | 2007-01-03 | Mold structure for packaging light-emitting diode chip and method for packaging light-emitting diode chip |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200830573A TW200830573A (en) | 2008-07-16 |
TWI321365B true TWI321365B (zh) | 2010-03-01 |
Family
ID=39584560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW096100234A TW200830573A (en) | 2007-01-03 | 2007-01-03 | Mold structure for packaging light-emitting diode chip and method for packaging light-emitting diode chip |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7803641B2 (zh) |
TW (1) | TW200830573A (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI455252B (zh) * | 2008-08-28 | 2014-10-01 | 玉晶光電股份有限公司 | A mold release mechanism for a light emitting diode package process |
KR101168316B1 (ko) * | 2009-12-01 | 2012-07-25 | 삼성전자주식회사 | 발광다이오드 검사 장치 |
CN102447035B (zh) * | 2010-10-06 | 2015-03-25 | 赛恩倍吉科技顾问(深圳)有限公司 | 发光二极管、制造该发光二极管的模具及方法 |
CN102456780B (zh) * | 2010-10-29 | 2014-11-05 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装方法 |
TWI414089B (zh) * | 2010-12-06 | 2013-11-01 | Advanced Optoelectronic Tech | 發光二極體封裝方法 |
KR101850979B1 (ko) * | 2011-06-03 | 2018-04-20 | 서울반도체 주식회사 | 발광소자의 봉지재 성형장치 및 방법 |
CN104465938A (zh) * | 2013-09-22 | 2015-03-25 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 模具及使用该模具制造发光二极管的方法 |
TWM511681U (zh) * | 2015-08-05 | 2015-11-01 | Harvatek Corp | 顯示裝置及其發光陣列模組 |
WO2020019940A1 (zh) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 感光组件、感光组件拼板、模塑组件拼板以及制造方法 |
TWI728779B (zh) * | 2020-04-15 | 2021-05-21 | 宏齊科技股份有限公司 | Led顯示屏模組 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4368168A (en) * | 1978-07-17 | 1983-01-11 | Dusan Slepcevic | Method for encapsulating electrical components |
US5846477A (en) * | 1994-12-08 | 1998-12-08 | Nitto Denko Corporation | Production method for encapsulating a semiconductor device |
DE69624087T2 (de) * | 1996-01-31 | 2003-06-05 | Sumitomo Bakelite Co | Verfahren zur Herstellung von in Epoxyharz eingekapselter Halbleitervorrichtung |
KR19990004211A (ko) * | 1997-06-27 | 1999-01-15 | 한효용 | 게이트슬롯이 형성된 서브스트레이트 |
US6525386B1 (en) * | 1998-03-10 | 2003-02-25 | Masimo Corporation | Non-protruding optoelectronic lens |
EP0971401B1 (en) * | 1998-07-10 | 2010-06-09 | Apic Yamada Corporation | Method of manufacturing semiconductor devices and a resin molding machine therefor |
JP3897478B2 (ja) * | 1999-03-31 | 2007-03-22 | 松下電器産業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置の製造装置及びその製造方法 |
KR200291282Y1 (ko) * | 1999-04-14 | 2002-10-14 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지용 인쇄회로기판 |
JP2001135659A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-18 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形用金型 |
US6309916B1 (en) * | 1999-11-17 | 2001-10-30 | Amkor Technology, Inc | Method of molding plastic semiconductor packages |
JP3581814B2 (ja) * | 2000-01-19 | 2004-10-27 | Towa株式会社 | 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 |
US6856006B2 (en) * | 2002-03-28 | 2005-02-15 | Siliconix Taiwan Ltd | Encapsulation method and leadframe for leadless semiconductor packages |
US7384582B2 (en) * | 2000-08-04 | 2008-06-10 | Renesas Technology Corp. | Mold cleaning sheet and method for producing semiconductor devices using the same |
JP4669166B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2011-04-13 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置 |
US6803089B2 (en) * | 2001-08-15 | 2004-10-12 | Advanced Semiconductor Engineering Inc. | Cleaning substrate for cleaning and regenerating a mold |
JP5004410B2 (ja) * | 2004-04-26 | 2012-08-22 | Towa株式会社 | 光素子の樹脂封止成形方法および樹脂封止成形装置 |
JP2006269486A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
2007
- 2007-01-03 TW TW096100234A patent/TW200830573A/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-09-12 US US11/854,066 patent/US7803641B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7803641B2 (en) | 2010-09-28 |
US20080160658A1 (en) | 2008-07-03 |
TW200830573A (en) | 2008-07-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |